JP2001044022A - Thermistor element and thermistor using the same - Google Patents
Thermistor element and thermistor using the sameInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、サーミスタ素
子、特にばね端子で挟持するタイプのサーミスタ素子お
よびそれを用いたケースタイプのサーミスタに関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermistor element, and more particularly to a thermistor element sandwiched between spring terminals and a case-type thermistor using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】サーミスタ素子、ここでは負特性サーミ
スタ素子について説明する。2. Description of the Related Art A thermistor element, here, a negative characteristic thermistor element will be described.
【0003】負特性サーミスタ素子は、常温での抵抗値
に比較して、温度の上昇とともに抵抗値が小さくなると
いう機能を利用して、電子機器の電源回路に組み込ま
れ、電子機器の電源スイッチを入れた瞬間に電源回路に
流れる突入電流を抑制する回路素子として用いられる。The negative characteristic thermistor element is incorporated in a power supply circuit of an electronic device by utilizing a function that the resistance value decreases as the temperature rises as compared with the resistance value at normal temperature, and a power switch of the electronic device is used. It is used as a circuit element that suppresses an inrush current flowing in a power supply circuit at the moment of being turned on.
【0004】図7は、負特性サーミスタ素子1の一般的
な構造を示す平面図である。負特性サーミスタ素子1
は、円板状の負特性サーミスタ素体2と、この負特性サ
ーミスタ素体2の対向する主面に形成された円形の電極
3、3とからなる。FIG. 7 is a plan view showing a general structure of the negative temperature coefficient thermistor element 1. As shown in FIG. Negative characteristic thermistor element 1
Is composed of a disk-shaped negative characteristic thermistor element body 2 and circular electrodes 3 and 3 formed on opposing main surfaces of the negative characteristic thermistor element body 2.
【0005】図8は、突入電流抑制用ケースタイプの負
特性サーミスタ4の一般的な構造を示す断面図である。
負特性サーミスタ4は、円板状の負特性サーミスタ素子
1の両主面の電極3、3にばね端子5、5が電気的に接
続され、さらに、負特性サーミスタ素子1とばね端子
5、5が、耐熱性の絶縁ケース6に収納されている。負
特性サーミスタ素子1は、ケース6の内部空間で、ばね
端子5、5の一端側で弾力挟持されており、ばね端子
5、5の他端は、ケース6を貫通して外部に導出されて
いる。FIG. 8 is a sectional view showing a general structure of a case type negative characteristic thermistor 4 for suppressing an inrush current.
The negative characteristic thermistor 4 has spring terminals 5, 5 electrically connected to the electrodes 3, 3 on both main surfaces of the disk-shaped negative characteristic thermistor element 1, and further has the negative characteristic thermistor element 1 and the spring terminals 5, 5. Are housed in a heat-resistant insulating case 6. The negative characteristic thermistor element 1 is elastically clamped at one end side of the spring terminals 5 and 5 in the internal space of the case 6, and the other ends of the spring terminals 5 and 5 pass through the case 6 and are led out to the outside. I have.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上記負特性サーミスタ
素子1の電極3、3は、負特性サーミスタ素体2の両主
面のほぼ全面を覆うように、AgもしくはAg−Pdペ
ーストを塗布、焼付けることにより形成される。The electrodes 3, 3 of the above-mentioned negative characteristic thermistor element 1 are coated with Ag or Ag-Pd paste so as to cover almost both of the main surfaces of the negative characteristic thermistor element 2, and then fired. It is formed by attaching.
【0007】Agからなる電極3、3は、比抵抗が低
く、大きな電流容量を実現できる。しかしながら、ばね
端子5、5との摩擦で削れやすく、突入電流印加時に電
極3、3とばね端子5、5との間でスパークが発生する
ことがあった。また、電極間マイグレーションが生じや
すく、すなわち、通電時、一方主面の電極3、3のAg
が他方主面の電極3、3に向かって移動し、負特性サー
ミスタ素体2の側面において短絡してしまうことがあっ
た。The electrodes 3 and 3 made of Ag have a low specific resistance and can realize a large current capacity. However, it is easy to be scraped off by friction with the spring terminals 5 and 5, and a spark may be generated between the electrodes 3 and 3 and the spring terminals 5 and 5 when an inrush current is applied. In addition, migration between the electrodes is likely to occur, that is, when electricity is supplied, Ag of the electrodes 3, 3 on one main surface is increased.
May move toward the electrodes 3 on the other main surface, and a short circuit may occur on the side surface of the negative temperature coefficient thermistor body 2.
【0008】Ag−Pd合金からなる電極3、3は、A
gよりも硬く、ばね端子5、5との摩擦では削れにく
い。しかしながら、比抵抗が高く、電極3、3の面抵抗
が大きくなってしまう。すると、突入電流印加時に電極
3、3とばね端子5、5との間でスパークが発生するこ
とがあった。また、Agよりも高価なため、コストがか
かるという問題があった。The electrodes 3, 3 made of an Ag—Pd alloy are
g, and is less likely to be scraped off by friction with the spring terminals 5,5. However, the specific resistance is high, and the sheet resistance of the electrodes 3 becomes large. Then, sparks may be generated between the electrodes 3 and 3 and the spring terminals 5 and 5 when the inrush current is applied. In addition, since it is more expensive than Ag, there is a problem that the cost is increased.
【0009】この発明の目的は、電流容量が大きく、か
つ、ばね端子との接触に強く、通電時のマイグレーショ
ンを防止する電極構造を持つ、サーミスタ素子およびそ
れを用いたサーミスタを提供することである。An object of the present invention is to provide a thermistor element and a thermistor using the same, which have a large current capacity, are resistant to contact with a spring terminal, and have an electrode structure for preventing migration during energization. .
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】この第1の発明における
サーミスタ素子は、板状のサーミスタ素体と、このサー
ミスタ素体の両主面をほぼ覆うように形成されたAg電
極と、このAg電極の上に前記サーミスタ素体の両主面
中心部に形成されたAg−Pd中心電極と、を備えるこ
とを特徴とする。The thermistor element according to the first invention comprises a plate-like thermistor element, an Ag electrode formed so as to substantially cover both main surfaces of the thermistor element, And a Ag-Pd center electrode formed at the center of both main surfaces of the thermistor body.
【0011】この第2の発明におけるサーミスタ素子
は、板状のサーミスタ素体と、このサーミスタ素体の両
主面をほぼ覆うように形成されたAg電極と、このAg
電極の外周縁に跨って環状に形成されたAg−Pd外周
電極と、を備えることを特徴とする。The thermistor element according to the second aspect of the present invention includes a plate-shaped thermistor element, an Ag electrode formed so as to substantially cover both main surfaces of the thermistor element,
An Ag-Pd outer peripheral electrode formed annularly over the outer peripheral edge of the electrode.
【0012】この第3の発明におけるサーミスタ素子
は、板状のサーミスタ素体と、このサーミスタ素体の両
主面をほぼ覆うように形成されたAg電極と、このAg
電極の上に前記サーミスタ素体の両主面中心部に形成さ
れたAg−Pd中心電極と、前記Ag電極の外周縁に跨
って環状に形成されたAg−Pd外周電極と、を備える
ことを特徴とする。The thermistor element according to the third aspect of the present invention includes a plate-like thermistor element, an Ag electrode formed so as to substantially cover both main surfaces of the thermistor element,
An Ag-Pd center electrode formed at the center of both main surfaces of the thermistor body on the electrode, and an Ag-Pd outer electrode formed annularly over the outer edge of the Ag electrode. Features.
【0013】この第4の発明におけるサーミスタは、第
1または第3の発明おけるサーミスタ素子と、このサー
ミスタ素子の両主面に形成されたAg−Pd中心電極に
電気的に接続された一対のばね端子と、前記サーミスタ
素子を内装する絶縁ケースと、を備えることを特徴とす
る。The thermistor according to the fourth invention is a thermistor according to the first or third invention, and a pair of springs electrically connected to Ag-Pd center electrodes formed on both main surfaces of the thermistor. A terminal and an insulating case that houses the thermistor element are provided.
【0014】この第5の発明におけるサーミスタは、第
2の発明におけるサーミスタ素子と、このサーミスタ素
子の両主面に形成されたAg電極のそれぞれに電気的に
接続された一対のばね端子と、前記サーミスタ素子を内
装する絶縁ケースと、を備えることを特徴とする。The thermistor according to a fifth aspect of the present invention includes the thermistor element according to the second aspect of the invention, and a pair of spring terminals electrically connected to Ag electrodes formed on both main surfaces of the thermistor element, respectively. An insulating case that houses the thermistor element.
【0015】これにより、電流容量特性を劣化させるこ
となく、ばね端子との摩擦による電極破損、電極間マイ
グレーションの発生を防止することができる。Thus, it is possible to prevent electrode damage and migration between electrodes due to friction with the spring terminal without deteriorating current capacity characteristics.
【0016】[0016]
【0017】[0017]
【実施例1】この発明における一つの実施形態のサーミ
スタ素子について、図1に示す負特性サーミスタ素子1
1を参考に説明する。負特性サーミスタ素子11は、円
板状の負特性サーミスタ素体12と、負特性サーミスタ
素体12の両主面に形成されたAg電極13a、13a
およびAg−Pd中心電極13b、13bとからなる。Embodiment 1 A thermistor element according to one embodiment of the present invention is shown in FIG.
1 will be described. The negative-characteristic thermistor element 11 includes a disk-shaped negative-characteristic thermistor element 12 and Ag electrodes 13 a, 13 a formed on both main surfaces of the negative-characteristic thermistor element 12.
And Ag-Pd center electrodes 13b, 13b.
【0018】負特性サーミスタ素体12は、Mn、N
i、Co、Cu、Feなどの酸化物を主成分とするサー
ミスタ材料を用いて円板状の成形体を形成し、それを焼
成することにより得ることができる。この負特性サーミ
スタ素体12は、直径7mm、厚み1.5mmの円板状
であった。The negative characteristic thermistor body 12 is composed of Mn, N
It can be obtained by forming a disc-shaped molded body using a thermistor material mainly containing an oxide such as i, Co, Cu, Fe or the like, and firing it. The negative characteristic thermistor body 12 was a disk having a diameter of 7 mm and a thickness of 1.5 mm.
【0019】Ag電極13a、13aおよびAg−Pd
中心電極13b、13bは、負特性サーミスタ素体12
の両主面に、AgペーストおよびAg−Pdペーストを
塗布、焼付けることにより得ることができる。Ag electrodes 13a, 13a and Ag-Pd
The center electrodes 13b, 13b are connected to the negative characteristic thermistor element 12
Can be obtained by applying and baking an Ag paste and an Ag-Pd paste on both main surfaces.
【0020】Ag電極13a、13aは、負特性サーミ
スタ素体12の両主面をほぼ覆うように、直径5mmの
円形に形成されている。The Ag electrodes 13a, 13a are formed in a circular shape having a diameter of 5 mm so as to substantially cover both main surfaces of the negative characteristic thermistor body 12.
【0021】Ag−Pd中心電極13b、13bは、負
特性サーミスタ素体12の両主面に、Ag電極13a、
13aの上に、直径2mmの円形に形成されている。す
なわち、Ag−Pd中心電極13bは、Ag電極13a
が形成された負特性サーミスタ素子11の主面中心部
に、負特性サーミスタ素体12およびAg電極13aと
同心円状に、Ag電極13aの外周縁近傍に1.5mm
幅のギャップを残して形成されている。The Ag-Pd center electrodes 13b, 13b are provided on both main surfaces of the negative characteristic thermistor body 12 with Ag electrodes 13a, 13b.
13a, a circular shape having a diameter of 2 mm is formed. That is, the Ag-Pd center electrode 13b is connected to the Ag electrode 13a.
Is formed in the center of the main surface of the negative characteristic thermistor element 11 on which the negative characteristic thermistor element body 12 and the Ag electrode 13a are concentrically arranged, and 1.5 mm in the vicinity of the outer peripheral edge of the Ag electrode 13a.
It is formed leaving a width gap.
【0022】なお、電極形成は、Agペーストを塗布、
焼成してからAg−Pdペーストを塗布、焼成してもよ
いし、両電極の焼成を同時に行なってもよい。The electrode is formed by applying an Ag paste,
After firing, the Ag-Pd paste may be applied and fired, or both electrodes may be fired simultaneously.
【0023】さらに、この負特性サーミスタ素子12を
用いたケースタイプの負特性サーミスタについて、図2
を参考にして説明する。図2に示す負特性サーミスタ1
4は、前記負特性サーミスタ素子11の両主面を、ばね
端子15、15で弾力挟持し、さらに、この負特性サー
ミスタ素子11を絶縁ケース16で内装したものであ
る。FIG. 2 shows a case-type negative characteristic thermistor using the negative characteristic thermistor element 12.
This will be described with reference to FIG. Negative characteristic thermistor 1 shown in FIG.
Reference numeral 4 denotes a structure in which both main surfaces of the negative characteristic thermistor element 11 are elastically sandwiched between spring terminals 15 and 15, and the negative characteristic thermistor element 11 is further housed in an insulating case 16.
【0024】ばね端子15、15は、例えばSUSやリ
ン青銅、Cu−Ti合金などにAgや半田メッキなどの
表面コーティングを施したものからなり、負特性サーミ
スタ素子11の両主面中心部に形成されたAg−Pd中
心電極13b、13bと電気的に接続されている。The spring terminals 15, 15 are made of, for example, SUS, phosphor bronze, Cu-Ti alloy or the like, and are coated with a surface coating such as Ag or solder plating. Ag-Pd center electrodes 13b, 13b.
【0025】絶縁ケース16は、例えばPPSやフェノ
ール、PBTなどからなり、負特性サーミスタ素子11
を覆うことにより、負特性サーミスタ素子11を外部環
境から保護し、絶縁性を保持している。The insulating case 16 is made of, for example, PPS, phenol, PBT, or the like.
, The negative characteristic thermistor element 11 is protected from the external environment and the insulation property is maintained.
【0026】上記負特性サーミスタ素子11および負特
性サーミスタ14は、負特性サーミスタ素体12の両主
面をほぼ覆うようにAg電極13a、13aが形成され
ているので、面抵抗が小さく、電流容量が大きい。さら
に、ばね端子15、15で弾力挟持した場合、ばね端子
15、15が負特性サーミスタ素子11の両主面中心部
に形成されたAg−Pd中心電極13b、13bと接触
するので、ばね端子15、15との摩擦による電極破損
が起こりにくい。The negative-characteristic thermistor element 11 and the negative-characteristic thermistor 14 are formed with the Ag electrodes 13a, 13a so as to substantially cover both main surfaces of the negative-characteristic thermistor body 12, so that the sheet resistance is small and the current capacity is small. Is big. Further, when the spring terminals 15, 15 are elastically sandwiched, the spring terminals 15, 15 come into contact with Ag-Pd center electrodes 13 b, 13 b formed at the center of both main surfaces of the negative characteristic thermistor element 11. , 15 are less likely to be damaged by friction with the electrodes.
【0027】[0027]
【実施例2】この発明における他の実施形態のサーミス
タ素子について、図3に示す負特性サーミスタ素子21
を参考に説明する。但し、前述のものと同一のものには
同一の符号を付して詳細な説明を省略する。負特性サー
ミスタ素子21は、円板状の負特性サーミスタ素体12
と、負特性サーミスタ素体12の両主面に形成されたA
g電極13a、13aおよびAg−Pd外周電極23
b、23bとからなる。Embodiment 2 A thermistor element according to another embodiment of the present invention is shown in FIG.
Will be described with reference to FIG. However, the same components as those described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted. The negative characteristic thermistor element 21 is a disk-shaped negative characteristic thermistor element 12.
Formed on both main surfaces of the negative characteristic thermistor body 12
g electrodes 13a, 13a and Ag-Pd outer peripheral electrode 23
b and 23b.
【0028】負特性サーミスタ素体12は、直径7m
m、厚み1.5mmの円板状であり、Ag電極13a、
13aは、負特性サーミスタ素体12の両主面に、直径
5mmの円形に形成されている。The negative characteristic thermistor body 12 has a diameter of 7 m.
m, a disk shape with a thickness of 1.5 mm, and an Ag electrode 13a,
13a is formed in a circular shape with a diameter of 5 mm on both main surfaces of the negative characteristic thermistor body 12.
【0029】Ag−Pd外周電極23b、23bは、A
g電極13a、13aの外周縁に跨る内径4mm、外径
5.5mm、すなわち幅が0.75mmの環形であり、
負特性サーミスタ素体12の両主面に、負特性サーミス
タ素体12およびAg電極13a、13aと同心円状に
形成されている。The Ag-Pd outer peripheral electrodes 23b, 23b
g is an annular shape having an inner diameter of 4 mm and an outer diameter of 5.5 mm, that is, a width of 0.75 mm, which extends over the outer periphery of the electrodes 13a, 13a;
On both main surfaces of the negative characteristic thermistor element 12, the negative characteristic thermistor element 12 and the Ag electrodes 13a, 13a are formed concentrically.
【0030】さらに、この負特性サーミスタ素子21を
用いたケースタイプの負特性サーミスタ24について、
図4を参考にして説明する。但し、前述のものと同一の
ものには同一の符号を付して詳細な説明を省略する。図
4に示す負特性サーミスタ24は、前記負特性サーミス
タ素子21の両主面を、ばね端子15、15で弾力挟持
し、さらに、この負特性サーミスタ素子21を絶縁ケー
ス16で内装したものである。Further, a case type negative characteristic thermistor 24 using this negative characteristic thermistor element 21 will be described.
This will be described with reference to FIG. However, the same components as those described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted. The negative characteristic thermistor 24 shown in FIG. 4 is one in which both main surfaces of the negative characteristic thermistor element 21 are elastically sandwiched between spring terminals 15, and the negative characteristic thermistor element 21 is further housed in an insulating case 16. .
【0031】ばね端子15、15は、負特性サーミスタ
素子21の両主面をほぼ覆うように形成されたAg電極
13a、13aと電気的に接続されている。The spring terminals 15, 15 are electrically connected to Ag electrodes 13a, 13a formed so as to substantially cover both main surfaces of the negative characteristic thermistor element 21.
【0032】上記負特性サーミスタ素子21および負特
性サーミスタ24は、負特性サーミスタ素子21の両主
面をほぼ覆うようにAg電極13a、13aが形成され
ているので、面抵抗が小さく、電流容量が大きい。さら
に、Ag電極13a、13aの外周縁に跨って環状のA
g−Pd外周電極23b、23bが形成されているの
で、通電時のAgによるマイグレーションを防止するこ
とができる。Since the negative electrode thermistor element 21 and the negative characteristic thermistor 24 are formed with the Ag electrodes 13a, 13a so as to substantially cover both main surfaces of the negative characteristic thermistor element 21, the sheet resistance is small and the current capacity is small. large. Further, the ring-shaped A electrode extends over the outer peripheral edges of the Ag electrodes 13a, 13a.
Since the g-Pd outer peripheral electrodes 23b, 23b are formed, migration due to Ag during energization can be prevented.
【0033】[0033]
【実施例3】この発明におけるその他の実施形態のサー
ミスタ素子について、図5に示す負特性サーミスタ素子
31を参考に説明する。但し、前述のものと同一のもの
には同一の符号を付して詳細な説明を省略する。負特性
サーミスタ素子31は、円板状の負特性サーミスタ素体
12と、負特性サーミスタ素体12の両主面に形成され
たAg電極13a、13aおよびAg−Pd中心電極1
3b、13b、Ag−Pd外周電極23b、23bとか
らなる。Embodiment 3 A thermistor element according to another embodiment of the present invention will be described with reference to a negative characteristic thermistor element 31 shown in FIG. However, the same components as those described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted. The negative characteristic thermistor element 31 includes a disk-shaped negative characteristic thermistor element 12 and Ag electrodes 13 a, 13 a and Ag-Pd center electrode 1 formed on both main surfaces of the negative characteristic thermistor element 12.
3b, 13b and Ag-Pd outer peripheral electrodes 23b, 23b.
【0034】負特性サーミスタ素体12は、直径7m
m、厚み1.5mmの円板状であり、Ag電極13a、
13aは、負特性サーミスタ素体12の両主面に、直径
5mmの円形に形成されている。The negative characteristic thermistor body 12 has a diameter of 7 m.
m, a disk shape with a thickness of 1.5 mm, and an Ag electrode 13a,
13a is formed in a circular shape with a diameter of 5 mm on both main surfaces of the negative characteristic thermistor body 12.
【0035】Ag−Pd中心電極13b、13bは、負
特性サーミスタ素体12の両主面に、Ag電極13a、
13aの上に、直径2mmの円形に形成されている。す
なわち、Ag−Pd中心電極13bは、Ag電極13a
が形成された負特性サーミスタ素子11の主面中心部
に、負特性サーミスタ素体12およびAg電極13aと
同心円状に、Ag電極13aの外周縁近傍に1.5mm
幅のギャップを残して形成されている。The Ag-Pd center electrodes 13b, 13b are provided on both main surfaces of the negative temperature coefficient thermistor body 12, respectively.
13a, a circular shape having a diameter of 2 mm is formed. That is, the Ag-Pd center electrode 13b is connected to the Ag electrode 13a.
Is formed in the center of the main surface of the negative characteristic thermistor element 11 on which the negative characteristic thermistor element body 12 and the Ag electrode 13a are concentrically arranged, and 1.5 mm in the vicinity of the outer peripheral edge of the Ag electrode 13a.
It is formed leaving a width gap.
【0036】Ag−Pd外周電極23b、23bは、A
g電極13a、13aの外周縁に跨る内径4mm、外径
5.5mm、すなわち幅が0.75mmの環形であり、
負特性サーミスタ素体12の両主面に、負特性サーミス
タ素体12およびAg電極13a、13aと同心円状に
形成されている。The Ag-Pd outer peripheral electrodes 23b, 23b
g is an annular shape having an inner diameter of 4 mm and an outer diameter of 5.5 mm, that is, a width of 0.75 mm, which extends over the outer periphery of the electrodes 13a, 13a;
On both main surfaces of the negative characteristic thermistor element 12, the negative characteristic thermistor element 12 and the Ag electrodes 13a, 13a are formed concentrically.
【0037】さらに、この負特性サーミスタ素子31を
用いたケースタイプの負特性サーミスタ34について、
図6を参考にして説明する。但し、前述のものと同一の
ものには同一の符号を付して詳細な説明を省略する。図
6に示す負特性サーミスタ34は、前記負特性サーミス
タ素子31の両主面を、ばね端子15、15で弾力挟持
し、さらに、この負特性サーミスタ素子31を絶縁ケー
ス16で内装したものである。Further, a case type negative characteristic thermistor 34 using the negative characteristic thermistor element 31 will be described.
This will be described with reference to FIG. However, the same components as those described above are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted. The negative characteristic thermistor 34 shown in FIG. 6 is one in which both main surfaces of the negative characteristic thermistor element 31 are elastically held between the spring terminals 15, 15, and the negative characteristic thermistor element 31 is housed in the insulating case 16. .
【0038】ばね端子15、15は、負特性サーミスタ
素子31の両主面中心部に形成されたAg−Pd中心電
極13b、13bと電気的に接続されている。The spring terminals 15, 15 are electrically connected to Ag-Pd center electrodes 13b, 13b formed at the center of both main surfaces of the negative characteristic thermistor element 31.
【0039】上記負特性サーミスタ素子31および負特
性サーミスタ34は、負特性サーミスタ素子31の両主
面をほぼ覆うようにAg電極13a、13aが形成され
ているので、面抵抗が小さく、電流容量が大きい。ま
た、Ag電極13a、13aの外周縁に跨って環状のA
g−Pd外周電極23b、23bが形成されているの
で、通電時のAgによるマイグレーションを防止するこ
とができる。さらに、ばね端子15、15が負特性サー
ミスタ素子11の両主面中心部に形成されたAg−Pd
中心電極13b、13bと接触するので、ばね端子1
5、15との摩擦による電極破損が起こりにくい。Since the negative electrode thermistor element 31 and the negative characteristic thermistor 34 are formed with the Ag electrodes 13a, 13a so as to substantially cover both main surfaces of the negative characteristic thermistor element 31, the sheet resistance is small and the current capacity is small. large. Further, an annular A is formed over the outer peripheral edge of the Ag electrodes 13a, 13a.
Since the g-Pd outer peripheral electrodes 23b, 23b are formed, migration due to Ag during energization can be prevented. Furthermore, the Ag-Pd formed at the center of both main surfaces of the negative characteristic thermistor element 11 has spring terminals 15 and 15.
Since the contact is made with the center electrodes 13b, 13b, the spring terminals 1
Electrode damage due to friction with 5 and 15 is unlikely to occur.
【0040】なお、上記各実施例では、突入電流抑制用
の負特性サーミスタを例にして説明したが、これに限定
されるものではなく、大電流用の正特性サーミスタ、そ
の他のものに適用することができる。In each of the above embodiments, the negative characteristic thermistor for suppressing the inrush current has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and is applied to a positive characteristic thermistor for a large current, and the like. be able to.
【0041】[0041]
【発明の効果】以上述べたように、この発明であるサー
ミスタ素子は、サーミスタ素体の両主面をほぼ覆うよう
に、比抵抗の低いAg電極が形成されているので、大き
な電流容量を実現できる。As described above, in the thermistor element according to the present invention, since the Ag electrode having a low specific resistance is formed so as to substantially cover both main surfaces of the thermistor element, a large current capacity is realized. it can.
【0042】また、ばね端子接触部分にあたるサーミス
タ素子の主面中心部に、Ag−Pd中心電極が形成され
ているので、ばね端子で挟持しても、摩擦による電極破
損が起こりにくい。Further, since the Ag-Pd center electrode is formed at the center of the main surface of the thermistor element corresponding to the contact portion of the spring terminal, the electrode is hardly damaged by friction even when sandwiched by the spring terminal.
【0043】さらに、Ag電極の外周縁に跨って環状の
Ag−Pd外周電極が形成されているので、Agによる
マイグレーションの発生を防止することができる。Furthermore, since the annular Ag-Pd outer peripheral electrode is formed over the outer peripheral edge of the Ag electrode, migration due to Ag can be prevented.
【0044】以上のことから、電流容量特性が良好で、
かつ、ばね端子との接触に強く、通電時のマイグレーシ
ョンを防止する電極構造を持つ、大電流通電時の耐破壊
特性に優れたサーミスタ素子およびサーミスタを得るこ
とができる。From the above, the current capacity characteristics are good,
In addition, a thermistor element and a thermistor that are resistant to contact with the spring terminal and have an electrode structure that prevents migration during energization and have excellent breakdown resistance when a large current is applied can be obtained.
【図1】この発明に係る一つの実施形態の負特性サーミ
スタ素子を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a negative characteristic thermistor element according to one embodiment of the present invention.
【図2】この発明に係る一つの実施形態の負特性サーミ
スタの断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a negative temperature coefficient thermistor according to one embodiment of the present invention.
【図3】この発明に係る他の実施形態の負特性サーミス
タ素子を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a negative temperature coefficient thermistor element according to another embodiment of the present invention.
【図4】この発明に係る他の実施形態の負特性サーミス
タの断面図である。FIG. 4 is a sectional view of a negative temperature coefficient thermistor according to another embodiment of the present invention.
【図5】この発明に係るその他の実施形態の負特性サー
ミスタ素子を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a negative characteristic thermistor element according to another embodiment of the present invention.
【図6】この発明に係るその他の実施形態の負特性サー
ミスタの断面図である。FIG. 6 is a sectional view of a negative temperature coefficient thermistor according to another embodiment of the present invention.
【図7】従来例の負特性サーミスタ素子の平面図であ
る。FIG. 7 is a plan view of a conventional negative characteristic thermistor element.
【図8】従来例の負特性サーミスタの断面図である。FIG. 8 is a sectional view of a conventional negative characteristic thermistor.
11、21、31 負特性サーミスタ素子 12 負特性サーミスタ素体 13a Ag電極 13b Ag−Pd中心電極 23b Ag−Pd外周電極 14、24、34 負特性サーミスタ 15 ばね端子 16 絶縁ケース 11, 21, 31 Negative characteristic thermistor element 12 Negative characteristic thermistor element 13a Ag electrode 13b Ag-Pd center electrode 23b Ag-Pd outer peripheral electrode 14, 24, 34 Negative characteristic thermistor 15 Spring terminal 16 Insulation case
Claims (5)
タ素体の両主面をほぼ覆うように形成されたAg電極
と、このAg電極の上に前記サーミスタ素体の両主面中
心部に形成されたAg−Pd中心電極と、を備えること
を特徴とするサーミスタ素子。1. A plate-like thermistor body, an Ag electrode formed to cover substantially both main surfaces of the thermistor body, and a central part of both the main surfaces of the thermistor body on the Ag electrode. And a formed Ag-Pd center electrode.
タ素体の両主面をほぼ覆うように形成されたAg電極
と、このAg電極の外周縁に跨って環状に形成されたA
g−Pd外周電極と、を備えることを特徴とするサーミ
スタ素子。2. A plate-shaped thermistor body, an Ag electrode formed to cover substantially both main surfaces of the thermistor body, and an A-shaped ring formed over an outer peripheral edge of the Ag electrode.
and a g-Pd outer peripheral electrode.
タ素体の両主面をほぼ覆うように形成されたAg電極
と、このAg電極の上に前記サーミスタ素体の両主面中
心部に形成されたAg−Pd中心電極と、前記Ag電極
の外周縁に跨って環状に形成されたAg−Pd外周電極
と、を備えることを特徴とするサーミスタ素子。3. A plate-shaped thermistor element, an Ag electrode formed to cover substantially both main surfaces of the thermistor element, and a central part of both the main surfaces of the thermistor element on the Ag electrode. A thermistor element comprising: a formed Ag-Pd center electrode; and an Ag-Pd outer peripheral electrode formed annularly over the outer peripheral edge of the Ag electrode.
スタ素子と、このサーミスタ素子の両主面に形成された
Ag−Pd中心電極に電気的に接続された一対のばね端
子と、前記サーミスタ素子を内装する絶縁ケースと、を
備えることを特徴とするサーミスタ。4. The thermistor element according to claim 1 or 3, a pair of spring terminals electrically connected to Ag-Pd center electrodes formed on both main surfaces of the thermistor element, and the thermistor. A thermistor, comprising: an insulating case for housing the element.
のサーミスタ素子の両主面に形成されたAg電極のそれ
ぞれに電気的に接続された一対のばね端子と、前記サー
ミスタ素子を内装する絶縁ケースと、を備えることを特
徴とするサーミスタ。5. The thermistor element according to claim 2, a pair of spring terminals electrically connected to respective Ag electrodes formed on both main surfaces of the thermistor element, and an insulation for housing the thermistor element. A thermistor, comprising: a case;
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11213822A JP2001044022A (en) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | Thermistor element and thermistor using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11213822A JP2001044022A (en) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | Thermistor element and thermistor using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001044022A true JP2001044022A (en) | 2001-02-16 |
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ID=16645612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11213822A Pending JP2001044022A (en) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | Thermistor element and thermistor using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001044022A (en) |
-
1999
- 1999-07-28 JP JP11213822A patent/JP2001044022A/en active Pending
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