JP2001010858A - Composition for ceramic substrate and ceramic circuit component - Google Patents
Composition for ceramic substrate and ceramic circuit componentInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 1000℃以下の低温焼結が可能で、Ag系
やCu系などの低抵抗の金属を主成分とする導電体回路
を同時に焼成でき、緻密な焼結体を得ることができる、
セラミック基板用組成物を提供する。
【解決手段】 セラミック基板用組成物は、重量比率
で、ガラス粉末を25〜34%、およびセラミック粉末
を66〜75%それぞれ含有し、セラミック粉末が、粒
径の互いに異なる微粒子と粗粒子との少なくとも2種類
の粒子からなり、微粒子と粗粒子とを合わせての平均粒
径が1μm未満であり、ガラス粉末の平均粒径が1μm
未満である。この組成物によれば、ガラスとセラミック
との分散性が良好で、1000℃以下の焼成温度で緻密
な焼結体を得ることができる。(57) [Summary] A low-temperature sintering of 1000 ° C. or less is possible, and a conductor circuit mainly composed of a low-resistance metal such as an Ag-based or Cu-based metal can be simultaneously fired to form a dense sintered body. Obtainable,
A composition for a ceramic substrate is provided. SOLUTION: The composition for a ceramic substrate contains, by weight ratio, 25 to 34% of glass powder and 66 to 75% of ceramic powder, respectively, and the ceramic powder is composed of fine particles and coarse particles having mutually different particle diameters. It is composed of at least two kinds of particles, the average particle diameter of the combined fine particles and coarse particles is less than 1 μm, and the average particle diameter of the glass powder is 1 μm
Is less than. According to this composition, the dispersibility of glass and ceramic is good, and a dense sintered body can be obtained at a firing temperature of 1000 ° C. or less.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック基板
用組成物およびセラミック回路部品に関するもので、特
に、1000℃以下の低温で焼結させることが可能なセ
ラミック基板用組成物、およびそれを用いて構成される
多層集積回路部品、厚膜ハイブリッド回路部品などのセ
ラミック回路部品に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a composition for a ceramic substrate and a ceramic circuit component, and more particularly to a composition for a ceramic substrate which can be sintered at a low temperature of 1000.degree. The present invention relates to ceramic circuit components such as multilayer integrated circuit components and thick film hybrid circuit components.
【0002】[0002]
【従来の技術】現在、セラミック基板の主流はアルミナ
基板である。しかし、アルミナ基板を得るためには、約
1600℃という高温で焼成しなければならないため、
アルミナ基板をもってたとえば多層回路部品を構成する
場合には、内部の導体において高融点の金属を用いなけ
ればならない。ところが、高融点金属は、一般に、高抵
抗であるため、高周波化および高速化の進む多層回路部
品のための導体としてはふさわしくない。2. Description of the Related Art At present, the mainstream of ceramic substrates is an alumina substrate. However, in order to obtain an alumina substrate, it must be fired at a high temperature of about 1600 ° C.,
When, for example, a multilayer circuit component is formed using an alumina substrate, a metal having a high melting point must be used for the internal conductor. However, a high melting point metal is generally not suitable as a conductor for a multilayer circuit component whose frequency and speed are increasing because of its high resistance.
【0003】そこで、Au、Ag、Ag−Pd、Ag−
Pt、Cuなどの低抵抗の金属を内部導体として使用す
ることを可能にする、焼成温度が1000℃以下のガラ
スセラミック基板が注目され、種々開発されている。[0003] Therefore, Au, Ag, Ag-Pd, Ag-
Attention has been paid to glass-ceramic substrates having a firing temperature of 1000 ° C. or less, which enable use of low-resistance metals such as Pt and Cu as internal conductors, and various developments have been made.
【0004】たとえば、特公平3−53269号公報で
は、重量基準で50〜64%のガラス粉末と50〜35
%のAl2 O3 粉末とを混合して、800〜1000℃
で焼結し得る低温焼結セラミック基板が記載されてい
る。For example, Japanese Patent Publication No. 3-53269 discloses that 50 to 64% of glass powder and 50 to 35% by weight are used.
% Al 2 O 3 powder and mixed at 800-1000 ° C.
A low-temperature sintered ceramic substrate that can be sintered at is described.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなガラス仕込み量が50%以上の基板の場合、焼成
後の基板中の結晶質割合が低くなり、基板の機械的特性
に対する信頼性が低い、という問題がある。However, in the case of a substrate having the above-mentioned glass charge amount of 50% or more, the crystal ratio in the fired substrate is low, and the reliability of the mechanical characteristics of the substrate is low. There is a problem.
【0006】そこで、この発明の目的は、上述したよう
な問題を解決し得る、セラミック基板用組成物およびそ
れを用いて構成されるセラミック回路部品を提供しよう
とすることである。Accordingly, an object of the present invention is to provide a composition for a ceramic substrate and a ceramic circuit component formed using the same, which can solve the above-mentioned problems.
【0007】より具体的には、この発明によれば、A
u、Ag、Ag−Pd、Ag−Pt、Cuなどの低抵抗
の金属を内部導体として用いることを可能にする、焼成
温度が1000℃以下の電子回路用セラミック基板のた
めの組成物が提供され、この組成物を焼成して得られた
セラミック基板によれば、370MPaを超える抗折強
度を実現することが可能になる。More specifically, according to the present invention, A
Provided is a composition for a ceramic substrate for an electronic circuit having a firing temperature of 1000 ° C. or lower, which enables a low-resistance metal such as u, Ag, Ag-Pd, Ag-Pt, or Cu to be used as an internal conductor. According to the ceramic substrate obtained by firing this composition, it is possible to realize a transverse rupture strength exceeding 370 MPa.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上述した技術的課題を解
決するため、この発明に係るセラミック基板用組成物
は、重量比率で、ガラス粉末を25〜34%、およびセ
ラミック粉末を66〜75%それぞれ含有し、セラミッ
ク粉末が、平均粒径の互いに異なる微粒子と粗粒子との
少なくとも2種類の粒子からなり、微粒子と粗粒子とを
合わせての平均粒径が1μm未満であり、ガラス粉末の
平均粒径が1μm未満であることを特徴としている。In order to solve the above-mentioned technical problems, the composition for a ceramic substrate according to the present invention comprises, by weight, 25 to 34% of glass powder and 66 to 75% of ceramic powder. Each containing, the ceramic powder is composed of at least two kinds of fine particles and coarse particles having mutually different average particle diameters, the average particle diameter of the total of the fine particles and the coarse particles is less than 1 μm, The particle size is less than 1 μm.
【0009】上述のように、この発明に係るセラミック
基板用組成物においては、前述した従来技術の場合に比
べて、セラミックの割合を多くしながら、セラミック粉
末の粒径およびガラス粉末の粒径を制御することによっ
て、当該組成物を焼結させて得られたセラミック基板の
機械的強度を高めようとするものである。As described above, in the composition for a ceramic substrate according to the present invention, the particle size of the ceramic powder and the particle size of the glass powder are increased while the proportion of the ceramic is increased, as compared with the above-described prior art. The control is intended to increase the mechanical strength of the ceramic substrate obtained by sintering the composition.
【0010】一般に、ガラスおよびセラミックからなる
複合材料における焼結の駆動力は、ガラスの軟化および
粘性流動によってもたらされる。そのため、セラミック
の割合を増やし、ガラスの割合を減らすと、セラミック
粒子のまわりのガラスが不足し、焼結性および機械的強
度が低下する。Generally, the driving force for sintering in a composite material consisting of glass and ceramic is provided by softening and viscous flow of glass. Therefore, when the proportion of ceramic is increased and the proportion of glass is decreased, the glass around the ceramic particles becomes insufficient, and the sinterability and mechanical strength decrease.
【0011】この発明では、セラミックの割合を増やす
ばかりでなく、セラミック粉末を、平均粒径の互いに異
なる微粒子と粗粒子との少なくとも2種類の粒子によっ
て構成しながら、微粒子と粗粒子とを合わせての平均粒
径を1μm未満とし、かつ、ガラス粉末の平均粒径を1
μm未満とすることによって、セラミックのパッキング
性を向上させることが行なわれる。したがって、ガラス
およびセラミックからなる複合材料の焼結体の体積から
セラミック部分の体積を除いた残りの体積が減少し、比
較的少ないガラス量であっても、これによってセラミッ
ク粒子のまわりを効果的に覆うことができ、その結果、
焼結性の低下を防止することができる。そして、焼結後
の相対密度が同程度であれば、セラミックの割合が多い
ほど、機械的強度は高められることになる。According to the present invention, not only the ratio of the ceramic is increased, but also the fine particles and the coarse particles are combined while the ceramic powder is composed of at least two types of fine particles and coarse particles having different average particle diameters. Has an average particle size of less than 1 μm, and the glass powder has an average particle size of 1
When the thickness is less than μm, the packing property of the ceramic is improved. Therefore, the remaining volume excluding the volume of the ceramic part is reduced from the volume of the sintered body of the composite material composed of glass and ceramic, and even if the amount of glass is relatively small, this effectively surrounds the ceramic particles. Can be covered, so that
A decrease in sinterability can be prevented. If the relative density after sintering is substantially the same, the mechanical strength is increased as the proportion of ceramic increases.
【0012】この発明において、好ましくは、ガラス粉
末としては、軟化温度が800℃以下であり、かつセラ
ミックとの反応性が低いガラスからなるガラス粉末が用
いられる。In the present invention, preferably, as the glass powder, a glass powder made of glass having a softening temperature of 800 ° C. or lower and low reactivity with ceramic is used.
【0013】また、セラミック粉末は、アルミナ粉末を
含むことが好ましい。Preferably, the ceramic powder contains an alumina powder.
【0014】上述のように、セラミック粉末がアルミナ
粉末を含む場合には、ガラス粉末を構成するガラスは、
28〜64重量%のSiO2 、0〜30重量%のB2 O
3 、0〜30重量%のAl2 O3 、および36〜50重
量%のRO(ただし、Rは、Mg、Ca、SrおよびB
aから選ばれた少なくとも1種)を含む組成を有するこ
とが好ましい。As described above, when the ceramic powder contains alumina powder, the glass constituting the glass powder is:
28-64 wt% of SiO 2, 0 to 30 wt% of B 2 O
3 , 0 to 30% by weight of Al 2 O 3 and 36 to 50% by weight of RO (where R is Mg, Ca, Sr and B
a at least one selected from a).
【0015】上述のような場合、ガラス粉末を構成する
ガラスは、SiO2 、B2 O3 、Al2 O3 およびRO
の合計量100重量部に対して、Li2 O、K2 Oおよ
びNa2 Oから選ばれた少なくとも1種のアルカリ金属
の酸化物を5重量部以下の含有量をもってさらに含有し
ていても、また、TiO2 、ZrO2 、Cr2 O3 、C
aF2 およびCuOから選ばれた少なくとも1種の化合
物を5重量部以下の含有量をもってさらに含有していて
もよい。In the above case, the glass constituting the glass powder is made of SiO 2 , B 2 O 3 , Al 2 O 3 and RO.
With respect to 100 parts by weight of the total of the above, further contains at least 5 parts by weight of an oxide of at least one alkali metal selected from Li 2 O, K 2 O and Na 2 O, TiO 2 , ZrO 2 , Cr 2 O 3 , C
At least one compound selected from aF 2 and CuO may be further contained at a content of 5 parts by weight or less.
【0016】また、この発明において、好ましくは、セ
ラミック粉末における微粒子の平均粒径は0.1〜0.
8μmに選ばれ、粗粒子の平均粒径は0.2〜3.0μ
mに選ばれる。In the present invention, preferably, the average particle diameter of the fine particles in the ceramic powder is 0.1 to 0.1.
8 μm, and the average particle size of the coarse particles is 0.2 to 3.0 μm.
m.
【0017】また、セラミック粉末における微粒子と粗
粒子との比率に関して、好ましくは、微粒子が30〜7
0重量%、および粗粒子が70〜30重量%それぞれ含
むようにされる。The ratio of the fine particles to the coarse particles in the ceramic powder is preferably 30 to 7
0% by weight, and 70 to 30% by weight of coarse particles.
【0018】この発明は、また、上述したようなセラミ
ック基板用組成物を成形し焼成して得られた基板と、こ
の基板に関連して形成された導電体回路とを備える、セ
ラミック回路部品にも向けられる。The present invention also provides a ceramic circuit component comprising a substrate obtained by molding and firing the above-described composition for a ceramic substrate, and a conductor circuit formed in connection with the substrate. Is also directed.
【0019】このセラミック回路部品において、導電体
回路は、好ましくは、Ag、AuおよびCuから選ばれ
た少なくとも1種の金属を主成分として含む。In the ceramic circuit component, the conductor circuit preferably contains at least one metal selected from Ag, Au and Cu as a main component.
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】この発明は、ガラス粉末とセラミ
ック粉末とを含有する、低温焼成可能なセラミック基板
用組成物において、重量比率で、ガラス粉末を25〜3
4%、およびセラミック粉末を66〜75%それぞれ含
有している。このような含有比率に限定したのは次の理
由による。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention relates to a composition for a ceramic substrate which can be fired at a low temperature and contains a glass powder and a ceramic powder.
4%, and 66-75% of ceramic powder, respectively. The reason for limiting to such a content ratio is as follows.
【0021】ガラス粉末が25%より少なく、セラミッ
ク粉末が75%より多いと、ガラスがセラミック粒子を
十分に覆うことができず、緻密な焼結体が得られない。
逆に、ガラス粉末が34%より多く、セラミック粉末が
66%より少ないと、得られた焼結体は緻密であって
も、ガラスの割合が多いため、機械的強度が370MP
a以下で、セラミック基板としての機械的特性の信頼性
が不十分である。If the glass powder is less than 25% and the ceramic powder is more than 75%, the glass cannot sufficiently cover the ceramic particles, and a dense sintered body cannot be obtained.
On the other hand, when the glass powder is more than 34% and the ceramic powder is less than 66%, the mechanical strength is 370 MPa even though the obtained sintered body is dense, since the ratio of glass is large.
Below a, the reliability of the mechanical properties of the ceramic substrate is insufficient.
【0022】ガラス粉末を構成するガラスの組成は、特
に限定するものではないが、軟化温度が800℃以下で
あり、セラミックとの反応性が低いものが好ましい。The composition of the glass constituting the glass powder is not particularly limited, but a glass having a softening temperature of 800 ° C. or lower and a low reactivity with ceramic is preferred.
【0023】セラミック粉末としては、たとえばアルミ
ナ粉末が有利に用いられるが、このように、アルミナ粉
末を用いる場合には、ガラス粉末を構成するガラスは、
以下のような組成を有していることが好ましい。As the ceramic powder, for example, alumina powder is advantageously used, and when alumina powder is used, the glass constituting the glass powder is as follows:
It is preferable to have the following composition.
【0024】すなわち、ガラスは、28〜64重量%の
SiO2 、0〜30重量%のB2 O 3 、0〜30重量%
のAl2 O3 、および36〜50重量%のRO(ただ
し、Rは、Mg、Ca、SrおよびBaから選ばれた少
なくとも1種)を含む組成を好ましくは有している。That is, the glass is 28 to 64% by weight.
SiOTwo, 0-30% by weight of BTwoO Three0-30% by weight
AlTwoOThree, And 36-50% by weight of RO (only
And R is a small number selected from Mg, Ca, Sr and Ba.
At least one).
【0025】上述のようなガラスの組成において、Si
O2 は、ガラスの骨格をなすものである。SiO2 の含
有量が28重量%より少ないと、ガラスの軟化点が低く
なりすぎ、得られたセラミック基板の耐熱性が悪くなる
ことがある。他方、64重量%より多くなると、ガラス
の軟化点が高くなりすぎ、セラミック基板を得るために
1000℃以下の温度での焼成が困難になり、その結
果、Au、Ag、Cu等を導電体回路を構成するための
導電成分として使用できなくなることがある。In the above glass composition, Si
O 2 forms the skeleton of glass. If the content of SiO 2 is less than 28% by weight, the softening point of the glass becomes too low, and the heat resistance of the obtained ceramic substrate may deteriorate. On the other hand, if it exceeds 64% by weight, the softening point of the glass becomes too high, and it becomes difficult to fire at a temperature of 1000 ° C. or less to obtain a ceramic substrate. As a result, Au, Ag, Cu, etc. May not be used as a conductive component for forming
【0026】B2 O3 は、セラミック基板を得るための
焼成温度を低下させる効果を有するものであるが、その
含有量が30重量%より多くなると、耐水性および耐薬
品性が悪くなり、また、高温、多湿の環境下では、セラ
ミック基板の変質が生じる可能性があり、さらに、ガラ
スの軟化点が低くなりすぎ、得られたセラミック基板の
耐熱性を悪くしてしまうことがある。B 2 O 3 has the effect of lowering the firing temperature for obtaining a ceramic substrate, but if its content exceeds 30% by weight, water resistance and chemical resistance deteriorate, and In a high-temperature, high-humidity environment, the quality of the ceramic substrate may be altered, and the softening point of the glass may be too low, resulting in poor heat resistance of the obtained ceramic substrate.
【0027】Al2 O3 は、ガラス構造を安定化させ、
得られたセラミック基板の耐熱性を向上させる効果を有
するものであるが、その含有量が30重量%を超える
と、ガラスの軟化・流動性が悪くなり、セラミック基板
を1000℃以下で焼結させることが困難になり、ガラ
スの結晶化も阻害されて、高機械的強度かつ低損失とい
った特性を実現できなくなることがある。Al 2 O 3 stabilizes the glass structure,
It has the effect of improving the heat resistance of the obtained ceramic substrate, but if its content exceeds 30% by weight, the softening and fluidity of the glass deteriorate, and the ceramic substrate is sintered at 1000 ° C. or lower. In some cases, crystallization of the glass is hindered, and characteristics such as high mechanical strength and low loss cannot be realized.
【0028】ROは、ガラスの軟化・流動性を促進させ
る効果を有するものであるが、その含有量が36重量%
より少ないと、ガラスの軟化点が高くなりすぎ、セラミ
ック基板を得るために1000℃以下の温度での焼成が
困難になり、その結果、Au、Ag、Cu等を導電体回
路を構成するために使用できなくなることがある。他
方、ROの含有量が50重量%を越えると、ガラス構造
が不安定となって、品質の安定したガラスが得られなく
なることがある。RO has the effect of promoting the softening and fluidity of glass, but its content is 36% by weight.
If it is less, the softening point of the glass becomes too high, and it becomes difficult to fire at a temperature of 1000 ° C. or less to obtain a ceramic substrate. As a result, Au, Ag, Cu, etc. You may not be able to use it. On the other hand, when the content of RO exceeds 50% by weight, the glass structure becomes unstable, and a glass having stable quality may not be obtained.
【0029】以上のような好ましい組成を有するガラス
において、Li2 O、K2 OおよびNa2 Oから選ばれ
た少なくとも1種のアルカリ金属の酸化物を、Si
O2 、B 2 O3 、Al2 O3 およびROの合計量100
重量部に対して5重量部以下の含有量をもって含有させ
ると、ガラスの軟化点が下がり、流動化を促進する効果
があるため、セラミックの割合を増やすことが可能にな
り、その結果、得られたセラミック基板の機械的強度を
さらに高くすることが可能になる。Glass having the above preferred composition
In, LiTwoO, KTwoO and NaTwoSelected from O
The at least one alkali metal oxide
OTwo, B TwoOThree, AlTwoOThreeAnd total amount of RO 100
5 parts by weight or less based on parts by weight
Reduces the softening point of the glass and promotes fluidization
Has made it possible to increase the proportion of ceramics.
As a result, the mechanical strength of the obtained ceramic substrate is reduced.
It is possible to make it even higher.
【0030】また、この好ましい組成を有するガラスに
おいて、TiO2 、ZrO2 、Cr 2 O3 、CaF2 お
よびCuOから選ばれた少なくとも1種の化合物を、S
iO 2 、B2 O3 、Al2 O3 およびROの合計量10
0重量部に対して5重量部以下の含有量をもって含有さ
せると、ガラスの結晶化が促進され、得られたセラミッ
ク基板の機械的強度およびQ値をさらに高くすることが
可能になる。Further, the glass having this preferred composition
TiO2Two, ZrOTwo, Cr TwoOThree, CaFTwoYou
At least one compound selected from the group consisting of
iO Two, BTwoOThree, AlTwoOThreeAnd the total amount of RO 10
0 parts by weight and not more than 5 parts by weight
The crystallization of the glass is accelerated and the resulting ceramic
To further increase the mechanical strength and Q value of the substrate
Will be possible.
【0031】この発明に係るセラミック基板用組成物に
おいて含有されるセラミック粉末は、粒径の互いに異な
る微粒子と粗粒子との少なくとも2種類の粒子からな
り、微粒子と粗粒子とを合わせての平均粒径が1μm未
満であり、ガラス粉末の平均粒径が1μm未満であるこ
とを特徴としている。このような粒径に限定したのは次
の理由による。The ceramic powder contained in the composition for a ceramic substrate according to the present invention is composed of at least two kinds of fine particles and coarse particles having different particle diameters, and the average particle size of the fine particles and the coarse particles is combined. The diameter is less than 1 μm, and the average particle size of the glass powder is less than 1 μm. The reason for limiting to such a particle size is as follows.
【0032】セラミック粉末における微粒子と粗粒子と
を合わせての平均粒径が1μm以上であると、セラミッ
クとガラスとの間での高分散が難しく、ガラスおよびセ
ラミックからなる複合材料についての成形密度を高くす
ることができず、そのため、焼成されて得られた焼結体
すなわちセラミック基板の焼結密度が低くなり、機械的
強度が370MPa以下となる。If the average particle size of the fine particles and the coarse particles in the ceramic powder is 1 μm or more, high dispersion between the ceramic and the glass is difficult, and the molding density of the composite material composed of the glass and the ceramic is reduced. Therefore, the sintered body obtained by firing, that is, the ceramic substrate has a low sintered density, and the mechanical strength becomes 370 MPa or less.
【0033】また、セラミック粉末の平均粒径およびガ
ラス粉末の平均粒径がともに1μm未満であっても、セ
ラミック粉末が、微粒子と粗粒子との少なくとも2種類
の粒子から構成されていないと、セラミック粉末のパッ
キング性が悪くなり、ガラスをもってセラミックを十分
に覆うことができず、また、ガラスおよびセラミックか
らなる複合材料の成形密度も低くなってしまう。このた
め、焼成して得られた焼結体すなわちセラミック基板の
焼結密度が低くなり、機械的強度が370MPa以下と
なる。Even if both the average particle diameter of the ceramic powder and the average particle diameter of the glass powder are less than 1 μm, if the ceramic powder is not composed of at least two kinds of particles, fine particles and coarse particles, The packing properties of the powder are deteriorated, the ceramic cannot be sufficiently covered with the glass, and the molding density of the composite material composed of the glass and the ceramic also decreases. For this reason, the sintered body obtained by firing, that is, the sintered density of the ceramic substrate becomes low, and the mechanical strength becomes 370 MPa or less.
【0034】また、セラミック粉末の平均粒径が1μm
未満であるとともにセラミック粉末が微粒子と粗粒子と
の少なくとも2種類の粒子から構成されていても、ガラ
ス粉末の平均粒径が1μm以上となれば、セラミック粒
子のまわりをガラスによって十分に覆うことができず、
そのため、焼成して得られた焼結体すなわちセラミック
基板の焼結密度が低くなり、機械的強度が370MPa
以下となる。The average particle size of the ceramic powder is 1 μm.
Even if the average particle size of the glass powder is 1 μm or more, even if the ceramic powder is composed of at least two types of particles of fine particles and coarse particles, the ceramic particles can be sufficiently covered with glass. I ca n’t,
Therefore, the sintered body obtained by firing, that is, the sintered density of the ceramic substrate becomes low, and the mechanical strength becomes 370 MPa.
It is as follows.
【0035】なお、セラミック粉末における微粒子と粗
粒子との各々の平均粒径は、特に限定されるものではな
いが、微粒子の平均粒径が0.1〜0.8μmであり、
粗粒子の平均粒径が0.2〜3.0μmであることが好
ましい。The average particle size of each of the fine particles and the coarse particles in the ceramic powder is not particularly limited, but the average particle size of the fine particles is 0.1 to 0.8 μm.
It is preferable that the coarse particles have an average particle size of 0.2 to 3.0 μm.
【0036】また、セラミック粉末における微粒子と粗
粒子との構成比率は、特に限定されないが、好ましく
は、微粒子が30〜70重量%、粗粒子が70〜30重
量%となるように選ばれる。The composition ratio of the fine particles and the coarse particles in the ceramic powder is not particularly limited, but is preferably selected so that the fine particles are 30 to 70% by weight and the coarse particles are 70 to 30% by weight.
【0037】以上述べたようなセラミック基板用組成物
は、これを成形し焼成して得られた基板と、この基板に
関連して形成された導電体回路とを備える、セラミック
回路部品を製造するために有利に用いられる。The above-described composition for a ceramic substrate is used to produce a ceramic circuit component comprising a substrate obtained by molding and firing the same, and a conductor circuit formed in connection with the substrate. It is advantageously used for:
【0038】図1は、上述したセラミック回路部品の一
例であって、この発明の一実施形態によるセラミック多
層回路部品1を図解的に示す断面図である。セラミック
多層回路部品1は、概略的に言えば、セラミック基板2
とこのセラミック基板2の内部および/または表面に形
成される導電体回路3とを備えている。FIG. 1 is a sectional view schematically showing a ceramic multilayer circuit component 1 according to an embodiment of the present invention, which is an example of the above-described ceramic circuit component. The ceramic multilayer circuit component 1 is, roughly speaking, a ceramic substrate 2
And a conductor circuit 3 formed inside and / or on the surface of the ceramic substrate 2.
【0039】セラミック基板2は、上述したような組成
を有するセラミック基板用組成物を含む複数のグリーン
シートを積層して得られたセラミック成形体を焼成する
ことによって得られたものであり、複数のグリーンシー
トの各々の焼成によってもたらされる複数のセラミック
層4を備えている。The ceramic substrate 2 is obtained by firing a ceramic molded body obtained by laminating a plurality of green sheets containing the composition for a ceramic substrate having the above-described composition. It comprises a plurality of ceramic layers 4 resulting from the firing of each of the green sheets.
【0040】導電体回路3は、たとえば、Ag、Auお
よびCuから選ばれた少なくとも1種の金属を主成分と
する導電成分を含む導電性ペーストを上述したセラミッ
ク成形体と同時に焼成することによって形成されたもの
である。導電体回路3は、セラミック基板2の表面に形
成されるものとして、たとえば、外部導体5、6および
7等を備え、また、セラミック基板2の内部に形成され
るものとして、たとえば、内部導体8、9、10、11
および12等を備えるとともに、バイアホール接続部1
3、14、15、16、17、18および19等を備え
ている。The conductor circuit 3 is formed, for example, by simultaneously firing a conductive paste containing a conductive component containing at least one metal selected from Ag, Au and Cu as a main component at the same time as the above-mentioned ceramic molded body. It was done. The conductor circuit 3 includes, for example, external conductors 5, 6, and 7 formed on the surface of the ceramic substrate 2, and includes the internal conductor 8 formed on the inside of the ceramic substrate 2, for example. , 9,10,11
And via hole connection part 1
3, 14, 15, 16, 17, 18, and 19, and the like.
【0041】内部導体8および9は、特定のセラミック
層4を介して対向し、コンデンサ部20を構成する。ま
た、バイアホール接続部16〜19ならびに内部導体1
0〜12は、交互に順次接続され、インダクタ部21を
構成する。The internal conductors 8 and 9 are opposed to each other via a specific ceramic layer 4 to form a capacitor section 20. Also, via-hole connection portions 16 to 19 and internal conductor 1
0 to 12 are connected alternately and sequentially to form the inductor unit 21.
【0042】[0042]
【実験例】以下に、この発明に係るセラミック基板用組
成物に関して、実験例に基づき、より具体的に説明す
る。EXPERIMENTAL EXAMPLES Hereinafter, the composition for a ceramic substrate according to the present invention will be described more specifically based on experimental examples.
【0043】表1には、この実験例において作製したセ
ラミック基板用組成物の組成が示されている。Table 1 shows the composition of the composition for a ceramic substrate produced in this experimental example.
【0044】[0044]
【表1】 [Table 1]
【0045】表1において、ガラスとして、45重量%
のSiO2 、10重量%のB2 O3、5重量%のAl2
O3 および40重量%のCaOを含む組成を有するもの
を用いた。そのため、このような組成となるように秤量
した酸化物または炭酸塩の混合物を1500℃の温度で
溶融させ、ガラス化した後、水中にて急冷し、急冷後の
ガラスを、表1に示した粒径になるまで粉砕し、種々の
粒径を有するガラス粉末を作製した。In Table 1, 45% by weight of glass was used.
SiO 2 , 10 wt% B 2 O 3 , 5 wt% Al 2
One having a composition containing O 3 and 40% by weight of CaO was used. Therefore, a mixture of oxides or carbonates weighed to have such a composition was melted at a temperature of 1500 ° C., vitrified, quenched in water, and the quenched glass is shown in Table 1. The powder was pulverized to a particle size to produce glass powders having various particle sizes.
【0046】他方、セラミック粉末として、表1に示す
ような0.4μm、0.9μmおよび1.4μmの各粒
径を有する、アルミナ粉末、フォルステライト粉末およ
びジルコニア粉末をそれぞれ用意した。On the other hand, alumina powder, forsterite powder and zirconia powder having respective particle diameters of 0.4 μm, 0.9 μm and 1.4 μm as shown in Table 1 were prepared as ceramic powders.
【0047】次いで、上述のように用意された各ガラス
粉末とセラミック粉末とを、表1に示すような種々の割
合をもって調合した。ここで、ガラス粉末については、
表1に示すように、種々の粒径を有するものを用い、セ
ラミック粉末については、表1に示すように、アルミナ
からなるものを基本的に用いながら、特定の試料におい
て、フォルステライトまたはジルコニアからなるものを
これに加え、また、種々の粒径を有するものを所定の割
合で混合した。Next, the glass powder and the ceramic powder prepared as described above were prepared at various ratios as shown in Table 1. Here, for the glass powder,
As shown in Table 1, various types of particle diameters are used, and as for the ceramic powder, as shown in Table 1, a material consisting of alumina is basically used, and for a specific sample, forsterite or zirconia is used. Was added thereto, and those having various particle sizes were mixed at a predetermined ratio.
【0048】上述のように調合されたガラス粉末とセラ
ミック粉末とに対して、溶剤(エタノール/トルエン)
および分散剤(ソルビタンエステル)を加えて分散処理
し、さらに、バインダ(ブチラール樹脂)および可塑剤
(ジオクチルフタレート)を加えて混合し、スラリーを
得た。次いで、このスラリーに対してドクターブレード
法を適用することによって、グリーンシートを得た。The glass powder and the ceramic powder prepared as described above are mixed with a solvent (ethanol / toluene).
And a dispersant (sorbitan ester), and the mixture was dispersed. A binder (butyral resin) and a plasticizer (dioctyl phthalate) were added and mixed to obtain a slurry. Next, a green sheet was obtained by applying a doctor blade method to the slurry.
【0049】次に、上述のようにして得られた各試料に
係るグリーンシートに基づき、いくつかの形態の試料を
作製し、表2に示すような「抗折強度」、「誘電率」お
よび「Q」をそれぞれ評価した。Next, based on the green sheets of the respective samples obtained as described above, several types of samples were prepared, and as shown in Table 2, “bending strength”, “dielectric constant” and "Q" was evaluated respectively.
【0050】[0050]
【表2】 [Table 2]
【0051】まず、各試料に係るグリーンシートを所定
枚数積層し、所定寸法にカットした後、表2に示す焼成
温度で焼成することによって焼結体を得、これを研磨加
工することによって、長さ36mm、幅4mmおよび厚
み3mmの寸法とした。このようにして得られた各試料
に係る焼結体について、JIS規格(JIS R160
1)に準じて、抗折強度(3点曲げ)を測定した。First, a predetermined number of green sheets for each sample are laminated, cut into a predetermined size, and then fired at a firing temperature shown in Table 2 to obtain a sintered body. The dimensions were 36 mm, width 4 mm and thickness 3 mm. The sintered body according to each sample obtained in this manner was subjected to the JIS standard (JIS R160
The bending strength (three-point bending) was measured according to 1).
【0052】また、各試料に係るグリーンシートを用い
て、図1に示すようなセラミック多層回路部品1を作製
した。すなわち、グリーンシートに穴を設け、Ag系ペ
ーストをこれらに充填してバイアホール接続部13〜1
9を形成した後、Ag系ペーストをスクリーン印刷して
所定のパターンの外部導体5〜7ならびに内部導体8〜
12を形成した。その後、セラミック層4となるべきこ
れらグリーンシートを所定枚数積層し、プレスした。次
いで、空気中で、表2に示す焼成温度で焼成して、セラ
ミック多層回路部品1を作製した。Further, a ceramic multilayer circuit component 1 as shown in FIG. 1 was manufactured using the green sheets of each sample. That is, a hole is formed in the green sheet, and an Ag-based paste is filled in these holes to form via-hole connection portions 13 to 1.
9 is formed, and an Ag-based paste is screen-printed to form a predetermined pattern of the outer conductors 5 to 7 and the inner conductors 8 to
No. 12 was formed. Thereafter, a predetermined number of these green sheets to become the ceramic layers 4 were laminated and pressed. Next, firing was performed at a firing temperature shown in Table 2 in air to produce a ceramic multilayer circuit component 1.
【0053】このようにして得られたセラミック多層回
路部品1における外部導体5および6の間に周波数1M
Hzの電圧を印加して、コンデンサ部20の静電容量お
よびQを測定し、誘電率(εr )を算出した。誘電率お
よびQが表2に示されている。The frequency of 1 M is applied between the outer conductors 5 and 6 in the ceramic multilayer circuit component 1 thus obtained.
A voltage of Hz was applied to measure the capacitance and Q of the capacitor unit 20 to calculate the dielectric constant (ε r ). The dielectric constant and Q are shown in Table 2.
【0054】表1および表2において、試料1〜7は、
この発明の範囲内の実施例に相当し、試料8〜16は、
この発明の範囲外の比較例に相当している。In Tables 1 and 2, Samples 1 to 7
Samples 8 to 16 correspond to the examples within the scope of the present invention.
This corresponds to a comparative example outside the scope of the present invention.
【0055】表2を参照して、実施例としての試料1〜
5によれば、焼成温度が1000℃以下において、37
0MPaを超える抗折強度に達し、また、誘電率が8.
6〜8.8であり、Qが1700〜2000となり、セ
ラミック回路部品におけるセラミック基板として十分な
特性を示した。Referring to Table 2, samples 1 to 5 as examples were used.
According to No. 5, when the firing temperature is 1000 ° C. or lower, 37
It has a flexural strength exceeding 0 MPa and a dielectric constant of 8.
6 to 8.8, and Q was 1700 to 2000, indicating sufficient characteristics as a ceramic substrate in a ceramic circuit component.
【0056】また、セラミック粉末として、アルミナ粉
末とフォルステライト粉末との混合粉末およびアルミナ
粉末とジルコニア粉末との混合粉末をそれぞれ用いた試
料6および7によれば、焼成温度が1000℃以下であ
って、370MPaを超える抗折強度に達し、また、誘
電率が8.5〜8.8、Qが1500〜1900とな
り、同様に、セラミック回路部品におけるセラミック基
板として十分な特性を示した。According to Samples 6 and 7 using a mixed powder of alumina powder and forsterite powder and a mixed powder of alumina powder and zirconia powder, respectively, as the ceramic powder, the firing temperature was 1000 ° C. or lower. The flexural strength exceeded 370 MPa, the dielectric constant was 8.5 to 8.8, and Q was 1500 to 1900. Similarly, the ceramic substrate showed sufficient characteristics as a ceramic substrate.
【0057】これらに対して、比較例としての試料8に
よれば、セラミック粉末としてのアルミナ粉末の割合が
少ないため、焼結密度は高かったが、抗折強度が370
MPa以下となった。On the other hand, according to Sample 8 as a comparative example, since the proportion of alumina powder as the ceramic powder was small, the sintered density was high, but the transverse rupture strength was 370.
MPa or less.
【0058】また、試料9によれば、セラミック粉末と
してのアルミナ粉末の割合が多いため、成形密度ひいて
は焼結密度が低くなり、抗折強度が370MPa以下と
なった。According to Sample 9, since the ratio of the alumina powder as the ceramic powder was large, the molding density and thus the sintering density were low, and the bending strength was 370 MPa or less.
【0059】また、試料10〜12によれば、セラミッ
ク粉末としてのアルミナ粉末の粒径が大きいため、成形
密度ひいては焼結密度が低くなり、抗折強度が370M
Pa以下となった。特に、アルミナ粉末の粒径が1.2
μm以上である試料11および12では、セラミック基
板の密度がさらに低くなるため、Qがより低くなった。According to Samples 10 to 12, since the particle size of the alumina powder as the ceramic powder was large, the molding density and, consequently, the sintering density were low, and the flexural strength was 370M.
Pa or less. In particular, when the particle size of the alumina powder is 1.2
In Samples 11 and 12 having a size of not less than μm, Q was further reduced because the density of the ceramic substrate was further reduced.
【0060】また、試料13〜15によれば、ガラス粉
末の粒径が大きいため、セラミック粒子のまわりをガラ
スが十分に覆うことができず、成形密度ひいては焼結密
度が低く、抗折強度が370MPa以下となった。特
に、ガラス粉末の粒径が1.2μm以上である試料14
および15では、セラミック基板の密度が一層低くなる
ため、Qがより低くなった。Further, according to Samples 13 to 15, since the particle size of the glass powder is large, the glass cannot sufficiently cover the periphery of the ceramic particles, the molding density and thus the sintered density are low, and the bending strength is low. It became 370 MPa or less. In particular, Sample 14 in which the particle size of the glass powder is 1.2 μm or more
In Nos. 15 and 15, Q was lower because the density of the ceramic substrate was lower.
【0061】また、試料16によれば、セラミック粉末
としてのアルミナ粉末が微粒子と粗粒子とから構成され
ていないため、成形密度ひいては焼結密度が低く、抗折
強度が370MPa以下となった。According to Sample 16, since the alumina powder as the ceramic powder was not composed of fine particles and coarse particles, the molding density and thus the sintering density were low, and the transverse rupture strength was 370 MPa or less.
【0062】[0062]
【発明の効果】以上のように、この発明に係るセラミッ
ク基板用組成物によれば、重量比率で、ガラス粉末を2
5〜34%、およびセラミック粉末を66〜75%それ
ぞれ含有しており、セラミックの割合を多くしているに
もかかわらず、セラミック粉末が、粒径の互いに異なる
微粒子と粗粒子との少なくとも2種類の粒子からなり、
微粒子と粗粒子とを合わせての平均粒径が1μm未満で
あり、ガラス粉末の平均粒径が1μm未満とされてい
る。したがって、ガラスとセラミックとの分散性が良好
で、セラミックのパッキング性が高められるので、焼成
工程において、ガラスがセラミック粒子のまわりを効果
的に覆うことができ、1000℃以下の焼成温度で、緻
密な焼結体すなわちセラミック基板を得ることができ
る。また、このような焼結体の緻密さに加えて、セラミ
ックの割合が高くされることも、当該組成物を焼成して
得られたセラミック基板の機械的強度を高めるのに寄与
している。As described above, according to the composition for a ceramic substrate of the present invention, 2 parts by weight of glass powder are used.
Despite the fact that the ceramic powder contains 5-34% and ceramic powder 66-75%, respectively, and the proportion of ceramic is increased, the ceramic powder has at least two types of fine particles and coarse particles having different particle diameters. Consisting of particles of
The average particle size of the fine particles and the coarse particles is less than 1 μm, and the average particle size of the glass powder is less than 1 μm. Therefore, the dispersibility of the glass and the ceramic is good, and the packing property of the ceramic is enhanced, so that the glass can effectively cover the periphery of the ceramic particles in the firing step, and the density can be reduced at a firing temperature of 1000 ° C. or less. A sintered body, that is, a ceramic substrate can be obtained. In addition to the denseness of such a sintered body, an increase in the proportion of ceramic also contributes to increasing the mechanical strength of a ceramic substrate obtained by firing the composition.
【0063】また、上述のように、この発明に係るセラ
ミック基板用組成物によれば、1000℃以下の焼成温
度を適用することができるので、Ag系やCu系などの
低抵抗の金属を主成分として含む導電体回路を備えるセ
ラミック回路部品を同時焼成によって問題なく得ること
ができ、そのため、低誘電率、高Q、および高機械的強
度を有するセラミック基板を備えるセラミック回路部品
を得ることが容易になる。Further, as described above, according to the composition for a ceramic substrate according to the present invention, a firing temperature of 1000 ° C. or less can be applied, so that a low-resistance metal such as an Ag-based or Cu-based metal is mainly used. A ceramic circuit component having a conductor circuit containing as a component can be obtained without problems by co-firing, and therefore, it is easy to obtain a ceramic circuit component having a ceramic substrate having a low dielectric constant, a high Q, and a high mechanical strength. become.
【図1】この発明の一実施形態によるセラミック多層回
路部品1を図解的に示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view schematically showing a ceramic multilayer circuit component 1 according to an embodiment of the present invention.
1 セラミック多層回路部品 2 セラミック基板 3 導電体回路 4 セラミック層 5〜7 外部導体 8〜12 内部導体 13〜19 バイアホール接続部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic multilayer circuit component 2 Ceramic board 3 Conductor circuit 4 Ceramic layer 5-7 External conductor 8-12 Internal conductor 13-19 Via hole connection part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01G 4/30 301 H01G 4/30 301E 4/40 4/40 321A (72)発明者 横倉 修 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Fターム(参考) 4G030 AA36 AA67 BA09 BA20 CA08 GA11 GA20 HA09 PA07 PA22 4G062 AA09 AA15 BB01 DA04 DA05 DA06 DB01 DB02 DB03 DB04 DC01 DC02 DC03 DC04 DD01 DE01 DF01 EA01 EA10 EB01 EC01 ED01 ED02 ED03 ED04 ED05 EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EF01 EF02 EF03 EF04 EF05 EG01 EG02 EG03 EG04 EG05 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM28 NN26 NN33 PP03 PP05 5E001 AB03 AC09 AC10 AD03 AE00 AE04 AF00 AH01 AH05 AH06 AH09 AJ01 AJ02 AZ01 5E082 AB03 BB10 BC31 BC40 DD08 EE04 EE23 EE26 EE35 FF14 FG06 FG25 FG26 FG27 FG52 FG54 GG10 GG11 GG28 JJ12 JJ15 JJ23 LL15 MM22 PP03 PP09 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01G 4/30 301 H01G 4/30 301E 4/40 4/40 321A (72) Inventor Osamu Yokokura Kyoto Nagaokakyo 2-26-10 Ichitenjin Murata Manufacturing Co., Ltd.F-term (reference) 4G030 AA36 AA67 BA09 BA20 CA08 GA11 GA20 HA09 PA07 PA22 4G062 AA09 AA15 BB01 DA04 DA05 DA06 DB01 DB02 DB03 DB04 DC01 DC02 DC03 DC04 DD01 DE01 DF01 EA01 EA01 EA01 EA01 EA EC01 ED01 ED02 ED03 ED04 ED05 EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EF01 EF02 EF03 EF04 EF05 EG01 EG02 EG03 EG04 EG05 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 H01 F01H01 H01 H01 H01 H01 H01 H01 H01 H01 H01 H01 H01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM28 NN26 NN33 PP03 PP05 5E001 AB03 AC09 AC10 AD03 AE00 AE04 AF00 AH01 AH05 AH 06 AH09 AJ01 AJ02 AZ01 5E082 AB03 BB10 BC31 BC40 DD08 EE04 EE23 EE26 EE35 FF14 FG06 FG25 FG26 FG27 FG52 FG54 GG10 GG11 GG28 JJ12 JJ15 JJ23 LL15 MM22 PP03 PP09
Claims (10)
%、およびセラミック粉末を66〜75%それぞれ含有
し、 前記セラミック粉末が、粒径の互いに異なる微粒子と粗
粒子との少なくとも2種類の粒子からなり、前記微粒子
と前記粗粒子とを合わせての平均粒径が1μm未満であ
り、 前記ガラス粉末の平均粒径が1μm未満である、セラミ
ック基板用組成物。1. A glass powder having a weight ratio of 25 to 34.
%, And 66 to 75% of a ceramic powder, respectively, wherein the ceramic powder is composed of at least two kinds of fine particles and coarse particles having different particle diameters, and the average of the fine particles and the coarse particles combined. A composition for a ceramic substrate, wherein the composition has a particle size of less than 1 μm, and the glass powder has an average particle size of less than 1 μm.
以下であり、かつセラミックとの反応性が低いガラスか
らなる、請求項1に記載のセラミック基板用組成物。2. The glass powder has a softening temperature of 800 ° C.
The composition for a ceramic substrate according to claim 1, wherein the composition is made of a glass having the following properties and low reactivity with a ceramic.
含む、請求項1または2に記載のセラミック基板用組成
物。3. The composition for a ceramic substrate according to claim 1, wherein the ceramic powder includes an alumina powder.
8〜64重量%のSiO2 、0〜30重量%のB
2 O3 、0〜30重量%のAl2 O3 、および36〜5
0重量%のRO(ただし、Rは、Mg、Ca、Srおよ
びBaから選ばれた少なくとも1種)を含む組成を有す
る、請求項3に記載のセラミック基板用組成物。4. The glass constituting the glass powder is 2
8 to 64 wt% of SiO 2, 0 to 30 wt% of B
2 O 3 , 0-30% by weight of Al 2 O 3 , and 36-5%
The composition for a ceramic substrate according to claim 3, having a composition containing 0% by weight of RO (where R is at least one selected from Mg, Ca, Sr and Ba).
i2 O、K2 OおよびNa2 Oから選ばれた少なくとも
1種のアルカリ金属の酸化物を、前記SiO 2 、B2 O
3 、Al2 O3 およびROの合計量100重量部に対し
て5重量部以下の含有量をもって含有する、請求項4に
記載のセラミック基板用組成物。5. The glass constituting the glass powder is L
iTwoO, KTwoO and NaTwoAt least selected from O
The one kind of alkali metal oxide is converted to the SiO 2 Two, BTwoO
Three, AlTwoOThreeAnd 100 parts by weight of RO
5. The composition according to claim 4, wherein the content is not more than 5 parts by weight.
The composition for a ceramic substrate according to the above.
iO2 、ZrO2 、Cr2 O3 、CaF2 およびCuO
から選ばれた少なくとも1種の化合物を、前記Si
O2 、B2 O3 、Al2 O3 およびROの合計量100
重量部に対して5重量部以下の含有量をもって含有す
る、請求項4または5に記載のセラミック基板用組成
物。6. The glass constituting the glass powder is T
iO 2 , ZrO 2 , Cr 2 O 3 , CaF 2 and CuO
At least one compound selected from the group consisting of Si
Total amount of O 2 , B 2 O 3 , Al 2 O 3 and RO is 100
The composition for a ceramic substrate according to claim 4, wherein the composition is contained in an amount of 5 parts by weight or less based on parts by weight.
の平均粒径は0.1〜0.8μmであり、前記粗粒子の
平均粒径は0.2〜3.0μmである、請求項1ないし
6のいずれかに記載のセラミック基板用組成物。7. The ceramic powder according to claim 1, wherein the average particle diameter of the fine particles in the ceramic powder is 0.1 to 0.8 μm, and the average particle diameter of the coarse particles is 0.2 to 3.0 μm. The composition for a ceramic substrate according to any one of the above.
%の前記微粒子および70〜30重量%の前記粗粒子か
ら構成される、請求項1ないし7のいずれかに記載のセ
ラミック基板用組成物。8. The composition for a ceramic substrate according to claim 1, wherein said ceramic powder is composed of 30 to 70% by weight of said fine particles and 70 to 30% by weight of said coarse particles.
ラミック基板用組成物を成形し焼成して得られた基板
と、前記基板に関連して形成された導電体回路とを備え
る、セラミック回路部品。9. A ceramic comprising: a substrate obtained by molding and firing the composition for a ceramic substrate according to claim 1; and a conductor circuit formed in relation to the substrate. Circuit components.
Cuから選ばれた少なくとも1種の金属を主成分として
含む、請求項9に記載のセラミック回路部品。10. The ceramic circuit component according to claim 9, wherein the conductor circuit includes at least one metal selected from Ag, Au, and Cu as a main component.
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| JP (1) | JP2001010858A (en) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002079114A1 (en) * | 2001-03-28 | 2002-10-10 | Murata Manufacturing Co.,Ltd. | Composition for insulating ceramics and insulating ceramics using the same |
| US6605233B2 (en) * | 2001-03-02 | 2003-08-12 | Talley Defense Systems, Inc. | Gas generant composition with coolant |
| CN1326215C (en) * | 2004-08-17 | 2007-07-11 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | Glass passivating process of silicon semiconductor device |
| JP2008244348A (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Leader Well Technology Co Ltd | Ceramic materials used for protection against electrical overstress and low capacitance multilayer chip varistors using the same |
| WO2011021484A1 (en) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | 株式会社村田製作所 | Glass ceramic composition, ceramic green sheet, and multilayered ceramic substrate |
| CN102060516A (en) * | 2009-11-18 | 2011-05-18 | 日本碍子株式会社 | Sintered ceramic body, manufacturing method thereof, and ceramic structure |
| WO2013021922A1 (en) * | 2011-08-09 | 2013-02-14 | 旭硝子株式会社 | Glass ceramic body, substrate for mounting light-emitting element, and light-emitting device |
| JP2016058508A (en) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 日本特殊陶業株式会社 | Ceramic wiring board |
| KR20170013655A (en) * | 2015-07-28 | 2017-02-07 | (주)샘씨엔에스 | Ceramic composition for electrostatic chuck and electrostatic chuck using the same |
| CN115433000A (en) * | 2022-09-29 | 2022-12-06 | 潮州三环(集团)股份有限公司 | A kind of ceramic packaging base and preparation method thereof |
| JP2023040431A (en) * | 2021-09-10 | 2023-03-23 | 山村フォトニクス株式会社 | glass ceramics substrate |
-
1999
- 1999-06-22 JP JP11175115A patent/JP2001010858A/en active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6605233B2 (en) * | 2001-03-02 | 2003-08-12 | Talley Defense Systems, Inc. | Gas generant composition with coolant |
| WO2002079114A1 (en) * | 2001-03-28 | 2002-10-10 | Murata Manufacturing Co.,Ltd. | Composition for insulating ceramics and insulating ceramics using the same |
| CN1326215C (en) * | 2004-08-17 | 2007-07-11 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | Glass passivating process of silicon semiconductor device |
| JP2008244348A (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Leader Well Technology Co Ltd | Ceramic materials used for protection against electrical overstress and low capacitance multilayer chip varistors using the same |
| WO2011021484A1 (en) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | 株式会社村田製作所 | Glass ceramic composition, ceramic green sheet, and multilayered ceramic substrate |
| JP5633707B2 (en) * | 2009-08-18 | 2014-12-03 | 株式会社村田製作所 | Glass ceramic composition, ceramic green sheet and multilayer ceramic substrate |
| US8603625B2 (en) | 2009-11-18 | 2013-12-10 | Ngk Insulators, Ltd. | Sintered ceramic body, manufacturing method thereof, and ceramic structure |
| EP2332893A1 (en) | 2009-11-18 | 2011-06-15 | NGK Insulators, Ltd. | Sintered ceramic body, manufacturing method thereof, and ceramic structure |
| CN102060516A (en) * | 2009-11-18 | 2011-05-18 | 日本碍子株式会社 | Sintered ceramic body, manufacturing method thereof, and ceramic structure |
| US9073789B2 (en) | 2009-11-18 | 2015-07-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Sintered ceramic body, manufacturing method thereof, and ceramic structure |
| WO2013021922A1 (en) * | 2011-08-09 | 2013-02-14 | 旭硝子株式会社 | Glass ceramic body, substrate for mounting light-emitting element, and light-emitting device |
| JPWO2013021922A1 (en) * | 2011-08-09 | 2015-03-05 | 旭硝子株式会社 | Glass ceramic body, light emitting element mounting substrate, and light emitting device |
| US9024352B2 (en) | 2011-08-09 | 2015-05-05 | Asahi Glass Company, Limited | Glass ceramic body, substrate for mounting light-emitting element, and light emitting device |
| JP2016058508A (en) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 日本特殊陶業株式会社 | Ceramic wiring board |
| KR20170013655A (en) * | 2015-07-28 | 2017-02-07 | (주)샘씨엔에스 | Ceramic composition for electrostatic chuck and electrostatic chuck using the same |
| KR102393287B1 (en) | 2015-07-28 | 2022-05-02 | (주)샘씨엔에스 | Ceramic composition for electrostatic chuck and electrostatic chuck using the same |
| JP2023040431A (en) * | 2021-09-10 | 2023-03-23 | 山村フォトニクス株式会社 | glass ceramics substrate |
| CN115433000A (en) * | 2022-09-29 | 2022-12-06 | 潮州三环(集团)股份有限公司 | A kind of ceramic packaging base and preparation method thereof |
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