JP2001004708A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 1台の検査装置で同時に多数のデバイスを検
査できるような検査補助回路を組み込んだ半導体装置を
提供すること。
【解決手段】 通常動作モードとテストモードとを有す
る半導体装置であって、テストモードにおいて半導体装
置に含まれる複数の内部セルを検査するための複数のテ
スト信号をシリアルに入力して複数のテスト信号を対応
する複数の内部セルに順次供給するテスト信号供給手段
と、複数の内部セルを複数の端子にそれぞれ電気的に接
続するかあるいは切り離すかを切り換える複数の切換手
段と、複数の内部セルが前記の端子から切り離されてい
る場合に複数の内部セルの出力信号を複数の端子に外部
から供給される複数の信号とそれぞれ比較する複数の比
較手段と、複数の比較手段の比較結果を判定する判定手
段とを具備する。
(57) [Problem] To provide a semiconductor device which incorporates an inspection auxiliary circuit capable of simultaneously inspecting a large number of devices with one inspection apparatus. A semiconductor device having a normal operation mode and a test mode, wherein a plurality of test signals for testing a plurality of internal cells included in the semiconductor device in the test mode are serially input to generate a plurality of test signals. Test signal supply means for sequentially supplying a plurality of internal cells to a corresponding plurality of internal cells, a plurality of switching means for electrically connecting or disconnecting the plurality of internal cells to a plurality of terminals, and a plurality of internal cells, A plurality of comparing means for comparing the output signals of the plurality of internal cells with a plurality of signals supplied from outside to the plurality of terminals when the plurality of terminals are disconnected from each other, and a determination for judging a comparison result of the plurality of comparing means. Means.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的には半導体
装置に関し、特に、検査装置(ICテスター等)と良品
デバイスを用いて被検査デバイスを検査する際に検査を
容易にするための検査補助回路を内蔵した半導体装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention generally relates to a semiconductor device, and more particularly, to an inspection for facilitating inspection when inspecting a device to be inspected using an inspection apparatus (such as an IC tester) and a non-defective device. The present invention relates to a semiconductor device having a built-in auxiliary circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、検査装置を用いて半導体デバイス
を検査する場合には、検査装置の入出力ピンを被検査デ
バイスのそれぞれの端子に接続して検査を行っていた。
このため、検査装置のピン数と被検査デバイスの端子数
によって、1台の検査装置で同時に検査できる半導体デ
バイスの数が制限されていた。例えば、検査装置の入出
力ピン数が512で、被検査デバイスの端子数が256
である場合には、1台の検査装置で同時に検査できる半
導体デバイスの数は2個であった。2. Description of the Related Art Conventionally, when a semiconductor device is inspected using an inspection apparatus, the inspection is performed by connecting input / output pins of the inspection apparatus to respective terminals of a device to be inspected.
For this reason, the number of semiconductor devices that can be inspected simultaneously by one inspection device is limited by the number of pins of the inspection device and the number of terminals of the device to be inspected. For example, the number of input / output pins of the inspection apparatus is 512, and the number of terminals of the device under test is 256.
In this case, the number of semiconductor devices that can be inspected simultaneously by one inspection apparatus is two.
【0003】一方、日本国特許出願公開公報(特開)昭
59−150441号には、良品デバイスと被検査デバ
イスとを比較検査できる構造の半導体装置が掲載されて
いる。On the other hand, Japanese Patent Application Publication (JP-A-59-150441) discloses a semiconductor device having a structure capable of comparing and inspecting a non-defective device and a device to be inspected.
【0004】図2は、上記文献に記載されている半導体
装置の良品デバイスと被検査デバイスとの接続を示す図
である。図2において、良品LSI21の複数の入力端
子I1〜Inと被測定LSI22の複数の入力端子I1
〜Inとは並列に接続されて、検査装置からそれぞれの
テスト信号が入力される。テスト制御端子TIに外部か
ら与えられるテスト制御信号の論理レベルに応じて、各
デバイスが通常動作モード又はテストモードに切り換え
られる。比較検査において、良品LSI21は通常動作
モードとされ、複数の内部出力信号を対応する出力端子
P1〜Pnへ導く経路を形成する。一方、被測定LSI
22はテストモードとされ、複数の出力端子P1〜Pn
に良品LSI21から与えられる外部出力信号と、対応
する内部出力信号との比較を行って、それぞれの比較出
力信号を作成し、これらの比較出力信号の論理和をとっ
てテスト出力端子TOからテスト結果として出力する。FIG. 2 is a diagram showing a connection between a non-defective device of a semiconductor device and a device under test described in the above-mentioned document. 2, a plurality of input terminals I 1 of the plurality of input terminals I 1 ~I n and the measured LSI22 non-defective LSI21
The ~I n are connected in parallel, each of the test signal from the test device is input. Each device is switched to the normal operation mode or the test mode according to the logic level of a test control signal externally applied to the test control terminal TI. In comparison tests, good LSI21 is the normal operation mode, forms a path that leads to the output terminal P 1 to P n corresponding to a plurality of internal output signal. On the other hand, the measured LSI
Reference numeral 22 denotes a test mode in which a plurality of output terminals P 1 to P n are connected.
The external output signal provided from the non-defective LSI 21 is compared with the corresponding internal output signal to generate respective comparison output signals, and the logical sum of these comparison output signals is calculated, and the test result is output from the test output terminal TO. Output as
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記文
献によれば、半導体装置から出力されるテスト出力信号
の数は削減されるが、半導体装置の複数の入力端子I1
〜Inに検査装置からそれぞれのテスト信号を入力しな
ければならず、検査装置が出力すべきテスト信号の数は
削減されない。従って、1台の検査装置で同時に複数の
デバイスを検査する場合に、同時に検査できるデバイス
の数がやはり制限されてしまう。例えば、1台の検査装
置から出力できるテスト信号の数が256個で、半導体
装置の入力端子の数が128個である場合には、1台の
検査装置で同時に検査できるデバイスの数は、やはり2
個であった。According to the above document, however, the number of test output signals output from the semiconductor device is reduced, but the plurality of input terminals I 1 of the semiconductor device are reduced.
~I n must enter each test signal from the test device, the number of test signals to be output from the inspection apparatus is not reduced. Therefore, when a plurality of devices are simultaneously inspected by one inspection apparatus, the number of devices that can be inspected simultaneously is also limited. For example, when the number of test signals that can be output from one inspection apparatus is 256 and the number of input terminals of the semiconductor device is 128, the number of devices that can be simultaneously inspected by one inspection apparatus is also 2
Was individual.
【0006】そこで、上記の点に鑑み、本発明の目的
は、1台の検査装置で同時に多数のデバイスを検査でき
るような検査補助回路を組み込んだ半導体装置を提供す
ることである。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above, an object of the present invention is to provide a semiconductor device having a built-in test auxiliary circuit capable of simultaneously testing a large number of devices with one test apparatus.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、本発明に係る半導体装置は、通常動作モードとテス
トモードとを有する半導体装置であって、テストモード
において半導体装置に含まれる複数の内部セルを検査す
るための複数のテスト信号をシリアルに入力して複数の
テスト信号を対応する複数の内部セルに順次供給するテ
スト信号供給手段と、複数の内部セルを複数の端子にそ
れぞれ電気的に接続するかあるいは切り離すかを切り換
える複数の切換手段と、複数の内部セルが前記の端子か
ら切り離されている場合に複数の内部セルの出力信号を
複数の端子に外部から供給される複数の信号とそれぞれ
比較する複数の比較手段と、複数の比較手段の比較結果
を判定する判定手段とを具備する。In order to solve the above problems, a semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device having a normal operation mode and a test mode, and includes a plurality of semiconductor devices included in the semiconductor device in the test mode. Test signal supply means for serially inputting a plurality of test signals for testing the internal cells and sequentially supplying the plurality of test signals to the corresponding plurality of internal cells; and electrically connecting the plurality of internal cells to the plurality of terminals, respectively. A plurality of switching means for switching between connection and disconnection, and a plurality of signals supplied from outside to a plurality of terminals by outputting output signals of the plurality of internal cells when the plurality of internal cells are disconnected from the terminals. A plurality of comparing means for respectively comparing with the plurality of comparing means, and a judging means for judging a comparison result of the plurality of comparing means.
【0008】この半導体装置は、通常動作モードで信号
を入力する場合に複数の端子に外部から供給される複数
の信号を複数の切換手段を介して複数の内部セルの入力
にそれぞれ供給する手段と、通常動作モードで信号を出
力する場合に複数の内部セルの出力信号を複数の切換手
段を介して複数の端子にそれぞれ供給する手段とをさら
に具備しても良い。In the semiconductor device, when a signal is input in a normal operation mode, a plurality of signals supplied from outside to a plurality of terminals are respectively supplied to inputs of a plurality of internal cells through a plurality of switching means. And a means for supplying output signals of a plurality of internal cells to a plurality of terminals via a plurality of switching means when outputting signals in the normal operation mode.
【0009】また、判定手段は、複数の比較手段の比較
結果の論理和をとる論理和手段と、論理和を保持する保
持手段とを含んでも良い。The determining means may include a logical sum means for calculating a logical sum of the comparison results of the plurality of comparing means, and a holding means for holding the logical sum.
【0010】ここで、テスト信号供給手段は、所定のク
ロック信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジとの
内の一方に同期してシフト動作を行い、保持手段は、所
定のクロック信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッ
ジとの内の他方に同期して保持動作を行っても良い。Here, the test signal supply means performs a shift operation in synchronization with one of the rising edge and the falling edge of the predetermined clock signal, and the holding means performs the shift operation with the rising edge of the predetermined clock signal. The holding operation may be performed in synchronization with the other of the falling edges.
【0011】さらに、比較手段がエクスクルーシブOR
回路を含んでも良い。Further, the comparing means is an exclusive OR.
A circuit may be included.
【0012】以上の様に構成した本発明に係る半導体装
置によれば、検査装置からは複数の内部セルを動作させ
るための1つのシリアルテスト信号を与えることによ
り、複数の内部セルとそれに対応する端子を有する半導
体装置を検査することができるので、1台の検査装置で
同時に多数のデバイスを検査したり、あるいは検査装置
を単純化することが可能となる。According to the semiconductor device of the present invention configured as described above, a single serial test signal for operating a plurality of internal cells is supplied from the inspection apparatus, thereby providing a plurality of internal cells and corresponding ones. Since a semiconductor device having a terminal can be inspected, a large number of devices can be inspected simultaneously by one inspection apparatus, or the inspection apparatus can be simplified.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態について説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0014】図1は、本発明の一実施形態に係る半導体
装置の良品デバイスと被検査デバイスとの接続を示す図
である。FIG. 1 is a diagram showing a connection between a non-defective device and a device under test of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【0015】図1において、良品デバイス11の複数の
入出力端子T1〜Tnと被検査デバイス12の複数の入
出力端子T1〜Tnとが並列に接続される。尚、本実施
形態に係る半導体装置は入力端子と出力端子を共通に使
用することにより端子数を減らしたものであるが、入力
端子と出力端子を別々に設けた半導体装置にも本発明を
適用できることは言うまでもない。In FIG. 1, a plurality of input / output terminals T1 to Tn of a non-defective device 11 and a plurality of input / output terminals T1 to Tn of a device under test 12 are connected in parallel. Although the semiconductor device according to the present embodiment has a reduced number of terminals by using an input terminal and an output terminal in common, the present invention is also applied to a semiconductor device provided with separate input terminals and output terminals. It goes without saying that you can do it.
【0016】テスト制御端子Tcに図示しない検査装置
から与えられるテストモード信号がハイレベルのときに
半導体装置はテストモードとなり、テストモード信号が
ローレベルのときに半導体装置は通常動作モードとな
る。通常動作モードにおいては、複数の内部セルと対応
する入出力端子T1〜Tnとを結ぶ経路を形成する。本
実施形態によれば、比較検査において、良品デバイス1
1はテストモードとされ、被検査デバイス12は通常動
作モードとされる。複数の被検査デバイスを検査するた
めには、同じ数の良品デバイスを用いる。被検査デバイ
スについては、検査補助回路を含んでいても含まなくて
もかまわないが、ここでは、検査補助回路を含んだ良品
デバイスと同一の構成であるとして説明する。The semiconductor device enters the test mode when a test mode signal applied from a test device (not shown) to the test control terminal Tc is at a high level, and enters the normal operation mode when the test mode signal is at a low level. In the normal operation mode, a path connecting a plurality of internal cells and corresponding input / output terminals T1 to Tn is formed. According to the present embodiment, in the comparative inspection, the non-defective device 1
1 is a test mode, and the device under test 12 is in a normal operation mode. In order to inspect a plurality of devices to be inspected, the same number of non-defective devices are used. The device to be inspected may or may not include the inspection auxiliary circuit, but here, the description will be made assuming that it has the same configuration as the non-defective device including the inspection auxiliary circuit.
【0017】尚、これに替えて、良品デバイス11を通
常動作モードとし、被検査デバイス12をテストモード
としても良い。この場合には、1つの良品デバイスで複
数の被検査デバイスを検査できるが、全ての被検査デバ
イスが検査補助回路を含んでいる必要がある。図1にお
いて、半導体装置は、複数の回路A1〜Anを有してい
る。第1の回路A1は、内部セルC1と、内部セルの出
力バッファB12及び入力バッファB13と、これらを
入出力端子T1に接続するためのトランジスタQ12
と、入出力端子T1をプルアップ又はプルダウンするた
めのトランジスタQ11及び抵抗R1と、テスト信号を
入力するためのバッファB11と、出力信号を比較する
ためのエクスクルーシブOR(EXOR)回路E1とを
含む。Alternatively, the non-defective device 11 may be set to the normal operation mode, and the device under test 12 may be set to the test mode. In this case, one non-defective device can inspect a plurality of devices to be inspected, but all the devices to be inspected need to include an inspection auxiliary circuit. In FIG. 1, the semiconductor device has a plurality of circuits A1 to An. The first circuit A1 includes an internal cell C1, an output buffer B12 and an input buffer B13 of the internal cell, and a transistor Q12 for connecting these to the input / output terminal T1.
And a transistor Q11 and a resistor R1 for pulling up or pulling down the input / output terminal T1, a buffer B11 for inputting a test signal, and an exclusive OR (EXOR) circuit E1 for comparing output signals.
【0018】さらに、この半導体装置は、上記回路A1
〜Anに接続されたバウンダリスキャン回路1と、NO
R回路2と、インバータ3及び5と、OR回路4と、ラ
ッチ回路6と、R/Sラッチ回路7とを含む。Further, the semiconductor device is provided in the circuit A1.
To An, the boundary scan circuit 1 connected to
It includes an R circuit 2, inverters 3 and 5, an OR circuit 4, a latch circuit 6, and an R / S latch circuit 7.
【0019】次に、この半導体装置の比較検査における
動作について説明する。Next, the operation of the semiconductor device in the comparative inspection will be described.
【0020】良品デバイス11のテスト制御端子Tcに
は、ハイレベルのテストモード信号が検査装置から供給
されて、良品デバイス11はテストモードとされる。ま
た、スキャン入力端子Tsには、回路A1〜Anの内部
セルC1〜Cnを検査するための複数のテスト信号が検
査装置からシリアルに1つのスキャン入力信号として供
給され、バウンダリスキャン回路1に供給される。バウ
ンダリスキャン回路1は、スキャン入力信号と共にスキ
ャンクロックを検査装置から入力するか、あるいはスキ
ャン入力信号に含まれるスキャンクロック成分を抽出す
るか、あるいは半導体装置内の別の回路からスキャンク
ロックを供給されて、スキャンクロックの立ち上がりエ
ッジ又は立ち下がりエッジに同期してシフト動作を行
い、回路A1〜Anに供給すべきテスト信号を順次発生
する。A high-level test mode signal is supplied to the test control terminal Tc of the non-defective device 11 from the inspection device, and the non-defective device 11 is set to the test mode. In addition, a plurality of test signals for inspecting the internal cells C1 to Cn of the circuits A1 to An are serially supplied from the inspection apparatus to the scan input terminal Ts as one scan input signal, and are supplied to the boundary scan circuit 1. You. The boundary scan circuit 1 receives a scan clock together with a scan input signal from an inspection apparatus, extracts a scan clock component included in the scan input signal, or is supplied with a scan clock from another circuit in the semiconductor device. The shift operation is performed in synchronization with the rising edge or the falling edge of the scan clock, and test signals to be supplied to the circuits A1 to An are sequentially generated.
【0021】回路A1〜Anの検査手順は同一であるの
で、以下では第1の回路A1を例にとって説明する。Since the test procedures of the circuits A1 to An are the same, the first circuit A1 will be described below as an example.
【0022】テストモード信号は、インバータ3を介し
てNOR回路2の一方の入力に供給される。NOR回路
2の他方の入力には、半導体装置が入力モードのときに
ローレベルとなり出力モードのときにハイレベルとなる
入出力制御信号が供給されている。The test mode signal is supplied to one input of the NOR circuit 2 via the inverter 3. The other input of the NOR circuit 2 is supplied with an input / output control signal that is low when the semiconductor device is in the input mode and high when the semiconductor device is in the output mode.
【0023】半導体装置がテストモードかつ入力モード
である場合に、NOR回路2の出力がハイレベルとな
る。これにより、テスト信号を入力するためのバッファ
B11は動作状態となり、トランジスタQ12はONと
なって、バッファB11の出力を入出力端子T1に接続
する。また、内部セルの出力バッファB12は非動作状
態である。従って、バウンダリスキャン回路1から供給
されるテスト信号が、バッファB11を介して、内部セ
ルC1と入出力端子T1の両方に供給される。When the semiconductor device is in the test mode and the input mode, the output of the NOR circuit 2 goes high. As a result, the buffer B11 for inputting the test signal is activated, the transistor Q12 is turned on, and the output of the buffer B11 is connected to the input / output terminal T1. The output buffer B12 of the internal cell is in a non-operating state. Therefore, the test signal supplied from the boundary scan circuit 1 is supplied to both the internal cell C1 and the input / output terminal T1 via the buffer B11.
【0024】一方、半導体装置がテストモードかつ出力
モードである場合には、NOR回路2の出力がローレベ
ルとなる。これにより、テスト信号を入力するためのバ
ッファB11は非動作状態となり、トランジスタQ12
はOFFとなって、動作状態となっている出力バッファ
B12を入出力端子T1から切り離す。これにより、E
XOR回路E1において、内部セルC1の出力が、入出
力端子T1に印加された被検査デバイス12の出力と比
較される。両者が一致すればEXOR回路E1の出力は
ローレベルとなり、両者が一致しなければEXOR回路
E1の出力はハイレベルとなる。On the other hand, when the semiconductor device is in the test mode and the output mode, the output of the NOR circuit 2 goes low. As a result, the buffer B11 for inputting the test signal becomes inactive, and the transistor Q12
Is turned off to disconnect the output buffer B12 in the operating state from the input / output terminal T1. This gives E
In the XOR circuit E1, the output of the internal cell C1 is compared with the output of the device under test 12 applied to the input / output terminal T1. If they match, the output of the EXOR circuit E1 goes low, and if they do not match, the output of the EXOR circuit E1 goes high.
【0025】以上のようにして得られた回路A1〜An
の比較結果は、OR回路4に入力されて論理和がとられ
る。即ち、回路A1〜Anの検査結果の内に1つでも不
一致があれば、OR回路4の出力はハイレベルとなる。
OR回路4の出力はラッチ回路6に入力され、バウンダ
リスキャン回路1から出力されるスキャンクロックのシ
フト動作エッジと反対のエッジに同期してラッチされ
る。さらに、その出力はR/Sラッチ7により保持され
て、テスト出力端子Toからテスト出力信号として出力
される。テストモードにおいて、良品デバイス11の出
力と被検査デバイス12の出力が1回でも異なればテス
ト出力信号がハイレベルとなるので、不良デバイスを確
実に発見することができる。このようにして、被検査デ
バイス12が良品であるか不良品であるかが判定され
る。The circuits A1 to An obtained as described above
Is input to the OR circuit 4 and ORed. That is, if at least one of the test results of the circuits A1 to An does not match, the output of the OR circuit 4 goes high.
The output of the OR circuit 4 is input to the latch circuit 6, and is latched in synchronization with the edge of the scan clock output from the boundary scan circuit 1 opposite to the shift operation edge. Further, the output is held by the R / S latch 7 and output from the test output terminal To as a test output signal. In the test mode, if the output of the non-defective device 11 and the output of the device under test 12 are different at least once, the test output signal becomes high level, so that the defective device can be found without fail. In this way, it is determined whether the device under test 12 is a good product or a defective product.
【0026】[0026]
【発明の効果】以上述べた様に、本発明によれば、検査
装置からは複数の内部セルを動作させるための1つのシ
リアルテスト信号を与えることにより、複数の内部セル
とそれに対応する端子を有する半導体装置を検査するこ
とができるので、1台の検査装置で同時に多数のデバイ
スを検査したり、あるいは検査装置を単純化することが
可能となる。これにより、半導体装置の製造コストを削
減できるという効果を有する。As described above, according to the present invention, a plurality of internal cells and their corresponding terminals are provided by supplying one serial test signal for operating a plurality of internal cells from the inspection apparatus. Since the semiconductor device can be inspected, it is possible to inspect a large number of devices simultaneously with one inspection apparatus or to simplify the inspection apparatus. This has an effect that the manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced.
【図1】本発明の一実施形態に係る半導体装置の良品デ
バイスと被検査デバイスとの接続を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a connection between a non-defective device and a device under test of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図2】従来の半導体装置の良品デバイスと被検査デバ
イスとの接続を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a connection between a non-defective device of a conventional semiconductor device and a device under test.
1 バウンダリスキャン回路 2 NOR回路 3、5 インバータ 4 OR回路 6 ラッチ回路 7 R/Sラッチ回路 11 良品デバイス 12 被検査デバイス A1〜An 半導体装置の内部回路 B11〜B13 バッファ C1 内部セル E1 EXOR回路 Q11〜Q12 トランジスタ R1 抵抗 T1〜Tn 入出力端子 Tc テスト制御端子 To テスト出力端子 Ts スキャン入力端子 REFERENCE SIGNS LIST 1 boundary scan circuit 2 NOR circuit 3, 5 inverter 4 OR circuit 6 latch circuit 7 R / S latch circuit 11 conforming device 12 device under test A1 to An internal circuit of semiconductor device B11 to B13 buffer C1 internal cell E1 EXOR circuit Q11 to Q12 Transistor R1 Resistance T1 to Tn Input / output terminal Tc Test control terminal To Test output terminal Ts Scan input terminal
Claims (5)
る半導体装置であって、 テストモードにおいて、前記半導体装置に含まれる複数
の内部セルを検査するための複数のテスト信号をシリア
ルに入力し、前記複数のテスト信号を対応する前記複数
の内部セルに順次供給するテスト信号供給手段と、 前記複数の内部セルを複数の端子にそれぞれ電気的に接
続するか、あるいは切り離すかを切り換える複数の切換
手段と、 前記複数の内部セルが前記複数の端子から切り離されて
いる場合に、前記複数の内部セルの出力信号を、前記複
数の端子に外部から供給される複数の信号とそれぞれ比
較する複数の比較手段と、 前記複数の比較手段の比較結果を判定する判定手段と、
を具備する前記半導体装置。1. A semiconductor device having a normal operation mode and a test mode, wherein in a test mode, a plurality of test signals for testing a plurality of internal cells included in the semiconductor device are serially input, and Test signal supply means for sequentially supplying a plurality of test signals to the corresponding plurality of internal cells; and a plurality of switching means for switching whether to electrically connect or disconnect the plurality of internal cells to a plurality of terminals, respectively. A plurality of comparing means for comparing output signals of the plurality of internal cells with a plurality of signals supplied from outside to the plurality of terminals when the plurality of internal cells are disconnected from the plurality of terminals; Determining means for determining a comparison result of the plurality of comparing means;
The semiconductor device comprising:
に、前記複数の端子に外部から供給される複数の信号を
前記複数の切換手段を介して前記複数の内部セルの入力
にそれぞれ供給する手段と、 通常動作モードで信号を出力する場合に、前記複数の内
部セルの出力信号を前記複数の切換手段を介して前記複
数の端子にそれぞれ供給する手段と、をさらに具備する
請求項1に記載の半導体装置。2. A means for supplying a plurality of signals externally supplied to the plurality of terminals to the inputs of the plurality of internal cells via the plurality of switching means when a signal is input in a normal operation mode. And a means for supplying output signals of the plurality of internal cells to the plurality of terminals via the plurality of switching means, respectively, when outputting signals in a normal operation mode. Semiconductor device.
段と、 前記論理和を保持する保持手段と、を含む、請求項1又
は2に記載の半導体装置。3. The semiconductor according to claim 1, wherein said determination means includes: a logical sum means for calculating a logical sum of the comparison results of said plurality of comparison means; and a holding means for holding said logical sum. apparatus.
ック信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジとの内
の一方に同期してシフト動作を行い、前記保持手段は、
前記所定のクロック信号の立ち上がりエッジと立ち下が
りエッジとの内の他方に同期して保持動作を行う、請求
項3に記載の半導体装置。4. The test signal supply unit performs a shift operation in synchronization with one of a rising edge and a falling edge of a predetermined clock signal.
4. The semiconductor device according to claim 3, wherein the holding operation is performed in synchronization with the other of the rising edge and the falling edge of the predetermined clock signal.
路を含む、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装
置。5. The semiconductor device according to claim 1, wherein said comparing means includes an exclusive OR circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11170253A JP2001004708A (en) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11170253A JP2001004708A (en) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001004708A true JP2001004708A (en) | 2001-01-12 |
Family
ID=15901523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11170253A Withdrawn JP2001004708A (en) | 1999-06-16 | 1999-06-16 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001004708A (en) |
-
1999
- 1999-06-16 JP JP11170253A patent/JP2001004708A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060905 |