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JP2001075782A - Semiconductor physical random-number generating device - Google Patents

Semiconductor physical random-number generating device

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Publication number
JP2001075782A
JP2001075782A JP28857699A JP28857699A JP2001075782A JP 2001075782 A JP2001075782 A JP 2001075782A JP 28857699 A JP28857699 A JP 28857699A JP 28857699 A JP28857699 A JP 28857699A JP 2001075782 A JP2001075782 A JP 2001075782A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pulse signal
semiconductor
random number
physical random
thermal noise
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28857699A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Saito
威 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
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Publication of JP2001075782A publication Critical patent/JP2001075782A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a real physical random number at a necessary generating speed and epoch-making low cost by amplifying thermal noise by an amplifier and extracting it as a pulse signal, measuring a time interval between this random pulse signal and the pulse signal which is generated successively to the pulse signal, and supplying a measured value as the physical random number. SOLUTION: Thermal noise of a diode 2 is previously amplified by a preamplifier 3 and converted into an analog pulse signal. The pulse signal amplified by the preamplifier 3 is further amplified by a main amplifier 4 and converted into a voltage signal of several volts which can easily be detected. The voltage signal from the main amplifier 4 is supplied to a wave height discriminator 5 to select the pulse signal with a necessary wave height value, which is shaped by a waveform shaper 6 into the rectangular pulse signal. A time interval between the pulse signal which is outputted successively from the waveform shaper 6 and the pulse signal which is generated next is measured by a time measurer 7 by using clock pulses from a timer pulse generator 8.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、半導体の熱雑音を
増幅してパルス信号として取り出して、真の乱数を生成
する物理乱数生成装置に関し、計算機通信や通信販売に
おける本人認証や暗号化処理、あるいは遊戯機に使用し
て不正を不可能にする物理乱数生成装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a physical random number generation device for amplifying thermal noise of a semiconductor and extracting it as a pulse signal to generate a true random number. Alternatively, the present invention relates to a physical random number generation device which is used in a game machine to make fraud impossible.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の物理乱数生成方式としては、原子
核の崩壊というランダムな事象を検出して作る本願発明
者による特願平9−32439号、特願平9−3638
9号や、光放射ダイオード(LED)の光をシリコンフ
ォトダイオードで検出して作る本願発明者による特願平
11−145362号がある。
2. Description of the Related Art As a conventional physical random number generation system, Japanese Patent Application Nos. 9-32439 and 9-3638 by the present inventor, which are made by detecting a random event of nuclear decay.
No. 9 and Japanese Patent Application Hei.

【0003】放射線源の崩壊を利用した物理乱数生成器
では、真の物理乱数を生成することが容易であるが、放
射線源を使用するため、製作過程が複雑でコストが高く
なる欠点、放射線管理上の規制、放射性物質の利用に社
会的理解を得ることが困難であるなどの欠点があった。
光放射ダイオード(LED)の光をフォトダイオードで
検出して生成する物理乱数生成器では、真の物理乱数を
比較的低コストで生成することができるが、LEDとフ
ォトダイオードとを一体化して小型化する技術開発が必
要であった。
A physical random number generator utilizing the decay of a radiation source can easily generate a true physical random number. However, since a radiation source is used, the manufacturing process is complicated and the cost is high. There were drawbacks such as the above regulations and difficulty in gaining public understanding of the use of radioactive materials.
A physical random number generator that generates light by detecting light from a light emitting diode (LED) with a photodiode can generate true physical random numbers at a relatively low cost. Technology development was needed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本願では、既存の安価
な電子部品と既存の簡単な技術構成により、真の物理乱
数を、必要とする生成速度でもって、画期的な低いコス
トで、真の物理乱数を必要とするあらゆる分野に提供す
る。
SUMMARY OF THE INVENTION In the present application, an existing inexpensive electronic component and an existing simple technical configuration are used to generate a true physical random number at a required generation speed at an epoch-making low cost. To any field that requires a physical random number.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】第1の発明では、半導体
が発生するいろいろな種類の雑音のうち、半導体キャリ
アの熱運動に基ずく熱雑音がランダムな現象であること
を利用して、この熱雑音を増幅器で増幅してランダムな
パルス信号として取り出し、このランダムパルス信号と
連続して次に発生するパルス信号との間の時間間隔を測
定して、この計測値を物理乱数として供給する。
The first aspect of the present invention utilizes the fact that among various types of noise generated by a semiconductor, thermal noise based on thermal motion of a semiconductor carrier is a random phenomenon. The thermal noise is amplified by an amplifier and taken out as a random pulse signal, the time interval between the random pulse signal and the next successively generated pulse signal is measured, and this measured value is supplied as a physical random number.

【0006】第2の発明では、半導体の熱雑音を増幅し
て生成するランダムパルス信号とランダムパルス信号の
間の時間間隔の計測において、計測の対象とするランダ
ムパルス信号の波高値を、波高弁別器を用いて閾値とし
て選択することにより、必要とする乱数生成速度でもっ
て真の乱数を自由に生成する。
According to a second aspect of the present invention, in measuring a time interval between random pulse signals generated by amplifying thermal noise of a semiconductor, a peak value of the random pulse signal to be measured is determined by peak height discrimination. A true random number can be freely generated at a required random number generation speed by selecting a threshold value using a device.

【0007】第3の発明では、熱雑音の源としては、シ
リコンフォトダイオードなどあらゆる種類の半導体素子
の熱雑音が利用可能であるが、最も安価な回路用ダイオ
ードを熱雑音の源として利用する。
In the third aspect, as a source of thermal noise, thermal noise of all kinds of semiconductor elements such as a silicon photodiode can be used, but the most inexpensive circuit diode is used as a source of thermal noise.

【0008】第4の発明では、熱雑音の源である半導体
やその他の回路系を集積化して、情報処理回路を備えた
各種のICカードやICチップに封入し、この情報処理
回路に物理乱数を供給して、計算機通信の暗号化処理、
通信販売や各種ICカードを介在した取引における本人
の認証、遊技機の確率生成器などに利用できるようにす
る。
According to a fourth aspect of the present invention, semiconductors and other circuit systems, which are sources of thermal noise, are integrated and sealed in various types of IC cards or IC chips having information processing circuits. To provide computer communication encryption,
It can be used for personal authentication in mail-order sales and transactions involving various IC cards, as a probability generator for gaming machines, and the like.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】半導体から発生する雑音には、キ
ャリアの熱運動にもとずくジョンソン雑音、半導体の表
面状態に関係して発生する所謂f分の1雑音、半導体中
の局在準位のキャリアの生成再結合に起因するg−r雑
音などが知られている。本発明では、これらの雑音のう
ち、ジョンソン雑音が最も大きな雑音であり、ジョンソ
ン雑音が熱運動にもとずいており、熱運動はランダム運
動であるという事実を利用する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Noise generated from a semiconductor includes Johnson noise based on thermal motion of carriers, so-called 1 / f noise generated in relation to the surface state of the semiconductor, and localized levels in the semiconductor. Gr noise resulting from the generation and recombination of the carrier is known. The present invention takes advantage of the fact that Johnson noise is the largest of these noises, Johnson noise is based on thermal motion, and thermal motion is random.

【0010】本発明の実施の形態を図面に従って詳細に
説明する。半導体物理乱数生成装置の全体の構成を図1
に示す。半導体物理乱数生成装置1は、シリコンダイオ
ード2、前置増幅器3、主増幅器4、波高弁別器5、波
形整形器6、時間計測器7、時計パルス発生器8、乱数
生成器9、乱数貯蔵器を内蔵するコントローラ10で構
成されている。
An embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows the overall configuration of a semiconductor physical random number generator.
Shown in The semiconductor physical random number generation device 1 includes a silicon diode 2, a preamplifier 3, a main amplifier 4, a wave height discriminator 5, a waveform shaper 6, a time measuring device 7, a clock pulse generator 8, a random number generator 9, a random number storage device. Is built in the controller 10.

【0011】熱雑音の源であるシリコンダイオード2は
どのような種類の半導体でもよいので、市販の最も安価
な回路用ダイオードを利用する。
Since the silicon diode 2 which is a source of the thermal noise may be any kind of semiconductor, a commercially available inexpensive circuit diode is used.

【0012】ダイオードとすべての回路系は集積化して
ICカードやICチップ内に封入できる大きさになって
いる。
The diode and all the circuit systems are sized to be integrated and sealed in an IC card or IC chip.

【0013】ダイオード2の熱雑音を前置増幅器3でも
って増幅してアナログパルス信号に変換する。前置増幅
器3で増幅したパルス信号は主増幅器4でもって、さら
に増幅して検出が容易な数ボルトの電圧信号に変換す
る。主増幅器4からの電圧信号は波高弁別器5により必
要な波高値のパルス信号を選別し、波形整形器5でもっ
て矩形のパルス信号に整形する。
The thermal noise of the diode 2 is amplified by the preamplifier 3 and converted into an analog pulse signal. The pulse signal amplified by the preamplifier 3 is converted by the main amplifier 4 into a voltage signal of several volts which is further amplified and easily detected. The voltage signal from the main amplifier 4 selects a pulse signal of a required peak value by a peak value discriminator 5 and shapes it into a rectangular pulse signal by a waveform shaper 5.

【0014】図2は、市販の安価な回路用ダイオード2
の熱雑音を前置増幅器3と主増幅器4で増幅したパルス
信号の波高値分布20である。図2に示すように、熱雑
音から生成したパルス信号と、電子回路系のノイズとは
十分に分離されている。
FIG. 2 shows a commercially available inexpensive circuit diode 2.
Is a peak value distribution 20 of a pulse signal obtained by amplifying the thermal noise of FIG. As shown in FIG. 2, the pulse signal generated from the thermal noise and the noise of the electronic circuit system are sufficiently separated.

【0015】図2において、AまたはBの矢印で示すよ
うに、波高弁別器5の閾値を変化させることにより、必
要とする毎秒当りのパルス数を自由に生成することがで
きる。例えば、図2の波高値分布において矢印Aに閾値
を設定した場合は、毎秒約100カウント、閾値が矢印
Bの場合は毎秒約1000カウントのパルス信号を得る
ことができる。
In FIG. 2, the required number of pulses per second can be freely generated by changing the threshold of the wave height discriminator 5 as indicated by the arrow A or B. For example, when a threshold is set for the arrow A in the peak value distribution of FIG.

【0016】波形整形器6から連続して出力されるパル
ス信号と、次に発生するパルス信号との間の時間間隔t
を、時計パルス発生器8からのクロックパルスを使用し
て、時間計測器7を用いて計測する。 時間間隔tは、
クロックのパルス数でもって表わされる。パルス信号の
発生数が毎秒500個の場合の、時間間隔tの頻度分布
の実験結果を図3に示す。
A time interval t between a pulse signal continuously output from the waveform shaper 6 and a pulse signal generated next time.
Is measured using the clock pulse from the clock pulse generator 8 and the time measuring device 7. The time interval t is
It is represented by the number of clock pulses. FIG. 3 shows an experimental result of the frequency distribution of the time interval t when the number of generated pulse signals is 500 per second.

【0017】図3において黒丸で示す実験値の分布は、
図3に実直線で示すように、指数分布exp(−t/T
o)でもって表すことができる。ここでToは時間間隔
tの平均値で、To=(1/n)=(1/500)=2
ミリ秒である。平均値を図3に矢印で示す。ダイオード
の熱雑音を増幅して生成したパルス信号の時間間隔の頻
度分布が指数分布であることは、熱雑音がポワッソン分
布に従うランダムな現象であることを示しており、熱雑
音の発生時間間隔の計測値を乱数に利用する正当性を保
証している。
The distribution of the experimental values indicated by black circles in FIG.
As shown by the solid line in FIG. 3, the exponential distribution exp (-t / T
o). Here, To is an average value of the time interval t, and To = (1 / n) = (1/500) = 2
Milliseconds. The average value is indicated by an arrow in FIG. The exponential distribution of the frequency distribution of the time interval of the pulse signal generated by amplifying the thermal noise of the diode indicates that the thermal noise is a random phenomenon that follows the Poisson distribution. It guarantees the validity of using measured values for random numbers.

【0018】時間間隔を計測するための時計パルス発生
器8のクロック周波数をFヘルツとすると、計測の時間
単位は(1/F)秒である。すなわち時間間隔tを(1
/F)の倍数でもって表す。 時間間隔tの計測におい
て、例えば8ビット(256)のカウンターを使用して
計測数が256を超えた場合、即ち時間間隔t>(25
6/F)の場合は、256の計測を繰り返して、残余の
計測数で表す。例えば、時間間隔tが2,000の場
は、2,000=256×7+208であるから、計測
数すなわち乱数は208となる。
Assuming that the clock frequency of the clock pulse generator 8 for measuring the time interval is F hertz, the time unit of the measurement is (1 / F) seconds. That is, the time interval t is set to (1
/ F). In the measurement of the time interval t, for example, when the number of measurements exceeds 256 using an 8-bit (256) counter, that is, the time interval t> (25
In the case of 6 / F), 256 measurements are repeated and are represented by the remaining number of measurements. For example, in the case where the time interval t is 2,000, 2,000 = 256 × 7 + 208, so the measured number, that is, the random number is 208.

【0019】図2の波高値分布において閾値を矢印Bに
固定した場合の、パルス信号の発生数の頻度分布30を
図4に示す。 図4は、10秒間に発生したパルス信号
の数を計測し、この計測を2000回繰り返した場合の
頻度分布である。
FIG. 4 shows a frequency distribution 30 of the number of occurrences of pulse signals when the threshold value is fixed to the arrow B in the peak value distribution of FIG. FIG. 4 shows a frequency distribution when the number of pulse signals generated in 10 seconds is measured and this measurement is repeated 2000 times.

【0020】図4の平均値(ピークのカウント数)は1
0,450個(毎秒1,045個)である。この場合の
偏差値σはσ=√(10,450)=102である。σ
値として102をもつガウス分布を、図4中破曲線で示
す。半導体の熱雑音の発生頻度分布がガウス分布である
という事実は、半導体の熱雑音がランダムな現象であ
り、熱雑音を乱数に利用できることを保証している。
The average value (the number of peak counts) in FIG.
0,450 (1,045 per second). The deviation value σ in this case is σ = √ (10,450) = 102. σ
A Gaussian distribution having a value of 102 is shown by a broken curve in FIG. The fact that the thermal noise occurrence frequency distribution of a semiconductor is a Gaussian distribution guarantees that the thermal noise of the semiconductor is a random phenomenon and that the thermal noise can be used as a random number.

【0021】時間間隔tをクロック周波数11.25M
(メガ)ヘルツの時計で計測し、この計測値を用いて8
ビット乱数を生成した場合の、8ビット乱数の頻度分布
を図5に示す。図5では、クロック周波数を11.25
Mヘルツに固定し、波高弁別器5の閾値を変化させるこ
とにより、パルス信号の発生頻度を毎秒160ビット
(毎秒20カウント)から毎秒8,000ビット(毎秒
1,000カウント)まで変化させている。
The time interval t is set to a clock frequency of 11.25M.
It is measured with a (mega) hertz clock and this measurement is used to calculate
FIG. 5 shows the frequency distribution of 8-bit random numbers when bit random numbers are generated. In FIG. 5, the clock frequency is set to 11.25.
By fixing the frequency to M hertz and changing the threshold value of the pulse height discriminator 5, the frequency of generation of the pulse signal is changed from 160 bits per second (20 counts per second) to 8,000 bits per second (1,000 counts per second). .

【0022】図5に示すように、パルスの発生頻度を大
幅に変化させても、乱数の生成頻度分布は一様である。
As shown in FIG. 5, even if the frequency of pulse generation is greatly changed, the distribution of random number generation frequency is uniform.

【0023】真の乱数を、必要とする任意の生成速度で
もって一様に生成することができる小型の半導体物理乱
数生成装置を、ICカードに取り付けたり、計算機やそ
の他の機器の回路基板に取り付け、計算機通信の暗号化
処理、通信販売や各種ICカードを介在した商取引にお
ける本人の認証などに使用する。また遊技機のための不
正が不可能な確率生成器として利用することができる。
A small semiconductor physical random number generator capable of uniformly generating true random numbers at an arbitrary required generation rate is mounted on an IC card, or mounted on a circuit board of a computer or other equipment. It is used for encryption processing of computer communication, personal authentication in mail-order sales, and commercial transactions involving various IC cards. In addition, it can be used as a probability generator for gaming machines in which impropriety is impossible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明である半導体物理乱数生成装置の全体の
構成を示すブロック回路図である。
FIG. 1 is a block circuit diagram showing an overall configuration of a semiconductor physical random number generation device according to the present invention.

【図2】実施の形態におけるダイオードの熱雑音を増幅
して生成したランダムパルスの波高値分布図の実験グラ
フである。
FIG. 2 is an experimental graph of a peak value distribution diagram of a random pulse generated by amplifying thermal noise of a diode in the embodiment.

【図3】実施の形態におけるダイオードの熱雑音を増幅
して生成したランダムパルス信号と次に発生するランダ
ムパルス信号との時間間隔の頻度分布が指数分布となる
ことを示す実験グラフである。
FIG. 3 is an experimental graph showing that a frequency distribution of a time interval between a random pulse signal generated by amplifying thermal noise of a diode and a random pulse signal generated next has an exponential distribution in the embodiment.

【図4】実施の形態におけるダイオードの熱雑音を増幅
して生成したランダムパルス信号の10秒間当りのパル
ス数の頻度分布がガウス分布になることを示す実験グラ
フである。
FIG. 4 is an experimental graph showing that the frequency distribution of the number of pulses per 10 seconds of the random pulse signal generated by amplifying the thermal noise of the diode in the embodiment becomes a Gaussian distribution.

【図5】実施の形態におけるランダムパルス信号の時間
間隔を計測する時計周波数を11.25Mヘルツに固定
した場合、1秒当りの乱数生成速度nを160ビットか
ら8000ビットに変化しても、一様な生成速度で真の
乱数が生成できることを示す実験グラフである。
FIG. 5 shows a case where the clock frequency for measuring the time interval of the random pulse signal in the embodiment is fixed at 11.25 MHz, even if the random number generation rate per second n is changed from 160 bits to 8000 bits. 9 is an experimental graph showing that true random numbers can be generated at various generation speeds.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体物理乱数生成装置 2 ダイオード 3 前置増幅器 4 主増幅器 5 波高弁別器 6 波形整形器 7 時間計測器 8 時計パルス発生器 9 乱数生成器 10 乱数貯蔵器とコントローラー 20 波高分析装置 30 パルス数測定器 REFERENCE SIGNS LIST 1 semiconductor physical random number generator 2 diode 3 preamplifier 4 main amplifier 5 wave height discriminator 6 waveform shaper 7 time measuring device 8 clock pulse generator 9 random number generator 10 random number storage and controller 20 wave height analyzer 30 pulse number measurement vessel

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体が発生するいろいろな種類の雑音
のうち、半導体のキャリアの熱運動にもとずく雑音がラ
ンダムな現象であることを利用して、この熱雑音を増幅
器で増幅してランダムなパルス信号として取り出し、こ
のランダムパルス信号と連続して次に発生するパルス信
号との間の時間間隔を計測して、この計測値を物理乱数
として供給することを特徴とする半導体物理乱数生成装
置。
1. Among various types of noise generated by a semiconductor, the thermal noise is a random phenomenon based on the thermal motion of a carrier of the semiconductor. A semiconductor physical random number generating apparatus which measures a time interval between the random pulse signal and a pulse signal generated next successively and supplies the measured value as a physical random number. .
【請求項2】前記ランダムパルス信号と連続して次に発
生する信号との間の時間間隔の計測において、計測の対
象とするランダムパルス信号の波高値を、波高弁別器で
閾値として選択することにより、必要とする乱数生成速
度を自由に選択できることを特徴とする請求項1記載の
半導体物理乱数生成装置。
2. In the measurement of a time interval between the random pulse signal and a signal generated next successively, a peak value of a random pulse signal to be measured is selected as a threshold value by a pulse height discriminator. 2. The semiconductor physical random number generation device according to claim 1, wherein the required random number generation speed can be selected freely.
【請求項3】 前記熱雑音の源となる半導体の種類は、
すべての半導体素子の熱雑音が利用可能であるが、回路
用ダイオードなどの最も安価な半導体を熱雑音の源とし
て利用できることを特徴とする請求項1記載の半導体物
理乱数生成装置。
3. The type of semiconductor that is a source of the thermal noise is as follows.
2. The semiconductor physical random number generator according to claim 1, wherein the thermal noise of all the semiconductor elements can be used, but the cheapest semiconductor such as a circuit diode can be used as a source of the thermal noise.
【請求項4】 前記半導体とその他の回路系を集積化し
て、情報処理回路を備えた各種のICカードやICチッ
プに封入し、この情報処理回路に前記物理乱数を供給し
て、計算機通信の暗号化処理、通信販売や各種ICカー
ドを介在した取引における本人の認証、遊技機の確率生
成器などに利用できることを特徴とする請求項1に記載
の半導体物理乱数生成装置。
4. The semiconductor and other circuit systems are integrated, encapsulated in various IC cards or IC chips provided with an information processing circuit, and the physical random numbers are supplied to the information processing circuit to perform computer communication. 2. The semiconductor physical random number generation device according to claim 1, wherein the semiconductor physical random number generation device can be used for encryption processing, authentication of a person in a mail order or a transaction involving various IC cards, a probability generator of a game machine, and the like.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113039519A (en) * 2018-10-01 2021-06-25 马西莫·路易吉·马里亚·卡恰 Apparatus and method for generating random bit sequence

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