JP2001015645A - Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same - Google Patents
Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the sameInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放熱板を内蔵する樹脂封止型半導体装置にお
いて、コストアップを抑えつつ、放熱板とリードフレー
ムとの短絡防止を実現する。
【解決手段】 樹脂封止型半導体装置100は、金型内
に配置された放熱板40上に、ICチップ10が搭載さ
れたリードフレーム20を配置し、モールド樹脂50を
金型内に充填することにより、放熱板40、ICチップ
10及びリードフレーム20を包み込むように封止して
なる。放熱板40とリードフレーム20のインナーリー
ド22との間には、金型内に落とし込むことにより設置
され且つモールド樹脂50により固定された絶縁体より
なるスペーサ部材70が介在設定されている。
(57) [Summary] In a resin-encapsulated semiconductor device having a built-in heat sink, it is possible to prevent a short circuit between the heat sink and the lead frame while suppressing an increase in cost. SOLUTION: In a resin-sealed semiconductor device 100, a lead frame 20 on which an IC chip 10 is mounted is arranged on a heat sink 40 arranged in a mold, and a mold resin 50 is filled in the mold. Thus, the heat sink 40, the IC chip 10, and the lead frame 20 are sealed so as to surround them. Between the radiator plate 40 and the inner leads 22 of the lead frame 20, a spacer member 70 made of an insulator fixed by a mold resin 50 and installed by being dropped into a mold is interposed.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、放熱板を内蔵する
樹脂封止型半導体装置に関し、例えば、自動車における
エンジン制御ECU、ABS用ECU等に用いられるド
ライバICあるいは電源ICのような電力用半導体装置
に用いて好適である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device having a built-in heat sink, for example, a power semiconductor such as a driver IC or a power supply IC used in an engine control ECU, an ABS ECU, and the like in an automobile. It is suitable for use in an apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、放熱板を内蔵する樹脂封止型
半導体装置(以下、放熱板内蔵型パッケージという)と
しては、例えば、特開昭60−110145号公報、特
開昭61−194861号公報、特開平8−70016
号公報等に記載のものが提案されている。これら放熱板
内蔵型パッケージの一般的な概略断面構造を図3に示
す。2. Description of the Related Art Conventionally, a resin-encapsulated semiconductor device having a built-in heat sink (hereinafter referred to as a heat sink built-in package) is disclosed in, for example, JP-A-60-110145 and JP-A-61-194861. Gazette, JP-A-8-70016
Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H10-21078 and the like have been proposed. FIG. 3 shows a general schematic cross-sectional structure of the package with a built-in heat sink.
【0003】ICチップ10はリードフレーム20のア
イランド部21上に搭載され、リードフレーム20のイ
ンナーリード22とボンディングワイヤ30により結線
されている。また、リードフレーム20の下側には、リ
ードフレーム20と独立した放熱板(ヒートスプレッ
ダ)40が配設されており、これら各部材10〜40
は、図3に示す様に、例えばエポキシ樹脂等からなるモ
ールド樹脂50で包み込むように封止され一体化されて
いる。The IC chip 10 is mounted on an island portion 21 of a lead frame 20 and is connected to inner leads 22 of the lead frame 20 by bonding wires 30. Further, a heat sink (heat spreader) 40 independent of the lead frame 20 is provided below the lead frame 20.
As shown in FIG. 3, is sealed and integrated with a mold resin 50 made of, for example, epoxy resin or the like.
【0004】この放熱板内蔵型パッケージは、樹脂封止
前に、放熱板40をモールド用の金型(図示せず)に投
げ込みで配置し、その後、ICチップ10を搭載したリ
ードフレーム20を上記金型に配置し、樹脂を充填する
ことにより同時に樹脂封止するという一連の樹脂封止工
程を行うことにより製造される。このように、放熱板内
蔵型パッケージは通常のリードフレームと通常の金型が
そのまま適用できるので、コストアップを最小限に抑
え、放熱性を向上できるメリットがある。In this package with a built-in heat sink, the heat sink 40 is thrown into a mold (not shown) for molding before resin sealing, and then the lead frame 20 on which the IC chip 10 is mounted is mounted on the lead frame 20. It is manufactured by performing a series of resin sealing steps of disposing in a mold, filling the resin, and simultaneously sealing the resin. As described above, since the normal lead frame and the normal mold can be applied to the package with a built-in heat sink, there is an advantage that cost increase can be minimized and heat radiation can be improved.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
3に示す構成では、樹脂封止の際に、リードフレーム2
0が下方に折り曲げられたり、放熱板40の水平度が悪
い場合において、リードフレーム20のインナーリード
22と放熱板40とが接触し、短絡し易いという問題が
ある。However, in the structure shown in FIG. 3, the lead frame 2 is not sealed when the resin is sealed.
When 0 is bent downward or when the heat radiation plate 40 has poor horizontality, there is a problem that the inner lead 22 of the lead frame 20 and the heat radiation plate 40 come into contact with each other and short-circuit is easily caused.
【0006】この様な問題に対して、図4に示す様な構
造の放熱板内蔵型パッケージ(例えば、特開昭60−1
10145号公報参照)が提案されている。この構造は
放熱板40上に接着材J2を介して絶縁フィルムJ1を
設けることにより、リードフレーム20との短絡防止を
狙ったものであるが、上記製造工程に加え、絶縁フィル
ムJ1の放熱板40への接着という工程が必要となるた
め、工程数が増加しコストアップを招くという問題があ
る。また、このような絶縁フィルムを放熱板へ塗布及び
硬化させることで設ける例もあるが、同様の問題が発生
する。In order to solve such a problem, a package with a built-in heat sink having a structure as shown in FIG.
No. 10145) has been proposed. This structure aims at preventing the short circuit with the lead frame 20 by providing the insulating film J1 on the heat radiating plate 40 with the adhesive J2 interposed therebetween. Since a step of bonding to the substrate is required, there is a problem that the number of steps is increased and the cost is increased. In addition, there is an example in which such an insulating film is provided by applying and curing the heat sink, but the same problem occurs.
【0007】そこで、本発明は上記問題に鑑み、放熱板
内蔵型パッケージにおいて、コストアップを抑えつつ、
放熱板とリードフレームとの短絡防止を実現することを
目的とする。Accordingly, the present invention has been made in view of the above-described problems, and has been proposed in a package with a built-in heat sink while suppressing an increase in cost.
An object of the present invention is to realize prevention of a short circuit between a heat sink and a lead frame.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1記載の発明では、放熱板内蔵型パッケージ
において、封止用の樹脂(50)により封止され、放熱
板(40)とリードフレーム(20)との短絡を防止す
るための絶縁体よりなるスペーサ部材(70)を備え、
このスペーサ部材を、金型内に落とし込むことにより該
放熱板と該リードフレームとの間に設置し、且つ、該樹
脂により固定するようにしたことを特徴としている。In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, in a package with a built-in radiator plate, the package is sealed with a sealing resin (50). A spacer member (70) made of an insulator for preventing a short circuit with the lead frame (20);
The spacer member is disposed between the heat radiating plate and the lead frame by being dropped into a mold, and is fixed by the resin.
【0009】それによって、金型内に配置された放熱板
(40)上にスペーサ部材(70)をに落とし込み、さ
らに、その上から半導体素子(10)が搭載されたリー
ドフレーム(20)を配置し、樹脂(50)を金型内に
充填することにより、樹脂封止型半導体装置を製造する
ことができる。そのため、従来の一連の樹脂封止工程の
中で、金型内にスペーサ部材を落とし込むという簡易な
方法で絶縁性を確保することが可能であり、コストアッ
プを抑えつつ、放熱板とリードフレームとの短絡防止を
実現することができる。As a result, the spacer member (70) is dropped onto the heat sink (40) disposed in the mold, and the lead frame (20) on which the semiconductor element (10) is mounted is disposed thereon. Then, by filling the resin (50) into the mold, a resin-sealed semiconductor device can be manufactured. Therefore, in a conventional series of resin sealing steps, it is possible to secure insulation by a simple method of dropping a spacer member into a mold, and to suppress a cost increase while maintaining a heat radiating plate and a lead frame. Can be prevented.
【0010】さらに、請求項2記載の発明のように、ス
ペーサ部材(70)を、熱伝導性に優れた材料の表面を
絶縁性物質で被覆したものとすれば、放熱板とリードフ
レームとの短絡防止という効果に加えて、放熱性をより
向上させることができるという効果も加わる。具体的に
は、アルミナ、窒化アルミニウム、炭化珪素等のセラミ
ックあるいは金属の表面を絶縁処理したものを、スペー
サ部材として採用することにより、達成できる。Further, when the spacer member (70) is formed by covering the surface of a material having excellent heat conductivity with an insulating material, the spacer member (70) can be formed between the heat sink and the lead frame. In addition to the effect of preventing short-circuiting, the effect that heat dissipation can be further improved is also added. Specifically, this can be achieved by employing a ceramic or metal surface such as alumina, aluminum nitride, or silicon carbide whose surface is insulated as the spacer member.
【0011】また、請求項3記載の発明は、放熱板内蔵
型パッケージの製造方法に係るものであり、金型内に配
置された放熱板(40)上に、絶縁体よりなるスペーサ
部材(70)を落とし込むことにより設置した後に、半
導体素子(10)が搭載されたリードフレーム(20)
を配置し、続いて、樹脂を該金型内に充填するようにし
たことを特徴としている。それにより、コストアップを
抑えつつ、放熱板とリードフレームとの短絡防止を実現
することができる。Further, the invention according to claim 3 relates to a method of manufacturing a package with a built-in heat sink, wherein a spacer member (70) made of an insulator is provided on a heat sink (40) arranged in a mold. ), The lead frame (20) on which the semiconductor element (10) is mounted.
Is arranged, and subsequently, the resin is filled in the mold. Thus, it is possible to prevent a short circuit between the heat sink and the lead frame while suppressing an increase in cost.
【0012】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。Incidentally, the reference numerals in parentheses of the above means are examples showing the correspondence with specific means described in the embodiments described later.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。なお、以下に示す実施形態は、上記
図3及び図4に示した樹脂封止型半導体装置を変形した
ものであり、図3及び図4と同一部分については、図
中、同一符号を付して説明を簡略化することとする。図
1に本発明の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置(放
熱板内蔵型パッケージ、以下、単に半導体装置という)
100の概略断面を示す。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention. The embodiment described below is a modification of the resin-encapsulated semiconductor device shown in FIGS. 3 and 4, and the same parts as those in FIGS. 3 and 4 are denoted by the same reference numerals in the drawings. The description will be simplified. FIG. 1 shows a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention (a package with a built-in heat sink, hereinafter simply referred to as a semiconductor device).
100 shows a schematic cross section.
【0014】ICチップ(本発明でいう半導体素子)1
0は、リードフレーム20のアイランド部21上に、A
gペースト、半田等よりなるダイボンド剤60を介して
接着されている。また、リードフレーム20は、アイラ
ンド部21と、該アイランド部21の周囲からモールド
樹脂50の外部に引き出されたリード22、23とから
構成されている。リード22、23は、モールド樹脂5
0内に位置する部分であるインナリード22と、モール
ド樹脂50外部に引き出された部分であるアウタリード
23とからなる。そして、ICチップ10はワイヤ30
及びリード22、23を介して、外部との電気信号のや
り取りが可能となっている。IC chip (semiconductor element in the present invention) 1
0 is A on the island portion 21 of the lead frame 20.
It is bonded via a die bonding agent 60 made of g paste, solder, or the like. The lead frame 20 includes an island portion 21 and leads 22 and 23 drawn out of the mold resin 50 from the periphery of the island portion 21. The leads 22 and 23 are made of the molding resin 5
The inner lead 22 is a portion located in the inner portion 0, and the outer lead 23 is a portion drawn out of the mold resin 50. Then, the IC chip 10 is connected to the wire 30
In addition, electric signals can be exchanged with the outside via the leads 22 and 23.
【0015】モールド樹脂50内において、リードフレ
ーム20におけるICチップ10搭載面と反対側(図1
中の下側)に位置する放熱板(ヒートスプレッダ)40
は、リードフレーム20方向に突出した段差面41が形
成され、この段差面41にてICチップ10の反対側の
アイランド部21に接触するように、設けられている。
この放熱板40は、ICチップ10の放熱を促進させる
ために設けられるもので、銅(Cu)やアルミニウム
(Al)等の熱伝導性に優れた材料からなる。In the mold resin 50, the side opposite to the surface on which the IC chip 10 is mounted on the lead frame 20 (FIG. 1).
Heat sink (heat spreader) 40 located on the lower side in the middle
Is formed such that a step surface 41 protruding in the direction of the lead frame 20 is formed, and the step surface 41 contacts the island portion 21 on the opposite side of the IC chip 10.
The heat radiating plate 40 is provided to promote heat radiation of the IC chip 10, and is made of a material having excellent thermal conductivity such as copper (Cu) or aluminum (Al).
【0016】また、放熱板40は、放熱性を良くするた
め、表面積を大きくする必要があり、半導体装置100
において、リードフレーム20の下側のほぼ全面を占有
する構成となっている。そのため、インナーリード22
が図中の下方に変形することや、放熱板40の水平度が
悪いことにより、インナーリード22と放熱板40とが
接触し、短絡が発生する可能性があるが、本実施形態で
は、インナーリード22と放熱板40との間に絶縁体よ
りなるスペーサ部材70を介在させ、短絡防止可能な構
造となっている。Further, the heat dissipation plate 40 needs to have a large surface area in order to improve heat dissipation.
, Almost the entire lower surface of the lead frame 20 is occupied. Therefore, the inner lead 22
Is deformed downward in the figure and the level of the heat radiating plate 40 is poor, so that the inner lead 22 and the heat radiating plate 40 may come into contact with each other and a short circuit may occur. A spacer member 70 made of an insulator is interposed between the lead 22 and the heat radiating plate 40 so that a short circuit can be prevented.
【0017】スペーサ部材70は中央部がくりぬかれた
中空部71を有する環状をなすもので、絶縁体である樹
脂やセラミックにより成形されたものである。そして、
スペーサ部材70は、その中空部71に放熱板40の段
差面41が入り込んだ形で、インナーリード22と放熱
板40との間にてモールド樹脂50により固定されてい
る。The spacer member 70 has an annular shape having a hollow portion 71 with a hollow central portion, and is formed of resin or ceramic which is an insulator. And
The spacer member 70 is fixed by the mold resin 50 between the inner lead 22 and the heat sink 40 with the step surface 41 of the heat sink 40 entering the hollow part 71.
【0018】次に、かかる構成を有する半導体装置10
0の製造方法について述べる。本製造方法に用いるモー
ルド金型(本発明でいう金型、図示せず)は、例えば分
割された上型と下型とよりなり、両型が合致した状態で
図1に示すモールド樹脂の外周形状に対応した型形状を
成し、樹脂注入用のゲートを有するものである。まず、
所定の温度に加熱されたモールド金型の下型に放熱板4
0を落とし込んで設置し、その上にスペーサ部材70を
落とし込んで設置する。ここで、スペーサ部材70の位
置決めは、スペーサ部材70の中空部71に、放熱板4
0の突出した段差面41を入れることで行う。Next, the semiconductor device 10 having such a configuration will be described.
0 will be described. The mold used in the present manufacturing method (the mold according to the present invention, not shown) includes, for example, a divided upper mold and a lower mold, and the outer periphery of the mold resin shown in FIG. It has a mold shape corresponding to the shape and has a gate for resin injection. First,
A heat sink 4 is placed on the lower mold of the mold heated to a predetermined temperature.
0 is dropped and installed, and the spacer member 70 is dropped and installed thereon. Here, the positioning of the spacer member 70 is performed by placing the heat sink 4 in the hollow portion 71 of the spacer member 70.
This is performed by inserting a step surface 41 protruding from zero.
【0019】その後、ICチップ10が搭載され且つボ
ンディングワイヤ30が接続されたリードフレーム20
を、アイランド部21と放熱板40の段差面41とを当
接させつつ、放熱板40とインナーリード22との間に
スペーサ部材70を介在させた状態となるように、下型
にセットする。そして、上記モールド金型の上型を下型
と合致させ、該モールド金型内にモールド樹脂50を軟
化状態で注入、充填することで樹脂封止を行なう。モー
ルド樹脂50の硬化完了により、図1に示す半導体装置
100が完成する。Thereafter, the lead frame 20 on which the IC chip 10 is mounted and the bonding wire 30 is connected
Are set in the lower mold so that the spacer member 70 is interposed between the heat sink 40 and the inner lead 22 while the island portion 21 and the step surface 41 of the heat sink 40 are in contact with each other. Then, the upper mold of the mold is matched with the lower mold, and the resin is sealed by injecting and filling the mold resin 50 into the mold in a softened state. When the curing of the mold resin 50 is completed, the semiconductor device 100 shown in FIG. 1 is completed.
【0020】ところで、本実施形態によれば、樹脂封止
型半導体装置において、元来持っている樹脂による内部
構成部材の固定という特質を利用して、放熱板40とリ
ードフレーム20のインナーリード22との間に介在す
るスペーサ部材70をモールド樹脂50にて固定した構
成としている。そのため、上記した従来の絶縁フィルム
の様に一連の樹脂封止工程以外に放熱板に該フィルムを
固定するための別工程(塗布、硬化、接着等)を行うこ
となく、従来同様の一連の樹脂封止工程の中で、金型内
にスペーサ部材を落とし込むという簡易な方法で、コス
トアップを抑えつつ、放熱板40とリードフレーム20
との短絡防止を実現することができる。According to this embodiment, in the resin-encapsulated semiconductor device, the heat radiation plate 40 and the inner leads 22 of the lead frame 20 are utilized by utilizing the characteristic of fixing the internal components with the resin originally possessed. And a spacer member 70 interposed therebetween is fixed by a mold resin 50. Therefore, unlike the conventional insulating film described above, except for a series of resin sealing steps, another step for fixing the film to the heat sink (application, curing, adhesion, etc.) is not performed, and a series of resin similar to the conventional resin is used. In the sealing process, the heat sink 40 and the lead frame 20 are easily reduced while reducing the cost by a simple method of dropping the spacer member into the mold.
Can be prevented from short-circuiting.
【0021】(他の実施形態)なお、スペーサ部材70
の構成としては、図2に示す様なものであっても良い。
このスペーサ部材70は、熱伝導性に優れた材料よりな
る本体72の表面を絶縁性物質73で被覆したものであ
る。具体的には、本体72としてアルミナ、窒化アルミ
ニウム、炭化珪素等のセラミックあるいは金属により本
体72を構成し、その本体72の表面を絶縁処理したも
のを採用することができる。それにより、上記短絡防止
の実現とともに、放熱板40から更にスペーサ部材70
を介してリード22、23へ放熱できるため、半導体装
置100の放熱性をより向上させることができる。(Other Embodiments) The spacer member 70
May be as shown in FIG.
The spacer member 70 is obtained by covering the surface of a main body 72 made of a material having excellent thermal conductivity with an insulating substance 73. Specifically, the main body 72 may be made of ceramic or metal such as alumina, aluminum nitride, silicon carbide, or the like, and the surface of the main body 72 may be insulated. As a result, the short-circuit prevention is realized, and the heat radiation plate 40 is further separated from the spacer member 70.
The heat can be dissipated to the leads 22 and 23 through the semiconductor device 100, so that the heat dissipation of the semiconductor device 100 can be further improved.
【0022】また、本発明は、金型内に配置された放熱
板上に、半導体素子が搭載されたリードフレームを配置
し、樹脂を該金型内に充填することにより、これら放熱
板、半導体素子及びリードフレームを包み込むように封
止してなる樹脂封止型半導体装置において、放熱板とリ
ードフレームとの短絡を防止するためのスペーサ部材を
要部とするものであり、その他の放熱板、半導体素子、
リードフレーム及び樹脂等の部分は適宜設計変更しても
よい。Further, the present invention provides a heat radiation plate provided with a semiconductor element mounted on a heat radiation plate disposed in a mold, and filling the mold with a resin so that the heat radiation plate, the semiconductor, In a resin-encapsulated semiconductor device formed by encapsulating an element and a lead frame, a spacer member for preventing a short circuit between the heat radiating plate and the lead frame is used as a main part. Semiconductor elements,
The parts such as the lead frame and the resin may be appropriately changed in design.
【図1】本発明の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置
を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a resin-sealed semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の他の実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置を示す概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view showing a resin-sealed semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
【図3】従来の樹脂封止型半導体装置を示す概略断面図
である。FIG. 3 is a schematic sectional view showing a conventional resin-encapsulated semiconductor device.
【図4】もう一つの従来の樹脂封止型半導体装置を示す
概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing another conventional resin-encapsulated semiconductor device.
10…ICチップ、20…リードフレーム、40…放熱
板、50…モールド樹脂、70…スペーサ部材。10 IC chip, 20 Lead frame, 40 Heat sink, 50 Mold resin, 70 Spacer member.
Claims (3)
に、半導体素子(10)が搭載されたリードフレーム
(20)を配置し、樹脂(50)を前記金型内に充填す
ることにより、前記放熱板、前記半導体素子及び前記リ
ードフレームを包み込むように封止してなる樹脂封止型
半導体装置において、 前記樹脂により封止され、前記放熱板と前記リードフレ
ームとの短絡を防止するための絶縁体よりなるスペーサ
部材(70)を備え、 このスペーサ部材は、前記金型内に落とし込むことによ
り前記放熱板と前記リードフレームとの間に設置され、
且つ、前記樹脂により固定されているものであることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置。1. A lead frame (20) on which a semiconductor element (10) is mounted is arranged on a heat sink (40) arranged in a mold, and a resin (50) is filled in the mold. Thereby, in the resin-encapsulated semiconductor device in which the heat sink, the semiconductor element and the lead frame are sealed so as to surround the same, the resin is sealed and the short circuit between the heat sink and the lead frame is prevented. A spacer member (70) made of an insulator for performing the above operation. The spacer member is disposed between the heat sink and the lead frame by being dropped into the mold,
And a resin-sealed semiconductor device fixed by the resin.
に優れた材料の表面を絶縁性物質で被覆したものである
ことを特徴とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装
置。2. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the spacer member (70) is formed by coating a surface of a material having excellent thermal conductivity with an insulating material.
に、半導体素子(10)が搭載されたリードフレーム
(20)を配置し、その後、樹脂(50)を前記金型内
に充填するようにした樹脂封止型半導体装置の製造方法
であって、 前記金型内に配置された前記放熱板上に、絶縁体よりな
るスペーサ部材(70)を落とし込むことにより設置し
た後に、前記リードフレームの配置を行うことにより、
前記放熱板と前記リードフレームとの間に前記スペーサ
部材を介在させ、続いて、前記樹脂の充填を行うように
したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法。3. A lead frame (20) on which a semiconductor element (10) is mounted is disposed on a heat sink (40) disposed in a mold, and then a resin (50) is placed in the mold. A method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device that is filled, comprising: disposing a spacer member (70) made of an insulator on the heat sink disposed in the mold by dropping the spacer member (70); By arranging the lead frame,
A method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, wherein the spacer member is interposed between the heat sink and the lead frame, and subsequently the resin is filled.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18941399A JP4126811B2 (en) | 1999-07-02 | 1999-07-02 | Manufacturing method of resin-encapsulated semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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