JP2001039034A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 波長４００ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーで良
好な記録および再生が可能な追記型光記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 基板上に少なくとも記録層と反射層を有
する光記録媒体において、記録層中に下記一般式（１）
で示される化合物を含有する光記録媒体。 【化１】 〔式中、Ｘ、Ｚ、Ｌ¹〜Ｌ⁴は明細書記載の意味を示
す。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関す
るものであり、特に青色レーザー光により記録・再生可
能である化合物含有の追記型光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板上に反射層を有する光記録媒体とし
てコンパクトディスク（以下、ＣＤと略す）規格に対応
した追記可能なＣＤ−Ｒ（ＣＤ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌ
ｅ）が広く普及している。ＣＤ−Ｒの記録容量は０．６
５ＧＢ程度であるが、情報量の飛躍的増加に伴い、情報
記録媒体に対する高密度化および大容量化への要求は高
まっている。

【０００３】記録および再生用レーザーの短波長化によ
りビームスポットを小さくすることができ、高密度な光
記録が可能になる。最近では、光ディスクシステムに利
用される短波長半導体レーザーの開発が進み、波長６８
０ｎｍ、６５０ｎｍおよび６３５ｎｍの赤色半導体レー
ザーが実用化されている〔例えば、日経エレクトロニク
ス、Ｎｏ．５９２、ｐ．６５、１９９３年１０月１１日
号〕。これらの半導体レーザーを用い、２時間以上の動
画をデジタル記録したＤＶＤが実用化されている。ＤＶ
Ｄは再生専用媒体であるため、この容量に対応する追記
型光記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）の開発も進んでいる。

【０００４】さらに、超高密度の記録が可能となる波長
４００ｎｍ〜５００ｎｍの青色半導体レーザーの開発も
急速に進んでおり〔例えば、日経エレクトロニクス、Ｎ
ｏ．７０８、ｐ．１１７、１９９８年１月２６日号〕、
それに対応した追記型光記録媒体の開発も行われてい
る。

【０００５】追記型光記録媒体の記録層にレーザー光を
照射し、記録層に物理変化や化学変化を生じさせること
でピットを形成させるとき、化合物の光学定数、分解挙
動が良好なピットを形成させるための重要な要素とな
る。分解しづらいものは感度が低下し、分解が激しいか
または変化しやすいものはピット間および半径方向への
影響が大きくなり、信頼性のあるピット形成が困難にな
る。従来のＣＤ−Ｒ媒体は、超高密度記録で用いられる
青色半導体レーザー波長では、記録層の屈折率も低く、
消衰係数も適度な値ではないため、反射率の低下、エラ
ーレートの増大、ジッターの増大により、良好な記録・
再生ができない。従って、記録層に用いる化合物には青
色半導体レーザーに対する光学的性質、分解挙動の適切
な化合物を選択する必要がある。しかし、実際に提案さ
れている有機色素化合物の例は、特開平４−７４６９０
号公報記載のシアニン色素化合物や、特開平７−３０４
２５６号公報あるいは特開平７−３０４２５７号公報に
記載のポルフィリン色素化合物など、ごく限られた例し
かない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シアニ
ン色素は一般に耐光性が低いために、媒体を長期保存し
た時に、時として再生が不可能となる場合がある。ま
た、上記公報記載のポルフィリン化合物は、特開平７−
３０４２５６号公報あるいは特開平７−３０４２５７号
公報の実施例に記載されるように、単独で光記録媒体の
記録層に使用した場合にはレーザー光による書き込みが
不可能であることなど、記録層に用いる化合物としては
充分に満足いく性能を有するとは言い得ない。さらに、
該公報等における光記録媒体では、有機色素に配位する
置換基を有する単分子あるいは高分子化合物を混合して
使用することが必須であり、また、特開平７−３０４２
５７号公報の実施例欄に記載のサンプルディスクのよう
に記録層が白濁する場合があるため、組成比を設定する
必要があるなど、媒体の製造が煩雑であり、生産性の向
上に未だ余地が残されていた。そのため、超高密度の記
録と長期保存安定性に優れた媒体を作成するのに適した
光記録媒体用色素の開発が急務となっている。

【０００７】本発明の目的は、波長４００ｎｍ〜５００
ｎｍの範囲から選択されるレーザー光で良好な記録およ
び再生が可能な超高密度記録に適した化合物を記録層に
有する光記録媒体を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。すなわち、本発明は、基板上に少なくとも
記録層および反射層を有する光記録媒体において、記録
層中に下記一般式（１）で表される化合物を含有するこ
とを特徴とする光記録媒体、および、波長４００〜５
００ｎｍの範囲から選択されるレーザー光に対して記録
および再生が可能である前記の光記録媒体、に関する
ものである。

【０００９】

【化５】

【００１０】｛式中、置換基Ｘはそれぞれ独立に、無置
換の、またはハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ
基、置換または無置換のアルキル基、アラルキル基、ア
リール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラルキルオ
キシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アル
キルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、アル
ケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、ア
シル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカ
ルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニル
オキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ
置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、アルキルス
ルホニル基、アリールスルホニル基または複素環基で置
換したアリール基、ヘテロアリール基を表し、Ｌ¹、
Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴は、それぞれ独立に、または、互いに連
結して環を形成しても良く、水素原子、ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、シアノ基、置換または無置換のアルキ
ル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アル
コキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ア
ルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ
基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換アミ
ノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニ
ル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシ
カルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モノ置
換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル基、ア
シルオキシ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホ
ニル基または複素環基を表し、Ｚはそれぞれ独立に酸素
原子、硫黄原子または式（２）

【００１１】

【化６】

【００１２】〔式中、置換基Ｙはそれぞれ独立に、水素
原子、置換または無置換のアルキル基、アラルキル基、
アリール基、アルケニル基を表す。〕で示される置換ま
たは無置換のイミノ基を表す。

【００１３】ただし、一般式（１）が一般式（３）

【００１４】

【化７】

【００１５】〔式中、Ｚ、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴は式
（１）のＺ、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴と同一の意味を表す。
Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴はそれぞれ独立に、水素原子、ハロ
ゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、置換または無置
換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニ
ル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオ
キシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラル
キルチオ基、アリールチオ基、モノアルキルアミノ基、
ジアルキルアミノ基、モノアラルキルアミノ基、ジアラ
ルキルアミノ基、モノアリールアミノ基、ジアリールア
ミノ基、モノアルケニルアミノ基、ジアルケニルアミノ
基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオ
キシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アル
ケニルオキシカルボニル基、モノアルキルアミノカルボ
ニル基、ジアルキルアミノカルボニル基または複素環基
を表し、Ｒは下記の意味

【００１６】

【化８】

【００１７】（式中、置換基Ｒ¹、Ｒ²はそれぞれ独立
に、または、Ｒ¹とＲ²は互いに連結して環を形成しても
良く、水素原子、置換または無置換のアルキル基、アラ
ルキル基、アリール基またはアルケニル基であるが、Ｒ
¹とＲ²が同時に水素原子となることはない。Ｑ⁵、Ｑ⁶、
Ｑ⁷、Ｑ⁸はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、
ヒドロキシル基、シアノ基、置換または無置換のアルキ
ル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アル
コキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ア
ルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ
基、アリールチオ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキ
ルアミノ基、モノアラルキルアミノ基、ジアラルキルア
ミノ基、モノアリールアミノ基、ジアリールアミノ基、
モノアルケニルアミノ基、ジアルケニルアミノ基、アシ
ル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカル
ボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオ
キシカルボニル基、モノアルキルアミノカルボニル基、
ジアルキルアミノカルボニル基または複素環基を表し、
置換基Ａは炭素数２０以下の置換または無置換のアリー
ル基またはヘテロアリール基を表す。）を示す〕のとき
は、Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴の少なくとも１つはヒドロキシ
ル基である。｝

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明は、光記録媒体の記録層中
に前記一般式（１）で表される化合物を含有することを
特徴とする光記録媒体に関し、特に、波長４００ｎｍか
ら５００ｎｍの範囲から選択されるレーザー光に対して
記録および再生が可能である新規な光記録媒体に関する
ものである。

【００１９】本発明の光記録媒体は、基板上に少なくと
も記録層および反射層を有する光記録媒体であり、例え
ば、図１に示すように、基板１、記録層２、反射層３お
よび保護層４が順次積層している４層構造であっても、
図２に示すように、保護層４の代わりに接着層５で貼り
合わせたＤＶＤのような構造であっても良い。

【００２０】本発明の光記録媒体において、基板の材質
としては、基本的には記録光および再生光の波長で透明
であればよい。例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビ
ニル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、
ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラ
ス等の無機材料が利用される。これらの基板材料は射出
成形法等により円盤状に基板に成形される。必要に応じ
て、基板表面に案内溝やピットを形成することもある。
このような案内溝やピットは、基板の成形時に付与する
ことが望ましいが、基板の上に紫外線硬化樹脂層を用い
て付与することもできる。

【００２１】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、一般式（１）で示される化合
物を含有するものである。

【００２２】本発明の記録層に含有される一般式（１）
で示される化合物について、以下に具体例を詳細に述べ
る。

【００２３】式（１）中、置換基Ｘは置換または無置換
のアリール基、ヘテロアリール基である。これらの基と
しては、ポリカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリ
オレフィン基板などへの塗布による加工性の良好な基を
選択して用いることができる。

【００２４】ここで、アリール基としては、好ましく
は、フェニル基、ナフチル基である。

【００２５】ヘテロアリール基の例としては、好ましく
は、フラニル基、ピロリル基、３−ピロリノ基、ピラゾ
リル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル
基、１，２，３−オキサジアゾリル基、１，２，３−ト
リアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，３，
４−チアジアゾリル基、ピリジニル基、ピリダジニル
基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、
トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、
チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチア
ゾリル基、ベンゾトリアゾ−ル−２−イル基、ベンゾト
リアゾール−１−イル基、プリニル基、キノリニル基、
イソキノリニル基、クマリニル基、シンノリニル基、キ
ノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、フェナントロニリル基、フェノチアジニル基、フラ
ボニル基、フタルイミド基、ナフチルイミド基などが挙
げられる。

【００２６】式（１）中、置換基Ｘで示されるアリール
基、ヘテロアリール基の置換基としては、ハロゲン原
子、ヒドロキシル基、シアノ基、置換または無置換のア
ルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、
アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ
基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキル
チオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、モノ置換
アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコキシカル
ボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオ
キシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル基、モ
ノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカルボニル
基、アシルオキシ基、アルキルスルホニル基、アリール
スルホニル基または複素環基等が挙げられる。

【００２７】式（１）中、置換基Ｘで示されるアリール
基、ヘテロアリール基に置換するハロゲン原子として
は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子など
のハロゲン原子が挙げられる。

【００２８】式（１）中、置換基Ｘで示されるアリール
基、ヘテロアリール基に置換する、置換または無置換の
アルキル基としては、直鎖または分岐または環状の無置
換アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ
基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アルコ
キシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラ
ルキルオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニ
ル基、アルコキシカルボニルオキシ基、ジアルキルアミ
ノ基、アシルアミノ基、アルキルスルホンアミノ基、ア
ルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、複素環基
等の置換基群より選択した置換基で置換したアルキル基
などが挙げられる。

【００２９】置換または無置換の直鎖または分岐または
環状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓ
ｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−
ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、２−メチルブチル
基、１−メチルブチル基、ネオペンチル基、１,２−ジ
メチルプロピル基、１,１−ジメチルプロピル基、シク
ロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル
基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１
−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，
３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、
２，２−ジメチルブチル基、１,２−ジメチルブチル
基、１,１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、
２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１,２，２
−トリメチルブチル基、１,１,２−トリメチルブチル
基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシ
ル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メ
チルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘ
キシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル
基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル
基、２，５,５−トリメチルペンチル基、２，４−ジメ
チルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、
３，５,５−トリメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ
−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，
５−メチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシ
ル基、１,３，５，７−テトラエチルオクチル基、４−
ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−
トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ
−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメ
チルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４
−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチル
ヘキシル基、１−シクロペンチル−２，２−ジメチルプ
ロピル基、１−シクロヘキシル−２，２−ジメチルプロ
ピル基などの炭素数１〜１５の無置換アルキル基；

【００３０】クロロメチル基、クロロエチル基、ブロモ
エチル基、ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオ
ロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエ
チル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，
２−トリクロロエチル基、１，１，１，３，３，３−ヘ
キサフルオロ−２−プロピル基、ノナフルオロブチル
基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換した
炭素数１〜１０のアルキル基；シアノメチル基、２−シ
アノエチル基、３−シアノプロピル基、２−シアノ−３
−メトキシプロピル基、２−シアノ−３−クロロプロピ
ル基、２−シアノ−３−エトキシプロピル基、３−ブト
キシ−２−シアノプロピル基、２−シアノ−３−シクロ
ヘキシルプロピル基、２−シアノプロピル基、２−シア
ノブチル基などのシアノ基で置換した炭素数２〜１０の
アルキル基；ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチ
ル基、３−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３
−メトキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−クロロプ
ロピル基、２−ヒドロキシ−３−エトキシプロピル基、
３−ブトキシ−２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロ
キシ−３−シクロヘキシルオキシプロピル基、２−ヒド
ロキシプロピル基、２−ヒドロキシブチル基、４−ヒド
ロキシデカリル基などのヒドロキシ基で置換した炭素数
１〜１０のアルキル基；ヒドロキシメトキシメチル基、
ヒドロキシエトキシエチル基、２−（２’−ヒドロキシ
−１’−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、２−
（３’−フルオロ−２’−ヒドロキシプロポキシ）エチ
ル基、２−（３’−クロロ−２’−ヒドロキシプロポキ
シ）エチル基、ヒドロキシブトキシシクロヘキシル基な
どのヒドロキシアルコキシ基で置換した炭素数２〜１０
のアルキル基；ヒドロキシメトキシメトキシメチル基、
ヒドロキシエトキシエトキシエチル基、［２−（２’−
ヒドロキ−１’−メチルエトキシ）−１−メチルエトキ
シ］エトキシエチル基、［２−（２’−フルオロ−１’
−ヒドロキシエトキシ）−１−メチルエトキシ］エトキ
シエチル基、［２−（２’−クロロ−１’−ヒドロキシ
エトキシ）−１−メチルエトキシ］エトキシエチル基な
どのヒドロキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素
数３〜１０のアルキル基；

【００３１】メトキシメチル基、エトキシメチル基、プ
ロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル
基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシ
エチル基、ｎ−ヘキシルオキシエチル基、４−メチルペ
ントキシエチル基、１，３−ジメチルブトキシエチル
基、２−エチルヘキシルオキシエチル基、ｎ−オクチル
オキシエチル基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキ
シエチル基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロポ
キシエチル基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチ
ルオキシエチル基、２−エトキシ−１−メチルエチル
基、３−メトキシブチル基、３，３，３−トリフルオロ
プロポキシエチル基、３，３，３−トリクロロプロポキ
シエチル基などのアルコキシ基で置換した炭素数２〜１
５のアルキル基；メトキシメトキシメチル基、メトキシ
エトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロポ
キシエトキシエチル基、ブトキシエトキシエチル基、シ
クロヘキシルオキシエトキシエチル基、デカリルオキシ
プロポキシエトキシ基、１，２−ジメチルプロポキシエ
トキシエチル基、３−メチル−１−ｉｓｏ−ブチルブト
キシエトキシエチル基、２−メトキシ−１−メチルエト
キシエチル基、２−ブトキシ−１−メチルエトキシエチ
ル基、２−（２’−エトキシ−１’−メチルエトキシ）
−１−メチルエチル基、３，３，３−トリフルオロプロ
ポキシエトキシエチル基、３，３，３−トリクロロプロ
ポキシエトキシエチル基などのアルコキシアルコキシ基
で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；メトキシメト
キシメトキシメチル基、メトキシエトキシエトキシエチ
ル基、エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエ
トキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシ、プロ
ポキシプロポキシプロポキシ基、２，２，２−トリフル
オロエトキシエトキシエトキシエチル基、２，２，２−
トリクロロエトキシエトキシエトキシエチル基などのア
ルコキシアルコキシアルコキシ基で置換した炭素数４〜
１５のアルキル基；

【００３２】ホルミルメチル基、２−オキソブチル基、
３−オキソブチル基、４−オキソブチル基、１，３−ジ
オキソ−２−シクロヘキシル基、２−オキソ−５−ｔ−
ブチル−１−シクロヘキシル基等のアシル基で置換した
炭素数２〜１０のアルキル基；ホルミルオキシメチル
基、アセトキシエチル基、プロピオニルオキシエチル
基、ブタノイルオキシエチル基、バレリルオキシエチル
基、２−エチルヘキサノイルオキシエチル基、３，５，
５−トリメチルヘキサノイルオキシエチル基、３，５，
５−トリメチルヘキサノイルオキシヘキシル基、３−フ
ルオロブチリルオキシエチル基、３−クロロブチリルオ
キシエチル基などのアシルオキシ基で置換した炭素数２
〜１５のアルキル基；ホルミルオキシメトキシメチル
基、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオキシ
エトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル基、
２−エチルヘキサノイルオキシエトキシエチル基、３，
５，５−トリメチルヘキサノイルオキシブトキシエチル
基、３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシエトキ
シエチル基、２−フルオロプロピオニルオキシエトキシ
エチル基、２−クロロプロピオニルオキシエトキシエチ
ル基などのアシルオキシアルコキシ基で置換した炭素数
３〜１５のアルキル基；アセトキシメトキシメトキシメ
チル基、アセトキシエトキシエトキシエチル基、プロピ
オニルオキシエトキシエトキシエチル基、バレリルオキ
シエトキシエトキシエチル基、２−エチルヘキサノイル
オキシエトキシエトキシエチル基、３，５，５−トリメ
チルヘキサノイルオキシオキシエトキシエトキシエチル
基、２−フルオロプロピオニルオキシエトキシエトキシ
エチル基、２−クロロプロピオニルオキシエトキシエト
キシエチル基などのアシルオキシアルコキシアルコキシ
基で置換した炭素数５〜１５のアルキル基；メトキシカ
ルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ブト
キシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル
基、エトキシカルボニルエチル基、ブトキシカルボニル
エチル基、４−エチルシクロヘキシルオキシカルボニル
シクロヘキシル基、２，２，３，３−テトラフルオロプ
ロポキシカルボニルメチル基、２，２，３，３−テトラ
クロロプロポキシカルボニルメチル基などのアルコキシ
カルボニル基で置換した炭素数３〜１５のアルキル基；

【００３３】フェノキシカルボニルメチル基、フェノキ
シカルボニルエチル基、４−ｔ−ブチルフェノキシカル
ボニルエチル基、ナフチルオキシカルボニルメチル基、
ビフェニルオキシカルボニルエチル基などのアリールオ
キシカルボニル基で置換した炭素数８〜１５のアルキル
基；ベンジルオキシカルボニルメチル基、ベンジルオキ
シカルボニルエチル基、フェネチルオキシカルボニルメ
チル基、４−シクロヘキシルオキシベンジルオキシカル
ボニルメチル基などの炭素数９〜１５のアラルキルオキ
シカルボニル基；ビニルオキシカルボニルメチル基、ビ
ニルオキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニ
ルメチル基、オクテノキシカルボニルメチル基などのア
ルケニルオキシカルボニル基で置換した炭素数４〜１０
のアルキル基；メトキシカルボニルオキシメチル基、メ
トキシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニル
オキシエチル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、
２，２，２−トリフルオロエトキシカルボニルオキシエ
チル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニルオ
キシエチル基などの炭素数３〜１５のアルコキシカルボ
ニルオキシ基で置換したアルキル基；メトキシメトキシ
カルボニルオキシメチル基、メトキシエトキシカルボニ
ルオキシエチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシ
エチル基、ブトキシエトキシカルボニルオキシエチル
基、２，２，２−トリフルオロエトキシエトキシカルボ
ニルオキシエチル基、２，２，２−トリクロロエトキシ
エトキシカルボニルオキシエチル基などのアルコキシア
ルコキシカルボニルオキシ基で置換した炭素数４〜１５
のアルキル基；

【００３４】ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノ
メチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ヘ
キシルアミノメチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノメチル
基、ジ−ｎ−デシルアミノメチル基、Ｎ−イソアミル−
Ｎ−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ
（メトキシメチル）アミノメチル基、ジ（メトキシエチ
ル）アミノメチル基、ジ（エトキシメチル）アミノメチ
ル基、ジ（エトキシエチル）アミノメチル基、ジ（プロ
ポキシエチル）アミノメチル基、ジ（ブトキシエチル）
アミノメチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチ
ル）アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチ
ルアミノエチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、ジ
−ｎ−ヘキシルアミノエチル基、ジ−ｎ−オクチルアミ
ノエチル基、ジ−ｎ−デシルアミノエチル基、Ｎ−イソ
アミル−Ｎ−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル
基、ジ（メトキシメチル）アミノエチル基、ジ（メトキ
シエチル）アミノエチル基、ジ（エトキシメチル）アミ
ノエチル基、ジ（エトキシエチル）アミノエチル基、ジ
（プロポキシエチル）アミノエチル基、ジ（ブトキシエ
チル）アミノエチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキ
シエチル）アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル
基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ブチルアミノ
プロピル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−
ｎ−オクチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−デシルアミノ
プロピル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノプロピ
ル基、ピペリジノプロピル基、ジ（メトキシメチル）ア
ミノプロピル基、ジ（メトキシエチル）アミノプロピル
基、ジ（エトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（エト
キシエチル）アミノプロピル基、ジ（プロポキシエチ
ル）アミノプロピル基、ジ（ブトキシエチル）アミノプ
ロピル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）ア
ミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルア
ミノブチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基、ジ−ｎ
−ヘキシルアミノブチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノブ
チル基、ジ−ｎ−デシルアミノブチル基、Ｎ−イソアミ
ル−Ｎ−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、
ジ（メトキシメチル）アミノブチル基、ジ（メトキシエ
チル）アミノブチル基、ジ（エトキシメチル）アミノブ
チル基、ジ（エトキシエチル）アミノブチル基、ジ（プ
ロポキシエチル）アミノブチル基、ジ（ブトキシエチ
ル）アミノブチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシ
エチル）アミノブチル基等のジアルキルアミノ基が置換
した炭素数３〜２０のアルキル基；

【００３５】アセチルアミノメチル基、アセチルアミノ
エチル基、プロピオニルアミノエチル基、ブタノイルア
ミノエチル基、シクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、ｐ−メチルシクロヘキサンカルボニルアミノエチル
基、スクシンイミノエチル基などのアシルアミノ基で置
換した炭素数３〜１０のアルキル基；メチルスルホンア
ミノメチル基、メチルスルホンアミノエチル基、エチル
スルホンアミノエチル基、プロピルスルホンアミノエチ
ル基、オクチルスルホンアミノエチル基などのアルキル
スルホンアミノ基で置換した炭素数２〜１０のアルキル
基；メチルスルホニルメチル基、エチルスルホニルメチ
ル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスルホニルエ
チル基、エチルスルホニルエチル基、ブチルスルホニル
エチル基、２−エチルヘキシルスルホニルエチル基、
２，２，３，３−テトラフルオロプロピルスルホニルメ
チル基、２，２，３，３−テトラクロロプロピルスルホ
ニルメチル基などのアルキルスルホニル基で置換した炭
素数２〜１０のアルキル基；ベンゼンスルホニルメチル
基、ベンゼンスルホニルエチル基、ベンゼンスルホニル
プロピル基、ベンゼンスルホニルブチル基、トルエンス
ルホニルメチル基、トルエンスルホニルエチル基、トル
エンスルホニルプロピル基、トルエンスルホニルブチル
基、キシレンスルホニルメチル基、キシレンスルホニル
エチル基、キシレンスルホニルプロピル基、キシレンス
ルホニルブチル基などのアリールスルホニル基で置換し
た炭素数７〜１２のアルキル基；チアジアゾリノメチル
基、ピロリノメチル基、ピロリジノメチル基、ピラゾリ
ジノメチル基、イミダゾリジノメチル基、オキサゾリル
メチル基、トリアゾリノメチル基、モルホリノメチル
基、インドーリノメチル基、ベンズイミダゾリノメチル
基、カルバゾリノメチル基などの複素環基で置換した炭
素数２〜１３のアルキル基等が挙げられる。

【００３６】置換または無置換のアラルキル基の例とし
ては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アラルキル基であり、好ましくは、ベンジル基、ニトロ
ベンジル基、シアノベンジル基、ヒドロキシベンジル
基、メチルベンジル基、トリフルオロメチルベンジル
基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル基、シア
ノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチルメチル基、メ
チルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナフチルメ
チル基、フルオレン−９−イルエチル基などの炭素数７
〜１５のアラルキル基等が挙げられる。

【００３７】置換または無置換のアリール基の例として
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
リール基であり、好ましくは、フェニル基、ニトロフェ
ニル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メ
チルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ナフ
チル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロ
キシナフチル基、メチルナフチル基、トリフルオロメチ
ルナフチル基、メトキシカルボニルフェニル基、４−
（５’−メチルベンゾキサゾール−２’−イル）フェニ
ル基、ジブチルアミノカルボニルフェニル基などの炭素
数６〜１５のアリール基等が挙げられる。

【００３８】置換または無置換のアルケニル基の例とし
ては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルケニル基であり、好ましくは、ビニル基、プロペニ
ル基、１−ブテニル基、ｉｓｏ−ブテニル基、１−ペン
テニル基、２−ペンテニル基、２−メチル−１−ブテニ
ル基、３−メチル−１−ブテニル基、２−メチル−２−
ブテニル基、２，２−ジシアノビニル基、２−シアノ−
２−メチルカルボキシルビニル基、２−シアノ−２−メ
チルスルホンビニル基、スチリル基、４−フェニル−２
−ブテニル基などの炭素数２〜１０のアルケニル基が挙
げられる。又、置換基Ｘがフェニル基である場合、アル
ケニル基として２−（アリール）エテン−１−イル基、
２−（ヘテロアリール）エテン−１−イル基がフェニル
基の４位に置換した化合物であることも好ましく、その
場合のアリール基、ヘテロアリール基は前記一般式
（１）における置換基Ｘで示されるアリール基、ヘテロ
アリール基と同様の基が挙げられる。但し、炭素数２０
以下の置換または無置換のアリール基またはヘテロアリ
ール基である。

【００３９】置換または無置換のアルコキシ基の例とし
ては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イ
ソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ
ｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチ
ルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチ
ルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、シクロペンチ
ルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、１−メチルペンチ
ルオキシ基、２−メチルペンチルオキシ基、３−メチル
ペンチルオキシ基、４−メチルペンチルオキシ基、１，
１−ジメチルブトキシ基、１，２−ジメチルブトキシ
基、１，３−ジメチルブトキシ基、２，３−ジメチルブ
トキシ基、１，１，２−トリメチルプロポキシ基、１，
２，２−トリメチルプロポキシ基、１−エチルブトキシ
基、２−エチルブトキシ基、１−エチル−２−メチルプ
ロポキシ基、シクロヘキシルオキシ基、メチルシクロペ
ンチルオキシ基、ｎ−へプチルオキシ基、１−メチルヘ
キシルオキシ基、２−メチルヘキシルオキシ基、３−メ
チルヘキシルオキシ基、４−メチルヘキシルオキシ基、
５−メチルヘキシルオキシ基、１，１−ジメチルペンチ
ルオキシ基、１，２−ジメチルペンチルオキシ基、１，
３−ジメチルペンチルオキシ基、１，４−ジメチルペン
チルオキシ基、２，２−ジメチルペンチルオキシ基、
２，３−ジメチルペンチルオキシ基、２，４−ジメチル
ペンチルオキシ基、３，３−ジメチルペンチルオキシ
基、３，４−ジメチルペンチルオキシ基、１−エチルペ
ンチルオキシ基、２−エチルペンチルオキシ基、３−エ
チルペンチルオキシ基、１，１，２−トリメチルブトキ
シ基、１，１，３−トリメチルブトキシ基、１，２，３
−トリメチルブトキシ基、１，２，２−トリメチルブト
キシ基、１，３，３−トリメチルブトキシ基、２，３，
３−トリメチルブトキシ基、１−エチル−１−メチルブ
トキシ基、１−エチル−２−メチルブトキシ基、１−エ
チル−３−メチルブトキシ基、２−エチル−１−メチル
ブトキシ基、２−エチル−３−メチルブトキシ基、１−
ｎ−プロピルブトキシ基、１−イソプロピルブトキシ
基、１−イソプロピル−２−メチルプロポキシ基、メチ
ルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、１
−メチルヘプチルオキシ基、２−メチルヘプチルオキシ
基、３−メチルヘプチルオキシ基、４−メチルヘプチル
オキシ基、５−メチルヘプチルオキシ基、６−メチルヘ
プチルオキシ基、１，１−ジメチルヘキシルオキシ基、
１，２−ジメチルヘキシルオキシ基、１，３−ジメチル
ヘキシルオキシ基、１，４−ジメチルヘキシルオキシ
基、１，５−ジメチルヘキシルオキシ基、２，２−ジメ
チルヘキシルオキシ基、２，３−ジメチルヘキシルオキ
シ基、２，４−ジメチルヘキシルオキシ基、２，５−ジ
メチルヘキシルオキシ基、３，３−ジメチルヘキシルオ
キシ基、３，４−ジメチルヘキシルオキシ基、３，５−
ジメチルヘキシルオキシ基、４，４−ジメチルヘキシル
オキシ基、４，５−ジメチルヘキシルオキシ基、１−エ
チルヘキシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、
３−エチルヘキシルオキシ基、４−エチルヘキシルオキ
シ基、１−ｎ−プロピルペンチルオキシ基、２−ｎ−プ
ロピルペンチルオキシ基、１−イソプロピルペンチルオ
キシ基、２−イソプロピルペンチルオキシ基、１−エチ
ル−１−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−２−メ
チルペンチルオキシ基、１−エチル−３−メチルペンチ
ルオキシ基、１−エチル−４−メチルペンチルオキシ
基、２−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、２−エ
チル−２−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−３−
メチルペンチルオキシ基、２−エチル−４−メチルペン
チルオキシ基、３−エチル−１−メチルペンチルオキシ
基、３−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、３−エ
チル−３−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−４−
メチルペンチルオキシ基、１，１，２−トリメチルペン
チルオキシ基、１，１，３−トリメチルペンチルオキシ
基、１，１，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，
２，２−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，３−ト
リメチルペンチルオキシ基、１，２，４−トリメチルペ
ンチルオキシ基、１，３，４−トリメチルペンチルオキ
シ基、２，２，３−トリメチルペンチルオキシ基、２，
２，４−トリメチルペンチルオキシ基、２，３，４−ト
リメチルペンチルオキシ基、１，３，３−トリメチルペ
ンチルオキシ基、２，３，３−トリメチルペンチルオキ
シ基、３，３，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，
４，４−トリメチルペンチルオキシ基、２，４，４−ト
リメチルペンチルオキシ基、３，４，４−トリメチルペ
ンチルオキシ基、１−ｎ−ブチルブトキシ基、１−イソ
ブチルブトキシ基、１−ｓｅｃ−ブチルブトキシ基、１
−ｔｅｒｔ−ブチルブトキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチル
ブトキシ基、１−ｎ−プロピル−１−メチルブトキシ
基、１−ｎ−プロピル−２−メチルブトキシ基、１−ｎ
−プロピル−３−メチルブトキシ基、１−イソプロピル
−１−メチルブトキシ基、１−イソプロピル−２−メチ
ルブトキシ基、１−イソプロピル−３−メチルブトキシ
基、１，１−ジエチルブトキシ基、１，２−ジエチルブ
トキシ基、１−エチル−１，２−ジメチルブトキシ基、
１−エチル−１，３−ジメチルブトキシ基、１−エチル
−２，３−ジメチルブトキシ基、２−エチル−１，１−
ジメチルブトキシ基、２−エチル−１，２−ジメチルブ
トキシ基、２−エチル−１，３−ジメチルブトキシ基、
２−エチル−２，３−ジメチルブトキシ基、１，１，
３，３−テトラメチルブトキシ基、１，２−ジメチルシ
クロヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルシクロヘキシ
ルオキシ基、１，４−ジメチルシクロヘキシルオキシ
基、エチルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ
基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、ｎ−デ
シルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシル
オキシ基、１−アダマンチルオキシ基、ｎ−ペンタデシ
ルオキシ基等の炭素数１〜１５の直鎖、分岐又は環状の
無置換アルコキシ基；

【００４０】メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ
基、エトキシエトキシ基、ｎ−プロポキシエトキシ基、
イソプロポキシエトキシ基、ｎ−ブトキシエトキシ基、
イソブトキシエトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシエトキシ
基、ｓｅｃ−ブトキシエトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ
エトキシ基、イソペンチルオキシエトキシ基、ｔｅｒｔ
−ペンチルオキシエトキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ
エトキシ基、シクロペンチルオキシエトキシ基、ｎ−ヘ
キシルオキシエトキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ
エトキシ基、ｎ−ノニルオキシエトキシ基、（３，５，
５−トリメチルヘキシルオキシ）エトキシ基、（３，
５，５−トリメチルヘキシルオキシ）ブトキシ基、ｎ−
デシルオキシエトキシ基、ｎ−ウンデシルオキシエトキ
シ基、ｎ−ドデシルオキシエトキシ基、３−メトキシプ
ロポキシ基、３−エトキシプロポキシ基、３−（ｎ−プ
ロポキシ）プロポキシ基、２−イソプロポキシプロポキ
シ基、２−メトキシブトキシ基、２−エトキシブトキシ
基、２−（ｎ−プロポキシ）ブトキシ基、４−イソプロ
ポキシブトキシ基、デカリルオキシエトキシ基、アダマ
ンチルオキシエトキシ基等の、アルコキシ基で置換した
炭素数２〜１５のアルコキシ基；メトキシメトキシメト
キシ基、エトキシメトキシメトキシ基、プロポキシメト
キシメトキシ基、ブトキシメトキシメトキシ基、メトキ
シエトキシメトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基、
プロポキシエトキシメトキシ基、ブトキシエトキシメト
キシ基、メトキシプロポキシメトキシ基、エトキシプロ
ポキシメトキシ基、プロポキシプロポキシメトキシ基、
ブトキシプロポキシメトキシ基、メトキシブトキシメト
キシ基、エトキシブトキシメトキシ基、プロポキシブト
キシメトキシ基、ブトキシブトキシメトキシ基、メトキ
シメトキシエトキシ基、エトキシメトキシエトキシ基、
プロポキシメトキシエトキシ基、ブトキシメトキシエト
キシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキ
シエトキシ基、プロポキシエトキシエトキシ基、ブトキ
シエトキシエトキシ基、メトキシプロポキシエトキシ
基、エトキシプロポキシエトキシ基、プロポキシプロポ
キシエトキシ基、ブトキシプロポキシエトキシ基、メト
キシブトキシエトキシ基、エトキシブトキシエトキシ
基、プロポキシブトキシエトキシ基、ブトキシブトキシ
エトキシ基、メトキシメトキシプロポキシ基、エトキシ
メトキシプロポキシ基、プロポキシメトキシプロポキシ
基、ブトキシメトキシプロポキシ基、メトキシエトキシ
プロポキシ基、エトキシエトキシプロポキシ基、プロポ
キシエトキシプロポキシ基、ブトキシエトキシプロポキ
シ基、メトキシプロポキシプロポキシ基、エトキシプロ
ポキシプロポキシ基、プロポキシプロポキシプロポキシ
基、ブトキシプロポキシプロポキシ基、メトキシブトキ
シプロポキシ基、エトキシブトキシプロポキシ基、プロ
ポキシブトキシプロポキシ基、ブトキシブトキシプロポ
キシ基、メトキシメトキシブトキシ基、エトキシメトキ
シブトキシ基、プロポキシメトキシブトキシ基、ブトキ
シメトキシブトキシ基、メトキシエトキシブトキシ基、
エトキシエトキシブトキシ基、プロポキシエトキシブト
キシ基、ブトキシエトキシブトキシ碁、メトキシプロポ
キシブトキシ基、エトキシプロポキシブトキシ基、プロ
ポキシプロポキシブトキシ基、ブトキシプロポキシブト
キシ基、メトキシブトキシブトキシ基、エトキシブトキ
シブトキシ基、プロポキシブトキシブトキシ基、ブトキ
シブトキシブトキシ基、（４−エチルシクロへキシルオ
キシ）エトキシエトキシ基、（２−エチル−１−へキシ
ルオキシ）エトキシプロポキシ基、４−（３，５，５−
トリメチルヘキシルオキシブトキシエトキシ基等の、ア
ルコキシアルコキシ基で置換した直鎖、分岐または環状
の炭素数３〜１５のアルコキシ基；

【００４１】メトキシカルボニルメトキシ基、エトキシ
カルボニルメトキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルメト
キシ基、イソプロポキシカルボニルメトキシ基、４’−
エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメトキシ基等の
アルコキシカルボニル基で置換した炭素数３〜１０のア
ルコキシ基；アセチルメトキシ基、エチルカルボニルメ
トキシ基、オクチルカルボニルメトキシ基等のアシル基
で置換した炭素数３〜１０のアルコキシ基；アセチルオ
キシメトキシ基、アセチルオキシエトキシ基、アセチル
オキシヘキシルオキシ基、ブタノイルオキシシクロヘキ
シルオキシ基などのアシルオキシ基で置換した炭素数３
〜１０のアルコキシ基；メチルアミノメトキシ基、２−
メチルアミノエトキシ基、２−（２−メチルアミノエト
キシ）エトキシ基、４−メチルアミノブトキシ基、１−
メチルアミノプロパン−２−イルオキシ基、３−メチル
アミノプロポキシ基、２−メチルアミノ−２−メチルプ
ロポキシ基、２−エチルアミノエトキシ基、２−（２−
エチルアミノエトキシ）エトキシ基、３−エチルアミノ
プロポキシ基、１−エチルアミノプロポキシ基、２−イ
ソプロピルアミノエトキシ基、２−（ｎ−ブチルアミ
ノ）エトキシ基、３−（ｎ−ヘキシルアミノ）プロポキ
シ基、４−（シクロヘキシルアミノ）ブチルオキシ基等
のアルキルアミノ基で置換した炭素数２〜１０のアルコ
キシ基；メチルアミノメトキシメトキシ基、メチルアミ
ノエトキシエトキシ基、メチルアミノエトキシプロポキ
シ基、エチルアミノエトキシプロポキシ基、４−（２’
−イソブチルアミノプロポキシ）ブトキシ基等のアルキ
ルアミノアルコキシ基で置換した炭素数３〜１０のアル
コキシ基；

【００４２】ジメチルアミノメトキシ基、２−ジメチル
アミノエトキシ基、２−（２−ジメチルアミノエトキ
シ）エトキシ基、４−ジメチルアミノブトキシ基、１−
ジメチルアミノプロパン−２−イルオキシ基、３−ジメ
チルアミノプロポキシ基、２−ジメチルアミノ−２−メ
チルプロポキシ基、２−ジエチルアミノエトキシ基、２
−（２−ジエチルアミノエトキシ）エトキシ基、３−ジ
エチルアミノプロポキシ基、１−ジエチルアミノプロポ
キシ基、２−ジイソプロピルアミノエトキシ基、２−
（ジ−ｎ−ブチルアミノ）エトキシ基、２−ピペリジル
エトキシ基、３−（ジ−ｎ−ヘキシルアミノ）プロポキ
シ基等のジアルキルアミノ基で置換した炭素数３〜１５
のアルコキシ基；ジメチルアミノメトキシメトキシ基、
ジメチルアミノエトキシエトキシ基、ジメチルアミノエ
トキシプロポキシ基、ジエチルアミノエトキシプロポキ
シ基、４−（２’−ジイソブチルアミノプロポキシ）ブ
トキシ基等のジアルキルアミノアルコキシ基で置換した
炭素数４〜１５のアルコキシ基；２−メチルチオメトキ
シ基、２−メチルチオエトキシ基、２−エチルチオエト
キシ基、２−ｎ−プロピルチオエトキシ基、２−イソプ
ロピルチオエトキシ基、２−ｎ−ブチルチオエトキシ
基、２−イソブチルチオエトキシ基、（３，５，５−ト
リメチルヘキシルチオ）ヘキシルオキシ基等のアルキル
チオ基で置換した炭素数２〜１５のアルコキシ基；等が
挙げられ、好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−
プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ
基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブ
トキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｉｓｏ−ペントキシ基、
ネオペントキシ基、２−メチルブトキシ基、２−エチル
ヘキシルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオ
キシ基、デカリルオキシ基などの炭素数１〜１０のアル
コキシ基が挙げられる。

【００４３】置換または無置換のアラルキルオキシ基の
例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を
有するアラルキルオキシ基であり、好ましくは、ベンジ
ルオキシ基、ニトロベンジルオキシ基、シアノベンジル
オキシ基、ヒドロキシベンジルオキシ基、メチルベンジ
ルオキシ基、トリフルオロメチルベンジルオキシ基、ナ
フチルメトキシ基、ニトロナフチルメトキシ基、シアノ
ナフチルメトキシ基、ヒドロキシナフチルメトキシ基、
メチルナフチルメトキシ基、トリフルオロメチルナフチ
ルメトキシ基、フルオレン−９−イルエトキシ基などの
炭素数７〜１５のアラルキルオキシ基等が挙げられる。

【００４４】置換または無置換のアリールオキシ基の例
としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有
するアリールオキシ基であり、好ましくは、フェノキシ
基、２−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ
基、４−ｔ−ブチルフェノキシ基、２−メトキシフェノ
キシ基、４−ｉｓｏ−プロピルフェノキシ基、ナフトキ
シ基などの炭素数６〜１０のアリールオキシ基が挙げら
れる。

【００４５】置換または無置換のアルケニルオキシ基の
例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を
有するアルケニルオキシ基であり、好ましくは、ビニル
オキシ基、プロペニルオキシ基、１−ブテニルオキシ
基、ｉｓｏ−ブテニルオキシ基、１−ペンテニルオキシ
基、２−ペンテニルオキシ基、２−メチル−１−ブテニ
ルオキシ基、３−メチル−１−ブテニルオキシ基、２−
メチル−２−ブテニルオキシ基、２，２−ジシアノビニ
ルオキシ基、２−シアノ−２−メチルカルボキシルビニ
ルオキシ基、２−シアノ−２−メチルスルホンビニルオ
キシ基、スチリルオキシ基、４−フェニル−２ブテニル
オキシ基、シンナミルアルコキシ基などの炭素数２〜１
０のアルケニルオキシ基が挙げられる。

【００４６】置換または無置換のアルキルチオ基の例と
しては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るアルキルチオ基であり、好ましくは、メチルチオ基、
エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピル
チオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓ
ｅｃ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチル
チオ基、ｉｓｏ−ペンチルチオ基、ネオペンチルチオ
基、２−メチルブチルチオ基、メチルカルボキシルエチ
ルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，５，５−ト
リメチルヘキシルチオ基、デカリルチオ基などの炭素数
１〜１０のアルキルチオ基が挙げられる。

【００４７】置換または無置換のアラルキルチオ基の例
としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有
するアラルキルチオ基であり、好ましくは、ベンジルチ
オ基、ニトロベンジルチオ基、シアノベンジルチオ基、
ヒドロキシベンジルチオ基、メチルベンジルチオ基、ト
リフルオロメチルベンジルチオ基、ナフチルメチルチオ
基、ニトロナフチルメチルチオ基、シアノナフチルメチ
ルチオ基、ヒドロキシナフチルメチルチオ基、メチルナ
フチルメチルチオ基、トリフルオロメチルナフチルメチ
ルチオ基、フルオレン−９−イルエチルチオ基などの炭
素数７〜１２のアラルキルチオ基等が挙げられる。

【００４８】置換または無置換のアリールチオ基の例と
しては前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アリールチオ基であり、好ましくは、フェニルチオ基、
４−メチルフェニルチオ基、２−メトキシフェニルチオ
基、４−ｔ−ブチルフェニルチオ基、ナフチルチオ基等
の炭素数６〜１０のアリールチオ基などが挙げられる。

【００４９】置換または無置換のアルケニルチオ基の例
としては前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るアルケニルチオ基であり、好ましくは、ビニルチオ
基、アリルチオ基、ブテニルチオ基、ヘキサンジエニル
チオ基、スチリルチオ基、シクロヘキセニルチオ基、デ
セニルチオ基等の炭素数２〜１０のアルケニルチオ基な
どが挙げられる。

【００５０】置換または無置換のモノ置換アミノ基の例
としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有
するモノ置換アミノ基であり、好ましくは、メチルアミ
ノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミ
ノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチル
アミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミ
ノ基、シクロヘキシルアミノ基、３，５，５−トリメチ
ルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基
などの炭素数１〜１０のモノアルキルアミノ基；ベンジ
ルアミノ基、フェネチルアミノ基、３−フェニルプロピ
ルアミノ基、４−エチルベンジルアミノ基、４−イソプ
ロピルベンジルアミノ基、Ｎ−メチルベンジルアミノ
基、Ｎ−エチルベンジルアミノ基、Ｎ−アリルベンジル
アミノ基、Ｎ−（２−シアノエチル）ベンジルアミノ
基、Ｎ−（２−アセトキシエチル）ベンジルアミノ基な
どの炭素数７〜１０のモノアラルキルアミノ基；

【００５１】アニリノ基、ナフチルアミノ基、トルイジ
ノ基、キシリジノ基、エチルアニリノ基、イソプロピル
アニリノ基、メトキシアニリノ基、エトキシアニリノ
基、クロロアニリノ基、アセチルアニリノ基、メトキシ
カルボニルアニリノ基、エトキシカルボニルアニリノ
基、プロポキシカルボニルアニリノ基、Ｎ−メチルアニ
リノ基、Ｎ−エチルアニリノ基、Ｎ−メチルトルイジノ
基など、炭素数６〜１０のモノアリールアミノ基；ビニ
ルアミノ基、アリルアミノ基、ブテニルアミノ基、ペン
テニルアミノ基、ヘキセニルアミノ基、シクロヘキセニ
ルアミノ基、オクタジエニルアミノ基、アダマンテニル
アミノ基、Ｎ−メチルビニルアミノ基、Ｎ−メチルアリ
ルアミノ基、Ｎ−エチルビニルアミノ基、Ｎ−エチルア
リルアミノ基などの炭素数２〜１０のモノアルケニルア
ミノ基等が挙げられる。

【００５２】置換または無置換のジ置換アミノ基の例と
しては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るジ置換アミノ基であり、好ましくは、ジメチルアミノ
基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジプロ
ピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジ−ｎ−ヘキシルア
ミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジオクチルアミノ
基、ビス（メトキシエチル）アミノ基、ビス（エトキシ
エチル）アミノ基、ビス（プロポキシエチル）アミノ
基、ビス（ブトキシエチル）アミノ基、ジ（アセチルオ
キシエチル）アミノ基、ジ（ヒドロキシエチル）アミノ
基、Ｎ−エチル−Ｎ−（２−シアノエチル）アミノ基、
ジ（プロピオニルオキシエチル）アミノ基などの炭素数
２〜１６のジアルキルアミノ基；ジベンジルアミノ基、
ジフェネチルアミノ基、ビス（４−エチルベンジル）ア
ミノ基、ビス（４−イソプロピルベンジル）アミノ基な
どの炭素数１４〜２０のジアラルキルアミノ基；ジフェ
ニルアミノ基、ジトリルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−
トリルアミノ基などの炭素数１２〜１４のジアリールア
ミノ基；ジビニルアミノ基、ジアリルアミノ基、ジブテ
ニルアミノ基、ジペンテニルアミノ基、ジヘキセニルア
ミノ基、Ｎ−ビニル−Ｎ−アリルアミノ基などの炭素数
４〜１２のジアルケニルアミノ基；Ｎ−フェニル−Ｎ−
アリルアミノ基、Ｎ−（２−アセチルオキシエチル）−
Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ−トリル−Ｎ−メチルアミノ
基、Ｎ−ビニル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−ベンジル−
Ｎ−アリルアミノ基等の置換または無置換のアルキル
基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基より選択
した炭素数３〜１０のジ置換アミノ基が挙げられる。

【００５３】置換または無置換のアシル基の例として
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
シル基であり、好ましくは、ホルミル基、メチルカルボ
ニル基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル
基、ｉｓｏ−プロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボ
ニル基、ｉｓｏ−ブチルカルボニル基、ｓｅｃ−ブチル
カルボニル基、ｔ−ブチルカルボニル基、ｎ−ペンチル
カルボニル基、ｉｓｏ−ペンチルカルボニル基、ネオペ
ンチルカルボニル基、２−メチルブチルカルボニル基、
ベンゾイル基、メチルベンゾイル基、エチルベンゾイル
基、トリルカルボニル基、プロピルベンゾイル基、４−
ｔ−ブチルベンゾイル基、ニトロベンジルカルボニル
基、３−ブトキシ−２−ナフトイル基、シンナモイル基
などの炭素数１〜１５のアシル基が挙げられる。

【００５４】置換または無置換のアルコキシカルボニル
基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換
基を有するアルコキシカルボニル基であり、好ましくは
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プ
ロポキシカルボニル基、ｉｓｏ−プロポキシカルボニル
基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｉｓｏ−ブトキシカル
ボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキ
シカルボニル基、ｎ−ペントキシカルボニル基、ｉｓｏ
−ペントキシカルボニル基、ネオペントキシカルボニル
基、２−ペントキシカルボニル基、２−エチルヘキシル
オキシカルボニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル
オキシカルボニル基、デカリルオキシカルボニル基、シ
クロヘキシルオキシカルボニル基、クロロエトキシカル
ボニル基、ヒドロキシメトキシカルボニル基、ヒドロキ
シエトキシカルボニル基などの炭素数２〜１１のアルコ
キシカルボニル基；メトキシメトキシカルボニル基、メ
トキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボ
ニル基、プロポキシエトキシカルボニル基、ブトキシエ
トキシカルボニル基、ペントキシエトキシカルボニル
基、ヘキシルオキシエトキシカルボニル基、ブトキシブ
トキシカルボニル基、ヘキシルオキシブトキシカルボニ
ル基、ヒドロキシメトキシメトキシカルボニル基、ヒド
ロキシエトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシ
基が置換した炭素数３〜１１のアルコキシカルボニル
基；メトキシメトキシメトキシカルボニル基、メトキシ
エトキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシエト
キシカルボニル基、プロポキシエトキシエトキシカルボ
ニル基、ブトキシエトキシエトキシカルボニル基、ペン
トキシエトキシエトキシカルボニル基、ヘキシルオキシ
エトキシエトキシカルボニル基などのアルコキシアルコ
キシ基が置換した炭素数４〜１１のアルコキシカルボニ
ル基が挙げられる。

【００５５】置換または無置換のアラルキルオキシカル
ボニル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有するアラルキルオキシカルボニル基であ
り、好ましくは、ベンジルオキシカルボニル基、ニトロ
ベンジルオキシカルボニル基、シアノベンジルオキシカ
ルボニル基、ヒドロキシベンジルオキシカルボニル基、
メチルベンジルオキシカルボニル基、トリフルオロメチ
ルベンジルオキシカルボニル基、ナフチルメトキシカル
ボニル基、ニトロナフチルメトキシカルボニル基、シア
ノナフチルメトキシカルボニル基、ヒドロキシナフチル
メトキシカルボニル基、メチルナフチルメトキシカルボ
ニル基、トリフルオロメチルナフチルメトキシカルボニ
ル基、フルオレン−９−イルエトキシカルボニル基など
の炭素数８〜１６のアラルキルオキシカルボニル基等が
挙げられる。

【００５６】置換または無置換のアリールオキシカルボ
ニル基の例としては、前記に挙げたアリール基と同様な
置換基を有するアリールオキシカルボニル基であり、好
ましくは、フェノキシカルボニル基、２−メチルフェノ
キシカルボニル基、４−メチルフェノキシカルボニル
基、４−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル基、２−メト
キシフェノキシカルボニル基、４−ｉｓｏ−プロピルフ
ェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基などの
炭素数７〜１１のアリールオキシカルボニル基が挙げら
れる。

【００５７】置換または無置換のアルケニルオキシカル
ボニル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様
な置換基を有するアルケニルオキシカルボニル基であ
り、好ましくは、ビニルオキシカルボニル基、プロペニ
ルオキシカルボニル基、１−ブテニルオキシカルボニル
基、ｉｓｏ−ブテニルオキシカルボニル基、１−ペンテ
ニルオキシカルボニル基、２−ペンテニルオキシカルボ
ニル基、２−メチル−１−ブテニルオキシカルボニル
基、３−メチル−１−ブテニルオキシカルボニル基、２
−メチル−２−ブテニルオキシカルボニル基、２，２−
ジシアノビニルオキシカルボニル基、２−シアノ−２−
メチルカルボキシルビニルオキシカルボニル基、２−シ
アノ−２−メチルスルホンビニルオキシカルボニル基、
スチリルオキシカルボニル基、４−フェニル−２−ブテ
ニルオキシカルボニル基などの炭素数３〜１１のアルケ
ニルオキシカルボニル基が挙げられる。

【００５８】置換または無置換のモノ置換アミノカルボ
ニル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な
置換基を有するモノ置換アミノカルボニル基であり、好
ましくは、メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカ
ルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ブチルアミ
ノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシ
ルアミノカルボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、
オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミ
ノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、
３，５，５−トリメチルヘキシルアミノカルボニル基、
ノニルアミノカルボニル基、デシルアミノカルボニル基
などの炭素数２〜１１のモノアルキルアミノカルボニル
基；ベンジルアミノカルボニル基、フェネチルアミノカ
ルボニル基、３−フェニルプロピルアミノカルボニル
基、４−エチルベンジルアミノカルボニル基、４−イソ
プロピルベンジルアミノカルボニル基、Ｎ−メチルベン
ジルアミノカルボニル基、Ｎ−エチルベンジルアミノカ
ルボニル基、Ｎ−アリルベンジルアミノカルボニル基、
Ｎ−（２−シアノエチル）ベンジルアミノカルボニル
基、Ｎ−（２−アセトキシエチル）ベンジルアミノカル
ボニル基などの炭素数８〜１１のモノアラルキルアミノ
カルボニル基；アニリノ基、ナフチルアミノカルボニル
基、トルイジノ基、キシリジノ基、エチルアニリノ基、
イソプロピルアニリノ基、メトキシアニリノ基、エトキ
シアニリノ基、クロロアニリノ基、アセチルアニリノ
基、メトキシカルボニルアニリノ基、エトキシカルボニ
ルアニリノ基、プロポキシカルボニルアニリノ基、Ｎ−
メチルアニリノ基、Ｎ−エチルアニリノ基、Ｎ−メチル
トルイジノ基など、炭素数７〜１１のモノアリールアミ
ノカルボニル基；ビニルアミノカルボニル基、アリルア
ミノカルボニル基、ブテニルアミノカルボニル基、ペン
テニルアミノカルボニル基、ヘキセニルアミノカルボニ
ル基、シクロヘキセニルアミノカルボニル基、オクタジ
エニルアミノカルボニル基、アダマンテニルアミノカル
ボニル基、Ｎ−メチルビニルアミノカルボニル基、Ｎ−
メチルアリルアミノカルボニル基、Ｎ−エチルビニルア
ミノカルボニル基、Ｎ−エチルアリルアミノカルボニル
基などの炭素数３〜１１のモノアルケニルアミノカルボ
ニル基等が挙げられる。

【００５９】置換または無置換のジ置換アミノカルボニ
ル基の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有するジ置換アミノカルボニル基であり、好まし
くは、ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカ
ルボニル基、メチルエチルアミノカルボニル基、ジプロ
ピルアミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル
基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノカルボニル基、ジシクロヘ
キシルアミノカルボニル基、ジオクチルアミノカルボニ
ル基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ビ
ス（メトキシエチル）アミノカルボニル基、ビス（エト
キシエチル）アミノカルボニル基、ビス（プロポキシエ
チル）アミノカルボニル基、ビス（ブトキシエチル）ア
ミノカルボニル基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノ
カルボニル基、ジ（ヒドロキシエチル）アミノカルボニ
ル基、Ｎ−エチル−Ｎ−（２−シアノエチル）アミノカ
ルボニル基、ジ（プロピオニルオキシエチル）アミノカ
ルボニル基などの炭素数３〜１７のジアルキルアミノカ
ルボニル基；ジベンジルアミノカルボニル基、ジフェネ
チルアミノカルボニル基、ビス（４−エチルベンジル）
アミノカルボニル基、ビス（４−イソプロピルベンジ
ル）アミノカルボニル基などの炭素数１５〜２１のジア
ラルキルアミノカルボニル基；ジフェニルアミノカルボ
ニル基、ジトリルアミノカルボニル基、Ｎ−フェニル−
Ｎ−トリルアミノカルボニル基などの炭素数１３〜１５
のジアリールアミノカルボニル基；ジビニルアミノカル
ボニル基、ジアリルアミノカルボニル基、ジブテニルア
ミノカルボニル基、ジペンテニルアミノカルボニル基、
ジヘキセニルアミノカルボニル基、Ｎ−ビニル−Ｎ−ア
リルアミノカルボニル基などの炭素数５〜１３のジアル
ケニルアミノカルボニル基；Ｎ−フェニル−Ｎ−アリル
アミノカルボニル基、Ｎ−（２−アセチルオキシエチ
ル）−Ｎ−エチルアミノカルボニル基、Ｎ−トリル−Ｎ
−メチルアミノカルボニル基、Ｎ−ビニル−Ｎ−メチル
アミノカルボニル基、Ｎ−ベンジル−Ｎ−アリルアミノ
カルボニル基等の置換または無置換のアルキル基、アラ
ルキル基、アリール基、アルケニル基より選択した炭素
数４〜１１のジ置換アミノカルボニル基が挙げられる。

【００６０】置換または無置換のアシルオキシ基の例と
しては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るアシルオキシ基であり、好ましくは、ホルミルオキシ
基、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキ
シ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−プロ
ピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ
基、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチ
ルカルボニルオキシ基、ｔ−ブチルカルボニルオキシ
基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、ｉｓｏ−ペンチ
ルカルボニルオキシ基、ネオペンチルカルボニルオキシ
基、２−メチルブチルカルボニルオキシ基、ベンゾイル
オキシ基、メチルベンゾイルオキシ基、エチルベンゾイ
ルオキシ基、トリルカルボニルオキシ基、プロピルベン
ゾイルオキシ基、４−ｔ−ブチルベンゾイルオキシ基、
ニトロベンジルカルボニルオキシ基、３−ブトキシ−２
−ナフトイルオキシ基、シンナモイルオキシ基などの炭
素数２〜１６のアシルオキシ基が挙げられる。

【００６１】置換または無置換のアルキルスルホニル基
の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基
を有するアルキルスルホニル基であり、好ましくは、メ
チルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−プロピル
スルホニル基、ｉｓｏ−プロピルスルホニル基、ｎ−ブ
チルスルホニル基、ｉｓｏ−ブチルスルホニル基、ｓｅ
ｃ−ブチルスルホニル基、ｔ−ブチルスルホニル基、ｎ
−ペンチルスルホニル基、ｉｓｏ−ペンチルスルホニル
基、ネオペンチルスルホニル基、２−メチルブチルスル
ホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、２，２，
３，３−テトラフルオロプロピルスルホニル基、２，
２，３，３−テトラクロロプロピルスルホニル基、ｎ−
デシルスルホニル基などの炭素数１〜１０のアルキルス
ルホニル基が挙げられる。

【００６２】置換または無置換のアリールスルホニル基
の例としては、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基
を有するアリールスルホニル基であり、好ましくは、ベ
ンゼンスルホニル基、ニトロベンゼンスルホニル基、シ
アノベンゼンスルホニル基、ヒドロキシベンゼンスルホ
ニル基、トルエンスルホニル基、トリフルオロメチルベ
ンゼンスルホニル基、キシレンスルホニル基、メシチレ
ンスルホニル基、ナフタレンスルホニル基、ニトロナフ
タレンスルホニル基、シアノナフタレンスルホニル基、
ヒドロキシナフタレンスルホニル基、メチルナフタレン
スルホニル基、トリフルオロメチルナフタレンスルホニ
ル基、メトキシカルボニルベンゼンスルホニル基、４−
（５’−メチルベンゾキサゾール−２’−イル）ベンゼ
ンスルホニル基、ジブチルアミノカルボニルベンゼンス
ルホニル基などの炭素数６〜１４のアリールスルホニル
基等が挙げられる。

【００６３】置換または無置換の複素環基の例として
は、前記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する複
素環基であり、好ましくは、フラニル基、ピロリル基、
３−ピロリノ基、ピロリジノ基、１，３−オキソラニル
基、ピラゾリル基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリジニ
ル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル
基、１，２，３−オキサジアゾリル基、１，２，３−ト
リアゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，３，
４−チアジアゾリル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジニル
基、ピペリジニル基、ジオキサニル基、モルホリニル
基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、
ピペラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、
インドーリル基、チオナフセニル基、ベンズイミダゾリ
ル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾトリアゾ−ル−２−
イル基、ベンゾトリアゾール−１−イル基、プリニル
基、キノリニル基、イソキノリニル基、クマリニル基、
シンノリニル基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル
基、カルバゾリル基、フェナントロニリル基、フェノチ
アジニル基、フラボニル基、フタルイミド基、ナフチル
イミド基、ピロリジニル基、ピペリジノ基、モルホリノ
基などの無置換複素環基、

【００６４】あるいは以下の置換基、即ち、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原
子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル
基、デシル基、メトキシメチル基、エトキシエチル基、
エトキシエチル基、トリフルオロメチル基等のアルキル
基；ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基；フ
ェニル基、トリル基、ナフチル基、キシリル基、メシル
基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基等のアリー
ル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキ
シ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキ
シ基、２−エチルヘキシル基、３，５，５−トリメチル
ヘキシルオキシ基等のアルコキシ基；ベンジルオキシ
基、フェネチルオキシ基などのアラルキルオキシ基；フ
ェノキシ基、トリルオキシ基、ナフトキシ基、キシリル
オキシ基、メシルオキシ基、クロロフェノキシ基、メト
キシフェノキシ基等のアリールオキシ基；ビニル基、ア
リル基、ブテニル基、ブタジエニル基、ペンテニル基、
オクテニル基等のアルケニル基；ビニルオキシ基、アリ
ルオキシ基、ブテニルオキシ基、ブタジエニルオキシ
基、ペンテニルオキシ基、オクテニルオキシ基等のアル
ケニルオキシ基；メチルチオ基、エチルチオ基、プロピ
ルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチ
オ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ
基、メトキシメチルチオ基、エトキシエチルチオ基、エ
トキシエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等のア
ルキルチオ基；ベンジルチオ基、フェネチルチオ基など
のアラルキルチオ基；フェニルチオ基、トリルチオ基、
ナフチルチオ基、キシリルチオ基、メシチルチオ基、ク
ロロフェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基等のアリ
ールチオ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ
プロピルアミノ基、ジブチルアミノ基等のジアルキルア
ミノ基；アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基等
のアシル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基等のアルコキシカルボニル基；ベンジルオキシカル
ボニル基、フェネチルオキシカルボニル基等のアラルキ
ルオキシカルボニル基；フェノキシカルボニル基、トリ
ルオキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、キシ
リルオキシカルボニル基、メシルオキシカルボニル基、
クロロフェノキシカルボニル基、メトキシフェノキシカ
ルボニル基等のアリールオキシカルボニル基；ビニルオ
キシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ブテニ
ルオキシカルボニル基、ブタジエニルオキシカルボニル
基、ペンテニルオキシカルボニル基、オクテニルオキシ
カルボニル基等のアルケニルオキシカルボニル基；メチ
ルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プ
ロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル
基、ペンチルアミノカルボニル基、ヘキシルアミノカル
ボニル基、ヘプチルアミノカルボニル基、オクチルアミ
ノカルボニル基、ノニルアミノカルボニル基、３，５，
５−トリメチルヘキシルアミノカルボニル基、２−エチ
ルヘキシルアミノカルボニル基等の炭素数２〜１０のモ
ノアルキルアミノカルボニル基や、ジメチルアミノカル
ボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジプロピルア
ミノカルボニル基、ジブチルアミノカルボニル基、ジペ
ンチルアミノカルボニル基、ジヘキシルアミノカルボニ
ル基、ジヘプチルアミノカルボニル基、ジオクチルアミ
ノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホリノ
カルボニル基、４−メチルピペラジノカルボニル基、４
−エチルピペラジノカルボニル基等の炭素数３〜２０の
ジアルキルアミノカルボニル基等のアルキルアミノカル
ボニル基；フラニル基、ピロリル基、３−ピロリノ基、
ピロリジノ基、１，３−オキソラニル基、ピラゾリル
基、２−ピラゾリニル基、ピラゾリジニル基、イミダゾ
リル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、１，２，３−
オキサジアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、
１，２，４−トリアゾリル基、１，３，４−チアジアゾ
リル基、４Ｈ−ピラニル基、ピリジニル基、ピペリジニ
ル基、ジオキサニル基、モルホリニル基、ピリダジニル
基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピペラジニル基、
トリアジニル基、ベンゾフラニル基、インドーリル基、
チオナフセニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンゾチア
ゾリル基、プリニル基、キノリニル基、イソキノリニル
基、クマリニル基、シンノリニル基、キノキサリニル
基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基、フェナント
ロニリル基、フェノチアジニル基、フラボニル基等の複
素環基；などの置換基により置換した複素環基が挙げら
れる。

【００６５】また、一般式（１）、（３）中のＬ¹〜
Ｌ⁴、一般式（３）中のＱ¹〜Ｑ⁸で示される基として
は、水素原子および一般式（１）における置換基Ｘで示
されるアリール基、ヘテロアリール基に置換する前記の
各種の置換基が挙げられる。但し、一般式（３）におけ
るＱ¹〜Ｑ⁴の少なくとも１つはヒドロキシル基である。

【００６６】なおＬ¹〜Ｌ⁴は互いに連結して環を形成し
てもよい。具体的には、例えば、下記の炭素数１０から
１７の環構造を有するものが挙げられる。

【００６７】

【化９】 〔上記構造中、Ｚ、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴は前記と同じ意
味を示す。〕

【００６８】また、一般式（２）におけるＹ、および一
般式（３）におけるＲ¹ならびにＲ²で示される基として
は、水素原子、又は一般式（１）で示されるアリール
基、ヘテロアリール基に置換するアルキル基、アラルキ
ル基、アリール基、アルケニル基と同様の基が挙げられ
る。

【００６９】なお、Ｒ¹およびＲ²は、互いに連結して環
を形成してもよい。すなわち、下記構造

【００７０】

【化１０】 で示される環としては、例えば、下記の炭素数４から１
３の環が挙げられる。

【００７１】

【化１１】

【００７２】本発明の光記録媒体で用いる一般式（１）
で表される化合物としては、水素結合が可能なヒドロキ
シル基を有する化合物が、特に好ましい。また、炭素−
炭素間結合に酸素原子１個を有するエーテル結合を１〜
６個を有するアルコキシ基、あるいは直鎖または分岐で
且つ炭素数１〜２０の置換または無置換のアルキル基を
有する化合物が好ましい。

【００７３】なお、前記式（３）の化合物中のＲの意味
における置換基Ａを有するエテニル基は、ｔｒａｎｓ型
またはｃｉｓ型のいずれの幾何異性体を有していてもよ
い。

【００７４】本発明の一般式（１）で示される化合物の
合成法としては、例えば、式（４） Ｘ−ＣＯＯＨ （４） 〔式中のＸは、式（１）中のＸと同一の意味を表す。〕
で示されるカルボン酸を、溶媒中または無溶媒でポリリ
ン酸および／または五酸化ニリン、ホウ酸あるいは塩化
チオニル等の無機酸の存在下に、あるいは式（５） Ｘ−ＣＯＣｌ （５） 〔式中のＸは、式（１）中のＸと同一の意味を表す。〕
で示されるカルボン酸クロライドを溶媒中または無溶媒
で、ピリジン等の塩基の存在下または非存在下、塩化チ
オニルの存在下または非存在下に、式（６）

【００７５】

【化１２】 〔式中のＬ¹〜Ｌ⁴は、式（１）中のＬ¹〜Ｌ⁴と同一の意
味を表す。〕で示されるアミノフェノール誘導体および
／またはその塩酸塩や硫酸塩等の塩と反応するか、式
（７）

【００７６】

【化１３】 〔式中のＬ¹〜Ｌ⁴は、式（１）中のＬ¹〜Ｌ⁴と同一の意
味を表す。〕で示されるアミノチオフェノール誘導体お
よび／またはその塩酸塩や硫酸塩等の塩と反応するか、
式（８）

【００７７】

【化１４】 〔式中のＬ¹〜Ｌ⁴は、式（１）中のＬ¹〜Ｌ⁴と同一の意
味を表し、Ｙは式（２）中のＹと同一の意味を表す。〕
で示されるフェニレンジアミン誘導体および／またはそ
の塩酸塩や硫酸塩等の塩と反応することで、式（１）の
化合物を容易に得ることができる。

【００７８】または、式（９） Ｘ−ＣＨＯ （９） 〔式中のＸ、式（１）中のＸと同一の意味を表す。〕で
示されるアルデヒドをピペリジンなどの塩基化合物を触
媒量用いて、溶媒中もしくは無溶媒で、前記式（６）、
式（７）または式（８）の化合物と反応して式（１０）

【００７９】

【化１５】 〔式中のＸ、ＺおよびＬ¹〜Ｌ⁴は、式（１）中のＸ、Ｚ
およびＬ¹〜Ｌ⁴と同一の意味を表す。〕で示される化合
物を得たのちに、酸化剤により酸化して本発明記載の式
（１）の化合物を容易に得ることができる。

【００８０】一般式（１）で示される化合物の具体例に
ついては、表−１に記載する化合物（１−１）〜（１−
３３）のものが挙げられる。

【００８１】

【表１】

【００８２】

【表２】

【００８３】

【表３】

【００８４】

【表４】

【００８５】

【表５】

【００８６】

【表６】

【００８７】本発明の光記録媒体においては、記録特性
などの改善のために、波長３５０ｎｍ〜５５０ｎｍに吸
収極大を持ち、４００ｎｍ〜５００ｎｍでの屈折率が大
きい前記以外の化合物と混合しても良い。具体的には、
シアニン化合物、スクアリリウム系化合物、ナフトキノ
ン系化合物、アントラキノン系化合物、テトラピラポル
フィラジン系化合物、インドフェノール系化合物、ピリ
リウム系化合物、チオピリリウム系化合物、アズレニウ
ム系化合物、トリフェニルメタン系化合物、キサンテン
系化合物、インダスレン系化合物、インジゴ系化合物、
チオインジゴ系化合物、メロシアニン系化合物、チアジ
ン系化合物、アクリジン系化合物、オキサジン系化合
物、ジピロメテン系化合物などがあり、複数の化合物の
混合であっても良い。これらの化合物の混合割合は、
０．１〜３０％程度である。

【００８８】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の化合物に、クエンチャー、化合物熱分解促進剤、紫外
線吸収剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのよ
うな効果を有する化合物を前記化合物の置換基として導
入することも可能である。

【００８９】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コナール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビス
フェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミ
ン系も好適である。

【００９０】化合物熱分解促進剤としては、熱減量分析
（ＴＧ分析）などにより、化合物の熱分解の促進が確認
できるのもであれば特に限定されず、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナート系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。金属
系アンチノッキング剤の例としては、四エチル鉛、その
他の鉛系化合物、シマントレン［Ｍｎ（Ｃ₅Ｈ₅）（Ｃ
Ｏ）₃］などのＭｎ系化合物、また、メタロセン化合物
の例としては、鉄ビスシクロペンタジエニル錯体（フェ
ロセン）をはじめ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｌｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、
Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙなどのビスシクロペンタジエニル錯体が
ある。なかでもフェロセン、ルテノセン、オスモセン、
ニッケロセン、チタノセンおよびそれらの誘導体は良好
な熱分解促進効果がある。

【００９１】その他、鉄系金属化合物として、メタロセ
ンの他に、ギ酸鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテ
ン酸鉄、ステアリン酸鉄、酢酸鉄などの有機酸鉄化合
物、アセチルアセトナート鉄錯体、フェナントロリン鉄
錯体、ビスピリジン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、
エチレンジアミン四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン
鉄錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル鉄錯
体、ジホスフィノ鉄錯体、ジメチルグリオキシマート鉄
錯体などのキレート鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ
鉄錯体、アンミン鉄錯体などの鉄錯体、塩化第一鉄、塩
化第二鉄、臭化第一鉄、臭化第二鉄などのハロゲン化
鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄などの無機鉄塩類、さら
には、酸化鉄などが挙げられる。ここで用いる熱分解促
進剤は有機溶剤に可溶で、かつ、耐湿熱性及び耐光性の
良好なものが望ましい。

【００９２】上述した各種のクエンチャー及び化合物熱
分解促進剤は、必要に応じて、１種類で用いても、他種
類を混合して用いても良い。

【００９３】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などの添加物質を加えても良い。好ま
しいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリ
ビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロー
ス、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウ
レタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネー
ト、ポリオレフィンなどが挙げられる。

【００９４】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。

【００９５】ここで、記録層における一般式（１）で示
される化合物の含有量は、３０％以上、好ましくは６０
％以上である。尚、実質的に１００％であることも好ま
しい。

【００９６】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。

【００９７】スピンコート法などの塗布法を用いる場合
には、一般式（１）で示される化合物を１〜４０重量
％、好ましくは３〜３０重量％となるように溶媒に溶解
あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は
基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。
例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、ジアセトンアルコール、オクタフルオロペンタノ
ール、アリルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ、テトラフルオロプロパノールなどのアルコー
ル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シ
クロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘ
キサン、ジメチルシクロヘキサンなどの脂肪族または脂
環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンな
どの芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホル
ム、テトラクロロエタン、ジブロモエタンなどのハロゲ
ン化炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエー
テル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサンなどのエー
テル系溶媒、アセトン、３−ヒドロキシ−３−メチル−
２−ブタノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メ
チルなどのエステル系溶媒、水などが挙げられる。これ
らは単独で用いても良く、あるいは、複数混合しても良
い。

【００９８】なお、必要に応じて、記録層の化合物を高
分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。

【００９９】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。

【０１００】記録層の膜厚は、３０ｎｍ〜１０００ｎｍ
であるが、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。記
録層の膜厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きい
ため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号
振幅が小さくなる。また、膜厚が３００ｎｍより厚い場
合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化する。

【０１０１】次に記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜
３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射率を高める
ためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に
反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材
料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例
えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、Ｔａ、ＣｒおよびＰｄの金属を単独あるいは合金に
して用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、
Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。こ
れ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍ
ｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属お
よび半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分
とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため
好適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以
上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈
折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層と
して用いることも可能である。

【０１０２】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。

【０１０３】さらに、反射層の上に形成する保護層の材
料としては反射層を外力から保護するものであれば特に
限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙
げることができる。また、無機物質としては、Ｓｉ
Ｏ₂、ＳｉＯ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＭｇＦ₂、ＡｌＮ、ＳｎＯ₂な
どが挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適
当な溶媒に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによ
って形成することができる。紫外線硬化性樹脂はそのま
まもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後に
この塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させること
によって形成することができる。紫外線硬化性樹脂とし
ては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリ
レート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート
樹脂を用いることができる。これらの材料は単独である
いは混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にし
て用いても良い。

【０１０４】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。

【０１０５】保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１
００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜
３０μｍであり、より好ましくは、５μｍ〜２０μｍで
ある。

【０１０６】保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を
行うこともできる。

【０１０７】また、反射層面に保護シートまたは基板を
貼り合わせる、あるいは反射層面を内側として相互に対
向させて光記録媒体２枚を貼り合わせる、などの手段を
用いても良い。

【０１０８】基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防
止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜して
も良い。

【０１０９】ここで、本発明で言う波長４００ｎｍ〜５
００ｎｍのレーザーは、特に制限はないが、例えば、可
視光領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波
長４４５ｎｍのヘリウムカドミウムレーザー、波長４８
８ｎｍのアルゴンレーザー、波長約３９０〜４１０ｎｍ
のＧａＮ系半導体レーザー、波長約８５０〜８６０ｎｍ
の赤外線レーザーの第２高調波約４２５〜４３０ｎｍを
発振する半導体レーザーなどがあげられる。本発明で
は、これらから選択される１波長または複数波長におい
て高密度記録および再生が可能となる。

【０１１０】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。

【０１１１】実施例１ 一般式（１）で表される化合物のうち、化合物（１−
１）０．２ｇをジアセトンアルコール１０ｍｌに溶解
し、化合物溶液を調製した。

【０１１２】ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝
（トラックピッチ：０．７μｍ）を有する外径１２０ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状の基板上に、この化合物溶
液を回転数２０００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃で
３時間乾燥して記録層を形成した。

【０１１３】この記録層の上に島津製作所製スパッタ装
置を用いてＡｕをスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層
を形成した。スパッタガスには、アルゴンガスを用い
た。スパッタ条件は、スパッタパワー０．５Ａ、スパッ
タガス圧１．０×１０^-3ｔｏｒｒで行った。

【０１１４】さらに、反射層の上に、紫外線硬化樹脂Ｓ
Ｄ−３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコート
した後、前記基板と同様な案内溝のない基板をのせ、紫
外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製し
た。

【０１１５】以上のようにして記録層が形成された光記
録媒体について、以下のようにピットの書き込みを行っ
た。

【０１１６】４３０ｎｍの青色高調波変換レーザーヘッ
ド（ＮＡ＝０．６５）を搭載したパルステック工業製光
ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯ
ＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、最短ピットが０．
４μｍのＥＦＭ変調信号を、線速度５．６ｍ／ｓ、レー
ザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、同評価装置を
用いてレーザー出力を０．５ｍＷにして信号を再生し
た。なお、再生の際はイコライゼーション処理を施し
た。

【０１１７】反射率、エラーレート及びジッターを測定
した結果、反射率４９％、エラーレート９ｃｐｓ、ジッ
ター９．１％であり、良好な値を示した。

【０１１８】また、この記録した媒体について、加速劣
化試験（湿度８５％ＲＨ、８０℃で１００時間）を行
い、試験後の反射率、エラーレート及びジッターを測定
した結果、初期値よりの反射率変化０％、エラーレート
変化０ｃｐｓ、ジッター変化０．２％と変化は小さく、
優れた耐久性を有することが確認された。

【０１１９】実施例２〜５ 記録層に化合物（１−２）〜（１−５）を用いること以
外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピット
を書き込んで記録した後、信号再生を行った。いずれの
場合も、初期の反射率４０％以上、エラーレート１０ｃ
ｐｓ以下、ジッター１０％以下と良好な値を示した。

【０１２０】また、加速劣化試験後の反射率の変化は１
％以下、エラーレートの変化は１ｃｐｓ以下、ジッター
の変化は１％以下と小さく、優れた耐久性を有すること
が確認された。

【０１２１】表−２に実施例１〜５における加速劣化試
験前後の反射率、エラーレート及びジッター値を示し
た。

【０１２２】

【表７】

【０１２３】実施例６〜１６ 記録層に化合物（１−６）〜（１−１６）を用いること
以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピッ
トを書き込んで記録した後、信号再生を行った。いずれ
の場合も、反射率４０％以上、エラーレート１１ｃｐｓ
以下、ジッター１０％以下と良好な値を示した。

【０１２４】また、加速劣化試験後の反射率の変化は２
％以下、エラーレートの変化は２ｃｐｓ以下、ジッター
の変化は１％以下と小さく、優れた耐久性を有すること
が確認された。

【０１２５】実施例１７ 実施例（１）で用いた化合物（１−１）０．２ｇの代わ
りに、化合物（１−１７）０．２ｇを用いた以外は実施
例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピットを書き込
んで記録した後、信号再生を行った。その結果、反射率
４８％、エラーレート９ｃｐｓ、ジッター９．１％と良
好な値を示した。

【０１２６】また、加速劣化試験後の反射率の変化は０
％、エラーレートの変化は０ｃｐｓ、ジッターの変化は
０．３％と小さく、優れた耐久性を有することが確認さ
れた。

【０１２７】実施例１８〜３２ 記録層に化合物（１−１８）〜（１−３２）を用いるこ
と以外は実施例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピ
ットを書き込んで記録した後、信号再生を行った。いず
れの場合も、初期の反射率４０％以上、エラーレート１
１ｃｐｓ以下、ジッター１０％以下と良好な値を示し
た。

【０１２８】また、加速劣化試験後の反射率の変化は２
％以下、エラーレートの変化は２ｃｐｓ以下、ジッター
の変化は１％以下と小さく、優れた耐久性を有すること
が確認された。

【０１２９】実施例３３ 実施例（１）で用いた化合物（１−１）０．２ｇの代わ
りに、化合物（１−３３）０．２ｇを用いた以外は実施
例１と同様にして光記録媒体を作製し、ピットを書き込
んで記録した後、信号再生を行った。その結果、反射率
４８％、エラーレート９ｃｐｓ、ジッター９．０％と良
好な値を示した。

【０１３０】また、加速劣化試験後の反射率の変化は０
％、エラーレートの変化は０ｃｐｓ、ジッターの変化は
０．２％と小さく、優れた耐久性を有することが確認さ
れた。

【０１３１】実施例３４ 実施例（１）で用いた化合物（１−１）０．２ｇの代わ
りに、化合物（１−１７）０．１ｇ、化合物（１−３
３）０．１ｇを用いた以外は実施例１と同様にして光記
録媒体を作製し、ピットを書き込んで記録した後、信号
再生を行った。その結果、反射率４８％、エラーレート
９ｃｐｓ、ジッター９．１％と良好な値を示した。

【０１３２】また、加速劣化試験後の反射率の変化は０
％、エラーレートの変化は０ｃｐｓ、ジッターの変化は
０．３％と小さく、優れた耐久性を有することが確認さ
れた。

【０１３３】実施例１〜３４に記載されるように、本発
明の光記録媒体は、いずれも高反射率を有し、記録特性
および耐久性に優れている。

【０１３４】このことから、本発明で規定する構造の化
合物を含有する記録層は、波長４００〜５００ｎｍから
選択されるレーザー光による信号記録が可能であり、本
発明の光記録媒体は波長４００〜５００ｎｍから選択さ
れるレーザー光を記録再生に用いる光記録媒体に用いる
ことができる。

【０１３５】比較例１ 化合物（１−１）の代わりに、式（ａ）

【０１３６】

【化１６】

【０１３７】を用いた以外は、実施例１と同様にして、
光記録媒体を作成し、ピットの書き込みを行い、続いて
加速劣化試験を行った。その結果、記録層が褪色して再
生不能となり、この媒体は保存安定性に欠くことが判明
した。

【０１３８】比較例２ 化合物（１−１）の代わりに、式（ｂ）

【０１３９】

【化１７】

【０１４０】を用いた以外は、実施例１と同様にして、
光記録媒体を作成した。この媒体の記録層には、結晶析
出が認められ、ピットの書き込みができず、記録不能で
あり、再生も不能であった。

【０１４１】

【発明の効果】本発明によれば、一般式（１）で示され
る化合物を記録層として用いることにより、高密度光記
録媒体として非常に注目されている波長４００ｎｍ〜５
００ｎｍのレーザーで記録および再生が可能な追記型光
記録媒体を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す
断面構造図である。

【図２】本発明に係る光記録媒体の層構成の一例を示す
断面構造図である。

【符号の説明】

１：基板 ２：記録層 ３：反射層 ４：保護層 ５：接着層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｄ 277/66 Ｃ０７Ｄ 277/66 ５Ｄ０２９ 405/04 405/04 413/04 413/04 413/10 413/10 513/04 ３０１ 513/04 ３０１ (72)発明者 塚原 宇 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 西本 泰三 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 化学株式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA22 EA25 EA32 EA43 FA01 FA12 4C050 AA01 AA07 BB01 CC02 EE03 FF01 GG01 HH02 HH04 4C056 AA01 AB01 AC02 AD03 AE03 CA06 CA09 CC01 CD01 4C063 AA01 BB01 BB02 BB06 CC52 CC75 DD04 DD07 DD26 DD52 EE10 4C072 AA01 AA07 BB02 BB07 CC01 CC12 CC16 EE13 FF15 GG01 HH02 5D029 JA04 JC17

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に少なくとも記録層および反射層
   を有する光記録媒体において、記録層中に一般式（１）
   で示される化合物を含有する光記録媒体。 【化１】 ｛式中、置換基Ｘはそれぞれ独立に、無置換の、または
   ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、置換または
   無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、アル
   ケニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリー
   ルオキシ基、アルケニルオキシ基、アルキルチオ基、ア
   ラルキルチオ基、アリールチオ基、アルケニルチオ基、
   モノ置換アミノ基、ジ置換アミノ基、アシル基、アルコ
   キシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、ア
   リールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニ
   ル基、モノ置換アミノカルボニル基、ジ置換アミノカル
   ボニル基、アシルオキシ基、アルキルスルホニル基、ア
   リールスルホニル基または複素環基で置換したアリール
   基、ヘテロアリール基を表し、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴は、
   それぞれ独立に、または、互いに連結して環を形成して
   も良く、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シ
   アノ基、置換または無置換のアルキル基、アラルキル
   基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、アラル
   キルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ
   基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ
   基、アルケニルチオ基、モノ置換アミノ基、ジ置換アミ
   ノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキル
   オキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ア
   ルケニルオキシカルボニル基、モノ置換アミノカルボニ
   ル基、ジ置換アミノカルボニル基、アシルオキシ基、ア
   ルキルスルホニル基、アリールスルホニル基または複素
   環基を表し、Ｚはそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子ま
   たは式（２） 【化２】 〔式中、置換基Ｙはそれぞれ独立に、水素原子、置換ま
   たは無置換のアルキル基、アラルキル基、アリール基、
   アルケニル基を表す。〕で示される置換または無置換の
   イミノ基を表す。ただし、一般式（１）が一般式（３） 【化３】 〔式中、Ｚ、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴は式（１）のＺ、
   Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³、Ｌ⁴と同一の意味を表す。Ｑ¹、Ｑ²、Ｑ
   ³、Ｑ⁴はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒ
   ドロキシル基、シアノ基、置換または無置換のアルキル
   基、アラルキル基、アリール基、アルケニル基、アルコ
   キシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アル
   ケニルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、
   アリールチオ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルア
   ミノ基、モノアラルキルアミノ基、ジアラルキルアミノ
   基、モノアリールアミノ基、ジアリールアミノ基、モノ
   アルケニルアミノ基、ジアルケニルアミノ基、アシル
   基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボ
   ニル基、アリールオキシカルボニル基、アルケニルオキ
   シカルボニル基、モノアルキルアミノカルボニル基、ジ
   アルキルアミノカルボニル基または複素環基を表し、Ｒ
   は下記の意味 【化４】 （式中、置換基Ｒ¹、Ｒ²はそれぞれ独立に、または、Ｒ
   ¹とＲ²は互いに連結して環を形成しても良く、水素原
   子、置換または無置換のアルキル基、アラルキル基、ア
   リール基またはアルケニル基であるが、Ｒ¹とＲ²が同時
   に水素原子となることはない。Ｑ⁵、Ｑ⁶、Ｑ⁷、Ｑ⁸はそ
   れぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル
   基、シアノ基、置換または無置換のアルキル基、アラル
   キル基、アリール基、アルケニル基、アルコキシ基、ア
   ラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキ
   シ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチ
   オ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、モ
   ノアラルキルアミノ基、ジアラルキルアミノ基、モノア
   リールアミノ基、ジアリールアミノ基、モノアルケニル
   アミノ基、ジアルケニルアミノ基、アシル基、アルコキ
   シカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリ
   ールオキシカルボニル基、アルケニルオキシカルボニル
   基、モノアルキルアミノカルボニル基、ジアルキルアミ
   ノカルボニル基または複素環基を表し、置換基Ａは炭素
   数２０以下の置換または無置換のアリール基またはヘテ
   ロアリール基を表す。）を示す〕のときは、Ｑ¹、Ｑ²、
   Ｑ³、Ｑ⁴の少なくとも１つはヒドロキシル基である。｝
2. 【請求項２】 波長４００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲から
   選択されるレーザー光に対して記録および再生が可能で
   ある請求項１の光記録媒体。