JP2001015868A - 回路基板、パッケージ及びリードフレームとその製造方法 - Google Patents
回路基板、パッケージ及びリードフレームとその製造方法Info
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱特性が良好で、かつ比較的微細な回路パ
ターンを構成することができ、しかもパターン設計の自
由度の高い回路基板を提供する。 【解決手段】 金属板を該金属板に形成された貫通溝に
よって複数の金属配線部に分離し、該複数の金属配線部
を上記貫通溝に充填された接着樹脂によって接合固定す
ることにより構成する。
ターンを構成することができ、しかもパターン設計の自
由度の高い回路基板を提供する。 【解決手段】 金属板を該金属板に形成された貫通溝に
よって複数の金属配線部に分離し、該複数の金属配線部
を上記貫通溝に充填された接着樹脂によって接合固定す
ることにより構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電子回路用の
回路基板、半導体チップの筐体となるパッケージ及びリ
ードフレームとその製造方法に関する。
回路基板、半導体チップの筐体となるパッケージ及びリ
ードフレームとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子回路用の回路基板等に半導体チップ
を実装してなる半導体素子、特に電力用半導体素子で
は、動作時の発熱による素子の温度上昇を抑えるため
に、回路基板等の放熱を良くする必要がある。従来は、
この放熱特性を向上させるために、回路基板において
は、導電パターンを構成する銅箔を厚くする事で対応し
てきた。また、電力用の半導体チップを封止するための
パッケージや半導体チップを実装するリードフレーム等
においても、同様に良好な放熱特性が要求され、それぞ
れ、放熱特性を良好にする検討が進められている。
を実装してなる半導体素子、特に電力用半導体素子で
は、動作時の発熱による素子の温度上昇を抑えるため
に、回路基板等の放熱を良くする必要がある。従来は、
この放熱特性を向上させるために、回路基板において
は、導電パターンを構成する銅箔を厚くする事で対応し
てきた。また、電力用の半導体チップを封止するための
パッケージや半導体チップを実装するリードフレーム等
においても、同様に良好な放熱特性が要求され、それぞ
れ、放熱特性を良好にする検討が進められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、回路基
板において銅箔を厚くすると電気伝導性、熱伝導性は良
くできるが、基板表面に銅箔の厚さに対応した凹凸が形
成され、平坦性を失うという問題点があった。また、通
常、回路基板は、基板表面に形成された銅箔をエッチン
グすることにより所定のパターンが形成されるが、銅箔
が１００〜２００μｍ以上の厚さになると、微細な回路
パターンを形成することが困難であるという新たな問題
が生じていた。また、リードフレームで形成した回路パ
ターンと樹脂板とを熱プレスで密着、させて融着した、
金属板を用いた回路形成法もあるが、この方法では、配
線（回路パターン）の自由度が低く、外部の回路との接
続の方法も半田付け等に限られるという問題点があっ
た。また、パッケージにおいても、回路基板と同様に銅
箔や電極を厚くすることにより対応しているが、上記回
路基板と同様な問題点があった。また、リードフレーム
は、通常、プレス等により金属薄板を打ち抜いて形成さ
れるが、微細なパターンを形成することが困難であると
いう問題点があった。
板において銅箔を厚くすると電気伝導性、熱伝導性は良
くできるが、基板表面に銅箔の厚さに対応した凹凸が形
成され、平坦性を失うという問題点があった。また、通
常、回路基板は、基板表面に形成された銅箔をエッチン
グすることにより所定のパターンが形成されるが、銅箔
が１００〜２００μｍ以上の厚さになると、微細な回路
パターンを形成することが困難であるという新たな問題
が生じていた。また、リードフレームで形成した回路パ
ターンと樹脂板とを熱プレスで密着、させて融着した、
金属板を用いた回路形成法もあるが、この方法では、配
線（回路パターン）の自由度が低く、外部の回路との接
続の方法も半田付け等に限られるという問題点があっ
た。また、パッケージにおいても、回路基板と同様に銅
箔や電極を厚くすることにより対応しているが、上記回
路基板と同様な問題点があった。また、リードフレーム
は、通常、プレス等により金属薄板を打ち抜いて形成さ
れるが、微細なパターンを形成することが困難であると
いう問題点があった。
【０００４】そこで、本発明は、放熱特性が良好で、か
つ比較的微細な回路パターンを構成することができ、し
かもパターン設計の自由度の高い回路基板とその製造方
法を提供することを第１の目的とする。また、本発明
は、放熱特性が良好な半導体チップ搭載用のパッケージ
を提供することを第２の目的とする。さらに、本発明
は、放熱特性が良好でかつ微細なパターンを形成するこ
とができるリードフレームとその製造方法を提供するこ
とを第３の目的とする。
つ比較的微細な回路パターンを構成することができ、し
かもパターン設計の自由度の高い回路基板とその製造方
法を提供することを第１の目的とする。また、本発明
は、放熱特性が良好な半導体チップ搭載用のパッケージ
を提供することを第２の目的とする。さらに、本発明
は、放熱特性が良好でかつ微細なパターンを形成するこ
とができるリードフレームとその製造方法を提供するこ
とを第３の目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めに、本発明に係る回路基板は、金属板が該金属板に形
成された貫通溝によって複数の金属配線部に分離され、
該複数の金属配線部が上記貫通溝に充填された接着樹脂
によって接合固定されてなることを特徴とする。以上の
ように構成された回路基板は、金属配線部の金属を厚く
できかつ上面及び下面の平坦性を良好にできる。
めに、本発明に係る回路基板は、金属板が該金属板に形
成された貫通溝によって複数の金属配線部に分離され、
該複数の金属配線部が上記貫通溝に充填された接着樹脂
によって接合固定されてなることを特徴とする。以上の
ように構成された回路基板は、金属配線部の金属を厚く
できかつ上面及び下面の平坦性を良好にできる。
【０００６】また、本発明に係る回路基板は、該回路基
板の一方の主面に、強度を補強する絶縁板を接合しても
よい。このようにすると、回路基板の機械的強度を強化
できる。また、本発明に係る回路基板では、上記絶縁板
に形成された開口部又は上記金属配線部に形成された凹
部により、チップ部品の収納スペースを設けてもよい。
このように本発明の回路基板は、回路構成に応じた構造
とできる。
板の一方の主面に、強度を補強する絶縁板を接合しても
よい。このようにすると、回路基板の機械的強度を強化
できる。また、本発明に係る回路基板では、上記絶縁板
に形成された開口部又は上記金属配線部に形成された凹
部により、チップ部品の収納スペースを設けてもよい。
このように本発明の回路基板は、回路構成に応じた構造
とできる。
【０００７】さらに、本発明に係る回路基板は、複数の
上記回路基板を積層することにより構成してもよい。
上記回路基板を積層することにより構成してもよい。
【０００８】また、本発明に係るパッケージは、金属板
が該金属板に形成された貫通溝によって複数の金属配線
部に分離され、該複数の金属配線部が上記貫通溝に充填
された接着樹脂によって接合固定されてなる回路基板
と、上記回路基板の一方の主面に接合された開口部を有
する絶縁板と含んでなることを特徴とする。以上のよう
に構成されたパッケージにおいては、金属配線部の金属
を厚くできかつ上記回路基板の上面及び下面の平坦性を
良好にできる。
が該金属板に形成された貫通溝によって複数の金属配線
部に分離され、該複数の金属配線部が上記貫通溝に充填
された接着樹脂によって接合固定されてなる回路基板
と、上記回路基板の一方の主面に接合された開口部を有
する絶縁板と含んでなることを特徴とする。以上のよう
に構成されたパッケージにおいては、金属配線部の金属
を厚くできかつ上記回路基板の上面及び下面の平坦性を
良好にできる。
【０００９】また、本発明に係るリードフレームは、金
属板が該金属板に形成された貫通溝によって複数のリー
ド部とダイパッド部とに分離され、その複数のリード部
とダイパッド部とが上記貫通溝に充填された接着樹脂に
よって接合されてなるリードフレームであって、上記ダ
イパッドの厚さが、上記リードの厚さに比較して厚いこ
とを特徴とする。
属板が該金属板に形成された貫通溝によって複数のリー
ド部とダイパッド部とに分離され、その複数のリード部
とダイパッド部とが上記貫通溝に充填された接着樹脂に
よって接合されてなるリードフレームであって、上記ダ
イパッドの厚さが、上記リードの厚さに比較して厚いこ
とを特徴とする。
【００１０】また、本発明に係る回路基板の製造方法
は、金属からなる複数の金属配線部が接着樹脂によって
接合固定されてなる回路基板の製造方法であって、金属
板の一方の面に、上記複数の金属配線部に対応したパタ
ーン形状に第１のレジストを形成し、該第１のレジスト
をマスクとして上記金属板をエッチングすることにより
上記金属板の一方の面に第１の溝を形成する第１の溝形
成工程と、上記第１の溝に接着剤を充填する第１の充填
工程と、上記金属板の他方の面に、上記複数の金属配線
部に対応したパターン形状に第２のレジストを形成し、
該第２のレジストをマスクとして上記金属板をエッチン
グすることにより上記第１の溝に連通する第２の溝を上
記金属板の他方の面に形成する第２の溝形成工程と、上
記第２の溝に接着剤を充填する第２の充填工程とを備え
たことを特徴とする。以上のように構成された本発明に
係る回路基板の製造方法により、金属配線部の金属を厚
くできかつ上面及び下面の平坦性を良好にできる回路基
板を製造することができる。
は、金属からなる複数の金属配線部が接着樹脂によって
接合固定されてなる回路基板の製造方法であって、金属
板の一方の面に、上記複数の金属配線部に対応したパタ
ーン形状に第１のレジストを形成し、該第１のレジスト
をマスクとして上記金属板をエッチングすることにより
上記金属板の一方の面に第１の溝を形成する第１の溝形
成工程と、上記第１の溝に接着剤を充填する第１の充填
工程と、上記金属板の他方の面に、上記複数の金属配線
部に対応したパターン形状に第２のレジストを形成し、
該第２のレジストをマスクとして上記金属板をエッチン
グすることにより上記第１の溝に連通する第２の溝を上
記金属板の他方の面に形成する第２の溝形成工程と、上
記第２の溝に接着剤を充填する第２の充填工程とを備え
たことを特徴とする。以上のように構成された本発明に
係る回路基板の製造方法により、金属配線部の金属を厚
くできかつ上面及び下面の平坦性を良好にできる回路基
板を製造することができる。
【００１１】また、本発明に係る回路基板の製造方法に
おいて、上記第２の充填工程の後に、上記金属板の一方
の面に絶縁板を接合する絶縁体接合工程を含んでいても
よい。
おいて、上記第２の充填工程の後に、上記金属板の一方
の面に絶縁板を接合する絶縁体接合工程を含んでいても
よい。
【００１２】本発明に係るリードフレームの製造方法
は、金属からなる複数のリード及びダイパットとが接着
樹脂によって接合固定されてなるリードフレームの製造
方法であって、金属板の一方の面に、上記複数のリード
及びダイパットに対応したパターン形状に第１のレジス
トを形成し、該第１のレジストをマスクとして上記金属
板をエッチングすることにより上記金属板の一方の面に
第１の溝を形成する第１の溝形成工程と、上記第１の溝
に接着剤を充填する第１の充填工程と、上記金属板の他
方の面に、上記複数のリード及びダイパットに対応した
パターン形状に第２のレジストを形成し、該第２のレジ
ストをマスクとして上記金属板をエッチングすることに
より上記第１の溝に連通する第２の溝を上記金属板の他
方の面に形成する第２の溝形成工程と、上記第２の溝に
接着剤を充填する第２の充填工程とを備えたことを特徴
とする。この本発明に係るリードフレームの製造方法に
より、金属板が該金属板に形成された貫通溝によって複
数のリード部とダイパッド部とに分離され、その複数の
リード部とダイパッド部とが上記貫通溝に充填された接
着樹脂によって接合されてなるリードフレームを製造す
ることができる。
は、金属からなる複数のリード及びダイパットとが接着
樹脂によって接合固定されてなるリードフレームの製造
方法であって、金属板の一方の面に、上記複数のリード
及びダイパットに対応したパターン形状に第１のレジス
トを形成し、該第１のレジストをマスクとして上記金属
板をエッチングすることにより上記金属板の一方の面に
第１の溝を形成する第１の溝形成工程と、上記第１の溝
に接着剤を充填する第１の充填工程と、上記金属板の他
方の面に、上記複数のリード及びダイパットに対応した
パターン形状に第２のレジストを形成し、該第２のレジ
ストをマスクとして上記金属板をエッチングすることに
より上記第１の溝に連通する第２の溝を上記金属板の他
方の面に形成する第２の溝形成工程と、上記第２の溝に
接着剤を充填する第２の充填工程とを備えたことを特徴
とする。この本発明に係るリードフレームの製造方法に
より、金属板が該金属板に形成された貫通溝によって複
数のリード部とダイパッド部とに分離され、その複数の
リード部とダイパッド部とが上記貫通溝に充填された接
着樹脂によって接合されてなるリードフレームを製造す
ることができる。
【００１３】また、本発明に係るリードフレームの製造
方法において、上記第１の溝に比較して、上記第２の溝
の幅を広く形成し、かつ互いに隣接する第２の溝を少な
くとも１部で連通させると、上記ダイパッドの厚さが、
上記リードの厚さに比較して厚いリードフレームを製造
することができる。
方法において、上記第１の溝に比較して、上記第２の溝
の幅を広く形成し、かつ互いに隣接する第２の溝を少な
くとも１部で連通させると、上記ダイパッドの厚さが、
上記リードの厚さに比較して厚いリードフレームを製造
することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る実施の形態について説明する。 実施の形態１．本発明に係る実施の形態１の回路基板
は、図１（ｊ）に示すように、金属板の上面と下面にそ
れぞれ形成された互いに対向する溝２，３で構成される
貫通溝４によって複数の金属配線部１に分離され、該複
数の金属配線部１が上記貫通溝４に充填された接着樹脂
５ａ，５ｂによって接合固定されてなる。このように構
成された実施の形態１の回路基板は、金属配線部１を従
来の回路基板の銅箔に比較して十分厚くできることから
放熱性を良好にでき、かつ回路基板の上面及び下面を平
坦にできる。
る実施の形態について説明する。 実施の形態１．本発明に係る実施の形態１の回路基板
は、図１（ｊ）に示すように、金属板の上面と下面にそ
れぞれ形成された互いに対向する溝２，３で構成される
貫通溝４によって複数の金属配線部１に分離され、該複
数の金属配線部１が上記貫通溝４に充填された接着樹脂
５ａ，５ｂによって接合固定されてなる。このように構
成された実施の形態１の回路基板は、金属配線部１を従
来の回路基板の銅箔に比較して十分厚くできることから
放熱性を良好にでき、かつ回路基板の上面及び下面を平
坦にできる。
【００１５】（製造方法）本実施の形態１の回路基板
は、以下の各工程を含む製造方法により作製することが
できる。 工程１．図１（ａ）に示す、例えば、１２５μｍ〜２５
０μｍの厚さの銅合金板（例えば、りん青銅）などの金
属板１００の上面と下面にそれぞれ、図１（ｂ）に示す
ように、感光性フィルムレジスト１０１ａ，１０１ｂを
ロールラミネーター等を用いて貼り付ける。
は、以下の各工程を含む製造方法により作製することが
できる。 工程１．図１（ａ）に示す、例えば、１２５μｍ〜２５
０μｍの厚さの銅合金板（例えば、りん青銅）などの金
属板１００の上面と下面にそれぞれ、図１（ｂ）に示す
ように、感光性フィルムレジスト１０１ａ，１０１ｂを
ロールラミネーター等を用いて貼り付ける。
【００１６】工程２．次に、図１（ｃ）に示すように、
露光用パターンフィルム１０２ａを介して、金属板１０
０の上面に形成された感光性フィルムレジスト１０１ａ
に紫外線を照射することにより、感光性フィルムレジス
ト１０１ａを露光し、金属板１００の下面に形成された
感光性フィルムレジスト１０１ｂには紫外線を全面に照
射することにより露光する。ここで、感光性フィルムレ
ジスト１０１ａ，１０１ｂは、紫外線が照射されてない
部分がアルカリにより溶解するレジストであり、露光用
パターンフィルム１０２ａには銅金属板１００の上面に
溝を形成すべき領域に対応させて紫外線を遮断するパタ
ーンが形成されている。
露光用パターンフィルム１０２ａを介して、金属板１０
０の上面に形成された感光性フィルムレジスト１０１ａ
に紫外線を照射することにより、感光性フィルムレジス
ト１０１ａを露光し、金属板１００の下面に形成された
感光性フィルムレジスト１０１ｂには紫外線を全面に照
射することにより露光する。ここで、感光性フィルムレ
ジスト１０１ａ，１０１ｂは、紫外線が照射されてない
部分がアルカリにより溶解するレジストであり、露光用
パターンフィルム１０２ａには銅金属板１００の上面に
溝を形成すべき領域に対応させて紫外線を遮断するパタ
ーンが形成されている。
【００１７】工程３．次に、図１（ｄ）に示すように、
アルカリ現像機を使用して、例えば、１ｗｔ％の炭酸ソ
ーダ等のアルカリ現像液を現像スプレーノズル１０３か
ら噴射することにより、露光された感光性フィルムレジ
スト１０１ａのうちの紫外線が照射されていない部分を
除去することにより、溝に対応する開口部が形成された
レジスト１０４を形成する。 工程４．次に、図１（ｅ）に示すように、エッチングス
プレーノズル１０５から塩化第２鉄溶液等のエッチング
液を噴射して、レジスト１０４をマスクとして、金属板
１００をエッチングすることにより、該金属板１００の
厚さの１／４〜３／４の深さを有する溝２を金属板１０
０の上面に形成する。
アルカリ現像機を使用して、例えば、１ｗｔ％の炭酸ソ
ーダ等のアルカリ現像液を現像スプレーノズル１０３か
ら噴射することにより、露光された感光性フィルムレジ
スト１０１ａのうちの紫外線が照射されていない部分を
除去することにより、溝に対応する開口部が形成された
レジスト１０４を形成する。 工程４．次に、図１（ｅ）に示すように、エッチングス
プレーノズル１０５から塩化第２鉄溶液等のエッチング
液を噴射して、レジスト１０４をマスクとして、金属板
１００をエッチングすることにより、該金属板１００の
厚さの１／４〜３／４の深さを有する溝２を金属板１０
０の上面に形成する。
【００１８】工程５．次に、図１（ｆ）に示すように、
レジスト１０４及び感光性フィルムレジスト１０１ｂを
除去する。そして、図１（ｇ）に示すように、溝２の内
部の面を含む金属板１００の上面を、黒化処理又は有機
酸処理等により、表面粗さが１〜１０μｍ程度になるよ
うに粗化する。尚、この粗化は、金属板１００の上面全
体を粗化する必要はなく、少なくとも溝２の内部の面の
みを粗化すれば良い。 工程６．次に、図１（ｈ）に示すように、少なくとも溝
２内に充填するように、金属板１００の上面に熱硬化性
エポキシ樹脂等からなる接着樹脂層１０６を、スクリー
ン印刷等で形成して硬化させる。この際、熱硬化性エポ
キシ樹脂等からなる接着樹脂層１０６を形成するように
した場合、例えば、熱風循環炉を用いて１５０℃、４０
分の条件で硬化させることができる。
レジスト１０４及び感光性フィルムレジスト１０１ｂを
除去する。そして、図１（ｇ）に示すように、溝２の内
部の面を含む金属板１００の上面を、黒化処理又は有機
酸処理等により、表面粗さが１〜１０μｍ程度になるよ
うに粗化する。尚、この粗化は、金属板１００の上面全
体を粗化する必要はなく、少なくとも溝２の内部の面の
みを粗化すれば良い。 工程６．次に、図１（ｈ）に示すように、少なくとも溝
２内に充填するように、金属板１００の上面に熱硬化性
エポキシ樹脂等からなる接着樹脂層１０６を、スクリー
ン印刷等で形成して硬化させる。この際、熱硬化性エポ
キシ樹脂等からなる接着樹脂層１０６を形成するように
した場合、例えば、熱風循環炉を用いて１５０℃、４０
分の条件で硬化させることができる。
【００１９】工程７．そして、図１（ｉ）に示すよう
に、溝２以外の金属板１００の上面に形成された接着樹
脂層１０６を、研磨機１０７等を用いて除去する。この
際、研磨機１０７として、基板用バフ研磨機、ベルトサ
ンダー研磨機等を用いることができる。このようにし
て、溝２の内部のみに接着剤５ａが充填された金属板１
００を作製する。また、本製造方法では、工程６におい
て、溝２の部分のみに、例えば溝部分のみの専用版を用
いて塗布することにより、溝２の内部のみに接着剤５ａ
を充填するようにして、この工程７を省略することがで
きる。
に、溝２以外の金属板１００の上面に形成された接着樹
脂層１０６を、研磨機１０７等を用いて除去する。この
際、研磨機１０７として、基板用バフ研磨機、ベルトサ
ンダー研磨機等を用いることができる。このようにし
て、溝２の内部のみに接着剤５ａが充填された金属板１
００を作製する。また、本製造方法では、工程６におい
て、溝２の部分のみに、例えば溝部分のみの専用版を用
いて塗布することにより、溝２の内部のみに接着剤５ａ
を充填するようにして、この工程７を省略することがで
きる。
【００２０】以上のような工程により、接着剤５ａを充
填した溝２を形成した後、同様の工程を用いて、金属板
１００の下面に、溝２の底面において溝２と連通する溝
３を形成して、該溝３に接着剤５ｂを充填する。以上の
ような製造工程により、図１（ｊ）に示す、溝２，３で
構成される貫通溝４に充填された接着剤５により、互い
に分離されかつ互いに接合された複数の金属配線部１か
らなる実施の形態１の回路基板を製造することができ
る。
填した溝２を形成した後、同様の工程を用いて、金属板
１００の下面に、溝２の底面において溝２と連通する溝
３を形成して、該溝３に接着剤５ｂを充填する。以上の
ような製造工程により、図１（ｊ）に示す、溝２，３で
構成される貫通溝４に充填された接着剤５により、互い
に分離されかつ互いに接合された複数の金属配線部１か
らなる実施の形態１の回路基板を製造することができ
る。
【００２１】以上のように製造された実施の形態１の回
路基板は、従来の回路基板の銅箔に比較して、各金属配
線部１の厚さを厚くできるので、電気伝導性、熱伝導性
を良好にでき、かつ上面及び下面を平坦にできる。ま
た、実施の形態１の回路基板は、エッチングを用いて複
数の配電部に分離しているので、比較的、微細な回路パ
ターンを形成することができる。
路基板は、従来の回路基板の銅箔に比較して、各金属配
線部１の厚さを厚くできるので、電気伝導性、熱伝導性
を良好にでき、かつ上面及び下面を平坦にできる。ま
た、実施の形態１の回路基板は、エッチングを用いて複
数の配電部に分離しているので、比較的、微細な回路パ
ターンを形成することができる。
【００２２】以上の実施の形態１の回路基板において
は、図２（ａ）に示すように、必要に応じてソルダーレ
ジスト１２及びＮｉ／Ａｕ等のメッキ層１１を形成する
ようにしてもよい。また、図２（ｂ）は、本実施の形態
１の回路基板１１０の応用例を示す模式図である。本応
用例は、実施の形態１の回路基板の上面に、貫通溝４上
に形成されたソルダーレジスト１２を介して半導体チッ
プ２１が設けられ、半導体チップの電極（図示せず）と
金属配線部１とがボンディングワイヤー２２によって接
続されている。また、回路基板１１０の下面には、ソル
ダーレジスト１２を介して例えばチップ抵抗等のチップ
部品２３が設けられ、その両端の電極がそれぞれ金属配
線部１にはんだ付けされ、別の場所には一端と他端がそ
れぞれ隣接する金属配線部１に接続された電子部品２４
が設けられている。尚、図２に示した応用例では、半導
体チップ２１、チップ部品２３及び電子部品２４等の各
部品の下にソルダーレジスト１２を形成した例を示して
いるが、本応用例ではソルダーレジスト１２の上に又は
ソルダーレジスト１２に代えて、部品の下にエラストマ
ーを形成するようにしても良い。このようにすると、エ
ラストマーの弾性により半導体チップ２１、チップ部品
２３及び電子部品２４等の各部品を保護することができ
る。尚、本発明に係る実施の形態１の回路基板を複数
個、絶縁体を介して又は直接積層して、多層の回路基板
としてもよい。このようにすると、より高密度の配線を
形成することができる。本発明に係るこの多層回路基板
は、具体的には例えば、以下のようにして作製すること
ができる。まず、図１（ａ）〜（ｉ）までの工程により
加工された金属板１００を２枚準備し、図１１（ａ）に
示すように、プリプレグ１５０を間に挟んで積層する。
ここで、プリプレグとは、強化繊維材料に樹脂を含浸さ
せ未硬化状態のものをいう。そして、プリプレグ１５０
を硬化させた後、図１１（ｂ）に示すように、２枚の金
属板１００の各表面に溝３を形成して、各溝３に樹脂５
ｂを充填する。以上のようにして２つの金属板１００が
積層された積層回路基板が作製される。以上のように積
層回路基板の製造方法において、２つの回路基板の表面
は平坦であるので、プリプレグ１５０と各回路基板の間
に隙間ができないように積層することができる（埋め込
み性を良好にできる）。これに対して、従来の回路基板
を同様の方法で積層しようとすると、電極部分が突出し
ているので、樹脂不足となりプリプレグの良好な埋め込
みが困難である。本発明ではさらに、図１１（ｂ）に示
す積層回路基板をさらに積層して、４層、６層、８層又
はそれ以上の積層回路基板を作製できる。
は、図２（ａ）に示すように、必要に応じてソルダーレ
ジスト１２及びＮｉ／Ａｕ等のメッキ層１１を形成する
ようにしてもよい。また、図２（ｂ）は、本実施の形態
１の回路基板１１０の応用例を示す模式図である。本応
用例は、実施の形態１の回路基板の上面に、貫通溝４上
に形成されたソルダーレジスト１２を介して半導体チッ
プ２１が設けられ、半導体チップの電極（図示せず）と
金属配線部１とがボンディングワイヤー２２によって接
続されている。また、回路基板１１０の下面には、ソル
ダーレジスト１２を介して例えばチップ抵抗等のチップ
部品２３が設けられ、その両端の電極がそれぞれ金属配
線部１にはんだ付けされ、別の場所には一端と他端がそ
れぞれ隣接する金属配線部１に接続された電子部品２４
が設けられている。尚、図２に示した応用例では、半導
体チップ２１、チップ部品２３及び電子部品２４等の各
部品の下にソルダーレジスト１２を形成した例を示して
いるが、本応用例ではソルダーレジスト１２の上に又は
ソルダーレジスト１２に代えて、部品の下にエラストマ
ーを形成するようにしても良い。このようにすると、エ
ラストマーの弾性により半導体チップ２１、チップ部品
２３及び電子部品２４等の各部品を保護することができ
る。尚、本発明に係る実施の形態１の回路基板を複数
個、絶縁体を介して又は直接積層して、多層の回路基板
としてもよい。このようにすると、より高密度の配線を
形成することができる。本発明に係るこの多層回路基板
は、具体的には例えば、以下のようにして作製すること
ができる。まず、図１（ａ）〜（ｉ）までの工程により
加工された金属板１００を２枚準備し、図１１（ａ）に
示すように、プリプレグ１５０を間に挟んで積層する。
ここで、プリプレグとは、強化繊維材料に樹脂を含浸さ
せ未硬化状態のものをいう。そして、プリプレグ１５０
を硬化させた後、図１１（ｂ）に示すように、２枚の金
属板１００の各表面に溝３を形成して、各溝３に樹脂５
ｂを充填する。以上のようにして２つの金属板１００が
積層された積層回路基板が作製される。以上のように積
層回路基板の製造方法において、２つの回路基板の表面
は平坦であるので、プリプレグ１５０と各回路基板の間
に隙間ができないように積層することができる（埋め込
み性を良好にできる）。これに対して、従来の回路基板
を同様の方法で積層しようとすると、電極部分が突出し
ているので、樹脂不足となりプリプレグの良好な埋め込
みが困難である。本発明ではさらに、図１１（ｂ）に示
す積層回路基板をさらに積層して、４層、６層、８層又
はそれ以上の積層回路基板を作製できる。
【００２３】実施の形態２．実施の形態２の回路基板
は、実施の形態１の回路基板１１０の一方の主面にさら
に絶縁板３１を接合し、その絶縁板３１を利用して、半
導体チップ等を収納する収納スペースを設けたものであ
る。本実施の形態２の回路基板は、以下のように製造さ
れる。まず、図３（ａ）に示すように、絶縁板３１に接
着シート３４を接合する。次に、図３（ｂ）に示すよう
に、接着シート３４が接合された絶縁板３１に、開口部
３３，３２を形成する。そして、一方の主面を粗化した
回路基板１１０と接着シート３４とを密着させて加圧す
ることにより、回路基板１１０と絶縁板３１とを接合す
る。尚、接着シート３４として、熱硬化性エポキシ接着
シートを使用する場合、例えば、真空熱プレス機等を用
いて、１７０℃、６０分の条件下で加圧することによ
り、接着シート３４を溶融硬化させる。以上のようにし
て、開口部３３，３２にそれぞれ対応した収納スペース
３５，３６を備えた実施の形態２の回路基板が作製され
る。
は、実施の形態１の回路基板１１０の一方の主面にさら
に絶縁板３１を接合し、その絶縁板３１を利用して、半
導体チップ等を収納する収納スペースを設けたものであ
る。本実施の形態２の回路基板は、以下のように製造さ
れる。まず、図３（ａ）に示すように、絶縁板３１に接
着シート３４を接合する。次に、図３（ｂ）に示すよう
に、接着シート３４が接合された絶縁板３１に、開口部
３３，３２を形成する。そして、一方の主面を粗化した
回路基板１１０と接着シート３４とを密着させて加圧す
ることにより、回路基板１１０と絶縁板３１とを接合す
る。尚、接着シート３４として、熱硬化性エポキシ接着
シートを使用する場合、例えば、真空熱プレス機等を用
いて、１７０℃、６０分の条件下で加圧することによ
り、接着シート３４を溶融硬化させる。以上のようにし
て、開口部３３，３２にそれぞれ対応した収納スペース
３５，３６を備えた実施の形態２の回路基板が作製され
る。
【００２４】尚、実施の形態２の回路基板において、例
えば、ガラスエポキシ絶縁板を絶縁板３１として用いる
ことができ、接着シート３４としてはノンフロータイプ
のエポキシ接着シートを用いることができる。例えば、
ノンフロータイプのエポキシ接着シートを用いる場合
は、回路基板１１０と絶縁板３１とを接着シート３４を
介して重ねた後、例えば、６０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で加
圧し、１６０℃、６０分の真空高温高圧下で融着、硬化
する。
えば、ガラスエポキシ絶縁板を絶縁板３１として用いる
ことができ、接着シート３４としてはノンフロータイプ
のエポキシ接着シートを用いることができる。例えば、
ノンフロータイプのエポキシ接着シートを用いる場合
は、回路基板１１０と絶縁板３１とを接着シート３４を
介して重ねた後、例えば、６０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で加
圧し、１６０℃、６０分の真空高温高圧下で融着、硬化
する。
【００２５】また、絶縁板３１が接着される回路基板１
１０の一方の面は、露出した金属配線部のみを粗化する
ようにしても良いし、金属配線部及び接着樹脂部の双方
の面を粗化するようにしても良い。このように回路基板
の一方の面を粗化することにより、絶縁板３１と回路基
板１１０との接合強度を高くし、信頼性を向上させるこ
とができる。さらに、回路基板１１０と絶縁板３１と
を、四隅に設けた位置合わせ穴を通したハトメピン、ス
チール鋼ピンを用いることにより容易に位置合わせする
ことができる。
１０の一方の面は、露出した金属配線部のみを粗化する
ようにしても良いし、金属配線部及び接着樹脂部の双方
の面を粗化するようにしても良い。このように回路基板
の一方の面を粗化することにより、絶縁板３１と回路基
板１１０との接合強度を高くし、信頼性を向上させるこ
とができる。さらに、回路基板１１０と絶縁板３１と
を、四隅に設けた位置合わせ穴を通したハトメピン、ス
チール鋼ピンを用いることにより容易に位置合わせする
ことができる。
【００２６】図４（ａ）は、実施の形態２の回路基板の
概略構成を示す斜視図である。本実施の形態２の回路基
板は、図４（ａ）に示すように、部品（半導体チップ、
チップ抵抗等）の収納スペース４１，４２及びボンディ
ング用スペース４３，４４，４５が形成されている。こ
こで、図４において、図３と同様のものには、同様の符
号を付して示している。
概略構成を示す斜視図である。本実施の形態２の回路基
板は、図４（ａ）に示すように、部品（半導体チップ、
チップ抵抗等）の収納スペース４１，４２及びボンディ
ング用スペース４３，４４，４５が形成されている。こ
こで、図４において、図３と同様のものには、同様の符
号を付して示している。
【００２７】図４（ｂ）は、実施の形態２の回路基板を
用いた応用例を示す平面図である。本応用例では、収納
スペース４１の底面において、互いに電気的に分離され
た金属配線部５０，５１，５２，５３が露出され、その
金属配線部５０上に例えばダイオードであるチップ部品
６１ａ，６１ｂ，６１ｃが設けられ、チップ部品６１
ａ，６１ｂ，６１ｃの一方の電極がそれぞれ、ボンディ
ングワイヤー２２によって、金属配線部５１，５２，５
３に接続されている。尚、チップ部品６１ａ，６１ｂ，
６１ｃの他方の電極は、例えば接地側であり、いずれも
金属配線部５０に接続される。また、収納スペース４２
の低部には、金属配線部５４が露出され、例えばＩＣ等
の半導体チップ６２が設けられ、その半導体チップ６２
の上面に設けられた電極が、ボンディングワイヤー２２
によってボンディングスペース４３，４４の金属配線部
５５，５６，５７，５８に接続される。尚、収納スペー
スに設けられた半導体チップ等は、樹脂モールド等の方
法により容易に封止することができる。以上のように、
回路基板１１０の金属配線部の形状及び絶縁板とによっ
て構成される収納スペース位置等を、任意に組み合わせ
ることにより、種々の回路を構成することができる。以
上、説明した内容から明らかなように、本実施の形態２
の構成により、少なくとも１つの収納スペースを備えた
パッケージとして利用することができる。
用いた応用例を示す平面図である。本応用例では、収納
スペース４１の底面において、互いに電気的に分離され
た金属配線部５０，５１，５２，５３が露出され、その
金属配線部５０上に例えばダイオードであるチップ部品
６１ａ，６１ｂ，６１ｃが設けられ、チップ部品６１
ａ，６１ｂ，６１ｃの一方の電極がそれぞれ、ボンディ
ングワイヤー２２によって、金属配線部５１，５２，５
３に接続されている。尚、チップ部品６１ａ，６１ｂ，
６１ｃの他方の電極は、例えば接地側であり、いずれも
金属配線部５０に接続される。また、収納スペース４２
の低部には、金属配線部５４が露出され、例えばＩＣ等
の半導体チップ６２が設けられ、その半導体チップ６２
の上面に設けられた電極が、ボンディングワイヤー２２
によってボンディングスペース４３，４４の金属配線部
５５，５６，５７，５８に接続される。尚、収納スペー
スに設けられた半導体チップ等は、樹脂モールド等の方
法により容易に封止することができる。以上のように、
回路基板１１０の金属配線部の形状及び絶縁板とによっ
て構成される収納スペース位置等を、任意に組み合わせ
ることにより、種々の回路を構成することができる。以
上、説明した内容から明らかなように、本実施の形態２
の構成により、少なくとも１つの収納スペースを備えた
パッケージとして利用することができる。
【００２８】（実施の形態１，２の回路基板の端子構
造）以下に、実施の形態１，２の回路基板の端子構造
（外部接続端子構造）について説明する。図５（ａ）
（ｂ）は、本実施の形態１，２の回路基板に外部回路と
の接続用にバンプを設けた端子構造（以下、単にバンプ
接続構造という。）の一例を示している。本バンプ接続
構造は、回路基板１１０の下面にバンプ用凹部６３を形
成し、各バンプ用凹部６３にはんだバンプ６４を設けて
いる。このようにして、容易に各金属配線部１と外部回
路基板とを電気的に接続することができるバンプ接続構
造を実現できる。尚、各バンプ用凹部６３は金属板１０
０に溝３を形成するエッチング時に同時に形成すること
ができ、各バンプ用凹部６３形成用にエッチング工程を
追加する必要はなく、工程数を増加させることはない。
造）以下に、実施の形態１，２の回路基板の端子構造
（外部接続端子構造）について説明する。図５（ａ）
（ｂ）は、本実施の形態１，２の回路基板に外部回路と
の接続用にバンプを設けた端子構造（以下、単にバンプ
接続構造という。）の一例を示している。本バンプ接続
構造は、回路基板１１０の下面にバンプ用凹部６３を形
成し、各バンプ用凹部６３にはんだバンプ６４を設けて
いる。このようにして、容易に各金属配線部１と外部回
路基板とを電気的に接続することができるバンプ接続構
造を実現できる。尚、各バンプ用凹部６３は金属板１０
０に溝３を形成するエッチング時に同時に形成すること
ができ、各バンプ用凹部６３形成用にエッチング工程を
追加する必要はなく、工程数を増加させることはない。
【００２９】また、図６は、図５とは異なる他の端子構
造の例を示す模式的な断面図である。本端子構造は、貫
通溝において、一方の溝２のみに接着樹脂５ａを充填
し、溝３には、接着樹脂を充填しないようにする。そし
て、回路基板１１０の下面において、接着樹脂が充填さ
れていない溝３の両側の所定の幅の部分を除いてソルダ
ーレジスト１２を形成する。最後に、図６において破線
６７で示すように、貫通溝の中心線に沿って分割する。
そして、この分割部分に露出された金属配線部の表面を
外部回路との接続用端子とする。すなわち、多くの回路
基板を集合状態で製造する場合は、このように回路基板
の下面の端部に容易に端子接続部を形成することができ
る。
造の例を示す模式的な断面図である。本端子構造は、貫
通溝において、一方の溝２のみに接着樹脂５ａを充填
し、溝３には、接着樹脂を充填しないようにする。そし
て、回路基板１１０の下面において、接着樹脂が充填さ
れていない溝３の両側の所定の幅の部分を除いてソルダ
ーレジスト１２を形成する。最後に、図６において破線
６７で示すように、貫通溝の中心線に沿って分割する。
そして、この分割部分に露出された金属配線部の表面を
外部回路との接続用端子とする。すなわち、多くの回路
基板を集合状態で製造する場合は、このように回路基板
の下面の端部に容易に端子接続部を形成することができ
る。
【００３０】変形例．本発明に係る変形例の回路基板
は、実施の形態１の回路基板において、金属配線部の金
属板の部分に半導体チップ等のチップ部品２８を収納す
る収納スペースを設けた以外は、実施の形態１と同様に
構成される。すなわち、本変形例の回路基板は、図７
（ａ）（ｂ）に示すように、貫通溝に充填された接着樹
脂５によって互いに分離された金属配線部１ａ，１ｂ，
１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇを有し、さらに金属配線
部１ａに形成された収納スペース７１を有する。この収
納スペース７１は、金属板の上面に溝３を形成する時に
同時に金属配線部１ａの中央部を所定の深さにエッチン
グをすることにより形成される。以上のように構成され
た変形例の回路基板において、例えば、ＩＣ等の半導体
チップ２８は、収納スペース７１に設けられ、半導体チ
ップ２８の上面の各電極がそれぞれ、金属配線部１ｂ，
１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇにボンディングワイヤー
２２で接続される。
は、実施の形態１の回路基板において、金属配線部の金
属板の部分に半導体チップ等のチップ部品２８を収納す
る収納スペースを設けた以外は、実施の形態１と同様に
構成される。すなわち、本変形例の回路基板は、図７
（ａ）（ｂ）に示すように、貫通溝に充填された接着樹
脂５によって互いに分離された金属配線部１ａ，１ｂ，
１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇを有し、さらに金属配線
部１ａに形成された収納スペース７１を有する。この収
納スペース７１は、金属板の上面に溝３を形成する時に
同時に金属配線部１ａの中央部を所定の深さにエッチン
グをすることにより形成される。以上のように構成され
た変形例の回路基板において、例えば、ＩＣ等の半導体
チップ２８は、収納スペース７１に設けられ、半導体チ
ップ２８の上面の各電極がそれぞれ、金属配線部１ｂ，
１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇにボンディングワイヤー
２２で接続される。
【００３１】以上の実施の形態１，２及び変形例の回路
基板は、溝２と溝３とを全ての部分で対向させて貫通溝
を形成するようにしたが、本発明はこれに限られるもの
ではなく、溝２と溝３とを部分的に対向させるようにし
ても良い。すなわち、図８（ａ）に示すような溝２ａ
を、金属板１００の上面に形成し、金属板１００の下面
には、図８（ｂ）に示すような一部にエッチングされて
いない分離部分７２を有する溝３ｂを形成するようにし
てもよい。尚、図８（ｃ）は、接着樹脂が充填された貫
通溝４ａを示す平面図であり、図８（ｄ）は、図８
（ｃ）のＣ−Ｃ’線についての断面図である。
基板は、溝２と溝３とを全ての部分で対向させて貫通溝
を形成するようにしたが、本発明はこれに限られるもの
ではなく、溝２と溝３とを部分的に対向させるようにし
ても良い。すなわち、図８（ａ）に示すような溝２ａ
を、金属板１００の上面に形成し、金属板１００の下面
には、図８（ｂ）に示すような一部にエッチングされて
いない分離部分７２を有する溝３ｂを形成するようにし
てもよい。尚、図８（ｃ）は、接着樹脂が充填された貫
通溝４ａを示す平面図であり、図８（ｄ）は、図８
（ｃ）のＣ−Ｃ’線についての断面図である。
【００３２】以上の実施の形態１，２及び変形例では、
金属板１００を用いたが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、コバールやステンレス等の他の金属を用い
てもよい。また、以上の実施の形態１，２及び変形例で
は、エポキシ樹脂を接着樹脂として用いた例を示した
が、本発明は接着樹脂の種類に限定されるものではな
く、金属配線部として用いる金属板に応じて適宜選択す
ることができる。さらに、以上の実施の形態１，２及び
変形例では、１２５μｍ〜２５０μｍの厚さの金属板を
用いた例を示したが、本発明は金属板の厚さに限定され
るものではなく、種々の厚さの金属板を適宜選択して用
いることができる。またさらに、以上の実施の形態１，
２及び変形例では、レジスト及びエッチング液等、特定
のものを例として示したものもあるが、本発明はこれら
のものに限定されるものではない。
金属板１００を用いたが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、コバールやステンレス等の他の金属を用い
てもよい。また、以上の実施の形態１，２及び変形例で
は、エポキシ樹脂を接着樹脂として用いた例を示した
が、本発明は接着樹脂の種類に限定されるものではな
く、金属配線部として用いる金属板に応じて適宜選択す
ることができる。さらに、以上の実施の形態１，２及び
変形例では、１２５μｍ〜２５０μｍの厚さの金属板を
用いた例を示したが、本発明は金属板の厚さに限定され
るものではなく、種々の厚さの金属板を適宜選択して用
いることができる。またさらに、以上の実施の形態１，
２及び変形例では、レジスト及びエッチング液等、特定
のものを例として示したものもあるが、本発明はこれら
のものに限定されるものではない。
【００３３】実施の形態３．図９（ａ）（ｂ）はそれぞ
れ、本発明に係る実施の形態３のリードフレームの構成
を示す、平面図と断面図である。本実施の形態３のリー
ドフレームは、実施の形態１，２の回路基板を作製する
方法と同様な方法を用いて製造され、互いに接着樹脂に
よって絶縁分離されたダイパッド３５１、複数のリード
３５３，３５４及び補強板３５２とを備え、従来例に比
較して放熱性と機械的強度に優れる。
れ、本発明に係る実施の形態３のリードフレームの構成
を示す、平面図と断面図である。本実施の形態３のリー
ドフレームは、実施の形態１，２の回路基板を作製する
方法と同様な方法を用いて製造され、互いに接着樹脂に
よって絶縁分離されたダイパッド３５１、複数のリード
３５３，３５４及び補強板３５２とを備え、従来例に比
較して放熱性と機械的強度に優れる。
【００３４】すなわち、本実施の形態３のリードフレー
ムは以下のような製造方法により作製される。まず、図
１０（ａ）に示すように、金属板３００を準備し、図１
０（ｂ）に示すように、液体レジスト３０１を金属板３
００を覆うように塗布する。次に、図１０（ｃ）に示す
ように、リードを形成すべき領域に所定の間隔でレジス
ト３０１を除去してそのレジストをマスクとしてエッチ
ングをすることにより、溝３０２を形成する。その後、
レジスト３０１を除去して、溝の内部表面を含む金属板
の上面を粗化する。
ムは以下のような製造方法により作製される。まず、図
１０（ａ）に示すように、金属板３００を準備し、図１
０（ｂ）に示すように、液体レジスト３０１を金属板３
００を覆うように塗布する。次に、図１０（ｃ）に示す
ように、リードを形成すべき領域に所定の間隔でレジス
ト３０１を除去してそのレジストをマスクとしてエッチ
ングをすることにより、溝３０２を形成する。その後、
レジスト３０１を除去して、溝の内部表面を含む金属板
の上面を粗化する。
【００３５】そして、図１０（ｅ）に示すように、実施
の形態１と同様にして、溝３０２に接着樹脂を充填す
る。同様にして、金属板３００の下面に溝３０２に対向
する溝３０３を形成して、金属板を貫通させる。ここ
で、溝３０３は、溝３０２より深くかつ広い幅に形成
し、隣接する溝３０３同士が図１０（ｆ）に示すように
側面の少なくとも１部において連通するように形成す
る。このようにして、溝３０２及び溝３０３によって形
成されるリード３５３が金属板３００の厚さより薄くな
るように形成する。尚、ダイパッドの部分は、リードに
比較して十分幅が広いので、ダイパットの両側に位置す
る溝３０３は互いに連通することはなく、ダイパッドの
部分の厚さは金属板の厚さと同一に保たれる。
の形態１と同様にして、溝３０２に接着樹脂を充填す
る。同様にして、金属板３００の下面に溝３０２に対向
する溝３０３を形成して、金属板を貫通させる。ここ
で、溝３０３は、溝３０２より深くかつ広い幅に形成
し、隣接する溝３０３同士が図１０（ｆ）に示すように
側面の少なくとも１部において連通するように形成す
る。このようにして、溝３０２及び溝３０３によって形
成されるリード３５３が金属板３００の厚さより薄くな
るように形成する。尚、ダイパッドの部分は、リードに
比較して十分幅が広いので、ダイパットの両側に位置す
る溝３０３は互いに連通することはなく、ダイパッドの
部分の厚さは金属板の厚さと同一に保たれる。
【００３６】このようにして、ダイパッド３５１の部分
が厚く、リードの部分が薄いリードフレームを作製する
ことができる。また、以上のように構成された実施の形
態３のリードフレームは、ダイパッド３５１、リード３
５３，３５４及び補強板３５２が互いに接着樹脂によっ
て固定されているので、従来例に比較して極めて高い強
度を有している。さらに、本実施の形態１のリードフレ
ームは、エッチングを用いて作製されているので、リー
ド３５３の間隔を狭くすることができ、かつ狭くしても
接着樹脂によって絶縁分離されているので、隣接するリ
ード３５３間での短絡を防止できる。
が厚く、リードの部分が薄いリードフレームを作製する
ことができる。また、以上のように構成された実施の形
態３のリードフレームは、ダイパッド３５１、リード３
５３，３５４及び補強板３５２が互いに接着樹脂によっ
て固定されているので、従来例に比較して極めて高い強
度を有している。さらに、本実施の形態１のリードフレ
ームは、エッチングを用いて作製されているので、リー
ド３５３の間隔を狭くすることができ、かつ狭くしても
接着樹脂によって絶縁分離されているので、隣接するリ
ード３５３間での短絡を防止できる。
【００３７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る回路基板は、金属板が該金属板に形成された貫通溝に
よって複数の金属配線部に分離され、該複数の金属配線
部が上記貫通溝に充填された接着樹脂によって接合固定
されて構成されているので、金属配線部の金属を厚くで
き放熱特性を良好にできる。
る回路基板は、金属板が該金属板に形成された貫通溝に
よって複数の金属配線部に分離され、該複数の金属配線
部が上記貫通溝に充填された接着樹脂によって接合固定
されて構成されているので、金属配線部の金属を厚くで
き放熱特性を良好にできる。
【００３８】さらに、本発明は、複数の上記回路基板を
積層して構成することにより、より高密度配線が可能な
回路基板を提供できる。
積層して構成することにより、より高密度配線が可能な
回路基板を提供できる。
【００３９】また、本発明に係るパッケージは、金属板
が該金属板に形成された貫通溝によって複数の金属配線
部に分離され、該複数の金属配線部が上記貫通溝に充填
された接着樹脂によって接合固定されてなる回路基板
と、上記回路基板の一方の主面に接合された開口部を有
する絶縁板と含んで構成されるので、金属配線部の金属
を厚くでき、放熱特性を良好にできる。
が該金属板に形成された貫通溝によって複数の金属配線
部に分離され、該複数の金属配線部が上記貫通溝に充填
された接着樹脂によって接合固定されてなる回路基板
と、上記回路基板の一方の主面に接合された開口部を有
する絶縁板と含んで構成されるので、金属配線部の金属
を厚くでき、放熱特性を良好にできる。
【００４０】また、本発明に係るリードフレームは、金
属板が該金属板に形成された貫通溝によって複数のリー
ド部とダイパッド部とに分離され、その複数のリード部
とダイパッド部とが上記貫通溝に充填された接着樹脂に
よって接合されてなり、上記ダイパッドの厚さを上記リ
ードの厚さに比較して厚くしているので、各リード間の
間隔を狭くでき、かつ放熱特性を良好にできる。
属板が該金属板に形成された貫通溝によって複数のリー
ド部とダイパッド部とに分離され、その複数のリード部
とダイパッド部とが上記貫通溝に充填された接着樹脂に
よって接合されてなり、上記ダイパッドの厚さを上記リ
ードの厚さに比較して厚くしているので、各リード間の
間隔を狭くでき、かつ放熱特性を良好にできる。
【００４１】また、本発明に係る回路基板の製造方法
は、金属板の一方の面に第１の溝を形成する第１の溝形
成工程と、上記第１の溝に接着剤を充填する第１の充填
工程と、上記金属板の他方の面に、上記第１の溝に連通
する第２の溝を上記金属板の他方の面に形成する第２の
溝形成工程と、上記第２の溝に接着剤を充填する第２の
充填工程とを備えているので、金属配線部の金属を厚く
できかつ上面及び下面の平坦性を良好にでき、放熱特性
が良好で、かつ比較的微細な配線パターンを有ししかも
配線パターン設計の自由度の高い回路基板を製造するこ
とができる。
は、金属板の一方の面に第１の溝を形成する第１の溝形
成工程と、上記第１の溝に接着剤を充填する第１の充填
工程と、上記金属板の他方の面に、上記第１の溝に連通
する第２の溝を上記金属板の他方の面に形成する第２の
溝形成工程と、上記第２の溝に接着剤を充填する第２の
充填工程とを備えているので、金属配線部の金属を厚く
できかつ上面及び下面の平坦性を良好にでき、放熱特性
が良好で、かつ比較的微細な配線パターンを有ししかも
配線パターン設計の自由度の高い回路基板を製造するこ
とができる。
【００４２】本発明に係るリードフレームの製造方法
は、金属板の一方の面に第１の溝を形成する第１の溝形
成工程と、上記第１の溝に接着剤を充填する第１の充填
工程と、上記金属板の他方の面に上記第１の溝に連通す
る第２の溝を上記金属板の他方の面に形成する第２の溝
形成工程と、上記第２の溝に接着剤を充填する第２の充
填工程とを備えているので、複数のリード部とダイパッ
ド部とが上記貫通溝に充填された接着樹脂によって接合
されてなる、機械的強度の高いリードフレームを製造す
ることができる。
は、金属板の一方の面に第１の溝を形成する第１の溝形
成工程と、上記第１の溝に接着剤を充填する第１の充填
工程と、上記金属板の他方の面に上記第１の溝に連通す
る第２の溝を上記金属板の他方の面に形成する第２の溝
形成工程と、上記第２の溝に接着剤を充填する第２の充
填工程とを備えているので、複数のリード部とダイパッ
ド部とが上記貫通溝に充填された接着樹脂によって接合
されてなる、機械的強度の高いリードフレームを製造す
ることができる。
【００４３】また、本発明に係るリードフレームの製造
方法において、上記第１の溝に比較して、上記第２の溝
の幅を広く形成し、かつ互いに隣接する第２の溝を少な
くとも１部で連通させると、上記ダイパッドの厚さが上
記リードの厚さに比較して厚いリードフレームを製造す
ることができる。従って、本発明のリードフレームの製
造方法によれば、放熱特性が良好でかつリード間の間隔
の狭い微細なパターンのリードフレームを製造すること
ができる。
方法において、上記第１の溝に比較して、上記第２の溝
の幅を広く形成し、かつ互いに隣接する第２の溝を少な
くとも１部で連通させると、上記ダイパッドの厚さが上
記リードの厚さに比較して厚いリードフレームを製造す
ることができる。従って、本発明のリードフレームの製
造方法によれば、放熱特性が良好でかつリード間の間隔
の狭い微細なパターンのリードフレームを製造すること
ができる。
【図１】 本発明に係る実施の形態１の回路基板の製造
方法における各工程を示す模式的な側面図（ただし、
（ｊ）は斜視図）である。
方法における各工程を示す模式的な側面図（ただし、
（ｊ）は斜視図）である。
【図２】 実施の形態１の回路基板の応用例を示す断面
図である。
図である。
【図３】 本発明に係る実施の形態２の回路基板の製造
方法における絶縁板作製と接合工程を示す模式的な断面
図である。
方法における絶縁板作製と接合工程を示す模式的な断面
図である。
【図４】 （ａ）は実施の形態２の回路基板の構成を示
す斜視図であり、（ｂ）はその応用例を示す平面図であ
る。
す斜視図であり、（ｂ）はその応用例を示す平面図であ
る。
【図５】 （ａ）は、実施の形態１，２のバンプ構造を
示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線につ
いての断面図である。
示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線につ
いての断面図である。
【図６】 実施の形態１，２の端子構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】 （ａ）は、本発明に係る回路基板の変形例を
示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ’線につ
いての断面図である。
示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ’線につ
いての断面図である。
【図８】 （ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る回路基板の
図７とは異なる変形例を示す平面図であり、（ｄ）は
（ｃ）のＣ−Ｃ’線についての断面図である。
図７とは異なる変形例を示す平面図であり、（ｄ）は
（ｃ）のＣ−Ｃ’線についての断面図である。
【図９】 （ａ）は、本発明に係る実施の形態３のリー
ドフレームを示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＤ
−Ｄ’線についての断面図である。
ドフレームを示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＤ
−Ｄ’線についての断面図である。
【図１０】 本発明に係る実施の形態３のリードフレー
ムの製造方法における各工程を示す模式的な断面図であ
る。
ムの製造方法における各工程を示す模式的な断面図であ
る。
【図１１】 本発明に係る積層回路基板の作製方法の一
例を示す模式的な断面図である。
例を示す模式的な断面図である。
１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇ，５
０，５１，５２，５３…金属配線部、２，２ａ，３，３
ｂ，３０２，３０３…溝、４…貫通溝、５，５ａ，５ｂ
…接着樹脂、１１…メッキ層、１２…ソルダーレジス
ト、２１…半導体チップ、２２…ボンディングワイヤ
ー、２３…チップ部品、３１…絶縁板、３４…接着シー
ト、３３，３２…開口部、３５，３６，４１，４２，７
１…収納スペース、４３，４４，４５…ボンディング用
スペース、６３…バンプ用凹部、６４…はんだバンプ、
１００…金属板、１０１ａ，１０１ｂ…感光性フィルム
レジスト、１０２ａ，１０２ｂ…露光用パターンフィル
ム、１０４，３０１…レジスト、１０６…接着樹脂層、
１１０…回路基板、１５０…プリプレグ、３５１…ダイ
パッド、３５２…補強板、３５３，３５４…リード、
０，５１，５２，５３…金属配線部、２，２ａ，３，３
ｂ，３０２，３０３…溝、４…貫通溝、５，５ａ，５ｂ
…接着樹脂、１１…メッキ層、１２…ソルダーレジス
ト、２１…半導体チップ、２２…ボンディングワイヤ
ー、２３…チップ部品、３１…絶縁板、３４…接着シー
ト、３３，３２…開口部、３５，３６，４１，４２，７
１…収納スペース、４３，４４，４５…ボンディング用
スペース、６３…バンプ用凹部、６４…はんだバンプ、
１００…金属板、１０１ａ，１０１ｂ…感光性フィルム
レジスト、１０２ａ，１０２ｂ…露光用パターンフィル
ム、１０４，３０１…レジスト、１０６…接着樹脂層、
１１０…回路基板、１５０…プリプレグ、３５１…ダイ
パッド、３５２…補強板、３５３，３５４…リード、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/05 Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｒ 1/18 3/06 Ａ 3/06 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｑ Ｆターム(参考） 5E315 AA02 AA03 BB04 BB05 BB14 BB18 CC01 DD16 GG01 5E336 AA04 AA08 AA09 AA12 AA14 AA16 BB02 BB03 BC15 BC16 BC26 BC31 BC34 CC32 CC43 CC52 CC58 DD01 EE01 GG03 GG16 5E338 AA01 AA02 AA16 AA18 BB03 BB19 BB63 BB72 BB75 CC01 CC08 CD32 EE02 EE26 5E339 AB02 AD01 AD03 AE01 BC01 BC02 BD03 BD11 BE11 CE12 CE15 EE10 GG10 5F067 AA01 AA03 AB03 BE04 CA04 CC01 CC07 CC09 DA05 DA07 DA16 DC11 DC17 DC18 EA03 EA04
Claims (11)
- 【請求項１】 金属板が該金属板に形成された貫通溝に
よって複数の金属配線部に分離され、該複数の金属配線
部が上記貫通溝に充填された接着樹脂によって接合固定
されてなることを特徴とする回路基板。 - 【請求項２】 上記回路基板の一方の主面にさらに、強
度を補強する絶縁板を接合してなる請求項１記載の回路
基板。 - 【請求項３】 上記絶縁板に形成された開口部又は上記
金属配線部に形成された凹部により、チップ部品の収納
スペースが設けられている請求項１又は２記載の回路基
板。 - 【請求項４】 複数の請求項１記載の回路基板を、積層
してなる回路基板。 - 【請求項５】 上記金属板が、銅、りん青銅、コバー
ル、ニッケル合金からなる群から選択された金属からな
る請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の回路基
板。 - 【請求項６】 金属板が該金属板に形成された貫通溝に
よって複数の金属配線部に分離され、該複数の金属配線
部が上記貫通溝に充填された接着樹脂によって接合固定
されてなる回路基板と、上記回路基板の一方の主面に接
合された開口部を有する絶縁板とを含んでなることを特
徴とするパッケージ。 - 【請求項７】 金属板が該金属板に形成された貫通溝に
よって複数のリード部とダイパッド部とに分離され、そ
の複数のリード部とダイパッド部とが上記貫通溝に充填
された接着樹脂によって接合されてなるリードフレーム
であって、上記ダイパッドの厚さが、上記リードの厚さ
に比較して厚いことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項８】 金属からなる複数の金属配線部が接着樹
脂によって接合固定されてなる回路基板の製造方法であ
って、 金属板の一方の面に、上記複数の金属配線部に対応した
パターン形状に第１のレジストを形成し、該第１のレジ
ストをマスクとして上記金属板をエッチングすることに
より上記金属板の一方の面に第１の溝を形成する第１の
溝形成工程と、上記第１の溝に接着剤を充填する第１の
充填工程と、 上記金属板の他方の面に、上記複数の金属配線部に対応
したパターン形状に第２のレジストを形成し、該第２の
レジストをマスクとして上記金属板をエッチングするこ
とにより上記第１の溝に連通する第２の溝を上記金属板
の他方の面に形成する第２の溝形成工程と、 上記第２の溝に接着剤を充填する第２の充填工程とを備
えたことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 【請求項９】 上記回路基板の製造方法において、上記
第２の充填工程の後に、上記金属板の一方の面に絶縁板
を接合する絶縁体接合工程を含む請求項８記載の回路基
板の製造方法。 - 【請求項１０】 金属からなる複数のリード及びダイパ
ットとが接着樹脂によって接合固定されてなるリードフ
レームの製造方法であって、 金属板の一方の面に、上記複数のリード及びダイパット
に対応したパターン形状に第１のレジストを形成し、該
第１のレジストをマスクとして上記金属板をエッチング
することにより上記金属板の一方の面に第１の溝を形成
する第１の溝形成工程と、 上記第１の溝に接着剤を充填する第１の充填工程と、 上記金属板の他方の面に、上記複数のリード及びダイパ
ットに対応したパターン形状に第２のレジストを形成
し、該第２のレジストをマスクとして上記金属板をエッ
チングすることにより上記第１の溝に連通する第２の溝
を上記金属板の他方の面に形成する第２の溝形成工程
と、 上記第２の溝に接着剤を充填する第２の充填工程とを備
えたことを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項１１】 上記第１の溝に比較して、上記第２の
溝の幅を広く形成し、かつ互いに隣接する第２の溝を少
なくとも１部で連通させる請求項１０記載のリードフレ
ームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18527199A JP4295395B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 回路基板の製造方法及びリードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18527199A JP4295395B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 回路基板の製造方法及びリードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001015868A true JP2001015868A (ja) | 2001-01-19 |
| JP4295395B2 JP4295395B2 (ja) | 2009-07-15 |
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|---|---|---|---|
| JP18527199A Expired - Fee Related JP4295395B2 (ja) | 1999-06-30 | 1999-06-30 | 回路基板の製造方法及びリードフレームの製造方法 |
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004056032A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| GB2396970A (en) * | 2002-12-30 | 2004-07-07 | Lear Corp | Process for making PCBs with insulating material between tracks |
| JP2008047843A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法、配線基板およびその製造方法 |
| WO2008069260A1 (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 回路素子実装用の基板、これを用いた回路装置およびエアコンディショナ |
| JP2010177329A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Sharp Corp | 樹脂複合リードフレームとその製造方法、及びその実装体 |
| JP2014197652A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 国立大学法人東北大学 | 回路基板、電子ビーム発生装置、電子ビーム照射装置、電子ビーム露光装置、および製造方法 |
| JP2014197520A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 国立大学法人東北大学 | 回路基板、電子ビーム発生装置、電子ビーム照射装置、電子ビーム露光装置、および製造方法 |
| CN113707638A (zh) * | 2020-05-22 | 2021-11-26 | 矽品精密工业股份有限公司 | 基板结构及其制法 |
| CN115188718A (zh) * | 2022-07-04 | 2022-10-14 | 富芯微电子有限公司 | 用于封装芯片的承载带及芯片封装结构 |
-
1999
- 1999-06-30 JP JP18527199A patent/JP4295395B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2010177329A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Sharp Corp | 樹脂複合リードフレームとその製造方法、及びその実装体 |
| JP2014197652A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 国立大学法人東北大学 | 回路基板、電子ビーム発生装置、電子ビーム照射装置、電子ビーム露光装置、および製造方法 |
| JP2014197520A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-16 | 国立大学法人東北大学 | 回路基板、電子ビーム発生装置、電子ビーム照射装置、電子ビーム露光装置、および製造方法 |
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| CN115188718A (zh) * | 2022-07-04 | 2022-10-14 | 富芯微电子有限公司 | 用于封装芯片的承载带及芯片封装结构 |
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