JP2001091579A - シート状コネクターおよびその製造方法、半導体装置接続装置並びに検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気的に接続されるべき半導体装置に対する
押圧荷重が小さい場合にも、十分な電気的接続状態が確
実に達成されるシート状コネクターおよびその製造方
法、半導体装置接続装置並びに検査装置を提供するこ
と。 【解決手段】 本発明のシート状コネクターは、絶縁性
シートに、その上面上に配置される半導体装置に形成さ
れた突起電極に対応する位置において、当該絶縁性シー
トの厚さ方向に貫通して伸びる貫通導電部が形成されて
なり、前記貫通導電部の上面の周縁部において、当該貫
通導電部に一体的に連続した状態で上方に突出する突出
導電部が形成されている。また、半導体装置の突起電極
が半球形の形状を有する場合において、貫通導電部の上
面および突出導電部の一部が同時に当該半球形の表面に
接することとなる状態で前記突出導電部が形成されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シート状コネクタ
ーおよびその製造方法、半導体装置接続装置並びに検査
装置に関し、更に詳しくは、例えば、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ
Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）などの電極がバンプ形状を有
する半導体装置のバーンイン試験などの電気的性能の検
査に好適に用いられるシート状コネクターおよびその製
造方法、半導体装置接続装置並びに検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、機器の小型化、高性能化に伴
い、半導体装置の電極数は増加し、その電極間のピッチ
も微細化する傾向にある。また、例えば、ＢＧＡなどの
ように一方の面に半球形状の突起電極が形成された半導
体装置は、機器に実装する場合に占有面積を小さくでき
ることからその重要性が高まってきており、これら半導
体装置の電気的動作検査などにおいて、正確かつ確実な
電気的接続が必要になってきている。

【０００３】従来、この種の半導体装置の電気的動作検
査においては、検査対象である半導体装置の下面に形成
された突起電極と、検査治具の接続電極との電気的な接
続を達成するために、当該半導体装置と検査治具との間
にシート状コネクターを介在させることが行われてい
た。かかるシート状コネクターとしては、柔軟性を有す
る絶縁性シートに、その上面上に配置される半導体装置
の突起電極に対応する位置において、当該絶縁性シート
の厚さ方向に貫通して伸びる貫通導電部が形成されてな
るものがある。

【０００４】図２１は、このようなシート状コネクター
の一例における構成を示す説明用断面図である。この例
のシート状コネクター７０は、検査対象である半導体装
置１と検査治具５との間に介在されて、当該半導体装置
１の個々の突起電極１ａと、これに対応する当該検査治
具５の接続電極５ａとを電気的に接続するものである。
このシート状コネクター７０は、絶縁性シート７１に、
半導体装置１の突起電極１ａのパターンに対応するパタ
ーンに従って、各々当該絶縁性シート７１の厚さ方向に
伸びる例えば円柱状の貫通導電部７２が形成されてなる
ものである。

【０００５】そして、このようなシート状コネクター７
０を、検査治具５の上面において、その貫通導電部７２
の下面が、当該検査治具５の接続電極５ａ上に位置する
よう配置して固定し、このシート状コネクター７０の上
面上に、半導体装置１を、その突起電極１ａが貫通導電
部７２の上面に接するよう配置し、その状態を維持した
まま半導体装置１を下方に押圧することにより、突起電
極１ａと接続電極５ａとの電気的接続が達成され、この
状態で、半導体装置１の例えばバーンイン試験などの電
気的動作検査が実施される。

【０００６】しかしながら、このようなシート状コネク
ター７０においては、半導体装置１の突起電極１ａに、
通常、高さのバラツキがあることから、すべての突起電
極１ａについて必ずしも十分な電気的接続状態を得るこ
とができず、一方、十分な電気的接続状態を得るために
当該半導体装置１を例えばバーンイン試験などの高温下
において大きな荷重で押圧すると、例えば比較的融点が
低いハンダ合金よりなる突起電極１ａが損傷または変形
してしまい、検査後の実装工程に影響を与えるおそれが
ある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な事情に基づいてなされたものであって、その目的は、
電気的に接続されるべき半導体装置に対する押圧荷重が
小さい場合にも、十分な電気的接続状態が確実に達成さ
れるシート状コネクターを提供することにある。本発明
の他の目的は、上記のようなシート状コネクターを容易
かつ確実に製造することができる方法を提供することに
ある。本発明の更に他の目的は、電気的に接続されるべ
き半導体装置に対する押圧荷重が小さい場合にも、半導
体装置の突起電極と、異方導電性シートの導電路形成部
との間に、十分な電気的接続が達成される半導体装置接
続装置を提供することにある。本発明の他の目的は、突
起電極を有する半導体装置を検査対象として、その電気
的動作検査を、高い信頼性をもって容易に実施すること
ができる検査装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明のシート状コネク
ターは、絶縁性シートに、その上面上に配置される半導
体装置の下面に形成された突起電極に対応する位置にお
いて、当該絶縁性シートの厚さ方向に貫通して伸びる貫
通導電部が形成されてなるシート状コネクターであっ
て、前記貫通導電部には、その上面の周縁部において、
当該貫通導電部に一体的に連続した状態で上方に突出す
る突出導電部が形成されていることを特徴とする。

【０００９】上記のシート状コネクターにおいて、半導
体装置の突起電極が半球形の形状を有する場合におい
て、貫通導電部の上面および突出導電部の一部が同時に
当該半球形の表面に接することとなる状態で前記突出導
電部が形成されていることが好ましい。また、上記のシ
ート状コネクターにおいては、少なくとも一つの貫通導
電部の上面の周縁部において、複数の突出導電部が互い
に周方向に離間した状態で形成されていることが好まし
い。更に、上記のシート状コネクターにおいては、突出
導電部は、角錐状もしくは角錐台状の形状を有するもの
であることが好ましい。

【００１０】本発明のシート状コネクターの製造方法
は、形成すべき突出導電部に対応する凹所の複数が成形
面に開口するよう形成された基板を用意し、この基板の
前記凹所内に金属を充填して充填金属体を形成する工程
と、この基板の成形面の上に、形成すべき貫通導電部に
対応する貫通孔を有する絶縁層を積層し、この絶縁層の
当該貫通孔内に金属を充填して前記充填金属体と一体的
に連続する柱状金属体を形成することにより、前記充填
金属体よりなる突出導電部および前記柱状金属体よりな
る貫通導電部を有するシート状コネクター複合体を形成
する工程と、このシート状コネクター複合体より前記基
板を除去する工程とを有することを特徴とする。

【００１１】上記のシート状コネクターの製造方法にお
いて、基板における凹所は、異方性エッチングにより形
成されたものであることが好ましく、この場合に、基板
は、単結晶シリコンよりなるものであることが好まし
い。

【００１２】本発明の半導体装置接続装置は、突起電極
を有する半導体装置のための電気的接続装置であって、
上記のシート状コネクターと、このシート状コネクター
の下方に配置された異方導電性シートとにより構成され
ていることを特徴とする。

【００１３】上記の半導体装置接続装置において、異方
導電性シートは、その厚さ方向に伸びる複数の導電路形
成部と、当該導電路形成部を相互に絶縁する絶縁部とよ
りなり、シート状コネクターの貫通導電部に対応した位
置に前記導電路形成部が位置するよう配置されているこ
とが好ましく、この場合に、シート状コネクターは、そ
の貫通導電部の下面が導電路形成部の上面に接した状態
で、異方導電性シートに一体的に設けられていることが
好ましい。

【００１４】本発明の検査装置は、突起電極を有する半
導体装置の電気的動作検査を行う半導体装置の検査装置
であって、当該検査装置は、請求項９乃至請求項１１の
いずれかに記載の半導体装置接続装置を備えてなること
を特徴とする。

【００１５】

【作用】本発明のシート状コネクターによれば、貫通導
電部には、その上面の周縁部において、当該貫通導電部
に一体的に連続した状態で上方に突出する突出導電部が
形成されているので、電気的に接続されるべき半導体装
置の下面に形成された突起電極の表面と接触可能な領域
が実際上三次元的に増加した状態となり、これにより、
半導体装置が下方に押圧されたときに、或る突起電極が
対応する貫通導電部の上面に接触しない状態となること
があっても、当該突起電極は突出導電部の一部に接触す
ることにより、半導体装置に対する押圧荷重が小さい場
合においても、すべての突起電極との十分な電気的接続
が確実に達成される。また、半導体装置に対する押圧荷
重が小さくてよいので、突起電極の損傷、つぶれまたは
変形などを有効に防ぐことができる。

【００１６】本発明のシート状コネクターの製造方法に
よれば、形成すべき突出導電部に対応する凹所の複数が
成形面に開口するよう形成された基板を用いることによ
り、上記のシート状コネクターを容易かつ確実に製造す
ることができる。また、基板の凹所を異方性エッチング
により形成する場合には、寸法精度およびその安定性の
高いシート状コネクターが得られる。

【００１７】本発明の半導体装置接続装置によれば、上
記のシート状コネクターを備えてなるので、半導体装置
に対する押圧荷重が小さい場合にも、その突起電極と、
異方導電性シートの導電路形成部との間に十分な電気的
接続が確実に達成され、これにより、すべての突起電極
とこれに対応する導電路形成部との接触安定性が十分に
高くなる。

【００１８】本発明の検査装置によれば、上記の半導体
装置接続装置を備えてなるので、検査対象である半導体
装置の電気的動作検査を、高い信頼性をもって容易に実
施することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明について図面を用い
て詳細に説明する。本発明のシート状コネクターは、突
起電極を有する半導体装置と、他の電気機器、例えば検
査治具との電気的接続を達成するためのものである。こ
こに、接続されるべき半導体装置は、例えば、フリップ
チップなどのベアチップＬＳＩ、ＢＧＡなどを具えたパ
ッケージＬＳＩ、複数のマルチチップモジュール（ＭＣ
Ｍ）などが搭載されたモジュール基板もしくは回路基板
などであり、特に限定されるものではない。また、半導
体装置の例えば下面から突出した突起電極の形状は、通
常、例えば、いわゆるボール形状などの半球形状、円柱
形状または角柱形状とされており、特に限定されるもの
ではないが、半球形状のものが好ましい。

【００２０】図１は、本発明のシート状コネクターの一
例における構成を示す説明用断面図であり、図２は、図
１の一部を拡大して示した説明用拡大断面図である。こ
の例においては、シート状コネクター１０を用いて、そ
れに接続される半導体装置１の電気的動作検査を行う場
合について説明する。この半導体装置１は、その下面よ
り突出するよう、格子状に配列された複数の半球形状の
例えばハンダ合金よりなる突起電極１ａが設けられたも
のである。また、検査治具５には、その上面において、
突起電極１ａのパターンに対応するパターンに従って形
成された接続電極５ａが形成されている。

【００２１】シート状コネクター１０は、検査対象であ
る半導体装置１と、検査治具５との間に介在されて、当
該半導体装置１の個々の突起電極１ａと、これに対応す
る当該検査治具５の接続電極５ａとを電気的に接続する
ものである。

【００２２】このシート状コネクター１０においては、
絶縁性シート１１に、半導体装置１の突起電極１ａのパ
ターンに対応するパターンに従って、各々当該絶縁性シ
ート１１の厚さ方向に伸びる例えば円柱状の金属よりな
る貫通導電部２０が形成されている。また、貫通導電部
２０の各々における上面２０ａは絶縁性シート１１の上
面と、また、当該貫通導電部２０の各々における下面２
０ｂは絶縁性シート１１の下面とそれぞれ同一レベルに
位置された状態である。

【００２３】図３は、上記のシート状コネクターの貫通
導電部の領域を上方からみた説明用平面図である。各貫
通導電部２０の上面２０ａの周縁部においては、当該上
面２０ａに一体的に連続した状態で上方に突出する、例
えば正四角錐状の金属よりなる突出導電部２１が２つ形
成されている。突出導電部２１の各々は、その底面の中
心が上面２０ａの周縁上に位置し、各々の一つの斜面２
１ａが互いに貫通導電部２０の中心軸２０ｃを挟んで対
向するよう形成されており、上面２０ａと、突出導電部
２１の互いに対向する斜面２１ａとが、突起電極１ａに
係る半球形の表面に同時に接するよう、選定された位置
および傾斜角度で形成されている。すなわち、上面２０
ａと、互いに対向する斜面２１ａとは、いずれも半球形
の表面における接線を含む面として形成されている。

【００２４】シート状コネクター１０の絶縁性シート１
１の材質は、柔軟性を有するシートを形成することがで
きる電気絶縁性のものであればよく、例えば、ポリイミ
ド樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリエチレ
ンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹
脂などのポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリスチ
レン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリブタジエ
ン樹脂、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンサル
ファイド、ポリアミド、ポリオキシメチレンなどの熱可
塑性樹脂、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプ
レンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリ
ロニトリル−ブタジエン共重合体ゴム、スチレン−ブタ
ジエンブロック共重合体ゴム、およびこれら共役ジエン
系重合体の水素添加物、シリコーンゴム、エチレン−プ
ロピレン共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系
ゴム、クロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴムなど
のゴムもしくはエラストマーなどが用いられる。これら
の中では、耐熱性および寸法安定性の点で熱硬化性樹脂
が好ましく、特にポリイミド樹脂が好ましい。

【００２５】また、絶縁性シート１１は、柔軟性を損な
わない範囲で、または製造上に支障がでない範囲で、例
えば、ナイロン繊維、アラミド繊維などのメッシュ状の
シート、アラミド不織布シートなどの補強用シートを含
む複合絶縁シートとしてもよい。これにより、寸法安定
性、強度が向上し、上記の多くの材質を使用することが
できる。

【００２６】貫通導電部２０および突出導電部２１を構
成する金属材料としては、ニッケル、銅、金、銀、パラ
ジウムなどを用いることができるが、強度の高い導電部
が得られる点で、ニッケルを用いることが好ましい。ま
た、導電部の酸化が防止されると共に、接触抵抗の小さ
い導電部が得られる点で、貫通導電部および突出導電部
の表面に、金、銀、パラジウムなどの金属被膜が形成さ
れていることが好ましい。

【００２７】以上のような構成のシート状コネクター１
０における各部の寸法は、半導体装置１の突起電極１ａ
の寸法などの条件によって適宜選定される。半導体装置
１の突起電極１ａの寸法は、例えば、社団法人日本電子
機械工業会規格に基づいて標準化されている。例えば、
突起電極間のピッチが５００μｍの半導体装置１の場合
には、突起電極１ａは、その最大径が３００μｍであ
り、その突出高さが２５０μｍである。また、例えば、
突起電極間のピッチが８００μｍの半導体装置１の場合
には、突起電極１ａは、その最大径が５００μｍであ
り、その突出高さが４００μｍである。

【００２８】これらに対応するシート状コネクター１０
における各部の寸法の好ましい例を挙げる。絶縁性シー
ト１１の厚さは、例えば３０〜１００μｍである。ま
た、貫通導電部２０の径は、突起電極１ａの最大径に対
する当該貫通導電部２０の径の比の値が例えば０．８〜
１．５、好ましくは０．９〜１．２となる大きさとさ
れ、当該貫通導電部２０の具体的な径は、突起電極間の
ピッチが５００μｍの半導体装置１の場合（突起電極１
ａの最大径が３００μｍの場合）には、例えば２４０〜
４５０μｍ、好ましくは２７０〜３６０μｍであり、突
起電極間のピッチが８００μｍの半導体装置１の場合
（突起電極１ａの最大径が５００μｍの場合）には、例
えば４００〜７５０μｍ、好ましくは４５０〜６００μ
ｍである。

【００２９】突起電極の最大径に対する貫通導電部の径
の比の値が過小の場合には、突起電極の位置がこれに対
応する貫通導電部の位置からずれたときに、当該突起電
極が突出導電部に確実に接触することができないおそれ
がある。また、上記の比の値が過大の場合には、半導体
装置の電極ピッチの微細化により、隣の貫通導電部との
間に短絡部分が発生しやすくなる。

【００３０】突出導電部２１の高さｈ（図２参照）は、
突起電極１ａの突出高さＨ（図２参照）に対する当該突
出導電部２１の高さｈの比（ｈ／Ｈ）の値が例えば０．
８以下、好ましくは０．２〜０．５となる大きさとさ
れ、当該突出導電部２１の具体的な高さｈは、突起電極
間のピッチが５００μｍの半導体装置１の場合（突起電
極１ａの突出高さが２５０μｍの場合）には、例えば２
５〜２００μｍ、好ましくは５０〜１２５μｍであり、
突起電極間のピッチが８００μｍの半導体装置１の場合
（突起電極１ａの突出高さが４００μｍの場合）には、
例えば４０〜３２０μｍ、好ましくは８０〜２００μｍ
である。上記の比（ｈ／Ｈ）の値が過小の場合には、シ
ート状コネクターは、突起電極と接触可能な領域を十分
に増加させることができないため、結果として、当該突
起電極と十分な電気的接続状態を達成させることができ
ないおそれがある。また、上記の比の値が過大の場合に
は、突起電極の高さのバラツキにより、当該突起電極と
十分な電気的接続状態を達成させることができないおそ
れがある。

【００３１】このようなシート状コネクター１０は、次
のようにして、半導体装置１の突起電極１ａと、これに
対応する検査治具５の接続電極５ａとの電気的な接続に
供される。図１に示したように、検査治具５の上面に、
シート状コネクター１０を、その貫通導電部２０の下面
２０ｂが対応する当該検査治具５の接続電極５ａ上に位
置するよう配置して固定する。このシート状コネクター
１０の上面上に、検査治具５と電気的に接続すべき半導
体装置１を、その突起電極１ａが対応する貫通導電部２
０上に位置するよう配置し、その状態を維持したまま半
導体装置１を検査治具５に対して下方に押圧することに
よって貫通導電部２０を挟圧することにより、図４に示
すように、貫通導電部２０の上面２０ａが突起電極１ａ
の下端頂部に接触されると共に、各突出導電部２１の対
向する斜面２１ａも、同時に突起電極１ａの表面に接触
される。その結果、当該貫通導電部２０を介して、突起
電極１ａと接続電極５ａとの電気的接続が達成され、こ
の状態で半導体装置１の所要の電気的動作検査が実施さ
れる。

【００３２】以上のような構成のシート状コネクター１
０によれば、貫通導電部２０には、その上面２０ａの周
縁部において、当該貫通導電部２０に一体的に連続した
状態で突出導電部２１が形成されており、しかも当該突
出導電部２１は、下方に押圧される半導体装置１の下面
に形成された突起電極１ａに向かって突出した状態であ
るので、当該突起電極１ａの表面と接触可能な領域が実
際上三次元的に増加した状態となり、これにより、以下
に示すような作用効果が奏される。

【００３３】突起電極１ａは、殆どの場合に、図４に示
したように、その中心軸と貫通導電部２０の中心軸２０
ｃとが一致しており、その結果、突起電極１ａの表面
は、貫通導電部２０の上面２０ａと、各突出導電部２１
の対向する斜面２１ａとに接触することができる。一
方、図４に破線で示されているように、突起電極１ｂの
中心軸が貫通導電部２０の中心軸２０ｃに一致していな
い場合、すなわち突起電極１ｂが面方向に位置ズレを起
こしている場合あるいは突起電極に高さのバラツキがあ
る場合にも、突出導電部２１は、突起電極に向かって突
出した状態であることから、当該突起電極１ｂに対し
て、いずれかの突出導電部２１の斜面もしくは稜線が接
触する可能性がきわめて大きい。以上のことから、半導
体装置１に対する押圧荷重が小さい場合にも、すべての
突起電極との十分な電気的接続状態が確実に達成され
る。更に、半導体装置１に対する押圧荷重が小さくてよ
いので、突起電極１ａの損傷、つぶれまたは変形などを
有効に防ぐことができる。

【００３４】図５は、本発明のシート状コネクターの他
の例における突出導電部を上方からみた説明用平面図で
ある。この例では、４つの正四角錐状の突出導電部２２
〜２５の各々が、貫通導電部２０の上面２０ａの周縁部
において、当該上面２０ａの中心からみて９０°づつ周
方向に離間した状態で位置され、当該突出導電部２２〜
２５の各々の一つの稜線２２ｂ〜２５ｂが貫通導電部２
０の中心軸２０ｃの方向を向くよう形成されている。

【００３５】このような構成によれば、４つの突出導電
部２２〜２５が各々、貫通導電部２０の上面２０ａの周
縁部において、その周方向に９０°づつ離間した状態で
位置されているので、電気的に接続されるべき半導体装
置の下面に形成された突起電極がいずれの方向に位置ズ
レを起こしている場合においても、当該突起電極に対し
て、いずれかの突出導電部２２〜２５の斜面もしくは稜
線が接触するようになり、また、４つの突出導電部２２
〜２５は、それら各々の一つの稜線２２ｂ〜２５ｂが貫
通導電部２０の中心軸２０ｃの方向を向くよう形成され
ているので、図６に示すように、半導体装置１を下方に
押圧したときに突起電極１ａに対して、突出導電部２２
〜２５のいずれかの稜線２２ｂ〜２５ｂが接触する可能
性がきわめて大きく、その結果、半導体装置１に対する
押圧荷重が小さくても、すべての突起電極１ａとの十分
な電気的接続がより確実に達成される。

【００３６】図７は、本発明のシート状コネクターの更
に他の例における突出導電部を上方からみた説明用平面
図である。この例では、３つの正四角錐状の突出導電部
２６〜２８の各々が、貫通導電部２０の上面２０ａの周
縁部において、当該上面２０ａの中心からみて１２０°
づつ周方向に離間した状態で位置され、１つの突出導電
部２６の一つの稜線２６ｂと、他の２つの突出導電部２
７および２８の各一つの斜面２７ａおよび２８ａとが、
貫通導電部２０の中心軸２０ｃの方向を向くよう形成さ
れている。

【００３７】このような構成によれば、３つの突出導電
部２６〜２８が各々、貫通導電部２０の上面２０ａの周
縁部において、その周方向に１２０°づつ離間した状態
で位置されているので、電気的に接続されるべき半導体
装置の下面に形成された突起電極がいずれの方向に位置
ズレを起こしている場合においても、当該突起電極に対
して、いずれかの突出導電部２６〜２８の斜面もしくは
稜線が接触するようになり、また、３つの突出導電部２
６〜２８は、１つの突出導電部２６の一つの稜線２６ｂ
と、他の２つの突出導電部２７および２８のの各一つの
斜面２７ａおよび２８ａとが貫通導電部２０の中心軸２
０ｃの方向を向くよう形成されているので、図８に示す
ように、半導体装置１を下方に押圧したときに突起電極
１ａに対して、１つの突出導電部２６の一つの稜線２６
ｂと、他の２つの突出導電部２７および２８のの各一つ
の斜面２７ａおよび２８ａとが接触する可能性がきわめ
て大きく、その結果、半導体装置１に対する押圧荷重が
小さくても、すべての突起電極１ａとの十分な電気的接
続がより確実に達成される。

【００３８】以上、本発明のシート状コネクターの構成
の一例および変形例について説明したが、本発明は上記
の構成に限定されるものではなく、種々の変更を加える
ことが可能である。例えば、本発明においては、突出導
電部の形状は四角錐に限定されるものではなく、例え
ば、四角錐以外の角錐、円錐、角錐台、円錐台または半
球状であってもよい。また、例えば、本発明において
は、貫通導電部は、その下面が絶縁性シートの下面より
も突出し、検査治具の接続電極と接触しやすい構造であ
ってもよい。

【００３９】次に、本発明のシート状コネクターの製造
方法について説明する。先ず、図９に示すように、上面
および下面に例えば二酸化珪素よりなる保護膜３０ａお
よび３０ｂが形成された、単結晶シリコンよりなる板状
の基板３０を用意し、図１０に示すように、この基板３
０の保護膜３０ａおよび３０ｂの表面上に、当該保護膜
３０ａおよび３０ｂをエッチングするためのレジスト膜
３１ａおよび３１ｂを形成する。そして、フォトリソグ
ラフィーの手法により、レジスト膜３１ａに、形成すべ
き突出導電部２１の配置パターンに対応するパターンに
従って複数の矩形の開口３２を形成する。

【００４０】次いで、図１１に示すように、レジスト膜
３１ａを介して保護膜３０ａに対するエッチングを行う
ことにより、基板３０の上面の保護膜３０ａにレジスト
膜３１ａの開口３２に連通する矩形の開口３３を形成す
る。そして、図１２に示すように、レジスト膜３１ａお
よび３１ｂを除去した後、保護膜３０ａの開口３３を介
して異方性エッチングを行うことにより、基板３０の上
面部分に逆正四角錐状の凹所３４を形成する。

【００４１】以上において、基板３０としては、シリコ
ンウエハをそのままの状態であるいは適宜の形状に加工
した状態で用いることが好ましい。これにより、当該基
板３０に異方性エッチングを行うことにより、形成され
る凹所の形状が好適なものとなり、かつ、すべての凹所
の寸法が等しいものとなる。保護膜３０ａおよび３０ｂ
をエッチングするためのエッチング液としては、フッ酸
などを用いることができる。基板３０を異方性エッチン
グするためのエッチング液としては、水酸化カリウム、
エチレンジアミンなどを用いることができる。また、基
板３０の異方性エッチングの条件、例えば処理温度、処
理時間は、エッチング液の種類、形成すべき凹所３４の
深さなどに応じて適宜設定されるが、例えば処理温度は
６０〜８５℃である。

【００４２】次に、図１３に示すように、適宜の手段に
より、基板３０の凹所３４の上面に開口部３６を有する
メッキレジスト層３５を形成し、このメッキレジスト層
３５を介してメッキ処理を行うことにより、凹所３４の
内面上に例えば金よりなる金属被膜３７を形成した上で
当該金属被膜３７上に例えばニッケルよりなる中間層３
８を形成して充填金属体を形成する。そして、この充填
金属体、すなわち中間層３８を覆うように接着用金属層
３９を形成する。

【００４３】その後、図１４に示すように、メッキレジ
スト層３５を除去した後、例えばポリイミドなどの熱硬
化性樹脂よりなる絶縁層４０を、接着用金属層３９を含
む基板３０の上面に積重して配置し、加熱処理すること
により、当該絶縁層４０を硬化させると共に、基板３０
に一体的に積層させる。この場合において、メッキレジ
スト層３５を除去した後に、接着用金属層３９に対し
て、絶縁層４０との接着強度を上げるために表面粗化処
理を施すこともできる。この表面粗化処理をする手段と
しては、例えばマイクロエッチング処理、黒化処理、ま
たは粒状結晶、針状結晶もしくは多孔質結晶を析出させ
るメッキ処理などが挙げられる。

【００４４】次に、図１５に示すように、絶縁層４０に
おいて、貫通導電部を形成すべき個所に貫通孔４１を、
接着用金属層３９の一部の上面が露出するように、例え
ばレーザー加工により形成し、その後、図１６に示すよ
うに、絶縁層４０を介してメッキ処理を行うことによ
り、当該貫通孔４１内における、接着用金属層３９を含
む基板３０上に例えば銅よりなるベース層４２を形成し
た上で当該ベース層４２上に例えばニッケルよりなる中
間層４３を形成し、更に当該中間層４３上に例えば金よ
りなる金属被膜４４を形成して柱状金属体を形成する。
これにより、当該柱状金属体と接着用金属層３９の一部
とにより貫通導電部２０が形成され、その結果、基板３
０の上面に、これと一体とされたシート状コネクター複
合体１０Ａが形成される。そして、図１７に示すよう
に、当該シート状コネクター複合体１０Ａを基板３０か
ら剥離することにより、シート状コネクター１０が得ら
れる。

【００４５】以上のような方法によれば、形成すべき突
出導電部２０に対応する凹所３４の複数が成形面に開口
するよう形成された基板３０を用いることにより、上記
のシート状コネクター１０を容易かつ確実に製造するこ
とができる。また、基板３０の凹所３４を異方性エッチ
ングにより形成することにより、好適な形状を有し、し
かも寸法精度およびその安定性の高い突出導電部２１を
有するシート状コネクター１０が得られる。

【００４６】図１８は、本発明の半導体装置接続装置の
一例における構成を示す説明用断面図である。この例の
半導体装置接続装置は、半導体装置１を検査対象とし
て、その電気的動作検査を行う場合に用いられるもので
あり、上記のシート状コネクター１０と、このシート状
コネクター１０の下方に配置された異方導電性シート５
０とにより構成されている。

【００４７】この異方導電性シート５０は、全体が厚さ
方向に電気的に導通性のものでもよいし、部分的に厚さ
方向に電気的に導通性のものでもよいが、好ましくは、
厚さ方向に伸びる複数の導電路形成部５１と、これらの
導電路形成部５１を相互に絶縁する絶縁部５２とよりな
り、導電路形成部５１は、半導体装置１の突起電極１ａ
のパターンに対応するパターンに従って配置されてい
る。すなわち、導電路形成部５１は、異方導電性シート
５０の面方向において、シート状コネクター１０の各貫
通導電部２０の下面２０ｂに対応する位置に従って配置
されている。そして、異方導電性シート５０の導電路形
成部５１には、これに対応する検査冶具５（図１参照）
の接続電極５ａが電気的に接続されている。

【００４８】異方導電性シート５０における導電路形成
部５１は、絶縁性の弾性高分子物質中に導電性粒子が厚
さ方向に並んだ状態で配向されて構成されている。従っ
て、異方導電性シート５０は、弾性高分子物質で構成さ
れた絶縁部５２中に導電性粒子が当該シートの厚さ方向
に並んだ状態で配向されて複数の導電路形成部５１が形
成され、厚さ方向に電気的に導通しており、特に、この
導電路形成部５１は、厚さ方向に加圧されて圧縮された
ときに抵抗値が減少して導電路が形成されるものである
ことが好ましい。

【００４９】また、異方導電性シート５０において、導
電路形成部５１は、図示のように、その上面および下面
が絶縁部５２の上面および下面より僅かに突出した状態
に形成されていることが好ましいが、これに限定される
ものではなく、例えば導電路形成部の上面および下面が
絶縁部の上面および下面と同一の平面上に位置するよう
配置されていてもよい。

【００５０】異方導電性シート５０の導電路形成部５１
を構成する導電性粒子としては、例えばニッケル、鉄、
コバルトなどの磁性を示す金属粒子もしくはこれらの合
金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、またはこ
れらの粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に金、銀、
パラジウム、ロジウムなどの導電性の良好な金属のメッ
キを施したもの、あるいは非磁性金属粒子もしくはガラ
スビーズなどの無機質粒子またはポリマー粒子を芯粒子
とし、当該芯粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの
導電性磁性体のメッキを施したものなどが挙げられる。
これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面
に金や銀などの導電性の良好な金属のメッキを施したも
のを用いることが好ましい。

【００５１】異方導電性シート５０の絶縁部５２を構成
する絶縁性で弾性を有する高分子物質としては、架橋構
造を有する高分子物質が好ましい。架橋構造を有する高
分子物質を得るために用いることのできる高分子物質用
材料としては、種々のものを用いることができ、その具
体例としては、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイ
ソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、ア
クリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジ
エン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン−ブタ
ジエンブロック共重合体ゴムなどのブロック共重合体ゴ
ムおよびこれらの水素添加物、シリコーンゴム、フッ素
ゴム、シリコーン変性フッ素ゴム、エチレン−プロピレ
ン共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、
クロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴムなどが挙げ
られる。以上において、成形加工性および電気特性の観
点から、シリコーンゴム、シリコーン変性フッ素ゴムを
用いることが好ましい。

【００５２】上記の異方導電性シート５０は、例えば以
下のような方法によって製造することができる。先ず、
硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質用材料中
に、導電性粒子を分散させることにより、シート形成材
料を調製する。

【００５３】シート形成材料中には、高分子物質用材料
を硬化させるための硬化触媒を含有させることができ
る。このような硬化触媒としては、有機過酸化物、脂肪
酸アゾ化合物、ヒドロシリル化触媒などを用いることが
できる。硬化触媒として用いられる有機過酸化物の具体
例としては、過酸化ベンゾイル、過酸化ビスジシクロベ
ンゾイル、過酸化ジクミル、過酸化ジターシャリーブチ
ルなどが挙げられる。硬化触媒として用いられる脂肪酸
アゾ化合物の具体例としては、アゾビスイソブチロニト
リルなどが挙げられる。ヒドロシリル化反応の触媒とし
て使用し得るものの具体例としては、塩化白金酸および
その塩、白金−不飽和基含有シロキサンコンプレック
ス、ビニルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金
と１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサンとのコン
プレックス、トリオルガノホスフィンあるいはホスファ
イトと白金とのコンプレックス、アセチルアセテート白
金キレート、環状ジエンと白金とのコンプレックスなど
の公知のものが挙げられる。硬化触媒の使用量は、高分
子物質用材料の種類、硬化触媒の種類、その他の硬化処
理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、高分子物質
用材料１００重量部に対して３〜１５重量部である。

【００５４】次いで、図１９に示すように、このシート
形成材料を金型６０内において処理することにより、シ
ート形成材料層５０Ａが形成される。この金型６０にお
いては、一方の型板６１と他方の型板６２とが平行に対
向して配置されており、これら一方の型板６１の上面お
よび他方の型板６２の下面に電磁石６３および６４が配
置されており、また一方の型板６１および他方の型板６
２の間には、目的とする異方導電性シート５０の厚さと
同等の厚さを有する枠状の板状スペーサ６５が設けられ
ている。そして、一方の型板６１においては、強磁性体
よりなる板状の基材６１ａの下面に、目的とする導電路
形成部５１の配置パターンに対掌なパターンに従って強
磁性体部分Ｍが形成され、この強磁性体部分Ｍ以外の部
分には非磁性体部分Ｎが形成されている。この非磁性体
部分Ｎの表面は、強磁性体部分Ｍの表面よりも突出した
状態に形成されている。また、他方の型板６２において
は、強磁性体よりなる板状の基材６２ａの上面に、目的
とする導電路形成部５１の配置パターンと同一のパター
ンに従って強磁性体部分Ｍが形成され、この強磁性体部
分Ｍ以外の部分には非磁性体部分Ｎが形成されている。
この非磁性体部分Ｎの表面は、強磁性体部分Ｍの表面よ
りも突出した状態に形成されている。

【００５５】一方の型板６１および他方の型板６２の各
々における強磁性体部分Ｍを構成する材料としては、
鉄、ニッケル、コバルトまたはこれらの合金などを用い
ることができる。また、一方の型板６１および他方の型
板６２の各々における非磁性体部分Ｎを構成する材料と
しては、銅などの非磁性金属、ポリイミドなどの耐熱性
樹脂などを用いることができる。

【００５６】そして、電磁石６３および６４を作動させ
ることにより、一方の型板６１の強磁性体部分Ｍからこ
れに対応する他方の型板６２の強磁性体部分Ｍに向かう
方向に平行磁場が作用する。その結果、シート形成材料
層５０Ａにおいては、当該シート形成材料層５０Ａ中に
分散されていた導電性磁性体粒子が、一方の型板６１の
強磁性体部分Ｍとこれに対応する他方の型板６２の強磁
性体部分Ｍとの間に位置する部分に集合し、更に好まし
くは当該シート形成材料層５０Ａの厚さ方向に配向す
る。そして、この状態において、シート形成材料層５０
Ａを硬化処理することにより、図２０に示すように、一
方の型板６１の強磁性体部分Ｍとこれに対応する他方の
型板６２の強磁性体部分Ｍとの間に、導電性磁性体粒子
が密に充填された導電路形成部５１が形成され、その周
囲に導電性磁性体粒子が全くあるいは殆ど存在しない絶
縁部５２が形成されて異方導電性シート５０が形成され
る。

【００５７】以上において、シート形成材料層５０Ａの
硬化処理は、平行磁場を作用させたままの状態で行うこ
ともできるが、平行磁場の作用を停止させた後に行うこ
ともできる。シート形成材料層５０Ａに作用される平行
磁場の強度は、平均で２００〜１００００ガウスとなる
大きさが好ましい。また、平行磁場を作用させる手段と
しては、電磁石の代わりに永久磁石を用いることもでき
る。このような永久磁石としては、上記の範囲の平行磁
場の強度が得られる点で、アルニコ（Ｆｅ−Ａｌ−Ｎｉ
−Ｃｏ系合金）、フェライトなどよりなるものが好まし
い。

【００５８】シート形成材料層５０Ａの硬化処理は、使
用される材料によって適宜選定されるが、通常、加熱処
理によって行われる。加熱によりシート形成材料層５０
Ａの硬化処理を行う場合には、電磁石６３および６４に
ヒーターを設ければよい。具体的な加熱温度および加熱
時間は、シート形成材料層５０Ａを構成する高分子物質
用材料などの種類、導電性磁性体粒子の移動に要する時
間などを考慮して適宜選定される。

【００５９】このような半導体装置接続装置は、次のよ
うにして、半導体装置１の突起電極１ａと、検査治具５
の上面において、当該突起電極１ａのパターンに対応す
るパターンに従って形成された接続電極５ａとの電気的
な接続に供される。図１８に示したように、検査治具５
の上面に、異方導電性シート５０を、その導電路形成部
５１の下面が対応する当該検査治具５の接続電極５ａ上
に位置するよう配置して固定し、当該異方導電性シート
５０上において、シート状コネクター１０を、その貫通
導電部２０の下面２０ｂが対応する導電路形成部５１上
に位置するよう配置して固定する。このシート状コネク
ター１０の上面上に、検査治具５と電気的に接続すべき
半導体装置１を、その突起電極１ａが対応する貫通導電
部２０上に位置するよう配置し、その状態を維持したま
ま半導体装置１を検査治具５に対して下方に押圧するこ
とによって貫通導電部２０を挟圧することにより、図４
に示すように、貫通導電部２０の上面２０ａが突起電極
１ａの下端頂部に接触されると共に、各突出導電部２１
の対向する斜面２１ａも、同時に突起電極１ａの表面に
接触される。その結果、当該貫通導電部２０および導電
路形成部５１を介して、突起電極１ａと接続電極５ａと
の電気的接続が達成され、この状態で半導体装置１の所
要の電気的動作検査が実施される。

【００６０】以上のような構成の半導体装置接続装置に
よれば、当該半導体装置接続装置を構成するシート状コ
ネクター１０には、既述のように、電気的に接続される
べき半導体装置１の下面に形成された突起電極１ａの表
面と接触可能な領域が実際上三次元的に増加した状態と
なり、これにより、半導体装置１が下方に押圧されたと
きに、突起電極１ａが対応する貫通導電部２０の上面２
０ａに接触しない状態となることがあっても、当該突起
電極１ａは突出導電部２１の対向する斜面に接触する可
能性がきわめて大きい。その結果、半導体装置１に対す
る押圧が小さくても、すべての突起電極１ａとの十分な
電気的接続状態が確実に達成され、その結果、突起電極
１ａと導電路形成部５１との接触安定性が十分に高くな
る。また、半導体装置１に対する押圧荷重が小さくてよ
いので、突起電極１ａの損傷、つぶれまたは変形などを
有効に防ぐことができる。

【００６１】本発明の検査装置は、上記の半導体装置接
続装置を備えてなり、これにより、検査対象である突起
電極１の例えばバーンイン試験などの電気的動作検査
を、高い信頼性をもって容易に実施することができる。

【００６２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のシート状
コネクターによれば、貫通導電部には、その上面の周縁
部において、当該貫通導電部に一体的に連続した状態で
上方に突出する突出導電部が形成されているので、電気
的に接続されるべき半導体装置の下面に形成された突起
電極の表面と接触可能な領域が実際上三次元的に増加し
た状態となり、これにより、半導体装置が下方に押圧さ
れたときに、或る突起電極が対応する貫通導電部の上面
に接触しない状態となることがあっても、当該突起電極
は突出導電部の一部に接触する確率がきわめて大きく、
その結果、半導体装置に対する押圧荷重が小さい場合に
おいても、すべての突起電極との十分な電気的接続が確
実に達成される。また、半導体装置に対する押圧荷重が
小さくてよいので、突起電極の損傷、つぶれまたは変形
などを有効に防ぐことができる。

【００６３】本発明のシート状コネクターの製造方法に
よれば、形成すべき突出導電部に対応する凹所の複数が
成形面に開口するよう形成された基板を用いることによ
り、上記のシート状コネクターを容易かつ確実に製造す
ることができる。また、基板の凹所を異方性エッチング
により形成する場合には、寸法精度およびその安定性の
高いシート状コネクターが得られる。

【００６４】本発明の半導体装置接続装置によれば、上
記のシート状コネクターを備えてなるので、半導体装置
に対する押圧荷重が小さい場合にも、その突起電極と、
異方導電性シートの導電路形成部との間に十分な電気的
接続が確実に達成され、これにより、すべての突起電極
とこれに対応する導電路形成部との接触安定性が十分に
高くなる。

【００６５】本発明の検査装置によれば、上記の半導体
装置接続装置を備えてなるので、検査対象である半導体
装置の例えばバーンイン試験などの電気的動作検査を、
高い信頼性をもって容易に実施することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明のシート状コネクターの一例に
おける構成を示す説明用断面図である。

【図２】図２は、図１の一部を拡大して示した説明用拡
大断面図である。

【図３】本発明のシート状コネクターの一例における貫
通導電部を上方からみた説明用平面図である。

【図４】図３に示す状態に形成された突出導電部および
貫通導電部と、突起電極との接続状態を示す説明用断面
図である。

【図５】本発明のシート状コネクターの他の例における
突出導電部を上方からみた説明用平面図である。

【図６】図５に示す状態に形成された突出導電部および
貫通導電部と、突起電極との接続状態を示す説明用断面
図である。

【図７】本発明のシート状コネクターの他の例における
突出導電部を上方からみた説明用平面図である。

【図８】図７に示す状態に形成された突出導電部および
貫通導電部と、突起電極との接続状態を示す説明用断面
図である。

【図９】両面に保護膜が形成された基板の一例における
構成を示す説明用断面図である。

【図１０】保護膜上にレジスト膜が形成された状態を示
す説明用断面図である。

【図１１】保護膜に開口が形成された状態を示す説明用
断面図である。

【図１２】基板に凹所が形成された状態を示す説明用断
面図である。

【図１３】基板の凹所にメッキ処理がなされた工程を示
す説明用断面図である。

【図１４】基板上に絶縁層が積層された工程を示す説明
用断面図である。

【図１５】絶縁層に貫通孔が形成された工程を示す説明
用断面図である。

【図１６】絶縁層の貫通孔にメッキ処理がなされた工程
を示す説明用断面図である。

【図１７】シート状コネクターを基板より剥離する工程
を示す説明用断面図である。

【図１８】本発明の半導体装置接続装置の一例における
構成を示す説明用断面図である。

【図１９】シート形成材料層に平行磁場を作用させた状
態を示す説明用断面図である。

【図２０】本発明の半導体装置接続装置を構成する異方
導電性シートが形成された状態を示す説明用断面図であ
る。

【図２１】従来のシート状コネクターの一例における構
成を示す説明用断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体装置 １ａ，１ｂ 突起電極 ５ 検査治具 ５ａ 接続電極 １０ シート状コネクター １０Ａ シート状コネクター複合体 １１ 絶縁性シート ２０ 貫通導電部 ２０ａ 上面 ２０ｂ 下面 ２０ｃ 中心軸 ２１〜２８ 突出導電部 ３０ 基板 ３０ａ，３０ｂ 保護膜 ３１ａ，３１ｂ レジスト膜 ３２ 開口 ３３ 開口 ３４ 凹所 ３５ メッキレジスト層 ３６ 開口部 ３７，４４ 金属被膜 ３８，４３ 中間層 ３９ 接着用金属層 ４０ 絶縁層 ４１ 貫通孔 ４２ ベース層 ５０ 異方導電性シート ５０Ａ シート形成材料層 ５１ 導電路形成部 ５２ 絶縁部 ６０ 金型 ６１ 一方の型板 ６２ 他方の型板 ６１ａ，６２ａ 基材 ６３，６４ 電磁石 ６５ スペーサ ７０ シート状コネクター ７１ 絶縁性シート ７２ 貫通導電部 Ｍ 強磁性体部分 Ｎ 非磁性体部分

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小久保 輝一 東京都中央区築地２丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AC01 AG03 AG07 AG08 AG12 AH05 AH07 2G011 AA01 AA15 AC06 AC14 AC31 AE22 AF07 5E051 CA03

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性シートに、その上面上に配置され
   る半導体装置の下面に形成された突起電極に対応する位
   置において、当該絶縁性シートの厚さ方向に貫通して伸
   びる貫通導電部が形成されてなるシート状コネクターで
   あって、 前記貫通導電部には、その上面の周縁部において、当該
   貫通導電部に一体的に連続した状態で上方に突出する突
   出導電部が形成されていることを特徴とするシート状コ
   ネクター。
2. 【請求項２】 半導体装置の突起電極が半球形の形状を
   有する場合において、貫通導電部の上面および突出導電
   部の一部が同時に当該半球形の表面に接することとなる
   状態で前記突出導電部が形成されていることを特徴とす
   る請求項１に記載のシート状コネクター。
3. 【請求項３】 少なくとも一つの貫通導電部の上面の周
   縁部において、複数の突出導電部が互いに周方向に離間
   した状態で形成されていることを特徴とする請求項１ま
   たは請求項２に記載のシート状コネクター。
4. 【請求項４】 突出導電部は、角錐状もしくは角錐台状
   の形状を有するものであることを特徴とする請求項１乃
   至請求項３のいずれかに記載のシート状コネクター。
5. 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
   のシート状コネクターの製造方法であって、 形成すべき突出導電部に対応する凹所の複数が成形面に
   開口するよう形成された基板を用意し、この基板の前記
   凹所内に金属を充填して充填金属体を形成する工程と、 この基板の成形面の上に、形成すべき貫通導電部に対応
   する貫通孔を有する絶縁層を積層し、この絶縁層の当該
   貫通孔内に金属を充填して前記充填金属体と一体的に連
   続する柱状金属体を形成することにより、前記充填金属
   体よりなる突出導電部および前記柱状金属体よりなる貫
   通導電部を有するシート状コネクター複合体を形成する
   工程と、 このシート状コネクター複合体より前記基板を除去する
   工程とを有することを特徴とするシート状コネクターの
   製造方法。
6. 【請求項６】 基板における凹所は、異方性エッチング
   により形成されたものであることを特徴とする請求項５
   に記載のシート状コネクターの製造方法。
7. 【請求項７】 基板は、単結晶シリコンよりなるもので
   あることを特徴とする請求項６に記載のシート状コネク
   ターの製造方法。
8. 【請求項８】 突起電極を有する半導体装置のための電
   気的接続装置であって、 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のシート状コネ
   クターと、このシート状コネクターの下方に配置された
   異方導電性シートとにより構成されていることを特徴と
   する半導体装置接続装置。
9. 【請求項９】 異方導電性シートは、その厚さ方向に伸
   びる複数の導電路形成部と、当該導電路形成部を相互に
   絶縁する絶縁部とよりなり、シート状コネクターの貫通
   導電部に対応した位置に前記導電路形成部が位置するよ
   う配置されていることを特徴とする請求項８に記載の半
   導体装置接続装置。
10. 【請求項１０】 シート状コネクターは、その貫通導電
    部の下面が導電路形成部の上面に接した状態で、異方導
    電性シートに一体的に設けられていることを特徴とする
    請求項９に記載の半導体装置接続装置。
11. 【請求項１１】 突起電極を有する半導体装置の電気的
    動作検査を行う半導体装置の検査装置であって、当該検
    査装置は、請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載の
    半導体装置接続装置を備えてなることを特徴とする検査
    装置。