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JP2001177390A - Driver circuit device - Google Patents

Driver circuit device

Info

Publication number
JP2001177390A
JP2001177390A JP35678999A JP35678999A JP2001177390A JP 2001177390 A JP2001177390 A JP 2001177390A JP 35678999 A JP35678999 A JP 35678999A JP 35678999 A JP35678999 A JP 35678999A JP 2001177390 A JP2001177390 A JP 2001177390A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
level
driver
output
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP35678999A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shunichi Sakata
俊一 坂田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yaskawa Electric Corp
Original Assignee
Yaskawa Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yaskawa Electric Corp filed Critical Yaskawa Electric Corp
Priority to JP35678999A priority Critical patent/JP2001177390A/en
Publication of JP2001177390A publication Critical patent/JP2001177390A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来例は”H”,”L”レベルの出力電圧は
通常2ボルト,0.8 ボルト程度で出力電流は数ミリアン
ペアであり、アクセスの高速化の要因から、両レベルの
出力用nMOSのコンダクタンスンスは大きな数値に設
定されるので、オンする際負荷容量に起因し大きな出力
電流が流れ、周辺電圧が変動しノイズとなり、信号への
妨害等を来すからこれを防ぐ。 【解決手段】 入力信号10・INの”H”レベルより”
L”レベルへまたは”L”レベルより”H”レベルへの
状態の変化を検出しワンショットパルスを発生させる入
力遷移検出回路6と、コンデンサ負荷15に接続された大
きなコンダクタンスの第1のドライバ回路5と、小さな
コンダクタンスの第2の付加ドライバ回路5aと、6に
て10を5へ導く第1の論理ゲート(73,74,75) 及び6に
て入力信号を5aへ導く第2の論理ゲート(71,72,76)で
成る入力遷移時付加ドライバゲート駆動回路7とを備え
るドライバ回路装置。
(57) [Problem] In the conventional example, the output voltage at the "H" and "L" levels is usually about 2 volts and 0.8 volts, and the output current is several milliamps. Since the conductance of the output nMOS is set to a large value, a large output current flows due to the load capacitance when the transistor is turned on, the peripheral voltage fluctuates and noise occurs, and the signal is disturbed. . SOLUTION: From the "H" level of an input signal 10.IN
An input transition detection circuit 6 for detecting a change in state from L level or from L level to H level and generating a one-shot pulse, and a first driver circuit having a large conductance connected to a capacitor load 15 5, a second additional driver circuit 5a of small conductance, a first logic gate (73, 74, 75) for guiding 10 to 5 at 6 and a second logic gate for guiding the input signal to 5a at 6 A driver circuit device comprising an additional driver gate drive circuit at the time of input transition comprising (71, 72, 76).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、大きな負荷を高速に駆
動する際の大きな出力電流に起因する周辺回路への電源
電圧の変動を抑えることのできるドライバ回路装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a driver circuit device capable of suppressing fluctuations in power supply voltage to peripheral circuits due to a large output current when driving a large load at high speed.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3に従来技術としてのドライバ回路装
置の一例 [これを『従来例』という]を示す。図3(a)
は従来例の回路構成を表すブロック図、図3(b) 〜図3
(d) はその動作に伴う電圧波形のタイチャートである。
全ての図面において、同一符号は同一若しくは相当部材
を示す。先ず、図3(a) において、入力信号10・IN
が”H”レベルである時、駆動ゲート選択回路1を経て
ノード[node]13・IN1(ナンド11の出力段)には信
号”L”レベルが保持され、逆にノード14・IN2(ナ
ンド12の出力段) には信号”H”レベルが保持されてお
り、nMOS[n-channel Metal Oxide Semiconductorで
FET・Feiled Eeffected Transistor からなる] 2・
N1はオフ、nMOS3・N2はオンの状態となり、出
力信号OUTには”L”レベルが出力されている[ 図3
(b) 参照] 。この状態にて、入力信号10・INが”L”
レベルに遷移すると、各信号のレベルはそれぞれ逆のレ
ベルへ遷移し、この結果nMOS・2はオンでnMOS
・3はオフとなり、出力OUTには”H”レベルが出力
される。そして、この状態よりさらに入力信号10・IN
が”H”レベルへ遷移すると、再び各レベルへは初めの
状態に遷移し、この結果nMOS・2はオフでnMOS
・3はオンとなり、出力OUTには”L”レベルが出力
され、このような状態の繰り返しで負荷 [不図示] は駆
動される。
2. Description of the Related Art FIG. 3 shows an example of a conventional driver circuit device [this is referred to as a "conventional example"]. Fig. 3 (a)
3 is a block diagram showing a circuit configuration of a conventional example, and FIGS.
(d) is a tie chart of the voltage waveform accompanying the operation.
In all the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding members. First, in FIG. 3A, the input signal 10 · IN
Is at the "H" level, the signal "L" level is held at the node [node] 13.IN1 (the output stage of the NAND 11) via the drive gate selection circuit 1, and conversely, the node 14 / IN2 (the NAND 12) The output stage), the signal “H” level is held, and the nMOS [n-channel Metal Oxide Semiconductor is composed of FET and Field-Effected Transistor] 2.
N1 is off, nMOS3 and N2 are on, and an “L” level is output as the output signal OUT [FIG.
(b) See]. In this state, the input signal 10 • IN becomes “L”.
When the level transitions to the level, the level of each signal transitions to the opposite level.
3 is turned off, and "H" level is output to the output OUT. Then, the input signal 10 · IN
Transitions to the "H" level, the transition to each level is again made to the initial state. As a result, nMOS2 is off and nMOS
3 is turned on, an “L” level is output to the output OUT, and the load [not shown] is driven by repeating such a state.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来技術の構成のドライバ回路装置は、”H”レベ
ルの出力電圧VOHは通常2ボルト程度、”L”レベル
の出力電圧VOLは通常0.8ボルト程度であり、さら
に”H”レベルでの出力電流のIOHおよび”L”レベ
ルでの出力電流のIOLは通常数ミリアンペアの設定に
て構成され、さらにアクセスの高速化の要因から、nM
OS・2とnMOS・3のコンダクタンスンスは非常に
大きな数値に設定されている。このため、nMOS・2
またはnMOS・3がオンする際には、出力OUTに接
続された負荷容量に起因し、大きな出力電流IOHまた
はIOLが流れることとなり、その結果nMOS・2ま
たはnMOS・3の周辺電圧である電源電圧VDDと接
地電圧GND [nMOSの内部抵抗21に起因する電圧降
下分と内部抵抗31に起因する接地電圧上昇分] に変動を
来すことになる。
However, in the driver circuit device having such a configuration of the prior art, the "H" level output voltage VOH is usually about 2 volts, and the "L" level output voltage VOL is usually about 0.1 volt. The output current IOH at the "H" level and the IOL of the output current at the "L" level are usually set to several milliamps.
The conductance of OS · 2 and nMOS · 3 is set to a very large value. Therefore, nMOS · 2
Alternatively, when the nMOS 3 is turned on, a large output current IOH or IOL flows due to the load capacitance connected to the output OUT. As a result, the power supply voltage which is the peripheral voltage of the nMOS 2 or nMOS 3. VDD and the ground voltage GND [the voltage drop caused by the internal resistance 21 of the nMOS and the ground voltage rise caused by the internal resistance 31] fluctuate.

【0004】図3(c),(d) にこのような状態における電
源電圧VDDと接地電圧GNDの変動電圧波形を示して
いる。この現象は、アクセス高速化に伴い出力サイクル
も短くなることに起因して先の振幅電圧が大きくなり、
周辺回路における誤動作を引き起こす恐れさえあること
になる。さらに、このノイズが”H”レベルの出力電圧
VOHと”L”レベルの出力電圧VOLのレベル自体に
も影響を与え、高速化の妨げにもなっているという問題
があった。ここにおいて本発明の目的は、出力を大きな
コンダクタンスンスを持つドライバと小さなコンダクタ
ンスンスを持つドライバの2系統に分け、かつ所定の区
間[時間] にだけこれらのドライバを交互に駆動させる
ことにより、高速動作を損なうことなく、またドライバ
に接続される電源電位の変動を抑え。安定動作の期待が
できるドライバ回路装置を提供することである。
FIGS. 3 (c) and 3 (d) show fluctuation voltage waveforms of the power supply voltage VDD and the ground voltage GND in such a state. This phenomenon is due to the fact that the output cycle is shortened as the access speed is increased, and the amplitude voltage is increased,
It may even cause a malfunction in the peripheral circuit. Further, there is a problem that this noise affects the level of the output voltage VOH at the "H" level and the level of the output voltage VOL at the "L" level, which hinders an increase in speed. Here, an object of the present invention is to divide the output into two systems, a driver having a large conductance and a driver having a small conductance, and alternately drive these drivers only in a predetermined section [time], thereby achieving high-speed operation. Suppress the fluctuation of the power supply potential connected to the driver without impairing the operation. An object of the present invention is to provide a driver circuit device capable of expecting stable operation.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項1に記載の発明のドライバ回路装置
は、入力信号の論理について”H”レベルより”L”レ
ベルへあるいは”L”レベルより”H”レベルへの状態
の変化を検出してワンショットパルスを発生させる入力
遷移検出回路と、大きなコンダクタンスを持つ第1のド
ライバ回路と、小さなコンダクタンスを持つ第2の付加
ドライバ回路と、前記入力遷移検出回路にて入力信号を
第1のドライバ回路へ導く第1の論理ゲートと、前記入
力遷移検出回路にて入力信号を第2の付加ドライバ回路
へ導く第2の論理ゲートとからなる入力遷移時付加ドラ
イバゲート駆動回路とを具備することを特徴としてい
る。このようにして本発明の請求項1の発明によれば、
高速動作を損なうことなく、またドライバに接続される
電源電位と接地電位の変動を抑え、安定動作の期待がで
きるという特段の効果を奏することができる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a driver circuit device according to the first aspect of the present invention, wherein the logic of an input signal is changed from "H" level to "L" level or "L" level. An input transition detection circuit that detects a change in state from L level to “H” level and generates a one-shot pulse, a first driver circuit having a large conductance, and a second additional driver circuit having a small conductance A first logic gate that guides an input signal to a first driver circuit in the input transition detection circuit, and a second logic gate that guides the input signal to a second additional driver circuit in the input transition detection circuit. And an additional driver gate drive circuit at the time of an input transition. Thus, according to the invention of claim 1 of the present invention,
It is possible to obtain a special effect that stable operation can be expected without deteriorating high-speed operation, suppressing fluctuations in the power supply potential and the ground potential connected to the driver.

【0006】本発明の請求項2に記載の発明は、請求項
1に記載のドライバ回路装置において、前記入力遷移検
出回路は、1つの入力信号を2系統に分離し時間差ルー
トを経て入力させた第1のノア回路と、さらに前記分離
前に第1のインバータで反転させた前記2系統に分離し
時間差ルートを経て入力させた第2のノア回路と、前記
第1のノア回路と前記第2のノア回路との出力を入力と
し両者の論理和を出力とするノア回路とを備えているこ
とを特徴としている。かくして本発明の請求項2の発明
によれば、入力の論理の遷移を僅かの時間で検出でき、
周辺機器への雑音波及が防止でき、信号回路の誤動作を
未然に予防され、動作の信頼性が向上するという顕著な
効果が認められる。
According to a second aspect of the present invention, in the driver circuit device according to the first aspect, the input transition detection circuit separates one input signal into two systems and inputs them through a time difference route. A first NOR circuit, a second NOR circuit separated into the two systems inverted by a first inverter before the separation, and input via a time difference route; a first NOR circuit; and a second NOR circuit. And a NOR circuit that receives an output from the NOR circuit and inputs the logical sum of the outputs. Thus, according to the invention of claim 2 of the present invention, the transition of the logic of the input can be detected in a short time,
A remarkable effect that noise propagation to peripheral devices can be prevented, malfunction of the signal circuit is prevented beforehand, and operation reliability is improved is recognized.

【0007】本発明の請求項3に記載の発明は、請求項
1または請求項2に記載のドライバ回路装置において、
前記入力遷移時付加ドライバゲート駆動回路は、前記入
力遷移検出回路の出力段に設けた第2のインバータの出
力段に、入力信号の論理に対応して駆動するドライバの
ゲートを選択する駆動ゲート選択回路の2出力とそれぞ
れ論理和をとる2つの第3のノア回路と、前記駆動ゲー
ト選択回路の2出力と前記第2のインバータの出力段に
設けた第3のインバータの出力とのそれぞれ論理和をと
る2つの第4のノア回路とを備え、第3のノア回路の出
力段は前記第1のドライバ回路のゲートへ接続され、第
4のノア回路の出力段は前記第2の付加ドライバ回路の
ゲートへ接続されて構成されたことを特徴としている。
従って、前記入力遷移時において所定の時間内にコンダ
クタンスンスの大きなさなドライバが適用され、十分な
VOH・VOL電位を確保した後、小さなコンダクタン
スンスの付加ドライバが適用されるため、流通する負荷
電流も比較的に小さいから、負荷電流変化に伴う電流波
形の乱れに基づく高調波雑音などの低減に、本発明は極
めて適切と言える。
According to a third aspect of the present invention, in the driver circuit device according to the first or second aspect,
The input transition additional driver gate drive circuit includes a drive gate selection circuit for selecting a driver gate to be driven according to the logic of an input signal in an output stage of a second inverter provided in an output stage of the input transition detection circuit. Two third NOR circuits that respectively OR the two outputs of the circuit, and the respective OR of the two outputs of the drive gate selection circuit and the output of the third inverter provided in the output stage of the second inverter And a fourth NOR circuit, wherein an output stage of the third NOR circuit is connected to a gate of the first driver circuit, and an output stage of the fourth NOR circuit is connected to the second additional driver circuit. , And is connected to the gate.
Therefore, during the input transition, a driver having a large conductance is applied within a predetermined time, and after securing a sufficient VOH · VOL potential, an additional driver having a small conductance is applied. Therefore, the present invention can be said to be extremely suitable for reducing harmonic noise and the like based on disturbance of a current waveform due to a change in load current.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一つの実施の形態
を図面を参照して説明する。図1は、本発明の一実施の
形態における回路の構成を示すブロック図である。図2
(a) 〜(f) は、図1における動作を表す各信号電圧およ
び電源電圧ならびに接地電圧等の波形変化を示すタイム
チャートである。図1において、nMOS・8・N3お
よびnMOS・9・N4は、nMOS・2・N1および
nMOS・3・N2に比較して、小さなコンダクタンス
ンスを帯有するnMOSである。先ず、入力信号10・I
Nに”H”レベルが入来している時、後述する入力遷移
検出回路6の出力を導入するインバータ75のノード77・
T1は”H”レベル、次のインバータ76のノード78・T
2は”L”レベルの状態にあり、ノア73の出力段のノー
ド79a ・IN3の信号とノア74の出力段のノード79b ・
IN4の信号はともに”L”レベルにて、大きいコンダ
クタンスンスを帯有するnMOS・2とnMOS・3は
ともにオフの状態にある。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a circuit according to an embodiment of the present invention. FIG.
(a) to (f) are time charts showing waveform changes of each signal voltage, power supply voltage, ground voltage and the like representing the operation in FIG. In FIG. 1, nMOS · 8 · N3 and nMOS · 9 · N4 are nMOS having a small conductance band as compared with nMOS · 2 · N1 and nMOS · 3 · N2. First, the input signal 10 · I
When the "H" level is input to N, the node 77 of the inverter 75 for introducing the output of the input transition detection circuit 6 described later.
T1 is at “H” level, and the next inverter node 78
2 is in the state of “L” level, the node 79a of the output stage of the NOR 73 and the signal of IN3 and the node 79b of the output stage of the NOR 74.
The signal of IN4 is both at "L" level, and both nMOS.2 and nMOS.3, which have a large conductance band, are off.

【0009】また、小さいコンダクタンスンスを帯有す
るnMOS・8とnMOS・9には、入力信号10・IN
をスルー[through] しており、nMOS・8は”H”レ
ベルの状態であり、nMOS・9は”L”レベルの状態
にある。従って、nMOS・8はオン、nMOS・9は
オフの状態にあり、出力100 ・OUTには”H”レベル
の電圧信号が出力されている。次に、この状態にて入力
信号・10の論理が”L”レベルに遷移した時を考える。
ここで本発明は、入力信号10・INの論理レベルの遷移
[Transition]を検出する手段として入力遷移検出回路6
を設けている。そこで、入力信号10・INが”H”レベ
ルから”L”レベルへ遷移した時と、逆に”L”レベル
から”H”レベルへ遷移した時のみ、所定の僅かの時
間、ノード77に”L”レベルをノード78に”H”レベル
を出力させる回路を示している
The nMOS · 8 and nMOS · 9 having a small conductance band are provided with an input signal 10 · IN.
, The nMOS · 8 is at the “H” level, and the nMOS · 9 is at the “L” level. Therefore, the nMOS.8 is on and the nMOS.9 is off, and a "H" level voltage signal is output to the output 100.OUT. Next, consider the case where the logic of the input signal 10 has transitioned to the "L" level in this state.
Here, the present invention relates to the transition of the logic level of the input signal 10.IN.
Input transition detection circuit 6 as means for detecting [Transition]
Is provided. Therefore, only when the input signal 10.IN transitions from the “H” level to the “L” level and conversely, when the transition from the “L” level to the “H” level, the node 77 outputs “ A circuit for outputting an “H” level from the L level to the node 78 is shown.

【0010】すなわち、いま入力信号10・INの論理デ
ータの遷移を検出して、ノード77が”L”レベル、ノー
ド78が”H”レベルを出力するため、ノード79c ・IN
5の論理信号とノード79d ・IN6の論理信号は”L”
レベルであり、小さいコンダクタンスンスを帯有するn
MOS・8とnMOS・9はオフとなる。この時、ノー
ド13とノード14の出力論理には入力論理データがスルー
され、ノード13には”H”レベルが、ノード14には”
L”レベルがスルーされ、大きいコンダクタンスンスを
帯有するnMOS・2がオフ、大きいコンダクタンスン
スを帯有するnMOS・3がオンとなり、この結果とし
て出力100 ・OUTに”L”レベルが出力される。
That is, since the transition of the logic data of the input signal 10.IN is detected and the node 77 outputs the "L" level and the node 78 outputs the "H" level, the node 79c.IN
The logic signal at node 5 and the logic signal at node IN6 are "L".
N, which is a level and has a small conductance band
MOS 8 and nMOS 9 are turned off. At this time, the input logic data is passed through to the output logic of the nodes 13 and 14, the “H” level is applied to the node 13, and the “H” level is applied to the node 14.
The L "level is passed through, the nMOS 2 having a large conductance band is turned off, and the nMOS 3 having a large conductance band is turned on. As a result, the" L "level is output to the output 100 OUT.

【0011】ここにおいて、図2(d) に示すように、”
L”レベルがその”L”レベルの出力”L”レベル電圧
・VOLに到達する所定の時間にて、ノード77・T1の
論理信号に”H”レベルが、ノード78・T2の論理信号
に”L”レベルが現れるように入力遷移検出回路6の回
路定数を設定すれば、出力100 ・OUTが”L”レベル
電圧VOLに到達した時間にて、大きいコンダクタンス
ンスを帯有するnMOS・2とnMOS・3がオフとな
り、小さなコンダクタンスンスを帯有するnMOS・8
とnMOS・9が入力信号10・INの論理データをスル
ーさせ、結果としてnMOS・9がオンとなり、出力10
0 ・OUTの”L”レベルを保持する。
In this case, as shown in FIG.
At a predetermined time when the “L” level reaches the “L” level output “L” level voltage / VOL, the “H” level is applied to the logic signal of the node 77 · T1 and the “H” level is applied to the logic signal of the node 78 / T2. If the circuit constant of the input transition detection circuit 6 is set so that the L level appears, the nMOS 2 and nMOS 2 having a large conductance band are obtained at the time when the output 100 OUT reaches the “L” level voltage VOL. 3 is turned off, and nMOS · 8 having a small conductance band
And the nMOS 9 pass through the logic data of the input signal 10.IN, and as a result, the nMOS 9 is turned on and the output 10
0-Holds "L" level of OUT.

【0012】さらに、この状態にて入力信号10・IN
が”H”レベルへ遷移した場合を考える。論理データの
遷移を入力遷移検出回路6において検出して、ノード77
が”L”レベルを、ノード78が”H”レベルをそれぞれ
出力するため、ノード79c とノード79d は”L”レベル
で、小さいコンダクタンスンスを帯有するnMOS・8
とnMOS・9がオフする。このとき、ノード13とノー
ド14の出力には入力信号10・INの論理データがスルー
され、ノード13には”L”レベルが、ノード14には”
H”レベルが出力され、大きいコンダクタンスンスを帯
有するnMOS・2がオン、nMOS・3がオフ、この
結果として出力100 ・OUTに”H”レベルが出力され
る。
Further, in this state, the input signal 10.IN
Changes to the “H” level. The transition of the logical data is detected by the input transition detection circuit 6, and the node 77
Output the "L" level and the node 78 output the "H" level, so that the nodes 79c and 79d are at the "L" level and have a small conductance band.
And the nMOS 9 turns off. At this time, the logical data of the input signal 10 · IN is passed through the outputs of the nodes 13 and 14, the “L” level is applied to the node 13, and the “
The "H" level is output, the nMOS.2 having a large conductance band is turned on, and the nMOS.3 is turned off. As a result, the "H" level is output to the output 100.OUT.

【0013】この際、論理データ”H”レベルが”H”
レベル電圧VOHに到達する所定の時間にて、ノード77
に”H”レベルが、ノード78に”L”レベルが現れるよ
うに、入力遷移検出回路6の回路定数を設定してあるの
で、出力100 ・OUTが”H”レベル電圧VOHに到達
した時間にて、大きなコンダクタンスンスを帯有するn
MOS・2とnMOS・3がオフ、小さなコンダクタン
スンスを帯有するnMOS・8とnMOS・9が入力信
号10・INをスルーさせ、結果としてnMOS・8がオ
ンとなり、出力・100 ・OUTの”H”レベルを保持す
ることになる。このようにして、本発明は入力遷移検出
回路6の回路定数によって、入力信号10・INの論理デ
ータの遷移に際して、小さなコンダクタンスンスを持つ
nMOS・8およびnMOS・9を暫時適用することが
でき、出力電圧波形の変化を抑制する効果を発揮でき
る。
At this time, the logical data “H” level is “H”.
At a predetermined time to reach the level voltage VOH, the node 77
Since the circuit constant of the input transition detection circuit 6 is set so that the "H" level appears at the node 78 and the "L" level appears at the node 78, the output 100.OUT reaches the "H" level voltage VOH when the output 100. With a large conductance band
The MOS 2 and nMOS 3 are off, the nMOS 8 and nMOS 9 having a small conductance band allow the input signal 10 IN to pass through, and as a result, the nMOS 8 is turned on and the output 100 OUT becomes “H”. "Level will be maintained. In this way, according to the present invention, the nMOS.8 and nMOS.9 having a small conductance can be applied for a while at the transition of the logic data of the input signal 10.IN by the circuit constant of the input transition detection circuit 6, The effect of suppressing a change in the output voltage waveform can be exhibited.

【0014】[0014]

【発明の効果】以上詳細に述べたように、本発明によれ
ば、出力が”H”レベル電圧VOHおよび”L”レベル
電圧VOLに到達するまでの時間を遅延させることな
く、即ちアクセスを損なうこと無く、また大きな出力電
流 [シンク電流(sink current)]に起因する電源電位の
変動を抑えたドライバ回路装置が実現可能という特段の
効果を奏する。つまり、請求項1の発明によれば、高速
動作を損なうことなく、またドライバに接続される電源
電位と接地電位の変動を抑え、安定動作の期待ができる
という卓越した効果を奏することができ、また請求項2
の発明によれば、入力の論理の遷移を僅かの時間で検出
でき、周辺機器への雑音波及が防止でき、信号回路の誤
動作を未然に予防され、動作の信頼性が向上するという
顕著な効果が認められ、さらにまた入力遷移時において
所定の時間内にコンダクタンスンスの大きなさなドライ
バが適用され、十分なVOH・VOL電位を確保した
後、小さなコンダクタンスンスの付加ドライバが適用さ
れるため、流通する負荷電流も比較的に小さいから、負
荷電流変化に伴う電流波形の乱れに基づく高調波雑音な
どの低減に、本発明は極めて適切と言える。
As described above in detail, according to the present invention, the time until the output reaches the "H" level voltage VOH and the "L" level voltage VOL is not delayed, that is, the access is impaired. This provides a special effect that a driver circuit device that can suppress a fluctuation in the power supply potential caused by a large output current [sink current] without any problem can be realized. That is, according to the first aspect of the present invention, it is possible to obtain an excellent effect that stable operation can be expected without deteriorating high-speed operation, suppressing fluctuations in the power supply potential and the ground potential connected to the driver, and Claim 2
According to the invention, a remarkable effect that the transition of the logic of the input can be detected in a short time, the influence of noise on the peripheral device can be prevented, the malfunction of the signal circuit is prevented beforehand, and the reliability of the operation is improved. In addition, a driver having a large conductance is applied within a predetermined time at the time of input transition, and after securing a sufficient VOH · VOL potential, an additional driver having a small conductance is applied. Since the load current to be generated is also relatively small, the present invention can be said to be extremely suitable for reducing harmonic noise and the like based on disturbance of the current waveform due to a change in load current.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係るドライバ回路装置に
おける回路の構成を示すブロック図
FIG. 1 is a block diagram showing a circuit configuration in a driver circuit device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態を示す図1のドライバ回路
装置における各部の動作波形を表すタイムチャート
FIG. 2 is a time chart showing an operation waveform of each part in the driver circuit device of FIG. 1 showing an embodiment of the present invention;

【図3】従来の技術の説明図で、(a) はその回路構成を
示すブロック図 (b) は(a) の各部での動作波形を表すタイムチャート
3A and 3B are explanatory diagrams of a conventional technique, in which FIG. 3A is a block diagram showing a circuit configuration thereof, and FIG. 3B is a time chart showing operation waveforms at various parts in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 駆動ゲート選択回路 2,3 nMOS(コンダクタンスンス・抵抗の逆数が
大) 4 直流電源(VDD) 5 ドライバ回路 5a 付加ドライバ回路 6 入力遷移検出回路 7 入力遷移時付加ドライバゲート駆動回路 8,9 nMOS(コンダクタンスンスが小) 10 入力信号(IN) 11,12 ナンド 13,14 ノード(IN1,IN2) 15 コンデンサ負荷(CL) 21,31 nMOS内部抵抗 21a,31a nMOS内部抵抗の内側端子 61,62,63,65,66,67,68,75,76,80 インバータ 60,64,69, 71,72,73,74 ノア 77,78 ノード(T1,T2) 79a,79b,79c,79d ノード(IN3,IN4,IN5,
IN6) 100 出力(OUT) 101 出力”H”レベル電流(IOH) 102 出力”L”レベル電流(IOL)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Drive gate selection circuit 2, 3 nMOS (The reciprocal of conductance and resistance is large) 4 DC power supply (VDD) 5 Driver circuit 5a Additional driver circuit 6 Input transition detection circuit 7 Additional driver gate drive circuit at the time of input transition 8, 9 nMOS (Small conductance) 10 Input signal (IN) 11,12 Nand 13,14 Node (IN1, IN2) 15 Capacitor load (CL) 21,31 nMOS internal resistance 21a, 31a Inner terminal of nMOS internal resistance 61,62, 63,65,66,67,68,75,76,80 Inverter 60,64,69,71,72,73,74 Noah 77,78 Node (T1, T2) 79a, 79b, 79c, 79d Node (IN3, IN4, IN5
IN6) 100 output (OUT) 101 output "H" level current (IOH) 102 output "L" level current (IOL)

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Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子回路上大きな負荷を駆動するドライ
バ回路において、 入力信号の論理について”H”レベルより”L”レベル
へあるいは”L”レベルより”H”レベルへの状態の変
化を検出してワンショットパルスを発生させる入力遷移
検出回路と、 大きなコンダクタンスを持つ第1のドライバ回路と、小
さなコンダクタンスを持つ第2の付加ドライバ回路と、 前記入力遷移検出回路にて入力信号を第1のドライバ回
路へ導く第1の論理ゲートと、前記入力遷移検出回路に
て入力信号を第2の付加ドライバ回路へ導く第2の論理
ゲートとからなる入力遷移時付加ドライバゲート駆動回
路とを具備することを特徴とするドライバ回路装置。
In a driver circuit for driving a large load on an electronic circuit, a change in state of the logic of an input signal from "H" level to "L" level or from "L" level to "H" level is detected. An input transition detection circuit for generating a one-shot pulse, a first driver circuit having a large conductance, a second additional driver circuit having a small conductance, and a first driver for inputting an input signal by the input transition detection circuit. An input transition additional driver gate drive circuit comprising: a first logic gate leading to a circuit; and a second logic gate leading an input signal to a second additional driver circuit in the input transition detection circuit. Characteristic driver circuit device.
【請求項2】 請求項1に記載のドライバ回路装置にお
いて、 前記入力遷移検出回路は、 1つの入力信号を2系統に分離し時間差ルートを経て入
力させた第1のノア回路と、さらに前記分離前に第1の
インバータで反転させた前記2系統に分離し時間差ルー
トを経て入力させた第2のノア回路と、 前記第1のノア回路と前記第2のノア回路との出力を入
力とし両者の論理和を出力とするノア回路とを備えてい
ることを特徴とする請求項1に記載のドライバ回路装
置。
2. The driver circuit device according to claim 1, wherein the input transition detection circuit includes: a first NOR circuit that separates one input signal into two systems and inputs the signals through a time difference route; A second NOR circuit which has been separated into the two systems previously inverted by the first inverter and input through a time difference route, and outputs of the first NOR circuit and the second NOR circuit which are input and both 2. The driver circuit device according to claim 1, further comprising a NOR circuit that outputs the logical sum of
【請求項3】 請求項1または請求項2に記載のドライ
バ回路装置において、 前記入力遷移時付加ドライバゲート駆動回路は、 前記入力遷移検出回路の出力段に設けた第2のインバー
タの出力段に、入力信号の論理に対応して駆動するドラ
イバのゲートを選択する駆動ゲート選択回路の2出力と
それぞれ論理和をとる2つの第3のノア回路と、前記駆
動ゲート選択回路の2出力と前記第2のインバータの出
力段に設けた第3のインバータの出力とのそれぞれ論理
和をとる2つの第4のノア回路とを備え、 第3のノア回路の出力段は前記第1のドライバ回路のゲ
ートへ接続され、 第4のノア回路の出力段は前記第2
の付加ドライバ回路のゲートへ接続されて構成されたこ
とを特徴とする請求項1または請求項2に記載のドライ
バ回路装置。
3. The driver circuit device according to claim 1, wherein the additional driver gate drive circuit at the time of input transition is connected to an output stage of a second inverter provided at an output stage of the input transition detection circuit. , Two third NOR circuits for performing a logical OR operation with two outputs of a drive gate selection circuit for selecting a gate of a driver to be driven according to the logic of an input signal, and two outputs of the drive gate selection circuit and the second output. And two fourth NOR circuits each performing an OR operation with an output of a third inverter provided at an output stage of the second inverter. The output stage of the third NOR circuit has a gate of the first driver circuit. And the output stage of the fourth NOR circuit is connected to the second stage.
3. The driver circuit device according to claim 1, wherein said driver circuit device is connected to a gate of said additional driver circuit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100568545B1 (en) 2004-10-05 2006-04-07 삼성전자주식회사 Signal driving circuit

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