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JP2001015667A - Lead frame, resin-sealed semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same - Google Patents

Lead frame, resin-sealed semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same

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Publication number
JP2001015667A
JP2001015667A JP11181286A JP18128699A JP2001015667A JP 2001015667 A JP2001015667 A JP 2001015667A JP 11181286 A JP11181286 A JP 11181286A JP 18128699 A JP18128699 A JP 18128699A JP 2001015667 A JP2001015667 A JP 2001015667A
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JP
Japan
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lead
semiconductor element
resin
frame
sealing
Prior art date
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Application number
JP11181286A
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Japanese (ja)
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Inventor
Yukio Yamaguchi
幸雄 山口
Masahiko Ohiro
雅彦 大広
Takahiro Matsuo
隆広 松尾
Osamu Adachi
修 安達
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electronics Corp
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Publication of JP2001015667A publication Critical patent/JP2001015667A/en
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    • H10W90/756

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子を支持している部材が封止樹脂の
裏面から露出した構造においては、耐湿性劣化という課
題があった。 【解決手段】 封止樹脂より露出させる放熱部材2と、
その放熱部材2を支持した吊りリード部3と、リード部
4と、放熱部材2の各辺に設けられた半導体素子を支持
する支持部5を有したウイング部6よりなるリードフレ
ームであり、このリードフレームを用いることにより、
放熱部材2は封止樹脂から露出させ、半導体素子を支持
する支持部5は封止樹脂中に封止させることができるの
で、半導体素子近傍への水分の浸入を防止し、また素子
/放熱部材間に封止樹脂を介在できるので、樹脂封止型
半導体装置として耐湿性を向上させることができる。
(57) [Problem] In a structure in which a member supporting a semiconductor element is exposed from the back surface of a sealing resin, there is a problem of deterioration in moisture resistance. A heat radiating member 2 exposed from a sealing resin,
The lead frame includes a suspension lead portion 3 supporting the heat radiating member 2, a lead portion 4, and a wing portion 6 having a supporting portion 5 provided on each side of the heat radiating member 2 for supporting a semiconductor element. By using a lead frame,
The heat radiating member 2 is exposed from the sealing resin, and the supporting portion 5 for supporting the semiconductor element can be sealed in the sealing resin. Since the sealing resin can be interposed therebetween, the moisture resistance of the resin-sealed semiconductor device can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を効果
的に支持することができる機能を有したリードフレーム
と、それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造
方法に係り、特に、パワー素子からの発熱を放散するた
めにダイパッド部下面を露出させた樹脂封止型半導体装
置の改良に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame having a function of effectively supporting a semiconductor element, a resin-encapsulated semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same. The present invention relates to an improvement of a resin-encapsulated semiconductor device in which a lower surface of a die pad portion is exposed in order to dissipate heat from an element.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型、薄型化が進んでいる。
2. Description of the Related Art In recent years, in order to cope with miniaturization of electronic equipment, it has been required to mount semiconductor components mounted on electronic equipment at a high density, and accordingly, semiconductor parts have been reduced in size and thickness. In.

【0003】以下、従来のダイパッド部露出タイプの樹
脂封止型半導体装置に用いるリードフレームについて図
面を参照しながら説明する。
Hereinafter, a lead frame used in a conventional resin-sealed semiconductor device of a die pad portion exposed type will be described with reference to the drawings.

【0004】図35は、従来のリードフレームの構成を
示す図であり、図35(a)は平面図であり、図35
(b)は図35(a)におけるA−A1箇所の断面図で
ある。
FIG. 35 is a view showing the structure of a conventional lead frame. FIG. 35 (a) is a plan view, and FIG.
FIG. 36B is a cross-sectional view taken along a line A-A1 in FIG.

【0005】図35に示すように、従来のリードフレー
ムは、銅(Cu)材よりなるフレーム枠101と、その
フレーム枠101内に、半導体素子が載置される矩形状
のダイパッド部102と、ダイパッド部102の角部を
その先端部で支持し、端部がフレーム枠101と接続し
た吊りリード部103と、半導体素子を載置した場合、
その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により
電気的に接続するビーム状の複数のリード部104とよ
り構成されている。そしてリード部104は、封止樹脂
で封止された際、封止樹脂部に埋設される部分をリード
部104aを構成し、封止樹脂部より露出する部分はア
ウターリード部104bを構成するものであり、インナ
ーリード部104aとアウターリード部104bとは、
一体で連続して設けられている。
As shown in FIG. 35, a conventional lead frame includes a frame 101 made of a copper (Cu) material, a rectangular die pad 102 on which a semiconductor element is mounted, and When the corners of the die pad portion 102 are supported at the tip end, and the suspension lead portion 103 whose end portion is connected to the frame 101 and the semiconductor element are mounted,
It is composed of a plurality of beam-shaped lead portions 104 electrically connected to the mounted semiconductor element by a connecting means such as a thin metal wire. When the lead portion 104 is sealed with the sealing resin, the portion embedded in the sealing resin portion constitutes the lead portion 104a, and the portion exposed from the sealing resin portion constitutes the outer lead portion 104b. And the inner lead portion 104a and the outer lead portion 104b
They are provided integrally and continuously.

【0006】また、従来のリードフレームは、図35
(b)に示すように、ダイパッド部102は吊りリード
部103によって支持されているが、その吊りリード部
103に設けたディプレス部(図示せず)によってダイ
パッド部102がリード部104上面よりも下方に配置
されるよう、ダウンセットされているものである。この
構造は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を
構成した際、ダイパッド部102の下面を封止樹脂部の
底面に露出させるための構成である。そしてダイパッド
部102は、その周辺部分がウイング部105を有して
おり、樹脂封止型半導体装置を構成し、ダイパッド部1
02の下面が封止樹脂部の底面から露出した際の水分浸
入を防止する機能を有しているものである。
FIG. 35 shows a conventional lead frame.
As shown in (b), the die pad portion 102 is supported by the suspension lead portion 103, and the die pad portion 102 is higher than the upper surface of the lead portion 104 by a depress portion (not shown) provided on the suspension lead portion 103. It is down-set so as to be located below. This structure is for exposing the lower surface of the die pad portion 102 to the bottom surface of the sealing resin portion when a semiconductor device is mounted to form a resin-sealed semiconductor device. The die pad portion 102 has a wing portion 105 at a peripheral portion thereof, and forms a resin-encapsulated semiconductor device.
02 has a function of preventing intrusion of moisture when the lower surface of the sealing resin portion is exposed from the bottom surface of the sealing resin portion.

【0007】なお、図示していないが、従来のリードフ
レームの表面にはメッキが施されているものである。
[0007] Although not shown, the surface of a conventional lead frame is plated.

【0008】次に従来の樹脂封止型半導体装置およびそ
の製造方法について説明する。
Next, a conventional resin-encapsulated semiconductor device and a method of manufacturing the same will be described.

【0009】図36〜図40は、図35に示したリード
フレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す図である。
FIGS. 36 to 40 are views showing a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device using the lead frame shown in FIG.

【0010】まず図36に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部102と、ダ
イパッド部102の周囲に設けられたウイング部105
と、ダイパッド部102の角部をその先端部で支持し、
端部がフレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素
子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線
等の接続手段により電気的に接続するビーム状のリード
部104とを有したリードフレームを用意する。
[0010] First, as shown in FIG.
In the frame, a die pad 102 having a rectangular shape on which a semiconductor element is mounted and being set up, and a wing 105 provided around the die pad 102 are provided.
And the corners of the die pad portion 102 are supported at the tip thereof,
It has a suspension lead portion whose end is connected to the frame, and a beam-shaped lead portion 104 that is electrically connected to the mounted semiconductor element by a connecting means such as a thin metal wire when the semiconductor element is mounted. Prepare a lead frame.

【0011】そして図37に示すように、ダイパッド部
102上に半導体素子106を銀ペースト等の接着剤1
07により接着して搭載する。
Then, as shown in FIG. 37, the semiconductor element 106 is placed on the die pad 102 with an adhesive 1 such as a silver paste.
07 and mounted.

【0012】次に図38に示すように、ダイパッド部1
02上に搭載された半導体素子106の表面の電極パッ
ド(図示せず)とリード部104のインナーリード部1
04aとを金属細線108により電気的に接続する。
Next, as shown in FIG.
02 and the inner lead portion 1 of the lead portion 104 on the electrode pad (not shown) on the surface of the semiconductor element 106 mounted on
04a is electrically connected by a thin metal wire 108.

【0013】次に図39に示すように、リードフレーム
を封止金型内に載置し、トランスファーモールドによっ
てエポキシ系樹脂よりなる封止樹脂109を注入し、リ
ードフレームの外囲としてダイパッド部102、半導体
素子106、リード部104のインナーリード部104
aと金属細線108の接続領域を封止する。ここではダ
イパッド部102の下面が封止樹脂109の底面に露出
するように封止する。
Next, as shown in FIG. 39, the lead frame is placed in a sealing mold, a sealing resin 109 made of an epoxy resin is injected by transfer molding, and a die pad portion 102 is formed around the lead frame. , Semiconductor element 106, inner lead portion 104 of lead portion 104
The connection region between a and the thin metal wire 108 is sealed. Here, sealing is performed so that the lower surface of the die pad portion 102 is exposed to the bottom surface of the sealing resin 109.

【0014】そしてリード部104の切断箇所に対し
て、金型による切断刃でリードカットを行い、リード成
形(ベンディング加工)を行うことにより、図40に示
すようなリードフレームのダイパッド部102上に半導
体素子106が接着剤107により搭載され、その半導
体素子106とリード部104のインナーリード部10
4aとが金属細線108により電気的に接続され、外囲
が封止樹脂109により封止され、そして封止樹脂10
9の側面からはアウターリード部104bが露出した樹
脂封止型半導体装置であって、ダイパッド部102の下
面が封止樹脂109の底面から露出し、ダイパッド部1
02のウイング部105が封止樹脂109中に封止され
た構造の樹脂封止型半導体装置を得る。
Then, the cut portion of the lead portion 104 is subjected to lead cutting with a cutting blade using a die, and lead forming (bending process) is performed, thereby forming a lead on the die pad portion 102 of the lead frame as shown in FIG. The semiconductor element 106 is mounted by an adhesive 107, and the semiconductor element 106 and the inner lead 10 of the lead 104 are mounted.
4a are electrically connected to each other by a thin metal wire 108, the outer periphery is sealed by a sealing resin 109, and the sealing resin 10
9 is a resin-encapsulated semiconductor device in which the outer lead portion 104b is exposed from the side surface, and the lower surface of the die pad portion 102 is exposed from the bottom surface of the sealing resin 109;
Thus, a resin-encapsulated semiconductor device having a structure in which the wing 105 of No. 02 is sealed in the sealing resin 109 is obtained.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の樹脂封止型半導体装置においては、ダイパッド部の
下面を封止樹脂から露出させ、薄型化、放熱性は実現す
るものの、以下のような問題があった。
However, in the conventional resin-encapsulated semiconductor device, although the lower surface of the die pad portion is exposed from the encapsulation resin to achieve a reduction in thickness and heat dissipation, the following problems are posed. was there.

【0016】第1に、図41の断面図に示すように、ダ
イパッド部102には水分の浸入を防止するためのウイ
ング部105が設けられているが、そのウイング部10
5により、ダイパッド部102に搭載する半導体素子1
06のサイズの制約があり、大型素子(図中、破線で示
した構成)の搭載ができず、大型素子を搭載した小型パ
ッケージの実現はできないという問題があった。
First, as shown in the cross-sectional view of FIG. 41, the die pad portion 102 is provided with a wing portion 105 for preventing intrusion of moisture.
5, the semiconductor device 1 mounted on the die pad portion 102
However, there is a problem in that a large element (the configuration shown by a broken line in the drawing) cannot be mounted, and a small package having a large element cannot be realized.

【0017】第2に、封止樹脂109の応力および実装
後の応力により半導体素子106が悪影響を受けたり、
封止樹脂109にクラックが発生するという問題もあっ
た。特に図41に示すように、ダイパッド部102と封
止樹脂109との間に湿気が侵入した場合(図中の矢
印)には、両者間の密着性の低下やクラックの発生が顕
著になる。これによって、さらに信頼性が悪化するとい
う問題があった。
Second, the semiconductor element 106 is adversely affected by the stress of the sealing resin 109 and the stress after mounting.
There is also a problem that cracks occur in the sealing resin 109. In particular, as shown in FIG. 41, when moisture enters between the die pad portion 102 and the sealing resin 109 (arrows in the drawing), the adhesion between the two and the occurrence of cracks become remarkable. As a result, there is a problem that the reliability is further deteriorated.

【0018】第3に、ダイパッド部102の上面および
側面には、封止樹脂109が存在するものの、ダイパッ
ド部102の裏面側には、封止樹脂109が存在しな
い。そのために、半導体素子106の下面を接着する接
着剤107に水分が吸水し、実装時の高温で気化膨張に
より、ダイパッド部102および半導体素子106に対
する封止樹脂の保持力が低下して、信頼性が悪化すると
いう問題(ポップコーンクラック)があった。
Third, although the sealing resin 109 exists on the upper surface and the side surface of the die pad portion 102, the sealing resin 109 does not exist on the back surface side of the die pad portion 102. For this reason, moisture is absorbed by the adhesive 107 that bonds the lower surface of the semiconductor element 106, and the holding power of the sealing resin to the die pad portion 102 and the semiconductor element 106 is reduced due to vaporization and expansion at a high temperature at the time of mounting. Was worse (popcorn cracking).

【0019】第4に、半導体素子106を接着剤107
でダイパッド部102の上面に接続すると、熱膨張率の
差によって、ダイパッド部102が反りを生じ樹脂封止
時にダイパッド部102の裏面上に封止樹脂の一部がは
み出し、いわゆる樹脂バリがが発生するという問題があ
った。
Fourth, the semiconductor element 106 is bonded to the adhesive 107.
When connected to the upper surface of the die pad portion 102, a difference in thermal expansion coefficient causes the die pad portion 102 to warp, and a part of the sealing resin protrudes on the back surface of the die pad portion 102 during resin sealing, so-called resin burrs are generated. There was a problem of doing.

【0020】第5に、実装基板とダイパッド部との接合
において、ダイパッド部102の裏面上に封止樹脂の一
部がはみ出していわゆる樹脂バリが介在すると、実装基
板の接続部との接触が不十分となり、放熱特性などの所
望の特性を十分発揮できないおそれがある。一方、この
樹脂バリはウォータージェットなどの利用によって除去
できるが、かかる処理は煩雑な手間を要し、しかも、ウ
ォータージェット工程によってリード表面のメッキ層が
剥がれ、また不純物が付着することから、樹脂封止工程
後に樹脂封止から露出している部分にメッキを施すこと
が必要となり、作業能率の低下,信頼性の悪化を招く恐
れもあった。
Fifth, in the bonding between the mounting board and the die pad portion, if a part of the sealing resin protrudes from the back surface of the die pad portion 102 and so-called resin burrs are interposed, the contact with the connecting portion of the mounting substrate is not achieved. There is a possibility that desired characteristics such as heat radiation characteristics cannot be sufficiently exhibited. On the other hand, this resin burr can be removed by using a water jet or the like, but such a process requires complicated labor, and the plating layer on the lead surface is peeled off by the water jet process and impurities are attached, so that the resin sealing is performed. After the stopping step, it is necessary to apply plating to a portion exposed from the resin sealing, which may cause a reduction in work efficiency and a decrease in reliability.

【0021】本発明は、以上の諸点に鑑みなされたもの
であって、その代表的な目的は下記の通りである。
The present invention has been made in view of the above points, and its typical purpose is as follows.

【0022】本発明の第1の目的は、半導体素子を搭載
する機能のダイパッド部と放熱機能を有する部材とを分
離することにより、放熱部材の下面を封止樹脂から露出
させた場合における放熱部材に対する封止樹脂の保持力
を高めることにより、放熱部材の剥がれを抑制し、信頼
性のある樹脂封止型半導体装置およびその製造に適した
リードフレームを提供することにある。
A first object of the present invention is to separate a die pad portion having a function of mounting a semiconductor element and a member having a heat dissipation function, so that the heat dissipation member when the lower surface of the heat dissipation member is exposed from the sealing resin. An object of the present invention is to provide a reliable resin-sealed semiconductor device and a lead frame suitable for manufacturing the same by suppressing peeling of a heat radiating member by increasing a holding force of a sealing resin for the semiconductor device.

【0023】本発明の第2の目的は、ダイパッド部と放
熱部材とを分離することにより、放熱部材と封止樹脂と
の間から水分や湿気が侵入することによる封止樹脂のク
ラックを抑制し得る樹脂封止型半導体装置およびその製
造に適したリードフレームを提供することにある。
A second object of the present invention is to separate the die pad portion and the heat radiating member, thereby suppressing cracks in the sealing resin due to intrusion of moisture or moisture from between the heat radiating member and the sealing resin. An object of the present invention is to provide a resin-encapsulated semiconductor device to be obtained and a lead frame suitable for manufacturing the same.

【0024】本発明の第3の目的は、ダイパッド部と放
熱部材とを分離することにより、大きな半導体素子の搭
載を可能にして、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置お
よびその製造方法を提供することにある。
A third object of the present invention is to provide a highly reliable resin-encapsulated semiconductor device by separating a die pad portion and a heat radiating member so that a large semiconductor element can be mounted, and a method of manufacturing the same. Is to do.

【0025】本発明の第4の目的は、ダイパッド部と放
熱部材とを分離することにより、放熱部材の下面を封止
樹脂から露出させた場合における樹脂バリの発生を防止
することにより、放熱特性のよい樹脂封止型半導体装
置,その製造方法およびその製造に適したリードフレー
ムを提供することにある。
A fourth object of the present invention is to separate the die pad portion from the heat radiating member to prevent the occurrence of resin burrs when the lower surface of the heat radiating member is exposed from the sealing resin, thereby achieving a heat radiation characteristic. It is an object of the present invention to provide a resin-encapsulated semiconductor device, a method of manufacturing the same, and a lead frame suitable for the manufacture thereof.

【0026】さらに、本発明の第5の目的は、ダイパッ
ド部を放熱部材より上部に配することにより、放熱部材
の下面を封止樹脂から露出させた場合における信頼性の
高い樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供す
ることにある。
A fifth object of the present invention is to provide a highly reliable resin-encapsulated semiconductor when the lower surface of the heat radiating member is exposed from the sealing resin by disposing the die pad portion above the heat radiating member. An object of the present invention is to provide an apparatus and a method of manufacturing the same.

【0027】さらに、本発明の第6の目的は、ダイパッ
ド部を吊りリード部に配することにより、放熱部材の下
面を封止樹脂から露出させた場合における信頼性の高い
樹脂バリのない樹脂封止型半導体装置,その製造方法お
よびその製造に適したリードフレームを提供することに
ある。
Further, a sixth object of the present invention is to provide a highly reliable resin sealing without a resin burr when the lower surface of the heat radiating member is exposed from the sealing resin by disposing the die pad portion on the suspension lead portion. It is an object of the present invention to provide a stop-type semiconductor device, a method of manufacturing the same, and a lead frame suitable for the manufacture thereof.

【0028】さらに、本発明の第7の目的は、ダイパッ
ド部を吊りリード部に配し、放熱部材より上位に位置す
ることにより、放熱部材の下面を封止樹脂から露出させ
た場合における信頼性の高い大きな半導体素子を搭載す
る樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供する
ことにある。
Further, a seventh object of the present invention is to dispose the die pad portion on the suspension lead portion and position the die pad portion above the heat radiating member so that the lower surface of the heat radiating member is exposed from the sealing resin. And a method of manufacturing the same.

【0029】[0029]

【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために本発明のリードフレームとそれを用いた樹脂封
止型半導体装置およびその製造方法は以下のような構成
を有している。
In order to solve the above-mentioned conventional problems, a lead frame of the present invention, a resin-encapsulated semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same are as follows.

【0030】すなわち本発明のリードフレームは、フレ
ーム枠と、前記フレーム枠の開口領域に設けられた放熱
部材と、前記放熱部材にその先端が対向し、末端が前記
フレーム枠に接続した複数のリード部と、前記放熱部材
の近傍に半導体素子を支持する支持部を有したリードフ
レームである。
That is, the lead frame of the present invention comprises a frame, a heat dissipating member provided in an opening area of the frame, and a plurality of leads each having a distal end facing the heat dissipating member and a terminal connected to the frame. And a lead frame having a support portion for supporting the semiconductor element near the heat radiating member.

【0031】また、フレーム枠と、前記フレーム枠の開
口領域に設けられた放熱部材と、前記放熱部材をその先
端部で支持し、末端部で前記フレーム枠と接続した吊り
リード部と、前記放熱部材にその先端が対向し、末端が
前記フレーム枠に接続した複数のリード部と、前記放熱
部材を前記リード部の上面よりも下方に配置するために
前記吊りリード部に設けられたディプレス部と、前記放
熱部材の近傍に半導体素子を支持する支持部を有したリ
ードフレームである。
A frame frame, a heat radiating member provided in an opening area of the frame frame, a suspension lead portion supporting the heat radiating member at a distal end thereof and connected to the frame frame at a distal end portion, A plurality of leads each having a distal end opposed to the member and a distal end connected to the frame, and a depress portion provided on the suspension lead portion for disposing the heat radiating member below an upper surface of the lead portion; And a lead frame having a supporting portion for supporting a semiconductor element near the heat radiating member.

【0032】具体的には、放熱部材の近傍に設けた支持
部は、放熱部材の各側辺にウイング状に一体で設けられ
ているリードフレームである。
Specifically, the support portion provided near the heat radiating member is a lead frame integrally provided in a wing shape on each side of the heat radiating member.

【0033】また、放熱部材の近傍に設けた支持部は、
放熱部材を支持している吊りリード部に設けられている
リードフレームである。
Further, the supporting portion provided near the heat radiating member includes:
It is a lead frame provided in a suspension lead portion that supports a heat radiation member.

【0034】さらに、フレーム枠と、前記フレーム枠の
開口領域に設けられた放熱部材と、前記放熱部材上に設
けられた半導体素子支持用の突出部と、前記放熱部材を
その先端部で支持し、末端部で前記フレーム枠と接続し
た吊りリード部と、前記放熱部材にその先端が対向し、
末端が前記フレーム枠に接続した複数のリード部と、前
記放熱部材を前記リード部の上面よりも下方に配置する
ために前記吊りリード部に設けられたディプレス部と、
前記吊りリード部に半導体素子を支持する支持部とを有
するリードフレームであって、前記吊りリード部のディ
プレス部によって、前記放熱部材上の突出部の上面と前
記吊りリード部に設けられた支持部の上面とは同一面で
配置されているリードフレームである。
Further, a frame, a heat dissipating member provided in an opening area of the frame, a projection for supporting a semiconductor element provided on the heat dissipating member, and the heat dissipating member supported at its tip. A suspension lead portion connected to the frame at an end portion, and a distal end of the suspension lead portion facing the heat dissipation member,
A plurality of lead portions whose ends are connected to the frame, and a depress portion provided on the suspension lead portion to arrange the heat dissipation member below the upper surface of the lead portion,
A lead frame having a support portion for supporting a semiconductor element on the suspension lead portion, wherein a support portion provided on the upper surface of the protrusion on the heat dissipation member and the suspension lead portion by a depressed portion of the suspension lead portion. The upper surface of the portion is a lead frame arranged on the same surface.

【0035】本発明の樹脂封止型半導体装置は、電極パ
ッドを有する半導体素子と、前記半導体素子の下方に設
けられた放熱部材と、前記放熱部材を支持し、ディプレ
ス部を有した吊りリード部と、前記放熱部材の各辺に設
けられ、前記半導体素子を接着剤を介して支持した支持
部を有するウイング部と、前記放熱部材にその先端が対
向し、末端が外部端子となる複数の信号接続用のリード
部と、前記半導体素子の電極パッドと前記リード部とを
電気的に接続した金属細線と、前記放熱部材の下面を除
く部分、前記ウイング部、前記半導体素子、前記リード
部および金属細線を封止した封止樹脂とを備え、前記放
熱部材の下面は前記封止樹脂の底面より露出するととも
に、前記放熱部材の上部と前記半導体素子の下面との間
には封止樹脂が埋め込まれている樹脂封止型半導体装置
である。
A resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention includes a semiconductor element having an electrode pad, a heat radiating member provided below the semiconductor element, and a suspension lead supporting the heat radiating member and having a depressed portion. And a wing portion provided on each side of the heat dissipating member and having a support portion supporting the semiconductor element via an adhesive, and a plurality of wing portions each having a distal end opposed to the heat dissipating member and having a distal end serving as an external terminal. A lead portion for signal connection, a thin metal wire electrically connecting the electrode pad of the semiconductor element and the lead portion, a portion excluding a lower surface of the heat dissipation member, the wing portion, the semiconductor element, the lead portion and A sealing resin that seals the thin metal wire, a lower surface of the heat radiating member is exposed from a bottom surface of the sealing resin, and a sealing resin is provided between an upper portion of the heat radiating member and a lower surface of the semiconductor element. Buried It is being written resin-sealed semiconductor device.

【0036】具体的には、リード部の下面と一側面は前
記封止樹脂の底面より露出している樹脂封止型半導体装
置である。
Specifically, a resin-sealed semiconductor device in which the lower surface and one side surface of the lead portion are exposed from the bottom surface of the sealing resin.

【0037】また、電極パッドを有する半導体素子と、
前記半導体素子の下方に設けられた放熱部材と、前記放
熱部材を支持し、ディプレス部を有した吊りリード部
と、前記吊りリード部に設けられ、前記半導体素子を接
着剤を介して支持した支持部と、前記放熱部材にその先
端が対向し、末端が外部端子となる複数の信号接続用の
リード部と、前記半導体素子の電極パッドと前記リード
部とを電気的に接続した金属細線と、前記放熱部材の下
面を除く部分、前記吊りリード部、前記半導体素子、前
記リード部および金属細線を封止した封止樹脂とを備
え、前記放熱部材の下面、前記リード部の底面および一
側面は前記封止樹脂より露出するとともに、前記放熱部
材の上部と前記半導体素子の下面との間には封止樹脂が
埋め込まれている樹脂封止型半導体装置である。
A semiconductor device having an electrode pad;
A heat dissipating member provided below the semiconductor element, a suspending lead that supports the heat dissipating member, and has a depressed portion, and is provided on the suspending lead, and supports the semiconductor element via an adhesive. A support portion, a plurality of signal connection leads each having a distal end facing the heat dissipating member, and a distal end serving as an external terminal; and a thin metal wire electrically connecting the electrode pad of the semiconductor element and the lead. A portion excluding the lower surface of the heat dissipating member, the suspension lead portion, the semiconductor element, a sealing resin for sealing the lead portion and the fine metal wire, and a lower surface of the heat dissipating member, a bottom surface and one side surface of the lead portion. Is a resin-sealed semiconductor device that is exposed from the sealing resin and has a sealing resin embedded between an upper portion of the heat dissipation member and a lower surface of the semiconductor element.

【0038】また、電極パッドを有する半導体素子と、
前記半導体素子の下方に設けられた放熱部材と、前記放
熱部材の上面に設けられ、前記半導体素子を接着剤を介
して支持した突出部と、前記放熱部材を支持し、ディプ
レス部を有した吊りリード部と、前記吊りリード部に設
けられ、前記半導体素子を接着剤を介して支持した支持
部と、前記放熱部材にその先端が対向し、末端が外部端
子となる複数の信号接続用のリード部と、前記半導体素
子の電極パッドと前記リード部とを電気的に接続した金
属細線と、前記放熱部材の下面を除く部分、前記吊りリ
ード部、前記半導体素子、前記リード部および金属細線
を封止した封止樹脂とを備え、前記放熱部材の下面、前
記リード部の底面および一側面は前記封止樹脂より露出
するとともに、前記放熱部材の上部と前記半導体素子の
下面との間には封止樹脂が埋め込まれている樹脂封止型
半導体装置である。
A semiconductor device having an electrode pad;
A heat dissipating member provided below the semiconductor element, a protrusion provided on the upper surface of the heat dissipating member, supporting the semiconductor element via an adhesive, and supporting the heat dissipating member, and having a depressed part. A suspension lead portion, a support portion provided on the suspension lead portion and supporting the semiconductor element via an adhesive, and a plurality of signal connection terminals each having a distal end facing the heat dissipating member and a distal end serving as an external terminal. A lead portion, a thin metal wire electrically connecting the electrode pad of the semiconductor element and the lead portion, a portion excluding a lower surface of the heat dissipation member, the suspension lead portion, the semiconductor element, the lead portion and the thin metal wire. A bottom surface of the heat radiation member, a bottom surface and one side surface of the lead portion are exposed from the sealing resin, and a space between an upper portion of the heat radiation member and a lower surface of the semiconductor element is provided. Seal A resin-sealed semiconductor device resin is embedded.

【0039】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、フレーム枠と、前記フレーム枠の開口領域に設けら
れた放熱部材と、前記放熱部材をその先端部で支持し、
末端部で前記フレーム枠と接続した吊りリード部と、前
記放熱部材にその先端が対向し、末端が前記フレーム枠
に接続した複数の信号接続用のリード部と、前記放熱部
材の近傍として、前記放熱部材の各辺に設けられた半導
体素子を支持する支持部を有したウイング部よりなるリ
ードフレームを用意する工程と、前記リードフレームの
放熱部材の上方に延在して設けられたウイング部の支持
部上に半導体素子を接着して搭載する工程と、前記放熱
部材の支持部上に搭載された半導体素子の電極パッドと
リード部とを金属細線により接続する工程と、前記リー
ドフレームの外囲として放熱部材の下面を除く部分、半
導体素子、リード部と金属細線との接続領域を樹脂封止
する工程と、リードカットにより、前記リードフレーム
の前記放熱部材のウイング部の支持部上に半導体素子が
搭載され、前記半導体素子とリード部とが金属細線によ
り接続され、外囲が封止樹脂により封止され、放熱部材
の下面が封止樹脂の底面から露出し、ウイング部が封止
樹脂中に封止された構造の樹脂封止型半導体装置を得る
工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であ
る。
According to a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, a frame, a heat dissipating member provided in an opening region of the frame, and the heat dissipating member are supported at a tip thereof.
A suspension lead portion connected to the frame at an end portion, a tip of the suspension member facing the heat dissipation member, and a plurality of signal connection leads connected to the frame end at the end, and the vicinity of the heat dissipation member, A step of preparing a lead frame comprising a wing portion having a supporting portion for supporting a semiconductor element provided on each side of the heat radiating member; and a step of preparing a lead frame extending above the heat radiating member of the lead frame. A step of bonding and mounting the semiconductor element on the support part, a step of connecting the electrode pads of the semiconductor element mounted on the support part of the heat dissipating member and the lead part with thin metal wires, and a step of enclosing the lead frame. A step of resin-sealing a portion excluding the lower surface of the heat dissipating member, a semiconductor element, and a connection region between the lead portion and the thin metal wire, and cutting the lead, thereby forming the heat dissipating member The semiconductor element is mounted on the support portion of the wing portion, the semiconductor element and the lead portion are connected by a thin metal wire, the outer periphery is sealed with a sealing resin, and the lower surface of the heat radiating member is exposed from the bottom surface of the sealing resin. And a step of obtaining a resin-sealed semiconductor device having a structure in which a wing portion is sealed in a sealing resin.

【0040】具体的には、リードフレームの外囲として
放熱部材の下面を除く部分、半導体素子、リード部のイ
ンナーリード部と金属細線の接続領域を樹脂封止する工
程では、封止シートを用いて放熱部材の底面をマスクし
た状態で樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法
である。
More specifically, a sealing sheet is used in the step of resin-sealing the portion of the lead frame except the lower surface of the heat radiating member, the semiconductor element, and the connection region between the inner lead portion of the lead portion and the thin metal wire. This is a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device that performs resin encapsulation while masking the bottom surface of the heat dissipation member.

【0041】また、フレーム枠と、前記フレーム枠の開
口領域に設けられた放熱部材と、前記放熱部材をその先
端部で支持し、末端部で前記フレーム枠と接続した吊り
リード部と、前記放熱部材にその先端が対向し、末端が
前記フレーム枠に接続した複数の信号接続用のリード部
と、前記放熱部材の近傍として、前記吊りリード部のデ
ィプレス部間に設けられた半導体素子を支持する支持部
を有したリードフレームを用意する工程と、前記吊りリ
ード部の支持部上に半導体素子を接着して搭載する工程
と、前記吊りリード部の支持部上に搭載された半導体素
子の電極パッドとリード部とを金属細線により接続する
工程と、前記半導体素子を搭載したリードフレームの底
面のリード部、放熱部材、吊りリード部の一部に対して
封止シートを密着させる工程と、前記封止シートを付設
したリードフレームを封止金型内に載置し、リードフレ
ームの外囲として放熱部材の下面を除く部分、半導体素
子、リード部と金属細線の接続領域、吊りリード部を樹
脂封止する工程と、前記封止シートを除去する工程と、
前記樹脂封止後のリードフレームのリード部の切断箇所
に対してリードカットを行い、吊りリード部の支持部上
に半導体素子が搭載され、前記半導体素子とリード部と
が金属細線により接続され、外囲が封止樹脂により封止
され、前記封止樹脂の側面からはアウターリード部が露
出した樹脂封止型半導体装置であって、放熱部材の下面
が前記封止樹脂の底面から露出し、支持部が前記封止樹
脂中に封止された構造の樹脂封止型半導体装置を得る工
程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
A frame frame, a heat radiating member provided in an opening region of the frame frame, a suspension lead portion supporting the heat radiating member at a distal end thereof and connected to the frame frame at a distal end portion; A plurality of signal connection leads, the ends of which are opposed to the member and the ends of which are connected to the frame, and a semiconductor element provided between the depressed portions of the suspension leads as the vicinity of the heat dissipation member. Preparing a lead frame having a support portion to be mounted; bonding and mounting a semiconductor element on the support portion of the suspension lead portion; and an electrode of the semiconductor element mounted on the support portion of the suspension lead portion. A step of connecting the pad and the lead with a thin metal wire, and bonding the sealing sheet to a part of the lead, the heat radiation member, and the suspension lead on the bottom surface of the lead frame on which the semiconductor element is mounted. And placing the lead frame provided with the sealing sheet in a sealing mold, a portion excluding the lower surface of the heat radiating member as an outer periphery of the lead frame, a semiconductor element, a connection area between the lead portion and the thin metal wire, A step of resin-encapsulating the suspension leads, and a step of removing the sealing sheet;
A lead cut is performed on a cut portion of a lead portion of the lead frame after the resin sealing, a semiconductor element is mounted on a support portion of the suspension lead portion, and the semiconductor element and the lead portion are connected by a thin metal wire, An outer periphery is sealed with a sealing resin, a resin-sealed semiconductor device in which an outer lead portion is exposed from a side surface of the sealing resin, wherein a lower surface of a heat radiation member is exposed from a bottom surface of the sealing resin, A method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device, comprising the step of obtaining a resin-sealed semiconductor device having a structure in which a support portion is sealed in the sealing resin.

【0042】また、フレーム枠と、前記フレーム枠の開
口領域に設けられ、上面に突出した支持部を有した放熱
部材と、前記放熱部材をその先端部で支持し、末端部で
前記フレーム枠と接続した吊りリード部と、前記放熱部
材にその先端が対向し、末端が前記フレーム枠に接続し
た複数の信号接続用のリード部と、前記放熱部材の近傍
として、前記吊りリード部のディプレス部間に設けられ
た半導体素子を支持する支持部とを有したリードフレー
ムを用意する工程と、前記吊りリード部の支持部上、お
よび放熱部材の支持部上に半導体素子を接着して搭載す
る工程と、搭載された半導体素子の電極パッドとリード
部とを金属細線により接続する工程と、前記半導体素子
を搭載したリードフレームの底面のリード部、放熱部
材、吊りリード部の一部に対して封止シートを密着させ
る工程と、封止シートを付設したリードフレームを封止
金型内に載置し、リードフレームの外囲として放熱部材
の下面を除く部分、半導体素子、リード部、金属細線の
接続領域、吊りリード部を樹脂封止する工程と、樹脂封
止後は封止シートを除去する工程と、樹脂封止後のリー
ドフレームのリード部の切断箇所に対して、リードカッ
トを行い、吊りリード部の支持部と放熱部材上の支持部
上とに半導体素子が搭載され、前記半導体素子とリード
部とが金属細線により接続され、外囲が封止樹脂により
封止され、前記封止樹脂の側面からはアウターリード部
が露出した樹脂封止型半導体装置であって、放熱部材の
下面が封止樹脂の底面から露出し、各支持部が封止樹脂
中に封止された構造の樹脂封止型半導体装置を得る工程
とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
Further, a frame member, a heat dissipating member provided in an opening area of the frame member and having a supporting portion protruding from the upper surface, a heat dissipating member supported at its tip end, A connected suspension lead, a plurality of signal connection leads each having a distal end opposed to the heat radiating member and a distal end connected to the frame, and a depressed portion of the suspension lead as the vicinity of the heat radiating member. A step of preparing a lead frame having a support portion for supporting the semiconductor element provided therebetween; and a step of bonding and mounting the semiconductor element on the support portion of the suspension lead portion and the support portion of the heat radiation member. Connecting the electrode pad and the lead of the mounted semiconductor element with a thin metal wire; and forming the lead, heat radiation member, and suspension lead on the bottom surface of the lead frame on which the semiconductor element is mounted. A step of bringing a sealing sheet into close contact with a portion, placing a lead frame provided with the sealing sheet in a sealing mold, and surrounding the lead frame except for a lower surface of a heat radiation member, a semiconductor element, and a lead. Section, the step of removing the sealing sheet after resin sealing, and the step of removing the sealing sheet after resin sealing, and the cutting portion of the lead section of the lead frame after resin sealing. The semiconductor element is mounted on the support portion of the suspension lead portion and the support portion on the heat radiating member by performing lead cutting, the semiconductor element and the lead portion are connected by a thin metal wire, and the outer periphery is sealed with a sealing resin. The resin-encapsulated semiconductor device has an outer lead portion exposed from a side surface of the sealing resin, wherein a lower surface of the heat radiation member is exposed from a bottom surface of the sealing resin, and each support portion is sealed in the sealing resin. Resin-sealed semi-conductor with stopped structure Device is a method for producing a more becomes a resin-sealed semiconductor device and to obtain a.

【0043】前記構成の通り、本発明のリードフレーム
を用いて樹脂封止型半導体装置を構成した場合には、種
々の課題を解決できるものである。例えば、放熱部材上
面と半導体素子との間に封止樹脂を存在させることが可
能となり、放熱部材に対する封止樹脂の保持力の高い樹
脂封止型半導体装置が得られる。また、半導体素子を支
持する支持部材の下面を封止樹脂より露出させない構造
にすることができるため封止樹脂との密着性が増大する
ことになり、境界からの水分や湿気の侵入が抑制され
る。よって耐湿性を向上させることができる。
As described above, when a resin-encapsulated semiconductor device is formed using the lead frame of the present invention, various problems can be solved. For example, a sealing resin can be present between the upper surface of the heat radiating member and the semiconductor element, and a resin-sealed semiconductor device having a high holding force of the sealing resin with respect to the heat radiating member can be obtained. Further, since the lower surface of the supporting member that supports the semiconductor element can be configured not to be exposed from the sealing resin, the adhesiveness with the sealing resin increases, and the intrusion of moisture or moisture from the boundary is suppressed. You. Therefore, the moisture resistance can be improved.

【0044】さらに放熱部材と半導体素子を支持する部
分とを分離した構成により、大型の半導体素子を搭載す
ることができ、大型素子を搭載した高密度パッケージを
実現できるものである。
Further, by separating the heat radiating member and the portion supporting the semiconductor element, a large semiconductor element can be mounted, and a high-density package mounting the large element can be realized.

【0045】また封止シートを用いることにより、樹脂
封止の際に、放熱部材等の表面への樹脂バリの発生も防
止できるものである。
Further, by using the sealing sheet, it is possible to prevent the occurrence of resin burrs on the surface of the heat radiation member or the like during resin sealing.

【0046】[0046]

【発明の実施の形態】以下、本発明のリードフレームと
それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
について、その一実施形態を図面を参照しながら説明す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A lead frame, a resin-sealed semiconductor device using the same and a method for manufacturing the same according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0047】まず本発明の第1の実施形態のリードフレ
ームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製
造方法について説明する。
First, a lead frame according to the first embodiment of the present invention, a resin-sealed semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same will be described.

【0048】図1は本実施形態のリードフレームを示す
図であり、図1(a)は平面図であり、図1(b)は図
1(a)のB−B1箇所の断面図である。
FIG. 1 is a view showing a lead frame of the present embodiment, FIG. 1A is a plan view, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along a line BB in FIG. 1A. .

【0049】図1に示すように、本実施形態のリードフ
レームは、フレーム枠1と、そのフレーム枠1の開口領
域に設けられた放熱部材2と、放熱部材2をその先端部
で支持し、末端部でフレーム枠1と接続した吊りリード
部3と、放熱部材2にその先端が対向し、末端がフレー
ム枠1に接続した複数の信号接続用のリード部4と、放
熱部材2の近傍として、放熱部材2の各辺に設けられた
半導体素子を支持する支持部5を有したウイング部6よ
りなるリードフレームであり、放熱部材2をリード部4
よりも下方に配置するために吊りリード部3にディプレ
ス部を有しているものである。またリード部4はインナ
ーリード部4aとアウターリード部4bとにより構成さ
れている。
As shown in FIG. 1, the lead frame of the present embodiment has a frame 1, a heat radiating member 2 provided in an opening area of the frame 1, and a heat radiating member 2 supported at its tip. A suspension lead 3 connected to the frame 1 at the end, a plurality of signal connection leads 4 whose ends are opposed to the heat radiating member 2 and the ends connected to the frame 1, and a vicinity of the heat radiating member 2. A wing portion 6 having a supporting portion 5 provided on each side of the heat radiating member 2 for supporting a semiconductor element.
The suspension lead portion 3 has a depressed portion so as to be disposed at a lower position. The lead portion 4 includes an inner lead portion 4a and an outer lead portion 4b.

【0050】本実施形態のリードフレームでは、半導体
素子を支持する部分である支持部5はウイング部6に形
成されており、このウイング部6の支持部5で半導体素
子を支持することにより、樹脂封止した際は、半導体素
子の底面と放熱部材2の上面には封止樹脂を介在させる
ことができ、放熱部材2に対する封止樹脂の保持力の高
い樹脂封止型半導体装置を実現できるものである。そし
て半導体素子を支持する支持部5を封止樹脂より露出さ
せない構造にすることができるため、封止樹脂との密着
性が増大することになり、境界からの水分や湿気の侵入
を抑制できるものである。
In the lead frame according to the present embodiment, the supporting portion 5 which supports the semiconductor element is formed on the wing portion 6, and the supporting portion 5 of the wing portion 6 supports the semiconductor element, thereby forming a resin. When sealed, a sealing resin can be interposed between the bottom surface of the semiconductor element and the top surface of the heat radiating member 2, thereby realizing a resin-sealed semiconductor device having a high holding force of the sealing resin with respect to the heat radiating member 2. It is. In addition, since the supporting portion 5 that supports the semiconductor element can be configured so as not to be exposed from the sealing resin, the adhesion with the sealing resin is increased, and the penetration of moisture or moisture from the boundary can be suppressed. It is.

【0051】なお、本実施形態のリードフレームにおい
て、放熱部材2の各辺に設けるウイング部6、支持部5
については、図面上は連続した形態として、ほぼ放熱部
材2の辺全体に設けているが、辺全体ではなく部分的
に、例えば放熱部材の各角部の近傍、または各辺の中央
部に設けてもよい。この場合、樹脂注入の際、樹脂の入
り込みが良好となり、半導体素子の下面と放熱部材2の
上面に効率よく封止樹脂を介在させることができる。
In the lead frame of this embodiment, the wing portions 6 and the support portions 5 provided on each side of the heat radiation member 2 are provided.
Is provided on the entire side of the heat radiation member 2 as a continuous form in the drawing, but is provided not on the entire side but partially, for example, near each corner of the heat radiation member or at the center of each side. You may. In this case, when the resin is injected, the penetration of the resin becomes good, and the sealing resin can be efficiently interposed between the lower surface of the semiconductor element and the upper surface of the heat radiation member 2.

【0052】また、本実施形態のリードフレームは図1
で示した構成よりなるリードフレームパターンが1つで
はなく複数個、左右、上下の連続した配列になっている
ものである。
The lead frame of the present embodiment is shown in FIG.
The lead frame pattern having the structure shown in FIG. 3 is not one but a plurality of lead frame patterns arranged continuously in the left, right, up and down directions.

【0053】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置お
よびその製造方法について説明する。
Next, a resin-sealed semiconductor device of this embodiment and a method of manufacturing the same will be described.

【0054】図2〜図6は、図1に示したリードフレー
ムを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程
ごとの断面図である。
FIGS. 2 to 6 are cross-sectional views showing the steps of a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device using the lead frame shown in FIG.

【0055】まず図2に示すように、フレーム枠と、そ
のフレーム枠の開口領域に設けられた放熱部材2と、放
熱部材2をその先端部で支持し、末端部でフレーム枠と
接続した吊りリード部と、放熱部材2にその先端が対向
し、末端がフレーム枠に接続した複数の信号接続用のリ
ード部4と、放熱部材2の近傍として、放熱部材2の各
辺に設けられた半導体素子を支持する支持部5を有した
ウイング部6よりなるリードフレームを用意する。
First, as shown in FIG. 2, a frame frame, a heat radiating member 2 provided in an opening area of the frame frame, and a hanging member which supports the heat radiating member 2 at its distal end and is connected to the frame at its distal end. A plurality of signal connection leads 4 whose leading ends face the heat radiating member 2 and whose ends are connected to the frame, and a semiconductor provided on each side of the heat radiating member 2 near the heat radiating member 2. A lead frame including a wing portion 6 having a support portion 5 for supporting the element is prepared.

【0056】そして図3に示すように、放熱部材2の上
方に延在して設けられたウイング部6の支持部5上に半
導体素子7を銀ペースト等の接着剤8により接着して搭
載する。
Then, as shown in FIG. 3, the semiconductor element 7 is mounted on the support portion 5 of the wing portion 6 provided extending above the heat radiation member 2 by bonding with an adhesive 8 such as a silver paste. .

【0057】次に図4に示すように、放熱部材2の支持
部5上に搭載された半導体素子7の表面の電極パッド
(図示せず)とリード部4のインナーリード部4aとを
金属細線9により電気的に接続する。
Next, as shown in FIG. 4, an electrode pad (not shown) on the surface of the semiconductor element 7 mounted on the support portion 5 of the heat radiating member 2 and an inner lead portion 4a of the lead portion 4 are connected to a thin metal wire. 9 for electrical connection.

【0058】次に図5に示すように、リードフレームを
封止金型内に載置し、トランスファーモールドによって
エポキシ系樹脂よりなる封止樹脂10を注入し、リード
フレームの外囲として放熱部材2の下面を除く部分、半
導体素子7、リード部4のインナーリード部4aと金属
細線9の接続領域を封止する。ここでは放熱部材2の下
面を封止樹脂10の底面に露出させ、放熱機能を有する
ように封止する。この場合、封止シートを用いて放熱部
材の底面をマスクした状態で樹脂封止することが好適で
ある。
Next, as shown in FIG. 5, the lead frame is placed in a sealing mold, a sealing resin 10 made of an epoxy resin is injected by transfer molding, and a heat radiating member 2 is formed around the lead frame. Of the semiconductor element 7 and the inner lead portion 4a of the lead portion 4 and the connection region of the thin metal wire 9 are sealed. Here, the lower surface of the heat radiating member 2 is exposed to the bottom surface of the sealing resin 10 and sealed so as to have a heat radiating function. In this case, it is preferable to perform resin sealing with the bottom surface of the heat radiation member being masked using a sealing sheet.

【0059】そしてリード部4の切断箇所に対して、金
型による切断刃でリードカットを行い、リード成形(ベ
ンディング加工)を行うことにより、図6に示すような
リードフレームの放熱部材2のウイング部6の支持部5
上に半導体素子7が接着剤8により搭載され、その半導
体素子7とリード部4のインナーリード部4aとが金属
細線9により電気的に接続され、外囲が封止樹脂10に
より封止され、そして封止樹脂10の側面からはアウタ
ーリード部4bが露出した樹脂封止型半導体装置であっ
て、放熱部材2の下面が封止樹脂10の底面から露出
し、ウイング部6が封止樹脂10中に封止された構造の
樹脂封止型半導体装置を得る。
Then, the cut portion of the lead portion 4 is subjected to lead cutting by a cutting blade using a die, and lead forming (bending process) is performed, whereby the wing of the heat radiating member 2 of the lead frame as shown in FIG. Supporting part 5 of part 6
The semiconductor element 7 is mounted thereon with an adhesive 8, the semiconductor element 7 and the inner lead 4 a of the lead 4 are electrically connected by a thin metal wire 9, and the outer periphery is sealed by a sealing resin 10. A resin-encapsulated semiconductor device in which the outer lead portions 4b are exposed from the side surfaces of the sealing resin 10, the lower surface of the heat radiation member 2 is exposed from the bottom surface of the sealing resin 10, and the wing portions 6 are A resin-sealed semiconductor device having a structure sealed therein is obtained.

【0060】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、図
6に示すように、放熱部材2の上面と半導体素子7との
間に、封止樹脂10を存在させることが可能となり、放
熱部材2に対する封止樹脂10の保持力の高い樹脂封止
型半導体装置である。また、半導体素子7を支持する支
持部5、ウイング部6を封止樹脂より露出させない構造
であるため、封止樹脂10との密着性が増大することに
なり、境界からの水分や湿気の侵入が抑制される。よっ
てパッケージクラックの発生等を防止して耐湿性が向上
するものである。
In the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment, as shown in FIG. 6, the sealing resin 10 can be provided between the upper surface of the heat radiating member 2 and the semiconductor element 7. 2 is a resin-encapsulated semiconductor device having a high holding force of the encapsulating resin 10 with respect to the semiconductor device 2. Further, since the structure is such that the supporting portion 5 and the wing portion 6 supporting the semiconductor element 7 are not exposed from the sealing resin, the adhesion to the sealing resin 10 is increased, and moisture or moisture enters from the boundary. Is suppressed. Therefore, the occurrence of package cracks is prevented, and the moisture resistance is improved.

【0061】次に本発明の第2の実施形態のリードフレ
ームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製
造方法について説明する。
Next, a lead frame according to a second embodiment of the present invention, a resin-sealed semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same will be described.

【0062】図7は本実施形態のリードフレームを示す
平面図であり、図8は図7の平面図におけるC−C1箇
所の断面図である。そして図9は図7の平面図における
D−D1箇所の断面図である。
FIG. 7 is a plan view showing a lead frame according to the present embodiment, and FIG. 8 is a cross-sectional view taken along a line C--C1 in the plan view of FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view taken along a line D-D1 in the plan view of FIG.

【0063】図7,図8,図9に示すように、本実施形
態のリードフレームは、フレーム枠1と、そのフレーム
枠1の開口領域に設けられた放熱部材2と、放熱部材2
をその先端部で支持し、末端部でフレーム枠1と接続し
た吊りリード部3と、放熱部材2にその先端が対向し、
末端がフレーム枠1に接続した複数の信号接続用のリー
ド部4と、放熱部材2の近傍として、各吊りリード部3
に設けられた半導体素子を支持する支持部11とよりな
るリードフレームであり、放熱部材2を吊りリード部3
の支持部11よりも下方に配置し、かつ支持部11のみ
を上方に配置し、他の吊りリード部3の部分を下方に傾
斜させるために、吊りリード部3に複数のディプレス部
を有しているものである。またリード部4はインナーリ
ード部4aとアウターリード部4bとにより構成されて
いる。なお、図7中、破線で示した領域は、樹脂封止す
る封止ラインを示し、一点鎖線で示した部分はリードカ
ットする部分を示している。また放熱部材2の表面には
溝部12が環状に設けられているものであり、封止樹脂
との密着性を高め、また樹脂剥離を防止する機能を付加
している。
As shown in FIGS. 7, 8, and 9, the lead frame of the present embodiment includes a frame 1, a heat radiating member 2 provided in an opening area of the frame 1, a heat radiating member 2,
Is supported at its distal end, and its distal end is opposed to the suspension lead 3 connected to the frame 1 at the distal end, and to the heat dissipating member 2.
A plurality of signal connection leads 4 whose ends are connected to the frame 1;
And a supporting portion 11 for supporting the semiconductor element provided on the lead frame.
The suspension lead 3 has a plurality of depressed portions in order to dispose it below the support 11 and only arrange the support 11 above and to incline the other suspension lead 3 downward. Is what you are doing. The lead portion 4 includes an inner lead portion 4a and an outer lead portion 4b. In FIG. 7, a region shown by a broken line indicates a sealing line for resin sealing, and a portion shown by a dashed line indicates a portion to be lead-cut. A groove 12 is provided in a ring shape on the surface of the heat radiating member 2 to enhance the adhesion to the sealing resin and to prevent the resin from peeling off.

【0064】本実施形態のリードフレームでは、半導体
素子を支持する部分である支持部11は吊りリード部3
に形成されており、この支持部11で半導体素子を支持
することにより、樹脂封止した際は、半導体素子の底面
と放熱部材2の上面には封止樹脂を介在させることがで
き、放熱部材2に対する封止樹脂の保持力の高い樹脂封
止型半導体装置を実現できるものである。そして半導体
素子を支持する支持部11を封止樹脂より露出させない
構造にすることができるため、封止樹脂との密着性が増
大することになり、境界からの水分や湿気の侵入を抑制
できるものである。
In the lead frame of the present embodiment, the supporting portion 11, which supports the semiconductor element, is
When the semiconductor element is supported by the support portion 11, the sealing resin can be interposed between the bottom surface of the semiconductor element and the upper surface of the heat radiating member 2 when resin sealing is performed. 2 can realize a resin-encapsulated semiconductor device having a high holding force of the encapsulating resin with respect to 2. Since the supporting portion 11 for supporting the semiconductor element can be formed so as not to be exposed from the sealing resin, the adhesion to the sealing resin is increased, and the penetration of moisture or moisture from the boundary can be suppressed. It is.

【0065】なお、支持部11は形状は本実施形態では
円形としているが、形状、面積については搭載する半導
体素子の底面積により設定する。またディプレス部につ
いても支持部11を上方に配置し、放熱部材2をリード
部4と同一面に配置できるように設ければよく、ディプ
レス部の個数も適宜、設定する。また、本実施形態のリ
ードフレームは図7で示した構成よりなるリードフレー
ムパターンが1つではなく複数個、左右、上下の連続し
た配列になっているものである。
The shape of the support portion 11 is circular in the present embodiment, but the shape and area are set according to the bottom area of the semiconductor element to be mounted. The depressed portion may be provided such that the support portion 11 is disposed above and the heat radiating member 2 can be disposed on the same surface as the lead portion 4, and the number of depressed portions is appropriately set. Further, the lead frame of the present embodiment is not a single lead frame pattern having the configuration shown in FIG.

【0066】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置お
よびその製造方法について説明する。
Next, the resin-sealed semiconductor device of this embodiment and a method of manufacturing the same will be described.

【0067】図10〜図16は、図7に示したリードフ
レームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す
工程ごとの断面図である。図10〜図16においては、
便宜上、図7におけるD−C1箇所の断面を示してい
る。
FIGS. 10 to 16 are sectional views showing the steps of a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device using the lead frame shown in FIG. In FIGS. 10 to 16,
For the sake of convenience, a cross section taken along a line D-C1 in FIG.

【0068】まず図10に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠の開口領域に設けられた放熱部材2と、
放熱部材2をその先端部で支持し、末端部でフレーム枠
と接続した吊りリード部3と、放熱部材2にその先端が
対向し、末端がフレーム枠に接続した複数の信号接続用
のリード部4と、放熱部材2の近傍として、吊りリード
部3のディプレス部間に設けられた半導体素子を支持す
る支持部11を有したリードフレームを用意する。
First, as shown in FIG.
A heat radiating member 2 provided in an opening region of the frame;
A suspension lead portion 3 supporting the heat dissipating member 2 at its distal end and being connected to the frame at the distal end; and a plurality of signal connection leads each having a distal end facing the heat dissipating member 2 and having a distal end connected to the frame. 4 and a lead frame having a support portion 11 provided between the depressed portions of the suspension lead portions 3 for supporting the semiconductor element near the heat radiating member 2 is prepared.

【0069】そして図11に示すように、吊りリード部
3に設けた支持部11上に半導体素子7を銀ペースト等
の接着剤8により接着して搭載する。
Then, as shown in FIG. 11, the semiconductor element 7 is mounted on the support portion 11 provided on the suspension lead portion 3 by bonding with an adhesive 8 such as a silver paste.

【0070】次に図12に示すように、吊りリード部3
の支持部11上に搭載された半導体素子7の表面の電極
パッド(図示せず)とリード部4のインナーリード部4
aとを金属細線9により電気的に接続する。
Next, as shown in FIG.
Electrode pads (not shown) on the surface of the semiconductor element 7 mounted on the support portion 11 and the inner lead portions 4 of the lead portions 4.
a are electrically connected by a thin metal wire 9.

【0071】次に図13に示すように、半導体素子7を
搭載したリードフレームの底面のリード部4、放熱部材
2、吊りリード部3の一部に対して封止シート13を密
着させる。
Next, as shown in FIG. 13, the sealing sheet 13 is adhered to a part of the lead portion 4, the heat radiation member 2, and the suspension lead portion 3 on the bottom surface of the lead frame on which the semiconductor element 7 is mounted.

【0072】そして図14に示すように、封止シート1
3を付設したリードフレームを封止金型内に載置し、ト
ランスファーモールドによってエポキシ系樹脂よりなる
封止樹脂10を注入し、リードフレームの外囲として放
熱部材2の下面を除く部分、半導体素子7、リード部4
のインナーリード部4aと金属細線9の接続領域、吊り
リード部3を封止する。ここでは放熱部材2の下面を封
止樹脂10の底面に露出させ、放熱機能を有するように
封止するとともに、封止シート13によってリード部4
の底面も封止樹脂より露出するように封止する。
Then, as shown in FIG.
3 is placed in a sealing mold, a sealing resin 10 made of an epoxy resin is injected by transfer molding, and a portion excluding the lower surface of the heat dissipating member 2 as an outer periphery of the lead frame, a semiconductor element 7. Lead part 4
The connection region between the inner lead portion 4a and the thin metal wire 9 and the suspension lead portion 3 are sealed. Here, the lower surface of the heat dissipating member 2 is exposed to the bottom surface of the sealing resin 10, and is sealed so as to have a heat dissipating function.
Is also sealed so as to be exposed from the sealing resin.

【0073】次に図15に示すように、樹脂封止後は、
封止シート13をピールオフによりリード部4等の底面
から除去する。
Next, as shown in FIG. 15, after resin sealing,
The sealing sheet 13 is removed from the bottom surface of the lead portion 4 or the like by peel-off.

【0074】そしてリード部4の切断箇所に対して、リ
ードカット(リード成形)を行うことにより、図16に
示すようなリードフレームの吊りリード部3の支持部1
1上に半導体素子7が接着剤8により搭載され、その半
導体素子7とリード部4のインナーリード部4aとが金
属細線9により電気的に接続され、外囲が封止樹脂10
により封止され、そして封止樹脂10の側面からはアウ
ターリード部4bが露出した樹脂封止型半導体装置であ
って、放熱部材2の下面が封止樹脂10の底面から露出
し、支持部11が封止樹脂10中に封止された構造の樹
脂封止型半導体装置を得る。
Then, a lead cut (lead molding) is performed on the cut portion of the lead portion 4 so that the support portion 1 of the suspension lead portion 3 of the lead frame as shown in FIG.
A semiconductor element 7 is mounted on the substrate 1 by an adhesive 8, the semiconductor element 7 is electrically connected to an inner lead portion 4 a of the lead portion 4 by a thin metal wire 9, and an outer periphery is formed of a sealing resin 10.
And the outer lead portion 4b is exposed from the side surface of the sealing resin 10, and the lower surface of the heat radiating member 2 is exposed from the bottom surface of the sealing resin 10, Is obtained in the sealing resin 10 to obtain a resin-sealed type semiconductor device.

【0075】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、図
16に示すように、放熱部材2の上面と半導体素子7と
の間に、封止樹脂10を存在させることが可能となり、
放熱部材2に対する封止樹脂10の保持力の高い樹脂封
止型半導体装置である。また、半導体素子7を支持する
支持部11部分を封止樹脂より露出させない構造である
ため、封止樹脂10との密着性が増大することになり、
境界からの水分や湿気の侵入が抑制される。よってパッ
ケージクラックの発生等を防止して耐湿性が向上するも
のである。
In the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment, as shown in FIG. 16, the encapsulation resin 10 can be provided between the upper surface of the heat radiating member 2 and the semiconductor element 7.
This is a resin-sealed semiconductor device having a high holding force of the sealing resin 10 with respect to the heat radiation member 2. In addition, since the supporting portion 11 supporting the semiconductor element 7 is not exposed from the sealing resin, the adhesion with the sealing resin 10 is increased,
Intrusion of moisture and moisture from the boundary is suppressed. Therefore, the occurrence of package cracks is prevented, and the moisture resistance is improved.

【0076】次に本発明の第3の実施形態のリードフレ
ームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製
造方法について説明する。
Next, a lead frame according to a third embodiment of the present invention, a resin-sealed semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same will be described.

【0077】図17は本実施形態のリードフレームを示
す平面図であり、図18は図17の平面図におけるE−
E1箇所の断面図である。そして図19は図17の平面
図におけるF−F1箇所の断面図である。
FIG. 17 is a plan view showing a lead frame of the present embodiment, and FIG.
It is sectional drawing of E1 location. 19 is a cross-sectional view taken along a line FF1 in the plan view of FIG.

【0078】図17,図18,図19に示すように、本
実施形態のリードフレームは、フレーム枠1と、そのフ
レーム枠1の開口領域に設けられた放熱部材2と、放熱
部材2の上面に突出して設けられた支持部14と、放熱
部材2をその先端部で支持し、末端部でフレーム枠1と
接続した吊りリード部3と、放熱部材2にその先端が対
向し、末端がフレーム枠1に接続した複数の信号接続用
のリード部4と、放熱部材2の近傍として、各吊りリー
ド部3に設けられた半導体素子を支持する支持部11と
よりなるリードフレームであり、放熱部材2を吊りリー
ド部3の支持部11よりも下方に配置し、放熱部材2の
突出した支持部14と吊りリード部3の支持部11とを
同一面に配置し、かつ支持部11のみを上方に配置し、
他の吊りリード部3の部分を下方に傾斜させるために、
吊りリード部3に複数のディプレス部を有しているもの
である。またリード部4はインナーリード部4aとアウ
ターリード部4bとにより構成されている。なお、図1
7中、破線で示した領域は、樹脂封止する封止ラインを
示し、一点鎖線で示した部分はリードカットする部分を
示している。また放熱部材2の表面には、密着性と剥離
防止のために溝部を設けてもよい。
As shown in FIGS. 17, 18, and 19, the lead frame of the present embodiment includes a frame 1, a heat radiating member 2 provided in an opening area of the frame 1, and a top surface of the heat radiating member 2. The supporting part 14 protruding from the supporting member, the heat dissipating member 2 is supported at its distal end, and the suspension lead part 3 connected to the frame 1 at the distal end, and the distal end thereof is opposed to the heat dissipating member 2, and the distal end is a frame. The heat dissipation member comprises a plurality of signal connection lead portions 4 connected to the frame 1 and a support portion 11 provided in the vicinity of the heat dissipation member 2 for supporting the semiconductor element provided on each suspension lead portion 3. 2 is disposed below the support portion 11 of the suspension lead portion 3, the support portion 14 of the heat radiation member 2 and the support portion 11 of the suspension lead portion 3 are disposed on the same surface, and only the support portion 11 is positioned upward. Placed in
In order to incline the other suspension lead portion 3 downward,
The suspension lead portion 3 has a plurality of depressed portions. The lead portion 4 includes an inner lead portion 4a and an outer lead portion 4b. FIG.
In FIG. 7, a region shown by a broken line shows a sealing line for resin sealing, and a portion shown by a dashed line shows a part to be lead-cut. Further, a groove may be provided on the surface of the heat radiating member 2 for adhesion and prevention of peeling.

【0079】本実施形態のリードフレームでは、半導体
素子を支持する部分である支持部11は吊りリード部3
に形成されており、また支持部14は放熱部材2上に形
成されており、この支持部11と支持部14とで半導体
素子を支持することにより、安定して半導体素子を支持
することができる。また、樹脂封止した際は、半導体素
子の底面と放熱部材2の上面には封止樹脂を介在させる
ことができ、放熱部材2に対する封止樹脂の保持力の高
い樹脂封止型半導体装置を実現できるものである。そし
て半導体素子を支持する支持部11、支持部14を封止
樹脂より露出させない構造にすることができるため、封
止樹脂との密着性が増大することになり、境界からの水
分や湿気の侵入を抑制できるものである。
In the lead frame according to the present embodiment, the supporting portion 11 for supporting the semiconductor element is
The supporting portion 14 is formed on the heat radiating member 2, and the semiconductor element can be stably supported by supporting the semiconductor device with the supporting portion 11 and the supporting portion 14. . In addition, when resin sealing is performed, a sealing resin can be interposed between the bottom surface of the semiconductor element and the upper surface of the heat radiating member 2. It can be realized. In addition, since the supporting portions 11 and 14 supporting the semiconductor element can be structured so as not to be exposed from the sealing resin, the adhesion to the sealing resin is increased, and moisture or moisture enters from the boundary. Can be suppressed.

【0080】なお、支持部11、支持部14の形状は本
実施形態では円形としているが、形状、面積については
搭載する半導体素子の底面積により設定する。またディ
プレス部についても支持部11を上方に配置し、支持部
11と放熱部材2の突出した支持部14の面とを同一面
に配置できるように設ければよく、ディプレス部の個数
も適宜、設定する。また、本実施形態のリードフレーム
は図17で示した構成よりなるリードフレームパターン
が1つではなく複数個、左右、上下の連続した配列にな
っているものである。
Although the shapes of the support portions 11 and 14 are circular in this embodiment, the shape and area are set according to the bottom area of the semiconductor element to be mounted. Also, the depressed portion may be provided such that the support portion 11 is disposed above and the support portion 11 and the surface of the protruding support portion 14 of the heat radiation member 2 can be disposed on the same surface. Set as appropriate. Further, the lead frame of the present embodiment is not a single lead frame pattern having the configuration shown in FIG.

【0081】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置お
よびその製造方法について説明する。
Next, a resin-sealed semiconductor device of this embodiment and a method of manufacturing the same will be described.

【0082】図20〜図26は、図17に示したリード
フレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す工程ごとの断面図である。図20〜図26において
は、便宜上、図17におけるF−E1箇所の断面を示し
ている。
FIGS. 20 to 26 are sectional views showing the steps of a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device using the lead frame shown in FIG. 20 to 26 show, for convenience, a cross section taken along the line FE1 in FIG.

【0083】まず図20に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠の開口領域に設けられ、突出した支持部
14を有した放熱部材2と、放熱部材2をその先端部で
支持し、末端部でフレーム枠と接続した吊りリード部3
と、放熱部材2にその先端が対向し、末端がフレーム枠
に接続した複数の信号接続用のリード部4と、放熱部材
2の近傍として、吊りリード部3のディプレス部間に設
けられた半導体素子を支持する支持部11を有したリー
ドフレームを用意する。
First, as shown in FIG. 20, a frame
A heat dissipating member 2 provided in an opening region of the frame and having a protruding support portion 14; and a suspending lead 3 supporting the heat dissipating member 2 at its distal end and connected to the frame at its distal end.
A plurality of signal connection leads 4 whose distal ends are opposed to the heat radiating member 2 and whose ends are connected to the frame are provided between the depressed portions of the suspension lead portions 3 near the heat radiating member 2. A lead frame having a support portion 11 for supporting a semiconductor element is prepared.

【0084】そして図21に示すように、吊りリード部
3に設けた支持部11上、および放熱部材2の支持部1
4上に半導体素子7を銀ペースト等の接着剤8により接
着して搭載する。
Then, as shown in FIG. 21, the support portion 11 provided on the suspension lead portion 3 and the support portion 1 of the heat radiation member 2 are provided.
The semiconductor element 7 is mounted on the substrate 4 by bonding with an adhesive 8 such as a silver paste.

【0085】次に図22に示すように、吊りリード部3
の支持部11上と放熱部材2の支持部14上に搭載され
た半導体素子7の表面の電極パッド(図示せず)とリー
ド部4のインナーリード部4aとを金属細線9により電
気的に接続する。
Next, as shown in FIG.
An electrode pad (not shown) on the surface of the semiconductor element 7 mounted on the support portion 11 of the semiconductor device 7 and the support portion 14 of the heat dissipating member 2 is electrically connected to the inner lead portion 4a of the lead portion 4 by the thin metal wire 9. I do.

【0086】次に図23に示すように、半導体素子7を
搭載したリードフレームの底面のリード部4、放熱部材
2、吊りリード部3の一部に対して封止シート13を密
着させる。
Next, as shown in FIG. 23, the sealing sheet 13 is adhered to a part of the lead portion 4, the heat radiation member 2, and the suspension lead portion 3 on the bottom surface of the lead frame on which the semiconductor element 7 is mounted.

【0087】そして図24に示すように、封止シート1
3を付設したリードフレームを封止金型内に載置し、ト
ランスファーモールドによってエポキシ系樹脂よりなる
封止樹脂10を注入し、リードフレームの外囲として放
熱部材2の下面を除く部分、半導体素子7、リード部4
のインナーリード部4aと金属細線9の接続領域、吊り
リード部3を封止する。ここでは放熱部材2の下面が封
止樹脂10の底面に露出させ、放熱機能を有するように
封止するとともに、封止シート13によってリード部4
の底面も封止樹脂より露出するように封止する。
Then, as shown in FIG.
3 is placed in a sealing mold, a sealing resin 10 made of an epoxy resin is injected by transfer molding, and a portion excluding the lower surface of the heat dissipating member 2 as an outer periphery of the lead frame, a semiconductor element 7. Lead part 4
The connection region between the inner lead portion 4a and the thin metal wire 9 and the suspension lead portion 3 are sealed. Here, the lower surface of the heat dissipating member 2 is exposed to the bottom surface of the sealing resin 10, and is sealed so as to have a heat dissipating function.
Is also sealed so as to be exposed from the sealing resin.

【0088】次に図25に示すように、樹脂封止後は、
封止シート13をピールオフによりリード部4等の底面
から除去する。
Next, as shown in FIG. 25, after resin sealing,
The sealing sheet 13 is removed from the bottom surface of the lead portion 4 or the like by peel-off.

【0089】そしてリード部4の切断箇所に対して、リ
ードカット(リード成形)を行うことにより、図26に
示すようなリードフレームの吊りリード部3の支持部1
1と放熱部材2上の支持部14上とに半導体素子7が接
着剤8により搭載され、その半導体素子7とリード部4
のインナーリード部4aとが金属細線9により電気的に
接続され、外囲が封止樹脂10により封止され、そして
封止樹脂10の側面からはアウターリード部4bが露出
した樹脂封止型半導体装置であって、放熱部材2の下面
が封止樹脂10の底面から露出し、支持部11が封止樹
脂10中に封止された構造の樹脂封止型半導体装置を得
る。
Then, a lead cut (lead molding) is performed on the cut portion of the lead portion 4 so that the support portion 1 of the suspension lead portion 3 of the lead frame as shown in FIG.
The semiconductor element 7 is mounted on the support portion 14 on the heat radiating member 2 with the adhesive 8, and the semiconductor element 7 and the lead portion 4
Is electrically connected to the inner lead portion 4a by the thin metal wire 9, the outer periphery is sealed by the sealing resin 10, and the outer lead portion 4b is exposed from the side surface of the sealing resin 10. A resin-sealed semiconductor device having a structure in which the lower surface of the heat radiation member 2 is exposed from the bottom surface of the sealing resin 10 and the support portion 11 is sealed in the sealing resin 10 is obtained.

【0090】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、図
26に示すように、放熱部材2の上面と半導体素子7と
の間に、封止樹脂10を存在させることが可能となり、
放熱部材2に対する封止樹脂10の保持力の高い樹脂封
止型半導体装置である。また、半導体素子7を支持する
支持部11、支持部14部分を封止樹脂より露出させな
い構造であるため、封止樹脂10との密着性が増大する
ことになり、境界からの水分や湿気の侵入が抑制され
る。よってパッケージクラックの発生等を防止して耐湿
性が向上するものである。
In the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment, as shown in FIG. 26, the encapsulation resin 10 can be provided between the upper surface of the heat radiation member 2 and the semiconductor element 7.
This is a resin-sealed semiconductor device having a high holding force of the sealing resin 10 with respect to the heat radiation member 2. In addition, since the structure is such that the portions of the support portions 11 and 14 that support the semiconductor element 7 are not exposed from the sealing resin, the adhesion to the sealing resin 10 is increased, and moisture and moisture from the boundary are prevented. Intrusion is suppressed. Therefore, the occurrence of package cracks is prevented, and the moisture resistance is improved.

【0091】次に本発明の第4の実施形態のリードフレ
ームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製
造方法について説明する。
Next, a lead frame according to a fourth embodiment of the present invention, a resin-sealed semiconductor device using the same, and a method of manufacturing the same will be described.

【0092】図27は本実施形態のリードフレームを示
す図であり、図27(a)は平面図であり、図27
(b)は図27の平面図におけるG−G1箇所の断面図
である。
FIG. 27 is a view showing a lead frame of this embodiment, and FIG. 27 (a) is a plan view, and FIG.
FIG. 28B is a sectional view taken along a line GG1 in the plan view of FIG. 27.

【0093】図27に示すように、本実施形態のリード
フレームは、フレーム枠1と、そのフレーム枠1の開口
領域に設けられた放熱部材2と、放熱部材2をその先端
部で支持し、末端部でフレーム枠1と接続した吊りリー
ド部3と、放熱部材2にその先端が対向し、末端がフレ
ーム枠1に接続した複数の信号接続用のリード部4と、
放熱部材2の近傍として、放熱部材2の各辺に設けられ
た半導体素子を支持する支持部5を有したウイング部6
よりなるリードフレームである。またリード部4はイン
ナーリード部4aとアウターリード部4bとにより構成
されている。なお、図27中、破線で示した領域は、樹
脂封止する封止ラインを示し、一点鎖線で示した部分は
リードカットする部分を示している。また放熱部材2の
表面には溝部12が環状に設けられているものであり、
封止樹脂との密着性を高め、また樹脂剥離を防止する機
能を付加している。特に片面封止パッケージでは溝部1
2の作用効果は大きいものである。
As shown in FIG. 27, the lead frame of this embodiment has a frame 1, a heat radiating member 2 provided in an opening area of the frame 1, and a heat radiating member 2 supported at its tip. A suspension lead portion 3 connected to the frame 1 at an end, a plurality of signal connection leads 4 having a tip facing the heat radiation member 2 and an end connected to the frame 1,
A wing portion 6 having a supporting portion 5 for supporting a semiconductor element provided on each side of the heat radiating member 2 near the heat radiating member 2
Is a lead frame. The lead portion 4 includes an inner lead portion 4a and an outer lead portion 4b. In FIG. 27, a region shown by a broken line indicates a sealing line for resin sealing, and a portion shown by a dashed line indicates a portion to be lead-cut. A groove 12 is provided on the surface of the heat radiating member 2 in a ring shape.
A function to increase the adhesion to the sealing resin and to prevent resin peeling is added. In particular, in a single-sided sealed package, the groove 1
2 has a large effect.

【0094】本実施形態のリードフレームでは、半導体
素子を支持する部分である支持部5はウイング部6に形
成されており、このウイング部6の支持部5で半導体素
子を支持することにより、樹脂封止した際は、半導体素
子の底面と放熱部材2の上面には封止樹脂を介在させる
ことができ、放熱部材2に対する封止樹脂の保持力の高
い樹脂封止型半導体装置を実現できるものである。そし
て半導体素子を支持する支持部5を封止樹脂より露出さ
せない構造にすることができるため、封止樹脂との密着
性が増大することになり、境界からの水分や湿気の侵入
を抑制できるものである。
In the lead frame according to the present embodiment, the supporting portion 5 which supports the semiconductor element is formed on the wing portion 6, and the supporting portion 5 of the wing portion 6 supports the semiconductor element to form a resin. When sealed, a sealing resin can be interposed between the bottom surface of the semiconductor element and the top surface of the heat radiating member 2, thereby realizing a resin-sealed semiconductor device having a high holding force of the sealing resin with respect to the heat radiating member 2. It is. In addition, since the supporting portion 5 that supports the semiconductor element can be configured so as not to be exposed from the sealing resin, the adhesion with the sealing resin is increased, and the penetration of moisture or moisture from the boundary can be suppressed. It is.

【0095】なお、本実施形態のリードフレームにおい
て、放熱部材2の各辺に設けるウイング部6、支持部5
については、図面上は連続した形態として、ほぼ放熱部
材2の辺全体に設けているが、辺全体ではなく部分的
に、例えば放熱部材の各角部の近傍、または各辺の中央
部に設けてもよい。この場合、樹脂注入の際、樹脂の入
り込みが良好となり、半導体素子の下面と放熱部材2の
上面に効率よく封止樹脂を介在させることができる。
In the lead frame of the present embodiment, the wing portions 6 and the support portions 5 provided on each side of the heat radiating member 2 are provided.
Is provided on the entire side of the heat radiation member 2 as a continuous form in the drawing, but is provided not on the entire side but partially, for example, near each corner of the heat radiation member or at the center of each side. You may. In this case, when the resin is injected, the penetration of the resin becomes good, and the sealing resin can be efficiently interposed between the lower surface of the semiconductor element and the upper surface of the heat radiation member 2.

【0096】また、本実施形態のリードフレームは図2
7で示した構成よりなるリードフレームパターンが1つ
ではなく複数個、左右、上下の連続した配列になってい
るものである。
The lead frame of the present embodiment is shown in FIG.
The lead frame pattern having the configuration shown in FIG. 7 is not one, but a plurality of lead frame patterns arranged continuously in the left, right, up and down directions.

【0097】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置お
よびその製造方法について説明する。
Next, the resin-sealed semiconductor device of this embodiment and a method of manufacturing the same will be described.

【0098】図28〜図34は、図27に示したリード
フレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す工程ごとの断面図である。
FIGS. 28 to 34 are cross-sectional views showing steps of a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device using the lead frame shown in FIG. 27.

【0099】まず図28に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠の開口領域に設けられた放熱部材2と、
放熱部材2をその先端部で支持し、末端部でフレーム枠
と接続した吊りリード部と、放熱部材2にその先端が対
向し、末端がフレーム枠に接続した複数の信号接続用の
リード部4と、放熱部材2の近傍として、放熱部材2の
各辺に設けられた半導体素子を支持する支持部5を有し
たウイング部6よりなるリードフレームを用意する。
First, as shown in FIG.
A heat radiating member 2 provided in an opening region of the frame;
A suspension lead portion supporting the heat dissipating member 2 at its distal end and being connected to the frame at its distal end; and a plurality of signal connection leads 4 having its distal end facing the heat dissipating member 2 and having its distal end connected to the frame. Then, a lead frame including a wing portion 6 having a support portion 5 for supporting a semiconductor element provided on each side of the heat radiation member 2 is prepared near the heat radiation member 2.

【0100】そして図29に示すように、放熱部材2の
上方に延在して設けられたウイング部6の支持部5上に
半導体素子7を銀ペースト等の接着剤8により接着して
搭載する。
As shown in FIG. 29, the semiconductor element 7 is mounted on the support portion 5 of the wing portion 6 extending above the heat radiating member 2 by bonding with an adhesive 8 such as silver paste. .

【0101】次に図30に示すように、放熱部材2の支
持部5上に搭載された半導体素子7の表面の電極パッド
(図示せず)とリード部4のインナーリード部4aとを
金属細線9により電気的に接続する。
Next, as shown in FIG. 30, an electrode pad (not shown) on the surface of the semiconductor element 7 mounted on the support portion 5 of the heat radiating member 2 and an inner lead portion 4a of the lead portion 4 are connected to a thin metal wire. 9 for electrical connection.

【0102】次に図31に示すように、半導体素子7を
搭載したリードフレームの底面のリード部4、放熱部材
2に対して封止シート13を密着させる。
Next, as shown in FIG. 31, the sealing sheet 13 is brought into close contact with the lead portion 4 and the heat radiation member 2 on the bottom surface of the lead frame on which the semiconductor element 7 is mounted.

【0103】そして図32に示すように、封止シート1
3を付設したリードフレームを封止金型内に載置し、ト
ランスファーモールドによってエポキシ系樹脂よりなる
封止樹脂10を注入し、リードフレームの外囲として放
熱部材2の下面を除く部分、半導体素子7、リード部4
のインナーリード部4aと金属細線9の接続領域を封止
する。ここでは放熱部材2の下面が封止樹脂10の底面
に露出させ、放熱機能を有するように封止するととも
に、封止シート13によってリード部4の底面も封止樹
脂より露出するように封止する。
Then, as shown in FIG. 32, the sealing sheet 1
3 is placed in a sealing mold, a sealing resin 10 made of an epoxy resin is injected by transfer molding, and a portion excluding the lower surface of the heat dissipating member 2 as an outer periphery of the lead frame, a semiconductor element 7. Lead part 4
The connection region between the inner lead portion 4a and the thin metal wire 9 is sealed. Here, the lower surface of the heat radiating member 2 is exposed to the bottom surface of the sealing resin 10 and sealed so as to have a heat radiating function, and the sealing sheet 13 is sealed so that the bottom surface of the lead portion 4 is also exposed from the sealing resin. I do.

【0104】次に図33に示すように、樹脂封止後は、
封止シート13をピールオフによりリード部4等の底面
から除去する。
Next, as shown in FIG. 33, after resin sealing,
The sealing sheet 13 is removed from the bottom surface of the lead portion 4 or the like by peel-off.

【0105】そしてリード部4の切断箇所に対して、リ
ードカット(リード成形)を行い、図34に示すような
リードフレームの放熱部材2のウイング部6の支持部5
上に半導体素子7が接着剤8により搭載され、その半導
体素子7とリード部4のインナーリード部4aとが金属
細線9により電気的に接続され、外囲が封止樹脂10に
より封止され、そして封止樹脂10の側面からはアウタ
ーリード部4bが露出した樹脂封止型半導体装置であっ
て、放熱部材2の下面とリード部4の底面が封止樹脂1
0の底面から露出し、ウイング部6が封止樹脂10中に
封止された構造の樹脂封止型半導体装置を得る。
Then, a lead cut (lead molding) is performed on the cut portion of the lead portion 4, and the support portion 5 of the wing portion 6 of the heat radiation member 2 of the lead frame as shown in FIG.
The semiconductor element 7 is mounted thereon with an adhesive 8, the semiconductor element 7 and the inner lead 4 a of the lead 4 are electrically connected by a thin metal wire 9, and the outer periphery is sealed by a sealing resin 10. A resin-encapsulated semiconductor device in which the outer lead portions 4b are exposed from the side surfaces of the sealing resin 10, wherein the lower surface of the heat radiation member 2 and the bottom surface of the lead portions 4
Thus, a resin-encapsulated semiconductor device having a structure in which the wing portion 6 is exposed in the encapsulation resin 10 and is exposed from the bottom surface of the semiconductor device 10 is obtained.

【0106】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、図
34に示すように、放熱部材2の上面と半導体素子7と
の間に、封止樹脂10を存在させることが可能となり、
放熱部材2に対する封止樹脂10の保持力の高い樹脂封
止型半導体装置である。また、半導体素子7を支持する
支持部5、ウイング部6を封止樹脂より露出させない構
造であるため、封止樹脂10との密着性が増大すること
になり、境界からの水分や湿気の侵入が抑制される。よ
ってパッケージクラックの発生等を防止して耐湿性が向
上するものである。
In the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment, as shown in FIG. 34, the encapsulation resin 10 can be present between the upper surface of the heat radiation member 2 and the semiconductor element 7.
This is a resin-sealed semiconductor device having a high holding force of the sealing resin 10 with respect to the heat radiation member 2. Further, since the structure is such that the supporting portion 5 and the wing portion 6 supporting the semiconductor element 7 are not exposed from the sealing resin, the adhesion to the sealing resin 10 is increased, and moisture or moisture enters from the boundary. Is suppressed. Therefore, the occurrence of package cracks is prevented, and the moisture resistance is improved.

【0107】以上、本実施形態のリードフレームを用い
た樹脂封止型半導体装置の特徴は、半導体素子を搭載す
る部分と、封止樹脂から露出させる放熱部材とを分離す
ることにより、放熱部材に対する封止樹脂の保持力を高
め、放熱部材と封止樹脂との間から水分や湿気が侵入す
ることによる封止樹脂のクラック、放熱部材の剥がれを
抑制し、信頼性が向上する点である。
As described above, the feature of the resin-encapsulated semiconductor device using the lead frame of the present embodiment is that the portion for mounting the semiconductor element and the heat-dissipating member exposed from the sealing resin are separated from each other, This is to increase the holding power of the sealing resin, suppress cracks in the sealing resin due to intrusion of moisture or moisture from between the heat radiating member and the sealing resin, and suppress peeling of the heat radiating member, thereby improving reliability.

【0108】また、半導体素子の底面が封止樹脂と密着
し、従来のように放熱部材(ダイパッド部)との間に吸
水性の高い接着剤が介在せず、半導体素子までの水分の
浸入経路が長くなるため、信頼性の高い樹脂封止型半導
体装置が可能になる。
Further, the bottom surface of the semiconductor element is in close contact with the sealing resin, and a highly water-absorbing adhesive is not interposed between the semiconductor element and the heat radiating member (die pad portion) as in the prior art. , The resin-encapsulated semiconductor device with high reliability can be realized.

【0109】[0109]

【発明の効果】本発明のリードフレームを用いて樹脂封
止型半導体装置を構成した場合には、放熱部材上面と半
導体素子との間に封止樹脂を存在させることが可能とな
り、放熱部材に対する封止樹脂の保持力の高い樹脂封止
型半導体装置が得られる。また、半導体素子を支持する
支持部材の下面を封止樹脂より露出させない構造にする
ことができるため封止樹脂との密着性が増大することに
なり、境界からの水分や湿気の侵入が抑制される。よっ
て耐湿性を向上させることができる。
When a resin-encapsulated semiconductor device is formed using the lead frame of the present invention, it is possible to allow the encapsulating resin to be present between the upper surface of the heat radiating member and the semiconductor element. A resin-sealed semiconductor device having high sealing resin holding power can be obtained. In addition, since the lower surface of the supporting member that supports the semiconductor element can be configured not to be exposed from the sealing resin, the adhesiveness with the sealing resin increases, and the intrusion of moisture or moisture from the boundary is suppressed. You. Therefore, the moisture resistance can be improved.

【0110】さらに放熱部材と半導体素子を支持する部
分とを分離した構成により、大型の半導体素子を搭載す
ることができ、大型素子を搭載した高密度パッケージを
実現できるものである。
Further, the configuration in which the heat radiating member and the portion for supporting the semiconductor element are separated allows a large semiconductor element to be mounted, thereby realizing a high-density package mounting the large element.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態のリードフレームを示
す図
FIG. 1 is a view showing a lead frame according to a first embodiment of the present invention;

【図2】本発明の第1の実施形態の樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す断面図
FIG. 2 is a sectional view showing a method for manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the first embodiment of the present invention;

【図3】本発明の第1の実施形態の樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す断面図
FIG. 3 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the first embodiment of the present invention;

【図4】本発明の第1の実施形態の樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す断面図
FIG. 4 is a sectional view showing the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the first embodiment of the present invention;

【図5】本発明の第1の実施形態の樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す断面図
FIG. 5 is a sectional view showing the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the first embodiment of the present invention;

【図6】本発明の第1の実施形態の樹脂封止型半導体装
置の製造方法を示す断面図
FIG. 6 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the first embodiment of the present invention;

【図7】本発明の第2の実施形態のリードフレームを示
す平面図
FIG. 7 is a plan view showing a lead frame according to a second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2の実施形態のリードフレームを示
す断面図
FIG. 8 is a sectional view showing a lead frame according to a second embodiment of the present invention;

【図9】本発明の第2の実施形態のリードフレームを示
す断面図
FIG. 9 is a sectional view showing a lead frame according to a second embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第2の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 10 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the second embodiment of the present invention;

【図11】本発明の第2の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 11 is a sectional view showing a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第2の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 12 is a sectional view illustrating a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第2の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 13 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the second embodiment of the present invention;

【図14】本発明の第2の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第2の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 15 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the second embodiment of the present invention;

【図16】本発明の第2の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 16 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the second embodiment of the present invention;

【図17】本発明の第3の実施形態のリードフレームを
示す平面図
FIG. 17 is a plan view showing a lead frame according to a third embodiment of the present invention.

【図18】本発明の第3の実施形態のリードフレームを
示す断面図
FIG. 18 is a sectional view showing a lead frame according to a third embodiment of the present invention.

【図19】本発明の第3の実施形態のリードフレームを
示す断面図
FIG. 19 is a sectional view showing a lead frame according to a third embodiment of the present invention;

【図20】本発明の第3の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 20 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the third embodiment of the present invention.

【図21】本発明の第3の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 21 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the third embodiment of the present invention;

【図22】本発明の第3の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 22 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the third embodiment of the present invention.

【図23】本発明の第3の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 23 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the third embodiment of the present invention;

【図24】本発明の第3の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 24 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the third embodiment of the present invention;

【図25】本発明の第3の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 25 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the third embodiment of the present invention.

【図26】本発明の第3の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 26 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the third embodiment of the present invention;

【図27】本発明の第4の実施形態のリードフレームを
示す図
FIG. 27 is a view showing a lead frame according to a fourth embodiment of the present invention;

【図28】本発明の第4の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 28 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention.

【図29】本発明の第4の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 29 is a cross-sectional view illustrating the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention.

【図30】本発明の第4の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 30 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention.

【図31】本発明の第4の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 31 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention.

【図32】本発明の第4の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 32 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention;

【図33】本発明の第4の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 33 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention.

【図34】本発明の第4の実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
FIG. 34 is a sectional view showing the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention;

【図35】従来のリードフレームを示す図FIG. 35 shows a conventional lead frame.

【図36】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
FIG. 36 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【図37】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
FIG. 37 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【図38】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
FIG. 38 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【図39】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
FIG. 39 is a sectional view showing a method of manufacturing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【図40】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
FIG. 40 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【図41】従来の樹脂封止型半導体装置の課題を示す断
面図
FIG. 41 is a sectional view showing a problem of a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 フレーム枠 2 放熱部材 3 吊りリード部 4 リード部 5 支持部 6 ウイング部 7 半導体素子 8 接着剤 9 金属細線 10 封止樹脂 11 支持部 12 溝部 13 封止シート 14 支持部 101 フレーム枠 102 ダイパッド部 103 吊りリード部 104 リード部 105 ウイング部 106 半導体素子 107 接着剤 108 金属細線 109 封止樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Frame frame 2 Heat radiating member 3 Hanging lead part 4 Lead part 5 Support part 6 Wing part 7 Semiconductor element 8 Adhesive 9 Metal thin wire 10 Sealing resin 11 Support part 12 Groove part 13 Seal sheet 14 Support part 101 Frame frame 102 Die pad part 103 Suspended lead part 104 Lead part 105 Wing part 106 Semiconductor element 107 Adhesive 108 Fine metal wire 109 Sealing resin

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松尾 隆広 大阪府高槻市幸町1番1号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 安達 修 大阪府高槻市幸町1番1号 松下電子工業 株式会社内 Fターム(参考) 5F067 AA03 AA04 AB04 BE00 BE01 BE05 BE07 CA01 DE01 DF16 DF17  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Takahiro Matsuo 1-1, Sachimachi, Takatsuki-shi, Osaka Matsushita Electronics Co., Ltd. (72) Inventor Osamu 1-1, Sachimachi, Takatsuki-shi, Osaka Matsushita Electronics F term (reference) 5F067 AA03 AA04 AB04 BE00 BE01 BE05 BE07 CA01 DE01 DF16 DF17

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フレーム枠と、前記フレーム枠の開口領
域に設けられた放熱部材と、前記放熱部材にその先端が
対向し、末端が前記フレーム枠に接続した複数のリード
部と、前記放熱部材の近傍に半導体素子を支持する支持
部を有したことを特徴とするリードフレーム。
1. A frame, a heat dissipating member provided in an opening area of the frame, a plurality of leads each having a distal end facing the heat dissipating member, and an end connected to the frame, and the heat dissipating member. A support portion for supporting a semiconductor element in the vicinity of the lead frame.
【請求項2】 フレーム枠と、前記フレーム枠の開口領
域に設けられた放熱部材と、前記放熱部材をその先端部
で支持し、末端部で前記フレーム枠と接続した吊りリー
ド部と、前記放熱部材にその先端が対向し、末端が前記
フレーム枠に接続した複数のリード部と、前記放熱部材
を前記リード部の上面よりも下方に配置するために前記
吊りリード部に設けられたディプレス部と、前記放熱部
材の近傍に半導体素子を支持する支持部を有したことを
特徴とするリードフレーム。
2. A frame, a heat dissipating member provided in an opening area of the frame, a suspension lead portion supporting the heat dissipating member at a distal end thereof, and connected to the frame at an end thereof, and A plurality of leads each having a distal end opposed to the member and a distal end connected to the frame, and a depress portion provided on the suspension lead portion for disposing the heat radiating member below an upper surface of the lead portion; And a support portion for supporting a semiconductor element near the heat radiating member.
【請求項3】 放熱部材の近傍に設けた支持部は、放熱
部材の各側辺にウイング状に一体で設けられていること
を特徴とする請求項1または請求項2に記載のリードフ
レーム。
3. The lead frame according to claim 1, wherein the support portion provided near the heat radiating member is integrally provided in a wing shape on each side of the heat radiating member.
【請求項4】 放熱部材の近傍に設けた支持部は、放熱
部材を支持している吊りリード部に設けられていること
を特徴とする請求項2に記載のリードフレーム。
4. The lead frame according to claim 2, wherein the support portion provided near the heat radiating member is provided on a suspension lead portion supporting the heat radiating member.
【請求項5】 フレーム枠と、前記フレーム枠の開口領
域に設けられた放熱部材と、前記放熱部材上に設けられ
た半導体素子支持用の突出部と、前記放熱部材をその先
端部で支持し、末端部で前記フレーム枠と接続した吊り
リード部と、前記放熱部材にその先端が対向し、末端が
前記フレーム枠に接続した複数のリード部と、前記放熱
部材を前記リード部の上面よりも下方に配置するために
前記吊りリード部に設けられたディプレス部と、前記吊
りリード部に半導体素子を支持する支持部とを有するリ
ードフレームであって、前記吊りリード部のディプレス
部によって、前記放熱部材上の突出部の上面と前記吊り
リード部に設けられた支持部の上面とは同一面で配置さ
れていることを特徴とするリードフレーム。
5. A frame, a heat radiating member provided in an opening region of the frame, a projecting portion for supporting a semiconductor element provided on the heat radiating member, and a tip of the heat radiating member for supporting the heat radiating member. A suspension lead connected to the frame at an end, a plurality of leads connected to the frame, the ends of which are opposed to the heat dissipating member, and the ends of the heat dissipating member are connected to the upper side of the lead. A depressed portion provided on the suspension lead portion to be disposed below, and a lead frame having a support portion for supporting a semiconductor element on the suspension lead portion, by a depressed portion of the suspension lead portion, A lead frame, wherein an upper surface of a projecting portion on the heat radiating member and an upper surface of a supporting portion provided on the suspension lead portion are arranged on the same plane.
【請求項6】 電極パッドを有する半導体素子と、前記
半導体素子の下方に設けられた放熱部材と、前記放熱部
材を支持し、ディプレス部を有した吊りリード部と、前
記放熱部材の各辺に設けられ、前記半導体素子を接着剤
を介して支持した支持部を有するウイング部と、前記放
熱部材にその先端が対向し、末端が外部端子となる複数
の信号接続用のリード部と、前記半導体素子の電極パッ
ドと前記リード部とを電気的に接続した金属細線と、前
記放熱部材の下面を除く部分、前記ウイング部、前記半
導体素子、前記リード部および金属細線を封止した封止
樹脂とを備え、前記放熱部材の下面は前記封止樹脂の底
面より露出するとともに、前記放熱部材の上部と前記半
導体素子の下面との間には封止樹脂が埋め込まれている
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
6. A semiconductor element having an electrode pad, a heat dissipating member provided below the semiconductor element, a suspension lead portion supporting the heat dissipating member and having a depressed portion, and each side of the heat dissipating member. A wing portion having a support portion that supports the semiconductor element via an adhesive, a plurality of signal connection leads having a distal end facing the heat dissipating member, and a distal end serving as an external terminal; A thin metal wire electrically connecting the electrode pad of the semiconductor element and the lead portion, a portion excluding the lower surface of the heat radiating member, a sealing resin sealing the wing portion, the semiconductor element, the lead portion and the thin metal wire. Wherein the lower surface of the heat dissipating member is exposed from the bottom surface of the sealing resin, and the sealing resin is embedded between the upper portion of the heat dissipating member and the lower surface of the semiconductor element. Tree Oil-sealed semiconductor device.
【請求項7】 リード部の下面と一側面は前記封止樹脂
の底面より露出していることを特徴とする請求項6に記
載の樹脂封止型半導体装置。
7. The resin-sealed semiconductor device according to claim 6, wherein the lower surface and one side surface of the lead portion are exposed from the bottom surface of the sealing resin.
【請求項8】 電極パッドを有する半導体素子と、前記
半導体素子の下方に設けられた放熱部材と、前記放熱部
材を支持し、ディプレス部を有した吊りリード部と、前
記吊りリード部に設けられ、前記半導体素子を接着剤を
介して支持した支持部と、前記放熱部材にその先端が対
向し、末端が外部端子となる複数の信号接続用のリード
部と、前記半導体素子の電極パッドと前記リード部とを
電気的に接続した金属細線と、前記放熱部材の下面を除
く部分、前記吊りリード部、前記半導体素子、前記リー
ド部および金属細線を封止した封止樹脂とを備え、前記
放熱部材の下面、前記リード部の底面および一側面は前
記封止樹脂より露出するとともに、前記放熱部材の上部
と前記半導体素子の下面との間には封止樹脂が埋め込ま
れていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
8. A semiconductor element having an electrode pad, a heat dissipating member provided below the semiconductor element, a suspending lead supporting the heat dissipating member and having a depressed portion, and provided on the suspending lead. And a support portion supporting the semiconductor element via an adhesive, a plurality of signal connection leads each having a distal end facing the heat dissipating member, and a distal end serving as an external terminal; and an electrode pad of the semiconductor element. A thin metal wire electrically connected to the lead portion, a portion excluding the lower surface of the heat dissipation member, the suspension lead portion, the semiconductor element, a sealing resin sealing the lead portion and the thin metal wire, A lower surface of the heat radiating member, a bottom surface and one side surface of the lead portion are exposed from the sealing resin, and a sealing resin is embedded between an upper portion of the heat radiating member and a lower surface of the semiconductor element. Resin-encapsulated semiconductor device.
【請求項9】 電極パッドを有する半導体素子と、前記
半導体素子の下方に設けられた放熱部材と、前記放熱部
材の上面に設けられ、前記半導体素子を接着剤を介して
支持した突出部と、前記放熱部材を支持し、ディプレス
部を有した吊りリード部と、前記吊りリード部に設けら
れ、前記半導体素子を接着剤を介して支持した支持部
と、前記放熱部材にその先端が対向し、末端が外部端子
となる複数の信号接続用のリード部と、前記半導体素子
の電極パッドと前記リード部とを電気的に接続した金属
細線と、前記放熱部材の下面を除く部分、前記吊りリー
ド部、前記半導体素子、前記リード部および金属細線を
封止した封止樹脂とを備え、前記放熱部材の下面、前記
リード部の底面および一側面は前記封止樹脂より露出す
るとともに、前記放熱部材の上部と前記半導体素子の下
面との間には封止樹脂が埋め込まれていることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。
9. A semiconductor element having an electrode pad, a heat radiating member provided below the semiconductor element, a projecting part provided on an upper surface of the heat radiating member and supporting the semiconductor element via an adhesive, A suspending lead that supports the heat dissipating member and has a depressed portion, and a supporting portion provided on the suspending lead and supporting the semiconductor element via an adhesive, the tip of which opposes the heat dissipating member A plurality of signal connection leads each having an external terminal, a thin metal wire electrically connecting an electrode pad of the semiconductor element and the lead, a portion excluding a lower surface of the heat dissipation member, and the suspension lead A sealing resin that seals the semiconductor element, the lead portion, and the fine metal wire, and a lower surface of the heat radiation member, a bottom surface and one side surface of the lead portion are exposed from the sealing resin, A resin-sealed semiconductor device, wherein a sealing resin is embedded between an upper part of the member and a lower surface of the semiconductor element.
【請求項10】 フレーム枠と、前記フレーム枠の開口
領域に設けられた放熱部材と、前記放熱部材をその先端
部で支持し、末端部で前記フレーム枠と接続した吊りリ
ード部と、前記放熱部材にその先端が対向し、末端が前
記フレーム枠に接続した複数の信号接続用のリード部
と、前記放熱部材の近傍として、前記放熱部材の各辺に
設けられた半導体素子を支持する支持部を有したウイン
グ部よりなるリードフレームを用意する工程と、前記リ
ードフレームの放熱部材の上方に延在して設けられたウ
イング部の支持部上に半導体素子を接着して搭載する工
程と、前記放熱部材の支持部上に搭載された半導体素子
の電極パッドとリード部とを金属細線により接続する工
程と、前記リードフレームの外囲として放熱部材の下面
を除く部分、半導体素子、リード部と金属細線との接続
領域を樹脂封止する工程と、リードカットにより、前記
リードフレームの前記放熱部材のウイング部の支持部上
に半導体素子が搭載され、前記半導体素子とリード部と
が金属細線により接続され、外囲が封止樹脂により封止
され、放熱部材の下面が封止樹脂の底面から露出し、ウ
イング部が封止樹脂中に封止された構造の樹脂封止型半
導体装置を得る工程とよりなることを特徴とする樹脂封
止型半導体装置の製造方法。
10. A frame, a heat dissipating member provided in an opening region of the frame, a suspension lead portion supporting the heat dissipating member at a distal end thereof, and connected to the frame at an end thereof, and A plurality of signal connection leads each having a distal end opposed to the member and a distal end connected to the frame, and a supporting portion for supporting a semiconductor element provided on each side of the heat radiating member as a vicinity of the heat radiating member; Preparing a lead frame comprising a wing portion having a step of: bonding and mounting a semiconductor element on a support portion of a wing portion provided to extend above a heat dissipation member of the lead frame; Connecting the electrode pads of the semiconductor element mounted on the support portion of the heat dissipating member and the lead portion with a thin metal wire, and excluding the lower surface of the heat dissipating member as an outer periphery of the lead frame; A semiconductor element is mounted on a supporting portion of the wing portion of the heat radiating member of the lead frame by a step of resin-sealing a connection region of the lead, the lead portion and the thin metal wire, and a lead cut; Are connected by a thin metal wire, the outer periphery is sealed with a sealing resin, the lower surface of the heat radiation member is exposed from the bottom surface of the sealing resin, and the wing portion is sealed in the sealing resin. A method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device, comprising: a step of obtaining a semiconductor device.
【請求項11】 リードフレームの外囲として放熱部材
の下面を除く部分、半導体素子、リード部のインナーリ
ード部と金属細線の接続領域を樹脂封止する工程では、
封止シートを用いて放熱部材の底面をマスクした状態で
樹脂封止することを特徴とする請求項10に記載の樹脂
封止型半導体装置の製造方法。
11. The step of resin-sealing a portion except for a lower surface of a heat radiating member as an outer periphery of a lead frame, a semiconductor element, and a connection region between an inner lead portion of a lead portion and a thin metal wire,
The method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to claim 10, wherein resin sealing is performed with the bottom surface of the heat radiation member masked using a sealing sheet.
【請求項12】 フレーム枠と、前記フレーム枠の開口
領域に設けられた放熱部材と、前記放熱部材をその先端
部で支持し、末端部で前記フレーム枠と接続した吊りリ
ード部と、前記放熱部材にその先端が対向し、末端が前
記フレーム枠に接続した複数の信号接続用のリード部
と、前記放熱部材の近傍として、前記吊りリード部のデ
ィプレス部間に設けられた半導体素子を支持する支持部
を有したリードフレームを用意する工程と、前記吊りリ
ード部の支持部上に半導体素子を接着して搭載する工程
と、前記吊りリード部の支持部上に搭載された半導体素
子の電極パッドとリード部とを金属細線により接続する
工程と、前記半導体素子を搭載したリードフレームの底
面のリード部、放熱部材、吊りリード部の一部に対して
封止シートを密着させる工程と、前記封止シートを付設
したリードフレームを封止金型内に載置し、リードフレ
ームの外囲として放熱部材の下面を除く部分、半導体素
子、リード部と金属細線の接続領域、吊りリード部を樹
脂封止する工程と、前記封止シートを除去する工程と、
前記樹脂封止後のリードフレームのリード部の切断箇所
に対してリードカットを行い、吊りリード部の支持部上
に半導体素子が搭載され、前記半導体素子とリード部と
が金属細線により接続され、外囲が封止樹脂により封止
され、前記封止樹脂の側面からはアウターリード部が露
出した樹脂封止型半導体装置であって、放熱部材の下面
が前記封止樹脂の底面から露出し、支持部が前記封止樹
脂中に封止された構造の樹脂封止型半導体装置を得る工
程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の
製造方法。
12. A frame, a heat dissipating member provided in an opening area of the frame, a suspension lead portion supporting the heat dissipating member at a distal end thereof, and connected to the frame at an end thereof, and A plurality of signal connection leads, the ends of which are opposed to the member and the ends of which are connected to the frame, and a semiconductor element provided between the depressed portions of the suspension leads as the vicinity of the heat dissipation member. Preparing a lead frame having a support portion to be mounted; bonding and mounting a semiconductor element on the support portion of the suspension lead portion; and an electrode of the semiconductor element mounted on the support portion of the suspension lead portion. A step of connecting the pad and the lead with a thin metal wire, and bonding the sealing sheet to a part of the lead, the heat radiation member, and the suspension lead on the bottom surface of the lead frame on which the semiconductor element is mounted. And placing the lead frame provided with the sealing sheet in a sealing mold, as an outer periphery of the lead frame, excluding the lower surface of the heat dissipating member, a semiconductor element, a connection area between the lead portion and the fine metal wire, A step of resin-encapsulating the suspension leads, and a step of removing the sealing sheet;
A lead cut is performed on a cut portion of a lead portion of the lead frame after the resin sealing, a semiconductor element is mounted on a support portion of a suspension lead portion, and the semiconductor element and the lead portion are connected by a thin metal wire, An outer periphery is sealed with a sealing resin, a resin-sealed semiconductor device in which an outer lead portion is exposed from a side surface of the sealing resin, wherein a lower surface of a heat radiation member is exposed from a bottom surface of the sealing resin, Obtaining a resin-sealed semiconductor device having a structure in which a support portion is sealed in the sealing resin.
【請求項13】 フレーム枠と、前記フレーム枠の開口
領域に設けられ、上面に突出した支持部を有した放熱部
材と、前記放熱部材をその先端部で支持し、末端部で前
記フレーム枠と接続した吊りリード部と、前記放熱部材
にその先端が対向し、末端が前記フレーム枠に接続した
複数の信号接続用のリード部と、前記放熱部材の近傍と
して、前記吊りリード部のディプレス部間に設けられた
半導体素子を支持する支持部とを有したリードフレーム
を用意する工程と、前記吊りリード部の支持部上、およ
び放熱部材の支持部上に半導体素子を接着して搭載する
工程と、搭載された半導体素子の電極パッドとリード部
とを金属細線により接続する工程と、前記半導体素子を
搭載したリードフレームの底面のリード部、放熱部材、
吊りリード部の一部に対して封止シートを密着させる工
程と、封止シートを付設したリードフレームを封止金型
内に載置し、リードフレームの外囲として放熱部材の下
面を除く部分、半導体素子、リード部、金属細線の接続
領域、吊りリード部を樹脂封止する工程と、樹脂封止後
は封止シートを除去する工程と、樹脂封止後のリードフ
レームのリード部の切断箇所に対して、リードカットを
行い、吊りリード部の支持部と放熱部材上の支持部上と
に半導体素子が搭載され、前記半導体素子とリード部と
が金属細線により接続され、外囲が封止樹脂により封止
され、前記封止樹脂の側面からはアウターリード部が露
出した樹脂封止型半導体装置であって、放熱部材の下面
が封止樹脂の底面から露出し、各支持部が封止樹脂中に
封止された構造の樹脂封止型半導体装置を得る工程とよ
りなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法。
13. A frame member, a heat radiating member provided in an opening region of the frame frame, and having a support portion protruding from an upper surface; A connected suspension lead, a plurality of signal connection leads each having a distal end opposed to the heat radiating member and a distal end connected to the frame, and a depressed portion of the suspension lead as the vicinity of the heat radiating member. A step of preparing a lead frame having a support portion for supporting the semiconductor element provided therebetween; and a step of bonding and mounting the semiconductor element on the support portion of the suspension lead portion and the support portion of the heat radiation member. Connecting the electrode pad and the lead of the mounted semiconductor element with a thin metal wire; and a lead on the bottom surface of the lead frame on which the semiconductor element is mounted, a heat radiating member,
A step of bringing the sealing sheet into close contact with a part of the suspension lead portion, and placing the lead frame attached with the sealing sheet in the sealing mold and surrounding the lead frame except for the lower surface of the heat dissipation member. Resin sealing the semiconductor element, the lead portion, the connection area of the thin metal wire, and the suspension lead portion, removing the sealing sheet after the resin sealing, and cutting the lead portion of the lead frame after the resin sealing. A lead is cut to the portion, the semiconductor element is mounted on the support of the suspension lead portion and the support on the heat radiating member, the semiconductor element and the lead are connected by a thin metal wire, and the outer enclosure is sealed. A resin-encapsulated semiconductor device in which an outer lead portion is exposed from a side surface of the sealing resin, wherein a lower surface of the heat radiation member is exposed from a bottom surface of the sealing resin, and each support portion is sealed. Of a structure sealed in resin Method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device comprising more becomes that the step of obtaining a Aburafutome type semiconductor device.
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