JP2001109144A - Positive photoresist composition - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 滴下跡むらや放射状むら(ストリエーショ
ン)が発生することがないため、塗布性に優れ、均一な
フォトレジスト膜を形成できる、特にLCDやLSIの
製造に有用なポジ型フォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】 アルカリ可溶性ノボラック型樹脂と、キ
ノンジアジド基含有化合物とからなる基本組成に対し、
界面活性剤を含有させたポジ型フォトレジスト組成物に
おいて、該界面活性剤が特定の非イオン界面活性剤とフ
ッ素系界面活性剤を含むことからなるポジ型フォトレジ
スト組成物。PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an excellent coating property and a uniform photoresist film, because it does not cause drop mark unevenness or radial unevenness (striation), and is particularly useful for LCD and LSI manufacturing. A positive photoresist composition is provided. SOLUTION: With respect to a basic composition comprising an alkali-soluble novolak type resin and a quinonediazide group-containing compound,
A positive photoresist composition comprising a surfactant, wherein the surfactant comprises a specific nonionic surfactant and a fluorine-based surfactant.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ポジ型フォトレジ
スト組成物に関し、更に詳しくは、滴下跡むらや放射状
むら(ストリエーション)が発生することがないため、
塗布性に優れ、均一なフォトレジスト膜を形成できる、
特にLCDやLSIの製造に有用なポジ型フォトレジス
ト組成物に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positive type photoresist composition, and more particularly, to a method in which no drop mark unevenness or radial unevenness (striation) occurs.
Excellent coatability, can form a uniform photoresist film,
In particular, the present invention relates to a positive photoresist composition useful for manufacturing LCDs and LSIs.
【0002】[0002]
【従来の技術】LCDやLSIの製造に用いられる代表
的なポジ型フォトレジストは、アルカリ可溶性ノボラッ
ク型樹脂とキノンジアジド基含有化合物を基本組成とす
るものであり、このようなポジ型フォトレジスト組成物
は、有機溶剤に溶解したものを、適当な表面処理を施し
た基板表面上に塗布し、乾燥して使用される。しかしな
がら、フォトレジスト溶液を基板上に塗布するとき及び
得られたフォトレジスト膜を乾燥するときに、フォトレ
ジスト膜に放射状むら(ストリエーション)と呼ばれる
塗布むらを生じる問題がある。この問題を解決するため
に、例えば、特開平10−307385号公報などに記
載されているように、ポジ型フォトレジスト組成物にフ
ッ素系界面活性剤を添加することにより放射状むら(ス
トリエーション)を防止することが行われている。また
感光性印刷版に用いられる感光性樹脂組成物において
も、フッ素系界面活性剤を添加することにより塗布工程
及び乾燥工程における塗布むらを防止することが行われ
ている(特開平3−172849号、特開平3−219
248号公報など参照)。2. Description of the Related Art A typical positive type photoresist used in the production of LCDs and LSIs has a basic composition of an alkali-soluble novolak type resin and a compound containing a quinonediazide group. Is used by applying a substance dissolved in an organic solvent onto a substrate surface having been subjected to an appropriate surface treatment and drying. However, when a photoresist solution is applied on a substrate and when the obtained photoresist film is dried, there is a problem that unevenness of application called radial unevenness (striation) occurs in the photoresist film. To solve this problem, for example, as described in JP-A-10-307385, radial unevenness (striation) is obtained by adding a fluorine-based surfactant to a positive photoresist composition. Prevention has been made. Also, in a photosensitive resin composition used for a photosensitive printing plate, it has been practiced to add a fluorine-based surfactant to prevent coating unevenness in a coating step and a drying step (Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-172849). JP-A-3-219
248).
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】このように、フォトレ
ジスト組成物にフッ素系界面活性剤を添加することによ
り、放射状むら(ストリエーション)の問題は概ね解決
するものの、フォトレジストと基板との間の界面張力が
増大するため、スピンコートにより基板上に形成された
フォトレジスト膜に滴下跡むらが生じる問題がある。特
に、LCD用フォトレジストでは、フォトレジスト膜の
スピンコート時に、滴下跡むらが生じやすく、その原因
は、以下のとおりである。すなわち、フォトレジストを
360×465mm、550×650mmなどの大型基板上
にスピンコートする場合、1)生産性を向上させるため
に回転時間が10数秒と短いこと、2)チャンバーサイ
ズが大きくスピンコート時の排気圧等のコントロールが
困難であること、3)LCD用フォトレジストは、低粘
度、すなわち、固形分が少なく溶剤分の多い組成となっ
ていることである。このように、LCDの製造に用いら
れるフォトレジストの塗布条件は非常に厳しい上に、L
CDは大画面化、高精細化が進み、一層、塗布時及び乾
燥時の塗布むらの防止に対する要求が厳しくなってい
る。As described above, by adding a fluorine-based surfactant to a photoresist composition, the problem of radial unevenness (striation) can be almost completely solved, but a problem arises in that the photoresist and the substrate are not covered. However, since the interfacial tension increases, the photoresist film formed on the substrate by the spin coating has a problem in that spots on the photoresist film become uneven. In particular, in the case of a photoresist for an LCD, unevenness of drop marks is likely to occur during the spin coating of a photoresist film, and the causes are as follows. That is, when a photoresist is spin-coated on a large substrate such as 360 × 465 mm, 550 × 650 mm, etc., 1) the rotation time is as short as ten and several seconds to improve the productivity, 2) the chamber size is large, and And 3) that the photoresist for LCD has a low viscosity, that is, a composition having a low solid content and a high solvent content. As described above, the application conditions of the photoresist used for manufacturing the LCD are very strict, and
CDs have been increased in screen size and definition, and demands for prevention of coating unevenness during coating and drying have become more severe.
【0004】すなわち、本発明は、上記した従来の課題
を解決したものであって、滴下跡むらや放射状むら(ス
トリエーション)が発生することがないため、塗布性に
優れ、均一なフォトレジスト膜を形成できる、特にLC
DやLSIの製造に有用なポジ型フォトレジスト組成物
を提供することを目的としてなされたものである。That is, the present invention has solved the above-mentioned conventional problems, and has excellent coating properties and uniform photoresist film because it does not cause drop mark unevenness or radial unevenness (striation). Especially LC
The object of the present invention is to provide a positive photoresist composition useful for manufacturing D and LSI.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、アルカリ可溶
性ノボラック型樹脂と、キノンジアジド基含有化合物と
からなる基本組成に対し、界面活性剤を含有させたポジ
型フォトレジスト組成物において、該界面活性剤が下記
の式(A−1)〜(H)で表される非イオン界面活性剤
とフッ素系界面活性剤を含むことを特徴とするポジ型フ
ォトレジスト組成物に関する。式(A−1):SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a positive photoresist composition containing a surfactant with respect to a basic composition comprising an alkali-soluble novolak resin and a compound containing a quinonediazide group. The present invention relates to a positive photoresist composition, wherein the agent contains a nonionic surfactant represented by the following formulas (A-1) to (H) and a fluorine-based surfactant. Formula (A-1):
【0006】[0006]
【化6】 Embedded image
【0007】(式中、A1、A2、A3及びA4はポリプロ
ピレンオキシド基を表し、B1、B2、B3及びB4はポリ
エチレンオキシド基を表す)で示される、平均分子量が
1,000〜40,000であり、平均分子量を基準と
してポリエチレンオキシド基が5〜80重量%含まれる
化合物、式(A−2):Wherein A 1 , A 2 , A 3 and A 4 each represent a polypropylene oxide group, and B 1 , B 2 , B 3 and B 4 each represent a polyethylene oxide group. A compound having a molecular weight of 1,000 to 40,000 and containing 5 to 80% by weight of a polyethylene oxide group based on the average molecular weight, formula (A-2):
【0008】[0008]
【化7】 Embedded image
【0009】(式中、A5、A6、A7及びA8はポリプロ
ピレンオキシド基を表し、B5、B6、B7及びB8はポリ
エチレンオキシド基を表す)で示される、平均分子量が
2,000〜30,000であり、平均分子量を基準と
してポリエチレンオキシド基が5〜80重量%含まれる
化合物、式(B−1): HO−B9−A9−B1 0−OH (B−1) (式中、A9はポリプロピレンオキシド基を表し、B9及
びB1 0はポリエチレンオキシド基を表す)で示される、
平均分子量が900〜4,000であり、平均分子量を
基準としてポリエチレンオキシド基が5〜55重量%含
まれる化合物、式(B−2): HO−A1 0−B1 1−A1 1−OH (B−2) (式中、A1 0及びA1 1はポリプロピレンオキシド基を表
し、B1 1はポリエチレンオキシド基を表す)で示され
る、平均分子量が1,000〜4,000であり、平均
分子量を基準としてポリエチレンオキシド基が5〜55
重量%含まれる化合物、式(C):Wherein A 5 , A 6 , A 7 and A 8 each represent a polypropylene oxide group, and B 5 , B 6 , B 7 and B 8 each represent a polyethylene oxide group. is 2,000 to 30,000, compound polyethylene oxide group is contained 5 to 80% by weight, based on the average molecular weight, the formula (B-1): HO- B 9 -A 9 -B 1 0 -OH (B -1) (wherein, a 9 represents a polypropylene oxide group, B 9 and B 1 0 is shown by representing the polyethylene oxide group),
Average molecular weight of 900~4,000, compound polyethylene oxide group is contained 5 to 55% by weight, based on the average molecular weight, the formula (B-2): HO- A 1 0 -B 1 1 -A 1 1 - OH (B-2) (wherein, a 1 0 and a 1 1 represents a polypropylene oxide group, B 1 1 represents a polyethylene oxide group) represented by the average molecular weight be 1,000 to 4,000 Having a polyethylene oxide group content of 5 to 55 based on the average molecular weight.
% By weight of the compound of formula (C):
【0010】[0010]
【化8】 Embedded image
【0011】(式中、R1は炭素原子数5〜25のアル
キル基を表し、EOはオキシエチレン基を表し、a及び
bは2〜40の整数を表す)で示されるポリオキシエチ
レンアルキルアミン、式(D): R2−O−(EO)c−H (D) (式中、R2は炭素原子数5〜25のアルキル基を表
し、EOはオキシエチレン基を表し、cは2〜40の整
数を表す)で示されるポリオキシエチレンアルキルエー
テル、式(E): R3−COO−(EO)d−H (E) (式中、R3は炭素原子数5〜25のアルキル基を表
し、EOはオキシエチレン基を表し、dは2〜40の整
数を表す)で示されるポリオキシエチレンモノ脂肪酸エ
ステル、式(F): R4−COO−(EO)e−CO−R5 (F) (式中、R4及びR5は炭素原子数5〜25のアルキル基
を表し、EOはオキシエチレン基を表し、eは2〜40
の整数を表す)で示されるポリオキシエチレンジ脂肪酸
エステル、式(G):Wherein R 1 represents an alkyl group having 5 to 25 carbon atoms, EO represents an oxyethylene group, and a and b each represent an integer of 2 to 40. , Formula (D): R 2 -O- (EO) c -H (D) (wherein, R 2 represents an alkyl group having 5 to 25 carbon atoms, EO represents an oxyethylene group, and c represents 2 A polyoxyethylene alkyl ether represented by the following formula (E): R 3 —COO— (EO) d —H (E) (wherein R 3 is alkyl having 5 to 25 carbon atoms) EO represents an oxyethylene group, and d represents an integer of 2 to 40), a polyoxyethylene monofatty acid ester represented by the formula (F): R 4 —COO— (EO) e —CO—R 5 (F) (wherein, R 4 and R 5 is an alkyl group having 5 to 25 carbon atoms Represents, EO represents an oxyethylene group, e is 2 to 40
A polyoxyethylene difatty acid ester represented by the formula (G):
【0012】[0012]
【化9】 Embedded image
【0013】(式中、R6は炭素原子数5〜25のアル
キル基を表し、EOはオキシエチレン基を表し、fは2
〜40の整数を表す)で示されるポリオキシエチレンア
ルキルフェニルエーテル、及び式(H):Wherein R 6 represents an alkyl group having 5 to 25 carbon atoms, EO represents an oxyethylene group, and f represents 2
A polyoxyethylene alkylphenyl ether represented by the formula (H):
【0014】[0014]
【化10】 Embedded image
【0015】(式中、EOはオキシエチレン基を表し、
g及びhは2〜40の整数を表す)で示されるポリオキ
シエチレンテトラメチルデシンジオールジエーテル。(Wherein EO represents an oxyethylene group;
g and h represent an integer of 2 to 40).
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】本発明で用いる非イオン界面活性
剤は、式(A−1)〜式(H)で表される化合物の中か
ら選ばれた少なくとも1種類である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The nonionic surfactant used in the present invention is at least one selected from the compounds represented by formulas (A-1) to (H).
【0017】本発明で用いる式(A−1)の化合物は、
エチレンジアミンを核として4個の活性水素に、疎水性
のポリプロピレンオキシド基〔−CH(CH3)CH2O
−を構成単位とするポリマー基〕を重合させ、更に親水
性のポリオキシエチレン基〔−CH2CH2O−を構成単
位とするポリマー基〕を重合させたブロック共重合体で
ある。The compound of the formula (A-1) used in the present invention is
To four active hydrogen ethylenediamine as the core, hydrophobic polypropylene oxide groups [-CH (CH 3) CH 2 O
Is a block copolymer obtained by polymerizing a polyoxyethylene group [a polymer group having —CH 2 CH 2 O— as a structural unit].
【0018】式(A−1)の化合物の平均分子量は1,
000〜4,000であり、この化合物中のポリエチレ
ンオキシド基の含有量は、前記平均分子量を基準として
5〜80重量%である。好ましくは、式(A−1)の化
合物の平均分子量は2,500〜12,000であり、
この化合物中のポリエチレンオキシド基の含有量は、前
記平均分子量を基準として10〜70重量%である。最
も好ましくは、式(A−1)の化合物の平均分子量は
2,500〜7,000であり、この化合物中のポリエ
チレンオキシド基の含有量は、前記平均分子量を基準と
して10〜40重量%である。The compound of formula (A-1) has an average molecular weight of 1,
000 to 4,000, and the content of the polyethylene oxide group in the compound is 5 to 80% by weight based on the average molecular weight. Preferably, the compound of formula (A-1) has an average molecular weight of 2,500 to 12,000,
The content of polyethylene oxide groups in this compound is 10 to 70% by weight based on the average molecular weight. Most preferably, the compound of formula (A-1) has an average molecular weight of 2,500 to 7,000, and the content of polyethylene oxide groups in this compound is 10 to 40% by weight based on the average molecular weight. is there.
【0019】本発明で用いる式(A−1)の化合物とし
ては、例えば、TETRONIC(登録商標)シリーズ
の304、504、701、702、704、707、
901、904、908、1101、1102、110
4、1107、1301、1302、1304、130
7、1501、1502、1504、1508(以上、
BASF社製)などが挙げられる。これらの平均分子量
並びに平均分子量を基準としたポリエチレンオキシド基
の含有量(重量%)を表1に示す。The compounds of the formula (A-1) used in the present invention include, for example, 304, 504, 701, 702, 704, 707 of the TETRONIC (registered trademark) series.
901, 904, 908, 1101, 1102, 110
4, 1107, 1301, 1302, 1304, 130
7, 1501, 1502, 1504, 1508 (or more,
BASF). Table 1 shows the average molecular weight and the content (% by weight) of the polyethylene oxide groups based on the average molecular weight.
【0020】[0020]
【表1】 [Table 1]
【0021】本発明で用いる式(A−2)の化合物は、
エチレンジアミンを核として4個の活性水素に、親水性
のポリオキシエチレン基〔−CH2CH2O−を構成単位
とするポリマー基〕を重合させ、更に疎水性のポリプロ
ピレンオキシド基〔−CH(CH3)CH2O−を構成単
位とするポリマー基〕を重合させたブロック共重合体で
ある。The compound of the formula (A-2) used in the present invention is
A hydrophilic polyoxyethylene group [polymer group having —CH 2 CH 2 O— as a structural unit] is polymerized on four active hydrogens with ethylenediamine as a nucleus, and a hydrophobic polypropylene oxide group [—CH (CH 3 ) Polymer group having CH 2 O— as a constitutional unit].
【0022】式(A−2)の化合物の平均分子量は2,
000〜21,000であり、この化合物中のポリエチ
レンオキシド基の含有量は、前記平均分子量を基準とし
て5〜80重量%である。好ましくは、式(A−2)の
化合物の平均分子量は2,500〜12,000であ
り、この化合物中のポリエチレンオキシド基の含有量
は、前記平均分子量を基準として10〜70重量%であ
る。最も好ましくは、式(A−2)の化合物の平均分子
量は3,000〜6,000であり、この化合物中のポ
リエチレンオキシド基の含有量は、前記平均分子量を基
準として10〜40重量%である。The compound of formula (A-2) has an average molecular weight of 2,
2,000 to 21,000, and the content of the polyethylene oxide group in this compound is 5 to 80% by weight based on the average molecular weight. Preferably, the compound of formula (A-2) has an average molecular weight of 2,500 to 12,000, and the content of polyethylene oxide groups in the compound is 10 to 70% by weight based on the average molecular weight. . Most preferably, the compound of formula (A-2) has an average molecular weight of 3,000 to 6,000, and the content of polyethylene oxide groups in this compound is 10 to 40% by weight based on the average molecular weight. is there.
【0023】本発明で用いる式(A−2)の化合物とし
ては、例えば、TETRONIC(登録商標)シリーズ
の50R1、50R4、50R8、70R1、70R
2、70R4、90R1、90R4、90R8、110
R1、110R2、110R7、130R1、130R
2、150R1、150R4、150R8(以上、BA
SF社製)などが挙げられる。これらの平均分子量並び
に平均分子量を基準としたポリエチレンオキシド基の含
有量(重量%)を表2に示す。The compounds of the formula (A-2) used in the present invention include, for example, 50R1, 50R4, 50R8, 70R1, 70R of the TETRONIC (registered trademark) series.
2, 70R4, 90R1, 90R4, 90R8, 110
R1, 110R2, 110R7, 130R1, 130R
2, 150R1, 150R4, 150R8 (above, BA
SF Co., Ltd.). Table 2 shows the average molecular weight and the content (% by weight) of polyethylene oxide groups based on the average molecular weight.
【0024】[0024]
【表2】 [Table 2]
【0025】本発明で用いる式(B−1)で表されるの
化合物は、疎水性のポリプロピレンオキシド基〔−CH
(CH3)CH2O−を構成単位とするポリマー基〕を、
親水性のポリエチレンオキシド基〔−CH2CH2O−を
構成単位とするポリマー基〕でサンドしたブロック共重
合体である。The compound represented by the formula (B-1) used in the present invention has a hydrophobic polypropylene oxide group [—CH
(CH 3 ) a polymer group having CH 2 O— as a structural unit]
It is a block copolymer sanded with a hydrophilic polyethylene oxide group [polymer group having —CH 2 CH 2 O— as a structural unit].
【0026】式(B−1)の化合物の平均分子量は90
0〜4,000であり、この化合物中のポリエチレンオ
キシド基の含有量は、前記平均分子量を基準として5〜
55重量%である。好ましくは、式(B−1)の化合物
の平均分子量は900〜2,200であり、この化合物
中のポリエチレンオキシド基の含有量は、前記平均分子
量を基準として5〜35重量%である。より好ましく
は、式(B−1)の化合物の平均分子量は900〜2,
200であり、この化合物中のポリエチレンオキシド基
の含有量は、前記平均分子量を基準として5〜15重量
%である。最も好ましくは、式(B−1)の化合物の平
均分子量は900〜1,200であり、この化合物中の
ポリエチレンオキシド基の含有量は、前記平均分子量を
基準として5〜15重量%である。The compound of the formula (B-1) has an average molecular weight of 90
0 to 4,000, and the content of the polyethylene oxide group in this compound is 5 to 5 based on the average molecular weight.
55% by weight. Preferably, the compound of formula (B-1) has an average molecular weight of from 900 to 2,200, and the content of polyethylene oxide groups in the compound is from 5 to 35% by weight based on the average molecular weight. More preferably, the compound of formula (B-1) has an average molecular weight of 900-2,
The content of the polyethylene oxide group in this compound is 5 to 15% by weight based on the average molecular weight. Most preferably, the compound of formula (B-1) has an average molecular weight of 900 to 1,200, and the content of polyethylene oxide groups in the compound is 5 to 15% by weight based on the average molecular weight.
【0027】本発明で用いる式(B−1)の化合物とし
ては、例えば、PLURONIC(登録商標)シリーズ
のL31、L35、L42、L43、L44、L61、
L62、L63、L64、L72、L81、L92、L
101、P65(以上、BASF社製)などが挙げられ
る。これらの平均分子量並びに平均分子量を基準とした
ポリエチレンオキシド基の含有量(重量%)を表3に示
す。The compound of the formula (B-1) used in the present invention includes, for example, L31, L35, L42, L43, L44, L61 of the PLURONIC (registered trademark) series.
L62, L63, L64, L72, L81, L92, L
101, P65 (all manufactured by BASF) and the like. Table 3 shows the average molecular weight and the content (% by weight) of polyethylene oxide groups based on the average molecular weight.
【0028】[0028]
【表3】 [Table 3]
【0029】本発明で用いる式(B−2)の化合物は、
親水性のポリエチレンオキシド基〔−CH2CH2O−を
構成単位とするポリマー基〕を、疎水性のポリプロピレ
ンオキシド基〔−CH(CH3)CH2O−を構成単位と
するポリマー基〕でサンドしたブロック共重合体であ
る。The compound of the formula (B-2) used in the present invention is
A hydrophilic polyethylene oxide group [polymer group having —CH 2 CH 2 O— as a structural unit] is replaced with a hydrophobic polypropylene oxide group [polymer group having —CH (CH 3 ) CH 2 O— as a structural unit]. It is a sandwiched block copolymer.
【0030】式(B−2)の化合物の平均分子量は1,
000〜4,000であり、この化合物中のポリエチレ
ンオキシド基の含有量は、前記平均分子量を基準として
5〜55重量%である。好ましくは、式(B−2)の化
合物の平均分子量は1,000〜4,000であり、こ
の化合物中のポリエチレンオキシド基の含有量は、前記
平均分子量を基準として15〜45重量%である。ま
た、好ましくは、式(B−2)の化合物の平均分子量は
1,000〜2,900であり、この化合物中のポリエ
チレンオキシド基の含有量は、前記平均分子量を基準と
して5〜55重量%である。より好ましくは、式(B−
2)の化合物の平均分子量は2,000〜2,900で
あり、この化合物中のポリエチレンオキシド基の含有量
は、前記平均分子量を基準として15〜45重量%であ
る。The compound of the formula (B-2) has an average molecular weight of 1,
000 to 4,000, and the content of the polyethylene oxide group in the compound is 5 to 55% by weight based on the average molecular weight. Preferably, the compound of formula (B-2) has an average molecular weight of 1,000 to 4,000, and the content of the polyethylene oxide group in the compound is 15 to 45% by weight based on the average molecular weight. . Preferably, the compound of formula (B-2) has an average molecular weight of 1,000 to 2,900, and the content of the polyethylene oxide group in the compound is 5 to 55% by weight based on the average molecular weight. It is. More preferably, the formula (B-
The compound (2) has an average molecular weight of 2,000 to 2,900, and the content of the polyethylene oxide group in the compound is 15 to 45% by weight based on the average molecular weight.
【0031】本発明で用いる式(B−2)の化合物とし
ては、例えば、PLURONIC(登録商標)Rシリー
ズの10R5、12R3、17R1、17R2、17R
4、22R4、25R1、25R2、25R4、31R
1、31R2(以上、BASF社製)などが挙げられ
る。これらの平均分子量並びに平均分子量を基準とした
ポリエチレンオキシド基の含有量(重量%)を表4に示
す。The compound of the formula (B-2) used in the present invention includes, for example, 10R5, 12R3, 17R1, 17R2, 17R of PLURONIC (registered trademark) R series.
4, 22R4, 25R1, 25R2, 25R4, 31R
1, 31R2 (all manufactured by BASF) and the like. Table 4 shows the average molecular weight and the content (% by weight) of polyethylene oxide groups based on the average molecular weight.
【0032】[0032]
【表4】 [Table 4]
【0033】なお、式(A−1)、式(A−2)、式
(B−1)及び式(B−2)でいう「平均分子量」とは、
下記の手段に従い測定された水酸基価に基き算出された
ものをいう(フタル化法)。The “average molecular weight” in the formulas (A-1), (A-2), (B-1) and (B-2) is as follows.
It is calculated based on the hydroxyl value measured according to the following means (phthalation method).
【0034】使用する試薬 無水フタル酸のピリジン溶液:ピリジン300mlに無
水フタル酸42gを完全に溶解させ、70℃で2時間ま
たは室温で1夜熟成させる。なお、この試薬は着色瓶中
に保存し、8日以内で更新し、着色したものは使用しな
い。 ピリジン 0.5N水酸化ナトリウム溶液 フェノールフタレインのピリジン溶液(1W/V%) Reagent to be used : phthalic anhydride in pyridine solution: 42 g of phthalic anhydride is completely dissolved in 300 ml of pyridine and aged at 70 ° C. for 2 hours or at room temperature overnight. In addition, this reagent is stored in a colored bottle, renewed within 8 days, and the colored reagent is not used. Pyridine 0.5N sodium hydroxide solution Phenolphthalein pyridine solution (1W / V%)
【0035】手順 規定量の試料を300mlフラスコに正しくはかりとる
〔S(g)〕。なお、採取量が1g未満の場合は10- 1
mgオーダーで、採取量が1g以上の場合はmgオーダーで
計量する。 無水フタル酸のピリジン溶液25mlをホールピペット
で正確に加え、共せんをピリジンでシールしたうえで沸
騰したウォーターバス上で2時間加熱する(15分おき
に振り動かす)。 加熱後、ウォーターバスから取出し常温まで冷却す
る。 共せんをピリジンで洗い流し(洗浄液はフラスコ内に
落とす)、0.5N水酸化ナトリウム溶液を50mlホー
ルピペットで正確に加える。 指示薬(フェノールフタレインのピリジン溶液)を1
0滴加える。 0.5N水酸化ナトリウム溶液で滴定する〔A(m
l)〕。少なくとも15秒間紅色を保つ点を終点とす
る。 この試験は、同一条件で空試験を行う。〔B(m
l)〕。 Procedure Properly weigh a specified amount of sample into a 300 ml flask [S (g)]. In the case collection amount is less than 1g 10 - 1
If the amount is 1 g or more, weigh in mg order. Add exactly 25 ml of a pyridine solution of phthalic anhydride with a whole pipette, seal the cochlear with pyridine and heat on a boiling water bath for 2 hours (shake every 15 minutes). After heating, remove from the water bath and cool to room temperature. Rinse off the coincens with pyridine (the wash is dropped into the flask) and add exactly 0.5N sodium hydroxide solution with a 50 ml whole pipette. 1 indicator (phenolphthalein solution in pyridine)
Add 0 drops. Titrate with 0.5N sodium hydroxide solution [A (m
l)]. The point that remains red for at least 15 seconds is the end point. In this test, a blank test is performed under the same conditions. [B (m
l)].
【0036】平均分子量の算出 水酸基価の算出 OHV=〔28.05×(B−A)×f〕/S 式中、OHVは、水酸基価の(mgKOH/g)、Bは空試験
の滴定に要した0.5N水酸化ナトリウム溶液量(m
l)、Aは試料の滴定に要した0.5N水酸化ナトリウム
溶液量(ml)、fは0.5N水酸化ナトリウム溶液のフ
ァクター、Sは試料量(g)を示す。なお、試料が遊離
酸を含む場合は次式で補正する。補正値=水酸基価+酸
価 平均分子量の算出 平均分子量=(56.1×2×1000)/OHV 式中、56.1はKOHの式量、2は官能基(OH基)
の数である。 Calculation of average molecular weight Calculation of hydroxyl value OHV = [28.05 × (BA) × f] / S In the formula, OHV is (mgKOH / g) of hydroxyl value, and B is titration in blank test. Required amount of 0.5N sodium hydroxide solution (m
l), A indicates the amount (ml) of 0.5N sodium hydroxide solution required for titration of the sample, f indicates the factor of the 0.5N sodium hydroxide solution, and S indicates the amount of sample (g). When the sample contains a free acid, it is corrected by the following equation. Correction value = hydroxyl value + acid value Calculation of average molecular weight Average molecular weight = (56.1 × 2 × 1000) / OHV In the formula, 56.1 is a formula weight of KOH, and 2 is a functional group (OH group).
Is the number of
【0037】本発明で用いる式(C)で表されるポリオ
キシエチレンアルキルアミンにおいて、R1は炭素原子
数5〜25のアルキル基、a及びbは2〜40の整数で
ある。好ましくはR1は炭素原子数10〜20のアルキ
ル基、a及びbは5〜20の整数である。In the polyoxyethylene alkylamine represented by the formula (C) used in the present invention, R 1 is an alkyl group having 5 to 25 carbon atoms, and a and b are integers of 2 to 40. Preferably, R 1 is an alkyl group having 10 to 20 carbon atoms, and a and b are integers of 5 to 20.
【0038】本発明で用いる式(C)で表されるポリオ
キシエチレンアルキルアミンとしては、例えば、竹本油
脂(株)製のパイオニンシリーズのD−3110、D−
3120、D−3412、D−3440、D−351
0、D−3605などが挙げられる。The polyoxyethylene alkylamine represented by the formula (C) used in the present invention includes, for example, D-3110 and D-110 of the Pionin series manufactured by Takemoto Yushi Co., Ltd.
3120, D-3412, D-3440, D-351
0, D-3605 and the like.
【0039】本発明で用いる式(D)で表されるポリオ
キシエチレンアルキルエーテルにおいて、R2は炭素原
子数5〜25のアルキル基、cは2〜40の整数であ
る。好ましくはR2は炭素原子数10〜20のアルキル
基、cは5〜20の整数である。In the polyoxyethylene alkyl ether represented by the formula (D) used in the present invention, R 2 is an alkyl group having 5 to 25 carbon atoms, and c is an integer of 2 to 40. Preferably, R 2 is an alkyl group having 10 to 20 carbon atoms, and c is an integer of 5 to 20.
【0040】本発明で用いる式(D)で表されるポリオ
キシエチレンアルキルエーテルとしては、例えば、竹本
油脂(株)製のパイオニンシリーズのD−1305、D
−1315、D−1405、D−1420、D−150
4、D−1508、D−1518などが挙げられる。The polyoxyethylene alkyl ether represented by the formula (D) used in the present invention includes, for example, D-1305 and D-1305 of the Pionin series manufactured by Takemoto Yushi Co., Ltd.
-1315, D-1405, D-1420, D-150
4, D-1508, D-1518 and the like.
【0041】本発明で用いる式(E)で表されるポリオ
キシエチレンモノ脂肪酸エステルにおいて、R3は炭素
原子数5〜25のアルキル基、dは2〜40の整数であ
る。好ましくはR3は炭素原子数10〜20のアルキル
基、dは5〜20の整数である。In the polyoxyethylene monofatty acid ester represented by the formula (E) used in the present invention, R 3 is an alkyl group having 5 to 25 carbon atoms, and d is an integer of 2 to 40. Preferably, R 3 is an alkyl group having 10 to 20 carbon atoms, and d is an integer of 5 to 20.
【0042】本発明で用いる式(E)で表されるポリオ
キシエチレンモノ脂肪酸エステルとしては、例えば、竹
本油脂(株)製のパイオニンシリーズのD−2112−
A、D−2112−C、D−2123−Cなどが挙げら
れる。Examples of the polyoxyethylene monofatty acid ester represented by the formula (E) used in the present invention include, for example, D-2112- of Pionin series manufactured by Takemoto Yushi Co., Ltd.
A, D-2112-C, D-2123-C and the like.
【0043】本発明で用いる式(F)で表されるポリオ
キシエチレンジ脂肪酸エステルにおいて、R3及びR4は
炭素原子数5〜25のアルキル基、eは2〜40の整数
である。好ましくはR3及びR4は炭素原子数10〜20
のアルキル基、eは5〜20の整数である。In the polyoxyethylene difatty acid ester represented by the formula (F) used in the present invention, R 3 and R 4 are an alkyl group having 5 to 25 carbon atoms, and e is an integer of 2 to 40. Preferably R 3 and R 4 are 10 to 20 carbon atoms
And e is an integer of 5 to 20.
【0044】本発明で用いる式(F)で表されるポリオ
キシエチレンジ脂肪酸エステルとしては、例えば、竹本
油脂(株)製のパイオニンシリーズのD−2405−
A、D−2410−D、D−2110−Dなどが挙げら
れる。The polyoxyethylene difatty acid ester represented by the formula (F) used in the present invention includes, for example, D-2405-Pionin series manufactured by Takemoto Yushi Co., Ltd.
A, D-2410-D and D-2110-D.
【0045】本発明で用いる式(G)で表されるポリオ
キシエチレンアルキルフェニルエーテルにおいて、R6
は炭素原子数5〜25のアルキル基、fは2〜40の整
数である。好ましくはR6は炭素原子数10〜20のア
ルキル基、fは5〜20の整数である。In the polyoxyethylene alkylphenyl ether represented by the formula (G) used in the present invention, R 6
Is an alkyl group having 5 to 25 carbon atoms, and f is an integer of 2 to 40. Preferably, R 6 is an alkyl group having 10 to 20 carbon atoms, and f is an integer of 5 to 20.
【0046】本発明で用いる式(G)で表されるポリオ
キシエチレンアルキルフェニルエーテルとしては、例え
ば、竹本油脂(株)製のパイオニンシリーズのD−40
6、D−410、D−414、D−418などが挙げら
れる。The polyoxyethylene alkylphenyl ether represented by the formula (G) used in the present invention includes, for example, D-40 of the Pionin series manufactured by Takemoto Yushi Co., Ltd.
6, D-410, D-414, D-418 and the like.
【0047】本発明で用いる式(H)で表されるポリオ
キシエチレンテトラメチルデシンジオールジエーテルに
おいて、g及びhは2〜40の整数である。好ましくは
g及びhは5〜20の整数であり、更に好ましくはg及
びhは10〜20の整数である。In the polyoxyethylene tetramethyldecyne diol diether represented by the formula (H) used in the present invention, g and h are integers of 2 to 40. Preferably, g and h are integers of 5 to 20, more preferably g and h are integers of 10 to 20.
【0048】本発明で用いる式(H)で表されるポリオ
キシエチレンテトラメチルデシンジオールジエーテルと
しては、例えば、日信化学工業(株)製のサーフィノー
ルシリーズの104S、420、440、465、48
5などが挙げられる。The polyoxyethylene tetramethyl decyne diol diether represented by the formula (H) used in the present invention includes, for example, 104S, 420, 440 and 465 of Surfynol series manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd. 48
5 and the like.
【0049】本発明で用いる前記非イオン界面活性剤は
単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合せて使用し
てもよい。The nonionic surfactants used in the present invention may be used alone or in combination of two or more.
【0050】本発明に用いる前記非イオン界面活性剤の
配合量は、後述するアルカリ可溶性ノボラック型樹脂と
後述するキノンジアジド基含有化合物の合計量100重
量部に対して0.01〜25重量部、好ましくは0.1
〜10重量部、更に好ましくは0.5〜5重量部であ
る。The amount of the nonionic surfactant used in the present invention is preferably 0.01 to 25 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of the alkali-soluble novolak resin described below and the quinonediazide group-containing compound described later. Is 0.1
10 to 10 parts by weight, more preferably 0.5 to 5 parts by weight.
【0051】本発明で用いるフッ素系界面活性剤として
は、特に限定されず、種々の公知のものが使用でき、例
えば、住友スリーエム(株)製のフロラードシリーズの
FC−430、FC−431、大日本インキ化学工業
(株)製のメガファック(登録商標)シリーズの17
1、172、173、178K、178A、R08、旭硝
子(株)製のサーフロンシリーズのS−381、S−3
83、S−393、SC−101、SC−105、
(株)ネオス製のフタージェント(登録商標)シリーズ
のFT250、FT251、DFX18、(株)トーケ
ムプロダクツ製のエフトップ(登録商標)シリーズのE
F351、EF352、EF122A、EF122B、
EF122C、ダイキン工業(株)製のユニダイン(登
録商標)シリーズのDS−401、DS−403、DS
−451などを挙げることができる。The fluorosurfactant used in the present invention is not particularly limited, and various known ones can be used. Examples thereof include FC-430 and FC-431 of the Florad series manufactured by Sumitomo 3M Limited. 17 of Megafac (registered trademark) series manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.
1, 172, 173, 178K, 178A, R08, S-381, S-3 of Surflon series manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.
83, S-393, SC-101, SC-105,
FT250, FT251, DFX18 of the Neogent (registered trademark) series manufactured by Neos Co., Ltd., E of the F-top (registered trademark) series manufactured by Tochem Products Co., Ltd.
F351, EF352, EF122A, EF122B,
EF122C, Unidyne (registered trademark) series DS-401, DS-403, DS manufactured by Daikin Industries, Ltd.
-451 and the like.
【0052】本発明で用いる前記フッ素系界面活性剤は
単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合せて使用し
てもよい。The fluorosurfactants used in the present invention may be used alone or in combination of two or more.
【0053】本発明に用いる前記フッ素系界面活性剤の
配合量は、後述のアルカリ可溶性ノボラック型樹脂と後
述のキノンジアジド基含有化合物の合計量100重量部
に対して0.001〜0.5重量部、好ましくは0.0
5〜0.1重量部である。The amount of the fluorine-based surfactant used in the present invention is 0.001 to 0.5 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the alkali-soluble novolak resin described below and the quinonediazide group-containing compound described later. , Preferably 0.0
5 to 0.1 parts by weight.
【0054】本発明で用いる、被膜形成用物質としての
アルカリ可溶性ノボラック型樹脂は、フェノール類とア
ルデヒド類とを酸触媒の存在下でバルク又は溶媒中で縮
合して得られる樹脂が挙げられる。フェノール類として
は、フェノール、o−、m−又はp−クレゾール、2,
5−キシレノール、3,6−キシレノール、3,4−キ
シレノール、2,3,5−トリメチルフェノール、4−
t−ブチルフェノール、2−t−ブチルフェノール、3
−t−ブチルフェノール、2−エチルフェンール、3−
エチルフェノール、4−エチルフェノール、3−メチル
−6−t−ブチルフェノール、4−メチル−2−t−ブ
チルフェノール、2−ナフトール、1,3−ジヒドロキ
シナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、1,
7−ジヒドロキナフタレンなどの芳香族ヒドロキシ化合
物が挙げられる。アルデヒド類としては、ホルムアルデ
ヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロ
ピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアルデヒ
ドなどが挙げられる。触媒としては、有機酸(ギ酸、シ
ュウ酸、p−トルエンスルホン酸、トリクロロ酢酸な
ど)、無機酸(燐酸、塩酸、硫酸、過塩素酸など)、2
価金属塩(酢酸亜鉛、酢酸マグネシウムなど)が挙げら
れる。これらアルカリ可溶性ノボラック型樹脂は、単独
で用いてもよいし、2種類以上を組み合せて用いてもよ
い。The alkali-soluble novolak resin as a film-forming substance used in the present invention includes a resin obtained by condensing a phenol and an aldehyde in a bulk or in a solvent in the presence of an acid catalyst. Phenols include phenol, o-, m- or p-cresol, 2,
5-xylenol, 3,6-xylenol, 3,4-xylenol, 2,3,5-trimethylphenol, 4-
t-butylphenol, 2-t-butylphenol, 3
-T-butylphenol, 2-ethylphenol, 3-
Ethylphenol, 4-ethylphenol, 3-methyl-6-t-butylphenol, 4-methyl-2-t-butylphenol, 2-naphthol, 1,3-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 1,
And aromatic hydroxy compounds such as 7-dihydroquinaphthalene. Aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, propylaldehyde, benzaldehyde, phenylaldehyde and the like. Examples of the catalyst include organic acids (formic acid, oxalic acid, p-toluenesulfonic acid, trichloroacetic acid, etc.), inorganic acids (phosphoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, perchloric acid, etc.),
Valent metal salts (such as zinc acetate and magnesium acetate). These alkali-soluble novolak resins may be used alone or in combination of two or more.
【0055】本発明で用いる、感光性成分としてのキノ
ンジアジド基含有化合物としては、例えば、2,3,4
−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシ
ベンゾフェノンとナフトキノン−1,2−ジアジド5−
スルホン酸又はナフトキノン−1,2−ジアジド−4−
スルホン酸との完全エステル化合物や部分エステル化合
物などを挙げることができる。また他のキノンジアジド
化合物、例えば、オルトベンゾキンンジアジド、オルト
ナフトキノンジアジド、オルトアントラミノンジアジド
又はオルトナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類
などの核置換誘導体、更にはオルトナフトキノンスルホ
ニルクロリドと水酸基又はアミノ基を持つ化合物、例え
ば、フェノール、p−メトキシフェノール、ジメチルフ
ェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールA、ナフトー
ル、カルビノール、ピロカテコール、ピロガロール、ピ
ロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール−1,3
−ジメチルエーテル、没食子酸、水酸基を一部残してエ
ステル化又はエーテル化された没食子酸、アニリン、p
−アミノジフェニルアミンなどとの反応生成物なども用
いることができる。これらは単独でもよいし、また2種
類以上を組み合せて用いてもよい。これらのキノンジア
ジド基含有化合物は、例えば、前記ポリヒドロキシベン
ゾフェノンとナフトキノン−1,2−ジアジド−4−ス
ルホニルクロリドとをジオキサンなどの適当な溶媒中に
おいて、トリエタノールアミン、炭酸アルカリ、炭酸水
素アルカリなどのアルカリ存在下に縮合させ、完全エス
テル化又は部分エステル化するこにより製造することが
できる。The quinonediazide group-containing compound as a photosensitive component used in the present invention includes, for example, 2,3,4
-Trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-
Polyhydroxybenzophenone such as tetrahydroxybenzophenone and naphthoquinone-1,2-diazide 5-
Sulfonic acid or naphthoquinone-1,2-diazide-4-
Examples thereof include a complete ester compound and a partial ester compound with sulfonic acid. In addition, other quinonediazide compounds, for example, ortho-benzoquinonediazide, orthonaphthoquinonediazide, orthoanthraminonediazide or orthonaphthoquinonediazidesulfonic acid esters and other nuclear-substituted derivatives, and further have orthonaphthoquinonesulfonyl chloride and a hydroxyl group or an amino group. Compounds such as phenol, p-methoxyphenol, dimethylphenol, hydroquinone, bisphenol A, naphthol, carbinol, pyrocatechol, pyrogallol, pyrogallol monomethyl ether, pyrogallol-1,3
Dimethyl ether, gallic acid, gallic acid esterified or etherified leaving some of the hydroxyl groups, aniline, p
Reaction products with -aminodiphenylamine and the like can also be used. These may be used alone or in combination of two or more. These quinonediazide group-containing compounds include, for example, polyhydroxybenzophenone and naphthoquinone-1,2-diazide-4-sulfonyl chloride in a suitable solvent such as dioxane, triethanolamine, alkali carbonate, alkali hydrogen carbonate, etc. It can be produced by condensation in the presence of an alkali and complete or partial esterification.
【0056】このキノンジアジド基含有化合物は、前記
アルカリ可溶性ノボラック型樹脂100重量部に対し、
5〜30重量部、好ましくは10〜20重量部配合す
る。The quinonediazide group-containing compound was used in an amount of 100 parts by weight of the alkali-soluble novolak resin.
5 to 30 parts by weight, preferably 10 to 20 parts by weight are blended.
【0057】本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、
更に必要に応じて相溶性のある添加物、例えば、フォト
レジスト膜の性能などを改良するための樹脂、可塑剤、
安定剤、現像後のレジストパターンの視認性を良くする
ための染料、増感効果を向上させる増感剤などの慣用の
成分を含有させることができる。The positive photoresist composition of the present invention comprises
Further compatible additives as needed, for example, a resin for improving the performance of the photoresist film, a plasticizer,
Conventional components such as a stabilizer, a dye for improving the visibility of the resist pattern after development, and a sensitizer for improving the sensitizing effect can be contained.
【0058】本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、
前記した、アルカリ可溶性ノボラック型樹脂、キノンジ
アジド基含有化合物、フッ素系界面活性剤、非イオン界
面活性剤及び必要に応じて用いられる各種添加成分を適
当な溶剤に溶解した溶液の形態で用いる。The positive photoresist composition of the present invention comprises
The alkali-soluble novolak resin, the quinonediazide group-containing compound, the fluorinated surfactant, the nonionic surfactant, and various additives used as necessary are dissolved in an appropriate solvent to form a solution.
【0059】溶剤としては、2−ヘプタン、アセトン、
メチルエチルケトン、1,1,1−トリメチルアセトン
などのケトン類;エチレングリコールモノアセテート、
プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレングリ
コール又はジエチレングリコールモノアセテートのモノ
メチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエ
ーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテル
などの多価アルコール類の誘導体;ジオキサンのような
環状エーテル類;乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、ピルビン酸エチ
ル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプ
ロピオン酸メチルなどのエステル類が挙げられる。これ
らの溶剤は、単独で用いてもよいし、2種類以上を組み
合せて用いてもよい。溶剤の使用量は、通常、本発明の
ポジ型フォトレジスト組成物に対し溶剤量が50〜90
重量%となるように調製する。As the solvent, 2-heptane, acetone,
Ketones such as methyl ethyl ketone and 1,1,1-trimethylacetone; ethylene glycol monoacetate;
Derivatives of polyhydric alcohols such as propylene glycol monoacetate, diethylene glycol or diethylene glycol monoacetate, such as monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether; cyclic ethers such as dioxane; ethyl lactate, methyl acetate Esters such as ethyl acetate, butyl acetate, methyl propionate, ethyl pyruvate, methyl 3-methoxypropionate and methyl 3-ethoxypropionate. These solvents may be used alone or in combination of two or more. The amount of the solvent used is usually 50 to 90 with respect to the positive photoresist composition of the present invention.
It is prepared so as to be% by weight.
【0060】本発明のポジ型フォトレジスト組成物の使
用方法は、前記各成分を含有するポジ型フォトレジスト
を基板上にスピンコートまたはスロットコートの方法で
塗布し、乾燥してフォトレジスト層を形成する。これに
低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、アーク灯、キ
セノンランプなどを用いて紫外線を所定のマスクパター
ンを介して露光する。次に、これを現像液、例えば、1
〜10重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液のような弱アルカリ性水溶液に浸漬すると、露光
された部分が選択的に溶解除去され、マスクパターンに
忠実なレジストパターンを基板上に形成することができ
る。次いで、得られたレジストパターンをマスクとして
露光した基板を公知の方法でエッチングした後、レジス
トパターンを剥離することにより回路パターンが基板上
に形成される。In the method of using the positive photoresist composition of the present invention, a positive photoresist containing each of the above components is applied to a substrate by spin coating or slot coating, and dried to form a photoresist layer. I do. This is exposed to ultraviolet rays through a predetermined mask pattern using a low-pressure mercury lamp, high-pressure mercury lamp, ultra-high-pressure mercury lamp, arc lamp, xenon lamp, or the like. Next, this is added to a developing solution, for example, 1
When immersed in a weakly alkaline aqueous solution such as a 10% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, the exposed portions are selectively dissolved and removed, and a resist pattern faithful to the mask pattern can be formed on the substrate. Next, the exposed substrate is etched by a known method using the obtained resist pattern as a mask, and then the resist pattern is peeled off to form a circuit pattern on the substrate.
【0061】[0061]
【実施例】以下に、本発明を実施例により詳しく説明す
るが、本発明は、これら実施例に何ら限定されるもので
はない。EXAMPLES The present invention will be described below in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【0062】実施例1〜13 m−クレゾールとp−クレゾールを重量比6:4で混合
し、常法により製造したクレゾールノボラック樹脂(平
均分子量5,000)22.5gと、2,3,4,4′
−テトラヒドロキシベンゾフェノンのナフトキノン−
1,2−ジアジド−5−スルホン酸エステル2.5gと
をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
75gに溶解した。得られた溶液Aに、表5に示したフ
ッ素系界面活性剤及び非イオン界面活性剤をそれぞれ
0.02gずつ添加してポジ型フォトレジスト溶液を得
た。Examples 1 to 13 m-cresol and p-cresol were mixed at a weight ratio of 6: 4, and 22.5 g of a cresol novolak resin (average molecular weight: 5,000) produced by a conventional method, and 2,3,4 , 4 '
-Naphthoquinone of tetrahydroxybenzophenone-
2.5 g of 1,2-diazide-5-sulfonic acid ester was dissolved in 75 g of propylene glycol monomethyl ether acetate. To the resulting solution A, 0.02 g of each of the fluorine-based surfactant and the nonionic surfactant shown in Table 5 was added to obtain a positive photoresist solution.
【0063】得られたポジ型フォトレジスト溶液を、表
面をモリブデンでコーティングしたガラス基板上に膜厚
が1.5μmになるようにスピンコーティングした後、
基板表面のフォトレジストの塗布状態を、高輝度ナトリ
ウムランプを照射して滴下跡むら及び放射状むらの有無
を目視で観察した。その結果を表5に示した。The obtained positive photoresist solution was spin-coated on a glass substrate having a surface coated with molybdenum so as to have a thickness of 1.5 μm.
The application state of the photoresist on the substrate surface was irradiated with a high-intensity sodium lamp, and visually observed for dripping trace unevenness and radial unevenness. Table 5 shows the results.
【0064】比較例1〜2 実施例1〜13で得られた溶液Aと、溶液Aに表5に示
したフッ素系界面活性剤を0.02g添加したフォトレ
ジスト溶液を用いて、実施例1〜13と同様にして滴下
跡むら及び放射状むら(ストリエーション)の有無を目
視で観察した。その結果を表5に示した。Comparative Examples 1-2 Using the solution A obtained in Examples 1-13 and the photoresist solution obtained by adding 0.02 g of the fluorinated surfactant shown in Table 5 to Solution A, Example 1 was used. In the same manner as in Examples 13 to 13, the presence or absence of dripping trace unevenness and radial unevenness (striation) was visually observed. Table 5 shows the results.
【0065】[0065]
【表5】 [Table 5]
【0066】[0066]
【発明の効果】本発明のポジ型フォトレジスト組成物
は、滴下跡むらや放射状むら(ストリエーション)が発
生することがないため、塗布性に優れ、均一なフォトレ
ジスト膜を形成でき、特にLCDやLSIの製造に有用
である。The positive type photoresist composition of the present invention has excellent coatability and can form a uniform photoresist film because it does not cause dripping trace unevenness or radial unevenness (striation). And LSI manufacturing.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鎌田 義隆 新潟県北蒲原郡笹神村大字女堂字金屋原 300 シプレイ・フアーイースト株式会社 笹神工場内 (72)発明者 淡路 明 新潟県北蒲原郡笹神村大字女堂字金屋原 300 シプレイ・フアーイースト株式会社 笹神工場内 Fターム(参考) 2H025 AA00 AA02 AB16 AC01 AD03 BE01 BE10 CB29 CB53 CC04 EA05 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yoshitaka Kamada 300 Kanayahara, Sakura-mura, Oga-machi, Kitakanbara-gun, Niigata Pref. Ninja Kanayahara 300 Shipley Far East Co., Ltd. Sasami Plant F-term (reference) 2H025 AA00 AA02 AB16 AC01 AD03 BE01 BE10 CB29 CB53 CC04 EA05
Claims (1)
ノンジアジド基含有化合物とからなる基本組成に対し、
界面活性剤を含有させたポジ型フォトレジスト組成物に
おいて、該界面活性剤が下記の式(A−1)〜(H)で
表される非イオン界面活性剤とフッ素系界面活性剤を含
むことを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。 式(A−1): 【化1】 (式中、A1、A2、A3及びA4はポリプロピレンオキシ
ド基を表し、B1、B2、B3及びB4はポリエチレンオキ
シド基を表す)で示される、平均分子量が1,000〜
40,000であり、平均分子量を基準としてポリエチ
レンオキシド基が5〜80重量%含まれる化合物、式
(A−2): 【化2】 (式中、A5、A6、A7及びA8はポリプロピレンオキシ
ド基を表し、B5、B6、B7及びB8はポリエチレンオキ
シド基を表す)で示される、平均分子量が2,000〜
30,000であり、平均分子量を基準としてポリエチ
レンオキシド基が5〜80重量%含まれる化合物、式
(B−1): HO−B9−A9−B1 0−OH (B−1) (式中、A9はポリプロピレンオキシド基を表し、B9及
びB1 0はポリエチレンオキシド基を表す)で示される、
平均分子量が900〜4,000であり、平均分子量を
基準としてポリエチレンオキシド基が5〜55重量%含
まれる化合物、式(B−2): HO−A1 0−B1 1−A1 1−OH (B−2) (式中、A1 0及びA1 1はポリプロピレンオキシド基を表
し、B1 1はポリエチレンオキシド基を表す)で示され
る、平均分子量が1,000〜4,000であり、平均
分子量を基準としてポリエチレンオキシド基が5〜55
重量%含まれる化合物、式(C): 【化3】 (式中、R1は炭素原子数5〜25のアルキル基を表
し、EOはオキシエチレン基を表し、a及びbは2〜4
0の整数を表す)で示されるポリオキシエチレンアルキ
ルアミン、式(D): R2−O−(EO)c−H (D) (式中、R2は炭素原子数5〜25のアルキル基を表
し、EOはオキシエチレン基を表し、cは2〜40の整
数を表す)で示されるポリオキシエチレンアルキルエー
テル、式(E): R3−COO−(EO)d−H (E) (式中、R3は炭素原子数5〜25のアルキル基を表
し、EOはオキシエチレン基を表し、dは2〜40の整
数を表す)で示されるポリオキシエチレンモノ脂肪酸エ
ステル、式(F): R4−COO−(EO)e−CO−R5 (F) (式中、R4及びR5は炭素原子数5〜25のアルキル基
を表し、EOはオキシエチレン基を表し、eは2〜40
の整数を表す)で示されるポリオキシエチレンジ脂肪酸
エステル、式(G): 【化4】 (式中、R6は炭素原子数5〜25のアルキル基を表
し、EOはオキシエチレン基を表し、fは2〜40の整
数を表す)で示されるポリオキシエチレンアルキルフェ
ニルエーテル、及び式(H): 【化5】 (式中、EOはオキシエチレン基を表し、g及びhは2
〜40の整数を表す)で示されるポリオキシエチレンテ
トラメチルデシンジオールジエーテル。Claims: 1. A basic composition comprising an alkali-soluble novolak resin and a quinonediazide group-containing compound,
In a positive photoresist composition containing a surfactant, the surfactant contains a nonionic surfactant represented by the following formulas (A-1) to (H) and a fluorine-based surfactant. A positive photoresist composition comprising: Formula (A-1): Wherein A 1 , A 2 , A 3 and A 4 represent a polypropylene oxide group, and B 1 , B 2 , B 3 and B 4 represent a polyethylene oxide group, and have an average molecular weight of 1,000. ~
A compound having a polyethylene oxide group content of 5 to 80% by weight, based on the average molecular weight, formula (A-2): Wherein A 5 , A 6 , A 7 and A 8 each represent a polypropylene oxide group, and B 5 , B 6 , B 7 and B 8 each represent a polyethylene oxide group, and have an average molecular weight of 2,000. ~
Is 30,000, compound polyethylene oxide group is contained 5 to 80% by weight, based on the average molecular weight, the formula (B-1): HO- B 9 -A 9 -B 1 0 -OH (B-1) ( wherein, a 9 represents a polypropylene oxide group, B 9 and B 1 0 is shown by representing the polyethylene oxide group),
Average molecular weight of 900~4,000, compound polyethylene oxide group is contained 5 to 55% by weight, based on the average molecular weight, the formula (B-2): HO- A 1 0 -B 1 1 -A 1 1 - OH (B-2) (wherein, a 1 0 and a 1 1 represents a polypropylene oxide group, B 1 1 represents a polyethylene oxide group) represented by the average molecular weight be 1,000 to 4,000 Having a polyethylene oxide group content of 5 to 55 based on the average molecular weight.
% By weight of a compound represented by the formula (C): (Wherein, R 1 represents an alkyl group having 5 to 25 carbon atoms, EO represents an oxyethylene group, and a and b represent 2 to 4
A polyoxyethylene alkylamine represented by the formula (D): R 2 —O— (EO) c —H (D) wherein R 2 is an alkyl group having 5 to 25 carbon atoms And EO represents an oxyethylene group, and c represents an integer of 2 to 40), a polyoxyethylene alkyl ether represented by the formula (E): R 3 —COO— (EO) d —H (E) ( In the formula, R 3 represents an alkyl group having 5 to 25 carbon atoms, EO represents an oxyethylene group, and d represents an integer of 2 to 40), a polyoxyethylene monofatty acid ester represented by the formula (F): R 4 —COO— (EO) e —CO—R 5 (F) (wherein, R 4 and R 5 represent an alkyl group having 5 to 25 carbon atoms, EO represents an oxyethylene group, and e represents 2-40
A polyoxyethylene difatty acid ester represented by the formula (G): (Wherein, R 6 represents an alkyl group having 5 to 25 carbon atoms, EO represents an oxyethylene group, f represents an integer of 2 to 40), and a formula ( H): (Wherein EO represents an oxyethylene group, and g and h are 2
A polyoxyethylene tetramethyldecinediol diether represented by the following formula:
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP28522699A JP2001109144A (en) | 1999-10-06 | 1999-10-06 | Positive photoresist composition |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001109144A (en) |
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-
1999
- 1999-10-06 JP JP28522699A patent/JP2001109144A/en active Pending
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