[go: up one dir, main page]

JP2001168018A - 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。 - Google Patents

荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。

Info

Publication number
JP2001168018A
JP2001168018A JP35348499A JP35348499A JP2001168018A JP 2001168018 A JP2001168018 A JP 2001168018A JP 35348499 A JP35348499 A JP 35348499A JP 35348499 A JP35348499 A JP 35348499A JP 2001168018 A JP2001168018 A JP 2001168018A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
charged particle
particle beam
exposure
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP35348499A
Other languages
English (en)
Inventor
Masato Muraki
真人 村木
Takasumi Yui
敬清 由井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP35348499A priority Critical patent/JP2001168018A/ja
Priority to US09/708,590 priority patent/US6835937B1/en
Publication of JP2001168018A publication Critical patent/JP2001168018A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023—Programme control
    • H01J37/3026—Patterning strategy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31769—Proximity effect correction

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 適切に選択された補正露光情報と、荷電粒子
線相互間で照射光のばらつきを補正するためのキャリブ
レーション情報とに基づき、荷電粒子線の照射光を制御
して被露光体にパターンを露光する。 【解決手段】 複数の荷電粒子線により被露光体にパタ
ーンを描画する荷電粒子線露光装置は、被露光体に対す
る荷電粒子線の照射を制御するための基準ドーズデータ
を記憶する基本ドーズデータメモリ（1010）と、近接効
果による影響を低減するために、被露光体に対する荷電
粒子線の入射位置毎に、その荷電粒子線の照射を補正す
るための複数の近接効果補正データを記憶する第1補正
係数メモリ(1020)と、複数の荷電粒子線間の照射量のば
らつきを補正するための、キャリブレーションデータを
記憶する第2補正係数メモリ(1030)と、メモリ1010、102
0、1030に記憶されている、基準ドーズデータ、近接効
果補正データ及びキャリブレーションデータに基づいて
各荷電粒子線の照射を制御しながら被露光体にパターン
を露光する露光ユニットを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の荷電粒子線
によりパターンを描画するマルチタイプの荷電粒子線露
光装置、その露光方法及びその方法を利用するデバイス
の製造方法に係り、特に、荷電粒子線によって基板にパ
ターンを描画する際、近接効果補正を迅速かつ適切に施
すこと、及び照射される各々の荷電粒子線のばらつきを
除去するための補正を所定のタイミングで適切に施すこ
とを可能にする荷電粒子線露光装置、その露光方法及び
その方法を利用するデバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体ウエハやマスク基板等の試
料に微細パターンを描画するものとして、電子ビーム描
画装置が用いられているが、この装置では後方散乱電子
によりパターンの太りや細りが生じる、いわゆる近接効
果の影響が問題となる。
【０００３】近接効果を補正する有効な方法の一つは、
照射量補正法である。この最適照射量を決定する方法と
しては、（ａ）行列を用いる方法（M.Parikhh,J.App.Ph
ys.19,p4371,p4378,p4383（1979）,（ｂ）簡単な近似解
の公式を用いる方法（例えば、J.M.Parkovich,Journal
of Vacuum Science ＆ Technology B4,p159(198
6)、等が用いられてきた。
【０００４】（ａ）は、照射量と各位置での感光量との
関係を行列で表現しておき、この行列の逆行列を求める
ことによって、各位置での最適照射量を求めるという方
法である。この方法の利点は、照射量を設定する図形の
サイズを十分小さくすれば正確な最適照射量が求められ
ることにある。短所は、計算時間が莫大になることであ
る。直接描画用としてＬＳＩチップ分全てを補正するの
に数百から数千時間が必要になる。
【０００５】（ｂ）は、例えば次の公式（1）（2）式に
より最適照射量の近似値Ｄ’を計算する方法である。
【０００６】 Ｄ’＝Ｃ／（１／２＋ηＵ） ・・・（１） Ｕ ＝（１／π）∫ｅｘｐ｛-（ｘ-ｘ'）2-（y-y'）2｝dx'dy' ・・・（２） ここで、Ｃは定数、ηは電子線の前方散乱によるレジス
トの感光量と後方散乱によるそれとの比である。パラメ
ータＵの積分範囲は、照射量の評価点を（ｘ、ｙ）と
し、（ｘ、ｙ）を中心とし、後方散乱半径の２〜３倍程
度の円内部に存在する矩形について、或いはその円内部
に一部でもかかる矩形について行なう。しかしながら、
このような、近似解の公式を用いても、直接描画用とし
てＬＳＩチップ分、全てを補正するのに数時間が必要に
なる。
【０００７】また、複数の荷電粒子線によりパターンを
描画するマルチタイプの荷電粒子線露光装置の場合、基
板に照射される各荷電粒子線による熱の影響などによ
り、全ての荷電粒子線の照射量を均一に維持することは
困難である。
【０００８】
【発明が解決しようとしている課題】このように従来、
近接効果補正の為の計算時間は短くても数時間必要であ
る。一方、対象とするウエハに塗布されるレジストやウ
エハ表面の膜材等により、近接効果補正計算のパラメー
タであるηや後方散乱半径等が変わるので、最適な近接
効果を達成するパラメータ（のηや後方散乱半径等）を
求める必要がある。そのために、パラメータを変更して
近接効果補正を再計算する工程と、再計算された近接効
果補正を用いて実際にウエハを露光して評価する工程と
を繰り返していた。すると、パラメータを決定するだけ
の為に電子ビーム描画装置を数十時間占有することにな
り、電子ビーム描画装置の稼動率を低減させていた。
【０００９】また、複数の荷電粒子線によりパターンを
描画するマルチタイプの荷電粒子線露光装置の場合、複
数の荷電粒子線間の照射量のばらつきを無くし、均一な
照射量による露光を可能にするために、例えば、ビーム
間でデューティを変更する補正（キャリブレーション）
が不可欠である。
【００１０】本発明は、上記の背景に鑑みてなされたも
のであり、複数の補正露光情報と、キャリブレーション
情報とを被露光面の条件等により適合するものを選択
し、適切な近接効果補正とビーム間のキャリブレーショ
ンとを迅速に行なうことが可能な荷電粒子線露光装置及
びその露光方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面に係
る荷電粒子線露光装置は、複数の荷電粒子線により被露
光体にパターンを描画する荷電粒子線露光装置であっ
て、被露光体に対する荷電粒子線の照射を制御するため
の基準ドーズデータを記憶する第１の記憶手段と、近接
効果による影響を低減するために、前記被露光体に対す
る荷電粒子線の入射位置毎に該荷電粒子線の照射を補正
するための複数の近接効果補正データを記憶する第２の
記憶手段と、複数の荷電粒子線間の照射量のばらつきを
補正するための、キャリブレーションデータを記憶する
第３の記憶手段と、前記第１乃至第３の記憶手段に記憶
されている、基準ドーズデータ、近接効果補正データ及
びキャリブレーションデータに基づいて各荷電粒子線の
照射を制御しながら前記被露光体にパターンを露光する
露光手段と、を備えることを特徴とする。
【００１２】本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光
装置において、前記基準ドーズデータは、露光するべき
パターンに依存して決定されるビットマップデータ、又
は、ビットマップデータと照射時間割合を定義するデー
タとを含むことが好ましい。
【００１３】本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光
装置において、複数の荷電粒子線間の照射量のばらつき
を測定し、前記第３の記憶手段に格納する計測手段を備
えることが好ましい。
【００１４】本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光
装置において、前記計測手段は、ファラデーカップを含
むことが好ましい。
【００１５】本発明の第１の側面に係る荷電粒子線露光
装置において、前記第２の記憶手段に記憶された複数の
近接効果補正データから、前記基準ドーズデータに対す
る近接効果補正に適した１つのデータを選択する選択手
段を備えることが好ましい。
【００１６】本発明の第２の側面に係る露光補正データ
の決定方法は、被露光体に基準パターンを露光するため
の荷電粒子線の照射位置毎の基準ドーズデータを生成す
る工程と、照射位置毎の複数の近接効果補正データを前
記被露光体の条件に応じて生成若しくは更新する生成工
程と、前記生成若しくは更新された照射位置毎の複数の
近接効果補正データをメモリに記憶させる記憶工程と、
前記メモリに記憶された照射位置毎の複数の近接効果補
正データからいずれか一つの近接効果補正データを選択
する選択工程と、前記選択された近接効果補正データに
基づいて、前記基準ドーズデータに対して近接効果補正
を施して、前記被露光体にパターンを露光する露光工程
と、前記露光されたパターンを評価して、前記選択され
た一つの近接効果補正データが基準ドーズデータを制御
するのに最適なデータであるか否かを判定する判定工程
と、前記判定の結果に従い、前記基準ドーズデータを制
御する最適な近接効果補正データを決定する近接効果補
正データ決定工程と、前記近接効果補正データにより補
正された各要素電子光学系からの荷電粒子線の照射量を
センサにより測定する測定工程と、前記測定工程により
測定された照射量に基づき、前記各要素電子光学系のキ
ャリブレーションデータを決定する決定工程とを備える
ことを特徴とする。
【００１７】本発明の第２の側面に係る露光補正データ
の決定方法において、前記選択された一つの近接効果補
正データが基準ドーズデータを補正するのに最適なデー
タであるか否かは、前記露光パターンと基準パターンと
を目視検査により対比して判定されることが好ましい。
【００１８】本発明の第２の側面に係る露光補正データ
の決定方法において、前記選択された一つの近接効果補
正データが基準ドーズデータを補正するのに最適なデー
タであるか否かは、前記露光パターンと基準パターンと
を対比する評価手段により判定されることが好ましい。
【００１９】本発明の第２の側面に係る露光補正データ
の決定方法において、前記基準ドーズデータは、露光す
るべきパターンに依存して決定されるビットマップデー
タ、又はビットマップデータ及び照射時間割合を定義す
るデータとを含むことが好ましい。
【００２０】本発明の第２の側面に係る露光補正データ
の決定方法において、前記近接効果補正データは、露光
するべきパターンに依存せず、前記被露光体の条件に依
存するデータであることが好ましい。
【００２１】本発明の第２の側面に係る露光補正データ
の決定方法において、前記条件は、前記被露光体の下地
条件、レジスト材料、後方散乱半径の少なくとも一つを
パラメータとして決定されることが好ましい。
【００２２】本発明の第２の側面に係る露光補正データ
の決定方法において、前記センサは、ファラデーカップ
を含むことが好ましい。
【００２３】本発明の第３の側面に係る荷電粒子線露光
方法は、上記第２の側面に係る露光補正データの決定方
法により決定された露光補正データに基づき、各荷電粒
子線の照射量を補正して被露光体にパターンを露光する
露光工程を備えることを特徴とする。
【００２４】本発明の第４の側面に係るデバイスの製造
方法は、上記第３の側面に係る荷電粒子線露光方法によ
り荷電粒子線の照射位置毎に施す近接効果補正と、要素
電子光学系毎に施すキャリブレーションデータによる補
正とにより荷電粒子線の照射量を補正して被露光体にパ
ターンを露光する工程を含むことを特徴とする。
【００２５】本発明の第５の側面に係るデバイスの製造
方法は、荷電粒子線を補正して被露光体にパターンを露
光する荷電粒子線露光装置を製造工程の一部に利用する
デバイスの製造方法であって、該記荷電粒子線露光装置
が、上記第2の側面に係る露光補正データの決定方法に
より決定される近接効果補正データとキャリブレーショ
ンデータとに基づき各荷電粒子線の照射量を補正する工
程と、前記補正された荷電粒子線に従って被露光体にパ
ターンを露光する露光工程と、を実行することを特徴と
する。
【００２６】
【発明の実施の形態】この実施の形態では、荷電粒子線
露光装置の一例として、複数の荷電粒子線によりパター
ンを描画するマルチタイプの電子ビーム露光装置を想定
する。ただし、本発明は、電子ビーム露光装置のみなら
ず、例えばイオンビーム露光装置等にも適用することが
できる。
【００２７】図１は、本発明の好適な実施の形態に係る
電子ビーム露光装置の概略図である。図１において、１
は、カソード１ａ、グリッド１ｂ、アノード１ｃを含む
電子銃である。カソード１ａから放射された電子は、グ
リッド１ｂとアノード１ｃとの間に、電子源ＥＳとして
のクロスオーバ像を形成する。
【００２８】電子源ＥＳから放射される電子ビームは、
コンデンサーレンズ２を介して補正電子光学系３に照射
される。このコンデンサーレンズ２は、例えば３枚の開
口電極で構成される。
【００２９】補正電子光学系３は、図２（Ｂ）に示すよ
うに、電子銃１側から光軸ＡＸに沿って順に配置された
アパーチャアレイＡＡ、ブランカアレイＢＡ、補正電子
光学系ユニットＬＡＵ、ストッパアレイＳＡで構成され
る。以下、補正電子光学系３の詳細について説明する。
【００３０】補正電子光学系３は、電子源ＥＳの中間像
を複数形成し、各中間像は後述する縮小電子光学系４に
よってウェハ等の基板５上に縮小投影される。これによ
り、基板５上には、同一の形状を有する複数の電子源像
が形成される。補正電子光学系３は、複数の中間像が縮
小電子光学系４を介して基板５上に縮小投影される際に
発生する収差を補正するように、該複数の中間像を形成
する。
【００３１】縮小電子光学系４は、第１投影レンズ４１
と第２投影レンズ４２とからなる対称磁気ダブレット及
び第１投影レンズ４３と第２投影レンズ４４とからなる
対称磁気ダブレットで構成される。第１投影レンズ４１
（４３）の焦点距離をｆ１、第２投影レンズ４２（４
４）の焦点距離をｆ２とすると、この２つのレンズ間の
距離はｆ１＋ｆ２である。
【００３２】光軸ＡＸ上の物点は、第１投影レンズ４１
（４３）の焦点位置にあり、その像点は第２投影レンズ
４２（４４）の焦点に結ぶ。この像は−ｆ２／ｆ１に縮
小される。また、この露光装置１００では、２つのレン
ズ磁界が互いに逆方向に作用する様に決定されているの
で、理論上は、球面収差、等方性非点収差、等方性コマ
収差、像面湾曲収差、軸上色収差の５つの収差を除い
て、他のザイデル収差および回転と倍率に関する色収差
が打ち消される。
【００３３】６は、補正電子光学系３からの複数の電子
ビームを偏向させて、複数の電子源像を基板５上でＸ、
Ｙ方向に略同一の変位量だけ変位させる偏向器である。
偏向器６は、図示はされていないが、偏向幅が広い場合
に用いられる主偏向器と、偏向幅が狭い場合に用いられ
る副偏向器で構成されている。主偏向器は電磁型偏向器
で、副偏向器は静電型偏向器である。
【００３４】７は、偏向器６を作動させた際に発生する
偏向収差による電子源像の焦点位置のずれを補正するダ
イナミックフォーカスコイルであり、８は、偏向により
発生する偏向収差の非点収差を補正するダイナミックス
ティグコイルである。
【００３５】９は、基板５を載置し、光軸ＡＸ(Ｚ軸）
方向とＺ軸回りの回転方向に移動可能なθ-Ｚステージ
であって、ステージに固設されているセンサ１０には、
例えばファラデーカップが含まれる。センサ１０はステ
ージ９に入射する各荷電粒子線ビームの照射量を個別に
検出する。
【００３６】１１は、θ-Ｚステージを載置し、光軸Ａ
Ｘ(Ｚ軸）と直交するＸＹ方向に移動可能なＸＹステー
ジである。
【００３７】次に、図２（Ａ）及び（Ｂ）を参照して補
正電子光学系３の構成について説明する。前述したよう
に、補正電子光学系３は、アパーチャアレイＡＡ、ブラ
ンカアレイＢＡ、補正電子光学系ユニットＬＡＵ、スト
ッパアレイＳＡで構成される。
【００３８】図２（Ａ）は、電子銃１側から補正電子光
学系３を見た図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＡ
−Ａ’断面図である。
【００３９】アパーチャアレイＡＡは、図２（Ａ）に示
すように、基板に複数の開口を設けた構造を有し、コン
デンサーレンズ２からの電子ビームを複数の電子ビーム
に分割する。
【００４０】ブランカアレイＢＡは、アパーチャアレイ
ＡＡで形成された各電子ビームを個別に偏向させる偏向
器を一枚の基板上に複数形成したものである。図３は、
ブランカアレイＢＡに形成された１つの偏向器を抜き出
して示した図である。ブランカアレイＢＡは、複数の開
口ＡＰが形成された基板３１と、開口ＡＰを挟んだ一対
の電極で構成され、偏向機能を有するブランカ３２と、
ブランカ３２を個別にオン・オフさせるための配線Ｗと
を有する。図４は、ブランカアレイＢＡを下方から見た
図である。
【００４１】補正電子光学系ユニットＬＡＵは、同一平
面内に複数の電子レンズが２次元的に配列して形成され
た電子レンズアレイである第１電子光学系アレイＬＡ１
及び第２電子光学系アレイＬＡ２で構成される。
【００４２】図５は、第１電子光学系アレイＬＡ１を説
明する図である。第１電子レンズアレイＬＡ１は、各
々、複数の開口に対応するドーナツ状電極が複数配列さ
れた上部電極板ＵＥ、中間電極板ＣＥ及び下部電極板Ｌ
Ｅの３枚を有し、絶縁物を介在させて、これらの３枚の
電極板を積層した構造を有する。
【００４３】ＸＹ座標が互いに等しい上部、中間及び下
部電極板のドーナツ状電極は、一つの電子レンズ（いわ
ゆるユニポテンシャルレンズ）ＵＬを構成する。各電子
レンズＵＬの上部電極板のドーナツ状電極は、共通の配
線Ｗ１によりＬＡＵ制御回路１１２に接続され、各電子
レンズＵＬの下部電極板のドーナツ状電極は、共通の配
線Ｗ３によりＬＡＵ制御回路１１２に接続されている。
上部電極板のドーナツ状電極及び下部電極板のドーナツ
状電極の間には、電子ビームの加速電位が印加される。
各電子レンズの中間電極板のドーナツ状電極には、個別
の配線Ｗ２を介してＬＡＵ制御回路１１２から適切な電
位が供給される。これにより、各電子レンズの電子光学
的パワー（焦点距離）を所望の値に設定することができ
る。
【００４４】第２電子光学系アレイＬＡ２も、第１電子
光学系アレイＬＡ１と同様の構造及び機能を有する。
【００４５】図２（Ｂ）に示すように、補正電子光学系
ユニットＬＡＵでは、ＸＹ座標が互いに等しい第１電子
レンズアレイＬＡ１の電子レンズと第２電子レンズアレ
イＬＡ２の電子レンズとで一つの要素電子光学系ＥＬが
構成される。
【００４６】アパーチャアレイＡＡは、各要素電子光学
系ＥＬの略前側焦点位置に位置する。従って、各要素電
子光学系ＥＬは、その略後側焦点位置に、分割された各
電子ビームにより電子源ＥＳの中間像を形成する。ここ
で、中間像が縮小電子光学系４を介して基板５に縮小投
影される際に発生する像面湾曲収差を補正するように、
要素電子光学系ＥＬ毎に、中間電極板のドーナツ状電極
に印加する電位を調整することにより電子レンズの電子
光学的パワーを調整し、中間像形成位置が調整される。
【００４７】ストッパアレイＳＡは、アパーチャアレイ
ＡＡと同様に、基板に複数の開口が形成された構造を有
する。ブランカアレイＢＡで偏向された電子ビームは、
その電子ビームに対応したストッパアレイＳＡの開口の
外に照射され、基板によって遮られる。
【００４８】次に、図６を用いて補正電子光学系３の機
能について説明する。電子源ＥＳから放射される電子は
コンデンサーレンズ２を通過し、これにより略平行な電
子ビームが形成される。そして、略平行な電子ビーム
は、複数の開口を有するアパーチャアレイＡＡによっ
て、複数の電子ビームに分割される。分割された電子ビ
ームの各々は要素電子光学系ＥＬ１〜ＥＬ３に入射し、
各要素電子光学系の略前側焦点位置に電子源ＥＳの中間
像ｉｍｇ１〜ｉｍｇ３を形成する。そして、各中間像
は、縮小電子光学系４を介して被露光面である基板５に
投影される。
【００４９】ここで、複数の中間像が被露光面に投影さ
れる際に発生する像面歪曲収差（縮小電子光学系４の光
軸方向における、基板上５の実際の結像位置と理想結像
位置とのずれ）を補正するために、前述のように、複数
の要素電子光学系の光学特性を個別に設定し、光軸方向
の中間像形成位置を要素電子光学系毎に異ならせてい
る。
【００５０】また、ブランカアレイＢＡのブランカＢ１
〜Ｂ３と、ストッパアレイＳＡのストッパＳ１〜Ｓ３と
によって、各電子ビームを基板５上に照射させるか否か
が個別に制御される。なお、図６では、ブランカＢ３が
オンしているため、中間像ｉｍｇ３を形成すべき電子ビ
ームは、ストッパアレイＳＡの開口Ｓ３を通過せず、ス
トッパアレイＳＡの基板により遮断される。
【００５１】図７は、図１に示す電子ビーム露光装置１
００の制御系の構成を示す図である。ＢＡ制御回路１１
１は、ブランカアレイＢＡの各ブランカのオン・オフを
個別に制御する制御回路であり、その詳細な構成と機能
については後に詳しく説明する。ＬＡＵ制御回路１１２
は、レンズアレイユニットＬＡＵを構成する電子レンズ
ＥＬの焦点距離を制御する制御回路、Ｄ＿ＳＴＩＧ制御
回路１１３は、ダイナミックスティグコイル８を制御し
て縮小電子光学系４の非点収差を補正するための制御回
路、 Ｄ＿ＦＯＣＵＳ制御回路１１４は、ダイナミック
フォーカスコイル７を制御して縮小電子光学系４のフォ
ーカスを調整するための制御回路、偏向制御回路１１５
は、偏向器６を制御する制御回路、光学特性制御回路１
１６は、縮小電子光学系４の光学特性（倍率、歪曲）を
調整する制御回路である。反射電子検出回路１１７は、
反射電子検出器１２からの信号より反射電子量を演算す
る回路である。
【００５２】ステージ駆動制御回路１１８は、θ−Ｚス
テージ９を駆動制御すると共に、ＸＹステージ１１の位
置を検出するレーザ干渉計ＬＩＭと共同してＸＹステー
ジ１１を駆動制御する制御回路である。
【００５３】副制御部１２０は、メモリ１２１に格納さ
れた露光制御データをインターフェース１２２を介して
読み出して、これに基づいて制御回路（制御要素）１１
１〜１１６及び１１８を制御する共に、反射電子検出回
路１１７を制御する。主制御部１２３は、この電子ビー
ム露光装置１００の全体を統括的に制御する。
【００５４】次に、図７を参照しながら図１に示す電子
ビーム露光装置１００の概略的な動作を説明する。
【００５５】副制御部１２０は、メモリ１２１から露光
制御データを読み出して、該露光制御データから偏向器
６を制御するための制御データとして偏向制御データ
（主偏向器基準位置、副偏向器基準位置、主偏向ステー
ジ追従データ、偏向制御データ）を抽出して偏向制御回
路１１５に提供すると共に、該露光制御データからブラ
ンカアレイＢＡの各ブランカを制御するための制御デー
タとしてブランカ制御データとブランカの制御を補正す
るためのデータを抽出してＢＡ制御回路１１１に提供す
る。ここで提供されたデータはそれぞれ、ＢＡ制御回路
１１１の基本ドーズデータメモリ１０１０、第一補正係
数メモリ１０２０に記憶される。
【００５６】偏向制御回路１１５は、偏向制御データに
基づいて偏向器６を制御し、これにより複数の電子ビー
ムを偏向させ、これと同時に、ＢＡ制御回路１１１は、
ブランカアレイＢＡの各ブランカを制御し、これにより
基板５に描画すべきパターンに応じてブランカをオン・
オフさせる。また、基板５にパターンを描画するために
複数の電子ビームにより基板５を走査する際、ＸＹステ
ージ１１はｙ方向に連続的に駆動され、このＸＹステー
ジ１１の移動に追従するように、複数の電子ビームが偏
向器６によって偏向される。
【００５７】各電子ビームは、図８に示すように、基板
５上の対応する要素露光領域（ＥＦ）を走査露光する。
この電子ビーム露光装置は、各電子ビームによる要素露
光領域（ＥＦ）が２次元に隣接するように設計されてお
り、複数の要素露光領域（ＥＦ）で構成されるサブフィ
ールド（ＳＦ）が１度に露光される。なお、図８に示す
例では、１つの要素露光領域（ＥＦ）は、８×８要素の
マトリックで構成される。このマトリックの各要素は、
偏向器６により偏向された電子ビームが基板５に照射さ
れる領域（位置）を示している。換言すると、８×８要
素のマトリックスからなる１つの要素露光領域（ＥＦ）
は、１つの電子ビームにより図８中の矢印に示す順に走
査される。
【００５８】副制御部１２０は、１つのサブフィールド
（ＳＦ１）が露光された後、次のサブフィールド（ＳＦ
２）が露光されるように、偏向制御回路１１５に命じ
て、偏向器６によって、走査露光時のＸＹステージ１１
の走査方向（ｙ方向）と直交する方向（ｘ方向）に複数
の電子ビームを偏向させる。
【００５９】このようなサブフィールドの切り換えに伴
って、各電子ビームが縮小電子光学系４を介して縮小投
影される際の収差も変化する。そこで、副制御部１２０
は、ＬＡＵ制御回路１１２、 Ｄ＿ＳＴＩＧ制御回路１
１３及びＤ＿ＦＯＣＵＳ制御回路１１４に命じて、変化
した収差を補正するように、レンズアレイユニットＬＡ
Ｕ、ダイナミックスティグコイル８及びダイナミックフ
ォーカスコイル７を調整する。
【００６０】サブフィールドの切り換え後、再度、複数
の電子ビームにより各々対応する要素露光領域（ＥＦ）
の露光を実行することにより、２つ目のサブフィールド
（ＳＦ２）が露光される。この様にして、図８に示すよ
うに、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ６の露光を順次実行
することにより、走査露光時のＸＹステージ１１の走査
方向（ｙ方向）と直交する方向（ｘ方向）に並ぶサブフ
ィールドＳＦ１〜ＳＦ６で構成されるメインフィールド
（ＭＦ）の露光が完了する。
【００６１】このようにして図８に示す１つ目のメイン
フィールド（ＭＦ１）の露光が完了した後、副制御部１
２０は、偏向制御回路１１５に命じて、順次、ＸＹステ
ージ１１の走査方向（ｙ方向）に並ぶメインフィールド
（ＭＦ２、ＭＦ３、ＭＦ３、ＭＦ４・・・）に複数の電子
ビームを偏向させてると共に露光を実行する。これによ
り、図８に示すように、メインフィールド（ＭＦ２、Ｍ
Ｆ３、ＭＦ３、ＭＦ４・・・）で構成されるストライプ領
域（ＳＴＲＩＰＥ１）の露光が実行される。
【００６２】次いで、副制御部１２０は、ステージ駆動
制御回路１１８に命じてＸＹステージ１１をｘ方向にス
テップ移動させ、次のストライプ領域（ＳＴＲＩＰＥ
２）の実行する。
【００６３】図９は、露光装置を含むシステムの構成を
示す図である。このシステムは、図１に示す電子ビーム
露光装置１００と、情報処理装置２００とを通信ケーブ
ル２１０で接続してなる。情報処理装置２００は、例え
ば、露光パターンデータを通信回線２２０を介して他の
情報処理装置から取得し、この露光パターンデータに基
づいて、電子ビーム露光装置１００に適合した露光制御
データを生成し、通信ケーブル２１０を介して電子ビー
ム露光装置１００に提供する。
【００６４】より具体的には、情報処理装置２００は、
通信回線２２０を介して他の情報処理装置から露光パタ
ーンデータを取得して格納部２０１に格納する。ここ
で、露光パターンデータは、それが格納されたメモリ媒
体（例えば、磁気テープ、ディスク等）から取得しても
よい。
【００６５】次いで、情報処理装置２００は、制御デー
タ生成部２０２において、露光パターンデータに基づい
て、電子ビーム露光装置１００を制御するための複数の
制御データ（例えば、ブランカを制御するためのドット
制御データ又はドーズ量制御データ、偏向器を制御する
ための偏向制御データ等）を生成する。ここで生成され
る制御データには、基本露光情報としての基準ドーズデ
ータが含まれる。
【００６６】ここで、基準ドーズデータとは、露光する
パターンに依存した描画情報の基本となる情報であり、
この情報に基づいてブランカの開閉が制御される。基準
ドーズデータは、具体的にはビットマップデータ
（「０」若しくは「１」）の構成、又はビットマップ及
びブランカの開閉時間（照射時間割合）を定義するデー
タ（デューティ）が含まれる。
【００６７】電子銃１ａから照射された照射光は光源に
依存した一定の照射強度を有し、ブランカのデューティ
によって照射エネルギを所望に制御することができる。
以降において説明する「近接効果補正」とは、描画パタ
ーンには依存しないが、被露光体の有する諸条件を勘案
して基準ドーズデータで定義されているデューティを増
減する補正をして、被露光体に最も適合した照射（露
光）状態を実現することをいう。
【００６８】次いで、情報処理装置２００は、補正露光
情報生成部２０３において、制御データ生成部２０２で
生成された基準ドーズデータに対して照射位置毎に近接
効果補正を施すための補正露光情報を生成する。補正露
光情報は、露光パターンに依存しない補正データであ
り、被露光面にパターンを露光した場合の後方散乱半径
やレジスト材料、下地条件の相違などがパラメータとし
て考慮されて生成される。レジスト情報や、下地情報等
は、外部の端末３００から入力されて情報処理装置２０
０に格納されるレジスト、下地情報２０４を参照しても
よいし、更に露光パターンに関連する情報を参照しても
よい。近接効果補正が施された基準ドーズデータは照射
時間のデューティが補正される。
【００６９】露光装置１００のキャリブレーションデー
タ生成部２０５において、電子ビームの照射に伴う発熱
の影響などにより生じる照射ビーム間のばらつきを補正
する荷電粒子線相互の補正データ（キャリブレーション
データ）を生成する。
【００７０】このキャリブレーションデータは、露光装
置１００において、被露光体を搭載するステージ９（図
１）に固設されたセンサ（ファラデーカップを含む）に
より、入射する各電子ビーム毎に照射量を個別に検出し
た結果に基づき決定されるものであり、この結果は図１
０に示すＢＡ制御回路部１１１に示す第2補正係数メモ
リ１０２０に記憶される。
【００７１】図１０は、図７で説明したＢＡ制御回路
（ブランカアレイ制御回路）１１１の構成例を示す図で
ある。ブランカアレイ制御回路１１１は、基本露光情報
である基準ドーズデータを格納する基本ドーズデータメ
モリ１０１０と、近接補正係数を含む補正露光情報を格
納する第１補正係数メモリ１０２０と、複数の照射ビー
ムのばらつきを補正（キャリブレーション）するための
キャリブレーション情報を格納する第２補正係数メモリ
１０３０と、被露光体に対して適切な露光を実現するた
めに、基準ドーズデータに近接効果補正と照射ビーム間
のキャリブレーションを施すためのデータを選択する制
御を行なうデータ制御部１０４０と、そのデータ選択制
御の結果に従い、最も適切な補正露光情報とキャリブレ
ーション情報として選択されたデータに基づき、パター
ンを被露光体に描画するための描画ドーズデータを演算
する演算部１０５０と、その演算結果の出力を一旦格納
する描画ドーズデータメモリ１０６０と、描画ドーズデ
ータに基づいてブランカーを駆動するドライバー１０７
０とを備える。
【００７２】図１１は、データの生成および補正露光情
報の選択と確定に関連した評価の流れを説明する図であ
る。ステップＳ１１０１では、情報処理装置２００の制
御データ生成部２０２において基本露光情報である基準
ドーズデータを生成し、ＢＡ制御回路部１１１の基本ド
ーズメモリ１０１０にデータを格納する。
【００７３】ステップＳ１１０２では、情報処理装置２
００の補正露光情報生成部２０３において近接効果補正
係数を含む補正露光情報を生成して、近接補正係数メモ
リ１０２０に格納する。
【００７４】ステップＳ１１０３では、Ｓ１１０１で生
成された基準ドーズデータに基づいてパターンを描画す
る。
【００７５】ステップＳ１１０４では、描画されたパタ
ーンから近接効果補正が必要か否かを判定する。判定の
結果、近接効果補正が必要ない場合は評価を終了する
（Ｓ１１０５）。補正が必要な場合は、処理をステップ
Ｓ１１０６に進め、第1補正係数メモリ１０２０に格納
されている補正露光情報から一つの補正露光情報を選択
し（Ｓ１１０６）、その補正露光情報を加味したドーズ
データに基づいてパターンを描画する（これを「補正パ
ターン」という。）（Ｓ１１０７）。
【００７６】ステップＳ１１０８で補正パターンを評価
し、ステップＳ１１０９で、ステップＳ１１０６で選択
した補正露光情報は適切であったか否か、補正パターン
は最適か否かを判断する。選択した補正露光情報が適切
でないと判断した場合は、処理をステップＳ１１０６に
戻し、別の補正露光情報を選択して、同様の処理（Ｓ１
１０７、Ｓ１１０８）を繰り返す。
【００７７】ステップＳ１１０９で補正パターンは最適
であると判断した場合は処理をステップＳ１１１０に進
め、補正露光情報を確定し（Ｓ１１１０）、評価を終了
する（Ｓ１１１１）。
【００７８】ここで、図１１の処理中、補正の要否と補
正露光情報の選択（ステップＳ１１０４、Ｓ１１０
６）、更に補正パターンの評価、最適の判断（ステップ
Ｓ１１０８、Ｓ１１０９）に関する処理は作業者の目視
により判断され、選択されるのが望ましいが、これらの
処理は、各工程（ステップＳ１１０４、Ｓ１１０６、ス
テップＳ１１０８、Ｓ１１０９）に対応した処理を実行
する評価装置により処理することも可能である。
【００７９】次に、各要素電子光学系から出力される荷
電粒子線間のばらつきを補正（キャリブレーション）す
るための手順について説明する。
【００８０】図１２は要素電子光学系のキャリブレーシ
ョンの手順を説明するフローチャートである。まず、ス
テップＳ１２０１において、補正対象とする要素電子光
学系ＥＬ(ｉ）の照射光の光軸を測定位置に合わせる。
この測定位置はステージ９上（図１）に設けられてお
り、センサ１０により照射光の強度が測定可能な位置で
ある。
【００８１】次に、その要素電子光学系ＥＬ(ｉ)から出
た照射光の強度（照射量）を測定し、キャリブレーショ
ンデータを求め、全ての要素電子光学系についてキャリ
ブレーションデータが求められたか否かを判断する（Ｓ
１２０３）。全てのデータが求められていない場合は
（Ｓ１２０３−Ｎｏ）、次の要素電子光学系から出た照
射光の結像位置に光軸を合わせ、その結像した照射光に
対して強度（照射量）を同様に測定し、キャリブレーシ
ョンデータを求める（Ｓ１２０２）。
【００８２】全ての要素電子光学系に対してキャリブレ
ーションデータが求められた場合（Ｓ１２０３−Ｙｅ
ｓ）、要素電子光学系のキャリブレーションデータを確
定し（Ｓ１２０４）、その結果は図１０に示す第２補正
係数メモリに記憶される。
【００８３】図１３は、描画位置（Xn、Yn）とキャリブ
レーションデータＡ(ｍ)、補正露光情報Ｂ(n,m)の関係
を示す図である。ここで、描画位置は図８で説明した要
素露光領域（ＥＦ）を構成するマトリックスの座標成分
であり、荷電粒子線により照射される単位である。符番
１３０１は描画位置座標を列行列として表示したもの
で、符番１３０２、１３０３はそれぞれ異なる条件の基
に生成された補正露光情報であり、描画位置の各成分と
１対１に対応する。ここで、補正露光情報１（１３０
２）、補正露光情報ｍ（１３０３）は図１０の第1補正
係数メモリ１０２０に格納されている情報であり、設定
される補正露光情報は全ての要素露光領域（ＥＦ)につ
いて共通でなく、個別に補正露光情報が選択され、設定
されることになる。
【００８４】また、キャリブレーションデータ１３０５
は要素電子光学系３のそれぞれの要素ＥＬ（１）、ＥＬ
（２）、・・・・、ＥＬ(ｍ)に対応する補正データであり、
図１０の第2補正係数メモリ１０３０に記憶されている
データである。
【００８５】キャリブレーションデータ１３０５と補正
露光情報（１３０２、１３０３）等とは、荷電粒子線の
照射に際して、補正の周期が異なるデータである。前者
は電子ビームの照射による発熱や露光装置側の補正電子
光学系３の初期的な機差を装置の立ち上げに際して補正
するもので、１日１回乃至は数回の単位であるのに対し
て、後者は描画位置単位に補正露光情報が一意に決定さ
れるものであり、荷電粒子線の照射位置毎に補正が施さ
れるために膨大な補正頻度となる。
【００８６】このように、補正サイクルの異なるデータ
を別個に管理することで、必要なデータのみを書き換え
る等、データのメインテナンスが極めて容易になる。
【００８７】更に、補正の用途に合わせて、必要なデー
タのみを使ったデータ制御が可能になるために、要求さ
れる演算処理の負荷が軽減されることになる。
【００８８】図１４は、データ制御部１０４０、演算部
１０５０(図１０）の処理を説明するフローチャートで
ある。このフローチャートに従って、照射位置毎の近接
効果補正と各要素電子光学系のキャリブレーションを加
味した補正パターンの描画を説明する。
【００８９】データ制御部１０４０は、既に生成され基
本ドーズデータメモリ１０１０に格納されている基準ド
ーズデータを演算部１０５０に出力する（Ｓ１４０
１）。更に、データ制御部１０４０は、図１１の評価手
順に従って確定した補正露光情報を演算部１０５０に出
力する（Ｓ１４０２）。
【００９０】演算部１０５０は、まず、基準ドーズデー
タに対して確定した補正露光情報に従って、近接効果補
正を施す（Ｓ１４０３）。この補正はブランカの開閉を
制御するためのデューティの変更であり、例えば、基準
ドーズデータのデューティが「１．０」であるとき、２
０％デューティを増やす補正の結果によると補正後のド
ーズデータは「１．２」、２０％デューティを減らす補
正の結果によると補正後のドーズデータは「０．８」と
なる。
【００９１】次に、ステップＳ１４０４で、演算部１０
５０は全露光領域に対して近接効果補正が完了したか否
かを判断し、補正が完了していない場合はステップＳ１
４０３の処理を継続し、近接効果補正が露光するべき全
領域に対して完了した場合、データ制御部１０４０は、
図１２の手順に従って確定した各要素電子光学系のキャ
リブレーションデータを演算部１０５０に出力する（Ｓ
１４０５）。
【００９２】演算部１０５０は、近接効果補正が完了し
たデータに対してキャリブレーションデータを加味した
補正を行ない（Ｓ１４０６）、全ての要素電子光学系の
キャリブレーションデータが補正に反映できた場合（Ｓ
１４０７−Ｙｅｓ）は処理をステップＳ１３０８に進
め、反映できていない場合（Ｓ１４０７−Ｎｏ）はステ
ップＳ１４０６の処理を継続する。
【００９３】ステップＳ１４０８で、演算部１０５０
は、基準ドーズデータに対して、照射位置毎の近接効果
補正と、要素電子光学系毎のキャリブレーションデータ
による補正とを施した補正されたドーズデータを描画ド
ーズデータメモリ１０６０に出力する。尚、この描画ド
ーズデータメモリ１０６０は一種のバッファとして機能
するもので、本発明にかかる実施形態の構成上不可欠な
ものでない。従って、演算部１０５０は補正されたドー
ズデータをドライバー１０７０に出力してもよい。ドラ
イバー１０７０は補正されたドーズデータに従い、ブラ
ンカーの開閉を制御する（Ｓ１４０９）。
【００９４】本実施形態によれば、照射位置毎に近接効
果補正をする補正露光情報と、荷電粒子線相互間で照射
量のばらつきを補正するためのキャリブレーション情報
とを選択して、迅速かつ適切に両補正を施した露光が可
能になる。
【００９５】また、補正サイクルの異なるデータを別個
に管理することで、必要なデータのみを書き換える等、
補正データのメインテナンスが極めて容易になる。
【００９６】更に、補正の用途に合わせて、必要なデー
タのみを使ったデータ制御が可能になるために、要求さ
れる演算処理の負荷が軽減できる。
【００９７】［デバイスの製造方法］次に、上記の各実
施の形態に係る電子ビーム露光装置１００を利用したデ
バイスの生産方法の実施例を説明する。
【００９８】図１５は、微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッ
ド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す図であ
る。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路
設計を行なう。ステップ２（露光制御データ作成）では
設計した回路パターンに基づいて情報処理装置２００に
おいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ス
テップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いて
ウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前
工程と呼ばれ、ステップ２で作成された露光制御データ
が入力された電子ビーム露光装置１００を利用して、リ
ソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成す
る。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ス
テップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、
ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等
の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイ
スが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００９９】図１６は、図１５に示すウエハプロセスの
詳細なフローを示す図である。ステップ１１（酸化）で
はウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）
ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電
極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。
ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打
ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感
光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では電子ビーム
露光装置１００によって回路パターンをウエハに焼付露
光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現
像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジ
スト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト
剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを
取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによ
って、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【０１００】
【発明の効果】本発明によれば、適切に選択された補正
露光情報と、荷電粒子線相互間で照射光のばらつきを補
正するためのキャリブレーション情報とに基づき、荷電
粒子線の照射光を制御して被露光体にパターンを露光で
きる。
【０１０１】また、補正サイクルの異なるデータを別個
に管理することで、必要なデータのみを書き換える等、
補正のためのデータのメインテナンスが極めて容易にな
る。
【０１０２】更に、補正の用途に合わせて、必要なデー
タのみを使ったデータ制御が可能になるために、要求さ
れる演算処理の負荷が軽減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施の形態に係る電子ビーム露
光装置の概略図である。
【図２】補正電子光学系の詳細な構成を示す図である。
【図３】ブランカアレイに形成された１つの偏向器を抜
き出して示した図である。
【図４】ブランカアレイを下方から見た図である。
【図５】第１及び第２電子光学系アレイを説明する図で
ある。
【図６】補正電子光学系の機能を説明する図である。
【図７】図１に示す電子ビーム露光装置の制御系の構成
を示す図である。
【図８】図１に示す電子ビーム露光装置による露光の原
理を説明する図である。
【図９】露光装置を含むシステムの構成を示す図であ
る。
【図１０】ＢＡ制御回路の構成を説明する図である。
【図１１】露光補正情報を確定するための評価処理の流
れを説明する図である。
【図１２】要素電子光学系のキャリブレーションの手順
を説明するフローチャートである。
【図１３】描画位置と補正露光情報、キャリブレーショ
ンデータとの関係を説明する図である。
【図１４】データ制御部と演算部の処理を説明する図で
ある。
【図１５】微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等）の製造のフローを示す図である。
【図１６】図１５に示すウエハプロセスの詳細なフロー
を示す図である。
【符号の説明】
１ 電子銃 ２ コンデンサーレンズ ３ 補正電子光学系 ４ 縮小電子光学系 ５ 基板 ６ 偏向器 ７ ダイナミックフォーカスコイル ８ ダイナミックスティグコイル ９ θ-Ｚステージ １０ センサ １１ XYステージ ３２ ブランカ １００ 電子ビーム露光装置 １１０ CL制御回路 １１１ BA制御回路 １１２ LAU制御回路 １１３ D_STIG制御回路 １１４ D_FOCUS制御回路 １１５ 偏向制御回路 １１６ 光学特性制御回路 １１７ 反射電子検出回路 １１８ ステージ駆動制御回路 １２０ 制御系 １２１ メモリ １２２ インターフェース １２３ CPU ２００ 情報処理装置 ２０２ 制御データ生成部 ２０３ 補正露光データ生成部 ２０４ キャリブレーションデータ生成部 １０１０ 基本ドーズデータメモリ １０２０ 第1補正係数メモリ １０３０ 第2補正係数メモリ １０４０ データ制御部 １０５０ 演算部 １０６０ 描画ドーズデータメモリ １０７０ ドライバー AA アパーチャアレイ BA ブランカアレイ LAU 補正電子光学系ユニット SA ストッパアレイ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H097 AA03 CA16 LA10 5C034 BB02 BB04 BB07 BB08 5F056 BA01 BB03 CB03 CB16 CC12 CC13 CD02

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の荷電粒子線により被露光体にパタ
    ーンを描画する荷電粒子線露光装置であって、 被露光体に対する荷電粒子線の照射を制御するための基
    準ドーズデータを記憶する第１の記憶手段と、 近接効果による影響を低減するために、前記被露光体に
    対する荷電粒子線の入射位置毎に該荷電粒子線の照射を
    補正するための複数の近接効果補正データを記憶する第
    ２の記憶手段と、 複数の荷電粒子線間の照射量のばらつきを補正するため
    の、キャリブレーションデータを記憶する第３の記憶手
    段と、 前記第１乃至第３の記憶手段に記憶されている、基準ド
    ーズデータ、近接効果補正データ及びキャリブレーショ
    ンデータに基づいて各荷電粒子線の照射を制御しながら
    前記被露光体にパターンを露光する露光手段と、 を備えることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
  2. 【請求項２】 前記基準ドーズデータは、露光するべき
    パターンに依存して決定されるビットマップデータ、又
    は、ビットマップデータと照射時間割合を定義するデー
    タとを含むことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子
    線露光装置。
  3. 【請求項３】 複数の荷電粒子線間の照射量のばらつき
    を測定し、前記第３の記憶手段に格納する計測手段を備
    えることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光
    装置。
  4. 【請求項４】 前記計測手段は、ファラデーカップを含
    むことを特徴とする請求項３に記載の荷電粒子線露光装
    置。
  5. 【請求項５】 前記第２の記憶手段に記憶された複数の
    近接効果補正データから、前記基準ドーズデータに対す
    る近接効果補正に適した１つのデータを選択する選択手
    段を備えることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子
    線露光装置。
  6. 【請求項６】 被露光体に基準パターンを露光するため
    の荷電粒子線の照射位置毎の基準ドーズデータを生成す
    る工程と、 照射位置毎の複数の近接効果補正データを前記被露光体
    の条件に応じて生成若しくは更新する生成工程と、 前記生成若しくは更新された照射位置毎の複数の近接効
    果補正データをメモリに記憶させる記憶工程と、 前記メモリに記憶された照射位置毎の複数の近接効果補
    正データからいずれか一つの近接効果補正データを選択
    する選択工程と、 前記選択された近接効果補正データに基づいて、前記基
    準ドーズデータに対して近接効果補正を施して、前記被
    露光体にパターンを露光する露光工程と、 前記露光されたパターンを評価して、前記選択された一
    つの近接効果補正データが基準ドーズデータを制御する
    のに最適なデータであるか否かを判定する判定工程と、 前記判定の結果に従い、前記基準ドーズデータを制御す
    る最適な近接効果補正データを決定する近接効果補正デ
    ータ決定工程と、 前記近接効果補正データにより補正された各要素電子光
    学系からの荷電粒子線の照射量をセンサにより測定する
    測定工程と、 前記測定工程により測定された照射量に基づき、前記各
    要素電子光学系のキャリブレーションデータを決定する
    決定工程とを備えることを特徴とする露光補正データの
    決定方法。
  7. 【請求項７】 前記選択された一つの近接効果補正デー
    タが基準ドーズデータを補正するのに最適なデータであ
    るか否かは、前記露光パターンと基準パターンとを目視
    検査により対比して判定されることを特徴とする請求項
    ６に記載の露光補正データの決定方法。
  8. 【請求項８】 前記選択された一つの近接効果補正デー
    タが基準ドーズデータを補正するのに最適なデータであ
    るか否かは、前記露光パターンと基準パターンとを対比
    する評価手段により判定されることを特徴とする請求項
    ６に記載の露光補正データの決定方法。
  9. 【請求項９】 前記基準ドーズデータは、露光するべき
    パターンに依存して決定されるビットマップデータ、又
    はビットマップデータ及び照射時間割合を定義するデー
    タとを含むことを特徴とする請求項６に記載の露光補正
    データの決定方法。
  10. 【請求項１０】 前記近接効果補正データは、露光する
    べきパターンに依存せず、前記被露光体の条件に依存す
    るデータであることを特徴とする請求項６に記載の近接
    効果補正データの決定方法。
  11. 【請求項１１】 前記条件は、前記被露光体の下地条
    件、レジスト材料、後方散乱半径の少なくとも一つをパ
    ラメータとして決定されることを特徴とする請求項１０
    に記載の露光補正データの決定方法。
  12. 【請求項１２】 前記センサは、ファラデーカップを含
    むことを特徴とする請求項６に記載の露光補正データの
    決定方法。
  13. 【請求項１３】 荷電粒子線により被露光体にパターン
    を露光する荷電粒子線露光方法であって、 請求項６乃至請求項１２のいずれか１項に記載の露光補
    正データの決定方法により決定された露光補正データに
    基づき、各荷電粒子線の照射量を補正して被露光体にパ
    ターンを露光する露光工程を備えることを特徴とする荷
    電粒子線露光方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１３に記載の荷電粒子線露光方
    法により荷電粒子線の照射位置毎に施す近接効果補正
    と、要素電子光学系毎に施すキャリブレーションデータ
    による補正とにより荷電粒子線の照射量を補正して被露
    光体にパターンを露光する工程を含むことを特徴とする
    デバイスの製造方法。
  15. 【請求項１５】 荷電粒子線を補正して被露光体にパタ
    ーンを露光する荷電粒子線露光装置を製造工程の一部に
    利用するデバイスの製造方法であって、該荷電粒子線露
    光装置が、 請求項６乃至請求項１２のいずれか１項に記載の露光補
    正データの決定方法により決定される近接効果補正デー
    タとキャリブレーションデータとに基づき各荷電粒子線
    の照射量を補正する工程と、 前記補正された荷電粒子線に従って被露光体にパターン
    を露光する露光工程と、 を実行することを特徴とするデバイスの製造方法。
JP35348499A 1999-12-13 1999-12-13 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。 Withdrawn JP2001168018A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35348499A JP2001168018A (ja) 1999-12-13 1999-12-13 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。
US09/708,590 US6835937B1 (en) 1999-12-13 2000-11-09 Correcting method for correcting exposure data used for a charged particle beam exposure system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35348499A JP2001168018A (ja) 1999-12-13 1999-12-13 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001168018A true JP2001168018A (ja) 2001-06-22

Family

ID=18431164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP35348499A Withdrawn JP2001168018A (ja) 1999-12-13 1999-12-13 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6835937B1 (ja)
JP (1) JP2001168018A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008004596A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Canon Inc 荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2009231333A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Nuflare Technology Inc 描画システム及び描画装置のパラメータ監視方法
JP2011228489A (ja) * 2010-04-20 2011-11-10 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2013157637A (ja) * 2013-05-08 2013-08-15 Nuflare Technology Inc 荷電粒子描画システム及び荷電粒子描画装置のパラメータ監視方法
JP2013197468A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Nuflare Technology Inc マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2013219085A (ja) * 2012-04-04 2013-10-24 Canon Inc 描画装置、描画方法、および、物品の製造方法
JP2015146342A (ja) * 2014-01-31 2015-08-13 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
JP2015228501A (ja) * 2014-05-30 2015-12-17 イーエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー 重複する露光スポットを使用する線量不均一性の補償

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005276869A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Jeol Ltd 荷電粒子ビーム描画装置。
JP4657740B2 (ja) * 2005-01-26 2011-03-23 キヤノン株式会社 荷電粒子線光学系用収差測定装置、該収差測定装置を具備する荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
JP4901196B2 (ja) * 2005-07-29 2012-03-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 画像形成方法、及び荷電粒子線装置
US7619230B2 (en) * 2005-10-26 2009-11-17 Nuflare Technology, Inc. Charged particle beam writing method and apparatus and readable storage medium
JP5116996B2 (ja) * 2006-06-20 2013-01-09 キヤノン株式会社 荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP5048283B2 (ja) * 2006-07-20 2012-10-17 キヤノン株式会社 偏向器アレイ、描画装置およびデバイス製造方法
JP5226943B2 (ja) * 2006-08-31 2013-07-03 株式会社リコー 描画方法及び描画装置、並びに情報記録媒体
NL2001369C2 (nl) 2007-03-29 2010-06-14 Ims Nanofabrication Ag Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting.
US8539392B2 (en) 2011-02-24 2013-09-17 National Taiwan University Method for compensating proximity effects of particle beam lithography processes
NL2006868C2 (en) * 2011-05-30 2012-12-03 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle multi-beamlet apparatus.
JP5859778B2 (ja) * 2011-09-01 2016-02-16 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2013069813A (ja) * 2011-09-21 2013-04-18 Canon Inc 描画装置、および、物品の製造方法
JP6215586B2 (ja) * 2012-11-02 2017-10-18 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6353229B2 (ja) * 2014-01-22 2018-07-04 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
EP2913838B1 (en) 2014-02-28 2018-09-19 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of defective beamlets in a charged-particle multi-beam exposure tool
JP2015191153A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 キヤノン株式会社 描画システム、描画方法及び物品の製造方法
US9443699B2 (en) 2014-04-25 2016-09-13 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam tool for cutting patterns
JP6892214B2 (ja) 2014-07-10 2021-06-23 アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー 畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機のカスタマイズ化
US9568907B2 (en) 2014-09-05 2017-02-14 Ims Nanofabrication Ag Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer
US9653263B2 (en) 2015-03-17 2017-05-16 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam writing of pattern areas of relaxed critical dimension
EP3096342B1 (en) 2015-03-18 2017-09-20 IMS Nanofabrication AG Bi-directional double-pass multi-beam writing
US10410831B2 (en) 2015-05-12 2019-09-10 Ims Nanofabrication Gmbh Multi-beam writing using inclined exposure stripes
US10325756B2 (en) 2016-06-13 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer
US10325757B2 (en) 2017-01-27 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced dose-level quantization of multibeam-writers
US10522329B2 (en) 2017-08-25 2019-12-31 Ims Nanofabrication Gmbh Dose-related feature reshaping in an exposure pattern to be exposed in a multi beam writing apparatus
US11569064B2 (en) 2017-09-18 2023-01-31 Ims Nanofabrication Gmbh Method for irradiating a target using restricted placement grids
US10651010B2 (en) 2018-01-09 2020-05-12 Ims Nanofabrication Gmbh Non-linear dose- and blur-dependent edge placement correction
US10840054B2 (en) 2018-01-30 2020-11-17 Ims Nanofabrication Gmbh Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering
EP3906578A1 (en) * 2018-12-31 2021-11-10 ASML Netherlands B.V. Multi-beam inspection apparatus
US11099482B2 (en) 2019-05-03 2021-08-24 Ims Nanofabrication Gmbh Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers
TWI724642B (zh) * 2019-11-20 2021-04-11 墨子光電有限公司 微製像設備及其加工方法
JP7183315B2 (ja) 2020-02-03 2022-12-05 アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー マルチビーム描画機におけるブラー変化の補正
JP7555297B2 (ja) 2020-04-24 2024-09-24 アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー 荷電粒子源
EP4095882A1 (en) 2021-05-25 2022-11-30 IMS Nanofabrication GmbH Pattern data processing for programmable direct-write apparatus
US12154756B2 (en) 2021-08-12 2024-11-26 Ims Nanofabrication Gmbh Beam pattern device having beam absorber structure

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4451738A (en) * 1980-07-28 1984-05-29 National Research Development Corporation Microcircuit fabrication
US4694178A (en) * 1985-06-28 1987-09-15 Control Data Corporation Multiple channel electron beam optical column lithography system and method of operation
US4980567A (en) 1988-03-30 1990-12-25 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure system using line beams
IL97021A0 (en) * 1991-01-24 1992-03-29 Ibm Israel Partitioning method for e-beam lithography
US5528048A (en) * 1994-03-15 1996-06-18 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure system and method
JP3472009B2 (ja) * 1995-03-20 2003-12-02 富士通株式会社 露光データ作成装置、露光データ作成方法及び荷電粒子ビーム露光装置
JP3469422B2 (ja) 1996-02-23 2003-11-25 株式会社東芝 荷電ビーム描画方法及び描画装置
EP1369897A3 (en) 1996-03-04 2005-01-19 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus and method, and device manufacturing method
US5736281A (en) * 1996-06-07 1998-04-07 Lucent Technologies Inc. Dose modification proximity effect compensation (PEC) technique for electron beam lithography
JP3796317B2 (ja) 1996-06-12 2006-07-12 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法
US5929454A (en) 1996-06-12 1999-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Position detection apparatus, electron beam exposure apparatus, and methods associated with them
JP3728015B2 (ja) 1996-06-12 2005-12-21 キヤノン株式会社 電子ビーム露光システム及びそれを用いたデバイス製造方法
US5981954A (en) 1997-01-16 1999-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus
US5847959A (en) 1997-01-28 1998-12-08 Etec Systems, Inc. Method and apparatus for run-time correction of proximity effects in pattern generation
JP3689516B2 (ja) 1997-01-29 2005-08-31 キヤノン株式会社 電子ビーム露光装置
US6107636A (en) 1997-02-07 2000-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus and its control method
US6104035A (en) 1997-06-02 2000-08-15 Canon Kabushiki Kaisha Electron-beam exposure apparatus and method
JP3787417B2 (ja) 1997-06-11 2006-06-21 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置
US6674086B2 (en) * 1998-03-20 2004-01-06 Hitachi, Ltd. Electron beam lithography system, electron beam lithography apparatus, and method of lithography
JP2002353112A (ja) * 2001-05-25 2002-12-06 Riipuru:Kk 電子ビーム近接露光装置における電子ビームの傾き測定方法及び傾き較正方法並びに電子ビーム近接露光装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008004596A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Canon Inc 荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2009231333A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Nuflare Technology Inc 描画システム及び描画装置のパラメータ監視方法
US8258491B2 (en) 2008-03-19 2012-09-04 Nuflare Technology, Inc. Pattern writing system and parameters monitoring method for pattern writing apparatus
JP2011228489A (ja) * 2010-04-20 2011-11-10 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2013197468A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Nuflare Technology Inc マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2013219085A (ja) * 2012-04-04 2013-10-24 Canon Inc 描画装置、描画方法、および、物品の製造方法
JP2013157637A (ja) * 2013-05-08 2013-08-15 Nuflare Technology Inc 荷電粒子描画システム及び荷電粒子描画装置のパラメータ監視方法
JP2015146342A (ja) * 2014-01-31 2015-08-13 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
JP2015228501A (ja) * 2014-05-30 2015-12-17 イーエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー 重複する露光スポットを使用する線量不均一性の補償

Also Published As

Publication number Publication date
US6835937B1 (en) 2004-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001168018A (ja) 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。
US6515409B2 (en) Charged-particle beam exposure apparatus, exposure system, control method therefor, and device manufacturing method
US6137113A (en) Electron beam exposure method and apparatus
US6903353B2 (en) Charged particle beam exposure apparatus, device manufacturing method, and charged particle beam applied apparatus
EP1369895B1 (en) Electron beam exposure apparatus and method, and device manufacturing method
US6472674B1 (en) Electron beam exposure system and method of manufacturing devices using the same
US6483120B1 (en) Control system for a charged particle exposure apparatus
JPH1064812A (ja) 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法
US6274877B1 (en) Electron beam exposure apparatus
US6903352B2 (en) Charged-particle beam exposure apparatus, charged-particle beam exposure method, control data determination method, and device manufacturing method using this method
US6657210B1 (en) Electron beam exposure method, a method of constructing exposure control data, and a computer-readable medium
JP3647143B2 (ja) 電子ビーム露光装置及びその露光方法
US20060017019A1 (en) Charged particle beam exposure apparatus, charged particle beam exposure method and device manufacturing method
JP3976835B2 (ja) 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置
JP2001332473A (ja) 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
JP3673608B2 (ja) 電子ビーム照明装置及び該装置を備えた電子ビーム露光装置
JPH10208996A (ja) 電子ビーム露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
JP2000243337A (ja) 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
JPH10308340A (ja) 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置
JP4006054B2 (ja) 電子ビーム露光装置
JPH10321509A (ja) 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置
JPH09330868A (ja) 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法
JPH10214778A (ja) 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070306