JP2001021700A - 電子線照射装置 - Google Patents
電子線照射装置Info
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- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
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- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フィラメントからの熱によってフィラメント
アセンブリが反り上がって電子線量分布の均一性が悪化
することを防止する。 【解決手段】 フィラメント10を有するフィラメント
アセンブリ8のY方向の中央部付近をシールド電極4に
固定している。更に、フィラメントアセンブリ8のY方
向の両端部を、当該両端部のY方向の伸縮を許容しかつ
上下方向の移動を阻止する固定手段32によってシール
ド電極4に固定している。固定手段32は、長穴36を
有する連結板34、その板厚Bより僅かに大きい長さC
の円柱部42を有する雄ねじ38等によって構成されて
いる。
アセンブリが反り上がって電子線量分布の均一性が悪化
することを防止する。 【解決手段】 フィラメント10を有するフィラメント
アセンブリ8のY方向の中央部付近をシールド電極4に
固定している。更に、フィラメントアセンブリ8のY方
向の両端部を、当該両端部のY方向の伸縮を許容しかつ
上下方向の移動を阻止する固定手段32によってシール
ド電極4に固定している。固定手段32は、長穴36を
有する連結板34、その板厚Bより僅かに大きい長さC
の円柱部42を有する雄ねじ38等によって構成されて
いる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、シールド電極内
にフィラメントアセンブリ(フィラメント組立体)を取
り付けた構造のものであって、被照射物に電子線を照射
して架橋、硬化、改質等の処理を施す電子線照射装置に
関し、より具体的には、フィラメントからの熱によって
フィラメントアセンブリが反り上がって電子線量分布の
均一性が悪化することを防止する手段に関する。
にフィラメントアセンブリ(フィラメント組立体)を取
り付けた構造のものであって、被照射物に電子線を照射
して架橋、硬化、改質等の処理を施す電子線照射装置に
関し、より具体的には、フィラメントからの熱によって
フィラメントアセンブリが反り上がって電子線量分布の
均一性が悪化することを防止する手段に関する。
【0002】
【従来の技術】図3に、例えば特開昭62−18730
0号公報に記載されているような電子線照射装置の一例
を示す。この電子線照射装置は、電子線22を走査しな
い非走査型(またはエリア型)と呼ばれるものであり、
一定の方向(この明細書ではY方向)に長い円筒状の真
空容器2と、この真空容器2内に収納されたシールド電
極4と、このシールド電極4内に取り付けられたフィラ
メントアセンブリ8等を備えている。
0号公報に記載されているような電子線照射装置の一例
を示す。この電子線照射装置は、電子線22を走査しな
い非走査型(またはエリア型)と呼ばれるものであり、
一定の方向(この明細書ではY方向)に長い円筒状の真
空容器2と、この真空容器2内に収納されたシールド電
極4と、このシールド電極4内に取り付けられたフィラ
メントアセンブリ8等を備えている。
【0003】シールド電極4は、断面が丸くて(例えば
半円形状、半楕円形状等)、Y方向に長い筒状のもので
あり、その下面に、Y方向に長い矩形の開口部6を有し
ている。このシールド電極4は、真空容器2とフィラメ
ントアセンブリ8との間に印加される加速電圧による電
界の集中を緩和する作用をする。
半円形状、半楕円形状等)、Y方向に長い筒状のもので
あり、その下面に、Y方向に長い矩形の開口部6を有し
ている。このシールド電極4は、真空容器2とフィラメ
ントアセンブリ8との間に印加される加速電圧による電
界の集中を緩和する作用をする。
【0004】フィラメントアセンブリ8は、この例では
左右二つの断面コ字状の支持体16の間の空間に複数本
の線状(棒状とも言える)のフィラメント10をY方向
に並べて支持した構造をしている。このフィラメントア
センブリ8の平面形状は、Y方向に長い矩形をしてい
る。
左右二つの断面コ字状の支持体16の間の空間に複数本
の線状(棒状とも言える)のフィラメント10をY方向
に並べて支持した構造をしている。このフィラメントア
センブリ8の平面形状は、Y方向に長い矩形をしてい
る。
【0005】各フィラメント10の支持構造は種々ある
が、この例では一例として、絶縁台14に立設された2
枚の支持板12間にフィラメント10を支持した構造を
している。絶縁台14は、支持体16の上部に取り付け
られている。特開平11−133197号公報に記載さ
れているようなフィラメント支持構造を用いても良い。
が、この例では一例として、絶縁台14に立設された2
枚の支持板12間にフィラメント10を支持した構造を
している。絶縁台14は、支持体16の上部に取り付け
られている。特開平11−133197号公報に記載さ
れているようなフィラメント支持構造を用いても良い。
【0006】更にこの例では、枠体18に支持された引
出し電極20を、フィラメントアセンブリ8の下部に取
り付けている。引出し電極20は、例えば、メッシュ
状、棒状または線状の電極をすだれ状または格子状に
組み合わせた構造、等の構造をしている。
出し電極20を、フィラメントアセンブリ8の下部に取
り付けている。引出し電極20は、例えば、メッシュ
状、棒状または線状の電極をすだれ状または格子状に
組み合わせた構造、等の構造をしている。
【0007】上記フィラメントアセンブリ8は、従来
は、その下部の枠体18をシールド電極4の開口部6に
上から嵌め込み、かつこのフィラメントアセンブリ8の
Y方向の中央部付近を2本の固定ねじ30(図4も参
照)によってシールド電極4の下面に固定することによ
って、シールド電極4に取り付けている。このようにし
て、シールド電極4、フィラメントアセンブリ8および
引出し電極20は互いに同電位にされている。
は、その下部の枠体18をシールド電極4の開口部6に
上から嵌め込み、かつこのフィラメントアセンブリ8の
Y方向の中央部付近を2本の固定ねじ30(図4も参
照)によってシールド電極4の下面に固定することによ
って、シールド電極4に取り付けている。このようにし
て、シールド電極4、フィラメントアセンブリ8および
引出し電極20は互いに同電位にされている。
【0008】各フィラメント10から放出させた電子
は、シールド電極4等と真空容器2との間に印加される
加速電圧によって、引出し電極20を通して電子線22
として加速して引き出される。この電子線22は、真空
容器2の開口部に設けられていて、真空容器の内外の雰
囲気を分離する窓箔26を有する照射窓24を透過させ
て真空容器2外に引き出され、被照射物28に照射さ
れ、それの改質等の処理に供される。
は、シールド電極4等と真空容器2との間に印加される
加速電圧によって、引出し電極20を通して電子線22
として加速して引き出される。この電子線22は、真空
容器2の開口部に設けられていて、真空容器の内外の雰
囲気を分離する窓箔26を有する照射窓24を透過させ
て真空容器2外に引き出され、被照射物28に照射さ
れ、それの改質等の処理に供される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記電子線照射装置に
おいては、前述したようにフィラメントアセンブリ8は
Y方向の中央部付近の2本の固定ねじ30によってシー
ルド電極4に固定されているだけなので、各フィラメン
ト10からの熱によって支持体16の温度が上昇する
と、例えば図4に示すように、フィラメントアセンブリ
8の両端部がシールド電極4から離れて反り上がる。例
えば、フィラメントアセンブリ8のY方向の長さが約2
mの場合、フィラメントアセンブリ8の両端部の反り上
がり量Aは、約15mmにもなる場合がある。
おいては、前述したようにフィラメントアセンブリ8は
Y方向の中央部付近の2本の固定ねじ30によってシー
ルド電極4に固定されているだけなので、各フィラメン
ト10からの熱によって支持体16の温度が上昇する
と、例えば図4に示すように、フィラメントアセンブリ
8の両端部がシールド電極4から離れて反り上がる。例
えば、フィラメントアセンブリ8のY方向の長さが約2
mの場合、フィラメントアセンブリ8の両端部の反り上
がり量Aは、約15mmにもなる場合がある。
【0010】そうなると、フィラメントアセンブリ8の
反り上がった部分から引き出される電子線22は外側に
広がるので、電子線22のY方向における両端部付近で
の線量が低下し、Y方向における電子線量分布の均一性
が悪化する。その結果、このような電子線22を用いた
被照射物28の処理の均一性も悪化する。
反り上がった部分から引き出される電子線22は外側に
広がるので、電子線22のY方向における両端部付近で
の線量が低下し、Y方向における電子線量分布の均一性
が悪化する。その結果、このような電子線22を用いた
被照射物28の処理の均一性も悪化する。
【0011】そこでこの発明は、フィラメントからの熱
によってフィラメントアセンブリが反り上がって電子線
量分布の均一性が悪化することを防止することを主たる
目的とする。
によってフィラメントアセンブリが反り上がって電子線
量分布の均一性が悪化することを防止することを主たる
目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】この発明の電子線照射装
置は、前記フィラメントアセンブリのY方向の中央部付
近を前記シールド電極に固定し、かつ前記フィラメント
アセンブリのY方向の両端部を、当該両端部のY方向の
伸縮を許容しかつ上下方向の移動を阻止する固定手段に
よって前記シールド電極に固定していることを特徴とし
ている。
置は、前記フィラメントアセンブリのY方向の中央部付
近を前記シールド電極に固定し、かつ前記フィラメント
アセンブリのY方向の両端部を、当該両端部のY方向の
伸縮を許容しかつ上下方向の移動を阻止する固定手段に
よって前記シールド電極に固定していることを特徴とし
ている。
【0013】上記構成によれば、フィラメントアセンブ
リの中央部付近を固定するだけでなく、Y方向の両端部
をも、その上下方向の移動を阻止する固定手段によって
シールド電極に固定しているので、フィラメントからの
熱によってフィラメントアセンブリが反り上がることを
防止することができる。
リの中央部付近を固定するだけでなく、Y方向の両端部
をも、その上下方向の移動を阻止する固定手段によって
シールド電極に固定しているので、フィラメントからの
熱によってフィラメントアセンブリが反り上がることを
防止することができる。
【0014】しかも、上記固定手段は、フィラメントア
センブリの両端部のY方向の伸縮は許容するので、フィ
ラメントからの熱によってフィラメントアセンブリがY
方向に熱膨張しても、それを拘束せずに逃がすことがで
きる。従って、フィラメントアセンブリがY方向におい
て波打つような変形を防止することもできる。
センブリの両端部のY方向の伸縮は許容するので、フィ
ラメントからの熱によってフィラメントアセンブリがY
方向に熱膨張しても、それを拘束せずに逃がすことがで
きる。従って、フィラメントアセンブリがY方向におい
て波打つような変形を防止することもできる。
【0015】その結果、フィラメントからの熱によって
フィラメントアセンブリの温度が上昇しても、フィラメ
ントアセンブリの変形を防止することができるので、電
子線量分布の均一性悪化を防止することができる。
フィラメントアセンブリの温度が上昇しても、フィラメ
ントアセンブリの変形を防止することができるので、電
子線量分布の均一性悪化を防止することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】図1は、この発明に係る電子線照
射装置のシールド電極周りの一例を示す概略側面図であ
る。図2は、図1中のシールド電極およびフィラメント
アセンブリの端部付近の一例を拡大かつ分解して示す斜
視図である。図3に示した従来例と同一または相当する
部分には同一符号を付し、以下においては当該従来例と
の相違点を主に説明する。また、電子線照射装置全体の
構成は、例えば図3と同様であるので、当該図面および
その前記説明を参照するものとし、ここでは重複説明を
省略する。
射装置のシールド電極周りの一例を示す概略側面図であ
る。図2は、図1中のシールド電極およびフィラメント
アセンブリの端部付近の一例を拡大かつ分解して示す斜
視図である。図3に示した従来例と同一または相当する
部分には同一符号を付し、以下においては当該従来例と
の相違点を主に説明する。また、電子線照射装置全体の
構成は、例えば図3と同様であるので、当該図面および
その前記説明を参照するものとし、ここでは重複説明を
省略する。
【0017】この電子線照射装置においては、前記フィ
ラメントアセンブリ8のY方向の中央部付近を、2本の
固定ねじ30によってシールド電極4に固定している。
これは従来例と同様である。
ラメントアセンブリ8のY方向の中央部付近を、2本の
固定ねじ30によってシールド電極4に固定している。
これは従来例と同様である。
【0018】更に、フィラメントアセンブリ8のY方向
の両端部を、当該両端部のY方向の伸縮を許容しかつ上
下方向の移動を阻止する固定手段32によってシールド
電極4に固定している。
の両端部を、当該両端部のY方向の伸縮を許容しかつ上
下方向の移動を阻止する固定手段32によってシールド
電極4に固定している。
【0019】この固定手段32の具体例を、図2を参照
して説明する。但し、図2においては、フィラメント1
0の支持構造および引出し電極20等は図示を省略して
いる。
して説明する。但し、図2においては、フィラメント1
0の支持構造および引出し電極20等は図示を省略して
いる。
【0020】前記左右二つの支持体16は、そのY方向
の両端部において、連結板34によって互いに連結され
ている。但し、この連結板34と各支持体16とを固定
する手段は、公知の手段(例えばねじ)で良いので、こ
こではその図示を省略している。これらの支持体16お
よび連結板34は、全体として、立体的な枠状の構造体
を形成している。
の両端部において、連結板34によって互いに連結され
ている。但し、この連結板34と各支持体16とを固定
する手段は、公知の手段(例えばねじ)で良いので、こ
こではその図示を省略している。これらの支持体16お
よび連結板34は、全体として、立体的な枠状の構造体
を形成している。
【0021】連結板34には、この例では二つのY方向
に長い長穴(長円状の穴)36が形成されており、二つ
の雄ねじ38をこの各長穴36にそれぞれ通して、その
下のシールド電極4の対応する位置に設けられた二つの
雌ねじ部46にそれぞれ螺合させている。雌ねじ部46
には、必要に応じて、板厚を増す補強板等を設けても良
い。
に長い長穴(長円状の穴)36が形成されており、二つ
の雄ねじ38をこの各長穴36にそれぞれ通して、その
下のシールド電極4の対応する位置に設けられた二つの
雌ねじ部46にそれぞれ螺合させている。雌ねじ部46
には、必要に応じて、板厚を増す補強板等を設けても良
い。
【0022】各雄ねじ38は、その頭部40とねじ部4
4との間に、ねじの切られていない円柱部42を有して
いる。長穴36の短径Dは、当然、円柱部42の外径よ
りも若干大きい。ねじ部44と雌ねじ部46とが螺合す
る。しかし、円柱部42の直径は、ねじ部44およびそ
れに螺合する雌ねじ部46の直径よりも大きいので、円
柱部42の下端面が雌ねじ部46の上端面に当接する
と、それ以上は雄ねじ38をねじ込むことはできない。
しかも、円柱部42の長さCは、連結板34の長穴36
の部分の板厚Bよりも僅かに大きくしている。例えば、
C−B≒0.5mm程度にしている。
4との間に、ねじの切られていない円柱部42を有して
いる。長穴36の短径Dは、当然、円柱部42の外径よ
りも若干大きい。ねじ部44と雌ねじ部46とが螺合す
る。しかし、円柱部42の直径は、ねじ部44およびそ
れに螺合する雌ねじ部46の直径よりも大きいので、円
柱部42の下端面が雌ねじ部46の上端面に当接する
と、それ以上は雄ねじ38をねじ込むことはできない。
しかも、円柱部42の長さCは、連結板34の長穴36
の部分の板厚Bよりも僅かに大きくしている。例えば、
C−B≒0.5mm程度にしている。
【0023】従って、雄ねじ38を締め付けても、その
頭部40の下面と連結板34の上面との間にはC−Bに
相当する距離の遊びが生じる。しかも連結板34の穴は
長穴36である。従って、連結板34のY方向の移動、
即ちフィラメントアセンブリ8のY方向の伸縮を許容す
ることができる。しかも連結板34の上下方向の移動
を、即ちフィラメントアセンブリ8の反り上がりを、C
−Bの距離以下に阻止することができる。
頭部40の下面と連結板34の上面との間にはC−Bに
相当する距離の遊びが生じる。しかも連結板34の穴は
長穴36である。従って、連結板34のY方向の移動、
即ちフィラメントアセンブリ8のY方向の伸縮を許容す
ることができる。しかも連結板34の上下方向の移動
を、即ちフィラメントアセンブリ8の反り上がりを、C
−Bの距離以下に阻止することができる。
【0024】上記のような長穴36を有する連結板3
4、円柱部42を有する雄ねじ38およびシールド電極
4に設けた雌ねじ部46によって、この例では上記固定
手段32を構成している。
4、円柱部42を有する雄ねじ38およびシールド電極
4に設けた雌ねじ部46によって、この例では上記固定
手段32を構成している。
【0025】上記構成によれば、フィラメントアセンブ
リ8の中央部付近を固定ねじ30によってシールド電極
4に固定するだけでなく、フィラメントアセンブリ8の
Y方向の両端部をも、その上下方向の移動を阻止する固
定手段32によってシールド電極4に固定しているの
で、フィラメント10からの熱によってフィラメントア
センブリ8が反り上がることを防止することができる。
即ち、この反り上がりは、この例では上記C−B≒0.
5mm以下に制限することができる。C−Bをより小さ
くすれば、より小さく制限することができる。即ち、上
記反り上がりをほぼ0にすることもできる。
リ8の中央部付近を固定ねじ30によってシールド電極
4に固定するだけでなく、フィラメントアセンブリ8の
Y方向の両端部をも、その上下方向の移動を阻止する固
定手段32によってシールド電極4に固定しているの
で、フィラメント10からの熱によってフィラメントア
センブリ8が反り上がることを防止することができる。
即ち、この反り上がりは、この例では上記C−B≒0.
5mm以下に制限することができる。C−Bをより小さ
くすれば、より小さく制限することができる。即ち、上
記反り上がりをほぼ0にすることもできる。
【0026】しかも、上記固定手段32は、フィラメン
トアセンブリ8の両端部のY方向の伸縮は許容するの
で、フィラメント10からの熱によってフィラメントア
センブリ8がY方向に熱膨張しても、それを拘束せずに
逃がすことができる。従って、フィラメントアセンブリ
8がY方向において波打つような変形を防止することも
できる。
トアセンブリ8の両端部のY方向の伸縮は許容するの
で、フィラメント10からの熱によってフィラメントア
センブリ8がY方向に熱膨張しても、それを拘束せずに
逃がすことができる。従って、フィラメントアセンブリ
8がY方向において波打つような変形を防止することも
できる。
【0027】その結果、フィラメント10からの熱によ
ってフィラメントアセンブリ8の温度が上昇しても、フ
ィラメントアセンブリ8の変形を防止することができる
ので、電子線22のY方向における線量分布の均一性悪
化を防止することができる。即ち、線量分布の均一性の
高い電子線22を引き出すことができる。従って、被照
射物28(図3参照)に対する処理の均一性も向上す
る。
ってフィラメントアセンブリ8の温度が上昇しても、フ
ィラメントアセンブリ8の変形を防止することができる
ので、電子線22のY方向における線量分布の均一性悪
化を防止することができる。即ち、線量分布の均一性の
高い電子線22を引き出すことができる。従って、被照
射物28(図3参照)に対する処理の均一性も向上す
る。
【0028】なお、フィラメントアセンブリ8を構成す
る各支持体16は、この例のように断面コ字状にする方
が、強度向上が容易であるので好ましいけれども、それ
以外の形状、例えば断面L字状、または単なる板状等で
も良い。
る各支持体16は、この例のように断面コ字状にする方
が、強度向上が容易であるので好ましいけれども、それ
以外の形状、例えば断面L字状、または単なる板状等で
も良い。
【0029】また、上記二つの支持体16および二つの
連結板34の代わりに、例えば、上下に配置された二つ
の枠体とこの両枠体間を間隔をあけて支持する支持体等
を用いて構成しても良い。
連結板34の代わりに、例えば、上下に配置された二つ
の枠体とこの両枠体間を間隔をあけて支持する支持体等
を用いて構成しても良い。
【0030】また、上記枠体18および引出し電極20
の固定方法は任意であり、例えば、この例のようにフィ
ラメントアセンブリ8の下面に固定する代わりに、シー
ルド電極4の開口部6に固定しておいても良い。
の固定方法は任意であり、例えば、この例のようにフィ
ラメントアセンブリ8の下面に固定する代わりに、シー
ルド電極4の開口部6に固定しておいても良い。
【0031】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、フィラ
メントアセンブリの中央部付近を固定するだけでなく、
Y方向の両端部をも、その上下方向の移動を阻止する固
定手段によってシールド電極に固定しているので、フィ
ラメントからの熱によってフィラメントアセンブリが反
り上がることを防止することができる。しかも、上記固
定手段は、フィラメントアセンブリの両端部のY方向の
伸縮は許容するので、フィラメントアセンブリがY方向
において波打つような変形を防止することもできる。そ
の結果、フィラメントからの熱によってフィラメントア
センブリの温度が上昇しても、フィラメントアセンブリ
の変形を防止することができるので、電子線量分布の均
一性悪化を防止することができる。
メントアセンブリの中央部付近を固定するだけでなく、
Y方向の両端部をも、その上下方向の移動を阻止する固
定手段によってシールド電極に固定しているので、フィ
ラメントからの熱によってフィラメントアセンブリが反
り上がることを防止することができる。しかも、上記固
定手段は、フィラメントアセンブリの両端部のY方向の
伸縮は許容するので、フィラメントアセンブリがY方向
において波打つような変形を防止することもできる。そ
の結果、フィラメントからの熱によってフィラメントア
センブリの温度が上昇しても、フィラメントアセンブリ
の変形を防止することができるので、電子線量分布の均
一性悪化を防止することができる。
【図1】この発明に係る電子線照射装置のシールド電極
周りの一例を示す概略側面図である。
周りの一例を示す概略側面図である。
【図2】図1中のシールド電極およびフィラメントアセ
ンブリの端部付近の一例を拡大かつ分解して示す斜視図
である。
ンブリの端部付近の一例を拡大かつ分解して示す斜視図
である。
【図3】電子線照射装置の一例を示す断面図である。
【図4】従来の電子線照射装置のシールド電極周りの一
例を示す概略側面図である。
例を示す概略側面図である。
4 シールド電極 6 開口部 8 フィラメントアセンブリ 10 フィラメント 16 支持体 20 引出し電極 22 電子線 30 固定ねじ 32 固定手段 34 連結板 38 雄ねじ 46 雌ねじ部
Claims (1)
- 【請求項1】 断面が丸くてY方向に長い筒状のもので
あってその下面にY方向に長い矩形の開口部を有するシ
ールド電極と、左右の支持体の間の空間に複数本の線状
のフィラメントをY方向に並べて支持していて平面形状
がY方向に長い矩形のフィラメントアセンブリとを備え
ていて、このフィラメントアセンブリを前記シールド電
極内に入れてその開口部に取り付けた構造の電子線照射
装置において、前記フィラメントアセンブリのY方向の
中央部付近を前記シールド電極に固定し、かつ前記フィ
ラメントアセンブリのY方向の両端部を、当該両端部の
Y方向の伸縮を許容しかつ上下方向の移動を阻止する固
定手段によって前記シールド電極に固定していることを
特徴とする電子線照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11192979A JP2001021700A (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | 電子線照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11192979A JP2001021700A (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | 電子線照射装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001021700A true JP2001021700A (ja) | 2001-01-26 |
Family
ID=16300229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11192979A Pending JP2001021700A (ja) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | 電子線照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001021700A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013004565A1 (en) * | 2011-07-04 | 2013-01-10 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | An electron beam device and a method of manufacturing said electron beam device |
| JP2024036604A (ja) * | 2020-04-13 | 2024-03-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | エネルギー線照射装置 |
-
1999
- 1999-07-07 JP JP11192979A patent/JP2001021700A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013004565A1 (en) * | 2011-07-04 | 2013-01-10 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | An electron beam device and a method of manufacturing said electron beam device |
| US9202661B2 (en) | 2011-07-04 | 2015-12-01 | Tetra Laval Holdings & Finance S.A. | Electron beam device for shaping an electric field and a method of manufacturing said electron beam device the same |
| JP2024036604A (ja) * | 2020-04-13 | 2024-03-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | エネルギー線照射装置 |
| JP7549168B2 (ja) | 2020-04-13 | 2024-09-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | エネルギー線照射装置 |
| US12444518B2 (en) | 2020-04-13 | 2025-10-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Energy beam irradiation device |
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