JP2001028291A - Hot plate and conductor paste - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック基板を
使用したホットプレート及び導体ペーストに関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hot plate and a conductive paste using a ceramic substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、例えば感
光性樹脂塗布工程を経たシリコンウェハを加熱乾燥させ
る場合、セラミック基板を利用したホットプレートが近
年よく用いられるようになってきている。2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, for example, when a silicon wafer having undergone a photosensitive resin coating step is heated and dried, a hot plate using a ceramic substrate has been frequently used in recent years.
【0003】セラミック基板の片側面には導体層が所定
パターン状に形成され、その導体パターンの一部には端
子接続用パッドが形成される。このような導体パターン
は、特開平4−300249号公報にあるように導電性
の貴金属ペーストを基板上に印刷塗布した後、加熱して
焼き付けることで形成される。導体ペースト中には、通
常、1種類の貴金属粒子(例えば平均粒径5μm程度か
つ略球状の銀粒子)が含まれている。パッドには端子ピ
ンがはんだ付けされ、その端子ピンには配線を介して電
源が接続される。A conductor layer is formed in a predetermined pattern on one side of a ceramic substrate, and terminal connection pads are formed on a part of the conductor pattern. Such a conductive pattern is formed by printing and applying a conductive noble metal paste on a substrate as described in JP-A-4-300249, and then heating and baking the paste. The conductor paste usually contains one kind of noble metal particles (for example, silver particles having an average particle diameter of about 5 μm and a substantially spherical shape). Terminal pins are soldered to the pads, and a power supply is connected to the terminal pins via wiring.
【0004】そして、ホットプレートの上面側に被加熱
物であるシリコンウェハを載置し、この状態で通電を行
なうことにより、シリコンウェハが100℃〜800℃
に加熱されるようになっている。Then, a silicon wafer to be heated is placed on the upper surface side of the hot plate, and current is supplied in this state.
To be heated.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
貴金属ペーストを基板に印刷して焼き付けを行なった場
合、導体パターン中にボイドができやすく、剥離が生じ
やすかった。そのため、剥離しにくい導体パターンに対
する要請も強かった。However, when the above-mentioned conventional noble metal paste is printed on a substrate and baked, voids are easily formed in the conductor pattern and peeling is likely to occur. Therefore, there has been a strong demand for a conductor pattern that is difficult to peel.
【0006】また、導体パターンの発熱量を増やすた
め、比抵抗値を大きくする必要があった。本発明は上記
の課題に鑑みてなされたものであり、その第1の目的
は、剥離しにくい導体パターンを有するホットプレート
を提供することにある。本発明の第2の目的は、比抵抗
が大きくて剥離しにくい導体パターンを有するホットプ
レートを提供することにある。また、本発明の第3の目
的は、上記の優れたホットプレートの製造に好適な導体
ペーストを提供することにある。Further, in order to increase the heat generation of the conductor pattern, it is necessary to increase the specific resistance. The present invention has been made in view of the above problems, and a first object of the present invention is to provide a hot plate having a conductor pattern that is difficult to peel. A second object of the present invention is to provide a hot plate having a conductor pattern which has a large specific resistance and is difficult to peel off. A third object of the present invention is to provide a conductor paste suitable for producing the above-mentioned excellent hot plate.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項1に記載の発明では、 セラミック基板に
導体パターンを備えてなるホットプレートにおいて、前
記導体パターンは、略鱗片状の貴金属粒子からなること
を特徴とするホットプレートをその要旨とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a hot plate comprising a ceramic substrate and a conductive pattern, wherein the conductive pattern is substantially scaly noble metal. The gist is a hot plate characterized by being composed of particles.
【0008】請求項2に記載の発明は、請求項1におい
て、前記略鱗片状の貴金属粒子の平均粒径は6μm以下
であるとした。請求項3に記載の発明は、請求項1また
は2において、前記略鱗片状の貴金属粒子は、金粒子、
銀粒子、白金粒子及びパラジウム粒子のうちから選ばれ
る少なくとも1種であるとした。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the average particle diameter of the substantially scaly noble metal particles is 6 μm or less. The invention according to claim 3 is the method according to claim 1 or 2, wherein the substantially scaly noble metal particles are gold particles,
At least one selected from silver particles, platinum particles and palladium particles.
【0009】請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3
のいずれか1項において、前記略鱗片状の貴金属粒子に
おける長径と短径とのアスペクト比は1.5以上である
とした。The invention described in claim 4 is the first to third aspects of the present invention.
In any one of the above, the aspect ratio of the major axis to the minor axis of the substantially scaly noble metal particles is 1.5 or more.
【0010】請求項5に記載の発明では、セラミック基
板に導体パターンを備えてなるホットプレートにおい
て、前記導体パターンは、略粒状の貴金属粒子及び略鱗
片状の貴金属粒子からなることを特徴とするホットプレ
ートをその要旨とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the hot plate comprising a ceramic substrate provided with a conductor pattern, the conductor pattern is formed of substantially granular noble metal particles and substantially scaly noble metal particles. Make the plate an abstract.
【0011】請求項6に記載の発明は、請求項5におい
て、前記略粒状の貴金属粒子の平均粒径は3μm以下で
あり、前記略鱗片状の貴金属粒子は平均粒径が6μm以
下であるとした。According to a sixth aspect of the present invention, in the fifth aspect, the average particle diameter of the substantially granular noble metal particles is 3 μm or less, and the average particle diameter of the substantially scaly noble metal particles is 6 μm or less. did.
【0012】請求項7に記載の発明は、請求項5または
6において、前記略鱗片状の貴金属粒子は、平均粒径の
異なる2種以上のものからなるとした。請求項8に記載
の発明は、請求項5乃至7のいずれか1項において、前
記導体パターン中において、前記略鱗片状の貴金属粒子
は、前記略粒状の貴金属粒子の5倍〜25倍含まれると
した。The invention according to claim 7 is based on claim 5 or 6, wherein the substantially scaly noble metal particles are composed of two or more kinds of particles having different average particle diameters. According to an eighth aspect of the present invention, in the conductive pattern according to any one of the fifth to seventh aspects, the substantially scaly noble metal particles are contained 5 to 25 times as large as the substantially granular noble metal particles. And
【0013】請求項9に記載の発明では、略鱗片状の貴
金属粒子、酸化物及び有機ビヒクルからなる導電ペース
トをその要旨とする。請求項10に記載の発明では、略
粒状の貴金属粒子、略鱗片状の貴金属粒子、酸化物及び
有機ビヒクルからなる導電ペーストをその要旨とする。The gist of the invention according to the ninth aspect is a conductive paste composed of substantially scaly noble metal particles, an oxide and an organic vehicle. The gist of the invention according to claim 10 is a conductive paste composed of substantially granular noble metal particles, substantially scaly noble metal particles, an oxide, and an organic vehicle.
【0014】請求項11に記載の発明は、請求項9また
は10において、前記略鱗片状の貴金属粒子は、金粒
子、銀粒子、白金粒子及びパラジウム粒子のうちから選
ばれる少なくとも1種であるとした。According to an eleventh aspect of the present invention, in the ninth or tenth aspect, the substantially scaly noble metal particles are at least one selected from gold particles, silver particles, platinum particles, and palladium particles. did.
【0015】請求項12に記載の発明は、請求項9乃至
11のいずれか1項において、前記略鱗片状の貴金属粒
子は、平均粒径の異なる2種以上のものからなるとし
た。請求項13に記載の発明は、請求項10乃至12の
いずれか1項において、前記略鱗片状の貴金属粒子は、
前記略粒状の貴金属粒子の5倍〜25倍含まれるとし
た。According to a twelfth aspect of the present invention, in any one of the ninth to eleventh aspects, the substantially scaly noble metal particles comprise two or more kinds of particles having different average particle diameters. The invention according to claim 13 is the method according to any one of claims 10 to 12, wherein the substantially scaly noble metal particles are:
It is assumed that it is contained 5 to 25 times the substantially granular noble metal particles.
【0016】請求項14に記載の発明は、請求項10乃
至13のいずれか1項において、前記略粒状の貴金属粒
子の平均粒径は3μm以下であり、前記略鱗片状の貴金
属粒子は平均粒径が6μm以下であるとした。According to a fourteenth aspect of the present invention, in any one of the tenth to thirteenth aspects, the substantially granular noble metal particles have an average particle size of 3 μm or less, and the substantially scaly noble metal particles have an average particle size of 3 μm or less. The diameter was assumed to be 6 μm or less.
【0017】以下、本発明の「作用」について説明す
る。請求項1,9に記載の発明によると、略球状の貴金
属粒子のみからなる従来の導体パターンに比べ、粒子同
士が面接触になりやすく焼き付け後に貴金属粒子が密に
詰まった状態になりやすい。それに対して球状の貴金属
粒子の場合には点接触になるため、導体パターンにボイ
ドが生じやすくなる。このように本発明においては、導
体パターンにおけるボイド率が確実に減少し、各粒子間
の接合面積が大きくなる。この結果、導体パターンに十
分な引っ張り強度が確保され、剥離しにくい導体パター
ンを得ることができる。Hereinafter, the "action" of the present invention will be described. According to the first and ninth aspects of the present invention, the particles are more likely to come into surface contact with each other, and the noble metal particles are more likely to be densely packed after baking, as compared with a conventional conductor pattern including only substantially spherical noble metal particles. On the other hand, in the case of spherical noble metal particles, point contact occurs, so that voids are easily generated in the conductor pattern. As described above, in the present invention, the void ratio in the conductor pattern is reliably reduced, and the bonding area between the particles is increased. As a result, a sufficient tensile strength is secured for the conductor pattern, and a conductor pattern that is difficult to peel off can be obtained.
【0018】請求項2に記載の発明によると、略鱗片状
の貴金属粒子の平均粒径を6μm以下という好適範囲に
設定することにより、ボイド率の低減及び引っ張り強度
の向上をより確実に達成することができる。特に6μm
を越えると導体層(抵抗体)の厚さのばらつきが大きく
なり(面粗度Raが大きくなり)、抵抗値にばらつきが
発生しやすくなる。According to the second aspect of the present invention, by setting the average particle size of the substantially scaly noble metal particles to a preferable range of 6 μm or less, reduction of the void ratio and improvement of the tensile strength can be more reliably achieved. be able to. Especially 6 μm
When the value exceeds the above, the thickness variation of the conductor layer (resistor) becomes large (the surface roughness Ra becomes large), and the resistance value tends to vary.
【0019】請求項3,11に記載の発明によると、こ
れらの金属粒子は高温に晒されても比較的酸化しにく
く、しかも充分大きな抵抗値を示すため、発熱のための
抵抗体として好適な導体パターンを容易に得ることがで
きる。According to the third and eleventh aspects of the present invention, these metal particles are relatively unlikely to be oxidized even when exposed to a high temperature, and exhibit a sufficiently large resistance value, so that they are suitable as a resistor for generating heat. A conductor pattern can be easily obtained.
【0020】請求項4に記載の発明によると、長径と厚
さとのアスペクト比(長さ/厚さ)が1.5以上である
と、粒子同士が面接触になりやすく、逆に、アスペクト
比が1.5未満であると、粒子同士が点接触となり、ボ
イド率の低減及び引っ張り強度の向上を十分に達成でき
なくなるおそれがある。According to the fourth aspect of the present invention, when the aspect ratio (length / thickness) between the major axis and the thickness is 1.5 or more, the particles are likely to come into surface contact with each other. Is less than 1.5, the particles come into point contact with each other, and it may not be possible to sufficiently reduce the void ratio and improve the tensile strength.
【0021】請求項5,10に記載の発明によると、略
球状の貴金属粒子のみからなる従来の導体パターンに比
べ、焼き付け後に貴金属粒子が密に詰まった状態になり
やすい。ゆえに、導体パターンにおけるボイド率が減少
する。一方、略粒状の貴金属粒子を使用しているため、
粒子同士が完全に面接触にならず、一定の抵抗値が得ら
れる。このため、剥離しにくく、抵抗値の高い抵抗体を
得ることができる。また、緻密になりやすいため抵抗値
のばらつきもなく、加熱面の温度均一性も高い。According to the fifth and tenth aspects of the present invention, the noble metal particles tend to be densely packed after baking, as compared with the conventional conductor pattern including only substantially spherical noble metal particles. Therefore, the void ratio in the conductor pattern decreases. On the other hand, since almost noble metal particles are used,
The particles do not completely come into surface contact, and a constant resistance value is obtained. For this reason, it is difficult to peel off, and a resistor having a high resistance value can be obtained. In addition, since it is easy to be dense, there is no variation in resistance value, and the temperature uniformity of the heated surface is high.
【0022】粒状粒子の形状としては、球状、微結晶
状、破砕粒子状などがある。これらの中では、特に球状
が最適である。粒子径を制御しやすく、抵抗値の再現性
に優れるからである。Examples of the shape of the granular particles include spherical, microcrystalline, and crushed particles. Among these, a spherical shape is particularly optimal. This is because the particle diameter is easily controlled and the reproducibility of the resistance value is excellent.
【0023】請求項6,14に記載の発明によると、略
粒状の貴金属粒子の平均粒径及び略鱗片状の貴金属粒子
の平均粒径を好適範囲に設定しておくことにより、ボイ
ド率の低減及び引っ張り強度の向上、抵抗値の向上をよ
り確実に達成することができる。According to the present invention, the average particle diameter of the substantially granular noble metal particles and the average particle diameter of the substantially scaly noble metal particles are set in a suitable range, thereby reducing the void ratio. In addition, it is possible to more reliably achieve improvement in tensile strength and resistance value.
【0024】請求項7,12に記載の発明によると、略
鱗片状の貴金属粒子を平均粒径の異なる2種以上のもの
からなるとすれば、導体パターンにおけるボイド率をい
っそう減少させることができる。従って、剥離しにくい
導体パターンを確実に得ることができる。According to the seventh and twelfth aspects of the invention, if the substantially scaly noble metal particles are made of two or more kinds having different average particle diameters, the void ratio in the conductor pattern can be further reduced. Therefore, it is possible to reliably obtain a conductor pattern that is difficult to peel.
【0025】請求項8,13に記載の発明によると、略
鱗片状の貴金属粒子の含有比を上記の好適範囲内に設定
することにより、導体パターンにおけるボイド率をより
いっそう減少させることができる。従って、剥離しにく
い導体パターンをより確実に得ることができる。略鱗片
状の貴金属粒子の略粒状の貴金属粒子に対する含有比が
5倍未満であると、略粒状の貴金属粒子が相対的に多く
なる結果、ボイド率を充分に低減しにくくなる。また、
前記含有比が25倍を超えると、逆に略鱗片状の貴金属
粒子が相対的に多くなる結果、抵抗値が小さくなりすぎ
るおそれがある。According to the eighth and thirteenth aspects of the present invention, the void ratio in the conductor pattern can be further reduced by setting the content ratio of the substantially scaly noble metal particles within the above-mentioned preferred range. Therefore, it is possible to more reliably obtain a conductor pattern that is difficult to peel. When the content ratio of the substantially scaly noble metal particles to the substantially granular noble metal particles is less than 5 times, the number of the substantially granular noble metal particles relatively increases, so that it is difficult to sufficiently reduce the void ratio. Also,
If the content ratio exceeds 25 times, on the contrary, the number of substantially flaky noble metal particles relatively increases, so that the resistance value may be too small.
【0026】[0026]
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
形態のホットプレートユニット1を図1〜図5に基づき
詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A hot plate unit 1 according to one embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to FIGS.
【0027】図1に示されるホットプレートユニット1
は、ケーシング2及びホットプレート3を主要な構成要
素として備えている。ケーシング2は有底状の金属製部
材であって、断面円形状の開口部4をその上部側に備え
ている。なお、ケーシング2は有底状のものに限定され
ず、底無し状のものであってもよい。当該開口部4には
環状のシールリング14を介してホットプレート3が取
り付けられる。ケーシング2の底部2aの外周部には電
流供給用のリード線6を挿通するためのリード線引出用
孔7が形成され、各リード線6はそこからケーシング2
の外部に引き出されている。Hot plate unit 1 shown in FIG.
Has a casing 2 and a hot plate 3 as main components. The casing 2 is a metal member having a bottom and has an opening 4 having a circular cross section on an upper side thereof. The casing 2 is not limited to a bottomed one, and may be a bottomless one. The hot plate 3 is attached to the opening 4 via an annular seal ring 14. On the outer periphery of the bottom portion 2a of the casing 2, there are formed lead wire drawing holes 7 for inserting lead wires 6 for supplying current, and each lead wire 6 is connected to the casing 2 from there.
Has been pulled out to the outside.
【0028】セラミック基板9からなる本実施形態のホ
ットプレート3は、感光性樹脂が塗布されたシリコンウ
ェハW1を50℃〜300℃にて乾燥させるための低温
用ホットプレート3である。なお、このホットプレート
ユニット1は、300℃〜800℃の使用温度領域を有
する。The hot plate 3 of the present embodiment comprising the ceramic substrate 9 is a low-temperature hot plate 3 for drying the silicon wafer W1 coated with the photosensitive resin at 50 to 300 ° C. The hot plate unit 1 has a working temperature range of 300 ° C to 800 ° C.
【0029】前記セラミック基板9としては、耐熱性に
優れかつ熱伝導率が高いという性質を有する窒化物セラ
ミック基板を選択することがよく、具体的には窒化アル
ミニウム基板、窒化珪素基板、窒化ホウ素基板、窒化チ
タン基板等を選択することがよい。これらの中でも、特
に窒化アルミニウム基板を選択することが望ましく、次
いで窒化珪素基板を選択することが望ましい。その理由
は、これらのものは熱伝導率が高い部類に属するからで
ある。また、窒化物セラミック以外に、酸化物セラミッ
クや炭化物セラミックを基板材料として使用することが
できる。特に炭化物セラミックは、熱伝導率が高く有利
である。炭化物セラミックとしては、炭化珪素、炭化硼
素、炭化チタンなどを使用することができる。As the ceramic substrate 9, a nitride ceramic substrate having excellent heat resistance and high thermal conductivity is preferably selected. Specifically, an aluminum nitride substrate, a silicon nitride substrate, a boron nitride substrate It is preferable to select a titanium nitride substrate or the like. Among these, it is particularly desirable to select an aluminum nitride substrate, and then it is desirable to select a silicon nitride substrate. The reason is that these belong to the class of high thermal conductivity. Further, in addition to the nitride ceramic, an oxide ceramic or a carbide ceramic can be used as a substrate material. In particular, carbide ceramics are advantageous because of their high thermal conductivity. Silicon carbide, boron carbide, titanium carbide, or the like can be used as the carbide ceramic.
【0030】本実施形態のセラミック基板9は、円盤状
をした厚さ約1mm〜25mm程度の板状物であって、
ケーシング2の外形寸法より若干小径となるように設計
されている。The ceramic substrate 9 of this embodiment is a disk-shaped plate having a thickness of about 1 mm to about 25 mm.
It is designed to have a slightly smaller diameter than the outer dimensions of the casing 2.
【0031】図1,図2に示されるように、窒化アルミ
ニウム等からなるセラミック基板9の下面側には、導体
パターンとしての配線抵抗10が同心円状ないし渦巻き
状に形成されている。配線抵抗10の端部にはパッド1
0aが形成されている。なお、配線抵抗10及びパッド
10aは、セラミック基板9の表面に導電性の貴金属ペ
ースト(導体ペーストと同義、抵抗体を形成する抵抗体
ペーストとなる。以下実施の形態では貴金属ペーストと
表記する)P1 を印刷した後、それを加熱して焼き付け
たものである。なお、本実施形態のホットプレート3で
は、導体パターン形成層の反対側、即ち上面側をシリコ
ンウェハW1の加熱面としている。このような構成の利
点は、ホットプレート3に温度ムラが生じにくくなり、
シリコンウェハW1を均一に加熱できるようになること
である。As shown in FIGS. 1 and 2, a wiring resistor 10 as a conductor pattern is formed concentrically or spirally on the lower surface of a ceramic substrate 9 made of aluminum nitride or the like. Pad 1 is located at the end of wiring resistance 10.
0a is formed. The wiring resistor 10 and the pad 10a are formed on the surface of the ceramic substrate 9 with a conductive noble metal paste (same as a conductor paste, which is a resistor paste for forming a resistor; hereinafter, referred to as a noble metal paste) P1. Is printed and then heated and baked. In the hot plate 3 of the present embodiment, the opposite side of the conductor pattern forming layer, that is, the upper surface side is the heating surface of the silicon wafer W1. The advantage of such a configuration is that temperature unevenness is less likely to occur in the hot plate 3,
This means that the silicon wafer W1 can be uniformly heated.
【0032】貴金属ペーストP1に由来する本実施形態
の配線抵抗10及びパッド10aは、1種の貴金属粒子
G2のみ(具体的には鱗片状の貴金属粒子G2のみ)を
主成分として含み、さらにガラスフリット等の副成分を
含んでいる。図3には、鱗片状の貴金属粒子G2の様子
が概念的に示されている。ガラスフリットの量は、貴金
属粒子G2の量に比べて極めて少ない。よって、図示及
び説明の便宜上、同図にてガラスフリットはあえて省略
されている。The wiring resistance 10 and the pad 10a of the present embodiment derived from the noble metal paste P1 contain only one kind of noble metal particles G2 (specifically, only flaky noble metal particles G2) as a main component, and further have a glass frit. Etc. are included. FIG. 3 conceptually shows a state of the scale-like noble metal particles G2. The amount of the glass frit is extremely smaller than the amount of the noble metal particles G2. Therefore, for convenience of illustration and description, the glass frit is intentionally omitted in FIG.
【0033】この場合、鱗片状の貴金属粒子G2は平均
粒径が6μm以下であることがよく、特には3μm〜5
μm程度であることがよい。平均粒径を上記好適範囲に
設定することにより、ボイド率の低減及び引っ張り強度
の向上をより確実に達成することができるからである。In this case, the flaky noble metal particles G2 preferably have an average particle diameter of 6 μm or less, and particularly preferably 3 μm to 5 μm.
It is preferable that it is about μm. By setting the average particle size in the above-described preferred range, it is possible to more reliably achieve the reduction of the void ratio and the improvement of the tensile strength.
【0034】鱗片状の貴金属粒子G2は、金粒子(Au
粒子)、銀粒子(Ag粒子)、白金粒子(Pt粒子)及
びパラジウム粒子(Pd粒子)のうちから選ばれる少な
くとも1種であることが好ましい。これらの貴金属は高
温に晒されても比較的酸化しにくく、通電により発熱さ
せるにあたって充分大きな抵抗値を示すからである。勿
論、これらの貴金属は、単独で用いられてもよいほか、
2種、3種または4種を下記のごとく組み合わせて用い
てもよい。即ち、Ag−Au,Ag−Pt,Ag−P
d,Au−Pt,Au−Pd,Pt−Pd,Ag−Au
−Pt,Ag−Au−Pd,Au−Pt−Pd,Ag−
Au−Pt−Pd、の組み合わせにして用いてもよい。The scaly noble metal particles G2 are made of gold particles (Au).
Particles), silver particles (Ag particles), platinum particles (Pt particles), and palladium particles (Pd particles). This is because these noble metals are relatively unlikely to be oxidized even when exposed to a high temperature, and exhibit a sufficiently large resistance value when generating heat by energization. Of course, these precious metals may be used alone,
Two, three or four types may be used in combination as described below. That is, Ag-Au, Ag-Pt, Ag-P
d, Au-Pt, Au-Pd, Pt-Pd, Ag-Au
-Pt, Ag-Au-Pd, Au-Pt-Pd, Ag-
Au-Pt-Pd.
【0035】本実施形態において、鱗片状の貴金属粒子
G2とは、少なくとも貴金属粒子G1のような球状を呈
していない板状または棒状の粒子であって、長径と短径
との比、言い換えれば長径と厚さとのアスペクト比が
1.5以上のものが望ましい。ちなみに、本実施形態に
おいて球状の貴金属粒子G1とは、アスペクト比が1.
0〜1.5(ただし1.5は含まない)程度のものが望
ましい。粒状粒子としては、例えば球状、微結晶状、樹
枝状等がある。なお、アスペクト比については、上記範
囲内の値に限定されるものではない。本発明の効果を損
なわない範囲であれば、鱗片状粒子や粒状粒子等を選択
することも許容されうる。In the present embodiment, the scaly noble metal particles G2 are plate-like or rod-like particles which do not exhibit a spherical shape, such as at least the noble metal particles G1, and have a ratio of the major axis to the minor axis, in other words, the major axis. It is desirable that the aspect ratio between the thickness and the thickness be 1.5 or more. Incidentally, in the present embodiment, the spherical noble metal particles G1 have an aspect ratio of 1.
It is preferably about 0 to 1.5 (but not including 1.5). Examples of the granular particles include a spherical shape, a microcrystalline shape, and a dendritic shape. The aspect ratio is not limited to a value within the above range. As long as the effects of the present invention are not impaired, it is acceptable to select scaly particles or granular particles.
【0036】鱗片状の貴金属粒子G2のアスペクト比が
1.5以上であると、アスペクト比が1.0に近い球状
のものと形状的に差がつきやすくなる。この結果、粒子
形状による効果が期待できるようになり、ボイド率の低
減及び引っ張り強度の向上を十分に達成できるからであ
る。When the aspect ratio of the scaly noble metal particles G2 is 1.5 or more, the shape tends to be different from the spherical one having an aspect ratio close to 1.0. As a result, the effect of the particle shape can be expected, and the reduction of the void ratio and the improvement of the tensile strength can be sufficiently achieved.
【0037】また、本実施形態の配線抵抗10及びパッ
ド10aは、形状の異なる複数種の貴金属粒子G1,G
2を主成分として含み、さらにガラスフリット等の副成
分を含んでいるものであってもよい。より具体的にいう
と、配線抵抗10等は、前記鱗片状の貴金属粒子G2の
みならず粒状の貴金属粒子G1(つまり2種の貴金属粒
子G1,G2)を含んで構成されている。図4には、こ
れら貴金属粒子G1,G2の様子が概念的に示されてい
る。ガラスフリットの量は、貴金属粒子G1,G2の量
に比べて極めて少ない。よって、図示及び説明の便宜
上、同図にてガラスフリットはあえて省略されている。The wiring resistance 10 and the pad 10a of the present embodiment are formed of a plurality of types of noble metal particles G1, G2 having different shapes.
2 as a main component, and may further include a sub-component such as a glass frit. More specifically, the wiring resistance 10 and the like include not only the flaky noble metal particles G2 but also the granular noble metal particles G1 (that is, two kinds of noble metal particles G1 and G2). FIG. 4 conceptually shows the appearance of these noble metal particles G1 and G2. The amount of the glass frit is extremely smaller than the amounts of the noble metal particles G1 and G2. Therefore, for convenience of illustration and description, the glass frit is intentionally omitted in FIG.
【0038】この場合、粒状の貴金属粒子G1は平均粒
径が3μm以下であることがよく、特には0.5μm〜
2μm程度であることがよい。鱗片状の貴金属粒子G2
は平均粒径が6μm以下であることがよく、特には3μ
m〜5μm程度であることがよい。また、鱗片状の貴金
属粒子G2は、平均粒径の異なる2種以上のものからな
るもの1あってもよい。In this case, the granular noble metal particles G1 preferably have an average particle size of 3 μm or less, and more preferably 0.5 μm to
The thickness is preferably about 2 μm. Scale-like noble metal particles G2
Preferably has an average particle size of 6 μm or less, particularly 3 μm.
m to 5 μm. The flaky noble metal particles G2 may be one composed of two or more kinds having different average particle diameters.
【0039】配線抵抗10及びパッド10a中におい
て、鱗片状の貴金属粒子G2は粒状の貴金属粒子G1よ
りも多く含まれている。より具体的にいうと、鱗片状の
貴金属粒子G2は、粒状の貴金属粒子G1の5倍〜25
倍含まれることがよく、特には6倍〜20倍含まれてい
ることがよい。In the wiring resistance 10 and the pad 10a, the scale-like noble metal particles G2 are contained more than the granular noble metal particles G1. More specifically, the scale-shaped noble metal particles G2 are 5 to 25 times larger than the granular noble metal particles G1.
It is often contained twice, particularly preferably 6 to 20 times.
【0040】鱗片状の貴金属粒子G2の略粒状の貴金属
粒子G1に対する含有比が小さすぎると、粒状の貴金属
粒子G1が相対的に多くなる結果、条件設定によっては
ボイド率を充分に低減できなくなる場合がありうるから
である。また、前記含有比が大きすぎると、逆に鱗片状
の貴金属粒子G2が相対的に多くなる結果、ペースト印
刷性が低下するおそれがある。よって、印刷厚さにばら
つきが生じやすくなり、配線抵抗10及びパッド10a
を精度よく均一厚さに形成することが困難になる。ま
た、条件設定によってはボイド率を充分に低減できなく
なる場合もありうる。If the content ratio of the scale-like noble metal particles G2 to the substantially granular noble metal particles G1 is too small, the number of the granular noble metal particles G1 becomes relatively large, so that the void ratio cannot be sufficiently reduced depending on the condition setting. This is because there is a possibility. On the other hand, if the content ratio is too large, on the contrary, the scale-like noble metal particles G2 become relatively large, so that the paste printability may be reduced. Therefore, the printing thickness tends to vary, and the wiring resistance 10 and the pad 10a
It is difficult to accurately form a uniform thickness. Further, depending on the condition setting, the void ratio may not be sufficiently reduced.
【0041】ここで、粒状の貴金属粒子G1も、鱗片状
の貴金属粒子G2と同じ理由により、金粒子、銀粒子、
白金粒子及びパラジウム粒子のうちから選ばれる少なく
とも1種であることが望ましい。勿論、これらの貴金属
は、単独で用いられてもよいほか、2種、3種または4
種を下記のごとく組み合わせて用いてもよい。即ち、A
g−Au,Ag−Pt,Ag−Pd,Au−Pt,Au
−Pd,Pt−Pd,Ag−Au−Pt,Ag−Au−
Pd,Au−Pt−Pd,Ag−Au−Pt−Pd、の
組み合わせにして用いてもよい。Here, the granular noble metal particles G1 are also gold particles, silver particles, and gold particles for the same reason as the flaky noble metal particles G2.
Desirably, at least one selected from platinum particles and palladium particles. Of course, these noble metals may be used alone, or two, three, or four of them.
Seeds may be used in combination as described below. That is, A
g-Au, Ag-Pt, Ag-Pd, Au-Pt, Au
-Pd, Pt-Pd, Ag-Au-Pt, Ag-Au-
Pd, Au-Pt-Pd, and Ag-Au-Pt-Pd may be used in combination.
【0042】なお、粒状の貴金属粒子G1及び鱗片状の
貴金属粒子G2の金属種を、同種のもの同士の組み合わ
せにしてもよいほか、異種のもの同士の組み合わせにし
てもよい。The metal species of the granular noble metal particles G1 and the flaky noble metal particles G2 may be a combination of the same type or a combination of different types.
【0043】図1,図2に示されるように、前記各パッ
ド10aには、導電性材料からなる端子ピン12の基端
部がはんだ付けされている。その結果、各端子ピン12
と配線抵抗10との電気的な導通が図られている。各端
子ピン12の先端部には、リード線6の先端部にあるソ
ケット6aが嵌着されている。従って、リード線6及び
端子ピン12を介して配線抵抗10に電流を供給する
と、配線抵抗10の温度が上昇し、ホットプレート3全
体が加熱される。As shown in FIGS. 1 and 2, a base end of a terminal pin 12 made of a conductive material is soldered to each of the pads 10a. As a result, each terminal pin 12
And the wiring resistance 10 is electrically connected. A socket 6 a at the tip of the lead wire 6 is fitted to the tip of each terminal pin 12. Therefore, when a current is supplied to the wiring resistor 10 via the lead wire 6 and the terminal pin 12, the temperature of the wiring resistor 10 increases, and the entire hot plate 3 is heated.
【0044】次に、このホットプレート3を製造する手
順の一例を簡単に説明する。窒化アルミニウム等に代表
されるセラミックの粉体に、必要に応じてイットリアな
どの焼結助剤やバインダー等を添加してなる混合物を作
製し、これを3本ロール等により均一に混練する。この
混練物を材料として、厚さ数mm程度の板状生成形体を
プレス成形により作製する。Next, an example of a procedure for manufacturing the hot plate 3 will be briefly described. A mixture is prepared by adding a sintering aid such as yttria, a binder, and the like to a ceramic powder typified by aluminum nitride or the like, if necessary, and the mixture is uniformly kneaded with a three-roll or the like. Using this kneaded material as a material, a plate-shaped formed body having a thickness of about several mm is produced by press molding.
【0045】作製された生成形体に対してパンチングま
たはドリリングによる穴あけを行い、図示しないピン挿
通孔を形成する。次いで、穴あけ工程を経た生成形体を
乾燥、仮焼成及び本焼成して完全に焼結させることによ
り、セラミック焼結体製の基板9を作製する。焼成工程
はホットプレス装置によって行われることがよく、その
温度は1500℃〜2000℃程度に設定されることが
よい。この後、焼成されたセラミック基板9を所定径
(本実施形態では230mmφ)にかつ円形状に切り出
し、これをバフ研磨装置等を用いて表面研削加工する。Drilling is performed on the produced formed body by punching or drilling to form a pin insertion hole (not shown). Next, the substrate 9 made of a ceramic sintered body is manufactured by completely drying and sintering the formed body having undergone the drilling step by drying, preliminary firing, and main firing. The firing step is preferably performed by a hot press device, and the temperature is preferably set to about 1500 ° C. to 2000 ° C. Thereafter, the fired ceramic substrate 9 is cut into a circular shape having a predetermined diameter (230 mmφ in the present embodiment), and is subjected to surface grinding using a buffing apparatus or the like.
【0046】上記工程を経た後、あらかじめ調製してお
いた貴金属ペーストP1を、セラミック基板9の下面側
にスクリーン印刷等により均一に塗布する。ここで使用
される貴金属ペーストP1は、上記1種の貴金属粒子G
2(または上記2種の貴金属粒子G1及びG2)のほか
に、ガラスフリット、有機ビヒクルとしての樹脂バイン
ダ、溶剤を含んでいる。After the above steps, the noble metal paste P1 prepared in advance is uniformly applied to the lower surface of the ceramic substrate 9 by screen printing or the like. The noble metal paste P1 used here is the one kind of noble metal particles G described above.
2 (or the two kinds of noble metal particles G1 and G2), a glass frit, a resin binder as an organic vehicle, and a solvent.
【0047】ガラスフリットの量は、貴金属粒子G2
(またはG1及びG2)の量の1/5以下であることが
好ましく、特には1/10〜1/100程度であること
がいっそう好ましい。その理由は、貴金属ペーストP1
における導電成分が多くなるほど、比抵抗の低減を達成
するうえで好都合となるからである。The amount of the glass frit depends on the amount of the noble metal particles G2.
(Or G1 and G2) is preferably 1/5 or less, more preferably about 1/10 to 1/100. The reason is that noble metal paste P1
This is because the larger the conductive component in the above, the more advantageous it is in achieving a reduction in the specific resistance.
【0048】具体的にいうと、貴金属ペーストP1中に
おいて貴金属粒子G2(またはG1及びG2)は合計で
60重量%〜80重量%ほど含まれ、ガラスフリットは
1重量%〜10重量%ほど含まれている。More specifically, in the noble metal paste P1, the total amount of the noble metal particles G2 (or G1 and G2) is about 60% to 80% by weight, and the glass frit is about 1% to 10% by weight. ing.
【0049】ガラスフリットとしては、ほう珪酸亜鉛
(SiO2:B2O3:ZnO2)をベースとし、それに対
し少量の金属酸化物を添加したものが用いられている。
金属酸化物の具体例としては、酸化アルミニウム(Al
2O3)、酸化イットリウム(Y 2O3)、酸化鉛(Pb
O)、酸化カドミウム(CdO)、酸化クロム(Cr2
O3)、酸化銅(CuO)、酸化ビスマス(Bi2O3)
から選択される1種または2種以上のものである。As the glass frit, zinc borosilicate
(SiOTwo: BTwoOThree: ZnOTwo) Based on
What added a small amount of metal oxide is used.
As a specific example of the metal oxide, aluminum oxide (Al
TwoOThree), Yttrium oxide (Y TwoOThree), Lead oxide (Pb
O), cadmium oxide (CdO), chromium oxide (CrTwo
OThree), Copper oxide (CuO), bismuth oxide (BiTwoOThree)
One or more selected from the group consisting of
【0050】その他、貴金属ペーストP1中には、有機
ビヒクルとしての樹脂バインダが3重量%〜15重量%
ほど含まれ、溶剤が10重量%〜30重量%ほど含まれ
ている。樹脂バインダの例としては、例えばエチルセル
ロース等のセルロース類などがある。溶剤は印刷性や分
散性の向上を目的として添加される成分であって、その
具体例としてはアセテート類、ブチルセロソルブ等のセ
ロソルブ類、ブチルカルビトール等のカルビトール類な
どが挙げられる。In addition, a resin binder as an organic vehicle is contained in the noble metal paste P1 in an amount of 3 to 15% by weight.
And the solvent is contained in an amount of about 10% by weight to 30% by weight. Examples of the resin binder include, for example, celluloses such as ethyl cellulose. The solvent is a component added for the purpose of improving printability and dispersibility, and specific examples thereof include acetates, cellosolves such as butyl cellosolve, and carbitols such as butyl carbitol.
【0051】セラミック基板9上に塗布された貴金属ペ
ーストP1を約750℃の温度で所定時間加熱すると、
貴金属ペーストP1中の溶剤が揮発し、配線抵抗10及
びパッド10aが焼き付けられる。溶融したガラスフリ
ットはセラミック基板9に近づく方向に移動する傾向が
あり、逆に貴金属粒子G2(またはG1及びG2)はセ
ラミック基板9から離れる方向に移動する傾向がある。When the noble metal paste P1 applied on the ceramic substrate 9 is heated at a temperature of about 750 ° C. for a predetermined time,
The solvent in the noble metal paste P1 evaporates, and the wiring resistance 10 and the pad 10a are burned. The molten glass frit tends to move in a direction approaching the ceramic substrate 9, and conversely, the noble metal particles G2 (or G1 and G2) tend to move in a direction away from the ceramic substrate 9.
【0052】その後、パッド10aにはんだS1を介し
て端子ピン12を接合して、ホットプレート3を完成さ
せ、さらにこれをケーシング2の開口部4に取り付けれ
ば、図1に示す所望のホットプレートユニット1が完成
する。Thereafter, the terminal pins 12 are joined to the pads 10a via the solder S1 to complete the hot plate 3, which is further attached to the opening 4 of the casing 2 to obtain a desired hot plate unit shown in FIG. 1 is completed.
【0053】以下、いくつかの実施例及び比較例を紹介
する。Hereinafter, some examples and comparative examples will be introduced.
【0054】[0054]
【実施例及び比較例】[サンプルの作製(貴金属粒子の
金属種が同じ場合)]実施例1〜6、比較例1〜3で
は、窒化アルミニウム粉末(平均粒径1.1μm )10
0重量部に、Y2O3(平均粒径0.4μm)4重量部、
有機ビヒクルとしてのアクリル系樹脂バインダ(三井化
学社製、商品名:SA−545,酸価1.0)8重量部
を添加して混合した。このようにして得た混合物を均一
に混練してなる混練物をプレス成形用型に入れてプレス
することにより、板状生成形体を作製した。EXAMPLES AND COMPARATIVE EXAMPLES [Preparation of sample (when the metal type of noble metal particles is the same)] In Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3, aluminum nitride powder (average particle diameter 1.1 μm) 10
0 parts by weight, 4 parts by weight of Y 2 O 3 (average particle size 0.4 μm),
8 parts by weight of an acrylic resin binder (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., trade name: SA-545, acid value 1.0) as an organic vehicle was added and mixed. A kneaded product obtained by uniformly kneading the mixture thus obtained was put into a press mold and pressed to produce a plate-shaped formed body.
【0055】次いで、穴あけ加工及び乾燥を行った後、
成形体を窒素雰囲気中で350℃、4時間の脱脂を行
い、バインダを熱分解させた。さらに、脱脂された成形
体を1600℃、3時間の条件でホットプレス焼成し、
セラミック基板9として窒化アルミニウム基板を得た。
なお、ホットプレスの圧力は150kg/cm2に設定
した。Next, after drilling and drying,
The molded body was degreased at 350 ° C. for 4 hours in a nitrogen atmosphere to thermally decompose the binder. Further, the degreased molded body is subjected to hot press firing at 1600 ° C. for 3 hours,
An aluminum nitride substrate was obtained as the ceramic substrate 9.
The pressure of the hot press was set at 150 kg / cm 2 .
【0056】この後、基板切り出し及び表面研削加工を
行った後、ペースト塗布工程を行った。同工程では、下
記のごとき組成の貴金属ペーストP1を用い、かつ塗布
時の厚さを25μm程度に設定し、上記の手順に準拠し
て9種のサンプルを作製した。Thereafter, after the substrate was cut out and the surface was ground, a paste application step was performed. In this step, nine kinds of samples were prepared in accordance with the above procedure, using a noble metal paste P1 having the following composition and setting the thickness at the time of application to about 25 μm.
【0057】・貴金属粒子: 銀粒子が合計で70重量
%、 ・ガラスフリット: 5重量%(但しベースであるほう
珪酸亜鉛を80重量%含むもの)、 ・樹脂バインダとしてのエチルセルロース: 5重量
%、 ・溶剤としてのブチルカルビトール: 15重量%。Noble metal particles: 70% by weight of silver particles in total, 5% by weight of glass frit (but containing 80% by weight of zinc borosilicate as a base), 5% by weight of ethyl cellulose as a resin binder, -Butyl carbitol as solvent: 15% by weight.
【0058】銀粒子G1,G2としては、表1に示す4
種のものを適宜組み合わせて用いるようにした。そし
て、サンプル1〜6を実施例1〜6として位置づけ、サ
ンプル7,8,9を比較例1、試験例1,2として位置
付けた。以下、球状の銀粒子として、昭栄化学工業株式
会社製「Ag−126」を使用した、鱗片状の銀粒子と
して、昭栄化学工業株式会社製「Ag−520、Ag−
530、Ag−540」(それぞれB,C,D粒子)を
使用した。「A粒子」は平均粒径が1.00μmかつ球
状の銀粒子G1である(図5(a) 参照)。As the silver particles G1 and G2, 4 shown in Table 1 were used.
Species were appropriately combined and used. Then, Samples 1 to 6 were positioned as Examples 1 to 6, and Samples 7, 8, and 9 were positioned as Comparative Example 1 and Test Examples 1 and 2. Hereinafter, "Ag-126" manufactured by Shoei Chemical Industry Co., Ltd. was used as spherical silver particles, and "Ag-520, Ag-
530, Ag-540 "(B, C, D particles, respectively). “A particles” are spherical silver particles G1 having an average particle size of 1.00 μm (see FIG. 5 (a)).
【0059】A粒子以外の3種は全て鱗片状の銀粒子G
2である(図5(b) 〜(d ) 参照)。「B粒子」「C粒
子」「D粒子」の平均粒径は、順に3.94μm、4.
78μm、7.73μmである。これらの粒子のアスペク
ト比(長径/厚さ)は、順に約7.8、9.5、15で
あった。The three types other than the A particles are all scale-like silver particles G
2 (see FIGS. 5B to 5D). The average particle size of “B particles”, “C particles”, and “D particles” is 3.94 μm and 4.
78 μm and 7.73 μm. The aspect ratio (major axis / thickness) of these particles was about 7.8, 9.5, and 15, respectively.
【0060】具体的にいうと、実施例1,2,4,5で
は、球状の銀粒子G1及び鱗片状の銀粒子G2の2種を
用いるとともに、鱗片状の銀粒子G2については粒径の
異なるもの2つ(即ちB粒子及びC粒子)を組み合わせ
て用いている。Specifically, in Examples 1, 2, 4, and 5, two types of spherical silver particles G1 and flaky silver particles G2 are used, and the flaky silver particles G2 Two different ones (ie, B particles and C particles) are used in combination.
【0061】実施例3では、球状の銀粒子G1及び鱗片
状の銀粒子G2の2種を用いるとともに、鱗片状の銀粒
子G2については1つのみ(即ちC粒子のみ)用いてい
る。実施例6では、鱗片状の銀粒子G2のみを用いると
ともに、当該鱗片状の銀粒子G2については粒径の異な
るもの2つ(即ちB粒子及びC粒子)を組み合わせて用
いている。つまり、これについては球状の銀粒子G1を
全く用いていない。In Example 3, two types of spherical silver particles G1 and flaky silver particles G2 were used, and only one flaky silver particle G2 (that is, only C particles) was used. In Example 6, only the flaky silver particles G2 are used, and two flaky silver particles G2 having different particle sizes (that is, B particles and C particles) are used in combination. That is, no spherical silver particles G1 are used for this.
【0062】比較例1では、従来と同様に、球状の銀粒
子G1を1種のみ含む貴金属ペーストP1を用いて配線
抵抗10等の形成を行なっている。試験例1,2では、
2種の銀粒子G1,G2を含む貴金属ペーストP1を用
いて配線抵抗10等の形成を行なっているものの、鱗片
状の銀粒子G2として平均粒径の大きなD粒子を用いて
いる。表1には、配線抵抗10中における4つの粒子の
体積率(wt%)が示されている。 [比較試験及びその結果]得られた9種のサンプルの各
々について、焼き付け工程後における配線抵抗10を任
意の位置にて基板厚さ方向に沿って切断し、その切断面
を光学顕微鏡を用いて1000倍で写真撮影をした。こ
のようにして撮影された拡大写真に基づき、ボイド部分
の面積/ペースト断面積の値を計測し、この値を焼成後
ボイド率(%)とした。その結果を表1に示す。なお、
焼成後ボイド率(%)が高いということは、銀粒子G
1,G2が密に詰まっていて、各銀粒子G1,G2間の
接合面積が大きくなっていることを意味する。In Comparative Example 1, the wiring resistance 10 and the like are formed using a noble metal paste P1 containing only one kind of spherical silver particles G1 as in the conventional case. In Test Examples 1 and 2,
Although the wiring resistance 10 and the like are formed using the noble metal paste P1 including two kinds of silver particles G1 and G2, D particles having a large average particle size are used as the flaky silver particles G2. Table 1 shows the volume ratio (wt%) of the four particles in the wiring resistance 10. [Comparative Test and Results] For each of the nine samples obtained, the wiring resistance 10 after the baking step was cut at an arbitrary position along the substrate thickness direction, and the cut surface was observed using an optical microscope. Photographed at 1000x. The value of the area of the void portion / the cross-sectional area of the paste was measured based on the enlarged photograph taken in this manner, and this value was defined as the void ratio (%) after firing. Table 1 shows the results. In addition,
The high void fraction (%) after firing means that the silver particles G
1 and G2 are densely packed, which means that the bonding area between the silver particles G1 and G2 is large.
【0063】また、配線抵抗10表面の面粗度(Ra)
を、表面形状測定器(KLA・Tencor社製 商品
名:P−11)を用いて常法に従い測定した。その結果
も同じく表1に示す。なお、面粗度が小さくて表面が平
滑であるということは、配線抵抗10が均一厚さであっ
て、抵抗値が均一でばらつきが小さいことを意味する。The surface roughness (Ra) of the wiring resistance 10 surface
Was measured using a surface profiler (trade name: P-11, manufactured by KLA Tencor) in accordance with an ordinary method. The results are also shown in Table 1. The fact that the surface roughness is small and the surface is smooth means that the wiring resistance 10 has a uniform thickness, the resistance value is uniform and the variation is small.
【0064】さらに、従来公知の手法による引っ張り強
度試験を行い、配線抵抗10の引っ張り強度(kgf/
2mm□)を測定した。言うまでもなくこの値が大きけ
れば、導体パターン10の密着性が高くなり剥離が生じ
にくくなる。Further, a tensile strength test was performed by a conventionally known method, and the tensile strength (kgf / kgf) of the wiring resistance 10 was determined.
2 mm □) was measured. Needless to say, if this value is large, the adhesion of the conductor pattern 10 is increased, and peeling is less likely to occur.
【0065】[0065]
【表1】 表1から明らかなように、比較例1の焼成後ボイド率
は、12%以上という高い値を示した。これに対し実施
例3では、焼成後ボイド率が、僅かであるが9.8%と
低くなることが確認された。また、実施例1,2,4,
5,6については、比較例1、試験例1,2に比べて大
幅に焼成後ボイド率が低くなることが確認された。中で
もとりわけ実施例6で好結果が得られ、それに次いで実
施例1,4で好結果が得られた。[Table 1] As is clear from Table 1, the void ratio after firing in Comparative Example 1 showed a high value of 12% or more. On the other hand, in Example 3, it was confirmed that the void ratio after sintering was small but as low as 9.8%. Examples 1, 2, 4,
With respect to Nos. 5 and 6, it was confirmed that the void ratio after firing was significantly lower than that of Comparative Example 1 and Test Examples 1 and 2. Among them, particularly good results were obtained in Example 6, and then good results were obtained in Examples 1 and 4.
【0066】そして、比較例1、試験例1,2では面粗
度Raの値が1.0μmを以上であったのに対し、各実
施例1〜6ではいずれも1.0μm より低くなることが
確認された。中でもとりわけ実施例6で好結果が得ら
れ、それに次いで実施例1,2,3で好結果が得られ
た。In Comparative Example 1, Test Examples 1 and 2, the value of the surface roughness Ra was 1.0 μm or more, whereas in each of Examples 1 to 6, the value was lower than 1.0 μm. Was confirmed. Above all, good results were obtained in Example 6, and then good results were obtained in Examples 1, 2, and 3.
【0067】また、各実施例1〜6の配線抵抗10の観
察を別途行なったところ、ふくれ等が認められることも
なく、密着性が低下している様子も特になかった。そし
て、比較例1では引っ張り強度の値が3.5kgf/2
mm□前後という極めて低い値であった。これに対し、
各実施例1〜6では、前記比較例のほぼ2倍以上の値が
得られることが確認された。中でもとりわけ実施例2で
好結果が得られ、それに次いで実施例1,6で好結果が
得られた。以上の結果からして、鱗片状粒子には引っ張
り強度を向上させる効果があると考えられる。When the wiring resistance 10 of each of Examples 1 to 6 was separately observed, no swelling or the like was observed, and no particular decrease in the adhesion was observed. In Comparative Example 1, the value of the tensile strength was 3.5 kgf / 2.
It was an extremely low value of about mm □. In contrast,
In each of Examples 1 to 6, it was confirmed that a value almost twice or more that of the comparative example was obtained. Above all, good results were obtained in Example 2, and then good results were obtained in Examples 1 and 6. From the above results, it is considered that the flaky particles have an effect of improving the tensile strength.
【0068】[サンプルの作製(貴金属粒子の金属種が
異なる場合)]実施例7では、窒化珪素粉末(平均粒径
1.1μm)45重量部に、Y2O3(平均粒径0.4μ
m)20重量部、Al2O3(平均粒径0.5μm)15重
量部、SiO2(平均粒径0.5μm)20重量部、有機
ビヒクルとしてのアクリル系樹脂バインダ(三井化学社
製、商品名:SA−545,酸値1.0)8重量部を混
合した。このようにして得た混合物を均一に混練してな
る混練物をプレス成形用型に入れてプレスすることによ
り、板状生成形体を作製した。[Preparation of Sample (When Noble Metal Particles Have Different Metal Kinds)] In Example 7, 45 parts by weight of silicon nitride powder (average particle diameter 1.1 μm) was mixed with Y 2 O 3 (average particle diameter 0.4 μm).
m) 20 parts by weight, 15 parts by weight of Al 2 O 3 (average particle diameter 0.5 μm), 20 parts by weight of SiO 2 (average particle diameter 0.5 μm), an acrylic resin binder as an organic vehicle (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc. Trade name: SA-545, acid value 1.0) 8 parts by weight were mixed. A kneaded product obtained by uniformly kneading the mixture thus obtained was put into a press mold and pressed to produce a plate-shaped formed body.
【0069】次いで、穴あけ加工及び乾燥を行った後、
成形体を窒素雰囲気中で350℃、4時間の脱脂を行
い、バインダーを熱分解させた。さらに、脱脂された成
形体を1600℃、3時間の条件でホットプレス焼成
し、セラミック基板9として窒化珪素基板を得た。な
お、ホットプレスの圧力は150kg/cm2に設定し
た。Next, after drilling and drying,
The molded body was degreased at 350 ° C. for 4 hours in a nitrogen atmosphere to thermally decompose the binder. Further, the degreased compact was fired by hot press at 1600 ° C. for 3 hours to obtain a silicon nitride substrate as the ceramic substrate 9. The pressure of the hot press was set at 150 kg / cm 2 .
【0070】この後、基板切り出し及び表面研削加工を
行った後、ペースト塗布工程を行った。ここでは貴金属
ペーストP1として、下記のごとき組成のものを用い、
かつ塗布時の厚さを25μm 程度に設定してサンプル1
0を作製した。Then, after the substrate was cut out and the surface was ground, a paste coating step was performed. Here, a noble metal paste P1 having the following composition was used,
Sample 1 was prepared by setting the thickness at the time of application to about 25 μm.
0 was produced.
【0071】・貴金属粒子: 銀粒子G2が56.6重
量部、パラジウム粒子G1が10.3重量部、 ・酸化物ガラス成分: SiO2が1.0重量部、B2O
3が2.5重量部、ZnOが5.6重量部、PbOが
0.6重量部、RuO2を2.1重量部、 ・樹脂バインダ: 3.4重量%、 ・溶剤としてのブチルカルビトール: 17.9重量
%。Noble metal particles: 56.6 parts by weight of silver particles G2, 10.3 parts by weight of palladium particles G1, oxide glass component: 1.0 parts by weight of SiO 2 , B 2 O
3 2.5 parts by weight, ZnO is 5.6 parts by weight, PbO 0.6 parts by weight, the RuO 2 2.1 parts by weight, Resin binder: 3.4% by weight, butyl carbitol as Solvent : 17.9% by weight.
【0072】ここで前記「銀粒子G2」としては、平均
粒径3.94μmの鱗片状の銀粒子(即ち上記B粒子)
を用いた。前記「パラジウム粒子G1」としては、平均
粒径5.12μm の球状のパラジウム粒子(昭栄化学工
業製 Pd−215)を用いた。Here, the “silver particles G2” are scaly silver particles having an average particle size of 3.94 μm (ie, the B particles).
Was used. As the “palladium particles G1”, spherical palladium particles (Pd-215 manufactured by Shoei Chemical Industry Co., Ltd.) having an average particle size of 5.12 μm were used.
【0073】そして、塗布された貴金属ペーストP1を
約750℃の温度で所定時間加熱することにより、配線
抵抗10及びパッド10aを焼き付け、実施例7のホッ
トプレート3を完成させた。なお、導体パターン10中
における2つの粒子の重量比、即ち銀粒子G2:パラジ
ウム粒子G1は、55:15であった。 [比較試験及びその結果]得られた実施例7のサンプル
について、実施例1〜6等について行なったのと同様の
比較試験を行なった。その結果、焼成後ボイド率が7.
8%、面粗度Raが0.7μm、引っ張り強度が10.
8kgf/2mm□であった。Then, by heating the applied noble metal paste P1 at a temperature of about 750 ° C. for a predetermined time, the wiring resistance 10 and the pad 10a were baked, and the hot plate 3 of Example 7 was completed. The weight ratio of the two particles in the conductor pattern 10, that is, the ratio of the silver particles G2 to the palladium particles G1 was 55:15. [Comparative Test and Results] The same comparative test as that performed for Examples 1 to 6 and the like was performed on the obtained sample of Example 7. As a result, the void ratio after firing was 7.
8%, surface roughness Ra of 0.7 μm, tensile strength of 10.
It was 8 kgf / 2 mm □.
【0074】従って、本実施形態の前記実施例によれば
以下のような効果を得ることができる。 (1)上記実施例1〜5,7の配線抵抗10及びパッド
10aは、球状の貴金属粒子G1及び鱗片状の貴金属粒
子G2からなっている。また、上記実施例6の配線抵抗
10及びパッド10aは、鱗片状の貴金属粒子G2のみ
からなっている。Therefore, according to the embodiment of the present embodiment, the following effects can be obtained. (1) The wiring resistances 10 and the pads 10a of the above-mentioned Examples 1 to 5, 7 are composed of spherical noble metal particles G1 and scale-like noble metal particles G2. Further, the wiring resistance 10 and the pad 10a according to the sixth embodiment are composed of only the flaky noble metal particles G2.
【0075】従って、球状の貴金属粒子G1のみを含ん
で構成されたもの(例えば比較例1)に比べ、焼き付け
後に貴金属粒子G2(またはG1及びG2)が密に詰ま
った状態になりやすいと考えられる。ゆえに、配線抵抗
10等におけるボイド率が減少し、セラミック基板9と
の密着性が高くなる。一方、貴金属粒子G2(またはG
1及びG2)間が点接触になる。このため、配線抵抗1
0等における抵抗値の著しい低下が防止され、抵抗体と
しての機能を損なうことがなくなる。Therefore, it is considered that the noble metal particles G2 (or G1 and G2) are more likely to be densely packed after baking, as compared with the one including only the spherical noble metal particles G1 (for example, Comparative Example 1). . Therefore, the void ratio in the wiring resistance 10 and the like decreases, and the adhesion to the ceramic substrate 9 increases. On the other hand, the noble metal particles G2 (or G
1 and G2) are point contacts. Therefore, the wiring resistance 1
A remarkable decrease in resistance value at 0 or the like is prevented, and the function as a resistor is not impaired.
【0076】(2)また、上記実施例1,2,4,5の
ように、鱗片状の銀粒子G2を平均粒径の異なる2種に
すれば、引っ張り強度が10kgf/2mm□以上の配
線抵抗10を得ることができる。(2) Further, if the scale-like silver particles G2 are made of two kinds having different average particle sizes as in Examples 1, 2, 4, and 5, wirings having a tensile strength of 10 kgf / 2 mm □ or more can be obtained. The resistor 10 can be obtained.
【0077】(3)上記実施例6のように、鱗片状の銀
粒子G2を平均粒径の異なる2種にしかつ球状の貴金属
粒子G1を全く含ませないようにすれば、ボイド率を極
めて低い値にすることができ、密着性を格段に向上させ
ることができる。(3) As in Example 6, if the scale-like silver particles G2 are made of two kinds having different average particle sizes and the spherical noble metal particles G1 are not included at all, the void ratio is extremely low. Value, and the adhesion can be remarkably improved.
【0078】(4)本実施形態の各実施例1〜7では、
窒化アルミニウム基板または窒化珪素基板をセラミック
基板9として用いているため、耐熱性及び熱伝導性に優
れたホットプレート3を実現することができる。(4) In each of Examples 1 to 7 of this embodiment,
Since an aluminum nitride substrate or a silicon nitride substrate is used as the ceramic substrate 9, the hot plate 3 having excellent heat resistance and thermal conductivity can be realized.
【0079】なお、本発明の実施形態は以下のように変
更してもよい。 ・ 実施形態において使用した窒化アルミニウム基板や
窒化珪素基板等のような窒化物セラミック基板の代わり
に、例えばアルミナ基板等のような酸化物セラミック基
板、炭化珪素基板のような炭化物セラミック基板等を使
用することもできる。Note that the embodiment of the present invention may be modified as follows. In place of a nitride ceramic substrate such as an aluminum nitride substrate or a silicon nitride substrate used in the embodiment, for example, an oxide ceramic substrate such as an alumina substrate or a carbide ceramic substrate such as a silicon carbide substrate is used. You can also.
【0080】・ セラミック基板9はプレス成形法を経
て製造されたもののみに限定されることはなく、例えば
ドクターブレード装置を利用したシート成形法を経て製
造されたものでもよい。シート成形法を採用した場合、
例えば積層されたシート間に配線抵抗10を配設するこ
とができるので、高温用のホットプレート3を比較的容
易に実現することができる。The ceramic substrate 9 is not limited to one manufactured by the press molding method, but may be one manufactured by a sheet molding method using a doctor blade device, for example. When the sheet molding method is adopted,
For example, since the wiring resistors 10 can be arranged between the stacked sheets, the hot plate 3 for high temperature can be realized relatively easily.
【0081】・ 導体パターンは実施形態において例示
した配線抵抗10やパッド10aのみに限定されること
はなく、それ以外のもの、つまり発熱用の抵抗体ではな
い導体パターンであってもよい。The conductor pattern is not limited to the wiring resistor 10 and the pad 10a exemplified in the embodiment, but may be other conductor patterns, that is, a conductor pattern which is not a heating resistor.
【0082】・ セラミック基板9に対して貴金属ペー
ストP1を塗布する方法としては、スクリーン印刷法の
みならず、例えば捺印法などのその他の手法もある。The method of applying the noble metal paste P1 to the ceramic substrate 9 includes not only the screen printing method but also other methods such as a stamping method.
【0083】[0083]
【発明の効果】以上説明のように、本発明によれば、略
鱗片状の貴金属粒子によりボイド率を低減することがで
きるため、導体パターンの密着性を向上させることがで
きる。また、面粗度Raも1μm以下にすることがで
き、導体パターンの抵抗値のばらつきを低減することが
できる。As described above, according to the present invention, the void ratio can be reduced by the substantially scaly noble metal particles, so that the adhesion of the conductor pattern can be improved. Further, the surface roughness Ra can be set to 1 μm or less, and the variation in the resistance value of the conductor pattern can be reduced.
【図1】本発明を具体化した一実施形態のホットプレー
トユニットの概略断面図。FIG. 1 is a schematic sectional view of a hot plate unit according to an embodiment of the present invention.
【図2】実施形態のホットプレートユニットの要部拡大
断面図。FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part of the hot plate unit of the embodiment.
【図3】導体パターン中における貴金属粒子の様子(貴
金属粒子が鱗片状のもの1種のみの場合)を示す概念
図。FIG. 3 is a conceptual diagram showing a state of noble metal particles in a conductor pattern (when the noble metal particles are only one kind of scale-like one).
【図4】導体パターン中における貴金属粒子の様子(貴
金属粒子が鱗片状のもの及び球状のもの2種の場合)を
示す概念図。FIG. 4 is a conceptual diagram showing the appearance of precious metal particles in a conductor pattern (in the case of two types of precious metal particles, scaly ones and spherical ones).
【図5】(a)は球状の貴金属粒子(即ちA粒子)、
(b)は鱗片状の貴金属粒子(即ちB粒子)、(c)は
鱗片状の貴金属粒子(即ちC粒子)、(d)は鱗片状の
貴金属粒子(即ちD粒子)のSEMによる拡大写真。FIG. 5 (a) is a spherical noble metal particle (ie, A particle),
(B) is a scale-like noble metal particle (namely, B particle), (c) is a scale-like noble metal particle (namely, C particle), and (d) is an enlarged photograph of a scale-like noble metal particle (namely, D particle) by SEM.
3…ホットプレート、9…セラミック基板、P1…導体
ペースト(貴金属ペースト)、10…導体パターンとし
ての配線抵抗、10a…導体パターンの一部であるパッ
ド、G1…略球状の貴金属粒子、G2…略鱗片状の貴金
属粒子。Reference numeral 3 denotes a hot plate, 9 denotes a ceramic substrate, P1 denotes a conductor paste (noble metal paste), 10 denotes a wiring resistance as a conductor pattern, 10a denotes a pad that is a part of the conductor pattern, G1 denotes a substantially spherical noble metal particle, and G2 denotes a substantial portion. Scale-like noble metal particles.
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 3/20 328 H01L 21/30 567 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) H05B 3/20 328 H01L 21/30 567
Claims (14)
るホットプレートにおいて、前記導体パターンは、略鱗
片状の貴金属粒子からなることを特徴とするホットプレ
ート。1. A hot plate comprising a ceramic substrate provided with a conductive pattern, wherein the conductive pattern is made of substantially scaly noble metal particles.
μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のホッ
トプレート。2. An average particle size of said substantially scaly noble metal particles is 6.
2. The hot plate according to claim 1, wherein the diameter is not more than μm.
粒子、白金粒子及びパラジウム粒子のうちから選ばれる
少なくとも1種であることを特徴とする請求項1または
2に記載のホットプレート。3. The hot plate according to claim 1, wherein the substantially scaly noble metal particles are at least one selected from gold particles, silver particles, platinum particles and palladium particles. .
短径とのアスペクト比は1.5以上であることを特徴と
する請求項1乃至3のいずれか1項に記載のホットプレ
ート。4. The hot plate according to claim 1, wherein an aspect ratio between a major axis and a minor axis of the substantially scaly noble metal particles is 1.5 or more.
るホットプレートにおいて、前記導体パターンは、略粒
状の貴金属粒子及び略鱗片状の貴金属粒子からなること
を特徴とするホットプレート。5. A hot plate comprising a ceramic substrate provided with a conductor pattern, wherein the conductor pattern comprises substantially granular noble metal particles and substantially scaly noble metal particles.
m以下であり、前記略鱗片状の貴金属粒子は平均粒径が
6μm以下であることを特徴とする請求項5に記載のホ
ットプレート。6. An average particle diameter of said substantially granular noble metal particles is 3 μm.
6. The hot plate according to claim 5, wherein the average particle diameter of the substantially scaly noble metal particles is 6 μm or less.
異なる2種以上のものからなることを特徴とする請求項
5または6に記載のホットプレート。7. The hot plate according to claim 5, wherein said substantially scaly noble metal particles are composed of two or more kinds having different average particle diameters.
状の貴金属粒子は、前記略粒状の貴金属粒子の5倍〜2
5倍含まれることを特徴とする請求項5乃至7のいずれ
か1項に記載のホットプレート。8. In the conductor pattern, the substantially scaly noble metal particles are five to two times as large as the substantially granular noble metal particles.
The hot plate according to any one of claims 5 to 7, wherein the hot plate is included five times.
ヒクルからなる導電ペースト。9. A conductive paste comprising substantially scaly noble metal particles, an oxide and an organic vehicle.
粒子、酸化物及び有機ビヒクルからなる導電ペースト。10. A conductive paste comprising substantially granular noble metal particles, substantially scaly noble metal particles, an oxide, and an organic vehicle.
子、銀粒子、白金粒子及びパラジウム粒子のうちから選
ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項9
または10に記載の導電ペースト。11. The substantially scaly noble metal particles are at least one selected from gold particles, silver particles, platinum particles and palladium particles.
Or the conductive paste according to 10.
の異なる2種以上のものからなることを特徴とする請求
項9乃至11のいずれか1項に記載の導電ペースト。12. The conductive paste according to claim 9, wherein the substantially scaly noble metal particles are made of two or more kinds having different average particle diameters.
状の貴金属粒子の5倍〜25倍含まれることを特徴とす
る請求項10乃至12のいずれか1項に記載の導電ペー
スト。13. The conductive paste according to claim 10, wherein the substantially scaly noble metal particles are contained 5 to 25 times the substantially granular noble metal particles.
μm以下であり、前記略鱗片状の貴金属粒子は平均粒径
が6μm以下であることを特徴とする請求項10乃至1
3のいずれか1項に記載の導電ペースト。14. An average particle diameter of said substantially granular noble metal particles is 3
2 .mu.m or less, and the average particle diameter of the substantially scaly noble metal particles is 6 .mu.m or less.
4. The conductive paste according to any one of 3.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004362950A (en) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Noritake Co Ltd | Conductive paste mainly composed of silver powder, and its manufacturing method |
| JP2005235701A (en) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Kyocera Corp | Conductor, ceramic heater, wafer support member and conductive paste using the same |
| JP2010513682A (en) * | 2006-12-22 | 2010-04-30 | ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン | Aqueous conductive composition |
| WO2012102275A1 (en) * | 2011-01-28 | 2012-08-02 | 日立化成工業株式会社 | Adhesive composition and semiconductor device using same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01315903A (en) * | 1988-06-14 | 1989-12-20 | Tdk Corp | Electricaly conductive paste and chip parts |
| JPH07109723B2 (en) * | 1990-03-19 | 1995-11-22 | 旭化成工業株式会社 | High temperature firing composition and paste |
| JP3921708B2 (en) * | 1996-06-13 | 2007-05-30 | 松下電器産業株式会社 | Conductive paste |
| JP3165396B2 (en) * | 1997-07-19 | 2001-05-14 | イビデン株式会社 | Heater and manufacturing method thereof |
-
2000
- 2000-04-27 JP JP2000127369A patent/JP2001028291A/en active Pending
- 2000-05-01 WO PCT/JP2000/002875 patent/WO2000069217A1/en not_active Ceased
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004362950A (en) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Noritake Co Ltd | Conductive paste mainly composed of silver powder, and its manufacturing method |
| JP2005235701A (en) * | 2004-02-23 | 2005-09-02 | Kyocera Corp | Conductor, ceramic heater, wafer support member and conductive paste using the same |
| JP2010513682A (en) * | 2006-12-22 | 2010-04-30 | ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン | Aqueous conductive composition |
| WO2012102275A1 (en) * | 2011-01-28 | 2012-08-02 | 日立化成工業株式会社 | Adhesive composition and semiconductor device using same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2000069217A1 (en) | 2000-11-16 |
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