JP2001094158A - Ｌｅｄランプ - Google Patents
ＬｅｄランプInfo
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- JP2001094158A JP2001094158A JP27182299A JP27182299A JP2001094158A JP 2001094158 A JP2001094158 A JP 2001094158A JP 27182299 A JP27182299 A JP 27182299A JP 27182299 A JP27182299 A JP 27182299A JP 2001094158 A JP2001094158 A JP 2001094158A
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- Japan
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- conductive paste
- led lamp
- reflection
- parabola
- center
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-
- H10W72/07554—
-
- H10W72/547—
-
- H10W74/00—
-
- H10W90/736—
-
- H10W90/756—
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 リード１４の先端に反射パラボラ１８が形成
され、この反射パラボラ１８の底面の中央に凹部２４が
形成される。このような反射パラボラ１８の底面上に導
電ペースト３０が塗布される。導電ペースト３０は、凹
部２４に流れ込み、凹部２４周辺に溜まる。ＬＥＤチッ
プ３２は、凹部２４周辺に溜まった導電ペースト３０に
よって、反射パラボラ１８の底面上にダイボンディング
される。 【効果】 導電ペーストが凹部周辺に溜まるため、ＬＥ
Ｄチップを反射パラボラの底面の中央に確実にダイボン
ディングできる。
され、この反射パラボラ１８の底面の中央に凹部２４が
形成される。このような反射パラボラ１８の底面上に導
電ペースト３０が塗布される。導電ペースト３０は、凹
部２４に流れ込み、凹部２４周辺に溜まる。ＬＥＤチッ
プ３２は、凹部２４周辺に溜まった導電ペースト３０に
よって、反射パラボラ１８の底面上にダイボンディング
される。 【効果】 導電ペーストが凹部周辺に溜まるため、ＬＥ
Ｄチップを反射パラボラの底面の中央に確実にダイボン
ディングできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＬＥＤランプに関
し、特に、底面がフラットな反射皿が形成されたリード
を有し、発光素子が導電接着剤によって反射皿の底面上
にボンディングされる、ＬＥＤランプに関する。
し、特に、底面がフラットな反射皿が形成されたリード
を有し、発光素子が導電接着剤によって反射皿の底面上
にボンディングされる、ＬＥＤランプに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４に示す従来のこの種のＬＥＤランプ
１においては、リード２に形成された反射皿３に導電ペ
ースト４が塗布され、この上にＬＥＤチップ５がボンデ
ィングされていた。
１においては、リード２に形成された反射皿３に導電ペ
ースト４が塗布され、この上にＬＥＤチップ５がボンデ
ィングされていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図４従来技術
では反射皿３の底面がフラットであるため、製造工程で
リードフレームを搬送するときに導電ペーストが底面上
を移動してしまい、ボンディング時にＬＥＤチップ４を
底面の中央に確実にボンディングできないおそれがあっ
た。つまり、ボンディングの確実性を重視するとＬＥＤ
チップ５の位置が偏心し、ＬＥＤチップ５の位置を重視
すると、ボンディングの確実性が低下する。この結果、
従来技術では、ＬＥＤチップを反射皿３の中央に確実に
ボンディングできなかった。
では反射皿３の底面がフラットであるため、製造工程で
リードフレームを搬送するときに導電ペーストが底面上
を移動してしまい、ボンディング時にＬＥＤチップ４を
底面の中央に確実にボンディングできないおそれがあっ
た。つまり、ボンディングの確実性を重視するとＬＥＤ
チップ５の位置が偏心し、ＬＥＤチップ５の位置を重視
すると、ボンディングの確実性が低下する。この結果、
従来技術では、ＬＥＤチップを反射皿３の中央に確実に
ボンディングできなかった。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、底
面がフラットな反射皿の中央にＬＥＤチップを確実にボ
ンディングできる、ＬＥＤランプを提供することであ
る。
面がフラットな反射皿の中央にＬＥＤチップを確実にボ
ンディングできる、ＬＥＤランプを提供することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、底面がフラ
ットな反射皿が形成されたリードを有し、発光素子が導
電接着剤によって反射皿の底面上に装着されるＬＥＤラ
ンプにおいて、反射皿の底面の中央に凹部を形成したこ
とを特徴とする、ＬＥＤランプである。
ットな反射皿が形成されたリードを有し、発光素子が導
電接着剤によって反射皿の底面上に装着されるＬＥＤラ
ンプにおいて、反射皿の底面の中央に凹部を形成したこ
とを特徴とする、ＬＥＤランプである。
【０００６】
【作用】底面がフラットな反射皿がリードに形成され、
この反射皿の底面の中央に凹部が形成される。このよう
な形状を持つ反射皿の底面上に導電接着剤が塗布され
る。導電接着剤は、凹部に流れ込み、凹部周辺に溜ま
る。発光素子は、凹部周辺に溜まった導電接着剤によっ
て、反射皿上に装着される。
この反射皿の底面の中央に凹部が形成される。このよう
な形状を持つ反射皿の底面上に導電接着剤が塗布され
る。導電接着剤は、凹部に流れ込み、凹部周辺に溜ま
る。発光素子は、凹部周辺に溜まった導電接着剤によっ
て、反射皿上に装着される。
【０００７】凹部は、好ましくは、下方に向かうにつれ
て徐々に縮径されたテーパ側面と、テーパ側面の内方に
形成された平坦部とを含む。また、凹部の幅は発光素子
の幅よりも小さい方がよい。
て徐々に縮径されたテーパ側面と、テーパ側面の内方に
形成された平坦部とを含む。また、凹部の幅は発光素子
の幅よりも小さい方がよい。
【０００８】
【発明の効果】この発明によれば、反射皿の底面の中央
に凹部が形成されるため、導電接着剤は、凹部周辺に溜
まる。このため、発光素子を反射皿の中央に確実に装着
できる。
に凹部が形成されるため、導電接着剤は、凹部周辺に溜
まる。このため、発光素子を反射皿の中央に確実に装着
できる。
【０００９】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１０】
【実施例】図１を参照して、この実施例のＬＥＤランプ
１０は、下端が図示しない基盤に接続されたリード１２
および１４を含む。リード１４の先端には、円形かつ凹
状の反射パラボラ１８を持つ反射皿１６が形成される。
図１および図２から分かるように、反射パラボラ１８の
内壁面２２は、底面に向かうにつれて徐々に縮径となる
テーパ壁面であり、底面２０は、中央部を除いてフラッ
トに形成される。中央部には、凹部（窪み）２４が設け
られる。この窪み２４の内側面２８は孔の奥（底面）に
向かうにつれて徐々に縮径となるテーパ側面であり、底
面２６はフラットに形成される。つまり、窪み２４は、
下方に向かうにつれて徐々に縮径されたテーパ側面と、
テーパ側面の内方に形成された平坦部とからなる。
１０は、下端が図示しない基盤に接続されたリード１２
および１４を含む。リード１４の先端には、円形かつ凹
状の反射パラボラ１８を持つ反射皿１６が形成される。
図１および図２から分かるように、反射パラボラ１８の
内壁面２２は、底面に向かうにつれて徐々に縮径となる
テーパ壁面であり、底面２０は、中央部を除いてフラッ
トに形成される。中央部には、凹部（窪み）２４が設け
られる。この窪み２４の内側面２８は孔の奥（底面）に
向かうにつれて徐々に縮径となるテーパ側面であり、底
面２６はフラットに形成される。つまり、窪み２４は、
下方に向かうにつれて徐々に縮径されたテーパ側面と、
テーパ側面の内方に形成された平坦部とからなる。
【００１１】導電ペースト３０は、反射パラボラ１８の
底面の中央部つまり窪み２４に流し込まれ、窪み２４の
周辺に溜まる。このような導電ペースト３０の上に、Ｌ
ＥＤ（Light Emission Diode）チップ３２がダイボンデ
ィングされる。ＬＥＤチップ３２は、窪み２４の真上に
位置することとなる。ＬＥＤチップ２４はさらに、ワイ
ヤＷによってリード１２および１４にボンディングされ
る。そして、リード１２および１４，ＬＥＤチップ３２
およびワイヤＷが、透明のエポキシ樹脂３４によって封
止される。
底面の中央部つまり窪み２４に流し込まれ、窪み２４の
周辺に溜まる。このような導電ペースト３０の上に、Ｌ
ＥＤ（Light Emission Diode）チップ３２がダイボンデ
ィングされる。ＬＥＤチップ３２は、窪み２４の真上に
位置することとなる。ＬＥＤチップ２４はさらに、ワイ
ヤＷによってリード１２および１４にボンディングされ
る。そして、リード１２および１４，ＬＥＤチップ３２
およびワイヤＷが、透明のエポキシ樹脂３４によって封
止される。
【００１２】なお、窪み２４の深さは５０μｍ〜１００
μｍである。また、窪み２４の直径は１５０μｍ〜２０
０μｍで、ＬＥＤチップ３２の幅よりも小さい。このた
め、ＬＥＤチップ３２が窪み２４に没入することはな
い。さらに、導電ペースト３０としては、たとえば銀
（Ａｇ）が用いられる。
μｍである。また、窪み２４の直径は１５０μｍ〜２０
０μｍで、ＬＥＤチップ３２の幅よりも小さい。このた
め、ＬＥＤチップ３２が窪み２４に没入することはな
い。さらに、導電ペースト３０としては、たとえば銀
（Ａｇ）が用いられる。
【００１３】ＬＥＤチップ３２は青色光を発するチップ
であり、具体的には図３に示すように構成される。絶縁
基板であるサファイヤ基板３２ａの表面にはバッファ層
３２ｂが形成され、バッファ層３２ｂの上にはｎ型半導
体層３２ｃ，発光層３２ｄ，ｐ型半導体層３２ｅからな
る積層部３２ｆが形成される。さらに、ｎ型半導体層３
２ｃの表面にワイヤボンディング用の電極３２ｈが設け
られ、ｐ型半導体層３２ｅの表面にもワイヤボンディン
グ用の電極３２ｇが設けられる。このようなＬＥＤチッ
プ３２は、有機金属化合物気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）
によってサファイヤ基板３２ａ上に各層を形成すること
によって得られる。
であり、具体的には図３に示すように構成される。絶縁
基板であるサファイヤ基板３２ａの表面にはバッファ層
３２ｂが形成され、バッファ層３２ｂの上にはｎ型半導
体層３２ｃ，発光層３２ｄ，ｐ型半導体層３２ｅからな
る積層部３２ｆが形成される。さらに、ｎ型半導体層３
２ｃの表面にワイヤボンディング用の電極３２ｈが設け
られ、ｐ型半導体層３２ｅの表面にもワイヤボンディン
グ用の電極３２ｇが設けられる。このようなＬＥＤチッ
プ３２は、有機金属化合物気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）
によってサファイヤ基板３２ａ上に各層を形成すること
によって得られる。
【００１４】ＬＥＤランプ１０の製造工程の一例を、以
下において説明する。まず、リード１２および１４が連
結されたリードフレーム（図示せず）を準備し、リード
１４の先端に加圧成形によって反射パラボラ１８を形成
する。加圧成形に用いる金型の先端には凸部が設けられ
ており、これによって、窪み２４が反射パラボラ１８の
底面２０の中央部に形成される。続いて、反射パラボラ
１８の底面に導電ペースト３０を塗布する。このとき、
導電ペースト３０は窪み２４に流れ込み、窪み２４の周
りに溜まる。導電ペースト３０の塗布が完了すると、Ｌ
ＥＤチップ３２を導電ペースト３０の上にダイボンディ
ングし、さらにＬＥＤチップ３２とリード１２および１
４とをワイヤＷによってボンディングする。この後、鋳
型法（キャスティングモールド法）によって反射皿１６
の周辺にエポキシ樹脂３４を形成し、リードフレームか
らリード１２および１４を切断すれば、この実施例のＬ
ＥＤランプ１０が得られる。
下において説明する。まず、リード１２および１４が連
結されたリードフレーム（図示せず）を準備し、リード
１４の先端に加圧成形によって反射パラボラ１８を形成
する。加圧成形に用いる金型の先端には凸部が設けられ
ており、これによって、窪み２４が反射パラボラ１８の
底面２０の中央部に形成される。続いて、反射パラボラ
１８の底面に導電ペースト３０を塗布する。このとき、
導電ペースト３０は窪み２４に流れ込み、窪み２４の周
りに溜まる。導電ペースト３０の塗布が完了すると、Ｌ
ＥＤチップ３２を導電ペースト３０の上にダイボンディ
ングし、さらにＬＥＤチップ３２とリード１２および１
４とをワイヤＷによってボンディングする。この後、鋳
型法（キャスティングモールド法）によって反射皿１６
の周辺にエポキシ樹脂３４を形成し、リードフレームか
らリード１２および１４を切断すれば、この実施例のＬ
ＥＤランプ１０が得られる。
【００１５】この実施例によれば、反射パラボラの底面
に凹部を形成し、その凹部に導電ペーストを溜めるよう
にしたため、リードフレームを搬送するときに導電ペー
ストが底面上を移動することはない。このため、ＬＥＤ
チップは反射パラボラの中央に確実にボンディングでき
る。つまり、導電ペーストの位置が中央からずれた状態
では、ボンディングの確実性を重視するとＬＥＤチップ
の位置が偏芯し、ＬＥＤチップの位置を重視すると、ボ
ンディングの信頼性が低下する。この実施例では、反射
パラボラの底面に凹部を形成するようにしたため、導電
ペーストが底面状を移動することがなく、ＬＥＤチップ
を反射パラボラの中央に確実にボンディングできる。
に凹部を形成し、その凹部に導電ペーストを溜めるよう
にしたため、リードフレームを搬送するときに導電ペー
ストが底面上を移動することはない。このため、ＬＥＤ
チップは反射パラボラの中央に確実にボンディングでき
る。つまり、導電ペーストの位置が中央からずれた状態
では、ボンディングの確実性を重視するとＬＥＤチップ
の位置が偏芯し、ＬＥＤチップの位置を重視すると、ボ
ンディングの信頼性が低下する。この実施例では、反射
パラボラの底面に凹部を形成するようにしたため、導電
ペーストが底面状を移動することがなく、ＬＥＤチップ
を反射パラボラの中央に確実にボンディングできる。
【００１６】また、凹部を形成することによって、ＬＥ
Ｄチップの側面に這い上がる導電ペーストの量が抑制さ
れる。つまり、従来技術では反射パラボラの底面がフラ
ットであるため、ＬＥＤチップがボンディングされる
と、導電ペーストがＬＥＥＤチップの側面から大きく這
い上がっていた。これに対して、この実施例では、凹部
を形成することで導電ペーストが確実に底面の中央に溜
まるため、ＬＥＤチップの側面から這い上がる導電ペー
ストの量も少なくすることができる。この結果、光の取
り出し効率が改善され、輝度を増加させることができ
る。
Ｄチップの側面に這い上がる導電ペーストの量が抑制さ
れる。つまり、従来技術では反射パラボラの底面がフラ
ットであるため、ＬＥＤチップがボンディングされる
と、導電ペーストがＬＥＥＤチップの側面から大きく這
い上がっていた。これに対して、この実施例では、凹部
を形成することで導電ペーストが確実に底面の中央に溜
まるため、ＬＥＤチップの側面から這い上がる導電ペー
ストの量も少なくすることができる。この結果、光の取
り出し効率が改善され、輝度を増加させることができ
る。
【００１７】なお、この実施例では、反射パラボラの底
面の中央以外の部分をフラットに形成しているが、反射
パラボラを凹曲面状に形成し、中央だけ窪みを設けるよ
うにしてもよい。
面の中央以外の部分をフラットに形成しているが、反射
パラボラを凹曲面状に形成し、中央だけ窪みを設けるよ
うにしてもよい。
【図１】この発明の１実施例を示す要部断面図である。
【図２】反射皿の上面を示す図解図である。
【図３】ＬＥＤチップの１例を示す拡大断面図である。
【図４】従来技術を示す要部断面図である。
１０…ＬＥＤランプ １２，１４…リード １６…反射皿 １８…反射パラボラ ２４…凹部 ３０…導電ペースト ３２…ＬＥＤチップ ３４…エポキシ樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】底面がフラットな反射皿が形成されたリー
ドを有し、発光素子が導電接着剤によって前記反射皿の
底面上に装着されるＬＥＤランプにおいて、 前記反射皿の前記底面の中央に凹部を形成したことを特
徴とする、ＬＥＤランプ。 - 【請求項２】前記凹部は下方に向かうにつれて徐々に縮
径されたテーパ側面と前記テーパ側面の内方に形成され
た平坦部とを含む、請求項１記載のＬＥＤランプ。 - 【請求項３】前記凹部の幅は前記発光素子の幅よりも小
さい、請求項１または２記載のＬＥＤランプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27182299A JP3888810B2 (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | Ｌｅｄランプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27182299A JP3888810B2 (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | Ｌｅｄランプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001094158A true JP2001094158A (ja) | 2001-04-06 |
| JP3888810B2 JP3888810B2 (ja) | 2007-03-07 |
Family
ID=17505344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27182299A Expired - Fee Related JP3888810B2 (ja) | 1999-09-27 | 1999-09-27 | Ｌｅｄランプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3888810B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003073520A1 (fr) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Rohm Co.,Ltd. | Lampe a diode electroluminescente |
| JP2006093632A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2007110066A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法、研磨装置及び研磨システム |
| KR100844170B1 (ko) | 2003-03-14 | 2008-07-04 | 첸 충 신 | 발광 다이오드를 위한 열전도 및, 휘도 향상 구조 |
| JP2009105161A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| JP2019186493A (ja) * | 2018-04-17 | 2019-10-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-09-27 JP JP27182299A patent/JP3888810B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003073520A1 (fr) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Rohm Co.,Ltd. | Lampe a diode electroluminescente |
| US7128444B2 (en) | 2002-02-28 | 2006-10-31 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting diode lamp |
| CN100346488C (zh) * | 2002-02-28 | 2007-10-31 | 罗姆股份有限公司 | 发光二极管灯 |
| KR100844170B1 (ko) | 2003-03-14 | 2008-07-04 | 첸 충 신 | 발광 다이오드를 위한 열전도 및, 휘도 향상 구조 |
| JP2006093632A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2007110066A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法、研磨装置及び研磨システム |
| JP2009105161A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| JP2019186493A (ja) * | 2018-04-17 | 2019-10-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP7111950B2 (ja) | 2018-04-17 | 2022-08-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3888810B2 (ja) | 2007-03-07 |
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