[go: up one dir, main page]

JP2001060440A - マグネトロン - Google Patents

マグネトロン

Info

Publication number
JP2001060440A
JP2001060440A JP11234793A JP23479399A JP2001060440A JP 2001060440 A JP2001060440 A JP 2001060440A JP 11234793 A JP11234793 A JP 11234793A JP 23479399 A JP23479399 A JP 23479399A JP 2001060440 A JP2001060440 A JP 2001060440A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vane
thickness
pole piece
magnetron
filament
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11234793A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuki Miki
一樹 三木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP11234793A priority Critical patent/JP2001060440A/ja
Publication of JP2001060440A publication Critical patent/JP2001060440A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Microwave Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 部品寸法がバラツイても共振周波数への影響
を抑制して、共振周波数の変動を抑制したマグネトロン
を提供する。 【解決手段】 本発明のベインの特徴は、ベイン2の上
部ポールピース9及び下部ポールピース10と対面する
それぞれの面27の中間部分を残し両側部29を切り落
したことである。こうして、ポールピース9,10に最
接近するベイン2の面27の厚みを他の部分の厚みより
薄くすることにより、他の特性を大きく変えることな
く、コンダクタンスの増加を半減でき、共振周波数への
影響を抑制できる。また、ベイン2のポールピース9,
10に最接近している面27の効率的な厚みはベインの
他の部分の厚みの2分の1以上とする方が良い。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子レンジ等のマ
イクロ波加熱機器やレーダーなどに用いられるマグネト
ロンに関する。
【0002】
【従来の技術】第3図は、従来のマグネトロンの半断面
図である。1は無酸素鋼などからなり真空壁(真空容器
の壁面、以下同じ)の一部となるアノードシェルで、そ
の内周に複数個のベイン2が放射状に中心に向かって設
けられ、各ベイン2は1個おきに小径および大径のスト
ラップリング7、8により接続されて、πモード発振の
安定化が図られている。アノードシェル1の両端にはベ
イン2の先端とアノードシェル1の中心部に、軸方向に
設置されたフィラメント3との間の作用空間に磁界を集
中させるためのポールピース9、10がそれぞれ設けら
れており、これらにより陽極部が形成されている。
【0003】フィラメント3は、たとえばトリウムタン
グステン線などがコイル状に巻かれたフィラメントから
なり、各ベイン2の先端で囲まれた空間で、アノードシ
ェル1の中心部に設けられている。そしてその両端には
エンドハットが固着され、エンドハットはそれぞれ陰極
リード4、5に接続されている。6はベイン2の内の一
枚に接続されたアンテナ導体であり、ポールピース9に
はアンテナ導体6を通す穴が設けられている。
【0004】11はポールピース9を挟み、アノードシ
ェル1に固着される封着金属であるトップシェル、12
はポールピース10を挟みアノードシェル1に固着され
る封着金属であるステムメタル、13はトップシェル1
1にロウ付けで固着される出力部支持のアンテナセラミ
ック、14はアンテナセラミック13に固着され前記ア
ンテナ導体6と接合される出力パイプ、15は出力パイ
プ14に圧入されるアンテナキャップ、16はステムメ
タル12に固着され陰極リード4、5を支持するステム
セラミックである。
【0005】以上によって真空管が構成され、17、1
8は前記アノードシェル1の上下にそれぞれ配置された
環状磁石、19はアノードシェル1外周面に嵌着された
冷却フィンであり、20はアノードシェル1、磁石1
7,18と冷却フィン19を囲むヨークである。21は
ヨーク20から突出したステムセラミック16を囲みフ
ィルター回路を構成するチョーク22及び貫通コンデン
サ23を内臓するシールドケースである。
【0006】24は電子レンジの接合部と密接するガス
ケット、25はガスケット24を保持し、トップシェル
11に圧入されるガスケツトリングである。上記構造に
おいて、陽極部で発生したマイクロ波は、本来の発振周
波数のマイクロ波(基本波)と整数倍の高調波などが混
在した状態で、アンテナ導体6を伝送し、アンテナキヤ
ップ15の面から外部に放射される。
【0007】上記構造において、フィラメント3とべイ
ン2間の空間を作用空間と呼び、この空間で電子の進行
方向に垂直に磁場が加えられ、電子が周回運動し、高周
波エネルギーを発生する。陽極部で発生したマイクロ波
は、アンテナ導体6を伝送し、アンテナキヤップ15の
面から外部に放射される。
【0008】入力エネルギーからこの高周波エネルギー
に変換される効率は、加えられる磁束密度に正比例する
ため、ポールピース9,10の対向距離を短くすること
が望ましい。しかし、ベイン2とポールピース9,10
の距離が近ずくとコンダクタンスが高くなり、共振周波
数に影響をおよぼす。即ち、部品寸法バラツキによっ
て、共振周波数が大きく変動することになるが、共振周
波数は国際規制で制限されており、設計通りの共振周波
数を得ることが必要である。
【0009】
【発明が解決しようする課題】しかし、従来のベインは
図2に示すように、ベイン2の上部ポールピース9及び
下部ポールピース10と対面する面27は矩形状の平面
でベインの他の部分の厚みと同じであってベインの厚み
が均一である。面27とポールピース9,10のとの距
離が短いほど磁束の通過には好都合であるが、反面、こ
のようなベインの厚みでポールピースの対向距離を短く
すると、コンダクタンスが増加する。この対策として、
ベインの高さを小さくすることが容易に考えられるが、
ベイン2の面28がフィラメント3と対向して形成する
作用空間を小さくすることになり、不安定な発振状態に
なり易くなる。それ故、作用空間の大きさを変えずにコ
ンダクタンスの増加を抑えることが必要である。
【0010】そこで本発明は、ポールピースと最接近す
る部分のベインの厚みを他の部分の厚みより薄くするこ
とにより、他の特性を大きく変えることなく、コンダク
タンスの増加を半減でき、共振周波数の変動を小さくす
ることができるマグネトロンを提供することを目的とす
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の請求項1に係るマグネトロンは、熱電子を放
出するためのフィラメントと放射状に配置されるベイン
を有し、フィラメントを内径、ベイン先端を外径とする
作用空間の上下に配置されて対向するポールピースを備
えたマグネトロンにおいて、ベインのポールピースに最
接近している部分の厚みを、ベインの他の部分の厚みよ
り薄くするように構成した。
【0012】こうして、ポールピースと最接近する部分
のベインの厚みを他の部分の厚みより薄くすることによ
り、ポールピースとの対向面積を減らすことができ、コ
ンダクタンスが低下し、部品寸法がバラツイても共振周
波数への影響を抑制できる。
【0013】本発明の請求項2に係るマグネトロンは、
熱電子を放出するためのフィラメントと放射状に配置さ
れるベインを有し、フィラメントを内径、ベイン先端を
外径とする作用空間の上下に配置されて対向するポール
ピースを備えたマグネトロンにおいて、ベインのポール
ピースに最接近している部分の厚みを、ベインの他の部
分の厚みの2分の1以上となるように構成した。
【0014】こうして、ポールピースと最接近する部分
のベインの厚みを他の部分の厚みの2分の1以上となる
ようにすることにより、対向面積を減らすことができ、
コンダクタンスが低下し、作用空間に封じ込められるべ
き電子が隙間から多く発散することなく、また、電子が
作用空間の小さい面積に収束しすぎると不安定な発振状
態になるのを防ぎながら、部品寸法がバラツイても共振
周波数への影響を抑制できる。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を以下に説明す
る。本発明のマグネトロンの基本構成は図3に示すもの
と同じであるが、ベインの構成に特徴があり、かかるベ
インを図3のマグネトロンに組込んだものであるので、
基本構成である図3については、既に述べたので、ここ
では説明を省略する。
【0016】図1に本発明のベインの実施形態を示す。
図2と同一の部分については同じ番号を付している。本
発明のベインの特徴と図2のベインとの相違点は、ベイ
ン2の上部ポールピース9及び下部ポールピース10と
対面するそれぞれの面27の中間部分を残し両側部29
を切り落したことである。
【0017】こうして、ポールピース9,10に最接近
するベイン2の面27の厚みを他の部分の厚みより薄く
することにより、他の特性を大きく変えることなく、コ
ンダクタンスの増加を半減でき、共振周波数への影響を
抑制できる。
【0018】他の手段として最接近するベイン2の面2
7の両側部29だけではなく、それ以外の部分の厚みも
薄くすることも考えられるが、ベイン2の熱抵抗が高く
なり、ベイン2に固着されるストラップリング7,8の
熱応力が高くなる。その結果、ストラップリング7,8
が熱疲労破壊に達する時間が短くなるので好ましくな
い。
【0019】また、図1のベインにおいて、ポールピー
ス9,10に最接近する面27の両側部29をより多く
切り落し、厚みを更により薄くする場合も考えられる
が、ベイン2の面28が陰極フィラメント3と対向して
形成する作用空間に封じ込められるべき電子が面27の
隙間から多く発散することになり、また、電子が作用空
間の小さい面積に収束しすぎると不安定な発振状態にな
り易くなるので好ましくない。従って、ベイン2のポー
ルピース9,10に最接近している面27の厚みはベイ
ンの他の部分の厚みの2分の1以上とする方が効率的で
あることが経験上実証された。
【0020】
【発明の効果】以上のように、本発明は、ポールピース
と最接近する部分のベインの厚みを他の部分の厚みより
薄くすることにより、ポールピースとの対向面積を減ら
すことができ、他の特性を大きく変えることなく、コン
ダクタンスが低下し、部品寸法がバラツイても共振周波
数への影響を抑制できることにより、共振周波数の変動
を抑制したマグネトロンを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のベイン形状図。
【図2】従来のベイン形状図
【図3】従来のマグネトロンの半断面図。
【符号の説明】
1 アノードシェル 2 ベイン 3 フィラメント 4,5 陰極リード 6 アンテナ導体 7,8 ストラップリング 9,10 ポールピース 11 トップシェル 12 ステムメタル 13 アンテナセラミック 14 出力パイプ 15 アンテナキャップ 16 ステムセラミック 17,18 環状磁石 19 冷却フィン 20 ヨーク 21 シールドケース 22 チョーク 23 貫通コンデンサ 24 ガスケット 25 ガスケツトリング 26 円盤状の金属板 27 ポールピースと対面するベインの面 28 ベインの作用空間形成面 29 切り落し部分

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 熱電子を放出するためのフィラメントと
    放射状に配置されるベインを有し、フィラメントを内
    径、ベイン先端を外径とする作用空間の上下に配置され
    て対向するポールピースを備えたマグネトロンにおい
    て、ベインのポールピースに最接近している部分の厚み
    を、ベインの他の部分の厚みより薄くすることを特徴と
    するマグネトロン。
  2. 【請求項2】 ベインのポールピースに最接近している
    部分の厚みはベインの他の部分の厚みの2分の1以上と
    することを特徴とする請求項1記載のマグネトロン 。
JP11234793A 1999-08-20 1999-08-20 マグネトロン Pending JP2001060440A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11234793A JP2001060440A (ja) 1999-08-20 1999-08-20 マグネトロン

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11234793A JP2001060440A (ja) 1999-08-20 1999-08-20 マグネトロン

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001060440A true JP2001060440A (ja) 2001-03-06

Family

ID=16976489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11234793A Pending JP2001060440A (ja) 1999-08-20 1999-08-20 マグネトロン

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001060440A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6774568B2 (en) 2002-11-21 2004-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Magnetron for microwave oven
WO2012120902A1 (ja) * 2011-03-10 2012-09-13 パナソニック株式会社 マグネトロンおよびマイクロ波利用機器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6774568B2 (en) 2002-11-21 2004-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Magnetron for microwave oven
WO2012120902A1 (ja) * 2011-03-10 2012-09-13 パナソニック株式会社 マグネトロンおよびマイクロ波利用機器
JP2012190649A (ja) * 2011-03-10 2012-10-04 Panasonic Corp マグネトロンおよびマイクロ波利用機器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6653788B2 (en) Magnetron having a lowered oscillation frequency and processing equipment employing the same
KR900009012B1 (ko) 마그네트론
KR100498564B1 (ko) 마그네트론장치
JP5415119B2 (ja) 電子レンジ用マグネトロン
JP2001060440A (ja) マグネトロン
US5621269A (en) Cathode assembly of a magnetron
KR100378918B1 (ko) 마그네트론
JPH07302548A (ja) マグネトロン
KR100247765B1 (ko) 마그네트론의 캐소드 조립체
JP2000164151A (ja) マグネトロン
KR200162643Y1 (ko) 마그네트론
KR200145525Y1 (ko) 전자레인지용 마그네트론의 영구자석 구조
JP2002163993A (ja) マグネトロン
JP2004071531A (ja) 電子レンジ用マグネトロン
JPS5836116Y2 (ja) マグネトロン
JPS62290037A (ja) マグネトロン
JP2001332180A (ja) マグネトロン
JPH065210A (ja) 電子レンジ用マグネトロン
JPH11149879A (ja) 電子レンジ用マグネトロン
JPS6286639A (ja) マグネトロン装置
KR20030089323A (ko) 마그네트론의 가스켓 링 설치구조
KR19990033681A (ko) 마그네트론의 애노드 조립체
JPH03194831A (ja) マグネトロン
KR20000050547A (ko) 전자레인지용 마그네트론의 고주파 결합구조
JPH04349332A (ja) マグネトロン