JP2001176670A

JP2001176670A - 光透過型有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001176670A
Application number: JP35443599A
Authority: JP
Inventors: Morio Taniguchi; 彬雄谷口; Toshiki Koyama; 俊樹小山; Sachiko Hayashi; 祥子林; Asuka Yamamori; 明日香山盛
Original assignee: Mimaki Electronic Component Co Ltd
Current assignee: Mimaki Electronic Component Co Ltd
Priority date: 1999-12-14
Filing date: 1999-12-14
Publication date: 2001-06-29

Abstract

(57)【要約】【課題】可視光透過性が高く、透明陰電極層の比抵抗
率が低い光透過型有機ＥＬ素子を提供すること。【解決手段】透明基板の上に、透明陽電極層、正孔輸
送層、発光層、厚さが３〜３０ｎｍの範囲内にある無色
の有機電子注入層、そして、インジウム亜鉛酸化物から
なる透明陰電極層がこの順で形成されてなる光透過型有
機エレクトロルミネッセンス素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、可視光透過性を有
し、発光層の発光を陰電極層と陰電極層の両側から取り
出すことができる有機エレクトロルミネッセンス素子及
びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】有機ＥＬ素子を用いた表示装置は、ＣＲ
Ｔに比べて、薄型化、軽量化、低消費電力化が可能であ
る点で有利であり、また、液晶表示装置と比較しても、
自己発光性なのでバックライトを必要としない、応答速
度が速い、視野角が広いなどの利点を有する。

【０００３】本明細書の添付図面の図２に一般的な有機
ＥＬ素子の断面図を示す。有機ＥＬ素子は、ガラスなど
の透明基板１の上に、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴ
Ｏという）などからなる透明陽電極層２、正孔輸送層
３、有機発光層４、アルミキレート錯体などからなる電
子注入層１５、仕事関数の小さな金属あるいは合金など
からなる不透明な陰電極層１６をこの順で積層した積層
体である。このような構成の有機ＥＬ素子では、発光層
で発光した光は、透明陽電極層２側から外部に放出され
ることとなるが、発光層で発光した光の一部は、陰電極
層１６の表面で反射し、この反射光も透明陽電極層２側
から放出されるため、コントラストが低下することがあ
る。また、有機ＥＬ素子に外部の光（蛍光灯や太陽の光
など）が進入し、陰電極層１６の表面で反射して、発光
層で発光した光が見えにくくなることもある。

【０００４】このような理由から、陰電極層が透明であ
る、陽電極層と陰電極層の両側から発光層で発光した光
を取り出すことができる可視光透過性の有機ＥＬ素子
（以下、光透過型有機ＥＬ素子という）の開発が進めら
れており、以下に述べる光透過型有機ＥＬ素子が提案さ
れている。

【０００５】本明細書の添付図面の図３に、代表的な光
透過型有機ＥＬ素子の一例の断面図を示す。ここに示し
た光透過型有機ＥＬ素子は、光透過型でない一般的な有
機ＥＬ素子（図２参照）の陰電極層を、電子注入電極層
（電子注入金属層、導電体層ということもある）１６ａ
と透明電極層１６ｂの二層構造にしたものである。この
透明陰電極層が二層構造をとる光透過型有機ＥＬ素子に
おいて、電子注入電極層１６ａは、仕事関数の大きい透
明電極層１６ｂから電子注入層への電子注入効率を高め
る機能を有する。このような透明陰電極層が二層構造を
とる光透過型有機ＥＬ素子としては、次に示すようなも
のが提案されている。

【０００６】特開平８−１８５９８４号公報では、電子
注入電極層（この公報では電子注入金属層）１６ａが、
低仕事関数の金属またはその金属の合金の超薄膜（例、
厚さ２ｎｍのマグネシウム−銀合金）からなる透明陰電
極層が二層構造をとる光透過型有機ＥＬ素子が提案され
ている。

【０００７】特開平１０−１２５４６９号公報では、電
子注入電極層（この公報では導電体層）１６ａが、厚さ
１０ｎｍ以下、仕事関数４ｅＶ以下の金属または合金か
らなり、透明電極層１６ｂが、インジウム亜鉛酸化物
（以下、ＩＺＯという）からなる透明陰電極層が二層構
造をとる光透過型有機ＥＬ素子が提案されている。

【０００８】１０−２９４１８２号公報では、透明電極
層１６ｂが非晶質の透明電極材料からなる透明陰電極層
が二層構造をとる光透過型有機ＥＬ素子が提案されてい
る。この公報では、非晶質の透明電極材料として、ＩＺ
Ｏを挙げている。

【０００９】また、光透過型でない一般的な有機ＥＬ素
子（図２参照）の電子注入層に、仕事関数が大きい透明
電極材料層から効率よく電子を注入することができる有
機材料を用い、陰電極層を透明電極層に置き換えた光透
過型有機ＥＬ素子の研究され、次に示すようなものが報
告されている。

【００１０】Ｇ．Ｐａｒｔｈａｓａｒａｔｈｙらの研究
報告Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．７２，
２１３８（１９９８）では、電子注入層が銅フタロシア
ニン（ＣｕＰｃ）からなり、透明陰電極層がＩＴＯ層の
みからなる光透過型有機ＥＬ素子が報告されている。

【００１１】また、同じくＧ．Ｐａｒｔｈａｓａｒａｔ
ｈｙらの研究報告Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．
８６，４０６７（１９９９）では、電子注入層がバソク
プロイン（ＢＣＰ）からなり、透明陰電極層がＩＴＯ層
のみからなる光透過型有機ＥＬ素子が報告されている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】これまでに提案されて
いる透明陰電極層が二層構造をとる光透過型有機ＥＬ素
子では、電子注入電極層が本質的に可視光を吸収する材
料であることから、可視光透過性がやや低下する傾向に
あるという問題がある。

【００１３】一方、陰電極層を透明電極層に置き換えた
光透過型有機ＥＬ素子では、いずれも透明陰電極層にＩ
ＴＯを用いているが、通常、電子注入層の上にＩＴＯ層
をスパッタにより形成する場合には、電子注入層などが
熱により損傷しないように、基板温度を１００℃以下に
設定するため、透明陰電極層の比抵抗値が高くなるとい
う問題がある（前記、特開平１０−１６２９５９号参
照）。特に、Ｘ−Ｙマトリックス型表示装置のように光
透過型有機ＥＬ素子を複数個配列する場合では、陰電極
層の比抵抗値が高くなると、素子の発光が不均一になっ
たり、素子への印加電圧を高くすることが必要となる。

【００１４】従って、本発明の目的は、可視光透過性が
高く、透明陰電極層の比抵抗値の低い光透過型有機ＥＬ
素子を提供することにある。さらに、本発明は、光透過
型有機ＥＬ素子の有利な製造方法を提供することもその
目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板の上
に、透明陽電極層、正孔輸送層、発光層、厚さが３〜３
０ｎｍの範囲内にある無色の有機電子注入層、そして、
インジウム亜鉛酸化物からなる透明陰電極層がこの順で
形成されてなる光透過型有機エレクトロルミネッセンス
（ＥＬ）素子にある。

【００１６】本発明の光透過型有機ＥＬ素子の好ましい
製造方法は、下記の通りである。

【００１７】（１）透明基板の上に、透明陽電極層、正
孔輸送層、発光層がこの順で形成された積層体の発光層
の上に、無色の有機電子注入層を３〜３０ｎｍの厚さに
形成し、次いで、有機電子注入層の上に、透明陰電極層
をスパッタを間欠的に行うことにより形成する製造方
法。

【００１８】（２）透明基板の上に、透明陽電極層、正
孔輸送層、発光層がこの順で形成された積層体の発光層
の上に、無色の有機電子注入層を３〜３０ｎｍの厚さに
形成し、次いで、有機電子注入層の上に、透明陰電極層
をスパッタを間欠的に行った後、連続的に行うことによ
り形成する製造方法。

【００１９】（３）透明基板の上に、透明陽電極層、正
孔輸送層、発光層がこの順で形成された積層体の発光層
の上に、無色の有機電子注入層を３〜３０ｎｍの厚さに
形成し、次いで、電子注入層の上に、複数の孔が設けら
れている金属板を設置した後、上記電子注入層の上に透
明陰電極層をスパッタを行うことにより形成する製造方
法。

【００２０】

【発明の実施の形態】図１に、本発明の光透過型有機Ｅ
Ｌ素子の一例の断面図を示す。本発明の光透過型有機Ｅ
Ｌ素子は、透明基板１の上に、透明陽電極層２、正孔輸
送層３、発光層４、厚さが３〜３０ｎｍの範囲内にある
無色の有機電子注入層５、そしてインジウム亜鉛酸化物
（ＩＺＯ）からなる透明陰電極層６がこの順で積層され
た積層体である。

【００２１】本発明の光透過型有機ＥＬ素子は、その構
成は従来の有機ＥＬ素子と同じであるが、有機電子注入
層５が、無色であって、その厚さが３〜３０ｎｍ（好ま
しくは６〜１０ｎｍ）の範囲内にあること、及び透明陰
電極層６がＩＺＯからなることに特徴がある。

【００２２】本発明の光透過型有機ＥＬ素子において、
有機電子注入層５が無色であるとは、３６０ｎｍ〜８３
０ｎｍの可視光領域における光の吸収が、１０％以下
（好ましくは５％以下、さらに好ましくは２％以下）で
あることを意味する。

【００２３】本発明の光透過型有機ＥＬ素子において、
有機電子注入層５の厚みを３〜３０ｎｍとしたのは、有
機電子注入層５は、仕事関数の高い透明陰電極層から注
入された電子を発光層へ注入する機能だけでなく、透明
陰電極層をスパッタ法により形成する時には、プラズマ
や高エネルギーのスパッタ粒子による発光層の損傷を防
止する保護層として機能するものでなければならないた
めである。すなわち、有機電子注入層の厚みが、３ｎｍ
より薄くなると保護層としての機能が不十分となり、一
方、３０ｎｍより厚みが厚くなると発光層への電子の注
入効率が低くなるためである。

【００２４】有機電子注入層５の形成に用いことができ
る材料としては、中心金属がアルカリ金属又はアルカリ
土類金属から選ばれる金属のアセチルアセトナト錯体、
バソクプロイン（ＢＣＰ）もしくはバソフェナントロリ
ン（ＢＰｈｅｎｅ）及びこれらの誘導体などを挙げるこ
とができる。このなかでも、アセチルアセトナト錯体が
好ましく、特に中心金属がマグネシウムのビスアセチル
アセトナトマグネシウムであることが好ましい。

【００２５】透明陰電極層６を形成するインジウム亜鉛
酸化物（ＩＺＯ）は、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）に酸
化亜鉛（ＺｎＯ）をドープしたものであり、インジウム
の原子比は、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）で、０．４５〜０．
９０の範囲内にあることが好ましく、０．５０〜０．９
０の範囲内にあることがより好ましく、０．７０〜０．
８５の範囲内にあることがより好ましい。

【００２６】ＩＺＯは、結晶性であっても良いが非晶質
であることが好ましい。透明陰電極層の厚さは５０〜５
００ｎｍの範囲内にあることが好ましい。

【００２７】透明基板１の具体的な例としては、ガラス
板、プラスチック製シートなどの透明シートが挙げるこ
とができるが、これらに限定されるものではない。

【００２８】透明陽電極層２には、正孔輸送層への正孔
の注入効率を高くするために、仕事関数の大きな材料が
用いられる。この材料の例としては、金などの金属、あ
るいはＩＴＯ、ＩＺＯなどの導電性透明材料などを挙げ
ることができるが、これらに限定されるものではない。
透明陽電極層の厚さは、５０〜５００ｎｍの範囲内にあ
ることが好ましい。

【００２９】正孔輸送層３には、イオン化ポテンシャル
が小さく、正孔移動度の大きい材料が用いられる。この
材料の例としては、テトラアリールベンジシン化合物、
芳香族アミン類、ピゾリン誘導体、トリフェニレン誘導
体などを挙げることができるが、これらに限定されるも
のではない。好ましい例としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−
ジアミノビフェニル（ＴＰＤ）や、４，４’−ビス［Ｎ
−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
（α−ＮＰＤ）を挙げることができる。また、正孔輸送
層は、単層でなく多層としても良い。正孔輸送層の厚さ
は、全体として５〜２００ｎｍの範囲内にあることが好
ましい。

【００３０】発光層４は、キャリヤー輸送性を有し、電
子と正孔との再結合に応じて発光する有機発光材料に、
有機発光材料からのエネルギー移動により発光する蛍光
色素を添加（ドーピング）したゲスト−ホスト型の発光
層であることが好ましい。有機発光材料の例としては、
トリス（８−キノリラト）アルミニウム（Ａｌｑ₃）な
どのアルミニウムキノリノール錯体を挙げることができ
る。蛍光色素の例としては、クマリン、ＤＣＭ誘導体、
キナクリドン、ペリレン、ルブレンなどを挙げることが
でき、これらの蛍光色素を選択することにより所望の発
光色を得ることができる。蛍光色素の添加量は、濃度消
光を考慮すると０．０１〜１．０重量％の範囲内にある
ことが好ましい。発光層の厚さは、１０〜１００ｎｍの
範囲内にあることが好ましい。

【００３１】次に、本発明の光透過型有機ＥＬ素子製造
方法について説明する。本発明の光透過型有機ＥＬ素子
は、透明基板の上に、透明陽電極層をスパッタ法などの
常法により形成し、この上に正孔輸送層、発光層、有機
電子注入層を順に蒸着法、スピンコート法などの常法に
より形成した後、有機電子注入層の上に、透明陰電極層
をスパッタ法により形成することにより製造することが
できる。

【００３２】有機電子注入層の上に、透明陰電極層をス
パッタ法により形成する際に、製膜速度を遅くする（例
えば、１ｎｍ／分未満）と、スパッタ装置のチャンバー
部内の不純物ガス（特に、水、炭酸ガス、有機物ガス）
が、透明陰電極層内に混入して、透明陰電極層の比抵抗
値が高くなることがある。一方、製膜速度を速くすると
（例えば、１ｎｍ／分以上）、透明陰電極層が有機電子
注入層から剥離することがある。

【００３３】このような理由から、透明陰電極層をスパ
ッタ法により形成する際には、製膜速度を１ｎｍ／分以
上（好ましくは１．２ｎｍ／分以上）にして、間欠的に
スパッタを行うか、あるいは、電子注入層の上（マスキ
ング材を用いて透明陰電極層を所望の形状にパターニン
グする場合にはマスキング材の上）に、複数の孔が設け
られている金属板（以下、メタルメッシュという）を設
置した状態でスパッタを行うことが好ましい。

【００３４】間欠的にスパッタを行う方法としては、ス
パッタ装置のチャンバー部の基板ホルダーとターゲット
ホルダーとの間に、開閉可能なシャッターを設置して、
シャッターを交互に開閉させながらスパッタを行う方
法、基板ホルダーを回転可能にして、基板ホルダーを回
転させながらスパッタを行う方法などを挙げることがで
きる。間欠的にスパッタを行う間隔は、製膜速度などに
よって異なる。例えば、製膜速度を１〜２ｎｍ／分の範
囲内で行う場合には、０．１〜５秒間のスパッタを１〜
１００秒間の間隔をあけて行うことが好ましい。

【００３５】さらに、間欠的にスパッタを行って、ある
程度の厚み（通常は５〜５０ｎｍ）に透明陰電極層を形
成した後は、連続的にスパッタを行って透明陰電極層を
形成することが好ましい。このように間欠的なスパッタ
と連続的なスパッタとを行うことにより透明陰電極層が
有機電子注入層から剥離したりすることなく、透明陰電
極層の形成を早く行うことができ、工業的に有利に光透
過型有機ＥＬ素子を製造することができる。

【００３６】一方、電子注入層の上に、メタルメッシュ
を設置した状態でスパッタする場合に用いるメタルメッ
シュとしては、例えば、孔径が０．５ｍｍ×０．５ｍｍ
のステンレス製の金網を挙げることができる。

【００３７】透明陰電極層を形成するスパッタ法には、
ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法など通常のスパッタ法
を採用することができる。スパッタガスは、アルゴン、
ヘリウムなどの不活性ガス、あるいはこれらの混合ガ
ス、もしくは不活性ガスと酸素ガスの混合ガスなどを挙
げることができる。なお、透明陰電極層の形成方法は、
スパッタ法に限定されるものではなく、化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）法、ゾルゲル法、イオンプレーティング法などを使
用しても良い。

【００３８】

【実施例】１．比抵抗率の低い透明陰電極層の検討（１）間欠的なスパッタにより形成したＩＺＯ層［実施例１］厚さ１０ｎｍのビスアセチルアセトナトマ
グネシム層が形成されているガラス基板とターゲットと
の間に、開閉可能なシャッターを設置して、ＲＦスパッ
タ法にて、ターゲットにＩｎ₂Ｏ₃とＺｎＯとからなる焼
結体（ＩＤＩＸＯ、出光興産（株）製）を用い、スパッ
タ装置の投入パワーを５Ｗ、製膜速度を１．２５ｎｍ／
分に設定し、シャッターを１秒間開いて、６秒間閉じる
操作を繰り返して、基板のビスアセチルアセトナトマグ
ネシム層の上に厚さ３２ｎｍのＩＺＯ層を形成した。ス
パッタガスは、アルゴンを用いた。なお、このＩＺＯ層
が、非晶質であることは、ビスアセチルアセトナトマグ
ネシム層が形成されていないガラス基板に、上記と同様
の方法により、ＩＺＯ層を形成し、Ｘ線回折法により確
認した。

【００３９】［比較例１］実施例１において、シャッタ
ーを開いたままスパッタした以外は実施例１と同様にし
て基板上に１ＺＯ層を形成したところ、ＩＺＯ層が基板
のビスアセチルアセトナトマグネシム層から剥がれてし
まった。

【００４０】（２）メタルメッシュを用いたスパッタに
より形成したＩＺＯ層［実施例２］ガラス基板の上に、孔径０．５ｍｍ×０．
５ｍｍのステンレス金網（メタルメッシュ）を設置し
て、ＲＦスパッタ法にて、ターゲットにＩｎ₂Ｏ₃とＺｎ
Ｏとからなる焼結体（ＩＤＩＸＯ、出光興産（株）製）
を用い、投入パワーを５Ｗ、製膜速度を１．２５ｎｍ／
分に設定し、ガラス基板の上に厚さ６０ｎｍのＩＺＯ層
を形成した。

【００４１】［比較例２］実施例２において、基板の上
にメタルメッシュを設置せず、製膜速度を０．８ｎｍ／
分に設定してスパッタした以外は実施例２と同様にして
ＩＺＯ層を形成した。

【００４２】［評価］上記実施例１、２及び比較例２で
形成したＩＺＯ層の比抵抗値を測定した。その結果を表
１に示す。なお、ＩＺＯ層の抵抗値は、四端子法で測定
した。

【００４３】

【表１】表１ ─────────────────────── 比抵抗値（Ω・ｃｍ） ─────────────────────── 実施例１５．２×１０^-3 実施例２５．８×１０^-3 ─────────────────────── 比較例２１．０×１０^-1 ───────────────────────

【００４４】２．光透過型有機ＥＬ素子の検討［実施例３］＜光透過型有機ＥＬ素子の製造＞幅２ｍｍ×長さ３２ｍ
ｍのＩＴＯ層（透明陽電極層）がストライプ状に４個形
成されているガラス基板のＩＴＯ層の上に、正孔輸送層
としてＴＰＤ［Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ
（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニ
ル］を６０ｎｍ、発光層としてＡｌｑ［トリス（８−キ
ノリノール）アルミニウム］を７０ｎｍ、有機電子注入
層としてビスアセチルアセトナトマグネシムを１０ｎ
ｍ、それぞれ順次、真空蒸着法により製膜した。

【００４５】こうして得た積層体の上に、幅２ｍｍ×長
さ２５ｍｍの格子がストライプ状に４個設けられている
マスキング材を、格子が上記透明陽電極層に直交するよ
うに配置し、上記実施例１と同様に、ＲＦスパッタ法に
て、ターゲットにＩｎ₂Ｏ₃とＺｎＯとからなる焼結体
（ＩＤＩＸＯ、出光興産（株）製）を用い、スパッタ装
置の投入パワーを５Ｗ、製膜速度を１．２５ｎｍ／分に
設定し、シャッターを１秒間開いて、６秒間閉じる操作
を繰り返して、厚さ３２ｎｍのＩＺＯ層を形成し、さら
にその上に、シャッターを開いたまま６０分間連続的に
スパッタして、全体で厚さ１０７ｎｍのＩＺＯ層（透明
陰電極層）を形成した。こうしてＸ−Ｙマトリックス型
に配列された光透過型有機ＥＬ素子（縦２×横２ｍｍ）
を１６個（縦４個×横４個）製造した。

【００４６】＜有機ＥＬ素子の評価＞（１）Ｘ−Ｙマトリックス型に配列された全ての光透過
型有機ＥＬ素子の透明陰電極層の比抵抗値を測定した結
果、いずれの光透過型有機ＥＬ素子においても透明陰電
極層の抵抗値は、４．５〜５．２×１０^-3Ω・ｃｍの範
囲内にあった。（２）Ｘ−Ｙマトリックス型に配列された光透過型有機
ＥＬ素子のうち１個の光透過型有機ＥＬ素子に、２４Ｖ
の電圧を印加した結果、電流密度が１００ｍＡ／ｃｍ²
となり、透明陽電極層側からの発光輝度は２３０ｃｄ／
ｍ²、透明陰電極層側からの発光輝度は２７６ｃｄ／ｍ²
であった。（３）Ｘ−Ｙマトリックス型に配列された光透過型有機
ＥＬ素子の全てに２４Ｖの電圧を印加した結果、いずれ
の光透過型有機ＥＬ素子も欠陥なく発光した。（４）Ｘ−Ｙマトリックス型に配列された全ての光透過
型有機ＥＬ素子の可視光の透過率を測定した結果、いず
れの光透過型有機ＥＬ素子においても８０％以上であっ
た。

【００４７】

【発明の効果】本発明の光透過型有機ＥＬ素子は、本質
的に可視光を吸収する層が形成されていないことから可
視光透過性が高く、また、透明陰電極がＩＺＯからなる
ことから、陰電極層の比抵抗値が低くなる。従って、本
発明の光透過型有機ＥＬ素子は、Ｘ−Ｙマトリックス型
に配列された場合でも、低電圧の印加により発光するこ
とができる。特に、本発明の製造方法により形成された
光透過型有機ＥＬ素子は、有機電子注入層と透明陰電極
層とが剥離したり、あるいは、不純物の混入により透明
陰電極層の比抵抗値が高くなったりしにくくなる。さら
に、本発明の光透過型有機ＥＬ素子は、発光層が発光し
ていないときは、素子の背景などを見ることができ、低
電圧の印加により透明陽電極層側及び透明陰電極層側か
ら発光層の発光を取り出すことができるので、ウインド
ウディスプレイ、スケルトン製品など、背景を利用した
ディスプレイへの応用が期待できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光透過型有機ＥＬ素子の一例の断面図
である。

【図２】公知の代表的な有機ＥＬ素子の一例の断面図で
ある。

【図３】公知の代表的な光透過型有機ＥＬ素子の一例の
断面図である。

【符号の説明】

１透明基板２透明陽電極層３正孔輸送層４発光層５有機電子注入層６透明陰電極層１５電子注入層１６陰電極層１６ａ電子注入電極層１６ｂ透明電極層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者林祥子長野県上田市材木町１−３−15−203 (72)発明者山盛明日香長野県小県郡東部町大字滋野乙1382番地１ミマキ電子部品株式会社内Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB05 BA06 CA01 CA06 CB01 CB03 CC00 DA00 DB03 EB00 FA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板の上に、透明陽電極層、正孔輸
送層、発光層、厚さが３〜３０ｎｍの範囲内にある無色
の有機電子注入層、そして、インジウム亜鉛酸化物から
なる透明陰電極層がこの順で形成されてなる光透過型有
機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】有機電子注入層が、中心金属がアルカリ
金属又はアルカリ土類金属のアセチルアセトナト錯体か
らなるものであることを特徴とする請求項１に記載の光
透過型有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】透明陰電極層のインジウム亜鉛酸化物
が、非晶質であることを特徴とする請求項１に記載の光
透過型有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】透明基板の上に、透明陽電極層、正孔輸
送層、発光層がこの順で形成された積層体の発光層の上
に、無色の有機電子注入層を３〜３０ｎｍの厚さに形成
し、次いで、該有機電子注入層の上に、透明陰電極層を
スパッタを間欠的に行うことにより形成することを特徴
とする請求項１に記載の光透過型有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法。
【請求項５】透明基板の上に、透明陽電極層、正孔輸
送層、発光層がこの順で形成された積層体の発光層の上
に、無色の有機電子注入層を３〜３０ｎｍの厚さに形成
し、次いで、該有機電子注入層の上に、透明陰電極層を
スパッタを間欠的に行った後、連続的に行うことにより
形成することを特徴とする請求項１に記載の光透過型有
機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】透明基板の上に、透明陽電極層、正孔輸
送層、発光層がこの順で形成された積層体の発光層の上
に、無色の有機電子注入層を３〜３０ｎｍの厚さに形成
し、次いで、該電子注入層の上に、複数の孔が設けられ
ている金属板を設置した後、上記電子注入層の上に透明
陰電極層をスパッタを行うことにより形成することを特
徴とする請求項１に記載の光透過型有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法。