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JP2000510299A - コプレーナ導波路結合器 - Google Patents

コプレーナ導波路結合器

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JP2000510299A
JP2000510299A JP09540265A JP54026597A JP2000510299A JP 2000510299 A JP2000510299 A JP 2000510299A JP 09540265 A JP09540265 A JP 09540265A JP 54026597 A JP54026597 A JP 54026597A JP 2000510299 A JP2000510299 A JP 2000510299A
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JP
Japan
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coplanar waveguide
waveguide coupler
metallization
coupler
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Pending
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JP09540265A
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English (en)
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エリック エイ フリック
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ワトキンズ―ジョンソン カンパニー
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    • HELECTRICITY
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  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 本発明は、複数のトレース(28,29)及び導波路(22−24,26)を備えたコプレーナ導波路結合器であり、これらの全ては多層プリント配線基板(10)の一つの層上に形成されている。多層プリント配線基板は、この基板の第2の層上に置かれたトレース(28,29)及び導波路(22−24,26)の間に相互接続体(37-39,41)を備えている。第3の層は、アース面(42)を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】 コプレーナ導波路結合器発明の分野 本発明は、広くはコプレーナ導波路結合器に係り、特に多層プリント配線基板 に形成された導波路結合器に関する。発明の背景 コプレーナ導波路(CPW)および接地型コプレーナ導波路(CPWG)はい ずれも、最小の接地インダクタンスおよび良好な熱伝導性で有利な性能を持つ要 素を表面に実装できる点で理想的である(一般的に用いられている大部分のマイ クロストリップよりも優れている)。これらは、CPWやCPWGを用いる「利 点」である。このようなデバイスの好適な一例としては、低ノイズ増幅器用の普 通のガリウムヒ素電界効果トランジスタ(GaAsFET)がある。このような高性 能のFETは高いゲインを有し、そのデバイスのリ−ドが最小のインダクタンス でア−スに接続されないと、安定を保つことが不可能ではないにしても非常に困 難である。パワ−FETは、CPWの卓越した熱特性から得られる利点を生かす 典型的なデバイスのもう一つの例である。このようなデバイスをマッチング回路 やバイアス回路と共に実装して、シングルエンドのCPWやCPWGと呼ばれる ものができる。 リタ−ン損失や高出力性能を改善するためには、二つの90度3dB結合器間 に、二つのシングルエンド要素を配置するのが望ましい場合がしばしばある。こ の「バランスされた」設計がしばしば回路を複雑にし、コストを増加させる。結 合器を追加することは、また、設計の「フロントエンド」や「バックエンド」に おける損失をもたらす。結合器の損失は、設計のノイズ形状、出力電力およびゲ イン性能へ直接的に悪影響を与える。 従来のPWB(プリント配線基板やPCBプリント回路基板)上の90度結合 器の実例の一つとしては、マイクロストリップ分岐線路結合器がある。その分岐 線路結合器は、CPW結合器よりも狭い帯域であり、それによって分岐路結合器 の有用性が限定される。また、マイクロストリップランゲ(lange)結合器を用い ることも考えられる。しかしながら、マイクロストリップランゲ結合器は、標準 的なPWBの製造技術を利用することができないほどの製造上の精度を要求する 。このようなマイクロストリップ結合器はすべて、シングルエンド要素の入力お よび出力の両方においてマイクロストリップからCPWへの連結を要求すること になり、付加的な損失がもたらされる。また、PWBにハンダ付けすることので きるパッケ−ジ化された90度結合器を購入することもできるかもしれない。こ れらの結合器は、それらのパケッ−ジ内で多くの方法で適用できるであろう。そ れらは、一纏めにしたまままたはブロ−ドサイドの結合ストリップ線路によって 構成されていることが多い。 インタ−デジテイト(interdigitated)コプレーナ導波路結合器は、バスチダ(B astida)およびファネリ(Fanelli)著、エレクトロニクスレター(Blectronics Le tter)、1980年8月14日、Volume 16,No.17の第645〜646ページ中で詳述 されているように動作する。その論文の記述によれば、CPW結合器は、酸化ア ルミナかガリウムヒ素のいずれかの基板の一表面にメタライズされた一つの面を 有することを特徴としている。結合器トレースを相互接続したり、結合器を伝送 線路に接続するためにはボンド配線が使われる。ボンド配線の取り付けには緻密 な接続工程を必要とする。さらに、ボンド配線は機械的な損傷を受けやすく、一 度接続されると、それらの損傷を避けるために、かなりの注意を払わなければな らない。ボンド配線は断面積が小さいために電磁誘導性をもっており、このため に結合器の高周波数特性が制限される。従来技術における結合器は製造コストが 比較的高い。発明の目的と概要 本発明の一つの目的は、多層プリント回路配線基板上に構成されたコプレーナ 導波路結合器(CPW)を提供することにある。 本発明の他の目的は、製造するのに安価な結合器を提供することにある。 本発明の他の目的は、機械的に頑丈な結合器を提供することにある。 本発明の他の目的は、電気的性能の優れたコプレーナ導波路結合器を提供する ことにある。 本発明の上述およびその他の目的は、多層プリント配線基板の一つの層の表面 上に置かれた結合された導電体を有する導波路結合器によって達成される。これ らの導電体は、第1の層から第2の層に延びる線路によって第2の層の上に置か れた導電体によって相互接続されている。アース(接地)面が、第3の層に形成 され、表面のアース面に相互接続されている。図面の簡単な説明 本発明の上述およびその他の目的は、添付の図面を参照して以下の説明を読む ことによって、より明確に理解されるであろう。 図1は、本発明によるコプレーナ導波路結合器の平面図である。 図2は、図1の2−2線矢視断面図である。 図3は、図1に示された導波路結合器の三つのメタライゼーション層を表す断 面図である。 図4A−4Bは、図1および図2のコプレーナ導波路結合器を形成する工程を 示す図である。 図5は、図3の第3のメタライゼーション層内にアース面を形成する追加の工 程を示す図である。 図6は、コプレーナ導波伝送線路によって一つのアクティブ回路へ接続された 一対の導波路結合器を示す図である。好ましい実施形態の記述 図1および図2において、結合器は、多層プリント回路基板10上に形成され ており、PWB誘電体11の第1の層によって隔てられた少なくとも二つのメタ ライゼーション層が含まれる。上層の表面の連続的な金属箔すなわちメタライゼ ーションは、フォトマスクされて酸でエッチングされ、結合器用の上側の複数の 導電体すなわちトレ−スが形成される。より具体的には、上側の層は、アース面 16、伝送線路17、18、19および21を含んでいる。伝送線路17、18 、19および21は、薄い平板の導電体22、23、24および26から形成さ れ、それぞれがアース面16から間をおいて配置されている。導電体の箔には窓 27が形成され、この窓内には、二つのU字形の挟み込まれた伝送線路28およ び29がある。入力伝送線路17は、U字形の伝送線路すなわちトレ−ス28の 底部に接続されている。U字形の伝送線路28の両端部は伝送線路21に接続さ れ、 これによって入力信号が、矢印31および32で示されるように伝送される。伝 送線路18はU字形のトレ−ス29の底部に接続され、伝送線路19はトレ−ス 29の両端部に接続されている。結合された90度の信号は線路19で取り出す ことができ、線路18は絶縁され終端している。図示された点線は、これから説 明する第2のメタライゼーション層に形成された相互接続要素である。伝送線路 と結合線路すなわちトレ−スとの間の接続は線路36による。線路36は、層1 1を貫通して延びて、一般的に図2の符号37で示す底部の相互接続部に接続さ れる。結合線路すなわちトレ−スは、1/4波長の長さであり、またその厚さと 幅は、要求されるインピ−ダンスと電力結合の両方を満足できるように選択され るのが好ましい。 特に図4Aを参照すると、上側表面の箔にエッチングにより形成されたアース 面16の導波路22、23、24および26と結合されたU字形の結合器導電体 すなわちトレースのパタンが示されている。図4Bには、第2のメタライゼーシ ョン層をマスキングおよびエッチングすることにより形成された相互接続層が示 されている。特に図1を参照すると、相互接続が点線の輪郭で示されている。相 互接続部37はL字形であり、U字形のトレ−ス29の両端部を線路24に接続 している。直線相互接続部38は、U字形のトレ−ス28の底部を線路22に接 続している。直線相互接続部39は、U字形の伝送線路すなわちトレ−ス29の 底部を線路23に接続し、L字形の相互接続部41はU字形の伝送線路すなわち トレ−ス28の両端部を線路26に接続している。 図3ないし図5において、PWBの誘電体12の第2の層を第1の誘電体層1 1に接合し、第3のメタライゼーション層42としてもよい。第3のメタライゼ ーション層42は接地され、層11および12を貫通して延びる接地された線路 43によって最上部の層のメタライズされたアース16に間隔をおいて接続され ている。この構造は、スロットモードの抑制性能に優れた接地型コプレ−ナ導波 路構造を提供する。第2の誘電体12の層に、追加のPWBの誘電体の層(図示 せず)を接合してもよい。これにより、結合器をごくわずか変更するだけで、同 じPWB上に何か他の回路を作ろうとするときに必要とされる追加のメタライゼ ーション面を提供することができる。 ここでは、ボンド配線やそれに類するものを必要としないで、プリント回路配 線基板に集積された相互接続をもつ簡単なコプレ−ナ導波路結合器を提供した。 要約すると、第1の層は、入出力伝送線路および結合されたトレ−スを提供する 。第2の層は相互接続トレ−スを提供し、第3の層はアースを提供する。図6に おいて、この発明による二つのコプレーナ導波路結合器46、47は、プリント 配線基板上に形成され、増幅器、減衰器、変調器等の回路48のための入出力結 合器を提供することができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.コプレーナ導波路結合器において、 誘電材料の少なくとも第1の層を含むプリント回路基板であって、その誘電 材料の第1の層の一つの表面の上に第1のメタライゼーション層を選択的にエ ッチングすることによって形成された結合された複数の導電性トレースを有す る、プリント回路基板と、 前記誘電材料の第1の層の前記一つの表面の上の前記第1のメタライゼーシ ョン層を選択的にエッチングすることによって形成された入力コプレーナ導波 路および出力コプレーナ導波路と、 前記誘電材料の第1の層の前記一つの表面とは別の表面の上の第2のメタラ イゼーション層を選択的にエッチングすることによって形成された相互接続導 体と、 前記相互接続導体を前記導電性トレースおよびコプレーナ導波路に接続する 線路と、 を有することを特徴とするコプレーナ導波路結合器。 2.請求項1のコプレーナ導波路結合器において、前記誘電材料の少なくとも第 1の層は、第1のアース面を形成するメタライゼーションを含むことを特徴と するコプレーナ導波路結合器。 3.請求項2のコプレーナ導波路結合器において、 第2の誘電体層によって前記第2のメタライゼーションから分離され、第2 のアース面を形成するべくエッチングされた追加のメタライゼーション層と、 前記第1および第2のアース面を、前記第1および第2の誘電体層を通じて 相互接続する線路と、 を含むことを特徴とするコプレーナ導波路結合器。 4.請求項1、2または3のコプレーナ導波路結合器において、他の回路要素と ともに一つのプリント回路配線基板に集積されていることを特徴とするコプレ ーナ導波路結合器。
JP09540265A 1996-05-06 1997-05-06 コプレーナ導波路結合器 Pending JP2000510299A (ja)

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EP (1) EP0897601A4 (ja)
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