JP2001110573A - エレクトロルミネッセンス表示素子用基板およびエレクトロルミネッセンス表示素子 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示素子用基板およびエレクトロルミネッセンス表示素子Info
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- JP2001110573A JP2001110573A JP29088699A JP29088699A JP2001110573A JP 2001110573 A JP2001110573 A JP 2001110573A JP 29088699 A JP29088699 A JP 29088699A JP 29088699 A JP29088699 A JP 29088699A JP 2001110573 A JP2001110573 A JP 2001110573A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】発光層をパターニングすることができ、第二電
極ラインが成膜と同時に自然に形成されるので、パター
ニングする工程が省かれるだけでなく、薄膜ＥＬ素子を
大気に触れることなく、製造することができるＥＬ表示
素子用基板およびＥＬ表示素子を提供する。 【解決手段】複数の第一電極ライン２ｂを形成した絶縁
基板１ｂ上に、前記第一電極ラインの端部を露出させて
第一絶縁膜を形成し、更に前記第一絶縁膜の上に前記第
一電極ラインと交差する方向に延びる複数の隔壁を形成
したＥＬ表示素子用基板に、発光層及び第二電極ライン
６ｂを形成してＥＬ表示素子を得る。なお、カラーフィ
ルタ８を設けても良い。
極ラインが成膜と同時に自然に形成されるので、パター
ニングする工程が省かれるだけでなく、薄膜ＥＬ素子を
大気に触れることなく、製造することができるＥＬ表示
素子用基板およびＥＬ表示素子を提供する。 【解決手段】複数の第一電極ライン２ｂを形成した絶縁
基板１ｂ上に、前記第一電極ラインの端部を露出させて
第一絶縁膜を形成し、更に前記第一絶縁膜の上に前記第
一電極ラインと交差する方向に延びる複数の隔壁を形成
したＥＬ表示素子用基板に、発光層及び第二電極ライン
６ｂを形成してＥＬ表示素子を得る。なお、カラーフィ
ルタ８を設けても良い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、家庭用テレビ及び
高度な情報処理端末表示装置としての発光型ディスプレ
イである交流電界型のエレクトロルミネッセンス（以
下、ＥＬと表記する）表示素子及びエレクトロルミネッ
センス表示素子用基板に関する。
高度な情報処理端末表示装置としての発光型ディスプレ
イである交流電界型のエレクトロルミネッセンス（以
下、ＥＬと表記する）表示素子及びエレクトロルミネッ
センス表示素子用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にはフルカラー薄膜のＥＬ表示素子
を作製する時に図１（ａ）〜（ｃ）に示す３つの構造が
考えられる。
を作製する時に図１（ａ）〜（ｃ）に示す３つの構造が
考えられる。
【０００３】図１（ａ）に示すのは、第一絶縁層の上に
パターニングされたＲＧＢ発光層が形成されている構造
である。しかし発光層をＲＧＢにパターニングする時に
発光体にダメージを与えるために、この構造を実際に採
用することができない。
パターニングされたＲＧＢ発光層が形成されている構造
である。しかし発光層をＲＧＢにパターニングする時に
発光体にダメージを与えるために、この構造を実際に採
用することができない。
【０００４】図１（ｂ）に示すのは、絶縁基板と第一電
極の間にパターニングされたカラーフィルターが形成さ
れている構造である。しかしＥＬ表示素子のプロセス温
度が高く、使用できるカラーフィルターが制限される欠
点があるため、この構造を実際に採用することが難し
い。
極の間にパターニングされたカラーフィルターが形成さ
れている構造である。しかしＥＬ表示素子のプロセス温
度が高く、使用できるカラーフィルターが制限される欠
点があるため、この構造を実際に採用することが難し
い。
【０００５】図１（ｃ）に示すのは、図１（ｂ）の改良
で、カラーフィルターを第二電極側に置く構造である。
この構造は図１（ａ、ｂ）の構造と比べると最も実用的
とされている。しかしながらこの構造にもいくつかの欠
点が存在している。まず、電界を印加するとＲＧＢ発光
体が同時に発光するが、利用されるのはその中の一成分
にすぎないため、薄膜ＥＬ素子の発光効率を低くしてし
まう。また、その上、パターニングによる第二電極ライ
ンを形成する必要があるので、これによって、薄膜ＥＬ
表示素子の製造工程が複雑になってしまう。さらに、パ
ターニングする時に、素子を未封止のままに外に出さな
ければならないので、これによって、湿気が絶縁層のピ
ンホールやマイクロクラック等の欠陥から発光層に侵入
し、これが原因で薄膜ＥＬ素子の発光特性が低下してし
まう。そして、ＲＧＢ発光体の発光色純度に関わらず、
カラーフィルターを必要とする等の問題がある。
で、カラーフィルターを第二電極側に置く構造である。
この構造は図１（ａ、ｂ）の構造と比べると最も実用的
とされている。しかしながらこの構造にもいくつかの欠
点が存在している。まず、電界を印加するとＲＧＢ発光
体が同時に発光するが、利用されるのはその中の一成分
にすぎないため、薄膜ＥＬ素子の発光効率を低くしてし
まう。また、その上、パターニングによる第二電極ライ
ンを形成する必要があるので、これによって、薄膜ＥＬ
表示素子の製造工程が複雑になってしまう。さらに、パ
ターニングする時に、素子を未封止のままに外に出さな
ければならないので、これによって、湿気が絶縁層のピ
ンホールやマイクロクラック等の欠陥から発光層に侵入
し、これが原因で薄膜ＥＬ素子の発光特性が低下してし
まう。そして、ＲＧＢ発光体の発光色純度に関わらず、
カラーフィルターを必要とする等の問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
ＥＬ表示素子の構造においては、発光層をＲＧＢにパタ
ーニングすることは難しかった。また、第二電極ライン
を形成するためにパターニングする工程が必要であっ
た。さらに発光体の発光色純度に関わらずカラーフィル
ターを必要とする問題があった。
ＥＬ表示素子の構造においては、発光層をＲＧＢにパタ
ーニングすることは難しかった。また、第二電極ライン
を形成するためにパターニングする工程が必要であっ
た。さらに発光体の発光色純度に関わらずカラーフィル
ターを必要とする問題があった。
【０００７】本発明はこれらの問題点を解決するために
なされたものであり、発光層をＲＧＢにパターニングす
ることができ、第二電極ラインが成膜と同時に自然に形
成されるので、パターニングする工程が省かれるだけで
なく、薄膜ＥＬ素子を大気に触れることなく、製造する
ことができ、発光体の発光色純度がよければ、カラーフ
ィルターを必要としないＥＬ表示素子用基板およびＥＬ
表示素子を提供するものである。
なされたものであり、発光層をＲＧＢにパターニングす
ることができ、第二電極ラインが成膜と同時に自然に形
成されるので、パターニングする工程が省かれるだけで
なく、薄膜ＥＬ素子を大気に触れることなく、製造する
ことができ、発光体の発光色純度がよければ、カラーフ
ィルターを必要としないＥＬ表示素子用基板およびＥＬ
表示素子を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明において上記課題
を解決するために、請求項１としては、複数の第一電極
ラインを形成した絶縁基板上に、前記第一電極ラインの
端部を露出させて第一絶縁膜を形成し、更に前記第一絶
縁膜の上に前記第一電極ラインと交差する方向に延びる
複数の隔壁を形成することを特徴とするエレクトロルミ
ネッセンス表示素子用基板である。請求項２としては、
前記隔壁が頂部と頸部と底部とからなることを特徴とす
る請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス表示素子
用基板である。請求項３としては、前記隔壁の頸部の幅
が前記隔壁の頂部より短いことを特徴とする請求項１か
ら請求項２のいずれか一つに記載のエレクトロルミネッ
センス表示素子用基板である。請求項４としては、前記
隔壁の頂部と頸部と底部とが、同じ材料からなることを
特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一つに記載
のエレクトロルミネッセンス表示素子用基板である。請
求項５としては、前記隔壁が、一層からなることを特徴
とする請求項１から請求項４のいずれか一つに記載のエ
レクトロルミネッセンス表示素子用基板である。請求項
６としては、前記隔壁が、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2
Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｎａ
2 Ｏ、Ｋ2 Ｏのいずれか一つを少なくとも含むことを特
徴とする請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の
エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である。請求
項７としては、前記隔壁が、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ
2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｎ
ａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏのいずれか一つを少なくとも分散させた
ネガ型感光性樹脂を塗布・露光・現像工程により形成
後、高温焼成を行うことによって、形成されたことを特
徴とする請求項１から請求項６のいずれか一つに記載の
エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である。請求
項８としては、請求項１から請求項７のいずれかに記載
のエレクトロルミネッセンス表示素子用基板上に発光層
・第二絶縁層・第二電極ライン・接着剤を介して基板と
接着される封止基板を設けることを特徴とするエレクト
ロルミネッセンス表示素子である。請求項９としては、
更に、前記封止基板の内側にカラーフィルターが形成さ
れることを特徴とする請求項８に記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示素子である。
を解決するために、請求項１としては、複数の第一電極
ラインを形成した絶縁基板上に、前記第一電極ラインの
端部を露出させて第一絶縁膜を形成し、更に前記第一絶
縁膜の上に前記第一電極ラインと交差する方向に延びる
複数の隔壁を形成することを特徴とするエレクトロルミ
ネッセンス表示素子用基板である。請求項２としては、
前記隔壁が頂部と頸部と底部とからなることを特徴とす
る請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス表示素子
用基板である。請求項３としては、前記隔壁の頸部の幅
が前記隔壁の頂部より短いことを特徴とする請求項１か
ら請求項２のいずれか一つに記載のエレクトロルミネッ
センス表示素子用基板である。請求項４としては、前記
隔壁の頂部と頸部と底部とが、同じ材料からなることを
特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一つに記載
のエレクトロルミネッセンス表示素子用基板である。請
求項５としては、前記隔壁が、一層からなることを特徴
とする請求項１から請求項４のいずれか一つに記載のエ
レクトロルミネッセンス表示素子用基板である。請求項
６としては、前記隔壁が、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2
Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｎａ
2 Ｏ、Ｋ2 Ｏのいずれか一つを少なくとも含むことを特
徴とする請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の
エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である。請求
項７としては、前記隔壁が、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ
2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｎ
ａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏのいずれか一つを少なくとも分散させた
ネガ型感光性樹脂を塗布・露光・現像工程により形成
後、高温焼成を行うことによって、形成されたことを特
徴とする請求項１から請求項６のいずれか一つに記載の
エレクトロルミネッセンス表示素子用基板である。請求
項８としては、請求項１から請求項７のいずれかに記載
のエレクトロルミネッセンス表示素子用基板上に発光層
・第二絶縁層・第二電極ライン・接着剤を介して基板と
接着される封止基板を設けることを特徴とするエレクト
ロルミネッセンス表示素子である。請求項９としては、
更に、前記封止基板の内側にカラーフィルターが形成さ
れることを特徴とする請求項８に記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示素子である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図３を使い製造工
程に従って詳細に説明する。
程に従って詳細に説明する。
【００１０】まず、光を基板側から取り出す場合につい
て説明する。この場合には、本発明のＥＬ表示素子にお
ける透光性絶縁基板１ａとしては、石英基板、ガラス基
板などが使用できる（図３（ａ）参照）。
て説明する。この場合には、本発明のＥＬ表示素子にお
ける透光性絶縁基板１ａとしては、石英基板、ガラス基
板などが使用できる（図３（ａ）参照）。
【００１１】次に、透光性絶縁基板１ａ上に第一電極を
製膜し、フォトリソグラフィ等によって複数の第一電極
ライン２ａを形成する（図３（ａ）参照）。
製膜し、フォトリソグラフィ等によって複数の第一電極
ライン２ａを形成する（図３（ａ）参照）。
【００１２】本発明における第一電極ライン２ａの材料
としてＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウ
ム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の透
明電極材料が使用できる。
としてＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウ
ム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物等の透
明電極材料が使用できる。
【００１３】なお、抵抗を下げるために透明電極には
銅、クロム、アルミニウム、チタン等の金属もしくはこ
れらの積層物を補助電極として部分的に併設させること
ができる。
銅、クロム、アルミニウム、チタン等の金属もしくはこ
れらの積層物を補助電極として部分的に併設させること
ができる。
【００１４】次に、第一電極ライン２ａを形成した透光
性絶縁基板１ａ上に第一電極ラインの端部を露出させた
第一絶縁層３を形成する（図３（ａ）参照）。
性絶縁基板１ａ上に第一電極ラインの端部を露出させた
第一絶縁層３を形成する（図３（ａ）参照）。
【００１５】本発明における第一絶縁層３の材料として
Ｓｉ3 Ｎ4 、ＴａＯ5 、ＳｉＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｔｉ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等が使用できる。
Ｓｉ3 Ｎ4 、ＴａＯ5 、ＳｉＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｔｉ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等が使用できる。
【００１６】次に、第一絶縁層３の上に第一電極ライン
２ａと交差するように複数の隔壁９を形成する（図３
（ｂ）参照）。
２ａと交差するように複数の隔壁９を形成する（図３
（ｂ）参照）。
【００１７】本発明の隔壁は頂部と頸部と底部とからな
る。また、第二電極ラインを分離するために、頸部の幅
が頂部より短いことが望ましい。その典型的な断面形状
が図２（ａ）〜（ｄ）に示す。また図２（ｅ）に示すよ
うな形状の隔壁も考えられる。その形状は図２（ａ）中
の１に示す隔壁の逆である。
る。また、第二電極ラインを分離するために、頸部の幅
が頂部より短いことが望ましい。その典型的な断面形状
が図２（ａ）〜（ｄ）に示す。また図２（ｅ）に示すよ
うな形状の隔壁も考えられる。その形状は図２（ａ）中
の１に示す隔壁の逆である。
【００１８】本発明の隔壁の頂部と頸部と底部とが同じ
材料若しくは違う材料であってもよい。簡単な製造方法
と安いコストで製造できるため、同じ材料からなること
が好ましい。
材料若しくは違う材料であってもよい。簡単な製造方法
と安いコストで製造できるため、同じ材料からなること
が好ましい。
【００１９】本発明の隔壁が一層若しくは多層からなっ
てもよい。多層より一層の方が簡単に作製できるため、
一層からなることが好ましい。
てもよい。多層より一層の方が簡単に作製できるため、
一層からなることが好ましい。
【００２０】隔壁の高さは、好ましくは０．２μｍ〜１
００μｍであり、さらに好ましくは１μｍ〜３０μｍで
ある。頂部の幅は好ましくは０．０５μｍ〜１００μｍ
であり、さらに好ましくは０．５μｍ〜２０μｍであ
る。頸部の幅は好ましくは頂部幅の０．１倍〜０．９倍
であり、さらに好ましくは０．３倍〜０．６倍である。
底部の幅は好ましくは頸部幅の０．９倍〜頂部幅の５倍
であり、さらに好ましくは頸部幅の１倍〜頂部幅の２倍
である。
００μｍであり、さらに好ましくは１μｍ〜３０μｍで
ある。頂部の幅は好ましくは０．０５μｍ〜１００μｍ
であり、さらに好ましくは０．５μｍ〜２０μｍであ
る。頸部の幅は好ましくは頂部幅の０．１倍〜０．９倍
であり、さらに好ましくは０．３倍〜０．６倍である。
底部の幅は好ましくは頸部幅の０．９倍〜頂部幅の５倍
であり、さらに好ましくは頸部幅の１倍〜頂部幅の２倍
である。
【００２１】本発明の隔壁はガラス粉を混合したネガ型
レジストを基板上に塗布乾燥し、適切なピッチのストラ
イプ状のフォトマスクを用いてＵＶ露光を行ってから現
像・高温焼成することによって作製することができる。
なお、図２に記載のような形状の隔壁はネガ型レジスト
の組成、露光条件、現像条件の制御によって作成するこ
とができる。
レジストを基板上に塗布乾燥し、適切なピッチのストラ
イプ状のフォトマスクを用いてＵＶ露光を行ってから現
像・高温焼成することによって作製することができる。
なお、図２に記載のような形状の隔壁はネガ型レジスト
の組成、露光条件、現像条件の制御によって作成するこ
とができる。
【００２２】ガラス粉の成分としては、ＳｉＯ2 、Ａｌ
2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、
ＺｎＯ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ等がある。従って、カラス粉
の成分とその割合を調整すれば、薄膜ＥＬ素子のプロセ
ス温度に耐えられる隔壁を作製することができる。
2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、
ＺｎＯ、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ等がある。従って、カラス粉
の成分とその割合を調整すれば、薄膜ＥＬ素子のプロセ
ス温度に耐えられる隔壁を作製することができる。
【００２３】その後、蒸着マスク１０を使って、ＲＧＢ
３色の発光層４ａを順次形成する。更に、第二絶縁層５
と第二電極ライン６ａを形成してから、素子全体を接着
剤１２を介して遮光性封止基板７ａで封止する（図３
（ｃ）〜（ｇ）参照）。
３色の発光層４ａを順次形成する。更に、第二絶縁層５
と第二電極ライン６ａを形成してから、素子全体を接着
剤１２を介して遮光性封止基板７ａで封止する（図３
（ｃ）〜（ｇ）参照）。
【００２４】隔壁を有することによって、第二電極層が
形成されると同時に第二電極ライン６ａにパターニング
されるため、第二電極のパターニング工程を省くことが
できると同時に薄膜ＥＬ素子を大気に触れることなく、
製造することができる。
形成されると同時に第二電極ライン６ａにパターニング
されるため、第二電極のパターニング工程を省くことが
できると同時に薄膜ＥＬ素子を大気に触れることなく、
製造することができる。
【００２５】本発明のＲＧＢ３色の発光材料として、Ｚ
ｎＳ：Ｓｍ（赤色）、Ｚｎ：Ｍｎ＋フィルター（赤
色）、ＺｎＳ：Ｔｂ（緑色）、ＺｎＳ：Ｔｍ（青色）、
ＢａＡｌ 2 Ｓ4 ：Ｅｕ（青色）、ＳｒＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ
（青色）、ＣａＣａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ（青色）等が使用でき
る。
ｎＳ：Ｓｍ（赤色）、Ｚｎ：Ｍｎ＋フィルター（赤
色）、ＺｎＳ：Ｔｂ（緑色）、ＺｎＳ：Ｔｍ（青色）、
ＢａＡｌ 2 Ｓ4 ：Ｅｕ（青色）、ＳｒＧａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ
（青色）、ＣａＣａ2 Ｓ4 ：Ｃｅ（青色）等が使用でき
る。
【００２６】本発明の第二絶縁層５の材料として、第一
絶縁層３の材料と同じである。
絶縁層３の材料と同じである。
【００２７】本発明の第二電極に用いる材料として、金
属であることが好ましい。Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｎｉ等が使用できる。
属であることが好ましい。Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｎｉ等が使用できる。
【００２８】本発明の接着剤として、ＵＶ硬化型接着剤
やエポキシ樹脂などが使用できる。
やエポキシ樹脂などが使用できる。
【００２９】光を背面から取り出す時には、基本的な製
造方法は同じである。しかし、以下のように幾つかの違
いがある。
造方法は同じである。しかし、以下のように幾つかの違
いがある。
【００３０】まず、光が薄膜ＥＬ素子の両側から出るこ
とを防ぐため、基板１ｂは遮光性絶縁基板であることが
好ましい。次に第一電極ライン２ｂの抵抗を下げるた
め、その材料は金属であることが好ましい。それから、
第二電極ライン６ｂの材料は透明電極材料を使用しなけ
ればならない。最後に透光性封止基板７ｂを使用しなけ
ればならない。
とを防ぐため、基板１ｂは遮光性絶縁基板であることが
好ましい。次に第一電極ライン２ｂの抵抗を下げるた
め、その材料は金属であることが好ましい。それから、
第二電極ライン６ｂの材料は透明電極材料を使用しなけ
ればならない。最後に透光性封止基板７ｂを使用しなけ
ればならない。
【００３１】
【実施例】実施例１と実施例２はＲＧＢ３色の発光体の
発光色純度がよく、カラーフィルターを必要としない場
合の実施例である。実施例３はＲＧＢ３色の発光体の発
光色純度がよくなく、カラーフィルターを必要とする場
合の実施例である。
発光色純度がよく、カラーフィルターを必要としない場
合の実施例である。実施例３はＲＧＢ３色の発光体の発
光色純度がよくなく、カラーフィルターを必要とする場
合の実施例である。
【００３２】［実施例１］まず、ガラス基板１ａ上に第
一電極としてＩＴＯ層を形成した（図３（ａ）参照）。
一電極としてＩＴＯ層を形成した（図３（ａ）参照）。
【００３３】次に、フォトリソグラフィ及びウェットエ
ッチングによってＩＴＯをパターニングし、第一電極ラ
イン２ａを形成した（図３（ａ）参照）。
ッチングによってＩＴＯをパターニングし、第一電極ラ
イン２ａを形成した（図３（ａ）参照）。
【００３４】次に、第一電極ライン２ａを形成したガラ
ス基板１ａ上にＳｉＯ2 を用い、第一絶縁層３を形成し
た（図３（ａ）参照）。
ス基板１ａ上にＳｉＯ2 を用い、第一絶縁層３を形成し
た（図３（ａ）参照）。
【００３５】その上に（Ｂ2 Ｏ3 ＋ＳｉＯ2 ＋ＰｂＯ）
の混合粉体を分散したネガ型感光性樹脂を塗布・プリベ
ーク・露光・現像によって隔壁９を形成してから、５０
０℃３ｈの焼成を行い、本発明に係るのフルカラー薄膜
のＥＬ表示素子用基板が作製した（図３（ｂ）参照）。
の混合粉体を分散したネガ型感光性樹脂を塗布・プリベ
ーク・露光・現像によって隔壁９を形成してから、５０
０℃３ｈの焼成を行い、本発明に係るのフルカラー薄膜
のＥＬ表示素子用基板が作製した（図３（ｂ）参照）。
【００３６】次に、蒸着マスク１０を用いて、マスク移
動成膜法でＺｎ：Ｓｍ（Ｒ）、Ｚｎ：Ｔｂ（Ｇ）、Ｂａ
Ａｌ2 Ｓ4 （Ｂ）の３色の発光層４ａを順次形成した
（図３（ｃ）〜（ｅ）参照）。
動成膜法でＺｎ：Ｓｍ（Ｒ）、Ｚｎ：Ｔｂ（Ｇ）、Ｂａ
Ａｌ2 Ｓ4 （Ｂ）の３色の発光層４ａを順次形成した
（図３（ｃ）〜（ｅ）参照）。
【００３７】次に、ＳｉＯ2 を用い、第二絶縁層５を形
成した（図３（ｆ）参照）。
成した（図３（ｆ）参照）。
【００３８】次に、Ａｌを用い、第二電極ライン６ａを
形成した。隔壁が存在するため、第二電極層のパターニ
ング工程が省かれた（図３（ｆ）参照）。
形成した。隔壁が存在するため、第二電極層のパターニ
ング工程が省かれた（図３（ｆ）参照）。
【００３９】最後に、窒素雰囲気中で、ガラス基板１ａ
上の第一電極ライン２ａの上にＵＶ硬化型接着剤１２を
ディスペンサー等により塗布し、その上に遮光性封止基
板７ａの周辺部を接触させ、ＵＶ硬化により、素子全体
を封止した（図３（ｇ）参照）。
上の第一電極ライン２ａの上にＵＶ硬化型接着剤１２を
ディスペンサー等により塗布し、その上に遮光性封止基
板７ａの周辺部を接触させ、ＵＶ硬化により、素子全体
を封止した（図３（ｇ）参照）。
【００４０】［実施例２］遮光性絶縁基板１ｂ上にＡｌ
を用い、第一電極層を形成した。次いで、フォトリソグ
ラフィ及びウェットエッチングによってＡｌ層をパター
ニングし、第一電極ライン２ｂを形成した（図３（ａ）
参照）。
を用い、第一電極層を形成した。次いで、フォトリソグ
ラフィ及びウェットエッチングによってＡｌ層をパター
ニングし、第一電極ライン２ｂを形成した（図３（ａ）
参照）。
【００４１】次に、第一電極ライン２ｂを形成した遮光
性絶縁基板上にＳｉＯ2 を用い、第一絶縁層を形成した
（図３（ａ）参照）。
性絶縁基板上にＳｉＯ2 を用い、第一絶縁層を形成した
（図３（ａ）参照）。
【００４２】その上に（Ｂ2 Ｏ3 ＋ＳｉＯ2 ＋ＰｂＯ）
の混合粉体を分散したネガ型感光性樹脂を塗布・プリベ
ーク・露光・現像によって隔壁９を形成してから、５０
０℃３ｈの焼成を行い、本発明に係るフルカラー薄膜の
ＥＬ表示素子用基板が完成した（図３（ｂ）参照）。
の混合粉体を分散したネガ型感光性樹脂を塗布・プリベ
ーク・露光・現像によって隔壁９を形成してから、５０
０℃３ｈの焼成を行い、本発明に係るフルカラー薄膜の
ＥＬ表示素子用基板が完成した（図３（ｂ）参照）。
【００４３】次に、蒸着マスク１０を用いて、マスク移
動成膜法でＺｎ：Ｓｍ（Ｒ）、Ｚｎ：Ｔｂ（Ｇ）、Ｂａ
Ａｌ2 Ｓ4 （Ｂ）の３色の発光層４ａを順次形成した
（図３（ｃ）〜（ｅ）参照）。
動成膜法でＺｎ：Ｓｍ（Ｒ）、Ｚｎ：Ｔｂ（Ｇ）、Ｂａ
Ａｌ2 Ｓ4 （Ｂ）の３色の発光層４ａを順次形成した
（図３（ｃ）〜（ｅ）参照）。
【００４４】次に、ＳｉＯ2 を用い、第二絶縁層５を形
成した（図３（ｆ）参照）。
成した（図３（ｆ）参照）。
【００４５】次に、ＩＴＯ膜を用いて、第二電極ライン
６ｂを形成した。隔壁が存在するため、第二電極層のパ
ターニング工程が省かれた（図３（ｆ）参照）。
６ｂを形成した。隔壁が存在するため、第二電極層のパ
ターニング工程が省かれた（図３（ｆ）参照）。
【００４６】最後に、窒素雰囲気中で、遮光性絶縁基板
１ｂ上の第一電極ライン２ｂの上にＵＶ硬化型接着剤１
２をディスペンサー等により塗布し、その上にガラス封
止基板７ｂの周辺部を接触させ、ＵＶ硬化により、素子
全体を封止した（図３（ｇ）参照）。
１ｂ上の第一電極ライン２ｂの上にＵＶ硬化型接着剤１
２をディスペンサー等により塗布し、その上にガラス封
止基板７ｂの周辺部を接触させ、ＵＶ硬化により、素子
全体を封止した（図３（ｇ）参照）。
【００４７】［実施例３］素子の作製工程について、封
止するまでは実施例２と同じである。
止するまでは実施例２と同じである。
【００４８】カラーフィルターを使用するため、赤色発
光材料としてＺｎ：Ｍｎが使用できる。
光材料としてＺｎ：Ｍｎが使用できる。
【００４９】最後に、窒素雰囲気中で、遮光性絶縁基板
１ｂ上の第一電極ライン２ｂの上にＵＶ硬化型接着剤１
２をディスペンサー等により塗布し、その上に内側にカ
ラーフィルター８を形成されたガラス封止基板７ｂの周
辺部を接触させ、ＵＶ硬化により、素子全体を封止した
（図４参照）。
１ｂ上の第一電極ライン２ｂの上にＵＶ硬化型接着剤１
２をディスペンサー等により塗布し、その上に内側にカ
ラーフィルター８を形成されたガラス封止基板７ｂの周
辺部を接触させ、ＵＶ硬化により、素子全体を封止した
（図４参照）。
【００５０】尚、上記成膜は蒸着、ＥＢまたはスパッタ
法等で行っている。
法等で行っている。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、発光層をＲＧＢにパタ
ーニングすることができ、また、第二電極ラインが成膜
と同時に自然に形成されるので、パターニングする工程
が省かれるだけでなく、ＥＬ素子を大気に触れることな
く、製造することができる。これは、特に、ＢａＡｌ2
Ｓ4 のような水分に弱い発光材料を用いる場合に有効で
ある。さらに、発光体の発光色純度がよければ、カラー
フィルターを必要としないフルカラー薄膜のＥＬ表示素
子用基板およびＥＬ表示素子を提供することができる。
ーニングすることができ、また、第二電極ラインが成膜
と同時に自然に形成されるので、パターニングする工程
が省かれるだけでなく、ＥＬ素子を大気に触れることな
く、製造することができる。これは、特に、ＢａＡｌ2
Ｓ4 のような水分に弱い発光材料を用いる場合に有効で
ある。さらに、発光体の発光色純度がよければ、カラー
フィルターを必要としないフルカラー薄膜のＥＬ表示素
子用基板およびＥＬ表示素子を提供することができる。
【００５２】
【図１】従来のＥＬ表示素子の断面図である。
【図２】各種隔壁の構造の断面図である。
【図３】本発明のＥＬ表示素子用基板およびＥＬ表示素
子の製造工程を示す説明図である。
子の製造工程を示す説明図である。
【図４】本発明のＥＬ表示素子の断面図である。
【符号の説明】 １ａ…透光性絶縁基板 １ｂ…遮光性絶縁基板 ２ａ…透明電極ライン（第一電極ライン） ２ｂ…金属電極ライン（第一電極ライン） ３ …第一絶縁層 ４ａ…ＲＧＢに分離された発光層 ４ｂ…発光層 ５ …第二絶縁層 ６ａ…金属電極ライン（第二電極ライン） ６ｂ…透明電極ライン（第二電極ライン） ７ａ…遮光性封止基板 ７ｂ…透光性封止基板 ８ …カラーフィルター ９ …隔壁 １０…蒸着マスク １１…蒸着ビーム １２…ＵＶ硬化型接着剤
Claims (9)
- 【請求項１】複数の第一電極ラインを形成した絶縁基板
上に、前記第一電極ラインの端部を露出させて第一絶縁
膜を形成し、更に前記第一絶縁膜の上に前記第一電極ラ
インと交差する方向に延びる複数の隔壁を形成すること
を特徴とするエレクトロルミネッセンス表示素子用基
板。 - 【請求項２】前記隔壁が頂部と頸部と底部とからなるこ
とを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセ
ンス表示素子用基板。 - 【請求項３】前記隔壁の頸部の幅が前記隔壁の頂部より
短いことを特徴とする請求項１から請求項２のいずれか
一つに記載のエレクトロルミネッセンス表示素子用基
板。 - 【請求項４】前記隔壁の頂部と頸部と底部とが、同じ材
料からなることを特徴とする請求項１から請求項３のい
ずれか一つに記載のエレクトロルミネッセンス表示素子
用基板。 - 【請求項５】前記隔壁が、一層からなることを特徴とす
る請求項１から請求項４のいずれか一つに記載のエレク
トロルミネッセンス表示素子用基板。 - 【請求項６】前記隔壁が、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2
Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｎａ
2 Ｏ、Ｋ2 Ｏのいずれか一つを少なくとも含むことを特
徴とする請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の
エレクトロルミネッセンス表示素子用基板。 - 【請求項７】前記隔壁が、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2
Ｏ3 、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｎａ
2 Ｏ、Ｋ2 Ｏのいずれか一つを少なくとも分散させたネ
ガ型感光性樹脂を塗布・露光・現像工程により形成後、
高温焼成を行うことによって、形成されたことを特徴と
する請求項１から請求項６のいずれか一つに記載のエレ
クトロルミネッセンス表示素子用基板。 - 【請求項８】請求項１から請求項７のいずれかに記載の
エレクトロルミネッセンス表示素子用基板上に発光層・
第二絶縁層・第二電極ライン・接着剤を介して基板と接
着される封止基板を設けることを特徴とするエレクトロ
ルミネッセンス表示素子。 - 【請求項９】更に、前記封止基板の内側にカラーフィル
ターが形成されることを特徴とする請求項８に記載のエ
レクトロルミネッセンス表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29088699A JP2001110573A (ja) | 1999-10-13 | 1999-10-13 | エレクトロルミネッセンス表示素子用基板およびエレクトロルミネッセンス表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29088699A JP2001110573A (ja) | 1999-10-13 | 1999-10-13 | エレクトロルミネッセンス表示素子用基板およびエレクトロルミネッセンス表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001110573A true JP2001110573A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=17761791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29088699A Pending JP2001110573A (ja) | 1999-10-13 | 1999-10-13 | エレクトロルミネッセンス表示素子用基板およびエレクトロルミネッセンス表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001110573A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004045769A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Toyota Industries Corp | 表示装置 |
| JP2004191608A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| WO2008120313A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Pioneer Corporation | 表示装置、表示パネル、表示パネルの検査方法及び表示パネルの製造方法 |
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| JP2009117398A (ja) * | 2001-12-28 | 2009-05-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
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-
1999
- 1999-10-13 JP JP29088699A patent/JP2001110573A/ja active Pending
Cited By (13)
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