JP2001168519A - Mixed mounting structure, mixed mounting method, and electronic device - Google Patents
Mixed mounting structure, mixed mounting method, and electronic deviceInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 鉛フリーはんだを用いたリフロー・フローの
混載実装において、部品の耐熱性の範囲内ではんだ付け
でき、フローはんだ付け時にリフローはんだ付部の剥離
を起こさないようにする。
【解決手段】 基板2のA面で、リフローはんだ付けに
よって電子部品3a,3bを表面接続実装し、次いで、
基板2のB面で、フローはんだ付けにより、A面側の電
子部品6aのリード10を電極7にフローはんだ付けし
て接続実装する。ここで、A面側でリフローはんだ付け
に用いるはんだ5は、Sn−(1.5〜3.5wt%)
Ag−(0.2〜0.8wt%)Cu−(0〜4wt
%)In−(0〜2wt%)Biの組成で構成される鉛
フリーはんだであり、また、B面側でフローはんだ付け
に用いるはんだ8は、Sn−(0〜3.5wt%)Ag
−(0.2〜0.8wt%)Cuの組成で構成される鉛
フリーはんだを用いる。
(57) [Abstract] [Problem] To prevent reflow soldering from peeling off during flow soldering in mixed mounting of reflow and flow using lead-free solder, within the range of heat resistance of components. I do. SOLUTION: On the surface A of a substrate 2, electronic components 3a and 3b are surface-connected and mounted by reflow soldering,
On the surface B of the substrate 2, the leads 10 of the electronic component 6a on the surface A are connected by flow soldering to the electrodes 7 by flow soldering. Here, the solder 5 used for the reflow soldering on the A side is Sn- (1.5 to 3.5 wt%).
Ag- (0.2-0.8 wt%) Cu- (0-4 wt%
%) In- (0 to 2 wt%) Bi is a lead-free solder having a composition of Bi, and the solder 8 used for flow soldering on the B side is Sn- (0 to 3.5 wt%) Ag.
-A lead-free solder composed of a composition of (0.2 to 0.8 wt%) Cu is used.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品を配線基
板に、鉛フリーはんだを用いることにより、リフローは
んだ付けとフローはんだ付けとで組み立てられた混載実
装構造体及び混載実装方法並びに電子機器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hybrid mounting structure, a hybrid mounting method and an electronic apparatus assembled by reflow soldering and flow soldering by using lead-free solder for an electronic component on a wiring board. .
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、Sn−Pb共晶はんだ(融点:1
83℃)を用いて電子部品実装が行なわれてきた。かか
るはんだの各種の優れた特性から、配線基板の一方の面
にリフローソルダリング(はんだ付け部に予めはんだ層
を設けておき、これらはんだ付け部のはんだ層を突き合
わせ、これらはんだ層を加熱溶融させることにより、は
んだ付けを行なうこと。リフローはんだ付けともいう)
で電子部品を接続実装し、次に、他方の面にフローソル
ダリング(はんだ付け部を溶融したはんだに接触もしく
は浸漬させてはんだ付けを行なうこと。フローはんだ付
けともいう)で電子部品を接続実装する、いわゆる混載
実装(以下、かかる混載実装を、リフロー・フローの混
載実装という)においても、プロセスや信頼性などでの
問題点は少なく、また、部品の耐熱性も、Sn−Pb共
晶はんだのはんだ付け温度に耐えられるものになってい
る。2. Description of the Related Art Conventionally, Sn-Pb eutectic solder (melting point: 1)
(83 ° C.). Due to the various excellent properties of such solder, reflow soldering is provided on one surface of the wiring board (a solder layer is provided in advance on a soldered portion, the solder layers of these soldered portions are butted, and these solder layers are heated and melted. (Reflow soldering)
To connect and mount the electronic components, and then connect and mount the electronic components on the other surface by flow soldering (contacting or immersing the soldered part in molten solder and soldering. Also called flow soldering) In the so-called mixed mounting (hereinafter, such mixed mounting is referred to as reflow-flow mixed mounting), there are few problems in the process, reliability, etc., and the heat resistance of the components is also reduced. It can withstand the temperature of soldering.
【0003】鉛を使用しない鉛フリーはんだとしては、
特開平8−215880号公報(以下、従来技術1とい
う)及び特開平10−193169号公報(以下、従来
技術2という)に記載のものが知られている。[0003] Lead-free solders that do not use lead include:
Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 8-215880 (hereinafter referred to as Conventional Technique 1) and Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-193169 (hereinafter referred to as Conventional Technique 2) are known.
【0004】従来技術1には、Sn残部、Ag(0.5
〜3.5wt(重量)%)、Cu(0.5〜2.0wt
%)からなり、溶融温度を低くでき、ぬれ及び機械的強
度の良好な鉛フリーはんだが記載されている。[0004] In the prior art 1, the Sn remaining, Ag (0.5
~ 3.5wt (wt)%), Cu (0.5 ~ 2.0wt)
%), Which can lower the melting temperature, and has good wettability and mechanical strength.
【0005】また、従来技術2には、1wt%以上5w
t%以下のAgと、夫々0.1wt%以上14wt%以
下及び0.1wt%以上10wt%以下で両者の合計が
15wt%以下のBi及びInと、0.1wt%以上2
wt%以下のCuとを含んで、残部がSnと不可避不純
物とからなる鉛フリーはんだ合金が記載されている。こ
れは、Sn−Ag系はんだ合金の融点をさらに下げると
ともにコストの上昇を抑え、良好な濡れ性と、室温はも
とより高温下においても良好な機械的性質とを兼ね備え
たものである。[0005] Further, in the prior art 2, 1 wt% or more and 5 w
Ag of not more than t%, Bi and In of not less than 0.1 wt% and not more than 14 wt% and not less than 0.1 wt% and not more than 10 wt% and the total of both being not more than 15 wt%, and not less than 0.1 wt% and not more than 2 wt%
It describes a lead-free solder alloy containing less than wt% of Cu, with the balance being Sn and unavoidable impurities. This further lowers the melting point of the Sn-Ag based solder alloy and suppresses an increase in cost, and has both good wettability and good mechanical properties not only at room temperature but also at high temperatures.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、電子部品を
高密度実装する場合、配線基板の両面に実装できるこ
と、即ち、この配線基板の一方の面(A面)をリフロー
ソルダリングではんだ付けし、他方の面(B面)をフロ
ーソルダリングなどではんだ付けするリフロー・フロー
の混載実装が必須になっている。この場合、フローソル
ダリング時に基板は大きく反るが、A面のリフローソル
ダリング継ぎ手を溶融させないことが高信頼性を確保す
るために必要である。By the way, when electronic components are mounted at a high density, they can be mounted on both sides of the wiring board. That is, one side (A side) of the wiring board is soldered by reflow soldering. It is indispensable to mount the reflow flow in which the other surface (surface B) is soldered by flow soldering or the like. In this case, the substrate is largely warped at the time of flow soldering, but it is necessary not to melt the reflow soldering joint on the A surface in order to ensure high reliability.
【0007】さらに、この混載実装においては、多ピン
のLSI(Large Scale Integration)端子を高密度で
接続したり(狭ピッチ接続)、不良の電子部品やなん
らかの理由で壊れた電子部品を取り外し、新たな電子部
品を再取り付けする作業(リペア作業)を、隣接の部
品のはんだによる接続部を溶融させることなく、かつ、
これら隣接の部品に熱影響を及ぼすことなく、行なうが
ことできることなどが混載実装の必要条件である。Further, in this mixed mounting, a multi-pin LSI (Large Scale Integration) terminal is connected at a high density (narrow pitch connection), a defective electronic component or an electronic component broken for some reason is removed, and a new one is removed. Work (repair work) for re-installing various electronic components without melting the solder joints of adjacent components, and
What can be performed without affecting the adjacent components without heat is a necessary condition for mixed mounting.
【0008】しかしながら、上記従来技術1,2は、回
路基板の片面のみの実装においては有効であるが、上記
の混載実装における要求に対応できる鉛フリーのはんだ
材料及びはんだ付け方法について配慮されていない。However, the above-mentioned prior arts 1 and 2 are effective for mounting on only one side of a circuit board, but do not take into account a lead-free solder material and a soldering method that can meet the above-mentioned requirements for mixed mounting. .
【0009】本発明の目的は、かかる問題点を解消し、
鉛フリーはんだを用いて最も厳しい実装プロセスである
リフロー・フローの混載実装を高信頼度で実現できるよ
うにした混載実装構造体及び混載実装方法並びに電子機
器を提供することにある。An object of the present invention is to solve such a problem,
It is an object of the present invention to provide a hybrid mounting structure, a hybrid mounting method, and an electronic device which can realize, with high reliability, mixed mounting of a reflow flow, which is the strictest mounting process, using lead-free solder.
【0010】本発明の他の目的は、鉛フリーはんだを用
いて最も厳しい実装プロセスであるリフロー・フローの
混載実装において、部品の耐熱性の範囲内ではんだ接合
でき、フローソルダリング時の配線基板の反りに対して
も、リフローソルダリング継ぎ手が剥離を起こさない高
信頼度ではんだ接合を可能にした混載実装構造体及び混
載実装方法並びに電子機器を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a wiring board which can be solder-bonded within a range of heat resistance of components in a mixed mounting of a reflow flow, which is the strictest mounting process, using lead-free solder. An object of the present invention is to provide a hybrid mounting structure, a hybrid mounting method, and an electronic device which enable high-reliability solder bonding without causing reflow soldering joints to be peeled even when warpage occurs.
【0011】本発明のさらに他の目的は、鉛フリーはん
だを用いて最も厳しい実装プロセスであるリフロー・フ
ローの混載実装において、接続部の熱疲労特性として、
信頼性の評価条件としては厳しい部類に入る−55〜1
25℃などの温度サイクル試験条件に対しても、保証で
きる継手を有する混載実装構造体及び混載実装方法並び
に電子機器を提供することにある。[0011] Still another object of the present invention is to provide a connection mounting part having a thermal fatigue characteristic in a mixed mounting of a reflow flow, which is the strictest mounting process using lead-free solder.
The evaluation condition of reliability is in a severe category -55-1
An object of the present invention is to provide a hybrid mounting structure, a hybrid mounting method, and an electronic device having a joint that can be guaranteed even under temperature cycle test conditions such as 25 ° C.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による混載実装構造体は、電子部品を配線基
板の一方の面に、Sn−Ag−Cu、あるいはこれにI
n,Biのうち1種以上を添加した鉛フリーはんだを用
いて、リフローソルダリングで表面接続実装し、他の電
子部品を該配線基板の他方の面に、Sn−Ag−Cuの
3元系で構成される鉛フリーはんだを用いて、フローソ
ルダリングで接続実装して構成するものである。In order to achieve the above object, in a hybrid mounting structure according to the present invention, an electronic component is mounted on one surface of a wiring board by using Sn-Ag-Cu or I-Ag-Cu.
Using a lead-free solder to which at least one of n and Bi is added, surface connection mounting is performed by reflow soldering, and another electronic component is mounted on the other surface of the wiring board by a ternary system of Sn-Ag-Cu. Are connected and mounted by flow soldering using lead-free solder composed of
【0013】また、本発明による混載実装構造体は、前
記Sn−Ag−Cuの3元系で構成される鉛フリーはん
だを、Sn−(0〜3.5wt%)Ag−(0.2〜
0.8wt%)Cuの組成で構成するものであり、ま
た、前記Sn−Ag−Cu、あるいはこれにIn,Bi
のうち1種以上を添加した鉛フリーはんだを、 Sn−(1.5〜3.5wt%)Ag−(0.2〜0.
8wt%)Cu−(0〜4wt%)In−(0〜2wt
%)Bi の組成で構成するものである。In the hybrid mounting structure according to the present invention, the lead-free solder composed of the Sn-Ag-Cu ternary system may be made of Sn- (0-3.5 wt%) Ag- (0.2-
0.8 wt%) Cu, and the above-mentioned Sn-Ag-Cu or In, Bi
Of the lead-free solder to which at least one of Sn- (1.5 to 3.5 wt%) Ag- (0.2 to 0.
8 wt%) Cu- (0-4 wt%) In- (0-2 wt%)
%) Bi.
【0014】本発明による電子機器は、上記の混載実装
構造体を備えた構成をなすものである。An electronic device according to the present invention has a configuration including the above-described hybrid mounting structure.
【0015】本発明による混載実装方法は、電子部品を
配線基板の一方の面に、Sn−Ag−Cu、あるいはこ
れにIn,Biのうち1種以上を添加した鉛フリーはん
だを用いて、リフローソルダリングで表面接続実装し、
その後、他の電子部品を該配線基板の他方の面に、Sn
−Ag−Cuの3元系で構成される鉛フリーはんだを用
いて、フローソルダリングで接続実装するものである。In the hybrid mounting method according to the present invention, an electronic component is reflowed on one surface of a wiring board by using Sn-Ag-Cu or lead-free solder to which at least one of In and Bi is added. Surface connection mounting by soldering,
Then, another electronic component is placed on the other surface of the wiring board by Sn
A lead-free solder composed of a ternary system of -Ag-Cu is used for connection mounting by flow soldering.
【0016】また、本発明による混載実装方法は、電子
部品を配線基板の一方の第1の面にSn−Ag−Cu、
あるいはこれにIn,Biのうち1種以上を添加した鉛
フリーはんだを用いて、リフローソルダリングで表面接
続実装し、その後、他の電子部品を該配線基板の該第1
の面とは反対側の第2の面に、Sn−Ag−Cuの3元
系で構成される鉛フリーはんだを用いて、該第1の面で
のはんだ付け継手の温度をそのはんだの固相線温度以下
に保ってフローソルダリングで接続実装するものであ
る。Further, in the hybrid mounting method according to the present invention, the electronic component may be formed by placing Sn-Ag-Cu,
Alternatively, surface connection mounting is performed by reflow soldering using a lead-free solder to which at least one of In and Bi is added, and then another electronic component is mounted on the first of the wiring board.
Using a lead-free solder composed of Sn-Ag-Cu ternary system on the second surface opposite to the surface, the temperature of the soldered joint on the first surface is fixed by the solidification of the solder. It is connected and mounted by flow soldering while keeping the temperature below the phase line temperature.
【0017】また、本発明による混載実装方法は、上記
フローソルダリングで接続実装するために用いられるS
n−Ag−Cuの3元系で構成される鉛フリーはんだ
を、 Sn−(0〜3.5wt%)Ag−(0.2〜0.8w
t%)Cu の組成のはんだとするものである。Further, the hybrid mounting method according to the present invention provides an S-mounting method for connecting and mounting by the above-mentioned flow soldering.
Sn- (0-3.5 wt%) Ag- (0.2-0.8w) lead-free solder composed of a ternary system of n-Ag-Cu
t%) The solder has a composition of Cu 2.
【0018】また、本発明による混載実装方法は、上記
リフローソルダリングで接続実装するために用いられる
Sn−Ag−Cu、あるいはこれにIn,Biのうち1
種以上を添加した鉛フリーはんだを、 Sn−(1.5〜3.5wt%)Ag−(0.2〜0.
8wt%)Cu−(0〜4wt%)In−(0〜2wt
%)Bi の組成のはんだとするものである。Further, the hybrid mounting method according to the present invention provides a method of mounting the semiconductor device by using Sn-Ag-Cu used for connection mounting by reflow soldering, or one of In and Bi.
The lead-free solder to which the seeds or more are added is Sn- (1.5 to 3.5 wt%) Ag- (0.2 to 0.
8 wt%) Cu- (0-4 wt%) In- (0-2 wt%)
%) A solder having a composition of Bi.
【0019】以上のように、電子部品を配線基板の一方
の面に、 Sn−(1.5〜3.5wt%)Ag−(0.2〜0.
8wt%)Cu−(0〜4wt%)In−(0〜2wt
%)Bi の組成のはんだを用いて、リフローソルダリングで表面
実装し、しかる後、他の電子部品を該配線基板の他方の
面に、 Sn−(0〜3.5wt%)Ag−(0.2〜0.8w
t%)Cu の組成のハンダを用いて、フローソルダリングで接続実
装しているので、混載実装を高信頼度で実現できる。こ
の際、配線基板の上記一方の面のリフローソルダリング
はんだ付け継ぎ手部の温度は、この配線基板の他方の面
をフローソルダリングはんだ付けする際に、そのはんだ
の固相線温度以下に保って混載実装を行なうものであ
る。As described above, the electronic component is provided on one surface of the wiring board with Sn- (1.5 to 3.5 wt%) Ag- (0.2 to 0.
8 wt%) Cu- (0-4 wt%) In- (0-2 wt%)
%) Using a solder having a composition of Bi and surface mounting by reflow soldering. Thereafter, another electronic component is formed on the other surface of the wiring board by Sn- (0 to 3.5 wt%) Ag- (0 wt. 0.2-0.8w
(t%) Since connection and mounting are performed by flow soldering using solder having a composition of Cu, mixed mounting can be realized with high reliability. At this time, the temperature of the reflow soldering joint on the one surface of the wiring board is kept at or below the solidus temperature of the solder when the other surface of the wiring board is subjected to flow soldering. This is to perform mixed mounting.
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
より説明する。図1は電子機器などに用いられる本発明
による混載実装構造体の一実施形態を示す構成図であっ
て、1は混載実装構造体、2は配線基板、3aはQFP
−LSI、3bはSOP−LSI、4は電極パッド、5
はリフローソルダリングによるはんだ付け継ぎ手(リフ
ローはんだ付け継ぎ手)、6aはリード部品、6bはチ
ップ部品、7は電極、8はフローソルダリングによるは
んだ付け継ぎ手(フローはんだ付け継ぎ手)、9,10
はリードである。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of a mixed mounting structure according to the present invention used for an electronic device or the like, wherein 1 is a mixed mounting structure, 2 is a wiring board, and 3a is a QFP.
-LSI, 3b is SOP-LSI, 4 is electrode pad, 5
Is a soldering joint by reflow soldering (reflow soldering joint), 6a is a lead component, 6b is a chip component, 7 is an electrode, 8 is a soldering joint by flow soldering (flow soldering joint), 9, 10
Is the lead.
【0021】同図において、この実施形態として示す鉛
フリーはんだによる接続構造の混載実装構造体1は、配
線基板2の一方の面(以下、A面という)に4方向にリ
ード9を持つQFP−LSI3aや2方向にリード9を
持つSOP−LSI3b,リード部品6aが実装され、
また、他方の面(以下、B面という)にチップ部品6b
が実装されているものとする。In FIG. 1, a hybrid mounting structure 1 having a connection structure using lead-free solder shown as this embodiment has a QFP having leads 9 in four directions on one surface (hereinafter referred to as A surface) of a wiring board 2. An LSI 3a, an SOP-LSI 3b having leads 9 in two directions, and a lead component 6a are mounted.
Further, the chip component 6b is provided on the other surface (hereinafter, referred to as surface B).
Is implemented.
【0022】配線基板2は耐熱性が最大260℃程度の
ガラスエポキシなどからなっており、この配線基板2の
A面には、耐熱性が最大240℃であるQFP(Quad Fl
at Package)−LSI3aのリード9やSOP(Small Ou
t−line Package)−LSI3bのリード9,図示しない
TSOP(Thin Small Out−line Package)−LSIのリ
ード,図示しないチップ部品の電極などが、このA面に
設けられた電極パッド4にSn−Ag−Cu、あるいは
これにIn,Biのうち1種以上を添加した鉛フリーは
んだを用いたリフローソルダリングによるはんだ付け継
ぎ手、即ち、リフローはんだ付け継ぎ手5により、表面
実装接続される。The wiring board 2 is made of glass epoxy or the like having a maximum heat resistance of about 260 ° C. A QFP (Quad Fl) having a maximum heat resistance of 240 ° C.
at Package)-Lead 9 or SOP (Small Ou) of LSI 3a
The lead 9 of the t-line package) -LSI 3b, the lead of the TSOP (Thin Small Out-line Package) -not shown, the electrode of the chip component not shown, and the like are mounted on the electrode pad 4 provided on the A surface on the Sn-Ag. The surface mounting connection is performed by a reflow soldering joint by reflow soldering using -Cu or a lead-free solder to which one or more of In and Bi is added, that is, a reflow soldering joint 5.
【0023】一方、この配線基板2のB面には、リード
部品6aのリード10が接続される電極7やチップ部品
6bが接続されている電極7が予め設けられており、配
線基板2と電極7を通して貫通する挿入孔が設けられて
いる。ここで、リード部品6aは、配線基板2のA面側
に配置されるものであるが、そのリード10は電極7に
接続されるものである。On the other hand, an electrode 7 to which the lead 10 of the lead component 6a is connected and an electrode 7 to which the chip component 6b is connected are provided on the surface B of the wiring board 2 in advance. An insertion hole penetrating through 7 is provided. Here, the lead component 6 a is arranged on the A-plane side of the wiring board 2, and its lead 10 is connected to the electrode 7.
【0024】そこで、配線基板2の上記A面側の実装が
終了すると、このB面でフローはんだ付け(上記のフロ
ーソルダリングによるもので、はんだ付け部を溶融した
はんだに接触もしくは浸漬させて行なうはんだ付け)さ
れるべきリード部品6aのリード10がA面側から貫通
した配線基板2の挿入孔に挿入されている電極7の挿入
孔に挿入され、このリード10の先端部がこの電極7か
ら突出した状態に設定される。次に、かかる状態で、S
n−Ag−Cuの3元系の鉛フリーはんだを用いてフロ
ーソルダリングによるはんだ付け継ぎ手、即ち、フロー
はんだ付け継ぎ手8により、電極7にリード部品6aの
リード10が実装接続される。このとき、チップ部品6
bが接続される電極7にはんだ層のフローはんだ付け継
ぎ手8が形成されることになり、かかるはんだ層を用い
てフローソルダリング(即ち、フローはんだ付け)でチ
ップ部品6bが電極7に実装接続される。Then, when the mounting on the A side of the wiring board 2 is completed, flow soldering is performed on the B side (by the above-mentioned flow soldering, and the soldered portion is brought into contact with or dipped in molten solder. The lead 10 of the lead component 6a to be soldered) is inserted into the insertion hole of the electrode 7 inserted into the insertion hole of the wiring board 2 penetrating from the A side, and the tip of the lead 10 is It is set in a protruding state. Next, in such a state, S
The lead 10 of the lead component 6a is mounted and connected to the electrode 7 by a soldering joint by flow soldering using ternary lead-free solder of n-Ag-Cu, that is, a flow soldering joint 8. At this time, the chip component 6
The flow soldering joint 8 of the solder layer is formed on the electrode 7 to which b is connected, and the chip component 6b is mounted and connected to the electrode 7 by flow soldering (that is, flow soldering) using the solder layer. Is done.
【0025】以上のようにして、鉛フリーはんだによる
この実施形態のリフロー・フローの混載実装構造体が形
成され、各種の電子機器に用いられるものであるが、こ
の実施形態は、LSIなどの電子部品3(QFP−LS
I3aやSOP−LSI3bなど)をガラスエポキシな
どの配線基板2のA面に、Sn−Ag−Cu、あるいは
これにIn,Biのうち1種以上を添加した鉛フリーは
んだを用いたリフローはんだ付け継ぎ手5で、接続実装
し、その後、リード部品6aやチップ部品6bをガラス
エポキシなどの配線基板2のB面に、Sn−Ag−Cu
の3元系の鉛フリーはんだを用いたフローはんだ付け継
ぎ手8で接続実装して構成されるものである。As described above, the reflow-flow hybrid mounting structure of this embodiment is formed by using lead-free solder, and is used for various electronic devices. Part 3 (QFP-LS
I3a or SOP-LSI3b) on a surface A of the wiring board 2 made of glass epoxy or the like, a reflow soldering joint using Sn-Ag-Cu or a lead-free solder to which at least one of In and Bi is added. Then, the lead component 6a and the chip component 6b are mounted on the B surface of the wiring board 2 made of glass epoxy or the like by Sn-Ag-Cu.
And a flow soldering joint 8 using ternary lead-free solder.
【0026】なお、上記説明では、電子部品が実装され
る配線基板2として、耐熱性が低いこと、かつ反り易い
ことから、最適な接続が得られる条件範囲が狭いガラス
エポキシ基板の場合を例としたが、セラミック基板の場
合には、耐熱性も優れ、かつ反りも少ないので、熱疲労
や配線基板の反りによる部品接続部の剥離の問題がガラ
スエポキシ基板の場合より少なくなるため、セラミック
基板などにも充分適用することができる。In the above description, the case where the wiring board 2 on which the electronic components are mounted is a glass epoxy board having a narrow range of conditions for obtaining an optimum connection because of its low heat resistance and easy warpage is taken as an example. However, in the case of a ceramic substrate, the heat resistance is excellent and the warpage is small. Can also be applied sufficiently.
【0027】まず、ガラスエポキシなどからなる配線基
板2のB面のフローはんだ付けプロセスに用いるはんだ
の組成は、Sn−(0〜3.5wt%)Ag−(0.2
〜0.8wt%)Cuであり、Biを含まないSn−A
g−Cuの3元系の鉛フリーはんだを選択した。これ
は、Biを添加したはんだでは、フローはんだ付け温度
を低くすることができ、配線基板2及び電子部品3の耐
熱性の点から有利であるが、フローはんだ付け時に電極
パッド7としてのCuパッドからフィレットが剥がれる
リフトオフ現象が起こってしまう。その原因は、Biを
含んだはんだでは、溶融温度に幅があるため、Biの偏
析が起こり易いこと、接続強度が弱いことなどがあるた
めである。First, the composition of the solder used in the flow soldering process on the B side of the wiring board 2 made of glass epoxy or the like is Sn- (0 to 3.5 wt%) Ag- (0.2
Sn-A which is Cu and does not contain Bi
A ternary lead-free solder of g-Cu was selected. This is because the solder containing Bi can lower the flow soldering temperature and is advantageous from the viewpoint of the heat resistance of the wiring board 2 and the electronic component 3, but the Cu pad as the electrode pad 7 during the flow soldering is used. A lift-off phenomenon in which the fillet is peeled off from the surface occurs. The reason is that the melting temperature of the solder containing Bi has a wide range, so that the segregation of Bi easily occurs and the connection strength is weak.
【0028】そこで、リフトオフによる欠陥を防止する
ためには、冷却速度を速くすることが考えられるが、こ
れを実際のプロセスで行なうためには、特別な冷却装置
を備えたフローはんだ付け装置が必要となり、また、様
々な配線基板11の厚さ及び様々な熱容量の電子部品を
搭載した実装基板で確実に冷却速度を制御することは難
しい。In order to prevent defects due to lift-off, it is conceivable to increase the cooling rate. However, in order to perform this in an actual process, a flow soldering apparatus having a special cooling device is required. In addition, it is difficult to reliably control the cooling rate of a mounting board on which electronic components having various thicknesses and various heat capacities are mounted.
【0029】このために、フローはんだ付けのためのは
んだを、Biを含まないSn−Ag−Cuの3元系の鉛
フリーはんだとしたものである。このSn−Ag−Cu
の3元系の鉛フリーはんだの組成範囲としては、Agの
添加量は、Ag3Snの初晶が発生しない範囲として、
3.5wt%までとし、Cuの添加量は、0.8wt%
を越えると、伸びが低下してくるため、上限を0.8w
t%とした。また、若干Cuが含まれることにより、C
uパットやCuリードなどをはんだ付け対象とする場
合、Cuの食われ防止に効果があるため、Cuの添加量
の下限を0.2wt%とした。かかるはんだ組成を用い
ることにより、フローはんだ付け面のリフトオフ欠陥を
防ぐことができる。For this reason, the solder for flow soldering is Sn-Ag-Cu ternary lead-free solder containing no Bi. This Sn-Ag-Cu
As for the composition range of the ternary lead-free solder, the addition amount of Ag is defined as a range in which primary crystals of Ag 3 Sn are not generated.
Up to 3.5 wt%, the amount of Cu added is 0.8 wt%
If it exceeds, the elongation will decrease, so the upper limit is 0.8w
t%. In addition, since Cu is slightly contained, C
When a u-pad, a Cu lead, or the like is to be soldered, the lower limit of the added amount of Cu is set to 0.2 wt% because it is effective in preventing the erosion of Cu. By using such a solder composition, a lift-off defect on the flow soldering surface can be prevented.
【0030】しかし、上記のはんだの組成範囲では、融
点が約215℃〜230℃となるが、配線基板2内の温
度の不均一な分布を考慮すると、フローはんだ付け面は
電子部品3の耐熱温度である約240℃まで加熱されな
ければならない。さらに、フローはんだ付けでは、加熱
時間が短いため、場合によっては、250℃付近までの
加熱が必要とされる。However, in the above composition range of the solder, the melting point is about 215 ° C. to 230 ° C. In consideration of the non-uniform distribution of the temperature in the wiring board 2, the flow soldering surface has the heat resistance of the electronic component 3. It must be heated to a temperature of about 240 ° C. Further, in the flow soldering, since the heating time is short, heating up to around 250 ° C. may be required in some cases.
【0031】従って、配線基板2のA面のリフローはん
だ付け継ぎ手5は、このフローはんだ付けプロセスに初
期的に耐えられ、かつ使用時の耐熱疲労特性も充分確保
できるはんだ組成でなくてはならない。Therefore, the reflow soldering joint 5 on the surface A of the wiring board 2 must have a solder composition that can withstand the flow soldering process at an early stage and that can sufficiently secure the thermal fatigue resistance during use.
【0032】次に、上記の制約を考え、A面のリフロー
はんだ付けに用いる鉛フリーはんだの組成の実施例につ
いて説明する。Next, an example of the composition of the lead-free solder used for the reflow soldering of the surface A will be described in consideration of the above restrictions.
【0033】鉛フリーはんだを用いたリフローはんだ付
けにおいては、高温に曝される時間がフローはんだ付け
と比較して長く、冷却速度も遅いため、基板11や電子
部品3の耐熱性が問題となってくる。現状の基板11や
電子部品3の耐熱性を損なわないためには、(a)電子
部品3の表面の温度を最高ほぼ240℃以下とする必要
がある。また、鉛フリーはんだとして、Sn−Agの2
元系やSn−Ag−Cuの3元系が考えられるが、液相
線温度からこれらが正常にぬれるためには、(b)接続
温度として、Sn−Agの2元系の鉛フリーはんだで
は、最低225℃、Sn−Ag−Cuの3元系の鉛フリ
ーはんだでは、最低220℃が必要である。In reflow soldering using lead-free solder, the time of exposure to high temperature is longer than that of flow soldering and the cooling rate is slower, so that the heat resistance of the substrate 11 and the electronic components 3 becomes a problem. Come. In order not to impair the heat resistance of the current substrate 11 or electronic component 3, (a) the surface temperature of the electronic component 3 needs to be set to approximately 240 ° C. or less at the maximum. In addition, as a lead-free solder, Sn-Ag 2
A ternary system or a ternary system of Sn-Ag-Cu is conceivable, but in order for these to normally wet from the liquidus temperature, (b) a binary lead-free solder of Sn-Ag must be used as the connection temperature. At least 225 ° C., Sn—Ag—Cu ternary lead-free solder requires at least 220 ° C.
【0034】リフロー炉として、炉内温度のばらつきが
少ない強制対流型のものを用いても、約300mm角レ
ベルの大型の配線基板2上の継ぎ手部の温度のばらつき
は約10〜15℃であるため、最高部の温度を240℃
とすると、あるはんだ付け継ぎ手では、225℃程度に
なる可能性があり、ぬれを確保できる最低のレベルとな
る。従って、部材の耐熱性が確保でき、または、炉内の
温度ばらつきを低減した条件では、Sn−Ag−Cuの
3元系の鉛フリーはんだをリフローはんだ付けに用いる
ことができるが、耐熱性の悪い部品や部品の熱容量の差
が大きく、配線基板2内の温度ばらつきが大きい場合に
は、高信頼性を確保できる他のはんだが必要である。Even if a forced convection type reactor having a small variation in the furnace temperature is used as the reflow furnace, the variation in the temperature of the joint portion on the large-sized wiring board 2 of about 300 mm square is about 10 to 15 ° C. Therefore, the highest temperature is 240 ℃
Then, with a certain soldering joint, the temperature may be about 225 ° C., which is the lowest level at which wetting can be ensured. Therefore, under the condition that the heat resistance of the member can be ensured or the temperature variation in the furnace is reduced, a ternary lead-free solder of Sn-Ag-Cu can be used for reflow soldering. In the case where a bad component or a large difference in heat capacity between the components and a large temperature variation in the wiring board 2, another solder that can ensure high reliability is required.
【0035】このため、リフロー温度を下げる必要があ
り、Sn−Ag−Cu系にBiを添加したSn−Ag−
Bi−Cuの4元系の鉛フリーはんだを検討した。For this reason, it is necessary to lower the reflow temperature, and Sn-Ag-
A quaternary lead-free solder of Bi-Cu was studied.
【0036】はんだ中のAg,Cuの濃度を夫々3wt
%,0.7wt%に固定し、Biを添加したときの融点
を図2に示すが、Biの添加量が3wt%では、液相線
温度が216℃、Bi添加量が5wt%では、液相線温
度は213℃まで下がり、部品の耐熱温度や炉内温度の
ばらつきなどを考慮すると、リフローはんだ付けが容易
になってくる。Biを6wt%以上添加すると、さらに
融点が下がるので、リフローはんだ付けはさらに容易に
なる。The concentration of Ag and Cu in the solder was 3 wt.
% And 0.7 wt%, and the melting point when Bi is added is shown in FIG. 2. When the Bi addition amount is 3 wt%, the liquidus temperature is 216 ° C., and when the Bi addition amount is 5 wt%, the liquid The phase line temperature drops to 213 ° C., and the reflow soldering becomes easier when the heat resistance temperature of components and the variation in the furnace temperature are considered. When Bi is added in an amount of 6 wt% or more, the reflow soldering is further facilitated because the melting point is further lowered.
【0037】しかし、Biの添加量が多くなると、次の
ような問題を引き起こすことがわかった。However, it has been found that an increase in the amount of added Bi causes the following problem.
【0038】第1の問題は、Biの添加量が約5wt%
以上に増加すると、材料の伸び特性が、図3に示したよ
うに、低下してしまうことである。はんだ材料の伸び特
性が低下すると、接続時あるいは使用時に、リフローは
んだ付け継ぎ手5に発生する熱応力を緩和できなくな
り、信頼性を大幅に低下させる。The first problem is that the amount of Bi added is about 5 wt%.
If it increases as described above, the elongation characteristic of the material is reduced as shown in FIG. When the elongation characteristic of the solder material is reduced, the thermal stress generated in the reflow soldering joint 5 cannot be reduced at the time of connection or use, and the reliability is greatly reduced.
【0039】第2の問題は、Biの添加量が約5wt%
以上に多くなると、接合界面の強度(ピール強度)が低
下してしまうことである。LSIのリードとして一般的
に用いられている42AlloyリードフレームにSn
メッキを施したリード、及び配線基板2の電極材料とし
て用いられているCuに対して、Sn−3wt%Ag−
0.7wt%Cuの組成のはんだにBiを添加したとき
の接合界面の強度(垂直方向のピール強度)を夫々図4
及び図5に示すが、Biの量が増えるに従って接続強度
が低下していることがわかる。The second problem is that the amount of added Bi is about 5 wt%.
If the number is larger than the above, the strength (peel strength) of the bonding interface is reduced. A 42 Alloy lead frame, which is generally used as an LSI lead, has a Sn
Sn-3wt% Ag- with respect to the plated lead and Cu used as the electrode material of the wiring board 2.
FIG. 4 shows the strength of the bonding interface (vertical peel strength) when Bi was added to the solder having a composition of 0.7 wt% Cu.
5 and FIG. 5, it can be seen that the connection strength decreases as the amount of Bi increases.
【0040】このような強度低下は、特に、現在よく用
いられているSn−10wt%Pbでメッキされた42
Alloyリードに対して顕著になる。この結果を図6
に示すが、Biが2wt%添加されても、界面強度が大
幅に低下することが分かる。この強度低下の原因は、B
iの偏析によるものと考えられる。特に、Pb入りメタ
ライズの場合の強度低下は、はんだ中のBiやSnとメ
ッキ膜中から混入したPbとがSn−Pb−Bi低温相
(97℃)を形成することに起因すると考えられる。Such a decrease in the strength is particularly caused by the 42% plating of Sn-10 wt% Pb which is widely used at present.
This becomes noticeable for Alloy leads. The result is shown in FIG.
It can be seen that even when Bi is added at 2 wt%, the interface strength is significantly reduced. The cause of this strength drop is B
This is probably due to the segregation of i. In particular, it is considered that the strength decrease in the case of Pb-containing metallization is caused by the formation of Sn—Pb—Bi low-temperature phase (97 ° C.) between Bi and Sn in the solder and Pb mixed from the plating film.
【0041】図7は図6に示した強度評価サンプルの接
続部のDSC(示差走査熱量測定:differential scann
ing calorimetry)測定結果(温度(℃)とヒートフロ
ー(mcal/sec)との関係)を示すものである。但し、図
7(a)はBiの添加量が0wt%、図7(b)はBi
の添加量が4wt%、図7(c)はBiの添加量が7w
t%の場合を夫々示し、Ag,Cuの添加量を、上記の
ように、一定としている。FIG. 7 shows a DSC (differential scanning calorimetry) of a connecting portion of the strength evaluation sample shown in FIG.
ing calorimetry) (relationship between temperature (° C.) and heat flow (mcal / sec)). However, FIG. 7A shows the case where the amount of Bi added is 0 wt%, and FIG.
FIG. 7 (c) shows that the additive amount of Bi is 7 wt%.
Each case of t% is shown, and the addition amounts of Ag and Cu are fixed as described above.
【0042】はんだ中のBi量が約4wt%までは、図
7(a),(b)に示すように、180℃付近まで溶融
に伴う吸熱ピークは見られないが、Biが約7wt%に
なると、図7(c)に示すように、低温相が見られるこ
とになる。このような低温相の形成は、実使用環境での
劣化を早めることになる。Up to about 4% by weight of Bi in the solder, as shown in FIGS. 7A and 7B, an endothermic peak due to melting is not seen up to about 180 ° C., but Bi is reduced to about 7% by weight. Then, as shown in FIG. 7C, a low-temperature phase is observed. The formation of such a low-temperature phase hastens deterioration in a practical use environment.
【0043】第3の問題は、このように接続強度の弱い
リフローはんだ付け継ぎ手5は、電子部品3の大きさに
よっては、配線基板2のB面でのフローはんだ付け時の
配線基板2の反りに耐えきれず、剥離破壊を起こしてし
まうことである。この例を次に示す。The third problem is that the reflow soldering joint 5 having a weak connection strength may cause the wiring board 2 to warp during the flow soldering on the B side of the wiring board 2 depending on the size of the electronic component 3. And it causes peeling failure. An example is shown below.
【0044】Sn−3Ag−0.7Cu−5Biはんだ
(融点:204〜213℃)で配線基板2のA面に大型
のQFP−LSI(リード:42AlloyにSnメッ
キ)をリフローはんだ付けし、次に、B面に、Sn−3
Ag−0.5Cuはんだ(融点:218℃)を用いて、
250℃でフローはんだ付けを行なった。Sn−3Ag
−0.7Cu−5Biはんだによるリフローはんだ付け
プロセス後、即ち、フローはんだ付け前のLSIのリフ
ローはんだ付け継ぎ手14の強度は、45°方向のピー
ル試験によると、Sn−Pb共晶とほぼ同じであり、充
分な強度を有していた。また、−55〜125℃の温度
サイクル試験を行なっても、QFP−LSI3aのリフ
ローはんだ付け継ぎ手5では、1000サイクルを充分
クリアできるレベルであった。しかし、このリフローは
んだ付け継ぎ手14は、フローはんだ付け後、剥離を起
こした。この原因を調べるため、フローソルダリングの
プロセス(以下、フロープロセスという)時に剥離した
リフローはんだ付け継ぎ手14の破面についてEDX
(エネルギー分散形X線分析法:energy dispersiveX-r
ay spectroscopy)分析を行なった結果、破壊場所はリ
ード9とはんだ14との界面であって、図8に示すよう
に、界面(分析箇所A)には、Biが46wt%とはん
だ中の添加率(5wt%)に比べて、大量に含まれてい
ることが分かった。A large QFP-LSI (lead: Sn plating on 42 Alloy) is reflow soldered to the A side of the wiring board 2 with Sn-3Ag-0.7Cu-5Bi solder (melting point: 204 to 213 ° C.), and then , B side, Sn-3
Using Ag-0.5Cu solder (melting point: 218 ° C.)
Flow soldering was performed at 250 ° C. Sn-3Ag
After the reflow soldering process using −0.7Cu-5Bi solder, that is, the strength of the reflow soldering joint 14 of the LSI before the flow soldering is almost the same as that of the Sn—Pb eutectic according to the 45 ° peel test. And had sufficient strength. Further, even when the temperature cycle test at -55 to 125 ° C. was performed, the reflow soldering joint 5 of the QFP-LSI 3a was at a level that could sufficiently clear 1000 cycles. However, the reflow soldering joint 14 peeled off after the flow soldering. In order to investigate the cause, EDX was applied to the fractured surface of the reflow soldering joint 14 that was peeled off during the flow soldering process (hereinafter referred to as the flow process).
(Energy dispersive X-r analysis: energy dispersive X-r
As a result of the ay spectroscopy) analysis, the destruction site was the interface between the lead 9 and the solder 14, and as shown in FIG. (5 wt%), it was found to be contained in a large amount.
【0045】このことからして、この接合界面において
は、フロープロセス時に固相線の204℃近くまで上昇
し、さらに、配線基板2の反りも加わるため、界面に沿
ってBiが偏析(濃度の増加)して接続強度が低下し、
この場合、剥離を起こしたものと考えられる。さらに、
Biの添加量の多いはんだでは、フロープロセス時にリ
フローはんだ付け継ぎ手5の再溶融が起り、かかる現象
がさらに顕著になる。From this, at the bonding interface, the temperature rises to around 204 ° C. of the solidus during the flow process, and the warpage of the wiring board 2 is also added, so that Bi segregates along the interface (concentration of concentration). Increase) and the connection strength decreases,
In this case, it is considered that peeling occurred. further,
In the case of a solder containing a large amount of Bi, the reflow soldering joint 5 is remelted during the flow process, and this phenomenon becomes more remarkable.
【0046】他方、仮にリフロー・フローの混載実装の
プロセスで初期的に剥離などの問題はなかったとして
も、フロープロセス時の熱により、接続界面でBiの濃
度が増加すると、電子部品3のリードの剛性が高く、応
力的に厳しいSOP−LSIやTSOP−LSIなどで
のリフローはんだ付け継ぎ手14は、−55〜125℃
の温度サイクル条件では、目標寿命を満たすことができ
ない。即ち、電子部品3中のスイッチのON,OFF動
作に伴う温度サイクルによって劣化し、弱い応力でも破
壊を起こしてしまう接続構造となる。従って、フローは
んだ付けの際には、大型LSIのA面でのリフローはん
だ付け継ぎ手14の温度が少なくとも固相線温度以下に
保つことが高信頼性を保つ上で重要な条件となる。On the other hand, even if there is no problem such as separation at the initial stage in the reflow / flow mixed mounting process, if the concentration of Bi at the connection interface increases due to heat during the flow process, the lead of the electronic component 3 will not increase. The reflow soldering joint 14 for SOP-LSI or TSOP-LSI with high rigidity and severe stress is -55 to 125 ° C.
Under the temperature cycle conditions, the target life cannot be satisfied. That is, the connection structure is degraded by a temperature cycle associated with the ON / OFF operation of the switch in the electronic component 3 and is broken even by a weak stress. Therefore, at the time of flow soldering, it is an important condition for maintaining high reliability that the temperature of the reflow soldering joint 14 on the surface A of the large-sized LSI be kept at least equal to or lower than the solidus temperature.
【0047】以上のことからして、Biの添加量はなる
べく少なくする必要がある。BiのSn−Ag−Cuは
んだのSn晶への固溶限が約1.5wt%であるため、
それ以上Biを添加すると、融点は下げられるものの、
固溶できないBiが析出して機械的特性、特に、図3に
示したように、信頼性に大きな影響を与える伸びの低下
によって脆化し、かつ、接合界面の強度低下を起こすこ
とになる。From the above, it is necessary to minimize the amount of Bi added. Since the solubility limit of Bi in Sn-Ag-Cu solder to Sn crystal is about 1.5 wt%,
Adding more Bi lowers the melting point,
Bi that cannot form a solid solution precipitates and becomes brittle due to a decrease in mechanical properties, particularly, elongation that greatly affects reliability, as shown in FIG. 3, and causes a decrease in the strength of the joint interface.
【0048】図9はSn−3Ag−0.7Cuの組成に
Biを添加したときの引張強度を示すものであるが、B
iの添加量が増加するにつれてはんだの引っ張り強度が
増大し、硬くなっていることがわかる。従って、図3か
ら明らかなように、Biの添加量が2wt%までは伸び
の劣化はないため、Biの添加量が2wt%まではバル
ク材料の特性は優れていると言え、この添加量の上限値
は2wt%であることがわかった。FIG. 9 shows the tensile strength when Bi was added to the composition of Sn-3Ag-0.7Cu.
It can be seen that as the addition amount of i increases, the tensile strength of the solder increases and the solder becomes harder. Therefore, as is clear from FIG. 3, since the elongation does not deteriorate up to the addition amount of Bi of 2 wt%, the properties of the bulk material can be said to be excellent up to the addition amount of Bi of 2 wt%. The upper limit was found to be 2 wt%.
【0049】逆に、Biを僅かでも添加することによ
り、はんだの表面張力が低減し、また、流動性が増加す
るため、狭ピッチリードのLSIに対するブリッジの低
減及びチップ立ちの防止に著しい効果があり、この性質
を利用して歩留まり向上に役立てることができる。Conversely, by adding even a small amount of Bi, the surface tension of the solder is reduced, and the flowability is increased. Therefore, a remarkable effect is achieved in reducing the bridge of narrow pitch leads to LSI and preventing chip standing. This property can be used to improve the yield.
【0050】以上のことから、はんだバルク材の特性と
耐ブリッジ性などの観点から、Biの添加量として2.
0wt%が上限であることを見出した。これ以上のBi
の添加量は界面の強度低下につながり、混載実装構造体
1における配線基板2のリフローソルダリングする面用
のはんだとしては適さない。From the above, from the viewpoint of the properties of the bulk solder material and the bridging resistance, the amount of Bi added is set to 2.
It has been found that 0 wt% is the upper limit. No more Bi
The amount of addition leads to a decrease in the strength of the interface, and is not suitable as a solder for the surface of the wiring board 2 in the hybrid mounting structure 1 on which reflow soldering is performed.
【0051】以上はBiの添加であったが、同様に、は
んだ付け温度を低くして、かつ高信頼性を確保するた
め、配線基板2のA面のリフローはんだ付けに用いる鉛
フリーはんだとして、Sn−Ag−CuはんだへのIn
添加も検討した。The above is the addition of Bi. Similarly, in order to lower the soldering temperature and ensure high reliability, lead-free solder used for reflow soldering on the A side of the wiring board 2 is used. In to Sn-Ag-Cu solder
The addition was also considered.
【0052】まず、In添加による融点への影響につい
てみると、Sn−3Ag−0.7CuはんだへのInの
添加は、図10に示すように、Biに対して示す図2と
同様に、Sn−3Ag−0.7Cuはんだへのその添加
量の増加とともに融点を低下させる傾向がある。しか
し、図11に示すように、Sn−Ag−Cuはんだへの
Inの添加量を増加させても、図3と比較して明らかな
ように、Biの場合ほど顕著な伸び特性の劣化が起こら
ないことがわかった。また、図12に示すように、Sn
メッキを施した42Alloyリードに対しても、図4
と比較して明らかなように、Biの場合ほど顕著なピー
ル強度の低下を起こさないことがわかった。さらに、S
n−Ag−Cuの3元系はんだに対し、Biの添加量と
Inの添加量とをともに変化させた実験を行ない、その
系でも、はんだ付け継ぎ手の機械的な信頼性はBiの添
加量で決まり、Inの添加量は機械的特性をほとんど損
うことがなく、融点を低下される作用をなすことが明ら
かになった。First, looking at the effect of the addition of In on the melting point, the addition of In to the Sn-3Ag-0.7Cu solder is as shown in FIG. The melting point tends to decrease as the amount of addition to the -3Ag-0.7Cu solder increases. However, as shown in FIG. 11, even when the amount of In added to the Sn—Ag—Cu solder is increased, as shown in FIG. I knew it wasn't. In addition, as shown in FIG.
FIG. 4 also shows a plated 42 Alloy lead.
As apparent from comparison with the case of Bi, it was found that the peel strength was not remarkably reduced as in the case of Bi. Furthermore, S
An experiment was performed in which the amount of Bi and the amount of In were both changed with respect to the ternary solder of n-Ag-Cu, and even in that system, the mechanical reliability of the soldering joint was determined by the amount of added Bi. It has been clarified that the amount of In added has a function of lowering the melting point without substantially impairing the mechanical properties.
【0053】次に、Biの添加範囲を考慮してIn添加
量の詳細な検討を行なった結果について説明する。Next, the result of a detailed study of the In content in consideration of the Bi addition range will be described.
【0054】図13はSn−3Ag−0.7Cuはんだ
を例としたときのBi,Inの添加量に対する液相線温
度,固相線温度の変化を示す図であって、縦軸は温度、
横軸の左半分は0〜5wt%のBiの添加範囲を、右半
分は0〜5wt%のInの添加範囲を夫々示している。FIG. 13 is a graph showing changes in the liquidus temperature and the solidus temperature with respect to the amounts of added Bi and In when the Sn-3Ag-0.7Cu solder is used as an example.
The left half of the horizontal axis indicates the range of addition of Bi of 0 to 5 wt%, and the right half indicates the range of addition of In of 0 to 5 wt%.
【0055】また、図14は、図13と同様のSn−3
Ag−0.7Cuはんだを例とし、Bi,Inの添加量
に対する伸びの変化を示す図であって、縦軸は伸びを示
し、横軸は図13と同様である。FIG. 14 shows the same Sn-3 as in FIG.
FIG. 14 is a diagram illustrating a change in elongation with respect to the amount of added Bi and In, using an Ag-0.7Cu solder as an example, where the vertical axis indicates elongation and the horizontal axis is the same as FIG.
【0056】図13及び図14では、いずれにおいて
も、Sn−3Ag−0.7CuはんだでのBiの添加量
を2wt%とし、このときのInの添加量を0〜5wt
%と変化させたときの液相/固相線温度,伸びの変化を
夫々の図面の右半分に破線で示している。13 and 14, in both cases, the amount of Bi added to the Sn-3Ag-0.7Cu solder was 2 wt%, and the amount of In added at this time was 0 to 5 wt%.
%, The changes in the liquidus / solidus temperature and elongation are shown by broken lines in the right half of each drawing.
【0057】図13によると、例えば、Sn−3Ag−
0.7Cu−2Bi−3In(Sn−3Ag−0.7C
uにBiを2wt%,Inを3wt%添加)はんだの融
点がSn−3Ag−0.7Cu−5Biはんだのそれに
近く、Sn−3Ag−0.7Cu−2Biはんだのそれ
よりも低いことがわかる。これより、Sn−3Ag−
0.7Cu−2Bi−3Inはんだのリフロー温度は、
Sn−3Ag−0.7Cu−5Biはんだ並みで可能で
ある。According to FIG. 13, for example, Sn-3Ag-
0.7Cu-2Bi-3In (Sn-3Ag-0.7C
The melting point of the solder is close to that of the Sn-3Ag-0.7Cu-5Bi solder and lower than that of the Sn-3Ag-0.7Cu-2Bi solder. From this, Sn-3Ag-
The reflow temperature of the 0.7Cu-2Bi-3In solder is
This is possible at the same level as Sn-3Ag-0.7Cu-5Bi solder.
【0058】一方、図14によると、Inが添加されて
も伸びの劣化はほとんどなく、また、接続強度の劣化も
少ないため、配線基板2の裏面(B面)のフロープロセ
スでも初期的に充分耐えられ、かつ長期的な熱疲労特性
も問題ない。On the other hand, according to FIG. 14, even if In is added, there is almost no deterioration in elongation, and there is little deterioration in connection strength. Therefore, the flow process on the back surface (B surface) of the wiring board 2 is initially sufficient. It is durable and has no problem in long-term thermal fatigue properties.
【0059】以上のことからして、上記のはんだ組成は
混載実装構造体1における上記課題を解決できるもので
ある。As described above, the above-mentioned solder composition can solve the above-mentioned problem in the hybrid mounting structure 1.
【0060】同様に、Biの添加量が2wt%までの範
囲において、Inの添加量を変化させる実験を行なった
結果、Inの添加量が4wt%までの範囲では、配線基
板2の目的とするA面のリフローはんだ付け用の鉛フリ
ーはんだ組成が得られることがわかった。これは、In
の添加量が4wt%以上になると、固相線温度が低くな
り、配線基板2の裏面(B面)のフローはんだ付けプロ
セスに初期的に耐えられなくなるためである。しかも、
Inが高価であることから、コストの面やInが酸化さ
れ易いということのため、ペーストの保管性や印刷性な
どの影響が出やすいこと、及び固相線温度が下がってS
n−In−Pb−Biと考えられる低温相が出やすくな
るため、はんだ組織が不安定になるなどの問題がある。
以上の理由から、Inの添加量の上限値を4wt%とし
た。Similarly, an experiment was conducted in which the amount of In was changed in a range where the amount of Bi was up to 2 wt%. It was found that a lead-free solder composition for reflow soldering on the A side was obtained. This is In
If the addition amount is 4 wt% or more, the solidus temperature becomes low, and it becomes impossible to initially endure the flow soldering process of the back surface (B surface) of the wiring board 2. Moreover,
Since In is expensive, the cost and the fact that In is easily oxidized easily affect the storage properties and printability of the paste, and the solidus temperature is lowered due to the lower solidus temperature.
Since a low-temperature phase considered to be n-In-Pb-Bi tends to appear, there is a problem that the solder structure becomes unstable.
For the above reasons, the upper limit of the amount of In added is set to 4 wt%.
【0061】また、Cuの組成範囲は、機械的特性を損
ねないで、Sn−Ag結晶の融点を数度下げる効果があ
る範囲とした。Cuの添加量は、0.8wt%を越える
と、図15に示したように、Cuを添加しないものに比
べて伸びが低下してくるため、Cuの添加量の上限を
0.8wt%とした。しかも、Cuが若干添加されるこ
とは、CuパットやCuリードなどを対象とする場合、
Cuの食われ防止にも効果がある。このため、Cuの添
加量の下限を0.2wt%とした。The composition range of Cu is set to a range that has an effect of lowering the melting point of the Sn—Ag crystal by several degrees without impairing the mechanical properties. If the addition amount of Cu exceeds 0.8 wt%, as shown in FIG. 15, the elongation is reduced as compared with the case where no Cu is added, so the upper limit of the addition amount of Cu is 0.8 wt%. did. Moreover, the fact that a small amount of Cu is added is intended for Cu pads and Cu leads.
It is also effective in preventing erosion of Cu. Therefore, the lower limit of the added amount of Cu is set to 0.2 wt%.
【0062】Agの添加量については、その添加量を
1.5wt%以下とすると、融点の上昇と機械的特性の
低下が生ずる。また、その添加量を3.5wt%以上と
すると、同様に融点の上昇があるとともにAg3Snの
初晶が大きく成長するため、機械的特性が低下し、さら
には、コスト高にもなる。従って、Agの添加量は1.
5〜3.5wt%とした。When the amount of Ag added is 1.5 wt% or less, the melting point increases and the mechanical properties decrease. If the addition amount is 3.5 wt% or more, the melting point is also increased and the primary crystal of Ag3Sn grows similarly, so that the mechanical properties are lowered and the cost is increased. Therefore, the added amount of Ag is 1.
The content was 5 to 3.5 wt%.
【0063】以上からして、配線基板2のA面を鉛フリ
ーはんだを用いてリフローはんだ付けし、B面を鉛フリ
ーはんだを用いてフローはんだ付けする際に、このA面
のリフローはんだ付け用の鉛フリーはんだの組成として
は、Sn−Ag−Cu、あるいはこれにIn,Biのう
ち1種以上を添加した Sn−(1.5〜3.5wt%)Ag−(0.2〜0.
8wt%)Cu−(0〜4wt%)In−(0〜2wt
%)Bi にすることが最適であることを究明することができた。As described above, when the surface A of the wiring board 2 is reflow-soldered using lead-free solder and the surface B is subjected to flow soldering using lead-free solder, the reflow soldering of the surface A The composition of the lead-free solder of Sn-Ag-Cu or Sn- (1.5-3.5 wt%) Ag- (0.2-0.0 wt.%) To which at least one of In and Bi is added.
8 wt%) Cu- (0-4 wt%) In- (0-2 wt%)
%) Bi could be determined to be optimal.
【0064】従って、図1に示す実施形態としてのリフ
ロー・フローの混載実装構造体1において、配線基板2
のA面に対して、上記組成範囲のSn−Ag−Cu、あ
るいはこれにIn,Biのうち1種以上を添加した鉛フ
リーはんだを用いてリフローはんだ付けを行ない、次
に、この配線基板2のB面に対して、上記組成範囲のS
n−Ag−Cuの3元系の鉛フリーはんだを用いてフロ
ーはんだ付けを行なうことにより、配線基板2や電子部
品3,6aの耐熱性の範囲内で初期的な不良を起さず、
かつ、長期的にも、優れた熱疲労特性を持つという優れ
た効果が得られることになる。Therefore, in the hybrid mounting structure 1 of the reflow flow as the embodiment shown in FIG.
Reflow soldering is performed using the Sn-Ag-Cu in the above composition range or a lead-free solder to which at least one of In and Bi is added, and then the wiring board 2 Of the above composition range with respect to side B of
By performing flow soldering using ternary lead-free solder of n-Ag-Cu, initial failure does not occur within the range of heat resistance of the wiring board 2 and the electronic components 3, 6a.
In addition, an excellent effect of having excellent thermal fatigue characteristics can be obtained over a long term.
【0065】次に、図1を用いてリフロー・フロー混載
プロセスの実施例について具体的に説明する。Next, an embodiment of the mixed reflow / flow process will be described in detail with reference to FIG.
【0066】〔実施例1〕配線基板2として250mm
×300mmのガラスエポキシ基板を用い、この配線基
板2のA面に、208ピンのQFP−LSI3aやSO
P−LSI3b,チップ部品6aなどをリフローはんだ
付けした。この場合、リフローはんだ付けに用いる鉛フ
リーはんだとして、4元系の鉛フリーはんだであるSn
−3Ag−0.7Cu−5Biはんだ(融点:204〜
213℃)を用いたものを比較例とし、また、上記の5
元系の鉛フリーはんだであるSn−3Ag−0.7Cu
−2Bi−3Inはんだ(融点:203〜212℃)を
用いたものを実施例1とした。なお、これらはんだとし
ては、無洗浄タイプのはんだペースト〔はんだ粒径:平
均30μm、塩素含有量:0.05wt%、フラックス
含有量:10%〕を用い、プレヒート温度を150±1
5℃、継ぎ手部温度maxを235℃として、空気中で
リフローはんだ付けした。Example 1 250 mm as the wiring board 2
A 300-pin glass epoxy board is used, and a 208-pin QFP-LSI 3a or SO
The P-LSI 3b, the chip component 6a, and the like were soldered by reflow soldering. In this case, as a lead-free solder used for reflow soldering, a quaternary lead-free solder such as Sn
-3Ag-0.7Cu-5Bi solder (melting point: 204-
213 ° C.) was used as a comparative example.
Sn-3Ag-0.7Cu which is a lead-free solder
Example 1 using -2Bi-3In solder (melting point: 203 to 212 ° C) was used. The solder used was a non-cleaning type solder paste (solder particle size: average 30 μm, chlorine content: 0.05 wt%, flux content: 10%), and the preheating temperature was 150 ± 1.
Reflow soldering was performed in air at 5 ° C. and the joint temperature max was 235 ° C.
【0067】このときの配線基板2の表面温度はmax
243℃(ガラスエポキシ基板の耐熱性:max260
℃)、上記の電子部品3,6aの表面はmax238℃
(部品の耐熱性:max240℃)である。使用したリ
フロー炉は、強制循環型の赤外炉である。また、QFP
−LSI3aのリードのピッチは0.5mm,0.4m
mである。このとき、リフローはんだ付けを行なったは
んだ接続部(はんだ付け継ぎ手)は、比較例,実施例1
のいずれにおいても、全く問題はなかった。The surface temperature of the wiring board 2 at this time is max.
243 ° C. (heat resistance of glass epoxy substrate: max 260
° C), and the surface of the electronic components 3 and 6a has a maximum of 238 ° C.
(Heat resistance of parts: max 240 ° C.). The reflow furnace used is a forced circulation type infrared furnace. Also, QFP
-Lead pitch of LSI3a is 0.5mm, 0.4m
m. At this time, the reflow-soldered solder joints (soldering joints) were used in Comparative Example and Example 1.
There was no problem in any of the above.
【0068】以上のリフローはんだ付け後、実施例1の
配線基板2のB面では、上記の3元系の鉛フリーはんだ
であるSn−3Ag−0.5Cuはんだ(融点:218
℃)を用い、また、比較例の配線基板2のB面では、2
元系の鉛フリーはんだであるSn−0.7Cuはんだ
(融点:227℃)を用いて、夫々max235℃〜m
ax260℃の範囲でフローはんだ付けを行なった。After the above reflow soldering, the Sn-3Ag-0.5Cu solder (melting point: 218), which is the above-mentioned ternary lead-free solder, is formed on the B side of the wiring board 2 of the first embodiment.
° C), and on the B side of the wiring board 2 of the comparative example, 2
Using Sn-0.7Cu solder (melting point: 227 ° C.), which is the original lead-free solder, each has a maximum of 235 ° C. to m.
The flow soldering was performed in the range of ax260 ° C.
【0069】このフローはんだ付けにより、配線基板2
のA面をSn−3Ag−0.7Cu−5Biはんだでリ
フローはんだ付けした比較例では、QFP−LSI3a
の1辺で剥がれたリード9が見られた。また、剥がれな
かったリード9についても、同一位置のリード継ぎ手が
弱いことが分かった。接合されている近傍のリード継ぎ
手は強いので、配線基板2の反りによってある一定位置
に負担がかかり、そこで集中的に剥離するモードと判断
した。フロー温度を低くして配線基板2のA面の温度を
下げた場合についても検討したが、フローはんだ付け面
で溶融不足の箇所がいくつか見られたが、初期的には破
断は見られず、A面のリフローはんだ付け側には問題が
なかった。しかし、リードが短かく、応力的に厳しいT
SOP−LSI(図1で図示せず)は、その後の−55
〜125℃の温度サイクル試験での寿命が、目標として
いる1000サイクルをクリアできず、500〜750
サイクルで断線した。従って、リフロー・フロー混載プ
ロセスに耐えられず、かつ、寿命でも問題があるので、
配線基板2のB面でSn−Ag−Cu3元系の鉛フリー
はんだでフローはんだ付けを行なう前に、これとは反対
側のA面でSn−3Ag−0.7Cu−5Biはんだで
リフローはんだ付けによる接続構造は、混成実装構造体
として良好な性能を得ることが困難であると判断した。By this flow soldering, the wiring board 2
In the comparative example in which the A side of the above was reflow soldered with Sn-3Ag-0.7Cu-5Bi solder, the QFP-LSI3a
The lead 9 peeled off on one side was observed. It was also found that the lead joint at the same position was weak for the lead 9 that was not peeled off. Since the lead joint in the vicinity of the joint is strong, a load is applied to a certain position due to the warpage of the wiring board 2, and it is determined that the mode is such that the peeling is intensively performed there. The case where the flow temperature was lowered to lower the temperature of the surface A of the wiring board 2 was also examined. However, some places where the flow soldering surface was insufficiently melted were found, but no break was initially observed. There was no problem on the reflow soldering side of side A. However, short leads and severe T
The SOP-LSI (not shown in FIG. 1) is
The life in the temperature cycle test of 125125 ° C. could not meet the target 1000 cycles,
Disconnected in the cycle. Therefore, it cannot withstand the reflow / flow mixed loading process, and there is a problem with the service life.
Before performing flow soldering with Sn-Ag-Cu ternary lead-free solder on the B side of the wiring board 2, reflow soldering with Sn-3Ag-0.7Cu-5Bi solder on the A side opposite to this. It was determined that it was difficult to obtain good performance as a hybrid mounting structure.
【0070】これに対して、実施例1では、Sn−Ag
−Cu−Bi−Inの5元系の鉛フリーはんだであるS
n−3Ag−0.7Cu−2Bi−3Inはんだで配線
基板2のA面をリフローはんだ付けすると、この後のフ
ローはんだ付けでも、フローはんだ付けの条件によら
ず、リードの剥離は起らなかった。さらには、その後の
−55〜125℃の温度サイクル試験でも1000サイ
クル以上をクリアできた。これより、融点,はんだ付け
温度はSn−3Ag−0.7Cu−5Biはんだ並み
で、しかも、高信頼性のはんだ組成を得ることができ
た。On the other hand, in the first embodiment, Sn-Ag
-Cu-Bi-In quinary lead-free solder
When the A side of the wiring board 2 was reflow-soldered with n-3Ag-0.7Cu-2Bi-3In solder, the lead was not peeled even in the subsequent flow soldering regardless of the flow soldering conditions. . Furthermore, 1000 cycles or more could be cleared in the subsequent temperature cycle test at -55 to 125 ° C. Thus, the melting point and the soldering temperature were comparable to those of the Sn-3Ag-0.7Cu-5Bi solder, and a highly reliable solder composition could be obtained.
【0071】また、配線基板2のA面のリフローはんだ
付けをSn−3Ag−0.7Cu−1Bi−2Inはん
だで行ない、その後の配線基板2のB面のフローはんだ
付けをSn−3Ag−0.7Cuはんだで行ない、上記
と同様の実験を行なったが、この場合でも、初期的及び
長期信頼性の面でも問題がなかった。即ち、Sn−3A
g−0.7Cu−1Bi−2Inはんだでリフローはん
だ付けした後、Sn−3Ag−0.7Cuはんだを用
い、250℃のはんだ浴温度でかつ1m/minのコン
ベア速度でフローはんだ付けを行なったが、リフローは
んだ付け継ぎ手5が最大195℃まで上昇した。これ
は、リフローはんだ付け用のはんだの固相線温度以下で
あり、リフローはんだ付け継ぎ手5を再溶融させず、か
つ、配線基板2の反りに対しても充分な接合界面強度を
確保していることから、混載実装に耐えられる組み合わ
せである。なお、電子部品のリードの表面処理はSn−
10wt%Pbメッキであるため、その融点も多少低下
するが、それでも、再溶融現象は起きていなかった。The reflow soldering of the A side of the wiring board 2 is performed by Sn-3Ag-0.7Cu-1Bi-2In solder, and the subsequent flow soldering of the B side of the wiring board 2 is performed by Sn-3Ag-0. The same experiment as described above was performed using 7Cu solder, but in this case, there was no problem in terms of initial and long-term reliability. That is, Sn-3A
After reflow soldering with g-0.7Cu-1Bi-2In solder, flow soldering was performed at a solder bath temperature of 250 ° C. and a conveyor speed of 1 m / min using Sn-3Ag-0.7Cu solder. The reflow soldering joint 5 rose to a maximum of 195 ° C. This is equal to or lower than the solidus temperature of the solder for reflow soldering, does not re-melt the reflow soldering joint 5, and secures a sufficient bonding interface strength against the warpage of the wiring board 2. Therefore, the combination can endure mixed mounting. The surface treatment of the lead of the electronic component is performed by Sn-
Because of the 10 wt% Pb plating, the melting point was slightly lowered, but the re-melting phenomenon did not occur.
【0072】さらに、Inの添加量を多くして融点を下
げたSn−3Ag−0.7Cu−2Bi−4Inはんだ
の場合でも、同様に、プロセス及び信頼性をクリアでき
た。Further, even in the case of the Sn-3Ag-0.7Cu-2Bi-4In solder in which the melting point was lowered by increasing the amount of In added, the process and reliability could be similarly cleared.
【0073】次に、Sn−3Ag−0.7Cu−3In
はんだ(融点:207〜216℃)とSn−3Ag−
0.7Cuはんだとを用いてリフローはんだ付けを行な
った結果を示す。Next, Sn-3Ag-0.7Cu-3In
Solder (melting point: 207-216 ° C) and Sn-3Ag-
The result of performing reflow soldering using 0.7Cu solder is shown.
【0074】Sn−3Ag−0.7Cu−3Inはんだ
の継ぎ手の温度はmax236℃であって、耐熱性はク
リアできる。また、Sn−3Ag−0.7Cuはんだに
よるリフローはんだ付け時の継ぎ手の温度は、従来型の
赤外線リフロー炉ではんだ付けを行なうと、max24
5℃であって、このときの配線基板2の表面温度はma
x265℃であり、基板の耐熱温度を越えていた。ま
た、電子部品3,6などの表面温度もmax245℃と
なり、部品の膨れや異臭が発生した。しかし、炉内の温
度分布を低減した強制対流型のリフロー炉を用いること
により、耐熱性の範囲内でリフロー可能であることを確
認した。従って、これらについて、配線基板2のB面の
フローはんだ付けはSn−3Ag−0.7Cuはんだを
用いて行ない、はんだ付け継ぎ手の信頼性評価を行なっ
た。これらのリフロー・フロー混載プロセスでのはんだ
付け継ぎ手の剥がれはなかった。この理由は、Biが含
まれていないため、接合界面の強度が高いことによるも
のと考える。温度サイクル試験を行なった結果は、両者
とも、−55〜125℃の温度サイクル試験では、10
00サイクル以上をクリアし、信頼性として充分優れて
いる。The joint temperature of the Sn-3Ag-0.7Cu-3In solder is max 236 ° C., and the heat resistance can be cleared. Also, the temperature of the joint at the time of reflow soldering with Sn-3Ag-0.7Cu solder is set to a maximum of 24 when soldering is performed in a conventional infrared reflow furnace.
5 ° C., and the surface temperature of the wiring board 2 at this time is ma
x265 ° C., which exceeded the heat resistant temperature of the substrate. In addition, the surface temperature of the electronic components 3 and 6 was also max 245 ° C., and the components swelled and had an odor. However, by using a forced convection type reflow furnace with reduced temperature distribution in the furnace, it was confirmed that reflow was possible within the range of heat resistance. Therefore, for these, the flow soldering of the B surface of the wiring board 2 was performed using Sn-3Ag-0.7Cu solder, and the reliability of the soldering joint was evaluated. There was no peeling of the solder joints in these reflow-flow mixed processes. It is considered that the reason for this is that the strength of the bonding interface is high because Bi is not included. Both of the results of the temperature cycle test show that the temperature cycle test at -55 to 125 ° C.
It clears over 00 cycles or more and has excellent reliability.
【0075】これらの結果から、本発明に係るSn−A
g−Cu、あるいはこれにIn、Biのうち1種以上を
添加した鉛フリーはんだ、即ち、 Sn−(1.5〜3.5wt%)Ag−(0.2〜0.
8wt%)Cu−(0〜2wt%)Bi−(0〜4wt
%)In は、リフロー・フロー混載実装において、バランスのと
れた優れた組成であることが確認された。なお、リフロ
ー・フロー混載実装のように、始めにリフローはんだ付
けを行ない、その後にフローはんだ付けを行なう場合、
始めに行なうリフローはんだ付け用の材料の方が、その
後のフローはんだ付け用の材料より融点が同じか高いこ
とが従来の方法であったが、本発明においては、リフロ
ーはんだ付け用の材料の方の融点がBi,Inを添加し
た場合は低くなり、従来と異なる方法である。From these results, the Sn-A according to the present invention was obtained.
g-Cu or a lead-free solder to which at least one of In and Bi is added, that is, Sn- (1.5 to 3.5 wt%) Ag- (0.2 to 0.
8 wt%) Cu- (0 to 2 wt%) Bi- (0 to 4 wt%)
%) In was confirmed to be a well-balanced and excellent composition in the reflow / flow mixed mounting. If reflow soldering is performed first and then flow soldering is performed, as in reflow / flow mixed mounting,
Conventionally, the material for reflow soldering performed at the beginning has the same or higher melting point than the material for subsequent flow soldering. However, in the present invention, the material for reflow soldering is used. Is low when Bi and In are added, which is a method different from the conventional method.
【0076】また、配線基板2のA面のリフローはんだ
付け用のはんだ組成は、混載実装の場合に限らず、リフ
ロー面だけに用いてもよい。The solder composition for the reflow soldering on the surface A of the wiring board 2 is not limited to the case of the mixed mounting, but may be used only on the reflow surface.
【0077】さらに、リフロー・リフロー・フローの混
載実装、またその他の別付け部品があっても、上記組み
合わせで高信頼な実装基板を得ることができる。Further, even if there is a mixed mounting of reflow, reflow and flow, and other separate parts, a highly reliable mounting board can be obtained by the above combination.
【0078】さらにまた、階層はんだ付けが必要な場合
には、Sn−58Biはんだ、またはこの周辺の組成に
Ag,Cuなどを少量加えたはんだによる階層接続も可
能である。Further, when hierarchical soldering is necessary, hierarchical connection using Sn-58Bi solder or solder in which a small amount of Ag, Cu, or the like is added to the surrounding composition is also possible.
【0079】[0079]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
鉛フリーはんだを用いて最も厳しい実装プロセスである
リフロー・フローはんだ付けの混載実装を高信頼度で実
現できる効果を奏する。As described above, according to the present invention,
The effect of achieving high reliability is the realization of mixed mounting of reflow and flow soldering, which is the strictest mounting process using lead-free solder.
【0080】また、本発明によれば、鉛フリーはんだを
用いて最も厳しい実装プロセスであるリフロー・フロー
はんだ付けの混載実装において、部品の耐熱性の範囲内
ではんだ接合でき、フローはんだ付け時の基板の反りに
対しても、フローはんだ付け前に行なったリフローはん
だ付けのはんだ継ぎ手が剥離を起こさない、高信頼度で
はんだ接合を可能にすることができる。Further, according to the present invention, in the mixed mounting of reflow / flow soldering, which is the strictest mounting process using lead-free solder, solder joining can be performed within the range of heat resistance of the components. Even with respect to the warpage of the substrate, the solder joint of reflow soldering performed before flow soldering does not cause peeling, and solder joining can be performed with high reliability.
【0081】さらに、本発明によれば、鉛フリーはんだ
を用いて最も厳しい実装プロセスであるリフロー・フロ
ーはんだ付けの混載実装において、接続部の熱疲労特性
として、−55〜125℃の温度サイクル試験条件に対
しても保証できるはんだ付け継ぎ手を有する混載実装構
造体を実現することができる。Further, according to the present invention, in the mixed mounting of reflow / flow soldering, which is the strictest mounting process using lead-free solder, a temperature cycle test of -55 to 125 ° C. It is possible to realize a hybrid mounting structure having a soldering joint that can be guaranteed even under conditions.
【0082】さらにまた、本発明によれば、鉛フリーは
んだを用いて最も厳しい実装プロセスであるリフロー・
フローはんだ付けの混載実装において、耐熱疲労特性,
耐クリープ性及び耐高温に優れ、かつ高密度実装に対し
て高歩留まりで実装することが可能となる。Further, according to the present invention, the most severe mounting process using lead-free solder is used for reflow soldering.
In mixed mounting of flow soldering, heat fatigue resistance,
It is excellent in creep resistance and high temperature resistance, and can be mounted with high yield for high-density mounting.
【図1】本発明による混載実装構造体の一実施形態を示
す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of a mixed mounting structure according to the present invention.
【図2】Sn−3Ag−0.7CuはんだにBiを添加
したときの液相線温度及び固相線温度の変化を示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing changes in liquidus temperature and solidus temperature when Bi is added to Sn-3Ag-0.7Cu solder.
【図3】Sn−3Ag−0.7CuはんだにBiを添加
したときの20℃における伸びの変化を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a change in elongation at 20 ° C. when Bi is added to Sn-3Ag-0.7Cu solder.
【図4】Sn−3Ag−0.7CuはんだにBiを添加
したときのSnメッキした42アロイリードとのピール
強度を示す図である。FIG. 4 is a view showing a peel strength between Sn-plated 42 alloy lead when Bi is added to Sn-3Ag-0.7Cu solder.
【図5】Sn−3Ag−0.7CuはんだにBiを添加
したときのCuに対するピール強度を示す図である。FIG. 5 is a view showing a peel strength with respect to Cu when Bi is added to Sn-3Ag-0.7Cu solder.
【図6】Sn−3Ag−0.7CuはんだにBiを添加
したときのSn−10Pbメッキした42アロイリード
とのピール強度を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the peel strength of Sn-10Pb-plated 42 alloy lead when Bi is added to Sn-3Ag-0.7Cu solder.
【図7】Biの添加量が異なるSn−3Ag−0.7C
uはんだのDSC測定結果を示す図である。FIG. 7: Sn-3Ag-0.7C with different amounts of Bi added
It is a figure which shows the DSC measurement result of u solder.
【図8】剥離部のEDX分析結果を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an EDX analysis result of a peeled portion.
【図9】Sn−3Ag−0.7CuはんだにBiを添加
したときの20℃における引張強度を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing tensile strength at 20 ° C. when Bi is added to Sn-3Ag-0.7Cu solder.
【図10】Sn−3Ag−0.7CuはんだにInを添
加したときの固相線温度及び液相線温度を示す図であ
る。FIG. 10 is a diagram showing a solidus temperature and a liquidus temperature when In is added to Sn-3Ag-0.7Cu solder.
【図11】Sn−3Ag−0.7CuはんだにInを添
加したときの20℃における伸びを示す図である。FIG. 11 is a diagram showing elongation at 20 ° C. when In is added to Sn-3Ag-0.7Cu solder.
【図12】Sn−3Ag−0.7CuはんだにInを添
加したときのSnメッキした42アロイリードとのピー
ル強度を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a peel strength between Sn-3Ag-0.7Cu solder and Sn-plated 42 alloy lead when In is added to the solder.
【図13】Sn−3Ag−0.7CuはんだにBiとI
nとを添加したときの固相線温度及び液相線温度並びに
リフロー温度を示す図である。FIG. 13 shows Bi and I on Sn-3Ag-0.7Cu solder.
FIG. 4 is a diagram showing a solidus temperature, a liquidus temperature, and a reflow temperature when n is added.
【図14】Sn−3Ag−0.7CuはんだにBiとI
nとを添加したときの20℃における伸びを示す図であ
る。FIG. 14 shows Bi and I on Sn-3Ag-0.7Cu solder.
It is a figure which shows elongation at 20 degreeC at the time of adding n.
【図15】Sn−3AgはんだにCuを添加したときの
20℃における伸びを示す図である。FIG. 15 is a diagram showing elongation at 20 ° C. when Cu is added to Sn-3Ag solder.
1 混載実装構造体 2 配線基板 3a QFP−LSI 3b SOP−LSI 4 電極 5 Sn−Ag−Cu−In−Biの5元系の鉛フリー
はんだ 6a リード部品 6b チップ部品 7 電極 8 Sn−Ag−Cuの3元系の鉛フリーはんだ 9,10 リードDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mixed mounting structure 2 Wiring board 3a QFP-LSI 3b SOP-LSI 4 electrode 5 Sn-Ag-Cu-In-Bi five-element lead-free solder 6a Lead component 6b Chip component 7 Electrode 8 Sn-Ag-Cu Ternary lead-free solder 9,10 leads
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 25/10 B23K 101:42 25/11 H01L 25/14 Z 25/18 // B23K 101:42 (72)発明者 石田 寿治 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 芹沢 弘二 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 中塚 哲也 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Fターム(参考) 5E319 AA03 AB01 AB05 BB01 CC22 CC33 GG20 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) H01L 25/10 B23K 101: 42 25/11 H01L 25/14 Z 25/18 // B23K 101: 42 (72) Inventor Shoji Ishida 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Hitachi, Ltd.Production Technology Laboratory (72) Inventor Koji Serizawa 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Hitachi, Ltd.Production Technology Laboratory (72) Inventor Tetsuya Nakatsuka 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture F-term in Hitachi, Ltd. Production Technology Research Laboratory F-term (reference) 5E319 AA03 AB01 AB05 BB01 CC22 CC33 GG20
Claims (7)
u、あるいはこれにIn,Biのうち1種以上を添加し
た鉛フリーはんだを用い、リフローソルダリングで電子
部品を表面接続実装し、 該配線基板の他の面に、Sn−Ag−Cuの3元系で構
成される鉛フリーはんだを用い、フローソルダリングで
他の電子部品を接続実装したことを特徴とする混載実装
構造体。An Sn-Ag-C is provided on one surface of a wiring board.
u or a lead-free solder to which at least one of In and Bi is added, and electronic components are surface-connected and mounted by reflow soldering, and Sn-Ag-Cu 3 A hybrid mounting structure characterized by connecting and mounting other electronic components by flow soldering using lead-free solder composed of the original system.
んだを、 Sn−(0〜3.5wt%)Ag−(0.2〜0.8w
t%)Cu の組成で構成したことを特徴とする混載実装構造体。2. The lead-free solder according to claim 1, wherein the lead-free solder composed of a ternary system of Sn-Ag-Cu is formed of Sn- (0 to 3.5 wt%) Ag- (0.2 to 0.8 w
(t%) A mixed mounting structure characterized by being composed of Cu 2.
種以上を添加した前記鉛フリーはんだを、 Sn−(1.5〜3.5wt%)Ag−(0.2〜0.
8wt%)Cu−(0〜4wt%)In−(0〜2wt
%)Bi の組成で構成したことを特徴とする混載実装構造体。3. The method according to claim 1, wherein Sn—Ag—Cu or one of In and Bi is added thereto.
The lead-free solder to which at least one kind is added is made of Sn- (1.5 to 3.5 wt%) Ag- (0.2 to 0.
8 wt%) Cu- (0-4 wt%) In- (0-2 wt%)
%) A mixed mounting structure characterized by being composed of Bi.
造体を備えたことを特徴とする電子機器。4. An electronic device comprising the hybrid mounting structure according to claim 1, 2, or 3.
u、あるいはこれにIn,Biのうち1種以上を添加し
た鉛フリーはんだを用い、リフローソルダリングで電子
部品を表面接続実装し、その後、該配線基板の他方の面
に、Sn−Ag−Cuの3元系で構成される鉛フリーは
んだを用い、フローソルダリングで他の電子部品を接続
実装することを特徴とする混載実装方法。5. The method according to claim 1, wherein one surface of the wiring substrate is formed of Sn-Ag-C.
u or a lead-free solder to which one or more of In and Bi is added, and the electronic component is surface-connected and mounted by reflow soldering. Then, the Sn-Ag-Cu And mounting another electronic component by flow soldering using a lead-free solder composed of a ternary system.
n−Ag−Cuの3元系で構成される前記鉛フリーはん
だが、 Sn−(0〜3.5wt%)Ag−(0.2〜0.8w
t%)Cu の組成のはんだであることを特徴とする混載実装方法。6. The method according to claim 5, wherein S is used for connection mounting by flow soldering.
The lead-free solder composed of a ternary system of n-Ag-Cu is composed of Sn- (0 to 3.5 wt%) Ag- (0.2 to 0.8 w
(t%) A mixed mounting method characterized by being a solder having a composition of Cu 2.
Sn−Ag−Cu、あるいはこれにIn,Biのうち1
種以上を添加した前記鉛フリーはんだが、 Sn−(1.5〜3.5wt%)Ag−(0.2〜0.
8wt%)Cu−(0〜4wt%)In−(0〜2wt
%)Bi の組成のはんだであることを特徴とする混載実装方法。7. The Sn-Ag-Cu used for connection mounting by reflow soldering, or one of In and Bi, according to claim 5 or 6,
The lead-free solder to which at least one kind is added is Sn- (1.5 to 3.5 wt%) Ag- (0.2 to 0.
8 wt%) Cu- (0-4 wt%) In- (0-2 wt%)
%) A mixed mounting method characterized by being a solder having a composition of Bi.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34493799A JP3892190B2 (en) | 1999-12-03 | 1999-12-03 | Mixed mounting structure, mixed mounting method, and electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34493799A JP3892190B2 (en) | 1999-12-03 | 1999-12-03 | Mixed mounting structure, mixed mounting method, and electronic device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168519A true JP2001168519A (en) | 2001-06-22 |
| JP3892190B2 JP3892190B2 (en) | 2007-03-14 |
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ID=18373169
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34493799A Expired - Fee Related JP3892190B2 (en) | 1999-12-03 | 1999-12-03 | Mixed mounting structure, mixed mounting method, and electronic device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3892190B2 (en) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3892190B2 (en) | 2007-03-14 |
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