JP2001108871A - Optical module - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光モジュールにおいて、上述の様な複雑な構
造を用いずに光導波路と光素子活性層の高さを一致させ
ることの可能な構造を提供する。
【解決手段】 表面が平坦なシリコン基板1と、シリコ
ン基板上に形成した光導波路2と、シリコン基板上に光
導波路のクラッド部分を除去して形成した光素子搭載部
4と、光素子搭載部上に形成した絶縁層(パッシベーシ
ョン膜)5と、光導波路と光学的に結合されるように絶
縁層5を介して光素子搭載部4に搭載した光素子7と有
する光モジュールである。絶縁層5の厚さは光導波路の
コア2−2と光素子の活性層7−1の中心の高さとが一
致するように調整される。光導波路の端面と光素子の端
面2−3の間に光素子の作動光波長において透明な樹脂
8を介在させる。
(57) [Problem] To provide a structure in an optical module that can make the heights of an optical waveguide and an optical element active layer equal without using a complicated structure as described above. SOLUTION: A silicon substrate 1 having a flat surface, an optical waveguide 2 formed on the silicon substrate, an optical element mounting portion 4 formed by removing a clad portion of the optical waveguide on the silicon substrate, and an optical element mounting portion The optical module has an insulating layer (passivation film) 5 formed thereon and an optical element 7 mounted on the optical element mounting section 4 via the insulating layer 5 so as to be optically coupled to the optical waveguide. The thickness of the insulating layer 5 is adjusted so that the center height of the core 2-2 of the optical waveguide and the center of the active layer 7-1 of the optical element match. A transparent resin 8 is interposed between the end face of the optical waveguide and the end face 2-3 of the optical element at the operating light wavelength of the optical element.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、平面光導波回路を
用いた光回路部品であって、特に光素子搭載する基板の
作製を容易にする構造を有する光モジュールに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical circuit component using a planar optical waveguide circuit, and more particularly to an optical module having a structure for facilitating the manufacture of a substrate on which an optical element is mounted.
【0002】[0002]
【従来の技術】シリコン基板上に形成した光導波路のク
ラッド部分を取り除いて光素子搭載部を形成した光素子
搭載基板を用いた従来の光モジュールでは、光導波路と
光素子の活性層の高さを合わせるために凹凸のあるシリ
コン基板が用いられてきた(例えば橋本他、“PLCプ
ラットフォーム上へのパッシブアライメントによるL
D,モニターPDの搭載”、1996年電子情報通信学
会総合大会C−206、p206(1996))。図6
に、このような従来技術を用いた光モジュールの構成例
を示す。図6の(a)はその斜視図、図6の(b)はそ
の縦断面図である。光素子搭載部4は、凹凸を有するシ
リコン基板1上に形成された、光導波路のクラッド及び
導波路コア部分を取り除いて光素子を固定するための半
田層(半田膜)6−1及び電気配線6−2を堆積して形
成する。光素子7はこの光素子搭載部4の部分にフリッ
プチップボンディングにより搭載され、ハイブリッド集
積される。2. Description of the Related Art In a conventional optical module using an optical device mounting substrate in which an optical device mounting portion is formed by removing a clad portion of an optical waveguide formed on a silicon substrate, the height of the optical waveguide and the active layer of the optical device are increased. Silicon substrates with irregularities have been used to match (eg, Hashimoto et al., “L.
D, mounting of monitor PD ”, 1996 IEICE General Conference C-206, p206 (1996)).
FIG. 1 shows a configuration example of an optical module using such a conventional technique. FIG. 6A is a perspective view thereof, and FIG. 6B is a longitudinal sectional view thereof. The optical element mounting portion 4 includes a solder layer (solder film) 6-1 formed on the uneven silicon substrate 1 for fixing the optical element by removing the cladding and the waveguide core portion of the optical waveguide and the electric wiring. 6-2 is formed by deposition. The optical element 7 is mounted on the optical element mounting portion 4 by flip chip bonding, and is hybrid-integrated.
【0003】このとき、光導波路と光素子7との光軸の
位置合わせに際して、基板1の面内(横、前後)の位置
合わせはマーク20を使って自動認識で行い、高さ方向
に関してはシリコン基板凸部1−1の表面と光導波路コ
ア2−2中心との高さの差と等しくなるように、光素子
7の表面(基板1に対向する面)から光素子の活性層7
−1までの距離を調整することで行なっている。At this time, when the optical axis of the optical waveguide and the optical element 7 are aligned, the in-plane (horizontal, front-back) alignment of the substrate 1 is automatically recognized using the mark 20, and the height direction is determined. From the surface of the optical element 7 (the surface facing the substrate 1), the active layer 7 of the optical element is set so as to be equal in height difference between the surface of the silicon substrate projection 1-1 and the center of the optical waveguide core 2-2.
This is done by adjusting the distance to -1.
【0004】ここで、光導波路コア2−2とクラッド2
−1との屈折率差を使った光導波路では、光の電界が導
波路コア2−2の外側に広がっているため、基板である
シリコン1に光を逃がさないためには、光導波路のアン
ダークラッド2−1(a)の厚みを十分にとる必要があ
る。例えば、通信用に用いられる石英系光導波路の場合
のアンダークラッド2−1(a)の厚みは20μm程度
になっている。一方、光半導体素子は光導波路のコアと
クラッドを基板上にエピタキシャル成長させるために、
20μmもの堆積は非常に困難で、導波路構造部分を埋
め込んでも基板表面から導波路(活性層)構造部までの
距離は高々5μm程度である。このため、上記高さを合
わせるために、従来では、シリコン基板1に凹凸を設
け、その凸部分1−1に光素子7を搭載する構造がとら
れてきた。Here, the optical waveguide core 2-2 and the cladding 2
In an optical waveguide using a refractive index difference of −1, the electric field of light spreads outside the waveguide core 2-2. The cladding 2-1 (a) needs to have a sufficient thickness. For example, in the case of a silica-based optical waveguide used for communication, the thickness of the under cladding 2-1 (a) is about 20 μm. On the other hand, an optical semiconductor device is required to epitaxially grow the core and clad of an optical waveguide on a substrate.
Deposition of 20 μm is very difficult, and the distance from the substrate surface to the waveguide (active layer) structure is at most about 5 μm even when the waveguide structure is embedded. Therefore, in order to adjust the height, conventionally, a structure has been adopted in which unevenness is provided on the silicon substrate 1 and the optical element 7 is mounted on the convex portion 1-1.
【0005】図7に、このような従来技術による光モジ
ュールの作製工程を示す。最初にシリコン基板1に凹凸
を設け(図7の(1))、アンダークラッド2−1
(a)を形成し(図7の(2))、光導波路コア2−2
を形成し(図7の(3))、オーバークラッド2−1
(b)を形成する(図7の(4))。次に、不要クラッ
ド、コアを除去することで光素子搭載部4を形成し(図
7の(5))、光素子搭載部4であるシリコン基板凸部
1−1上にパッシベーション膜5を形成し、この膜5上
に電気配線6−2と半田層6−1を形成する(図7の
(6))。このとき、基板1が凹凸であるため、光導波
路の作製が困難であった。さらに、光導波路コア2−2
と光素子7の光軸(光素子活性層)7−1の高さ調整の
ためのバファ層2−4を設ける必要があり(図7の
(3))、作製工程が煩雑であった。FIG. 7 shows a manufacturing process of such an optical module according to the prior art. First, irregularities are provided on the silicon substrate 1 ((1) in FIG. 7), and the under cladding 2-1 is formed.
(A) is formed ((2) in FIG. 7), and the optical waveguide core 2-2 is formed.
Is formed (FIG. 7 (3)), and the over cladding 2-1 is formed.
(B) is formed ((4) in FIG. 7). Next, the optical element mounting portion 4 is formed by removing the unnecessary cladding and the core (FIG. 7 (5)), and the passivation film 5 is formed on the silicon substrate convex portion 1-1 which is the optical element mounting portion 4. Then, the electric wiring 6-2 and the solder layer 6-1 are formed on the film 5 ((6) in FIG. 7). At this time, it was difficult to manufacture the optical waveguide because the substrate 1 was uneven. Further, the optical waveguide core 2-2
It is necessary to provide a buffer layer 2-4 for adjusting the height of the optical axis (optical element active layer) 7-1 of the optical element 7 ((3) in FIG. 7), and the manufacturing process is complicated.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述のように、シリコ
ン基板上に形成した光導波路の光素子搭載部を形成した
光素子搭載基板を用いた従来の光モジュールでは、シリ
コン基板に凹凸を設け、この凸部分に光素子を搭載する
構造がとられていたので、作製工程が複雑になるという
解決すべき課題があった。As described above, in a conventional optical module using an optical element mounting substrate in which an optical element mounting portion of an optical waveguide formed on a silicon substrate is formed, the silicon substrate is provided with irregularities. Since the structure in which the optical element is mounted on the convex portion is adopted, there is a problem to be solved in that the manufacturing process is complicated.
【0007】本発明の目的は、光モジュールにおいて、
上述の様な複雑な構造を用いずに光導波路と光素子活性
層の高さを一致させることの可能な構造を提供すること
にある。An object of the present invention is to provide an optical module,
It is an object of the present invention to provide a structure capable of making the heights of an optical waveguide and an optical element active layer coincide with each other without using a complicated structure as described above.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の光モジュールの発明は、表面が平坦なシ
リコン基板と、前記シリコン基板上に形成した光導波路
と、前記シリコン基板上に前記光導波路のクラッド部分
を除去して形成した光素子搭載部と、前記光素子搭載部
上に形成した絶縁層と、前記光導波路と光学的に結合さ
れるように前記絶縁層を介して前記光素子搭載部に搭載
した光素子とを有することを特徴とする。In order to achieve the above object, an optical module according to the first aspect of the present invention comprises a silicon substrate having a flat surface, an optical waveguide formed on the silicon substrate, and an optical module formed on the silicon substrate. An optical element mounting portion formed by removing the clad portion of the optical waveguide, an insulating layer formed on the optical element mounting portion, and the insulating layer through the insulating layer so as to be optically coupled to the optical waveguide. And an optical element mounted on the optical element mounting portion.
【0009】ここで、前記絶縁層の厚さは前記光導波路
のコアと前記光素子の活性層の中心の高さが一致するよ
う調整されていることを特徴とすることができる。Here, the thickness of the insulating layer may be adjusted so that the height of the core of the optical waveguide coincides with the height of the center of the active layer of the optical element.
【0010】また、前記絶縁層が前記光導波路のコアを
上から覆うオーバークラッドと連続一体化していること
を特徴とすることができる。[0010] The insulating layer may be continuously integrated with an over cladding that covers a core of the optical waveguide from above.
【0011】また、前記光導波路のコアを上から覆うオ
ーバークラッドを前記絶縁層がさらに覆うように形成さ
れていることを特徴とすることができる。[0011] The optical waveguide may be characterized in that the insulating layer further covers an over clad that covers the core of the optical waveguide from above.
【0012】また、前記絶縁層が有機材料によって形成
されていることを特徴とすることができる。[0012] Further, the invention is characterized in that the insulating layer is formed of an organic material.
【0013】また、前記光導波路の端面と前記光素子の
端面の間に該光素子の作動光波長において透明な樹脂を
介在させていることを特徴とすることができる。Further, a transparent resin is interposed between the end face of the optical waveguide and the end face of the optical element at the operating light wavelength of the optical element.
【0014】[作用]本発明では、上記構成で絶縁層
(実施形態のパッシベーション膜)の厚さを調整するこ
とで、シリコン基板上に形成した光導波路のクラッド部
分を取り除いて光素子搭載部を形成した光素子搭載基板
に対して、シリコン基板を凹凸に加工することなく、光
導波路のコアと光素子の活性層の高さを調整することが
可能となる。また、絶縁層をオーバークラッドとして用
いることにより、電界の閉じこめ構造を簡易に作製する
ことができる。また、その絶縁層に有機材料を用いるこ
とで作製がさらに簡易になる。また、光導波路の端面と
光素子の端面の間に光素子の作動光波長において透明な
樹脂を介在させることで、光の直進が確保され、光導波
路のコアから出射した光が光素子の活性層に確実に入射
できる。[Operation] In the present invention, by adjusting the thickness of the insulating layer (passivation film of the embodiment) with the above configuration, the cladding portion of the optical waveguide formed on the silicon substrate is removed, and the optical element mounting portion is removed. The height of the core of the optical waveguide and the height of the active layer of the optical element can be adjusted without processing the silicon substrate into irregularities with respect to the formed optical element mounting substrate. Further, by using the insulating layer as the over cladding, an electric field confinement structure can be easily manufactured. Further, by using an organic material for the insulating layer, the production is further simplified. In addition, by interposing a transparent resin at the operating light wavelength of the optical element between the end face of the optical waveguide and the end face of the optical element, the light goes straight and the light emitted from the core of the optical waveguide is activated by the optical element. It can be surely incident on the layer.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【0016】[第1の実施形態]図1の(a)は本発明
の前提を示し、図1の(b)は本発明の第1の実施形態
の光モジュールの構成を示す。[First Embodiment] FIG. 1A shows the premise of the present invention, and FIG. 1B shows the structure of an optical module according to a first embodiment of the present invention.
【0017】従来では、前述の図6で示したように、光
素子7の活性層7−1と光導波路のコア2−2との光軸
調整のために凹凸のあるシリコン基板1を用いていた。Conventionally, as shown in FIG. 6 described above, a silicon substrate 1 having unevenness is used for adjusting the optical axis of the active layer 7-1 of the optical element 7 and the core 2-2 of the optical waveguide. Was.
【0018】これに対し、本実施形態では以下に示すよ
うに、石英系光導波路を平坦なシリコン基板1上に形成
した。これにより、凹凸の加工に要する手間が省けるの
みならず、その後の工程においても、段差がないので作
製歩留まりの向上や、作製工程が容易になる。On the other hand, in the present embodiment, a quartz optical waveguide is formed on a flat silicon substrate 1 as described below. As a result, not only the labor required for processing the unevenness can be saved, but also in the subsequent steps, since there is no step, the production yield is improved, and the production process is facilitated.
【0019】また、本実施形態では、光導波路コア2−
2として、クラッド部分2−1との屈折率差が約0.4
%、コア2−2の断面形状が7μm×7μmのものを用
いた。このときの電界の広がりはピーク強度のI/e2
になるところの直径で約9μmであるから、光導波路コ
ア2−2とシリコン基板1の間隔をこの距離よりも広げ
て、光強度のプロファイルの裾がシリコン基板1に掛か
からないようにする必要がある。本実施形態における検
討では、導波路の伝搬損失も含めて全体としての損失を
0.2dB/cm程度の損失に抑えるためには約15μ
m程度コアの中心を基板から離す必要があった。このと
き、図1(a)に示すように、そのまま、光素子7を搭
載する光素子7のチップの表面から活性層7−1までの
距離は約7μmであって、上記15μmに対し8μm以
上の差があった。In this embodiment, the optical waveguide core 2-
2, the difference in refractive index from the cladding part 2-1 is about 0.4
%, And a core 2-2 having a cross section of 7 μm × 7 μm was used. The spread of the electric field at this time is I / e 2 of the peak intensity.
Is about 9 μm, the distance between the optical waveguide core 2-2 and the silicon substrate 1 needs to be wider than this distance so that the bottom of the light intensity profile does not overlap the silicon substrate 1. is there. According to the study in the present embodiment, in order to suppress the total loss including the propagation loss of the waveguide to a loss of about 0.2 dB / cm, about 15 μm is required.
The center of the core had to be separated from the substrate by about m. At this time, as shown in FIG. 1A, the distance from the surface of the chip of the optical element 7 on which the optical element 7 is mounted to the active layer 7-1 is about 7 μm, which is 8 μm or more with respect to the above 15 μm. There was a difference.
【0020】そこで、本実施形態では、図1(b)に示
すように、絶縁層であるパッシベーション膜5として、
約5μmの厚みの石英ガラスを堆積し、さらに、3μm
の半田層6−1を堆積した。これにより、光導波路コア
2−2と光素子7の活性層7−1の高さが完全に一致す
る。Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 1B, as the passivation film 5 as an insulating layer,
A quartz glass having a thickness of about 5 μm is deposited, and a further 3 μm
Was deposited. Thereby, the height of the optical waveguide core 2-2 and the height of the active layer 7-1 of the optical element 7 completely match.
【0021】ここで、図2(a)に示すように、パッシ
ベーションとして堆積した膜5は光導波路の端面2−3
にも付着し、かつ、その厚みが不均一であるため、光が
屈折し光軸10がずれるおそれが発生する。この点を解
決するために、本実施形態では、図2(b)に示すよう
に、光素子7と光導波路端面2−3の間隙に透明な樹脂
8を注入した。この樹脂8の注入により、導波路端面2
−3に付着した石英ガラス膜(パッシベーション膜)5
の表面と透明樹脂8の界面での屈折率不整合は、解消さ
れるため、光導波路コア2−2から出射した光はほぼ直
進して光素子7の活性層7−1に入射する。ここで用い
た樹脂8は石英ガラスの屈折率1.44に極めて近い屈
折率が1.43の透明なシリコーン樹脂である。この樹
脂8には光素子7の封止の効果もある。Here, as shown in FIG. 2A, the film 5 deposited as passivation is formed on the end face 2-3 of the optical waveguide.
And the thickness thereof is not uniform, so that light may be refracted and the optical axis 10 may be shifted. In order to solve this problem, in the present embodiment, as shown in FIG. 2B, a transparent resin 8 is injected into a gap between the optical element 7 and the optical waveguide end face 2-3. The injection of the resin 8 allows the waveguide end face 2
Quartz glass film (passivation film) adhered to -3
Since the refractive index mismatch at the interface between the surface of the optical waveguide and the transparent resin 8 is eliminated, the light emitted from the optical waveguide core 2-2 travels substantially straight and enters the active layer 7-1 of the optical element 7. The resin 8 used here is a transparent silicone resin having a refractive index of 1.43 which is extremely close to the refractive index of quartz glass of 1.44. The resin 8 also has an effect of sealing the optical element 7.
【0022】以上のように、絶縁層であるパッシベーシ
ョン膜5の膜厚を調整することにより、凹凸を有するシ
リコン基板を用いることなく、光導波路2と光素子7の
高さ方向の位置合わせが可能となる。また、光素子7と
光導波路2の間隙に透明な樹脂8を注入することで、光
導波路2と光素子7の光結合を遮ることなく、光導波路
端面2−3に付着した石英ガラス膜5の膜厚の不均一性
の影響を実質的に無くすことができる。As described above, by adjusting the thickness of the passivation film 5, which is an insulating layer, the optical waveguide 2 and the optical element 7 can be aligned in the height direction without using a silicon substrate having irregularities. Becomes Further, by injecting the transparent resin 8 into the gap between the optical element 7 and the optical waveguide 2, the quartz glass film 5 adhered to the optical waveguide end face 2-3 without interrupting the optical coupling between the optical waveguide 2 and the optical element 7. The effect of the non-uniformity of the film thickness can be substantially eliminated.
【0023】[第2の実施形態]図3は本発明の第2の
実施形態の光モジュールの作製工程を示す。光導波路は
第1の実施形態と同様に、シリコン基板1上に形成した
石英系光導波路である。[Second Embodiment] FIG. 3 shows a manufacturing process of an optical module according to a second embodiment of the present invention. The optical waveguide is a quartz-based optical waveguide formed on the silicon substrate 1 as in the first embodiment.
【0024】まず、表面が平坦なシリコン基板1上に、
アンダークラッド2−1(a)と光導波路コア2−2を
形成したのち(図3の(1))、光素子搭載部4のアン
ダークラッド2−1(a)およびコア部分2−2をエッ
チングし、除去する(図3の(2))。ここで、アンダ
ークラッド2−1(a)、光導波路コア2−2の構造は
第1の実施形態と同様である。したがって、光導波路コ
ア2−2の中心部のシリコン基板1からの高さは約15
μmである。First, on a silicon substrate 1 having a flat surface,
After forming the under cladding 2-1 (a) and the optical waveguide core 2-2 ((1) in FIG. 3), the under cladding 2-1 (a) and the core portion 2-2 of the optical element mounting portion 4 are etched. And removed ((2) in FIG. 3). Here, the structures of the under cladding 2-1 (a) and the optical waveguide core 2-2 are the same as in the first embodiment. Therefore, the height of the center of the optical waveguide core 2-2 from the silicon substrate 1 is about 15
μm.
【0025】この状態において、約5μmの厚みの石英
ガラス膜5を堆積し(図3の(3))、さらに、3μm
の電気配線/半田層6を堆積した(図3の(4))。こ
こで、堆積した5μmの石英ガラス膜5はオーバークラ
ッド2−1(b)として機能するようにコア部分よりも
約0.4%低い屈折率のものを用いた。これにより、こ
の石英ガラス膜5はオーバークラッドの機能とパッシベ
ーション膜の機能とを有することとなる。In this state, a quartz glass film 5 having a thickness of about 5 μm is deposited ((3) in FIG. 3),
The electric wiring / solder layer 6 was deposited ((4) in FIG. 3). Here, the deposited 5 μm quartz glass film 5 used had a refractive index about 0.4% lower than the core portion so as to function as the over cladding 2-1 (b). Thereby, the quartz glass film 5 has a function of an over cladding and a function of a passivation film.
【0026】これに第1の実施形態と同様の光素子7を
搭載し、後に10μm厚の透明シリコーン樹脂8を塗布
した(図3の(5))。ここで、透明樹脂8も石英ガラ
ス膜5と同一の屈折率の有するものを用いて、電界の分
布形状を歪ませないようにした。さらに、透明樹脂8を
石英ガラス膜5よりも低い屈折率を持たせることによ
り、光の閉じこめをきつくすることも可能である。これ
により、光導波路オーバークラッドを形成する工程とパ
ッシベーション膜を形成する工程が一回の堆積工程でで
き製作工程が極めて簡単になる。An optical element 7 similar to that of the first embodiment was mounted thereon, and a 10 μm thick transparent silicone resin 8 was applied later ((5) in FIG. 3). Here, a transparent resin 8 having the same refractive index as the quartz glass film 5 was used so as not to distort the distribution shape of the electric field. Further, by making the transparent resin 8 have a lower refractive index than the quartz glass film 5, it is also possible to tightly confine light. Thus, the step of forming the optical waveguide over-cladding and the step of forming the passivation film can be performed by a single deposition step, and the manufacturing step is extremely simplified.
【0027】さらに、透明樹脂8は導波路の第2のオー
バクラッド2−1(b)としての機能するのみならず、
作製工程で平滑化した光導波路端面での屈折を抑制する
働きも有する。Further, the transparent resin 8 not only functions as the second over clad 2-1 (b) of the waveguide, but also
It also has a function of suppressing refraction on the end face of the optical waveguide smoothed in the manufacturing process.
【0028】以上のように、本発明を用いれば、凹凸を
有するシリコン基板を用いることなく、かつ、パッシベ
ーション膜と光導波路クラッドを一括して作製すること
が可能となり作製工程が極めて単純になる。As described above, when the present invention is used, the passivation film and the optical waveguide clad can be manufactured at once without using a silicon substrate having irregularities, and the manufacturing process is extremely simplified.
【0029】なお、本実施形態ではパッシベーション膜
5として石英ガラス膜を用いているがシリコーンおよび
ポリイミドなどの有機材料を用いても良い。パッシベー
ション膜5として樹脂を用いた場合には、スピンコート
などで塗布すればよく、極めて簡単に作製することが可
能となる。Although a quartz glass film is used as the passivation film 5 in this embodiment, an organic material such as silicone and polyimide may be used. When a resin is used as the passivation film 5, the passivation film 5 may be applied by spin coating or the like, and can be manufactured extremely easily.
【0030】[第3の実施形態]図4は本発明の第3の
実施形態の光モジュールの作製工程を示す。光導波路は
第1の実施形態と同様にシリコン基板1上に形成した石
英系光導波路である。[Third Embodiment] FIG. 4 shows a manufacturing process of an optical module according to a third embodiment of the present invention. The optical waveguide is a quartz-based optical waveguide formed on the silicon substrate 1 as in the first embodiment.
【0031】まず、平坦なシリコン基板1上にアンダー
クラッド2−1(a)、光導波路コア2−2、オーバー
クラッド2−1(b)をそれそれ形成したのち(図4の
(1))、光素子搭載部4のクラッドおよびコア部分を
エッチングし、除去する(図4の(2))。ここで、ア
ンダークラッド2−1(a)、光導波路コア2−2の構
造は第1の実施形態と同様である。したがって、光導波
路コア2−2中心部のシリコン基板1からの高さは約1
5μmである。本例では、光導波路のエッチングに要す
る時間が短縮するので、オーバークラッド2−1(b)
の厚みを通常の20μmよりも薄い5μmとした。First, an under clad 2-1 (a), an optical waveguide core 2-2 and an over clad 2-1 (b) are formed on a flat silicon substrate 1 (FIG. 4 (1)). Then, the clad and core portions of the optical element mounting portion 4 are etched and removed ((2) in FIG. 4). Here, the structures of the under cladding 2-1 (a) and the optical waveguide core 2-2 are the same as in the first embodiment. Therefore, the height of the center of the optical waveguide core 2-2 from the silicon substrate 1 is about 1
5 μm. In this example, since the time required for etching the optical waveguide is shortened, the over cladding 2-1 (b)
Was 5 μm, which is thinner than normal 20 μm.
【0032】この状態において、約4μmの厚みの石英
ガラス膜5を堆積し(図4の(3))、さらに、3μm
の電気配線/半田層6を堆積した(図4の(4))。こ
れに第1の実施形態と同様の光素子7を搭載し、後に1
0μm厚の透明シリコーン樹脂8を塗布した(図4の
(5))。ここで、堆積した4μmの石英ガラス膜5は
オーバークラッド2−1(b)よりも約0.2%低い屈
折率のものを用いた。これにより、この石英ガラス膜5
は第2のオーバークラッドの機能とパッシベーション膜
の機能とを有することになる。In this state, a quartz glass film 5 having a thickness of about 4 μm is deposited ((3) in FIG. 4).
The electric wiring / solder layer 6 was deposited ((4) in FIG. 4). The same optical element 7 as in the first embodiment is mounted on this, and
A transparent silicone resin 8 having a thickness of 0 μm was applied ((5) in FIG. 4). Here, the deposited 4 μm quartz glass film 5 had a refractive index of about 0.2% lower than that of the over clad 2-1 (b). Thereby, this quartz glass film 5
Has the function of the second over cladding and the function of the passivation film.
【0033】石英ガラス膜5の第2のオーバークラッド
の機能において、石英ガラス膜5は光導波路コア2−2
の周囲の第1のオーバクラッドよりも屈折率が低いた
め、図4の(6)に示すように、第1のオーバクラッド
から第2のオーバクラッドに漏れた光の分布は、第1の
オーバクラッド中よりも急激に減衰する。従って、第1
のオーバークラッド2−1(b)は上述のように比較的
薄いオーバクラッドであるが、石英ガラス膜5の第2の
オーバクラッドの表面まで電界が到達せずに、第2のオ
ーバクラッドに電気配線6−2を形成しても、光導波路
の特性の変化がほとんど生じない。このように第1のオ
ーバクラッド2−1(b)を薄くすることは、本実施形
態の光素子実装基板の作製工程において、エッチング工
程が短くなること、基板内の段差が減少し、光モジュー
ルの作製が容易になるという2つの利点がある。In the function of the second overcladding of the quartz glass film 5, the quartz glass film 5 is formed by the optical waveguide core 2-2.
Since the refractive index is lower than that of the first over cladding surrounding the first over cladding, the distribution of light leaked from the first over cladding to the second over cladding as shown in FIG. Decays more rapidly than in the cladding. Therefore, the first
The overcladding 2-1 (b) is a relatively thin overcladding as described above, but the electric field does not reach the surface of the second overcladding of the quartz glass film 5 and the electric power is applied to the second overcladding. Even if the wiring 6-2 is formed, the characteristics of the optical waveguide hardly change. As described above, reducing the thickness of the first over cladding 2-1 (b) can shorten the etching process in the manufacturing process of the optical element mounting substrate of the present embodiment, reduce the level difference in the substrate, and reduce the optical module. There are two advantages that the fabrication of the semiconductor device becomes easy.
【0034】以上のように、本発明を用いれば、凹凸を
有するシリコン基板を用いることなく、かつ、第2のオ
ーバークラッドの機能とパッシベーション膜の機能とを
有するガラス膜を形成することにより、加工を簡便にす
ることが可能となる。As described above, according to the present invention, processing can be performed by using a glass film having the function of the second over cladding and the function of the passivation film without using a silicon substrate having irregularities. Can be simplified.
【0035】[第4の実施形態]本発明の第4の実施形
態は、上記の本発明の第3の実施形態と同様にしてシリ
コン基板上に石英系ガラス光導波路を作製した後、光素
子搭載部を設けるためコア、クラッド部を除去した。そ
の後、パッシベーション膜として石英ガラス膜を堆積す
るかわりに、シリコーン樹脂(屈折率1.43)をスピ
ンコートにより塗布してパッシベーション膜とし、その
後、同じシリコーン樹脂を注入することにより光素子等
を封止し、本発明の光モジュールを作製した。[Fourth Embodiment] In a fourth embodiment of the present invention, a quartz glass optical waveguide is formed on a silicon substrate in the same manner as in the above-described third embodiment of the present invention, and then an optical element is formed. The core and the clad were removed to provide the mounting part. Then, instead of depositing a quartz glass film as a passivation film, a silicone resin (refractive index: 1.43) is applied by spin coating to form a passivation film, and then the same silicone resin is injected to seal an optical element or the like. Then, an optical module of the present invention was produced.
【0036】以上のように、本発明を用いれば、更に光
素子搭載部をもった光導波路基板の作製が容易となる。As described above, according to the present invention, it becomes easier to manufacture an optical waveguide substrate having an optical element mounting portion.
【0037】[第5の実施形態]図5は本発明の第5の
実施形態の光モジュールの断面構造を示す。[Fifth Embodiment] FIG. 5 shows a sectional structure of an optical module according to a fifth embodiment of the present invention.
【0038】まず、上述の本発明の第3の実施形態と同
様にして、シリコン基板1上に石英系ガラス光導波路2
−1(a),2−2,2−1(b)を作製した後、光素
子搭載部(4)を設けるためコア2−2、クラッド部2
−1(b)を除去した。First, a quartz glass optical waveguide 2 is formed on a silicon substrate 1 in the same manner as in the third embodiment of the present invention.
After preparing -1 (a), 2-2 and 2-1 (b), the core 2-2 and the cladding 2 are provided to provide the optical element mounting portion (4).
-1 (b) was removed.
【0039】その後、パッシベーション膜として石英ガ
ラス膜を堆積するかわりに感光性シリコーン樹脂9(屈
折率1.43)をスピンコートにより塗布してその後、
光導波路の導波路端面2−3に付着する樹脂9の部分は
マスク越しに露光して現像により除去し、その他の樹脂
部分9をパッシベーション膜として残した。Thereafter, instead of depositing a quartz glass film as a passivation film, a photosensitive silicone resin 9 (refractive index: 1.43) is applied by spin coating.
The portion of the resin 9 adhering to the waveguide end face 2-3 of the optical waveguide was exposed through a mask and removed by development, and the other resin portion 9 was left as a passivation film.
【0040】その後、上記第3の実施形態と同様の工程
により、クラッド部2−1よりも屈折率の低い透明なシ
リコーン樹脂8(屈折率1.43)を注入することによ
り、光素子7等を封止し、本発明の光モジュールを作製
した。Thereafter, in the same process as in the third embodiment, a transparent silicone resin 8 (refractive index: 1.43) having a lower refractive index than that of the cladding portion 2-1 is injected to thereby form the optical element 7 and the like. Was sealed to produce an optical module of the present invention.
【0041】以上のように、本発明を用いれば、更に光
素子搭載部をもった光導波路基板の作製が容易となり、
さらに、樹脂の加工性の良さから導波路端面へのパッシ
ベーション膜の付着を防ぐことが可能となる。As described above, when the present invention is used, it is easy to manufacture an optical waveguide substrate having an optical element mounting portion.
Furthermore, it is possible to prevent the passivation film from adhering to the end face of the waveguide due to the good workability of the resin.
【0042】[第6の実施形態]上述の本発明の第5の
実施形態における感光性シリコーン樹脂9の代わりに感
光性ポリイミド樹脂(屈折率1.6)を用いても同様に
本発明の光モジュールを作製することが可能である。但
し、この場合には、ポリイミド樹脂の屈折率が高いた
め、損失を考慮して石英ガラス導波路の上部クラッドの
厚さは15−20μmとした。[Sixth Embodiment] Even when a photosensitive polyimide resin (refractive index: 1.6) is used instead of the photosensitive silicone resin 9 in the fifth embodiment of the present invention, the light of the present invention is similarly obtained. It is possible to make modules. However, in this case, since the refractive index of the polyimide resin is high, the thickness of the upper clad of the quartz glass waveguide is set to 15 to 20 μm in consideration of the loss.
【0043】以上のように、本発明を用いれば、更に光
素子搭載部をもった光導波路基板の作製が容易となり、
さらに、樹脂の加工性の良さから導波路端面へのパッシ
ベーション膜の付着を防ぐことが可能となる。ここで、
ポリイミド樹脂は耐熱性が強いので半田付けなどの熱履
歴の激しい作製工程を必要とする光モジュールには極め
て有効である。As described above, according to the present invention, it is easy to manufacture an optical waveguide substrate having an optical element mounting portion.
Furthermore, it is possible to prevent the passivation film from adhering to the end face of the waveguide due to the good workability of the resin. here,
Since polyimide resin has high heat resistance, it is extremely effective for an optical module that requires a manufacturing process with a severe heat history such as soldering.
【0044】第5の実施形態,第6の実施形態における
パッシベーション膜としては、この他、感光性のベンゾ
シクロブテン樹脂、エポキシ樹脂等を用いることが可能
である。第4の実施形態の膜としてはベンゾシクロブテ
ン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹
脂を同様に用いても本発明の光モジュールを作製するこ
とは可能である。As the passivation film in the fifth and sixth embodiments, a photosensitive benzocyclobutene resin, an epoxy resin or the like can be used. The optical module of the present invention can be manufactured even when a benzocyclobutene resin, an epoxy resin, a silicone resin, or a polyimide resin is used as the film of the fourth embodiment.
【0045】[0045]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光導波路基板に光素子搭載部を設け、光素子搭載部に光
素子をハイブリッド集積する光モジュールにおいて、表
面が平坦なシリコン基板を用い、光素子と光導波路の高
さ方向の位置合わせを絶縁層の膜厚の調整により行うよ
うに構成したので、作製工程を著しく簡易にできる。As described above, according to the present invention,
In an optical module in which an optical element mounting part is provided on an optical waveguide substrate and an optical element is hybrid-integrated in the optical element mounting part, a silicon substrate having a flat surface is used, and an alignment between the optical element and the optical waveguide in a height direction is performed by an insulating layer. Since the film thickness is adjusted by adjusting the film thickness, the manufacturing process can be remarkably simplified.
【0046】また、本発明によれば、その絶縁層に光導
波路のクラッドとしての機能を持たせることで、光導波
路をさらに簡易作製できる。Further, according to the present invention, the optical waveguide can be manufactured more easily by providing the insulating layer with a function as the cladding of the optical waveguide.
【0047】また、本発明によれば、その絶縁層を有機
材料により作製することにより、作製工程を更に簡易に
できる。According to the present invention, the manufacturing process can be further simplified by manufacturing the insulating layer from an organic material.
【0048】光また、本発明によれば、導波路の端面と
光素子の端面の間に光素子の作動光波長において透明な
樹脂を介在させることで、光の直進が確保され、光導波
路のコアから出射した光が光素子の活性層に確実に入射
できる。Light According to the present invention, a transparent resin is interposed between the end face of the waveguide and the end face of the optical element at the operating light wavelength of the optical element, so that light can travel straight, and The light emitted from the core can reliably enter the active layer of the optical element.
【0049】従って、本発明の光モジュールの構造は、
低コストな光モジュールを実現する上で極めて有効であ
る。Therefore, the structure of the optical module of the present invention is as follows.
This is extremely effective in realizing a low-cost optical module.
【図1】本発明の基本概念を説明する図で、(a)は本
発明の前提となる単純に平坦なシリコン基板を用いた場
合の光軸の位置関係を示す断面図、(b)は絶縁層であ
るパッシベーション膜を用いた光モジュールの構造を示
す断面図である。FIGS. 1A and 1B are diagrams for explaining the basic concept of the present invention. FIG. 1A is a cross-sectional view showing a positional relationship of an optical axis when a simple flat silicon substrate is used as a premise of the present invention, and FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a structure of an optical module using a passivation film as an insulating layer.
【図2】本発明の第1の実施形態の光モジュールの構造
を示す図で、(a)はパッシベーション膜を堆積しただ
けの基板での光軸のずれを示す断面図、(b)は透明樹
脂を介在した場合の光軸の直進性を示す断面図である。FIGS. 2A and 2B are diagrams showing a structure of the optical module according to the first embodiment of the present invention, in which FIG. 2A is a cross-sectional view showing a shift of an optical axis on a substrate on which a passivation film is merely deposited, and FIG. It is sectional drawing which shows the linearity of an optical axis at the time of interposing resin.
【図3】本発明の第2の実施形態の光モジュールの作製
工程を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of an optical module according to a second embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第3の実施形態の光モジュールの作製
工程を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of an optical module according to a third embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第5の実施形態の光モジュールの断面
図である。FIG. 5 is a sectional view of an optical module according to a fifth embodiment of the present invention.
【図6】従来の光モジュールの構造例を示す図で、
(a)は光素子搭載部の斜視図、(b)は光素子搭載部
の断面図である。FIG. 6 is a view showing a structural example of a conventional optical module;
(A) is a perspective view of an optical element mounting part, and (b) is a cross-sectional view of the optical element mounting part.
【図7】従来の光モジュールに用いられている光素子搭
載部を有する光導波路基板の作製工程を示す断面図であ
る。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of an optical waveguide substrate having an optical element mounting portion used in a conventional optical module.
1 シリコン基板 1−1 シリコン基板凸部 1−2 シリコン基板凹部 2 光導波路 2−1 クラッド 2−1(a) アンダークラッド 2−1(b) オーバークラッド 2−2 光導波路コア 2−3 光導波路端面 2−4 バッファ(高さ調整)層 4 光素子搭載部 5 パッシベーション膜(石英ガラス膜) 6 電気配線/半田層 6−1 半田層(半田膜) 6−2 電気配線 7 光素子 7−1 光素子活性層 8 透明樹脂 9 感光性樹脂 10 光軸 20 位置あわせマーク DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Silicon substrate 1-1 Silicon substrate convex part 1-2 Silicon substrate concave part 2 Optical waveguide 2-1 Cladding 2-1 (a) Under cladding 2-1 (b) Over cladding 2-2 Optical waveguide core 2-3 Optical waveguide End face 2-4 Buffer (height adjustment) layer 4 Optical element mounting part 5 Passivation film (quartz glass film) 6 Electric wiring / solder layer 6-1 Solder layer (solder film) 6-2 Electric wiring 7 Optical element 7-1 Optical element active layer 8 Transparent resin 9 Photosensitive resin 10 Optical axis 20 Alignment mark
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井籐 幹隆 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 大森 保治 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 杉田 彰夫 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 加藤 邦治 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 都丸 暁 東京都千代田区大手町二丁目3番1号 日 本電信電話株式会社内 Fターム(参考) 2H037 BA02 CA34 DA03 DA06 DA11 DA18 2H047 KA03 KA15 MA07 QA02 QA05 TA43 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Mikitaka Itan 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Yoji Omori 2-chome, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo No. 1 Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Akio Sugita 2-3-1 Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Kuniharu Kato Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo No.3-1, Nippon Telegraph and Telephone Co., Ltd. (72) Inventor Akira Tomaru 2-3-1, Otemachi, Chiyoda-ku, Tokyo F-term within Nippon Telegraph and Telephone Co., Ltd. 2H037 BA02 CA34 DA03 DA06 DA11 DA18 2H047 KA03 KA15 MA07 QA02 QA05 TA43
Claims (6)
去して形成した光素子搭載部と、 前記光素子搭載部上に形成した絶縁層と、 前記光導波路と光学的に結合されるように前記絶縁層を
介して前記光素子搭載部に搭載した光素子とを有するこ
とを特徴とする光モジュール。A silicon substrate having a flat surface; an optical waveguide formed on the silicon substrate; an optical element mounting portion formed on the silicon substrate by removing a clad portion of the optical waveguide; An optical module comprising: an insulating layer formed on a mounting portion; and an optical element mounted on the optical element mounting portion via the insulating layer so as to be optically coupled to the optical waveguide.
と前記光素子の活性層の中心の高さが一致するよう調整
されていることを特徴とする請求項1に記載の光モジュ
ール。2. The optical module according to claim 1, wherein the thickness of the insulating layer is adjusted so that the height of the center of the core of the optical waveguide and the center of the active layer of the optical element coincide with each other. .
ら覆うオーバークラッドと連続一体化していることを特
徴とする請求項2に記載の光モジュール。3. The optical module according to claim 2, wherein the insulating layer is continuously integrated with an over clad that covers a core of the optical waveguide from above.
ークラッドを前記絶縁層がさらに覆うように形成されて
いることを特徴とする請求項2に記載の光モジュール。4. The optical module according to claim 2, wherein the insulating layer further covers an over clad that covers the core of the optical waveguide from above.
ていることを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれ
かに記載の光モジュール。5. The optical module according to claim 2, wherein the insulating layer is formed of an organic material.
の間に該光素子の作動光波長において透明な樹脂を介在
させていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のい
ずれかに記載の光モジュール。6. The optical device according to claim 1, wherein a transparent resin is interposed between an end face of the optical waveguide and an end face of the optical element at an operating light wavelength of the optical element. An optical module according to item 1.
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