JP2001083344A - アレイ導波路回折格子型光素子 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の様に別付けの薄型ヒータやペルチェを
必要とせず、薄型で簡易な一体構造のアレイ導波路回折
格子型光素子を提供する。 【解決手段】 基板１１上に、入力導波路１２、入力側
スラブ導波路１３、アレイ導波路部１４、出力側スラブ
導波路１５、出力導波路１６が形成され、波長多重信号
光を波長により合波および／または分波するアレイ導波
路回折格子型光素子において、温度制御手段２２を一体
に形成してなることを特徴とする。
必要とせず、薄型で簡易な一体構造のアレイ導波路回折
格子型光素子を提供する。 【解決手段】 基板１１上に、入力導波路１２、入力側
スラブ導波路１３、アレイ導波路部１４、出力側スラブ
導波路１５、出力導波路１６が形成され、波長多重信号
光を波長により合波および／または分波するアレイ導波
路回折格子型光素子において、温度制御手段２２を一体
に形成してなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、波長多重光伝送シ
ステムを構築するためのキーデバイスとして好適に用い
られ、波長多重信号光を波長により合波・分波すること
が可能なアレイ導波路回折格子型光素子に関するもので
ある。
ステムを構築するためのキーデバイスとして好適に用い
られ、波長多重信号光を波長により合波・分波すること
が可能なアレイ導波路回折格子型光素子に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、光波アドレスネットワークや光ス
イッチングシステム等の波長多重光伝送システムを構築
するためのキーデバイスとして、波長多重信号光を波長
により合波・分波するアレイ導波路回折格子型光素子が
知られている。図３は、従来のアレイ導波路回折格子型
光素子で用いられていた温度制御方法を示す斜視図であ
り、図において、符号１はアレイ導波路回折格子型光素
子、２は金属板、３は温度制御用部品、４はヒートシン
ク、５、６はファイバアレイ、７は光ファイバ心線、８
は光ファイバテープ心線である。
イッチングシステム等の波長多重光伝送システムを構築
するためのキーデバイスとして、波長多重信号光を波長
により合波・分波するアレイ導波路回折格子型光素子が
知られている。図３は、従来のアレイ導波路回折格子型
光素子で用いられていた温度制御方法を示す斜視図であ
り、図において、符号１はアレイ導波路回折格子型光素
子、２は金属板、３は温度制御用部品、４はヒートシン
ク、５、６はファイバアレイ、７は光ファイバ心線、８
は光ファイバテープ心線である。
【０００３】アレイ導波路回折格子型光素子１は、導波
路基板１１上に、入力導波路１２、入力側スラブ導波路
１３、導波路長差が△Ｌずつ異なるアレイ導波路部１
４、凹面型の出力側スラブ導波路１５、Ｎ個の出力導波
路１６が形成されたもので、入力導波路１２から入射す
る波長λ1、λ2、…、λnの波長多重信号光を、Ｎ個の
波長の信号光に分離し、各波長に対応する出力導波路１
６から出射させることができる。温度制御用部品３は、
ペルチェ、薄型ヒータ等が用いられている。
路基板１１上に、入力導波路１２、入力側スラブ導波路
１３、導波路長差が△Ｌずつ異なるアレイ導波路部１
４、凹面型の出力側スラブ導波路１５、Ｎ個の出力導波
路１６が形成されたもので、入力導波路１２から入射す
る波長λ1、λ2、…、λnの波長多重信号光を、Ｎ個の
波長の信号光に分離し、各波長に対応する出力導波路１
６から出射させることができる。温度制御用部品３は、
ペルチェ、薄型ヒータ等が用いられている。
【０００４】このアレイ導波路回折格子型光素子の動作
原理を、分波を例に説明する。入力導波路１２に入射さ
れた波長多重信号光は、入力側スラブ導波路１３で回折
によってアレイ導波路部１４に等位相に分配され、導波
路長差が△Ｌずつ異なるアレイ導波路部１４を伝搬する
ことにより、光の位相差を生じ、出力側スラブ導波路１
５内で多光束干渉を生じ、各波長に対応する出力導波路
１６に集光させることで分波される。
原理を、分波を例に説明する。入力導波路１２に入射さ
れた波長多重信号光は、入力側スラブ導波路１３で回折
によってアレイ導波路部１４に等位相に分配され、導波
路長差が△Ｌずつ異なるアレイ導波路部１４を伝搬する
ことにより、光の位相差を生じ、出力側スラブ導波路１
５内で多光束干渉を生じ、各波長に対応する出力導波路
１６に集光させることで分波される。
【０００５】このアレイ導波路回折格子型光素子におい
ては、それぞれの出力導波路１６に出力され波長分波さ
れた信号光は、最低損失となる中心波長を有し、この中
心波長を所望の波長に合わせるためには、アレイ導波路
部１４の位相差を一定に制御する必要がある。光伝搬が
行われるコアは、石英を主成分としており、その屈折率
は温度依存性を有する。このために、中心波長を所望の
波長に合わせるためには、アレイ導波路部１４の温度を
正確に一定に保持する必要がある。
ては、それぞれの出力導波路１６に出力され波長分波さ
れた信号光は、最低損失となる中心波長を有し、この中
心波長を所望の波長に合わせるためには、アレイ導波路
部１４の位相差を一定に制御する必要がある。光伝搬が
行われるコアは、石英を主成分としており、その屈折率
は温度依存性を有する。このために、中心波長を所望の
波長に合わせるためには、アレイ導波路部１４の温度を
正確に一定に保持する必要がある。
【０００６】そこで、各出力導波路１６の中心波長を所
望の波長に制御するために、従来のアレイ導波路回折格
子型光素子では、温度を一定に制御するための温度制御
用部品３を、金属板２を介して導波路基板１１の裏面に
接触させることにより、アレイ導波路部１４の温度を一
定に保持する構成としている。この温度制御用部品３
は、制御温度の高さにより、薄型ヒータまたはペルチェ
が適宜用いられている。一般的には、使用環境温度以上
の８０℃程度で中心波長が所望の波長に合うように光回
路を設計した場合は薄型ヒータを用い、使用環境温度の
中間で制御できるように光回路を設計した場合はペルチ
ェを用いている。
望の波長に制御するために、従来のアレイ導波路回折格
子型光素子では、温度を一定に制御するための温度制御
用部品３を、金属板２を介して導波路基板１１の裏面に
接触させることにより、アレイ導波路部１４の温度を一
定に保持する構成としている。この温度制御用部品３
は、制御温度の高さにより、薄型ヒータまたはペルチェ
が適宜用いられている。一般的には、使用環境温度以上
の８０℃程度で中心波長が所望の波長に合うように光回
路を設計した場合は薄型ヒータを用い、使用環境温度の
中間で制御できるように光回路を設計した場合はペルチ
ェを用いている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のアレ
イ導波路回折格子型光素子では、温度を一定に制御する
ための温度制御用部品３を、金属板２を介して導波路基
板１１の裏面に接触させることにより、アレイ導波路部
１４の温度を一定に保持する構成としたので、アレイ導
波路部１４の温度制御用として、別部品である温度制御
用部品３が別途必要となるため、モジュールの薄型化が
困難、複数の部品を組合せて光モジュールとしているた
め振動や衝撃に対して弱く、組立工数がかさみ製造コス
トが増加する要因になる、等の問題点があった。
イ導波路回折格子型光素子では、温度を一定に制御する
ための温度制御用部品３を、金属板２を介して導波路基
板１１の裏面に接触させることにより、アレイ導波路部
１４の温度を一定に保持する構成としたので、アレイ導
波路部１４の温度制御用として、別部品である温度制御
用部品３が別途必要となるため、モジュールの薄型化が
困難、複数の部品を組合せて光モジュールとしているた
め振動や衝撃に対して弱く、組立工数がかさみ製造コス
トが増加する要因になる、等の問題点があった。
【０００８】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、従来の様に別付けの薄型ヒータやペルチェ
を必要とせず、薄型で簡易な一体構造のアレイ導波路回
折格子型光素子を提供することを目的とする。
のであって、従来の様に別付けの薄型ヒータやペルチェ
を必要とせず、薄型で簡易な一体構造のアレイ導波路回
折格子型光素子を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、次の様なアレイ導波路回折格子型光素子
を提供する。すなわち、請求項１記載のアレイ導波路回
折格子型光素子は、基板上に、入力導波路、入力側スラ
ブ導波路、アレイ導波路部、出力側スラブ導波路、出力
導波路が形成され、波長多重信号光を波長により合波お
よび／または分波するアレイ導波路回折格子型光素子に
おいて、温度制御手段を一体に形成してなることを特徴
としている。
に、本発明は、次の様なアレイ導波路回折格子型光素子
を提供する。すなわち、請求項１記載のアレイ導波路回
折格子型光素子は、基板上に、入力導波路、入力側スラ
ブ導波路、アレイ導波路部、出力側スラブ導波路、出力
導波路が形成され、波長多重信号光を波長により合波お
よび／または分波するアレイ導波路回折格子型光素子に
おいて、温度制御手段を一体に形成してなることを特徴
としている。
【００１０】請求項２記載のアレイ導波路回折格子型光
素子は、請求項１記載のアレイ導波路回折格子型光素子
において、前記温度制御手段を前記アレイ導波路部上に
形成してなることを特徴としている。
素子は、請求項１記載のアレイ導波路回折格子型光素子
において、前記温度制御手段を前記アレイ導波路部上に
形成してなることを特徴としている。
【００１１】請求項３記載のアレイ導波路回折格子型光
素子は、請求項１または２記載のアレイ導波路回折格子
型光素子において、前記温度制御手段を薄膜ヒータとし
たことを特徴としている。
素子は、請求項１または２記載のアレイ導波路回折格子
型光素子において、前記温度制御手段を薄膜ヒータとし
たことを特徴としている。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明のアレイ導波路回折格子型
光素子の一実施形態について図面に基づき説明する。図
１は本発明の一実施形態のアレイ導波路回折格子型光素
子を示す斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う断面図で
あり、図において、符号２１はアレイ導波路回折格子型
光素子、２２はアレイ導波路部１４を覆う様にその上層
に形成された金属製の薄膜ヒータ、２３、２４は導波路
の側面に伸びる電気供給用のパッド、２５は温度検出器
である。
光素子の一実施形態について図面に基づき説明する。図
１は本発明の一実施形態のアレイ導波路回折格子型光素
子を示す斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う断面図で
あり、図において、符号２１はアレイ導波路回折格子型
光素子、２２はアレイ導波路部１４を覆う様にその上層
に形成された金属製の薄膜ヒータ、２３、２４は導波路
の側面に伸びる電気供給用のパッド、２５は温度検出器
である。
【００１３】薄膜ヒータ２２部分の断面構造は、導波路
基板１１上に、下層クラッド３１、アレイ導波路部１４
のコア３２、上層クラッド３３が順次堆積され、コア３
２の上方の上層クラッド３３上に蛇行状の金属製の薄膜
ヒータ２２が形成されている。さらに、薄膜ヒータ２２
の上面を覆う形で保護層３４が形成され、保護層３４上
に温度検出器２５が形成されている。
基板１１上に、下層クラッド３１、アレイ導波路部１４
のコア３２、上層クラッド３３が順次堆積され、コア３
２の上方の上層クラッド３３上に蛇行状の金属製の薄膜
ヒータ２２が形成されている。さらに、薄膜ヒータ２２
の上面を覆う形で保護層３４が形成され、保護層３４上
に温度検出器２５が形成されている。
【００１４】この薄膜ヒータ２２に形成された電流供給
用のパッド２３、２４には保護層３４が形成されておら
ず、上面が剥き出しになっている。そして、このパッド
２３、２４にワイヤボンディング等を行うことで薄膜ヒ
ータ２２に電流を供給できるようになっている。
用のパッド２３、２４には保護層３４が形成されておら
ず、上面が剥き出しになっている。そして、このパッド
２３、２４にワイヤボンディング等を行うことで薄膜ヒ
ータ２２に電流を供給できるようになっている。
【００１５】導波路基板１１は、シリコン（Ｓｉ）、石
英（ＳｉＯ2）等の無機物質、またはポリイミド等の耐
熱性のある有機樹脂が用いられ、下層クラッド３１及び
上層クラッド３３は石英系のガラス、またはポリイミド
等の有機樹脂が用いられ、コア３２は石英系のガラスに
Ｇｅ等を拡散して高屈折率としたもの、または赤外光の
透過性が高い有機樹脂が用いられる。また、薄膜ヒータ
２２は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）等
の金属で形成されており、保護層３４はガラスやポリイ
ミド等の有機樹脂で形成されている。
英（ＳｉＯ2）等の無機物質、またはポリイミド等の耐
熱性のある有機樹脂が用いられ、下層クラッド３１及び
上層クラッド３３は石英系のガラス、またはポリイミド
等の有機樹脂が用いられ、コア３２は石英系のガラスに
Ｇｅ等を拡散して高屈折率としたもの、または赤外光の
透過性が高い有機樹脂が用いられる。また、薄膜ヒータ
２２は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）等
の金属で形成されており、保護層３４はガラスやポリイ
ミド等の有機樹脂で形成されている。
【００１６】下層クラッド３１、上層クラッド３３及び
コア３２は、石英系導波路の場合、ＣＶＤ、ＦＨＤ(火
炎堆積法)、ＥＢ蒸着等を用いて形成される。薄膜ヒー
タ２２は蒸着により形成される。特に、成膜を常圧ＣＶ
Ｄで行った場合は、低温での蒸着が可能なため、導波路
基板１１に反りが少なく、薄膜ヒータ２２が蒸着し易い
上、それを覆う保護膜３４も同一成膜方法で形成可能と
なるメリットがある。また、ポリイミド系導波路の場
合、スピンコート法で形成可能である。さらに、導波路
基板１１は、ＩｎＰ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で構
成することも可能である。
コア３２は、石英系導波路の場合、ＣＶＤ、ＦＨＤ(火
炎堆積法)、ＥＢ蒸着等を用いて形成される。薄膜ヒー
タ２２は蒸着により形成される。特に、成膜を常圧ＣＶ
Ｄで行った場合は、低温での蒸着が可能なため、導波路
基板１１に反りが少なく、薄膜ヒータ２２が蒸着し易い
上、それを覆う保護膜３４も同一成膜方法で形成可能と
なるメリットがある。また、ポリイミド系導波路の場
合、スピンコート法で形成可能である。さらに、導波路
基板１１は、ＩｎＰ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体で構
成することも可能である。
【００１７】次に、このアレイ導波路回折格子型光素子
の動作について説明する。薄膜ヒータ２２には、ワイヤ
ボンディング等が施されたパッド２３、２４を介して電
流が供給される。この電流により、薄膜ヒータ２２はア
レイ導波路部１４全体を加熱することになる。図２に示
すように、電流供給された薄膜ヒータ２２はアレイ導波
路部１４のコア３２を直接加熱することになる。これに
より、加熱ロスが少ない構造になっている。
の動作について説明する。薄膜ヒータ２２には、ワイヤ
ボンディング等が施されたパッド２３、２４を介して電
流が供給される。この電流により、薄膜ヒータ２２はア
レイ導波路部１４全体を加熱することになる。図２に示
すように、電流供給された薄膜ヒータ２２はアレイ導波
路部１４のコア３２を直接加熱することになる。これに
より、加熱ロスが少ない構造になっている。
【００１８】この時、アレイ導波路部１４の温度を検出
する温度検出器１５により、アレイ導波路部１４の温度
を常時モニタしておけば、フィードバック回路（図示せ
ず）によりアレイ導波路部１４の温度を一定に制御する
ことができる。これにより、アレイ導波路部１４の位相
差△Ｌが常に一定に保たれるので、各出力導波路１６の
中心波長を一定に保つことができる。なお、アレイ導波
路部１４の設定温度は、モジュールの使用環境温度範囲
以上の温度、例えば、６５℃以上、一般的には７０〜８
０℃程度としている。
する温度検出器１５により、アレイ導波路部１４の温度
を常時モニタしておけば、フィードバック回路（図示せ
ず）によりアレイ導波路部１４の温度を一定に制御する
ことができる。これにより、アレイ導波路部１４の位相
差△Ｌが常に一定に保たれるので、各出力導波路１６の
中心波長を一定に保つことができる。なお、アレイ導波
路部１４の設定温度は、モジュールの使用環境温度範囲
以上の温度、例えば、６５℃以上、一般的には７０〜８
０℃程度としている。
【００１９】本実施形態のアレイ導波路回折格子型光素
子によれば、従来の薄型ヒータやペルチェ等の様な温度
制御用の別部品が不必要となるために、導波路基板の厚
み程度の高さ以内で構成することができ、モジュールの
薄型化を図ることができる。また、光導波路の上層クラ
ッド３３上に薄膜ヒータ２２を形成し、この薄膜ヒータ
２２で温度制御する構成としたので、別部品を必要とせ
ずに一体成形が可能となり、外部からの振動や衝撃の影
響を受け難い構造とすることができる。
子によれば、従来の薄型ヒータやペルチェ等の様な温度
制御用の別部品が不必要となるために、導波路基板の厚
み程度の高さ以内で構成することができ、モジュールの
薄型化を図ることができる。また、光導波路の上層クラ
ッド３３上に薄膜ヒータ２２を形成し、この薄膜ヒータ
２２で温度制御する構成としたので、別部品を必要とせ
ずに一体成形が可能となり、外部からの振動や衝撃の影
響を受け難い構造とすることができる。
【００２０】また、従来の様な温度制御用部品との組立
工程が不必要となるので、モジュールの組立を容易に行
うことができる。また、薄膜ヒータ２２によりアレイ導
波路部１４を直接温度制御しているので、信号光の波長
補整及び波長制御を容易に行うことができる。
工程が不必要となるので、モジュールの組立を容易に行
うことができる。また、薄膜ヒータ２２によりアレイ導
波路部１４を直接温度制御しているので、信号光の波長
補整及び波長制御を容易に行うことができる。
【００２１】また、薄膜ヒータ２２によりアレイ導波路
部１４のコア３２を直接温度制御することにより、加熱
ロスが少なく、かつ局所的な加熱を効果的に行うことが
できる。また、薄膜ヒータ２２が上層クラッド３３と保
護層３４により閉じこめられた構造であるので、外気温
の影響を受け難くい構造とすることができる。したがっ
て、低消費電力で動作するアレイ導波路回折格子型光素
子を実現することができる。
部１４のコア３２を直接温度制御することにより、加熱
ロスが少なく、かつ局所的な加熱を効果的に行うことが
できる。また、薄膜ヒータ２２が上層クラッド３３と保
護層３４により閉じこめられた構造であるので、外気温
の影響を受け難くい構造とすることができる。したがっ
て、低消費電力で動作するアレイ導波路回折格子型光素
子を実現することができる。
【００２２】また、薄膜ヒータ２２によりアレイ導波路
部１４を直接温度制御する構成としたので、外部からの
影響を受け難い。また、アレイ導波路部１４を局所加熱
しているので、ファイバアレイ固定部等の信頼性に影響
する箇所への加熱を防止することができ、信頼性が高い
アレイ導波路回折格子型光素子を実現することができ
る。また、形成が容易な薄膜ヒータ２２を用いたので、
従来の様な別付けの薄型ヒータやペルチェが不必要とな
り、容易にかつ安価にアレイ導波路部１４を直接温度制
御する構成とすることができる。
部１４を直接温度制御する構成としたので、外部からの
影響を受け難い。また、アレイ導波路部１４を局所加熱
しているので、ファイバアレイ固定部等の信頼性に影響
する箇所への加熱を防止することができ、信頼性が高い
アレイ導波路回折格子型光素子を実現することができ
る。また、形成が容易な薄膜ヒータ２２を用いたので、
従来の様な別付けの薄型ヒータやペルチェが不必要とな
り、容易にかつ安価にアレイ導波路部１４を直接温度制
御する構成とすることができる。
【００２３】以上、本発明のアレイ導波路回折格子型光
素子の一実施形態について図面に基づき説明してきた
が、具体的な構成は上記実施形態に限定されるものでは
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計の変更等が
可能である。例えば、本実施形態では、薄膜ヒータ２２
の形状を、コア３２を覆う蛇行状としたが、蛇行状以外
の形状であってもよい。また、入力導波路１２とＮ個の
出力導波路１６を設けた構成としたが、Ｍ個の入力導波
路１２とＮ個の出力導波路１６（Ｍ≠ＮまたはＭ＝Ｎ）
を設けたアレイ導波路回折格子型光合分波器としても良
い。
素子の一実施形態について図面に基づき説明してきた
が、具体的な構成は上記実施形態に限定されるものでは
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計の変更等が
可能である。例えば、本実施形態では、薄膜ヒータ２２
の形状を、コア３２を覆う蛇行状としたが、蛇行状以外
の形状であってもよい。また、入力導波路１２とＮ個の
出力導波路１６を設けた構成としたが、Ｍ個の入力導波
路１２とＮ個の出力導波路１６（Ｍ≠ＮまたはＭ＝Ｎ）
を設けたアレイ導波路回折格子型光合分波器としても良
い。
【００２４】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明のアレイ導波
路回折格子型光素子によれば、波長多重信号光を波長に
より合波および／または分波するアレイ導波路回折格子
型光素子に、温度制御手段を一体に形成したので、次の
様な効果を奏することができる。 （１）温度制御用の別部品を必要としないため、導波路
基板の高さで構成可能なため、モジュールを薄型化する
ことができる。 （２）光導波路上に蒸着した薄膜ヒータで温度制御する
構成とし、別部品を必要とせず一体成形が可能なため、
振動や衝撃に影響を受け難い構造とすることができる。
路回折格子型光素子によれば、波長多重信号光を波長に
より合波および／または分波するアレイ導波路回折格子
型光素子に、温度制御手段を一体に形成したので、次の
様な効果を奏することができる。 （１）温度制御用の別部品を必要としないため、導波路
基板の高さで構成可能なため、モジュールを薄型化する
ことができる。 （２）光導波路上に蒸着した薄膜ヒータで温度制御する
構成とし、別部品を必要とせず一体成形が可能なため、
振動や衝撃に影響を受け難い構造とすることができる。
【００２５】（３）温度制御用部品との組立工程を必要
としないため、モジュールの組立が容易である。 （４）薄膜ヒータによりアレイ導波路部を直に温度制御
しているため、波長補正及び波長制御が容易である。 （５）薄膜ヒータによりアレイ導波路部のコアを直に温
度制御しており、加熱ロスが少なく、局所的な加熱で実
現可能なため、さらに薄膜ヒータは上層クラッドと保護
層により閉じこめられた構造であるため、外気温の影響
を受け難く、低消費電力が可能である。
としないため、モジュールの組立が容易である。 （４）薄膜ヒータによりアレイ導波路部を直に温度制御
しているため、波長補正及び波長制御が容易である。 （５）薄膜ヒータによりアレイ導波路部のコアを直に温
度制御しており、加熱ロスが少なく、局所的な加熱で実
現可能なため、さらに薄膜ヒータは上層クラッドと保護
層により閉じこめられた構造であるため、外気温の影響
を受け難く、低消費電力が可能である。
【００２６】（６）光導波路上に蒸着した薄膜ヒータに
て、直にアレイ導波路部を温度制御する構成としている
ため、外部からの影響を受け難く、また、アレイ導波路
部を局所加熱しているため、ファイバアレイ固定部等の
信頼性に影響する箇所への加熱が防がれるため、信頼性
が高い。 （７）別付けのヒータやペルチェを必要とせず、形成が
容易な薄膜ヒータで構成しているため、容易にかつ安価
に構成できる。以上により、薄型で簡易な一体構造のア
レイ導波路回折格子型光素子を提供することができる。
て、直にアレイ導波路部を温度制御する構成としている
ため、外部からの影響を受け難く、また、アレイ導波路
部を局所加熱しているため、ファイバアレイ固定部等の
信頼性に影響する箇所への加熱が防がれるため、信頼性
が高い。 （７）別付けのヒータやペルチェを必要とせず、形成が
容易な薄膜ヒータで構成しているため、容易にかつ安価
に構成できる。以上により、薄型で簡易な一体構造のア
レイ導波路回折格子型光素子を提供することができる。
【図１】 本発明の一実施形態のアレイ導波路回折格子
型光素子を示す斜視図である。
型光素子を示す斜視図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】 従来のアレイ導波路回折格子型光素子で用い
られていた温度制御方法を示す斜視図である。
られていた温度制御方法を示す斜視図である。
１ アレイ導波路回折格子型光素子 ２ 金属板 ３ 温度制御用部品 ４ ヒートシンク ５、６ ファイバアレイ ７ 光ファイバ心線 ８ 光ファイバテープ心線 １１ 導波路基板 １２ 入力導波路 １３ 入力側スラブ導波路 １４ アレイ導波路部 １５ 出力側スラブ導波路 １６ 出力導波路 ２１ アレイ導波路回折格子型光素子 ２２ 薄膜ヒータ ２３、２４ パッド ２５ 温度検出器 ３１ 下層クラッド ３２ コア ３３ 上層クラッド ３４ 保護層
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に、入力導波路、入力側スラブ導
波路、アレイ導波路部、出力側スラブ導波路、出力導波
路が形成され、波長多重信号光を波長により合波および
／または分波するアレイ導波路回折格子型光素子におい
て、 温度制御手段を一体に形成してなることを特徴とするア
レイ導波路回折格子型光素子。 - 【請求項２】 前記温度制御手段を前記アレイ導波路部
上に形成してなることを特徴とする請求項１記載のアレ
イ導波路回折格子型光素子。 - 【請求項３】 前記温度制御手段を薄膜ヒータとしたこ
とを特徴とする請求項１または２記載のアレイ導波路回
折格子型光素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25803299A JP2001083344A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | アレイ導波路回折格子型光素子 |
| US09/656,753 US6498878B1 (en) | 1999-09-10 | 2000-09-07 | Arrayed waveguide grating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25803299A JP2001083344A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | アレイ導波路回折格子型光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001083344A true JP2001083344A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17314599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25803299A Pending JP2001083344A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | アレイ導波路回折格子型光素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6498878B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001083344A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6757452B2 (en) | 2001-07-21 | 2004-06-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated heat transfer device for PLC module |
| JP2009522595A (ja) * | 2005-12-29 | 2009-06-11 | ネオフォトニクス・コーポレイション | 光学部品の熱制御 |
| JP2010281947A (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Nec Corp | 光導波路デバイス |
| JP2012002916A (ja) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路フィルム |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6485638B2 (en) * | 1999-11-15 | 2002-11-26 | Melvyn L. Henkin | Electric powered automatic swimming pool cleaning system |
| JP4460031B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2010-05-12 | 古河電気工業株式会社 | アレイ導波路型回折格子 |
| JP2003051786A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Fujitsu Ltd | 波長多重光伝送装置 |
| US7116851B2 (en) * | 2001-10-09 | 2006-10-03 | Infinera Corporation | Optical signal receiver, an associated photonic integrated circuit (RxPIC), and method improving performance |
| WO2003083537A1 (fr) * | 2002-04-02 | 2003-10-09 | Sumiden Opcom,Ltd. | Regulateur de temperature et multiplexeur/demultiplexeur en longueur d'onde optique de type a reseaux de guides d'ondes |
| US8260428B2 (en) * | 2003-05-01 | 2012-09-04 | California Institute Of Technology | Method and system for training a visual prosthesis |
| US20040264834A1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-12-30 | Mcintyre Thomas J. | Feedback controlled photonic frequency selection circuit |
| US7447393B2 (en) * | 2004-01-16 | 2008-11-04 | Neophotonics Corporation | Thermal control of optical components |
| US7331722B2 (en) * | 2004-05-05 | 2008-02-19 | Avago Technologies Fiber Ip Pte Ltd | Optical module for housing an optical component |
| US7792403B1 (en) | 2005-09-08 | 2010-09-07 | Infinera Corporation | Adiabatic polarization converter |
| US7382953B1 (en) * | 2007-02-09 | 2008-06-03 | Gemfire Corporation | Folded AWG architecture |
| US7565041B2 (en) * | 2007-10-26 | 2009-07-21 | Infinera Corporation | Symmetric optical circuit with integrated polarization rotator |
| CN103558657B (zh) * | 2013-11-15 | 2016-06-22 | 四川飞阳科技有限公司 | 阵列波导光栅 |
| WO2019080039A1 (en) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | Shenzhen Genorivision Technology Co. Ltd. | LIGHT SCANNER |
| CN108828713B (zh) * | 2018-06-20 | 2020-06-02 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种无热阵列波导光栅模块及宽温补偿方法 |
| US11536899B2 (en) * | 2020-06-30 | 2022-12-27 | Openlight Photonics, Inc. | Integrated bandgap temperature sensor |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6470703A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Hitachi Ltd | Waveguide type optical multiplexer and demultiplexer |
| JP3053294B2 (ja) * | 1992-05-18 | 2000-06-19 | 日本電信電話株式会社 | 光合分波器 |
| DE69523104T2 (de) * | 1994-02-11 | 2002-06-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven | Phasengekoppelte optische vorrichtung |
| JPH07333446A (ja) | 1994-06-06 | 1995-12-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光合分波器 |
| JPH10509536A (ja) * | 1995-09-20 | 1998-09-14 | フィリップス、エレクトロニクス、ネムローゼ、フェンノートシャップ | 偏光コンバータを含む光学的集積回路 |
| US5745612A (en) * | 1995-12-18 | 1998-04-28 | International Business Machines Corporation | Wavelength sorter and its application to planarized dynamic wavelength routing |
| US6229938B1 (en) * | 1999-02-01 | 2001-05-08 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | WDM filter |
| US6236774B1 (en) * | 1999-03-22 | 2001-05-22 | Gemfire Corporation | Optoelectronic and photonic devices formed of materials which inhibit degradation and failure |
-
1999
- 1999-09-10 JP JP25803299A patent/JP2001083344A/ja active Pending
-
2000
- 2000-09-07 US US09/656,753 patent/US6498878B1/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US6757452B2 (en) | 2001-07-21 | 2004-06-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated heat transfer device for PLC module |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6498878B1 (en) | 2002-12-24 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030527 |
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