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JP2001168152A - Semiconductor carrier film and semiconductor package manufacturing method - Google Patents

Semiconductor carrier film and semiconductor package manufacturing method

Info

Publication number
JP2001168152A
JP2001168152A JP35412999A JP35412999A JP2001168152A JP 2001168152 A JP2001168152 A JP 2001168152A JP 35412999 A JP35412999 A JP 35412999A JP 35412999 A JP35412999 A JP 35412999A JP 2001168152 A JP2001168152 A JP 2001168152A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
carrier film
resin layer
thermo
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP35412999A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichi Fujishiro
光一 藤城
Shinsuke Okita
伸介 沖田
Shinji Inaba
真司 稲葉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Chemical and Materials Co Ltd
Original Assignee
Nippon Steel Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Chemical Co Ltd filed Critical Nippon Steel Chemical Co Ltd
Priority to JP35412999A priority Critical patent/JP2001168152A/en
Publication of JP2001168152A publication Critical patent/JP2001168152A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フィルムを切断する際にカットチップの発生
や硬化樹脂層にクラック発生がなく、また積層時のしわ
発生がなくて位置合わせ精度に優れたキャリアフィルム
を提供する。 【解決手段】 導体配線パターン2を有するポリイミド
樹脂フィルム3に熱紫外線硬化型樹脂層1を形成したキ
ャリアフィルムにおいて、ヴィア4のような導通用の開
口部と共にフィルム切断部5及びフィルム打ち抜き部分
の熱紫外線硬化型樹脂層が、紫外線露光時にフォトマス
クにより遮光され、現像により除去されていることを特
徴とする半導体キャリアフィルム。また、弾性率の高い
銅箔又は30〜70μmのポリイミドフィルムを用いると、
しわ発生防止、位置合わせ精度が向上する。
(57) [Problem] To provide a carrier film which is free from generation of cut chips and cracks in a cured resin layer when cutting a film, has no wrinkles at the time of lamination, and has excellent alignment accuracy. SOLUTION: In a carrier film in which a thermo-ultraviolet curable resin layer 1 is formed on a polyimide resin film 3 having a conductor wiring pattern 2, the heat of a film cutting portion 5 and a film punching portion together with a conduction opening such as a via 4 are provided. A semiconductor carrier film, wherein an ultraviolet curable resin layer is shielded from light by a photomask at the time of exposure to ultraviolet light and removed by development. Also, when using a high elastic modulus copper foil or a polyimide film of 30 to 70 μm,
Prevents wrinkles and improves alignment accuracy.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体を高密度実
装するに適し、且つこれを歩留まりよく製造するに適し
たキャリアフィルム及びこれを使用した半導体パッケー
ジの製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a carrier film suitable for high-density mounting of a semiconductor and to manufacture the same at a high yield, and a method of manufacturing a semiconductor package using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯電話、携帯パソコンの小型化、軽量
化とその処理情報量の増大とその処理の高速化などの要
求に際し、ポリイミド樹脂を基板フィルムとした銅張積
層板を中心としたフレキシブル回路基板上に回路を形成
し、チップ電極を回路側に向けて接続するフェースダウ
ン方式のチップサイズパッケージ(CSP)がメモリー
の中心になりつつある。この方式は、チップ電極をハン
ダバンプまでの距離を短くできるため、データ転送速度
の高速化に際し、雑音が少なく、安定動作を保証する方
式である。こうした接続に際しては、基板接続の長寿命
化、実装スループット向上による低コスト化が課題とな
っている(参考資料;日経マイクロデバイス、1999年4
月号、74頁〜78頁)。
2. Description of the Related Art In response to demands for miniaturization and weight reduction of portable telephones and portable personal computers, an increase in the amount of information to be processed, and an increase in the speed of the processing, flexible applications centering on copper-clad laminates using polyimide resin as a substrate film. A face-down type chip size package (CSP) in which a circuit is formed on a circuit board and a chip electrode is connected to the circuit side is becoming the center of the memory. In this method, the distance between the chip electrode and the solder bump can be shortened, so that when the data transfer speed is increased, noise is reduced and stable operation is guaranteed. In such connection, it is important to reduce the cost by extending the life of the board connection and improving the mounting throughput (reference material: Nikkei Micro Devices, April 1999).
Monthly, pp. 74-78).

【0003】この様な要求に対して、カバーレジストや
接着樹脂に熱紫外線硬化型樹脂が用いられるようになっ
てきている。例えば、接着樹脂としては、非感光のホッ
トメルト型の熱可塑性ポリイミドやアンダーフィル材入
りエポキシ系樹脂が知られている。前者はポリイミドに
よる吸湿のためにハンダ実装時のポップポーン現象が課
題であり、後者は、アンダーフィル材混合のための材料
費、工程数がパッケージのコストアップにつながる。そ
こであるところでは、スルーホール型CSPを開発し、
スルーホール形成には従来のレーザー加工若しくは感光
性樹脂を用いたフォトリソグラフィを採用している。レ
ーザー加工ではスルーホールを一つずつ形成するため
に、生産性が低く、パッケージのコストアップとなる。
それに対して、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィ
では、配線の微細化に対応可能で、また生産性に優れ
る。半田ボール搭載に用いるソルダーレジスト層、導体
保護のためのカバーレジスト層も同様なことが言われて
いる。
[0003] In response to such demands, thermo-ultraviolet curable resins have been used as cover resists and adhesive resins. For example, as the adhesive resin, a non-photosensitive hot melt type thermoplastic polyimide or an epoxy resin containing an underfill material is known. The former has a problem of a popping phenomenon at the time of solder mounting due to moisture absorption by polyimide, and the latter has an increase in the cost of the package due to the material cost and the number of steps for mixing the underfill material. So we developed a through-hole type CSP,
Conventional laser processing or photolithography using a photosensitive resin is employed to form the through holes. In laser processing, since through holes are formed one by one, the productivity is low and the cost of the package increases.
On the other hand, photolithography using a photosensitive resin can cope with miniaturization of wiring and is excellent in productivity. It is said that the same applies to a solder resist layer used for mounting a solder ball and a cover resist layer for protecting a conductor.

【0004】感光性樹脂を紫外光により半硬化状態とし
てチップを装着して、更に熱硬化により固定する方法
は、例えば特開昭59-113691号公報、特開昭60-152091号
報、特開昭62-72194号公報、特開昭62-72195号公報、特
開平1-297885号公報、特開平4-7383号公報などに見ら
れ、いずれも紫外線硬化性を持つアクロイル基を有する
化合物と光重合開始剤並びに熱硬化性のエポキシ樹脂を
混合した熱光重合性樹脂組成物を用いている。いずれの
文献においても、基板がガラス−エポキシ基板などのリ
ジッド基板を用いており、露光後のクラックの発生や剥
離の記載はない。また、特開平11-67849号公報には、導
体配線パターンを有する耐熱性樹脂フィルム上に、フル
オレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂からなる
カバーレジスト層を形成することを特徴とするキャリア
フィルムが記載されている。このものは、180〜26
0℃で加熱硬化することにより可とう性に優れたキャリ
アフィルムになるという。しかしながら、これを切断し
たときのカットチップの発生については言及されていな
い。
A method of mounting a chip in a state where a photosensitive resin is semi-cured by ultraviolet light and fixing the chip by heat curing is described in, for example, JP-A-59-113691, JP-A-60-152091, and JP-A-60-152091. JP-A-62-72194, JP-A-62-72195, JP-A-1-297885, JP-A-4-7383 and the like, all of which have an ultraviolet-curable compound having an acroyl group and a light. A thermophotopolymerizable resin composition obtained by mixing a polymerization initiator and a thermosetting epoxy resin is used. In any of the documents, a rigid substrate such as a glass-epoxy substrate is used as a substrate, and there is no description of occurrence of cracks or peeling after exposure. Further, JP-A-11-67849 describes a carrier film characterized by forming a cover resist layer made of an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton on a heat-resistant resin film having a conductor wiring pattern. I have. This is 180-26
It is said that a carrier film having excellent flexibility can be obtained by heating and curing at 0 ° C. However, there is no mention of the occurrence of cut chips when cutting this.

【0005】一方、回路形成並びに回路上へのカバーレ
ジスト、接着剤の装着には、フレキシブル回路基板をリ
ールから巻きほぐして連続的に製造すること(リールプ
ロセス)がスループット向上に最も好ましい。しかしな
がら、熱紫外線硬化型樹脂はこの生産方法に対して以下
の課題があった。 (1)硬化後の熱紫外線硬化型樹脂は一般的に脆く、キ
ャリアテープから半導体パッケージサイズへの切断時に
熱紫外線硬化樹脂層のクラック発生や、カットチップに
よるクリーンルームの汚染を引き起こす。 (2)紫外線硬化層を積層時にキャリアテープののびや
収縮により、しわが発生し、露光時の位置合わせ精度が
低下し、一括露光範囲がせばまって、スループットが低
下する。特に、第2点めは導体配線の微細化の要求から
銅箔が18μmより12μm、更には9μmへと薄膜化す
るに従い、大きな問題となっている。
On the other hand, for forming a circuit and mounting a cover resist and an adhesive on the circuit, it is most preferable to unwind the flexible circuit board from the reel and to continuously manufacture the reel (reel process) for improving the throughput. However, the thermo-UV curing resin has the following problems with this production method. (1) The cured thermo-ultraviolet curable resin is generally brittle, causing cracks in the thermo-ultraviolet curable resin layer when the carrier tape is cut into a semiconductor package size, and causes contamination of a clean room due to cut chips. (2) The carrier tape expands or shrinks during lamination of the ultraviolet curable layer, causing wrinkles, lowering the alignment accuracy at the time of exposure, narrowing the collective exposure range, and lowering the throughput. In particular, the second problem is a serious problem as the thickness of the copper foil is reduced from 18 μm to 12 μm and further to 9 μm due to the demand for finer conductor wiring.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、導
体配線パターンを有するポリイミド樹脂フィルムに熱紫
外線硬化型樹脂層を形成したキャリアフィルムにおい
て、フィルムを切断する際にカットチップの発生や硬化
樹脂層にクラック発生がなく、また積層時のしわ発生が
なくて、位置合わせ精度に優れたキャリアフィルムを提
供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention is directed to a carrier film in which a thermo-ultraviolet curable resin layer is formed on a polyimide resin film having a conductor wiring pattern. It is an object of the present invention to provide a carrier film which is free from cracks in the layers and free from wrinkles during lamination and has excellent alignment accuracy.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討の
結果、導体配線パターンを有するポリイミド樹脂フィル
ムに熱紫外線硬化型樹脂層を形成したキャリアフィルム
において、導通用の開口部と共にフィルム切断部分及び
打ち抜き部分の熱紫外線硬化型樹脂層を紫外線露光時に
フォトマスクにより遮光し現像により除去した半導体キ
ャリアフィルムが、目的を達成することを見出した。ま
た、積層時のしわ発生の防止や位置合わせ精度には、ポ
リイミド樹脂フィルムの厚みと導体の弾性率が関係する
ことを見出した。
Means for Solving the Problems As a result of intensive studies, the present inventors have found that in a carrier film in which a thermo-ultraviolet curable resin layer is formed on a polyimide resin film having a conductor wiring pattern, a film cutting portion is formed together with an opening for conduction. In addition, the present inventors have found that a semiconductor carrier film in which the heat-ultraviolet curable resin layer at the punched portion is shielded from light by a photomask at the time of exposure to ultraviolet light and is removed by development achieves the object. In addition, it has been found that the thickness of the polyimide resin film and the elastic modulus of the conductor are related to the prevention of wrinkles during lamination and the alignment accuracy.

【0008】本発明は、導体配線パターンを有するポリ
イミド樹脂フィルムに熱紫外線硬化型樹脂層を形成した
キャリアフィルムにおいて、導通用の開口部と共にフィ
ルム切断部分及びフィルム打ち抜き部分の熱紫外線硬化
型樹脂層が、紫外線露光時にフォトマスクにより遮光さ
れ、現像により除去されていることを特徴とする半導体
キャリアフィルムである。また、本発明は、ポリイミド
樹脂フィルム厚みが30〜70μmであるか、導体配線
パターンを構成する導体が弾性率30GPa以上の電解
銅箔である前記の半導体キャリアフィルムである。更
に、本発明は、導体配線パターンを有するポリイミド樹
脂フィルムに熱紫外線硬化型樹脂層を形成したキャリア
フィルムにおいて、導体配線パターンを構成する導体の
弾性率とポリイミド樹脂フィルムの厚みとの関係が、ポ
リイミド樹脂フィルムが30μm未満であるときは導体
の弾性率が30GPa以上であり、導体の弾性率が30
GPa未満であるときはポリイミド樹脂フィルムの厚み
が30μm以上であるという関係を満たすことを特徴と
する半導体キャリアフィルムである。また、本発明は、
熱紫外線硬化型樹脂層を構成する熱紫外線硬化型樹脂
が、(1)フルオレン骨格を有するエポキシアクリレー
ト樹脂と多塩基酸無水物との付加生成物、(2)多官能
アクリレートモノマー、(3)光重合開始剤及び(4)
エポキシ基を1分子中に2つ以上有するエポキシ樹脂を
必須とするアルカリ現像型樹脂組成物である前記の半導
体キャリアフィルムである。更に、本発明は、前記の半
導体キャリアフィルムに半導体を搭載したのち、紫外線
露光時にフォトマスクにより遮光され、現像により熱紫
外線硬化型樹脂層が除去されているフィルム切断部分
を、切断することを特徴とする半導体パッケージの製造
方法である。
According to the present invention, there is provided a carrier film in which a thermo-ultraviolet curable resin layer is formed on a polyimide resin film having a conductor wiring pattern. A semiconductor carrier film, which is shielded from light by a photomask at the time of exposure to ultraviolet light and removed by development. Further, the present invention is the above-mentioned semiconductor carrier film, wherein the thickness of the polyimide resin film is 30 to 70 μm, or the conductor constituting the conductive wiring pattern is an electrolytic copper foil having an elastic modulus of 30 GPa or more. Further, the present invention provides a carrier film in which a thermo-ultraviolet curable resin layer is formed on a polyimide resin film having a conductor wiring pattern, wherein the relationship between the elastic modulus of the conductor constituting the conductor wiring pattern and the thickness of the polyimide resin film is polyimide. When the resin film is less than 30 μm, the elastic modulus of the conductor is 30 GPa or more, and the elastic modulus of the conductor is 30 GPa or more.
When it is less than GPa, the semiconductor carrier film satisfies the relationship that the thickness of the polyimide resin film is 30 μm or more. Also, the present invention
The thermo-ultraviolet curable resin constituting the thermo-ultraviolet curable resin layer includes (1) an addition product of an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton and a polybasic acid anhydride, (2) a polyfunctional acrylate monomer, and (3) light. Polymerization initiator and (4)
The semiconductor carrier film described above is an alkali developing type resin composition essentially including an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. Further, the present invention is characterized in that after the semiconductor is mounted on the semiconductor carrier film, the film cut portion which is shielded from light by a photomask at the time of exposure to ultraviolet light and from which the thermo-ultraviolet curable resin layer is removed by development is cut. Is a method of manufacturing a semiconductor package.

【0009】本発明におけるキャリアフィルムは、屈曲
性、耐熱性に優れたポリイミド樹脂を基板としたものが
好まれ、少なくともその片面には銅などの導体による配
線パターンが形成されたものである。配線パターンは公
知の方法により形成される。例えば、銅箔上にフォトレ
ジストパターンを形成して銅エッチングに続いてレジス
ト剥離により導体配線パターンを形成する方法、若しく
はフォトレジストパターンを銅箔上に持ったものを電気
メッキにより回路を形成し、レジストを剥離する方法な
どが例示できる。
The carrier film in the present invention is preferably a substrate made of a polyimide resin having excellent flexibility and heat resistance, and has a wiring pattern formed of a conductor such as copper on at least one surface thereof. The wiring pattern is formed by a known method. For example, by forming a photoresist pattern on a copper foil and forming a conductor wiring pattern by stripping the resist following copper etching, or forming a circuit by electroplating a photoresist pattern on a copper foil, A method of removing the resist can be exemplified.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明のキャリアフィルムの概略
構成を図1及び図2に示す。熱紫外線硬化型樹脂層1
は、導体配線パターン2の側の面、ポリイミド樹脂フィ
ルム3の側の絶縁膜面のいずれの場合もある。例えば、
図1はチップ部品8を導体配線パターン面に装着する場
合である。予め導体部配線パターンとポリイミドフィル
ム面に半田ボール搭載開口部6を設けたフレキシブル基
板に、熱紫外線硬化型樹脂層1を導体配線パターン2に
塗布し、所定の導通部にヴィア4とフィルム切断部5に
相当する開口部をフォトリソグラフィ法により形成した
キャリアフィルムである。チップ部品実装時には予めチ
ップ電極上に金バンプを金ワイヤ等で形成したバンプ7
により、チップ部品8と接合する。一方、図2はチップ
部品をポリイミド絶縁体面に装着する場合である。導体
配線パターン2を形成したフレキシブル基板において、
熱紫外線硬化型樹脂1をポリイミド樹脂フィルム3から
なる絶縁体面に塗布し、所定の導通部にヴィア4とフィ
ルム切断部5に相当する開口部5をフォトリソグラフィ
ーにより形成し、一方で導体配線パターン2側の面にも
熱紫外線硬化型樹脂層1を形成して、フォトリソグラフ
ィーにより半田ボール搭載開口部6とフィルム切断部分
に相当する開口部5を形成してキャリアフィルムとす
る。チップ部品実装時にはチップ電極上に金バンプを金
ワイヤ等で形成したバンプ7により、チップ部品8と接
合する。図1の形態は層構造が単純であるが、図2の形
態に比較して基板を構成する層が1層少ないので、より
熱紫外線硬化樹脂層の積層によるしわやカールの発生が
起こりやすい。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The schematic structure of the carrier film of the present invention is shown in FIGS. Thermal UV-curable resin layer 1
May be either the surface on the conductor wiring pattern 2 side or the insulating film surface on the polyimide resin film 3 side. For example,
FIG. 1 shows a case where the chip component 8 is mounted on the conductor wiring pattern surface. A thermo-ultraviolet curable resin layer 1 is applied to a conductor wiring pattern 2 on a conductor wiring pattern and a flexible substrate in which a solder ball mounting opening 6 is provided on the polyimide film surface in advance. 5 is a carrier film in which an opening corresponding to No. 5 is formed by a photolithography method. At the time of mounting a chip component, a bump 7 in which a gold bump is previously formed on a chip electrode with a gold wire or the like.
Thereby, the chip component 8 is joined. On the other hand, FIG. 2 shows a case where a chip component is mounted on a polyimide insulator surface. In the flexible substrate on which the conductor wiring pattern 2 is formed,
A thermo-ultraviolet curable resin 1 is applied to the surface of an insulator made of a polyimide resin film 3, and an opening 5 corresponding to a via 4 and a film cutting portion 5 is formed in a predetermined conductive portion by photolithography. A thermo-ultraviolet curable resin layer 1 is also formed on the side surface, and a solder ball mounting opening 6 and an opening 5 corresponding to a cut film portion are formed by photolithography to form a carrier film. At the time of mounting a chip component, a gold bump is formed on a chip electrode by a gold wire or the like, and is bonded to a chip component 8. Although the embodiment of FIG. 1 has a simple layer structure, since the number of layers constituting the substrate is one less than that of the embodiment of FIG. 2, wrinkles and curls are more likely to occur due to the lamination of the thermo-ultraviolet curable resin layers.

【0011】ポリイミド樹脂フィルムは公知のものを使
用できるが、その厚みは30〜70μm、より好ましく
は40〜70μmであり、ポリイミドフィルムの剛性に
より反りやしわを防ぐことができる。導体とポリイミド
フィルム間にエポキシ樹脂などの接着層を有する場合
は、この接着層も含んだ厚みで考慮してよい。厚みが3
0μmを下ると熱紫外線硬化型樹脂を被覆したときや、
その乾燥時の収縮によりしわが発生しやすく、バンプ用
のヴィア並びにフィルム切断部分を遮光する際にフォト
マスクと基板間の露光位置合わせを精度よく行うことが
できない場合がある。
Although a known polyimide resin film can be used, its thickness is 30 to 70 μm, more preferably 40 to 70 μm, and warpage and wrinkling can be prevented by the rigidity of the polyimide film. When an adhesive layer such as an epoxy resin is provided between the conductor and the polyimide film, the thickness including the adhesive layer may be considered. Thickness 3
When the thickness falls below 0 μm, when coated with a thermo-ultraviolet curable resin,
Wrinkles are likely to occur due to the shrinkage during drying, and it may not be possible to accurately align the exposure position between the photomask and the substrate when blocking the vias for the bumps and the cut portions of the film.

【0012】一方、導体パターンを形成する導体として
は銅箔が優れ、その銅箔としては公知のものを使用でき
るが、その厚みは高密度化のための導体パターンの細線
化に即して18μmから12μm更には9μmと薄くなる
傾向にあり、熱紫外線硬化型樹脂層を積層した際にもし
わがよらないようにするために、その銅箔の弾性率が3
0GPa(約3000kgf/cm2)以上、好ましくは35GPa
(約3500kgf/cm2)以上のものが好ましい。具体的には、
電解銅箔が相当し、またタブ実装用に用いられる高張力
銅箔が好適であり、前者は弾性率が35GPa (約3500 k
gf/cm2)以上、後者が40GPa (約4000 kgf/cm2)以上
を有する。そして、導体配線パターンを構成する導体の
弾性率とポリイミド樹脂フィルムの厚みとの関係は、ポ
リイミド樹脂フィルムが30μm未満であるときは導体
の弾性率が30GPa以上であり、導体の弾性率が30
GPa未満であるときはポリイミド樹脂フィルムの厚み
が30μm以上であるという関係を満たすことが有利で
ある。
On the other hand, as the conductor forming the conductor pattern, a copper foil is excellent, and a known copper foil can be used, but its thickness is 18 μm in accordance with the thinning of the conductor pattern for high density. To 12 μm or even 9 μm, and the elastic modulus of the copper foil is 3 to prevent wrinkles when laminating a thermo-ultraviolet curable resin layer.
0 GPa (about 300000 kgf / cm 2 ) or more, preferably 35 GPa
(About 3500 kgf / cm 2 ) or more is preferable. In particular,
High-strength copper foil used for tab mounting is suitable, and the former has an elastic modulus of 35 GPa (about 3500 k).
gf / cm 2 ) or more, and the latter has 40 GPa (about 4000 kgf / cm 2 ) or more. The relationship between the elastic modulus of the conductor constituting the conductor wiring pattern and the thickness of the polyimide resin film is such that when the polyimide resin film is less than 30 μm, the elastic modulus of the conductor is 30 GPa or more, and the elastic modulus of the conductor is 30 GPa or more.
When it is less than GPa, it is advantageous to satisfy the relationship that the thickness of the polyimide resin film is 30 μm or more.

【0013】本発明で使用する熱紫外線硬化型樹脂とし
ては、紫外線及び熱のどちらでも硬化可能な樹脂を使用
でき、公知のもので差し支えない。具体的には、一分子
中に重合可能な不飽和基を2つ以上持った沸点100℃以
上の化合物若しくは樹脂と、光重合開始剤及び熱重合開
始剤とを混合した組成物や、一分子中に重合可能な不飽
和基を2つ以上持った沸点100℃以上の化合物若しくは
樹脂と、光重合開始剤及び熱重合可能なエポキシ化合物
とを混合した組成物等があげられる。これら構成成分は
いずれも公知のものを使用できるが、好ましい具体例と
しては、特開昭60-152091号公報、特開平8-146311号公
報に見られるように同一分子内にカルボキシル基と光重
合可能な不飽和基とを有する化合物若しくは樹脂、同一
分子内に3つ以上のアクロイル基もしくはメタクロイル
基を有する多官能アクリレート、並びに光重合開始剤及
び分子内に2つ以上のオキシラン環を有するエポキシ化
合物とを必須とする樹脂組成物であり、より好ましくは
同一分子内にカルボキシル基と光重合可能な不飽和基と
を有する重量平均分子量1000以上の樹脂と、光重合
開始剤及び分子内に2つ以上のオキシラン環を有するエ
ポキシ化合物とを含む樹脂組成物である。特に、次の成
分を必須とするアルカリ現像型樹脂組成物である。 (1)フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹
脂と多塩基酸無水物との付加生成物、 (2)多官能アクリレートモノマー (3)光重合開始剤 (4)エポキシ基を1分子中に2つ以上有するエポキシ
樹脂、
As the thermo-ultraviolet curable resin used in the present invention, a resin curable by both ultraviolet and heat can be used, and a known resin may be used. Specifically, a composition in which a compound or resin having a boiling point of 100 ° C. or more having two or more polymerizable unsaturated groups in one molecule and a photopolymerization initiator and a thermal polymerization initiator, Examples thereof include a composition in which a compound or resin having a boiling point of 100 ° C. or more having two or more polymerizable unsaturated groups and a photopolymerization initiator and a thermopolymerizable epoxy compound are mixed. Any of these constituents may be known ones. Preferred specific examples thereof include a carboxyl group and photopolymerization in the same molecule as disclosed in JP-A-60-152091 and JP-A-8-146311. Compound or resin having a possible unsaturated group, polyfunctional acrylate having three or more acroyl groups or methacryloyl groups in the same molecule, photopolymerization initiator and epoxy compound having two or more oxirane rings in the molecule And more preferably a resin having a weight average molecular weight of 1,000 or more having a carboxyl group and a photopolymerizable unsaturated group in the same molecule, and a photopolymerization initiator and two in the molecule. A resin composition containing the above epoxy compound having an oxirane ring. In particular, it is an alkali-developable resin composition containing the following components as essential components. (1) an addition product of an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton and a polybasic acid anhydride; (2) a polyfunctional acrylate monomer; (3) a photopolymerization initiator; and (4) two or more epoxy groups in one molecule. Epoxy resin,

【0014】フルオレン骨格を有するエポキシアクリレ
ート樹脂と多塩基酸無水物の付加物は、そのカルボキシ
ル基含有量を示す酸価は、アルカリ現像によるパターン
形成の必要性から70〜170mgKOH/gであり、また
重量平均分子量3000以上のオリゴマーである。具体例と
しては、9,9-ビスフェノールフルオレンのエポキシア
クリレート等のフルオレン骨格を持つエポキシアクリレ
ート酸付加体である新日鐵化学(株)製V259M, V301Mや
日本化薬(株)製のクレゾールノボラック型エポキシア
クリレート酸付加体を例示できる。前者のものは、嵩高
いフルオレン骨格を含むためにその硬化物は高いガラス
転移温度を示すので本用途分野に好適に用いることがで
きる。また、一分子中に2つ以上のカルボキシル基と重
合可能な不飽和基を同時に含むため、アスペクト比1近
くの高い解像度を示す。熱紫外線硬化型樹脂層の形成方
法は、液状ワニスをカーテンコートや印刷で塗布、乾燥
してしてもよく、またドライフィルム状接着層をラミネ
ートにより積層してもよい。配線パターン面を被覆する
場合は、接着層表面の平坦性からドライフィルムの積層
が好ましく用いられる。
The adduct of an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton and a polybasic acid anhydride has an acid value indicating the carboxyl group content of 70 to 170 mgKOH / g due to the necessity of pattern formation by alkali development. It is an oligomer having a weight average molecular weight of 3,000 or more. Specific examples include V259M and V301M manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., which are epoxy acrylate acid adducts having a fluorene skeleton such as epoxy acrylate of 9,9-bisphenolfluorene, and cresol novolac manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. An epoxy acrylate acid adduct can be exemplified. The former has a bulky fluorene skeleton, and thus its cured product exhibits a high glass transition temperature, and thus can be suitably used in this application field. In addition, since two or more carboxyl groups and a polymerizable unsaturated group are simultaneously contained in one molecule, a high resolution near an aspect ratio of 1 is exhibited. As a method for forming the thermo-ultraviolet curable resin layer, a liquid varnish may be applied by curtain coating or printing and dried, or a dry film adhesive layer may be laminated by lamination. When covering the wiring pattern surface, lamination of a dry film is preferably used in view of the flatness of the surface of the adhesive layer.

【0015】熱紫外線硬化型樹脂層の形成後、図3に示
すようにヴィアホール形成部分であるヴィア4や、また
本発明の目的であるフィルムが切断されるフィルム切断
部5や金型による打ち抜き部分であるフィルム打ち抜き
部9を遮光したフォトマスクを用い、紫外線を100〜
1000mJ照射し、未露光部分を炭酸ナトリウムやテト
ラエチルアンモニウムヒドロキサイドなどの希薄アルカ
リ性水溶液で現像して熱紫外線硬化型樹脂層を除去す
る。このようにすることにより、その後のキャリアフィ
ルムを短冊型に切断したり、半導体パッケージサイズに
サイジングする際にも、刃の当たる部分の熱紫外線硬化
型樹脂層を除いてあるために、カットチップやクラック
の発生が起こらない。
After the formation of the thermo-ultraviolet curable resin layer, as shown in FIG. 3, a via hole forming portion, a film cutting portion 5 where a film is cut, and a punching process using a die are performed. Using a photomask in which the film punching portion 9 as a portion is shielded from light, and
Irradiation at 1000 mJ is performed, and the unexposed portion is developed with a dilute alkaline aqueous solution such as sodium carbonate or tetraethylammonium hydroxide to remove the thermo-ultraviolet curable resin layer. By doing so, when the carrier film is subsequently cut into strips, or when sizing to the size of a semiconductor package, the cut portion such as a cut chip or No cracks occur.

【0016】上記のように現像後に次の工程に供する前
に速やかに80〜140℃にて5〜30分間の熱処理を行うこと
がよい。この熱処理を行うことにより、接着層の耐屈曲
性とフレキシブル基板との密着性が良好となり、熱処理
後の基板搬送時の屈曲や基板リール巻き取り時あるいは
巻取り後の保管時にも、クラックの発生や基板からの剥
離が生じないフレキシブル回路基板を提供できる。熱処
理温度が80℃を下回ると前述の効果は顕著でなく、150
℃を越える熱処理温度ではその後のチップ熱圧着をする
場合には密着強度を保持できなくなる。熱処理時間は、
処理温度が高いほど短くてよく、生産性から実質的には
3分から30分である。
As described above, after the development, it is preferable to immediately perform a heat treatment at 80 to 140 ° C. for 5 to 30 minutes before subjecting to the next step. By performing this heat treatment, the bending resistance of the adhesive layer and the adhesion to the flexible substrate are improved, and cracks are generated even when the substrate is bent during the transfer of the heat treatment or when the substrate reel is wound or stored after winding. And a flexible circuit board which does not peel off from the substrate can be provided. If the heat treatment temperature is lower than 80 ° C, the above effect is not remarkable,
At a heat treatment temperature exceeding ℃, the adhesion strength cannot be maintained in the subsequent chip thermocompression bonding. The heat treatment time is
The higher the processing temperature, the shorter it may be.
3 to 30 minutes.

【0017】次に、図1に示したような接着層付きキャ
リアフィルムにチップ部品を接着する方法について述べ
る。公知の方法により導体回路とポリイミド基板に半田
ボール搭載用の開孔を形成した基板を用い、熱紫外線硬
化型樹脂層を形成する。中性シアン金メッキ等によりバ
ンプ接合の信頼性をあげるための薄膜金メッキを施し、
チップ電極上に予め金バンプを形成したチップ部品を装
着し、装着時又は/及びその後に加熱硬化することによ
り固定する。具体的には市販のダイボンダーを用いて、
チップ電極を下にして接着層付きキャリアフィルムを上
にしてチップとキャリアフィルムの電極とを位置合わせ
し、キャリアフィルムの下に0.5〜3mmのシリコンゴム
シートをあて、チップ電極裏側より260〜310℃、好まし
くは280〜300℃にて、0.5〜2MPa (約5〜20kg/c
m2)、好ましくは0.8〜1.5MPa(約8〜15kg/cm2
の圧力で、1〜20秒、好ましくは5〜10秒かけて熱圧着す
る。熱圧着後は、そのままで十分な密着強度を有する
が、より信頼性を高めるために、160〜250℃にて、好ま
しくは160〜230℃にて、5〜60分間熱処理を行う。更に
液状封止材をチップ部品上にポッティングして140〜180
℃にて封止を行う。キャリアフィルムの切断によるサイ
ジングは、チップ搭載前後いずれでも差し支えないが、
本発明では切断部に熱紫外線硬化樹脂層がないためにク
ラックやカットチップの発生がない。熱紫外線硬化樹脂
層のクラックは、半導体パッケージの信頼性を損ない、
カットチップの発生はクリーン度低下や実装時の障害と
なって歩留まりを低下させる原因となる。
Next, a method for bonding chip components to a carrier film with an adhesive layer as shown in FIG. 1 will be described. A thermo-ultraviolet curable resin layer is formed by using a substrate in which an opening for mounting a solder ball is formed in a conductive circuit and a polyimide substrate by a known method. Apply thin-film gold plating to increase the reliability of bump bonding by neutral cyan gold plating, etc.
A chip component on which a gold bump is formed in advance is mounted on the chip electrode, and is fixed by heating and curing at the time of mounting and / or thereafter. Specifically, using a commercially available die bonder,
With the chip electrode facing down and the carrier film with the adhesive layer facing upward, the chip and the electrode of the carrier film are aligned, and a 0.5 to 3 mm silicon rubber sheet is applied under the carrier film, and 260 to 310 ° C from the back side of the chip electrode. , Preferably at 280-300 ° C, 0.5-2 MPa (about 5-20 kg / c
m 2 ), preferably 0.8 to 1.5 MPa (about 8 to 15 kg / cm 2 )
Thermocompression bonding at a pressure of 1 to 20 seconds, preferably 5 to 10 seconds. After thermocompression bonding, it has sufficient adhesion strength as it is, but heat treatment is performed at 160 to 250 ° C., preferably 160 to 230 ° C. for 5 to 60 minutes to further improve reliability. Potting the liquid encapsulant on the chip parts and then 140-180
Seal at ℃. Sizing by cutting the carrier film can be done before or after chip mounting,
In the present invention, no cracks or cut chips are generated because there is no thermal ultraviolet curing resin layer in the cut portion. Cracks in the thermal ultraviolet curing resin layer impair the reliability of the semiconductor package,
The occurrence of cut chips causes a decrease in cleanliness and an obstacle during mounting, which causes a reduction in yield.

【0018】[0018]

【実施例】以下、実施例により詳細に説明する。 実施例1 [熱紫外線硬化型接着樹脂の調製]ジペンタエリスリト
ールヘキサアクリレートのカプロラクトン変成体30重
量部(日本化薬製商品名KAYARAD DPCA-60)、フルオレ
ンエポキシ型アクリレート/酸無水物付加重合体の56.5
wt%-プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト溶液〔新日鐵化学(株)製商品名:V259MEとV301MEと
の等重量混合物〕124重量部(固形分として70重量
部)、テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂(油化シ
ェル製商品名:XY4000H )15重量部、基板との密着性
付与の目的でシランカップリング剤〔チッソ(株)製商
品名:S510〕1.2重量部、光重合開始剤成分として4,
4'-ビスジエチルアミノベンゾフェノン0.2重量部
(保土ヶ谷化学工業社製、商品名EAB-F)と2-メチル−
1-〔4-(メチルチオ)フェニル〕-2- モルフォリノ−プ
ロパン−1-オン3重量部〔 チバスペシャリティケミカ
ルズ(株)製商品名:イルガキュア907 〕、熱重合禁止
剤としてイルガノックス1010(チバスペシャリティケミ
カルズ製)0.38重量部及び溶剤としてプロピレング
リコールメチルエーテルアセテート6重量部と酢酸エチ
ル58重量部を配合し、熱紫外線硬化型樹脂組成物を調
製した。
The present invention will be described below in detail with reference to examples. Example 1 [Preparation of thermo-ultraviolet curable adhesive resin] 30 parts by weight of a modified caprolactone of dipentaerythritol hexaacrylate (trade name KAYARAD DPCA-60, manufactured by Nippon Kayaku), a fluorene epoxy-type acrylate / acid anhydride addition polymer 56.5
wt% -propylene glycol monomethyl ether acetate solution (trade name of Nippon Steel Chemical Co., Ltd .: an equal weight mixture of V259ME and V301ME) 124 parts by weight (70 parts by weight as solid content), tetramethylbiphenyl type epoxy resin (oil (Product name: XY4000H), 15 parts by weight, 1.2 parts by weight of a silane coupling agent (trade name: S510, manufactured by Chisso Corporation) for the purpose of imparting adhesion to a substrate, and 4,4 parts as a photopolymerization initiator component
0.2 parts by weight of 4'-bisdiethylaminobenzophenone (manufactured by Hodogaya Chemical Industries, trade name: EAB-F) and 2-methyl-
1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-propan-1-one 3 parts by weight (trade name: Irgacure 907, manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.); Irganox 1010 (Ciba Specialty Chemicals as a thermal polymerization inhibitor) (Produced by Nissan Chemical Co., Ltd.), 0.38 parts by weight, and 6 parts by weight of propylene glycol methyl ether acetate as a solvent and 58 parts by weight of ethyl acetate were blended to prepare a hot ultraviolet curable resin composition.

【0019】この組成物をダイコーターにより厚み25
μm、幅600mmのポリエステルフィルムに塗布し、8
0−90−100−120℃にそれぞれ設定した連続4
段乾燥炉中で熱風で乾燥し、残存溶剤率4%をもった3
0μm厚の光重合性層を得た。その乾燥塗膜上に厚さ6
0μmのポリエチレン製保護フィルムをラミネートし、
ドライフィルムレジスト(略称DFR)を作製した。
This composition was coated with a die coater to a thickness of 25.
μm, applied to polyester film 600mm wide, 8
Continuous 4 set at 0-90-100-120 ° C respectively
Dry with hot air in a multi-stage drying oven and have a residual solvent ratio of 4% 3
A photopolymerizable layer having a thickness of 0 μm was obtained. Thickness 6 on the dried coating
Laminating a 0 μm polyethylene protective film,
A dry film resist (abbreviated as DFR) was prepared.

【0020】[片面銅張積層板へのラミネート並びに露
光操作]60mm角に裁断した厚み18μmの三井金属社
製電解銅箔(弾性率約36〜40GPa(約3600〜4000kg
f/mm2))と40μm低熱膨張ポリイミド樹脂を積層した
銅張積層板(新日鐵化学(株)製エスパネックス)で銅
面に50mm四方に1mmピッチで櫛形回路を形成したも
のの上に、DFRの保護フィルムをはがしながら熱紫外
線硬化型樹脂層を真空プレスラミネーター(名機製作所
社製)を用いて、真空度306Pa(約2.3Torr)、 プレス
温度80℃、基板圧力約0.3MPa(約3kgf/cm2)、プレ
ス時間5秒ででラミネートした。ラミネート後、配線間
を顕微鏡で観察したところ、気泡もなく良好な充填を示
していることがわかった。続いて支持フィルムを剥離
後、この熱紫外線硬化型樹脂層に石英マスクを密着させ
て、超高圧水銀ランプ(ハイテック(株)製、照度11
mJ/cm2、I線基準)を用いて300mJ/cm2で露光
し、更に1%テトラメチルアンモニウムオキサイド水溶
液を用いて25℃にて90秒間現像して、フレキシブルな接
着層付き銅張り積層板を作成した。現像後の積層板を平
坦な机上においてそのうねりを観察したが、めだったう
ねりは見られなかった。また、机上から積層板樹脂上面
までの高さをうねりやしわの指標として測定したが、い
ずれも0.5mm未満であった。
[Lamination on single-sided copper-clad laminate and exposure operation] Electrolytic copper foil manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd. having a thickness of 18 μm and cut into a 60 mm square (elastic modulus of about 36 to 40 GPa (about 3600 to 4000 kg)
f / mm 2 )) and a copper-clad laminate (ESPANEX manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) in which 40 μm low thermal expansion polyimide resin is laminated, on a copper surface having a comb-shaped circuit formed on a copper surface at a pitch of 1 mm at 50 mm square, Using a vacuum press laminator (manufactured by Meiki Seisakusho), the thermal ultraviolet curable resin layer is peeled off while removing the protective film of the DFR, the degree of vacuum is 306 Pa (about 2.3 Torr), the press temperature is 80 ° C., and the substrate pressure is about 0.3 MPa (about Lamination was performed at 3 kgf / cm 2 ) for 5 seconds. After lamination, the space between the wirings was observed with a microscope. As a result, it was found that there was no air bubbles and the filling was good. Subsequently, after the support film was peeled off, a quartz mask was adhered to the thermo-ultraviolet curable resin layer, and an ultra-high pressure mercury lamp (Hitec Co., Ltd., illuminance 11
(mJ / cm 2 , I-ray standard) at 300 mJ / cm 2 , and further developed with a 1% aqueous solution of tetramethylammonium oxide at 25 ° C. for 90 seconds to obtain a copper-clad laminate with a flexible adhesive layer It was created. The undulation of the developed laminate was observed on a flat desk, but no noticeable undulation was observed. In addition, the height from the desk to the upper surface of the laminate resin was measured as an index of waviness and wrinkles, and all were less than 0.5 mm.

【0021】実施例2〜6及び比較例1 ポリイミド厚みを25μm又は 40μmと50μmに変えて、あ
るいは弾性率の異なる銅箔種を変えて、実施例1と同様
にして樹脂層付き銅張り積層板を作成し、そのうねり・
しわを観察した。銅張り積層板の構成とその評価結果を
表1に示した。なお、使用した銅箔は、実施例2〜4が
日本電解社製の電解SLP箔(弾性率約40〜60GPa)
であり、実施例5及び比較例1が三井金属社製の圧延銅
箔(弾性率約25〜27GPa)であり、実施例6が三井
金属社製の電解銅箔(弾性率約40〜60GPa)であ
る。うねりに関する評価基準は以下の通りである。 机上から積層板樹脂上面までの高さ0.5mm未満 ○ 机上から積層板樹脂上面までの高さ0.5mm以上 ×
Examples 2 to 6 and Comparative Example 1 A copper-clad laminate with a resin layer was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the polyimide was changed to 25 μm or 40 μm and 50 μm, or the type of copper foil having a different elastic modulus was changed. Create the swell
Wrinkles were observed. Table 1 shows the structure of the copper-clad laminate and the evaluation results. The copper foil used was an electrolytic SLP foil manufactured by Nihon Denki Co., Ltd. (elastic modulus: about 40 to 60 GPa) in Examples 2 to 4.
Example 5 and Comparative Example 1 are rolled copper foils (elastic modulus: about 25 to 27 GPa) manufactured by Mitsui Kinzoku Co., and Example 6 is electrolytic copper foils (elastic modulus: about 40 to 60 GPa) manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd. It is. The evaluation criteria for the swell are as follows. Less than 0.5mm in height from the desk to the top surface of the laminated resin ○ At least 0.5mm in height from the desk to the top surface of the laminated resin ×

【0022】[0022]

【表1】 [Table 1]

【0023】表1より弾性率約30GPa以上の銅箔を用
いた場合は、ポリイミドの厚みによらずうねり・しわの
発生は問題なかった。しかし、弾性率の低い銅箔を用い
たときはうねりが問題となった。一方、ポリイミド厚み
を40μm又は50μmとした実施例においても良好で、この
場合は銅箔の弾性率に依存しないことがわかった。
According to Table 1, when a copper foil having an elastic modulus of about 30 GPa or more was used, generation of waviness and wrinkles did not occur regardless of the thickness of the polyimide. However, when a copper foil having a low elastic modulus was used, undulation became a problem. On the other hand, it was also good in the examples in which the thickness of the polyimide was 40 μm or 50 μm, and it was found that in this case, it did not depend on the elastic modulus of the copper foil.

【0024】実施例7 30mmWx100mmL角に裁断した厚み18μmの三井
金属社製電解銅箔(弾性率約36000〜40000MP
a(3600〜4000kgf/mm2))と40μm低熱膨張ポリイミド樹
脂を積層した銅張積層板(新日鐵化学(株)製エスパネ
ックス)を用いて、実施例1と同様にしてDFRの保護
フィルムをはがしながら熱紫外線硬化型樹脂層を真空プ
レスラミネーター(名機製作所社製)を用いて、回路面
を被覆した。次に回路周辺部を100μmラインで、テープ
側面の搬送穴打ち抜き部、ヴィア径並びにライン&スペ
ースのスペース部を100、80、60、50、40、30、20μmで
遮光したネガマスクを用いて実施例1と同様に露光、現
像操作を行い、図3に示したような基板切断部及び打ち
抜き部を樹脂で被覆していない樹脂付き回路基板を調製
した。更に、これを110℃にて20分熱処理を行った。樹
脂を溶解除去した未露光部分を顕微鏡で観察したとこ
ろ、ヴィア径が40μm、ライン&スペースが30μmで形成
され、回路周辺部分の未露光部分にも樹脂は残存してい
ないことを確認した。引き続き、この樹脂層付き回路基
板を、金型を用いて各モデル回路毎に切断したが、切断
部分に樹脂層がないために樹脂層に起因するカットチッ
プの発生や樹脂層のクラック、剥離は観察されなかっ
た。
Example 7 An 18 μm-thick electrolytic copper foil manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd. cut into a 30 mmW × 100 mmL square (elastic modulus of about 36,000 to 40,000 MP)
a (3600-4000 kgf / mm 2 )) and a 40-μm low thermal expansion polyimide resin-laminated copper-clad laminate (ESPANEX manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) in the same manner as in Example 1 using a DFR protective film. While peeling off, the circuit surface of the thermal ultraviolet curable resin layer was coated using a vacuum press laminator (manufactured by Meiki Seisakusho). Next, a 100 μm line was used around the circuit, and a negative mask was used in which light was cut off at 100, 80, 60, 50, 40, 30, and 20 μm at the punched portion of the transport hole on the side of the tape, the via diameter, and the space portion of the line & space. Exposure and development operations were performed in the same manner as in Example 1 to prepare a circuit board with a resin in which the substrate cut portion and the punched portion were not covered with resin as shown in FIG. Further, this was heat-treated at 110 ° C. for 20 minutes. When the unexposed portion where the resin was dissolved and removed was observed with a microscope, it was confirmed that the via diameter was 40 μm, the line & space was formed at 30 μm, and no resin remained in the unexposed portion around the circuit. Subsequently, this circuit board with a resin layer was cut for each model circuit using a mold, but since there was no resin layer in the cut portion, the occurrence of cut chips, cracks and peeling of the resin layer caused by the resin layer did not occur. Not observed.

【0025】比較例2 実施例1にて露光マスクを用いず、全面露光を行った他
は同様に樹脂層付き回路基板を作成し、金型をもちいて
樹脂層側より基板を切断した。切断端面を顕微鏡で観察
したところ、切断面に沿ってクラックが発生していた。
また、ポリイミド側より切断した場合は、切断断面を顕
微鏡観察したところ、一部に銅箔面と樹脂面間で剥離が
見られ、また樹脂層の一部が欠けているのが観察され
た。
Comparative Example 2 A circuit board with a resin layer was prepared in the same manner as in Example 1 except that the entire surface was exposed without using an exposure mask, and the board was cut from the resin layer side using a mold. Observation of the cut end surface with a microscope revealed that cracks occurred along the cut surface.
When the polyimide was cut from the side, when the cut cross section was observed with a microscope, peeling was observed in a part between the copper foil surface and the resin surface, and it was observed that a part of the resin layer was missing.

【0026】実施例8〜9 600mmWx1400mmL角に裁断した厚み18μmの三
井金属社製電解銅箔(弾性率約36〜40GPa(約3600
〜4000kgf/mm2))と40μm低熱膨張ポリイミド樹脂を
積層した銅張積層板(新日鐵化学(株)製エスパネック
ス;実施例8)又は厚み50μmユピセル(宇部興産社
製;実施例8)を張り合わせた銅張り積層板を用いて、
16mmx16mmのモデル回路を3x8個とテープ長軸方向の端
面に搬送穴を形成した銅張り積層板を用意した。また、
図4に示したようにこの回路基板の4隅に幅50μmの十
字アライメントマークを形成してある。これに実施例1
と同様にしてDFRの保護フィルムをはがしながら熱紫
外線硬化型樹脂層を真空プレスラミネーター(名機製作
所社製)を用いて、80℃で回路面を被覆した。次にアラ
イメントマーク並びに65μmヴィアをもつ石英製ネガマ
スクを樹脂上面から160μmのプロキシミティを空けて、
4隅のアライメントマークを回路基板とネガマスク間で
合わせた後、300mJ/cm2(I線基準)の露光を行っ
た。用いた露光機は大日本スクリーン株式会社製MA-140
0である。更に、実施例1と同様に現像操作を行い、樹
脂付き回路基板を調製した。次に、これを110℃にて20
分熱処理を行った。表2に、樹脂層形成前後における回
路基板上のアライメントマーク間の寸法変化を示す。表
中、図4に示したように長軸方向のアライメントマーク
距離をA、短軸方向のアライメントマーク距離をB、対
角方向のアライメントマーク距離をCとそれぞれ定義し
た。得られた樹脂層付き回路基板にはうねりは見られな
かった。また、樹脂層形成後で若干収縮が見られたが長
軸方向で0.02〜0.036mmと小さかった。更に、回路基
板上に45μmのヴィアが形成されていることを確認し
た。なお、マスクサイズは、A=126.495mm、B=51.997m
m、C=136.762mm、ヴィア径65μmである。
Examples 8 to 9 Electrolytic copper foil (made by Mitsui Kinzoku Co., Ltd.) having a thickness of 18 μm and having a modulus of elasticity of about 36 to 40 GPa (about 3600
40004000 kgf / mm 2 )) and a copper-clad laminate obtained by laminating 40 μm low thermal expansion polyimide resin (ESPANEX manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd .; Example 8) or a 50 μm thick Iupisel (Ube Industries, Ltd .; Example 8) Using a copper-clad laminate with
A copper-clad laminate having 3 x 8 16 mm x 16 mm model circuits and a transport hole formed in the end face in the tape long axis direction was prepared. Also,
As shown in FIG. 4, cross alignment marks having a width of 50 μm are formed at four corners of the circuit board. Example 1
While removing the protective film of DFR in the same manner as described above, the circuit surface of the thermo-ultraviolet curable resin layer was coated at 80 ° C. using a vacuum press laminator (manufactured by Meiki Seisakusho). Next, the alignment mark and a quartz negative mask with 65 μm vias were opened at 160 μm proximity from the resin top surface,
After aligning the alignment marks at the four corners between the circuit board and the negative mask, exposure was performed at 300 mJ / cm 2 (I-line reference). The exposure machine used was MA-140 manufactured by Dainippon Screen Co., Ltd.
It is 0. Further, a developing operation was performed in the same manner as in Example 1 to prepare a circuit board with resin. Then, at 110 ° C,
A partial heat treatment was performed. Table 2 shows a dimensional change between the alignment marks on the circuit board before and after the formation of the resin layer. In the table, as shown in FIG. 4, the alignment mark distance in the long axis direction was defined as A, the alignment mark distance in the short axis direction was defined as B, and the alignment mark distance in the diagonal direction was defined as C. No undulation was observed in the obtained circuit board with a resin layer. Although a slight shrinkage was observed after the formation of the resin layer, it was as small as 0.02 to 0.036 mm in the major axis direction. Furthermore, it was confirmed that a 45 μm via was formed on the circuit board. The mask size is A = 126.495mm, B = 51.997m
m, C = 136.762 mm, and via diameter 65 μm.

【0027】[0027]

【表2】 [Table 2]

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明によれば、導体配線パターンを有
するポリイミド樹脂フィルムに熱紫外線硬化型樹脂層を
形成したキャリアフィルムに於いて、フィルムを切断す
る際にカットチップの発生や硬化樹脂層にクラック発生
がなく、また積層時のしわ発生がなくて位置合わせ精度
に優れたキャリアフィルムを提供し、チップサイズパッ
ケージの歩留まり向上と高信頼性化に貢献する。
According to the present invention, in a carrier film in which a thermo-ultraviolet curable resin layer is formed on a polyimide resin film having a conductor wiring pattern, cut chips are generated when the film is cut, and a cured resin layer is formed. The present invention provides a carrier film that is free from cracks and has excellent alignment accuracy without wrinkles during lamination, thereby contributing to an improvement in the yield and reliability of a chip size package.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 実施の一例を示す模式的断面図FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of an embodiment.

【図2】 他の実施の一例を示す模式的断面図FIG. 2 is a schematic sectional view showing another example of the embodiment.

【図3】 実施の一例を示す模式的平面図FIG. 3 is a schematic plan view showing an example of the embodiment.

【図4】 寸法変化の測定方向を示す説明図FIG. 4 is an explanatory diagram showing a measurement direction of a dimensional change.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 熱紫外線硬化型樹脂層 2 導体配線パターン 3 ポリイミド樹脂フィルム 4 ヴィア 5 フィルム切断部 6 半だボール及び搭載開口部 7 バンプ 8 チップ 9 フィルム打ち抜き部 REFERENCE SIGNS LIST 1 thermo-ultraviolet curable resin layer 2 conductor wiring pattern 3 polyimide resin film 4 via 5 film cut section 6 semi-elastic ball and mounting opening 7 bump 8 chip 9 film punching section

フロントページの続き (72)発明者 稲葉 真司 千葉県木更津市築地1番地 新日鐵化学株 式会社電子材料開発センター内 Fターム(参考) 2H025 AA10 AA13 AB16 AC01 AD01 BC74 BC83 CB30 DA19 DA20 5F044 KK03 KK25 LL11 MM03 MM07 MM16 MM31 MM48 NN07 RR17Continuation of the front page (72) Inventor Shinji Inaba 1 Tsukiji, Kisarazu-shi, Chiba F-term in Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Electronic Materials Development Center (reference) 2H025 AA10 AA13 AB16 AC01 AD01 BC74 BC83 CB30 DA19 DA20 5F044 KK03 KK25 LL11 MM03 MM07 MM16 MM31 MM48 NN07 RR17

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 導体配線パターンを有するポリイミド樹
脂フィルムに熱紫外線硬化型樹脂層を形成したキャリア
フィルムにおいて、導体配線パターンを構成する導体の
弾性率とポリイミド樹脂フィルムの厚みとの関係が、ポ
リイミド樹脂フィルムが30μm未満であるときは導体
の弾性率が30GPa以上であり、導体の弾性率が30
GPa未満であるときはポリイミド樹脂フィルムの厚み
が30μm以上であるという関係を満たすことを特徴と
する半導体キャリアフィルム。
In a carrier film in which a thermo-ultraviolet curable resin layer is formed on a polyimide resin film having a conductor wiring pattern, the relationship between the elastic modulus of the conductor constituting the conductor wiring pattern and the thickness of the polyimide resin film is determined by the polyimide resin. When the film is less than 30 μm, the elastic modulus of the conductor is 30 GPa or more, and the elastic modulus of the conductor is 30 GPa.
A semiconductor carrier film which satisfies the relationship that the thickness of the polyimide resin film is 30 μm or more when it is less than GPa.
【請求項2】 導体配線パターンを有するポリイミド樹
脂フィルムに熱紫外線硬化型樹脂層を形成したキャリア
フィルムにおいて、導通用の開口部と共にフィルム切断
部分及びフィルム打ち抜き部分の熱紫外線硬化型樹脂層
が、紫外線露光時にフォトマスクにより遮光され、現像
により除去されていることを特徴とする半導体キャリア
フィルム。
2. A carrier film in which a thermo-UV curing resin layer is formed on a polyimide resin film having a conductor wiring pattern, wherein the heat-curing resin layer at the film cutting portion and the film punching portion together with the conduction opening is formed of an ultraviolet ray. A semiconductor carrier film, which is shielded from light by a photomask during exposure and removed by development.
【請求項3】 ポリイミド樹脂フィルム厚みが30〜7
0μmである請求項2記載の半導体キャリアフィルム。
3. A polyimide resin film having a thickness of 30 to 7
3. The semiconductor carrier film according to claim 2, which has a thickness of 0 μm.
【請求項4】 導体配線パターンを構成する導体が弾性
率30GPa以上の電解銅箔からなる請求項2又は3に
記載の半導体キャリアフィルム。
4. The semiconductor carrier film according to claim 2, wherein the conductor constituting the conductor wiring pattern is made of an electrolytic copper foil having an elastic modulus of 30 GPa or more.
【請求項5】 熱紫外線硬化型樹脂層を構成する熱紫外
線硬化型樹脂が、(1)フルオレン骨格を有するエポキ
シアクリレート樹脂と多塩基酸無水物との付加生成物、
(2)多官能アクリレートモノマー、(3)光重合開始
剤及び(4)エポキシ基を1分子中に2つ以上有するエ
ポキシ樹脂を必須とするアルカリ現像型樹脂組成物であ
る請求項1〜4のいずれかに記載の半導体キャリアフィ
ルム。
5. A thermo-ultraviolet curable resin constituting a thermo-ultraviolet curable resin layer, wherein (1) an addition product of an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton and a polybasic acid anhydride,
An alkali development type resin composition comprising (2) a polyfunctional acrylate monomer, (3) a photopolymerization initiator, and (4) an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. The semiconductor carrier film according to any one of the above.
【請求項6】 請求項1〜5のいずれかに記載の半導体
キャリアフィルムに半導体を搭載したのち、紫外線露光
時にフォトマスクにより遮光され、現像により熱紫外線
硬化型樹脂層が除去されているフィルム切断部分を、切
断することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
6. A film cutting method comprising, after mounting a semiconductor on the semiconductor carrier film according to any one of claims 1 to 5, being shielded from light by a photomask at the time of exposure to ultraviolet light, and removing the thermo-ultraviolet curable resin layer by development. A method of manufacturing a semiconductor package, comprising cutting a portion.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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