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JP2001083101A - 光学的パターン検査装置 - Google Patents

光学的パターン検査装置

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Publication number
JP2001083101A
JP2001083101A JP26304999A JP26304999A JP2001083101A JP 2001083101 A JP2001083101 A JP 2001083101A JP 26304999 A JP26304999 A JP 26304999A JP 26304999 A JP26304999 A JP 26304999A JP 2001083101 A JP2001083101 A JP 2001083101A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
wavelength
pattern
optical
optical system
Prior art date
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Pending
Application number
JP26304999A
Other languages
English (en)
Inventor
Toyokazu Nakamura
豊一 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 光学系の軽量化を図って高精度の位置合わせ
を容易に行い得るようにし、検査装置全体の小型化、軽
量化を実現した検査装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハWに形成された2つのダイ
(パターン)D1,D2のうち、第1のダイD1に対し
て第1の光源24からの波長光を照射しかつその反射光
を集光する第1の対物レンズ21と、第2のダイD2に
対して第1の波長光とは異なる第2の光源25からの波
長光を照射しかつその反射光を集光する第2の対物レン
ズ22と、第1及び第2の対物レンズからの光を結像す
るための結像レンズ23と、第1及び第2の波長光を分
離する波長選択ユニット31と、分離された第1及び第
2の各波長光をそれぞれ受光する第1及び第2の光検出
器32,33とを備える。第1の対物レンズ21または
第2の対物レンズ22のいずれか一方を他方に対して相
対移動可能とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はパターンを持つ製品
の欠陥を検査する装置に関し、例えば、半導体ウェハに
形成された微細なパターンを光学的に検査するための検
査装置に適用して好適な光学的パターン検査装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェハに形成される多数個のダイ
のそれぞれのパターンを検査する手法として、個々のダ
イのパターンを光学的に検出し、その検出したパターン
を予め記憶している設計パターンと比較することにより
結果を検査する手法がある。また、他の手法として、同
一に形成されるべき各ダイのパターンをそれぞれ光学的
に検出し、これらのパターンを比較して両者の一致を見
ることで、パターンの欠陥を検査する手法がある。前者
の手法では、設計パターンを記憶する記憶装置が必要で
あり、設備が大型かつ高価格になる。この点、後者の手
法では構成が簡易でかつ低価格になるという利点があ
る。このような、後者手法を用いた検査装置として、従
来から種々の技術が提案されており、例えば、特開昭6
3−136541号公報、特開昭59−173736号
公報などに記載の技術が提案されている。
【0003】図3はこのような従来の検査装置の概念構
成を示す図であり、表面に多数個のダイ(パターン)、
図示では2つのダイD1,D2が形成された被検査対象
である半導体ウェハWをXYステージ110上に載置す
るとともに、前記XYステージ101の上側には2つの
独立した検査光学系121,122を備える2視野光学
的検査装置120が配置される。この2視野光学的検査
装置120では、前記2つの検査光学系121,122
のそれぞれにおいて前記半導体ウェハWに形成された2
つの異なるダイD1,D2のパターンをCCD等の光検
出器に対して光学的に結像し、かつこれら光検出器で得
られた検出信号を相互に対照することで、両ダイのパタ
ーンの一致を検査し、その結果によりパターンの欠陥を
検査する。ここで、前記2つの検査光学系121,12
2においてそれぞれのダイD1,D2の同一形状のパタ
ーンを検出するために、両検査光学系121,122の
位置合わせを行う必要があり、したがって2視野光学的
検査装置120には、図示は省略するが、少なくとも一
方の検査光学系、ここでは第2の検査光学系122を同
図に矢印で示すようにX方向あるいはY方向に移動して
両検査光学系121,122を相互に位置合わせするた
めの位置調整機構が設けられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の2
視野光学的検査装置では、2つの検査光学系121,1
22の少なくとも一方を位置合わせするための位置調整
機構が必要であるが、これらの検査光学系はそれぞれ結
像光学要素として対物レンズ123,124と結合レン
ズ125,126を有しており、また結像したパターン
を電気信号に変換するための光検出器127,128を
有しており、各検査光学系121,122の全長は概略
数十センチと長く、また荷重は数キログラム以上となっ
ている。そのため、このような大型でかつ高重量の検査
光学系を移動して、両検査光学系の相互間隔をサブミク
ロン単位で制御することは極めて困難であり、これの達
成には強固な位置調整機構が必要になるため、装置全体
の大型化、高重量化を招くという問題がある。
【0005】本発明の目的は、光学系の軽量化を図って
高精度の位置合わせを容易に行い得るようにし、これに
より位置調整のための機構を簡略化し、かつ検査装置全
体の小型化、軽量化を実現した光学的パターン検査装置
を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、被検査対象と
なる少なくとも2つのパターンをそれぞれ光学的に検出
し、検出した各パターンを対比してパターンの検査を行
う光学的パターン検査装置であって、第1のパターンに
対して第1の波長光を照射しかつその反射光を集光する
第1の光学系と、第2のパターンに対して前記第1の波
長光とは異なる第2の波長光を照射しかつその反射光を
集光する第1の光学系と、前記第1及び第2の光学系で
集光した各波長光を結像するための結像系と、前記第1
及び第2の波長光を分離する波長選択手段と、前記波長
選択手段で分離された前記第1及び第2の各波長光をそ
れぞれ受光する第1及び第2の光検出器とを備え、前記
第1の光学系または第2の光学系のいずれか一方を他方
に対して相対移動可能に構成している。
【0007】本発明光学的パターン検査装置は、例え
ば、被検査対象としての半導体ウェに形成された2つの
ダイの一方には第1の光学系により第1の波長光を照射
し、他方には第2の光学系により異なる波長の第2の波
長光を照射し、両波長光を合一的に結像した上で、結像
される光を波長選択性のある光学系を通して2つに分離
し、それぞれを別々の光検出器に結像して検出する。こ
れにより、両波長光に共通の結像系及び光検出器を固定
した状態とし、第1及び第2の光学系のうちいずれか一
方のみを可動して他方に対する位置調整が可能になる。
【0008】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図1は本発明のパターン検査装置の
概略構成を示す外観斜視図である。図1に示すように、
表面に多数のダイDのパターンが形成されている半導体
ウェハWはXYステージ10上に載置され、図外のステ
ージ駆動機構によってその平面位置が調節可能とされて
いる。前記XYステージ10の上側には、パターン検査
装置11が配設されており、前記半導体ウェハWの表面
のダイDのパターンを光学系により結像し、かつ結像し
たパターンを光検出器によって電気信号として検出し、
検出したパターン信号をコンピュータ14によって比較
して検査を行うように構成されている。また、前記パタ
ーン検査装置11は、前記半導体ウェハWの異なる2つ
のダイD1,D2のパターンを検出するために、第1及
び第2の2つの対物レンズ21,22を備えており、そ
のうち一方の第2の対物レンズ22は可動ユニット13
として図外の位置調整機構によってパターン検査装置1
1の本体部12に対して水平方向に移動可能に構成され
ており、第1の対物レンズ21に対する相対位置が調整
可能とされている。なお、前記XYステージ10は前記
コンピュータ14によって移動が制御される構成となっ
ている。
【0009】図2は図1のパターン検査装置11の内部
構成を正面方向から示す正面構成図である。前記パター
ン検査装置11は、前記したように第1及び第2の2つ
の対物レンズ21,22を有するとともに、両対物レン
ズ21,22に共通される結像レンズ23と、各対物レ
ンズ21,22で結像したダイD1,D2のパターン結
像光を分離するための波長選択ユニット31と、分離さ
れた各波長光が結像されて電気信号に変換する2つの光
検出器32,33を備えている。すなわち、前記第1の
対物レンズ21はパターン検査装置11の本体部12内
に固定的に内装されており、レーザダイオード等の第1
の光源24から出射される単一波長の第1のレーザ光を
第1のハーフミラー26で反射して前記第1の対物レン
ズ21を通し、半導体ウェハWの第1のダイD1に照射
する構成とされる。また、前記ダイD1の反射光は前記
第1の対物レンズ21で集光され、前記第1のハーフミ
ラー25を逆方向に透過されるが、この第1のハーフミ
ラー26の上側には前記反射光を透過させるための第2
のハーフミラー27が設けられる。
【0010】一方、前記第2の対物レンズ22は前記可
動ステージ13に内装されており、前記第1の光源24
から出射される第1のレーザ光とは異なる単一波長のレ
ーザ光を出射するレーザダイオード等の第2の光源25
が設けられ、この第2の光源25からのレーザ光を第3
のハーフミラー28で反射して前記第2の対物レンズ2
2を通し、半導体ウェハWの第2のダイD2に集光す
る。前記ダイD2の反射光は第1の対物レンズ22を透
過され、前記第3のハーフミラー28を逆方向に透過さ
れるが、この第2のハーフミラー28を透過されたレー
ザ光を前記第2のハーフミラー27に向けて反射するた
めのミラー29が設けられる。このミラー29で反射さ
れたレーザ光は前記第2のハーフミラー27において一
部は反射されて前記結像レンズ23に入射される。ま
た、他の一部は透過してダンパー30に入射される。ダ
ンパー30は黒色塗料が塗布されており、照射された光
をほとんど吸収する。なお、ここで、前記第1及び第2
の対物レンズ21,22と、前記結像レンズ23との組
み合わせの光学系は無限遠光学系を採用している。
【0011】さらに、前記結像レンズ23の上側には前
記波長選択ユニット31が配置されている。この波長選
択ユニット31内には第4のハーフミラー34が設けら
れ、前記結像レンズ23で結像されるレーザ光の一部を
透過し、他の一部を反射する。また、前記第4のハーフ
ミラー34の透過側位置と反射側位置にはそれぞれ異な
る透過波長域を有する第1及び第2のバンドパスフィル
タ35,36が配置されている。ここでは、前記第1の
バンドパスフィルタ35は前記第1のレーザ光の波長を
選択的に透過する特性とされ、前記第2のバンドパスフ
ィルタ36は前記第2のレーザ光の波長を選択的に透過
する特性とされている。さらに、前記第1及び第2のバ
ンドパスフィルタ35,36の背後には、それぞれ前記
した第1の光検出器32と第2の光検出器33が配置さ
れ、前記結像レンズ23によって結像され、かつ前記第
1及び第2のバンドパスフィルタ35,36を透過され
たレーザ光をそれぞれ検出し、電気信号として前記コン
ピュータ14に出力するように構成されている。
【0012】以上の構成のパターン検査装置による検査
方法を説明する。第1の光源24を発光すると、第1の
レーザ光は第1のハーフミラー26で反射され、第1の
対物レンズ21を透過されて半導体ウェハWの第1のダ
イD1に集光される。第1のダイD1からの反射光は第
1の対物レンズ21を逆方向に透過され、第2のハーフ
ミラー26を透過されて平行光束として結像レンズ23
に入射される。また、第2の光源25を発光すると、第
2のレーザ光は第3のハーフミラー28で反射され、第
2の対物レンズ22を透過されて半導体ウェハWの第2
のダイD2に集光される。第2のダイD2からの反射光
は第2の対物レンズ22を逆方向に透過され、平行光束
として第3のハーフミラー28を透過され、ミラー29
で反射され、第2のハーフミラー27に投射される。さ
らに、第2のハーフミラー27で反射されて結像レンズ
23に入射される。なお、第1の対物レンズ21から結
像レンズ23までの光路長と、第2の対物レンズ22か
ら結像レンズ23までの光路長が相違するが、各対物レ
ンズ21,22と結像レンズ23とは前記したように無
限遠光学系を採用しているために、光路長の違いによる
影響はない。
【0013】次いで、第2のハーフミラー27を透過さ
れた第1のレーザ光と、第2のハーフミラー27で反射
された第2のレーザ光は同一光路を通って合一的に前記
結像レンズ23に入射され、結像される。この結像光は
波長選択ユニット31に入力され、その結像光の一部は
第4のハーフミラー34を透過され、他の一部は第4の
ハーフミラー34で反射される。第4のハーフミラー3
4を透過された一部の光は、第1のバンドバスフィルタ
35により、第1のレーザ光に対応する中心波長をもつ
光のみが透過され、第1の光検出器32において検出さ
れる。また、第4のハーフミラー34で反射された他の
一部の光は、第2のバンドパスフィルタ36により、第
2のレーザ光に対応する中心波長をもつ光のみが透過さ
れ、第2の光検出器33において検出される。したがっ
て、第1の光検出器32では、第1のダイD1で反射さ
れたレーザ光のみを受光することになり、第1のダイD
1のパターンのみが検出されることになる。また、第2
の光検出器33では、第2のダイD2のパターンのみが
検出されることになる。
【0014】そして、前記第1及び第2の光検出32,
33の検出出力は、それぞれコンピュータ14に入力さ
れ、コンピュータ14は各光検出器32,33からの出
力の差分演算を行い、両パターンの一致を判定すること
で、第1及び第2のダイD1,D2のパターン欠陥を抽
出することが可能となる。なお、コンピュータ14はこ
のパターン欠陥部分の像信号を補助メモリに保管した
り、パターン欠陥部分の位置や形状を割り出したりする
ことが可能である。また、前記差分演算を行うに際して
は、両ダイD1,D2のパターンが一致する必要がある
が、その際には可動ユニット13のみを図2の左右方向
に移動させて第1の対物レンズ21に対する第2の対物
レンズ22の位置、すなわち両対物レンズ21,22の
間隔を調整することにより、第1のダイD1及び第2の
ダイD2の対応する画像を一致した状態で得ることが可
能となる。このとき、この実施形態では、第2の対物レ
ンズ22、第2の光源25、第3のハーフミラー28、
ミラー29のみを移動させればよく、従来のように、結
像レンズ及び光検出器を合わせた全体を移動する場合に
比較して、軽量化が可能であり、移動機構も小型に構成
することが可能である。これにより、パターン検査装置
の全体の小型化、軽量化が実現できる。
【0015】ここで、第1及び第2の光源には、HeN
eやArなどを用いた気体レーザを用いることも可能で
ある。このような気体レーザを用いたときには、光源の
重量が嵩むため、特に第2の光源25は可動ユニット1
3とは別体に構成して第2の光源25のみを固定設置
し、第2の対物レンズ22、第3のハーフミラー28、
ミラー29のみで可動ユニット13を構成して移動させ
るようにすればよい。このようにしても、第2の光源2
5の光軸方向に沿って可動ユニット13が移動するよう
に構成すれば何ら問題は生じない。
【0016】また、前記第4のハーフミラー34とし
て、2色選択性のあるダイクロイックミラーを用いるこ
ともでき、このようなミラーを用いたときには、透過光
と反射光とで波長の選択が行われため、前記実施形態の
ような第1及び第2のバンドパスフィルタ35,36を
省くことができ、さらなる構成の簡略化が実現できる。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、被検査対
象としての2つのパターンの一方には第1の光学系によ
り第1の波長光を照射し、他方には第2の光学系により
異なる波長の第2の波長光を照射し、両波長光を合一的
に結像した上で、結像される光を波長選択性のある光学
系を通して2つに分離し、それぞれを別々の光検出器に
結像して検出する。これにより、両波長光に共通の結像
系及び光検出器を固定した状態とし、第1及び第2の光
学系のうちいずれか一方のみを可動して他方に対する位
置調整が可能となり、可動部分を軽量化でき、検査装置
全体の小型化、軽量化が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の検査装置の一実施形態の概略構成を示
す斜視図である。
【図2】図1の検査装置の内部構成を示す正面構成図で
ある。
【図3】従来の検査装置の一例の構成図である。
【符号の説明】
10 XYステージ 11 パターン検査装置 12 本体部 13 可動ユニット 14 コンピュータ 21 第1の対物レンズ 22 第2の対物レンズ 23 結像レンズ 24 第1の光源 25 第2の光源 26 第1のハーフミラー 27 第2のハーフミラー 28 第3のハーフミラー 29 ミラー 30 ダンパー 31 波長選択ユニット 32 第1の光検出器 33 第2の光検出器 34 第4のハーフミラー 35 第1のバンドパスフィルタ 36 第2のバンドパスフィルタ W 半導体ウェハ D ダイ D1 第1のダイ D2 第2のダイ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被検査対象となる少なくとも2つのパタ
    ーンをそれぞれ光学的に検出し、検出した各パターンを
    対比してパターンの検査を行う光学的パターン検査装置
    であって、第1のパターンに対して第1の波長光を照射
    しかつその反射光を集光する第1の光学系と、第2のパ
    ターンに対して前記第1の波長光とは異なる第2の波長
    光を照射しかつその反射光を集光する第2の光学系と、
    前記第1及び第2の光学系で集光した各波長光を結像す
    るための結像系と、前記第1及び第2の波長光を分離す
    る波長選択手段と、前記波長選択手段で分離された前記
    第1及び第2の各波長光をそれぞれ受光する第1及び第
    2の光検出器とを備え、前記第1の光学系または第2の
    光学系のいずれか一方を他方に対して相対移動可能に構
    成したことを特徴とする光学的パターン検査装置。
  2. 【請求項2】 前記第1の光学系は、前記第1の波長光
    を出射する第1の光源と、前記第1のパターンに対向位
    置されて前記第1のパターンに第1の波長光を照射し、
    かつその反射光を集光する第1の対物レンズと、前記第
    1の対物レンズで集光した第1の波長光を透過するハー
    フミラーとを備え、前記第2の光学系は、前記第2の波
    長光を出射する第2の光源と、前記第2のパターンに対
    向位置されて前記第2のパターンに第2の波長光を照射
    し、かつその反射光を集光する第1の対物レンズと、前
    記第2の対物レンズで集光した第2の波長光を前記ハー
    フミラーに向けて反射するミラーとを備え、前記ハーフ
    ミラーは透過した前記第1の波長光と反射した前記第2
    の波長光とを合一状態で前記結像系を構成する結像レン
    ズに入射させるように構成したことを特徴とする請求項
    1に記載の光学的パターン検査装置。
  3. 【請求項3】 前記第1の光源と第2の光源として、互
    いに異なる波長を持つ単一波長レーザを用いることを特
    徴とする請求項1または2に記載の光学的パターン検査
    装置。
  4. 【請求項4】 前記第2の光学系のうち、少なくも前記
    第2の対物レンズとミラーとを一体的に移動可能に構成
    したことを特徴とする請求項3に記載の光学的パターン
    検査装置。
  5. 【請求項5】 前記波長選択手段は、前記結像系を通っ
    た光を分離する分離用ハーフミラーと、分離された一方
    の光のうち前記第1の波長光のみを透過させる第1のバ
    ンドパスフィルタと、分離された他方の光のうち前記第
    2の波長光のみを透過させる第2のバンドパスフィルタ
    とを備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれ
    かに記載の光学的パターン検査装置。
  6. 【請求項6】 前記被検査対象は半導体ウェハに形成さ
    れたダイである請求項1ないし5のいずれかに記載の光
    学的パターン検査装置。
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