JP2001110008A

JP2001110008A - 磁気ヘッドおよびその製造方法、および磁気記録再生装置

Info

Publication number: JP2001110008A
Application number: JP28524199A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Ishiwata; 延行石綿; Tsutomu Ishi; 勉石; Mikiko Saito; 美紀子斎藤; Hiroaki Honjo; 弘明本庄; Shinsaku Saito; 信作斉藤; Tamaki Toba; 環鳥羽; Yoshihiro Nonaka; 義弘野中
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1999-10-06
Filing date: 1999-10-06
Publication date: 2001-04-20
Also published as: US6687082B1

Abstract

(57)【要約】【課題】２Ｔ程度の高飽和磁化を有するめっき膜は高比
抵抗を実現できないため、これを磁気ヘッドに適用した
場合には、高周波特性が劣化するという問題がある。本
発明はこれを解決し、高周波特性の良好な高密度記録に
適した磁気ヘッド、並びにその製造方法、さらにはこれ
を用いた磁気記憶装置を安価に提供する。【解決手段】一方の磁極層と他方の磁極層との間に、絶
縁層により絶縁されたコイルが設けられ、このコイルに
より励磁された磁極の磁束が記録ギャップから漏れるこ
とにより記録を行う磁気ヘッドであって、前記一方、或
いは他方の磁極層のうち少なくとも一方を、記録ギャッ
プに近い側から、第１のめっき磁性層、第２のめっき磁
性層で構成し、第１のめっき磁性層のＢｓを１．７Ｔ以
上とし、さらに、この第１のめっき磁性層の比抵抗をρ
１，膜厚をδ１，第２のめっき磁性層の比抵抗をρ２、
膜厚をδ２とした時に、ρ１＜ρ２、δ１＜δ２とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記憶装置用の磁
気ヘッド、ならびに磁気記憶装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記憶装置の小型化および大容量化に
伴って、磁気媒体上に記録される１ビット当りの体積が
急速に小さくなって来ている。この微小なビットから発
生する磁気信号を大きな再生出力として検出できるの
が、磁気抵抗効果型ヘッド（以下「ＭＲヘッド」とい
う。）である。このＭＲヘッドについては、「ＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓ．ｏｎＭａｇｎ，．ＭＡＧ７（１９７１）
１５０」において「ＡＭａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉ
ｖｉｔｙＲｅａｄｏｕｔＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ」とし
て論じられている。

【０００３】更に最近では、このＭＲヘッドに対して大
幅な高出力化を実現できる巨大磁気抵抗効果（以下「Ｇ
ＭＲ」という。）を用いたＧＭＲヘッドが実用化されて
きている。このＧＭＲ効果において、特に、抵抗の変化
が２枚の隣接する磁性層の磁化方向間の余弦と対応す
る、一般にスピンバルブ効果と呼ばれる磁気抵抗効果
は、小さな動作磁界で大きな抵抗変化をすることから、
これを用いてのＧＭＲヘッドが「ＧＭＲヘッド」の本命
となっている。このスピンバルブ効果を用いたＧＭＲヘ
ッドについては「ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ｏｎＭａｇ
ｎ，．Ｖｏｌ．３０，Ｎｏ．６（１９９４）３８０１」
において「Ｄｅｓｉｇｎ，Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ＆Ｔ
ｅｓｔｉｎｇｏｆＳｐｉｎ−ＶａｌｖｅＲｅａｄＨ
ｅａｄｓｆｏｒＨｉｇｈＤｅｎｓｉｔｙＲｅｃｏ
ｒｄｉｎｇ」として論じられている。このなかで、スピ
ンバルブ効果を発生させる２枚の磁性層の内の一方の磁
性層は、この磁性層に反強磁性膜を積層することにより
発生する交換結合磁界によって、ヘッド感磁部に進入す
る媒体磁界の方向に実質的に揃うように磁化が固定され
た磁化固定層となっている。そして、この磁化固定層と
Ｃｕ等の導電層とを介して隣接するもう一方の磁性層
は、媒体磁界に対して自由に磁化方向を変えることがで
きる磁化自由層となっている。以下ではこのスピンバル
ブ効果を用いたＧＭＲヘッドを「GMRヘッド」と称す
る。

【０００４】図６はGMRヘッドの構造を媒体と対向する
面であるエア・ベアリング・サーフェイス（ＡＢＳ）か
ら見た図、および、図５は、図６中のＡＢの線での断面
図である。すなわち、スライダとなるセラミック１上に
積層された下シールド２及び上シールド６の間に、絶縁
体から成る磁気分離層３を介し、中央領域４としてGMR
効果を発生させるスピンバルブ積層構造体を配置し、こ
の中央領域４の両端に、これに電流とバイアス磁界とを
供給するための端部領域５を形成する。以上が再生を行
うGMR素子である。さらに、上シールド６を第１の磁極
６とし、この磁極６のGMR素子と反対側の面に、記録ギ
ャップ７を介して、第２の磁極１１を磁極６に平行に積
層する。磁極６、１１の少し奥には、非磁性絶縁体８お
よび非磁性絶縁体１０で挟まれたコイル９を配置し、こ
のコイルからの発生磁界によって磁化された磁極６、１
１間の記録ギャップ７から漏れる磁束によって記録を行
う。以上のＧＭＲによる再生ヘッドと、インダクティブ
（以下「ＩＤ」という。）による記録ヘッドとが積層さ
れた構造が実用的なGMRヘッドである。

【０００５】ところで、GMRヘッドが実際に使用される
記録密度は、１平方インチ当たり３ギガビット以上の高
密度記録領域である。これ以下の記録密度では、従来か
らの磁気異方性を用いたＭＲヘッドで十分にまかなうこ
とができる。すなわち、実用上意味のあるGMRヘッド
は、１平方インチ当たり３ギガビット以上の高密度記録
再生を実現するものとなる。GMRヘッドを用いて構築さ
れる磁気記憶装置は、１平方インチ当たり３ギガビット
以上の高密度記録再生装置である。

【０００６】GMRヘッドに限らず磁気媒体への記録機能
を担うIDヘッドは、常に高密度な記録性能の向上が求め
られてきた。特に、高密度な記録を行うためには磁気媒
体の高保磁力化が必須である。これは、記録密度の向上
とともに媒体上に記録される磁化の遷移長を小さくする
ため、また、１ビット当りの磁化長が短くなっても磁化
を安定に保持するためである。このことから従来より、
IDヘッドとしては高密度記録に適した高保磁力媒体に記
録を行えるよう記録磁界を増大させるための開発が精力
的に進められてきた。

【０００７】従来、IDヘッドの磁気コアには、Niが80重
量％程度のNi−Feめっき膜（以下、80NiFeと略す）が使
用されてきた。この材料は１T（テスラ）程度の飽和磁
化（Ｂｓ）を持ち、１平方インチ当たり３ギガビットの
記録を行えることが、「ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ｏｎＭ
ａｇｎ，．Ｖｏｌ．３２，Ｎｏ．１（１９９６）ｐｐ．
７−１２」において「３Ｇｂ／ｉｎ² ｒｅｃｏｒｄｉｎ
ｇｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｉｏｎｗｉｔｈｄｕａｌｅ
ｌｅｍｅｎｔｈｅａｄｓ＆ｔｈｉｎｆｉｌｍｄｉｓ
ｋｓ」として述べられている。

【０００８】しかしながら、１平方インチ当たり5ギガ
ビット以上の記録を行うためには、80NiFeに代えて、Ni
が45重量％程度のNi-Feめっき膜（以下、45NiFeと略
す）が必要なことが、「ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ｏｎＭ
ａｇｎ，．Ｖｏｌ．３３，Ｎｏ．５（１９９７）ｐｐ．
２８６６−２８７１」において「５Ｇｂ／ｉｎ² ｒｅｃ
ｏｒｄｉｎｇｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｉｏｎｗｉｔｈ
ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌＡＭＲｄｕａｌｅｌｅｍｅ
ｎｔｈｅａｄｓ＆ｔｈｉｎｆｉｌｍｄｉｓｋｓ」と
して述べられている。この材料は最大で１.6T（テス
ラ）程度の飽和磁化を持つ。また、この材料で１平方イ
ンチ当たり１２ギガビット程度の記録を行えることが、
「ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ｏｎＭａｇｎ，．Ｖｏｌ．３
２，Ｎｏ．１（１９９６）ｐｐ．７−１２」において
「１２Ｇｂ／ｉｎ² ｒｅｃｏｒｄｉｎｇｄｅｍｏｎｓｔ
ｒａｔｉｏｎｗｉｔｈＳＶｒｅａｄｈｅａｄｓ＆ｃ
ｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌｎａｒｒｏｗｐｏｌｅ−ｔｉ
ｐｗｒｉｔｅ」として述べられている。

【０００９】Bsが1.6T程度のNi−Feめっき膜を用いた例
としては、特開平8-212512や特開平11-16120が挙げられ
る。一方、スパッタ法により形成された高Bs材料を用い
た例としては、特開平10-162322のように、Co−Ta−Zr
スパッタ膜に代表される、Co系の非晶質を用いた例があ
る。Co系非晶質膜では1.5T程度までの高Bsが可能であ
る。また、特開平7-262519では、窒化第2鉄などの高Bs
材料の適用が開示されている。鉄-窒素系材料では1.9T
程度の高Bsが可能と思われる。

【００１０】磁気ヘッドとしての製造工程の簡便性、低
コスト性を考慮した場合、記録磁極を形成する磁性材料
としては、めっき法で形成されることが有効である。め
っき法においては、予め磁極の形状を貫いたフォトレジ
スト枠を形成し、この枠内にめっき膜を成長させること
で所望のパタンを得ることができる。この方法の簡便
性、低コスト性から、現在ではこの方法が薄膜磁気ヘッ
ドの標準的な製造方法になっている。

【００１１】一方、スパッタ法により磁極パタンを形成
する場合は、予め成膜した磁性膜上にフォトレジストマ
スクを磁極形状に形成し、イオンビームを用いたエッチ
ングにより磁極パタンを形成することになる。この方法
では、第1に高価なイオンビームエッチング装置が必要
であり、第2に数μｍという厚い磁極膜をパタニングす
るためには長い加工時間が必要であり、第3に媒体への
記録幅を決定する磁極先端部を狭幅に形成することがた
いへん難しいという問題がある。特に、図５のようにコ
イルおよびその上下の絶縁層による大きな段差のある条
件下での上磁極１１のパタニングはたいへん難しい。特
開平7-262519では、コイルおよび絶縁層による大きな段
差を形成する前に磁極先端部のみを形成し、この部分に
鉄-窒素スパッタ膜を導入する方法を開示しているが、
本来、イオンビームエッチングを用いる方法であり、安
価な製造方法を提供することはできない。以上のよう
に、スパッタ膜を磁極に適用することは、製造工程の複
雑化に伴うコストの上昇を免れ得ない。

【００１２】記録密度の向上とともに、４５Ni-Feで得
られている1.6Tを超える高Bs膜が必須となることが考え
られる。これを安価なめっき法で実現することには大き
な意義がある。めっき膜で1.6Tを超える高Bsを実現する
材料系としてはCo-Fe-Ni系が有望と考えられる。

【００１３】特公昭63-53277号公報の第1図の３元組成
図には、Co-Fe-Niめっき膜における磁歪λｓ=0の線が示
され、同公報第2図の３元組成図には、Co-Fe-Ｎｉめっ
き膜におけるBsが示されている。これらの図から、λｓ
が実質的にゼロとなるCo80％−Fe10%−Ni10%付近でのBs
は1.6T程度であることが開示されている。

【００１４】特開平6-346202では、上記の特公昭63-532
77号公報で実現されなかった低磁歪と高Bsとを両立する
ために、Co-Fe-Niめっき膜の結晶性の調整を行ってい
る。この結果、λｓ＜5×10^-6でBsが1.7T程度のめっきC
o−Fe−Ni膜を得ている。また、特開平7-3489では、や
はり結晶性の調整により低保磁力を得るとともに、1.3
から2Tの範囲のBsを得た旨が述べられている。さらに特
許第2821456号では、Co-Ni-Feめっき膜をサッカリンな
どの添加剤の無い浴で成膜し、膜中のイオウ濃度を0.1
重量％以下に抑えた高純度な膜とすることによって、特
公昭63-53277号公報に対して、Fe組成の多い領域にｆｃ
ｃとｂｃｃの混晶組成が移動するとともに、この組成で
磁歪が実用水準にまで低減し、1.9Tから2.2Tという極め
て高いBsが、保磁力2.5Oe以下という良好な軟磁気特性
とともに実現することが開示されている。

【００１５】以上のように、Co-Ni-Fe系のめっき膜は、
その結晶性や膜中への混入物の含有量の制御などによっ
て、磁気ヘッドの磁極材料としての実用的な軟磁気特性
を実現することができる。そして、特許第2821456号に
開示されたように、極めて大きなBsを有し、かつ、良好
な軟磁性を実現することも可能である。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者らは、上記特許第2821456号に示される、高純度な高B
s軟磁性膜が20μΩｃｍ程度以下の、小さな比抵抗値
（ρ）を示すことを見出した。表１に薄膜磁気ヘッドの
磁極へ適用されてきた、あるいは、今後適用される可能
性のある磁性材料のBsおよびρを一覧する。

【００１７】

【表１】

【００１８】軟磁気特性に優れ飽和磁化の大きいCo-Ni-
Fe膜は、その高純度性から比抵抗が小さくなったもの考
えられる。表1から分かるように、安価な磁気ヘッドが
実現できるめっき膜では、２Ｔ程度の大きなＢｓと大き
いρとの両立が困難である。それに対してスパッタ膜で
は、Ｆｅ−Ｎ系などの場合、２Ｔに近いＢｓが比較的高
いρを保ちながら実現できる。しかしながら、前述した
ようにスパッタ膜を磁気ヘッドの磁極、特に狭幅の加工
が必要な上磁極（図６における磁極１１）に適用するこ
とは、技術的な困難が多く、コストの増大を招く。

【００１９】一方、高純度Co-Ni-Feめっき膜を高密度記
録用の磁気ヘッドコアに適用する場合、以下の問題が生
じる。すなわち、高密度記録を行う場合には、データの
転送速度をも同時に高速にすることが求められるため、
高周波での記録動作が必須となる。しかしながら、比抵
抗の小さい磁極材料を用いると、渦電流損により高周波
での特性が劣化する。高密度記録領域で、高純度Co-Ni-
Feめっき膜の高Bs特性を生かすためには、磁気ヘッドの
磁極の高周波特性を改善することが必須である。

【００２０】本発明は以上のように、２Ｔ程度の高Ｂｓ
を実現するめっき膜が、同時には高ρを実現できないた
めに、これを磁気ヘッドに適用した場合には、高周波特
性が劣化するという問題を解決し、安価でかつ高Ｂｓを
有し、高周波特性の良好な高密度記録に適した磁気ヘッ
ド、並びにその製造方法、さらにはこれを用いた磁気記
憶装置を提供することを目的とするものである。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明にかかる磁気ヘッドとしては、第１の記録用
磁気コアに対して記録ギャップを介して設けられた第２
の記録用磁気コアとの間に、絶縁層により絶縁されたコ
イルが設けられ、前記コイルにより励磁された磁気コア
の磁束が前記記録ギャップから漏れることにより記録を
行う磁気ヘッドであって、前記第１、あるいは、第２の
記録用磁気コアの少なくとも一方が、前記記録ギャップ
に近い側から、第１のめっき磁性層、第２のめっき磁性
層で構成し、第１のめっき磁性層の飽和磁化を１．７Ｔ
以上とし、この第１のめっき磁性層の比抵抗をρ１、膜
厚をδ１、第２のめっき磁性層の比抵抗をρ２、膜厚を
δ２とした時に、ρ１＜ρ２、δ１＜δ２であることを
特徴とする磁気ヘッドとする。

【００２２】この際、前記第１の磁性層はＣｏ、Ｎｉ、
Ｆｅを主成分とした軟磁性材で構成することが好まし
い。

【００２３】また、前記第２の磁性層はＮｉ、Ｆｅを主
成分とする軟磁性材で構成することが好ましい。

【００２４】さらに、再生ヘッドに磁気抵抗効果を適用
する場合は、対向する２枚の磁気シールド間に電気絶縁
層を介して設けられた、磁気抵抗効果によって再生する
磁気抵抗効果素子が配置された再生ヘッドと、前記対向
する２枚の磁気シールドの一方を、前記第１の記録用磁
気コアとして兼用した磁気ヘッドとからなる複合型ヘッ
ドとしても良い。

【００２５】本ヘッドの製造方法としては、前記の第１
の磁性層、第２の磁性層を電着法により形成する。

【００２６】そしてさらに、このような磁気ヘッドを搭
載した磁気記録再生装置を構成する。

【００２７】上記の本発明の構成とすることによって、
記録を行う磁気ヘッドの記録ギャップ近傍にはρは小さ
くてもＢｓの大きいめっき膜が薄く配置される。さら
に、記録ギャップから遠い位置には、前記のＢｓの大き
いめっき膜に隣接して、Ｂｓはさほど大きくはないがρ
の大きいめっき膜が厚めに配置される。このような構成
とすることによって、高周波動作の際にも、高Ｂｓ膜の
ρは小さいが膜厚が薄いので渦電流の増大を抑制するこ
とができ、高密度高周波記録に適した低コストな磁気ヘ
ッドを実現できる。

【００２８】

【発明の実施の形態】図１及び図２は、本発明の第一の
実施形態であり、それぞれＡＢＳと垂直な断面図（図２
のＡＢ断面）、および、ＡＢＳから見た図である。スラ
イダとなる基体１は、アルミナとチタンカーバイドとか
らなる複合セラミック１ａとアルミナ膜1bとからなる。
この上に再生機能を有するＭＲヘッドが形成されてい
る。このＭＲヘッドはパタン化されたＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ
膜（軟磁気特性を示す組成のもの、例えば、Co90-Zr5-T
a5）からなる下シールド２と、Ｎｉが80重量％程度のＮ
ｉＦｅ膜からなる上シールド６と、これらの間にあっ
て、アルミナからなる磁気分離層３を介した磁気抵抗効
果素子４とからなる。下シールド２の厚さは１μｍ、上
シールド６の厚さは２．５μｍである。また、下シール
ド２と上シールド６の間のギャップは０．１２μｍであ
る。

【００２９】この磁気抵抗効果素子は、図２に示すよう
に、記録媒体からの磁界を感磁する中央領域４と、この
中央領域４にバイアス磁界と電流とを供給する機能を有
する端部領域５とからなる。この中央領域４は一般にス
ピンバルブ効果と呼ばれるＧＭＲ効果を有する積層構造
体からなり、具体的には下シールド２側から、下地Ｚｒ
膜（膜厚３ｎｍ）、Ｐｔ−Ｍｎ膜（膜厚２０ｎｍ）、Ｃ
ｏ−Ｆｅ膜（膜厚２ｎｍ）、Ｃｕ膜（膜厚２．１ｎ
ｍ）、Ｃｏ−Ｆｅ膜（膜厚０．５ｎｍ）、Ｎｉ−Ｆｅ膜
（膜厚２ｎｍ）、Ｚｒ膜（膜厚３ｎｍ）をこの順に積層
した構成からなる。この中央領域４の幅は０．４μｍで
あり、再生トラック幅を規定している。

【００３０】また、端部領域は永久磁石膜としてのＣｏ
−Ｐｔ膜（膜厚２０ｎｍ）、電極膜としてのＡｕ膜（膜
厚５０ｎｍ）の積層構造である。上記のＧＭＲヘッド上
に、上シールド６を第１の磁極として併用した記録機能
を有するＩＤヘッドが形成されている。ＩＤヘッドとし
ては、Ｎｉが８０重量％のＮｉ−Ｆｅめっき膜であり膜
厚が２．５μｍの上シールド６を第１の磁極６とし、磁
極６上の膜厚０．１８μｍのアルミナによる記録ギャッ
プ７を介して存在する非磁性絶縁体８によってゼロスロ
ートハイトを規定する。この非磁性絶縁体８はフォトレ
ジストからなる。さらに、非磁性絶縁体８上にＣｕめっ
き膜からなるコイル９が形成され、さらに非磁性絶縁体
１０によりコイル９は絶縁される。この非磁性絶縁体１
０はフォトレジストからなる。

【００３１】そしてこの非磁性絶縁１０の上に乗り上げ
るように第２の磁極１１を形成する。第２の磁極１１
は、Ｂｓ１が２ＴのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜からなる第２の
磁極ａ（１１ａ）と、Ｂｓ２が１．６ＴのＮｉ−Ｆｅ膜
からなる第２の磁極ｂ（１１ｂ）とからなる。第２の磁
極ａ（１１ａ）の膜厚δ１は０．５５μｍ、第２の磁極
ｂ（１１ｂ）の膜厚δ２は２．５μｍである。Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｆｅ膜、およびＮｉ−Ｆｅ膜は安価なめっき法によ
り形成する。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜の組成は、Ｃｏが６５
重量％、Ｎｉが１２重量％、Ｆｅが２３重量％、比抵抗
ρ１は１９μΩｃｍであった。また、Ｎｉ−Ｆｅ膜の組
成はＮｉが４５重量％、Ｆｅが５５重量％、ρ２は５０
μΩｃｍであった。

【００３２】この第一の実施形態に対する第１の比較例
として、第２の磁極１１が、Ｂｓが２ＴのＣｏ−Ｎｉ−
Ｆｅ膜からなる第２の磁極ａ（１１ａ）と、Ｂｓが１．
６ＴのＮｉ−Ｆｅ膜からなる第２の磁極ｂ（１１ｂ）と
からなり、第２の磁極ａ（１１ａ）の膜厚を１．５μ
ｍ、第２の磁極ｂ（１１ｂ）の膜厚を１．０μｍとし、
その他は第一の実施形態と同様とした磁気ヘッドを作製
した。

【００３３】上記第１の実施形態のヘッドでは、第１の
比較例に対して、高周波でも良好な記録特性を示した。
すなわち、高周波になるほど本発明のヘッドは比較例の
ヘッドに対して、オーバーライト（Ｏ／Ｗ）特性値がよ
り大きく、ノンリニア・トランジション・シフト（ＮＬ
ＴＳ）がより小さくなる。これは、本発明のヘッドの構
成が、記録ギャップに隣接してＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅからな
る高Ｂｓ膜が０．５５μｍ形成されていることから、十
分に大きな記録磁界を発生できること、次に、高Ｂｓ膜
の膜厚が０．５５μｍと薄く、比抵抗の大きいＮｉ−Ｆ
ｅ膜が厚く形成されているために、高周波での渦電流損
失が抑制されたためと考えられる。

【００３４】次に、第２の比較例として、第２の磁極１
１が、Ｂｓが１．９ＴのＦｅ−Ｎ膜からなる第２の磁極
ａ（１１ａ）と、Ｂｓが１．６ＴのＮｉ−Ｆｅ膜からな
る第２の磁極ｂ（１１ｂ）とからなり、第２の磁極ａ
（１１ａ）の膜厚を０．５５μｍ、第２の磁極ｂ（１１
ｂ）の膜厚を２．５μｍとした磁気ヘッド、および、第
２の磁極ａ（１１ａ）の膜厚を１．５μｍ、第２の磁極
ｂ（１１ｂ）の膜厚を１．０μｍとし、その他は第一の
実施形態と同様とした磁気ヘッドを作製した。Ｆｅ−Ｎ
膜の比抵抗ρ１は６５μΩｃｍ、Ｎｉ−Ｆｅ膜の比抵抗
ρ２は５０μΩｃｍであった。

【００３５】上記第一の実施形態のヘッドでは、実用的
な周波数領域である１００ＭＨｚから３００ＭＨｚの高
周波で、比較例２に対してほぼ同等の良好なＯ／ＷやＮ
ＬＴＳといった記録特性を示した。これは本発明のヘッ
ドが、比抵抗の小さい高Ｂｓ膜の膜厚が０．５５μｍと
十分に薄く、比抵抗の大きいＮｉ−Ｆｅ膜が厚く形成さ
れているために、高周波での渦電流損失が抑制されたた
めと考えられる。

【００３６】比抵抗ρが大きく、しかもＢｓが２Ｔ程度
と大きい軟磁性膜としては、材質の信頼性、耐食性を考
慮するとＦｅ−Ｎ膜を用いる以外にないと考えられる。
しかし、Ｆｅ−Ｎ膜はめっき法では形成不可能であり、
スパッタ法を用いなければならない。

【００３７】スパッタ法により磁極パタンを形成する場
合は、予め成膜した磁性膜上にフォトレジストマスクを
磁極形状に形成し、イオンビームを用いたエッチングに
より磁極パタンを形成することになる。この方法では、
第1に高価なイオンビームエッチング装置が必要であ
り、第2にイオンビームエッチングには長い加工時間が
必要であり、第3に媒体への記録幅を決定する磁極先端
部を狭幅に形成することがたいへん難しい。特に、図１
のようにコイルおよびその上下の絶縁層による大きな段
差のある条件下での磁極１１のパターニングはたいへん
困難である。結果として第２の比較例では製造歩留の低
下、製造コストの増大を招いた。

【００３８】これに対して本発明では、磁極をめっき法
で形成できるので極めて高歩留、低コストであった。す
なわち、本発明のヘッドは第２の比較例に対して同等の
良好な高周波記録特性と安価な製造コストとを両立する
ヘッドであった。

【００３９】本発明に対する第３の比較例として、第２
の磁極１１が、Ｂｓが１ＴのＮｉ−Ｆｅ膜からなる第２
の磁極ａ（１１ａ）と、Ｂｓが１．６ＴのＮｉ−Ｆｅ膜
からなる第２の磁極ｂ（１１ｂ）とからなり、第２の磁
極ａ（１１ａ）の膜厚を０．５５μｍ、第２の磁極ｂ
（１１ｂ）の膜厚を２．５μｍとし、その他は第一の実
施形態と同様とした磁気ヘッドを作製した。また、第２
の磁極ａ（１１ａ）の膜厚を１．５μｍ、第２の磁極ｂ
（１１ｂ）の膜厚を１．０μｍとした磁気ヘッドを作製
した。Ｂｓが１ＴのＮｉ−Ｆｅ膜の組成は、Ｎｉが８１
重量％、Ｆｅが１９重量％、比抵抗ρ１は２１μΩｃｍ
であった。また、Ｂｓが１．６ＴのＮｉ−Ｆｅ膜の組成
はＮｉが４５重量％、Ｆｅが５５重量％、ρ２は５０μ
Ωｃｍであった。

【００４０】本発明の第一の実施形態のヘッドでは、第
３の比較例に対して、圧倒的に良好なＯ／Ｗ特性とＮＬ
ＴＳなどの記録特性を示した。これは、本発明のヘッド
が、記録ギャップに隣接してＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅからなる
高Ｂｓ膜が０．５５μｍ形成されていることから、十分
に大きな記録磁界を発生できるためである。

【００４１】なお、第３の比較例において、ρ１＞ρ２
となるように第２の磁極ａ（１１ａ）の８１ＮｉＦｅ膜
にＭｏを添加して９０μΩｃｍとした場合（このときの
Bsは0.8T）も同様の結果であった。

【００４２】本発明において第２の磁極１１を構成する
磁性膜１１ｂとしては、Ｂｓは必ずしも大きい必要はな
いため、比抵抗がＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜よりも高ければ、
その他の組成のＮｉ−Ｆｅ膜や、ＭｏやＣｒ等を添加し
たＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜、Ｎｉ−Ｆｅ膜などでも上記同様
に、高周波での良好な記録特性を持つ低コストな磁気ヘ
ッドが得られる。

【００４３】また、本発明において、第１の磁極１１を
構成する磁性膜１１ａの膜厚は０．１μｍ以上なければ
書き込み能力向上の効果は得られず、さらに、より好ま
しくは０．３μｍ以上の膜厚であることが好ましい。一
方、高周波での特例劣化（渦電流損失）の影響を抑える
ためには膜厚を１．０μｍ以下、より好ましくは０．７
μｍ以下とすることが好ましい。

【００４４】以上の第１の実施形態とその比較例の各構
成、及び、第１の実施形態のうち、磁極１１を構成する
磁性膜１１ａと磁性膜１１ｂの組成、膜厚を変え、その
他は第１の実施例と同様とした他の実施例を以下表２に
まとめて示した。表２中のＯ／Ｗ、ＮＬＴＳの評価条件
は、磁気スペーシング３０ｎｍ、媒体保磁力３７００Ｏ
ｅ、測定周波数１００〜３００ＭＨｚである。

【００４５】

【表２】実施例、比較例一覧

【００４６】次に、本発明の複合型ヘッドの製造方法に
ついて図１、図２を用いて以下に述べる。スライダとな
るアルミナとチタンカーバイドとからなる複合セラミッ
ク1a上に、絶縁体であるアルミナ膜1bをスパッタ法によ
り形成する。この上に再生機能を有するＭＲヘッド、記
録機能を有するＩＤヘッドの順に形成する。

【００４７】ＭＲヘッドは、以下の手順で形成する。ま
ず、下シールド２となるＣｏ−Ｔａ−Ｚｒ膜をスパッタ
法により１μmの膜厚で成膜した後に、フォトレジスト
マククを用いてイオンビームでエッチングしパタン化す
る。次に、再生ギャップを形成するアルミナ膜をスパッ
タ法により０．０３μmの膜厚で形成する。この上に、
スパッタ法を用いて中央領域４となるスピンバルブ積層
構造体を、下シールド２側から、下地Ｚｒ膜（膜厚３ｎ
ｍ）、Ｐｔ−Ｍｎ膜（膜厚２０ｎｍ）、Ｃｏ−Ｆｅ膜
（膜厚２ｎｍ）、Ｃｕ膜（膜厚２．１ｎｍ）、Ｃｏ−Ｆ
ｅ膜（膜厚０．５ｎｍ）、Ｎｉ−Ｆｅ膜（膜厚２ｎ
ｍ）、Ｚｒ膜（膜厚３ｎｍ）の順に積層する。さらに、
フォトレジストマスクを用いてイオンビームでエッチン
グしパタン化する。

【００４８】このフォトレジストマスクを用いて、スパ
ッタ法により端部領域５となるＣｏ−Ｐｔ膜（膜厚２０
ｎｍ）、Ａｕ膜（膜厚５０ｎｍ）の積層構造膜を成膜
し、フォトレジストマスクをリフトオフすることによっ
てＭＲ素子を完成させる。このＭＲ素子上に、もう一方
の再生ギャップを形成するアルミナ膜をスパッタ法によ
り０．０５７μmの膜厚で形成する。再生ギャップ長は
０．１２μmとなる。

【００４９】ＩＤヘッドは以下の手順で形成する。記録
磁極と兼用される磁気シールド６は、フォトレジストの
枠内にめっき膜を成長させる方法により形成する。めっ
き浴の条件は次のとおりである。これによりＮｉが８０
重量％のＮｉ−Ｆｅめっき膜で、膜厚が２．５μｍの上
シールド６を形成する。名称濃度（mol/L）塩化ニッケル０．１６硫酸ニッケル０．０８塩化ナトリウム０．４２ほう酸０．４０サッカリンＮａ０．００７２硫酸第一鉄０．００４５ラウリル硫酸Ｎａ０．０００３５３６％塩酸０．００１７ＰＨ２．６電流密度６ｍＡ／ｃｍ²

【００５０】第１の磁極６上に、膜厚０．１８μｍのア
ルミナによる記録ギャップ７をスパッタ法で成膜する。
フォトレジストによりゼロスロートハイトを規定する非
磁性絶縁体８を形成する。この上に、フォトレジストの
枠内にＣｕめっき膜を成長させる方法で、コイル９を形
成し、さらにフォトレジストにより非磁性絶縁体１０を
形成する。

【００５１】さらに、上記した非磁性絶縁１０とコイル
９との構造体に乗り上げ、かつ、磁気媒体と対向するＡ
ＢＳに露出した第２の磁極１１を形成する。この際、フ
ォトレジスト枠内にめっき膜を成長させる方法を用い
る。第２の磁極１１は、Ｂｓが２ＴのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
膜からなる第２の磁極ａ（１１ａ）と、Ｂｓが１．６Ｔ
のＮｉ−Ｆｅ膜からなる第２の磁極ｂ（１１ｂ）とから
なる。

【００５２】Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜のめっき浴の条件は次
のとおりである。名称濃度（mol/L）硫酸コバルト０．０９２硫酸ニッケル０．２０塩化アンモニウム０．２８ほう酸０．４０硫酸第一鉄０．００１６ラウリル硫酸Ｎａ０．０００３５８０％硫酸０．００１２ＰＨ２．８電流密度１５ｍＡ／ｃｍ²

【００５３】また、ＮｉＦｅ膜のめっき浴の条件は次の
とおりである。名称濃度（mol/L）塩化ニッケル０．１６硫酸ニッケル０．０８塩化ナトリウム０．４２ほう酸０．４０サッカリンＮａ０．００７２硫酸第一鉄０．０１０ラウリル硫酸Ｎａ０．０００３５３６％塩酸０．００１７ＰＨ２．６電流密度６ｍＡ／ｃｍ²

【００５４】第２の磁極ａ（１１ａ）の膜厚は０．５５
μｍ、第２の磁極ｂ（１１ｂ）の膜厚は３．０μｍであ
る。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜の組成は、Ｃｏが６５重量％、
Ｎｉが１２重量％、Ｆｅが２３重量％、比抵抗ρは２０
μΩｃｍである。また、Ｎｉ−Ｆｅ膜の組成はＮｉが４
５重量％、Ｆｅが５５重量％、ρは５０μΩｃｍであ
る。

【００５５】本製造方法は、安価でかつ高Ｂｓを有し、
高周波特性の良好な高密度記録に適した磁気ヘッドの製
造方法である。

【００５６】図３及び図４は、本発明の第二の実施形態
であり、それぞれＡＢＳと垂直な断面図（図４のＡＢ断
面）、および、ＡＢＳから見た図である。スライダとな
る基体１は、アルミナとチタンカーバイドとからなる複
合セラミック１ａと、アルミナ膜1bとからなる。この上
に再生機能を有するＭＲヘッドが形成されている。この
ＭＲヘッドは、パタン化されたＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ膜から
なる下シールド２と、Ｎｉ−Ｆｅ膜６ｂとＣｏ−Ｎｉ−
Ｆｅ膜６ａとからなる上シールド６と、これらの間にあ
って、アルミナからなる磁気分離層３を介した磁気抵抗
効果素子４とからなる。下シールド２の厚さは１μｍ、
上シールド６においてＮｉ−Ｆｅ膜６ｂの厚さは２μ
ｍ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜６ａの厚さは０．５５μｍであ
る。また、下シールド２と上シールド６の間のギャップ
は０．１２μｍである。

【００５７】この間の磁気抵抗効果素子は、図４に示す
ように、記録媒体からの磁界を感磁する中央領域４と、
この中央領域にバイアス磁界と電流とを供給する機能を
有する端部領域５とからなる。この中央領域４は一般に
スピンバルブ効果と呼ばれるＧＭＲ効果を有する積層構
造体からなり、具体的には下シールド２側から順に、下
地Ｚｒ膜（膜厚３ｎｍ）、Ｐｔ−Ｍｎ膜（膜厚２０ｎ
ｍ）、Ｃｏ−Ｆｅ膜（膜厚２ｎｍ）、Ｒｕ膜（膜厚０．
７ｎｍ）、Ｃｏ−Ｆｅ膜（膜厚２ｎｍ）、Ｃｕ膜（膜厚
２．１ｎｍ）、Ｃｏ−Ｆｅ膜（膜厚０．５ｎｍ）、Ｎｉ
−Ｆｅ膜（膜厚２ｎｍ）、Ｚｒ膜（膜厚３ｎｍ）からな
る。中央領域４の幅は０．４μｍであり、再生トラック
幅を規定している。

【００５８】また、端部領域は永久磁石膜としてのＣｏ
−Ｐｔ膜（膜厚２０ｎｍ）、電極膜としてのＡｕ膜（膜
厚５０ｎｍ）の積層構造である。

【００５９】上記のＧＭＲヘッド上に、上シールド６を
第１の磁極として併用した記録機能を有するＩＤヘッド
が形成されている。ＩＤヘッドとしては、前記の上シー
ルド６を第１の磁極６とする。第１の磁極６を構成する
磁性膜６ｂを、膜厚δ２'が２μmのＮｉ−Ｆｅ膜、磁性
膜６ａは膜厚δ１'が０．５５μｍのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ
膜である。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜の組成は、Ｃｏが６５重
量％、Ｎｉが１２重量％、Ｆｅが２３重量％、Ｂｓ（Bs
1'）は２Ｔ、比抵抗ρ1'は２０μΩｃｍであった。ま
た、Ｎｉ−Ｆｅ膜はＢｓ（Bs2'）が１．１Ｔ、ρ2'は２
５μΩｃｍであった。

【００６０】さらに、磁極６上の膜厚０．１５μｍのア
ルミナによる記録ギャップ７を介して存在する非磁性絶
縁体８によってゼロスロートハイトを規定する。この非
磁性絶縁体８はフォトレジストからなる。さらに、非磁
性絶縁体８上にＣｕめっき膜からなるコイル９が形成さ
れ、さらに非磁性絶縁体１０によりコイル９は絶縁され
る。この非磁性絶縁体１０はフォトレジストからなる。

【００６１】さらに上記した非磁性絶縁体１０とコイル
９との構造体に乗り上げ、かつ、磁気媒体と対向するＡ
ＢＳに露出した第２の磁極１１を形成した。第２の磁極
１１は、Ｂｓが２ＴのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜からなる第２
の磁極ａ（１１ａ）と、Ｂｓが１．６ＴのＮｉ−Ｆｅ膜
からなる第２の磁極ｂ（１１ｂ）とからなる。第２の磁
極ａ（１１ａ）の膜厚は０．５５μｍ、第２の磁極ｂ
（１１ｂ）の膜厚は３．０μｍである。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆ
ｅ膜の組成は、Ｃｏが６５重量％、Ｎｉが１２重量％、
Ｆｅが２３重量％、比抵抗ρは２０μΩｃｍであった。
また、Ｎｉ−Ｆｅ膜の組成はＮｉが４５重量％、Ｆｅが
５５重量％、ρは５０μΩｃｍであった。

【００６２】上記した本発明の第２の実施形態の複合型
ヘッドでは、上記比較例と比べ高周波でも良好な記録特
性を示した。すなわち、高周波になるほど本発明のヘッ
ドは比較例のヘッドに対してオーバーライト（Ｏ／Ｗ）
特性値がより大きく、ノンリニア・トランジション・シ
フト（ＮＬＴＳ）がより小さくなる。これは、本発明の
ヘッドが、記録ギャップに隣接してＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅか
らなる高Ｂｓ膜が０．５５μｍ形成されていることか
ら、十分に大きな記録磁界を発生できること、次に、高
Ｂｓ膜の膜厚が０．５５μｍと薄く、比抵抗の大きいＮ
ｉ−Ｆｅ膜が厚く形成されているために、高周波での渦
電流損失が抑制されるためである。

【００６３】なお、本発明の第２の実施形態の複合型ヘ
ッドでは第１の磁極及び第２の磁極ともに本発明の構成
としているため、より一層、高周波でも良好な記録特性
が得られた。

【００６４】本発明において、第１の磁極６を構成する
磁性膜６ｂとしては、Ｂｓは必ずしも大きい必要はない
ため、比抵抗がＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜よりも高ければＭｏ
やＣｒ等を添加したＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜、Ｎｉ−Ｆｅ膜
などでも上記同様に、高周波での良好な記録特性を持つ
低コストな磁気ヘッドが得られる。

【００６５】同様に、第２の磁極１１を構成する磁性膜
１１ｂとしては、Ｂｓは必ずしも大きい必要はないた
め、比抵抗がＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜よりも高ければその他
の組成のＮｉ−Ｆｅ膜や、ＭｏやＣｒ等を添加したＣｏ
−Ｎｉ−Ｆｅ膜、Ｎｉ−Ｆｅ膜などでも上記同様の効果
が得られる。

【００６６】また、記録ギャップに近い側に設ける磁性
膜６ａ、及び磁性膜１１ａの膜厚はともに０．１μｍ以
上の厚みがなければ効果がなく、特に０．３μｍ以上と
することが好ましい。一方、１．０μｍより厚くする
と、高周波での損失の影響が顕著になるため、膜厚は
１．０μｍ以下とすることが好ましく、更には、０．７
μｍ以下であればより好ましい。

【００６７】次に、本発明の複合型ヘッドの製造方法に
ついて図３、図４を用いて以下に述べる。スライダとな
るアルミナとチタンカーバイドとからなる複合セラミッ
ク1a上に、絶縁体であるアルミナ膜1bをスパッタ法によ
り形成する。この上に再生機能を有するＭＲヘッド、記
録機能を有するＩＤヘッドの順に形成する。

【００６８】ＭＲヘッドは以下の手順で形成する。ま
ず、下シールド２となるＣｏ−Ｔａ−Ｚｒ膜をスパッタ
法により１μmの膜厚で成膜した後に、フォトレジスト
マクを用いてイオンビームでエッチングしパタン化す
る。次に、再生ギャップを形成するアルミナ膜をスパッ
タ法により０．０３μmの膜厚で形成する。この上に、
スパッタ法を用いて中央領域４となるスピンバルブ積層
構造体を下シールド２側から下地Ｚｒ膜（膜厚３ｎ
ｍ）、Ｐｔ−Ｍｎ膜（膜厚２０ｎｍ）、Ｃｏ−Ｆｅ膜
（膜厚２ｎｍ）、Ｒｕ膜（膜厚０．７ｎｍ）、Ｃｏ−Ｆ
ｅ膜（膜厚２ｎｍ）、Ｃｕ膜（膜厚２．１ｎｍ）、Ｃｏ
−Ｆｅ膜（膜厚０．５ｎｍ）、Ｎｉ−Ｆｅ膜（膜厚２ｎ
ｍ）、Ｚｒ膜（膜厚３ｎｍ）の順に積層する。さらに、
フォトレジストマスクを用いてイオンビームでエッチン
グしパタン化する。

【００６９】このフォトレジストマスクを用いて、スパ
ッタ法により端部領域５となるＣｏ−Ｐｔ膜（膜厚２０
ｎｍ）、Ａｕ膜（膜厚５０ｎｍ）の積層構造膜を成膜
し、フォトレジストマスクをリフトオフすることによっ
てＭＲ素子を完成させる。このＭＲ素子上に、もう一方
の再生ギャップを形成するアルミナ膜をスパッタ法によ
り０．０５４μmの膜厚で形成する。再生ギャップ長は
０．１２μmとなる。

【００７０】ＩＤヘッドは以下の手順で形成する。記録
磁極と兼用される磁気シールド６は、フォトレジストの
枠内にめっき膜を成長させる方法により形成する。ま
ず、第１の磁極６を構成する磁性膜６ｂを以下に示すめ
っき浴にて形成する。これによりＮｉが８０重量％のＮ
ｉ−Ｆｅめっき膜を２μm形成した。名称濃度（mol/L）塩化ニッケル０．１６硫酸ニッケル０．０８塩化ナトリウム０．４２ほう酸０．４０サッカリンＮａ０．００７２硫酸第一鉄０．００４５ラウリル硫酸Ｎａ０．０００３５３６％塩酸０．００１７ＰＨ２．６電流密度６ｍＡ／ｃｍ²

【００７１】更にＮｉ−Ｆｅ膜のめっき成膜後、連続的
に、以下のめっき浴を用いて磁性膜６ａである、膜厚δ
１'が０．５５μｍの、組成が、Ｃｏが６５重量％、Ｎ
ｉが１２重量％、Ｆｅが２３重量％であるＣｏ−Ｎｉ−
Ｆｅ膜を形成する。めっき浴の条件は次のとおりであ
る。名称濃度（mol/L）硫酸コバルト０．０９２硫酸ニッケル０．２０塩化アンモニウム０．２８ほう酸０．４０硫酸第一鉄０．００１６ラウリル硫酸Ｎａ０．０００３５８０％硫酸０．００１２ＰＨ２．８電流密度１５ｍＡ／ｃｍ²

【００７２】また、第１の磁極６中の６ｂとしては、Ｂ
ｓは必ずしも大きい必要はないため、比抵抗がＣｏ−Ｎ
ｉ−Ｆｅ膜よりも高ければ、ＭｏやＣｒ等を添加したＣ
ｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜、Ｎｉ−Ｆｅ膜などのめっき膜を適用
することもできる。

【００７３】第１の磁極６上に、膜厚０．１８μｍのア
ルミナによる磁気ギャップ７をスパッタ法で成膜する。
フォトレジストによりゼロスロートハイトを規定する非
磁性絶縁体８を形成する。この上に、フォトレジストの
枠内にＣｕめっき膜を成長させる方法で、コイル９を形
成し、さらにフォトレジストにより非磁性絶縁体１０を
形成する。

【００７４】更に上記の非磁性絶縁体１０とコイル９と
の構造体に乗り上げ、かつ、磁気媒体と対向するＡＢＳ
に露出した第２の磁極１１を形成する。この際、フォト
レジスト枠内にめっき膜を成長させる方法を用いる。第
２の磁極１１は、Ｂｓが２ＴのＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜から
なる第２の磁極ａ（１１ａ）と、Ｂｓが１．６ＴのＮｉ
−Ｆｅ膜からなる第２の磁極ｂ（１１ｂ）とからなる。

【００７５】Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜のめっき浴の条件は次
のとおりである。名称濃度（mol/L）硫酸コバルト０．０９２硫酸ニッケル０．２０塩化アンモニウム０．２８ほう酸０．４０硫酸第一鉄０．００１６ラウリル硫酸Ｎａ０．０００３５８０％硫酸０．００１２ＰＨ２．８電流密度１５ｍＡ／ｃｍ²

【００７６】また、Ｎｉ−Ｆｅ膜のめっき浴の条件は次
のとおりである。名称濃度（mol/L）塩化ニッケル０．１６硫酸ニッケル０．０８塩化ナトリウム０．４２ほう酸０．４０サッカリンＮａ０．００７２硫酸第一鉄０．０１０ラウリル硫酸Ｎａ０．０００３５３６％塩酸０．００１７ＰＨ２．６電流密度６ｍＡ／ｃｍ²

【００７７】第２の磁極ａ（１１ａ）の膜厚は０．５５
μｍ、第２の磁極ｂ（１１ｂ）の膜厚は２．５μｍであ
る。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ膜の組成は、Ｃｏが６５重量％、
Ｎｉが１２重量％、Ｆｅが２３重量％、比抵抗ρは２０
μΩｃｍである。また、Ｎｉ−Ｆｅ膜の組成はＮｉが４
５重量％、Ｆｅが５５重量％、ρは５０μΩｃｍであ
る。

【００７８】本製造方法は、安価でかつ高Ｂｓを有し、
高周波特性の良好な高密度記録に適した磁気ヘッドの製
造方法である。

【００７９】次に、本発明の複合型ヘッドを搭載した磁
気記憶装置の概略図を図８に示す。駆動用のモータ３０
で回転する磁気媒体３１の、磁気記憶面に対向して本発
明の複合型ヘッド３２が、サスペンション３３、アーム
３４により取り付けられ、ヴォイスコイルモータ(VCM)
３５でトラッキングされる。複合型ヘッド３２は図７に
示すようにスライダ２０、電極２２、記録再生素子２１
から構成されている。記録再生動作は、ヘッドへの記録
再生チャネル３５からの信号により行われ、この記録再
生チャネル、ヘッドの位置決めを行うＶＣＭ、および媒
体を回転させる駆動モータは、制御ユニット３７により
連動している。

【００８０】以上の磁気記憶装置において、磁気媒体３
１の保磁力を３５００Ｏｅ以上、媒体とヘッドの磁気間
隙を３０ｎｍとすることによって、およそ１５ギガビッ
ト／平方インチおよびそれ以上の記録密度を有する磁気
記録再生装置が実現できた。

【００８１】

【発明の効果】本発明により、２Ｔ程度の高飽和磁化を
実現する実用的なめっき膜が、同時には高比抵抗を実現
できないために、これを磁気ヘッドに適用した場合に
は、高周波特性が劣化するという問題を解決し、安価で
かつ高飽和磁化を有し、高周波特性の良好な高密度記録
に適した磁気ヘッド、並びにその安価な製造方法、さら
にはこれを用いたおよそ１５ギガビット／平方インチ或
いはそれ以上の高い記録密度を実現する磁気記録再生装
置が実現する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態を示す複合型ヘッドの
断面図である。

【図２】本発明の第１の実施形態を示す複合型ヘッドの
ＡＢＳから見た構成図である。

【図３】本発明の第２の実施形態を示す複合型ヘッドの
断面図である。

【図４】本発明の第２の実施形態を示す複合型ヘッドの
ＡＢＳから見た構成図である。

【図５】従来の複合型ヘッドの断面図である。

【図６】従来の複合型ヘッドのＡＢＳから見た構成図で
ある。

【図７】本発明の複合型ヘッドの全体構成図である。

【図８】本発明の磁気記録再生装置の概略図である。

【符号の説明】

１：基体２：下シールド３：磁気分離層４：磁気抵抗効果素子の中央領域５：磁気抵抗効果素子の端部領域６：上シールド（第１の磁極）７：記録ギャップ８：非磁性絶縁層９：コイル１０：非磁性絶縁層１１：第２の磁極２０：スライダ２１：電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者斎藤美紀子東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内 (72)発明者本庄弘明東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内 (72)発明者斉藤信作東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内 (72)発明者鳥羽環東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内 (72)発明者野中義弘東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式会社内Ｆターム(参考） 5D033 AA02 BA03 BA08 BB43 DA31 5D034 BA02 BB09 BB12 DA07 5E049 AA01 AA04 AA07 AC05 BA12 CB02 CC01 DB04 GC01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の記録用磁気コアに対して記録ギャッ
プを介して設けられた第２の記録用磁気コアとの間に、
絶縁層により絶縁されたコイルが設けられ、前記コイル
により励磁された磁気コアの磁束が前記記録ギャップか
ら漏れることにより記録を行う磁気ヘッドにおいて、前
記第１、あるいは第２の記録用磁気コアのうち少なくと
も一方を、前記記録ギャップに近い側から、第１のめっ
き磁性層、第２のめっき磁性層で構成し、第１のめっき
磁性層の飽和磁化を１．７Ｔ以上とし、さらに、この第
１のめっき磁性層の比抵抗をρ１、膜厚をδ１、第２の
めっき磁性層の比抵抗をρ２、膜厚をδ２とした時に、
ρ１＜ρ２、δ１＜δ２であることを特徴とする磁気ヘ
ッド。
【請求項２】前記第１のめっき磁性層がＣｏ、Ｎｉ、Ｆ
ｅを主成分とすることを特徴とする、請求項１記載の磁
気ヘッド。
【請求項３】前記第１のめっき磁性層の膜厚が０．１μ
ｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１
乃至２記載の磁気ヘッド。
【請求項４】前記第２のめっき磁性層がＮｉ、Ｆｅを主
成分とすることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれ
か１項に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】対向する２枚の磁気シールド間に絶縁層を
介して設けられた、磁気抵抗効果によって再生する磁気
抵抗効果素子が配置された再生ヘッドと、請求項１乃至
４のいずれか１項に記載の磁気ヘッドとからなる複合型
磁気ヘッドであって、前記対向する２枚の磁気シールド
の一方を、前記第１の記録用磁気コアとして兼用するよ
う設けた複合型磁気ヘッド。
【請求項６】前記第１のめっき磁性層、第２のめっき磁
性層を電着法により形成することを特徴とする、請求項
１から５のいずれか１項記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】請求項１から５のいずれか１項記載の磁気
ヘッドを搭載した磁気記録再生装置。