JP2001158961A - Sputtering equipment - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、使用に寄与されるスパッタ膜厚を均
一化することを課題とする。
【解決手段】排気手段を有した真空容器1と、この真空
容器1内に配置されたターゲット7と、前記真空容器1
内に前記ターゲット7と対向するように配置された、被
処理物を保持するための基板ホルダー5と、前記ターゲ
ット7に磁力線を発生させる、環状の内側移動磁石3
3、固定磁石34及び外側移動磁石35を備えたマグネ
ット機構32と、前記磁石のうち特定の環状磁石を上下
動させる上下動駆動機構37と、前記環状磁石を回転さ
せる磁石回転駆動モータ46とを具備することを特徴と
するスパッタリング装置。
(57) [Summary] An object of the present invention is to make a sputtered film thickness contributing to use uniform. A vacuum vessel (1) having an exhaust means, a target (7) disposed in the vacuum vessel (1), and a vacuum vessel (1)
A substrate holder 5 for holding an object to be processed and an annular inner moving magnet 3 for generating lines of magnetic force on the target 7.
3, a magnet mechanism 32 including a fixed magnet 34 and an outer moving magnet 35, a vertical drive mechanism 37 for vertically moving a specific ring magnet among the magnets, and a magnet rotation drive motor 46 for rotating the ring magnet. A sputtering apparatus, comprising:
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ディスク又は基板
等の被処理物の表面に薄膜を形成するスパッタリング装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sputtering apparatus for forming a thin film on a surface of a workpiece such as a disk or a substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】周知の如く、スパッタリング装置は、グ
ロー放電中で例えばArイオンをターゲットに当て、出
てきた粒子をディスク(又は基板)上に堆積させてディ
スク上に薄膜を形成する機能を有する。2. Description of the Related Art As is well known, a sputtering apparatus has a function of, for example, irradiating Ar ions to a target during glow discharge and depositing emitted particles on a disk (or substrate) to form a thin film on the disk. .
【0003】ところで、かかるスパッタリング装置にお
いては、ターゲットの表面近傍のプラズマ密度を高めて
スパッタ効率を高めるために、磁石を用いた方式が採用
されている。図6及び図7は従来のスパッタリング装置
を示すもので、図6は同装置の要部の説明図、図7は図
6のマグネット回転機構部分の説明図を示す。Incidentally, in such a sputtering apparatus, a method using a magnet is employed in order to increase the plasma density near the surface of the target and to increase the sputtering efficiency. 6 and 7 show a conventional sputtering apparatus. FIG. 6 is an explanatory view of a main part of the sputtering apparatus, and FIG. 7 is an explanatory view of a magnet rotating mechanism of FIG.
【0004】図中の符番1は、アンロード室2とロード
室3とスパッタリング室4に区切られた真空容器を示
す。この真空容器1内には、上下動する基板ホルダー5
に支持された基板6とターゲット(カソード)7とが互
いに平行に配置されている。前記基板6は、基板搬送機
構8によりアンロード室2よりロード室3に搬送される
ようになっている。前記真空容器1の内、前記スパッタ
リング室4にはガス導入系9が接続され、前記ロード室
3には真空排気系10が接続されている。[0004] Reference numeral 1 in the figure denotes a vacuum vessel divided into an unload chamber 2, a load chamber 3, and a sputtering chamber 4. A substrate holder 5 that moves up and down is placed in the vacuum vessel 1.
The substrate 6 and the target (cathode) 7 supported on the substrate are arranged in parallel with each other. The substrate 6 is transported from the unload chamber 2 to the load chamber 3 by the substrate transport mechanism 8. In the vacuum chamber 1, a gas introduction system 9 is connected to the sputtering chamber 4, and a vacuum exhaust system 10 is connected to the load chamber 3.
【0005】前記ターゲット7の裏面側には、マグネッ
ト回転機構11が取り付けられている。マグネット回転
機構11の詳細は、図7に示す通りである。図7中、符
番12は駆動モータであり、該駆動モータ12に減速機
能を有したギアボックス13が接続されている。前記駆
動モータ12やギアボックス13は、中央部が開口した
プレート14に環状の架台15を介して支持されてい
る。A magnet rotating mechanism 11 is mounted on the back side of the target 7. Details of the magnet rotating mechanism 11 are as shown in FIG. In FIG. 7, reference numeral 12 denotes a drive motor, and a gear box 13 having a deceleration function is connected to the drive motor 12. The drive motor 12 and the gear box 13 are supported by a plate 14 having an open central portion via an annular base 15.
【0006】前記プレート14の中央の開口部には、ベ
アリング16を介して一部に筒状部を有する回転ベース
17が取り付けられている。前記ギアボックス13から
の出力軸18は、図示しないネジにより回転ベース17
の筒状部に装着された金具19に固定されている。前記
回転ベース17にはマグネット取付板20を介してマグ
ネット21が取り付けられている。A rotation base 17 having a cylindrical portion is attached to a central opening of the plate 14 via a bearing 16. An output shaft 18 from the gearbox 13 is connected to a rotation base 17 by a screw (not shown).
Is fixed to the metal fitting 19 mounted on the cylindrical portion of the. A magnet 21 is mounted on the rotation base 17 via a magnet mounting plate 20.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のスパ
ッタリング装置においては、磁石を回転させたり、高さ
を上下させたり、ターゲットの減り方(エロ−ジョン)
を均一化することで、ディスク、基板に成膜されるスパ
ッタ膜厚を均一化しようとしていた。しかしながら、従
来のスパッタリング装置によれば、成膜の均一化には限
界があり、使用範囲に寄与すべき中央部の膜厚が他の個
所に比べて厚くなる傾向があった。By the way, in the conventional sputtering apparatus, the magnet is rotated, the height is increased or decreased, and the target is reduced (erosion).
To make the film thickness of the sputter film formed on the disk and the substrate uniform. However, according to the conventional sputtering apparatus, there is a limit to the uniformity of film formation, and the film thickness in the central portion, which should contribute to the use range, tends to be thicker than in other parts.
【0008】本発明はこうした事情を考慮してなされた
ので、ターゲットに磁力線を発生させる、少なくとも三
重の環状磁石を備えたマグネット機構を有し、前記環状
磁石のうち特定の環状磁石を上下動させる構成とするこ
とにより、使用に寄与される被処理物上のスパッタ膜を
均一にしえるスパッタリング装置を提供することを目的
とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and therefore has a magnet mechanism having at least a triple annular magnet for generating magnetic lines of force on a target, and moves a specific annular magnet among the annular magnets up and down. It is an object of the present invention to provide a sputtering apparatus which can make a sputtered film on a processing object contributed to use uniform by having a structure.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、排気手段を有
した真空容器と、この真空容器内に配置されたターゲッ
トと、前記真空容器内に前記ターゲットと対向するよう
に配置された、被処理物を保持するための基板ホルダー
と、前記ターゲットに磁力線を発生させる、少なくとも
三重の環状磁石を備えたマグネット機構と、前記環状磁
石のうち特定の環状磁石を上下動させる上下動駆動機構
と、前記環状磁石を回転させる回転機構とを具備するこ
とを特徴とするスパッタリング装置である。According to the present invention, there is provided a vacuum vessel having an exhaust means, a target placed in the vacuum vessel, and a target placed in the vacuum vessel so as to face the target. A substrate holder for holding a processed object, a magnetic mechanism having at least a triple annular magnet that generates magnetic lines of force on the target, and a vertical drive mechanism for vertically moving a specific annular magnet among the annular magnets, A rotating mechanism for rotating the annular magnet.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明において、前記マグネット機構としては、
例えば上下動する環状の内側移動磁石と、この内側移動
磁石の外側に位置するように配置された非上下動の環状
の固定磁石と、この固定磁石の外側に配置され、前記内
側移動磁石と逆に上下動する環状の外側移動磁石とを備
えているものが挙げられる。これらの磁石は、回転軸受
により一緒に回転する。なお、前記磁石は円形でも非円
形でもよく、又連続でも断続でもよい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. In the present invention, as the magnet mechanism,
For example, a vertically moving annular inner moving magnet, a non-vertically moving annular fixed magnet arranged outside the inner moving magnet, and an outer moving fixed magnet arranged outside the fixed magnet and opposite to the inner moving magnet. And an annular outer moving magnet that moves up and down. These magnets rotate together by means of rotary bearings. The magnet may be circular or non-circular, and may be continuous or intermittent.
【0011】本発明において、前記上下動駆動機構は、
エアシリンダ、油圧シリンダ等直動装置でも、モータ送
りねじ機構でもよい。例えば、後述する実施例ではエア
シリンダとリンク機構を示しているが、エアシリンダを
2個以上使用し、リンク機構を使わない方法も可能であ
る。In the present invention, the up-and-down movement drive mechanism is
A linear motion device such as an air cylinder or a hydraulic cylinder, or a motor feed screw mechanism may be used. For example, in the embodiments described later, an air cylinder and a link mechanism are shown, but a method using two or more air cylinders and not using a link mechanism is also possible.
【0012】本発明の作用は次の通りである。ここで
は、マグネット機構が三重の環状磁石からなる場合(内
側から内側移動磁石、固定磁石、外側移動磁石からなる
場合)を例に説明する。即ち、この場合は、中間の固定
磁石、例えばN極とする。また、内側移動磁石、外側移
動磁石を交互に上下できるようにして、これをS極とす
る。The operation of the present invention is as follows. Here, a case where the magnet mechanism is formed of a triple annular magnet (a case where the magnet mechanism is formed of an inner moving magnet, a fixed magnet, and an outer moving magnet from the inside) will be described as an example. That is, in this case, an intermediate fixed magnet, for example, an N pole is used. Further, the inner moving magnet and the outer moving magnet can be alternately moved up and down, and this is set as the S pole.
【0013】固定磁石のN極から内側移動磁石、外側移
動磁石のS極に磁力線が走る。ここで、内側移動磁石を
下げ、外側移動磁石を上げると、内側にできた磁力線の
強い部分がターゲットに近づき、外側にできた磁力線の
強い部分はターゲットから遠ざかる。すると、ターゲッ
トでは内側の磁力線が強まり、この時スパッタリングを
行うと、プラズマが内側に集中して内側のエロージョン
が大きくなり、ディスク(又は基板)への膜厚は内側が
厚くなる。Lines of magnetic force run from the N pole of the fixed magnet to the S pole of the inner moving magnet and the outer moving magnet. Here, when the inner moving magnet is lowered and the outer moving magnet is raised, the part with the strong magnetic field lines formed inside approaches the target, and the part with the strong magnetic lines formed outside moves away from the target. Then, in the target, the magnetic field lines on the inner side are strengthened. At this time, when sputtering is performed, the plasma is concentrated on the inner side, the erosion on the inner side increases, and the film thickness on the disk (or substrate) increases on the inner side.
【0014】逆に、内側移動磁石を上げ、外側移動磁石
を下げると、外側のスパッタ膜の膜厚が厚くなる。これ
を両方で行うと、相殺されてスパッタ膜の膜厚が均一に
なる。なお、内側を強めた時のスパッタ時間と外側を強
めた時のスパッタ時間を制御することで、より均一な膜
厚を得ることができる。また、スパッタは、内側と外側
で断続でも良いし、連続スパッタとしてもよい。Conversely, when the inner moving magnet is raised and the outer moving magnet is lowered, the outer sputtered film becomes thicker. If this is performed in both cases, the film thicknesses of the sputtered films become uniform because they are offset. A more uniform film thickness can be obtained by controlling the sputtering time when the inside is strengthened and the sputtering time when the outside is strengthened. The sputter may be intermittent on the inside and the outside, or may be continuous sputter.
【0015】[0015]
【実施例】以下、本発明の一実施例に係るスパッタリン
グ装置について図1、図2及び図3を参照して説明す
る。ここで、図1は、本実施例に係るスパッタリング装
置の概略的な全体図、図2は同装置の一構成である内側
移動磁石が下がって内側エロージョンが発生した場合の
説明図、図3は同装置の外側移動磁石が下がって外側エ
ロージョンが発生した場合の説明図を示す。但し、図7
(従来)と同部材は同符号を付して説明を省略する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A sputtering apparatus according to one embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. Here, FIG. 1 is a schematic overall view of a sputtering apparatus according to the present embodiment, FIG. 2 is an explanatory view in a case where an inner moving magnet, which is a configuration of the sputtering apparatus, is lowered and inner erosion occurs, and FIG. FIG. 3 is an explanatory diagram showing a case where an outer erosion occurs due to a lowering of an outer moving magnet of the apparatus. However, FIG.
The same members as (conventional) are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
【0016】図中の符番31は、真空容器1のスパッタ
リング室4に設けられた上蓋を示す。Reference numeral 31 in the figure denotes an upper cover provided in the sputtering chamber 4 of the vacuum vessel 1.
【0017】前記ターゲット7の上方の前記上蓋31上
には、マグネット機構32が配置されている。このマグ
ネット機構32は、ターゲット7の近くに配置された環
状の内側移動磁石33と、この内側移動磁石33の外側
に配置された環状の固定磁石34と、この固定磁石34
の外側に配置された環状の外側移動磁石35とを備えて
いる。A magnet mechanism 32 is arranged on the upper lid 31 above the target 7. The magnet mechanism 32 includes an annular inner moving magnet 33 arranged near the target 7, an annular fixed magnet 34 arranged outside the inner moving magnet 33,
And a ring-shaped outer moving magnet 35 disposed outside of the magnet.
【0018】前記内側移動磁石33は、上下直動軸36
を介して連結した上下駆動機構37により上下に移動で
きるようになっている。前記環状の固定磁石34は、固
定支柱38の下部に取り付けられて、回転はするが上下
動しないようになっている。また、外側移動磁石35
は、固定支柱38、リンク39等を介して上下直動軸4
0に連結され、固定支柱38を支点として上下動するよ
うになっている。つまり、内側移動磁石33が上に移動
すれば外側移動磁石35は下に移動し、内側移動磁石3
3が下に移動すれば外側移動磁石35は上に移動する。The inner moving magnet 33 includes a vertical linear motion shaft 36.
It can be moved up and down by an up-down drive mechanism 37 connected via. The annular fixed magnet 34 is attached to a lower portion of the fixed column 38 so as to rotate but not move up and down. Also, the outer moving magnet 35
The vertical linear motion shaft 4 is connected to a fixed support 38, a link 39 and the like.
0, and moves up and down with the fixed support 38 as a fulcrum. That is, if the inner moving magnet 33 moves upward, the outer moving magnet 35 moves downward, and the inner moving magnet 3 moves.
When 3 moves down, the outer moving magnet 35 moves up.
【0019】前記上下直動軸36、40は上蓋31の側
壁間に回転軸受41を介して配置されたプレート42を
貫通している。このプレート42の下部の上下直動軸3
6及び40には、夫々直動軸受43、44が取り付けら
れている。前記プレート42上には、外周側面部に噛部
を有するリング45が固定されている。このリング45
には、磁石回転駆動モータ46に連結した歯車47が噛
合している。ここで、前記磁石回転駆動モータ46によ
りリング45、プレート42が夫々回転し、もって前記
内側移動磁石33、固定磁石34及び外側移動磁石35
が回転するようになっている。なお、図中の付番48は
上蓋31上に配置された筒状体を示し、付番49はこの
筒状体48上に設けられ前記上下駆動機構37が搭載さ
れる上板を示す。The upper and lower linear motion shafts 36 and 40 pass through a plate 42 disposed between the side walls of the upper lid 31 via a rotary bearing 41. The vertical translation shaft 3 at the lower part of the plate 42
Linear motion bearings 43 and 44 are attached to 6 and 40, respectively. A ring 45 having a biting portion on the outer peripheral side surface is fixed on the plate 42. This ring 45
Is engaged with a gear 47 connected to a magnet rotation drive motor 46. Here, the ring 45 and the plate 42 are respectively rotated by the magnet rotation drive motor 46, whereby the inner moving magnet 33, the fixed magnet 34, and the outer moving magnet 35 are rotated.
Is designed to rotate. Reference numeral 48 in the drawing indicates a tubular body disposed on the upper lid 31, and reference numeral 49 indicates an upper plate provided on the tubular body 48 and on which the vertical drive mechanism 37 is mounted.
【0020】こうした構成のスパッタリング装置の動作
は次の通りである。なお、中間の固定磁石34を例えば
N極とし、内側移動磁石33及び外側移動磁石35を例
えばS極とした。The operation of the sputtering apparatus having such a configuration is as follows. Note that the intermediate fixed magnet 34 has, for example, an N pole, and the inner moving magnet 33 and the outer moving magnet 35 have, for example, S poles.
【0021】まず、固定磁石34のN極から内側移動磁
石33、外側移動磁石35のS極に磁力線が走る。ここ
で、図2(A)に示すように内側移動磁石33を下げ、
外側移動磁石35を上げると、内側にできた磁力線50
aの強い部分がターゲット7に近づき、外側にできた磁
力線50bの強い部分はターゲット7から遠ざかる。す
ると、ターゲット7では内側の磁力線50aが強まり、
この時スパッタリングを行うと、プラズマが内側に集中
して内側のエロージョンが大きくなり、ディスク(又は
基板)6へのスパッタ膜51の膜厚は内側が厚くなる
(図2(B)参照)。First, lines of magnetic force run from the N pole of the fixed magnet 34 to the S pole of the inner moving magnet 33 and the outer moving magnet 35. Here, the inner moving magnet 33 is lowered as shown in FIG.
When the outer moving magnet 35 is raised, the magnetic field lines 50 formed on the inner side
The part with strong a approaches the target 7, and the part with strong magnetic lines of force 50 b formed outside moves away from the target 7. Then, in the target 7, the inner magnetic field lines 50a are strengthened,
If sputtering is performed at this time, the plasma concentrates on the inside and the erosion on the inside increases, and the thickness of the sputtered film 51 on the disk (or substrate) 6 increases on the inside (see FIG. 2B).
【0022】逆に、図3(A)に示すように内側移動磁
石33を上げ、外側移動磁石35を下げると、外側のス
パッタ膜51の膜厚が厚くなる。これを両方で行うと、
相殺されてスパッタ膜51の膜厚が図4に示すようにデ
ィスク6の中心部を除いて均一になる。Conversely, as shown in FIG. 3A, when the inner moving magnet 33 is raised and the outer moving magnet 35 is lowered, the outer sputtered film 51 becomes thicker. If you do this in both,
As a result, the thickness of the sputtered film 51 becomes uniform except for the central portion of the disk 6, as shown in FIG.
【0023】上記実施例によれば、連動して上下動する
内側移動磁石33、外側移動磁石35及び固定磁石34
を備えたマグネット機構32を有するとともに、前記内
側移動磁石33及び外側移動磁石35を上下動させる上
下駆動機構37を有し、かつ各磁石33、34及び35
を回転させる磁石回転駆動モータ46を備えた構成とす
ることにより、ディスク(又は基板)6の外側、内側に
磁力線50によるエロージョンの大小を制御し、ディス
ク6上に形成されるスパッタ膜51を図4に示すように
使用範囲以外の中心部を除いて均一に形成することがで
きる。According to the above embodiment, the inner movable magnet 33, the outer movable magnet 35, and the fixed magnet 34 which move up and down in conjunction with each other.
And a vertical drive mechanism 37 for vertically moving the inner moving magnet 33 and the outer moving magnet 35, and each of the magnets 33, 34 and 35
Is provided with a magnet rotation drive motor 46 for rotating the disk, thereby controlling the magnitude of erosion due to the lines of magnetic force 50 on the outside and inside of the disk (or substrate) 6, thereby forming a sputter film 51 formed on the disk 6. As shown in FIG. 4, it can be formed uniformly except for the central portion other than the range of use.
【0024】なお、上記実施例においては、ディスク
(又は基板)の内側を強めた時のスパッタ時間と外側を
強めた時のスパッタ時間を制御していないが、これらの
時間を制御することで、より均一な膜厚を得ることがで
きる。In the above embodiment, the spatter time when the inner side of the disk (or the substrate) is strengthened and the sputter time when the outer side is strengthened are not controlled, but by controlling these times, A more uniform film thickness can be obtained.
【0025】また、上記実施例では、マグネット機構が
内側移動磁石と固定磁石と外側移動磁石の三重の環状磁
石から構成されている場合について述べたが、これに限
らず、例えば、図5に示すように、環状の第1、第2の
内側移動磁石52、53及びこれらの内側移動磁石5
2、53より外側に配置された環状の第1、第2の内側
移動磁石52、53から構成されている場合でもよい。
但し、いずれの磁石52〜55も上下に移動可能であ
る。具体的には、第1、第2の内側移動磁石52、53
が上下動すると、第1、第2の外側移動磁石54、55
は前記磁石52、53とは逆に上下動する。Further, in the above embodiment, the case where the magnet mechanism is constituted by the triple annular magnet of the inner moving magnet, the fixed magnet and the outer moving magnet has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, FIG. As described above, the annular first and second inner moving magnets 52 and 53 and the inner moving magnets 5
The first and second inner moving magnets 52 and 53 may be arranged outside of the first and second inner magnets 53 and 53.
However, any of the magnets 52 to 55 can be moved up and down. Specifically, the first and second inner moving magnets 52, 53
Move up and down, the first and second outer moving magnets 54 and 55
Moves up and down opposite to the magnets 52 and 53.
【0026】[0026]
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、タ
ーゲットに磁力線を発生させる、少なくとも三重の環状
磁石を備えたマグネット機構を有し、前記環状磁石のう
ち特定の環状磁石を上下動させる構成とすることによ
り、使用に寄与される基板又はディスク上のスパッタ膜
を均一にしえるスパッタリング装置を提供できる。As described above in detail, according to the present invention, there is provided a magnet mechanism having at least a triple annular magnet for generating magnetic lines of force on a target, and a specific annular magnet among the annular magnets is moved up and down. With this configuration, it is possible to provide a sputtering apparatus capable of uniforming a sputtered film on a substrate or a disk that contributes to use.
【図1】本発明一実施例に係るスパッタリング装置の概
略全体図。FIG. 1 is a schematic overall view of a sputtering apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図2】図1の装置において、該装置の一構成である内
側移動磁石が下に移動した場合の説明図。FIG. 2 is an explanatory view of a case where an inner moving magnet, which is one configuration of the apparatus, moves downward in the apparatus of FIG. 1;
【図3】図1の装置において、該装置の一構成である外
側移動磁石が下に移動した場合の説明図。FIG. 3 is an explanatory view of a case where an outer moving magnet which is one configuration of the apparatus in FIG. 1 is moved downward;
【図4】図2(B)と図3(B)の両方の状態を合わし
た場合のスパッタ膜の膜厚分布の状態を示す説明図。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a state of a film thickness distribution of a sputtered film when both the states shown in FIGS. 2B and 3B are combined.
【図5】本発明の他の実施例に係るスパッタリングの環
状磁石の説明図。FIG. 5 is an explanatory view of an annular magnet for sputtering according to another embodiment of the present invention.
【図6】従来のスパッタリング装置の概略図。FIG. 6 is a schematic diagram of a conventional sputtering apparatus.
【図7】図6の装置のマグネット回転機構部分の説明
図。FIG. 7 is an explanatory view of a magnet rotating mechanism part of the apparatus of FIG. 6;
1…真空容器、 2…アンロード室、 3…ロード室、 4…スパッタリング室、 5…基板ホルダー、 6…ディスク(又は基板)、 7…ターゲット、 8…基板搬送機構、 9…ガス導入系、 10…真空排気系、 31…上蓋、 32…マグネット機構、 33、52、53…内側移動磁石、 34…固定磁石、 35、54、55、…外側移動磁石、 36、40…上下直動軸、 37…上下駆動機構、 38…固定支柱、 46…磁石回転駆動モータ、 50、50a、50b…磁力線 51…スパッタ膜。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vacuum container, 2 ... Unloading chamber, 3 ... Loading chamber, 4 ... Sputtering chamber, 5 ... Substrate holder, 6 ... Disk (or substrate), 7 ... Target, 8 ... Substrate transfer mechanism, 9 ... Gas introduction system, DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Vacuum exhaust system, 31 ... Top lid, 32 ... Magnet mechanism, 33, 52, 53 ... Inside moving magnet, 34 ... Fixed magnet, 35, 54, 55 ... Outside moving magnet, 36, 40 ... Vertical linear motion shaft, 37: vertical drive mechanism, 38: fixed support, 46: magnet rotation drive motor, 50, 50a, 50b: magnetic lines 51: sputtered film.
Claims (2)
容器内に配置されたターゲットと、前記真空容器内に前
記ターゲットと対向するように配置された、被処理物を
保持するための基板ホルダーと、前記ターゲットに磁力
線を発生させる、少なくとも三重の環状磁石を備えたマ
グネット機構と、前記環状磁石のうち特定の環状磁石を
上下動させる上下動駆動機構と、前記環状磁石を回転さ
せる回転機構とを具備することを特徴とするスパッタリ
ング装置。1. A vacuum vessel having an exhaust means, a target placed in the vacuum vessel, and a substrate for holding an object to be processed, placed in the vacuum vessel so as to face the target. A holder, a magnet mechanism having at least a triple annular magnet for generating lines of magnetic force on the target, a vertical drive mechanism for vertically moving a specific annular magnet among the annular magnets, and a rotating mechanism for rotating the annular magnet A sputtering apparatus comprising:
の内側移動磁石と、この内側移動磁石の外側に位置する
ように配置された非上下動の環状の固定磁石と、この固
定磁石の外側に配置され、前記内側移動磁石と逆に上下
動する環状の外側移動磁石とを備えていることを特徴と
する請求項1記載のスパッタリング装置。2. The apparatus according to claim 1, wherein the magnet mechanism includes a vertically moving annular inner moving magnet, a non-vertically moving annular fixed magnet disposed outside the inner moving magnet, and an outer side of the fixed magnet. The sputtering apparatus according to claim 1, further comprising an annular outer moving magnet that is arranged and moves up and down in reverse to the inner moving magnet.
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