JP2001196365A - 成膜方法、成膜装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低い誘電率を有し、かつ耐湿性を向上させた
絶縁膜を形成することができる成膜装置を提供する。 【解決手段】 減圧可能なチャンバ１と、シリコン含有
ガスの供給源とボロン含有ガスの供給源とＮ−Ｏ結合を
有する窒素含有ガスの供給源と酸素ガスの供給源とを備
えた、チャンバ１と接続された成膜ガスの供給手段１０
１Ｂと、チャンバ１内に導入された成膜ガスをプラズマ
化する手段２、３、７、８と、被成膜基板２１を保持す
る手段３とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、成膜方法、成膜装
置及び半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、ボ
ロン含有シリコン酸化膜を形成する成膜方法、成膜装置
及び半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路装置の高集積化、
高密度化とともに、データ転送速度の高速化が要求され
ている。このため、配線材料には従来から使用している
アルミニウム（Ａｌ）から、より抵抗率の低い銅（Ｃ
ｕ）を使用するようになっている。また、層間絶縁膜と
しては従来のＣＶＤ−ＳｉＯ₂膜の代わりにより低い誘
電率のＦＳＧ膜（フッ素含有シリコン酸化膜）、その他
低誘電率のＳＯＧ膜（Spin-On Glass膜）の採用が試み
られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、低誘電
率のＳＯＧ膜に関しては密着性が良くないという問題が
ある。また、従来研究されている低誘電率のＦＳＧ膜で
は、比誘電率３．５程度が下限値とされてきたが、低誘
電率になるほどフッ素含有量が多くなるため、耐湿性が
悪く、水分の吸収が起きてしまう。このため、比誘電率
が増大するという問題がある。

【０００４】このため、ＦＳＧ膜の上下をＮＳＧ膜（不
純物等を含有しないシリコン酸化膜）で挟むなどの工夫
が考えられるが、ＮＳＧ膜のために多層全体の比誘電率
は大幅に上昇することになり、低誘電率の効果はなくな
る。本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて創作され
たものであり、低い誘電率を有し、かつ耐湿性を向上さ
せた絶縁膜を形成することができる成膜方法、成膜装置
及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする
ものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載の発明は、成膜装置に係り、減圧可能
なチャンバと、シリコン含有ガスの供給源とボロン含有
ガスの供給源とＮ−Ｏ結合を有する窒素含有ガスの供給
源と酸素ガスの供給源とを備えた、前記チャンバと接続
された成膜ガスの供給手段と、前記チャンバ内に導入さ
れた前記成膜ガスをプラズマ化する手段と、被成膜基板
を保持する手段とを有することを特徴とし、請求項２記
載の発明は、請求項１記載の成膜装置に係り、前記成膜
ガスをプラズマ化する手段は、平行平板型の第１及び第
２の電極を有し、かつ該第２の電極が前記被成膜基板を
保持する手段を兼ねていることを特徴とし、請求項３記
載の発明は、請求項２記載の成膜装置に係り、前記平行
平板型の第１及び第２の電極のうち、前記第１の電極に
第１の電力供給手段が接続され、前記第２の電極に第２
の電力供給手段が接続され、前記第１の電力供給手段か
ら供給される電力の周波数が前記第２の電力供給手段か
ら供給される電力の周波数よりも高いことを特徴とし、
請求項４記載の発明は、請求項１記載の成膜装置に係
り、前記成膜ガスをプラズマ化する手段は、ＥＣＲ（El
ectron Cyclotron Resonance）法によりプラズマを生成
する手段であることを特徴とし、請求項５記載の発明
は、請求項１記載の成膜装置に係り、前記成膜ガスをプ
ラズマ化する手段は、高周波電力を放射するアンテナを
有し、ヘリコンプラズマを生成する手段であることを特
徴としている。

【０００６】請求項６記載の発明は、成膜方法に係り、
シリコン含有ガスと、ボロン含有ガスと、Ｎ−Ｏ結合を
有する窒素含有ガスと、酸素ガスとを含む成膜ガスをプ
ラズマ化して反応させる工程と、前記プラズマ化した成
膜ガスを用いた化学気相成長により被成膜基板上にボロ
ン含有シリコン酸化膜を形成する工程とを有することを
特徴とし、請求項７記載の発明は、成膜方法に係り、請
求項３記載の成膜装置を用いて前記第１及び第２の電極
に電力を印加して、シリコン含有ガスと、ボロン含有ガ
スと、Ｎ−Ｏ結合を有する窒素含有ガスと、酸素ガスと
を含む成膜ガスをプラズマ化して反応させる工程と、前
記プラズマ化した成膜ガスを用いた化学気相成長により
被成膜基板上にボロン含有シリコン酸化膜を形成する工
程とを有することを特徴とし、請求項８記載の発明は、
請求項６又は７記載の成膜方法に係り、前記Ｎ−Ｏ結合
を有する窒素含有ガスに対する前記酸素ガスの比は、１
／１０乃至１／５の範囲にあることを特徴とし、請求項
９記載の発明は、請求項６又は７記載の成膜方法に係
り、前記成膜ガスは、前記シリコン含有ガス、前記ボロ
ン含有ガス、前記Ｎ−Ｏ結合を有する窒素含有ガス、及
び前記酸素ガスの他に、Ａｒ、Ｈｅ又はＨ₂のうち少な
くとも何れか一を含むことを特徴とし、請求項１０記載
の発明は、請求項６又は７記載の成膜方法に係り、前記
シリコン含有ガスは、ＳｉＨ₄又はＳｉ(ＯＣ₂Ｈ₅)₄のう
ち少なくとも何れか一であることを特徴とし、請求項１
１記載の発明は、請求項６又は７記載の成膜方法に係
り、前記ボロン含有ガスは、Ｂ₂Ｈ₆又はＢ(ＯＳｉ(ＣＨ
₃)₃)₃のうち何れか一であることを特徴とし、請求項１
２記載の発明は、請求項６又は７記載の成膜方法に係
り、前記ボロン含有ガスは、Ｂ(ＯＳｉ(ＣＨ₃)₃)₃とＢ
(ＯＲ)₃(Ｒ＝Ｃ_nＨ_2n+1(ｎ＝１又は２))との混合ガスで
あることを特徴とし、請求項１３記載の発明は、請求項
６又は７記載の成膜方法に係り、前記Ｎ−Ｏ結合を有す
る窒素含有ガスは、ＮＯ又はＮＯ₂のうち何れか一であ
ることを特徴とし、請求項１４記載の発明は、請求項６
又は７記載の成膜方法に係り、前記ボロン含有シリコン
酸化膜を形成する工程の後、前記ボロン含有シリコン酸
化膜を酸素ガスのプラズマに曝す工程を有することを特
徴とし、請求項１５記載の発明は、請求項１４記載の成
膜方法に係り、前記ボロン含有シリコン酸化膜を酸素ガ
スのプラズマに曝す工程の後、前記ボロン含有シリコン
酸化膜をアンモニアガスのプラズマに曝す工程を有する
ことを特徴としている。

【０００７】請求項１６記載の発明は、半導体装置の製
造方法に係り、請求項６乃至１５の何れか一に記載の成
膜方法により前記ボロン含有シリコン酸化膜を形成する
工程の後に、該ボロン含有シリコン酸化膜の上に耐湿性
のよいシリコン酸化膜又はボロン含有シリコン酸化膜を
形成する工程を有することを特徴とし、請求項１７記載
の発明は、半導体装置の製造方法に係り、請求項６乃至
１５の何れか一に記載の成膜方法により前記ボロン含有
シリコン酸化膜を形成する工程の後に、該ボロン含有シ
リコン酸化膜に凹部又は開口部を形成する工程と、該凹
部又は開口部内に銅層を埋め込む工程とを有することを
特徴とし、請求項１８記載の発明は、半導体装置の製造
方法に係り、請求項６乃至１５の何れか一に記載の成膜
方法により前記ボロン含有シリコン酸化膜を形成する工
程と、前記ボロン含有シリコン酸化膜上に配線層を形成
する工程とを交互に行うことを特徴としている。

【０００８】以下に、上記本発明の構成により奏される
作用を説明する。本発明の成膜装置によれば、シリコン
含有ガス供給源と、ボロン含有ガス供給源と、Ｎ−Ｏ結
合を有する窒素含有ガス供給源とを備え、さらに成膜ガ
スをプラズマ化するプラズマ生成手段を備えている。と
ころで、シリコン酸化膜中にボロンを含有させたボロン
含有シリコン酸化膜（ＢＳＧ膜（Borosilicateglass
膜））の比誘電率は低下し、かつＢ含有量に反比例して
比誘電率は低下するが、Ｂ含有量が増えるほど耐湿性が
低下する。一方、成膜されるボロン含有シリコン酸化膜
中に窒素を含ませると、耐湿性を向上させることができ
る。特に、窒素含有ガスとしてＮ−Ｏ結合を有するもの
を用いることで、Ｏにより酸化膜の一種であるＢＳＧ膜
を形成するとともに、成膜中のＮを少量にとどめること
ができる。単にＮ₂ガスを用いた場合は成膜中にＮが多
く含まれることになり、必要以上に誘電率が高くなる。

【０００９】本発明の成膜装置では、上記構成によりプ
ラズマＣＶＤ法により窒素を含むボロン含有シリコン酸
化膜を形成することができる。これにより、低い誘電率
を有し、かつ耐湿性の良いＢＳＧ膜を形成することがで
きる。そして、プラズマ生成手段として、例えば平行平
板型の第１及び第２の電極によりプラズマを生成する手
段、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）法により
プラズマを生成する手段、アンテナからの高周波電力の
放射によりヘリコンプラズマを生成する手段等を用いる
ことができる。

【００１０】これらのプラズマ生成手段のうち、平行平
板型の第１及び第２の電極にそれぞれ高低２つの周波数
の電力を供給する電源、例えば周波数１３．５６ＭＨｚ
の高周波電力を供給する電源、及び周波数４００ｋＨｚ
の交流電力を供給する電源を接続することにより、これ
ら高低２つの周波数の電力をそれぞれ各電極に印加して
プラズマを生成することができる。

【００１１】これにより、形成されたＢＳＧ膜中にその
プラズマポテンシャルにより結合エネルギが大きいＳｉ
−ＯボンドやＢ−Ｏボンド等をより多く含ませることが
でき、Ｓｉ−ＯＨなどの不安定なボンドを減少させるこ
とができる。このため、ＢＳＧ膜の低誘電率化を達成す
ることができる。本発明の成膜方法においては、シリコ
ン含有ガスと、ボロン含有ガスと、Ｎ−Ｏ結合を有する
窒素含有ガスとを含む成膜ガスを用いたプラズマＣＶＤ
法によりＢＳＧ膜を形成している。

【００１２】本発明では、成膜ガス中にボロン含有ガス
と、Ｎ−Ｏ結合を有する窒素含有ガスとを含むため、Ｏ
により酸化膜の一種であるＢＳＧ膜を形成するととも
に、成膜中のＮを少量にとどめることができる。誘電率
が低く、かつ耐湿性の高いＢＳＧ膜を形成することがで
きる。単にＮ₂ガスを用いた場合は成膜中にＮが多く含
まれることになり、必要以上に誘電率が高くなる。さら
に、ＢＳＧ膜のＢ−ＯボンドはＦＳＧ膜のＳｉ−Ｆボン
ドと比べて結合エネルギが大きいため、より一層高い耐
湿性を有する層間絶縁膜を得ることができる。

【００１３】また、成膜ガス中にＯ₂を含ませることに
より、ＢＳＧ膜中のＳｉ−Ｏの網目構造の中にＢを取り
込ませることができる。即ち、Ｓｉ−Ｏ−Ｂ結合を多く
生成することができる。これにより、低誘電率で、かつ
耐湿性のよいＢＳＧ膜を形成することができる。さら
に、成膜ガス中にＯ₂を含ませることにより、ＢＳＧ膜
をＳｉリッチな状態から化学量論的な状態にすることが
できる。このため、より低い誘電率を有するＢＳＧ膜を
形成することができる。

【００１４】また、成膜ガス中のボロン供給源としてト
リメチルシリルボレート（Ｂ(ＯＳｉ(ＣＨ₃)₃)₃）を用
いることにより、ＢＳＧ膜中のＳｉ−Ｏの網目構造の中
に含まれるＢの割合が多くなるため、低誘電率で、かつ
耐湿性のよいＢＳＧ膜を形成することができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。 （第１の実施の形態）図１は、本発明の第１の実施の形
態に係る成膜装置１０１の構成を示す側面図である。

【００１６】この成膜装置１０１は、プラズマガスによ
り被成膜基板２１上にボロン含有シリコン酸化膜（ＢＳ
Ｇ膜）を形成する場所である成膜部１０１Ａと、成膜ガ
スを構成する複数のガスの供給源を有する成膜ガス供給
部１０１Ｂとから構成されている。成膜部１０１Ａは、
図１に示すように、減圧可能なチャンバ１を備え、チャ
ンバ１は排気配管４を通して排気装置６と接続されてい
る。排気配管４の途中にはチャンバ１と排気装置６の間
の導通／非導通を制御する開閉バルブ５が設けられてい
る。チャンバ１にはチャンバ１内の圧力を監視する不図
示の真空計などの圧力計測手段が設けられている。

【００１７】チャンバ１内には対向する一対の上部電極
（第１の電極）２と下部電極（第２の電極）３とが備え
られ、上部電極２に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電
力を供給するＲＦ電源７が接続され、下部電極３に周波
数４００ｋＨｚの交流電力を供給するＡＣ電源８が接続
されている。これらの電源７、８から上部電極２及び下
部電極３に電力を供給して、成膜ガスをプラズマ化す
る。上部電極２、下部電極３及び電源７、８が成膜ガス
をプラズマ化するプラズマ生成手段を構成する。

【００１８】上部電極２は成膜ガスの分散具を兼ねてい
る。上部電極２には複数の貫通孔が形成され、下部電極
３との対向面における貫通孔の開口部が成膜ガスの放出
口（導入口）となる。この成膜ガス等の放出口は成膜ガ
ス供給部１０１Ｂと配管９ａで接続されている。下部電
極３は被成膜基板２１の保持台を兼ね、また、保持台上
の被成膜基板２１を加熱する不図示のヒータを備えてい
る。

【００１９】成膜ガス供給部１０１Ｂには、モノシラン
（ＳｉＨ₄）、ジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）、アルゴン（Ａ
ｒ）、一酸化二窒素（Ｎ₂Ｏ）、酸素（Ｏ₂）、三フッ化
窒素（ＮＦ₃）、窒素（Ｎ₂）の供給源が設けられてい
る。これらのガスは適宜分岐配管９ｂ乃至９ｈ、及びこ
れらすべての分岐配管９ｂ乃至９ｈが接続された配管９
ａを通して成膜部１０１Ａのチャンバ１内に供給され
る。分岐配管９ｂ乃至９ｈの途中に流量調整手段１１ａ
乃至１１ｇや分岐配管９ｂ乃至９ｈの導通／非導通を制
御する開閉手段１０ｂ乃至１０ｐが設置され、配管９ａ
の途中に配管９ａの閉鎖／導通を行う開閉手段１０ａが
設置されている。なお、上記ガスのうち、ＮＦ₃は配管
９ａ内、分岐配管９ｂ乃至９ｈ内及びチャンバ１内を化
学反応により清浄にするためのガスであり、Ｎ₂は配管
９ａ内、分岐配管９ｂ乃至９ｈ内及びチャンバ１内の残
留ガスをパージするためのガスである。

【００２０】以上のような成膜装置１０１によれば、シ
リコン含有ガス供給源と、ボロン含有ガス供給源と、Ｎ
−Ｏ結合を有する窒素含有ガス供給源とを備え、さらに
成膜ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段２、３、
７、８を備えている。このため、プラズマＣＶＤ法によ
り窒素を含むＢＳＧ膜を形成することができる。これに
より、下記の第３の実施の形態に示すように、低い誘電
率を有し、かつ耐湿性の良いＢＳＧ膜を形成することが
できる。

【００２１】そして、プラズマ生成手段として、例えば
平行平板型の第１及び第２の電極２、３によりプラズマ
を生成する手段、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonan
ce）法によりプラズマを生成する手段、アンテナからの
高周波電力の放射によりヘリコンプラズマを生成する手
段等がある。これらのプラズマ生成手段のうち平行平板
型の第１及び第２の電極２、３にそれぞれ高低２つの周
波数の電力を供給する電源７、８が接続されている。従
って、これら高低２つの周波数の電力をそれぞれ各電極
２、３に印加してプラズマを生成することができる。

【００２２】これにより、成膜装置１０１により形成さ
れたＢＳＧ膜中にそのプラズマポテンシャルにより結合
エネルギが大きいＳｉ−ＯボンドやＢ−Ｏボンド等をよ
り多く含ませることができ、Ｓｉ−ＯＨなどの不安定な
ボンドを減少させることができる。このため、ＢＳＧ膜
の低誘電率化を達成することができる。また、成膜ガス
中にＯ₂を含むことにより、成膜装置１０１により形成
されたＢＳＧ膜中のＳｉ−Ｏの網目構造の中にＢを取り
込ませることができる。即ち、Ｓｉ−Ｏ−Ｂ結合を多く
生成することができる。このため、ＢＳＧ膜の低誘電率
化を達成し、かつＢＳＧ膜の耐湿性の向上を図ることが
できる。

【００２３】さらに、成膜ガス中にＯ₂を含むことによ
り、成膜装置１０１により形成されるＢＳＧ膜をＳｉリ
ッチな状態から化学量論的な状態にすることができる。
このため、ＢＳＧ膜の低誘電率化を達成することができ
る。 （第２の実施の形態）図２は、本発明の第２の実施の形
態である成膜装置１０２の構成を示す側面図である。

【００２４】第１の実施の形態の成膜装置１０１と異な
るところは、成膜装置１０１の成膜ガスの供給源に、さ
らにトリメチルシリルボレート（Ｂ(ＯＳｉ(Ｃ
Ｈ₃)₃)₃）の供給源を加えていることである。Ｂ(ＯＳｉ
(ＣＨ₃)₃)₃１３は液体であり、Ｈｅのバブリングにより
Ｂ(ＯＳｉ(ＣＨ₃)₃)₃をＨｅに含ませて供給することが
できるようになっている。

【００２５】また、Ｂ(ＯＳｉ(ＣＨ₃)₃)₃１３中にＨｅ
を供給するための配管９ｋが挿入され、配管９ｋからパ
ージ用の配管９ｊが分岐している。パージ用の配管９ｊ
は分岐配管９ｉに接続し、分岐配管９ｉ及び配管９ａ内
及びチャンバ１内の残留ガスをパージすることができる
ようになっている。配管９ｊ及び９ｋにはそれぞれ開閉
手段１０ｗ及び１０ｘが設置されている。

【００２６】さらに、Ｂ(ＯＳｉ(ＣＨ₃)₃)₃の通る分岐
配管９ｉ及び配管９ａには不図示のヒータが取り付けて
あり、分岐配管９ｉ及び配管９ａの温度の低下を防止す
ることにより分岐配管９ｉ及び配管９ａの内壁にＢ(Ｏ
Ｓｉ(ＣＨ₃)₃)₃が付着しないようにしている。新たな分
岐配管９ｉには流量調整手段１１ｈや開閉手段１０ｕ及
び１０ｖが設置されている。

【００２７】また、第１の実施の形態の成膜装置１０１
におけるＢ₂Ｈ₆の供給源の代わりにＴＭＢ（トリメチル
ボレート（Ｂ(ＯＣＨ₃)₃）の供給源を用い、さらにＡｒ
の供給源の代わりにＨｅの供給源を用いている。この場
合、Ｂ(ＯＳｉ(ＣＨ₃)₃)₃１３はＳｉとＢとＯとの含有
比率が決まっているため、成膜する絶縁膜中のＢ含有量
を調整することは難しいため、酸素を含むＴＭＢを加え
て成膜中のＢ含有量を任意に調整できるようにしたもの
である。Ｂ₂Ｈ₆の代わりに酸素を含むＴＭＢを用いてい
る理由は以下の通りである。即ち、ＴＭＢは液体ソース
であり、ソースガスも流体である。これらは同じ配管に
流れるため、配管を加熱する。この場合、液体ソースの
場合は８０℃程度に加熱しても分解しないが、Ｂ₂Ｈ
₆（ガス）は分解し易く膜が白濁するため、液体ソース
であるＴＭＢの方がよいからである。

【００２８】この実施の形態の成膜装置１０２において
も、第１の実施の形態の成膜装置１０１と同様な効果を
有し、さらに、下記の第４の実施の形態に示すように、
第１の実施の形態の成膜装置１０１と同様に低い誘電率
を有するＢＳＧ膜を形成することができる。また、特
に、この実施の形態では、成膜ガスとしてトリメチルシ
リルボレート（Ｂ(ＯＳｉ(ＣＨ₃)₃)₃）を用いているた
め、この成膜装置１０２により形成されたＢＳＧ膜中の
Ｓｉ−Ｏの網目構造の中に含まれるＢの割合が多くな
り、これにより、低誘電率で、かつ耐湿性の良いＢＳＧ
膜を得ることができる。

【００２９】なお、上記第１及び第２の実施の形態の場
合、プラズマ生成手段として成膜部１０１Ａに平行平板
電極２、３を設けているが、成膜部１０１Ａの上流に、
周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波電力の供給源や、供
給された電力を搬送する導波管やＥＣＲ（Electron Cyc
lotron Resonance）法によりエネルギを付与する磁場発
生手段等を設けてもよい。或いは、成膜部１０１Ａの上
流に、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力の供給源
や、供給された成膜ガスのプラズマ化のための高周波電
力をチャンバ内に放射するアンテナや、生成されたヘリ
コンプラズマを成膜部１０１Ａに導く磁場を発生させる
磁場発生手段等を設けてもよい。 （第３の実施の形態）次に、上記の成膜装置１０１を用
いて、第３の実施の形態である被成膜基板２１上に成膜
する方法について説明する。

【００３０】まず、図１に示す成膜装置１０１のチャン
バ１内に、半導体基板上に絶縁膜や配線層等が形成され
た被成膜基板２１を搬入し、平行平板電極２、３のうち
の下部電極３上に被成膜基板２１を設置する。次いで、
チャンバ１内を排気し、減圧する。また、被成膜基板２
１を加熱し、被成膜基板２１の温度を４００℃に保持す
る。

【００３１】続いて、流量３０ｓｃｃｍのＳｉＨ₄と、
Ａｒで体積濃度１％程度に希釈されたＢ₂Ｈ₆と、流量６
００ｓｃｃｍのＮ₂Ｏと、流量１２０ｓｃｃｍのＯ₂とか
らなる成膜ガスをチャンバ１内に導入し、チャンバ１内
のガス圧力を０．８Ｔｏｒｒとする。この場合、成膜さ
れたＢＳＧ膜中のボロン含有量に対する比誘電率の変
化、及び吸湿による比誘電率の変動を実験するため、成
膜ガス中のＢ₂Ｈ₆／ＳｉＨ₄の流量比を０、１０、３
０、５０、６０、７０、８０％と変化させてシリコン酸
化膜中のボロン含有量の異なる種々の成膜を行う。

【００３２】次いで、上部電極２に周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電力５０Ｗを印加し、下部電極３に周波数
４００ｋＨｚの交流電力４００Ｗを印加する。これによ
り、チャンバ１内の成膜ガスをプラズマ化する。この状
態を保持して、被成膜基板２１上にＢＳＧ膜２２を形成
する。この場合、成膜中の窒素含有量は６．５ｗｔ％程
度である。誘電率と耐湿性の兼ね合いから成膜中の窒素
含有量は１０ｗｔ％が好ましい。

【００３３】図３は、このようにして形成されたＢＳＧ
膜２２についてＢ₂Ｈ₆／ＳｉＨ₄で表した各ガスの流量
比に対する成膜の比誘電率の変化の様子を示すグラフで
ある。図３において、縦軸は線形目盛りで表した比誘電
率を示し、横軸は線形目盛りで表したＢ₂Ｈ₆／ＳｉＨ₄
の流量比を示す。比誘電率は周波数１ＭＨｚにおける値
である。

【００３４】図３に示すように、Ｂ₂Ｈ₆／ＳｉＨ₄の流
量比の値により、ＢＳＧ膜２２中のボロン含有量が異な
り、その流量比が大きくなるにしたがって、比誘電率は
単調に減少する。また、Ｂ₂Ｈ₆／ＳｉＨ₄＝０．５の条
件で成膜されたＢＳＧ膜に対して、赤外線の吸収強度を
調査した結果を図５に示す。図５において、縦軸は吸収
強度（任意単位）を示し、横軸は線形目盛りで表した波
数（ｃｍ^-1）を示す。

【００３５】図５に示すように、大気中に１カ月間放置
した場合でも吸収強度の波数特性はほとんど変化しなか
った。即ち、この実施の形態のＢＳＧ膜２２は水分の吸
収が少なく、耐湿性が高いことを示している。次いで、
このＢＳＧ膜２２をダマシンプロセスの層間絶縁膜に適
用したときの銅配線の作成工程について説明する。

【００３６】図７（ｂ）に示すように、図７（ａ）に示
す工程で形成されたＢＳＧ膜２２に開口部２３を形成す
る。続いて、ＣＶＤ法によるタンタルナイトライド膜
（ＴａＮ膜）２４と、スパッタ法による銅膜（Ｃｕ膜）
２５とを順次形成する。次いで、メッキにより銅膜（Ｃ
ｕ膜）２６を形成し、開口部２３内にＣｕ膜２６を埋め
込む。

【００３７】次に、図７（ｃ）に示すように、ＣＭＰ
（Chemical Mechanical Polishing）法によりＣｕ膜２
６、２５及びＴａＮ膜２４を順次研磨し、除去して表面
を平坦化し、開口部２３内にＴａＮ膜２４ａ及びＣｕ膜
２５ａを下地導電層としてこの上にＣｕ膜２６ａからな
る配線を形成する。なお、必要であれば、引き続き、こ
の発明によるＢＳＧ膜からなる層間絶縁膜を形成し、さ
らに銅配線を形成して、多層配線構造とすることができ
る。

【００３８】以上、この発明の第３の実施の形態によれ
ば、シリコン含有ガスと、ボロン含有ガスと、Ｎ−Ｏ結
合を有する窒素含有ガスとを含む成膜ガスを用いたプラ
ズマＣＶＤ法によりＢＳＧ膜を形成している。成膜ガス
は、ボロン含有ガスとＮ−Ｏ結合を有する窒素含有ガス
を含むので、窒素を含むＢＳＧ膜を形成することができ
る。これにより、そのＢＳＧ膜は低誘電率で、かつ高い
耐湿性を有することになる。

【００３９】さらに、ＢＳＧ膜のＢ−ＯボンドはＦＳＧ
膜のＳｉ−Ｆボンドと比べて結合エネルギが大きいた
め、より一層層間絶縁膜の耐湿性を向上させることがで
きる。また、高低２つの周波数の電力を印加してプラズ
マを生成しているため、そのプラズマポテンシャルによ
り結合エネルギが高いＳｉ−ＯボンドやＢ−Ｏボンドを
成膜中に多く含ませることができ、Ｓｉ−ＯＨなどの不
安定なボンドを減少させることができる。これには以下
の理由が考えられる。即ち、被成膜基板２１側に低い周
波数（４００ｋＨｚ）の電力を印加しているため、ボン
バードメント効果でソースの分解物が激しく叩きつけら
れる。このとき、結合の弱いものは分解し易いけれど
も、結合の強いものは分解しないで残るためである。但
し、上記の場合でも、高い周波数（１３．５６ＭＨｚ）
の電力を印加しており、低い周波数の電力よりもガスの
分解が促進されるが、高い周波数の電力を小さくするこ
とで、その分解を抑えることができる。実施の形態で
は、高い周波数の電力を５０Ｗ程度と小さくした条件の
もとで低い周波数の電力を印加しているので、弱い結合
のものだけが分解され、もともと強い結合のものは多く
残るためである。

【００４０】これにより、成膜の耐湿性を向上させて吸
湿による比誘電率の経時変化を抑制することができる。
また、成膜ガス中にＯ₂を含むことにより、ＢＳＧ膜中
のＳｉ−Ｏの網目構造の中にＢを取り込ませることがで
きる。即ち、Ｓｉ−Ｏ−Ｂ結合を多く生成することがで
きるため、絶縁膜の低誘電率化を達成しつつ、より一層
絶縁膜の耐湿性を向上させることができる。さらに、成
膜ガス中にＯ₂を含むことにより、ＢＳＧ膜をＳｉリッ
チな状態から化学量論的な状態にすることができるた
め、ＢＳＧ膜のより一層の低誘電率化を達成することが
できる。

【００４１】なお、上記の成膜ガスにＡｒ、Ｈｅ、Ｈ₂
を添加することができる。この場合、被成膜基板２１内
の膜厚の分布を向上させることができる。また、上記で
はＮ₂Ｏの流量６００ｓｃｃｍに対してＯ₂の流量を１２
０ｓｃｃｍとしているが、Ｏ₂／Ｎ₂Ｏの流量比は１／１
０乃至１／５が好ましい。例えば、Ｎ₂Ｏの流量６００
ｓｃｃｍに対してＯ₂の流量を６０〜１２０ｓｃｃｍと
する。Ｏ₂の流量をこの範囲に絞ったのは、Ｏ₂の流量が
多くなると、成膜中のＯＨ（水分）が多くなり、耐湿性
が悪化し、また、誘電率も高くなるためである。

【００４２】さらに、成膜時のチャンバ１内のガス圧力
を０．８Ｔｏｒｒとしているが、１Ｔｏｒｒ以下とする
ことが好ましい。これにより成膜の白濁を抑制すること
ができる。この白濁とは、ガスの反応が激しくなって気
相反応が起こり、その結果できた膜は透明ではなく、白
く濁ったぼそぼその膜となることをいう。 （第４の実施の形態）次に、上記成膜装置１０２を用い
て、第４の実施の形態である半導体装置の製造方法につ
いて説明する。

【００４３】まず、図２に示す成膜装置１０２のチャン
バ１内に、半導体基板上に絶縁膜や配線層等が形成され
た被成膜基板２１を搬入し、平行平板型の上部電極２及
び下部電極３のうち、下部電極３上に被成膜基板２１を
設置する。次いで、チャンバ１内を排気し、減圧する。
また、被成膜基板２１を加熱し、被成膜基板２１の温度
を４００℃に保持する。

【００４４】続いて、トリメチルシリルボレート（Ｂ
(ＯＳｉ(ＣＨ₃)₃)₃）を７５℃に加熱し、Ｈｅでバブリ
ングする。流量５０ｓｃｃｍのＳｉＨ₄と、流量５０ｓ
ｃｃｍのＨｅと、流量１０００ｓｃｃｍのＮ₂Ｏと、Ｏ₂
とからなる成膜ガスをチャンバ１内に導入し、チャンバ
１内のガス圧力を０．８Ｔｏｒｒとする。この場合、Ｏ
₂の流量に対する比誘電率の変化、及び誘電損失（ｔａ
ｎδ）の変化の様子を実験するため、Ｏ₂の流量を２０
０、４００、６００、８００及び１０００ｓｃｃｍと種
々変化させる。

【００４５】次いで、上部電極２に周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電力５０Ｗを印加し、下部電極３に周波数
４００ｋＨｚの交流電力４００Ｗを印加する。これによ
り、チャンバ１内の成膜ガスがプラズマ化する。この状
態を保持して、被成膜基板２１上にＢＳＧ膜２２を形成
する。この場合、成膜中の窒素含有量は第３の実施の形
態のシラン系の場合よりも多少少なく４．６ｗｔ％程度
である。

【００４６】続いて、炭化シリコン膜（ＳｉＣ膜）又は
炭化酸化シリコン膜（ＳｉＯＣ膜）からなるＣＭＰスト
ッパ膜２７を全面に形成する。図４は、Ｏ₂の流量に対
する比誘電率の変化の様子と誘電損失（ｔａｎδ）の変
化の様子を示す。図４の左側の縦軸は線形目盛りで表し
た比誘電率を示し、右側の縦軸は線形目盛りで表した誘
電損失を示し、横軸は線形目盛りで表したＯ₂の流量
（ｓｃｃｍ）を示す。比誘電率は周波数１ＭＨｚにおけ
る値である。

【００４７】図４によれば、Ｏ₂の流量が小さいほど比
誘電率は小さくなるが、Ｏ₂の流量の変化に対して比誘
電率はあまり大きく変化しない。また、誘電損失も、比
誘電率と同様に、Ｏ₂の流量の変化に対してあまり大き
く変化しない。なお、Ｏ₂の流量は、Ｎ₂Ｏの流量１００
０ｓｃｃｍに対して３００〜５００ｓｃｃｍとすること
が望ましい。この範囲であると、誘電率が比較的小さ
く、かつ耐湿性も高くなるためである。

【００４８】次いで、このＢＳＧ膜２２をダマシンプロ
セスの層間絶縁膜に適用し、銅配線を形成する工程につ
いて説明する。図８（ｂ）に示すように、ＢＳＧ膜２２
及びＣＭＰストッパ膜２７に開口部２３を形成する。続
いて、ＣＶＤ法によるタンタルナイトライド膜（ＴａＮ
膜）２８と、スパッタ法による銅膜（Ｃｕ膜）２９とを
順次形成する。

【００４９】次いで、メッキにより銅膜（Ｃｕ膜）３０
を形成し、開口部２３内にＣｕ膜３０を埋め込む。次
に、図８（ｃ）に示すように、ＣＭＰ法により、Ｃｕ膜
３０、２９及びＴａＮ膜２８を研磨し、除去して表面を
平坦化し、開口部２３内にＴａＮ膜２８ａ及びＣｕ膜２
９ａを下地導電層とするＣｕ膜３０ａからなる配線を形
成する。なお、ＣＭＰストッパ膜２７はＣＭＰにより多
少削れるが、ＣＭＰのストッパとして機能する。

【００５０】なお、必要であれば、引き続き、この発明
によるＢＳＧ膜からなる層間絶縁膜を形成し、さらに配
線を形成して、３層以上の多層配線構造とすることがで
きる。以上、この発明の第４の実施の形態によれば、第
３の実施の形態と同様な効果を有するほかに、特に、成
膜ガスとしてトリメチルシリルボレート（Ｂ(ＯＳｉ(Ｃ
Ｈ₃)₃)₃）を用いているので、ＢＳＧ膜２２中のＳｉ−
Ｏの網目構造の中に含まれるＢの割合が多くなるため、
低誘電率で、かつ耐湿性のよいＢＳＧ膜２２を得ること
ができる。

【００５１】なお、上記第４の実施の形態において、必
要であれば、上記成膜ガスに、トリメチルボレート（Ｔ
ＭＢ）やトリエチルボレート（ＴＥＢ：Ｂ(ＯＣ
₂Ｈ₅)₃）を加えてもよい。これにより、ＢＳＧ膜中のボ
ロン含有量を任意に調整することができる。 （第５の実施の形態）次に、図９を参照して第５の実施
の形態である半導体装置の製造方法について説明する。

【００５２】まず、絶縁膜３１上にアルミニウム膜や高
融点金属膜等からなる下部配線層３３を形成する。続い
て、第３又は第４の実施の形態の成膜方法により下部配
線層３３を被覆してＢＳＧ膜からなる層間絶縁膜３２を
形成する。次いで、下部配線層３３上の層間絶縁膜３２
に開口部３４を形成した後、開口部３４を埋めてアルミ
ニウム膜や高融点金属膜等からなる上部配線層３５を形
成する。これにより、２層の多層配線構造を作成するこ
とができる。

【００５３】以降、必要ならば、同様な方法により３層
以上の多層配線構造を作成することができる。このよう
に、第５の実施の形態によれば、第３及び第４の実施の
形態と同様に、窒素を含むＢＳＧ膜を形成することがで
きるので、低誘電率で、かつ耐湿性のよい層間絶縁膜３
２を得ることができる。

【００５４】以上、実施の形態によりこの発明を詳細に
説明したが、この発明の範囲は上記実施の形態に具体的
に示した例に限られるものではなく、この発明の要旨を
逸脱しない範囲の上記実施の形態の変更はこの発明の範
囲に含まれる。例えば、図７（ｂ）や図９において、Ｂ
ＳＧ膜２２、３２に開口部２３、３４を形成した後、導
電層２４、２５、２６又は３５を形成する前に、図１
０、１２に示すように開口部２３、３４を覆って全体に
耐湿性の良い絶縁膜４１ａ、４２ａを形成してもよい。
耐湿性の良い絶縁膜４１ａ、４２ａとして、例えば、上
記の成膜ガスからボロン含有ガスを除いた成膜ガスを用
いてプラズマＣＶＤ法により形成したＮＳＧ膜が該当す
る。或いは、上記の成膜ガスのうちボロン含有ガスの流
量を減らしてプラズマＣＶＤ法により形成した、ボロン
含有量の少ない（１ｗｔ％以下が好ましい。）ＢＳＧ膜
が該当する。

【００５５】また、ＢＳＧ膜２２又は３２を形成する前
と後に、図１１、１３に示すように上記耐湿性の良い絶
縁膜４１ａ、４１ｂ又は４２ａ、４２ｂを形成し、ＢＳ
Ｇ膜２２又は３２を耐湿性の良い絶縁膜４１ａ、４１ｂ
又は４２ａ、４２ｂで挟むようにしてもよい。これによ
り、ＢＳＧ膜２２又は３２を含む層間絶縁膜全体の耐湿
性をより一層向上させることができる。耐湿性の良い絶
縁膜４２ａ、４２ｂも上記耐湿性の良い絶縁膜４１ａ、
４１ｂと同様に形成することができる。

【００５６】また、上記第３乃至第５の実施の形態で
は、ＢＳＧ膜２２、３２の成膜後は何も処理しないで、
開口部２３、３４を形成し、さらに下地導電層２４、２
５又は２８、２９や配線２６、３０、３２を形成してい
る。しかしながら、ＢＳＧ膜２２、３２の成膜後であっ
て開口部２３、３４を形成する前に、或いは下地導電層
２４、２５又は２８、２９や配線２６、３０、３５を形
成する前に、ＢＳＧ膜２２、３２を酸素ガスのプラズマ
に曝して、ＢＳＧ膜２２、３２の耐湿性を向上させるこ
とができる。また、この酸素プラズマ処理の後、さらに
ＢＳＧ膜２２、３２をアンモニアガスのプラズマに曝し
て、さらにＢＳＧ膜２２、３２の耐湿性を向上させるこ
とができる。

【００５７】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、シリコ
ン含有ガスと、ボロン含有ガスと、Ｎ−Ｏ結合を有する
窒素含有ガスとを含む成膜ガスを用いたプラズマＣＶＤ
法によりボロン含有シリコン酸化膜（ＢＳＧ膜）を形成
している。このため、成膜されるＢＳＧ膜中に窒素を含
ませることができるので、ＢＳＧ膜の低誘電率を達成し
つつ、ＢＳＧ膜の耐湿性を向上させることができる。さ
らに、Ｂ−ＯボンドはＳｉ−Ｆボンドと比べて結合エネ
ルギが大きいため、より一層層間絶縁膜の耐湿性を向上
させることができる。

【００５８】また、成膜ガス中にＯ₂を含むことによ
り、ＢＳＧ膜中にＳｉ−Ｏ−Ｂ結合を多く生成すること
ができるため、ＢＳＧ膜の耐湿性の向上を図ることがで
きる。さらに、成膜ガス中にＯ₂を含むことにより、Ｂ
ＳＧ膜をＳｉリッチな状態から化学量論的な状態にする
ことができるため、ＢＳＧ膜の低誘電率化を達成するこ
とができる。

【００５９】また、成膜ガスとしてトリメチルシリルボ
レート（Ｂ(ＯＳｉ(ＣＨ₃)₃)₃）を用いることにより、
ＢＳＧ膜のＳｉ−Ｏの網目構造の中に含まれるＢの割合
が多くなるため、低誘電率で、かつ耐湿性のよい絶縁膜
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態である成膜装置の構
成を示す側面図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態である成膜装置の構
成を示す側面図である。

【図３】第１の実施の形態である成膜装置を用いて形成
されたボロン含有シリコン酸化膜の比誘電率とボロン含
有量との関係を示すグラフである。

【図４】第２の実施の形態である成膜装置を用いて形成
されたボロン含有シリコン酸化膜の比誘電率と酸素流量
との関係を示すグラフである。

【図５】赤外線の吸収強度により調査した、第１の実施
の形態である成膜装置を用いて形成されたボロン含有シ
リコン酸化膜の組成の経時変化を示すグラフである。

【図６】赤外線の吸収強度により調査した、第２の実施
の形態である成膜装置を用いて形成されたボロン含有シ
リコン酸化膜の組成の経時変化を示すグラフである。

【図７】この実施の形態のボロン含有シリコン酸化膜を
銅配線の層間絶縁膜に適用する方法を示す断面図であ
る。

【図８】この実施の形態のボロン含有シリコン酸化膜を
銅配線の層間絶縁膜に適用する他の方法を示す断面図で
ある。

【図９】この実施の形態のボロン含有シリコン酸化膜を
２層配線の層間絶縁膜に適用する方法を示す断面図であ
る。

【図１０】この実施の形態のボロン含有シリコン酸化膜
を銅配線の層間絶縁膜に適用する他の方法を示す断面図
である。

【図１１】この実施の形態のボロン含有シリコン酸化膜
を銅配線の層間絶縁膜に適用する他の方法を示す断面図
である。

【図１２】この実施の形態のボロン含有シリコン酸化膜
を２層配線の層間絶縁膜に適用する他の方法を示す断面
図である。

【図１３】この実施の形態のボロン含有シリコン酸化膜
を２層配線の層間絶縁膜に適用する他の方法を示す断面
図である。

【符号の説明】

１ チャンバ ２ 上部電極（第１の電極） ３ 下部電極（第２の電極） ４ 排気配管 ５ 開閉バルブ ６ 排気装置 ７ 高周波電力供給電源 ８ 交流電力供給電源 ９ａ 配管 ９ｂ〜９ｈ 分岐配管 １０ａ〜１０ｗ 開閉手段 １１ａ〜１１ｇ 流量調整手段 ２１ 被成膜基板 ２２ ＢＳＧ膜 ２３、３４ 開口部 ２４、２４ａ、２８、２８ａ タンタルナイトライド膜
（ＴａＮ膜）（下地導電層） ２５、２５ａ、２９、２９ａ 銅膜（Ｃｕ膜）（下地導
電層） ２６、２６ａ、３０、３０ａ 銅膜（Ｃｕ膜） ２７、２７ａ ＣＭＰストッパ膜 ３１ 絶縁膜 ３２ 層間絶縁膜 ３３ 下部配線層 ３５ 上部配線層 １０１、１０２ 成膜装置 １０１Ａ、１０２Ａ 成膜部 １０１Ｂ、１０２Ｂ 成膜ガス供給部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前川 和広 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 (72)発明者 坂井 拓哉 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 (72)発明者 塩谷 喜美 東京都港区港南２−13−29 株式会社半導 体プロセス研究所内 (72)発明者 前田 和夫 東京都港区港南２−13−29 株式会社半導 体プロセス研究所内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA11 AA13 AA18 FA01 FA02 KA14 KA30 5F045 AA08 AA10 AB36 AC01 AC07 AC11 AC12 AC15 AC16 AC17 AC19 AD08 AE19 BB16 CB05 DC63 DP03 DQ10 EE12 EH02 EH05 EH14 EH20 HA11 5F058 BA07 BA20 BC02 BC04 BF07 BF09 BF23 BF32 BG02 BH16

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 減圧可能なチャンバと、 シリコン含有ガスの供給源とボロン含有ガスの供給源と
   Ｎ−Ｏ結合を有する窒素含有ガスの供給源と酸素ガスの
   供給源とを備えた、前記チャンバと接続された成膜ガス
   の供給手段と、 前記チャンバ内に導入された前記成膜ガスをプラズマ化
   する手段と、 被成膜基板を保持する手段とを有することを特徴とする
   成膜装置。
2. 【請求項２】 前記成膜ガスをプラズマ化する手段は、
   平行平板型の第１及び第２の電極を有し、かつ該第２の
   電極が前記被成膜基板を保持する手段を兼ねていること
   を特徴とする請求項１記載の成膜装置。
3. 【請求項３】 前記平行平板型の第１及び第２の電極の
   うち、前記第１の電極に第１の電力供給手段が接続さ
   れ、前記第２の電極に第２の電力供給手段が接続され、
   前記第１の電力供給手段から供給される電力の周波数が
   前記第２の電力供給手段から供給される電力の周波数よ
   りも高いことを特徴とする請求項２記載の成膜装置。
4. 【請求項４】 前記成膜ガスをプラズマ化する手段は、
   ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）法によりプラ
   ズマを生成する手段であることを特徴とする請求項１記
   載の成膜装置。
5. 【請求項５】 前記成膜ガスをプラズマ化する手段は、
   高周波電力を放射するアンテナを有し、ヘリコンプラズ
   マを生成する手段であることを特徴とする請求項１記載
   の成膜装置。
6. 【請求項６】 シリコン含有ガスと、ボロン含有ガス
   と、Ｎ−Ｏ結合を有する窒素含有ガスと、酸素ガスとを
   含む成膜ガスをプラズマ化して反応させる工程と、 前記プラズマ化した成膜ガスを用いた化学気相成長によ
   り被成膜基板上にボロン含有シリコン酸化膜を形成する
   工程とを有することを特徴とする成膜方法。
7. 【請求項７】 請求項３記載の成膜装置を用いて前記第
   １及び第２の電極に電力を印加して、シリコン含有ガス
   と、ボロン含有ガスと、Ｎ−Ｏ結合を有する窒素含有ガ
   スと、酸素ガスとを含む成膜ガスをプラズマ化して反応
   させる工程と、 前記プラズマ化した成膜ガスを用いた化学気相成長によ
   り被成膜基板上にボロン含有シリコン酸化膜を形成する
   工程とを有することを特徴とする成膜方法。
8. 【請求項８】 前記Ｎ−Ｏ結合を有する窒素含有ガスに
   対する前記酸素ガスの比は、１／１０乃至１／５の範囲
   にあることを特徴とする請求項６又は７記載の成膜方
   法。
9. 【請求項９】 前記成膜ガスは、前記シリコン含有ガ
   ス、前記ボロン含有ガス、前記Ｎ−Ｏ結合を有する窒素
   含有ガス、及び前記酸素ガスの他に、Ａｒ、Ｈｅ又はＨ
   ₂のうち少なくとも何れか一を含むことを特徴とする請
   求項６又は７記載の成膜方法。
10. 【請求項１０】 前記シリコン含有ガスは、ＳｉＨ₄又
    はＳｉ(ＯＣ₂Ｈ₅)₄のうち少なくとも何れか一であるこ
    とを特徴とする請求項６又は７記載の成膜方法。
11. 【請求項１１】 前記ボロン含有ガスは、Ｂ₂Ｈ₆又はＢ
    (ＯＳｉ(ＣＨ₃)₃)₃のうち何れか一であることを特徴と
    する請求項６又は７記載の成膜方法。
12. 【請求項１２】 前記ボロン含有ガスは、Ｂ(ＯＳｉ(Ｃ
    Ｈ₃)₃)₃とＢ(ＯＲ)₃(Ｒ＝Ｃ_nＨ_2n+1(ｎ＝１又は２))と
    の混合ガスであることを特徴とする請求項６又は７記載
    の成膜方法。
13. 【請求項１３】 前記Ｎ−Ｏ結合を有する窒素含有ガス
    は、ＮＯ又はＮＯ₂のうち何れか一であることを特徴と
    する請求項６又は７記載の成膜方法。
14. 【請求項１４】 前記ボロン含有シリコン酸化膜を形成
    する工程の後、前記ボロン含有シリコン酸化膜を酸素ガ
    スのプラズマに曝す工程を有することを特徴とする請求
    項６又は７記載の成膜方法。
15. 【請求項１５】 前記ボロン含有シリコン酸化膜を酸素
    ガスのプラズマに曝す工程の後、前記ボロン含有シリコ
    ン酸化膜をアンモニアガスのプラズマに曝す工程を有す
    ることを特徴とする請求項１４記載の成膜方法。
16. 【請求項１６】 請求項６乃至１５の何れか一に記載の
    成膜方法により前記ボロン含有シリコン酸化膜を形成す
    る工程の後に、該ボロン含有シリコン酸化膜の上に耐湿
    性のよいシリコン酸化膜又はボロン含有シリコン酸化膜
    を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
17. 【請求項１７】 請求項６乃至１５の何れか一に記載の
    成膜方法により前記ボロン含有シリコン酸化膜を形成す
    る工程の後に、該ボロン含有シリコン酸化膜に凹部又は
    開口部を形成する工程と、該凹部又は開口部内に銅層を
    埋め込む工程とを有することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
18. 【請求項１８】 請求項６乃至１５の何れか一に記載の
    成膜方法により前記ボロン含有シリコン酸化膜を形成す
    る工程と、前記ボロン含有シリコン酸化膜上に配線層を
    形成する工程とを交互に行うことを特徴とする半導体装
    置の製造方法。