JP2001099904A - Ｚ２シムを備えたアクティブ・シールド超伝導磁石システム - Google Patents
Ｚ２シムを備えたアクティブ・シールド超伝導磁石システムInfo
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 出来るだけ単純な手段によって、変動する外
部磁場による擾乱に影響されることなく、磁石巻線の内
部に半径方向に巻かれるＺ2シム・コイルに必要なスペ
ースを減少させ、Ｚ2シムの最適化を達成することが可
能なＺ2シムを備えたアクティブ・シールド超伝導磁石
システムを提供すること。 【解決手段】シム・コイル系は、磁石システムから誘導
的に分離され作業容積内にｚ成分がΔＨ0＋ｃ2・ｚ
2（ｃ2＝一定）のように変化する磁場を発生する半径方
向内側のシム・コイル組（Ｓi）と、同じく磁石システ
ムから誘導的に分離され作業容積内に均一磁場−ΔＨ0
を発生する半径方向外側のシム・コイル組（Ｓa）とを
備える。これにより、一方においてはコンパクトであ
り、磁石巻線の場所でスペースを浪費せず、他方、変動
する外部磁場による擾乱に影響されないＺ2シム・シス
テムが得られる。
部磁場による擾乱に影響されることなく、磁石巻線の内
部に半径方向に巻かれるＺ2シム・コイルに必要なスペ
ースを減少させ、Ｚ2シムの最適化を達成することが可
能なＺ2シムを備えたアクティブ・シールド超伝導磁石
システムを提供すること。 【解決手段】シム・コイル系は、磁石システムから誘導
的に分離され作業容積内にｚ成分がΔＨ0＋ｃ2・ｚ
2（ｃ2＝一定）のように変化する磁場を発生する半径方
向内側のシム・コイル組（Ｓi）と、同じく磁石システ
ムから誘導的に分離され作業容積内に均一磁場−ΔＨ0
を発生する半径方向外側のシム・コイル組（Ｓa）とを
備える。これにより、一方においてはコンパクトであ
り、磁石巻線の場所でスペースを浪費せず、他方、変動
する外部磁場による擾乱に影響されないＺ2シム・シス
テムが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気共鳴分光装置
用の超伝導磁石システムに関し、詳しくは、ｚ＝０を中
心に配された作業容積内にｚ軸方向に均一な磁場を発生
するためのアクティブ・シールド超伝導磁石であって、
半径方向内側及び半径方向外側のコイル系を備え、該２
つのコイル系が略同じ電流が流れ、略同じ大きさで方向
が反対である双極子モーメントを有するアクティブ・シ
ールド超伝導磁石を備え、さらに作業容積内の磁場不均
一性を補正するための、ｚ成分がＺ2に比例する超伝導
シム・コイル系を含むシム・システムを備える超伝導磁
石システムに関する。
用の超伝導磁石システムに関し、詳しくは、ｚ＝０を中
心に配された作業容積内にｚ軸方向に均一な磁場を発生
するためのアクティブ・シールド超伝導磁石であって、
半径方向内側及び半径方向外側のコイル系を備え、該２
つのコイル系が略同じ電流が流れ、略同じ大きさで方向
が反対である双極子モーメントを有するアクティブ・シ
ールド超伝導磁石を備え、さらに作業容積内の磁場不均
一性を補正するための、ｚ成分がＺ2に比例する超伝導
シム・コイル系を含むシム・システムを備える超伝導磁
石システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｚ2シムを備えたこの種のアクティブ・
シールド超伝導磁石システムは、例えば、ブルーカー・
マグネテイクス社によって販売され、1999年5月15日付
けの同社パンフレットに記載されているＮＭＲ磁石シス
テム 500 SB UltraShield (登録商標)に含まれている。
シールド超伝導磁石システムは、例えば、ブルーカー・
マグネテイクス社によって販売され、1999年5月15日付
けの同社パンフレットに記載されているＮＭＲ磁石シス
テム 500 SB UltraShield (登録商標)に含まれている。
【０００３】Ｚ2シムを備えないアクティブ・シールド
磁石システムは、例えば、欧州特許公開第0,144,171号
から公知である。
磁石システムは、例えば、欧州特許公開第0,144,171号
から公知である。
【０００４】磁気共鳴分光法によるスペクトルにおける
高い共鳴線の分解能を達成するためには、サンプル容積
内の磁場が高い均一性を有しなければならない。超伝導
磁石の基本的な均一性は、磁場を発生するコイルの幾何
的配置によって最適化することができる。高分解能核磁
気共鳴分光学のように要求が厳しい適用分野では、例え
ば、製造許容誤差により設計値からの偏差が生ずるの
で、磁石の基本的な均一性は多くの場合不十分である。
磁石の残留不均一性を補償するために、磁石システムは
サンプル容積内における特定の幾何学的対称性を持つ磁
場不均一性を補償できる自律的な超伝導コイル、いわゆ
るシムを備える。
高い共鳴線の分解能を達成するためには、サンプル容積
内の磁場が高い均一性を有しなければならない。超伝導
磁石の基本的な均一性は、磁場を発生するコイルの幾何
的配置によって最適化することができる。高分解能核磁
気共鳴分光学のように要求が厳しい適用分野では、例え
ば、製造許容誤差により設計値からの偏差が生ずるの
で、磁石の基本的な均一性は多くの場合不十分である。
磁石の残留不均一性を補償するために、磁石システムは
サンプル容積内における特定の幾何学的対称性を持つ磁
場不均一性を補償できる自律的な超伝導コイル、いわゆ
るシムを備える。
【０００５】このようなシムの一例は、磁石軸ｚ方向に
Ｚ2に比例する強度の磁場を発生するＺ2シムである。従
来技術による公知のＺ2シム手段の１つの問題点は、大
きな磁石の場合シムを外側に巻くと弱すぎるため、シム
は磁石コイルの内部に巻かなければならないということ
である。これは磁石巻線のスペースを狭めるので、磁石
が高価になり、浮遊磁場を増加させ、その結果アクティ
ブ浮遊磁場補償を行う磁石システムの場合浮遊磁場のシ
ールドを強化しなければならなくなる。
Ｚ2に比例する強度の磁場を発生するＺ2シムである。従
来技術による公知のＺ2シム手段の１つの問題点は、大
きな磁石の場合シムを外側に巻くと弱すぎるため、シム
は磁石コイルの内部に巻かなければならないということ
である。これは磁石巻線のスペースを狭めるので、磁石
が高価になり、浮遊磁場を増加させ、その結果アクティ
ブ浮遊磁場補償を行う磁石システムの場合浮遊磁場のシ
ールドを強化しなければならなくなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】Ｚ2シムの最適化は、
磁石巻線の内部に半径方向に巻かれるＺ2シム・コイル
に必要なスペースを減少することにより達成される。シ
ム効率を低下させることなくこれを達成するためには、
シム・コイルを数個の半径上に分布させることが必要で
ある。しかし、これはまた、特に、シムと変動する外部
磁場との結合に関連して新たな問題を生ずる。
磁石巻線の内部に半径方向に巻かれるＺ2シム・コイル
に必要なスペースを減少することにより達成される。シ
ム効率を低下させることなくこれを達成するためには、
シム・コイルを数個の半径上に分布させることが必要で
ある。しかし、これはまた、特に、シムと変動する外部
磁場との結合に関連して新たな問題を生ずる。
【０００７】従って、本発明は、出来るだけ単純な手段
によって、シムと変動する外部磁場との結合に関連して
新たな問題を生ずることなく、磁石巻線の内部に半径方
向に巻かれるＺ2シム・コイルに必要なスペースを減少
させ、Ｚ2シムの最適化を達成することが可能なＺ2シム
を備えたアクティブ・シールド超伝導磁石システムを提
供することを目的とする。
によって、シムと変動する外部磁場との結合に関連して
新たな問題を生ずることなく、磁石巻線の内部に半径方
向に巻かれるＺ2シム・コイルに必要なスペースを減少
させ、Ｚ2シムの最適化を達成することが可能なＺ2シム
を備えたアクティブ・シールド超伝導磁石システムを提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、シム・コイル系が、磁石システムから実質的に誘
導的に分離され、作業容積内にｚ成分がΔＨ0＋ｃ2・ｚ
2（ｃ2＝一定）のように変化する磁場を主に発生する半
径方向内側のシム・コイル組と、同じく磁石システムか
ら実質的に誘導的に分離され、作業容積内に均一な磁場
−ΔＨ0を発生する半径方向外側のシム・コイル組とを
備える構成により達成される。この構成によるプラスの
効果として、磁石が擾乱に影響される度合いが減少す
る。
れば、シム・コイル系が、磁石システムから実質的に誘
導的に分離され、作業容積内にｚ成分がΔＨ0＋ｃ2・ｚ
2（ｃ2＝一定）のように変化する磁場を主に発生する半
径方向内側のシム・コイル組と、同じく磁石システムか
ら実質的に誘導的に分離され、作業容積内に均一な磁場
−ΔＨ0を発生する半径方向外側のシム・コイル組とを
備える構成により達成される。この構成によるプラスの
効果として、磁石が擾乱に影響される度合いが減少す
る。
【０００９】図２は、従来のＺ2シムを模式的に示す。
シム強度ｃ2への主なる寄与要因となるコイルＳ1’のΔ
Ｈ0寄与分はコイル対Ｓ2’によって補償される（Δ
Ｈ0：コイルのアンペア当たりの均一磁場部分＝アンペ
ア当たり発生するゼロ次磁場グラジエントＨ0）。完全
なΔＨ0補償がなされた場合、コイル対Ｓ2’は通常
Ｓ1’よりも強く磁石と結合する。この結合（couplin
g）はコイル対Ｓ3’によって打ち消されるが、これはシ
ム効率ｃ2を大きく低下させる。
シム強度ｃ2への主なる寄与要因となるコイルＳ1’のΔ
Ｈ0寄与分はコイル対Ｓ2’によって補償される（Δ
Ｈ0：コイルのアンペア当たりの均一磁場部分＝アンペ
ア当たり発生するゼロ次磁場グラジエントＨ0）。完全
なΔＨ0補償がなされた場合、コイル対Ｓ2’は通常
Ｓ1’よりも強く磁石と結合する。この結合（couplin
g）はコイル対Ｓ3’によって打ち消されるが、これはシ
ム効率ｃ2を大きく低下させる。
【００１０】しかし、本発明では、シムは、グラジエン
ト磁場ｃ2＊ｚ2＋ΔＨ0を発生するための部分コイルＳ1
及びＳ2から成る、磁石から分離されたシム・コイル組
Ｓiと、汚染成分（impurity）ΔＨ0を打ち消すための部
分コイルＳ3から成り、同じく磁石から分離されたシム
・コイル組Ｓaとを備える。 与えられた長さＬでコイ
ル半径Ｒが増加するとコイルのＨ2効率はそのＨ0効率よ
りも大きく減少するので、グラジエント磁場を発生する
シム・コイル組Ｓiは、ΔＨ0を抑えるシム・コイル組Ｓ
aよりも小さな半径上に配置されなければならない。
ト磁場ｃ2＊ｚ2＋ΔＨ0を発生するための部分コイルＳ1
及びＳ2から成る、磁石から分離されたシム・コイル組
Ｓiと、汚染成分（impurity）ΔＨ0を打ち消すための部
分コイルＳ3から成り、同じく磁石から分離されたシム
・コイル組Ｓaとを備える。 与えられた長さＬでコイ
ル半径Ｒが増加するとコイルのＨ2効率はそのＨ0効率よ
りも大きく減少するので、グラジエント磁場を発生する
シム・コイル組Ｓiは、ΔＨ0を抑えるシム・コイル組Ｓ
aよりも小さな半径上に配置されなければならない。
【００１１】この新しいシム・コイル系の利点は、半径
方向外側のシム・コイル組によってΔＨ0を打ち消す
と、半径方向内側のシム・コイル組のシム強度ｃ2がほ
んの少ししか弱められないという点にある。従って、半
径方向内側のシム・コイル組に必要な巻線が少なくて済
み、半径方向内側のシム・コイル組が磁石巻線が巻かれ
る場所にある場合、磁石はよりコンパクトになる。
方向外側のシム・コイル組によってΔＨ0を打ち消す
と、半径方向内側のシム・コイル組のシム強度ｃ2がほ
んの少ししか弱められないという点にある。従って、半
径方向内側のシム・コイル組に必要な巻線が少なくて済
み、半径方向内側のシム・コイル組が磁石巻線が巻かれ
る場所にある場合、磁石はよりコンパクトになる。
【００１２】内側及び外側のシム・コイル組を個別に磁
石から分離する利点は、このようにして２つのシム・コ
イル組の各々を個々に超伝導的に短絡しても、個々のシ
ム・コイル組が例えば磁石のドリフト、クエンチによ
り、あるいは磁石のメイン・スイッチの自発開放時に充
電され得ない実施形態が可能であるという点にある。さ
らに、このようにしてシム全体が磁石から分離され、こ
れによりシムを充電する際の磁石の誘導電流を減少でき
るという利点がある。
石から分離する利点は、このようにして２つのシム・コ
イル組の各々を個々に超伝導的に短絡しても、個々のシ
ム・コイル組が例えば磁石のドリフト、クエンチによ
り、あるいは磁石のメイン・スイッチの自発開放時に充
電され得ない実施形態が可能であるという点にある。さ
らに、このようにしてシム全体が磁石から分離され、こ
れによりシムを充電する際の磁石の誘導電流を減少でき
るという利点がある。
【００１３】本発明による磁石システムのある好ましい
実施の形態では、半径方向内側のシム・コイル組と半径
方向外側のシム・コイル組の双方を個々に超伝導的に短
絡できる。内側及び外側のシム・コイル組が個別に超伝
導的に短絡できるということは、半径方向内側及び外側
のシム・コイル組間の半径差の橋絡は必ずしも超伝導的
である必要がないので、磁石システムの製造に有利であ
る。さらに、２つのシム組を異なる電流で作動させるこ
とも可能である。
実施の形態では、半径方向内側のシム・コイル組と半径
方向外側のシム・コイル組の双方を個々に超伝導的に短
絡できる。内側及び外側のシム・コイル組が個別に超伝
導的に短絡できるということは、半径方向内側及び外側
のシム・コイル組間の半径差の橋絡は必ずしも超伝導的
である必要がないので、磁石システムの製造に有利であ
る。さらに、２つのシム組を異なる電流で作動させるこ
とも可能である。
【００１４】半径方向内側及び外側のシム・コイル組を
個別に短絡することの決定的に有利な点は、外部磁場変
動が生じると明らかになる。外側のシム・コイル組は外
部擾乱で電流が誘導されても本質的に均一な磁場しか発
生しないので、ΔＩ2＊ｃ2＊ｚ2の形の磁場不均一性を
防止するためには内側のシム・コイル組を擾乱から分離
すれば（すなわち、外部擾乱が電流ΔＩ2を誘導しない
ように内側のシム・コイル組の大きさを設定すれば）十
分である。さらに、外側のシム・コイル組を、外部磁場
変動に対するその応答を利用して作業容積内の磁場擾乱
の均一部分を抑えるように配置することも可能である。
個別に短絡することの決定的に有利な点は、外部磁場変
動が生じると明らかになる。外側のシム・コイル組は外
部擾乱で電流が誘導されても本質的に均一な磁場しか発
生しないので、ΔＩ2＊ｃ2＊ｚ2の形の磁場不均一性を
防止するためには内側のシム・コイル組を擾乱から分離
すれば（すなわち、外部擾乱が電流ΔＩ2を誘導しない
ように内側のシム・コイル組の大きさを設定すれば）十
分である。さらに、外側のシム・コイル組を、外部磁場
変動に対するその応答を利用して作業容積内の磁場擾乱
の均一部分を抑えるように配置することも可能である。
【００１５】本発明の特に好ましい実施の形態では、磁
石システムは高分解能磁気共鳴分光装置の一部を成して
いる。本発明の有利な点は、特に高分解能磁気共鳴分光
装置のようなシステムにおいて発揮される。これらの磁
石システムは、高い均一性が要求されるためにいずれに
しても他のシステムより大きな容積を有し、従ってＺ 2
シムの形をよりコンパクトにすれば特に効果的になるか
らである。
石システムは高分解能磁気共鳴分光装置の一部を成して
いる。本発明の有利な点は、特に高分解能磁気共鳴分光
装置のようなシステムにおいて発揮される。これらの磁
石システムは、高い均一性が要求されるためにいずれに
しても他のシステムより大きな容積を有し、従ってＺ 2
シムの形をよりコンパクトにすれば特に効果的になるか
らである。
【００１６】この実施の形態のさらに発展させた例で
は、磁気共鳴装置が作業容積に発生した磁場をロックす
る手段を備え、半径方向内側及び半径方向外側のシム・
コイル組が磁場ロッキング装置のコイルから大きく分離
されている。サンプル容積内の一時的な磁場変動を補償
するコイルを備えたアクティブ磁場ロックは、高分解能
磁気共鳴システムの標準的設備の一部を成している。磁
場ロック・コイルを半径方向内側及び半径方向外側のシ
ム・コイル組から分離することは、ロック・コイルが作
動したときにシムに電流が誘導され得ないという効果が
ある。これにより、一方においては磁場の均一性が保た
れるし、他方においては磁場ロック・コイルの効果が損
なわれない。
は、磁気共鳴装置が作業容積に発生した磁場をロックす
る手段を備え、半径方向内側及び半径方向外側のシム・
コイル組が磁場ロッキング装置のコイルから大きく分離
されている。サンプル容積内の一時的な磁場変動を補償
するコイルを備えたアクティブ磁場ロックは、高分解能
磁気共鳴システムの標準的設備の一部を成している。磁
場ロック・コイルを半径方向内側及び半径方向外側のシ
ム・コイル組から分離することは、ロック・コイルが作
動したときにシムに電流が誘導され得ないという効果が
ある。これにより、一方においては磁場の均一性が保た
れるし、他方においては磁場ロック・コイルの効果が損
なわれない。
【００１７】さらに別の好ましい発展例では、磁気共鳴
装置が掃引コイルを備え、半径方向内側のシム・コイル
組及び半径方向外側のシム・コイル組がこの掃引コイル
から大きく分離されている。掃引コイルを半径方向内側
及び半径方向外側のシム・コイル組から分離することに
よって、掃引コイルを作動させても電流がシムに誘導さ
れることがない。これにより、一方においては磁場掃引
時に磁場の均一性が保たれるし、他方においては掃引コ
イルの効果が損なわれない。
装置が掃引コイルを備え、半径方向内側のシム・コイル
組及び半径方向外側のシム・コイル組がこの掃引コイル
から大きく分離されている。掃引コイルを半径方向内側
及び半径方向外側のシム・コイル組から分離することに
よって、掃引コイルを作動させても電流がシムに誘導さ
れることがない。これにより、一方においては磁場掃引
時に磁場の均一性が保たれるし、他方においては掃引コ
イルの効果が損なわれない。
【００１８】ある有利な実施の形態では、半径方向内側
及び／又は半径方向外側のシム・コイル組が数個の部分
コイルから構成される。シム・コイル組当たり数個のコ
イルがあると、シム強度を最適化し磁石から分離するた
めの自由度が多くなるのでこの形態は有利である。
及び／又は半径方向外側のシム・コイル組が数個の部分
コイルから構成される。シム・コイル組当たり数個のコ
イルがあると、シム強度を最適化し磁石から分離するた
めの自由度が多くなるのでこの形態は有利である。
【００１９】この実施の形態をさらに発展させた例で
は、半径方向内側のシム・コイル組が半径Ｒ上の３つの
部分コイルから成り、それらが軸方向に前後に、ｚ＝０
を中心として対称に配置されており、中央の部分コイル
は軸方向の長さＬ1を有し（Ｒ≦Ｌ1≦1.5Ｒ）、軸方向
外側の２つの部分コイルは中央部分コイルの極性と反対
の極性を有することを特徴とする。この配置は、与えら
れたアンペア巻線数に対して与えられた半径上のシム・
コイル組の最大シム強度ｃ2を達成する。
は、半径方向内側のシム・コイル組が半径Ｒ上の３つの
部分コイルから成り、それらが軸方向に前後に、ｚ＝０
を中心として対称に配置されており、中央の部分コイル
は軸方向の長さＬ1を有し（Ｒ≦Ｌ1≦1.5Ｒ）、軸方向
外側の２つの部分コイルは中央部分コイルの極性と反対
の極性を有することを特徴とする。この配置は、与えら
れたアンペア巻線数に対して与えられた半径上のシム・
コイル組の最大シム強度ｃ2を達成する。
【００２０】このシステムの中央部分コイルが同じ方向
に巻かれた２つの対称なコイルで構成されている場合、
この中央コイルの高すぎるＨ4グラジエントを抑えるこ
とができる。これは、Ｚ4に比例する内側シム・コイル
組の磁場寄与分を効果的に抑制する。
に巻かれた２つの対称なコイルで構成されている場合、
この中央コイルの高すぎるＨ4グラジエントを抑えるこ
とができる。これは、Ｚ4に比例する内側シム・コイル
組の磁場寄与分を効果的に抑制する。
【００２１】半径方向外側のシム・コイル組は同じ極性
の複数の部分コイルのみを含むのが有利である。もしも
例えばアクティブ・シールド磁石から分離するために異
なる極性の部分コイルを用いた場合、外側のシム・コイ
ル組が−ΔＨ0を発生する効率は低下する。
の複数の部分コイルのみを含むのが有利である。もしも
例えばアクティブ・シールド磁石から分離するために異
なる極性の部分コイルを用いた場合、外側のシム・コイ
ル組が−ΔＨ0を発生する効率は低下する。
【００２２】本発明のある好ましい実施の形態では、半
径方向外側のシム・コイル組がアクティブ・シールド磁
石の半径方向外側の磁場コイル系の半径方向において直
ぐ近くに配置される。これにより、異なる極性の部分コ
イルを用いることなく、すなわちＨ0効率を低下させず
に、外側のシム・コイル組をアクティブ・シールド磁石
から簡単に且つ効率的に分離することができる。
径方向外側のシム・コイル組がアクティブ・シールド磁
石の半径方向外側の磁場コイル系の半径方向において直
ぐ近くに配置される。これにより、異なる極性の部分コ
イルを用いることなく、すなわちＨ0効率を低下させず
に、外側のシム・コイル組をアクティブ・シールド磁石
から簡単に且つ効率的に分離することができる。
【００２３】半径方向内側及び／又は半径方向外側シム
・コイル組のコイルが数個の半径上に分布している実施
の形態も利点がある。これはシム設計の自由度を増加
し、特にシム・コイル組をアクティブ・シールド磁石か
ら分離する可能性を高める。
・コイル組のコイルが数個の半径上に分布している実施
の形態も利点がある。これはシム設計の自由度を増加
し、特にシム・コイル組をアクティブ・シールド磁石か
ら分離する可能性を高める。
【００２４】請求項２による配置の潜在的利点の１つ
（すなわち、外部磁場擾乱の際作業容積内にΔＩ2＊ｃ2
＊ｚ2の形の磁場不均一性は発生しない）を実現するた
めに、内側シム・コイル組の双極子モーメントＤiを減
少することが可能である。それにより内側シム・コイル
組は外部均一擾乱源から分離され、望ましくない作業容
積内の磁場均一性の擾乱を生ずる電流変化ΔＩ2への反
応がなくなる。双極子モーメントはＤi≒０であること
が好ましい。
（すなわち、外部磁場擾乱の際作業容積内にΔＩ2＊ｃ2
＊ｚ2の形の磁場不均一性は発生しない）を実現するた
めに、内側シム・コイル組の双極子モーメントＤiを減
少することが可能である。それにより内側シム・コイル
組は外部均一擾乱源から分離され、望ましくない作業容
積内の磁場均一性の擾乱を生ずる電流変化ΔＩ2への反
応がなくなる。双極子モーメントはＤi≒０であること
が好ましい。
【００２５】別の好ましい実施の形態では、半径方向内
側及び半径方向外側のシム・コイル組の間の誘導的結合
が少なくとも略０である。これにより、一方においては
外部擾乱に対する半径方向外側のシム・コイル組の反応
が内側のシム・コイル組に伝わり、それが作業容積内の
磁場均一性の擾乱を生ずる可能性が排除される。他方に
おいて、シム・コイル組間の分離により、双方が相互に
影響を及ぼすことなく個々に充電されることができる。
側及び半径方向外側のシム・コイル組の間の誘導的結合
が少なくとも略０である。これにより、一方においては
外部擾乱に対する半径方向外側のシム・コイル組の反応
が内側のシム・コイル組に伝わり、それが作業容積内の
磁場均一性の擾乱を生ずる可能性が排除される。他方に
おいて、シム・コイル組間の分離により、双方が相互に
影響を及ぼすことなく個々に充電されることができる。
【００２６】この実施の形態をさらに発展させた例で
は、半径方向外側のシム・コイル組がＺ0シムとして用
いられる。すなわち、外側のシム・コイル組は作業容積
内に均一磁場を生じ、磁石システムの他のコイルから分
離されている。しかし、この有利な点は適当な配線でし
か活用できない。
は、半径方向外側のシム・コイル組がＺ0シムとして用
いられる。すなわち、外側のシム・コイル組は作業容積
内に均一磁場を生じ、磁石システムの他のコイルから分
離されている。しかし、この有利な点は適当な配線でし
か活用できない。
【００２７】別の好ましい実施の形態は、半径方向内側
のシム・コイル組が半径方向外側のシム・コイル組と電
気的に直列に結合され、少なくとも２つの超伝導スイッ
チがこの２つのシム・コイル組を個別に超伝導的に短絡
するために設けられることが特徴である。２つのシム・
コイル組の直列結合は充電電流による同時充電を可能に
する。
のシム・コイル組が半径方向外側のシム・コイル組と電
気的に直列に結合され、少なくとも２つの超伝導スイッ
チがこの２つのシム・コイル組を個別に超伝導的に短絡
するために設けられることが特徴である。２つのシム・
コイル組の直列結合は充電電流による同時充電を可能に
する。
【００２８】その第１の発展例では、２つのシム・コイ
ル組の直列結合は超伝導的である。
ル組の直列結合は超伝導的である。
【００２９】ある変形例では、超伝導スイッチの１つは
２つのシム・コイル組と並列に接続され、第２の超伝導
スイッチは２つのシム・コイル組のうちの一方のみと並
列に、好ましくは半径方向内側のシム・コイル組と並列
に接続される。これは、半径方向外側のシム・コイル組
をＺ0シムとして用いることができる点で有利である。
２つのシム・コイル組と並列に接続され、第２の超伝導
スイッチは２つのシム・コイル組のうちの一方のみと並
列に、好ましくは半径方向内側のシム・コイル組と並列
に接続される。これは、半径方向外側のシム・コイル組
をＺ0シムとして用いることができる点で有利である。
【００３０】別の変形例では、２つのシム・コイル組の
各々と並列に超伝導スイッチが接続される。
各々と並列に超伝導スイッチが接続される。
【００３１】第２の発展例では、２つのシム・コイル組
の直列結合は抵抗的であり、１つの超伝導スイッチが２
つのシム・コイル組の各々と並列に接続される。
の直列結合は抵抗的であり、１つの超伝導スイッチが２
つのシム・コイル組の各々と並列に接続される。
【００３２】好ましくは、電流リミッタが半径方向内側
及び半径方向外側のシム・コイル組間の差電流用に設け
られる。電流リミッタは半径方向内側及び外側のシム・
コイル組間の望ましくない差電流を減少することができ
る。
及び半径方向外側のシム・コイル組間の差電流用に設け
られる。電流リミッタは半径方向内側及び外側のシム・
コイル組間の望ましくない差電流を減少することができ
る。
【００３３】本発明の別の有利な発展例は、２つのシム
・コイル組の超伝導スイッチが各々、該２つのシム・コ
イル組のもう１つの超伝導スイッチの加熱手段と電気的
に直列に接続された加熱手段を備えていることを特徴と
する。内側及び外側のシム・コイル組の同時充電のため
には双方のスイッチが同時に加熱されること（開く、す
なわち抵抗的になること）が必要である。上記別の発展
例によるシステムでは、特別なヒータ配線によってこの
条件は常に自動的に満たされる。
・コイル組の超伝導スイッチが各々、該２つのシム・コ
イル組のもう１つの超伝導スイッチの加熱手段と電気的
に直列に接続された加熱手段を備えていることを特徴と
する。内側及び外側のシム・コイル組の同時充電のため
には双方のスイッチが同時に加熱されること（開く、す
なわち抵抗的になること）が必要である。上記別の発展
例によるシステムでは、特別なヒータ配線によってこの
条件は常に自動的に満たされる。
【００３４】２つのシム・コイル組の超伝導スイッチの
加熱手段は、好ましくは常に個別に加熱できるようにす
る。各スイッチが個別に加熱されること（開く、すなわ
ち抵抗的になること）は、内側及び／又は外側のシム・
コイル組の自律的な充電（例えば、外側をＺ0シムとし
ての充電）を可能にする。
加熱手段は、好ましくは常に個別に加熱できるようにす
る。各スイッチが個別に加熱されること（開く、すなわ
ち抵抗的になること）は、内側及び／又は外側のシム・
コイル組の自律的な充電（例えば、外側をＺ0シムとし
ての充電）を可能にする。
【００３５】本発明のその他の利点は以下の説明と図面
から明らかになる。上述の特徴及び以下に述べる特徴
は、本発明によれば、個々に、又はいかなる任意の組み
合わせによっても適用することができる。図示し説明す
る実施の形態は、全てを列挙したものではなく、本発明
を説明するための例示的な性質のものと考えるべきであ
る。
から明らかになる。上述の特徴及び以下に述べる特徴
は、本発明によれば、個々に、又はいかなる任意の組み
合わせによっても適用することができる。図示し説明す
る実施の形態は、全てを列挙したものではなく、本発明
を説明するための例示的な性質のものと考えるべきであ
る。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００３７】図１は、本発明によるＺ2シム・システム
の一例を示す。同図において、右側半分のみが磁石軸ｚ
を含む平面を通る断面図で模式的に示されている。この
システムは、負の極性の部分コイルＳ1とこの部分コイ
ルＳ1を軸方向に囲繞する正の極性の部分コイルＳ2とか
ら成る半径方向内側のシム・コイル組Ｓiと、部分コイ
ルＳ3から成る半径方向外側のシム・コイル組Ｓaとを備
え、これらのシム・コイル組は数個の部分から成る磁石
Ｍ1とアクティブ浮遊磁場シールド・コイルＭ2とを備え
る超伝導磁石システムに一体に組み込まれている。
の一例を示す。同図において、右側半分のみが磁石軸ｚ
を含む平面を通る断面図で模式的に示されている。この
システムは、負の極性の部分コイルＳ1とこの部分コイ
ルＳ1を軸方向に囲繞する正の極性の部分コイルＳ2とか
ら成る半径方向内側のシム・コイル組Ｓiと、部分コイ
ルＳ3から成る半径方向外側のシム・コイル組Ｓaとを備
え、これらのシム・コイル組は数個の部分から成る磁石
Ｍ1とアクティブ浮遊磁場シールド・コイルＭ2とを備え
る超伝導磁石システムに一体に組み込まれている。
【００３８】図２は、数個の部分から成る磁石Ｍ1と、
アクティブ浮遊磁場シールド・コイルＭ2と、コイル
Ｓ1’、Ｓ2’、及びＳ3’を含むＺ2シム系とから成る従
来の超伝導磁石システムを示す線図である。
アクティブ浮遊磁場シールド・コイルＭ2と、コイル
Ｓ1’、Ｓ2’、及びＳ3’を含むＺ2シム系とから成る従
来の超伝導磁石システムを示す線図である。
【００３９】図３は、長さがＬ＝１０[ｃｍ]の円筒電流
密度ｊ＝１[Ａ／ｃｍ]の場合について、磁場グラジエン
トＨ0（Ｒ）、Ｈ2（Ｒ）、及びＨ4（Ｒ）の半径依存性
を、それぞれ、Ｈ0（Ｒ＝１０ｃｍ）、Ｈ2（Ｒ＝１０ｃ
ｍ）、及びＨ4（Ｒ＝１０ｃｍ）で描いて表している。
密度ｊ＝１[Ａ／ｃｍ]の場合について、磁場グラジエン
トＨ0（Ｒ）、Ｈ2（Ｒ）、及びＨ4（Ｒ）の半径依存性
を、それぞれ、Ｈ0（Ｒ＝１０ｃｍ）、Ｈ2（Ｒ＝１０ｃ
ｍ）、及びＨ4（Ｒ＝１０ｃｍ）で描いて表している。
【００４０】図４のｙ0，ｙ2，ｙ4は、ｓ＝Ｌ／２Ｒの
関数である（Ｌ：コイル長、Ｒ：コイル半径）。ｙ
nは、半径が１ｃｍで電流密度が１Ａ／ｃｍの電流が流
れる円筒面の磁場グラジエントＨn[Ｇ／ｃｍn]に対応し
ている。ｓ≒0.5におけるｙ2の極値は、所定の半径及び
電流密度のコイルが、長さＬ≒Ｒのときに最も効果的に
Ｈ 2グラジエントを発生することを意味する。
関数である（Ｌ：コイル長、Ｒ：コイル半径）。ｙ
nは、半径が１ｃｍで電流密度が１Ａ／ｃｍの電流が流
れる円筒面の磁場グラジエントＨn[Ｇ／ｃｍn]に対応し
ている。ｓ≒0.5におけるｙ2の極値は、所定の半径及び
電流密度のコイルが、長さＬ≒Ｒのときに最も効果的に
Ｈ 2グラジエントを発生することを意味する。
【００４１】図５は、図１に対応する線図であり、半径
Ｒの部分コイルＳ1及びＳ2を備える半径方向内側のシム
・コイル組Ｓiの３つのコイルを有する実施例を示す。
部分コイルＳ1は軸方向の長さがＬ1であり、２つのコイ
ルから成る部分コイルＳ2は軸方向の長さがＬ2である
が、部分コイルＳ1が配置されている磁石中央面Ｅの領
域に軸方向長さがＬ3の凹部（＝切欠き）がある。
Ｒの部分コイルＳ1及びＳ2を備える半径方向内側のシム
・コイル組Ｓiの３つのコイルを有する実施例を示す。
部分コイルＳ1は軸方向の長さがＬ1であり、２つのコイ
ルから成る部分コイルＳ2は軸方向の長さがＬ2である
が、部分コイルＳ1が配置されている磁石中央面Ｅの領
域に軸方向長さがＬ3の凹部（＝切欠き）がある。
【００４２】図６は、本発明のＺ2シムの半径方向内側
のシム・コイル組Ｓi”で、中央の部分コイルＳ1”にシ
ム磁場のＨ4“不均一性”を抑制するための追加の切欠
きを備えた実施例の線図である。
のシム・コイル組Ｓi”で、中央の部分コイルＳ1”にシ
ム磁場のＨ4“不均一性”を抑制するための追加の切欠
きを備えた実施例の線図である。
【００４３】図７は、本発明のＺ2シムの半径方向内側
及び半径方向外側のシム・コイル組Ｓi及びＳaの配線図
であり、２つのシム・コイル組が超伝導的に直列結合さ
れている。第１の超伝導スイッチＳＷ1がシム全体を橋
絡し、第２の超伝導スイッチＳＷ2が半径方向内側のシ
ム・コイル組Ｓiのみを橋絡する。２つのシム・コイル
組の間の差電流は電流リミッタＣＬによって制限するこ
とができる。
及び半径方向外側のシム・コイル組Ｓi及びＳaの配線図
であり、２つのシム・コイル組が超伝導的に直列結合さ
れている。第１の超伝導スイッチＳＷ1がシム全体を橋
絡し、第２の超伝導スイッチＳＷ2が半径方向内側のシ
ム・コイル組Ｓiのみを橋絡する。２つのシム・コイル
組の間の差電流は電流リミッタＣＬによって制限するこ
とができる。
【００４４】図８の配線方式では、２つのシム・コイル
組Ｓi及びＳaが同じく超伝導的に直列に結合されてい
る。第１の超伝導スイッチＳＷ1は半径方向外側のシム
・コイル組Ｓaを橋絡し、第２の超伝導スイッチＳＷ2は
半径方向内側のシム・コイル組Ｓiを橋絡している。２
つのシム・コイル組の間の差電流は同じく電流リミッタ
ＣＬによって制限することができる。
組Ｓi及びＳaが同じく超伝導的に直列に結合されてい
る。第１の超伝導スイッチＳＷ1は半径方向外側のシム
・コイル組Ｓaを橋絡し、第２の超伝導スイッチＳＷ2は
半径方向内側のシム・コイル組Ｓiを橋絡している。２
つのシム・コイル組の間の差電流は同じく電流リミッタ
ＣＬによって制限することができる。
【００４５】図９は、本発明のＺ2シムの半径方向内側
及び半径方向外側のシム・コイル組Ｓi及びＳaの配線図
であって、２つのシム・コイル組の抵抗的な直列結合
（等価抵抗ｒによって示される）を含む配線図を示す。
第１の超伝導スイッチＳＷ1は半径方向外側のシム・コ
イル組Ｓaを橋絡し、第２の超伝導スイッチＳＷ2は半径
方向内側のシム・コイル組Ｓiを橋絡している。
及び半径方向外側のシム・コイル組Ｓi及びＳaの配線図
であって、２つのシム・コイル組の抵抗的な直列結合
（等価抵抗ｒによって示される）を含む配線図を示す。
第１の超伝導スイッチＳＷ1は半径方向外側のシム・コ
イル組Ｓaを橋絡し、第２の超伝導スイッチＳＷ2は半径
方向内側のシム・コイル組Ｓiを橋絡している。
【００４６】最後に、図１０は、磁石中心ＭＺに関して
対称な半径Ｒ及び長さＬを有する円筒電流密度ｊを示
す。
対称な半径Ｒ及び長さＬを有する円筒電流密度ｊを示
す。
【００４７】磁気共鳴分光法は、サンプル容積内の磁場
の高い均一性を必要とする。この目的を達成するため
に、一方では高い基本的な磁場均一性を磁石コイルの設
計において適当な手段によって達成しなければならない
し、他方では所定の基本的な均一性から製造時に生ずる
ずれを別の手段によって補償しなければならない。
の高い均一性を必要とする。この目的を達成するため
に、一方では高い基本的な磁場均一性を磁石コイルの設
計において適当な手段によって達成しなければならない
し、他方では所定の基本的な均一性から製造時に生ずる
ずれを別の手段によって補償しなければならない。
【００４８】円筒対称な磁石システムの、磁石中心（ｚ
＝０）近傍における対称軸（ｚ方向）上の磁場は、対称
性故に軸方向であり、磁石コイルが磁石中心に関して対
称に配置されているならば、次のように表すことができ
る。
＝０）近傍における対称軸（ｚ方向）上の磁場は、対称
性故に軸方向であり、磁石コイルが磁石中心に関して対
称に配置されているならば、次のように表すことができ
る。
【００４９】
【数１】
【００５０】出来るだけ高い基本的な磁場均一性を得る
ためには、磁石設計で低い次数の係数をゼロにすること
が必要である。代表的には、Ｈ2＝Ｈ4＝０であることが
（多分Ｈ6＝０も）望ましい。磁場展開式の係数Ｈnはグ
ラジエントと呼ばれる。
ためには、磁石設計で低い次数の係数をゼロにすること
が必要である。代表的には、Ｈ2＝Ｈ4＝０であることが
（多分Ｈ6＝０も）望ましい。磁場展開式の係数Ｈnはグ
ラジエントと呼ばれる。
【００５１】理論的な均一磁場からの大きな偏差は主に
低次の係数、特に係数Ｈ1及びＨ2がゼロにならないとい
う形で生じるが、純粋な円筒対称性からの磁場のずれと
しても生じる。超伝導磁石システムにおけるこのような
磁場不均一性は、例えば超伝導シム・コイルを磁石シス
テムに組み込むことによって補正できる。これらのコイ
ルの各々は特定の磁場プロフィールを有し、すなわち一
定の磁場グラジエントを発生し、別々の電流で作動させ
ることができ、それ自体超伝導スイッチによって短絡す
ることができる。磁石システムの磁場均一性は種々の電
流の選択によってかなり向上できる。残念ながら各シム
は貴重なスペースを要求し、そのスペースが磁石コイル
のために失われる。いわゆるＺ2シムに関し、本発明
は、磁石をわずかに拡大するに止める、特にコンパクト
で効率的な解決方法を提供する。
低次の係数、特に係数Ｈ1及びＨ2がゼロにならないとい
う形で生じるが、純粋な円筒対称性からの磁場のずれと
しても生じる。超伝導磁石システムにおけるこのような
磁場不均一性は、例えば超伝導シム・コイルを磁石シス
テムに組み込むことによって補正できる。これらのコイ
ルの各々は特定の磁場プロフィールを有し、すなわち一
定の磁場グラジエントを発生し、別々の電流で作動させ
ることができ、それ自体超伝導スイッチによって短絡す
ることができる。磁石システムの磁場均一性は種々の電
流の選択によってかなり向上できる。残念ながら各シム
は貴重なスペースを要求し、そのスペースが磁石コイル
のために失われる。いわゆるＺ2シムに関し、本発明
は、磁石をわずかに拡大するに止める、特にコンパクト
で効率的な解決方法を提供する。
【００５２】Ｚ2シムは、望ましくない磁石のＨ2グラジ
エントを打ち消す。すなわち、このシムの磁石軸上の磁
場プロフィールはＺ2に比例する。Ｚ2シムの効率又は強
度ｃ 2とは、アンペア当たり発生されるＨ2グラジエント
を意味する。
エントを打ち消す。すなわち、このシムの磁石軸上の磁
場プロフィールはＺ2に比例する。Ｚ2シムの効率又は強
度ｃ 2とは、アンペア当たり発生されるＨ2グラジエント
を意味する。
【００５３】磁石中心に関して対称な長さＬの円筒上の
電流密度ｊ（単位[Ａ／ｃｍ]）を考察する（図１０参
照）。この電流密度は円筒軸上に次の大きさの軸方向磁
場を生ずる。
電流密度ｊ（単位[Ａ／ｃｍ]）を考察する（図１０参
照）。この電流密度は円筒軸上に次の大きさの軸方向磁
場を生ずる。
【００５４】
【数２】
【００５５】無次元のパラメータ
【００５６】
【数３】
【００５７】を用いて、グラジエントＨ0，Ｈ2，及びＨ
4（単位[Gauss/ｃｍn]）は次のように表される：
4（単位[Gauss/ｃｍn]）は次のように表される：
【００５８】
【数４】
【００５９】ここでｙ0（ｓ）、ｙ2（ｓ）、及びｙ
4（ｓ）は図４に示されている関数であり、その次元は
[Ｇ・ｃｍ／Ａ]である。Ｒは円筒半径（単位[ｃｍ]）で
ある。重要なことは、グラジエントＨnの効率が半径Ｒ
のｎ次のべきに反比例するということである。（図３：
一定の長さＬで、一定の電流密度ｊの電流が流れる円筒
面に対するＨ0（Ｒ）、Ｈ2（Ｒ）、及びＨ4（Ｒ））。
コイルのグラジエント効率の半径依存性から、大きなシ
ム効率を達成するためには、Ｚ2シムを小さな半径上に
配置しなければならないことが示唆される。
4（ｓ）は図４に示されている関数であり、その次元は
[Ｇ・ｃｍ／Ａ]である。Ｒは円筒半径（単位[ｃｍ]）で
ある。重要なことは、グラジエントＨnの効率が半径Ｒ
のｎ次のべきに反比例するということである。（図３：
一定の長さＬで、一定の電流密度ｊの電流が流れる円筒
面に対するＨ0（Ｒ）、Ｈ2（Ｒ）、及びＨ4（Ｒ））。
コイルのグラジエント効率の半径依存性から、大きなシ
ム効率を達成するためには、Ｚ2シムを小さな半径上に
配置しなければならないことが示唆される。
【００６０】達成しなければならないＺ2シムの強度ｃ2
以外にも、超伝導磁石システムのシムの設計では他の規
準も満たすことが必要である。特に、シムは均一磁場部
分ΔＨ0を発生してはならないし、超伝導磁石から誘導
的に分離されなければならない。分離されていないと、
望ましくない効果、例えばシム作動時の磁場の歪み、磁
石ドリフトが生じた場合のシム電流の変化、あるいは磁
石のクエンチでのシムの大きな誘導電流などが生じる。
以外にも、超伝導磁石システムのシムの設計では他の規
準も満たすことが必要である。特に、シムは均一磁場部
分ΔＨ0を発生してはならないし、超伝導磁石から誘導
的に分離されなければならない。分離されていないと、
望ましくない効果、例えばシム作動時の磁場の歪み、磁
石ドリフトが生じた場合のシム電流の変化、あるいは磁
石のクエンチでのシムの大きな誘導電流などが生じる。
【００６１】図２のような従来のＺ2シム（アクティブ
浮遊磁場シールド磁石システムの一部として示されてい
る）では、同じ半径上にコイルを配置することによって
これらの規準を全て満たそうとする。最大効率を達成す
るためには、この半径は出来るだけ小さくしなければな
らない。その場合、可能なシム効率ｃ2の相当部分が磁
石からの分離及びシムのΔＨ0寄与分の抑制のために失
われてしまう。特に、ΔＨ0寄与分の抑制は、図３に示
すように、Ｈ2グラジエントの効率的な発生のために必
要とされる半径よりもかなり大きな半径上のシム・コイ
ル組によっても達成可能である。本発明はこの可能性を
利用するものである。すなわち、発生される汚染ΔＨ0
を無視して最大シム強度ｃ2に最適化した半径方向内側
コイル組と、この汚染ΔＨ0を補償する半径方向外側の
シム・コイル組とにＺ2シムを分けることにより、結果
として得られるシム効率を大きく増加させることができ
る。コイルのＨ2グラジエントは半径の二乗に依存する
ので、半径方向外側のシム・コイル組はシム全体の効率
にわずかしか寄与しない。
浮遊磁場シールド磁石システムの一部として示されてい
る）では、同じ半径上にコイルを配置することによって
これらの規準を全て満たそうとする。最大効率を達成す
るためには、この半径は出来るだけ小さくしなければな
らない。その場合、可能なシム効率ｃ2の相当部分が磁
石からの分離及びシムのΔＨ0寄与分の抑制のために失
われてしまう。特に、ΔＨ0寄与分の抑制は、図３に示
すように、Ｈ2グラジエントの効率的な発生のために必
要とされる半径よりもかなり大きな半径上のシム・コイ
ル組によっても達成可能である。本発明はこの可能性を
利用するものである。すなわち、発生される汚染ΔＨ0
を無視して最大シム強度ｃ2に最適化した半径方向内側
コイル組と、この汚染ΔＨ0を補償する半径方向外側の
シム・コイル組とにＺ2シムを分けることにより、結果
として得られるシム効率を大きく増加させることができ
る。コイルのＨ2グラジエントは半径の二乗に依存する
ので、半径方向外側のシム・コイル組はシム全体の効率
にわずかしか寄与しない。
【００６２】本発明のＺ2シム・コイル系は、特にアク
ティブ浮遊磁場シールド超伝導磁石システムで用いた場
合に大きな効果がある。この場合、シム・コイルを組み
込むことによって磁石の主コイルが膨らむことは浮遊磁
場の増大につながり、それを絶対に避けなければならい
ので、本発明のＺ2シムのコイル系が特に有利な解決方
法となる。この理由から、本発明はアクティブ・シール
ド磁石における半径方向内側及び半径方向外側のシム・
コイル組に分割されたＺ2シムの記載に限定される。図
１は、本発明のＺ2シム・コイル系をアクティブ浮遊磁
場補償を有する磁石と共に示す。
ティブ浮遊磁場シールド超伝導磁石システムで用いた場
合に大きな効果がある。この場合、シム・コイルを組み
込むことによって磁石の主コイルが膨らむことは浮遊磁
場の増大につながり、それを絶対に避けなければならい
ので、本発明のＺ2シムのコイル系が特に有利な解決方
法となる。この理由から、本発明はアクティブ・シール
ド磁石における半径方向内側及び半径方向外側のシム・
コイル組に分割されたＺ2シムの記載に限定される。図
１は、本発明のＺ2シム・コイル系をアクティブ浮遊磁
場補償を有する磁石と共に示す。
【００６３】円筒電流密度によって生ずる磁場について
の上記の議論から、最大グラジエント強度ｃ2に関して
最適なＺ2シムのコイル形態を導くことができる。個々
のシム・コイルは通常薄い壁のソレノイドであるので、
円筒電流密度による近似が許される。磁石中心に関して
対称な、与えられた半径Ｒ上の単一ソレノイドから成る
仮想的シムでは、ｓ≒0.5（ｓ＝Ｌ／２Ｒ）でｙ2（ｓ）
が極値を有するから、長さＬ1≒Ｒが最大のＨ2効率を与
える（図４）。非常に長いソレノイドでも（略Ｌ 2＞４
Ｒ）、長さＬ3≒Ｒが中心で空いていれば（いわゆる
“切欠き”）、ほとんど同じ効果が得られる。その場
合、発生するＨ2グラジエントは前述のシステムと比較
して反対の符号を有する。２つのコイル系を組み合わせ
ることによって、全部で３つのコイルを用いた形態で、
半径Ｒ上におけるある電流密度で達成できる最大のＨ2
効率を有する形態が得られる（図５参照）。
の上記の議論から、最大グラジエント強度ｃ2に関して
最適なＺ2シムのコイル形態を導くことができる。個々
のシム・コイルは通常薄い壁のソレノイドであるので、
円筒電流密度による近似が許される。磁石中心に関して
対称な、与えられた半径Ｒ上の単一ソレノイドから成る
仮想的シムでは、ｓ≒0.5（ｓ＝Ｌ／２Ｒ）でｙ2（ｓ）
が極値を有するから、長さＬ1≒Ｒが最大のＨ2効率を与
える（図４）。非常に長いソレノイドでも（略Ｌ 2＞４
Ｒ）、長さＬ3≒Ｒが中心で空いていれば（いわゆる
“切欠き”）、ほとんど同じ効果が得られる。その場
合、発生するＨ2グラジエントは前述のシステムと比較
して反対の符号を有する。２つのコイル系を組み合わせ
ることによって、全部で３つのコイルを用いた形態で、
半径Ｒ上におけるある電流密度で達成できる最大のＨ2
効率を有する形態が得られる（図５参照）。
【００６４】このようなシステムは、半径Ｒに依存して
磁場に大きな又は小さなＨ4“汚染部分”ΔＨ4を発生す
る。これには次の２つの方法で対抗できる： １．Ｌ1及びＬ3を大きくして、Ｈ4に関連した関数ｙ
4（ｓ）のｓ≒0.9のゼロ交差点にコイルを近づける。
磁場に大きな又は小さなＨ4“汚染部分”ΔＨ4を発生す
る。これには次の２つの方法で対抗できる： １．Ｌ1及びＬ3を大きくして、Ｈ4に関連した関数ｙ
4（ｓ）のｓ≒0.9のゼロ交差点にコイルを近づける。
【００６５】２． 非常に短い切欠きを中央コイルに、
代表的にｓ＜0.2で設ける（図６）。
代表的にｓ＜0.2で設ける（図６）。
【００６６】勿論、いずれの方法もコイルのＨ2効率を
減少させる。全体としては、Ｈ4汚染部分を低く抑え、
Ｈ0汚染部分ΔＨ0を無視することでＨ2効率最大の形態
が得られる。一般に、長さＬ2の適当な選択によって磁
石との結合をゼロにすることができる。従って、この形
態が本発明のＺ2シムの半径方向内側のシム・コイル組
として最適である（図５及び図６）。
減少させる。全体としては、Ｈ4汚染部分を低く抑え、
Ｈ0汚染部分ΔＨ0を無視することでＨ2効率最大の形態
が得られる。一般に、長さＬ2の適当な選択によって磁
石との結合をゼロにすることができる。従って、この形
態が本発明のＺ2シムの半径方向内側のシム・コイル組
として最適である（図５及び図６）。
【００６７】ΔＨ0をも除去するには、はるかに大きな
半径上に別のコイルを装着することが有利である。これ
らのコイルは、電流が流れる円筒面のＨ2効率は半径の
二乗で減少するので、内側のシム・コイル組のＨ2効率
にほとんど影響しない。半径方向外側のシム・コイル組
による最適なΔＨ0補償は、磁石の中心軸のまわりに配
置される単一コイルによって達成される。半径方向外側
のシム・コイル組を磁石から分離するのに極性の異なる
追加のシム・コイルを導入することを避けるために、ア
クティブ・シールド磁石に、主コイルと浮遊磁場シール
ド・コイルとで反対の極性を用いて分離することができ
る。
半径上に別のコイルを装着することが有利である。これ
らのコイルは、電流が流れる円筒面のＨ2効率は半径の
二乗で減少するので、内側のシム・コイル組のＨ2効率
にほとんど影響しない。半径方向外側のシム・コイル組
による最適なΔＨ0補償は、磁石の中心軸のまわりに配
置される単一コイルによって達成される。半径方向外側
のシム・コイル組を磁石から分離するのに極性の異なる
追加のシム・コイルを導入することを避けるために、ア
クティブ・シールド磁石に、主コイルと浮遊磁場シール
ド・コイルとで反対の極性を用いて分離することができ
る。
【００６８】従来のＺ2シムと比較したときの本発明の
主な問題点は、半径方向外側のシム・コイル組の最適な
実施の形態が大きな双極子モーメントを有することであ
る。これは外部磁場擾乱源との間に強い結合を生じ、そ
して多分掃引コイルや磁場ロック・コイルとの間でも強
い結合を生じる。これは望ましくないシム電流の一時的
変動を引き起こし、その結果時間的に変化するＨ2磁場
グラジエントを生じることがある。この問題は以下のよ
うに解決される： １．半径方向内側及び半径方向外側のシム・コイル組を
個々に磁石から分離する。外側のシム・コイル組をアク
ティブ・シールド磁石から分離するには、主コイルと浮
遊磁場シールド・コイルの極性を反対にするのが有利で
ある。
主な問題点は、半径方向外側のシム・コイル組の最適な
実施の形態が大きな双極子モーメントを有することであ
る。これは外部磁場擾乱源との間に強い結合を生じ、そ
して多分掃引コイルや磁場ロック・コイルとの間でも強
い結合を生じる。これは望ましくないシム電流の一時的
変動を引き起こし、その結果時間的に変化するＨ2磁場
グラジエントを生じることがある。この問題は以下のよ
うに解決される： １．半径方向内側及び半径方向外側のシム・コイル組を
個々に磁石から分離する。外側のシム・コイル組をアク
ティブ・シールド磁石から分離するには、主コイルと浮
遊磁場シールド・コイルの極性を反対にするのが有利で
ある。
【００６９】２．半径方向内側及び半径方向外側のシム
・コイル組を個別に超伝導的に短絡する。磁石から個別
に分離することによって、２つのシム・コイル組を個別
に超伝導的に短絡したたときにも、磁石のドリフトによ
るシム電流の変化、磁石のクエンチの際シムに大きな電
流が誘導されるなどの望ましくない効果が回避される。
・コイル組を個別に超伝導的に短絡する。磁石から個別
に分離することによって、２つのシム・コイル組を個別
に超伝導的に短絡したたときにも、磁石のドリフトによ
るシム電流の変化、磁石のクエンチの際シムに大きな電
流が誘導されるなどの望ましくない効果が回避される。
【００７０】３．外部磁場変動／磁場ロックの活性化／
磁場掃引コイルの作動時にＨ2均一性を十分安定に保つ
ためには、外側のシム・コイル組はほとんどＨ2を発生
しないから、内側のシム・コイル組を擾乱源／ロック・
コイル／掃引コイルから分離するのみで十分である。均
一な磁場擾乱の場合、内側のシム・コイル組を外部擾乱
源から分離することは内側のシム・コイル組の双極子モ
ーメントを小さくすることにより達成される。
磁場掃引コイルの作動時にＨ2均一性を十分安定に保つ
ためには、外側のシム・コイル組はほとんどＨ2を発生
しないから、内側のシム・コイル組を擾乱源／ロック・
コイル／掃引コイルから分離するのみで十分である。均
一な磁場擾乱の場合、内側のシム・コイル組を外部擾乱
源から分離することは内側のシム・コイル組の双極子モ
ーメントを小さくすることにより達成される。
【００７１】４．Ｈ2均一性の一時的安定性は、半径方
向内側のシム・コイル組を半径方向外側のシム・コイル
組から分離することによってさらに改善される。このよ
うにすれば、半径方向外側のシム・コイル組に誘導され
る電流が、半径方向内側のシム・コイル組に電流を誘導
しないからである。
向内側のシム・コイル組を半径方向外側のシム・コイル
組から分離することによってさらに改善される。このよ
うにすれば、半径方向外側のシム・コイル組に誘導され
る電流が、半径方向内側のシム・コイル組に電流を誘導
しないからである。
【００７２】外部磁場変動／磁場ロックの活性化／磁場
掃引コイルの作動時の半径方向外側のシム・コイル組の
反応は、まず、サンプル容積内の均一磁場部分Ｈ
0（ｔ）の一時的挙動に影響する。半径方向外側のシム
・コイル組の最適設計解が実現されるのは、磁場ロック
・コイルとの及び多分磁場掃引コイルとの相互作用が消
失する場合であり、他方、外部擾乱が生じたときに、擾
乱磁場に対抗する磁場を形成する半径方向外側のシム・
コイル組の電流変化が望ましい。磁場ロック・コイル及
び磁場掃引コイルが磁石中心領域に配置されている場
合、単にシム・コイルの半径を大きくするのみで、その
他に何も設計手段を講じなくても磁場ロック・コイル及
び磁場掃引コイルに対する半径方向外側のシム・コイル
組の望ましい挙動が得られる。外部磁場擾乱源に対する
挙動については、特にアクティブ・シールド磁石の場
合、半径方向内側及び半径方向外側のシム・コイル組を
個別に超伝導的に短絡する本発明のＺ2シム・システム
の基本的形態によって、その他に何も設計手段を講じな
くても、磁石システムが外部磁場変動の均一磁場寄与分
の影響を受ける度合いが概ね向上することになる。
掃引コイルの作動時の半径方向外側のシム・コイル組の
反応は、まず、サンプル容積内の均一磁場部分Ｈ
0（ｔ）の一時的挙動に影響する。半径方向外側のシム
・コイル組の最適設計解が実現されるのは、磁場ロック
・コイルとの及び多分磁場掃引コイルとの相互作用が消
失する場合であり、他方、外部擾乱が生じたときに、擾
乱磁場に対抗する磁場を形成する半径方向外側のシム・
コイル組の電流変化が望ましい。磁場ロック・コイル及
び磁場掃引コイルが磁石中心領域に配置されている場
合、単にシム・コイルの半径を大きくするのみで、その
他に何も設計手段を講じなくても磁場ロック・コイル及
び磁場掃引コイルに対する半径方向外側のシム・コイル
組の望ましい挙動が得られる。外部磁場擾乱源に対する
挙動については、特にアクティブ・シールド磁石の場
合、半径方向内側及び半径方向外側のシム・コイル組を
個別に超伝導的に短絡する本発明のＺ2シム・システム
の基本的形態によって、その他に何も設計手段を講じな
くても、磁石システムが外部磁場変動の均一磁場寄与分
の影響を受ける度合いが概ね向上することになる。
【００７３】半径方向内側及び半径方向外側のシム・コ
イル組を個別に超伝導的に短絡することは、さらに２つ
の有利な結果を生む： ・半径方向内側及び半径方向外側のシム・コイル組は、
超伝導的にのみでなく、抵抗的にも結合することがで
き、シムの製造が容易になる。
イル組を個別に超伝導的に短絡することは、さらに２つ
の有利な結果を生む： ・半径方向内側及び半径方向外側のシム・コイル組は、
超伝導的にのみでなく、抵抗的にも結合することがで
き、シムの製造が容易になる。
【００７４】・２つのシム・コイル組を異なる電流で作
動させることができる。特に、半径方向外側のシム・コ
イル組はＺ0シムの全ての要件を満たしているので、Ｚ0
シムとして作動させることができる。これは磁石システ
ムの全ての超伝導的に短絡される電流路から分離されて
おり、均一な磁場Ｈ0を発生する。
動させることができる。特に、半径方向外側のシム・コ
イル組はＺ0シムの全ての要件を満たしているので、Ｚ0
シムとして作動させることができる。これは磁石システ
ムの全ての超伝導的に短絡される電流路から分離されて
おり、均一な磁場Ｈ0を発生する。
【００７５】半径方向内側及び外側のシム・コイル組の
個別の超伝導的な短絡を実現するための可能な方法を図
７乃至図９に模式的に示す。半径方向内側及び外側のシ
ム・コイル組の間の抵抗的結合は等価抵抗ｒで表され
る。半径方向内側及び外側のシム・コイル組の間を超伝
導的に結合する場合、半径方向内側及び外側のシム・コ
イル組の間の差電流は電流リミッタＣＬによって制限で
きる。
個別の超伝導的な短絡を実現するための可能な方法を図
７乃至図９に模式的に示す。半径方向内側及び外側のシ
ム・コイル組の間の抵抗的結合は等価抵抗ｒで表され
る。半径方向内側及び外側のシム・コイル組の間を超伝
導的に結合する場合、半径方向内側及び外側のシム・コ
イル組の間の差電流は電流リミッタＣＬによって制限で
きる。
【００７６】半径方向内側及び外側のシム・コイル組を
個別に超伝導的に短絡する場合、双方の超伝導的に短絡
される電流路は、各々、対応する電流路を充電するため
に開放される超伝導スイッチを有していなければならな
い。シム全体を充電するときは、双方のスイッチが同時
に開いていなければならない。同様なことが、スイッチ
・ヒータ同士が直列に接続されている場合にも云える。
ある種の状況では、例えば半径方向外側のシム・コイル
組をＺ0シムとして用いる場合には、前記個々のスイッ
チをさらに個別に開放できるようにしておく必要があ
る。
個別に超伝導的に短絡する場合、双方の超伝導的に短絡
される電流路は、各々、対応する電流路を充電するため
に開放される超伝導スイッチを有していなければならな
い。シム全体を充電するときは、双方のスイッチが同時
に開いていなければならない。同様なことが、スイッチ
・ヒータ同士が直列に接続されている場合にも云える。
ある種の状況では、例えば半径方向外側のシム・コイル
組をＺ0シムとして用いる場合には、前記個々のスイッ
チをさらに個別に開放できるようにしておく必要があ
る。
【００７７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
シム・コイル系が、磁石システムから実質的に誘導的に
分離され、作業容積内にｚ成分がΔＨ0＋ｃ2・ｚ2（ｃ2
＝一定）のように変化する磁場を主に発生する半径方向
内側のシム・コイル組と、同じく磁石システムから実質
的に誘導的に分離され、作業容積内に均一な磁場−ΔＨ
0を発生する半径方向外側のシム・コイル組とを備える
構成としたので、半径方向外側のシム・コイル組によっ
てΔＨ0を打ち消すと、半径方向内側のシム・コイル組
のシム強度ｃ2がほんの少ししか弱められず、半径方向
内側のシム・コイル組に必要な巻線が少なくて済み、半
径方向内側のシム・コイル組が磁石巻線が巻かれる場所
にある場合、磁石はよりコンパクトになり、しかも、内
側及び外側のシム・コイル組を個別に磁石から分離する
構成により、２つのシム・コイル組の各々を個々に超伝
導的に短絡しても、例えば磁石のドリフト、クエンチ、
あるいは磁石のメイン・スイッチの自発開放時にも、個
々のシム・コイル組が充電されず、シムを充電する際の
磁石の誘導電流を小さくできる。従って、変動する外部
磁場による擾乱に影響されることなく、磁石巻線の内部
に半径方向に巻かれるＺ2シム・コイルに必要なスペー
スを減少させ、Ｚ2シムの最適化を達成することが可能
となるという効果が得られる。
シム・コイル系が、磁石システムから実質的に誘導的に
分離され、作業容積内にｚ成分がΔＨ0＋ｃ2・ｚ2（ｃ2
＝一定）のように変化する磁場を主に発生する半径方向
内側のシム・コイル組と、同じく磁石システムから実質
的に誘導的に分離され、作業容積内に均一な磁場−ΔＨ
0を発生する半径方向外側のシム・コイル組とを備える
構成としたので、半径方向外側のシム・コイル組によっ
てΔＨ0を打ち消すと、半径方向内側のシム・コイル組
のシム強度ｃ2がほんの少ししか弱められず、半径方向
内側のシム・コイル組に必要な巻線が少なくて済み、半
径方向内側のシム・コイル組が磁石巻線が巻かれる場所
にある場合、磁石はよりコンパクトになり、しかも、内
側及び外側のシム・コイル組を個別に磁石から分離する
構成により、２つのシム・コイル組の各々を個々に超伝
導的に短絡しても、例えば磁石のドリフト、クエンチ、
あるいは磁石のメイン・スイッチの自発開放時にも、個
々のシム・コイル組が充電されず、シムを充電する際の
磁石の誘導電流を小さくできる。従って、変動する外部
磁場による擾乱に影響されることなく、磁石巻線の内部
に半径方向に巻かれるＺ2シム・コイルに必要なスペー
スを減少させ、Ｚ2シムの最適化を達成することが可能
となるという効果が得られる。
【図１】本発明に係るＺ2シムを備えた磁石システムの
一実施の形態の構成を示す線図である。
一実施の形態の構成を示す線図である。
【図２】従来のＺ2シムを備えたアクティブ・シールド
磁石システムの構成を示す線図である。
磁石システムの構成を示す線図である。
【図３】磁場グラジエント（field gradient）の半径依
存性を示すグラフである。
存性を示すグラフである。
【図４】関数ｙ（ｓ）を示すグラフである。
【図５】３つのコイルを有する半径方向内側シム・コイ
ル組の実施の形態の構成を示す線図である。
ル組の実施の形態の構成を示す線図である。
【図６】中央の部分コイルが２つのコイルを有する構成
を示す、図５に対応する線図である。
を示す、図５に対応する線図である。
【図７】半径方向内側及び半径方向外側のシム・コイル
組の超伝導直列結合であって、該直列結合と並列な第１
の超伝導スイッチと、半径方向内側のシム・コイル組と
並列な第２の超伝導スイッチを備える構成を示す電気配
線図である。
組の超伝導直列結合であって、該直列結合と並列な第１
の超伝導スイッチと、半径方向内側のシム・コイル組と
並列な第２の超伝導スイッチを備える構成を示す電気配
線図である。
【図８】半径方向内側及び半径方向外側のシム・コイル
組とそれぞれ並列な超伝導スイッチを備える構成を示
す、図７に対応する電気配線図である。
組とそれぞれ並列な超伝導スイッチを備える構成を示
す、図７に対応する電気配線図である。
【図９】半径方向内側及び半径方向外側のシム・コイル
組の間の抵抗的直列結合を示す電気配線図である。
組の間の抵抗的直列結合を示す電気配線図である。
【図１０】磁石中心に関して対称な円筒電流シートを示
す線図である。
す線図である。
Ｍ1，Ｍ2 磁石の半径方向内側のコイル系（Ｍ1）と半
径方向外側のコイル系（Ｍ2） Ｓi，Ｓi” 半径方向内側のシム・コイル組 Ｓa 半径方向外側のシム・コイル組 Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ1” 部分コイル ｚ 磁石中心軸 Ｒ 半径 Ｌ1，Ｌ2，Ｌ3 軸方向長さ Ｅ 磁石中央面 ＳＷ1，ＳＷ2 超伝導スイッチ ＣＬ 電流リミッタ ｒ 抵抗的結合の等価抵抗
径方向外側のコイル系（Ｍ2） Ｓi，Ｓi” 半径方向内側のシム・コイル組 Ｓa 半径方向外側のシム・コイル組 Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ1” 部分コイル ｚ 磁石中心軸 Ｒ 半径 Ｌ1，Ｌ2，Ｌ3 軸方向長さ Ｅ 磁石中央面 ＳＷ1，ＳＷ2 超伝導スイッチ ＣＬ 電流リミッタ ｒ 抵抗的結合の等価抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダニエル・エム エカート スイス国 デューベンドルフ 8600 ツェ ーハー ランガーウェグ ４
Claims (21)
- 【請求項１】 ｚ＝０を中心に配置された作業容積内に
ｚ軸方向に均一磁場Ｈ0を発生するためのアクティブ・
シールド超伝導磁石であって、半径方向内側のコイル系
（Ｍ1）と半径方向外側のコイル系（Ｍ2）とを備え、該
２つのコイル系（Ｍ1，Ｍ2）は略同じ電流が流れ、略同
じ大きさで方向が反対である双極子モーメントを有する
アクティブ・シールド超伝導磁石を備え、且つ前記作業
容積内の磁場不均一性を補正するための、ｚ成分がＺ2
に比例する超伝導シム・コイル系を含むシム・システム
を備える磁気共鳴分光装置用の超伝導磁石システムにお
いて、 前記シム・コイル系が、前記磁石システム（Ｍ1，Ｍ2）
から実質的に誘導的に分離され主に前記作業容積内にｚ
成分がΔＨ0＋ｃ2・ｚ2（ｃ2＝一定）のように変化する
磁場を発生する半径方向内側のシム・コイル組（Ｓi；
Ｓi”）と、同じく前記磁石システム（Ｍ1，Ｍ2）から
実質的に誘導的に分離され主に前記作業容積内に均一な
磁場−ΔＨ0を発生する半径方向外側のシム・コイル組
（Ｓa）とを備えることを特徴とする超伝導磁石システ
ム。 - 【請求項２】 前記半径方向内側のシム・コイル組（Ｓ
i；Ｓi”）及び前記半径方向外側のシム・コイル組（Ｓ
a）が各々個別に超伝導的に短絡可能であることを特徴
とする請求項１記載の超伝導磁石システム。 - 【請求項３】 前記磁石システムが高分解能磁気共鳴分
光装置の一部であることを特徴とする前記各項のいずれ
かに記載の超伝導磁石システム。 - 【請求項４】 前記磁気共鳴装置が前記作業容積内に発
生された磁場をロックする手段を備え、前記半径方向内
側のシム・コイル組（Ｓi；Ｓi”）及び前記半径方向外
側のシム・コイル組（Ｓa）が該磁場ロック手段のコイ
ルから大きく分離されていることを特徴とする請求項３
記載の超伝導磁石システム。 - 【請求項５】 前記磁気共鳴装置が掃引コイルを備え、
前記半径方向内側のシム・コイル組（Ｓi；Ｓi”）及び
前記半径方向外側のシム・コイル組（Ｓa）が該掃引コ
イルから大きく分離されていることを特徴とする請求項
３又は４記載の超伝導磁石システム。 - 【請求項６】 前記半径方向内側及び／又は前記半径方
向外側のシム・コイル組（それぞれ、Ｓi、Ｓi”、及び
Ｓa）が数個の部分コイル（Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3；Ｓ1”）か
ら成ることを特徴とする前記各項のいずれかに記載の超
伝導磁石システム。 - 【請求項７】 前記半径方向内側のシム・コイル組（Ｓ
i；Ｓi”）が互いに軸方向に前後に且つｚ＝０を中心に
対称に配置された半径Ｒの３つの部分コイル（Ｓ1，
Ｓ2；Ｓ1”）から成り、中央の部分コイル（Ｓ1、
Ｓ1”）が軸方向の長さＬ1（Ｒ≦Ｌ1≦1.5Ｒ）を有し、
軸方向外側の２つの部分コイル（Ｓ2）が該中央の部分
コイル（Ｓ1、Ｓ1”）の極性と反対の極性を有すること
を特徴とする請求項６記載の超伝導磁石システム。 - 【請求項８】 前記中央の部分コイル（Ｓ1”）が同じ
方向に巻かれた２つの対称なコイルから成ることを特徴
とする請求項７記載の超伝導磁石システム。 - 【請求項９】 前記半径方向外側のシム・コイル組（Ｓ
a）が同じ極性の部分コイル（Ｓ3）のみを有することを
特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載の超伝導磁
石システム。 - 【請求項１０】 前記半径方向外側のシム・コイル組
（Ｓa）が前記アクティブ・シールド磁石の前記半径方
向外側の磁場コイル系（Ｍ2）の半径方向において直ぐ
近くに配置されていることを特徴とする前記各項のいず
れかに記載の超伝導磁石システム。 - 【請求項１１】 前記半径方向内側及び／又は前記半径
方向外側のシム・コイル組（Ｓi、Ｓa；Ｓi”）のコイ
ルが数個の半径上に分布していることを特徴とする前記
各項のいずれかに記載の超伝導磁石システム。 - 【請求項１２】 前記半径方向内側のシム・コイル組
（Ｓi；Ｓi”）が前記半径方向外側のシム・コイル組
（Ｓa）より小さい双極子モーメントＤiを有し、好まし
くはＤi≒０であることを特徴とする前記各項のいずれ
かに記載の超伝導磁石システム。 - 【請求項１３】 前記半径方向内側（Ｓi；Ｓi”）及び
前記半径方向外側（Ｓa）のシム・コイル組の間の誘導
的結合が少なくとも略０であることを特徴とする前記各
項のいずれかに記載の超伝導磁石システム。 - 【請求項１４】 前記半径方向外側のシム・コイル組
（Ｓa）がＺ0シムとして設計されていることを特徴とす
る請求項１３記載の超伝導磁石システム。 - 【請求項１５】 前記半径方向内側のシム・コイル組
（Ｓi；Ｓi”）が前記半径方向外側のシム・コイル組
（Ｓa）と電気的に直列に結合され、少なくとも２つの
超伝導スイッチ（ＳＷ1，ＳＷ2）が設けられ、それによ
って前記２つのシム・コイル組が互いに独立に超伝導的
に短絡できることを特徴とする前記各項のいずれかに記
載の超伝導磁石システム。 - 【請求項１６】 前記半径方向内側及び半径方向外側の
シム・コイル組間の前記結合が超伝導的であり、前記超
伝導スイッチの１つ（ＳＷ1）が前記２つのシム・コイ
ル組（Ｓi、Ｓa）と並列に接続され、第２の超伝導スイ
ッチ（ＳＷ2）が前記２つのシム・コイル組の１つのみ
と並列に、好ましくは前記半径方向内側のシム・コイル
組（Ｓi）と並列に接続されていることを特徴とする請
求項１５記載の超伝導磁石システム。 - 【請求項１７】 前記半径方向内側及び半径方向外側の
シム・コイル組間の前記結合が超伝導的であり、それぞ
れ、１つの超伝導スイッチ（ＳＷ1、ＳＷ2）が前記２つ
のシム・コイル組（Ｓi、Ｓa）の１つと並列に接続され
ていることを特徴とする請求項１５記載の超伝導磁石シ
ステム。 - 【請求項１８】 前記２つのシム・コイル組（Ｓi、
Ｓa）が抵抗的に直列に結合され、前記２つのシム・コ
イル組（Ｓi、Ｓa）の各々と並列に１つの超伝導スイッ
チ（ＳＷ1、ＳＷ2）が接続されていることを特徴とする
請求項１５記載の超伝導磁石システム。 - 【請求項１９】 前記半径方向内側及び前記半径方向外
側のシム・コイル組（Ｓi、Ｓa）間の差電流を減少する
ための電流リミッタ（ＣＬ）が設けられていることを特
徴とする請求項１６又は１７のいずれかに記載の超伝導
磁石システム。 - 【請求項２０】 前記２つのシム・コイル組（Ｓi、
Ｓa）の超伝導スイッチ（ＳＷ1、ＳＷ2）が各々、前記
２つのシム・コイル組（Ｓi、Ｓa）のもう１つの超伝導
スイッチ（ＳＷ2、ＳＷ1）の加熱手段と電気的に直列に
接続された加熱手段を備えていることを特徴とする請求
項１５乃至１９のいずれかに記載の超伝導磁石システ
ム。 - 【請求項２１】 前記２つのシム・コイル組（Ｓi、
Ｓa）の超伝導スイッチ（ＳＷ1、ＳＷ2）の加熱手段が
個別に加熱可能であることを特徴とする請求項２０記載
の超伝導磁石システム。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002158108A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-05-31 | Bruker Biospin Ag | 付加的通電コイル系を有する磁石装置及びその寸法設計方法 |
| WO2004095047A1 (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-04 | Hitachi, Ltd. | 均一磁場発生装置およびそれを用いた核磁気共鳴装置 |
| JP2007059920A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Bruker Biospin Ag | 接続可能な抵抗要素を備えた超伝導磁石構造 |
| US8305173B2 (en) | 2009-05-20 | 2012-11-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Superconductive magnet |
| JP2017502751A (ja) * | 2013-12-23 | 2017-01-26 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | Ｍｒｉシステム用電磁干渉シールドコイル |
| JP2024526617A (ja) * | 2021-06-30 | 2024-07-19 | オックスフォード インストルメンツ ナノテクノロジー ツールス リミテッド | 均一磁場発生のための超伝導磁石システム |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10060284C2 (de) * | 2000-12-05 | 2003-07-17 | Bruker Biospin Ag Faellanden | Magnetanordnung mit einem aktiv abgeschirmten supraleitenden Magnetspulensytem und einem zusätzlichen Strompfad zur Streufeldunterdrückung im Quenchfall |
| US6777938B2 (en) * | 2001-11-15 | 2004-08-17 | Bruker Biospin Gmbh | NMR magnet coil system with separate superconducting short-circuited regions for drift compensation as well as method for operation thereof |
| DE10227876B4 (de) | 2002-06-22 | 2006-11-09 | Bruker Biospin Ag | Aktiv abgeschirmte, supraleitende Magnetanordnung mit verbesserter Streufeldkompensation |
| DE10227877B4 (de) * | 2002-06-22 | 2006-11-09 | Bruker Biospin Ag | Aktiv abgeschirmte, supraleitende Magnetanordnung mit einer Vorrichtung zur zusätzlichen Streufeldoptimierung |
| JP3845048B2 (ja) * | 2002-08-27 | 2006-11-15 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | 磁気共鳴撮影装置 |
| US20040095139A1 (en) * | 2002-11-19 | 2004-05-20 | Brown Mark Allen | Magnetic resonance spectroscopy |
| US7230426B2 (en) * | 2003-06-20 | 2007-06-12 | General Electric Company | Split-shield gradient coil with improved fringe-field |
| DE10331610B3 (de) * | 2003-07-12 | 2005-03-24 | Bruker Biospin Gmbh | Verfahren zur Homogenisierung eines supraleitenden NMR-Magneten |
| DE10344983B3 (de) * | 2003-09-27 | 2005-08-11 | Bruker Biospin Gmbh | Verfahren zum Laden eines aktiv abgeschirmten supraleitenden NMR-Magneten |
| US6965236B2 (en) * | 2003-11-20 | 2005-11-15 | Ge Medical Systems Global Technology Co., Llc | MRI system utilizing supplemental static field-shaping coils |
| JP4365275B2 (ja) | 2004-06-28 | 2009-11-18 | 株式会社日立製作所 | 均一磁場発生装置 |
| US6977571B1 (en) | 2004-11-08 | 2005-12-20 | General Electric Company | Secondary coil circuit for use with a multi-section protected superconductive magnet coil circuit |
| KR100635885B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2006-10-18 | 한국기초과학지원연구원 | 고균등 고자장 발생용 초전도 자석의 설계방법 |
| JP2008532681A (ja) * | 2005-03-17 | 2008-08-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 磁気共鳴用の最小エネルギーのシムコイル |
| US7098663B1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-08-29 | Timothy James Hollis | Systems, methods and apparatus of an actively shielded superconducting magnet drift compensation coil |
| US7570141B2 (en) * | 2005-12-05 | 2009-08-04 | General Electric Company | Method of designing a shim coil to reduce field settling time |
| US7642779B2 (en) * | 2007-03-22 | 2010-01-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MRI RF coil configured to decouple coil elements and MRI apparatus employing the same |
| DE102007021463B4 (de) * | 2007-05-08 | 2012-05-16 | Bruker Biospin Ag | Supraleitende Magnetanordnung mit hysteresenfreier Feldspule |
| JP4542573B2 (ja) * | 2007-08-07 | 2010-09-15 | 株式会社日立製作所 | アクティブシールド型の超電導電磁石装置および磁気共鳴イメージング装置 |
| US20090103217A1 (en) * | 2007-10-17 | 2009-04-23 | General Electric Company | System and apparatus for limiting current in a superconducting coil |
| US7427908B1 (en) * | 2007-12-21 | 2008-09-23 | Florida State University Research Foundation | Magnetic shimming configuration with optimized turn geometry and electrical circuitry |
| DE102008020107B4 (de) | 2008-04-22 | 2011-08-25 | Bruker BioSpin GmbH, 76287 | Kompakte supraleitende Magnetanordnung mit aktiver Abschirmung, wobei die Abschirmspule zur Feldformung eingesetzt wird |
| DE102009045373B4 (de) * | 2009-10-06 | 2011-12-08 | Bruker Biospin Gmbh | Kompakte supraleitende Magnetanordnung mit aktiver Abschirmung, wobei die Abschirmspule das Feldmaximum der Hauptfeldspule dämpft |
| DE102011080275B4 (de) * | 2011-08-02 | 2018-10-25 | Siemens Healthcare Gmbh | Lokalspule, insbesondere Halsspule, mit mehreren separat schaltbaren Lokalspulen- Shimspulen |
| DE102011087485B3 (de) * | 2011-11-30 | 2013-05-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Magnetresonanztomographie-Anlage, Verfahren zum Ausgleichen einer Feldinhomogenität in der Anlage und Shimspulenanordnung |
| EP3396686B1 (en) * | 2017-04-27 | 2022-03-30 | Japan Superconductor Technology, Inc. | Superconducting magnet device |
| EP3688478A4 (en) * | 2017-09-28 | 2021-06-23 | Cedars-Sinai Medical Center | MAGNETIC RESONANCE COILS FOR SIMULTANEOUS IMAGING AND B0 SHIMMING |
| CN110927642B (zh) * | 2019-12-05 | 2021-09-10 | 湖南迈太科医疗科技有限公司 | 磁共振成像的匀场控制方法、装置和系统 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4180769A (en) * | 1978-02-21 | 1979-12-25 | Varian Associates, Inc. | Superconducting solenoid with compensation for axial gradients |
| US4587504A (en) * | 1983-11-11 | 1986-05-06 | Oxford Magnet Technology Limited | Magnet assembly for use in NMR apparatus |
| JPH0779942A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-03-28 | Toshiba Corp | 磁気共鳴イメージング装置 |
| DE19525322C1 (de) * | 1995-07-12 | 1997-02-06 | Bruker Analytische Messtechnik | Therapietomograph mit Homogenisierungseinrichtung |
-
1999
- 1999-08-27 DE DE19940694A patent/DE19940694C1/de not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-08-17 EP EP00117689A patent/EP1079236B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-17 DE DE50013424T patent/DE50013424D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-23 US US09/643,933 patent/US6265960B1/en not_active Expired - Lifetime
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002158108A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-05-31 | Bruker Biospin Ag | 付加的通電コイル系を有する磁石装置及びその寸法設計方法 |
| WO2004095047A1 (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-04 | Hitachi, Ltd. | 均一磁場発生装置およびそれを用いた核磁気共鳴装置 |
| JP2004325251A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Hitachi Ltd | 均一磁場発生装置およびそれを用いた核磁気共鳴装置 |
| JP2007059920A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Bruker Biospin Ag | 接続可能な抵抗要素を備えた超伝導磁石構造 |
| US8305173B2 (en) | 2009-05-20 | 2012-11-06 | Mitsubishi Electric Corporation | Superconductive magnet |
| JP2017502751A (ja) * | 2013-12-23 | 2017-01-26 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | Ｍｒｉシステム用電磁干渉シールドコイル |
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