JP2001052895A - プラズマ発生装置及びこの装置を備えたプラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ発生装置及びこの装置を備えたプラズマ処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理物の処理の面内均一性を高め得るプラ
ズマを生成することができるプラズマ発生装置及びプラ
ズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 同一平面内に同心状に配置された互いに
径の異なる複数のアンテナ片３ａから成るアンテナ３
と、アンテナ３に高周波電力を供給するアンテナ用高周
波電源１と、アンテナ３を用いてプラズマ化されるプロ
セスガスＧが内部に導入される真空容器７と、を備え
る。アンテナ３の半径方向において隣り合うアンテナ片
３ａ同士に互いに異なる方向の電流が流される。アンテ
ナ３による誘導電磁界によって真空容器７の内部に環状
の磁気中性領域が形成される。真空容器７の内部に形成
されたプラズマは磁気中性領域に向かって拡散し、これ
により、真空容器７の内部に環状のプラズマが生成され
る。
ズマを生成することができるプラズマ発生装置及びプラ
ズマ処理装置を提供する。 【解決手段】 同一平面内に同心状に配置された互いに
径の異なる複数のアンテナ片３ａから成るアンテナ３
と、アンテナ３に高周波電力を供給するアンテナ用高周
波電源１と、アンテナ３を用いてプラズマ化されるプロ
セスガスＧが内部に導入される真空容器７と、を備え
る。アンテナ３の半径方向において隣り合うアンテナ片
３ａ同士に互いに異なる方向の電流が流される。アンテ
ナ３による誘導電磁界によって真空容器７の内部に環状
の磁気中性領域が形成される。真空容器７の内部に形成
されたプラズマは磁気中性領域に向かって拡散し、これ
により、真空容器７の内部に環状のプラズマが生成され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ発生装置
及びこの装置を備えたプラズマ処理装置に係わり、特
に、半導体基板やディスク基板等の被処理物の微細加
工、薄膜形成、表面処理等を行うためのプラズマを生成
するプラズマ発生装置及びこの装置を備えたプラズマ処
理装置に関する。
及びこの装置を備えたプラズマ処理装置に係わり、特
に、半導体基板やディスク基板等の被処理物の微細加
工、薄膜形成、表面処理等を行うためのプラズマを生成
するプラズマ発生装置及びこの装置を備えたプラズマ処
理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造プロセスやディスク製
造プロセス等において、プラズマ発生装置により生成し
たプラズマを利用して、基板表面の微細加工、薄膜形成
等の処理が行われている。特に、半導体製造プロセスに
おいては、半導体の高集積化を図るために、プラズマを
利用した基板表面の処理技術が必要不可欠なものとなっ
ている。
造プロセス等において、プラズマ発生装置により生成し
たプラズマを利用して、基板表面の微細加工、薄膜形成
等の処理が行われている。特に、半導体製造プロセスに
おいては、半導体の高集積化を図るために、プラズマを
利用した基板表面の処理技術が必要不可欠なものとなっ
ている。
【０００３】このように半導体製造プロセスやディスク
製造プロセス等において、プラズマ発生装置及びこの装
置を備えたプラズマ処理装置が広く利用される。
製造プロセス等において、プラズマ発生装置及びこの装
置を備えたプラズマ処理装置が広く利用される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のプラ
ズマ発生装置及びプラズマ処理装置においては、被処理
物の全体を均一に処理し得るようなプラズマを生成する
ことが難しかった。つまり、従来のプラズマ発生装置で
生成されるプラズマは、その中心部の密度が周辺部に比
べて高くなっており、このようなプラズマを利用して被
処理物を処理すると、被処理物の中央部の処理速度（例
えばエッチング速度や成膜速度）が周辺部に比べて速く
なってしまい、その結果、処理の面内均一性が悪化して
しまう。
ズマ発生装置及びプラズマ処理装置においては、被処理
物の全体を均一に処理し得るようなプラズマを生成する
ことが難しかった。つまり、従来のプラズマ発生装置で
生成されるプラズマは、その中心部の密度が周辺部に比
べて高くなっており、このようなプラズマを利用して被
処理物を処理すると、被処理物の中央部の処理速度（例
えばエッチング速度や成膜速度）が周辺部に比べて速く
なってしまい、その結果、処理の面内均一性が悪化して
しまう。
【０００５】したがって、例えば半導体ウエハのような
円盤状の被処理物の場合、被処理物の真上に円盤状又は
環状のプラズマを発生させることができれば、処理の面
内均一性を高めることができる。
円盤状の被処理物の場合、被処理物の真上に円盤状又は
環状のプラズマを発生させることができれば、処理の面
内均一性を高めることができる。
【０００６】そこで、本発明の目的は、被処理物の処理
の面内均一性を高め得るプラズマを生成することができ
るプラズマ発生装置及びこの装置を備えたプラズマ処理
装置を提供することにある。
の面内均一性を高め得るプラズマを生成することができ
るプラズマ発生装置及びこの装置を備えたプラズマ処理
装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明によるプラズマ発生装置は、同一平面内に同
心状に配置された互いに径の異なる複数のアンテナ片か
ら成るアンテナと、前記アンテナに高周波電力を供給す
るアンテナ用高周波電源と、前記アンテナを用いてプラ
ズマ化されるプロセスガスが内部に導入される真空容器
と、を備え、前記アンテナの半径方向において隣り合う
前記アンテナ片同士に互いに異なる方向の電流が流さ
れ、前記アンテナによる誘導電磁界によって前記真空容
器の内部に環状の磁気中性領域が形成され、前記真空容
器の内部に形成されたプラズマは前記磁気中性領域に向
かって拡散し、これにより、前記真空容器の内部に環状
のプラズマが生成されることを特徴とする。
に、本発明によるプラズマ発生装置は、同一平面内に同
心状に配置された互いに径の異なる複数のアンテナ片か
ら成るアンテナと、前記アンテナに高周波電力を供給す
るアンテナ用高周波電源と、前記アンテナを用いてプラ
ズマ化されるプロセスガスが内部に導入される真空容器
と、を備え、前記アンテナの半径方向において隣り合う
前記アンテナ片同士に互いに異なる方向の電流が流さ
れ、前記アンテナによる誘導電磁界によって前記真空容
器の内部に環状の磁気中性領域が形成され、前記真空容
器の内部に形成されたプラズマは前記磁気中性領域に向
かって拡散し、これにより、前記真空容器の内部に環状
のプラズマが生成されることを特徴とする。
【０００８】また、前記複数のアンテナ片同士が電気的
に直列に連結されていることが好ましい。
に直列に連結されていることが好ましい。
【０００９】また、前記各アンテナ片は、不連続部を一
カ所有する各環状部材によって形成されており、前記不
連続部における前記環状部材の両端部のうちの少なくと
も一方は、前記アンテナの半径方向において隣り合う前
記アンテナ片同士の間で接続されており、これにより前
記複数のアンテナ片同士が電気的に直列に連結されてい
ることが好ましい。
カ所有する各環状部材によって形成されており、前記不
連続部における前記環状部材の両端部のうちの少なくと
も一方は、前記アンテナの半径方向において隣り合う前
記アンテナ片同士の間で接続されており、これにより前
記複数のアンテナ片同士が電気的に直列に連結されてい
ることが好ましい。
【００１０】また、前記複数のアンテナ片のうちの少な
くとも１つを、他の前記アンテナ片に対して、前記アン
テナの中心軸心方向に沿って前記同一平面から変位さ
せ、これにより、生成するプラズマの特性を制御するこ
ともできる。
くとも１つを、他の前記アンテナ片に対して、前記アン
テナの中心軸心方向に沿って前記同一平面から変位さ
せ、これにより、生成するプラズマの特性を制御するこ
ともできる。
【００１１】また、前記アンテナ片の延在方向に沿って
延設したファラデーシールドと、前記アンテナ用高周波
電源、前記アンテナ、及び前記ファラデーシールドのイ
ンピーダンスの整合をとるアンテナ用インピーダンス整
合器とをさらに備えていることが好ましい。
延設したファラデーシールドと、前記アンテナ用高周波
電源、前記アンテナ、及び前記ファラデーシールドのイ
ンピーダンスの整合をとるアンテナ用インピーダンス整
合器とをさらに備えていることが好ましい。
【００１２】また、前記アンテナ用高周波電源により供
給される電力の波長は、前記アンテナの全長の１／４以
上の長さであることが好ましい。
給される電力の波長は、前記アンテナの全長の１／４以
上の長さであることが好ましい。
【００１３】また、前記アンテナ用高周波電源により供
給される電力の周波数は、１ｋＨｚから１００ＭＨｚの
範囲であることが好ましい。
給される電力の周波数は、１ｋＨｚから１００ＭＨｚの
範囲であることが好ましい。
【００１４】上記課題を解決するために、本発明による
プラズマ処理装置は、上述したいずれかのプラズマ発生
装置を備え、前記真空容器の内部には、前記プラズマを
利用して処理される被処理物を載置するための処理台が
設けられていることを特徴とする。
プラズマ処理装置は、上述したいずれかのプラズマ発生
装置を備え、前記真空容器の内部には、前記プラズマを
利用して処理される被処理物を載置するための処理台が
設けられていることを特徴とする。
【００１５】また、前記処理台は電極を含み、前記電極
に高周波電力を供給する電極用高周波電源と、前記電極
及び前記電極用高周波電源のインピーダンスの整合をと
る電極用インピーダンス整合器と、をさらに備えている
ことが好ましい。
に高周波電力を供給する電極用高周波電源と、前記電極
及び前記電極用高周波電源のインピーダンスの整合をと
る電極用インピーダンス整合器と、をさらに備えている
ことが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
プラズマ発生装置及びこの装置を備えたプラズマ処理装
置について図面を参照して説明する。
プラズマ発生装置及びこの装置を備えたプラズマ処理装
置について図面を参照して説明する。
【００１７】図１は本実施形態によるプラズマ処理装置
の縦断面図であり、図２は図１に示したプラズマ処理装
置を上方から見た図である。
の縦断面図であり、図２は図１に示したプラズマ処理装
置を上方から見た図である。
【００１８】図１及び図２に示したようにこのプラズマ
発生装置は、同一平面内に同心状に配置された互いに径
の異なる複数のコイル状のアンテナ片３ａから成るアン
テナ３を備えている。図２に示したように各アンテナ片
３ａは、不連続部３ｂを一カ所有する各環状部材によっ
て形成されており、不連続部３ｂにおける環状部材の両
端部のうちの少なくとも一方は、アンテナ３の半径方向
において隣り合うアンテナ片３ａ同士の間で、連絡用ア
ンテナ片３ｃによって接続されており、これにより複数
のアンテナ片３ａは電気的に直列に連結されている。
発生装置は、同一平面内に同心状に配置された互いに径
の異なる複数のコイル状のアンテナ片３ａから成るアン
テナ３を備えている。図２に示したように各アンテナ片
３ａは、不連続部３ｂを一カ所有する各環状部材によっ
て形成されており、不連続部３ｂにおける環状部材の両
端部のうちの少なくとも一方は、アンテナ３の半径方向
において隣り合うアンテナ片３ａ同士の間で、連絡用ア
ンテナ片３ｃによって接続されており、これにより複数
のアンテナ片３ａは電気的に直列に連結されている。
【００１９】また、アンテナ片３ａの延在方向に沿って
ファラデーシールド４が同心状に延設されており、各フ
ァラデーシールド４は接地されている。なお、ファラデ
ーシールド４は、各アンテナ片３ａにより形成される誘
導電磁界パターンを制御する上で有効であるが、本発明
においてはファラデーシールド４は必須のものではな
く、これを省略することもできる。
ファラデーシールド４が同心状に延設されており、各フ
ァラデーシールド４は接地されている。なお、ファラデ
ーシールド４は、各アンテナ片３ａにより形成される誘
導電磁界パターンを制御する上で有効であるが、本発明
においてはファラデーシールド４は必須のものではな
く、これを省略することもできる。
【００２０】また、本実施形態によるプラズマ発生装置
は、アンテナ３に高周波電力を供給するアンテナ用高周
波電源１を備え、このアンテナ用高周波電源１はアンテ
ナ３の一方の端部に接続されている。なお、アンテナ３
の他方の端部は接地されている。さらに、アンテナ用高
周波電源１、アンテナ３、及びファラデーシールド４の
インピーダンスの整合をとるアンテナ用インピーダンス
整合器２がアンテナ用高周波電源１とアンテナ３との間
に設けられている。
は、アンテナ３に高周波電力を供給するアンテナ用高周
波電源１を備え、このアンテナ用高周波電源１はアンテ
ナ３の一方の端部に接続されている。なお、アンテナ３
の他方の端部は接地されている。さらに、アンテナ用高
周波電源１、アンテナ３、及びファラデーシールド４の
インピーダンスの整合をとるアンテナ用インピーダンス
整合器２がアンテナ用高周波電源１とアンテナ３との間
に設けられている。
【００２１】また、本実施形態によるプラズマ処理装置
は、アンテナ３から放射した高周波電力が印加されるプ
ロセスガスＧが内部に導入される真空容器７を備えてお
り、この真空容器７の上面開口は絶縁板８により封止さ
れている。そして、上述したアンテナ３及びファラデー
シールド４は絶縁板８の上に配置されている。
は、アンテナ３から放射した高周波電力が印加されるプ
ロセスガスＧが内部に導入される真空容器７を備えてお
り、この真空容器７の上面開口は絶縁板８により封止さ
れている。そして、上述したアンテナ３及びファラデー
シールド４は絶縁板８の上に配置されている。
【００２２】また、真空容器７の側面にはプロセスガス
Ｇを導入するためのガス導入口５が形成されており、真
空容器７の底面にはガス排出口６が形成されている。
Ｇを導入するためのガス導入口５が形成されており、真
空容器７の底面にはガス排出口６が形成されている。
【００２３】真空容器７の内部には、プラズマを利用し
て処理される円盤状の被処理物９を載置するための処理
台１０が設けられている。この処理台１０は下部電極を
形成しており、この下部電極には、高周波電力を供給す
るための電極用高周波電源１１が接続されている。処理
台（下部電極）１０と電極用高周波電源１１との間に
は、処理台（下部電極）１０及び電極用高周波電源１１
のインピーダンスの整合をとる電極用インピーダンス整
合器１２が設けられている。
て処理される円盤状の被処理物９を載置するための処理
台１０が設けられている。この処理台１０は下部電極を
形成しており、この下部電極には、高周波電力を供給す
るための電極用高周波電源１１が接続されている。処理
台（下部電極）１０と電極用高周波電源１１との間に
は、処理台（下部電極）１０及び電極用高周波電源１１
のインピーダンスの整合をとる電極用インピーダンス整
合器１２が設けられている。
【００２４】そして、本実施形態によるプラズマ発生装
置においては、アンテナ３の半径方向において隣り合う
アンテナ片３ａ同士に対して互いに異なる方向の電流が
流される。具体的には、最も内側のアンテナ片３ａの電
流方向が例えば図２中左回りであるとき、その外側のア
ンテナ片３ａの電流方向は右回りとなり、さらにその外
側は左回りとなり、最も外側のアンテナ片３ａの端部で
接地される構造になっている。
置においては、アンテナ３の半径方向において隣り合う
アンテナ片３ａ同士に対して互いに異なる方向の電流が
流される。具体的には、最も内側のアンテナ片３ａの電
流方向が例えば図２中左回りであるとき、その外側のア
ンテナ片３ａの電流方向は右回りとなり、さらにその外
側は左回りとなり、最も外側のアンテナ片３ａの端部で
接地される構造になっている。
【００２５】なお、本実施形態においてはアンテナ３の
アンテナ片３ａは合計３ターンであるが、ターン数はこ
れに限られることはなく、互いに逆向きに電流が流れる
２ターンのアンテナ片３ａでアンテナ３を構成しても良
いし、４ターン以上で構成しても良い。
アンテナ片３ａは合計３ターンであるが、ターン数はこ
れに限られることはなく、互いに逆向きに電流が流れる
２ターンのアンテナ片３ａでアンテナ３を構成しても良
いし、４ターン以上で構成しても良い。
【００２６】また、アンテナ用高周波電源１からアンテ
ナ３に供給されるエネルギーの損失を低減するために、
アンテナ用高周波電源１により供給される電力の波長
は、アンテナ３の全長の１／４以上の長さであることが
好ましい。
ナ３に供給されるエネルギーの損失を低減するために、
アンテナ用高周波電源１により供給される電力の波長
は、アンテナ３の全長の１／４以上の長さであることが
好ましい。
【００２７】また、所望のプラズマを安定的に得るため
に、アンテナ用高周波電源１により供給される電力の周
波数は、１ｋＨｚから１００ＭＨｚの範囲であることが
好ましい。
に、アンテナ用高周波電源１により供給される電力の周
波数は、１ｋＨｚから１００ＭＨｚの範囲であることが
好ましい。
【００２８】次に、本実施形態によるプラズマ発生装置
及びこの装置を備えたプラズマ処理装置の作用について
説明する。
及びこの装置を備えたプラズマ処理装置の作用について
説明する。
【００２９】アンテナ用高周波電源１からの高周波電力
は、アンテナ用インピーダンス整合器２により整合され
た後にアンテナ３に供給され、アンテナ３に高周波電流
が流れ、これにより真空容器７の内部に誘導電磁界が形
成される。
は、アンテナ用インピーダンス整合器２により整合され
た後にアンテナ３に供給され、アンテナ３に高周波電流
が流れ、これにより真空容器７の内部に誘導電磁界が形
成される。
【００３０】そして、前記の如くアンテナ３の半径方向
において隣り合うアンテナ片３ａ同士に対して互いに異
なる方向の電流を流すことによって、各アンテナ片３ａ
により形成される誘導電磁界パターンにより真空容器７
の内部に環状の磁気中性領域が形成される。このため、
真空容器７の内部で生成されたプラズマは環状の磁気中
性領域に向かって拡散し、その結果、真空容器７の内部
に環状のプラズマが生成される。
において隣り合うアンテナ片３ａ同士に対して互いに異
なる方向の電流を流すことによって、各アンテナ片３ａ
により形成される誘導電磁界パターンにより真空容器７
の内部に環状の磁気中性領域が形成される。このため、
真空容器７の内部で生成されたプラズマは環状の磁気中
性領域に向かって拡散し、その結果、真空容器７の内部
に環状のプラズマが生成される。
【００３１】ここで、アンテナ片３ａのターン数、アン
テナ片３ａ間の間隔、各アンテナ片３ａ間のファラデー
シールド４の有無、ファラデーシールド４の幅、ファラ
デーシールド４の高さ、等を適宜選択することにより、
誘導電磁界のパターンを制御し、所望のリング状の磁気
中性領域を生成させ、所望のリング状のプラズマを被処
理物９の真上に発生させることができる。
テナ片３ａ間の間隔、各アンテナ片３ａ間のファラデー
シールド４の有無、ファラデーシールド４の幅、ファラ
デーシールド４の高さ、等を適宜選択することにより、
誘導電磁界のパターンを制御し、所望のリング状の磁気
中性領域を生成させ、所望のリング状のプラズマを被処
理物９の真上に発生させることができる。
【００３２】また、電極用高周波電源１１から処理台
（下部電極）１０に高周波電力を印加することにより、
プラズマ中のイオンを被処理物９側に引き込んで物理的
なスパッタリングを促進することができる。
（下部電極）１０に高周波電力を印加することにより、
プラズマ中のイオンを被処理物９側に引き込んで物理的
なスパッタリングを促進することができる。
【００３３】以上述べたように本実施形態によれば、真
空容器７の内部にリング状の磁気中性領域を発生させる
ことにより、被処理物９の真上にリング状のプラズマを
生成することができるので、被処理物９の処理の面内均
一性を高めることができる。
空容器７の内部にリング状の磁気中性領域を発生させる
ことにより、被処理物９の真上にリング状のプラズマを
生成することができるので、被処理物９の処理の面内均
一性を高めることができる。
【００３４】また、本実施形態の一変形例としては、複
数のアンテナ片３ａのうちの少なくとも１つを、他のア
ンテナ片３ａに対して、アンテナ３の中心軸心Ｏ（図２
参照）の方向に沿って変位させ、これにより、生成する
プラズマの特性（位置、形状、密度等）を制御すること
もできる。
数のアンテナ片３ａのうちの少なくとも１つを、他のア
ンテナ片３ａに対して、アンテナ３の中心軸心Ｏ（図２
参照）の方向に沿って変位させ、これにより、生成する
プラズマの特性（位置、形状、密度等）を制御すること
もできる。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、真空
容器の内部にリング状の磁気中性領域を発生させること
により、被処理物の真上にリング状のプラズマを生成す
ることができるので、被処理物の処理の面内均一性を高
めることができる。
容器の内部にリング状の磁気中性領域を発生させること
により、被処理物の真上にリング状のプラズマを生成す
ることができるので、被処理物の処理の面内均一性を高
めることができる。
【図１】本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置の
縦断面図。
縦断面図。
【図２】図１に示したプラズマ処理装置を上方から見た
図。
図。
１ アンテナ用高周波電源 ２ アンテナ用インピーダンス整合器 ３ アンテナ ３ａ アンテナ片 ３ｂ 不連続部 ３ｃ 連絡用アンテナ片 ４ ファラデーシールド ５ ガス導入口 ６ ガス排出口 ７ 真空容器 ８ 絶縁板 ９ 被処理物 １０ 処理台（電極） １１ 電極用高周波電源 １２ 電極用インピーダンス整合器 Ｇ プロセスガス Ｏ アンテナの中心軸心
Claims (9)
- 【請求項１】同一平面内に同心状に配置された互いに径
の異なる複数のアンテナ片から成るアンテナと、前記ア
ンテナに高周波電力を供給するアンテナ用高周波電源
と、前記アンテナを用いてプラズマ化されるプロセスガ
スが内部に導入される真空容器と、を備え、前記アンテ
ナの半径方向において隣り合う前記アンテナ片同士に互
いに異なる方向の電流が流され、前記アンテナによる誘
導電磁界によって前記真空容器の内部に環状の磁気中性
領域が形成され、前記真空容器の内部に形成されたプラ
ズマは前記磁気中性領域に向かって拡散し、これによ
り、前記真空容器の内部に環状のプラズマが生成される
ことを特徴とするプラズマ発生装置。 - 【請求項２】前記複数のアンテナ片同士が電気的に直列
に連結されていることを特徴とする請求項１記載のプラ
ズマ発生装置。 - 【請求項３】前記各アンテナ片は、不連続部を一カ所有
する各環状部材によって形成されており、前記不連続部
における前記環状部材の両端部のうちの少なくとも一方
は、前記アンテナの半径方向において隣り合う前記アン
テナ片同士の間で接続されており、これにより前記複数
のアンテナ片同士が電気的に直列に連結されていること
を特徴とする請求項２記載のプラズマ発生装置。 - 【請求項４】前記複数のアンテナ片のうちの少なくとも
１つを、他の前記アンテナ片に対して、前記アンテナの
中心軸心方向に沿って前記同一平面から変位させ、これ
により、生成するプラズマの特性を制御することを特徴
とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のプ
ラズマ発生装置。 - 【請求項５】前記アンテナ片の延在方向に沿って延設し
たファラデーシールドと、前記アンテナ用高周波電源、
前記アンテナ、及び前記ファラデーシールドのインピー
ダンスの整合をとるアンテナ用インピーダンス整合器と
をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項４
のいずれか一項に記載のプラズマ発生装置。 - 【請求項６】前記アンテナ用高周波電源により供給され
る電力の波長は、前記アンテナの全長の１／４以上の長
さであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいず
れか一項に記載のプラズマ発生装置。 - 【請求項７】前記アンテナ用高周波電源により供給され
る電力の周波数は、１ｋＨｚから１００ＭＨｚの範囲で
あることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか
一項に記載のプラズマ発生装置。 - 【請求項８】請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記
載のプラズマ発生装置を備え、前記真空容器の内部に
は、前記プラズマを利用して処理される被処理物を載置
するための処理台が設けられていることを特徴とするプ
ラズマ処理装置。 - 【請求項９】前記処理台は電極を含み、前記電極に高周
波電力を供給する電極用高周波電源と、前記電極及び前
記電極用高周波電源のインピーダンスの整合をとる電極
用インピーダンス整合器と、をさらに備えたことを特徴
とする請求項８記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11221658A JP2001052895A (ja) | 1999-08-04 | 1999-08-04 | プラズマ発生装置及びこの装置を備えたプラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP11221658A JP2001052895A (ja) | 1999-08-04 | 1999-08-04 | プラズマ発生装置及びこの装置を備えたプラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001052895A true JP2001052895A (ja) | 2001-02-23 |
Family
ID=16770240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11221658A Withdrawn JP2001052895A (ja) | 1999-08-04 | 1999-08-04 | プラズマ発生装置及びこの装置を備えたプラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001052895A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100554651B1 (ko) * | 2003-08-26 | 2006-02-24 | 어댑티브프라즈마테크놀로지 주식회사 | 증대된 플라즈마 밀도를 갖는 플라즈마 소스 및 이를이용한 플라즈마 챔버 |
| JP2013145793A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Ulvac Japan Ltd | プラズマエッチング装置 |
| DE10326135B4 (de) * | 2002-06-12 | 2014-12-24 | Ulvac, Inc. | Entladungsplasma-Bearbeitungsanlage |
| TWI568318B (zh) * | 2011-12-19 | 2017-01-21 | Tokyo Electron Ltd | Inductive coupling plasma antenna unit and inductively coupled plasma processing device |
| CN113330533A (zh) * | 2019-01-08 | 2021-08-31 | 应用材料公司 | 用于电感耦合等离子体的递归线圈 |
-
1999
- 1999-08-04 JP JP11221658A patent/JP2001052895A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20061107 |