JP2001198834A - ＳｉＣ被覆砥粒を用いたダイヤモンド砥石 - Google Patents
ＳｉＣ被覆砥粒を用いたダイヤモンド砥石Info
- Publication number
- JP2001198834A JP2001198834A JP2000004759A JP2000004759A JP2001198834A JP 2001198834 A JP2001198834 A JP 2001198834A JP 2000004759 A JP2000004759 A JP 2000004759A JP 2000004759 A JP2000004759 A JP 2000004759A JP 2001198834 A JP2001198834 A JP 2001198834A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- sic
- abrasive grains
- grindstone
- diamond abrasive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高寿命のダイヤモンド砥石にするとともに、
切断精度が良く、乾式で使用した場合に熱によるダイヤ
モンド砥粒の劣化が少ないダイヤモンド砥石を得る。 【解決手段】 ダイヤモンド砥粒の表面に主として等軸
粒のβ−ＳｉＣからなる被膜を形成したダイヤモンド砥
粒を使用する。この被膜は、一酸化ケイ素（ＳｉＯ）粉
末を真空中にて気化させ、ダイヤモンド砥粒の表面に反
応被覆させる。被膜の厚さは２μｍ以下、好ましくは
０．０１〜０．５μｍのものを使用する。
切断精度が良く、乾式で使用した場合に熱によるダイヤ
モンド砥粒の劣化が少ないダイヤモンド砥石を得る。 【解決手段】 ダイヤモンド砥粒の表面に主として等軸
粒のβ−ＳｉＣからなる被膜を形成したダイヤモンド砥
粒を使用する。この被膜は、一酸化ケイ素（ＳｉＯ）粉
末を真空中にて気化させ、ダイヤモンド砥粒の表面に反
応被覆させる。被膜の厚さは２μｍ以下、好ましくは
０．０１〜０．５μｍのものを使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学ガラス、水
晶、セラミックス、磁性材料、半導体材料、石材、コン
クリートなどの切断や研削に用いられるダイヤモンド砥
石に関するものである。
晶、セラミックス、磁性材料、半導体材料、石材、コン
クリートなどの切断や研削に用いられるダイヤモンド砥
石に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ダイヤモンド砥石の結合剤と
して、金属系結合剤のメタルボンドや樹脂系結合剤のレ
ジンボンドが用いられている。例えばメタルボンドの組
成として、ブロンズ系、スチール系、コバルト系などが
用いられているが、十分な砥粒保持力を得るためにはホ
ットプレス法などによりボンドを緻密に固める必要があ
り、その結果、気孔がほとんど存在しない組織になって
いた。
して、金属系結合剤のメタルボンドや樹脂系結合剤のレ
ジンボンドが用いられている。例えばメタルボンドの組
成として、ブロンズ系、スチール系、コバルト系などが
用いられているが、十分な砥粒保持力を得るためにはホ
ットプレス法などによりボンドを緻密に固める必要があ
り、その結果、気孔がほとんど存在しない組織になって
いた。
【０００３】気孔がほとんど存在しない組織では、砥粒
の保持力を向上させるのには効果があるが、高能率、高
精度な研削や切断を行うには問題が残る。高能率な研削
や切断を行うためにはチップポケット（切粉の排出部）
は必要不可欠なものとなっている。チップポケットを得
る方法としては、先行技術としてボンド中に研削液に溶
解する食塩などの物質（造孔剤）を分散させて、食塩が
溶出した跡に気孔を形成する技術などが提案されている
が、十分な砥粒保持力と十分な容量のチップポケットを
兼ね備える性能は得られなかった。
の保持力を向上させるのには効果があるが、高能率、高
精度な研削や切断を行うには問題が残る。高能率な研削
や切断を行うためにはチップポケット（切粉の排出部）
は必要不可欠なものとなっている。チップポケットを得
る方法としては、先行技術としてボンド中に研削液に溶
解する食塩などの物質（造孔剤）を分散させて、食塩が
溶出した跡に気孔を形成する技術などが提案されている
が、十分な砥粒保持力と十分な容量のチップポケットを
兼ね備える性能は得られなかった。
【０００４】また、結合剤にレジンボンドを用いたもの
では、一般にダイヤモンド砥粒の表面にＮｉ被覆したも
のが用いられているが、これについても砥粒の保持力に
関しては十分とは言えない状況にあった。
では、一般にダイヤモンド砥粒の表面にＮｉ被覆したも
のが用いられているが、これについても砥粒の保持力に
関しては十分とは言えない状況にあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような問題を解
決するものとして、例えば本出願人が提案したＴｉＣ被
膜を被覆した超砥粒を使用したものがある（特願平１１
−１２２８２５）。またこれとは別に特開平８−１１３
７７４号公報記載のものがある。これはダイヤモンド砥
粒の表面に主としてβ−ＳｉＣの被膜を形成し、この砥
粒を砥石に使ったものである。
決するものとして、例えば本出願人が提案したＴｉＣ被
膜を被覆した超砥粒を使用したものがある（特願平１１
−１２２８２５）。またこれとは別に特開平８−１１３
７７４号公報記載のものがある。これはダイヤモンド砥
粒の表面に主としてβ−ＳｉＣの被膜を形成し、この砥
粒を砥石に使ったものである。
【０００６】しかしながら最近では、研削液処理などの
問題から乾式による加工も増えつつあり、さらなる高能
率、高精度、長寿命のダイヤモンド砥石が必要とされる
ことも多くなりつつある。本発明はこれらの性能をより
向上させたダイヤモンド砥石を提供することにある。
問題から乾式による加工も増えつつあり、さらなる高能
率、高精度、長寿命のダイヤモンド砥石が必要とされる
ことも多くなりつつある。本発明はこれらの性能をより
向上させたダイヤモンド砥石を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明のダイヤ
モンド工具は、ダイヤモンド砥粒を結合剤で結合されて
ダイヤモンド層が形成されたダイヤモンド砥石であっ
て、ダイヤモンド砥粒の表面にはＳｉＣを主成分とする
被膜（以下、ＳｉＣ被膜と記載）を形成することによ
り、良好な切味と長寿命を実現するものである。
モンド工具は、ダイヤモンド砥粒を結合剤で結合されて
ダイヤモンド層が形成されたダイヤモンド砥石であっ
て、ダイヤモンド砥粒の表面にはＳｉＣを主成分とする
被膜（以下、ＳｉＣ被膜と記載）を形成することによ
り、良好な切味と長寿命を実現するものである。
【０００８】すなわちダイヤモンド砥粒と結合剤がＳｉ
Ｃ被膜を介して強固に接合して、ダイヤモンド層が形成
されているので、ダイヤモンド砥粒の脱落を防止して長
寿命を実現する。
Ｃ被膜を介して強固に接合して、ダイヤモンド層が形成
されているので、ダイヤモンド砥粒の脱落を防止して長
寿命を実現する。
【０００９】請求項２の発明では、ダイヤモンド砥粒の
ＳｉＣ被膜は、実質的に等軸粒のβ−ＳｉＣからなる被
膜としている。ＳｉＣ被膜と結合剤が強固に結合したと
しても、ダイヤモンド砥粒からＳｉＣ被膜が剥がれ易け
れば、ダイヤモンド砥粒は脱落しやすくなるが、β−Ｓ
ｉＣの等軸粒からなる膜は緻密な膜であり、被膜の強度
が向上し、被膜の剥離が発生しにくくなるので、結果と
してダイヤモンド砥粒と結合剤は強固に結合される。な
お、「等軸粒」とは、異方性を持たない結晶粒の形状を
いう。また、ＳｉＣの結晶形をβ−ＳｉＣとすることに
より、砥石に必要な耐熱性が向上できる。
ＳｉＣ被膜は、実質的に等軸粒のβ−ＳｉＣからなる被
膜としている。ＳｉＣ被膜と結合剤が強固に結合したと
しても、ダイヤモンド砥粒からＳｉＣ被膜が剥がれ易け
れば、ダイヤモンド砥粒は脱落しやすくなるが、β−Ｓ
ｉＣの等軸粒からなる膜は緻密な膜であり、被膜の強度
が向上し、被膜の剥離が発生しにくくなるので、結果と
してダイヤモンド砥粒と結合剤は強固に結合される。な
お、「等軸粒」とは、異方性を持たない結晶粒の形状を
いう。また、ＳｉＣの結晶形をβ−ＳｉＣとすることに
より、砥石に必要な耐熱性が向上できる。
【００１０】請求項３の発明では、ＳｉＣ被膜は一酸化
ケイ素（ＳｉＯ）粉末を真空中で気化させ、ダイヤモン
ド砥粒の表面に反応被覆させた砥粒を使用する砥石とし
ている。この方法で被覆したものは、ダイヤモンド砥粒
全面にＳｉＣ被膜が被覆されるので、結合剤を焼成する
時や砥石を使用する時に発生する熱の影響を受けて、ダ
イヤモンド砥粒が酸化する事が防止すなわち耐酸化性が
向上し、ダイヤモンド砥粒が劣化するのが防止される。
ケイ素（ＳｉＯ）粉末を真空中で気化させ、ダイヤモン
ド砥粒の表面に反応被覆させた砥粒を使用する砥石とし
ている。この方法で被覆したものは、ダイヤモンド砥粒
全面にＳｉＣ被膜が被覆されるので、結合剤を焼成する
時や砥石を使用する時に発生する熱の影響を受けて、ダ
イヤモンド砥粒が酸化する事が防止すなわち耐酸化性が
向上し、ダイヤモンド砥粒が劣化するのが防止される。
【００１１】請求項４の発明では、ＳｉＣ被膜は、Ｓｉ
Ｃの粒径が５０ｎｍ以下のもので形成されたダイヤモン
ド砥粒を使用する。ＳｉＣの平均粒径が５０ｎｍ以下に
なると、ＳｉＣの密着性が向上して剥離しにくくなる。
Ｃの粒径が５０ｎｍ以下のもので形成されたダイヤモン
ド砥粒を使用する。ＳｉＣの平均粒径が５０ｎｍ以下に
なると、ＳｉＣの密着性が向上して剥離しにくくなる。
【００１２】請求項５の発明では、ＳｉＣ被膜の厚みが
２μｍ以下のダイヤモンド砥粒を使用する。ＳｉＣ被膜
の厚みを２μｍ以下にすることで、ダイヤモンド砥粒の
保持力が向上する。より好ましくは、請求項６の発明の
ように、０．０１〜０．５μｍのダイヤモンド砥粒を使
用する。これは、ダイヤモンド砥粒に被膜を形成する際
に、ＳｉＣの炭素はダイヤモンド砥粒から供給されるた
め、０．５μｍを超える膜厚を形成するのに時間を要す
るためであり、０．０１μｍ未満の膜厚では被覆した効
果が小さくなる、すなわちダイヤモンド砥粒の保持力が
小さくなるためである。
２μｍ以下のダイヤモンド砥粒を使用する。ＳｉＣ被膜
の厚みを２μｍ以下にすることで、ダイヤモンド砥粒の
保持力が向上する。より好ましくは、請求項６の発明の
ように、０．０１〜０．５μｍのダイヤモンド砥粒を使
用する。これは、ダイヤモンド砥粒に被膜を形成する際
に、ＳｉＣの炭素はダイヤモンド砥粒から供給されるた
め、０．５μｍを超える膜厚を形成するのに時間を要す
るためであり、０．０１μｍ未満の膜厚では被覆した効
果が小さくなる、すなわちダイヤモンド砥粒の保持力が
小さくなるためである。
【００１３】請求項７の発明では、ＳｉＣ被膜がダイヤ
モンド砥粒の表面を緻密に被覆しているものを使用す
る。これはダイヤモンド砥粒の表面全体にわたり結合剤
と接合することができるので接合強度が高くなる上、ダ
イヤモンド砥粒の表面が酸化されるのをより完全に近い
形で防止するので、ダイヤモンド砥粒の劣化がさらに起
こりにくいものになる。
モンド砥粒の表面を緻密に被覆しているものを使用す
る。これはダイヤモンド砥粒の表面全体にわたり結合剤
と接合することができるので接合強度が高くなる上、ダ
イヤモンド砥粒の表面が酸化されるのをより完全に近い
形で防止するので、ダイヤモンド砥粒の劣化がさらに起
こりにくいものになる。
【００１４】請求項８の発明では、結合剤としてレジン
ボンド、メタルボンドまたはビトリファイドボンドのい
ずれかひとつを使用する。メタルボンド、あるいはビト
リファイドボンドを使用する場合、ダイヤモンド砥粒の
耐酸化性が向上するためより高温で焼結できる組成のも
のにすることができ、砥石の寿命を向上させることがで
きる。すなわち、これらのボンドを使用することによ
り、ＳｉＣ被膜と結合剤がより強固に結合されるボンド
にすることができ、ダイヤモンド砥粒の保持力が向上す
る。
ボンド、メタルボンドまたはビトリファイドボンドのい
ずれかひとつを使用する。メタルボンド、あるいはビト
リファイドボンドを使用する場合、ダイヤモンド砥粒の
耐酸化性が向上するためより高温で焼結できる組成のも
のにすることができ、砥石の寿命を向上させることがで
きる。すなわち、これらのボンドを使用することによ
り、ＳｉＣ被膜と結合剤がより強固に結合されるボンド
にすることができ、ダイヤモンド砥粒の保持力が向上す
る。
【００１５】請求項９の発明は、ダイヤモンド砥石の中
で乾式で加工するための砥石としている。乾式で加工す
る場合、刃として作用するダイヤモンド層の部分で熱が
発生し、この熱がダイヤモンド砥粒を酸化させ劣化させ
ることになるが、耐酸化性に優れたＳｉＣ被膜により、
劣化が防止される。これにより乾式で加工した場合に切
味や寿命が大きく改善される。
で乾式で加工するための砥石としている。乾式で加工す
る場合、刃として作用するダイヤモンド層の部分で熱が
発生し、この熱がダイヤモンド砥粒を酸化させ劣化させ
ることになるが、耐酸化性に優れたＳｉＣ被膜により、
劣化が防止される。これにより乾式で加工した場合に切
味や寿命が大きく改善される。
【００１６】請求項１０の発明は、ダイヤモンド砥石の
中で薄刃切断砥石としている。特に結合剤にメタルボン
ドを使用した場合に、高温での加熱に対してダイヤモン
ド砥粒の劣化が防止されるので、高融点のメタルボンド
が使える。これにより、砥石自体のヤング率が向上し薄
刃切断砥石で加工する際に、より高精度な加工が可能に
なる。
中で薄刃切断砥石としている。特に結合剤にメタルボン
ドを使用した場合に、高温での加熱に対してダイヤモン
ド砥粒の劣化が防止されるので、高融点のメタルボンド
が使える。これにより、砥石自体のヤング率が向上し薄
刃切断砥石で加工する際に、より高精度な加工が可能に
なる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態については、
以下の実施例で詳しく説明する。
以下の実施例で詳しく説明する。
【００１８】
【実施例】本実施例のダイヤモンド工具に使用するダイ
ヤモンド砥粒として、ダイヤモンド砥粒と平均粒径０．
１〜１０００μｍの粒子状の一酸化ケイ素（ＳｉＯ）と
を、真空中で１１５０〜１４５０℃の温度域において１
０分間〜６時間加熱し、ダイヤモンド砥粒の表面に等軸
粒のβ−ＳｉＣ被膜を形成したものを使用する。以下の
実施例については、すべてこのダイヤモンド砥粒を使用
したものであり、比較例については、特記したもの以外
は被膜がないダイヤモンド砥粒を使用したものである。
ヤモンド砥粒として、ダイヤモンド砥粒と平均粒径０．
１〜１０００μｍの粒子状の一酸化ケイ素（ＳｉＯ）と
を、真空中で１１５０〜１４５０℃の温度域において１
０分間〜６時間加熱し、ダイヤモンド砥粒の表面に等軸
粒のβ−ＳｉＣ被膜を形成したものを使用する。以下の
実施例については、すべてこのダイヤモンド砥粒を使用
したものであり、比較例については、特記したもの以外
は被膜がないダイヤモンド砥粒を使用したものである。
【００１９】（実施例１）円筒状の台金の先端部に、ダ
イヤモンド砥粒をメタルボンドで結合したダイヤモンド
層を設けたコアビットを製作し、乾式で穿孔テストを行
った。被削材として、直径１６ｍｍの鉄筋が入ったコン
クリートを用意し、これに深さ１００ｍｍの孔を明けて
テストを行った。ダイヤモンド層の仕様及びコアビット
の仕様は以下の通りである。
イヤモンド砥粒をメタルボンドで結合したダイヤモンド
層を設けたコアビットを製作し、乾式で穿孔テストを行
った。被削材として、直径１６ｍｍの鉄筋が入ったコン
クリートを用意し、これに深さ１００ｍｍの孔を明けて
テストを行った。ダイヤモンド層の仕様及びコアビット
の仕様は以下の通りである。
【表１】ダイヤモンド層の仕様
【表２】コアビットの仕様 なおダイヤモンド砥粒は前述のように、表面に等軸粒の
β−ＳｉＣ被膜を形成したもので、被膜の厚みは０．０
１、０．５、２．０μｍの３種類を使用して行った。こ
の結果、１００ｍｍの孔を明けるのに要した平均時間は
それぞれ１９５秒、１８０秒、１８５秒であり、ダイヤ
モンド層がなくなるまでの穿孔回数はそれぞれ４９回、
４７回、５２回であった。テスト後のダイヤモンド砥粒
の表面を観察してみると、磨滅している部分も見られた
が、いずれも切刃として作用するものが１／３程度残っ
ており、大きな差は見られなかった。
β−ＳｉＣ被膜を形成したもので、被膜の厚みは０．０
１、０．５、２．０μｍの３種類を使用して行った。こ
の結果、１００ｍｍの孔を明けるのに要した平均時間は
それぞれ１９５秒、１８０秒、１８５秒であり、ダイヤ
モンド層がなくなるまでの穿孔回数はそれぞれ４９回、
４７回、５２回であった。テスト後のダイヤモンド砥粒
の表面を観察してみると、磨滅している部分も見られた
が、いずれも切刃として作用するものが１／３程度残っ
ており、大きな差は見られなかった。
【００２０】（比較例１）ダイヤモンド砥粒以外は実施
例１のものと同じ仕様のコアビットを製作し、比較テス
トを行った。ダイヤモンド砥粒は前述のように表面には
何も被覆されていないもの、被膜の厚みが０．００５μ
ｍのもの、被膜の厚みが５．０μｍの３種類とした。こ
の結果、１００ｍｍの孔を明けるのに要した平均時間は
それぞれ２９０秒、２１０秒、２２０秒であり、被膜の
ないものは穿孔回数が多くなるに従い、穿孔時間は長く
なって、ダイヤモンド砥粒が劣化して切味が悪くなる傾
向が見られた。ダイヤモンド層がなくなるまでの穿孔回
数は、被膜の厚みが０．００５μｍのものは３５回、
５．０μｍのものは４０回となったが、被膜のないもの
についてはダイヤモンド層がなくなるまで穿孔すること
はできず、穿孔回数が２７回の途中で穿孔不能になっ
た。しかもテスト後のダイヤモンド砥粒を観察してみる
と被膜のないものは砥粒の表面が黒くなり、エッジのな
い磨滅した状態であった。また、被膜の厚みが０．００
５μｍのもの及び３．０μｍのものは、ダイヤモンド砥
粒が脱落しているものが見られ、０．００５μｍのもの
はわずかながら被膜が剥がれ砥粒の表面が黒くなってい
るものが見られた。
例１のものと同じ仕様のコアビットを製作し、比較テス
トを行った。ダイヤモンド砥粒は前述のように表面には
何も被覆されていないもの、被膜の厚みが０．００５μ
ｍのもの、被膜の厚みが５．０μｍの３種類とした。こ
の結果、１００ｍｍの孔を明けるのに要した平均時間は
それぞれ２９０秒、２１０秒、２２０秒であり、被膜の
ないものは穿孔回数が多くなるに従い、穿孔時間は長く
なって、ダイヤモンド砥粒が劣化して切味が悪くなる傾
向が見られた。ダイヤモンド層がなくなるまでの穿孔回
数は、被膜の厚みが０．００５μｍのものは３５回、
５．０μｍのものは４０回となったが、被膜のないもの
についてはダイヤモンド層がなくなるまで穿孔すること
はできず、穿孔回数が２７回の途中で穿孔不能になっ
た。しかもテスト後のダイヤモンド砥粒を観察してみる
と被膜のないものは砥粒の表面が黒くなり、エッジのな
い磨滅した状態であった。また、被膜の厚みが０．００
５μｍのもの及び３．０μｍのものは、ダイヤモンド砥
粒が脱落しているものが見られ、０．００５μｍのもの
はわずかながら被膜が剥がれ砥粒の表面が黒くなってい
るものが見られた。
【００２１】（実施例２）平均粒径２０μｍのダイヤモ
ンド砥粒表面に前述のようにＳｉＣ被膜を被覆したダイ
ヤモンド砥粒とＷが９０％、Ｎｉが１０％の混合粉を型
に入れ、加圧しながら１０００℃に加熱して外径φ１０
０．５ｍｍ、厚み０．６ｍｍの焼結体を得た。次に、両
面ラップ盤を用い、ＧＣ粉末を含む研削液を供給しなが
ら焼結体の厚みを０．１８ｍｍに仕上げた。次に、孔を
φ４０ｍｍに加工し、外径をφ１００ｍｍに加工して本
発明のφ１００−０．１８−４０Ｈダイヤモンド薄刃切
断砥石を製作した。本発明のダイヤモンド薄刃切断砥石
を精密切断機に取り付け、長さ５０ｍｍ厚み３ｍｍのア
ルチックウェハーを切り込み３ｍｍで１００カット実施
した結果、砥石の外径摩耗量は９０μｍ、真直度は長さ
５０ｍｍに対して０．８〜１．２μｍであった。なおこ
こでいう真直度とは本来切断されるべき仮想切断線より
ずれた長さを表す。
ンド砥粒表面に前述のようにＳｉＣ被膜を被覆したダイ
ヤモンド砥粒とＷが９０％、Ｎｉが１０％の混合粉を型
に入れ、加圧しながら１０００℃に加熱して外径φ１０
０．５ｍｍ、厚み０．６ｍｍの焼結体を得た。次に、両
面ラップ盤を用い、ＧＣ粉末を含む研削液を供給しなが
ら焼結体の厚みを０．１８ｍｍに仕上げた。次に、孔を
φ４０ｍｍに加工し、外径をφ１００ｍｍに加工して本
発明のφ１００−０．１８−４０Ｈダイヤモンド薄刃切
断砥石を製作した。本発明のダイヤモンド薄刃切断砥石
を精密切断機に取り付け、長さ５０ｍｍ厚み３ｍｍのア
ルチックウェハーを切り込み３ｍｍで１００カット実施
した結果、砥石の外径摩耗量は９０μｍ、真直度は長さ
５０ｍｍに対して０．８〜１．２μｍであった。なおこ
こでいう真直度とは本来切断されるべき仮想切断線より
ずれた長さを表す。
【００２２】（比較例２）平均粒径２０μｍのダイヤモ
ンド砥粒で表面には被膜の形成されていないものとＣｏ
が９０％、Ｃｕが５％、Ｓｎが３％、Ａｇが２％の混合
粉を型に入れ、加圧しながら８００℃に加熱して外径φ
１００．５ｍｍ、厚み０．６ｍｍの焼結体を得た。次
に、両面ラップ盤を用い、ＧＣ粉末を含む研削液を供給
しながら焼結体の厚みを０．１８ｍｍに仕上げた。次
に、孔をφ４０ｍｍに加工し、外径をφ１００ｍｍに加
工してφ１００−０．１８−４０Ｈダイヤモンド薄刃切
断砥石を製作した。実施例２と同様の条件で切断加工テ
ストを実施した結果、砥石の外径摩耗量は１６８μｍ、
真直度は長さ５０ｍｍに対して２．１〜３．２μｍであ
った。
ンド砥粒で表面には被膜の形成されていないものとＣｏ
が９０％、Ｃｕが５％、Ｓｎが３％、Ａｇが２％の混合
粉を型に入れ、加圧しながら８００℃に加熱して外径φ
１００．５ｍｍ、厚み０．６ｍｍの焼結体を得た。次
に、両面ラップ盤を用い、ＧＣ粉末を含む研削液を供給
しながら焼結体の厚みを０．１８ｍｍに仕上げた。次
に、孔をφ４０ｍｍに加工し、外径をφ１００ｍｍに加
工してφ１００−０．１８−４０Ｈダイヤモンド薄刃切
断砥石を製作した。実施例２と同様の条件で切断加工テ
ストを実施した結果、砥石の外径摩耗量は１６８μｍ、
真直度は長さ５０ｍｍに対して２．１〜３．２μｍであ
った。
【００２３】
【発明の効果】本発明のように、主として等軸粒のβ−
ＳｉＣからなる被膜を形成したダイヤモンド砥粒をダイ
ヤモンド砥石に使用することにより、砥粒保持力を向上
させた高寿命で高精度なのダイヤモンド砥石が得られ
る。また、乾式で使用した場合に熱による砥粒の劣化が
防止され、切味の良い高寿命なダイヤモンド砥石が得ら
れる。
ＳｉＣからなる被膜を形成したダイヤモンド砥粒をダイ
ヤモンド砥石に使用することにより、砥粒保持力を向上
させた高寿命で高精度なのダイヤモンド砥石が得られ
る。また、乾式で使用した場合に熱による砥粒の劣化が
防止され、切味の良い高寿命なダイヤモンド砥石が得ら
れる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中田 瑞穂 大阪府堺市鳳北町２丁80番地 大阪ダイヤ モンド工業株式会社内 (72)発明者 草田 宏次 大阪府堺市鳳北町２丁80番地 大阪ダイヤ モンド工業株式会社内 (72)発明者 福西 利夫 大阪府堺市鳳北町２丁80番地 大阪ダイヤ モンド工業株式会社内 (72)発明者 森口 秀樹 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内 Ｆターム(参考） 3C063 AA02 AB03 BB02 BB04 BB07 BB15 BC02 BC03 BC05 BG07 CC01 CC11 EE01 EE16 FF08 FF23
Claims (10)
- 【請求項１】 ダイヤモンド砥粒が結合剤で結合されて
ダイヤモンド層が形成されたダイヤモンド砥石であっ
て、ダイヤモンド砥粒の表面にはＳｉＣを主成分とする
被膜が形成されている、ダイヤモンド砥石。 - 【請求項２】 前記ＳｉＣを主成分とする被膜は、主と
して等軸粒のβ−ＳｉＣからなる被膜である、請求項１
に記載のダイヤモンド砥石。 - 【請求項３】 前記ＳｉＣを主成分とする被膜は、一酸
化ケイ素（ＳｉＯ）粉末を真空中にて気化させ、ダイヤ
モンド砥粒の表面に反応被覆させたものである、請求項
１または２に記載のダイヤモンド砥石。 - 【請求項４】 前記ＳｉＣを主成分とする被膜は、Ｓｉ
Ｃの粒径が５０ｎｍ以下である、請求項１、２または３
に記載のダイヤモンド砥石。 - 【請求項５】 前記ＳｉＣを主成分とする被膜の厚さ
は、２μｍ以下である、請求項１、２、３または４に記
載のダイヤモンド砥石。 - 【請求項６】 前記ＳｉＣを主成分とする被膜の厚さ
は、０．０１〜０．５μｍである、請求項１、２、３、
４または５に記載のダイヤモンド砥石。 - 【請求項７】 前記ＳｉＣを主成分とする被膜が、緻密
に前記ダイヤモンドの表面を被覆している、請求項１、
２、３、４、５または６に記載のダイヤモンド砥石。 - 【請求項８】 前記結合剤はレジンボンド、メタルボン
ドまたはビトリファイドボンドのいずれかひとつであ
る、請求項１、２、３、４、５、６または７に記載のダ
イヤモンド砥石。 - 【請求項９】 前記ダイヤモンド砥石は乾式での加工に
使用する砥石であることを特徴とする請求項１、２、
３、４、５、６、７または８に記載のダイヤモンド砥
石。 - 【請求項１０】 前記ダイヤモンド砥石は薄刃切断砥石
であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、
６、７、８または９に記載のダイヤモンド砥石。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000004759A JP2001198834A (ja) | 2000-01-13 | 2000-01-13 | ＳｉＣ被覆砥粒を用いたダイヤモンド砥石 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000004759A JP2001198834A (ja) | 2000-01-13 | 2000-01-13 | ＳｉＣ被覆砥粒を用いたダイヤモンド砥石 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001198834A true JP2001198834A (ja) | 2001-07-24 |
Family
ID=18533512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000004759A Pending JP2001198834A (ja) | 2000-01-13 | 2000-01-13 | ＳｉＣ被覆砥粒を用いたダイヤモンド砥石 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001198834A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7704127B2 (en) | 2004-12-28 | 2010-04-27 | Asahi Diamond Industrial Co., Ltd. | Electrodeposited wire tool |
| WO2011027756A1 (ja) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | 東洋炭素株式会社 | 炭化ケイ素被覆炭素基材の製造方法及び炭化ケイ素被覆炭素基材並びに炭化ケイ素炭素複合焼結体、セラミックス被覆炭化ケイ素炭素複合焼結体及び炭化ケイ素炭素複合焼結体の製造方法 |
| JP2017532208A (ja) * | 2014-08-26 | 2017-11-02 | ナノ マテリアルズ インターナショナル コーポレイション | アルミニウム／ダイヤモンド切削工具 |
| KR20170123002A (ko) * | 2016-04-28 | 2017-11-07 | 일진다이아몬드(주) | 레진 본드 다이아몬드 와이어 쏘우 |
-
2000
- 2000-01-13 JP JP2000004759A patent/JP2001198834A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7704127B2 (en) | 2004-12-28 | 2010-04-27 | Asahi Diamond Industrial Co., Ltd. | Electrodeposited wire tool |
| KR101147519B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2012-05-21 | 아사히 다이아몬드코교 가부시끼가이샤 | 전착 와이어 공구 |
| WO2011027756A1 (ja) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | 東洋炭素株式会社 | 炭化ケイ素被覆炭素基材の製造方法及び炭化ケイ素被覆炭素基材並びに炭化ケイ素炭素複合焼結体、セラミックス被覆炭化ケイ素炭素複合焼結体及び炭化ケイ素炭素複合焼結体の製造方法 |
| US9085493B2 (en) | 2009-09-04 | 2015-07-21 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Process for production of silicon-carbide-coated carbon base material, silicon-carbide-coated carbon base material, sintered (silicon carbide)-carbon complex, ceramic-coated sintered (silicon carbide)-carbon complex, and process for production of sintered (silicon carbide)-carbon complex |
| JP2017532208A (ja) * | 2014-08-26 | 2017-11-02 | ナノ マテリアルズ インターナショナル コーポレイション | アルミニウム／ダイヤモンド切削工具 |
| KR20170123002A (ko) * | 2016-04-28 | 2017-11-07 | 일진다이아몬드(주) | 레진 본드 다이아몬드 와이어 쏘우 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100359401B1 (ko) | 연삭 공구 | |
| KR101603908B1 (ko) | 접합된 연마 물품 및 제조 방법 | |
| TW393384B (en) | Abrasive tool | |
| US5997597A (en) | Abrasive tool with knurled surface | |
| JP3323827B2 (ja) | 精密部品の製造方法 | |
| KR20130062998A (ko) | 접합된 연마 물품, 그러한 물품을 제조하는 방법 및 그러한 물품의 연삭 성능 | |
| WO2002022310A1 (fr) | Meule a grains tres abrasifs pour poli miroir | |
| KR100362797B1 (ko) | 금속피복된연마재를함유하는유리연마도구 | |
| CN1126962A (zh) | 优质磨料砂轮 | |
| CA2120872C (en) | Method of abrading with boron suboxide (bxo) and the boron suboxide (bxo) articles and composition used | |
| WO2004106001A1 (ja) | ビトリファイド砥石及びその製造方法 | |
| JP3086667B2 (ja) | 超砥粒砥石 | |
| JP2001198834A (ja) | ＳｉＣ被覆砥粒を用いたダイヤモンド砥石 | |
| Onishi et al. | Fabrication of new porous metal-bonded grinding wheels by HIP method and machining electronic ceramics | |
| JP3050379B2 (ja) | ダイヤモンドラップ定盤 | |
| JP2003136410A (ja) | 超砥粒ビトリファイドボンド砥石 | |
| US4226055A (en) | Dressing and conditioning resin-bonded diamond grinding wheel | |
| JP4463084B2 (ja) | ドレッシング工具 | |
| JP2001300856A (ja) | 超砥粒工具 | |
| JPH11188626A (ja) | セラミックスドレス基板 | |
| JPH08229826A (ja) | 超砥粒砥石及びその製造方法 | |
| JP2002224963A (ja) | 超砥粒ビトリファイドボンド砥石 | |
| JPH11216675A (ja) | 高精度超砥粒ホイール | |
| JP2000246647A (ja) | ビトリファイド超砥粒砥石及びその製造方法 | |
| JP3086670B2 (ja) | 超砥粒砥石 |