JP2001094349A - 携帯電話端末用電力増幅器 - Google Patents
携帯電話端末用電力増幅器Info
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- JP2001094349A JP2001094349A JP24643599A JP24643599A JP2001094349A JP 2001094349 A JP2001094349 A JP 2001094349A JP 24643599 A JP24643599 A JP 24643599A JP 24643599 A JP24643599 A JP 24643599A JP 2001094349 A JP2001094349 A JP 2001094349A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/004—Control by varying the supply voltage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
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- Transmitters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 携帯電話端末のバッテリ寿命の延命化をはか
る。 【解決手段】 携帯電話端末用電力増幅器（ＨＰＡモジ
ュール）１出荷前、電力増幅素子として使用するＦＥＴ
の静特性を計測し、不揮発性メモリ１２に、その計測し
た静特性データを書き込んで出荷する。携帯電話端末使
用時、読み出した静特性データに基づいてゲート電圧を
可変とするか、ゲート電圧を固定してドレイン電圧を可
変とするか、あるいは、ゲート電圧とドレイン電流の両
方を可変とすることにより、ＤＣバイアス電流を制御し
て通常使用時のバッテリ寿命の延命化をはかる。
る。 【解決手段】 携帯電話端末用電力増幅器（ＨＰＡモジ
ュール）１出荷前、電力増幅素子として使用するＦＥＴ
の静特性を計測し、不揮発性メモリ１２に、その計測し
た静特性データを書き込んで出荷する。携帯電話端末使
用時、読み出した静特性データに基づいてゲート電圧を
可変とするか、ゲート電圧を固定してドレイン電圧を可
変とするか、あるいは、ゲート電圧とドレイン電流の両
方を可変とすることにより、ＤＣバイアス電流を制御し
て通常使用時のバッテリ寿命の延命化をはかる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バッテリ寿命の延
命化をはかった、特に、広帯域ＣＤＭＡ（Code Divisio
n Multiple Access）携帯電話端末に用いて好適な、携
帯電話端末用電力増幅器に関する。
命化をはかった、特に、広帯域ＣＤＭＡ（Code Divisio
n Multiple Access）携帯電話端末に用いて好適な、携
帯電話端末用電力増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話端末においては、受信電力を監
視することによって基地局からの距離をモニタし、送信
電力を制御する。図３に、携帯電話端末における電力増
幅部分の構成を示す。図中、２１は電力増幅回路（ＨＰ
Ａ：High Power Amp）、２２は出力監視回路、２３は出
力制御回路（ＡＰＣ）、２４は送信アンテナである。
視することによって基地局からの距離をモニタし、送信
電力を制御する。図３に、携帯電話端末における電力増
幅部分の構成を示す。図中、２１は電力増幅回路（ＨＰ
Ａ：High Power Amp）、２２は出力監視回路、２３は出
力制御回路（ＡＰＣ）、２４は送信アンテナである。
【０００３】ところで、携帯電話端末のバッテリ寿命を
考えると、ＨＰＡ２１の電力変換効率は重要な要素とな
る。図４、図５に入出力電力特性及び消費電力を決める
電力変換効率（PAE：Power Added Efficiency）との関
係がグラフ表示されている。
考えると、ＨＰＡ２１の電力変換効率は重要な要素とな
る。図４、図５に入出力電力特性及び消費電力を決める
電力変換効率（PAE：Power Added Efficiency）との関
係がグラフ表示されている。
【０００４】例えば、ＧａＡｓ−ＦＥＴを電力増幅素子
とするＨＰＡ２１は、通常、最大送信電力付近で効率が
最大になるように設定される（図４）。ところが、通常
使用状態で最大出力を要求する状況の頻度は少ないと考
えた場合、使用頻度の高い小・中出力の電力変換効率を
向上させることが実使用状態でバッテリ寿命の延命をは
かることに非常に有効である。このために従来から種々
の提案がなされているが、ＨＰＡ３１のＤＣバイアス電
流を出力に応じて制御する（図５）ことが一般的に使用
されている。
とするＨＰＡ２１は、通常、最大送信電力付近で効率が
最大になるように設定される（図４）。ところが、通常
使用状態で最大出力を要求する状況の頻度は少ないと考
えた場合、使用頻度の高い小・中出力の電力変換効率を
向上させることが実使用状態でバッテリ寿命の延命をは
かることに非常に有効である。このために従来から種々
の提案がなされているが、ＨＰＡ３１のＤＣバイアス電
流を出力に応じて制御する（図５）ことが一般的に使用
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】通常、ＨＰＡに使用さ
れる電力増幅素子には、上述したように高い効率が得ら
れるＧａＡｓ−ＦＥＴを使用することが多いが、図６に
示すように、ドレイン電流Ｉｄを最適点に制御するため
には、素子の静特性の個体バラツキを最小にする必要が
ある。しかしながら、現状では歩留まり悪化によるコス
トアップが予想され、非常に困難が伴う。
れる電力増幅素子には、上述したように高い効率が得ら
れるＧａＡｓ−ＦＥＴを使用することが多いが、図６に
示すように、ドレイン電流Ｉｄを最適点に制御するため
には、素子の静特性の個体バラツキを最小にする必要が
ある。しかしながら、現状では歩留まり悪化によるコス
トアップが予想され、非常に困難が伴う。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、電力増幅器の平均効率を高めるには、比較的使用
頻度の高い、小・中の送信電力における電力変換効率を
高めることが鍵になることから、内蔵する電力増幅器の
電力変換効率を決めるＤＣバイアス電流を緻密に制御す
ることにより、通常使用時のバッテリ寿命の延命化をは
かった携帯電話端末用電力増幅器を提供することを目的
とする。
あり、電力増幅器の平均効率を高めるには、比較的使用
頻度の高い、小・中の送信電力における電力変換効率を
高めることが鍵になることから、内蔵する電力増幅器の
電力変換効率を決めるＤＣバイアス電流を緻密に制御す
ることにより、通常使用時のバッテリ寿命の延命化をは
かった携帯電話端末用電力増幅器を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために請求項１の携帯電話端末用電力増幅器は、電力増
幅素子として使用するトランジスタの静特性の測定デー
タが記録された不揮発性メモリを有し、該不揮発性メモ
リから読み出した静特性データを基準に、送信電力に応
じて前記電力増幅素子のＤＣバイアス電流が制御され
る。
ために請求項１の携帯電話端末用電力増幅器は、電力増
幅素子として使用するトランジスタの静特性の測定デー
タが記録された不揮発性メモリを有し、該不揮発性メモ
リから読み出した静特性データを基準に、送信電力に応
じて前記電力増幅素子のＤＣバイアス電流が制御され
る。
【０００８】請求項２の携帯電話端末用電力増幅器は、
電力増幅器と、該電力増幅器を構成するトランジスタの
静特性の測定データが記録された不揮発性メモリと、該
不揮発性メモリから読み出した静特性データを基準に、
送信電力に応じて前記トランジスタのＤＣバイアス電流
を制御されるバイアス供給回路とがワンチップに集積さ
れた。
電力増幅器と、該電力増幅器を構成するトランジスタの
静特性の測定データが記録された不揮発性メモリと、該
不揮発性メモリから読み出した静特性データを基準に、
送信電力に応じて前記トランジスタのＤＣバイアス電流
を制御されるバイアス供給回路とがワンチップに集積さ
れた。
【０００９】請求項３の携帯電話端末用電力増幅器は、
前記静特性データに基づき、ゲート電圧を可変とするこ
とによりバイアス電流を制御する。請求項４の携帯電話
端末用電力増幅器は、前記静特性データに基づき、ゲー
ト電圧を固定してドレイン電圧を可変とすることにより
ＤＣバイアス電流を制御する。請求項５の携帯電話端末
用電力増幅器は、前記静特性データに基づき、ゲート電
圧とドレイン電圧の両方を可変とすることにより、ＤＣ
バイアス電流を制御する。
前記静特性データに基づき、ゲート電圧を可変とするこ
とによりバイアス電流を制御する。請求項４の携帯電話
端末用電力増幅器は、前記静特性データに基づき、ゲー
ト電圧を固定してドレイン電圧を可変とすることにより
ＤＣバイアス電流を制御する。請求項５の携帯電話端末
用電力増幅器は、前記静特性データに基づき、ゲート電
圧とドレイン電圧の両方を可変とすることにより、ＤＣ
バイアス電流を制御する。
【００１０】上述した構成において、携帯電話端末用電
力増幅器の中に不揮発性メモリを内蔵させて１チップ集
積させ、この不揮発性メモリ中に、制御のための静特性
データを予め測定して書き込んだ上で出荷し、使用時、
そのデータを読んで電力増幅器としての個別静特性を基
準に出力制御を行うものであり、電力増幅器のバイアス
電流を緻密に制御することで、通常使用時のバッテリ寿
命の延命化をはかることができる。
力増幅器の中に不揮発性メモリを内蔵させて１チップ集
積させ、この不揮発性メモリ中に、制御のための静特性
データを予め測定して書き込んだ上で出荷し、使用時、
そのデータを読んで電力増幅器としての個別静特性を基
準に出力制御を行うものであり、電力増幅器のバイアス
電流を緻密に制御することで、通常使用時のバッテリ寿
命の延命化をはかることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本発明における携帯電話端
末用電力増幅器（以下、ＨＰＡモジュールと称する）の
実施形態を示す図である。図において、１はＨＰＡモジ
ュールであり、ＨＰＡ１１、不揮発性メモリ１２、出力
監視回路１３が１チップ集積されている。ＨＰＡ１１
は、電力増幅素子としてＧａＡｓ−ＦＥＴが使用され、
この中に後述するバイアス電流設定回路も含むものとす
る。また、不揮発性メモリ１２として、ここでは、ＥＥ
ＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read
Only Memory）が使用されるものとする。
末用電力増幅器（以下、ＨＰＡモジュールと称する）の
実施形態を示す図である。図において、１はＨＰＡモジ
ュールであり、ＨＰＡ１１、不揮発性メモリ１２、出力
監視回路１３が１チップ集積されている。ＨＰＡ１１
は、電力増幅素子としてＧａＡｓ−ＦＥＴが使用され、
この中に後述するバイアス電流設定回路も含むものとす
る。また、不揮発性メモリ１２として、ここでは、ＥＥ
ＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read
Only Memory）が使用されるものとする。
【００１２】不揮発性メモリ１２には、あらかじめＨＰ
Ａ１１として使用する素子、ＧａＡｓ−ＦＥＴの静特性
データが記録される。具体的に、ＨＰＡモジュール１出
荷前、ＨＰＡ１１に増幅素子として使用するＧａＡｓ−
ＦＥＴの静特性（図６に示すＶｇ−Ｉｄ特性）を計測
し、ＥＥＰＲＯＭとして、例えば、４ビットの素子を使
用した場合、計測した静特性（図６）を１６通りにプロ
ットしたデータを生成し、書き込んで出荷する。尚、図
中、Ｖｄ（ドレイン電圧）、Ｐｉｎ（入力電力）、Ｖｇ
（ゲート電圧）、Ｐ-monitor（電力監視）、Ｄａｔａ
（データ）、ｃｌｏｃｋ（クロック）、ＣＥ（チップイ
ネーブル）、Ｐｏｕｔ（出力電力）は、上述したＨＰＡ
１１、不揮発性メモリ１２、出力監視回路１３が１チッ
プ集積されて成るＨＰＡモジュール１の入出力端子であ
る。
Ａ１１として使用する素子、ＧａＡｓ−ＦＥＴの静特性
データが記録される。具体的に、ＨＰＡモジュール１出
荷前、ＨＰＡ１１に増幅素子として使用するＧａＡｓ−
ＦＥＴの静特性（図６に示すＶｇ−Ｉｄ特性）を計測
し、ＥＥＰＲＯＭとして、例えば、４ビットの素子を使
用した場合、計測した静特性（図６）を１６通りにプロ
ットしたデータを生成し、書き込んで出荷する。尚、図
中、Ｖｄ（ドレイン電圧）、Ｐｉｎ（入力電力）、Ｖｇ
（ゲート電圧）、Ｐ-monitor（電力監視）、Ｄａｔａ
（データ）、ｃｌｏｃｋ（クロック）、ＣＥ（チップイ
ネーブル）、Ｐｏｕｔ（出力電力）は、上述したＨＰＡ
１１、不揮発性メモリ１２、出力監視回路１３が１チッ
プ集積されて成るＨＰＡモジュール１の入出力端子であ
る。
【００１３】図２は、図１に示すＨＰＡモジュール１の
部品製造時における準備動作（ａ）と、ＨＰＡモジュー
ル１を携帯手電話端末用電力増幅器として使用した場合
の動作（ｂ）についての流れをそれぞれ概略的に示した
図である。
部品製造時における準備動作（ａ）と、ＨＰＡモジュー
ル１を携帯手電話端末用電力増幅器として使用した場合
の動作（ｂ）についての流れをそれぞれ概略的に示した
図である。
【００１４】以下、図２に示す流れ図を参照しながら、
図１に示す本発明実施形態の動作について詳細に説明す
る。ＨＰＡモジュール１に不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯ
Ｍ）１２を内蔵することは上述したとおりである。ＨＰ
Ａモジュール１出荷時に、まず、電力増幅素子として使
用するＧａＡｓ−ＦＥＴ（ＨＰＡ１１）の静特性を検査
（ステップａ１）する。そして、それを上述したように
データ化して内蔵する不揮発性メモリ１２に書き込んだ
後（ステップａ２）、出荷する（ステップａ３）。
図１に示す本発明実施形態の動作について詳細に説明す
る。ＨＰＡモジュール１に不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯ
Ｍ）１２を内蔵することは上述したとおりである。ＨＰ
Ａモジュール１出荷時に、まず、電力増幅素子として使
用するＧａＡｓ−ＦＥＴ（ＨＰＡ１１）の静特性を検査
（ステップａ１）する。そして、それを上述したように
データ化して内蔵する不揮発性メモリ１２に書き込んだ
後（ステップａ２）、出荷する（ステップａ３）。
【００１５】ＨＰＡモジュール１を携帯電話用電力増幅
器として使用するにあたり、ＨＰＡモジュール１内蔵の
不揮発性メモリ１２の内容を読み（ステップｂ１）、制
御テーブルを作成する（ステップｂ２）。そして、その
制御テーブルに設定された内容に従い出力電力の最適化
制御を行う（ステップｂ３）。
器として使用するにあたり、ＨＰＡモジュール１内蔵の
不揮発性メモリ１２の内容を読み（ステップｂ１）、制
御テーブルを作成する（ステップｂ２）。そして、その
制御テーブルに設定された内容に従い出力電力の最適化
制御を行う（ステップｂ３）。
【００１６】ここで、出力電力の最適化制御とは、Ｇａ
Ａｓ−ＦＥＴの不揮発性メモリ１２から読み出された個
別静特性データを基準に電力出力制御を行うことを意味
し、換言すれば、出力電力に応じてＨＰＡ回路１１のＤ
Ｃバイアス電流を制御することを意味する。具体的に
は、不揮発性メモリ１２には図６に示すＶｇ−Ｉｄ特性
が記録されており、これを読み出すことによって、
（１）Ｖｇを変化させてＤＣバイアス電流を制御する
か、（２）Ｖｇを固定し、Ｖｄを変化させてＤＣバイア
ス電流を制御するか、（３）（１）・（２）を併用する
か、これらのいずれかの方法により、効率を落とすこと
なく出力電力の最適化を行う。指示されたＤＣバイアス
電流は、ＨＰＡ１１中のバイアス電流設定回路を介して
出力される。バイアス電流設定回路については従来から
周知の構成を使用するものとし、ここではその詳細は述
べない。
Ａｓ−ＦＥＴの不揮発性メモリ１２から読み出された個
別静特性データを基準に電力出力制御を行うことを意味
し、換言すれば、出力電力に応じてＨＰＡ回路１１のＤ
Ｃバイアス電流を制御することを意味する。具体的に
は、不揮発性メモリ１２には図６に示すＶｇ−Ｉｄ特性
が記録されており、これを読み出すことによって、
（１）Ｖｇを変化させてＤＣバイアス電流を制御する
か、（２）Ｖｇを固定し、Ｖｄを変化させてＤＣバイア
ス電流を制御するか、（３）（１）・（２）を併用する
か、これらのいずれかの方法により、効率を落とすこと
なく出力電力の最適化を行う。指示されたＤＣバイアス
電流は、ＨＰＡ１１中のバイアス電流設定回路を介して
出力される。バイアス電流設定回路については従来から
周知の構成を使用するものとし、ここではその詳細は述
べない。
【００１７】ＨＰＡモジュール１の消費電力は、ＤＣバ
イアス電流と電源電圧の積で決まるが、従来のように、
ＤＣバイアス電流を一定にすれば出力電力が小さい場合
でもさほど変わらない電力を消費する。ＨＰＡモジュー
ル１の平均電力変換効率を高めるためには、比較的小・
中の出力電力における効率を高めることが鍵となる。従
って、効率を決めるＤＣバイアス電流を制御することと
し、ここでは出力電力が小さい場合、その出力電力に応
じてＤＣバイアス電流を小さくするように制御する。
尚、制御テーブルとして、上述した（１）〜（３）に従
い異なるデータが作成される。また、不揮発性メモリ１
２の容量を増やすにつれ、バイアス電流の緻密な制御が
なされることはいうまでもない。
イアス電流と電源電圧の積で決まるが、従来のように、
ＤＣバイアス電流を一定にすれば出力電力が小さい場合
でもさほど変わらない電力を消費する。ＨＰＡモジュー
ル１の平均電力変換効率を高めるためには、比較的小・
中の出力電力における効率を高めることが鍵となる。従
って、効率を決めるＤＣバイアス電流を制御することと
し、ここでは出力電力が小さい場合、その出力電力に応
じてＤＣバイアス電流を小さくするように制御する。
尚、制御テーブルとして、上述した（１）〜（３）に従
い異なるデータが作成される。また、不揮発性メモリ１
２の容量を増やすにつれ、バイアス電流の緻密な制御が
なされることはいうまでもない。
【００１８】尚、上述した本発明実施形態では不揮発性
メモリとして、ＥＥＰＲＯＭを使用したが、これに制限
されるものではなく、フラッシュメモリ、ＦＡＭＯＳ
（Floating Avalanche MOS）、ＳＡＭＯＳ（Stacked-ga
te Avalanche ＭＯＳ）等再書き込み可能なＲＯＭであ
ればいずれでも構わない。
メモリとして、ＥＥＰＲＯＭを使用したが、これに制限
されるものではなく、フラッシュメモリ、ＦＡＭＯＳ
（Floating Avalanche MOS）、ＳＡＭＯＳ（Stacked-ga
te Avalanche ＭＯＳ）等再書き込み可能なＲＯＭであ
ればいずれでも構わない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明のように本発明は、ＨＰＡモジ
ュールに不揮発性メモリを内蔵し、この不揮発性メモリ
中にＨＰＡ制御のための静特性データを予め測定して書
き込んで出荷し、使用時、そのデータを読んでＨＰＡの
個別静特性を基準に出力制御を行うものであり、ＨＰＡ
のＤＣバイアス電流を緻密に制御することで通常使用時
のバッテリ寿命の延命化がはかれるものである。本発明
は、特に、電力増幅器の高効率化（低消費電力化）の困
難な広帯域ＣＤＭＡ端末に使用して顕著な効果が得られ
る。
ュールに不揮発性メモリを内蔵し、この不揮発性メモリ
中にＨＰＡ制御のための静特性データを予め測定して書
き込んで出荷し、使用時、そのデータを読んでＨＰＡの
個別静特性を基準に出力制御を行うものであり、ＨＰＡ
のＤＣバイアス電流を緻密に制御することで通常使用時
のバッテリ寿命の延命化がはかれるものである。本発明
は、特に、電力増幅器の高効率化（低消費電力化）の困
難な広帯域ＣＤＭＡ端末に使用して顕著な効果が得られ
る。
【図１】 本発明における携帯電話端末用電力増幅器の
実施形態を示す図である。
実施形態を示す図である。
【図２】 本発明実施形態の動作の流れを示す図であ
る。
る。
【図３】 従来の携帯電話端末における電力増幅器（Ｈ
ＰＡ）周辺の内部構成を示す図である。
ＰＡ）周辺の内部構成を示す図である。
【図４】 ＨＰＡの入出力電力特性と電力変換効率との
関係をグラフ表示した図である。
関係をグラフ表示した図である。
【図５】 ＨＰＡの入出力電力特性と電力変換効率との
関係をグラフ表示した図である。
関係をグラフ表示した図である。
【図６】 ＨＰＡの回路素子として使用されるＧａＡｓ
−ＦＥＴの静特性データをグラフ表示した図である。
−ＦＥＴの静特性データをグラフ表示した図である。
１…ＨＰＡモジュール、１１…ＨＰＡ、１２…不揮発性
メモリ、１３…出力監視回路。
メモリ、１３…出力監視回路。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J091 AA01 AA04 AA41 AA59 CA36 FA10 FP07 HA09 HA19 KA33 KA68 SA14 TA01 TA02 5J092 AA01 AA41 AA59 CA36 FA10 HA09 HA19 KA33 KA68 SA14 TA01 TA02 VL08 5K060 BB00 CC04 CC12 DD04 HH06 HH31 JJ06 JJ08 JJ16 LL11 MM02 PP05
Claims (5)
- 【請求項１】 電力増幅素子として使用するトランジス
タの静特性の測定データが記録された不揮発性メモリを
有し、該不揮発性メモリから読み出した静特性データを
基準に、送信電力に応じて前記電力増幅素子のＤＣバイ
アス電流が制御されることを特徴とする携帯電話端末用
電力増幅器。 - 【請求項２】 電力増幅器と、該電力増幅器を構成する
トランジスタの静特性の測定データが記録された不揮発
性メモリと、該不揮発性メモリから読み出した静特性デ
ータを基準に、送信電力に応じて前記トランジスタのＤ
Ｃバイアス電流を制御されるバイアス供給回路とがワン
チップに集積されたことを特徴とする携帯電話端末用電
力増幅器。 - 【請求項３】 前記静特性データに基づき、ゲート電圧
を可変とすることによりバイアス電流を制御することを
特徴とする請求項１または２に記載の携帯電話端末用電
力増幅器。 - 【請求項４】 前記静特性データに基づき、ゲート電圧
を固定してドレイン電圧を可変とすることによりＤＣバ
イアス電流を制御することを特徴とする請求項１または
２に記載の携帯電話端末用電力増幅器。 - 【請求項５】 前記静特性データに基づき、ゲート電圧
とドレイン電圧の両方を可変とすることにより、ＤＣバ
イアス電流を制御することを特徴とする請求項１または
２に記載の携帯電話端末用電力増幅器。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24643599A JP2001094349A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | 携帯電話端末用電力増幅器 |
| KR1020000045697A KR100362573B1 (ko) | 1999-08-31 | 2000-08-07 | 휴대전화단말용 전력증폭기 |
| EP00118763A EP1081850A3 (en) | 1999-08-31 | 2000-08-30 | Power amplifying apparatus for mobile phone |
| US09/653,146 US6731916B1 (en) | 1999-08-31 | 2000-08-31 | Power amplifying apparatus for mobile phone |
| CNB001268902A CN1237712C (zh) | 1999-08-31 | 2000-08-31 | 移动电话机的功率放大器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24643599A JP2001094349A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | 携帯電話端末用電力増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001094349A true JP2001094349A (ja) | 2001-04-06 |
Family
ID=17148441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24643599A Pending JP2001094349A (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | 携帯電話端末用電力増幅器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6731916B1 (ja) |
| EP (1) | EP1081850A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001094349A (ja) |
| KR (1) | KR100362573B1 (ja) |
| CN (1) | CN1237712C (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014007576A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Japan Radio Co Ltd | 増幅装置及び増幅制御装置 |
| JP2015023561A (ja) * | 2013-07-23 | 2015-02-02 | シャープ株式会社 | 無線通信装置 |
| WO2019107264A1 (ja) * | 2017-12-01 | 2019-06-06 | 株式会社村田製作所 | 増幅装置、増幅装置の製造方法およびバイアス電流補正方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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