JP2001177002A

JP2001177002A - モジュール基板及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001177002A
Application number: JP34123299A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Furuide; 朋之古出; Kazuyoshi Nakatani; 和義中谷; Masanobu Okada; 雅信岡田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1999-10-05
Filing date: 1999-11-30
Publication date: 2001-06-29

Abstract

(57)【要約】【課題】基板等に反りが生じる場合であっても端面ス
ルーホールをマザーボードに確実に接続する。【解決手段】基板１１の端面１１Ｃには凹湾曲状の端
面スルーホール１３を形成する。また、端面スルーホー
ル１３は、基板１１の外周縁に設けられた略半長円穴形
状の端面開口溝１４と、この端面開口溝１４の奥部に設
けられた略半円弧状をなす電極１５によって構成する。
そして、端面開口溝１４には半田１７を充填する。これ
により、半田１７を加熱したときには、半田１７が基板
１１の裏面側に垂下し、端面スルーホール１３とマザー
ボードの電極パッドとの間を接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半田付けによって
マザーボードと電気的に接続するためのモジュール基板
及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化に伴い、回路基
板に実装される半導体ＩＣ、能動部品、受動部品等の電
子部品の高密度化が進んでいる。このため、中間検査の
重要性、実装の容易性等の観点から、電子部品をモジュ
ール基板に予めサブアッセンブリした後、このモジュー
ル基板を半田付け等の接合手段を用いてマザーボードに
取り付けている（例えば特開昭６３−２０４６９３号公
報等）。

【０００３】このような従来技術によるモジュール基板
は、図３０ないし図３３に示すように、略四角形状の絶
縁性樹脂材料と導体からなる配線とから構成される基板
１と、該基板１の外周縁を形成する４辺の端面に凹湾曲
状に設けられた複数の端面スルーホール２とからなり、
該各端面スルーホール２は略半円形状の端面開口溝２Ａ
と、該端面開口溝２Ａの内壁面全体に亘って設けられた
電極２Ｂとによって構成されると共に、前記端面開口溝
２Ａ内には半田２Ｃが充填されている。また、電極２Ｂ
には基板１の表面側に設けられた配線３が接続され、該
配線３を通じて電極２Ｂは基板１の表面側中央に設けら
れた電子部品４に接続されている。

【０００４】そして、このように構成されたモジュール
基板をマザーボード５上に載置した状態で加熱する。こ
れにより、端面スルーホール２の半田２Ｃが溶融してマ
ザーボード３上の電極パッド６に付着し半田付けを行う
ことができる。この結果、電極２Ｂと電極パッド６との
間には、図３１および図３２に示すように、半田が滑ら
かな湾曲形状をなすフィレット７が形成される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来技術では、基板１の表面に実装された電子部品４をマ
ザーボード５の電極パッド６と電気的に接続するため
に、基板１の表面には導体による配線３が設けられてい
る。また、基板１としては、電子部品４をアースに接続
するための接地用配線パターンが基板１の内部に設けら
れた多層基板が使用されることもある。

【０００６】この場合、導体からなる配線３等と基板１
を構成する樹脂材料とでは熱膨張率が異なるため、基板
１の加工時や半田付けに伴う加熱時等に、図３１中の矢
示Ａ方向に示すような湾曲した反りが基板１に生じるこ
とがある。また、同様にマザーボード５にも反りが生じ
ることがあり、基板１の端面スルーホール２とマザーボ
ード５の電極パッド６との間に隙間が生じることがあ
る。

【０００７】この結果、端面スルーホール２の半田２Ｃ
を加熱によって溶融させても、その表面張力によって半
田２Ｃは、図３３に示すように略球形状となってマザー
ボード５の電極パッド６に接触せず、端面スルーホール
２を電極パッド６に接続できないという問題がある。

【０００８】更に、近年は電子機器の薄型化に伴って、
基板１やマザーボード５を薄くする傾向がある。このた
め、基板１、マザーボード５の反りが大きくなり、端面
スルーホール２と電極パッド６との接続不良が生じ易
い。

【０００９】本発明は上述した従来技術の問題に鑑みな
されたもので、本発明の目的は、基板等に反りが生じる
場合であっても端面スルーホールをマザーボードに確実
に接続することができるモジュール基板及びその製造方
法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は、表面側に電子部品が搭載される基板
と、該基板の外周縁を形成する端面に設けられ前記電子
部品を基板の裏面側に設けられるマザーボードに接続す
る複数の端面スルーホールとからなるモジュール基板に
適用される。

【００１１】そして、請求項１の発明によるモジュール
基板の特徴は、各端面スルーホールを、基板の端面に開
口して設けられた端面開口溝と、該端面開口溝の内壁面
の一部に設けられた電極とによって構成し、前記端面開
口溝には電極とマザーボードとを接続するための半田を
収容したことにある。

【００１２】このように構成したことにより、モジュー
ル基板をマザーボード上に載置した状態で加熱すること
によって、端面開口溝に収容した半田は溶融する。この
とき、溶融した半田は、端面開口溝の内壁面の一部に設
けられた電極によって基板に付着した状態に支持され
る。この結果、電極によって支持できない半田は基板の
下側に垂下するから、基板の端面スルーホールとマザー
ボードの電極パッドとの間に隙間が形成されるときであ
っても、端面スルーホールと電極パッドとを溶融した半
田によって接続することができ、これらの間にフィレッ
トを形成することができる。

【００１３】また、請求項２の発明は、電極を端面開口
溝のうち溝底側に設けたことにある。

【００１４】これにより、加熱によって半田が溶融した
ときには、この溶融した半田を端面開口溝内に保持する
ことができる。また、電極が端面開口溝の溝底側に設け
られているから、電極と基板の表面中央側に設けられた
電子部品との間を容易に接続することができる。

【００１５】また、請求項３の発明は、端面開口溝を、
基板の端面に向けて開口し半田を収容するための半田収
容部と、該半田収容部に連続して溝底側に設けられ、当
該溝底に前記電極を形成すると共に該半田収容部と協働
して半田を収容する電極形成部とによって構成したこと
にある。

【００１６】これにより、基板等を加熱することによっ
て端面開口溝に収容された半田は溶融する。このとき、
半田収容部に収容された半田は支持するものを失うた
め、電極形成部に設けられた電極に連なりつつ基板の下
側に垂下する。この結果、基板の端面スルーホールとマ
ザーボードの電極パッドとの間に隙間が形成されるとき
であっても、端面スルーホールと電極パッドとを溶融し
た半田によって接続することができる。

【００１７】また、請求項４の発明は、基板の表面側に
は、端面開口溝の周囲に位置して電極に接続された電極
接続部と該電極接続部から前記電子部品に向けて延びる
線路部とからなる配線を設け、該配線の電極接続部は電
極の内壁面と対応した位置まで延びる構成としたことに
ある。

【００１８】これにより、配線の電極接続部は電極の内
壁面に対応した位置まで延び、電極の内壁面から基板の
端面側には設けられることはない。このため、端面開口
溝に収容された半田のうち電極に接触した部位は、配線
の電極接続部に接触し、他の部位は電極接続部に接触す
ることがない。従って、半田が溶融したときには、電極
と接触した部位の半田は、電極と電極接続部とに引き付
けられて接合状態が保持されるものの、他の部位の半田
は、支持するものがないから、容易に基板の裏面側に垂
下させることができる。

【００１９】また、請求項５の発明は、基板の表面側に
は、端面開口溝の周囲に位置して電極に接続された電極
接続部と、該電極接続部から電子部品に向けて延びる線
路部とからなる配線を設け、該配線の電極接続部のうち
電極よりも基板の端面側に位置する部位はレジスト膜に
よって覆う構成としたことにある。

【００２０】この場合、レジスト膜によって配線の電極
接続部のうち電極よりも基板の端面側に位置する部位を
覆うから、この部位の電極接続部が半田に接触すること
はなくなる。このため、半田が溶融したときには、電極
と接触した部位の半田は、電極と電極接続部とに引き付
けられて接合状態が保持されるものの、他の部位の半田
は、支持するものがないから、容易に基板の裏面側に垂
下させることができる。

【００２１】また、請求項６の発明は、電極を、前記端
面開口溝の内壁面に全面に亘って設けられた電極膜と、
該電極膜のうち一部を覆うレジスト膜とによって構成し
たことにある。

【００２２】これにより、端面開口溝に設けられた電極
膜のうちレジスト膜で覆われていない部位は、端面開口
溝内に露出して半田に接触する。一方、レジスト膜で覆
われた部位は、半田に接触せず、支持するものがないか
ら、この部位の半田は容易に基板の裏面側に垂下させる
ことができる。

【００２３】また、請求項７の発明による端面開口溝
は、その一部を円弧状に形成している。これにより、端
面開口溝を円形な穴加工等によって容易に形成できる。

【００２４】また、請求項８の発明による端面開口溝
は、角形状に形成している。これにより、端面開口溝の
占める面積を減少させ、集積度を高めることができる。

【００２５】また、請求項９の発明は、表面側に電子部
品が搭載される基板と、該基板の外周縁を形成する端面
に設けられ前記電子部品を基板の裏面側に設けられるマ
ザーボードに接続する複数の端面スルーホールとからな
るモジュール基板の製造方法であって、加工用基板に隣
接した２個の貫通孔を列状に多数個形成する貫通孔加工
工程と、該各貫通孔の内壁全面に電極膜を設ける電極膜
加工工程と、前記各貫通孔の内壁面の両端側に位置する
電極膜を除いて前記貫通孔を連結した状態の半田収容孔
を加工する半田収容孔加工工程と、該半田収容孔に半田
を収容して固定する半田収容工程と、該半田収容工程に
よって半田が固定された半田収容孔の中央から加工用基
板を切断し端面スルーホールを有するモジュール基板と
して加工する基板切断工程とから構成したことにある。

【００２６】これにより、貫通孔加工工程によって加工
用基板に隣接した２個の貫通孔を形成し、電極膜加工工
程によってこれらの貫通孔の内壁全面に電極膜を形成す
ることができる。そして、半田収容孔加工工程によって
２個の貫通孔を連結した半田収容孔を形成し、半田収容
工程によって半田収容孔内に半田を固定した後に、基板
切断工程によって半田収容孔を切り離す。これにより、
加工用基板から端面スルーホールを有するモジュール基
板を製造することができる。

【００２７】また、請求項１０は、表面側に電子部品が
搭載される基板と、該基板の外周縁を形成する端面に設
けられ前記電子部品を基板の裏面側に設けられるマザー
ボードに接続する複数の端面スルーホールとからなるモ
ジュール基板の製造方法であって、加工用基板に隣接し
た２個の貫通孔を列状に多数個形成する貫通孔加工工程
と、前記加工用基板の表面側には各貫通孔の周囲に配線
を設ける配線加工工程と、該各貫通孔の内壁全面に前記
配線と接続可能な電極膜を設ける電極膜加工工程と、各
貫通孔の内壁面の両端側に位置する部位を除いて前記配
線をレジスト膜によって覆うレジスト膜加工工程と、前
記各貫通孔の内壁面の両端側に位置する電極膜を除いて
前記貫通孔を連結した状態の半田収容孔を加工する半田
収容孔加工工程と、該半田収容孔に半田を収容して固定
する半田収容工程と、該半田収容工程によって半田が固
定された半田収容孔の中央から加工用基板を切断し端面
スルーホールを有するモジュール基板として加工する基
板切断工程とから構成したことにある。

【００２８】これにより、貫通孔加工工程によって加工
用基板に隣接した２個の貫通孔を形成した後、配線加工
工程によって加工用基板の表面側に配線を形成し、電極
膜加工工程によってこれらの貫通孔の内壁全面に電極膜
を形成することができる。次に、基板の表面側にレジス
ト膜を設け、レジスト膜によって配線を覆う。そして、
半田収容孔加工工程によって２個の貫通孔を連結した半
田収容孔を形成し、半田収容工程によって半田収容孔内
に半田を固定した後に、基板切断工程によって半田収容
孔を切り離す。これにより、加工用基板から端面スルー
ホールを有するモジュール基板を製造することができ
る。

【００２９】また、請求項１１の発明は、表面側に電子
部品が搭載される基板と、該基板の外周縁を形成する端
面に設けられ前記電子部品を基板の裏面側に設けられる
マザーボードに接続する複数の端面スルーホールとから
なるモジュール基板の製造方法であって、加工用基板に
貫通孔を形成する貫通孔加工工程と、前記加工用基板の
表面側には前記貫通孔の周囲に配線膜を設ける配線膜加
工工程と、前記貫通孔の内壁全面に前記配線膜と接続可
能な電極膜を設ける電極膜加工工程と、前記貫通孔の内
壁面のうち互いに対向する両端側にレジスト膜を設ける
レジスト膜加工工程と、前記貫通孔に半田を収容して固
定する半田収容工程と、前記貫通孔の中央から加工用基
板を切断し端面スルーホールを有するモジュール基板と
して加工する基板切断工程とから構成したことにある。

【００３０】これにより、貫通孔加工工程によって加工
用基板に貫通孔を形成し、配線膜加工工程によって貫通
孔の周囲に配線膜を設け、電極膜加工工程によって貫通
孔の内壁全面に電極膜を形成することができる。そし
て、レジスト膜加工工程によって貫通孔内のうち互いに
対向する両端側にレジスト膜を設ける。このとき、貫通
孔内のうちレジスト膜に間に位置する部位は、電極膜が
露出した状態となる。次に、半田収容工程によって貫通
孔内に半田を固定した後に、基板切断工程によって貫通
孔を切り離す。これにより、加工用基板から端面スルー
ホールを有するモジュール基板を製造することができ
る。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による
モジュール基板を図１ないし図２９に基づき詳細に説明
する。

【００３２】まず、図１ないし図１１は、本発明の第１
の実施の形態を示し、１１は例えば絶縁性樹脂材料と導
体による配線パターン（図示せず）を交互に積層して形
成した積層体からなる基板で、該基板１１の外周縁には
後述する複数の端面スルーホール１３が形成されてい
る。なお、基板１１は、縦横の長さ寸法が例えば３０ｍ
ｍ程度の略四角形状に形成されている。また、基板１１
の表面１１Ａ中央側には、半導体ＩＣ、能動部品、ある
いは受動部品等の電子部品１２が実装されている。

【００３３】１３，１３，…は基板１１の外周縁を形成
する４辺の端面１１Ｃに設けられた端面スルーホール
で、該各端面スルーホール１３は、後述する端面開口溝
１４、電極１５によって構成されている。

【００３４】１４，１４，…は基板１１の外周縁に凹湾
曲状をなして設けられた端面開口溝で、該各端面開口溝
１４は、図２に示すように基板１１の各側面をなす端面
１１Ｃから１ｍｍ程度に亘って略直線状に延び後述の半
田１７を収容する半田収容部１４Ａと、該半田収容部１
４Ａに連続して溝底側に設けられ、半田収容部１４Ａと
協働して半田を収容する略半円形状の電極形成部１４Ｂ
とによって構成されている。また、電極形成部１４Ｂ
は、１ｍｍ程度の内径寸法を有すると共に、その内壁面
には後述する電極１５が形成されている。そして、端面
開口溝１４は、基板１１の厚さ方向に貫通して設けら
れ、基板１１の表面１１Ａと裏面１１Ｂとに略半長円穴
形状の開口を形成している。

【００３５】１５，１５，…は端面開口溝１４の内壁面
の一部に設けられた電極で、該電極１５は、端面開口溝
１４の溝底側（奥部側）に位置して電極形成部１４Ｂを
覆った状態で形成されている。そして、電極１５は基板
１１の表面１１Ａに設けられた配線１６に接続され、該
配線１６を通じて基板１１の中央部に設けられた電子部
品１２に接続されるものである。

【００３６】また、配線１６は、端面開口溝１４の周囲
に位置して電極１５に接続された半円弧状の電極接続部
１６Ａと、該電極接続部１６Ａから基板１１の中央部側
に向けて延び電子部品１２に接続された線路部１６Ｂと
によって構成されている。また、配線１６の電極接続部
１６Ａは、電極１５の内壁面に対応した位置まで延びる
ものの、電極１５の位置よりも基板１１の端面１１Ｃ側
には延びておらず、基板１１の表面１１Ａが露出した状
態となっている。

【００３７】１７，１７，…は各端面開口溝１４に収容
（充填）されて固定された半田で、該半田１７は、加熱
炉等によって加熱することによって溶融してその先端が
基板１１の裏面１１Ｂ側に垂下するものである。そし
て、半田１７は、マザーボード５の電極パッド６に接触
することによって、電極１５と電極パッド６との間に後
述のフィレット２６を形成するものである。

【００３８】本実施の形態によるモジュール基板は上述
の如く構成されるものであり、次にその製造方法を図３
ないし図８を参照しつつ説明する。なお、本実施の形態
では図３に示すように１枚の加工用基板２１から４枚の
モジュール基板を加工する場合を例に挙げている。

【００３９】まず、貫通孔加工工程では、図４に示すよ
うに例えば４枚のモジュール基板を製造するための加工
用基板２１を円形の金型によって打ち抜き、互いに隣接
した２個の貫通孔２２を列状に多数個加工する。このと
き、貫通孔２２は例えば１ｍｍ程度の内径寸法を有する
と共に、互いに隣接する貫通孔２２，２２の中心位置は
例えば１ｍｍ程度離間するものである。

【００４０】次に、図５に示す電極膜加工工程では、例
えば貫通孔２２にメッキ処理等を施し、貫通孔２２の内
壁面には全面に亘って電極膜２３を形成する。その後、
加工用基板２１の表面側にフォトレジスト等のマスクを
形成し、エッチング処理を施すことによって電極膜２３
に接続された配線１６を形成する。

【００４１】次に、図６に示す半田収容孔加工工程で
は、隣接する２個の貫通孔２２，２２の間を略四角形状
の金型２４によって打ち抜き２個の貫通孔２２が連結さ
れた長円穴状の半田収容孔２５が形成される。このと
き、貫通孔２２の内壁面に形成された電極膜２３は、金
型２４によってその半分が切除されるから、半田収容孔
２５の両端側には略半円弧状の電極１５が形成される。

【００４２】次に、図７に示す半田収容工程では、例え
ば加工用基板２１を半田槽に浸漬することによって、半
田収容孔２５内に溶融した半田１７を収容して固定（充
填）する。このとき、半田１７は、半田収容孔２５の両
端側に設けられた電極１５に付着すると共に、その表面
張力によって長円穴状をなした半田収容孔２５内を満た
した状態で保持される。なお、溶融した半田１７を充填
する代わりに、ペースト状のクリーム半田、粒状の半田
を半田収容孔２５内に収容し、これを加熱、冷却するこ
とによって、半田収容孔２５内に半田１７を固定しても
よい。

【００４３】最後に、基板切断工程では、図８に示すよ
うにダイヤモンドカッタ等を用いて加工用基板２１を半
田収容孔２５を中央から両断する位置で切断する。これ
により、図３に示すように４枚のモジュール基板が製造
されると共に、各モジュール基板の外周縁には半長円穴
形状の端面スルーホール１３が形成される。

【００４４】本実施の形態によるモジュール基板は上述
の製造方法によって形成されるものであり、次にこのモ
ジュール基板をマザーボード上に接合する場合について
説明する。

【００４５】まず、従来技術と同様にモジュール基板を
マザーボード５上に載置した状態で加熱する。これによ
り、溶融した半田１７は、端面開口溝１４に設けられた
電極１５によって基板１１に付着した状態に支持され
る。このとき、電極１５は端面開口溝１４の内壁面のう
ち一部の箇所にしか設けられていないから、電極１５が
設けられていない端面開口溝１４の半田収容部１４Ａに
収容されていた半田１７′は、その表面張力のバランス
を失い、図９中に二点鎖線で示すように基板１１の裏面
１１Ｂ側に垂下する。

【００４６】この結果、基板１１に反りが発生してしま
った場合のように、基板１１の端面スルーホール１３と
マザーボード５の電極パッド６との間に例えば０．４ｍ
ｍ程度の隙間が形成されるときであっても、半田１７′
の先端がマザーボード５の電極パッド６に接触するか
ら、基板１１の電極１５とマザーボード５の電極パッド
６とを溶融した半田１７′によって接続することがで
き、これらの間にフィレット２６を形成することができ
る。

【００４７】かくして、本実施の形態では、端面スルー
ホール１３を、基板１１の外周縁に設けられた端面開口
溝１４と、該端面開口溝１４の内壁面の一部に設けられ
た電極１５とによって構成し、端面開口溝１４には半田
１７を収容したから、加熱等によって半田１７を溶融さ
せたときには、半田１７を基板１１の裏側に垂下させる
ことができる。このため、基板１１等に反りが生じ、基
板１１の端面スルーホール１３とマザーボード５の電極
パッド６との間に隙間が発生するときであったも、垂下
した半田１７によって端面スルーホール１３と電極パッ
ド６との間を接続し、これらの間にフィレット２６を形
成することができる。

【００４８】また、電極１５を端面開口溝１４のうち溝
底側となる奥部に設けたから、加熱によって半田１７が
溶融したときには、この溶融した半田１７を端面開口溝
１４内に保持することができる。また、電極１５が端面
開口溝１４の溝底側に設けられているから、電極１５と
基板１１の表面１１Ａ中央側に設けられた電子部品１２
との間を接続する配線１６を短くでき、これらの間を容
易に接続することができる。

【００４９】また、端面開口溝１４を、基板１１の端面
１１Ｃに開口した半田収容部１４Ａと、該半田収容部１
４Ａに連続して電極１５が形成された電極形成部１４Ｂ
とによって構成したから、従来技術のように端面開口溝
１４の内壁面の全面に亘って電極１５を設けた場合に比
べて、より多量の半田１７を端面開口溝１４内に収容で
きる。

【００５０】従って、半田１７が溶融したときには、半
田収容部１４Ａに充填された半田１７は支持するものを
失うため、溶融した半田１７の表面張力のバランスを崩
し、電極形成部１４Ｂに設けられた電極１５に連なりつ
つ基板１１の裏面１１Ｂ側に垂下させることができる。
この結果、基板１１に反りが発生した場合のように、基
板１１の端面スルーホール１３とマザーボード５の電極
パッド６との間に隙間が形成されるときであっても、端
面スルーホール１３と電極パッド６とを溶融した半田１
７によって接続することができる。

【００５１】また、配線１６の電極接続部１６Ａは、電
極１５の内壁面に対応した位置まで延びる構成としたか
ら、端面開口溝１４に収容された半田１７のうち電極１
５よりも基板１１の端面１１Ｃ側に位置する部位は、電
極接続部１６Ａに接触せず、電極接続部１６Ａによって
基板１１の表面１１側に引き付けられることはなくな
る。

【００５２】即ち、図１０に示す比較例のように、配線
１６′の電極接続部１６Ａ′を電極１５よりも基板１１
の端面１１Ｃ側にまで延びる構成とした場合には、溶融
した半田１７は、その表面張力によって盛り上がると共
に、電極接続部１６Ａ′に引き付けられて矢示Ｂ方向に
拡がる傾向がある。このため、電極１５と基板１１の端
面１１Ｃとの間に位置する半田１７は、電極接続部１６
Ａ′によって基板１１の表面１１Ａ側に引き付けられ、
裏面側１１Ｂ側に垂下しにくい傾向がある。

【００５３】これに対し、本実施の形態では、配線１６
の電極接続部１６Ａを電極１５の内壁面に対応した位置
まで延伸させ、電極１５よりも基板１１の端面１１Ｃ側
には設けない構成としたから、溶融した半田１７のうち
電極１５に接触した部位は、電極１５との接合状態を保
持し、電極１５よりも基板１１の端面１１Ｃ側に位置す
る部位は、支持するものがなくなる。このため、端面開
口溝１４の半田収容部１４Ａに収容した半田１７を、基
板１１の裏面１１Ｂ側に容易に垂下させることができ
る。

【００５４】また、端面開口溝１４の一部である電極形
成部１４Ｂを円弧状に形成したから、端面開口溝１４を
従来から汎用されている円形な金型を用いた穴加工等に
よって容易に形成でき、新規な設備を不要とし、製造コ
ストを低減することができる。

【００５５】さらに、本実施の形態では貫通孔加工工程
によって隣接した２個の貫通孔２２を設け、電極膜加工
工程によって貫通孔２２の内壁全面に電極膜２３を形成
した後、半田収容孔加工工程によってこれらの貫通孔を
連結した半田収容孔２５を加工するから、例えば角形の
金型２４によって容易に２個の貫通孔２２を連結し、長
円穴状の半田収容孔２５を形成できると共に、その両端
側に電極１５を残存させることができる。そして、半田
収容工程によって半田収容孔２５内に半田１７を充填し
たときには、電極１５によって半田１７を半田収容孔２
５内に保持することができる。最後に、基板切断工程に
よって加工用基板２１を切断することによって半田収容
孔２５を両断し、半田１７が収容された状態の端面スル
ーホール１３を容易に形成することができる。

【００５６】なお、前記第１の実施の形態では、電極１
５を端面開口溝１４の溝底側に形成するものとしたが、
例えば図１１に示す変形例のように、電極１５′を端面
開口溝１４の開口側の一方に片寄せて設けてもよい。

【００５７】次に、図１２ないし図２０は第２の実施の
形態によるモジュール基板を示し、本実施の形態の特徴
は、基板の表面側に設けた配線のうち電極の位置よりも
基板の端面側にある部位をレジスト膜によって覆ったこ
とにある。なお、本実施の形態では前述した第１の実施
の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明
を省略するものとする。

【００５８】３１，３１，…は第２の実施の形態による
端面スルーホールで、該各端面スルーホール３１は、図
１２に示すように第１の実施の形態による端面スルーホ
ール１３と同様に基板１１の外周縁を形成する４辺の端
面１１Ｃに設けられている。そして、端面スルーホール
３１は、後述する端面開口溝３２、電極３３によって構
成されている。

【００５９】３２，３２，…は基板１１の外周縁に凹湾
曲状をなして設けられた端面開口溝で、該各端面開口溝
３２は、第１の実施の形態による端面開口溝１４と同様
に半円穴形状に形成され、基板１１の各側面をなす端面
１１Ｃ側に開口した半田収容部３２Ａと、該半田収容部
３２Ａに連続して溝底側に設けられた電極形成部３２Ｂ
とによって構成されている。

【００６０】３３，３３，…は端面開口溝３２の内壁面
の一部に設けられた電極で、該電極３３は、端面開口溝
３２の溝底側（奥部側）に位置して電極形成部３２Ｂを
覆った状態で形成されている。

【００６１】３４，３４，…は基板１１の表面１１Ａに
設けられた配線で、該配線３４は、端面開口溝３２の周
囲に位置して電極３３に接続された円弧状の電極接続部
３４Ａと、該電極接続部３４Ａから基板１１の中央部側
に向けて延び電子部品１２に接続された線路部３４Ｂと
によって構成されている。そして、配線３４は、電極３
３と電子部品（図示せず）との間を接続している。

【００６２】３５は基板１１の表面１１Ａにほぼ全面に
亘って塗布された表面側のレジスト膜で、該レジスト膜
３５には、配線３４の電極接続部３４Ａのうち電極３３
に接続された端面開口溝３２の溝底側に位置する部位を
露出させる半円弧状の切欠部３５Ａが設けられている。
また、レジスト膜３５は、切欠部３５Ａの両端に位置し
て電極接続部３４Ａのうち電極３３よりも基板１１の端
面１１Ｃ側に位置する略三角形の部位を覆う一対の被覆
部３５Ｂ，３５Ｂを有している。そして、レジスト膜３
５は、配線３４等の表面を保護し、その腐食を防止して
いる。

【００６３】３６，３６，…は各端面開口溝３２に収容
されて固定された半田で、該半田３６は、加熱炉等によ
って加熱することによって溶融してその先端が基板１１
の裏面１１Ｂ側に垂下するものである。

【００６４】本実施の形態によるモジュール基板は上述
の如く構成されるものであり、次にその製造方法を図１
３ないし図１９を参照しつつ説明する。

【００６５】まず、図１３に示す貫通孔加工工程では、
第１の実施の形態と同様に加工用基板４１を円形の金型
によって打ち抜き、互いに隣接した２個の貫通孔４２を
列状に多数個加工する。

【００６６】次に、図１４に示す配線加工工程では、加
工用基板４１の表面側にフォトレジスト等のマスクを形
成し、エッチング処理を施すことによって配線３４′を
設ける。このとき、配線３４′の電極接続部３４Ａ′
は、貫通孔４２の周囲に位置して貫通孔４２を取囲むリ
ング状に形成されている。また、該電極接続部３４Ａ′
には線路部３４Ｂ′が接続され、線路部３４Ｂ′は、互
いに隣接した２個の貫通孔４２から離間する方向に向け
て延びている。

【００６７】次に、図１５に示す電極膜加工工程では、
貫通孔４２にメッキ処理等を施し、貫通孔４２の内壁面
には全面に亘って電極膜４３を形成する。このとき、電
極膜４３は、配線３４′の電極接続部３４Ａ′に接続し
ている。

【００６８】次に、図１６に示すレジスト膜加工工程で
は、加工用基板４１の表面側に略全面に亘って絶縁性材
料からなるレジストを塗布し、レジスト膜３５′を形成
する。また、レジスト膜３５′には、２個の貫通孔４２
の両端側にそれぞれ位置して半円弧状の切欠部３５Ａ′
が設けられ、該各切欠部３５Ａ′は、配線３４′の電極
接続部３４Ａ′を部分的に露出させている。このため、
レジスト膜３５′は、配線３４′の電極接続部３４Ａ′
のうち残余の部分を覆う被覆部３５Ｂ′を有している。

【００６９】次に、図１７に示す半田収容孔加工工程で
は、隣接する２個の貫通孔４２，４２の間を略四角形状
の金型４４によって打ち抜き、２個の貫通孔４２が連結
された長円穴状の半田収容孔４５が形成する。このと
き、貫通孔４２の内壁面に形成された電極膜４３は、金
型４４によってその半分が切除されるから、半田収容孔
４５の両端側には略半円弧状の電極３３が形成される。
また、リング状をなす電極接続部３４Ａ′の一部が除去
されることによって、電極接続部３４Ａと線路部３４Ｂ
とからなる配線３４が形成される。一方、略Ｕ字状をな
す配線３４の電極接続部３４Ａのうち略三角形状となっ
た両端側は、レジスト膜３５′の被覆部３５Ｂ′によっ
て覆われている。

【００７０】次に、図１８に示す半田収容工程では、例
えば半田収容孔４５内に溶融した半田３６を充填する。
このとき、半田３６は、半田収容孔４５の両端側に設け
られた電極３３に付着すると共に、その表面張力によっ
て長円穴状をなした半田収容孔４５内を満たした状態で
保持され、固定される。

【００７１】最後に、図１９に示す基板切断工程では、
ダイヤモンドカッタ、金型等を用いて加工用基板４１を
半田収容孔４５を中央から両断する位置で切断する。こ
れにより、複数のモジュール基板が製造されると共に、
各モジュール基板の外周縁には半長円穴形状の端面スル
ーホール３１が形成される。

【００７２】かくして、本実施の形態でも第１の実施の
形態と同様の作用効果を得ることができる。しかし、本
実施の形態では、レジスト膜３５の被覆部３５Ｂによっ
てＵ字状をなす電極接続部３４Ａの両端側を覆う構成と
したから、加熱によって半田３６が溶融したときに、該
半田３６が電極接続部３４Ａに引き付けられることがな
くなる。

【００７３】即ち、配線３４の電極接続部３４Ａのうち
電極３３よりも基板１１の端面１１Ｃ側に位置する部位
をレジスト膜３５によって覆う構成としたから、溶融し
た半田３６が電極接続部３４Ａの両端側に接触すること
がなくなる。このとき、端面開口溝３２の半田収容部３
２Ａ内に収容された半田３６は、支持するものを失うか
ら、基板１１の裏面１１Ｂ側に容易に垂下する。これに
より、基板１１等に反りが生じたときであっても、基板
１１とマザーボード５とを接合することができる。

【００７４】なお、前記第２の実施の形態では、半田収
容孔加工工程の前にレジスト膜３５を設ける構成とした
が、図２０に示す変形例のように半田収容孔加工工程の
後にレジスト膜３５″を設ける構成としてもよい。この
場合、端面開口溝３２のうち半田収容部３２Ａをレジス
ト膜３５″によって覆うことができるから、半田収容部
３２Ａの切断面が露出したときに比べて半田収容部３２
Ａと半田３６との摩擦抵抗を低減でき、半田３６を垂下
し易くすることができる。

【００７５】次に、図２１ないし図２７は第３の実施の
形態によるモジュール基板を示し、本実施の形態の特徴
は、電極を端面開口溝の全面に設けた電極膜と、該電極
膜の一部を覆うレジスト膜とによって構成したことにあ
る。なお、本実施の形態では前述した第１の実施の形態
と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略
するものとする。

【００７６】５１，５１，…は第３の実施の形態による
端面スルーホールで、該各端面スルーホール５１は、図
２１に示すように第１の実施の形態による端面スルーホ
ール１３と同様に基板１１の外周縁を形成する４辺の端
面１１Ｃに設けられている。そして、端面スルーホール
５１は、後述する端面開口溝５２、電極５３によって構
成されている。

【００７７】５２，５２，…は基板１１の外周縁に凹湾
曲状をなして設けられた端面開口溝で、該各端面開口溝
５２は、基板１１の厚さ方向に貫通して設けられ、基板
１１の表面１１Ａと裏面１１Ｂとに略半円形状の開口を
形成している。

【００７８】５３，５３，…は端面開口溝５２の内壁面
の一部に対応した部位が電気的に接続可能な状態で露出
して設けられた電極で、該電極５３は、端面開口溝５２
の内壁面に全面に亘って設けられた円弧状の電極膜５３
Ａと、該電極膜５３Ａのうち基板１１の端面１１Ｃ側に
位置する両端側を覆う壁面側のレジスト膜５３Ｂとによ
って形成されている。これにより、電極膜５３Ａのうち
端面開口溝５２の溝底側の部位は、後述の半田５６に接
合可能な状態で露出した接合部５３Ｃとなり、基板１１
の端面１１Ｃ側の部位は、レジスト膜５３Ｂによって覆
われることによって半田５６に接触不能な状態となって
いる。

【００７９】５４，５４，…は基板１１の表面１１Ａに
設けられた配線で、該配線５４は、端面開口溝５２の周
囲に位置して電極膜５３Ａに接続された円弧状の電極接
続部５４Ａと、該電極接続部５４Ａから基板１１の中央
部側に向けて延び電子部品（図示せず）に接続された線
路部５４Ｂとによって構成されている。

【００８０】５５は基板１１の表面１１Ａ全面に設けら
れた表面側のレジスト膜で、該レジスト膜５５には、配
線５４の電極接続部５４Ａのうち電極５３の接合部５３
Ｃに対応した部位を露出させる半円弧状の切欠部５５Ａ
が設けられている。また、レジスト膜５５は、切欠部５
５Ａの両端に位置して電極接続部５４Ａのうち接合部５
３Ｃよりも基板１１の端面１１Ｃ側に位置する部位を覆
う被覆部５５Ｂ，５５Ｂとが設けられている。そして、
各被覆部５５Ｂは、端面開口溝５２内のレジスト膜５３
Ｂに接続されている。これにより、レジスト膜５５は、
配線５４等を保護し、腐食を防止すると共に、レジスト
膜５３Ｂと相まって後述の半田５６を端面開口溝５２か
ら垂下し易くしている。

【００８１】５６，５６，…は各端面開口溝５２に収容
された状態で固定された半田で、該半田５６は、加熱炉
等によって加熱することによって溶融してその先端が基
板１１の裏面１１Ｂ側に垂下するものである。

【００８２】本実施の形態によるモジュール基板は上述
の如く構成されるものであり、次にその製造方法を図２
２ないし図２７を参照しつつ説明する。

【００８３】まず、図２２に示す貫通孔加工工程では、
加工用基板６１を円形の金型によって打ち抜き、多数の
貫通孔６２を列状に加工する。このとき、貫通孔６２は
例えば２ｍｍ程度の比較的大きな内径寸法を有してい
る。

【００８４】次に、図２３に示す配線加工工程では、加
工用基板６１の表面側にフォトレジスト等のマスクを形
成し、エッチング処理を施すことによって配線膜６３を
設ける。このとき、配線膜６３は、貫通孔６２の周囲に
位置して貫通孔６２を取囲むリング部６３Ａと、該リン
グ部６３Ａに接続され貫通孔６２の列に直交した方向に
向けて延びる延伸部６３Ｂとによって構成されている。

【００８５】次に、図２４に示す電極膜加工工程では、
貫通孔６２にメッキ処理等を施し、貫通孔６２の内壁面
には全面に亘って円筒状電極膜６４を形成する。このと
き、円筒状電極膜６４は、配線膜６３のリング部６３Ａ
に接続している。

【００８６】次に、図２５に示すレジスト膜加工工程で
は、加工用基板６１の表面側に略全面に亘ってレジスト
を塗布し、表面側のレジスト膜６５を形成する。このと
き、レジストの一部は貫通孔６２内に供給され、円筒状
電極膜６４のうち貫通孔６２の列に沿って互いに対向す
る両端側を覆う一対の壁面側のレジスト膜６６，６６を
形成する。

【００８７】また、レジスト膜６５には、貫通孔６２の
列に直交した両端側に一対の切欠部６５Ａ，６５Ａが設
けられ、該各切欠部６５Ａは、貫通孔６２に沿って円弧
状をなし、配線膜６３のリング部６３Ａを部分的に露出
させている。一方、レジスト膜６５は、各切欠部６５Ａ
間に位置して貫通孔６２の列に沿った部位が配線膜６３
のリング部６３Ａを覆う被覆部６５Ｂ，６５Ｂとなって
いる。そして、該各被覆部６５Ｂは、円筒状電極膜６４
の内周側に向けて延びると共に、壁面側のレジスト膜６
６に接続されている。これにより、円筒状電極膜６４の
うち２つのレジスト膜６６間に位置する部位は、貫通孔
６２内に露出している。

【００８８】次に、図２６に示す半田収容工程では、貫
通孔６２内に例えば溶融した半田５６を充填する。この
とき、半田５６は、円筒状電極膜６４のうち貫通孔６２
内に露出した部位に付着した状態で保持され、固定され
る。

【００８９】最後に、図２７に示す基板切断工程では、
加工用基板６１を貫通孔６２の列に沿って切断する。こ
のとき、半円形状の端面開口溝５２が形成されると共
に、配線膜６３、円筒状電極膜６４が切断されることに
よって、配線５４、電極膜５３Ａが形成される。これに
より、複数のモジュール基板が製造されると共に、各モ
ジュール基板の外周縁には、端面開口溝５２に半田５６
を収容した状態で端面スルーホール５１を形成すること
ができる。

【００９０】かくして、本実施の形態でも第１の実施の
形態と同様の作用効果を得ることができる。しかし、本
実施の形態では、端面開口溝５２を半円形状に形成する
と共に、該端面開口溝５２内に設けられた電極膜５３Ａ
のうち基板１１の端面１１Ｃ側に位置する部位をレジス
ト膜５３Ｂによって覆う構成としたから、第１の実施の
形態のように半田収容孔加工工程を行う必要がなくな
る。このため、加工工程数を減少させ、生産性を向上さ
せることができる。

【００９１】次に、図２８および図２９は第４の実施の
形態によるモジュール基板を示し、本実施の形態の特徴
は、端面開口溝を角形状に形成したことにある。なお、
本実施の形態では前述した第１の実施の形態と同一の構
成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものと
する。

【００９２】７１は第４の実施の形態による端面スルー
ホールで、該端面スルーホール７１は、図２８に示すよ
うに第１の実施の形態による端面スルーホール１３と同
様に基板１１の外周縁を形成する４辺の端面１１Ｃに設
けられている。

【００９３】７２は基板１１の端面１１Ｃに凹設された
端面開口溝で、該各端面開口溝７２は、基板１１の表面
１１Ａ側に略四角形状の開口を形成している。そして、
端面開口溝７２の内壁面の一部には電極７３が設けら
れ、該電極７３は、端面開口溝７２の溝底側（奥部側）
に位置して、略平板形状をなしている。

【００９４】７４は基板１１の表面１１Ａに設けられた
配線で、該配線７４は、端面開口溝７２の周囲に位置し
て電極７３に接続された略コ字状の電極接続部７４Ａ
と、該電極接続部７４Ａから基板１１の中央部側に向け
て延び電子部品（図示せず）に接続された線路部７４Ｂ
とによって構成されている。

【００９５】７５は基板１１の表面１１Ａ全面に設けら
れた表面側のレジスト膜で、該レジスト膜７５には、配
線７４の電極接続部７４Ａのうち電極７３に対応した部
位を露出させる略四角形状の切欠部７５Ａが設けられて
いる。また、レジスト膜７５は、切欠部７５Ａの両端に
位置して電極接続部７４Ａのうち電極７３よりも基板１
１の端面１１Ｃ側に位置する部位を覆う被覆部７５Ｂ，
７５Ｂとが設けられている。

【００９６】７６は端面開口溝７２に収容された状態で
固定された半田で、該半田７６は、加熱炉等によって加
熱することによって溶融してその先端が基板１１の裏面
１１Ｂ側に垂下するものである。

【００９７】かくして、本実施の形態でも第１の実施の
形態と同様の作用効果を得ることができる。しかし、本
実施の形態では、端面開口溝７２を角形状に形成したか
ら、端面スルーホール７１の占める面積を小さくし、モ
ジュール基板の有効面積を拡げて集積度を高めることが
できる。

【００９８】なお、前記第４の実施の形態では、端面ス
ルーホール７１を略四角形状の端面開口溝７２等によっ
て構成するものとしたが、図２９に示す変形例のように
端面スルーホール８１を略五角形状等の多角形状の端面
開口溝８２と、該端面開口溝８２の内壁面の一部に設け
られた電極８３と、該電極８３に接続された配線８４
と、該配線８４を覆うレジスト膜８５とによって構成
し、端面開口溝８２内に半田８６を収容してもよい。

【００９９】

【発明の効果】以上詳述した通り、請求項１の発明によ
れば、端面スルーホールを、基板の外周縁に設けられた
端面開口溝と、該端面開口溝の内壁面の一部に設けられ
た電極とによって構成し、前記端面開口溝には半田を収
容したから、加熱等によって半田を溶融させたときに
は、半田を基板の裏側に垂下させることができる。この
ため、基板等に反りが生じ、基板の端面スルーホールと
マザーボードの電極パッドとの間に隙間が発生するとき
であったも、垂下した半田によって端面スルーホールと
電極パッドとの間を接続し、これらの間にフィレットを
形成することができる。

【０１００】また、請求項２の発明によれば、電極を端
面開口溝のうち溝底側に設けたから、加熱によって半田
が溶融したときには、この溶融した半田を端面開口溝内
に保持することができる。また、電極が端面開口溝の溝
底側に設けられているから、電極と基板の表面中央側に
設けられた電子部品等との間を容易に接続することがで
きる。

【０１０１】また、請求項３の発明によれば、端面開口
溝を基板の端面に開口した半田収容部と、該半田収容部
に連続して電極が形成された電極形成部とによって構成
したから、従来技術のように端面開口溝の内壁面の全面
に亘って電極を設けた場合に比べて、より多量の半田を
端面開口溝内に収容できると共に、溶融した半田の表面
張力のバランスを崩し、半田を垂下させることができ
る。この結果、基板の端面スルーホールとマザーボード
の電極パッドとの間に隙間が形成されるときであって
も、端面スルーホールと電極パッドとを溶融した半田に
よって接続することができる。

【０１０２】また、請求項４の発明によれば、配線の電
極接続部を電極の内壁面に対応した位置まで延ばす構成
としたから、基板の表面側のうち電極と基板の端面側と
の間には電極接続部が設けられることはない。このた
め、半田が溶融したときには、電極と基板の端面との間
に収容された半田は、支持するものがなくなるから、容
易に基板の裏面側に向けて垂下させることができる。

【０１０３】また、請求項５の発明によれば、電極接続
部のうち電極よりも基板の端面側に位置する部位はレジ
スト膜によって覆う構成としたから、配線の電極接続部
のうち電極よりも基板の端面側に位置する部位が半田に
接触することがなくなる。このため、端面開口溝に収容
された半田のうち基板の端面側に位置する部位が、電極
接続部によって基板の表面側に引き付けれられることが
なくなり、この部位の半田を基板の裏面側に容易に垂下
させることができる。

【０１０４】また、請求項６の発明によれば、電極を端
面開口溝の内壁面に全面に亘って設けられた電極膜と、
該電極膜のうち一部を覆うレジスト膜とによって構成し
たから、端面開口溝に設けられた電極膜のうちレジスト
膜で覆われていない部位は、端面開口溝内に露出して半
田に接触する。一方、レジスト膜で覆われた部位は、半
田に接触しないから、この部位の半田を容易に基板の裏
面側に垂下させることができる。

【０１０５】また、請求項７の発明によれば、端面開口
溝をその一部が円弧状に形成したから、端面開口溝を円
形な穴加工等によって容易に形成できる。

【０１０６】また、請求項８の発明によれば、端面開口
溝を直線状の内壁面によって形成したから、端面開口溝
の占める面積を減少させ、集積度を高めることができ
る。

【０１０７】また、請求項９の発明によれば、貫通孔加
工工程によって隣接した２個の貫通孔を設け、電極膜加
工工程によって貫通孔の内壁全面に電極膜を設けた後、
半田収容孔加工工程によってこれらの貫通孔を連結する
から、容易に２個の貫通孔を連結し、例えば長円穴状の
半田収容孔を形成できると共に、その両端側に電極を残
存させることができる。そして、半田収容工程によって
半田収容孔内に半田を収容したときには、電極によって
半田を半田収容孔内に保持することができ、基板切断工
程によって加工用基板を切断することによって半田収容
孔を両断し、半田が収容された状態の端面スルーホール
を容易に形成することができる。

【０１０８】また、請求項１０の発明によれば、配線加
工工程によって加工用基板の表面側には各貫通孔の周囲
に位置して電極膜と接触可能な配線を設け、レジスト膜
加工工程によって貫通孔の内壁面の両端側に位置する部
位を除いて配線をレジスト膜によって覆う構成としたか
ら、レジスト膜によって配線を保護することができる。
また、貫通孔の内壁面の両端側に位置する部位を除いて
レジスト膜を設けるから、電極膜のうち半田収容孔加工
工程後に電極をなす部位にレジスト膜が付着するのを防
止でき、電極を半田に確実に接合させることができる。
さらに、レジスト膜は、電極に対応した部位の配線を露
出させ、他の部位を覆うから、他の部位の配線によって
半田が基板の表面側に引き付けられることがなくなる。

【０１０９】また、請求項１１の発明によれば、貫通孔
加工工程によって加工用基板に貫通孔を形成し、配線膜
加工工程によって貫通孔の周囲に配線膜を設け、電極膜
加工工程によって貫通孔の内壁全面に電極膜を形成し、
レジスト膜加工工程によって貫通孔の内壁のうち互いに
対向する両端側にレジスト膜を設け、半田収容工程によ
って貫通孔内に半田を固定した後に、基板切断工程によ
って貫通孔を切断する。これにより、加工用基板に対す
る穴加工を一回行うだけでよく、製造過程を簡略化し、
生産性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態によるモジュール基板を示
す斜視図である。

【図２】図１中の端面スルーホールを半田を取り除いた
状態で示す要部拡大斜視図である。

【図３】加工用基板を用いて４枚のモジュール基板を製
造する状態を示す平面図である。

【図４】図３中のａ部に貫通孔加工工程によって加工用
基板に貫通孔を形成した状態を示す要部拡大平面図であ
る。

【図５】図４中の貫通孔に電極膜加工工程によって電極
膜を形成した状態を示す要部拡大平面図である。

【図６】半田収容孔加工工程によって図５中の貫通孔を
連結し半田収容孔を形成した状態を示す要部拡大平面図
である。

【図７】半田収容工程によって図６中の半田収容孔に半
田を収容した状態を示す要部拡大平面図である。

【図８】基板切断工程によって加工用基板を切断した状
態を示す要部拡大平面図である。

【図９】実施の形態によるモジュール基板をマザーボー
ドに接合した状態を示す要部拡大断面図である。

【図１０】第１の実施の形態の比較例による端面スルー
ホールを拡大して示す要部拡大斜視図である。

【図１１】第１の実施の形態の変形例による端面スルー
ホールを示す要部拡大平面図である。

【図１２】第２の実施の形態による端面スルーホールを
示す要部拡大斜視図である。

【図１３】貫通孔加工工程によって加工用基板に貫通孔
を形成した状態を示す要部拡大平面図である。

【図１４】配線加工工程によって図１３中の加工用基板
に配線を形成した状態を示す要部拡大平面図である。

【図１５】電極膜加工工程によって図１４中の貫通孔に
電極膜を形成した状態を示す要部拡大平面図である。

【図１６】レジスト膜加工工程によって図１５中の加工
用基板にレジスト膜を形成した状態を示す要部拡大平面
図である。

【図１７】半田収容孔加工工程によって図１６中の貫通
孔を連結し半田収容孔を形成した状態を示す要部拡大平
面図である。

【図１８】半田収容工程によって図１７中の半田収容孔
に半田を収容した状態を示す要部拡大平面図である。

【図１９】基板切断工程によって加工用基板を切断した
状態を示す要部拡大平面図である。

【図２０】第２の実施の形態の変形例による端面スルー
ホールを示す要部拡大平面図である。

【図２１】第３の実施の形態による端面スルーホールを
示す要部拡大斜視図である。

【図２２】貫通孔加工工程によって加工用基板に貫通孔
を形成した状態を示す要部拡大平面図である。

【図２３】配線膜加工工程によって図２２中の加工用基
板に配線膜を形成した状態を示す要部拡大平面図であ
る。

【図２４】電極膜加工工程によって図２３中の貫通孔に
円筒状電極膜を形成した状態を示す要部拡大平面図であ
る。

【図２５】レジスト膜加工工程によって図２４中の加工
用基板にレジスト膜を形成した状態を示す要部拡大平面
図である。

【図２６】半田収容工程によって図２５中の貫通孔に半
田を収容した状態を示す要部拡大平面図である。

【図２７】基板切断工程によって加工用基板を切断した
状態を示す要部拡大平面図である。

【図２８】第４の実施の形態の端面スルーホールを示す
要部拡大平面図である。

【図２９】第４の実施の形態の変形例による端面スルー
ホールを示す要部拡大平面図である。

【図３０】従来技術によるモジュール基板を示す斜視図
である。

【図３１】図３０中のモジュール基板をマザーボードに
接合した状態を示す断面図である。

【図３２】図３１中の端面スルーホールを拡大して示す
要部拡大断面図である。

【図３３】基板が反って端面スルーホールと電極パッド
との間に隙間が生じた状態を示す図３２と同様位置の要
部拡大断面図である。

【符号の説明】

５マザーボード６電極パッド１１基板１２電子部品１３，３１，５１，７１，８１端面スルーホール１４，３２，５２，７２，８２端面開口溝１４Ａ，３２Ａ半田収容部１４Ｂ，３２Ｂ電極形成部１５，３３，５３，７３，８３電極１７，３６，５６，７６，８６半田２１，４１，６１加工用基板２２，４２，６２貫通孔２５，４５半田収容孔２６フィレット３４，５４，７４，８４配線３４Ａ，５４Ａ電極接続部３４Ｂ，５４Ｂ線路部３５，５５，７５，８５，３５″ レジスト膜５３Ａ電極膜５３Ｂレジスト膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面側に電子部品が搭載される基板と、
該基板の外周縁を形成する端面に設けられ前記電子部品
を基板の裏面側に設けられるマザーボードに接続する複
数の端面スルーホールとからなるモジュール基板におい
て、前記各端面スルーホールは、前記基板の端面に開口
して設けられた端面開口溝と、該端面開口溝の内壁面の
一部に設けられた電極とによって構成し、前記端面開口
溝には電極とマザーボードとを接続するための半田を収
容したことを特徴とするモジュール基板。
【請求項２】前記電極は前記端面開口溝のうち溝底側
に設けてなる請求項１に記載のモジュール基板。
【請求項３】前記端面開口溝は、基板の端面に向けて
開口し半田を収容するための半田収容部と、該半田収容
部に連続して溝底側に設けられ、当該溝底に前記電極を
形成すると共に該半田収容部と協働して半田を収容する
電極形成部とによって構成してなる請求項１または２に
記載のモジュール基板。
【請求項４】前記基板の表面側には、前記端面開口溝
の周囲に位置して電極に接続された電極接続部と該電極
接続部から前記電子部品に向けて延びる線路部とからな
る配線を設け、該配線の電極接続部は前記電極の内壁面
と対応した位置まで延びる構成としてなる請求項１，２
または３に記載のモジュール基板。
【請求項５】前記基板の表面側には、前記端面開口溝
の周囲に位置して電極に接続された電極接続部と該電極
接続部から前記電子部品に向けて延びる線路部とからな
る配線を設け、該配線の電極接続部のうち前記電極より
も基板の端面側に位置する部位はレジスト膜によって覆
う構成としてなる請求項１，２または３に記載のモジュ
ール基板。
【請求項６】前記電極は、前記端面開口溝の内壁面に
全面に亘って設けられた電極膜と、該電極膜のうち一部
を覆うレジスト膜とによって構成してなる請求項１，
２，３，４または５に記載のモジュール基板。
【請求項７】前記端面開口溝は、その一部を円弧状に
形成してなる請求項１，２，３，４，５または６に記載
のモジュール基板。
【請求項８】前記端面開口溝は、角形状に形成してな
る請求項１，２，３，４，５または６に記載のモジュー
ル基板。
【請求項９】表面側に電子部品が搭載される基板と、
該基板の外周縁を形成する端面に設けられ前記電子部品
を基板の裏面側に設けられるマザーボードに接続する複
数の端面スルーホールとからなるモジュール基板の製造
方法であって、加工用基板に隣接した２個の貫通孔を列状に多数個形成
する貫通孔加工工程と、該各貫通孔の内壁全面に電極膜
を設ける電極膜加工工程と、前記各貫通孔の内壁面の両
端側に位置する電極膜を除いて前記貫通孔を連結した状
態の半田収容孔を加工する半田収容孔加工工程と、該半
田収容孔に半田を収容して固定する半田収容工程と、該
半田収容工程によって半田が固定された半田収容孔の中
央から加工用基板を切断し端面スルーホールを有するモ
ジュール基板として加工する基板切断工程とから構成し
てなるモジュール基板の製造方法。
【請求項１０】表面側に電子部品が搭載される基板
と、該基板の外周縁を形成する端面に設けられ前記電子
部品を基板の裏面側に設けられるマザーボードに接続す
る複数の端面スルーホールとからなるモジュール基板の
製造方法であって、加工用基板に隣接した２個の貫通孔を列状に多数個形成
する貫通孔加工工程と、前記加工用基板の表面側には各
貫通孔の周囲に配線を設ける配線加工工程と、該各貫通
孔の内壁全面に前記配線と接続可能な電極膜を設ける電
極膜加工工程と、各貫通孔の内壁面の両端側に位置する
部位を除いて前記配線をレジスト膜によって覆うレジス
ト膜加工工程と、前記各貫通孔の内壁面の両端側に位置
する電極膜を除いて前記貫通孔を連結した状態の半田収
容孔を加工する半田収容孔加工工程と、該半田収容孔に
半田を収容して固定する半田収容工程と、該半田収容工
程によって半田が固定された半田収容孔の中央から加工
用基板を切断し端面スルーホールを有するモジュール基
板として加工する基板切断工程とから構成してなるモジ
ュール基板の製造方法。
【請求項１１】表面側に電子部品が搭載される基板
と、該基板の外周縁を形成する端面に設けられ前記電子
部品を基板の裏面側に設けられるマザーボードに接続す
る複数の端面スルーホールとからなるモジュール基板の
製造方法であって、加工用基板に貫通孔を形成する貫通孔加工工程と、前記
加工用基板の表面側には前記貫通孔の周囲に配線膜を設
ける配線膜加工工程と、前記貫通孔の内壁全面に前記配
線膜と接続可能な電極膜を設ける電極膜加工工程と、前
記貫通孔の内壁面のうち互いに対向する両端側にレジス
ト膜を設けるレジスト膜加工工程と、前記貫通孔に半田
を収容して固定する半田収容工程と、前記貫通孔の中央
から加工用基板を切断し端面スルーホールを有するモジ
ュール基板として加工する基板切断工程とから構成して
なるモジュール基板の製造方法。