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JP2001060720A - 半導体発光素子 - Google Patents

半導体発光素子

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JP2001060720A
JP2001060720A JP23300999A JP23300999A JP2001060720A JP 2001060720 A JP2001060720 A JP 2001060720A JP 23300999 A JP23300999 A JP 23300999A JP 23300999 A JP23300999 A JP 23300999A JP 2001060720 A JP2001060720 A JP 2001060720A
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light emitting
emitting device
nitride semiconductor
gan
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Nobuhiro Suzuki
木 伸 洋 鈴
Hideto Sugawara
原 秀 人 菅
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Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 動作電圧を低減し、汎用されている電源電圧
を用いて安定に動作可能な窒化物半導体発光素子を提供
することを目的とする。 【解決手段】 バンドギャップの大きい窒化物半導体層
とバンドギャップの小さい窒化物半導体層とを交互に積
層させた超格子構造を有し、ｐ型ドーパントがバンドギ
ャップの大きい窒化物半導体層に選択的にドープされて
いるコンタクト層を用いる。窒化物半導体においては、
Ａｌ組成を上昇させてバンドギャップを大きくした結晶
は硬度が高く、Ｉｎ組成を上昇させてバンドギャップを
小さくした結晶は硬度が低い。硬度の低い窒化物半導体
層は緩衝層としてし結晶の歪みを緩和し結晶性を改善す
る役割を有する。そして、本発明においては、このよう
な軟らかい半導体層をノンドープとすることにより、結
晶性の劣化を防ぎ、緩衝層としての作用を十分に発揮さ
せることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光素子に関
し、特に、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａ
ＡｌＮなどの窒化物半導体からなり、動作電圧を従来よ
りも低減することができる半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮなどの窒化物半導体は、ほぼすべ
ての混晶比において直接遷移型のバンド構造を有してい
ることが予測され、この材料系を用いた発光ダイオード
（light emitting diode：ＬＥＤ）や半導体レーザ（la
ser diode：ＬＤ）などの発光素子は、短波長領域にお
いて高い発光効率が得られることが期待されている。
【０００３】なお、本願において「窒化物半導体」と
は、ＩｎｙＡｌｚＧａ（１−ｙ−ｚ）Ｎ（０≦ｙ≦１、
０≦ｚ≦１）なる組成式で表現されるすべての組成のII
I−Ｖ族化合物半導体を含み、さらに、Ｖ族元素として
は、Ｎに加えてリン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）などを含有す
る混晶も含むものとする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】窒化物系の発光素子
は、活性層にＩｎＧａＮ又はＧａＮを用い、活性層から
のキャリアのオーバーフローを抑えるためにＡｌｙＧａ
１−ｙＮ（０＜ｙ＜０．５）のクラッド層を用いる場合
が多い。キャリアのオーバーフローを効果的に抑えるた
めには、少なくとも１０％程度のＡｌ組成が必要であ
る。しかし、Ａｌ組成を上げると、ｐ側電極とのオーミ
ック接触を確保することが困難になり、動作電圧が上が
るという問題があった。
【０００５】動作電圧を低減させる方法として、ＡｌＧ
ａＮクラッド層の上にＭｇをドープしたｐ型ＧａＮまた
はｐ型ＩｎＧａＮコンタクト層を形成する方法が特開平
６−２６８２５９号公報及び特開平９−２８９３５１号
に記載されている。
【０００６】図７は、このようなコンタクト層を備えた
ＬＥＤを例示した概略断面図である。
【０００７】すなわち、同図のＬＥＤにおいては、サフ
ァイア基板１１１の上にバッファ層１１２を介して、ｎ
型ＧａＮ層１１３、活性層１１４、ｐ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層１１５、ｐ型ＧａＮコンタクト層１１６が順に積
層されている。
【０００８】ｎ型ＧａＮ層１１３の上には、ｎ側電極１
６３、ボンディングパッド１６４が形成され、ｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層１１６の上には、ｐ側電極１６５、ボン
ディングパッド１６６が形成されている。また、素子の
表面は、保護膜１６１、１６２により覆われている。
【０００９】図７に表された構成によれば、ｐ型ＧａＮ
コンタクト層に電極１６５を接触させてオーミック接触
を確保することにより、動作電圧をある程度下げること
ができる。
【００１０】一方、ｐ型コンタクト層の表面付近のマグ
ネシウム（Ｍｇ）濃度を高くして電極との接触抵抗をさ
らに低減しようとする試みが特許第２６６６２３７号に
記載されている。
【００１１】しかし、これらのいずれの方法によって
も、発光素子の動作電圧は３．５ボルト程度と高いとい
う問題があった。
【００１２】さらに素子の動作電圧を下げる別の方法と
して、マグネシウムをドープしたｐ型ＩｎＧａＮコンタ
クト層を用いる方法が特開平９−２８９３５１号公報に
記載されている。すなわち、ＧａＮの代わりにＩｎＧａ
Ｎを用いた場合のほうがｐ側電極との間の価電子帯のポ
テンシャルバリアが下がり、素子の動作電圧を下げるこ
とができるというものである。しかし、実際には、Ｉｎ
ＧａＮはＧａＮと比べてｐ型化しにくいという問題があ
る。その結果として、この方法を用いた発光素子は全く
実用化されていない。
【００１３】本発明は、かかる課題の認識に基づいてな
されたものである。すなわち、その目的は、動作電圧を
低減し、汎用されている電源電圧において安定に動作可
能な窒化物半導体発光素子を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の半導
体発光素子は、窒化物半導体からなるコンタクト層と、
前記コンタクト層の表面に接触して設けられたｐ側電極
と、を備えた半導体発光素子であって、前記コンタクト
層は、バンドギャップの大きい窒化物半導体層とバンド
ギャップの小さい窒化物半導体層とを交互に積層させた
超格子構造を有し、ｐ型ドーパントが前記バンドギャッ
プの大きい窒化物半導体層に選択的にドープされている
ことを特徴とする。
【００１５】超格子構造に選択的にドーピングを施す場
合には、バンドギャップの小さい方の結晶層に選択的に
ドーピングを行うことが通常である。しかし、窒化物半
導体においては、Ａｌ（アルミニウム）組成を上昇させ
てバンドギャップを大きくした結晶は硬度が高く、Ｉｎ
（インジウム）組成を上昇させてバンドギャップを小さ
くした結晶は硬度が低いという特徴を有する。このた
め、この材料系においては、バンドギャップの大きい結
晶すなわち硬度の高い結晶の方にドーピングを行うこと
が効果的となる。
【００１６】すなわち、硬度の低い窒化物半導体層は緩
衝層としてし結晶の歪みを緩和し結晶性を改善する役割
を有する。そして、本発明においては、このような軟ら
かい半導体層をノンドープとすることにより、結晶性の
劣化を防ぎ、緩衝層としての作用を十分に発揮させるこ
とができる。
【００１７】具体的には、例えば、前記硬度の高い窒化
物半導体層としてＧａＮを採用し、前記硬度の低い窒化
物半導体層としてＩｎＧａＮを採用することができる。
この場合には、ｐ型ドーパントはＧａＮ層に選択的にド
ープする。
【００１８】従って、軟らかいＩｎＧａＮ層をノンドー
プとすることにより、緩衝層として十分に作用させるこ
とができ、半導体発光素子の動作電圧を効果的に低下さ
せることが可能となる。
【００１９】また、この具体例においては、前記ＩｎＧ
ａＮにおいてＩｎがIII族元素全体に占める割合は、０
原子％よりも大きく２０原子％よりも小さいものとする
ことが望ましい。Ｉｎの添加により緩衝層としての作用
が得られるのであるが、添加量が多すぎると、逆に結晶
性が劣化するからである。
【００２０】また、超格子構造の他の具体例としては、
前記バンドギャップの大きいすなわち硬度の高い窒化物
半導体層として、ＡｌＧａＮを採用し、前記バンドギャ
ップの小さいすなわち硬度の低い窒化物半導体層とし
て、ＧａＮを採用しても良い。この場合には、ｐ型ドー
パントは前記ＡｌＧａＮに選択的にドープする。
【００２１】従って、相対的に軟らかいＧａＮ層をノン
ドープとすることにより、緩衝層として十分に作用させ
ることができ、半導体発光素子の動作電圧を効果的に低
下させることが可能となる。
【００２２】また、他の具体例としては、互いに組成の
異なるＩｎＧａＮ層同士により超格子構造を形成しても
良く、ＡｌＧａＮ層とＩｎＧａＮ層により超格子構造を
形成しても良い。いずれの場合にも、相対的に軟らかい
結晶層にｐ型ドーパントをドープする。
【００２３】一方、前記ｐ型ドーパントとしては、Ｍｇ
（マグネシウム）、Ｚｎ（亜鉛）またはＣ（炭素）を用
いることができる。
【００２４】ｐ型ドーパントがＭｇ（マグネシウム）の
場合には、そのドープ濃度は１×１０１９ｃｍ−３以上
で１×１０２０ｃｍ−３以下であることが望ましい。
【００２５】一方、ｐ側電極は、ＩＴＯなどの酸化物を
含むものでも良い。特に、ＡｌＧａＮ層とＧａＮ層との
超格子によりコンタクト層を形成した場合には、ＩＴＯ
層を有するｐ側電極に対して良好な結果が得られる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。
【００２７】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に係わる窒化物半導体発光素子を表す概
略断面図である。すなわち、同図はＬＥＤの断面構造を
例示し、図中３１はサファイア基板、３２はＧａＮバッ
ファ層、３３はｎ型ＧａＮ（Ｓｉドープ）層、３４は５
層ＭＱＷ型ＩｎＧａＮ活性層、３５はｐ型Ａｌ０．１０
Ｇａ０．９０Ｎ（Ｍｇドープ）層、３６は、超格子コン
タクト層である。
【００２８】ここで、超格子コンタクト層は、ｐ側電極
１６５に対して接触する半導体層であり、硬度の高い窒
化物半導体層と硬度の低い窒化物半導体層とを交互に積
層させた超格子構造を有し、ｐ型ドーパントが前記硬度
の高い窒化物半導体層に選択的にドープされている。超
格子コンタクト層３６は、具体的には、例えば、Ｉｎ
０．０１Ｇａ０．９９Ｎ／ＧａＮ（Ｍｇドープ）変調ド
ープ超格子構造とすることができる。
【００２９】図１のＬＥＤの構成をその製造方法に沿っ
て概説すると以下の如くである。
【００３０】まず、水素ガスを流しながらサファイア基
板１１を１１００℃で１０分間加熱し、基板表面の酸化
物を除去する。次に、基板１１を５５０℃まで冷却し、
ＴＭＧ（トリメチルガリウム）、アンモニア及びキャリ
アガスを流して膜厚１００ｎｍのＧａＮバッファ層１２
を成長させる。
【００３１】次に、基板の温度を１１００℃に加熱し、
ＴＭＧ、ＳｉＨ４、アンモニア及びキャリアガスを流し
て膜厚４ｎｍのｎ型ＧａＮ（Ｓｉドープ）層１３を成長
させる。
【００３２】次に、基板の温度を７５０℃まで冷却し、
ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニア
及びキャリアガスを流して、５層ＭＱＷ型活性層１４を
成長させる。ここで、活性層１４は、膜厚３ｎｍのＩｎ
ＧａＮウエル層と膜厚６ｎｍのＧａＮバリア層を５層ず
つ交互に積層させた構造を有する。また、ここで活性層
にドーピングを行っても良い。
【００３３】次に、基板を９５０℃に加熱し、ＴＭＧ、
ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、Ｃｐ２Ｍｇ、アン
モニア及びキャリアガスを流して膜厚２００ｎｍのｐ型
Ａｌ ０．１０Ｇａ０．９０Ｎ（Ｍｇドープ）クラッド層
１５を成長させる。なお、このクラッド層のＭｇ濃度
は、例えば５．０×１０１９ｃｍ−３とすることができ
る。
【００３４】次に、基板の温度を９５０℃に保ったま
ま、超格子コンタクト層１６を成長させる。具体的に
は、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニア及びキャリアガスを流
して膜厚３ｎｍのｌｎＧａＮ層を成長させ、ＴＭＧ、ア
ンモニア、Ｃｐ２Ｍｇ及びキャリアガスを流して膜厚３
ｎｍのｐ型ＧａＮ（Ｍｇドープ）層を成長させる。これ
らの層を例えば５０層ずつ交互に成長させることにより
超格子コンタクト層１６を形成することができる。ここ
で、ＧａＮ層のＭｇ濃度は、例えば１．０×１０２ ０ｃ
ｍ−３とすることができる。
【００３５】次に、基板を室温まで冷却して取り出し、
図１に示したように積層構造の一部を表面からｎ型コン
タクト層１３までエッチングして、ｎ側電極１６３を形
成する。また、ｐ型コンタクト層１６の上には透光性を
有するｐ側電極１６５を形成する。さらに、素子の表面
を保護膜１６１で覆い、電極にボンディングパッド１６
４、１６６を接続し、さらに素子の表面を保護膜１６２
で覆うことにより、ＬＥＤが完成する。
【００３６】なお、透光性を有するｐ側電極１６５とし
ては、例えば、金属系のＮｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）
／Ｎｉ積層膜や、酸化物／金属系のＩＴＯ（indium tin
oxide）／Ｎｉなどを採用することできる。
【００３７】このようにして試作したＬＥＤは、順方向
電流Ｉｆ＝２０ｍＡの条件において、順方向電圧Ｖｆ＝
３．２ボルト、発光ピーク波長４５０ｎｍの青色発光を
示し、発光出力は３．３ｍＷであった。
【００３８】これに対して、本発明者は、比較例とし
て、図１の構成においてコンタクト層１６としてＭｇ濃
度が１．０×１０２０ｃｍ−３で厚さが０．３０μｍの
ｐ型ＧａＮ（Ｍｇドープ）層とする以外は前述した本発
明の素子と同様の構成を有するＬＥＤを試作してその特
性を評価した。
【００３９】その結果、比較例の素子は、Ｉｆ＝２０ｍ
Ａにおいて、Ｖｆ＝３．７ボルト、発光ピーク波長４５
０ｎｍの青色発光を示し、発光出力は３．１ｍＷであっ
た。
【００４０】すなわち、本発明の発光素子は、比較例の
発光素子よりも動作電圧を低減し、発光出力も改善する
ことができた。
【００４１】本発明において、超格子コンタクトを用い
ることにより動作電圧を低減することができた理由とし
ては、大きく分けて以下の３つが考えられる。
【００４２】第１の理由として、ｐ側電極とｐ型コンタ
クト層との間の価電子帯のポテンシャルバリアの低減が
考えられる。単純にこれを利用しようとした発明として
は、前述したように、ＩｎＧａＮからなる単層をコンタ
クト層とする方法が特開平９−２８９３５１号に記載さ
れている。しかし、実際にはＩｎＧａＭはＧａＮに比べ
てｐ型化しづらいために十分な効果は得られていなかっ
た。これに対して、本発明のように高濃度ｐドープのＧ
ａＮ層とノンドープのＩｎＧａＮ層とを交互に成長させ
ることにより、ｐ型化が比較的容易なＧａＮのメリット
と、電極との間の価電子帯のポテンシャルバリアが低減
するＩｎＧａＮのメリットの両方を生かすことが出来た
と考えられる。
【００４３】第２の理由として、結晶性の向上が考えら
れる。すなわち、ＩｎＧａＮはＧａＮに比べて結晶が軟
らかいため、ＧａＮ層との超格子構造においては緩衝層
として作用し、貫通転位やクラックなどの結晶欠陥を減
少させて結晶性を向上させる効果があると考えられる。
但し、ＩｎＧａＮの結晶自体は劣化しやすく、高濃度の
ドーピングを行うと結晶が顕著に劣化する。従って、Ｉ
ｎＧａＮ層にＭｇをドープすると結晶性が劣化して緩衝
層としての効果がなくなってしまう。また、前述した特
開平９−２８９３５１号のようにｐ型ドーパントを高濃
度にドープするとＩｎＧａＮの結晶性が悪化してしま
い、電圧低下効果は発揮できないし、ｐ側電極の形成も
困難となる。
【００４４】これに対して、本発明においてはＧａＮバ
リア層にＭｇを選択的にドーピングしてＩｎＧａＮ層と
の超格子構造を形成することにより、ＩｎＧａＮの緩衝
層としての効果を十分に発揮させることができたと考え
られる。
【００４５】第３の理由として、有効キャリア濃度とキ
ャリア移動度の上昇が考えられる。すなわち、ＩｎＧａ
Ｎにｐ型ドーパントをドーピングしても十分にｐ型化さ
せることは困難である。これに対して、本発明において
は、ＧａＮへの変調ドープによりｐ型ドーパントを十分
に活性化させ、有効キャリア濃度を十分に高くすること
ができる。さらに、変調ドープにより不純物散乱を十分
に抑えることが可能になり、高い移動度を持つ正孔キャ
リアを得ることができたと考えられる。
【００４６】ここで、本発明の超格子コンタクト層にお
いては、ＩｎＧａＮウエル層のＩｎ組成が高すぎると結
晶が悪化してしまうので、Ｉｎ組成は２０％未満とする
ことが望ましく１０％未満とすることがさらに望まし
い。但し、原理的には、少しでもＩｎが入っていれば、
前記した結晶性向上効果が現れると考えられる。
【００４７】また、超格子コンタクト層の形成に際し
て、最後に成長させる層をＩｎＧａＮ層とＧａＮ（Ｍｇ
ドープ）層のどちらにしても素子特性に違いは見られな
かった。、つまり、ｐ側電極１６５に接触する超格子コ
ンタクト層１６の最上層は、ＩｎＧａＮ層でもＧａＮ層
でも良い。これは、超格子構造の場合には、ウエル層と
バリア層との平均的なポテンシャルを全体として有する
ためであると考えられる。
【００４８】一方、ＧａＮバリア層に対するＭｇのドー
ピング濃度は、１×１０１９〜１×１０２１ｃｍ−３が
良い。ドーピング濃度が高すぎると結晶が劣化し、低す
ぎるとｐ型化が十分でないからである。
【００４９】（第２の実施の形態）図２は、本発明の第
２の実施の形態に係わる窒化物半導体発光素子を表す概
略断面図である。すなわち、同図はＬＥＤの断面構造を
例示し、図中２１はＧａＮ基板、２２はＧａＮバッファ
層、２３はｎ型ＧａＮ（Ｓｉドープ）層、２４は５層Ｍ
ＱＷ型ＩｎＧａＮ活性層、２５はｐ型Ａｌ０．１０Ｇａ
０．９０Ｎ（Ｍｇドープ）層、２６はＩｎ０．０１Ｇａ
０．９９Ｎ／ＧａＮ（Ｍｇドープ）変調ドープ超格子コ
ンタクト層である。
【００５０】図２のＬＥＤの構成をその製造方法に沿っ
て概説すると以下の如くである。
【００５１】まず、水素ガスを流しながらＧａＮ基板２
１を１１００℃で１０分間加熱し、基板表面の酸化物を
除去する。次に、基板２１を５５０℃まで冷却し、ＴＭ
Ｇ、アンモニア及びキャリアガスを流して膜厚１００ｎ
ｍのＧａＮバッファ層２２を成長させる。
【００５２】次に、基板の温度を１１００℃に加熱し、
ＴＭＧ、ＳｉＨ４、アンモニア及びキャリアガスを流し
て膜厚４ｎｍのｎ型ＧａＮ（Ｓｉドープ）層２３を成長
させる。
【００５３】次に、基板の温度を７５０℃まで冷却し、
ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニア及びキャリアガスを流し
て、５層ＭＱＷ型活性層２４を成長させる。ここで、活
性層２４は、膜厚３ｎｍのＩｎＧａＮウエル層と膜厚６
ｎｍのＧａＮバリア層を５層ずつ交互に積層させた構造
を有する。また、ここで活性層にドーピングを行っても
良い。
【００５４】次に、基板を９５０℃に加熱し、ＴＭＧ、
ＴＭＡ、Ｃｐ２Ｍｇ、アンモニア及びキャリアガスを流
して膜厚２００ｎｍのｐ型Ａｌ０．１０Ｇａ０．９０Ｎ
（Ｍｇドープ）クラッド層２５を成長させる。なお、こ
のクラッド層のＭｇ濃度は、例えば５．０×１０１９ｃ
ｍ−３とすることができる。
【００５５】次に、基板の温度を９５０℃に保ったま
ま、超格子コンタクト層２６を成長させる。具体的に
は、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニア及びキャリアガスを流
して膜厚３ｎｍのｌｎＧａＮウエル層を成長させ、ＴＭ
Ｇ、アンモニア、Ｃｐ２Ｍｇ及びキャリアガスを流して
膜厚３ｎｍのｐ型ＧａＮ（Ｍｇドープ）層を成長させ
る。これらの層を例えば５０層ずつ交互に成長させるこ
とにより超格子コンタクト層３６を形成することができ
る。ここで、ＧａＮ層のＭｇ濃度は、例えば１．０×１
０２０ｃｍ−３とすることができる。
【００５６】次に、基板を室温まで冷却して取り出し、
電極形成工程を実施する。図２に例示した発光素子は、
ｐ型コンタクト層２６の上の全面にｐ側電極１７５が形
成されている。そして、ＧａＮ基板２１の裏面側には透
光性を有するｎ側電極１７３が形成され、ボンディング
パッド１７４が接続されている。さらに、素子の裏面は
保護膜１７１、１７２により覆われている。
【００５７】基板としてサファイアを用いた場合には導
電性がないが、ＧａＮ基板２１は導電性を有するため、
本実施形態のように基板の裏面側に電極を設けることが
可能となる。さらに、本実施形態のように、基板の裏面
側の電極を透光性の電極として、裏面側から光を取り出
すこともできる。
【００５８】このようにして試作したＬＥＤは、Ｉｆ＝
２０ｍＡでＶｆ＝２．９ボルト、発光ピーク波長４５０
ｎｍの青色発光を示し、発光出力は３．５ｍＷであっ
た。
【００５９】比較例として、図２の構成においてコンタ
クト層をＭｇ濃度１．０×１０２０ｃｍ−３で厚さが
０．３０μｍのｐ型ＧａＮ層とした素子を試作して評価
した。この比較例の素子の特性は、Ｉｆ＝２０ｍＡでＶ
ｆ＝３．７ボルト、発光ピーク波長４５０ｎｍの青色発
光を示し、発光出力は３．３ｍＷであった。
【００６０】本実施形態おいては、順方向電圧Ｖｆが
２．９ボルトと顕著に低減した。特に、順方向電圧が３
ボルトを下回ることにより、汎用の電池を電源とした動
作が可能となり、各種の携帯機器に搭載が容易となる点
でこの電圧低減効果は、劇的である。
【００６１】本実施形態において電圧低減効果が特に顕
著に現れた理由としては、主に以下の２つが考えられ
る。
【００６２】第１の理由として、ｐ側電極１７５を全面
電極としたことが挙げられる。すなわち、窒化物半導体
素子の場合には、ｎ側と比較して、特にｐ側のコンタク
ト抵抗を下げることが難しい。これに対して、本実施形
態においては、ｐ型コンタクト層２６とｐ側電極１７５
とを全面で接触させることができる。しかも、ｐ側から
は光を取り出さない構造であるので、接触抵抗が低くな
るような電極材料を十分に厚く形成することができる。
前述したように、サファイア基板ではこのような構造を
とることは困難である。
【００６３】第２の理由として、結晶性の向上に伴うｐ
型キャリアの移動度の向上や活性化率の向上を挙げるこ
とができる。すなわち、サファイア基板の上にエピタキ
シャル成長させた場合と比べてＧａＮ基板の上に窒化物
半導体層を成長させた場合のほうが貫通転位などの結晶
欠陥が少ない。その結果として、エピタキシャル層の結
晶性が改善され、キャリアの移動度や活性化率が上昇し
て素子抵抗が低下したことが考えられる。
【００６４】（第３の実施の形態）図３は、本発明の第
３の実施の形態に係わる窒化物半導体発光素子を表す概
略断面図である。すなわち、同図はＬＥＤの断面構造を
例示し、図中３１はＳｉＣ基板、３２はＡｌＮバッファ
層、３３はｎ型ＧａＮ（Ｓｉドープ）層、３４はｎ型Ａ
ｌ０．１０Ｇａ０．９０Ｎ（Ｓｉドープ）層、３５はＧ
ａＮ（Ｓｉ、Ｚｎドープ）活性層、３６はｐ型Ａｌ
０．１５Ｇａ０．８５Ｎ（Ｍｇドープ）層、３７はＩｎ
０．０２Ｇａ０．９８Ｎ／ＧａＮ（Ｍｇドープ）変調ド
ープ超格子コンタクト層である。
【００６５】図３のＬＥＤの構成をその製造方法に沿っ
て概説すると以下の如くである。
【００６６】まず、水素ガスを流しながらＳｉＣ基板３
１を１１００℃で１０分間加熱し、基板表面の酸化物を
除去する。次に、基板３１を６００℃まで冷却し、ＴＭ
Ａ、アンモニア及びキャリアガスを流して膜厚３０ｎｍ
のＡｌＮバッファ層３２を成長させる。
【００６７】次に、基板の温度を１１００℃に加熱し、
ＴＭＧ、ＳｉＨ４、アンモニア及びキャリアガスを流し
て膜厚４ｎｍのｎ型ＧａＮ（Ｓｉドープ）層３３を成長
させる。
【００６８】次に、基板の温度を１１００℃に保ったま
ま、ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア及びキャリアガスを流
して、膜厚３０ｎｍのｎ型Ａｌ０．１０Ｇａ０．９０Ｎ
（Ｓｉドープ）層３４を成長させる。
【００６９】次に、基板の温度を１１００℃に保ったま
ま、ＴＭＧ、アンモニア、Ｚｎ（ＣＨ３）２、ＳｉＨ４
及びキャリアガスを流して、膜厚４０ｎｍのＧａＮ（Ｓ
ｉ、Ｚｎドープ）活性層３５を成長させる。
【００７０】次に、基板を１１００℃に保ったまま、Ｔ
ＭＧ、ＴＭＡ、Ｃｐ２Ｍｇ、アンモニア及びキャリアガ
スを流して膜厚６０ｎｍのｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ
０．８５Ｎ（Ｍｇドープ）クラッド層３６を成長させ
る。なお、このクラッド層のＭｇ濃度は、例えば５．０
×１０１９ｃｍ−３とすることができる。
【００７１】次に、基板の温度を９００℃に冷却し、超
格子コンタクト層３６を成長させる。具体的には、ＴＭ
Ｇ、ＴＭＩ、アンモニア及びキャリアガスを流して膜厚
３ｎｍのｌｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ層を成長させ、Ｔ
ＭＧ、アンモニア、Ｃｐ２Ｍｇ及びキャリアガスを流し
て膜厚３ｎｍのｐ型ＧａＮ（Ｍｇドープ）層を成長させ
る。これらの層を例えば５０層ずつ交互に成長させるこ
とにより超格子コンタクト層５７を形成することができ
る。ここで、ＧａＮ層のＭｇ濃度は、例えば２．０×１
０２０ｃｍ−３とすることができる。
【００７２】次に、基板を室温まで冷却して取り出し、
電極形成工程を実施する。図３に例示した発光素子は、
基板３１の裏面全面にｎ側電極８３が設けられ、ｐ型コ
ンタクト層３７の上に透光性を有するｐ側電極１８５が
形成されている。さらに、ｐ側電極１８５にはボンディ
ングパッド１８６が接続されて、素子の表面は、保護膜
１８１、１８２により覆われている。ｐ側電極１８５と
しては、金属系のＮｉ／Ａｕ／Ｎｉ、酸化物／金属系の
ＩＴＯ／Ｎｉなどを用いることができる。
【００７３】このようして試作したＬＥＤ素子は、Ｉｆ
＝２０ｍＡでＶｆ＝３．３ボルト、発光ピーク波長４３
０ｎｍの青紫色発光を示し、発光出力は１．５ｍＷであ
った。
【００７４】比較例として、図３の構成において、コン
タクト層をＭｇ濃度が２．０×１０ ２０ｃｍ−３のｐ型
ＧａＮ（Ｍｇドープ）層とした素子を試作した。この比
較例の素子の特性は、Ｉｆ＝２０ｍＡでＶｆ＝４．０ボ
ルト、発光ピーク波長４３０ｎｍの青紫色発光を示し、
発光出力は１．５ｍＷであった。
【００７５】図３に例示したように、活性層にＩｎを含
ませず、クラッド層のＡｌ組成を高くしたような素子の
場合には、比較例の評価結果からも分かるように、動作
電圧が高くなりやすい。しかし、このような構造の素子
においても、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ（Ｍｇドープ）変調ド
ープ超格子コンタクト層を用いることによって動作電圧
を大幅に下げることができた。
【００７６】一方、ＳｉＣ基板の場合にはサファイア基
板の場合と比べて貫通転位の減少はそれほど認められな
い。つまり、エピタキシャル成長層は、一定の結晶欠陥
を有するのであるが、本実施形態においては、素子ごと
の動作電圧のバラツキは少なかった。これは、第１実施
形態に関して前述した第２の理由によるものと推測され
る。つまり、超格子コンタクト層を用いると、ＩｎＧａ
Ｎ層が軟らかいために結晶歪みを緩和してコンタクト層
の結晶性が改善され、接触抵抗が低下して動作電圧のバ
ラツキも少なくなることが考えられる。
【００７７】（第４の実施の形態）図４は、本発明の第
４の実施の形態に係わる窒化物半導体発光素子を表す概
略断面図である。すなわち、同図はＬＥＤの断面構造を
例示し、図中４１はサファイア基板、４２はＧａＮバッ
ファ層、４３はｎ型ＧａＮ（Ｓｉドープ）層、４４は５
層ＭＱＷ型ＩｎＧａＮ活性層、４５はｐ型Ａｌ０．１０
Ｇａ０．９０Ｎ（Ｍｇドープ）層、４６はＩｎ０．０１
Ｇａ０．９９Ｎ／ＧａＮ（Ｚｎドープ）変調ドープ超格
子コンタクト層である。
【００７８】図４のＬＥＤの構成及びその製造方法は、
第１実施形態に関して前述したものと同様とすることが
できるので、詳細な説明は省略する。但し、本実施形態
においては、超格子コンタクト層４６のＧａＮ層に対し
て、Ｍｇ（マグネシウム）の代わりにＺｎ（亜鉛）をド
ープする。すなわち、ＧａＮ層の成長に際して、ドーパ
ントガスとして例えばＺｎ（ＣＨ３）２を供給すること
によりＺｎをドープすることができる。また、ＧａＮ層
におけるＺｎの濃度は例えば、１．０×１０２ ０ｃｍ
−３とすることができる。
【００７９】本実施形態のＬＥＤは、順方向電流Ｉｆ＝
２０ｍＡの条件において、順方向電圧Ｖｆ＝３．４ボル
ト、発光ピーク波長４５０ｎｍの青色発光を示し、発光
出力は３．０ｍＷであった。
【００８０】これに対して、比較例として、図１の構成
においてコンタクト層４６としてＺｎ濃度が１．０×１
０２０ｃｍ−３で厚さが０．３０μｍのｐ型ＧａＮ（Ｚ
ｎドープ）層とする以外は前述した本発明の素子と同様
の構成を有するＬＥＤを試作してその特性を評価した。
この比較例の素子の特性は、Ｉｆ＝２０ｍＡでＶｆ＝
４．０ボルト、発光ピーク波長４５０ｎｍの青色発光を
示し、発光出力は２．８ｍＷであった。
【００８１】本実施形態においても、Ｚｎを変調ドープ
した超格子コンタクト層を採用することにより、素子の
動作電圧を効果的に低減することができた。
【００８２】（第５の実施の形態）図５は、本発明の第
５の実施の形態に係わる窒化物半導体発光素子を表す概
略断面図である。すなわち、同図はＬＥＤの断面構造を
例示し、図中５１はサファイア基板、５２はＧａＮバッ
ファ層、５３はｎ型ＧａＮ（Ｓｉドープ）層、５４はｎ
型Ａｌ０．１０Ｇａ０．９０Ｎ（Ｓｉドープ）層、５５
はＧａＮ（Ｓｉ、Ｚｎドープ）活性層、５６はｐ型Ａｌ
０．１５Ｇａ０．８５Ｎ（Ｍｇドープ）層、５７はＩｎ
０．０１Ｇａ０．９９Ｎ／ＧａＮ（Ｃドープ）変調ドー
プ超格子コンタクト層である。
【００８３】図５のＬＥＤの構成及びその製造方法は、
第１実施形態あるいは第３実施形態に関して前述したも
のと同様とすることができる。すなわち、ｎ型ＧａＮ層
５３までの成長手順は、第１実施形態に関して前述した
ものと概略同様であり、これ以降は、第３実施形態に関
して前述したものと概略同様とすることができる。従っ
て、これらの詳細な説明は省略する。
【００８４】但し、本実施形態においては、超格子コン
タクト層５７のＧａＮ層に対して、Ｃ（炭素）をドープ
する。この際の成長温度は、例えば９００℃とし、ドー
ピングガスとしては、例えばＣＢｒ４を用いることがで
きる。また、Ｃ（炭素）をドープする方法としては、Ｖ
族原料ガスとIII族原料ガスの流量比を調節することに
よって、「オートドーピング」現象を利用または併用と
しても良い。また、超格子コンタクト層を構成するＧａ
Ｎ層のＣ濃度は、例えば２．０×１０２０ｃｍ −３とす
ることができる。
【００８５】本実施形態のＬＥＤは、順方向電流Ｉｆ＝
２０ｍＡの条件において、順方向電圧Ｖｆ＝３．４ボル
ト、発光ピーク波長４３０ｎｍの青色発光を示し、発光
出力は１．４ｍＷであった。
【００８６】これに対して、比較例として、図１の構成
においてコンタクト層４６としてＣ濃度が２．０×１０
２０ｃｍ−３で厚さが０．３０μｍのｐ型ＧａＮ（Ｃド
ープ）層とする以外は前述した本発明の素子と同様の構
成を有するＬＥＤを試作してその特性を評価した。この
比較例の素子の特性は、Ｉｆ＝２０ｍＡでＶｆ＝４．０
ボルト、発光ピーク波長４３０ｎｍの青色発光を示し、
発光出力は１．４ｍＷであった。
【００８７】以上説明したように、Ｃ（炭素）を変調ド
ープした超格子コンタクト層を採用することによって
も、発光素子の動作電圧を効果的に低減することができ
た。
【００８８】（第６の実施の形態）図６は、本発明の第
６の実施の形態に係わる窒化物半導体発光素子を表す概
略断面図である。すなわち、同図はＬＥＤの断面構造を
例示し、図中６１はサファイア基板、６２はＧａＮバッ
ファ層、６３はｎ型ＧａＮ（Ｓｉドープ）層、６４は５
層ＭＱＷ型ＩｎＧａＮ活性層、６５はｐ型Ａｌ０．１０
Ｇａ０．９０Ｎ（Ｍｇドープ）層、６６はＧａＮ／Ａｌ
０．０１Ｇａ０．９９Ｎ（Ｍｇドープ）変調ドープ超格
子コンタクト層である。
【００８９】図６のＬＥＤの構成をその製造方法に沿っ
て概説すると以下の如くである。
【００９０】まず、水素ガスを流しながらサファイア基
板６１を１１００℃で１０分間加熱し、基板表面の酸化
物を除去する。次に、基板６１を５５０℃まで冷却し、
ＴＭＧ（トリメチルガリウム）、アンモニア及びキャリ
アガスを流して膜厚１００ｎｍのＧａＮバッファ層６２
を成長させる。
【００９１】次に、基板の温度を１１００℃に加熱し、
ＴＭＧ、ＳｉＨ４、アンモニア及びキャリアガスを流し
て膜厚４ｎｍのｎ型ＧａＮ（Ｓｉドープ）層６３を成長
させる。
【００９２】次に、基板の温度を７００℃まで冷却し、
ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニア及びキャリアガスを流し
て、５層ＭＱＷ型活性層６４を成長させる。ここで、活
性層１４は、膜厚３ｎｍのＩｎＧａＮウエル層と膜厚６
ｎｍのＧａＮバリア層を５層ずつ交互に積層させた構造
を有する。また、ここで活性層にドーピングを行っても
良い。
【００９３】次に、基板を１０００℃に加熱し、ＴＭ
Ｇ、ＴＭＡ、Ｃｐ２Ｍｇ、アンモニア及びキャリアガス
を流して膜厚２００ｎｍのｐ型Ａｌ０．１０Ｇａ
０．９０Ｎ（Ｍｇドープ）クラッド層６５を成長させ
る。なお、このクラッド層のＭｇ濃度は、例えば５．０
×１０１９ｃｍ−３とすることができる。
【００９４】次に、基板の温度を１０００℃に保ったま
ま、超格子コンタクト層６６を成長させる。具体的に
は、ＴＭＧ、アンモニア及びキャリアガスを流して膜厚
２ｎｍのＧａＮ層を成長させ、ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモ
ニア、Ｃｐ２Ｍｇ及びキャリアガスを流して膜厚２ｎｍ
のｐ型Ａｌ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ（Ｍｇドープ）層を
成長させる。これらの層を例えば５０層ずつ交互に成長
させることにより超格子コンタクト層６６を形成するこ
とができる。ここで、ＧａＮ層のＭｇ濃度は、例えば
１．０×１０２０ｃｍ−３とすることができる。
【００９５】次に、基板を室温まで冷却して取り出し、
図６に示したように積層構造の一部を表面からｎ型層６
３までエッチングして、ｎ側電極１６３を形成する。ま
た、ｐ型コンタクト層６６の上には透光性を有するｐ側
電極１６５を形成する。さらに、素子の表面を保護膜１
６１で覆い、電極にボンディングパッド１６４、１６６
を接続し、さらに素子の表面を保護膜１６２で覆うこと
により、ＬＥＤが完成する。
【００９６】ｐ側電極１６５としてＮｉ／Ａｕ／Ｎｉの
金属系電極を用いた場合には、このＬＥＤは、順方向電
流Ｉｆ＝２０ｍＡの条件において、順方向電圧Ｖｆ＝
３．５ボルト、発光ピーク波長４５０ｎｍの青色発光を
示し、発光出力は３．２ｍＷであった。
【００９７】一方、ｐ側電極１６５としてＩＴＯ／Ｎｉ
の酸化物系電極を用いた場合には、このＬＥＤは、順方
向電流Ｉｆ＝２０ｍＡの条件において、順方向電圧Ｖｆ
＝３．３ボルト、発光ピーク波長４５０ｎｍの青色発光
を示し、発光出力は３．２ｍＷであった。さらに、この
ような酸化物系電極を用いた場合でも、素子ごとの特性
のバラツキはみられなかった。
【００９８】これに対して、本発明者は、比較例とし
て、図１の構成においてコンタクト層１６としてＭｇ濃
度が１．０×１０２０ｃｍ−３で厚さが０．０５μｍの
ｐ型ＧａＮ（Ｍｇドープ）層としたＬＥＤを試作してそ
の特性を評価した。その結果、比較例の素子の特性は、
ｐ側電極の種類にはあまり依存せず、Ｉｆ＝２０ｍＡに
おいて、Ｖｆ＝３．７ボルト、発光ピーク波長４５０ｎ
ｍの青色発光を示し、発光出力は３．１ｍＷであった。
【００９９】すなわち、本発明によれば、ＡｌＧａＮ層
とＧａＮ層との変調ドープ超格子をコンタクト層に用い
ても、比較例の発光素子よりも動作電圧を低減すること
ができる。この理由としては、以下の２つが挙げられ
る。
【０１００】第１の理由として、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ
（Ｍｇ）超格子コンタクト層の場合と同様に結晶性の向
上が考えられる。すなわち、ＧａＮはＡｌＧａＮに比べ
て結晶が軟らかいため、ＡｌＧａＮ層との超格子におい
ては緩衝層として作用して貫通転位やクラックなどの結
晶欠陥を減少させ、結晶性を向上させる効果があると考
えられる。しかし、ＧａＮにＭｇをドープすると、結晶
性が劣化して緩衝層としての効果が少なくなってしま
う。
【０１０１】これに対して、本発明においては、ＡｌＧ
ａＮ層のみに選択的にドーパントをドープすることによ
って、ＧａＮ層の緩衝層としての効果を発揮させ、結晶
性が向上したと考えられる。このように、窒化物半導体
の場合には、硬度の高い結晶層と硬度の低い結晶層との
変調ドープ超格子において、硬度の高い結晶層にドーピ
ングを行うことにより結晶性を向上させることができる
と考えられる。
【０１０２】すなわち、ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ（Ｍｇ
ドープ）の変調ドープ超格子やＩｎ ｘＧａ１−ｘＮ／Ｉ
ｎｙＧａ１−ｙＮ（Ｍｇドープ）（ｘ＞ｙ）の変調ドー
プ超格子においても同様に本発明の効果が得られる。
【０１０３】第２の理由として、変調ドープにより不純
物散乱を極度に抑えることが可能になり、高い移動度を
持つ正孔を得ることができたことが考えられる。
【０１０４】本実施形態の超格子コンタクト層において
は、ＡｌＧａＮ層のＡｌ組成を２０％未満とすることが
望ましく、５％未満とすることがさらに望ましい。Ａｌ
ＧａＮ層のＡｌ組成が高すぎると動作電圧が高くなった
り結晶が悪化するからである。また、Ａｌ組成の下限に
ついては、少しでもＡｌが入っていれば効果はあるが、
Ａｌ組成が少ないと障壁層としての効果が少なくなって
しまうので、０．５％以上であることが望ましい。
【０１０５】本実施形態においては、ＩＴＯ／Ｎｉ電極
の場合に特に効果が表れる点も特徴的である。この理由
は、必ずしも明らかではないが、Ｎｉの厚さが１００ｎ
ｍ程度と非常に薄く、ＡｌＧａＮバリア層を有する超格
子コンタクト層とＩＴＯとの間でトンネル電流が発生し
やすくなるためであると推測される。
【０１０６】なお、本実施形態においても、ＧａＮ／Ａ
ｌＧａＮ変調ドープ超格子コンタクト層の成長に際して
最後に成長させる層をＧａＮ層にしてもＡｌＧａＮ層に
しても、素子の特性に有意な違いは見られなかった。つ
まり、ｐ側電極１６５と接触する層がＧａＮ層であって
も、ＡｌＧａＮ層であっても良いことが分かった。この
理由は、超格子構造は、２つの異なる層の中間的特性を
示すからであると考えられる。
【０１０７】また、本発明者は、超格子コンタクト層６
７において、ＡｌＧａＮ層の代わりにＧａＮ層にＭｇを
選択ドープした素子も試作した。しかし、この素子にお
いては、ＡｌＧａＮ層に選択ドープした素子ほどの動作
電圧の低下はみられなかった。ドーパントの活性化率や
バンドエネルギを考えた場合には、ＧａＮ層にドープし
たほうが有利であるとも考えられる。しかし、実際に試
作した結果によれば、ＡｌＧａＮ層に選択ドーピングし
た方が良好な特性が得られたところから、これらの要因
よりも、前述したような結晶性の維持、改善の効果の方
が影響が大きいことが分かった。
【０１０８】以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の
形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具
体例に限定されるものではない。
【０１０９】例えば、本発明は、ＬＥＤだけでなく、Ｌ
Ｄにも同様に適用して同様の効果を得ることができる。
さらに、これらのＬＥＤやＬＤなどの半導体発光素子の
具体的な構造についても、当業者が実施しうるあらゆる
構造の半導体発光素子に対して本発明は同様に適用して
同様の効果を得ることができる。
【０１１０】一方、本発明においては、超格子コンタク
ト層において、硬度の高い層に選択ドープするが、ドー
パントは半導体層内を拡散するので、ある程度は、硬度
の低い層にも侵入する。特に、Ｍｇは拡散が顕著である
ので、硬度の低い層にも多少は侵入する傾向がある。し
かし、このようにして得られた発光素子においても本本
発明の効果は十分に得られる。
【０１１１】一方、超格子コンタクト層にドープするｐ
型不純物としては、前述したＭｇ、Ｚｎ、Ｃの他にもＢ
ｅ、Ｃｄ、Ｈｇなど各種の元素を用いることが可能であ
る。
【０１１２】
【発明の効果】本発明によれば、窒化物半導体からなる
半導体発光素子の動作電圧を低下させ、発光特性を改善
することが可能となる。
【０１１３】すなわち、ｐ側電極とのコンタクト抵抗を
低下させることにより、コンタクト部での発熱を抑制
し、素子の温度特性を改善するとともに寿命も改善する
ことができる。
【０１１４】特に、ＬＤの場合には、注入する電流量が
多いため、電極とのコンタクト部における発熱が問題と
なる。本発明によれば、ｐ側電極との接触抵抗を低下さ
せ、素子の動作電圧を下げるとともに、コンタクト部で
の発熱も抑制し、発光素子の温度特性を改善すると共
に、素子寿命などの信頼性も大幅に改善することが可能
となる。
【０１１５】また、半導体発光素子の動作電圧を低下さ
せることにより、汎用の電池などを電源として半導体発
光素子を容易に駆動することができるようになる。例え
ば、本発明によれば、発光素子の動作電圧を３ボルト以
下とすることも可能である。その結果として、電池を電
源とした各種の携帯機器などに窒化物半導体からなる半
導体発光素子を搭載することができるようになる。
【０１１６】すなわち、フルカラー表示やマルチカラー
表示機能を有する各種の携帯機器を実現することが可能
となり産業上のメリットは多大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係わる窒化物半導
体発光素子を表す概略断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係わる窒化物半導
体発光素子を表す概略断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係わる窒化物半導
体発光素子を表す概略断面図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態に係わる窒化物半導
体発光素子を表す概略断面図である。
【図５】本発明の第５の実施の形態に係わる窒化物半導
体発光素子を表す概略断面図である。
【図６】本発明の第６の実施の形態に係わる窒化物半導
体発光素子を表す概略断面図である。
【図７】従来のコンタクト層を備えたＬＥＤを例示した
概略断面図である。
【符号の説明】
１１、２１、３１、４１、５１、６１、１１１ 基板 １２、２２、３２、４２、５２、６２、１１２ バッフ
ァ層 １３、２３、３３、４３、５３、６３、１１３ ｎ型Ｇ
ａＮ層 ３４、５４、６４ ｎ型クラッド層 １４、２４、３５、４４、５５、６５、１１４ 活性層 １５、２５、３６、４５、５６、６６、１１５ ｐ型ク
ラッド層 １６、２６、３７、４６、５７、６７ 変調ドープ超格
子コンタクト層 １１６ ｐ型ＧａＮコンタクト層 １４１、１４２、１６１、１６２、１７１、１７２、１
８１、１８２ 保護膜 １４３、１６３、１７３、１８３ ｎ側電極 １４５、１６５、１７５、１８５ ｐ側電極 １４４、１４６、１６４、１６６、１７４、１８６ ボ
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Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】窒化物半導体からなるコンタクト層と、 前記コンタクト層の表面に接触して設けられたｐ側電極
    と、 を備えた半導体発光素子であって、 前記コンタクト層は、バンドギャップの大きい窒化物半
    導体層とバンドギャップの小さい窒化物半導体層とを交
    互に積層させた超格子構造を有し、ｐ型ドーパントが前
    記バンドギャップの大きい窒化物半導体層に選択的にド
    ープされていることを特徴とする半導体発光素子。
  2. 【請求項２】前記バンドギャップの大きい窒化物半導体
    層は、ＧａＮからなり、 前記バンドギャップの小さい窒化物半導体層は、ＩｎＧ
    ａＮからなり、 ｐ型ドーパントが前記ＧａＮ層に選択的にドープされて
    いることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
  3. 【請求項３】前記ＩｎＧａＮにおいてＩｎがIII族元素
    全体に占める割合は、０原子％よりも大きく２０原子％
    よりも小さいことを特徴とする請求項２記載の半導体発
    光素子。
  4. 【請求項４】前記バンドギャップの大きい窒化物半導体
    層は、ＡｌＧａＮからなり、 前記バンドギャップの小さい窒化物半導体層は、ＧａＮ
    からなり、 ｐ型ドーパントが前記ＡｌＧａＮに選択的にドープされ
    ていることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素
    子。
  5. 【請求項５】前記ＡｌＧａＮ層においてＡｌがIII族元
    素全体に占める割合は、０原子％よりも大きく２０原子
    ％よりも小さいことを特徴とする請求項４記載の半導体
    発光素子。
  6. 【請求項６】前記バンドギャップの大きい窒化物半導体
    層は、ＩｎｘＧａ１−ｘＮからなり、 前記バンドギャップの小さい窒化物半導体層は、Ｉｎｙ
    Ｇａ１−ｙＮ（但し、ｘ＜ｙ）からなり、 ｐ型ドーパントが前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮに選択的にド
    ープされていることを特徴とする請求項１記載の半導体
    発光素子。
  7. 【請求項７】前記バンドギャップの大きい窒化物半導体
    層は、ＡｌＧａＮからなり、 前記バンドギャップの小さい窒化物半導体層は、ＩｎＧ
    ａＮからなり、 ｐ型ドーパントが前記ＡｌＧａＮに選択的にドープされ
    ていることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素
    子。
  8. 【請求項８】前記ｐ型ドーパントは、Ｍｇ（マグネシウ
    ム）、Ｚｎ（亜鉛）及びＣ（炭素）からなる群から選ば
    れたいずれかであることを特徴とする請求項１〜７のい
    ずれか１つに記載の半導体発光素子。
  9. 【請求項９】前記ｐ型ドーパントはＭｇ（マグネシウ
    ム）であり、そのドープ濃度は１×１０１９ｃｍ−３以
    上で１×１０２０ｃｍ−３以下であることを特徴とする
    請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
  10. 【請求項１０】前記ｐ側電極は、酸化物を含むことを特
    徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の半導体発
    光素子。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005159291A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Super Nova Optoelectronics Corp 高発光効率の窒化ガリウム系発光ダイオード及びその製造方法
JP2005217406A (ja) * 2004-01-27 2005-08-11 Lumileds Lighting Us Llc 電流拡散層を含む半導体発光装置
JP2006313888A (ja) * 2005-05-03 2006-11-16 Samsung Electro Mech Co Ltd 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
JP2007059913A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Samsung Electro Mech Co Ltd 窒化物半導体発光素子
JP2007201099A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体発光素子を作製する方法
JP2007221146A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Lg Electronics Inc 縦型発光素子及びその製造方法
JP2007300063A (ja) * 2006-04-03 2007-11-15 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
US7368310B2 (en) 2003-08-08 2008-05-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light generating semiconductor device and method of making the same
JP2008182275A (ja) * 2002-09-18 2008-08-07 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体発光素子
JP2008270805A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 窒化物半導体発光素子
KR100878326B1 (ko) * 2007-07-03 2009-01-14 한국광기술원 칩스케일 패키징 발광소자 및 그의 제조방법
JP2013168507A (ja) * 2012-02-15 2013-08-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 窒化物半導体発光トランジスタ
KR101311440B1 (ko) * 2011-09-08 2013-10-02 가와니시 히데오 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP2015170803A (ja) * 2014-03-10 2015-09-28 住友電気工業株式会社 ＩＩＩ族窒化物半導体素子、ｐ型コンタクト構造、ＩＩＩ族窒化物半導体素子を作製する方法
JP2020501355A (ja) * 2016-12-01 2020-01-16 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 放射線放出半導体ボディ、および半導体積層体の製造方法

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6534797B1 (en) * 2000-11-03 2003-03-18 Cree, Inc. Group III nitride light emitting devices with gallium-free layers
JP3912043B2 (ja) * 2001-04-25 2007-05-09 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
US6649942B2 (en) * 2001-05-23 2003-11-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light-emitting device
TW546855B (en) * 2001-06-07 2003-08-11 Sumitomo Chemical Co Group 3-5 compound semiconductor and light emitting diode
US6642652B2 (en) * 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
US7919791B2 (en) * 2002-03-25 2011-04-05 Cree, Inc. Doped group III-V nitride materials, and microelectronic devices and device precursor structures comprising same
US20030189215A1 (en) 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
US6987281B2 (en) * 2003-02-13 2006-01-17 Cree, Inc. Group III nitride contact structures for light emitting devices
JP4315701B2 (ja) * 2003-02-25 2009-08-19 シャープ株式会社 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体用電極とその製造方法
US6990132B2 (en) * 2003-03-20 2006-01-24 Xerox Corporation Laser diode with metal-oxide upper cladding layer
US7023010B2 (en) * 2003-04-21 2006-04-04 Nanodynamics, Inc. Si/C superlattice useful for semiconductor devices
KR100525545B1 (ko) * 2003-06-25 2005-10-31 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101034055B1 (ko) * 2003-07-18 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
TWI250669B (en) * 2003-11-26 2006-03-01 Sanken Electric Co Ltd Semiconductor light emitting element and its manufacturing method
TWI230474B (en) * 2004-04-13 2005-04-01 United Epitaxy Co Ltd High luminance indium gallium aluminum nitride light emitting, device and manufacture method thereof
TWI229952B (en) * 2004-05-07 2005-03-21 United Epitaxy Co Ltd Semiconductor light emitting device and method of making the same
US20050274964A1 (en) * 2004-05-29 2005-12-15 Ting-Kai Huang Light emitting diode structure
KR100649496B1 (ko) * 2004-09-14 2006-11-24 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
CN100435359C (zh) * 2004-10-10 2008-11-19 晶元光电股份有限公司 半导体发光元件及其制造方法
KR100662191B1 (ko) 2004-12-23 2006-12-27 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100580752B1 (ko) * 2004-12-23 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8029439B2 (en) * 2005-01-28 2011-10-04 Stryker Corporation Disposable attachable light source unit for an endoscope
TWI250671B (en) * 2005-03-01 2006-03-01 Epitech Technology Corp Method for manufacturing light-emitting diode
KR101221067B1 (ko) * 2006-02-09 2013-01-11 삼성전자주식회사 리지 도파형 반도체 레이저 다이오드
JP4864766B2 (ja) * 2006-03-31 2012-02-01 富士フイルム株式会社 半導体層の成膜方法
JP2008060132A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Rohm Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
US9647103B2 (en) * 2007-05-04 2017-05-09 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor device with modulated field element isolated from gate electrode
US8847203B2 (en) * 2009-11-04 2014-09-30 Dowa Electronics Materials Co, Ltd. Group III nitride epitaxial laminate substrate
KR101159782B1 (ko) * 2010-02-05 2012-06-26 신왕균 투명 엘이디 웨이퍼 모듈 및 그 제조방법
WO2012021859A2 (en) * 2010-08-12 2012-02-16 Jonathan Kiva Flaster Light source for aiming, target acquisition, communication and tracking
US20140010245A1 (en) * 2010-08-12 2014-01-09 Jonathan Kiva Flaster Light source for aiming, target acquisition, communication and tracking
KR101813935B1 (ko) * 2011-06-09 2018-01-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR101901850B1 (ko) * 2012-01-05 2018-09-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 모듈
WO2014017369A1 (ja) * 2012-07-25 2014-01-30 信越化学工業株式会社 ハイブリッド基板の製造方法及びハイブリッド基板
WO2014017368A1 (ja) * 2012-07-25 2014-01-30 信越化学工業株式会社 Ｓｏｓ基板の製造方法及びｓｏｓ基板
TW201438282A (zh) * 2013-03-25 2014-10-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 發光二極體及其製造方法
US9985168B1 (en) 2014-11-18 2018-05-29 Cree, Inc. Group III nitride based LED structures including multiple quantum wells with barrier-well unit interface layers
EP3073538B1 (en) * 2015-03-25 2020-07-01 LG Innotek Co., Ltd. Red light emitting device and lighting system
JP2019505459A (ja) * 2015-12-10 2019-02-28 アイキューイー ピーエルシーＩＱＥ ｐｌｃ 増加した圧縮応力によってシリコン基板上で成長させたｉｉｉ族窒化物構造物
US11393948B2 (en) 2018-08-31 2022-07-19 Creeled, Inc. Group III nitride LED structures with improved electrical performance
CN110061104B (zh) * 2019-02-28 2020-08-14 华灿光电(苏州）有限公司 氮化镓基发光二极管外延片的制造方法
CN116779738A (zh) * 2023-08-11 2023-09-19 江西兆驰半导体有限公司 一种发光二极管外延片及制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04122070A (ja) * 1990-09-13 1992-04-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体装置
US5488233A (en) * 1993-03-11 1996-01-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting device with compound semiconductor layer
US6005258A (en) 1994-03-22 1999-12-21 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III Nitrogen compound having emission layer doped with donor and acceptor impurities
JP3457468B2 (ja) * 1995-09-12 2003-10-20 株式会社東芝 多層構造半導体装置
US5874747A (en) * 1996-02-05 1999-02-23 Advanced Technology Materials, Inc. High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same
DE19718413A1 (de) * 1996-04-30 1997-11-06 Hitachi Ltd Laserstrahldrucker und Halbleiterlaser-Bauteil, das als Lichtquelle für einen solchen geeignet ist
WO1998031055A1 (en) * 1997-01-09 1998-07-16 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
JPH10209569A (ja) * 1997-01-16 1998-08-07 Hewlett Packard Co <Hp> ｐ型窒化物半導体装置とその製造方法
JPH10294531A (ja) * 1997-02-21 1998-11-04 Toshiba Corp 窒化物化合物半導体発光素子
US6087725A (en) * 1997-09-29 2000-07-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Low barrier ohmic contact for semiconductor light emitting device
KR100542870B1 (ko) * 1998-01-21 2006-01-20 로무 가부시키가이샤 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7485902B2 (en) 2002-09-18 2009-02-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light-emitting device
JP2008182275A (ja) * 2002-09-18 2008-08-07 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体発光素子
US7368310B2 (en) 2003-08-08 2008-05-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light generating semiconductor device and method of making the same
US7550776B2 (en) 2003-08-08 2009-06-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light generating semiconductor device and method of making the same
JP2005159291A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Super Nova Optoelectronics Corp 高発光効率の窒化ガリウム系発光ダイオード及びその製造方法
JP2005217406A (ja) * 2004-01-27 2005-08-11 Lumileds Lighting Us Llc 電流拡散層を含む半導体発光装置
JP2006313888A (ja) * 2005-05-03 2006-11-16 Samsung Electro Mech Co Ltd 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
JP2007059913A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Samsung Electro Mech Co Ltd 窒化物半導体発光素子
JP2007201099A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体発光素子を作製する方法
JP2007221146A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Lg Electronics Inc 縦型発光素子及びその製造方法
JP2013034010A (ja) * 2006-02-16 2013-02-14 Lg Electronics Inc 縦型発光素子
JP2007300063A (ja) * 2006-04-03 2007-11-15 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
JP2008270805A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 窒化物半導体発光素子
KR100878326B1 (ko) * 2007-07-03 2009-01-14 한국광기술원 칩스케일 패키징 발광소자 및 그의 제조방법
KR101311440B1 (ko) * 2011-09-08 2013-10-02 가와니시 히데오 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP2013168507A (ja) * 2012-02-15 2013-08-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 窒化物半導体発光トランジスタ
JP2015170803A (ja) * 2014-03-10 2015-09-28 住友電気工業株式会社 ＩＩＩ族窒化物半導体素子、ｐ型コンタクト構造、ＩＩＩ族窒化物半導体素子を作製する方法
US9379523B2 (en) 2014-03-10 2016-06-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device
JP2020501355A (ja) * 2016-12-01 2020-01-16 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ 放射線放出半導体ボディ、および半導体積層体の製造方法
US10971653B2 (en) 2016-12-01 2021-04-06 Osram Oled Gmbh Radiation-emitting semiconductor body and method of producing a semiconductor layer sequence
JP7097360B2 (ja) 2016-12-01 2022-07-07 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 放射線放出半導体ボディ、および半導体積層体の製造方法

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