JP2001004470A - 半導体圧力センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】過大圧力に対するダイアフラムの保護が図られ
かつダイアフラムに対する残留歪の伝達防止が図られる
半導体圧力センサの提供。 【解決手段】ポスト５５に形成された圧力導入口３４の
径は剛体部３３のポスト５５に対向する面の最小径より
も小さい。したがって、ダイアフラム３１の上面側から
過大圧力が印加されたとき、ダイアフラムは変形する
が、剛体部３３のポスト３３に対向する面がポスト５５
の剛体部３３に対向する面に当り、過大圧力に対するス
トッパとなる。また、ダイアフラム支持部の最小径より
も剛体部３３の最大径の方が大きい。このため、ダイア
フラムの下面側から過大圧力が印加されたとき、ダイア
フラムは変形するが、剛体部側壁がダイアフラム支持部
側壁に当り、過大圧力に対するストッパとなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体圧力センサ、
特に各種プラントで圧力、流量等を測定する際に使用さ
れるのに適した半導体圧力センサに関する。

【０００２】

【従来の技術】被測定物の圧力を受けて変位するシリコ
ンダイアフラム上に感歪ゲージとしてピエゾ抵抗を配置
し、圧力センサを構成することはよく知られている。こ
の圧力センサに過大圧力が加わり、それがシリコンの機
械的強度を超えると、ダイアフラムが破損し、圧力セン
サが壊れてしまうため、過大圧力がかかった場合に備え
て何らかの保護機構を備え付ける必要がある。圧力セン
サが組み込まれる伝送器においては，圧力センサに過大
圧力が加わらないように、伝送器本体の方に保護機構を
設ける場合が多い。しかし、伝送器本体に保護機構を設
けることは、伝送器自体の大きさが大きくなるばかりで
なく、保護機構を組み込むことによって生じる機械的歪
が伝送器出力のドリフトやヒステリシスの主原因とな
り、その特性に悪影響を及ぼす。したがって、過大圧力
に対する保護機構は圧力センサ自身に備え付けるのが望
ましい。

【０００３】特開平１０−１３２６８２号には、出力の
直線性を向上させるためダイアフラム内に剛体部を設け
ている圧力センサにおいて、剛体部先端に板材を貼り付
けて過大圧力に対するストッパを形成することが記載さ
れている。このように、圧力センサ自身に過大圧力保護
機構を備え付けることで伝送器の大きさを小さくするこ
とができ、伝送器の出力特性を安定させることができ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、そのような例
では、ダイアフラム内に形成された剛体部にシリコンと
は別材料の板材を貼り付けているため、残留歪が生じて
ダイアフラムが変形し、無負荷時における圧力センサの
出力信号オフセットが大きくなるといった問題がある。

【０００５】本発明の目的は過大圧力に対するダイアフ
ラムの保護が図られかつダイアフラムに対する残留歪の
伝達防止が図られる半導体圧力センサを提供することに
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体圧力セン
サの特徴は、ダイアフラムおよびその支持部を有し、前
記ダイアフラムの部分領域に剛体部が形成され、前記ダ
イアフラムの表面にピエゾ抵抗を配置した半導体圧力セ
ンサにおいて、前記ダイアラム支持部の最小径よりも前
記剛体部の最大径が大きいことにある。

【０００７】

【発明の実施の形態】図１は本発明による第１実施例を
示す半導体圧力センサの概略上面図、図２は図１のＡ−
Ｏ−Ｂ断面図である。半導体基板である第１のシリコン
基板５１および第２のシリコン基板５２はｎ型（１０
０）面単結晶シリコンからなり、これらのシリコン基板
は間にシリコン酸化膜層５３を介して配置されている。
第２のシリコン基板５２はその中央部の剛体部３３の領
域を除いて、裏面側からシリコン酸化膜層５３の領域に
達するまでくり抜かれている。そのくり抜きは、センサ
チップ中心軸に対して対称でかつ第１のシリコン基板５
１に向って先細りとなるようにする。シリコン酸化膜層
５３には第２のシリコン基板５２のくり抜かれたパター
ンと相似形をなす空隙部３５、３６が形成されている。
第２のシリコン基板５２は低融点ガラスからなるスぺー
サ５４を介して圧力導入口３４を有する、例えばＦｅ−
Ｎｉからなるポスト５５に固着され、一体化されててい
る。これにより、圧力導入口３４に通じる空隙部３５上
には差圧検出用ダイアフラム３１が、圧力導入口３４に
通じない空隙部３６上には静圧検出用ダイアフラム３２
が、差圧ダイアフラム３１の部分領域には断面形状が例
えば円形、楕円形又は多角形からなる剛体部３３が形成
される。この剛体部３３は第２のシリコン基板５２の先
細りのくり抜き部分と同様にダイアフラム３１側に向っ
て先細りとなっている。すなわち、剛体部３３の側壁と
ダイアフラム支持部の側壁との間には空隙があり、かつ
両側壁は互いにほぼ平行にされている。また、剛体部３
３の最大径部（下端部）の径は先細りのくりぬき部分の
最小径部（上端部）の径、換言すればダイアフラム支持
部の最小径部の径よりも大きくされている。

【０００８】差圧ダイアフラム３１上には差圧を受けて
ダイアフラムが変形した際の応力を検知する差圧検出用
ｐ型のピエゾ抵抗２１ａ〜２１ｄが、静圧ダイアフラム
３２上には静圧を受けてダイアフラムが変形した際の応
力を検知する静圧検出用ｐ型のピエゾ抵抗２２ａ〜２２
ｄが形成されている。また、第１のシリコン基板５１と
同一基板上で、ダイアフラム領域となっていない場所に
温度検出用ピエゾ抵抗２３が形成されている。２５はｐ
型高濃度不純物層の配線、２６はアルミニウムの配線、
１〜１２はアルミニウムのコンタクトパッドである。

【０００９】差圧検出用ダイアフラム３１ならびに４個
の静圧検出用ダイアフラム３２のそれぞれの表面付近に
形成されたｐ型のピエゾ抵抗は、ボロンを拡散して応力
に対して最も敏感な＜１１０＞方向に作り込まれる。ピ
エゾ抵抗は、長手方向に引張応力が働いた場合抵抗値が
増加する。この方向に配列したゲージをＬゲージと呼
ぶ。また、横方向に引張応力が働いた場合抵抗値が減少
する。この方向に配列したゲージをＴゲージと呼ぶ。図
１の例では差圧検出用ダイアフラム３１上のピエゾ抵抗
４個をすべてダイアフラム支持部近傍に配置し、長手方
向がダイアフラムの半径方向と平行となる２個のＬゲー
ジ２１ａ、２１ｃ、長手方向がダイアフラムの接線方向
と平行となる２個のＴゲージ２１ｂ、２１ｄを配置して
いる。静圧検出用ダイアフラム３２上にはＬゲージ２２
ａ、２２ｃ、Ｔゲージ２２ｂ、２２ｄを配置している。
ピエゾ抵抗の配置方法は図１の例の他、Ｌゲージ２個と
Ｔゲージ２個をすべて剛体部近傍に配置する方法、Ｌゲ
ージをダイアフラム支持部近傍に２個、剛体部近傍に２
個配置する方法、Ｔゲージをダイアフラム支持部近傍に
２個、剛体部近傍に２個配置する方法がある。

【００１０】ピエゾ抵抗２１ａ〜２１ｄ，２２ａ〜２２
ｄは図３に示すように２組のホイートストンブリッジを
構成する。ここで、差圧検出用ダイアフラム３１と２１
ａ〜２１ｄのブリッジで構成される部分を差圧センサ、
静圧検出用ダイアフラム３２と２２ａ〜２２ｄのプリッ
ジで構成される部分を静圧センサと呼ぶ。

【００１１】ダイアフラムに圧力が印加されると、それ
ぞれのダイアフラムがたわみ、ダイアフラム上に形成さ
れたピエゾ抵抗で構成される各ブリッジが上面と下面の
圧力差にほぼ比例したセンサ出力Ｖ１、Ｖ２を発生す
る。ここで，差圧センサはダイアフラムの上面と下面の
圧力差（差圧）を測定するのに対し、静圧センサはダイ
アフラムの上面と密閉された一定圧力部分との圧力差
（静圧）を測定することになる。

【００１２】一方，ダイアフラムと同一基板上に集積化
される温度検出用のピエゾ抵抗２３も同様にボロンを拡
散することで形成されるが、応力変化に対してほとんど
抵抗変化を示さない＜１００＞方向に配列することで、
温度に対してのみ感度をもたせるようにする。ピエゾ抵
抗２３からなる部分を温度センサと呼び、図３に示した
ように差圧センサ、静圧センサのピエゾ抵抗ブリッジと
結線される。

【００１３】ピエゾ抵抗の配列間ならびにアルミニウム
のコンタクトパッド１〜１２への配線には、より高濃度
にボロンを拡散したｐ型高濃度不純物拡散層配線２５と
アルミニウム配線２６を併用する。本実施例ではダイア
フラムの外側やピエゾ抵抗から離れた場所等、温度ヒス
テリシスの影響が比較的小さい所については、抵抗値の
小さいアルミニウム配線を使用しているが、この他、コ
ンタクトパッドを除くすべての配線を高濃度不純物層と
する配線方法も可能である。

【００１４】次に図４を用いてダイアフラムに圧力が印
加された場合のセンサの動作について説明する。ダイア
フラムの上面と下面の間で圧力差が生じた場合、上面側
がより高圧力ならば図４（ａ）に示すようにダイアフラ
ムが変形する。ダイアフラム変形時に、ピエゾ抵抗が作
り込まれているダイアフラム表面付近に発生する応力は
図４（ｂ）に示すようになる。ダイアフラム上では、ダ
イアフラム支持部近傍で最大の引張応力σ１、剛体部近
傍で最大の圧縮応力が発生する。図４（ａ）に示すよう
に、ダイアフラムの外径をＸ、剛体部の外径をＹ、ダイ
アフラムの厚さをｈとすれば、差圧ΔＰが印加されたと
きσ１は次の式で表される。

【００１５】 σ１＝３（Ｘ２-Ｙ２）ΔＰ/（１６ｈ２） （１） 図１に示すように、ダイアフラムの支持部近傍にそれぞ
れＬゲージ、Ｔゲージを２個ずつ配置した場合には、差
圧センサの出力Ｖ１は次の式で表される。

【００１６】 Ｖ１＝（１／２）・π44（１−ν）σ１・Ｖ （２） ここで、νはポワソン比、π44は剪断のピエゾ抵抗係
数、Ｖは励起電圧である。

【００１７】次に、ダイアフラムに過大圧力が印加され
たときの動作について説明する。ダイアフラムの上面側
から過大圧力が印加されたとき、ダイアフラムは図５の
ように変形する。このとき、ポストに形成された圧力導
入口３４の径が、剛体部のポストに対向する面の最小径
よりも小さいので、剛体部のポストに対向する面３９が
ポストの剛体部に対向する面４０に当り、過大圧力に対
するストッパとなる。ダイアフラムの下面側から過大圧
力が印加されたとき、ダイアフラムは図６のように変形
する。この場合には、ダイアフラム支持部の最小径より
も剛体部の最大径の方が大きいので、剛体部側壁４１が
ダイアフラム支持部側壁４２に当り、過大圧力に対する
ストッパとなる。

【００１８】微差圧を検出する場合にはダイアフラムを
薄くして高感度にする必要がある。このとき、図７およ
び図８に示すように、薄くしたダイアフラム上のゲージ
が配置された領域３７を除く領域３８をドライエッチン
グ等で薄く形成することで出力の直線性を向上すること
ができる。図７および図８は図１に示したピエゾ抵抗の
配置について加工例を示したものであるが、この他、Ｌ
ゲージ２個とＴゲージ２個をすべて剛体部近傍に配置し
た場合、Ｌゲージをダイアフラム支持部近傍に２個、剛
体部近傍に２個配置した場合、Ｔゲージをダイアフラム
支持部近傍に２個、剛体部近傍に２個配置した場合につ
いても同様に加工することができる。

【００１９】図９（ａ）〜（ｃ）および図１０（ｄ）〜
（ｆ）は第１実施例の半導体圧力センサの製造工程を示
す断面図である。以下、製造工程について説明する。

【００２０】（ａ）まず、ｎ型（１００）面単結晶シリ
コンからなる第１のシリコン基板５１と第２シリコン基
板５２がシリコン酸化膜層５３を介して配置されたＳＯ
Ｉ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエ
ハの第１のシリコン基板５１上に，ボロンを拡散して、
ピエゾ抵抗、ｐ型高濃度不純物層の配線およびアルミニ
ウムの配線、コンタクトパッドを形成する。

【００２１】（ｂ）ＳＯＩウエハの第２のシリコン基板
側に、例えばＣＶＤによってシリコン窒化膜６１、シリ
コン酸化膜６２を形成し、エッチングパターンを形成す
る。

【００２２】（ｃ）エッチングしたくないパターンには
レジスト６３を塗布し、パターニングして保護した後、
ウエハを傾斜させて第２のシリコン基板５２側からＤＲ
ＩＥ（Ｄｅｅｐ−Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉ
ｎｇ）でシリコンをドライエッチング加工する。ＤＲＩ
Ｅはシリコン酸化膜に対するシリコンのエッチング選択
比が高く、シリコン酸化膜面でエッチングをストップさ
せることができる。

【００２３】（ｄ）レジストを除去し、再びエッチング
したくないパターンにレジスト６３を塗布し、パターニ
ングして保護した後、ウエハを反対側に傾斜させて第２
のシリコン基板５２側からＤＲＩＥでシリコンをドライ
エッチング加工する。

【００２４】（ｅ）レジストを除去し、ＨＦでシリコン
酸化膜層を等方性エッチングする。エッチングマスクで
あるシリコン酸化膜６２もこの過程で消失するが，引き
続きシリコン窒化膜６１がエッチングマスクとなる。

【００２５】（ｆ）シリコン窒化膜６１を除去し、低融
点ガラスからなるスぺーサ５４を介してＦｅ−Ｎｉから
なるポスト５５を固着する。

【００２６】図１１は本発明による第２実施例を示す半
導体センサ概略上面図、図１２は図１１のＡ−Ｏ−Ｂ断
面図である。ダイアフラムの下面側から過大圧力が印加
されたとき、ダイアフラムは図１３のように変形する。
この場合、剛体部側壁端部４３がダイアフラム支持部側
壁４２に当り、過大圧力に対するストッパとなる。この
ように、剛体部側壁４１とダイアフラム支持部側壁４２
との間の空隙部をダイアフラム側に向って徐々に大きく
することで、図１、２に示したように等方性エッチング
によってシリコン酸化膜層の空隙部を形成する必要はな
い。

【００２７】図１４（ａ）〜（ｄ）および図１５（ｅ）
〜（ｇ）は図１１、１２に示した圧力センサの製造工程
を示す断面図である。以下、製造工程について説明す
る。

【００２８】（ａ）まず、ｎ型（１００）面単結晶シリ
コンからなる第１のシリコン基板５１と第２のシリコン
基板５２がシリコン酸化膜層５３を介して配置されたＳ
ＯＩウエハの第１のシリコン基板５１上に、ボロンを拡
散して、ピエゾ抵抗、ｐ型高濃度不純物層の配線および
アルミニウムの配線、コンタクトパッドを形成する。

【００２９】（ｂ）ＳＯＩウエハの第２のシリコン基板
側に、例えばＣＶＤによってシリコン酸化膜６２を形成
し、エッチングパターンを形成する。

【００３０】（ｃ）エッチングしたくないパターンには
レジスト６３を塗布し、パターニングして保護した後、
ウエハを傾斜させて第２のシリコン基板５２側からＤＲ
ＩＥでシリコンをドライエッチング加工する。

【００３１】（ｄ）ウエハの傾斜を変化させて再びＤＲ
ＩＥでシリコンをドライエッチング加工する。

【００３２】（ｅ）レジストを除去し、再びエッチング
したくないパターンにレジスト６３を塗布し、パターニ
ングして保護した後、ウエハを反対側に傾斜させて第２
のシリコン基板５２側からＤＲＩＥでシリコンをドライ
エッチング加工する。

【００３３】（ｆ）ウエハの傾斜を変化させて再びＤＲ
ＩＥでシリコンをドライエッチング加工する。

【００３４】（ｇ）レジスト６３およびシリコン酸化膜
６２を除去し、低融点ガラスからなるスペーサ５４を介
してＦｅ−Ｎｉからなるポスト５５を固着する。

【００３５】図１６は本発明による、斜め方向のＤＩＲ
Ｅを使わない第３実施例を示す半導体圧力センサの概略
上面図，図１７は図１６のＡ−Ｏ−Ｂ断面図である。

【００３６】このような構造の場合、ダイアフラム下面
から過大圧力が印加されたときに、剛体部のダイアフラ
ム対向面４４が、ダイアフラム支持部の下面領域４５に
接触することで機械的ストッパになる。

【００３７】図１８（ａ）〜（ｄ）および図１９（ｅ）
〜（ｇ）は図１６、１７に示した半導体圧力センサの製
造工程を示す断面図である。以下、製造工程について説
明する。

【００３８】（ａ）まず、ｎ型（１００）面単結晶シリ
コンからなる第1のシリコン基板５１と第2のシリコン基
板５２がシリコン酸化膜層５３を介して配置されたＳＯ
Ｉウエハの第1のシリコン基板５１およびシリコン酸化
膜層５３の部分領域を例えばドライエッチング等によっ
て加工する。

【００３９】（ｂ）次に、ポリシリコンを堆積させ、ポ
リッシングして表面を平らに加工する。

【００４０】（ｃ）第1のシリコン基板５１上に、ボロ
ンを拡散して、ピエゾ抵抗、ｐ型高濃度不純物層の配線
およびアルミニウムの配線、コンタクトパッドを形成す
る。

【００４１】（ｄ）第2のシリコン基板側に，例えばＣ
ＶＤによってシリコン窒化膜６１を形成し、エッチング
パターンを形成する。

【００４２】（ｅ）アルカリ異方性エッチングにより第
2のシリコン基板をエッチング加工する。

【００４３】（ｆ）ＨＦでシリコン酸化膜層を等方性エ
ッチングする。

【００４４】（ｇ）シリコン窒化膜６１を除去し、低融
点ガラスからなるスペーサ５４を介してＦｅ−Ｎｉから
なるポスト５を固着する。

【００４５】以上のように、本発明の実施例によれば、
正負両過大圧に対するストッパを形成することができ
る。圧力センサ自身に正負両過大圧に対する機械的スト
ッパを設けることができれば、これを搭載する伝送器本
体の構造が簡素化でき、出力特性の安定した高精度な圧
力伝送器を実現することができる。また、ダイアフラム
に残留歪が伝達されないので、無負荷時における圧力セ
ンサの出力信号オフセットが抑制される。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、過大圧力に対するダイ
アフラムの保護が図られかつダイアフラムに対する残留
歪の伝達防止が図られる半導体圧力センサが提供され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による第１実施例を示す半導体圧力セン
サの概略上面図。

【図２】図１のＡ−Ｏ−Ｂ線に沿った概略断面図。

【図３】ピエゾ抵抗の結線図。

【図４】圧力が印加されたときのダイアフラムの変形お
よび応力分布を示す図。

【図５】ダイアフラム上面側から過大圧力が印加したと
きのダイアフラムの変形を示す図。

【図６】第１の実施例においてダイアフラム下面側から
過大圧力が印加したときのダイアフラムの変形を示す
図。

【図７】図１の実施例の変形例を示す、微差圧測定用半
導体圧力センサの概略上面図。

【図８】図７のＡ−Ｏ−Ｂ線に沿った概略断面図。

【図９】第１の実施例の製造工程の前半部分を示す図。

【図１０】第１の実施例の製造工程の後半部分を示す
図。

【図１１】本発明による第２の実施例を示す半導体圧力
センサの概略上面図。

【図１２】図１２のＡ−Ｏ−Ｂ線に沿った概略断面図。

【図１３】第２の実施例においてダイアフラム下面側か
ら過大圧力が印加したときのダイアフラムの変形を示す
図。

【図１４】第２の実施例の製造工程の前半部分を示す
図。

【図１５】第２の実施例の製造工程の後半部分を示す
図。

【図１６】本発明による第３の実施例を示す半導体圧力
センサの概略上面図。

【図１７】図１６のＡ−Ｏ−Ｂ線に沿った概略断面図。

【図１８】第３の実施例の製造工程の前半部分を示す
図。

【図１９】第３の実施例の製造工程の後半部分を示す
図。

【符号の説明】

２１ａ〜２１ｄ：差圧検出用ピエゾ抵抗、２２ａ〜２２
ｄ：静圧検出用ピエゾ抵抗、２３：温度検出用ピエゾ抵
抗、２５：P型高濃度不純物層配線、２６：アルミニウ
ム配線、３１：差圧検出用ダイアフラム、３２：静圧検
出用ダイアフラム、３３：剛体部、３４：圧力導入口、
３５：圧力導入口に通じる空隙部、３６：圧力導入口に
通じない空隙部、３７：ダイフラム上のピエゾ抵抗配置
領域、３８：ダイアフラム上のピエゾ抵抗を配置しない
領域、３９：剛体部のポスト対向面、４０：ポストの剛
体部対向面、４１：剛体部側壁、４２：ダイアフラム支
持部側壁、４３：剛体部側壁端部、４４：剛体部のダイ
アフラム対向面、４５：ダイアフラム支持部の下面領
域、５１：第１のシリコン基板、５２：第２のシリコン
基板、５３：シリコン酸化膜層、５４：低融点ガラスか
らなるスペーサ、５５：ポスト、６１：シリコン窒化
膜、６２：シリコン酸化膜、６３：レジスト。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 康司 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株 式会社日立製作所計測器事業部内 Ｆターム(参考） 2F055 AA40 BB20 CC02 DD05 EE14 FF21 FF23 GG15 4M112 AA01 BA01 CA22 CA25 CA35 CA36 DA03 DA04 DA12 EA03 FA07 FA09

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ダイアフラムおよびその支持部を有し、前
   記ダイアフラムの部分領域に剛体部が形成され、前記ダ
   イアフラムの表面にピエゾ抵抗を配置した半導体圧力セ
   ンサにおいて、前記ダイアラム支持部の最小径よりも前
   記剛体部の最大径が大きいことを特徴とする半導体圧力
   センサ。
2. 【請求項２】請求項１に記載された半導体圧力センサに
   おいて、前記剛体部は前記ダイアフラム側に向って先細
   りとなっていることを特徴とする半導体圧力センサ。
3. 【請求項３】請求項２に記載された半導体圧力センサに
   おいて、前記剛体部の側壁と前記ダイアフラム支持部の
   側壁との空隙部が前記ダイアフラム側に向って徐々に大
   きくなっていることを特徴とする半導体圧力センサ。
4. 【請求項４】請求項２に記載された半導体圧力センサに
   おいて、前記支持部の側壁と前記剛体部の側壁とがほぼ
   平行となっていることを特徴とする半導体圧力センサ。
5. 【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載された半導
   体圧力センサにおいて、前記剛体部の断面形状が多角
   形、楕円又は円形であることを特徴とする半導体圧力セ
   ンサ。
6. 【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載された半導
   体圧力センサにおいて、前記ダイアフラムの前記ピエゾ
   抵抗領域を除く領域が前記ピエゾ抵抗領域の厚さよりも
   薄く形成されていることを特徴とする半導体圧力セン
   サ。
7. 【請求項７】請求項１〜６のいずれかに記載された半導
   体圧力センサにおいて、前記ダイアフラム支持部は半導
   体基板を含み、該半導体基板上には静圧検出素子用ダイ
   アフラムを設け、該静圧検出素子用ダイアフラム上には
   静圧検出素子としてのピエゾ抵抗を形成したことを特徴
   とする半導体圧力センサ。
8. 【請求項８】請求項７に記載された半導体圧力センサに
   おいて、前記半導体基板上に温度検出素子としてのピエ
   ゾ抵抗を形成したことを特徴とする半導体圧力センサ。
9. 【請求項９】請求項１〜６のいずれかに記載された半導
   体圧力センサにおいて、前記支持部と一体化された、圧
   力導入口を有するポストを含み、前記剛体部と前記ポス
   トの前記剛体部に対向した面との間には、前記ダイアフ
   ラムが変形しない初期状態で所定の間隔を有することを
   特徴とする半導体圧力センサ。
10. 【請求項１０】請求項９に記載された半導体圧力センサ
    において、前記ポストの圧力導入口の大きさは前記剛体
    部の前記ポストに対向する面の大きさよりも小さいこと
    を特徴とする半導体圧力センサ。
11. 【請求項１１】請求項９又は１０に記載された半導体圧
    力センサにおいて、前記ダイアフラム支持部は半導体基
    板を含み、該半導体基板上には静圧検出素子用ダイアフ
    ラムを設け、該静圧検出素子用ダイアフラム上には静圧
    検出素子としてのピエゾ抵抗を形成したことを特徴とす
    る半導体圧力センサ。
12. 【請求項１２】請求項１１において、前記半導体基板上
    に温度検出素子としてのピエゾ抵抗を形成したことを特
    徴とする半導体圧力センサ。