JP2000516790A - 消磁回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明の消磁回路は交流幹線電圧（Ｖac）を受信する入力端子(it1,it2)を有する。この入力端子(it1,it2)間に消磁コイル（Ｌｄ）とスイッチング手段（Ｓ１）の直列回路を結合する。測定回路（３）が消磁コイル（Ｌｄ）を流れる消磁電流（Ｉｄ）又は交流幹線電圧（Ｖac）の実際値を表す値（Ｍｓ）を連続的に測定する。検出回路（２）が前記測定値（Ｍｓ）が所定値（Ｖref2）と交差するレベル交差瞬時(ts)を検出する。制御回路（１）が、前記レベル交差瞬時(ts)に応答してスイッチング素子（Ｓ１）のスイッチング瞬時(tei,tstv)を決定し、レベル交差瞬時(ts)に消磁電流（Ｉｄ）又は交流幹線電圧（Ｖac）の実際値に関連する消磁電流（Ｉｄ）のピーク値を発生する。

Description

【発明の詳細な説明】 消磁回路 本発明は、請求項１の前半に特定された消磁回路に関するものである。本発明 はこのような消磁回路を具える表示装置にも関するものである。本発明は更に消 磁方法にも関するものである。 カラー陰極線管(以後ＣＲＴという)を具える任意の種類のコンピュータモニタ 又はテレビジョン装置は消磁処理を必要とする。消磁処理はＣＲＴ内又は近傍の 磁化可能部分(例えば鉄ブラケット)内の残留磁界を最小にする。残留磁界はＣＲ Ｔ内の電子ビームの偏向に影響を与え、表示情報に変色や誤色を生ずる。消磁作 用はＣＲＴの近くに配置された消磁コイルに交流電流を流すことにより行われる 。この交流電流は磁化可能部分内の磁気ダイポールを消磁コイルにより導入され る磁界の向きに追従させる。磁界の向きに迫従するダイポールの数は磁界の強度 に依存する。交流電流の絶対値を次第に減少させると、等しい向きになる磁気ダ イポールがますます少なくなる。最後に、交流電流が零に減少すると、磁化可能 部分が減磁される。 振幅がゆっくり減少する交流電流を得る既知の安価な方法では、交流幹線電圧 を消磁コイルと正温度係数の抵抗(以後ＰＴＣという)の直列回路に供給する。表 示装置のスイッチオン時においては、ＰＴＣ抵抗は低温であり、低い抵抗値を有 する。多量の交流電流が消磁コイルを流れる。従って、ＰＴＣは交流電流により 次第に加熱され、その抵抗値が次第の増大するとともに交流電流の振幅が次第に 減少する。このような消磁回路は、消磁作用を頻繁に実行することができない欠 点を有する。次の消磁作用の実効前にＰＴＣ抵抗を冷却しなければならない。 この問題を克服した消磁回路がＤＥ-Ａ-３８３１３０６に開示されている。こ れに開示された消磁回路は消磁コイルとトライアックの直列回路を具える。この 直列回路を交流幹線電圧を受信するよう結合する。交流幹線電圧の各半周期の第 ２半部中にのこぎり波電圧を発生させる。各のこぎり波電圧の開始瞬時は９０° 移相交流幹線電圧の零交差を検出することにより発生させる。各のこぎり波電圧 の終了時は非移相交流幹線電圧の次の零交差を検出することにより発生させる。 こののこぎり波電圧を増大する基準電圧と比較してトライアックの制御パルスを 得る。のこぎり波電圧が基準レベルと交差する瞬時にこの制御パルスがトライア ックをスイッチオンする。交流幹線電圧の次の零交差時に、このとき消磁電流も 零になるため、トライアックは自動的にスイッチオフする。基準レベルがゆっく り増大するにつれて、トライアックのオン時間が交流幹線電圧の連続する半周期 においてゆっくり減少する。交流幹線電圧の振幅が増大する場合には消磁作用の 開始時に基準電圧の出発値を増大させて消磁作用の開始時にトライアックの短い オン時間を得るようにする。 この既知の消磁回路は交流幹線電圧の低速振幅変化を補償するのみである。こ の既知の消磁回路は交流幹線電圧の幹線周波数偏差や不規則変化を補償し得ない 。このような不規則変化の例には幹線スパイク及び幹線ディップのような高速振 幅変化、又は連続する半幹線周期を異なる持続時間及び／又は振幅にせしめる非 対称歪みがある。 本発明の目的は、幹線電圧の幹線周波数偏差及び不規則変化に関し改良された 性能を有する消磁回路を提供することにある。 この目的のために、本発明の第１の特徴は請求項１に記載された消磁回路を提 供することにある。本発明の第２の特徴は請求項１０に記載された、このような 消磁回路を具える表示装置を提供することにある。本発明の第３の特徴は請求項 １１に記載された消磁方法を提供することにある。 有利な実施態様は従属請求項に記載されている。 本発明の消磁回路は、消磁コイルを流れる消磁電流又は交流幹線電圧の実際値 を連続的に測定して実際値に関連する測定値を得る測定回路を具える。検出回路 が、測定値が所定値と交差するレベル交差瞬時を検出する。制御回路が消磁コイ ルと直列に配置されたスイッチング素子のスイッチング瞬時を前記レベル交差瞬 時に応答して決定する。 消磁コイルを流れる(交流)消磁電流を測定する第１の場合には、この消磁電流 が所定値となるレベル交差瞬時を、例えば消磁電流に関連する電圧を基準電圧と 比較する比較器により容易に検出することができる。スイッチング素子をこのレ ベル交差瞬時に閉じる場合には、消磁電流は所定値に依存する振幅で流れる。ス イッチング素子をレベル交差瞬時に開始する短いオン期間に亘って閉じることが できる。請求項２に記載した本発明の好適実施例では、スイッチング素子のオン 期間は交流幹線電圧の零交差時に開始し、レベル交差瞬時に終了する。このよう にすると、スイッチング素子の両端間の電圧が極めて低くなるので、スイッチン グ素子は最小のスイッチング損失でスイッチオンする。 交流幹線電圧を測定する第２の場合には、交流幹線電圧が所定値になるレベル 交差瞬時を決定する。このレベル交差瞬時において、消磁コイルを流れる消磁電 流は交流幹線電圧及び消磁コイルの抵抗値に依存する所定値になる。消磁コイル のインダクタンスは幹線周波数では無視できるものとする。この場合、スイッチ ング素子がレベル交差瞬時に閉じると、消磁電流が所定値に依存する振幅で流れ る。交流幹線電圧を正極性の半周期の立上り縁中に(又は負極性の半周期の立下 り縁中に)測定することによりレベル交差瞬時を決定する場合には、オン期間を 短くする必要がある。請求項３に記載した本発明の好適実施例では、レベル交差 瞬時を、交流幹線電圧を正極性の半周期の立下り縁中に(又は負極性の半周期の 立上り縁中に)測定することにより決定する。オン期間はレベル交差瞬時に開始 し、交流幹線電圧の零交差まで持続させることができる。 請求項９に記載した本発明の実施例では、測定値又は所定値の何れかを消磁作 用の開始から時間の経過に応答して変化させる。このようにすると、消磁電流の 振幅が徐々に(交流幹線電圧の周期長に対しゆっくり)低下するようにレベル交差 瞬時が制御される。前記第２の場合には、測定値を所定値又は時間とともに減少 する電圧と比較することができる。レベル交差瞬時を正極性の半周期の立下り縁 中に決定するものとする。この場合、レベル交差瞬時は測定値が所定値以上に上 昇する瞬時を比較器により検出することにより決定することができる。ゆっくり 減少する所定値は消磁電流の振幅の尺度であるため、この所定値は消磁電流の振 幅をゆっくり減少させる。同様にして、ゆっくり増大する信号を測定値に加え、 この合成信号を一定の所定値と比較することもできる。前記第１の場合にも同様 のことが言え、図２及び図３の説明から明らかとなる。 請求項４に記載した本発明の実施例では、整流幹線電圧を発生させる。これに より、スイッチング素子をサイリスタのような安価な単方向導通型のものとする ことができる。サイリスタは、これを流れる電流が零になると自動的にスイッチ オフする利点を有する。これは制御回路を簡単にする。 請求項５に記載した本発明の実施例は消磁コイルを流れる電流を測定する簡単 な手段を提供する。 請求項６に記載した本発明の実施例では、他のスイッチング素子を消磁コイル の両端間に結合する。前記第１の場合には、最初に述べたスイッチング素子が開 いても非零消磁電流が流れる。最初に述べたスイッチング素子が開く零交差瞬時 又はその直後に他のスイッチング素子を閉じることにより、消磁コイルの電流の 減少が直ちに開始し、消磁回路に高電圧が発生しなくなるとともに高い電力消費 が発生しなくなる。 請求項７に記載した本発明の実施例では、他のスイッチング素子を消磁コイル の端子電圧に応答してスイッチオンするように制御する。何の予防手段も講じな ければ、最初に述べたスイッチング素子が開く瞬時に急峻な電圧上昇が消磁コイ ルの両端間に発生する。この電圧を他のスイッチング素子のスイッチオンに利用 する。極めて簡単な制御回路で十分となる。他のスイッチング素子を最初に述べ たスイッチング素子も駆動する制御回路により駆動することもできるが、この場 合には最初に述べたスイッチング素子と他のスイッチング素子の制御電極間に大 きな電圧差が発生し得るので、この制御回路はかなり複雑になる。 本発明のこれらの特徴及び他の特徴を図面を参照して以下に詳細に説明する。 図面において、 図１は本発明の消磁回路の基本回路図を示し、 図２は消磁電流の測定に基づく本発明の消磁回路の詳細回路図を示し、 図３は図２の回路図の動作説明用の波形を示し、 図４は交流幹線電圧の測定に基づく本発明の消磁回路の詳細回路図を示し、 図５は図４の回路図の動作説明用の波形を示す。 図１は本発明消磁回路の基本回路図である。消磁コイルＬｄ、スイッチング素 子Ｓ１及び抵抗Ｒ１の直列回路を交流幹線電圧Ｖacを受信する消磁回路の入力端 子it１及びit２間に接続する。測定回路３は交流幹線電圧Ｖac及び／又は抵 抗Ｒ１の端子電圧を受信して測定信号Ｍｓを検出回路２に供給する。測定回路３ は交流幹線電圧Ｖac又は抵抗Ｒ１の端子電圧の実際値を連続的に測定する。測定 信号Ｍｓは交流幹線電圧のタップ電圧又は抵抗Ｒ１の端子電圧（この電圧は消磁 コイルＬｄを流れる消磁電流Ｉｄの尺度である）とすることができる。測定回路 ３が交流幹線電圧Ｖacを測定する場合には抵抗Ｒ１は省略することができる。測 定回路３は、交流幹線電圧Ｖacの代わりに、整流交流幹線電圧Ｖｒ(図４参照)を 測定することもできる。 検出回路２は内部基準レベルＶref2を発生するとともに、測定信号Ｍｓをこの 基準レベルＶref2と比較する。この基準レベルＶref2は消磁処理の開始から時間 の経過とともに変化するものとすることができる。また、固定の基準レベルＶre f2を使用し、消磁処理の開始から時間の経過とともに変化する変化信号を測定信 号Ｍｓに加えることもできる。検出回路２により実行される比較は、測定信号Ｍ ｓが変化する基準レベルＶref2と交差する瞬時ts、又は測定信号Ｍｓと変化信号 の合成信号が固定の基準レベルＶref2と交差する瞬時tsを示す出力信号を発生す る。制御回路１はスイッチング素子Ｓ１に駆動パルスＤｒを供給してスイッチン グ素子Ｓ１をオン期間中閉じる。このオン期間は、図２−５につき詳細に説明す るように、瞬時tsに対し決定される。消磁コイルＬｄの端子電圧をＶｄで示す。 図２は本発明による消磁回路の一例の詳細回路図を示し、本例では消磁電流Ｉ ｄを測定する。 本例消磁回路は交流幹線電圧Ｖacを受信する第１及び第２入力端子it1及びit2 を有する。ブリッジ整流器ＢＲの第１入力端子in1をリレーＲＬの第１スイッチ ング接点sc1と消磁コイルＬｄの直列回路を経て第１入力端子it1に接続する。ブ リッジ整流器ＢＲの第２入力端子in2をリレーＲＬの第２スイッチング接点sc2を 経て第２入力端子it2に接続する。ブリッジ整流器ＢＲはダイオードＤ１−Ｄ４ を具える。ブリッジ整流器ＢＲは整流した交流幹線電圧Ｖｒを出力する出力端子 out1及びout2を有する。第１スイッチング素子Ｓ１の主電流通路と抵抗Ｒ１の直 列回路をブリッジ整流器ＢＲの第１出力端子out1と第２出力端子out2との間に接 続する。第１スイッチング素子Ｓ１はパワーＭＯＳＦＥＴ として示されている。しかし、ＩＧＢＴ(絶緑ゲートバイポーラトランジスタ)、 ＧＴＯ(ゲートターンオフトランジスタ)又はＢＪＴ(バイポーラ接合トランジス タ)を使用することもできる。この場合にはベース駆動又はゲート駆動を適宜使 用する必要がある。更に、抵抗Ｒ２、ダイオードＤ５及びツェナーダイオードＤ ８の直列回路をブリッジ整流器ＢＲの第１出力端子out1及び第２出力端子out2の 間に接続するとともに、ツェナーダイオードＤ８と並列に平滑キャパシタＣ２を 接続する。ダイオードＤ５とツェナーダイオードＤ８の接続点に供給電圧Ｖsup が得られる。抵抗Ｒ２とダイオードＤ５の接続点に、ダイオードＤ５及びツェナ ーダイオードＤ８によりクランプされた整流幹線電圧Ｖrである電圧Ｖｌが発生 する。第１比較器ＣＰ１は電圧Ｖｌを受信する反転入力端子、第１基準電圧源Ｖ ref1に接続された非反転入力端子、及びフリップフロップＦＦのセット入力端子 Ｓに接続された出力端子を有する。第２比較器ＣＰ２は第２基準電圧源Ｖref2に 接続された反転入力端子、抵抗Ｒ４を経て供給電圧Ｖsupに接続された非反転入 力端子、及びフリップフロップＦＦのリセット入力端子Ｒに接続された出力端子 を有する。第２比較器ＣＰ２の非反転入力端子を更にキャパシタＣ３を経て第１ スイッチング素子Ｓ１の主電流通路と抵抗Ｒ１の接続点に接続する。フリップフ ロップＦＦは出力端子Ｑから駆動信号Ｄｒを第１スイッチング素子Ｓ１の制御入 力端子供給する。図１の制御回路１は第１比較器ＣＰ１、第１基準電圧源Ｖref1 、及びフリップフロップＦＦを具える。検出回路２は第２比較器ＣＰ２及び第２ 基準電圧源Ｖref2を具える。測定回路３はキャパシタＣ３を具える。制御ブロッ クＣＢは制御回路１、検出回路２、及び測定回路３を具える。 第２スイッチング素子Ｓ２の主電流通路を消磁コイルＬｄと並列に接続する。 第２スイッチング素子Ｓ２は消磁コイルＬｄと並列に接続されたキャパシタＣ１ 及び抵抗Ｒ３の直列回路を具える回路４により制御される。回路４は、更に、ス イッチング素子Ｓ２の制御入力端子と、キャパシタＣ１及び抵抗Ｒ３の接続点と の間に接続された２つのツェナーダイオードＤ７，Ｄ６の直列回路を具える。第 ２スイッチング素子Ｓ２は図に示すようにトライアックとすることができる。し かし、第２スイッチング素子Ｓ２は、ブリッジ整流器ＢＲと直列に配置されたＭ ＯＳＦＥＴ、バイポーラトランジスタ、サイリスタ、又はＩＧＢＴのような単方 向スイッチング素子とすることもでき、この場合にはブリッジ整流器の入力端子 を消磁コイルＬｄと並列に接続し、単方向素子の主電流通路をブリッジ整流器の 出力端間に接続する。 図３は図２の回路図の動作を説明するための波形を示す。破線の正弦波は交流 幹線電圧Ｖacを表し、減衰破線は消磁処理の開始から時間の経過とともに変化す る信号を表し、太線は消磁コイルＬｄを流れる消磁電流Ｉｄを表す。 この消磁回路はリレーＲＬの第１及び第２スイッチング接点sc1及びsc2を閉じ ることにより駆動される。整流幹線電圧Ｖrが非導通ＭＯＳＦＥＴ Ｓ１の主電 流通路の両端間に得られる。小さな電流(数ｍＡ)が抵抗Ｒ２を経て流れ、キャパ シタＣ２をツェナーダイオードＤ８のツェナー電圧まで充電して制御ブロックＣ Ｂ用の供給電圧Ｖsupを得る。制御ブロックＣＢは供給電圧Ｖsupが適切な値に到 達するとき駆動される。 第１比較器ＣＰ１がクランプ整流交流幹線電圧Ｖｌを第１基準電圧Ｖref1と比 較する。交流幹線電圧Ｖacが半交流幹線周期Ｔｈの終了時に零値に近づくと、電 圧Ｖｌが(低)第１基準電圧Ｖref1と交差し、正エッジがフリップフロップＦＦの セット入力端子Ｓに供給される。フリップフロップＦＦの出力Ｑが高レベルにセ ットされ、ＭＯＳＦＥＴ Ｓ１がターンオンする。若干の遅延のために、ＭＯＳ ＦＥＴ Ｓ１及び消磁コイルＬｄを経て消磁電流Ｉｄが次の半交流幹線周期Ｔｈ の零交差瞬時tzにおいて又はその近くで流れ始める。これ以後、交流幹線電圧Ｖ acはこの次の半幹線周期Ｔｈ中正極性を有するものと仮定する。 増大する交流幹線電圧Ｖacのために、消磁コイルＬｄ及びＭＯＳＦＥＴ Ｓ１ を流れる消磁電流はＩｄ＝Ｖac／Ｒｄに従って増大する。ここで、Ｒｄは消磁コ イルＬｄの抵抗値である。消磁コイルＬｄのインダクタンスＬｄの作用は交流幹 線電圧Ｖacの低速変化時には無視することができる。消磁電流Ｉｄは電流検知素 子として作用する抵抗Ｒ１も流れる。抵抗Ｒ１の端子電圧がキャパシタＣ３を経 て第２比較器ＣＰ２の非反転入力端子に供給される。第２比較器ＣＰ２の非反転 入力端子の電圧が第２基準電圧Ｖref2と交差するとき、正エッジがフリップフロ ップＦＦのリセット入力端子Ｒに供給される。フリップフロップＦＦの出力Ｑが 低レベルにリセットされ、ＭＯＳＦＥＴ Ｓ１がターンオフする。 電流が流れている間にＭＯＳＦＥＴ Ｓ１が開くと、消磁コイルＬｄ両端間の 電圧が急激に増大する。この高電圧がキャパシタＣ１、抵抗Ｒ３及びツェナーダ イオードＤ６，Ｄ７を経て第２スイッチング素子Ｓ２の制御電極に供給され、ト ライアックＳ２がターンオンする。このとき消磁コイルＬｄが短絡され、消磁電 流Ｉｄが時定数Ｔ＝Ｌｄ／Ｒｄで減少する。トライアックＳ２は、消磁コイルＬ ｄを流れる電流Ｉｄが零になるとき開く。このとき、消磁回路が次の半交流幹線 周期Ｔｈに対し準備完了する。消磁コイルＬｄのインダクタンスＬｄは、消磁電 流Ｉｄが次の半交流幹線周期Ｔｈの開始前に零になるような十分小さい時定数Ｔ が得られるように選択する必要がある。 全消磁作用中に、キャパシタＣ３が抵抗Ｒ４を経てゆっくり充電され、キャパ シタＣ３の両端間に指数状に増大する電圧を発生する。キャパシタＣ３の端子電 圧が抵抗Ｒ１の端子電圧に加算される。こうして、第２比較器ＣＰ２の非反転入 力端子の電圧が次の半幹線周期においてもっと低い消磁電流Ｉｄのときに第２基 準電圧Ｖref2と交差する。その結果として次第に減衰する消磁電流が得られる。 キャパシタＣ３を抵抗と置換し、図３に減衰破線で示すような減衰第２基準電圧 Ｖref2を発生させることもできる。この場合には、キャパシタＣ３及び抵抗Ｒ４ を短絡回路と置換することができる。 所定数の半幹線周期後に、消磁電流Ｉｄのピーク値は十分に低くなり、リレー のスイッチング接点cs1,cs2を開いて消磁作用を終了させることができる。キャ パシタＣ３は数秒内に放電され、新しい消磁作用を開始させることができる。 ＭＯＳＦＥＴ Ｓ１が開のときも制御ブロックＣＢ用の供給電流が消磁コイル Ｌｄを経て流れるので、制御ブロックＣＢの電力消費をできるだけ低くすること が重要である。これは、Ｃ−ＭＯＳ素子を用いることにより達成することができ る。 上述の電流制御機構のために、本発明のこの消磁回路は消磁作用を幹線電圧Ｖ acの値及び／又は周波数と完全に無関係に達成し、たとえそれらが瞬間的に変化 するときでも達成し得る。このことは、交流幹線電圧Ｖacが所定の半幹線周期中 に所望の消磁電流Ｉｄを得るに十分な大きさを有する限り言える。半幹線周期中 の交流幹線電圧Ｖacの波形は全く重要でない。本発明の消磁回路は世界中の使用 に適応すべきカラーＣＲＴを有するディスプレイ製品に特に好適である。 図４は本発明による消磁回路の他の例の詳細回路図を示し、本例では交流幹線 電圧を測定する。 本例消磁回路は交流幹線電圧Ｖacを受信する第１及び第２入力端子it1及びit2 を有する。ブリッジ整流器ＢＲの第１入力端子in1をリレーＲＬの第１スイッチ ング接点sc1と消磁コイルＬｄの直列回路を経て第１入力端子it1に接続する。ブ リッジ整流器ＢＲの第２入力端子in2をリレーＲＬの第２スイッチング接点sc2を 経て第２入力端子it2に接続する。ブリッジ整流器ＢＲはダイオードＤ１−Ｄ４ を具える。ブリッジ整流器ＢＲは整流した交流幹線電圧Ｖｒを出力する出力端子 out1及びout2を有する。第１スイッチング素子Ｓ１の主電流通路をブリッジ整流 器ＢＲの第１出力端子out1と第２出力端子out2との間に接続する。第１スイッチ ング素子Ｓ１はサイリスタとして示されているが、ＩＧＢＴ、ＧＴＯ又はＢＪＴ を使用することもできる。更に、抵抗Ｒ２とツェナーダイオードＤ８の直列回路 をブリッジ整流器ＢＲの第１出力端子out1と第２出力端子out2との間に接続する とともに、ツェナーダイオードＤ８と並列に平滑キャパシタＣ２を接続する。抵 抗Ｒ２とツェナーダイオードＤ８の接続点に供給電圧Ｖsupが得られる。更に、 抵抗Ｒ５、ツェナーダイオードＤ９、抵抗Ｒ６及び抵抗Ｒ７の直列回路をブリッ ジ整流器ＢＲの第１及び第２出力端子out1及び0UT2間に接続する。キャパシタＣ ４を抵抗Ｒ７と並列に接続する。 第１比較器ＣＰ１はツェナーダイオードＤ９と抵抗Ｒ６の接続点に接続された 反転入力端子、第２基準電圧源Ｖref2に接続された非反転入力端子、及びフリッ プフロップＦＦのセット入力端子Ｓに接続された出力端子を有する。第２比較器 ＣＰ２は第１基準電圧源Ｖref1に接続された反転入力端子、抵抗Ｒ５とツェナー ダイオードＤ９の接続点に接続された非反転入力端子、及びフリップフロップＦ Ｆのリセット入力端子Ｒに接続された出力端子を有する。フリップフロップＦＦ は出力端子Ｑから駆動信号Ｄｒを抵抗Ｒ８及びキャパシタＣ５の直列回路を経て 第１スイッチング素子Ｓ１(サイリスタとして示されている)の制御入力端子供給 する。ダイオードＤ１０をサイリスタＳ１の制御電極とブリッジ整流器ＢＲの第 ２出力端子out2との間に接続する。図１の制御回路１は第２比較器ＣＰ ２、第１基準電圧源Vref1、及びフリップフロップＦＦを具える。検出回路２は 第１比較器ＣＰ１及び第２基準電圧源Ｖref2を具える。測定回路３は抵抗Ｒ５， Ｒ６及びＲ７、キャパシタＣ４、及びツェナーダイオードＤ９を具える。制御ブ ロックＣＢは制御回路１、検出回路２、及び測定回路３を具える。 図５は図４の回路図の動作を説明するための波形を示す。破線正弦波は交流幹 線電圧Ｖacを表し、減衰破線は消磁処理の開始から時間の経過とともに変化する 信号を表し、太線は消磁コイルＬｄを流れる消磁電流Ｉｄを表す。 この消磁回路はリレーＲＬの第１及び第２スイッチング接点sc1及びsc2を閉じ ることにより駆動される。整流幹線電圧Ｖｒが非導通サイリスタＳ１の主電流通 路の両端間に得られる。小さな電流(数ｍＡ)が抵抗Ｒ２を経て流れ、キャパシタ Ｃ２をツェナーダイオードＤ８のツェナー電圧まで充電して制御ブロックＣＢ用 の供給電圧Ｖsupを得る。制御ブロックＣＢは供給電圧Ｖsupが適切な値に到達す るとき駆動される。 第１比較器ＣＰ１が整流交流幹線電圧のタップ電圧Ｖｔを第２基準電圧Ｖref2 と比較する。交流幹線電圧Ｖacが半幹線周期の第２半部中に消磁電流Ｉｄの所望 のピーク値を発生する値に到達するとき、第１比較器ＣＰ１の反転入力端子の電 圧が第２基準電圧Ｖref2と交差し、正エッジがフリップフロップＦＦのセット入 力端子Ｓに供給される。フリップフロップＦＦの出力Ｑが高レベルにセットされ 、正パルスがサイリスタＳ１の制御入力端子に供給され、サイリスタＳ１が導通 する。こうして、ブリッジ整流器ＢＲの出力端子out1,out2間に短絡回路が発生 し、交流幹線電圧Ｖacが消磁コイルＬｄの両端間に印可される。消磁コイルＬｄ のインダクタンスＬｄのために消磁電流Ｉｄは時定数Ｔ＝Ｌｄ／Ｒｄでピーク値 に上昇する。ここで、Ｒｄは消磁コイルＬｄの抵抗値である。消磁電流Ｉｄのピ ーク値は、サイリスタＳ１のスイッチオン時の交流幹線電圧の値において予想さ れる値より幾分低くなる。この偏差の影響は小さな値の時定数Ｔのとき無視する ことができる。 消磁電流Ｉｄのピーク値に到達後、消磁コイルＬｄ及びサイリスタＳ１を流れ る消磁電流ＩｄはＩｄ＝Ｖac／Ｒｄに従って減少する。消磁コイルＬｄのインダ クタンスＬｄの作用は交流幹線電圧Ｖacの低速変化時には無視することができ る。交流幹線電圧Ｖacが零値になると、消磁電流Ｉｄも零値になり、サイリスタ Ｓ１が開く。 次の半幹線周期Ｔｈの第１半部において、整流交流幹線電圧Ｖｒが第１基準電 圧Ｖref1と交差するとき、第２比較器ＣＰ２がこれを検出し、正エッジをフリッ プフロップＦＦのリセット入力端子Ｒに供給する。このときフリップフロップＦ Ｆの出力Ｑが低レベルにリセットされ、負パルスをサイリスタＳ１のゲートに供 給する。この負パルスはダイオードＤ１０によりクランプされる。消磁回路はサ イリスタＳ１の次の導通期間に対し準備される。負パルスをサイリスタの制御入 力端子に供給する瞬時は、この瞬時がサイリスタＳ１のスイッチオン瞬時に続く 交流幹線電圧Ｖacの零交差瞬時tzの後に発生する限り臨界的でない。 全消磁作用中に、キャパシタＣ４が抵抗Ｒ５，Ｒ６及びツェナーダイオードＤ ９を経てゆっくり充電され、キャパシタＣ４の両端間に指数状に上昇する電圧が 発生する。この指数状上昇電圧が整流交流幹線電圧の口出しタップ電圧Ｖｔに加 算される。こうして、フリップフロップＦＦの入力端子Ｓは次の半幹線周期にお いてもっと低い交流幹線電圧Ｖacのときにトリガされる。その結果として次第に 減衰する消磁電流Ｉｄが得られる。キャパシタＣ４を省略し、図５に破線で示す ような減衰第２基準電圧Ｖref2を発生させるようにすることもできる。 所定数の半幹線周期Ｔｈの後に、消磁電流Ｉｄのピーク値は十分に低くなり、 リレーＲＬのスイッチング接点cs1,cs2を開いて消磁作用を終了させることがで きる。キャパシタＣ４は数秒内に放電され、新しい消磁作用を開始させることが できる。 サイリスタＳ１が開のときも制御ブロックＣＢ用の供給電流が消磁コイルＬｄ を経て流れるので、制御ブロックＣＢの電力消費をできるだけ低くすることが重 要である。これは、Ｃ−ＭＯＳ素子を用いることにより達成することができる。 上述の電圧制御機構のために、本発明のこの消磁回路は消磁作用を幹線電圧Ｖ acの値及び／又は周波数と完全に無関係に達成し、たとえそれらが瞬間的に変化 する場合でも達成し得る。この消磁回路のこの性能は時定数Ｔ＝Ｌｄ／Ｒｄが小 さいほど良好である。極めて小さい時定数Ｔは極めて高い消磁電流Ｉｄを発生す るため兼ね合いをとる必要がある。図４に示す回路の性能は図２に示す回路の性 能より幾分低いが、図４の回路は第２スイッチング素子Ｓ２を必要とせず、安価 になる。更に、消磁コイルＬｄの限流作用のために、幹線妨害により生ずるサイ リスタＳ１のスプリアストリガが非常に起こりにくい。 本発明を好適実施例について説明したが、上述した原理の範囲内において多く の変更が当業者に明らかであり、本発明は上述の好適実施例に限定されず、これ らの変更も含むものである。交流幹線電圧の零交差を検出する必要がある場合に は、制御ブロックＣＢは交流幹線電圧を消磁コイルとリレーＲＬの第１スイッチ ング接点sc1との接続点において監視することもでき、これはこの状態でも消磁 電流Ｉｄが零になるためである。図２及び図４において、交流幹線電圧Ｖacに消 磁コイルＬｄを経て直接接続された、即ちブリッジ整流器ＢＲを介さずに接続さ れた双方向スイッチング素子Ｓ１(例えばトライアック)を使用することもできる 。この場合には、制御ブロックＣＢ用の供給電圧Ｖsupを得るために小さな整流 器が必要とされる。 請求の範囲に付加した参照符号は請求の範囲を限定するものではない点に注さ れたい。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 1. 交流幹線電圧（Ｖac）を受信する入力端子(it1,it2)間に結合された消磁コ イル（Ｌｄ）とスイッチング手段（Ｓ１）の直列回路と、 スイッチング手段（Ｓ１）のオン期間（Ｔon）を制御して消磁コイル（Ｌｄ） に消磁電流（Ｉｄ）を流す制御手段（１）と、 を具える消磁回路において、当該消磁回路は、更に、 消磁電流（Ｉｄ）又は交流幹線電圧（Ｖac）の実際値を表す値（Ｍｓ）を連続 的に測定する測定手段（３）と、 前記測定値（Ｍｓ）が所定値（Ｖref2）と交差するレベル交差瞬時(ts)を検出 する検出手段（２）と、 を具え、 前記制御手段（１）が、前記レベル交差瞬時(ts)に応答してスイッチング素子 （Ｓ１）のスイッチング瞬時(tei,tstv)を決定し、レベル交差瞬時(ts)に消磁電 流（Ｉｄ）又は交流幹線電圧（Ｖac）の実際値に関連する消磁電流（Ｉｄ）のピ ーク値を発生するように構成されていること、 を特徴とする消磁回路。 2. 前記測定値（Ｍｓ）が消磁電流（Ｉｄ）を表し、且つ前記制御手段（１）が 、更に、交流幹線電圧（Ｖac）が零レベルと交差する零交差瞬時(tz)を検出する 電圧検出器（ＣＰ１）を具え、前記制御手段（１）が零交差瞬時(tz)に応答して 前記オン期間（Ｔon）の開始時(tsti)を決定するとともに前記レベル交差瞬時(t s)に応答して前記オン期間（Ｔon）の終了時(tei)を決定するように構成されて いることを特徴する請求項１記載の消磁回路。 3. 前記測定値（Ｍｓ）が交流幹線電圧（Ｖac）を表し、且つ前記制御手段（１ ）が前記レベル交差瞬時(ts)に応答して前記オン期間（Ｔon）の開始時(tstv)を 決定するように構成され、前記スイッチング手段（Ｓ１）が交流幹線電圧（Ｖac ）の零交差瞬時(tz)に自動的にスイッチオフするように構成されていることを特 徴とする請求項１記載の消磁回路。 4. 当該消磁回路は、更に、前記消磁コイル（Ｌｄ）を経て交流幹線電圧（Ｖac ） を受信する入力端子(in1,in2)、及び前記スイッチング手段（１）の両端間に結 合され整流幹線電圧（Ｖｒ）を供給する出力端子(out1,out2)を有するブリッジ 整流器（ＢＲ）を具えていることを特徴とする請求項２又は３記載の消磁回路。 5. 当該消磁回路は、更に、前記測定値（Ｍｓ）を得るために前記消磁コイル（ Ｌｄ）と前記スイッチング手段（１）の直列回路と直列に配置された測定抵抗（ Ｒ１）を具えていることを特徴とする請求項２記載の消磁回路。 6. 当該消磁回路は、 前記消磁コイル（Ｌｄ）と並列に結合された他のスイッチング素子（Ｓ２）と 、 前記他のスイッチング素子（Ｓ２）を前記オン期間（Ｔon）の終了時(tei)に 閉じる制御回路（４）と、 を具えていることを特徴とする請求項２記載の消磁回路。 7. 前記他のスイッチング素子（Ｓ２）を閉じる前記制御回路（４）が前記消磁 コイル（Ｌｄ）と並列に結合され、消磁コイル（Ｌｄ）の両端間の電圧に応答し て前記他のスイッチング素子（Ｓ２）の閉成を決定するよう構成されていること を特徴とする請求項６記載の消磁回路。 8. 前記測定手段（３）が前記スイッチング素子（Ｓ１）の両端間の整流電圧（ Ｖｒ）を受信して前記測定値（Ｍｓ）を得るように構成されていることを特徴と する請求項４記載の消磁回路。 9. 当該消磁回路は、更に、消磁作用の開始からの時間の経過を表す時間値を発 生する手段（Ｃ３；Ｃ４）を具え、前記検出手段（２）が、前記測定値（Ｍｓ） 又は前記所定値（Ｖref2）を変化させて交流幹線電圧（Ｖac）の順次の半周期に おいて次第に減少する振幅の消磁電流（Ｉｄ）が得られるようにレベル交差瞬時 (ts)を時間的にシフトさせるように構成されていることを特徴とする請求項１記 載の消磁回路。 10. 陰極線管（ＣＲＴ）と、該陰極線管（ＣＲＴ）の周囲に配置された消磁コ イル（Ｌｄ）と、消磁回路とを具え、該消磁回路が、 交流幹線電圧（Ｖac）を受信する入力端子(it1,it2)間に結合された消磁コイ ル（Ｌｄ）とスイッチング手段（Ｓ１）の直列回路と、 スイッチング手段（Ｓ１）のオン期間（Ｔon）を制御して消磁コイル（Ｌｄ） に消磁電流（Ｉｄ）を流す制御手段（１）と、 を具えている表示装置において、前記消磁回路が、更に、 消磁電流（Ｉｄ）又は交流幹線電圧（Ｖac）の実際値を表す値（Ｍｓ）を連続 的に測定する測定手段（３）と、 前記測定値（Ｍｓ）が所定値（Ｖref2）と交差するレベル交差瞬時(ts)を検出 する検出手段（２）と、 を具え、 前記制御手段（１）が、前記レベル交差瞬時(ts)に応答してスイッチング素子 （Ｓ１）のスイッチング瞬時(tei,tstv)を決定し、レベル交差瞬時(ts)に消磁電 流（Ｉｄ）又は交流幹線電圧（Ｖac）の実際値に関連する消磁電流（Ｉｄ）のピ ーク値を発生するように構成されていること、 を特徴とする表示装置。 11. 消磁コイル（Ｌｄ）とスイッチング手段（Ｓ１）を直列に配置して交流幹 線電圧（Ｖac）を受信させ、消磁コイル（Ｉｄ）に消磁電流（Ｉｄ）を流すため にスイッチング手段（Ｓ１）のオン期間（Ｔon）を制御するステップ（１）を具 える消磁方法において、当該方法は、更に、 消磁電流（Ｉｄ）又は交流幹線電圧（Ｖac）の実際値を表す値（Ｍｓ）を連続 的に測定するステップ（３）と、 前記測定値（Ｍｓ）が所定値（Ｖref2）と交差するレベル交差瞬時(ts)を検出 するステップ（２）と、 を具え、 前記制御ステップ（１）が、前記レベル交差瞬時(ts)に応答してスイッチング 素子（Ｓ１）のスイッチング瞬時(tei,tstv)を決定し、レベル交差瞬時(ts)に消 磁電流（Ｉｄ）又は交流幹線電圧（Ｖac）の実際値に関連する消磁電流（Ｉｄ） のピーク値を発生するように構成されていることを特徴とする消磁方法。