JP2000511294A - 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイは、能動マトリックスとＭ×Ｎ個の駆動構造体のアレイとを有する。Ｍ×Ｎ個の駆動構造体の各々は第１薄膜電極、電気的に変形可能な薄膜部、第２薄膜電極、弾性部、コンジット及び絶縁部からなる。このようなアレイにおいて、絶縁部はコンジットの上部と第１薄膜電極の底部との間に位置して、第１及び第２薄膜電極を電気的に絶縁させる。

Description

【発明の詳細な説明】 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法技術分野 本発明は、光投射システムに関し、特に、そのシステムに用いられるＭ×Ｎ個 の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法に関する。背景技術 従来、多様なビデオディスプレイシステムのうち、光投射システムは高画質の 画像を大画面で形成し得るものとして知られている。そのような光投射システム において、ランプから発せられた光線は、例えば、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエー テッドミラーのアレイ上に一様に入射され、各ミラーは各々のアクチュエータに 接続されている。これらのアクチュエーターは、加えられた電界に応じて変形を 起こす、圧電物質または電歪物質等の電気的に変形可能な物質からなる。 各ミラーから反射した光線（反射光線）は、例えば、光学バッフルの開口に入 射される。各アクチュエーターに電気信号を供給することによって、各ミラーの 入射光線に対する相対的な位置が変更され、その結果、各ミラーからの反射光線 の光路が偏向されることとなる。各反射光線の光路が変わる場合、開口を通じて 各ミラーから反射された光線の光量が変わることによって光の強さが変調される 。開口を経て変調された光線は、投射レンズ等の適切な光学装置を介して投射ス クリーンに入射し、その上に像を表示する。 第１図には、従来のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ１００の 断面図であって、本特許出願と出願人を同じくする米国特許出願第08/602,928号 明細書に、“ＴＨＩＮ ＦＩＬＭ ＡＣＴＵＡＴＥＤ ＭＩＲＲＯＲ ＡＲＲＡＹ ＦＯＲ ＵＳＥ ＩＮ ＡＮ ＯＰＴＩＣＡＬ ＰＲＯＪＥＣＴＩＯＮ ＳＹＳＴＥＭ ”なる名 称で開示されている。ここで、Ｍ及びＮは各々正の整数である。 アレイ１００は、能動マトリックス１１０、パッシベーション層１１６、食刻 液流入防止層１１８及びＭ×Ｎ個の駆動構造体１２０のアレイを備える。 能動マトリックス１１０は、基板１１２と、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ （図示せず）と、Ｍ×Ｎ個の接続端子１１４のアレイとを有する。各接続端子１ １４はトランジスタのアレイにおける該当トランジスタに電気的に接続されてい る。 リン珪酸塩ガラス（ＰＳＧ）または窒化ケイ素からなり、厚み０．１〜２μｍ のパッシベーション層１１６は、能動マトリックス１１０の上に位置する。 窒化ケイ素からなり、厚み０．１〜２μｍの食刻液流入防止層１１８は、パッシ ベーション層１１６の上に位置する。 各々の駆動構造体１２０は近位端及び遠位端を有し、その近位端におけるチッ プ（図示せず）と、構造体を垂直に貫通するエッチング用開口（図示せず）とを さらに備える。また、各駆動構造体１２０は第１薄膜電極１３２と、電気的に変 形可能な薄膜部１２６と、第２薄膜電極１２４と、弾性部１２２と、コンジット １２８とを有する。光反射性及び導電性物質（例えば、Ａｌ、またはＡｇ）から なる第１薄膜電極１３２は、電気的に変形可能な薄膜部１２６の上に位置し、水 平ストライプ１３４によって駆動部１３０と光反射部１４０とに分けられる。こ こで、水平ストライプ１３４は、駆動部１３０と光反射部１４０とを電気的に絶 縁させる。駆動部１３０は電気的に接地され、ミラーとしてだけではなく共通バ イアス電極としても作用する。光反射部１４０はミラーとしての機能を果たす。 薄膜部１２６は圧電物質（例えば、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ））または電 歪物質（例えば、ニオブ酸鉛マグネシウム（Ｐ ＭＮ））よりなり、第２薄膜電極１２４の上に位置する。導電性物質（例えば、 Ｐｔ／Ｔａ）からなる第２薄膜電極１２４は、弾性部１２６の上に位置し、コン ジット１２８及び接続端子１１４を通じて対応するトランジスタに電気的に接続 される。ここで、第２薄膜電極１２４は、ドライ・エッチング法を用いてＭ×Ｎ 個の第２薄膜電極１２４のアレイをイソ−カッティング（iso-cut）し、各第２ 薄膜電極１２４が他の第２薄膜電極１２４（図示せず）と電気的に絶縁させて、 信号電極としての機能を果たすようにする。窒化物（例えば、窒化ケイ素）より なる弾性部１２２は第２薄膜電極１２４の下に位置する。この弾性部１２２の近 位端の下部は、食刻液流入防止層１１８及びパッシベーション層１１６を部分的 に貫通しながら、能動マトリックス１１０の上に取り付けられることによって、 駆動構造体１２０を片持ちする。例えば、タングステン（Ｗ）のような金属より なるコンジット１２８は、電気的に変形可能な薄膜部１２６の上部から対応する 接続端子１１４の上部まで延在して、第２薄膜電極１２４を対応する接続端子１ １４に電気的に接続させる。各薄膜アクチュエーテッドミラー１５０において、 薄膜部１２６の上部から下方に延在するコンジット１２８とその薄膜部１２６の 上部に位置した第１薄膜電極１３２とは互いに電気的に絶縁されている。 上述したＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー１５０のアレイ１００は幾 つかの欠点があるが、その中の一つとして、各アクチュエーテッドミラー１５０ における第１薄膜電極１３２と第２薄膜電極１２４との間で短絡が生じる恐れが あるという点がある。アレイ１００において、各薄膜アクチュエーテッドミラー １５０におけるコンジット１２８が対応する接続端子から薄膜部１２６の上部に 延在しているため、第１薄膜電極１３２のパターニングの際非常な注意が要求さ れる。このため、第１薄膜電極１３２は各薄膜アクチュエーテッドミラー１５０ のコンジッ ト１２８から電気的に完全に絶縁されるべきである。そうでない場合、第１薄膜 電極１３２と第２薄膜電極１２４との間で電気的な接続が生じ、それらの間が短 絡される不都合が生じ得る。発明の開示 従って、本発明の目的は、第１薄膜電極と第２薄膜電極との間で短絡が生じる ことが防止し得る、新規な構造を有するＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ーアレイを提供することにある。 本発明の他の目的は、新たな構造を有するＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド ミラーアレイの製造方法を提供することにある。 上記の目的を達成するために、本発明の一実施例によれば、光投射システムに 用いられるＭ×Ｎ（Ｍ及びＮは正の整数）個の薄膜アクチュエーテッドミラーア レイであって、能動マトリックスと、Ｍ×Ｎ個の駆動構造体のアレイとを含み、 前記Ｍ×Ｎ個の駆動構造体のアレイが、弾性部と、前記弾性部の近位端にて前記 能動マトリックスの上に取り付けられて前記弾性部を片持ちする底部と、電気的 に接地されてミラー及びバイアス電極としての機能を果たす第１薄膜電極と、第 ２薄膜電極と、前記第２薄膜電極の上部から前記能動マトリックスまで延在して 前記第２薄膜電極と前記能動マトリックスを電気的に接続させることによって、 前記第２薄膜電極が信号電極として機能するようにするコンジットと、前記第１ 薄膜電極と前記第２薄膜電極との間に位置する電気的に変形可能な薄膜部と、前 記コンジットの上部と前記第１薄膜電極の底部との間に位置して、前記第１及び 第２薄膜電極を電気的に絶縁させる絶縁部とを含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイが提供される。 本発明の他の実施例によれば、光投射システムに用いられるＭ×Ｎ(Ｍ及びＮ は正の整数)個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方 法であって、基板及びＭ×Ｎ個の接続端子のアレイを有する能動マトリックスを 準備する第１工程と、前記能動マトリックスの上にパッシベーション層を形成す る第２工程と、前記パッシベーション層の上に食刻液流入防止層を蒸着する第３ 工程と、前記食刻液流入防止層の上に薄膜犠牲層を形成する第４工程と、各対に おける空スロットのうちのいずれかが前記接続端子のうちのいずれかを取囲むよ うに、前記薄膜犠牲層内にＭ×Ｎ対の空スロットのアレイを形成する第５工程と 、前記空スロットを有する前記薄膜犠牲層の上に、弾性層、第２薄膜層及び電気 的に変形可能な薄膜層を順に形成する第６工程と、前記電気的に変形可能な薄膜 層及び前記第２薄膜層にパターニングを施して、Ｍ×Ｎ個の電気的に変形可能な 薄膜部及びＭ×Ｎ個の第２薄膜電極を形成する第７工程と、前記第２薄膜電極か ら前記対応する接続端子の上部まで延在するＭ×Ｎ個のコンジットのアレイを形 成する第８工程と、Ｍ×Ｎ個の絶縁部のアレイを形成する第９工程と、前記Ｍ× Ｎ個の絶縁部のアレイ及び前記電気的に変形可能な薄膜部の上部に第１薄膜層を 形成して、多層構造体を形成する第１０工程と、前記薄膜犠牲層が露出されるま で、前記多層構造体にパターニングを施して、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミ ラー構造のアレイを形成する第１１工程と、エッチング液または化学液を用いて 前記薄膜犠牲層を取り除いて、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーの アレイを形成する第１２工程とを含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュ エーテッドミラーアレイの製造方法が提供される。図面の簡単な説明 本発明の上述の、及び他の目的及び特徴は、後述の好適実施例の説明を、以下 の添付の図面とともに参照することによりより明らかとなろう。 第１図は、従来技術によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの概 略的な部分断面図である。 第２図は、本発明の第１実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ーアレイの部分断面図である。 第３Ａ図〜第３Ｍ図よりなり、各々、第２図中のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエー テッドミラーアレイの製造方法を説明するための部分断面図である。 第４図は、本発明の第２実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ーアレイの部分断面図である。 第５Ａ図〜第５Ｄ図は、各々第４図中のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミ ラーアレイの製造方法を説明するための部分断面図である。発明の実施の形態 以下、本発明の好適実施例について図面を参照しながらより詳しく説明する。 第２図、第３Ａ図〜第３Ｍ図、第４図及び第５Ａ図〜第５Ｄ図には、本発明の 第１、第２好適実施例による光投射システムに用いられる、Ｍ×Ｎ（Ｍ及びＮは 正の整数）個の薄膜アクチュエーテッドミラー２９５、３９５のアレイ２００、 ３００の断面図、及びその製造方法を説明するための概略的な断面図が示されて いる。各図の中で、同一部分は同一の参照符号を付して表示したことに注意され たい。 第２図には、本発明の第１実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミ ラー２９５のアレイ２００を説明する断面図であって、アレイ２００は能動マト リックス２１０及びＭ×Ｎ個の駆動構造体２２０のアレイから構成される。 この能動マトリックス２１０は基板２１２、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ （図示せず）及びＭ×Ｎ個の接続端子２１４のアレイを有する。 各接続端子２１４はトランジスタのアレイにおける対応するトランジスタに電 気的に接続されている。 リン珪酸塩ガラス（ＰＳＧ）または窒化ケイ素からなり、厚み０．１〜２μｍ のパッシベーション層２１６は、能動マトリックス２１０の上に配置される。 窒化ケイ素からなり、厚み０．１〜２μｍの食刻液流入防止層２１８は、パッ シベーション層２１６の上に位置する。 各々の駆動構造体２２０は、第１薄膜電極２９２、電気的に変形可能な薄膜部 ２７５、第２薄膜電極２６５、弾性部２５５、コンジット２８２及び絶縁部２８ ４を有する。光反射性及び導電性物質（例えば、アルミニウム（Ａｌ）または銀 （Ａｇ））からなる第１薄膜電極２９２は、電気的に変形可能な薄膜部２７５（ 以下、「薄膜部２７５」と称する）の上に配設される。第１薄膜電極２９２は電 気的に接地されて、ミラーだけではなく共通バイアス電極としても機能の果たす 。薄膜部２７５は、圧電物質（例えば、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ））また は電歪物質（例えば、ニオブ酸鉛マグネシウム（ＰＭＮ））よりなり、第１薄膜 電極２９２と第２薄膜電極２６５との間に挟んで設けられる。導電性物質（例え ば、Ｐｔ／Ｔａ）からなる第２薄膜電極２６５は、弾性部２５５の上に位置し、 コンジット２８２及び接続端子２１４を通じて対応するトランジスタに電気的に 接続され、他の薄膜アクチュエーテッドミラー２９５における第２薄膜電極２６ ５と電気的に絶縁されることによって、各アクチュエーテッドミラー２９５にお ける信号電極としての機能をするようにする。窒化物（例えば、窒化ケイ素）よ りなる弾性部２５５は、第２薄膜電極２６５の下部に位置する。弾性部２５５の 近位端の下部は能動マトリックス１１０の上に取り付けられて、駆動構造体２２ ０を片持ちする。金属（例えば、タングステン（Ｗ））よりなるコンジット２８ ２は、第２薄膜電極２６５の上部から対応する接続端子２１４の上部まで延在し て、第２薄膜電極２６５を対応する接続端子２１４に電気的 に接続させる。絶縁部２８４は、コンジット２８２の上部と第１薄膜電極２９２ の下部との間に形成され、第１薄膜電極２９２が第２薄膜電極２６５と電気的に 接続することを防止する。 第３Ａ図〜第３Ｍ図には、第２図中のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ー２９５のアレイ２００の製造方法を説明する概略的な断面図が各々示されてい る。 アレイ２００の製造工程は、基板２１２、Ｍ×Ｎ個の接続端子２１４及びＭ× Ｎ個のトランジスタ（図示せず）を有する能動マトリックス２１０の準備から始 まる。基板２１２は絶縁物質（例えば、シリコンウェーハ）からなる。各接続端 子２１４はトランジスタのアレイにおける対応するトランジスタに電気的に接続 される。続いて、ＰＳＧまたは窒化ケイ素からなり、厚み０．１〜２μｍのパッ シベーション層２１６が、化学気相成長法（ＣＶＤ）法またはスピンコーティン グ法によって能動マトリックス２１０の上に配設される。その後、第３Ａ図に示 すように窒化ケイ素からなり、厚み０．１〜２μｍの食刻液流入防止層２１８が スパッタリング法またはＣＶＤ法を用いてパッシベーション層２１６の上に蒸着 される。 しかる後、第３Ｂ図に示すように、薄膜犠牲層２４０が食刻液流入防止層２１ ８の上に形成される。この薄膜犠牲層２４０は、薄膜犠牲層２４０が金属よりな る場合は、スパッタリング法または蒸着法によって形成され、薄膜犠牲層２４０ がＰＳＧよりなる場合は、ＣＶＤまたはスピンコーティング法によって形成され 、薄膜犠牲層２４０がポリシリコンよりなる場合は、ＣＶＤ法によって形成され る。 その後、薄膜犠牲層２４０の上部は第３Ｃ図に示すように、スピン・オン・ガ ラス（spin on glass；ＳＯＧ）法またはＣＭＰ（chemical mechanical polishi ng）法、その後、スクラビング法によって平坦化さ れる。 続いて、第３Ｄ図に示すように、各対における空スロット２４２のうちの一つ がドライ・エッチング法またはウェット・エッチング法によって接続端子２１４ のうちの一つを取囲むように、Ｍ×Ｎ対の空スロット２４２のアレイが、犠牲層 ２４０に形成される。次に、第３Ｅ図に示すように、窒化物（例えば、窒化ケイ 素）からなり、厚み０．１〜２μｍの弾性層２５０がＣＶＤ法によって空スロッ ト２４２を有する薄膜犠牲層２４０の上に蒸着される。この弾性層２５０の蒸着 の際、時間によって反応物ガスの比率を変更することによって、弾性層５０内の 応力が制御される。 しかる後に、第３Ｆ図に示すように、導電性物質（例えば、Ｐｔ／Ｔａ）から なり、厚み０．１〜２μｍの第２薄膜層２６０がスパッタリング法または真空蒸 着法によって弾性層２５０の上に形成される。その後、第２薄膜層２６０はドラ イ・エッチング法によって、第２図中のＭ×Ｎ個の第２薄膜電極２６５のアレイ にイソ−カッティングされる。ここで、各第２薄膜電極２６５は他の第２薄膜電 極２６５と電気的に絶縁される。 続いて、第３Ｇ図に示すように、圧電物質（例えば、ＰＺＴ）または電歪物質 （例えば、ＰＭＮ）からなり、厚み０．１〜２μｍの電気的に変形可能な薄膜層 ２７０が蒸着法、ゾル−ゲル法、スパッタリング法及びＣＶＤ法によって、Ｍ× Ｎ個の第２薄膜電極層２６５のアレイの上に蒸着される。その後、薄膜層２７０ に対してＲＴＡ（rapid thermal annealing）法による熱処理が行われて、相転 移が生じるようにする。 電気的に変形可能な薄膜層２７０は非常に薄いので、薄膜層２７０が圧電物質 よりなる場合は、薄膜アクチュエーテッドミラー２９５の動作の際、供給された 電気信号と分極され得るため、別の分極を必要としない。 次に、第３Ｈ図に示すように、各孔が電気的に変形可能な薄膜層２７０の部分 から対応する接続端子２１４まで延在する、Ｍ×Ｎ個の孔２８０のアレイがエッ チング法によって生成される。 しかる後、第３１図に示すように、コンジット２８２が第２薄膜層２６０及び 対応する接続端子２１４に電気的に接続するように、例えば、リフトオフ法を用 いて各孔２８０の部分を金属（例えば、タングステン（Ｗ））で充填させること によって形成される。 続いて、第３Ｊ図に示すように、絶縁部２８４は、該絶縁部２８４の上部が電 気的に変形可能な薄膜層２７０の上部の高さに等しくなるまで、リフト・オフ法 によってその中が絶縁物質（例えば、酸化物または窒化物）を充填することによ り、各孔２８０の残余部分に形成される。その結果、第１薄膜電極２６５と薄膜 層２７０の上部に形成されるべき第１薄膜層２９０との間で電気的な接続が生じ る可能性が小さくなる。 その後、導電性及び光反射性物質（例えば、ＡｌまたはＡｇ）からなり、厚み ０．１〜２μｍの第１薄膜層２９０がスパッタリング法または蒸着法によって、 電気的に変形可能な薄膜層２７０及び絶縁部２８４の上部に形成されて、第３Ｋ 図に示すような多層構造体２５２が形成されることとなる。 しかる後、第３Ｌ図に示すように、多層構造体２５２が、薄膜犠牲層２４０が 露出されるまで、フォトリソグラフィー法またはレーザ切断法によってＭ×Ｎ個 の未完成アクチュエーテッドミラー２４５のアレイにパターニングされる。各未 完成アクチュエーテッドミラー２４５は、第１薄膜電極２９２、電気的に変形可 能な薄膜部２７５、第２薄膜電極２６５及び弾性部２５５を有する。 続いて、各未完成アクチュエーテッドミラー２４５を薄膜保護層（図示せず） で完全にカバーする。 その後、薄膜犠牲層２４０が、エッチング液または化学液（例えば、フッ化水 素（ＨＦ）蒸気）を用いるウェット・エッチング法によって取り除かれることに よって、各薄膜アクチュエーテッドミラー２９５のための駆動空間を形成する。 そして、薄膜保護層が取り除かれる。 最後に、第３Ｍ図に示すように、能動マトリックス２１０がフォトリソグラフ ィー法またはレーザ切断法によって所望の形に完全にダイスされて、Ｍ×Ｎ個の 薄膜アクチュエーテッドミラー２９５のアレイ２００が形成される。 第４図は、本発明の第２実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ー３９５のアレイ３００を説明するための断面図である。このアレイ３００は能 動マトリックス３１０及びＭ×Ｎ個の駆動構造体３２０のアレイを有する。 この第２実施例は、絶縁部２８４がコンジット２８２及び電気的に変形可能な 薄膜部２７５の上部を取囲むように形成されることを除いては、第１実施例に類 似である。即ち、絶縁部２８４は、コンジット２８２の上面から電気的に変形可 能な薄膜部２７５の遠位端まで延在する層形状をなし、第１薄膜電極２９２と電 気的に変形可能な薄膜部２７５との間に挟んで設けられている。この場合、絶縁 部２８４は、電気的に変形可能なセラミック金属（例えば、ＭＺｒ_xＴｉ_yＯ₃） よりなる。ここで、ＭはＰｂであり得、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃｕ、Ａｇ、 ＡｕまたはＣｄのなかのいずれか１つ、又はそれ以上により部分的にまたは事実 上完全に置きかえることができる。さらに、ＭＺｒ_xＴｉ_yＯ₃は少量のＭｇ、Ｎ ａ、Ｎｂ、ＬａまたはＺｎでドープ処理され得る。 また、第５Ａ図〜第５Ｄ図には、各々、本発明の第２好適実施例によるＭ×Ｎ 個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法を説明するための部分断面 図が示されている。ここで、第２実施例の形成工程は、 コンジット２８２及び電気的に変形可能な薄膜部２７５の上部に絶縁部２８４を 形成する工程まで、第３Ａ図〜第３１図に示した第１実施例の形成工程と同一で ある。 第５Ａ図において、絶縁部２８４は、蒸着法、ゾル−ゲル法、スパッタリング 法及びＣＶＤ法によって、各駆動構造体３２０におけるコンジット２８２及び電 気的に変形可能な薄膜層２７０の上部に形成されることによって、コンジット２ ８２及び薄膜層２７０を完全にカバーする。 続いて、導電性及び光反射性物質（例えば、ＡｌまたはＡｇ）からなり、厚み ０．１〜２μｍの第１薄膜層３９０が、スパッタリング法または真空蒸着法によ って、絶縁部２８４の上部に形成されることによって、第５Ｂ図に示すような多 層構造体３５２が形成されることになる。 しかる後、第５Ｃ図に示すように、多層構造体３５２が、薄膜犠牲層２４０が 露出されるまで、フォトリソグラフィー法またはレーザ切断法によってＭ×Ｎ個 の未完成アクチュエーテッドミラー３４５のアレイにパターニングされる。各未 完成アクチュエーテッドミラー３４５は第１薄膜電極３９２、絶縁部２８４、電 気的に変形可能な薄膜部２７５、第２薄膜電極２６５及び弾性部２５５を有する 。 後続工程は、第１実施例における工程と同様に行われて、第５Ｄ図に示すよう なＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３９５のアレイ３００が形成される 。 上記には単一構造を有する薄膜アクチュエーテッドミラー２９５、３９５及び その製造方法について説明したが、二重構造を有する各薄膜アクチュエーテッド ミラーについても適用し得る。但し、二重構造の場合はその形成の工程において 追加的に電気的に変形可能な層及び電極層の形成を必要とする。 上記において、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発 明の請求範囲を逸脱することなく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．光投射システムに用いられるＭ×Ｎ（Ｍ及びＮは正の整数）個の薄膜アクチ ュエーテッドミラーアレイであって、 能動マトリックスと、 Ｍ×Ｎ個の駆動構造体のアレイとを含み、 前記Ｍ×Ｎ個の駆動構造体のアレイが、弾性部と、前記弾性部の近位端にて前 記能動マトリックスの上に取り付けられて前記弾性部を片持ちする底部と、電気 的に接地されてミラー及びバイアス電極としての機能を果たす第１薄膜電極と、 第２薄膜電極と、前記第２薄膜電極の上部から前記能動マトリックスまで延在し て前記第２薄膜電極と前記能動マトリックスを電気的に接続させることによって 、前記第２薄膜電極が信号電極として機能するようにするコンジットと、前記第 １薄膜電極と前記第２薄膜電極との間に位置する電気的に変形可能な薄膜部と、 前記コンジットの上部と前記第１薄膜電極の底部との間に位置して、前記第１及 び第２薄膜電極を電気的に絶縁させる絶縁部とを含むことを特徴とするＭ×Ｎ個 の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 ２．前記絶縁部が、窒化物よりなることを特徴とする請求項１に記載のＭ×Ｎ個 の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 ３．前記絶縁部が、電気的に変形可能な物質よりなることを特徴とする請求項１ に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 ４．前記絶縁部が、層構造を有することを特徴とする請求項３に記載のＭ×Ｎ個 の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 ５．前記絶縁部が、前記コンジット及び前記電気的に変形可能な薄膜部の上部を カバーすることを特徴とする請求項４に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ ドミラーアレイ。 ６．光投射システムに用いられるＭ×Ｎ（Ｍ及びＮは正の整数）個の薄 膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であって、 基板及びＭ×Ｎ個の接続端子のアレイを有する能動マトリックスを準備する第 １工程と、 前記能動マトリックスの上にパッシベーション層を形成する第２工程と、 前記パッシベーション層の上に食刻液流入防止層を蒸着する第３工程と、 前記食刻液流入防止層の上に薄膜犠牲層を形成する第４工程と、 各対における空スロットのうちのいずれかが前記接続端子のうちのいずれかを 取囲むように、前記薄膜犠牲層内にＭ×Ｎ対の空スロットのアレイを形成する第 ５工程と、 前記空スロットを有する前記薄膜犠牲層の上に、弾性層、第２薄膜層及び電気 的に変形可能な薄膜層を順に形成する第６工程と、 前記電気的に変形可能な薄膜層及び前記第２薄膜層にパターニングを施して、 Ｍ×Ｎ個の電気的に変形可能な薄膜部及びＭ×Ｎ個の第２薄膜電極を形成する第 ７工程と、 前記第２薄膜電極から前記対応する接続端子の上部まで延在するＭ×Ｎ個のコ ンジットのアレイを形成する第８工程と、 Ｍ×Ｎ個の絶縁部のアレイを形成する第９工程と、 前記Ｍ×Ｎ個の絶縁部のアレイ及び前記電気的に変形可能な薄膜部の上部に第 １薄膜層を形成して、多層構造体を形成する第１０工程と、 前記薄膜犠牲層が露出されるまで、前記多層構造体にパターニングを施して、 Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラー構造のアレイを形成する第１１工程と、 エッチング液または化学液を用いて前記薄膜犠牲層を取り除いて、前記Ｍ×Ｎ 個の薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイを形成する第１２ 工程とを含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ の製造方法。 ７．前記第４工程が、その上面を平坦化する工程を、さらに有することを特徴と する請求項６に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方 法。 ８．前記第８工程が、各々が前記電気的に変形可能な薄膜層の上部から対応する 接続端子の上部まで延在するＭ×Ｎ個の孔のアレイを形成する工程を、さらに有 することを特徴とする請求項６に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ーアレイの製造方法。 ９．前記対応する接続端子の上部から前記第２薄膜電極まで延在する前記Ｍ×Ｎ 個のコンジットのアレイが、前記各孔に金属を充填することにより形成されるこ とを特徴とする請求項８に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレ イの製造方法。 １０．前記絶縁部が、窒化物よりなることを特徴とする請求項６に記載のＭ×Ｎ 個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 １１．前記絶縁部が、電気的に変形可能な物質よりなることを特徴とする請求項 ６に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 １２．前記絶縁部が、前記各コンジット及び前記電気的に変形可能な薄膜層を完 全にカバーする層構造を有することを特徴とする請求項６に記載のＭ×Ｎ個の薄 膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 １３．前記絶縁部が、蒸着法、ゾル−ゲル法、スパッタリング法及び化学気相成 長法（ＣＶＤ）のうちのいずれかによって形成されることを特徴とする請求項１ ２に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。