JP2001091918A - 液晶装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 88
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000701286 Pseudomonas aeruginosa (strain ATCC 15692 / DSM 22644 / CIP 104116 / JCM 14847 / LMG 12228 / 1C / PRS 101 / PAO1) Alkanesulfonate monooxygenase Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000983349 Solanum commersonii Osmotin-like protein OSML13 Proteins 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
極及び配線を備えた液晶装置において、配線の損傷を低
減できる製造技術を提供する。 【解決手段】 第1母基板11上の保護膜15並びに張
出予定領域11Bの配線14及び接続端子150を完全
に覆うように、配向膜16が形成される。配向膜16
は、ポリイミド樹脂をフレキソ印刷法などによって印刷
し、焼成することによって形成される。配向膜16は、
基本的には液晶封入予定領域11Aに加えて張出予定領
域11Bをも完全に覆うように形成され、ラビング処理
が施される。
Description
に係り、特に、金属膜からなる反射電極及び配線を備え
た液晶装置の製造技術に関する。
液晶パネルを製造する場合には、マザーガラスなどと呼
ばれる大型の母基板の表面に複数のパネル予定領域を設
定し、このパネル予定領域毎に複数の電極及び配線を形
成し、これらの電極上に無機絶縁膜からなる保護膜を形
成した後、さらにポリイミド樹脂などからなる配向膜を
形成する。配向膜にはラビング処理が施され、液晶分子
に対する配向能が付与される。
のパネル基板の表面に反射電極を形成し、他方のパネル
基板の表面に透明電極を形成して、反射電極と透明電極
との間に所定の駆動電圧を印加するように構成する場合
が主流となっている。この場合、反射電極は、アルミニ
ウム、或いは、アルミニウムに反射率を高めるための酸
化チタンや酸化ジルコニウムなどを添加してなる合金を
素材として形成される場合が多い。
に反射電極としてアルミニウムやアルミニウムを主体と
する合金を用いた場合、反射電極とともに形成される配
線もまた同材質で形成されることになる。通常、一方の
基板が他方の基板よりも張り出してなる張出領域の表面
に上記配線が引き出され、その先端部が外部端子部とな
る。しかし、配線を構成するアルミニウムからなる金属
膜は軟らかいため、製造工程中に配線が損傷する場合が
ある。特に、反射電極上に配向膜を形成した後、配向膜
の表面にラビング処理を施す場合、配向膜によって覆わ
れていない配線にラビングによって傷が付くことがあ
る。配線に傷ができると、断線が生じたり、電圧が印加
されることによる腐食(コロージョン、電蝕)が発生し
たりしやすくなり、液晶装置の信頼性が低下する。
であり、その課題は、軟質金属からなる金属膜で構成さ
れた反射電極及び配線を備えた液晶装置において、配線
の損傷を低減できる製造技術を提供することにある。
に本発明の液晶装置の製造方法は、表面に金属膜からな
る反射電極を備えた第1基板と、該第1基板に対向する
透明な第2基板とを有し、前記第1基板と前記第2基板
との間に液晶を挟持してなる液晶装置の製造方法であっ
て、前記第1基板の表面に、前記反射電極に導電接続さ
れ、前記第1基板の張出領域上に設定された外部接続部
まで延長して外部端子部を構成する配線を前記反射電極
と同材質で形成する電極形成工程と、前記反射電極及び
前記配線を全て覆うように配向膜を形成し、該配向膜に
対してラビング処理を施す配向膜形成工程と、前記配向
膜のうち前記外部接続部を覆う部分を除去する配向膜除
去工程とを有することを特徴とする。
く、配線をも全て覆うように配向膜を形成していること
により、配向膜に対するラビング処理を行っても、ラビ
ングによる配線の損傷や異物の付着を引き起こすことが
ないので、配線の断線や電蝕の発生を低減することがで
きる。
面に金属膜からなる反射電極を備えた第1基板と、該第
1基板に対向する透明な第2基板とを有し、前記第1基
板と前記第2基板との間に液晶を挟持してなる液晶装置
の製造方法であって、前記第1基板に相当するパネル予
定領域を複数包含する第1母基板を用い、該第1母基板
の前記パネル予定領域毎に前記反射電極に導電接続さ
れ、前記第1基板の張出領域に相当する部分に設定され
た外部接続部まで延長して外部端子部を構成する配線を
前記反射電極と同材質で形成する電極形成工程と、前記
反射電極及び前記配線を全て覆うように配向膜を形成
し、該配向膜に対してラビング処理を施す配向膜形成工
程と、前記配向膜のうち前記外部接続部を覆う部分を除
去する工程とを有することを特徴とする。
ては、前記第1母基板にアライメントマークを前記反射
電極及び前記配線とともに同材質にて形成し、前記配向
膜形成工程においては、前記配向膜を前記アライメント
マークが全て覆われるように形成することが好ましい。
もに、第1母基板上にアライメントマークを形成する場
合、配向膜によってアライメントマークが全て覆われる
ように形成することにより、配向膜に対するラビング処
理を行っても、アライメントマークが損傷を受けること
がなくなるので、製造工程中における第1母基板のアラ
イメントを支障なく、且つ、より正確に行うことができ
る。
いては、前記配向膜を前記第1母基板の全表面に形成す
ることが好ましい。
全表面に形成するようにしたことによって、第1母基板
上に形成された反射電極や配線をパネル予定領域の配列
や形状如何に拘わらず、常に一定の条件で配向膜形成工
程を実施することができるから、配向膜の形成パターン
に対する配慮や準備が不要になるとともに、上記の反射
電極や配線以外の、第1母基板上に形成したアライメン
トマーク等を形成した場合には、これらの損傷をも回避
することができる。
線は、アルミニウム又はアルミニウムを主体とする合金
によって形成されることが好ましい。
アルミニウムを主体とする合金は、酸化されやすく、電
触も発生しやすく、しかも機械的損傷を受けやすく断線
しやすく、その上、温水などに溶出する特性を有するの
で、反射電極及び配線がこれらの材質で形成されている
場合には特に大きな効果を得ることができる。
に前記張出領域に対向する前記第2基板の部分を除去
し、前記張出領域を露出させる基板除去工程を有し、前
記配向膜除去工程における処理を、露出された前記張出
領域に対して施すことが好ましい。
出領域を露出させた後に基板除去工程を行うことによっ
て張出領域上の配向膜を除去するようにしたことによ
り、張出領域上の配向膜だけを特にマスク等を用いるこ
となく容易に除去することができる。この場合、酸素プ
ラズマ処理を用いたアッシング工程によって配向膜を除
去することが望ましい。
記外部端子部を避けて無機絶縁体からなる保護膜を形成
し、前記保護膜を完全に覆うように前記配向膜を形成す
ることが好ましい。この発明によれば、液晶パネルの上
下導通や不純物の液晶中への混入を防止する保護膜を、
外部端子部を避けて形成することにより、後工程におい
て外部端子部上から配向膜のみを除去すればよいため、
配向膜除去工程を容易に行うことができるとともに、配
向膜が保護膜を完全に覆うように形成されることにより
ラビング時においてラビング布などが保護膜に接触する
ことがなくなるので、ラビングムラを防止し、配向状態
を均一にすることができる。
に係る液晶装置の製造方法の実施形態について詳細に説
明する。図1は本実施形態の液晶装置の製造方法におい
て用いる第1母基板11及び第2母基板12の表面構造
を模式的に示す概略平面図(a)及び(b)である。ま
た、図2は、本実施形態の製造工程の流れを示す概略説
明図(a)〜(h)である。さらに、図3は、本実施形
態の製造工程によって形成された液晶パネル100を示
す概略断面図(a)及び張出領域を中心として示す拡大
部分平面図(b)である。この実施形態においては、図
2(a)にも示すように第1母基板11に複数のパネル
予定領域11xが設定される。
には、アルミニウムがスパッタリング法や蒸着法によっ
て被着され、フォトリソグラフィ法によってパターニン
グされることにより、各パネル予定領域11xにそれぞ
れ複数の反射電極13、配線14及び接続端子150が
形成される。複数の反射電極13は各パネル予定領域1
1xの液晶封入予定領域11A内に形成される。図示し
ないが、反射電極13はそれぞれストライプ状であり、
相互に並列するように形成されている。複数の配線14
は各パネル予定領域11xの液晶封入予定領域11Aか
ら張出予定領域11Bへと引き出されるように形成され
る。接続端子150は、張出予定領域11Bに複数並列
するように形成される。
及び配線14の一部上にSiO2、TiO2などの硬質
の無機絶縁体からなる保護膜15を、例えばフレキソ印
刷法などによってシリカスラリー液を塗布し、焼成する
ことにより形成する。この保護膜15はトップコート膜
とも呼ばれるものであり、後述する液晶パネル構造にお
いて透明電極と反射電極との間に塵埃が混入することに
よる電極間の短絡不良や基板から液晶層への不純物の溶
出を防止するためのものである。保護膜15は、張出予
定領域11Bを覆わないようなパターンであればよく、
図1(a)に示すように、図示縦方向に隣接する複数の
液晶封入予定領域11Aを一体に覆うように形成されて
いても構わない。
11Bの配線14及び接続端子150を完全に覆うよう
に、配向膜16が形成される。配向膜16は、ポリイミ
ド樹脂をフレキソ印刷法などによって印刷し、焼成する
ことによって形成される。配向膜16は、基本的には液
晶封入予定領域11Aに加えて張出予定領域11Bをも
完全に覆うように形成されればよく、例えば、図示例の
ように図示縦方向に隣接する複数のパネル予定領域11
xを一体に覆うように形成されていても構わない。ま
た、図1(a)に示すように第1母基板11の表面にア
ライメント用のアライメントマーク11aが上記反射電
極13、配線14及び接続端子150と同時に同材質に
て形成されている場合には、このアライメントマーク1
1aをも覆うように形成されることが好ましい。例え
ば、第1母基板11の全表面を覆うように形成されてい
ても構わない。この場合にはパネル予定領域の配列、位
置、寸法などによって形成パターンを変化させる必要が
なくなる。
した状態に備えたラビング布をローラの周面に貼り付け
てラビングローラを形成し、このラビングローラを回転
させ、基板表面を擦りながら移動させることにより、上
記配向膜16にラビング処理を施す。このとき、上記の
反射電極13、配線14及び接続端子150は全て保護
膜15や配向膜16によって覆われているため、ラビン
グローラによって擦られても傷が付くなどの損傷を受け
ることがない。
ついても、上記液晶封入予定領域11Aと対応した液晶
封入予定領域12Aが複数設定され、この各液晶封入予
定領域12A内に、ITO(インジウムスズ酸化物)な
どからなる透明導電体で構成される多数の透明電極17
が形成される。透明電極17はそれぞれストライプ状に
形成され、相互に並列した状態で各領域にパターニング
される。また、透明電極17の上には上記と同様の配向
膜18が形成され、上記と同様にラビング処理が施され
る。
には、図1(a)に示すようにシール材19が各液晶封
入予定領域11Aを取り囲むように形成される。このよ
うに形成された各シール材19にはそれぞれ液晶封入口
10aが形成される。第1母基板11は、図2(b)及
び(c)に示すようにシール材19を介して第2母基板
12に貼りあわされる。そして、その貼り合わせ状態が
所定の基板間ギャップ(例えば5〜10μm程度)にな
るように加圧され、この状態で、加熱若しくは光照射等
が施されてシール材19が硬化される。このようにして
図2(c)に示す母パネル10が形成される。
10を短冊状に切断(スクライブ・ブレイク)して、短
冊状パネル20にする。この短冊状パネル20にするこ
とによって、図1(a)に示すシール材19の液晶注入
口19aが露出するので、液晶注入口19aから液晶を
注入する。液晶の注入は、公知のように減圧下にて液晶
注入口19aを液晶中に浸漬するか又は液晶注入口19
aに液晶を滴下することにより、液晶注入口19aを液
晶によって閉鎖し、この状態で周囲圧力を大気圧に向け
て上昇させることにより、内外圧力差によって液晶をパ
ネル内に進入させることによって行う。そして、液晶注
入が完了すると、上記の液晶注入口19aを封止樹脂に
よって封止して液晶をシール材19の内側に閉じ込め
る。
に対して、第2母基板12の一部を図示のように切断除
去し、図2(e)に示すように第1母基板11における
上記張出予定領域11Bであった張出領域11B’を張
り出した状態に形成する。さらに、この短冊状パネル2
0を個々の液晶封入予定領域11A、12A毎に切断し
て、個々の液晶パネル100に分離する。この状態で
は、液晶パネル100の断面を示す図3(a)に示され
ているように、第1母基板11の一部である基板110
の外縁部が第2母基板12の一部である基板120の外
縁部よりも外側に張り出して張出領域11B’となって
いる。そして、この張出領域11B’の表面には上述の
ように複数の配線14が引き出され、これらを配向膜1
6が被覆している。
近傍の液晶パネル100の平面図を示す。基板110と
基板120とが相互に貼り合わされた液晶封入領域11
A’(上述の液晶封入予定領域11Aに相当する。)に
は、反射電極13に導電接続されたアルミニウムからな
る引出配線14aが張出領域11B’上へと引き出され
ている。
置されたシール材19の外側には、シール材19とほぼ
同様の樹脂剤中に導電粒子(例えば樹脂球の表面に鍍金
処理を施したもの)を分散させた上下導通材21が配置
されている。上下導通材21は、上記の第1母基板11
と第2母基板12とが貼り合わされ、加圧されたとき、
上記導電粒子によってセル厚さ方向(基板厚さ方向)に
のみ導電性を呈するように構成された異方性導電体であ
る。
る部分には、上記反射電極13とともに形成されたアル
ミニウムからなる連結配線14bの基端部が形成されて
いる。連結配線14bはこの上下導通材21と接触する
基端部から張出領域11B’上に伸びている。一方、上
下導通材21が基板120と接触する部分には、透明電
極17と一体に形成された透明導電体からなる配線17
aの先端部が形成されている。この結果、基板120の
表面に形成された透明電極17と、張出領域11B’上
の連結配線14bとは、上下導通材21を介して導電接
続されていることになる。
9自体に導電粒子を分散させ、異方性導電体として形成
することによって、上記の上下導通材21を不要にする
ことも可能である。すなわち、シール材19の一部によ
って上記の上下導通材21の役割をさせるのである。
すると、液晶パネル100全体を純水等によって洗浄す
る。この場合、例えば温水などを用いて洗浄を行って
も、液晶パネル100の張出領域11B’上の配線14
は配向膜16によって被覆されているため、配線14の
溶出や損傷を避けることができる。その後、図2(f)
に示すように、液晶パネルにO2プラズマを接触させて
アッシングを行い、張出領域11B’上に露出した配向
膜16を分解除去する。この工程は、例えば、窒素ガス
やArガスなどの不活性ガス中に酸素ガスを混ぜて高電
界を印加してプラズマ化し、このプラズマ化された活性
ガスを張出領域11B’上に吹付ける大気圧プラズマ装
置によって行われることが好ましい。
領域11B’のうち、電子部品や配線部材を導電接続す
るために必要な部分は、図示の外部接続部11Cだけで
ある。したがって、この工程において、張出領域11
B’に形成された配向膜16のすべてを除去するのでは
なく、外部接続部11Cに形成された配向膜16のみを
除去してもよい。このようにすれば、外部接続部11C
以外の部分に形成された配線14が配向膜16によって
覆われたままとなるので、配線の変質や損傷をより良好
に防止することができる。逆に、この工程において張出
領域11B’上に露出した配向膜16のすべてを除去す
るようにすれば、液晶パネル100をそのままアッシン
グ装置内等に入れて処理すれば済むので、マスク形成な
どの工程を省くことができ、取り扱いが簡単になる。
11B’上に形成された配線14に対して検査プローブ
131を接触させて電圧を印加し、検査装置130によ
って液晶パネルの点灯検査を行う。上述のように配線1
4は基板110上の反射電極13及び基板120上の透
明電極17にそれぞれ導電接続されているので、張出領
域11Bに引き出されている配線14に所定の電圧を印
加することによって、反射電極13と透明電極14との
間に挟持された液晶部分(画素領域)が所定の電界を受
け、あらかじめ設計した通りに動作するか否か(すなわ
ち点灯するか否か)を試験することができる。
ると、上記のように構成された液晶パネル100に対し
て、電子部品や配線部材を実装する。ここで、通常、電
子部品や配線部材の実装工程に先立って、液晶パネル1
00は再び洗浄される。そして、図2(h)に示すよう
に、電子部品140を張出領域11B’上に実装する。
電子部品140は例えば液晶駆動回路を内蔵した集積回
路チップであり、図3に示す外部接続部11Cにおい
て、その図示しない接続端子が配線14に導電接続され
るように実装される。例えば、配線14の端部上に異方
性導電フィルムを接着し、この異方性導電フィルムを介
して外部接続部11Cに電子部品140を熱圧着して、
異方性導電フィルムの厚さ方向にのみ導電接続する性質
を利用して電子部品140の各接続端子と、多数の配線
14とが確実に導電接続されるようにする。
子150にフレキシブル配線基板などの配線部材を導電
接続し、最後に、電子部品140や配線部材の上から張
出領域11B’上をシリコーン樹脂などによって樹脂モ
ールドする。
16によって張出領域11B’を被覆した状態で各製造
工程を順次実行し、最終的に張出領域11B’を他の部
材(電子部品や配線部材)に電気的に接続する前に、少
なくとも外部接続部11Cに形成された配向膜16を除
去した上で、実装を行う。したがって、張出領域11
B’上に形成された配線にラビング処理時などにおいて
傷が付きにくく、また異物も付着しにくくなるため、配
線の電蝕、その他の配線不良が起こりにくい。特に、配
線がアルミニウム或いはその合金によって形成されてい
る場合には電蝕が発生しやすく、酸化が起こりやすく、
傷が付きにくいために本実施形態は非常に有効である。
膜で構成される配線は60度程度の温水によっても容易
に溶解してしまう特性を有しているため、本実施形態の
ように配線が配向膜によって被覆されている状態にある
ときには、配線が溶解する危険性を考慮することなく、
洗浄作業を十分に行うことができる。
封入領域11A’に限定して形成されていることによっ
て、後工程において張出領域11B’上(或いは、外部
接続部11C上)から配向膜16のみを除去すれば足り
るので、配向膜の除去工程を容易に行うことができる。
全に覆われるように、すなわち、保護膜15の外縁部が
必ず配向膜16によって覆われているように形成されて
いるので、ラビング時にラビングローラの表面が保護膜
15に接触することがなくなる。したがって、ラビング
布の表面が保護膜15によって影響を受け、配向膜16
に対するラビングムラが発生することを防止できる。特
に、保護膜15を印刷法(例えばフレキソ印刷)によっ
て形成する場合、保護膜15の外縁部は局所的に厚く形
成されるため、従来の方法では、この外縁部によってラ
ビング布にくせが付き、ラビングムラが生ずることがあ
った。本実施形態では保護膜15の外縁部が配向膜16
によって覆われていることにより、このようなラビング
ムラによる液晶の配向状態のばらつきを低減することが
できる。
施形態においては、液晶装置の表示態様を向上させるた
めに、反射電極の表面に微細な凹凸形状を形成し、外光
が反射電極の表面である程度散乱されるように構成する
ことが好ましい。反射電極の表面が平坦な鏡面である
と、外光の正反射が視認される方位から見たときには背
景の写りこみや光源光による幻惑が視認性を悪化させ、
正反射が視認されない方位から見た場合には表示が暗く
見えてしまうからである。反射電極の表面に微細な凹凸
形状を設けた構造としては、図5(a)及び(b)に示
すものがある。
基板11の表面にフォトリソグラフィ法によってレジス
トなどからなる図示しないマスクパターンを形成し、こ
のマスクパターンを介して第1母基板11の表面を弗酸
系のエッチング液によってエッチングすることにより、
第1母基板11の表面に微細な凹部11dが複数形成さ
れ、この凹部11dの形成された第1母基板11の表面
に反射電極13を形成することによって、反射電極13
に微細な多数の凹部13bが形成されている。この場
合、第1母基板11の各パネル予定領域11xには、上
記反射電極13に導電接続された引出配線14a、連結
配線14b及び接続端子150が同時に形成されるが、
これらの引出配線14a、連結配線14b及び接続端子
150の少なくとも上下導通材、集積回路チップ、配線
部材等に対する導電接続部分(例えば図3(b)に示す
外部接続部11C)は、上記凹部11dが形成されてい
ない平坦な基板11の表面に形成され、その結果、これ
らの表面は平坦に形成される。したがって、引出配線1
4aの先端部に形成された外部端子と、ドライバICな
どの集積回路チップとの間、連結配線14bと上下導通
材21との間、或いは、接続端子150とフレキシブル
配線基板などの配線部材との間の導通接触が不安定にな
ることがなく、確実に導通をとることができる。
1の表面にフォトリソグラフィ法によってレジストから
なる凸部11eを形成し、この凸部11eの上に上記の
反射電極13を形成することによって、反射電極13の
表面に凸部13cを形成している。凸部11eは、例え
ば感光性樹脂を塗布し、露光、現像によって図示のよう
に選択的に残すようにする。この場合においても、引出
配線14a、連結配線14b及び接続端子150の少な
くとも上下導通材21、集積回路チップ、配線部材等に
対する導電接続部分(例えば図3(b)に示す外部接続
部11C)は、上記凸部11eが形成されていない平坦
な基板11の表面に形成され、その結果、これらの表面
は平坦に形成される。
の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨
を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは
勿論である。
び配線14をアルミニウムによって形成しているが、反
射電極13及び配線14をアルミニウムに酸化チタンや
酸化ジルコニウムなどを添加して可視光の光反射率を高
めた合金を用いて形成してもよい。また、反射電極13
及び配線14を構成する素材としては、銀若しくは銀を
主体とする合金を用いても構わない。
のように図2(f)に示す液晶パネル100を形成した
段階で行ってもよいが、図2(e)の短冊状パネルにお
いて張出領域を露出させた段階で行ってもよく、また、
第1母基板11に対するラビング処理が終了した直後に
行っても構わない。
反射電極ばかりでなく、配線をも全て覆うように配向膜
を形成していることにより、配向膜に対するラビング処
理を行っても、ラビングによる配線の損傷や異物の付着
を引き起こすことがないので、配線の断線や電蝕の発生
を低減することができる。したがって、液晶装置の電気
的な信頼性を向上させることができる。
用いる第1母基板及び第2母基板の平面構造を模式的に
示す概略平面図(a)及び(b)である。
(a)〜(h)である。
ネルの構造を模式的に示す概略構成断面図(a)及び張
出領域近傍の平面構造の概略を示す概略平面図(b)で
ある。
れた断面構造を示す拡大断面図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 表面に金属膜からなる反射電極を備えた
第1基板と、該第1基板に対向する透明な第2基板とを
有し、前記第1基板と前記第2基板との間に液晶を挟持
してなる液晶装置の製造方法であって、 前記第1基板の表面に、前記反射電極に導電接続され、
前記第1基板の張出領域上に設定された外部接続部まで
延長して外部端子部を構成する配線を前記反射電極と同
材質で形成する電極形成工程と、 前記反射電極及び前記配線を全て覆うように配向膜を形
成し、該配向膜に対してラビング処理を施す配向膜形成
工程と、 前記配向膜のうち前記外部接続部を覆う部分を除去する
配向膜除去工程とを有することを特徴とする液晶装置の
製造方法。 - 【請求項2】 表面に金属膜からなる反射電極を備えた
第1基板と、該第1基板に対向する透明な第2基板とを
有し、前記第1基板と前記第2基板との間に液晶を挟持
してなる液晶装置の製造方法であって、 前記第1基板に相当するパネル予定領域を複数包含する
第1母基板を用い、該第1母基板の前記パネル予定領域
毎に、前記反射電極に導電接続され、前記第1基板の張
出領域に相当する部分に設定された外部接続部まで延長
して外部端子部を構成する配線を前記反射電極と同材質
で形成する電極形成工程と、 前記反射電極及び前記配線を全て覆うように配向膜を形
成し、該配向膜に対してラビング処理を施す配向膜形成
工程と、 前記配向膜のうち前記外部接続部を覆う部分を除去する
工程とを有することを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 【請求項3】 請求項2において、前記電極形成工程に
おいては、前記第1母基板にアライメントマークを前記
反射電極及び前記配線とともに同材質にて形成し、前記
配向膜形成工程においては、前記配向膜を前記アライメ
ントマークが全て覆われるように形成することを特徴と
する液晶装置の製造方法。 - 【請求項4】 請求項2において、前記配向膜形成工程
においては、前記配向膜を前記第1母基板の全表面に形
成することを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 【請求項5】 請求項1から請求項4までのいずれか1
項において、前記反射電極及び前記配線は、アルミニウ
ム又はアルミニウムを主体とする合金によって形成され
ることを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 【請求項6】 請求項1から請求項5において、前記配
向膜形成工程の後に前記張出領域に対向する前記第2基
板の部分を除去し、前記張出領域を露出させる基板除去
工程を有し、前記配向膜除去工程における処理を、露出
された前記張出領域に対して施すことを特徴とする液晶
装置の製造方法。 - 【請求項7】 請求項1から請求項6までのいずれか1
項において、前記反射電極の表面に前記外部端子部を避
けて無機絶縁体からなる保護膜を形成し、前記保護膜を
完全に覆うように前記配向膜を形成することを特徴とす
る液晶装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26600699A JP2001091918A (ja) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | 液晶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26600699A JP2001091918A (ja) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | 液晶装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001091918A true JP2001091918A (ja) | 2001-04-06 |
Family
ID=17425070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26600699A Withdrawn JP2001091918A (ja) | 1999-09-20 | 1999-09-20 | 液晶装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001091918A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7126571B2 (en) | 2001-04-19 | 2006-10-24 | Seiko Epson Corporation | Electrode driving apparatus and electronic equipment |
| JP2006337773A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US7182877B2 (en) | 2002-12-10 | 2007-02-27 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus |
| JP2009042354A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相差制御部材とのその製造方法、およびアライメント調整方法。 |
| JP2011150265A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Seiko Instruments Inc | 液晶表示装置の製造方法 |
| US8129494B2 (en) | 2006-12-26 | 2012-03-06 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | Resin composition for printing plate |
-
1999
- 1999-09-20 JP JP26600699A patent/JP2001091918A/ja not_active Withdrawn
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| US8263730B2 (en) | 2006-12-26 | 2012-09-11 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | Resin composition for printing plate |
| EP2567995A2 (en) | 2006-12-26 | 2013-03-13 | Asahi Kasei E-materials Corporation | Resin composition for printing plate |
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