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JP2000505249A - Patterns of conductive polymers and their application as electrodes or electrical contacts - Google Patents

Patterns of conductive polymers and their application as electrodes or electrical contacts

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JP2000505249A
JP2000505249A JP10522863A JP52286398A JP2000505249A JP 2000505249 A JP2000505249 A JP 2000505249A JP 10522863 A JP10522863 A JP 10522863A JP 52286398 A JP52286398 A JP 52286398A JP 2000505249 A JP2000505249 A JP 2000505249A
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Japan
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conductive polymer
layer
patterned
substrate
disposed
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JP10522863A
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Japanese (ja)
Inventor
アンゲロプロス、マリー
ディミトラコプロス、クリストス、デミトリオス
ファーマン、ブルース、ケニス
グラハム、テレシタ、オルドネース
チイ、アラン リン、シュイ
Original Assignee
インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 電子デバイスへの電気接続を与えるパターン付き導電性ポリマーを有する電子デバイス、ならびにその製造方法が記述される。液晶材料を横切るバイアスを提供する電極の少なくとも１つがパターン付き導電性ポリマーから形成された液晶表示装置セルが記述される。ソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極としてパターン付き導電性ポリマーを有する薄膜トランジスタが記述される。パターン付き導電性ポリマーから形成されたアノード領域および被覆領域を有する発光ダイオードが記述される。レジスト・マスクを使用したパターン化の方法、パターン付き金属層を使用したパターン化の方法、レジストを使用して金属層をパターン化する方法、導電性ポリマーを直接パターン化して、電極並びにアノード領域およびカソード領域を形成する方法が記述される。 SUMMARY An electronic device having a patterned conductive polymer that provides electrical connection to the electronic device, and a method of making the same, is described. A liquid crystal display cell is described wherein at least one of the electrodes providing a bias across the liquid crystal material is formed from a patterned conductive polymer. A thin film transistor having a patterned conductive polymer as a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode is described. A light emitting diode having an anode region and a cover region formed from a patterned conductive polymer is described. Method of patterning using a resist mask, method of patterning using a patterned metal layer, method of patterning a metal layer using a resist, patterning a conductive polymer directly to form an electrode and an anode region and A method for forming a cathode region is described.

Description

【発明の詳細な説明】 導電性ポリマーのパターンおよび電極 または電気接点としてのその応用 本願は、１９９７年３月７日出願の「Method of Patterning Electrically Co nductive Polymer Films to Form Electrodes and Interconnection Conductors on a Surface Using a Resist to Pattern a Metal Layer to Pattern an Elec trically Conductive Polymer Layer」という名称の米国仮出願第６０／０４０ １２９号による優先権を主張する。 本願は、１９９６年１１月１２日出願のＭ．アンゲロプロス（Angelopoulos） 他の「SOLUTION APPLIED，IMAGEABLE，TRANSPARENT POLYMERS AS CONDUCTING EL ECTRODES」という名称の米国仮出願第６０／０３０５０１号による優先権を主張 する。 本願は、１９９７年３月７日出願のＭ．アンゲロプロス他の「PATTERNS OF EL ECTRICALLY CONDUCTING POLYMERS AND THEIR APPLICATION AS ELECTRODES AND E LECTRICAL CONTACTS」という名称の米国仮出願第６０／０４０３３５号による優 先権を主張する。 本願は、１９９７年３月７日出願のＭ．アンゲロプロス他の「PATTERNS OF EL ECTRICALLY CONDUCTING POLYMERS AND THEIR APPLICATION AS ELECTRODES IN FI ELD EFFECT TRANSIS TORS」という名称の米国仮出願第６０／０４０６２８号による優先権を主張する 。 本願は、１９９７年３月７日出願のＭ．アンゲロプロス他の「METHODS OF PAT TERNING ELECTRICKLLY CONDUCTIVE POLYMER FILMS TO FOR MELECTRODES AND INT ERCONNECSION CONDUCTORS ON A SURFACE」という名称の米国仮出願第６０／０４ ０１５９号による優先権を主張する。 本願は、１９９７年３月７日出願の「Methods of Patterning Electrically C onductive Polymer Films to Form Electrodes and Interconnection Conductor s on a Surface Using a Resist Mask」という名称の米国仮出願第６０／０４０ １３０号による優先権を主張する。 本願は、１９９７年３月７日出願のＭ．アンゲロプロス他の「STRUCTURES HAV ING PATTERNED ELECTRICALLY CONDUCTIVE POLYMER FILMS AND METHODS OF FABRI CATION THEREOF」という名称の米国仮出願第６０／０４０１３２号による優先権 を主張する。 本願は、１９９７年３月７日出願のＭ．アンゲロプロス他の「LIGHT EMITTING DIODES HAVING ELECTRICALLY CONDUCTIVE POLYMER ELECTRODES」という名称の 米国仮出願第６０／０４０１３１号による優先権を主張する。技術分野 本発明は、パターン付き導電性ポリマーおよびその製造方 法を対象とする。より詳細には、本発明は、導電性ポリマーから形成された電極 接点および能動領域、ならびにパターン付き電気接点として導電性ポリマーを有 する電子デバイス、とりわけ液晶表示装置、電気光学式変調器、ダイオード、発 光ダイオード、トランジスタなどの電気光学トランスデューサ用の電極または電 気接点としてのこうしたポリマーの応用を対象とする。背景技術 現在の電気光学式トランスデューサその他のデバイスの電気接点や電極は一般 に金属である。金属は蒸着法やスパッタ法で付着するが、それには高価な装置が 必要で、全体的に厄介な工程である。 導電性ポリマーは、比較的新しいクラスの電子材料であり、本明細書中で電極 材料の候補として教示される。この種のポリマーは金属の電気的特性とポリマー の加工上の利点を兼ね備えている。 本明細書では、置換および非置換の導電性ポリアニリン、ポリパラフェニレン 、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、 ポリセレノフェン、ポリイソチアナフテン、ポリフェニレンスルフィド、ポリア セチレン、ポリピリジルビニレン、ポリアジン、これらの組合せ、これらと他の ポリマーの混合物、これらのモノマーのコポリマーなどの導電性ポリマーの例に ついて述べる。 これらのポリマーをデバイス中で電極として使用するには、これらのポリマー が適当な導電性をもち、容易にパターン化できることが好ましい。さらに、これ らのポリマーは、気体を放出して電気的に接触を行う先のデバイスを汚染させる ことのないことが好ましい。その上、これらの導電性ポリマーはリソグリフィに よってパターン化できることが好ましい。パターン化によって、ポリマーの導電 性が低下したり、導電性ポリマーの諸特性が劣化したりすることのないことが好 ましい。 したがって、パターン化した導電性ポリマーがデバイスへの電気接点として使 用できるように、任意の導電性ポリマー・システムで使用でき、導電性ポリマー に悪影響を与えない、これらのポリマーをパターン化する方法を開発することが 望ましい。また気体の放出やデバイスの汚染が起こらないように導電性ポリマー の諸特性を制御することが望ましい。発明の開示 本発明の一目的は、導電性ポリマーを使って改良された電子デバイスを提供す ることである。 本発明の一目的は、導電性ポリマーのパターンおよびその製造方法を提供する ことである。具体的には、まずレジストをパターン化し、続いてこのレジスト・ パターンを導電性ポリマーに転写する。導電性ポリマーが転写された後、レジス トを除去する。 本発明の一目的は、導電性ポリマーに塗布されるレジストを使って導電性ポリ マーのパターンを提供することである。 具体的には、まず金属をパターン化し、続いてこの金属パターンを導電性ポリ マーに転写し、続いて金属を除去する。 本発明の他の目的は、導電性ポリマーに付着される金属を使って導電性ポリマ ーのパターンを提供することである。 本発明の他の目的は、高い導電性を有する導電性ポリマーのパターンを提供す ることである。 本発明の他の目的は、高い光透過性を有する導電性ポリマーのパターンを提供 することである。 本発明の他の目的は、良好な熱安定性を有する導電性ポリマーのパターンを提 供することである。 本発明の他の目的は、高い光透過性と高い導電性を有する導電性ポリマーを提 供することである。 本発明の他の目的は、電気接点または電極として使用できる導電性ポリマーお よび導電性ポリマーのパターンを提供することである。 本発明の他の目的は、電気光学式トランスデューサおよびデバイス中で電気接 点または電極として使用できる導電性ポリマーおよび導電性ポリマーのパターン を提供することである。 本発明の他の目的は、液晶表示装置中で電極として使用できる導電性ポリマー および導電性ポリマーのパターンを提供することである。 本発明の他の目的は、導電性ポリマーの電極を備える液晶表示装置を提供する ことである。 本発明の他の目的は、導電性ポリマー電極と金属電極を備える液晶表示装置を 提供することである。 本発明の他の目的は、導電性ポリマー電極と酸化インジウムスズ電極を備える 液晶表示装置を提供することである。 本発明の他の目的は、１個または複数の導電性ポリマー電極からなるアクティ ブ・マトリックス薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）液晶表示装置を提供することであ る。 本発明の他の目的は、良好な電荷保持力を有する１個または複数の導電性ポリ マー電極を備える液晶表示装置を提供することである。 本発明の他の目的は、良好な透過／電圧特性を有する１個または複数の導電性 ポリマー電極を備える液晶表示装置を提供することである。 本発明の他の目的は、良好なイメージ固着（sticking）特性を有する１個また は複数の導電性ポリマー電極を備える液晶表示装置を提供することである。 本発明の他の目的は、発光ダイオード中で１個または複数の電極として使用で きる導電性ポリマーおよび導電性ポリマーのパターンを提供することである。 本発明の他の目的は、１個または複数の導電性ポリマー電極を備える有機また は無機の発光ダイオードを提供することである。 本発明の他の目的は、１個または複数のパターン付き導電性ポリマー電極から なる有機または無機の発光ダイオードを提供することである。 本発明の他の目的は、導電性ポリマーから形成された正孔注入領域または電子 注入領域あるいはその両方を有する発光ダイオードを提供することである。 本発明の他の目的は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）デバイスにおけるドレ イン電極、ソース電極、およびゲート電極の１つまたはいくつかやバイポーラ、 トランジスタへの接点など、トランジスタへの電気接点として使用できる導電性 ポリマーおよび導電性ポリマーのパターンを提供することである。 本発明の他の目的は、良好な導電性と良好な熱安定性を有し、気体を放出せず 、かつ場合によっては高い光透過性を有する、導電性ポリマーのパターンを提供 することである。 本発明の他の目的は、導電性ポリマー上にレジストを塗布し、レジストを露光 し現像してレジスト中にパターンを形成することにより、導電性ポリマーのパタ ーンを提供することである。このレジスト・パターンをエッチングによって導電 性ポリマーに転写し、続いてレジストを除去する。 本発明の他のより広義の態様は、導電性ポリマーの表面に金属を付着すること によって導電性ポリマーのパターンを提供することである。レジストを塗布し、 このレジストを露光し現像して金属をパターン化する。レジスト・パターンを金 属に転写し、続いてエッチング技術によってこのパターンを導電性ポリマーに転 写する。 本発明の他のより広義の態様は、導電性ポリマー上にパターン付き金属層を付 着し、このパターンをエッチングして導電性ポリマー中に転写し、金属を除去す ることにより、導電性ポリマーのパターンを提供することである。 本発明のより具体的な態様は、ソース、ドレイン、およびゲート電極の１つま たはいくつかが、良好な導電性と良好な熱安定性を有する導電性ポリマーを含む 、液晶表示装置用のＴＦＴスイッチを提供することである。 本発明の他の目的は、導電性ポリマー電極と金属電極からなる発光ダイオード を提供することである。 本発明の他の目的は、発光ダイオード中で１個または複数の電極として使用で きる導電性ポリマーおよび導電性ポリマーのパターンを提供することである。 本発明の他の目的は、１個または複数の導電性ポリマー電極からなる有機また は無機の発光ダイオードを提供することである。 本発明の他の目的は、１個または複数のパターン付き導電性ポリマー電極から なる有機または無機の発光ダイオードを提供することである。 本発明の他の目的は、正孔注入電極または電子注入層として導電性ポリマーを 含む発光ダイオードを提供することである。 したがって、本発明の広義の一態様は、導電性ポリマーおよびパターン付き導 電性ポリマーを提供すること、およびそのパターン化の方法を提供することであ る。 本発明の広義の一態様は、デバイスへの電気接続を提供するパターン付き導電 性ポリマーを有する電子デバイスを提供することである。 本発明の広義の一態様は、デバイスへの電気的接触をもたらすため、電子デバ イス上にパターン付き導電性ポリマーを配設することである。 本発明の他の広義の態様は、良好な導電性と良好な熱安定性を有し、気体を放 出せず、場合によっては高い光透過性を有する導電性ポリマーのパターンを提供 することである。 本発明の他の広義の態様は、導電性ポリマー上にレジストを塗布し、そのレジ ストを露光して現像し、そのパターンをエッチング技術によって導電性ポリマー に転写し、続いてレジストを除去することによって、導電性ポリマーのパターン を提供することである。 本発明の他の広義の態様は、導電性ポリマーの表面上に金属を付与することに よって導電性ポリマーのパターンを提供することである。レジストを塗布し、こ のレジストを露光し現像することによって金属をパターン化する。このレジスト ・パターンを金属に転写し、続いてエッチング技術によって導電性ポリマーに転 写し、続いて金属を除去する。 本発明の他の広義の態様は、導電性ポリマー上にパターン 付き金属層を付与し、続いてパターンをエッチングして導電性ポリマーに移し、 この金属を除去することによって、導電性ポリマーのパターンを提供することで ある。 本発明の他の広義の態様は、電気光学式トランスデューサおよびデバイスへの 電気接点として導電性ポリマーおよび導電性ポリマーのパターンを提供すること である。 本発明の他の広義の態様は、１個または複数の導電性ポリマー電極を有する電 気光学式トランスデューサおよびデバイスを提供することである。 本発明のより具体的な一態様は、１個または複数の導電性ポリマーを有する液 晶表示装置を提供することである。一実施形態では、液晶表示装置は、酸化イン ジウムスズ電極と導電性ポリマー電極を有する。 本発明のより具体的な一態様は、高い電荷保持力、良好な透過／電圧特性、お よび良好なイメージ固着特性を有する１個または複数の導電性ポリマー電極を有 する液晶表示装置を提供することである。 本発明のより具体的な一態様は、表面を有する電子的能動部分を有する電子デ バイスである。この表面は開口のある誘電層を有し、この開口の周囲が電子的能 動部分を露出させる。誘電層上に導電性ポリマーの層が配設される。この導電性 ポリマー層は開口を介して電子的能動部分と電気的に接触し、誘電層上に配設す べき周囲と重なり合う。 本発明のより具体的な他の態様は、 第１の基板と、 第２の基板と、 第１の基板と第２の基板の間に配設された液晶層と を有する液晶表示装置である。 第１の基板と第２の基板の少なくとも一方は、その上に導電性ポリマーが配設さ れ、液晶層を横切って電位を印加する手段を提供する。 本発明のより具体的な他の態様は、ソース電極、ドレイン電極、およびゲート 電極を有し、その少なくとも１つがパターン付き導電性ポリマーである電界効果 トランジスタである。 本発明のより具体的な他の態様は、 基板と、 基板上に配設されたパターン付き導電性ポリマー・ゲートとを有し、 このゲートは導電性ポリマーであり、 さらに、パターン付きゲート上に配設された絶縁層と、 絶縁層上に配設されたパターン付きソース電極と、 絶縁層上に配設されたパターン付きドレイン電極とを有し、このパターン付きソ ース電極とパターン付きドレイン電極は導電性ポリマーから形成され、 さらに、パターン付きソースおよびパターン付きドレインおよびパターン付きソ ースと前記パターン付きドレインとの間のゲートに配設された半導体材料を有す る構造である。 本発明のより具体的な他の態様は、基板と、アノード構造 と、エレクトロルミネッセント領域と、カソード構造とを有し、カソード構造ま たはアノード構造が導電性ポリマーである発光ダイオードである。 本発明のより具体的な他の態様は、基板と、アノードと、有機エレクトロルミ ネッセント層と、カソードとを有し、この構造中のアノードまたはカソードが導 電性ポリマーである有機発光ダイオードである。 本発明のより具体的な他の態様は、 導電性ポリマー材料の層を有する基板を準備し、 導電性ポリマー材料の層上にレジスト層を配設し、 レジストをエネルギーのパターンに露光し、 放射線のパターンを現像して、前記導電性ポリマーの覆われた領域と覆われてい ない領域のパターンをレジスト中に形成し、 覆われていない領域の導電性ポリマーを除去し、 レジストを除去して、前記導電性ポリマーのパターンを残す方法である。 本発明のより具体的な他の態様は、 導電性ポリマー材料の層を有する基板を準備し、 金属マスクを介して金属層のパターンを配設して、導電性ポリマーの層上にパタ ーン付き金属層を形成し、金属パターンで覆われた導電性ポリマーの領域と覆わ れていない導電性ポリマーの領域を形成し、覆われていない領域をエッチングし て、露出した導電性ポリマー領域を除去し、金属を除去して、 導電性ポリマーのパターンを得る方法である。 本発明のより具体的な他の態様は、 導電性ポリマーの層を有する基板を準備し、 導電性ポリマーの層上に金属層を配設し、 金属層上にレジストを配設し、 レジストを放射線のパターンで露光し、 放射線のパターンを現像して、レジスト中にパターンを形成し、金属層の覆われ た領域と覆われていない領域を形成し、前記覆われていない領域の金属層を除去 して、前記導電性ポリマーの覆われた領域と覆われていない領域を形成し、 前記導電性ポリマーの覆われていない領域を除去し、 レジストを除去し、 金属層の残りの部分を除去して、導電性ポリマーのパターンを得る方法である。 本発明のより具体的な他の態様は、 エネルギー感受性成分を含む、導電性ポリマー材料の層を有する基板を準備し、 導電性ポリマーをエネルギーのパターンで露光して、露光領域と非露光領域のパ ターンを形成し、 露光領域と非露光領域の一方の導電性ポリマーを除去して、基板上に前記導電性 ポリマーのパターンを形成する方法である。図面の簡単な説明 本発明の他の目的、特徴および利点は、本発明についての以下の説明を図面と 併せて考慮すれば明らかになるであろう。 第１図は、パターン付き導電性ポリマーを含む、本発明による構造の例示的実 施例の概略透視図である。 第２図は、パターン付き導電性ポリマーを含む、本発明による構造の別の例示 的実施例の概略側面図である。 第３図は、典型的な液晶セル構成の概略図である。 第４図は、（ａ）電圧がかけられ、セルの透過率が最大のとき、（ｂ）電圧が かけられ、セルの透過率が最小のときのツイステッド・ネマチック液晶セルの動 作の概略図である。 第５図は、典型的なアクティブ・マトリックス薄膜トランジスタ表示装置の概 略図である。 第６図は、ＴＦＴ／ＬＣＤ表示装置の単位セルの上面図である。 第７図は、第６図の線ＡＡ’に沿った断面図である。 第８図は、第６図の線ＡＡ’に沿った別の断面図である。 第９図は、組立て済みの液晶表示装置の部分を示す図である。 第１０図は、ソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極のうちの１つまた はいくつかが導電性ポリマーを含む、ＴＦＴの概略断面図である。ソースとドレ インはゲート絶縁体の直上に配設され、その後、半導体で覆われる。 第１１図は、ソース電極とドレイン電極のうちの１つまた はいくつかが導電性ポリマーを含む、ＴＦＴの概略断面図である。基板は導電性 であり、ゲート電極としても使用される。ソース電極とドレイン電極は絶縁体の 直上に配設され、その後、半導体で覆われる。 第１２図は、ドレイン電極とゲート電極のうちの１つまたはいくつかが導電性 ポリマーを含む、ＴＦＴの概略断面図である。ソース電極とドレイン電極は半導 体の直上に配設される。 第１３図は、ソース電極とドレイン電極のうちの１つまたはいくつかが導電性 ポリマーである、ＴＦＴの概略断面図である。基板は導電性であり、ゲート電極 として使用される。ソース電極とドレイン電極は半導体の直上に配設される。 第１４図は、第１１図に概略的に構造を示したＴＦＴデバイスのソースとドレ インの間を流れる電流を、ゲート電極の電圧に対してプロットしたグラフである 。このデバイスのチャネル長さＬは１００ミクロン、チャネル幅は１５００ミク ロンであった。 第１５図は、ＴＦＴベースのアクティブ・マトリックス液晶表示装置の典型的 なレイアウトの上面図である。ソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極の うちの１つまたはいくつかが導電性ポリマーを含む。 第１６図は、第１６（ａ）図および第１６（ｂ）図に示す異なる２種のＴＦＴ 構成を有するＴＦＴベースのアクティブ・マトリックス液晶表示装置の一画素の 断面図である。ソー ス電極、ドレイン電極、およびゲート電極のうちの１つまたはいくつかが導電性 ポリマーを含む。 第１７図は、不動態化層または絶縁層を貫通するコンタクト・バイアを示す図 である。最下層は導電性ポリマーである。最上層は、金属やＩＴＯなど同じ材料 でも異なる導電性材料でもよい。 第１８図は、上面に不透明なカソードを有するガラス基板上にあり、光がガラ スの側面のみから放出される、従来技術のＯＬＥＤ構造を示す図である。 第１９図は、透明（または不透明）なカソードを有する本発明のＬＥＤ構造を 一般的に示す図である。 第２０図は、イメージを表示するためのＬＥＤアレイの概略図であり、第２０ Ａ図は各行と列の交点にＬＥＤがあるパッシブ・マトリックス型、第２０Ｂ図は 各行と列線の交点に電流調整回路のあるアクティブ・マトリックス型のものであ る。 第２１図は、導電性ポリマーの表面上にレジストを塗布することによる導電性 ポリマーのパターン化を示す図である。レジストを露光して現像し、パターンを 導電性ポリマーに転写し、レジストを除去する。 第２２図は、金属マスクを介して導電性ポリマー上にパターン付き金属層を付 与することによる導電性ポリマーのパターン化を示す図である。パターンを導電 性ポリマーに転写し、続いて金属を除去する。 第２３図は、導電性ポリマー上にブランケット金属層を塗布することによる導 電性ポリマーのパターン化を示す図である。金属をレジストでパターン化し、パ ターンをまず金属に、次いでエッチングによって導電性ポリマーに転写し、残っ たレジストおよび金属を除去する。 第２４図は、導電性ポリマーを放射線で直接露光することによる導電性ポリマ ーのパターン化を示す図である。その後、ポリマーを現像して、より可溶性の領 域を除去する。 第２５図および第２６図は、導電性ポリマーの表面上でレジストを使って画定 した１０μｍ程度の導電性ポリアニリンの線を示す図である。 第２７図および第２８図は、金属マスクを介して導電性ポリマーの表面上に付 着した金属を使って製作した導電性ポリアニリンの線を示す図である。 第２９図、第３０図、および第３１図は、レジストを使って画成された、導電 性ポリマーの表面に付着したブランケット金属を使って製作した導電性ポリアニ リンの線を示す図である。 第３２図は、５００オングストロームのポリアニリン被膜の光透過スペクトル を示す図である。 第３３図は、２個のポリアニリン電極で作成した液晶表示装置の透過／電圧特 性を示すグラフである。 第３４図は、２個のＩＴＯ電極で作成した液晶表示装置の輝度（透過）／電圧 特性を示すグラフである。 第３５図は、ポリアニリン電極で作成した液晶表示装置の電圧−時間曲線を示 すグラフである。電荷保持率は９５％より高い。 第３６図および第３７図は非ポリマー電気導体とポリマー電気導体の間の接合 部の概略図である。 第３８図は、本発明による電極を有するバイポーラ・トランジスタの概略図で ある。発明を実施するための最良の形態 本発明は、飽和および不飽和のポリアニリン、ポリパラフェニレン、ポリパラ フェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフラン、ポリセレノ フェン、ポリイソチアナフテン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアセチレン、 ポリピリジルビニレン、これらの組合せ、およびこれらと他のポリマーの混合物 、これらのモノマーのコポリマーを含めて、導電性ポリマーを使用したデバイス を対象とする。これらのポリマーをリソグラフィでパターン化して、様々な電気 光学式トランスデューサおよびデバイスの電極または電気接点として働くことの できる導電性パターンを形成できることが判明した。本発明はまた、１個または 複数の導電性ポリマー電極からなる電気光学式トランスデューサおよびデバイス を対象とする。 第１図に、パターン付き導電性ポリマー２０２を上に配設した基板２００の概 略透視図を示す。導電性ポリマー２０２ は、導電性ポリマー２０２と表面２０４の界面２０６の少なくとも一部分に沿っ て基板２００の表面２０４への電気接点を形成する。パターン２０２は、基板２ ００中に形成されたいくつかの電子デバイスを電気的に相互接続することができ る。 第２図に、基板２０８の表面２１２上に誘電層２１０を有する、基板２０８の 概略側面図を示す。誘電層２１０はその中に貫通孔２１４を有し、貫通孔２１４ を充填して基板２０８の表面２１８と接触するためのパターン付き導電性ポリマ ー２１６が誘電層２１０上に配設されている。本発明を実施するのに有用なデバ イスの例には、液晶表示装置（ＬＣＤ）、トランジスタ（バイポーラ・トランジ スタおよび電界効果トランジスタ）、発光ダイオードなどがある。 ＬＣＤデバイス 液晶ベースの電気光学式トランスデューサは現在、特に携帯式電子機器用のフ ラット・パネル表示装置製造用の最新技術である。当業界が大型ディスプレイに 移行するにつれて、将来この技術はますます重要になると予想される。 典型的な液晶（ツイステッド・ネマチック）セルを第３図に示す。このデバイ スでは、平均５〜２０Ｖ８〜２５μｍ離れた２枚のガラス板の間にネマチック液 晶が配置されている。ガラス板の表面に透明電極である酸化インジウムスズ（Ｉ ＴＯ）が付着されている。ＩＴＯ上に整合層が付着され、これ は、ネマチック液晶が擦った方向と平行に整列するように擦られる。２枚の整合 層を互いに９０°の角度で擦った場合、液晶は第４ａ図に示すようなねじれ構造 をとる。セルに偏光が入射すると、偏光面は分子のねじれに追従し、したがって 光がセルを通過するとき９０°回転する。セルの他端に配置された第２の偏光子 も第１の偏光子に対して９０°回転している場合、光はセルを通過する。セルに 電圧をかけると、液晶セルの両端間に電界がかかる。液晶分子はこの電界と整列 し（第４ｂ図）、その場合ねじれは崩れる。このとき入射光は交差した偏光子に 出会い、したがってセルを透過する光はない。米国特許第５６２３５１４号は液 晶セルを記載しており、その教示を参照により本明細書に合体する。 パッシブ・マトリックス表示装置やアクティブ・マトリックス表示装置を含め て様々な液晶表示装置がある。アクティブ・マトリックス表示装置は、ダイオー ド・リング、バック・ツー・バック・ダイオード、金属−絶縁体−金属デバイス などの２端子デバイスから構成することができる。アクティブ・マトリックス表 示装置はまた、薄膜トランジスタなどの３端子デバイスから構成することもでき 、その材料はポリシリコン、アモルファス・シリコン、アモルファス・ゲルマニ ウム、セレン化カドミウムなどである。 フラット・パネル・ディスプレイで将来使用するために盛んに研究開発が進め られているもう１つの技術は発光ダイオード、特にエレクトロルミネッセント層 が有機材料のもので ある。発光ダイオードは、正孔注入電極、エレクトロルミネッセント層、電子注 入電極からなる。正孔注入電極は大抵は酸化インジウムスズである。 現在、フラット・パネル・ディスプレイは主に薄膜トランジスタをベースとす るアクティブ・マトリックス液晶を使って製作されている。液晶セルにおける最 も厄介な工程ステップの１つは、ＩＴＯ電極の付着とパターン化である。まずＩ ＴＯを蒸着工程で付着する。次いで高温度で数時間アニールしなければならない 。次いでフォトレジストを塗布してＩＴＯをパターン化する。フォトレジストを 露光し現像する。エッチングによってパターンをＩＴＯに転写する。エッチング 溶液は強酸の混合物からなる。ＩＴＯは一般に薄膜トランジスタの諸層を付着す る前または後に付着する。後者の場合、ＩＴＯの酸性のエッチング溶液が薄膜ト ランジスタ・デバイス中に欠陥を引き起こす可能性がある。 したがって、ＩＴＯに比べて簡単な手法をもたらすが、それと同時に、高い光 透過性、良好な導電性、良好な環境安定性および熱安定性、リソグラフィによる パターン化のしやすさ、ならびに高い電荷保持力や低いイメージ固着や良好な透 過／電圧特性など良好な液晶表示特性の諸特性をもたらす、新しい電極材料を開 発することが望ましい。また、発光ダイオードや他のデバイス用の改良された電 極材料および電気接点を開発することも望ましい。 導電性ポリマーは、電極材料の候補と見なすことのできる 比較的新しいクラスの電子材料である。これらのポリマーは、金属の電気的諸特 性と従来のポリマーの加工上の利点を兼ね備える可能性がある。本明細書では、 置換または非置換の導電性ポリアニリン、ポリパラフェニレン、ポリアジン、ポ リパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリ セレノフェン、ポリイソチアナフテン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアセチ レン、ポリピリジルビニレン、これらの組合せ、これらと他のポリマーの混合物 、およびこれらのモノマーのコポリマーを記載する。 ＩＴＯの代替物あるいは電極一般としてこれらのポリマーを使用するには、こ れらのポリマーが適切な導電性を有し、パターン化しやすく、かつ場合によって は高い光透過性をもたなければならない。その上、これらのポリマーはガスを放 出してはならない。デバイス汚染の原因となるからである。液晶表示装置セルに おいては、導電性ポリマーがガスを放出すると表示装置の電荷保持力が著しく低 下することになる。さらに、導電性ポリマーはリソグラフィによって容易にパタ ーン化できる必要がある。パターン化によって導電性ポリマーの導電性が低下し ても、また導電性ポリマーの諸特性が劣化してもならない。したがって、これら のポリマーをパターン化する方法、理想的には導電性ポリマー・システム上で使 用でき、導電性ポリマーの諸特性に悪影響を与えない方法を開発することが望ま しい。 導電性電極として使用できる可能性のある１つの導電性ポ リマーはポリアニリンである。ポリアニリン（および他の導電性ポリマー）は、 参照により本明細書に合体する「Electrically Conductive Polymeric Material s and Uses Thereof」という名称の米国特許第５１９８１５３号、第５２００１ １２号、第５２０２０６１号に記載されているポリマーの一系列である。 ポリアニリンなどの導電性ポリマーが、たとえば液晶表示装置中の導電性電極 と見なされるには、ポリマーがいくつかの特性を有することが望ましい。ポリア ニリンを例として本発明を説明するが、本発明はそれだけに限定されるものでは ない。望ましい特性には以下のことが含まれる。 １．可視領域で８０％を超える光透過度を有し、なおかつ十分な導電性とデバ イス・メタラジに対する接触抵抗を示すことが好ましい。 ２．良好な可溶性を有し、均一な被覆を形成することが好ましい。被覆は、粒 子やしま（streak）や、顕著なピンホールやデウェット（dewet）を含まないこ とが好ましい。 ３．導電性電極の上面に付着された整合層と両立し得ることが好ましい。整合 層、大抵はポリイミドを付着するのに使用する溶媒がポリアニリンを溶解したり 、顕著な界面混合を引き起こしたり、ポリアニリンからドーパント・イオンを抽 出したりしてはならない。ドーパント・イオンが抽出されると、ポリアニリンの 導電性が低下することになり、ドーパント・イオンは整合層に入り、最終的には 液晶中に入って液晶 セルの諸特性を破壊してしまう可能性がある。 ４．ポリマーが少なくとも１５０℃まで熱安定性を有することが好ましい。 ５．ポリマーがガスを放出しないことが好ましい。ガスが放出されると、イオ ン性汚染物質が液晶中に入り、液晶セルの諸特性を破壊することになるからであ る。 ６．ポリマーが良好な段被覆をもたらすことが好ましい。 ７．強いエッチャントを使わずにポリマーがパターン化されることが好ましい 。 上記のポリマーの諸特性に加えて、ポリアニリンで作成された液晶セルはいく つかの特性を有することが好ましい。それらの特性には以下のものが含まれる。 １．良好な透過／電圧特性 ２．室温および高温度で良好な電荷保持力 ３．室温でも高温度でもイメージの固着が起こらないこと。 ポリアニリンなどの導電性ポリマーがこのような適用例に使用でき、上記に概 賂を示した特性をもたらすかどうかは自明ではない。ポリアニリンは、非導電形 のポリマー（塩基）を塩酸などの酸と反応させて導電性の塩を形成することによ り導電性になることが知られている。このことはＡ．Ｇ．マクダイアミド（MacD iarmid）とＡ．Ｊ．エプステイン（Epstein）によってFarad．Discuss．Chem．S oc.，88,317に記載されている。導電形の構造は、非局在化されたポリマー・ラ ジカル・カチオンからなり、それが対アニオンによって中和さ れることは、参照により本明細書に合体される１９９５年１月９日出願の「Deag gregated Electrically Conductive Polymers and Precursors Thereof」という 名称の米国特許出願第０８／３７０１２７号に記載されている。 この材料を導電性にするにはイオンが必要である。液晶パネル中にイオンが存 在すると、電荷保持力およびイメージ固着が不良になることは、Ｈ．シバレー（ Seiberle）、Ｍ．シャット（Schadt）の「Influence of Charge Carriers and D isplay Parameters on the Performance of Passively and Active Addressed L CDs」、SID'92 Digest,25（1992）に示したようによく知られている。これは、 ポリアニリンを電極として使用する際の最大の問題の１つである。ＨＣｌ酸をド ーパントとして使用すると、揮発性の可動イオンが形成される。ＨＣｌは４０〜 ５０℃という低い温度でポリアニリンの薄膜からガス放出することが実際に観察 されている。このガス放出によって、イオンが液晶（ＬＣ）中に移動するため、 ＬＣの諸特性が破壊されることになる。今回驚くべきことに、ポリアニリンを修 飾することにより、室温でも高温度でもＬＣ中にイオンが移動しないドープ・ポ リマーを形成することができ、その結果、優れた電荷保持力とイメージ固着特性 を有するＬＣＤが作成されることが判明した。 イオンに関連するもう１つの問題は、ポリアニリン電極の上面にポリイミド整 合層を付着する際に、ポリイミド用の溶媒、一般にＮＭＰやγ−ブチロラクトン など極性の高い溶媒 がポリアニリンからドーパント・イオンを抽出し、これらのイオンを整合層およ びＬＣ中に移動させることである。これによっても表示装置の諸特性が破壊され ることになる。さらに、イオンが抽出されると、ポリアニリンの導電性が低下す ることになる。全く驚くべきことに、ポリイミド整合層はポリアニリンと全く両 立することができ、イオンの抽出が起こらないことが判明した。 ポリアニリンは、良好な光透過性をもたらすと同時に、十分な表面抵抗と、そ のデータ金属線への接触抵抗を有することが好ましい。厚さを薄くすることによ ってポリアニリンの光透過性を調整することができるが、その間に材料の表面抵 抗は増大する。本明細書では、良好な光透過性と、金属に対する良好な表面抵抗 および接触抵抗を有する材料を記述する。 ポリアニリンは良好な段被覆をもたらすことが好ましい。ＩＴＯを使用する際 にはこのことは大問題である。典型的なＴＦＴ構成では、酸化インジウムスズ（ ＩＴＯ）を透明な導電性電極として使用する。ＩＴＯは、スパッタリングで付着 され、通常のフォトレジスト・システムによってリソグラフィでパターン化され る。次いで濃硝酸と濃塩酸の熱混合溶液を使ってこれをエッチングする。一般に ＩＴＯは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）層と不動態化層を付着する前または後に 付着される。フォトリソグラフィ・マスク・ステップの数を減らすため、後者を 使用する。この場合、ＩＴＯ層を下にあるＴＦＴデバイスのソース／ドレイン金 属に接続するために、 不動態化層中にバイア・ホールを形成する。不動態化層が厚すぎる場合、ＩＴＯ はスパッタ・プロセスで付着されているので、ＩＴＯはバイア・ホールに対する 段被覆の問題がある。一方、不動態化層が薄い場合は、一般にピン・ホールが存 在し、ＩＴＯ酸性エッチング溶液がＴＦＴデバイスまたはバス線中に欠陥を生じ る可能性がある。ポリアニリンは、スピン・コーティング法またはローラ・コー ティング法で付着する。したがって、良好な段被覆をもたらすことができるはず である。またポリアニリンは、激しいエッチャントの必要なしにパターン化され ることがわかっている。 本発明はいくつかのデバイスに適しているが、アクティブ液晶表示装置、特に 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）液晶表示装置の実施形態について述べる。第５図に 示すように、従来のＴＦＴ表示装置１０は、セルのアレイＡを含み、各セルは、 トランジスタがオン状態のときにセルに電圧をかけることによってセルをアドレ スする薄膜トランジスタ１１と、トランジスタがオフに切り換わった後にその電 圧を維持するコンデンサ１２とを含んでいる。トランジスタは表示装置１０の裏 面のガラス基板１３上に形成され、すべて表示装置１０の裏面にある、列データ 電極１４と行電極１５の間、および各画素の透明な表示電極１６に接続される。 表示装置の前面には連続する共通透明電極１７が形成され、これは透明表示電極 １６から間隔を置いてこれと平行に配置されている。電極１７も表示電極１６も 、ガラス基板上に載荷された酸化インジ ウムスズ（ＩＴＯ）などの薄い透明な導電性材料から形成することが好ましい。 各画素の表示電極１６の方が連続する共通電極１７よりも寸法が小さいので、両 電極間に電圧がかかったとき、画素からまたは表示電極のセル縁部から外側に共 通電極へと広がるフリンジ電界が生じる。共通電極１７の外側と平行にガラス基 板１８に隣接して偏光子１９があり、これは後部ガラス基板１３の背部に取り付 けられた偏光子２０に対して適切な向きにある。整合層２１および２２は表示電 極１６および共通電極１７のそれぞれの内側表面に配設され、液晶層、ここでは ツイステッド・ネマチック液晶分子と接触している。この液晶層は整合層２１お よび２２を載荷する２枚の平行に取り付けられたガラス基板１および１８の間に 封止される。表示装置の裏面には可視光源（図示せず）があり、拡散板を通して 表示装置１０を照射する。表示装置１０をカラーにしたい場合は、共通電極１７ の整合層側にカラー・フィルタ２５を配設し、これは三原色（赤、緑、青）のグ ループを含み、三原色の各色がカラー・セルを形成する３つの隣接する画素Ａの グループの１つと関連付けられる。 パターン付き導電性ポリマー（すなわち、ポリアニリン）が表示装置１０中の 各画素の透明電極１６として機能し、ＩＴＯが連続透明電極１７として機能する 液晶セルを製作した。さらに、パターン付き導電性ポリマーが透明電極１６とし て作用し、導電性ポリマーの連続被覆が連続透明電極１７として作用する液晶セ ルも製作した。導電性ポリマーはまた透明 導電性電極１７としても作用し、パターン付きＩＴＯは画素電極１６として作用 することができる。 第６図には、ＴＦＴ／ＬＣＤ表示装置の単位セル構造の上面図を示す。１０１ と１０２はデータ・バス線、１０３と１０４はゲート・バス線である。１０６、 １０７、１０８は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、その中で１０８は１０ ４の突起、１０６は１０１の突起である。１０６はソース電極、１０７はドレイ ン電極である。１０６と１０７は通常、金属など同じ導電性材料製である。１０ ５は透明画素電極であり、フォトリソグラフィにより導電性ポリマーから作成さ れる。画素電極１０５、カラー・フィルタ側の上部電極（図示せず）、および両 者の間の液晶（図示せず）が、画素コンデンサを形成する。１３０は１０５の延 長部である。１３０と１０３は絶縁体層（図示せず）で分離され、記憶コンデン サを形成する。ゲート・バス線１０４に適当な高電圧がかかるとＴＦＴはオンに なる。したがって、画素コンデンサと記憶コンデンサは、ＴＦＴを介してデータ ・バス線１０１から設計電圧にまで充電され、この設計電圧によって画素中の液 晶の電気光学的特性が決まる。したがって設計されたイメージが表示される。Ａ −Ａ’に沿った２つの断面構造を第７図と第８図に示す。第７図と第８図におい て、１０６はソース電極、１０７はドレイン電極、１０８はゲート電極、１０９ はゲート絶縁体層、１１０は非晶質シリコン層、１１１はｎ＋非晶質シリコン層 、１１２は不動態化層、１０５は画素電 極である。第８図で、不動態化層１１２の上面に別の層１１３があり、これは低 誘電性透明ポリマー層である。画素電極層１０５が１１３の上面に配置されてい るので、画素電極はデータ・バス線の上面まで延びて画素の口径比を増大させる ことができる。第７図において、画素電極１０５と１０７は直接オーバラップし ている。第８図では、このオーバラップはポリマー層１１３上のバイア・ホール を介している。第９図に、組立て後の液晶表示装置の一部分を示す。１２０はガ ラス基板、１２１はカラー・フィルタ層、１２２は導電性透明電極層である。１ ２２は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）層または透明導電性ポリマー層である。１ ２３は駆動用電子回路にタブ・ボンディングするため電極リーフ（図示せず）に 接続されたトランスファ・パッドである。１２３は金属層でできている。１２４ は導電性エポキシ樹脂であり、１２２と１２３を電気的に接続する。したがって 、１２２を、１２４と１２３を介して駆動用電子回路に接続することができる。 １２５は液晶層である。第６図から第９図の金属層および導電層はすべて、本発 明による導電性ポリマーで置き換えることができる。 薄膜トランジスタ・デバイス 現在の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）デバイス中の電気接点または電極は金属で ある。金属は蒸着法またはスパッタ法で付着され、それには高価な装置が必要で ある。 適当なポリマーには、置換および非置換の導電性ポリアニリン、ポリパラフェ ニレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロ ール、ポリセレノフェン、ポリイソチアナフテン、ポリフェニレンスルフィド、 ポリアセチレン、ポリアジン、ポリピリジルビニレン、これらの組合せ、および これらと他のポリマーの混合物、これらのモノマーのコポリマーが含まれる。 ＴＦＴ中の接触電極としてこれらのポリマーを使用するには、適当な導電性を 有し、容易にパターン化可能であることが好ましい。さらに、これらのポリマー は、ガスを放出してデバイスの汚染を引き起こしてはならない。その上、これら の導電性ポリマーは、リソグラフィによってパターン化可能であることが好まし い。パターン化によって、ポリマーの導電性が低下せず、あるいは導電性ポリマ ーの特性が低下しないことが好ましい。 したがって、これらのポリマーをパターン化する方法、理想としては、どんな 導電性ポリマー・システムにも使用でき、導電性ポリマーの諸特性に悪影響を与 えない方法を開発することが望ましい。 半導体層として異なるタイプの共役ポリマーを有するＴＦＴにおけるソースお よびドレインの少なくとも１つとして導電性ポリマー電極を使用することは、以 前に記載されている（Ｈ．コエズカ、Ａ．ツムラ、Ｔ．アンドの米国特許第５１ ０７３０８号）。この特許では、ゲートは一貫して金属から 構成されていた。さらに、ＴＦＴ中のドレイン電極の１つが導電性ポリマーの被 膜であるときは必ず、この被膜はパターン付き金属リードを有していた。導電性 ポリマーの成長に使用された方法は電気化学的重合であった。上記特許の著者達 は、異なる方法を使って導電性ポリマーの電極を形成することもできると一般的 に述べているが、どのようにして導電性ポリマー層をソース電極またはドレイン 電極あるいはその両方の必要な形状にパターン化し、電極間にトランジスタ・チ ャネルを形成するかという問題に対する何の解決策も提供していない。本願では 、ＴＦＴのソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極の１つまたはいくつか に導電性ポリマーを使用したデバイス、ならびに導電性ポリマー層をパターン化 する方法を提示する。 本発明はまた、ソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極の１つまたはい くつかが導電性ポリマーを含むＴＦＴデバイスをも対象とする。第１０図から第 １３図にＴＦＴデバイスの構成を示す。 第１０図には、基板６１上に作成したデバイスを示す。基板６１上にパターン 付き導電性ポリマー・ゲート電極６２が配設されている。ゲート電極６２の上面 に絶縁層６３が配設されている。ゲート絶縁体６３の上面に導電性ポリマーを含 むソース電極６５とドレイン電極６６が配設され、パターン化されている。ソー ス電極６５およびドレイン電極６６とゲート絶縁体６３の一部分の上に半導体層 ６４が配設されてい る。 第１１図は、基板６１が導電性で、ゲート６２として働く点で第１０図とは異 なる。この構造の非限定的であるが具体的な例は、基板／ゲート電極（６１およ び６２）として高濃度にドープされたウェハを有し、その上面の絶縁体として熱 成長酸化物６３を使用するものである。残りの層は第１０図に示した通りである 。 第１２図は、先にゲート絶縁体上に配設された半導体層６４の上面にソース電 極６５とドレイン電極６６が配設されている点で第１０図と異なる。 第１３図は、先にゲート絶縁体上に配設された半導体層６４の上面にソース電 極６５とドレイン電極６６が配設されている点で第１１図と異なる。 第１４図は、第１１図にその構造を概略的に示したＴＦＴデバイスのソースと ドレインの間を流れる電流をゲート電極の電圧に対してプロットしたグラフであ る。このデバイスのチャネル長Ｌは１００ミクロン、チャネル幅は１５００ミク ロンであった。 第１５図は、ＴＦＴをベースとするアクティブ・マトリックス液晶表示装置の 典型的なレイアウトの上面図である。ソース電極、ドレイン電極、およびゲート 電極の１つまたはいくつかは導電性ポリマーを含んでいる。 第１６図は、異なる２種のＴＦＴ構成、第１６（ａ）図と第１６（ｂ）図を有 するＴＦＴベースのアクティブ・マトリ ックス液晶セルの一画素の断面図である。ソース電極、ドレイン電極、およびゲ ート電極の１つまたはいくつかは導電性ポリマーを含んでいる。 第１７図は、不動態化層または絶縁層を貫通する接触バイアを示す。底面は導 電性ポリマーである。最上層は、金属、導電性ポリマー、またはＩＴＯなど同じ または異なる導電性材料とすることができる。 ＬＥＤデバイス パターン付き導電性ポリマーは、エレクトロルミネッセント・ダイオードの製 作にも有用である。より詳細には、本発明は、透明基板上に製作すると、少なく とも部分的に透明な表示装置となり、デバイスと回路を含む不透明な基板上に製 作するとカソード側から見える表示装置となる（有機発光ダイオードを含めた） 発光ダイオード用の透明なカソード／アノード構造に関する。本発明は、有機お よび無機のエレクトロルミネッセント領域を有するＬＥＤに適用される。本発明 をＯＬＥＤに関して述べるが、それだけに限定されるものではない。 従来の研究で記述されている有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、ガラス基板 上に製作され、その下部電極は透明導体酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）であった 。これらのデバイスの上部電極は不透明であり、エレクトロルミネッセント領域 からの光はガラス側からしか見えなかった。１つの例外は、 最近Ｖ．ブロヴィッツ（Bulovic）他がＮａｔｕｒｅ ３８０，２９（１９９６ ）が報告した構造であり、この構造ではその後のＩＴＯ付着の際にカソード金属 が薄くされ、部分的に透明にされる。 不透明基板上のＯＬＥＤ表示装置または透明基板上の透明ＯＬＥＤ表示装置は 、（１）ＬＥＤ発光に対して透明であり、（２）ＬＥＤアクティブ領域中への低 直列抵抗電流注入を行い、（３）これらのダイオードが２次元アレイ自己発光表 示装置に形成されるとき、電極の平面上で十分に高い側方導電性を実現し、（４ ）化学的および物理的に微妙な基層有機被膜に対する保護膜として働き、（５） 層と電極の界面の完全．性が保持されるように、付着されている有機層をそこな うことなく緩やかな方法で付着できるという要件を満たす上部電極構造を必要と する。一般的な透明電極材料は、しばしばＯＬＥＤのアノードとして使用される 酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）であり、要件（１）〜（４）は満たすが、一般に 酸素プラズマ雰囲気中で付着され、そのためＯＬＥＤデバイス構造の有機領域が 損傷を受けるので、（５）は満たさない。電極としてのＧａＮについても同じで ある。要件（５）が実際に最も重要である。いくつかの透明な導電材料が存在す るが、ほぼすべてがプラズマまたは高い処理温度を必要とし、そのため有機発光 材料が不可逆的な損傷を受けるからである。 作成に好都合で上記の要件をすべて満たす、透明なカソードまたはアノードあ るいはその両方の構造が求められている。 したがって、ＩＴＯよりも簡単な工程をもたらすが、同時に端的に高い光透過 性、良好な導電性、環境および熱安定性、ならびにリソグラフィによるパターン 化のしやすさをもたらす新しい電極材料を開発することが望ましい。 典型的な発光ダイオード構成は、正孔注入電極、エレクトロルミネッセント層 、および電子注入電極からなる。これは基本構成である。時には、正孔移動層を 注入電極とエレクトロルミネッセント層の間に組み込んで、正孔の移動度を高め かつ正孔を分離することができる。また、電子移動層をエレクトロルミネッセン ト層と電子注入電極の間に含めることもできる。 エレクトロルミネッセント層は、有機共役ポリマー、ＡｌＱ材料などの有機低 分子、あるいはヒ化ガリウムなどの無機材料とすることができる。典型的な正孔 注入電極はＩＴＯを含むものである。典型的電子注入電極は、アルミニウム、カ ルシウムなどを含むものである。 本発明によるＰドープ導電性ポリマーは正孔注入層として使用することができ 、本発明によるＮドープ導電性ポリマーは電子注入層として使用することができ る。 従来技術のＯＬＥＤ３００構造の一例を第１８図に示す。基板３１２はガラス であり、ＩＴＯ被膜３１４はガラス上に直接付着され、アノードを形成する。効 率的に動作するために、有機領域は一般に複数の層からなり、第１８図には正孔 注入層３１６、正孔移動層３１８、およびエレクトロルミネ ッセント（ＥＬ）層３２０が示してある。ＥＬ層３２０は金属キレート化合物ト リス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（ＳまたはＡｌｑ3と省略される ことがある）である。この構成の正孔移動層は芳香族ジアミンである。合金Ｍｇ Ａｇが有機物の上面に付着されて、カソード３２２を形成する。このカソードは 、厚さが約１０ｎｍより厚い場合は不透明である。密封シールは示してないが、 カソードを湿気から保護するために使用されることがある。 第１８図の構造のＥＬ層は、分子有機物として知られる有機材料のクラスに属 するものである。これは蒸着法によって順次付着される。ポリマーは、エレクト ロルミネッセンスを示す有機材料のもう１つのクラスであり、通常はスピン・コ ーティングによって付与される。またポリマーＯＬＥＤは一般にＩＴＯアノード を使用してガラス基板上に作成され、不透明なカソード（通常はカルシウムなど 仕事関数の低い金属）を有し、一方の側からだけ光を放出する。このポリマーＯ ＬＥＤはまた、多数のポリマー層を使用して、動作効率を高めることもできる。 本発明のＬＥＤの例示的実施例は、第１９図に一般的構造によって示す、透明 カソード３４０を有するＯＬＥＤである。ＯＬＥＤが、ＩＴＯ（または導電性ポ リマー）アノード３３４を備えガラス基板３３２またはプラスチック基板上に形 成される場合は、光は両側から放出され、このＯＬＥＤは少なくとも部分的に透 明である。このようなＯＬＥＤのアレイか らなる表示装置を見る人は、表示装置上に提示されたイメージに焦点を合わせる ことも、表示装置を通して向こう側のシーンを見ることもできる。一方、シリコ ンなどの不透明基板上に形成され、透明カソードを備えるＯＬＥＤを使用した表 示装置は、カソード側から放出される光を見ることによって見ることができる。 シリコン上にＯＬＥＤ表示装置を製作すると、シリコン上にＯＬＥＤを付着する 前にシリコン中にデバイスおよび回路を形成することができ、このデバイスおよ び回路を使って、ドライバを組み込んだアクティブ・マトリックス表示装置を作 成できるので有利である。 本発明によれば、ＬＥＤのアノードまたはカソードは、参照によって本明細書 に合体される摩擦および引掻きに強い導電性ポリマーの保護層から形成し、ある いはそうした保護層で覆うことができる。第１９図に示した断面をもつＯＬＥＤ からの発光は、アノードもカソードも透明なので、上面と底面の両方（ダイオー ドの両側）からである。 本明細書に記載する導電性ポリマーは、透明性、直列抵抗が低い場合の垂直伝 導、保護膜の形成、および損傷のない付着工程という諸要件を満たし、満足でき るカソード電極をもたらす。摩擦および引掻きに強い導電性ポリマーは、共に「 Electrically Conductive and Abrasion/Scratch Resistant Polymeric Materia ls， Method of Fabrication and Uses Thereof」という名称の１９９４年２月 ９日出願の米国特許出願第０８／１９３９２６号および１９９５年６月７日出願 の米国特許出願第０８／４７６１４１号に記載されており、その教示を参照によ り本明細書に合体する。以下で各要件を個々に考察する。 表示装置は、モノリシック基板上に２次元アレイに配列された多数の同じＯＬ ＥＤを製作し、各ダイオードからの発光を制御する手段を設けることによって形 成される。一般に、イメージはたとえば第２０Ａ図（パッシブ・マトリックス手 法）で一列に形成され、選択された行線４９０は正電圧Ｖｒにされ、選択されな いすべての行線４９２は接地電位にある。各列線４９４、４９６に電圧Ｖｃｉが 印加される。ただし、ｉは列線の指標であり、列線の最大数まで続く。このとき 選択された行線４９０に沿ったＯＬＥＤ４９８、４００上の順バイアスはＶｒ− Ｖｃｉであり、この電圧によって発光量が決まる。他のＯＬＥＤ４Ｏ２、４０４ はすべて逆バイアスがかかり、発光しない。 第２０Ａ図に示したアレイでは、ＯＬＥＤはその行線がアクセスされたときだ け発光し、高情報内容の表示装置ではちらつきを生じることがある。これは、第 ２０Ｂ図（アクティブ・マトリックス手法）に示したアレイによって是正される 。このアレイでは、各交点に含まれる回路が、列線の電圧をサンプリングし、他 の行線がアクセスされている時にそれを保持するのに用いられる。この場合、す べてのダイオードが共通カソードを共用する。これらの回路は小型で高速である ことが必要なので、単結晶シリコンで製作するのが好都合であ る。この第２のケースでは、基板は不透明であり、イメージを見るために透明カ ソードが必要である。 本明細書に引用した引例を参照により本明細書に合体する。本発明の譲受人に 譲渡された１９９７年２月４日出願の米国特許出願第０８／７９４０７２号は、 ＯＬＥＤ構造およびその製作方法を記載しており、その教示を参照により本明細 書に合体する。 パターン化の方法 電極または電気接点として使用できるためには、導電性ポリマーがパターン化 されることが好ましい。様々な導電性ポリマーのパターン化に使用できるいくつ かの方法についてここに述べる。 こうした方法のうちには、導電性ポリマーの表面にレジスト材料を塗布する方 法が含まれる。レジストはネガティブ型でもポジティブ型でもよく、水性または 有機溶媒中で現像することができる。ネガティブ・レジストの例としては、ポリ メタクリル酸メチル型、ノボラック／ジアゾナフタキノン系、ｔ−ｂｏｃ（ｔ− ブトキシカルボン酸）保護スチレン・ポリマーとそのコポリマー、ｔ−ブチル保 護スチレン・ポリマーとそのコポリマー、その他の酸で容易に保護が外れるアク リル酸エステルのポリマーとそのコポリマーがある。これらは例にすぎず、限定 的なものではない。ポジティブ・レジストの例としては、エポキシ含有ポリマー 、架橋剤を備えたヒド ロキシスチレン・ポリマー、シロキサン・ポリマーがある。これらは例にすぎず 、限定的なものではない。レジストを紫外／可視光線、電子線、Ｘ線、イオン・ ビームなどの所与の放射線で露光し、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液、 ＮａＯＨ水溶液、ＫＯＨ水溶液、メチルイソブチルケトン、水性水酸化テトラエ チルアンモニウム水溶液、イソプロパノール、プロピレングリコールメチルエー テルアセテート、ジグライム、メチルエチルケトンなどで現像する。これらは例 にすぎず、限定的なものではない。続いて酸素ガス、ＣＯ2、ＳＯ2、フッ素など を用いた反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）によりレジスト・イメージを導電 性ポリマーに転写する。イメージが導電性ポリマーに転写された後、残ったレジ ストを好ましくはアセトン、ジグライム、イソプロパノールなどによる溶媒洗浄 によって除去する。この概略を第２１図に示す。レジストの塗布に使用する溶媒 およびレジストの現像剤と、レジストの現像条件、ならびにレジストの除去に使 用する溶媒は、導電性、光透過性、熱安定性など導電性ポリマーの諸特性を劣化 させないものであることが望ましい。 導電性ポリマーをパターン化する第２の方法は、導電性ポリマーの表面にアル ミニウム、金などの金属を付着させるものである。金属マスクを介して金属を付 着させることにより、導電性ポリマー上にパターン付き金属層を付着する。次い で酸素ガス、ＣＯ2、ＳＯ2、フッ素などＲＩＥによるエッチングによってそのパ ターンを導電性ポリマーに転写する。次い で塩酸、フッ化水素酸、酢酸、硫酸、過塩素酸、リン酸、硝酸およびそれらの任 意の組合せなどの酸性溶液を用いたエッチングによって金属を除去する。この概 略を第２２図に示す。金属の付着条件およびエッチング条件は導電性ポリマーの 諸特性に悪影響を与えないものであることが望ましい。 導電性ポリマーをパターン化する第３の方法は、導電性ポリマーの表面上にア ルミニウム、金などの金属をブランケット付着させるものである。レジストの塗 布によってこの金属をパターン化する。レジストを紫外線、可視光線、電子線、 Ｘ線、イオン・ビームなどの放射線で露光し、上記と同様の現像剤を用いて現像 し、たとえば上記のような酸性溶液を用いて金属をエッチングすることにより、 パターンを金属層に転写する。次いで例えば酸素、ＣＯ2、ＳＯ2、フッ素などの 反応性イオン・エッチングによってパターンを導電性ポリマーに転写する。続い て溶媒でレジストを除去し、それに続いて上述のような酸エッチングによって金 属を除去する。この概略を第２３図に示す。上記の処理ステップおよびそれらの ステップで使用される溶媒は導電性ポリマーの諸特性に悪影響を与えないもので あることが望ましい。 導電性ポリマーをパターン化する第４の方法は、放射線への直接露光によるも のである。導電性ポリマーは放射線感応性であり、照射されると露光領域と非露 光領域の間に溶解度の差が生じる。放射線は、電子線、イオン・ビーム、および 電磁放射線（例えばＸ線、光）でよい。この場合は、溶解度 が高い方の領域が溶媒洗浄によって除去され、したがって直接導電性ポリマー・ パターンが生じる。この概略を第２４図に示すが、それは米国特許第５１９８１ ５３号に記載されている通りであり、その教示を参照により本明細書に合体する 。 上記すべての場合に、放射線への露光には、Ｘ線、様々な波長の光などの電磁 放射線を含めることができ、電子線、イオン・ビーム、元素粒子ビームなど帯電 または非帯電粒子のビームを含めることができる。 以下に具体的な例を示す。 １．その教示を引用により本明細書に合体する１９９６年２月２日出願の米国特 許出願第０８／５９５８５３号記載のアクリルアミドプロパンスルホン酸でドー プしたポリアニリンを、Ｎ−メチルピロリジノン、ｍ−クレゾール、ジメチルプ ロピレン尿素、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミドなどを含む適当な 溶液からガラス基板上にスピン・コーティングによって塗布した。コーティング の厚さは、溶液中のポリマー濃度およびスピン速度によって制御できる。一般に 所与の溶媒中０．１％〜５％のポリマー溶液を使用した。コーティングの厚さは ５００〜１０００オングストロームの範囲であった。被覆の導電率は１〜１５０ Ｓ／ｃｍの範囲であった。コーティング付きの被覆をオーブン中で８５℃で５分 間ベークして残った溶媒を除去した。このポリアニリンの表面に通常のシップレ イ・フォトレジスト（ＭＰ１８０８）を 塗布した。レジストを８５℃で３０分間ベークした。レジストをコーティングし たポリアニリン基板を次いで線量７０ｍＪの紫外光で露光した。次いで水性アル カリ性のＭｉｃｒｏｐｏｓ ＣＤ−３０現像液中でレジストを現像した。この現 像液はアルカリ性であって、ポリアニリンを脱ドープし、ポリアニリンの導電性 を下げることがあるので、現像液と現像時間を厳密に制御することが望ましい。 この場合は現像液濃縮物を脱イオン水で５０％に希釈する。レジストを３０秒間 現像し、続いて水洗した。次いで現像済みのレジストを１００℃で３０分間硬化 して、イメージ転写前にレジストを硬化させた。次いで酸素の反応性イオン・エ ッチングによりレジスト・イメージをポリアニリンに転写した。１５０ワットの 高周波電力負荷、１００ミリトルの圧力、酸素ガス２０ｓｃｃｍの反応性イオン ・エッチング・チャンバ内でポリアニリンを２分間エッチングした。イメージ転 写後、アセトンで洗浄して残ったフォトレジストを除去した。このようにして結 像された１０μｍの導電性ポリアニリン線を第２５図および第２６図に示す。ポ リアニリン・パターンの導電率を測定し、初めの導電率と同様であることが判明 した。言い換えれば、この工程の結果、導電率の著しい低下は生じない。光透過 率や熱安定性、全体的環境安定性、化学的安定性を含めて他の諸特性も評価した が、これについては下記で論じる。 ２．ポリ（３−ブチルチオフェン−２，５−ジイル）を、テトラヒドロフラン、 メチルエチルケトン、Ｎ−メチルピロリ ジノンなどの適切な溶媒に溶かし、ガラス板上にスピン・コーティングした。次 いで被膜をヨウ素のチャンバにさらしてポリチオフェンをドープした。次いでド ープしたサンプルを動的真空下でポンピングした。１０００〜２０００Ｓ／ｃｍ の導電率が得られた。ポリアニリンについて上述したようにシップレイ・フォト レジストＭＰ１８０８を塗布して、この被覆をパターン化した。 ３．ポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）をやはり上述のようにし て溶かし、コーティングし、ドープし、例１に述べたようにパターン化した。 ４．ポリ（３−オクチルチオフェン−２，５−ジイル）を上述のように処理しパ ターン化した。 ５．次のようにしてポリピロールをガラス板上に付着させた。ピロール・モノマ ー（０．０４５Ｍ）を水５００ｍｌに溶かした。第２のビーカ中で酸化剤ＦｅＣ ｌ3（０．１０５Ｍ）を水５００ｍｌに溶かした。次いで５−スルホアリサイク リック酸（０．１０５Ｍ）およびアントラキノン−２−スルホン酸ナトリウム塩 （０．１０５Ｍ）を酸化剤溶液に加えた。片側をマスクしたガラス板をモノマー 溶液に漬けた。次いで酸化剤溶液をモノマー溶液に加えた。この溶液を１０〜３ ０分間放置して、モノマーの重合を進行させ、ガラス板に付着させた。ガラス板 に付着する導電性ポリピロールの厚さは、重合浴中にガラス板を漬けておく時間 に依存する。ポリピロールの導電率は２００Ｓ／ｃｍ程度であった。次いで上記 のよ うにレジストを塗布して、ガラス板に付着したポリピロールをパターン化した。 ６．アクリルアミドプロパンスルホン酸でドープしたポリアニリンをガラス板上 にスピン・コーティングによって塗布した。３００オングストロームのブランケ ット・アルミニウムをポリアニリン上に蒸着させた。シップレイのポリプロピレ ングリコールエーテル・アセテート溶媒をベースとするレジストをアルミニウム 上に厚さ２．０μｍに塗布した。レジストを線量１５０ｍＪの紫外光で露光し、 続いてＭｉｃｒｏｐｏｓｉｔ現像剤濃縮物と脱イオン水の５０／５０混合物で現 像した。現像後、レジストを８５℃で３０分間ベークした。次いでリン酸８０％ 、酢酸５％、硝酸５％、水１０％からなるＴｒａｎｓｅｎｅアルミニウム・エッ チング液を使って室温でアルミニウムをエッチングすることにより、パターンを アルミニウムに転写した。エッチング速度は毎秒４．１９オングストロームであ った。圧力１００ミリトル、酸素２０ｓｃｃｍおよび１５０ワットの電力負荷で 毎秒３９オングストロームのエッチング速度で酸素反応性イオン・エッチングを 行ってパターンを今度はポリアニリンに転写した。パターンをポリアニリンに転 写するための代替方法は、アルミニウム・エッチングを３０℃で実施するもので ある。温度を上げると、アルミニウムとポリアニリンの両方が酸溶液によって毎 秒３７オングストロームの速度でエッチングされる。アセトンによる洗浄で残っ たレジストを除去する。２５％希塩酸溶 液を使って残ったアルミニウムをエッチングで除去する。このようにしてパター ン化した導電性ポリアニリンを第２７図、第２８図、第２９図に示す。 ７．上述の置換ポリチオフェンおよびｉｎ−ｓｉｔｕ重合ポリピロールも、ポリ アニリンについて上述したようにアルミニウム・ブランケット金属を使ってパタ ーン化した。 ８．ポリアニリンアクリルアミドプロパンスルホン酸をガラス製スライド上に付 着させた。この表面上に金属マスクを介してアルミニウム線のパターンを付着さ せた。酸素の反応性イオン・エッチングによりこのパターンをポリアニリンに転 写した。次いで希塩酸溶液で残ったアルミニウムをエッチングする。この方法は 、比較的大型のフィーチャにとって理想的である。このようにして、第３０図お よび第３１図に示す５０μｍのポリアニリン線を作成した。 ９．置換ポリチオフェンおよびｉｎ−ｓｉｔｕ重合ポリピロールもこのようにし てパターン化することができる。 １０．ポリアニリンアクリルアミドプロパンスルホン酸は、被膜を電子線などの 放射線で露光して直接パターン化することができる。このポリマーは照射される と架橋を生じ不溶性になる。溶媒で洗浄して非露光領域を除去すると、導電性ポ リアニリンのパターンが得られる。 この導電性ポリマーは基板上にスピン・コーティング、ディップ・コーティン グ、ローラ・コーティング、スプレイ・コーティングすることができ、あるいは 表面で化学的または 電気化学的にｉｎ−ｓｉｔｕ重合することもできる。 この導電性ポリマーを液晶表示装置で使用するには、被膜の光透過率が可視光 領域で８０％を超えることが好ましい。第３２図にポリアニリンアクリルアミド プロパンスルホン酸（ブランケットとパターン化された線）の光透過率を示す。 図をみるとわかるように、５００オングストロームの被膜としてのポリマーは、 可視光領域全体を通じて９０％より高い透過率を示す。これは、アニールした酸 化インジウムスズの典型的な光透過率と一致する。ポリアニリン線の導電率は１ ００Ｓ／ｃｍ程度であったが、１００Ｓ／ｃｍより高いことが好ましい。この材 料は、空気中で時間の経過について導電率が変化しなかったので環境安定性があ った。この材料は約１５０℃まで熱安定性がある。 この材料の諸特性が優れていると思われるので、ポリアニリンなどの導電性ポ リマーを両方の電極に使用した液晶セル、およびポリアニリンを一方の電極とし て使用し酸化インジウムスズを第２の電極として使用したセルを組み立てた。ポ リアニリンを両方の電極に使用した場合、一方の電極はパターン線からなり、第 ２の電極はブランケット被膜からなるものであった。ポリアニリン上にポリイミ ド（日産ＳＥ５２１０）の整合層をスピン・コーティングした。ポリイミドを１ ２５℃で１時間硬化させた。被膜の厚さは５００オングストロームであった。次 いでポリイミド層を機械的に摩擦した。テスト・セルに左キラル剤を含有するＭ ｅｒｃｋ液晶を充填 した。ガラスの外側に、偏光子の透過軸が摩擦方向と平行になるように偏光子を 取り付けた。こうして右９０°ツイステッド・ネマチック・テスト・パネルが完 成した。次いでこの液晶セルの性能を測定した。２個のポリアニリン電極からな る液晶セルの透過特性曲線を第３３図に示す。これは酸化インジウムスズ電極か らなる結晶が示す透過／電圧特性曲線（第３４図）と一致する。ポリアニリン電 極を含む液晶セルの電荷保持力は室温で９５％であった（第３５図）。これはや はり、ＩＴＯ電極からなる液晶セルの示す電荷保持力と一致する。この液晶セル のイメージ固着も良く一致した。 第３６図に、材料４１５の層を上に配設し、材料４１７の層を材料４１７がオ ーバラップ領域４１９で材料４１５と重なるように表面４１１上に配設した基板 ４１３の表面４１１を示す。材料４１７は本発明による導電性ポリマーとし、材 料４１５は金属や半導体など非ポリマー導電材料とすることができる。また領域 ４１７と４１５を共に導電性ポリマーとすることもできる。 第３７図に、界面４２９で接する材料４２５と材料４２７の層を有する基板４ ２２の表面４２３を示す。材料４２５および４２７は導電性ポリマーとすること ができ、あるいは層４２５と４２７の一方を導電性ポリマーとし、他方を金属や 半導体などの非ポリマー導電材料とすることもできる。 本明細書で教示する導電性ポリマーをパターン化する諸方法を使用し、当技術 分野で公知の非ポリマー電気導体をパタ ーン化する諸方法を使用して、第３６図および第３７図の構造を容易に作成する ことができる。 基板８０２、埋設サブコレクタ８０４、軽ドープ領域８０６、ベース領域８０ ８、エミッタ領域８１０、誘電層８１２およびサブコレクタ領域８０４に達する 高ドープ領域８１４を有するバイポーラ・トランジスタを第３８図に概略的に示 す。誘電層は、エミッタ接触用の開口８１６、ベース領域への接触用の開口８１ ８、およびサブコレクタ８０４を接触させるための領域８１４への接触用の開口 ８２０を有する。パターン付き電気導体または電極８２２、８２４、８２６はそ れぞれエミッタ領域、ベース領域、コレクタ領域への電気接触を行う。 電極８２２、８２４、８２６は本発明による導電性ポリマーから形成すること ができる。この導電性ポリマーはアクティブ・デバイス領域８１０、８０８、８ １４へのオーム接点を形成する。 本発明を実施するために使用できる導電性ポリマーの例としては、置換および 非置換のポリパラフェニレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリアニリン、ポ リアジン、ポリチオフェン、ポリ−ｐ−フェニレンスルフィド、ポリフラン、ポ リピロール、ポリセレノフェン、可溶性前駆体から形成されたポリアセチレン、 これらの組合せ、およびこれらのモノマーのコポリマーが含まれる。これらのポ リマーの一般式、それを使って製作される構造、およびその使用方法は、アンゲ ロプロス（Angelopoulos）他の米国特許第５１９８１５３号、１９９４年２月９ 日出願の同時係属の米国特許出願第０８／１９３９２６号、および１９９５年６ 月７日出願の同時係属の米国特許出願第０８／４７６１４１号に出ており、それ らの教示を参照により本明細書に合体する。 ポリアニリン・クラスの導電性ポリマーは、広範囲の商用適用分野で最も有望 かつ最も適した導電性ポリマーの１つであることが判明した。このポリマーは優 れた環境安定性を有し、簡単な一段階合成を提供する。いくつかの可溶性誘導体 が作成できる。たとえば、本発明者等は先に、新しい一系列の水溶性導電性ポリ アニリンを米国特許第５３７０８２５号に開示した。その教示を参照により本明 細書に合体する。 下記の米国特許に本発明を実施する際に有用なレジストが記載されており、そ の教示を参照により本発明書に合体する。米国特許第５５８０６９４号、第５５ ５４４８５号、第５５４５５０９号、第５４９２７９３号、第５４０１６１４号 、第５２９６３３２号、第５２４０８１２号、第５０７１７３０号、第４４９１ ６２８号、第５５８５２２０号、第５５６１１９４号、第５５４７８１２号、第 ５４９８７６５号、第５４８６２６７号、第５４８２８１７号、第５４６４７２ ６号、第５３８０６２１号、第５３７４５００号、第５３７２９１２号、第５３ ４２７２７号、第５３０４４５７号、第５３００４０２号、第５２７８０１０号 、第５２７２０４２号、第５２６６４４４号、第５１９８１５３号、第５１６４ ２７ ８号、第５１０２７７２号、第５０９８８１６号、第５０５９５１２号、第５０ ５５４３９号、第５０４７５６８号、第５０４５４３１号、第５０２６６２４号 、第５０１９４８１号、第４９４０６５１号、第４９３９０７０号、第４９３１ ３７９号、第４８２２２４５号、第４８００１５２号、第４７６００１３号、第 ４５５１４１８号、第５３３８８１８号、第５３２２７６５号、第５２５０３９ ５号、第４６１３３９８号、第４５５２８３３号、第５４５７００５号、第５４ ２２２２３号、第５３３８８１８号、第５３２２７６５号、第５３１２７１７号 、第５２２９２５６号、第５２８６５９９号、第５２７０１５１号、第５２５０ ３９５号、第５２３８７７３号、第５２２９２５６号、第５２２９２５１号、第 ５２１５８６１号、第５２０４２２６号、第５１１５０９５号、第５１１０７１ １号、第５０５９５１２号、第５０４１３５８号、第５０２３１６４号、第４９ ９９２８０号、第４９８１９０９号、第４９０８２９８号、第４８６７８３８号 、第４８１６１１２号、第４８１０６０１号、第４８０８５１１号、第４７８２ ００８号、第４７７０９７４号、第４６９３９６０号、第４６９２２０５号、第 ４６６５００６号、第４６５７８４５号、第４６１３３９８号、第４６０３１９ ５号、第４６０１９１３号、第４５９９２４３号、第４５５２８３３号、第４５ ０７３３１号、第４４９３８５５号、第４４６４４６０号、第４４３０１５３号 、第４３０７１７９号、第４３０７１７８号、第５３６２５９９号、第４３９７ ９３７ 号、第５５６７５６９号、第５３４２７２７号、第５２９４６８０号、第５２７ ３８５６号、第４９８０２６４号、第４９４２１０８号、第４８８０７２２号、 第４８５３３１５号、第４６０１９６９号、第４５６８６３１号、第４５６４５ ７５号、第４５５２８３１号、第４５２２９１１号、第４４６４４５８号、第４ ４０９３１９号、第４３７７６３３号、第４３３９５２２号、第４２５９４３０ 号、第５２０９８１５号、第４２１１８３４号、第５２６０１７２号、第５２５ ８２６４号、第５２２７２８０号、第５０２４８９６号、第４９０４５６４号、 第４８２８９６４号、第４７４５０４５号、第４６９２２０５号、第４６０６９ ９８号、第４６００６８３号、第４４９９２４３号、第４５６７１３２号、第４ ５６４５８４号、第４５６２０９１号、第４５３９２２２号、第４４９３８５５ 号、第４４５６６７５号、第４３５９５２２号、第４２８９５７３号、第４２８ ４７０６号、第４２３８５５９号、第４２２４３６１号、第４２１２９３５号、 第４２０４００９号、第５０９１１０３号、第５１２４９２７号、第５３７８５ １１号、第５３６６７５７号、第４５９００９４号、第４８８６７２７号、第５ ２６８２６０号、第５３９１４６４号、第５１１５０９０号、第５１１４８２６ 号、第４８８６７３４号、第４５６８６０１号、第４６７８８５０号、第４５４ ３３１９号、第４５２４１２６号、第４４９７８９１号、第４４１４３１４号、 第４４１４０５９号、第４３９８００１号、第４３８９４８２号、第４３７９８ ２６号、 第４３７９８３３号、第４１８７３３１号。 本発明を好ましい実施例に関して説明してきたが、当業者には本発明の範囲お よび趣旨から逸脱することなく多数の修正、変更、改良が思いつくであろう。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION               Conductive polymer patterns and electrodes Or its application as an electrical contact   This application filed on March 7, 1997, entitled "Method of Patterning Electrically nductive Polymer Films to Form Electrodes and Interconnection Conductors  on a Surface Using a Resist to Pattern a Metal Layer to Pattern an Elec US Provisional Application No. 60/040, entitled "Trically Conductive Polymer Layer" Claims priority under No. 129.   This application is filed on November 12, 1996 with M.M. Angelopoulos Other "SOLUTION APPLIED, IMAGEABLE, TRANSPARENT POLYMERS AS CONDUCTING EL Claims priority from US Provisional Application No. 60/030501 entitled "ECTRODES" I do.   This application is filed on March 7, 1997 with M.M. Angelopros and others "PATTERNS OF EL ECTRICALLY CONDUCTING POLYMERS AND THEIR APPLICATION AS ELECTRODES AND E US Provisional Application No. 60/040335, entitled "LECTRICAL CONTACTS" Claim sovereignty.   This application is filed on March 7, 1997 with M.M. Angelopros and others "PATTERNS OF EL ECTRICALLY CONDUCTING POLYMERS AND THEIR APPLICATION AS ELECTRODES IN FI ELD EFFECT TRANSIS Claim priority from US Provisional Application No. 60/040628 entitled "TORS" .   This application is filed on March 7, 1997 with M.M. Angelo Pros and others "METHODS OF PAT TERNING ELECTRICKLLY CONDUCTIVE POLYMER FILMS TO FOR MELECTRODES AND INT US Provisional Application No. 60/04, entitled "ERCONNECSION CONDUCTORS ON A SURFACE" Claim priority according to 0159.   This application filed on March 7, 1997, entitled "Methods of Patterning Electrically C onductive Polymer Films to Form Electrodes and Interconnection Conductor US Provisional Application No. 60/040, entitled "s on a Surface Using a Resist Mask" Claim priority by issue 130.   This application is filed on March 7, 1997 with M.M. Angelo Pros and other "STRUCTURES HAV" ING PATTERNED ELECTRICALLY CONDUCTIVE POLYMER FILMS AND METHODS OF FABRI Priority from US Provisional Application No. 60/040132 entitled "CATION THEREOF" Insist.   This application is filed on March 7, 1997 with M.M. Angelo Pros and other "LIGHT EMITTING"  DIODES HAVING ELECTRICALLY CONDUCTIVE POLYMER ELECTRODES " Claim priority from US Provisional Application No. 60/040131.Technical field   The present invention relates to a patterned conductive polymer and a method for producing the same. Target the law. More specifically, the present invention relates to an electrode formed from a conductive polymer. Conductive polymer for contacts and active areas and patterned electrical contacts Electronic devices, especially liquid crystal displays, electro-optic modulators, diodes, Electrodes or electrodes for electro-optical transducers such as photodiodes and transistors The application of such polymers as air contacts is targeted.Background art   The electrical contacts and electrodes of current electro-optic transducers and other devices are common Metal. Metal is deposited by vapor deposition or sputtering, which requires expensive equipment. It is a necessary and totally cumbersome process.   Conducting polymers are a relatively new class of electronic materials, referred to herein as electrodes. Taught as a candidate for material. This type of polymer depends on the electrical properties of the metal and the polymer It has the advantages of processing.   In the present specification, substituted and unsubstituted conductive polyaniline, polyparaphenylene , Polyparaphenylene vinylene, polythiophene, polyfuran, polypyrrole, Polyselenophene, polyisothianaphthene, polyphenylene sulfide, polya Cetylene, polypyridylvinylene, polyazine, combinations thereof, these and other Examples of conductive polymers such as mixtures of polymers, copolymers of these monomers I will talk about it.   To use these polymers as electrodes in a device, However, it is preferable that it has appropriate conductivity and can be easily patterned. Furthermore, this These polymers release gas and contaminate the device to which they make electrical contact. Preferably do not. Moreover, these conductive polymers can be Therefore, it is preferable that patterning can be performed. Patterning allows the polymer to conduct It is preferable that the conductivity and the properties of the conductive polymer do not deteriorate. Good.   Therefore, the patterned conductive polymer is used as an electrical contact to the device. Can be used with any conductive polymer system, Developing a way to pattern these polymers without adversely affecting desirable. Conductive polymer to prevent outgassing and device contamination It is desirable to control the various characteristics of.Disclosure of the invention   One object of the present invention is to provide an improved electronic device using a conductive polymer. Is Rukoto.   One object of the present invention is to provide a conductive polymer pattern and a method for producing the same. That is. Specifically, first, the resist is patterned, and then this resist Transfer the pattern to the conductive polymer. After the conductive polymer has been transferred, Remove   One object of the present invention is to provide a conductive polymer using a resist applied to the conductive polymer. Is to provide a pattern for the mer.   Specifically, the metal is first patterned and then this metal pattern is Transfer to the mer, followed by metal removal.   Another object of the present invention is to provide a conductive polymer using a metal that is attached to the conductive polymer. Is to provide a pattern for   Another object of the present invention is to provide a conductive polymer pattern having high conductivity. Is Rukoto.   Another object of the present invention is to provide a conductive polymer pattern having high light transmittance. It is to be.   Another object of the present invention is to provide a conductive polymer pattern having good thermal stability. Is to provide.   Another object of the present invention is to provide a conductive polymer having high light transmission and high conductivity. Is to provide.   Another object of the present invention is to provide a conductive polymer or an electrode that can be used as an electrical contact or electrode. And to provide a pattern of conductive polymer.   Another object of the invention is to provide electrical connection in electro-optic transducers and devices. Conductive polymers and conductive polymer patterns that can be used as dots or electrodes It is to provide.   Another object of the present invention is to provide a conductive polymer which can be used as an electrode in a liquid crystal display. And providing a conductive polymer pattern.   Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having a conductive polymer electrode. That is.   Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having a conductive polymer electrode and a metal electrode. To provide.   Another object of the present invention comprises a conductive polymer electrode and an indium tin oxide electrode It is to provide a liquid crystal display device.   Another object of the present invention is to provide an activator comprising one or more conductive polymer electrodes. To provide liquid crystal display devices You.   Another object of the present invention is to provide one or more conductive polymers having good charge retention. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device provided with a mer electrode.   Another object of the present invention is to provide one or more conductive materials having good transmission / voltage characteristics. An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having a polymer electrode.   Another object of the present invention is to provide one or more devices having good image sticking properties. Is to provide a liquid crystal display device having a plurality of conductive polymer electrodes.   Another object of the invention is to use it as one or more electrodes in a light emitting diode. To provide a conductive polymer and a pattern of the conductive polymer.   Another object of the present invention is to provide an organic or organic device comprising one or more conductive polymer electrodes. Is to provide an inorganic light emitting diode.   Another object of the invention is to provide one or more patterned conductive polymer electrodes. Organic or inorganic light emitting diodes.   Another object of the invention is to provide a hole injection region or electron formed from a conductive polymer. It is to provide a light emitting diode having an injection region or both.   Another object of the present invention is to provide a drain in a field effect transistor (FET) device. One or several of the in-electrode, source electrode, and gate electrode or bipolar, Conductivity that can be used as an electrical contact to a transistor, such as a contact to a transistor It is to provide a pattern of a polymer and a conductive polymer.   Another object of the present invention is to have good conductivity and good thermal stability, without releasing gas And, in some cases, a pattern of conductive polymer with high light transmission It is to be.   Another object of the present invention is to apply a resist on a conductive polymer and expose the resist. And develop it to form a pattern in the resist. To offer Conducting this resist pattern by etching Transfer to a hydrophilic polymer, followed by removal of the resist.   Another broader aspect of the present invention is to deposit a metal on the surface of a conductive polymer. To provide a conductive polymer pattern. Apply resist, The resist is exposed and developed to pattern the metal. Gold resist pattern This pattern is then transferred to a conductive polymer by etching techniques. Copy.   Another broader aspect of the invention is to provide a patterned metal layer on a conductive polymer. This pattern is etched and transferred into the conductive polymer to remove the metal. The purpose of the present invention is to provide a conductive polymer pattern.   A more specific aspect of the present invention is a method of forming one or more of source, drain, and gate electrodes. Or some contain conductive polymers with good conductivity and good thermal stability And a TFT switch for a liquid crystal display device.   Another object of the present invention is to provide a light emitting diode comprising a conductive polymer electrode and a metal electrode. It is to provide.   Another object of the invention is to use it as one or more electrodes in a light emitting diode. To provide a conductive polymer and a pattern of the conductive polymer.   Another object of the present invention is to provide an organic or polymer comprising one or more conductive polymer electrodes. Is to provide an inorganic light emitting diode.   Another object of the invention is to provide one or more patterned conductive polymer electrodes. Organic or inorganic light emitting diodes.   Another object of the present invention is to use a conductive polymer as a hole injection electrode or an electron injection layer. It is an object of the present invention to provide a light emitting diode including the same.   Accordingly, one broad aspect of the invention is a conductive polymer and patterned conductor. Providing an electrically conductive polymer and a method of patterning the same. You.   One broad aspect of the invention is a patterned conductive layer that provides electrical connection to a device. To provide an electronic device having a conductive polymer.   One broad aspect of the present invention is to provide an electronic device for providing electrical contact to a device. This is to dispose a patterned conductive polymer on a chair.   Another broad aspect of the invention has good electrical conductivity and good thermal stability, and has the ability to release gas. Provides a conductive polymer pattern that does not emit and may have high light transmission It is to be.   Another broad aspect of the present invention is to apply a resist on a conductive polymer, Exposure and development of the substrate, the pattern is etched by conductive polymer Pattern, followed by removal of the resist, resulting in a conductive polymer pattern. It is to provide.   Another broad aspect of the present invention is to provide a metal on the surface of a conductive polymer. It is therefore to provide a pattern of a conductive polymer. Apply resist and The resist is exposed and developed to pattern the metal. This resist ・ Transfer the pattern to metal and then transfer it to conductive polymer by etching technology Copy and subsequently remove the metal.   Another broad aspect of the invention is a method of forming a pattern on a conductive polymer. Applying a metallized layer, followed by etching the pattern and transferring it to a conductive polymer, By removing this metal, it provides a conductive polymer pattern is there.   Another broad aspect of the present invention is an electro-optic transducer and device. Providing conductive polymers and conductive polymer patterns as electrical contacts It is.   Another broad aspect of the present invention is an electrode having one or more conductive polymer electrodes. It is to provide a magneto-optical transducer and device.   One more specific embodiment of the present invention provides a liquid having one or more conductive polymers. It is to provide a crystal display device. In one embodiment, the liquid crystal display device includes It has a didium tin electrode and a conductive polymer electrode.   One more specific aspect of the present invention is high charge retention, good transmission / voltage characteristics, and And one or more conductive polymer electrodes with good image fixation properties To provide a liquid crystal display device.   One more specific aspect of the invention is an electronic device having an electronically active portion having a surface. Vice. This surface has a dielectric layer with an opening around which the electronic Exposing moving parts. A layer of a conductive polymer is disposed on the dielectric layer. This conductivity The polymer layer is in electrical contact with the electronically active part through the opening and is disposed on the dielectric layer It overlaps with the surroundings.   Another more specific aspect of the present invention, A first substrate; A second substrate; A liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate; Is a liquid crystal display device having: At least one of the first substrate and the second substrate has a conductive polymer disposed thereon. This provides a means for applying a potential across the liquid crystal layer.   Other more specific aspects of the present invention include a source electrode, a drain electrode, and a gate. Field effect having electrodes, at least one of which is a patterned conductive polymer It is a transistor.   Another more specific aspect of the present invention, Board and Having a patterned conductive polymer gate disposed on the substrate, This gate is a conductive polymer, Further, an insulating layer disposed on the patterned gate, A patterned source electrode disposed on the insulating layer, A patterned drain electrode disposed on the insulating layer; The source electrode and the patterned drain electrode are formed from a conductive polymer, In addition, patterned source and patterned drain and patterned source Semiconductor material disposed at a gate between the source and the patterned drain. Structure.   Another more specific aspect of the present invention is a substrate and an anode structure. , An electroluminescent region, and a cathode structure. Or a light emitting diode whose anode structure is a conductive polymer.   Another more specific aspect of the present invention is directed to a substrate, an anode, and an organic electroluminescent An anode or a cathode in the structure. An organic light emitting diode which is an electrically conductive polymer.   Another more specific aspect of the present invention, Providing a substrate having a layer of conductive polymer material; Disposing a resist layer on the conductive polymer material layer, Expose the resist into a pattern of energy, Develop a pattern of radiation to cover the covered area with the conductive polymer A pattern in the non-existent area in the resist, Remove the conductive polymer in the uncovered areas, In this method, the resist is removed to leave the conductive polymer pattern.   Another more specific aspect of the present invention, Providing a substrate having a layer of conductive polymer material; A pattern of a metal layer is provided through a metal mask, and a pattern is formed on the conductive polymer layer. Formed metal layer and covered with conductive polymer area covered with metal pattern Form uncovered areas of conductive polymer and etch uncovered areas To remove exposed conductive polymer regions, remove metal, This is a method of obtaining a conductive polymer pattern.   Another more specific aspect of the present invention, Providing a substrate having a layer of conductive polymer, Disposing a metal layer on the conductive polymer layer, Arrange resist on the metal layer, Expose the resist in a radiation pattern, Develop the radiation pattern to form a pattern in the resist and cover the metal layer Forming a covered area and an uncovered area, and removing the metal layer in the uncovered area. Forming a covered area and an uncovered area of the conductive polymer, Removing uncovered areas of the conductive polymer, Remove the resist, In this method, the remaining portion of the metal layer is removed to obtain a conductive polymer pattern.   Another more specific aspect of the present invention, Providing a substrate having a layer of a conductive polymer material comprising an energy sensitive component; The conductive polymer is exposed to an energy pattern to expose exposed and unexposed areas. Form a turn, The conductive polymer on one of the exposed area and the unexposed area is removed, and the conductive polymer on the substrate is removed. This is a method for forming a polymer pattern.BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES   Other objects, features and advantages of the present invention will be set forth in the following description of the invention with reference to the drawings. It will be clear if you take this into account.   FIG. 1 shows an exemplary implementation of a structure according to the invention, including a patterned conductive polymer. It is a schematic perspective view of an Example.   FIG. 2 shows another example of a structure according to the invention comprising a patterned conductive polymer. 1 is a schematic side view of a typical embodiment.   FIG. 3 is a schematic diagram of a typical liquid crystal cell configuration.   FIG. 4 shows that when (a) a voltage is applied and the transmittance of the cell is at a maximum, (b) the voltage is Of a twisted nematic liquid crystal cell when the cell transmittance is at a minimum. It is a schematic diagram of a work.   FIG. 5 is a schematic diagram of a typical active matrix thin film transistor display. It is a schematic diagram.   FIG. 6 is a top view of a unit cell of the TFT / LCD display device.   FIG. 7 is a sectional view taken along line AA 'in FIG.   FIG. 8 is another sectional view taken along the line AA 'in FIG.   FIG. 9 is a diagram showing a portion of the liquid crystal display device that has been assembled.   FIG. 10 illustrates one or more of a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode. 1 is a schematic cross-sectional view of a TFT, some of which include a conductive polymer. Sauce and dressing The ins are disposed directly above the gate insulator and then covered with a semiconductor.   FIG. 11 shows one of the source electrode and the drain electrode or 1 is a schematic cross-sectional view of a TFT, some of which include a conductive polymer. Substrate is conductive And is also used as a gate electrode. The source and drain electrodes are It is disposed directly above and is then covered with a semiconductor.   FIG. 12 shows that one or several of the drain and gate electrodes are electrically conductive. FIG. 3 is a schematic sectional view of a TFT including a polymer. Source and drain electrodes are semiconductive It is placed directly above the body.   FIG. 13 shows that one or several of the source and drain electrodes are electrically conductive. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a TFT, which is a polymer. The substrate is conductive and the gate electrode Used as The source electrode and the drain electrode are provided immediately above the semiconductor.   FIG. 14 shows the source and drain of the TFT device whose structure is schematically shown in FIG. 4 is a graph in which a current flowing between the gate electrodes is plotted against a gate electrode voltage. . The device has a channel length L of 100 microns and a channel width of 1500 microns. Was Ron.   FIG. 15 shows a typical TFT based active matrix liquid crystal display. It is a top view of a simple layout. Source, drain, and gate electrodes One or several of them include a conductive polymer.   FIG. 16 shows two different types of TFTs shown in FIGS. 16 (a) and 16 (b). One pixel of a TFT-based active matrix liquid crystal display device having a configuration It is sectional drawing. Saw One or several of the source, drain, and gate electrodes are conductive Including polymers.   FIG. 17 shows a contact via penetrating the passivation or insulation layer. It is. The bottom layer is a conductive polymer. The top layer is made of the same material such as metal or ITO However, a different conductive material may be used.   FIG. 18 shows a glass substrate having an opaque cathode on the top surface, and FIG. 1 shows a prior art OLED structure emitted only from the side of the substrate.   FIG. 19 illustrates an LED structure of the present invention having a transparent (or opaque) cathode. It is a figure generally shown.   FIG. 20 is a schematic diagram of an LED array for displaying an image. Fig. A is a passive matrix type with an LED at the intersection of each row and column, Fig. 20B is Active matrix type with current adjustment circuit at the intersection of each row and column line You.   FIG. 21 shows the conductivity obtained by applying a resist on the surface of a conductive polymer. FIG. 3 shows patterning of a polymer. Exposing and developing the resist, the pattern is Transfer to conductive polymer and remove resist.   FIG. 22 shows a method of forming a patterned metal layer on a conductive polymer through a metal mask. FIG. 4 is a diagram showing patterning of a conductive polymer by applying. Conduct pattern Transfer to a hydrophilic polymer, followed by removal of the metal.   FIG. 23 shows a method for applying a blanket metal layer on a conductive polymer. FIG. 3 is a diagram showing patterning of an electrically conductive polymer. Pattern the metal with resist and Transfer the turns to metal first, then to the conductive polymer by etching, Removed resist and metal.   FIG. 24 shows a conductive polymer by directly exposing the conductive polymer to radiation. FIG. 4 is a diagram showing patterning of a pattern. The polymer is then developed to provide more soluble areas. Remove the area.   FIG. 25 and FIG. 26 are defined using resist on the surface of the conductive polymer. It is a figure which shows the line | wire of about 10 micrometers conductive polyaniline.   FIGS. 27 and 28 illustrate the application of a metal mask on a conductive polymer surface. FIG. 4 is a view showing a conductive polyaniline line manufactured using the deposited metal.   FIGS. 29, 30, and 31 show the conductive, resist defined Conductive polyanines made from blanket metal adhered to the surface of conductive polymer It is a figure which shows the line of phosphorus.   FIG. 32 shows the light transmission spectrum of a 500 angstrom polyaniline coating. FIG.   FIG. 33 shows the transmission / voltage characteristics of a liquid crystal display device made of two polyaniline electrodes. It is a graph which shows sex.   FIG. 34 shows the luminance (transmission) / voltage of a liquid crystal display device made of two ITO electrodes. It is a graph which shows a characteristic.   FIG. 35 shows a voltage-time curve of a liquid crystal display device made with a polyaniline electrode. This is a graph. The charge retention is higher than 95%.   FIGS. 36 and 37 illustrate the bonding between non-polymeric and polymeric electrical conductors. It is a schematic diagram of a part.   FIG. 38 is a schematic diagram of a bipolar transistor having an electrode according to the present invention. is there.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION   The present invention relates to saturated and unsaturated polyaniline, polyparaphenylene, polyparaphenylene, Phenylene vinylene, polythiophene, polypyrrole, polyfuran, polyseleno Phen, polyisothianaphthene, polyphenylene sulfide, polyacetylene, Polypyridyl vinylene, combinations thereof, and mixtures of these with other polymers , Devices using conductive polymers, including copolymers of these monomers Target. These polymers are patterned lithographically to produce various electrical Of acting as electrodes or electrical contacts of optical transducers and devices It has been found that a conductive pattern that can be formed can be formed. The invention also relates to one or Electro-optical transducer and device comprising a plurality of conductive polymer electrodes Target.   FIG. 1 shows an outline of a substrate 200 on which a patterned conductive polymer 202 is disposed. 1 shows a schematic perspective view. Conductive polymer 202 Along at least a portion of the interface 206 between the conductive polymer 202 and the surface 204 To form an electrical contact to the surface 204 of the substrate 200. The pattern 202 is the substrate 2 Some electronic devices formed during the process can be electrically interconnected. You.   FIG. 2 shows a substrate 208 having a dielectric layer 210 on a surface 212 of the substrate 208. FIG. 2 shows a schematic side view. The dielectric layer 210 has a through hole 214 therein, and the through hole 214 Patterned conductive polymer for filling and contacting the surface 218 of the substrate 208 216 are disposed on the dielectric layer 210. Devices useful for practicing the invention Examples of chairs include liquid crystal displays (LCDs) and transistors (bipolar transistors). And field effect transistors), light emitting diodes, and the like. LCD device   Liquid crystal-based electro-optic transducers are currently available, especially for portable electronic devices. It is the latest technology for manufacturing rat panel display devices. The industry has become a large display As we migrate, this technology is expected to become increasingly important in the future.   A typical liquid crystal (twisted nematic) cell is shown in FIG. This debye Is a nematic liquid between two glass plates 5 to 20 V on average and 8 to 25 μm apart. Crystals are arranged. A transparent electrode of indium tin oxide (I TO) is attached. A matching layer is deposited on the ITO, Are rubbed so as to be aligned in parallel with the direction in which the nematic liquid crystal rubs. Two alignment When the layers are rubbed at an angle of 90 ° to each other, the liquid crystal has a twisted structure as shown in FIG. 4a. Take. When polarized light enters the cell, the plane of polarization follows the molecular twist, thus Light rotates 90 ° as it passes through the cell. Second polarizer located at the other end of the cell Is also rotated 90 ° with respect to the first polarizer, light passes through the cell. In the cell When a voltage is applied, an electric field is applied across the liquid crystal cell. Liquid crystal molecules align with this electric field (FIG. 4b), in which case the twist breaks. At this time, the incident light is No light is encountered and therefore transmitted through the cell. U.S. Pat. No. 5,623,514 discloses a liquid A crystal cell is described, the teachings of which are incorporated herein by reference.   Including passive and active matrix displays There are various liquid crystal display devices. Active matrix display devices Ring, back-to-back diode, metal-insulator-metal device And the like. Active matrix table The display device can also consist of a three terminal device such as a thin film transistor. The material is polysilicon, amorphous silicon, amorphous germanium And cadmium selenide.   Active research and development for future use in flat panel displays Another technology that has been used is light emitting diodes, especially electroluminescent layers Is of organic material is there. Light-emitting diodes consist of a hole injection electrode, an electroluminescent layer, It consists of an input electrode. The hole injection electrode is usually indium tin oxide.   Currently, flat panel displays are mainly based on thin film transistors It is manufactured using active matrix liquid crystal. The best in liquid crystal cells One of the more cumbersome process steps is the deposition and patterning of the ITO electrodes. First I TO is deposited in a vapor deposition process. Then must be annealed for several hours at high temperature . Next, a photoresist is applied to pattern the ITO. Photoresist Exposure and development. The pattern is transferred to the ITO by etching. etching The solution consists of a mixture of strong acids. ITO generally deposits layers of thin film transistors Before or after. In the latter case, the acidic etching solution of ITO is used for thin film deposition. It can cause defects in transistor devices.   Therefore, it provides a simpler approach than ITO, but at the same time, high light Transmission, good conductivity, good environmental and thermal stability, by lithography Easy patterning, high charge retention, low image sticking and good transparency Developing new electrode materials that provide good liquid crystal display characteristics such as over / voltage characteristics It is desirable to emit. Also, improved power for light emitting diodes and other devices. It is also desirable to develop polar materials and electrical contacts.   Conductive polymers can be considered as candidate electrode materials It is a relatively new class of electronic materials. These polymers are the electrical properties of metals. It may combine the properties with the processing advantages of conventional polymers. In this specification, Substituted or unsubstituted conductive polyaniline, polyparaphenylene, polyazine, Riparaphenylene vinylene, polythiophene, polyfuran, polypyrrole, poly Selenophene, polyisothianaphthene, polyphenylene sulfide, polyacetylene Ren, polypyridyl vinylene, combinations thereof, mixtures of these with other polymers , And copolymers of these monomers.   To use these polymers as an alternative to ITO or electrodes in general, These polymers have adequate electrical conductivity, are easy to pattern, and Must have high light transmission. In addition, these polymers release gas. Do not take out. This is because it causes device contamination. For liquid crystal display cell In this case, when the conductive polymer releases gas, the charge retention of the display device is significantly reduced. Will be down. In addition, conductive polymers can be easily patterned by lithography. Need to be able to Patterning reduces the conductivity of the conductive polymer However, the properties of the conductive polymer must not be deteriorated. Therefore, these Method for patterning multiple polymers, ideally on conductive polymer systems It is desirable to develop a method that can be used and does not adversely affect the properties of the conductive polymer. New   One conductive port that could be used as a conductive electrode Limmer is a polyaniline. Polyaniline (and other conductive polymers) `` Electrically Conductive Polymeric Material '', which is incorporated herein by reference. US Patent No. 5,198,153, No. 5,2001, entitled "S and Uses Thereof" No. 12, 5202061.   For example, a conductive polymer such as polyaniline is used as a conductive electrode in a liquid crystal display device. To be considered, it is desirable that the polymer have some properties. Polia The present invention will be described by way of example of nilin, but the present invention is not limited thereto. Absent. Desirable properties include:   1. It has a light transmittance of more than 80% in the visible region and has sufficient conductivity and It is preferable to show the contact resistance to the chair metallurgy.   2. It is preferable to have good solubility and to form a uniform coating. Coating, grain Do not contain streak or noticeable pinholes or dewet Is preferred.   3. Preferably, it is compatible with the matching layer attached to the upper surface of the conductive electrode. Alignment The solvent used to deposit the layer, often the polyimide, dissolves the polyaniline or Can cause significant interfacial mixing or extract dopant ions from polyaniline. Don't put it out. Once the dopant ions are extracted, the polyaniline The conductivity will be reduced and the dopant ions will enter the matching layer and ultimately Liquid crystal in liquid crystal There is a possibility that various characteristics of the cell may be destroyed.   4. It is preferred that the polymer has thermal stability up to at least 150 ° C.   5. Preferably, the polymer does not outgas. When gas is released, Liquid contaminants enter the liquid crystal and destroy various characteristics of the liquid crystal cell. You.   6. It is preferred that the polymer provide good step coverage.   7. Preferably the polymer is patterned without using a strong etchant .   In addition to the properties of the above polymers, liquid crystal cells made of polyaniline Preferably, it has some properties. These properties include:   1. Good transmission / voltage characteristics   2. Good charge retention at room and high temperatures   3. No image sticking at room or high temperatures.   Conducting polymers such as polyaniline can be used for such applications and are outlined above. It is not self-evident whether it will bring a bribey trait. Polyaniline is non-conductive Polymer (base) with an acid such as hydrochloric acid to form a conductive salt. It is known to be more conductive. This is because A. G. FIG. MacDiamid (MacD iarmid) and A. J. Farad. By Epstein. Discuss. Chem. S oc. , 88,317. The structure of the conductivity type is a delocalized polymer Consisting of a dical cation, which is neutralized by a counter anion. Is described in “Deag, filed January 9, 1995, which is incorporated herein by reference. gregated Electrically Conductive Polymers and Precursors Thereof '' No. 08 / 370,127.   Ions are required to make this material conductive. Ions are present in the LCD panel In this case, poor charge retention and image sticking are described in Cybale ( Seiberle); Schadt 「Influence of Charge Carriers and D isplay Parameters on the Performance of Passively and Active Addressed L CDs ", SID'92 Digest, 25 (1992). this is, This is one of the biggest problems when using polyaniline as an electrode. HCl acid When used as a punt, volatile mobile ions are formed. HCl is 40 ~ Observation of outgassing from polyaniline thin film at temperatures as low as 50 ° C Have been. This gas release causes ions to move into the liquid crystal (LC), The properties of the LC will be destroyed. This time, surprisingly, By decorating the dope, ions do not move into the LC at room temperature or at high temperature. Remers can be formed, resulting in excellent charge retention and image sticking properties It has been found that an LCD having   Another problem associated with ions is that the polyimide alignment on top of the polyaniline electrode. Solvent for polyimide, generally NMP or γ-butyrolactone Highly polar solvent Extracts dopant ions from the polyaniline and converts these ions into matching layers and And into the LC. This also destroys the characteristics of the display device. Will be. Furthermore, when the ions are extracted, the conductivity of polyaniline decreases. Will be. Quite surprisingly, the polyimide matching layer is completely compatible with polyaniline. And no extraction of ions occurred.   Polyaniline provides good light transmission while having sufficient surface resistance and Preferably has a contact resistance to the data metal wire. By reducing the thickness The light transmittance of polyaniline can be adjusted by adjusting the surface resistance of the material. Resistance increases. In this specification, good light transmission and good surface resistance to metal And materials having contact resistance.   Preferably, the polyaniline provides good step coverage. When using ITO This is a big problem. In a typical TFT configuration, indium tin oxide ( ITO) is used as a transparent conductive electrode. ITO adheres by sputtering And lithographically patterned by a standard photoresist system. You. Next, this is etched using a hot mixed solution of concentrated nitric acid and concentrated hydrochloric acid. In general ITO can be used before or after depositing thin film transistor (TFT) and passivation layers. Is attached. To reduce the number of photolithography mask steps, replace the latter use. In this case, the ITO layer is placed underneath the source / drain gold of the TFT device. To connect to the genus, Form via holes in the passivation layer. If the passivation layer is too thick, ITO Is deposited in the sputter process, so the ITO There is a problem of step coating. On the other hand, when the passivation layer is thin, pinholes generally exist. Existing, the ITO acidic etching solution causes defects in TFT devices or bus lines May be Polyaniline can be prepared by spin coating or roller coating. It adheres by the singing method. Therefore, it should be able to provide good step coverage It is. Polyaniline is also patterned without the need for vigorous etchants I know that   Although the present invention is suitable for some devices, active liquid crystal displays, especially An embodiment of a thin film transistor (TFT) liquid crystal display will be described. In FIG. As shown, a conventional TFT display device 10 includes an array A of cells, each cell comprising: The cell is addressed by applying a voltage to the cell when the transistor is on. Thin-film transistor 11 and its power after the transistor is turned off. And a capacitor 12 for maintaining pressure. The transistor is on the back of the display device 10. Column data formed on the surface glass substrate 13 and all on the back surface of the display device 10 It is connected between the electrode 14 and the row electrode 15 and to the transparent display electrode 16 of each pixel. A continuous common transparent electrode 17 is formed on the front surface of the display device. It is arranged parallel to this at a distance from 16. Both the electrode 17 and the display electrode 16 , Oxide oxide loaded on a glass substrate It is preferably formed from a thin transparent conductive material such as um tin (ITO). Since the size of the display electrode 16 of each pixel is smaller than that of the continuous common electrode 17, When a voltage is applied between the electrodes, the voltage is applied outward from the pixel or from the cell edge of the display electrode. A fringe electric field spreading to the through electrode is generated. A glass base parallel to the outside of the common electrode 17 Adjacent to the plate 18 is a polarizer 19, which is mounted on the back of the rear glass substrate 13. In the proper orientation with respect to the polarized polarizer 20. The matching layers 21 and 22 are A liquid crystal layer, here disposed on the inner surface of each of the pole 16 and the common electrode 17, It is in contact with twisted nematic liquid crystal molecules. This liquid crystal layer is composed of the matching layer 21 and Between two parallel mounted glass substrates 1 and 18 carrying Sealed. There is a visible light source (not shown) on the back of the display device, The display device 10 is irradiated. If the display device 10 is to be colored, the common electrode 17 A color filter 25 is disposed on the matching layer side of the three primary colors (red, green, blue). A loop of three adjacent pixels A where each of the three primary colors forms a color cell Associated with one of the groups.   The patterned conductive polymer (ie, polyaniline) in the display device 10 Each pixel functions as a transparent electrode 16 and ITO functions as a continuous transparent electrode 17. A liquid crystal cell was manufactured. Further, a conductive polymer with a pattern is used as the transparent electrode 16. And a continuous coating of a conductive polymer acts as a continuous transparent electrode 17. Also produced. Conductive polymer is also transparent The patterned ITO also acts as the conductive electrode 17 and the patterned ITO acts as the pixel electrode 16 can do.   FIG. 6 shows a top view of the unit cell structure of the TFT / LCD display device. 101 And 102 are data bus lines, and 103 and 104 are gate bus lines. 106, 107 and 108 form a thin film transistor (TFT), of which 108 is 10 Reference numeral 4 denotes a projection and reference numeral 106 denotes a projection. 106 is a source electrode, 107 is a drain Electrode. 106 and 107 are usually made of the same conductive material such as metal. 10 Reference numeral 5 denotes a transparent pixel electrode, which is formed from a conductive polymer by photolithography. It is. A pixel electrode 105, an upper electrode (not shown) on the color filter side, The liquid crystal (not shown) between the two forms a pixel capacitor. 130 is 105 It is a long part. 130 and 103 are separated by an insulator layer (not shown), Form a sa. When an appropriate high voltage is applied to the gate bus line 104, the TFT turns on. Become. Therefore, the pixel capacitor and the storage capacitor store data via the TFT. The liquid is charged from the bus line 101 to the design voltage, and the liquid in the pixel is charged by the design voltage. The electro-optical properties of the crystal are determined. Therefore, the designed image is displayed. A FIGS. 7 and 8 show two cross-sectional structures along -A '. Figures 7 and 8 Thus, 106 is a source electrode, 107 is a drain electrode, 108 is a gate electrode, 109 Is a gate insulator layer, 110 is an amorphous silicon layer, 111 is an n + amorphous silicon layer , 112 is a passivation layer, and 105 is a pixel electrode. It is a pole. In FIG. 8, on top of the passivation layer 112 is another layer 113, which is low. It is a dielectric transparent polymer layer. The pixel electrode layer 105 is disposed on the upper surface of 113. Therefore, the pixel electrode extends to the upper surface of the data bus line to increase the aperture ratio of the pixel. be able to. In FIG. 7, the pixel electrodes 105 and 107 directly overlap each other. ing. In FIG. 8, this overlap is due to via holes on the polymer layer 113. Through. FIG. 9 shows a part of the liquid crystal display device after assembly. 120 is mo A lath substrate, 121 is a color filter layer, and 122 is a conductive transparent electrode layer. 1 22 is an indium tin oxide (ITO) layer or a transparent conductive polymer layer. 1 Reference numeral 23 denotes an electrode leaf (not shown) for tab bonding to a driving electronic circuit. Connected transfer pad. 123 is made of a metal layer. 124 Is a conductive epoxy resin, and electrically connects 122 and 123. Therefore , 122 can be connected to the drive electronics via 124 and 123. Reference numeral 125 denotes a liquid crystal layer. All of the metal layers and conductive layers shown in FIGS. It can be replaced by a conductive polymer according to Ming. Thin film transistor device   Electrical contacts or electrodes in current thin film transistor (TFT) devices are made of metal is there. Metal is deposited by vapor deposition or sputtering, which requires expensive equipment is there.   Suitable polymers include substituted and unsubstituted conductive polyanilines, polyparaffins. Nylene, polyparaphenylene vinylene, polythiophene, polyfuran, polypyro , Polyselenophene, polyisothianaphthene, polyphenylene sulfide, Polyacetylene, polyazine, polypyridylvinylene, combinations thereof, and Mixtures of these with other polymers, and copolymers of these monomers, are included.   In order to use these polymers as contact electrodes in TFTs, appropriate conductivity must be used. It is preferred that it has an easy patterning. In addition, these polymers Shall not release gas and cause contamination of the device. Besides, these Preferably the conductive polymer is patternable by lithography No. Patterning does not reduce the conductivity of the polymer, or the conductive polymer It is preferable that the characteristics of the polymer do not decrease.   Therefore, the method of patterning these polymers, ideally, whatever Can also be used in conductive polymer systems, adversely affecting conductive polymer properties It is desirable to develop a method that is not possible.   Source and TFT in TFTs with different types of conjugated polymers as semiconductor layers The use of a conductive polymer electrode as at least one of the It has been described previously (H. Koezuka, A. Tsumura, T.M. AND Patent No. 51 No. 07308). In this patent, the gate is consistently made of metal Was composed. Further, one of the drain electrodes in the TFT is coated with a conductive polymer. Whenever a film, the coating had patterned metal leads. Conductivity The method used for polymer growth was electrochemical polymerization. Authors of the above patents Generally says that different methods can be used to form conductive polymer electrodes. As described in How to connect a conductive polymer layer to a source electrode or drain Pattern the electrodes or both in the required shape and place the transistor chip between the electrodes. It does not provide any solution to the problem of channeling. In this application One or several of the source, drain and gate electrodes of a TFT Device using conductive polymer as well as patterned conductive polymer layer Suggest how to do it.   The invention also relates to one or more of the source, drain and gate electrodes. It also covers TFT devices, some of which include conductive polymers. From FIG. 10 FIG. 13 shows the structure of a TFT device.   FIG. 10 shows a device formed on the substrate 61. Pattern on substrate 61 A conductive polymer gate electrode 62 is provided. Upper surface of gate electrode 62 Is provided with an insulating layer 63. The upper surface of the gate insulator 63 contains a conductive polymer. A source electrode 65 and a drain electrode 66 are provided and patterned. Saw A semiconductor layer over the drain electrode 65 and the drain electrode 66 and a portion of the gate insulator 63; 64 are arranged You.   FIG. 11 differs from FIG. 10 in that the substrate 61 is conductive and serves as a gate 62. Become. Non-limiting, but specific examples of this structure include substrate / gate electrodes (61 and And 62) have a heavily doped wafer as the upper insulator The growth oxide 63 is used. The remaining layers are as shown in FIG. .   FIG. 12 shows that a source voltage is applied to the upper surface of the semiconductor layer 64 previously disposed on the gate insulator. It differs from FIG. 10 in that a pole 65 and a drain electrode 66 are provided.   FIG. 13 shows that the source voltage is applied to the upper surface of the semiconductor layer 64 previously disposed on the gate insulator. It differs from FIG. 11 in that a pole 65 and a drain electrode 66 are provided.   FIG. 14 shows the source of the TFT device whose structure is schematically shown in FIG. 4 is a graph in which a current flowing between drains is plotted against a voltage of a gate electrode. You. The device has a channel length L of 100 microns and a channel width of 1500 microns. Was Ron.   FIG. 15 shows a TFT based active matrix liquid crystal display device. FIG. 2 is a top view of a typical layout. Source electrode, drain electrode, and gate One or several of the electrodes include a conductive polymer.   FIG. 16 has two different types of TFT configurations, FIGS. 16 (a) and 16 (b). TFT-based active matrices FIG. 2 is a cross-sectional view of one pixel of a liquid crystal cell. Source, drain, and gate electrodes One or several of the gate electrodes include a conductive polymer.   FIG. 17 shows a contact via through the passivation or insulation layer. The bottom is conductive It is an electrically conductive polymer. Top layer is the same, such as metal, conductive polymer, or ITO Or it can be a different conductive material. LED device   Patterned conductive polymers are manufactured by electroluminescent diodes. It is also useful for making. More specifically, the present invention, when fabricated on a transparent substrate, And a partially transparent display device, which is manufactured on an opaque substrate containing devices and circuits. When made, it becomes a display device that can be seen from the cathode side (including organic light-emitting diodes) The invention relates to a transparent cathode / anode structure for light emitting diodes. The present invention relates to organic and And LED with inorganic electroluminescent region. The present invention For OLEDs, but is not limited to such.   Organic light-emitting diodes (OLEDs) described in previous studies are based on glass substrates. Fabricated above, its lower electrode was a transparent conductor indium tin oxide (ITO) . The top electrode of these devices is opaque and the electroluminescent region The light from was only visible from the glass side. One exception is that Recently V. Burovic et al., Nature 380, 29 (1996) ), In which the cathode metal was deposited during subsequent ITO deposition. Are made thin and partially transparent.   OLED displays on opaque substrates or transparent OLED displays on transparent substrates (1) transparent to LED emission and (2) low into the LED active area. A series resistance current injection is performed. When formed on a display device, it achieves a sufficiently high lateral conductivity on the plane of the electrode, (5) acts as a protective film against chemically and physically delicate base organic coatings, and (5) Complete interface between layer and electrode. Remove the attached organic layer to maintain its integrity. Need an upper electrode structure that meets the requirement of being able to adhere in a gentle manner without I do. Common transparent electrode materials are often used as anodes in OLEDs Indium tin oxide (ITO), which satisfies requirements (1) to (4), but generally Deposited in an oxygen plasma atmosphere, so that the organic regions of the OLED device structure (5) is not satisfied because it is damaged. The same applies to GaN as an electrode. is there. Requirement (5) is actually the most important. Some transparent conductive materials exist However, almost all require plasma or high processing temperatures, and The material is irreversibly damaged.   A transparent cathode or anode hole that is convenient for fabrication and meets all of the above requirements Or, both structures are required.   Thus, it provides a simpler process than ITO, but at the same time has a higher light transmission , Good conductivity, environmental and thermal stability, and lithographic patterns It is desirable to develop a new electrode material that can be easily manufactured.   A typical light emitting diode configuration includes a hole injection electrode, an electroluminescent layer , And an electron injection electrode. This is a basic configuration. Sometimes a hole transport layer Incorporates between the injection electrode and the electroluminescent layer to increase hole mobility In addition, holes can be separated. In addition, the electron transfer layer is Between the electron transport layer and the electron injection electrode.   The electroluminescent layer is made of an organic material such as an organic conjugated polymer or AlQ material. It can be a molecule or an inorganic material such as gallium arsenide. Typical hole The injection electrode contains ITO. Typical electron injection electrodes are aluminum, copper It contains lucium and the like.   The P-doped conductive polymer according to the present invention can be used as a hole injection layer The N-doped conductive polymer according to the present invention can be used as an electron injection layer You.   An example of the structure of the prior art OLED 300 is shown in FIG. Substrate 312 is glass And the ITO coating 314 is deposited directly on the glass to form the anode. Effect In order to operate efficiently, the organic region generally consists of several layers, Injection layer 316, hole transport layer 318, and electroluminescent A light-transmitting (EL) layer 320 is shown. The EL layer 320 is made of a metal chelate compound. Lis (8-hydroxyquinoline) aluminum (S or AlqThreeAbbreviated Sometimes). The hole transport layer having this configuration is an aromatic diamine. Alloy Mg Ag is deposited on top of the organic material to form cathode 322. This cathode is If the thickness is greater than about 10 nm, it is opaque. The sealing seal is not shown, It is sometimes used to protect the cathode from moisture.   The EL layer having the structure shown in FIG. 18 belongs to a class of organic materials known as molecular organic substances. Is what you do. This is sequentially deposited by a vapor deposition method. Polymer, elect Another class of organic materials that exhibit luminescence, usually spin Provided by Polymer OLEDs are generally ITO anodes An opaque cathode (usually calcium, etc.) created on a glass substrate using (A metal with a low work function) and emits light only from one side. This polymer O LEDs can also use multiple polymer layers to increase operating efficiency.   An exemplary embodiment of the LED of the present invention is shown in FIG. An OLED having a cathode 340. OLED can be replaced by ITO (or conductive Rimmer) with anode 334 and formed on glass substrate 332 or plastic substrate When formed, light is emitted from both sides and the OLED is at least partially transparent. It is clear. An array of such OLEDs Viewers who focus on the image presented on the display You can also see the other scene through the display device. Meanwhile, Silico Table using OLED with transparent cathode formed on opaque substrate such as The indicator can be viewed by looking at the light emitted from the cathode side. When OLED display device is manufactured on silicon, OLED is attached on silicon Devices and circuits can be formed in silicon before Circuit to create an active matrix display device incorporating a driver. This is advantageous because it can be achieved.   According to the present invention, the anode or cathode of an LED is referred to herein by reference. Formed from a protective layer of conductive polymer that is resistant to friction and scratching Or it can be covered with such a protective layer. OLED having the cross section shown in FIG. The light emitted from the anode and cathode is transparent, so both the top and bottom From both sides of the road).   The conductive polymers described herein can be used for vertical transmission at low transparency and low series resistance. Meets the requirements of conduction, formation of protective film, and damage-free deposition process. Resulting in a cathode electrode. Both conductive polymers that are resistant to friction and scratch Electrically Conductive and Abrasion / Scratch Resistant Polymeric Materia ls, Method of Fabrication and Uses Thereof ", February 1994 US patent application Ser. No. 08 / 193,926 filed on the 9th and filed on Jun. 7, 1995 No. 08 / 476,141, the teachings of which are incorporated by reference. And incorporated herein. Each requirement is considered individually below.   The display comprises a number of the same OLs arranged in a two-dimensional array on a monolithic substrate. By manufacturing EDs and providing means to control light emission from each diode, Is done. In general, the image is shown in, for example, FIG. ), The selected row line 490 is set to the positive voltage Vr and not selected. All row lines 492 are at ground potential. The voltage Vci is applied to each column line 494, 496. Applied. Here, i is an index of a column line and continues up to the maximum number of column lines. At this time The forward bias on OLEDs 498, 400 along the selected row line 490 is Vr- Vci, and the light emission amount is determined by this voltage. Other OLED4O2, 404 Are all reverse biased and do not emit light.   In the array shown in FIG. 20A, the OLED is when its row line is accessed. In a display device with high information content, flickering may occur. This is Corrected by the array shown in Figure 20B (active matrix approach) . In this array, the circuits at each intersection sample the column line voltage, Used to hold the row line when it is being accessed. In this case, All diodes share a common cathode. These circuits are small and fast Therefore, it is convenient to manufacture with single crystal silicon. You. In this second case, the substrate is opaque and the transparent cover is used to view the image. You need a sword.   The references cited herein are hereby incorporated by reference. To the assignee of the present invention U.S. patent application Ser. No. 08 / 794,072, filed Feb. 4, 1997, An OLED structure and a method of fabricating the same are described, the teachings of which are incorporated herein by reference. Merge into a book. Patterning method   Conductive polymers must be patterned for use as electrodes or electrical contacts Is preferably performed. How many can be used for patterning various conductive polymers This method is described here.   Some of these methods involve applying a resist material to the conductive polymer surface. Law is included. The resist may be negative or positive, aqueous or It can be developed in an organic solvent. Examples of negative resists include poly Methyl methacrylate type, novolak / diazonaphthalquinone type, t-boc (t- Butoxycarboxylic acid) protected styrene polymer and its copolymer, t-butyl Styrene-protected styrene polymers and their copolymers, and other acids There are polymers of the acrylate and its copolymers. These are only examples, limited It is not typical. Examples of positive resists include epoxy-containing polymers Hyd with crosslinker There are roxystyrene polymers and siloxane polymers. These are just examples , But not limited. Use UV / visible light, electron beam, X-ray, ion Exposure with a given radiation such as a beam, tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, NaOH aqueous solution, KOH aqueous solution, methyl isobutyl ketone, aqueous Tillammonium aqueous solution, isopropanol, propylene glycol methyl ate Develop with telacetate, diglyme, methyl ethyl ketone, etc. These are examples It is not a limitation. Then oxygen gas, COTwo, SOTwo, Fluorine, etc. Conduction of resist image by reactive ion etching (RIE) using silicon Transfer to a functional polymer. After the image has been transferred to the conductive polymer, Wash the solvent with acetone, diglyme, isopropanol, etc. To remove. This is schematically shown in FIG. Solvent used for resist application And resist developer, resist development conditions, and resist removal. Solvent used degrades various properties of conductive polymer such as conductivity, light transmission and thermal stability It is desirable not to let them.   A second method of patterning a conductive polymer involves the use of an aluminum surface on the conductive polymer. A metal such as minium or gold is attached. Apply metal through metal mask Depositing a patterned metal layer on the conductive polymer. Next With oxygen gas, COTwo, SOTwoEtching by RIE such as Transfer the turns to the conductive polymer. Next Hydrochloric acid, hydrofluoric acid, acetic acid, sulfuric acid, perchloric acid, phosphoric acid, nitric acid and their The metal is removed by etching using an acidic solution such as any combination. This outline The outline is shown in FIG. Metal deposition conditions and etching conditions are It is desirable that they do not adversely affect various properties.   A third method of patterning a conductive polymer involves depositing a surface on the surface of the conductive polymer. A metal such as luminium or gold is attached to a blanket. Resist coating The metal is patterned with a cloth. Resist, UV, visible light, electron beam, Exposure to radiation such as X-rays and ion beams, and develop using the same developer as above Then, for example, by etching the metal using an acidic solution as described above, Transfer the pattern to the metal layer. Then, for example, oxygen, COTwo, SOTwo, Such as fluorine The pattern is transferred to the conductive polymer by reactive ion etching. Continued To remove the resist with a solvent, followed by acid etching as described above. Remove the genus. This is schematically shown in FIG. The above processing steps and their The solvent used in the step does not adversely affect the properties of the conductive polymer. Desirably.   A fourth method of patterning conductive polymers is by direct exposure to radiation. It is. Conductive polymers are radiation-sensitive and, when exposed, There is a difference in solubility between the light regions. Radiation includes electron beams, ion beams, and Electromagnetic radiation (eg, X-rays, light) may be used. In this case, the solubility The higher area is removed by solvent washing and therefore directly the conductive polymer A pattern occurs. This is illustrated schematically in FIG. 24, which is disclosed in US Pat. No. 53, the teachings of which are incorporated herein by reference. .   In all of the above cases, exposure to radiation requires electromagnetic radiation, such as X-rays or light of various wavelengths. Can contain radiation, electrified beam, ion beam, elemental particle beam, etc. Alternatively, a beam of uncharged particles can be included.   Specific examples are shown below. 1. United States Patent Application filed February 2, 1996, the teachings of which are incorporated herein by reference. Acrylamide propanesulfonic acid described in Japanese Patent Application No. 08 / 595,853 N-methylpyrrolidinone, m-cresol, dimethyl Suitable including propylene urea, dimethyl sulfoxide, dimethyl formamide, etc. The solution was applied by spin coating onto a glass substrate. coating Can be controlled by the polymer concentration and the spin rate in the solution. In general A 0.1% to 5% polymer solution in a given solvent was used. The coating thickness is The range was from 500 to 1000 angstroms. The conductivity of the coating is 1 to 150 It was in the range of S / cm. 5 min at 85 ° C in oven with coating Baking was performed to remove the remaining solvent. The surface of this polyaniline is usually Lee photoresist (MP1808) Applied. The resist was baked at 85 ° C. for 30 minutes. Coat the resist The polyaniline substrate was then exposed to a 70 mJ dose of ultraviolet light. Then aqueous al The resist was developed in a potato Micropos CD-30 developer. This present The image solution is alkaline, dedoping polyaniline, and the conductivity of polyaniline Therefore, it is desirable to strictly control the developing solution and the developing time. In this case, the developer concentrate is diluted to 50% with deionized water. Resist for 30 seconds It was developed and subsequently washed with water. Next, cure the developed resist at 100 ° C for 30 minutes Then, the resist was cured before the image transfer. Next, the reactive ion The resist image was transferred to polyaniline by etching. 150 watts High frequency power load, 100 mTorr pressure, 20 sccm oxygen gas reactive ion -Polyaniline was etched in the etching chamber for 2 minutes. Image transformation After the transfer, the remaining photoresist was removed by washing with acetone. In this way The imaged 10 μm conductive polyaniline wire is shown in FIGS. 25 and 26. Po Measured the conductivity of the lianiline pattern and found it to be similar to the initial conductivity did. In other words, this step does not result in a significant decrease in conductivity. Light transmission Other properties were evaluated, including thermal stability, thermal stability, overall environmental stability, and chemical stability But this is discussed below. 2. Poly (3-butylthiophene-2,5-diyl) is converted to tetrahydrofuran, Methyl ethyl ketone, N-methylpyrroli It was dissolved in a suitable solvent such as dinone and spin-coated on a glass plate. Next The coating was then exposed to an iodine chamber to dope the polythiophene. Then do The stopped sample was pumped under dynamic vacuum. 1000-2000 S / cm Was obtained. Shipley Photo as described above for polyaniline The coating was patterned by applying a resist MP1808. 3. Poly (3-hexylthiophene-2,5-diyl) was also converted as described above. Melted, coated, doped and patterned as described in Example 1. 4. Poly (3-octylthiophene-2,5-diyl) is treated as described above and Turned. 5. Polypyrrole was deposited on a glass plate as follows. Pyrrole monomer -(0.045M) was dissolved in 500 ml of water. Oxidizing agent FeC in a second beaker lThree(0.105M) was dissolved in 500 ml of water. Then 5-sulfoalicyclate Lilic acid (0.105M) and sodium salt of anthraquinone-2-sulfonic acid (0.105M) was added to the oxidant solution. Glass plate with one side masked as monomer Soaked in solution. The oxidant solution was then added to the monomer solution. This solution is The mixture was allowed to stand for 0 minutes to allow the polymerization of the monomer to proceed and adhere to the glass plate. Glass plate The thickness of the conductive polypyrrole that adheres to the glass plate depends on the time that the glass plate is immersed in the polymerization bath. Depends on. The conductivity of polypyrrole was about 200 S / cm. Then the above No A resist was applied as described above to pattern the polypyrrole adhered to the glass plate. 6. Polyaniline doped with acrylamide propane sulfonic acid on glass plate Was applied by spin coating. 300 angstrom blanket Aluminum was deposited on the polyaniline. Shipley Polypropylene Aluminum glycol-acetate solvent based resist It was applied to a thickness of 2.0 μm on top. Expose the resist with 150 mJ dose of ultraviolet light, This is followed by a 50/50 mixture of Micropost developer concentrate and deionized water. I imaged. After development, the resist was baked at 85 ° C. for 30 minutes. Then 80% phosphoric acid Transene aluminum alloy consisting of 5% acetic acid, 5% nitric acid and 10% water The pattern is etched by etching the aluminum at room temperature using a Transferred to aluminum. Etching rate is 4.19 angstroms per second Was. At a pressure of 100 mTorr, 20 sccm oxygen and 150 watts power load Oxygen-reactive ion etching at an etching rate of 39 angstroms per second The pattern was transferred to polyaniline this time. Transfer pattern to polyaniline An alternative method for copying is to perform an aluminum etch at 30 ° C. is there. When the temperature is increased, both aluminum and polyaniline are removed by acid solution. Etching is performed at a rate of 37 angstroms per second. Remains after washing with acetone The resist is removed. 25% diluted hydrochloric acid The remaining aluminum is removed by etching using a liquid. Putter in this way The converted conductive polyaniline is shown in FIGS. 27, 28 and 29. 7. The substituted polythiophenes and in-situ polymerized polypyrroles described above also Use an aluminum blanket metal as described above for aniline It has become 8. Apply polyaniline acrylamide propane sulfonic acid on glass slide I wore it. Adhere a pattern of aluminum lines through a metal mask on this surface I let you. This pattern was converted to polyaniline by reactive ion etching of oxygen. I copied it. The remaining aluminum is then etched with a dilute hydrochloric acid solution. This method is Ideal for relatively large features. In this way, FIG. And a 50 μm polyaniline wire shown in FIG. 31 was prepared. 9. Substituted polythiophenes and in-situ polymerized polypyrroles also Can be patterned. 10. Polyaniline acrylamide propane sulfonic acid can be used to It can be patterned directly by exposure to radiation. This polymer is irradiated Crosslinking occurs and becomes insoluble. When the non-exposed area is removed by washing with a solvent, the conductive A lianiline pattern is obtained.   This conductive polymer is spin-coated on the substrate, dip-coated Coating, roller coating, spray coating, or Chemical or on the surface In-situ polymerization can also be performed electrochemically.   In order to use this conductive polymer in a liquid crystal display, the light transmittance of the coating must be Preferably, it exceeds 80% in the region. Figure 32 shows polyaniline acrylamide Figure 3 shows the light transmission of propanesulfonic acid (blanket and patterned lines). As can be seen from the figure, the polymer as a 500 angstrom coating is: Shows greater than 90% transmittance throughout the visible light range. This is an annealed acid It is consistent with the typical light transmittance of indium tin halide. The conductivity of the polyaniline wire is 1 Although it was about 00 S / cm, it is preferably higher than 100 S / cm. This material The material was environmentally stable because the conductivity did not change over time in air. Was. This material is heat stable up to about 150 ° C.   Since the properties of this material are considered to be excellent, conductive materials such as polyaniline A liquid crystal cell using rimer for both electrodes, and polyaniline as one electrode A cell using indium tin oxide as the second electrode was assembled. Po If lianiline is used for both electrodes, one of the electrodes will consist of The second electrode consisted of a blanket coating. Polyimi on polyaniline (Nissan SE5210) matching layer was spin coated. 1 polyimide Cured at 25 ° C. for 1 hour. The thickness of the coating was 500 Å. Next The polyimide layer was then rubbed mechanically. M containing left chiral agent in test cell Fill erck liquid crystal did. Place the polarizer on the outside of the glass so that the transmission axis of the polarizer is parallel to the friction direction. Attached. This completes the 90 ° right twisted nematic test panel. Done. Next, the performance of this liquid crystal cell was measured. It consists of two polyaniline electrodes FIG. 33 shows a transmission characteristic curve of the liquid crystal cell. Is this an indium tin oxide electrode This is consistent with the transmission / voltage characteristic curve (FIG. 34) of the crystal composed of Polyaniline The charge retention of the liquid crystal cell including the pole was 95% at room temperature (FIG. 35). This is This is consistent with the charge holding power of a liquid crystal cell including an ITO electrode. This liquid crystal cell The image fixation was also in good agreement.   In FIG. 36, a layer of material 415 is disposed on top, and a layer of material 417 is A substrate disposed on the surface 411 so as to overlap the material 415 in the overlap region 419 413 shows a surface 411. The material 417 is a conductive polymer according to the present invention. The material 415 can be a non-polymeric conductive material such as a metal or a semiconductor. Also area Both 417 and 415 can be conductive polymers.   FIG. 37 shows a substrate 4 having a layer of a material 425 and a layer of a material 427 in contact with each other at an interface 429. 22 shows the surface 423 of FIG. Materials 425 and 427 must be conductive polymers Or one of the layers 425 and 427 as a conductive polymer and the other as a metal or It can also be a non-polymeric conductive material such as a semiconductor.   Using the methods taught herein to pattern conductive polymers, the art Pattern known non-polymer electrical conductors 36 and 37 are easily created using the methods of be able to.   Substrate 802, buried subcollector 804, lightly doped region 806, base region 80 8, reach emitter region 810, dielectric layer 812 and subcollector region 804 A bipolar transistor having a highly doped region 814 is shown schematically in FIG. You. The dielectric layer includes an opening 816 for contacting the emitter and an opening 81 for contacting the base region. 8, and an opening for contacting the area 814 for contacting the subcollector 804 820. The patterned electrical conductors or electrodes 822, 824, 826 are Electrical contact is made to the emitter, base and collector regions, respectively.   The electrodes 822, 824, 826 may be formed from a conductive polymer according to the present invention Can be. The conductive polymer is applied to active device regions 810, 808, 8 Form an ohmic contact to 14.   Examples of conductive polymers that can be used to practice the invention include substituted and Unsubstituted polyparaphenylene, polyparaphenylene vinylene, polyaniline, polyaniline Liazine, polythiophene, poly-p-phenylene sulfide, polyfuran, polyfuran Lipyrrole, polyselenophene, polyacetylene formed from soluble precursors, These combinations, and copolymers of these monomers, are included. These ports The general formula of Rimmer, the structure made with it, and how to use it, U.S. Patent No. 5,198,153 to Angelopulos et al., February 9, 1994. Co-pending U.S. Patent Application Serial No. 08/193926, filed June 6, 1995; Co-pending U.S. patent application Ser. These teachings are incorporated herein by reference.   Polyaniline-class conductive polymers are most promising in a wide range of commercial applications And it turned out to be one of the most suitable conductive polymers. This polymer is excellent It has excellent environmental stability and provides a simple one-step synthesis. Some soluble derivatives Can be created. For example, the present inventors have previously described a new family of water-soluble conductive polymers. Aniline was disclosed in U.S. Pat. No. 5,370,825. Refer to the teachings Merge into a fine book.   The following U.S. patents describe useful resists in practicing the present invention, The teachings of are incorporated herein by reference. U.S. Pat. Nos. 5,580,694, 55 No. 54485, No. 5545509, No. 5492793, No. 5401614 No. 5,296,332, No. 5,240,812, No. 5,071,730, No. 4,491 No. 628, No. 5585220, No. 561194, No. 5547812, No. No. 5,498,765, No. 5,486,267, No. 5,482,817, No. 546472 No. 6, No. 5,380,621, No. 5,374,500, No. 5,372,912, No. 53 No. 42727, No. 5304457, No. 5300402, No. 5278010 No. 5,272,042, No. 5,266,444, No. 5,198,153, No. 5164 27 No. 8, No. 5102772, No. 5098816, No. 5059512, No. 50 No. 55439, No. 5047568, No. 5045431, No. 5026624 No. 5019481, No. 4940651, No. 4939070, No. 4931 No. 379, No. 482245, No. 4800152, No. 4760013, No. No. 4551418, No. 5338818, No. 5322765, No. 525039 No. 5, No. 4,613,398, No. 4,552,833, No. 5,457,005, No. 54 No. 22223, No. 5338818, No. 5322765, No. 5312717 No. 5229256, No. 5286599, No. 5270151, No. 5250 No. 395, No. 5238773, No. 5229256, No. 5229251, No. 5215861, No. 5204226, No. 5115095, No. 511071 No. 1, No. 5059512, No. 5041358, No. 5023164, No. 49 No. 99280, No. 4981909, No. 4908298, No. 4867838 No. 4,816,112, No. 4,810,601, No. 4,808,511, No. 4782 No. 008, No. 4,770,974, No. 4,693,960, No. 4,692,205, No. No. 4665006, No. 4657845, No. 4613398, No. 460319 No. 5, No. 4601913, No. 4599243, No. 4552833, No. 45 No. 07331, No. 4493855, No. 4446460, No. 443153 No. 4,307,179, No. 4,307,178, No. 5,362,599, No. 4397 937 No. 5,567,569, No. 5,342,727, No. 5,294,680, No. 527 No. 3856, No. 4980264, No. 4942108, No. 4880722, Nos. 4853315, 4601969, 4568631, 45645 No. 75, No. 4552831, No. 4522911, No. 4446458, No. 4 No. 409319, No. 4377633, No. 4339522, No. 4259430 No. 5,209,815, No. 421,834, No. 5,260,172, No. 525 No. 8264, No. 5227280, No. 5024896, No. 4904564, Nos. 4,828,964, 4,745,045, 4,692,205, and 46069 No. 98, No. 4600683, No. 4499243, No. 4567132, No. 4 No. 564584, No. 4562091, No. 4539222, No. 4493855 No. 4,456,675, No. 4,359,522, No. 4,289,573, No. 428 No. 4706, No. 4238559, No. 4224361, No. 4212235, No. 4204009, No. 5091103, No. 5124927, No. 53785 No. 11, No. 5,366,757, No. 459,094, No. 4,886,727, No. 5 No. 268260, No. 5391464, No. 5115090, No. 5114826 No. 4,886,734, No. 4,568,601, No. 4,678,850, No. 454 No. 3319, No. 4524126, No. 4497891, No. 4414314, No. 4414059, No. 4398001, No. 4389482, No. 43798 No. 26, Nos. 4379833 and 4187331.   Although the present invention has been described with reference to preferred embodiments, workers skilled in the art will appreciate the scope and spirit of the present invention. Many modifications, changes and improvements will occur without departing from the spirit of the invention.

【手続補正書】 【提出日】１９９９年５月１０日（１９９９．５．１０） 【補正内容】 請求の範囲 １．表面を有する電子的能動部分を有する電子デバイスを備え、 前記表面が前記電子的能動部分を露出する開口をその中に有する誘電層を有し 、 前記開口が周囲を有し、 さらに、前記誘電層上に配設された導電性ポリマーの層を備え、 前記導電性ポリマーの層が前記誘電層上に配設されて、前記開口を介して、前 記周囲と重なり合って、前記電子的能動部分と接触する構造。 ２．前記導電性ポリマーの層がパターン化されている、請求項１に記載の構造。 ３．前記電子デバイスが、液晶デバイス、トランジスタ・デバイス、発光デバイ スおよび吸光デバイスからなる群から選択される、請求項１に記載の構造。 ４．表面と、 前記表面上にパターンとして配設された導電性ポリマーの層とを備え、 前記導電性ポリマー層の少なくとも一部分が前記表面と電気的に接触し、 前記導電性ポリマー層の他の部分が前記表面と電気的に接触しない構造。 ５．前記他の部分と前記表面との間に配設された誘電材料をさらに含む、請求項 ４に記載の構造。 ６．前記表面が、電気導体と半導体からなる群から選択される、請求項 ４に記載の構造。 ７．周縁部を有する導電性表面と、 周縁部を有する導電性ポリマーの層とを備え、 前記導電性表面の前記周緑部が、前記導電性ポリマー層の前記周緑部と整列し ない領域を有する、構造。 ８．第１の基板と、 第２の基板と、 前記第１の基板と前記第２の基板の間に配設された液晶層とを備え、 前記第１の基板と前記第２の基板の少なくとも一方がその上に配設された導電 性ポリマーを有し、前記液晶層を横切る電位を印加する手段を提供する、液晶表 示装置構造。 ９．前記第１の基板がその上に配設された第１の導電性ポリマー層を有し、前記 第２の基板がその上に配設された第２の導電性ポリマー層を有する、請求項８に 記載の構造。 １０．前記第１の導電性ポリマー層が連続被覆であり、前記第２の導電性ポリマ ー層がパターン付きである、請求項９に記載の構造。 １１．前記導電性ポリマー層が連続被膜である、請求項８に記載の構造。 １２．前記導電性ポリマーがパターン付きである、請求項８に記載の構造。 １３．前記第１および第２の基板の一方がその上に配設された前記導電性ポリマ ーの層を有し、前記第１および第２の基板の他方がその上にＩＴＯ層を有する、 請求項８に記載の構造。 １４．前記構造が光透過性構造である、請求項８に記載の構造。 １５．前記構造が光反射性構造である、請求項８に記載の構造。 １６．前記基板の一方が電磁放射線を透過し、前記基板の他方が電磁放 射線を反射する、請求項８に記載の構造。 １７．前記電磁放射線を反射する基板がさらにその上に回路パターンを含む、請 求項１６に記載の構造。 １８．前記回路パターンが、パターン付き導電性ポリマーを含む、請求項１７に 記載の構造。 １９．少なくとも１つの偏光層と、前記液晶層と接触する少なくとも１つの液晶 整合層とをさらに含む、請求項８に記載の構造。 ２０．前記第１の基板および前記第２の基板が、ガラス、半導体、セラミックか らなる群から選択された材料で形成される、請求項８に記載の構造。 ２１．前記第１の基板がガラスであり、前記第２の基板が半導体である、請求項 ８に記載の構造。 ２２．前記導電性ポリマーが透明である、請求項８に記載の構造。 ２３．パターン付き導電性ポリマーを備える液晶表示装置デバイス構造。 ２４．対向する第１と第２の表面を有し、その前記第１表面上に第１の導電層が 配設された第１の基板と、 前記第１の導電層上に配設された第１の整合層と、 対向する第１と第２の表面を有し、その前記第１表面上に第２の導電性層が配 設された第２の基板と、 前記第２の導電層上に配設された第２の整合層と、 前記第１の基板の前記第２表面上に配設された第１の偏光子層と、 前記第２の基板の前記第２表面上に配設された第２の偏光子層とを備え、 前記第１の基板が、前記第１整合層が前記第２整合層と対面するように前記第 ２の基板に隣接して配設され、 さらに、前記第１と第２の基板の間にあって、シール・スペーサと前記第１の 基板との間および前記第２の基板とシール・スペーサとの間に空洞を形成するシ ール・スペーサを備え、 前記空洞が液晶材料で充填され、 前記第１と第２の導電層の少なくとも一方が導電性ポリマーの層である構造。 ２５．第１の表面と第２の表面を有する半導体基板と、 前記第１表面の少なくとも一部分上の反射層と、 前記半導体基板に対して間隔を置いて配設された透明な基板と、 前記半導体と前記透明基板の間に配設された液晶材料と、 前記透明基板と前記半導体基板の少なくとも一方上に配設された導電性ポリマ ーの層とを備える、液晶表示装置構造。 ２６．基板と、 前記基板上に配設されたパターン付き導電材料から形成されたパターン付きゲ ートと、 前記パターン付きゲート上に配設された絶縁層と、 前記絶縁層上に配設されたパターン付きソース電極と、 前記絶縁層上に配設されたパターン付きドレイン電極とを備え、 前記パターン付きソース電極と前記パターン付きドレイン電極と前記パターン 付きゲートの少なくとも１つが導電性ポリマーから形成され、 さらに前記パターン付きソースと前記パターン付きドレインとの間、および前 記絶緑層上に配設された半導体材料を備える構造。 ２７．ゲート電極である導電性基板と、 前記基板上に配設された絶縁層と、 前記絶縁層上に配設されたパターン付きソース電極と、 前記絶縁層上に配設されたパターン付きドレイン電極とを備え、 前記ソース電極と前記ドレイン電極の少なくとも一方が導電性ポリマ ーから形成され、 さらに、前記パターン付きソースと前記パターン付きドレインとの間、および 前記ゲート上に配設された半導体材料を備える構造。 ２８．前記基板が、シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素からなる群から選択 された材料で形成される、請求項２７に記載の構造。 ２９．基板と、 前記基板上に配設された導電性材料のパターン付きゲートと、 前記パターン付きゲート上に配設された絶縁層と、 前記絶縁層上に配設された半導体層と、 前記半導体層上に配設されたパターン付きソースと、 前記半導体層上に配設されたパターン付きドレインとを備え、 前記パターン付きゲート、前記パターン付きソース、および前記パターン付き ドレインの少なくとも１つが導電性ポリマーである構造。 ３０．前記半導体層が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ａｓおよびそれらの組合せからなる 群から選択される、請求項２９に記載の構造。 ３１．ゲート電極である導電性基板と、 前記ゲート上に配設された絶縁層と、 前記絶縁層上に配設された半導体層と、 前記半導体層上に配設されたパターン付きソースと、 前記半導体層上に配設されたパターン付きドレインとを備え、 前記ゲート、前記パターン付きソース、および前記パターン付きドレインの少 なくとも１つが導電性ポリマーである構造。 ３２．第１の面と第２の面を有する絶縁層と、 前記絶縁層の前記第１面に配設されたゲートと、 前記第２面に配設された半導体層と、 前記半導体層と電気的に接触して配設されたパターン付きソース電極 と、 前記半導体層と接触して配設されたパターン付きドレイン電極とを備え、 前記パターン付きゲート、前記パターン付きソース、および前記パターン付き ドレインの少なくとも１つが導電性ポリマーである構造。 ３３．前記半導体材料が、有機材料と無機材料からなる群から選択される、請求 項２６、２７、２９、３１、または３２のいずれか１つに記載の構造。 ３４．有機および無機の半導体からなる群から選択された半導体層と、 前記半導体層上に配設されたパターン付き導電性ポリマー層とを備え、 前記パターン付き導電性ポリマー層が、前記半導体層へのオーム接点を形成す る構造。 ３５．エレクトロルミネッセント領域と、 アノードと、 カソードとを備え、 前記アノードと前記カソードの少なくとも一方が導電性ポリマーである構造。 ３６．前記導電性ポリマーが、正孔注入材料と電子注入材料からなる群から選択 される、請求項３５に記載の構造。 ３７．前記導電性ポリマーがパターン付きである、請求項３５に記載の構造。 ３８．前記アノードが透明導体である、請求項３５に記載の構造。 ３９．前記導体が酸化インジウムスズである、請求項３８に記載の構造。 ４０．前記エレクトロルミネッセント領域が単一の有機エレクトロルミネッセン ト層を含む、請求項３５に記載の構造。 ４１．前記エレクトロルミネッセント領域が、少なくとも１つのエレクトロルミ ネッセント領域と電子移動層を含む有機層のスタックからなり、薄い金属層が電 子移動層と直接接触する、請求項３５に記載の構造。 ４２．透明基板をさらに含む、請求項３５に記載の構造。 ４３．前記基板の前記材料が、ガラス、プラスチック、およびシリコンからなる 群から選択される、請求項４２に記載の構造。 ４４．前記基板が可撓性である、請求項４２に記載の構造。 ４５．エレクトロルミネッセント領域と、 正孔注入領域と、 電子注入領域と、 前記正孔注入領域と前記電子注入領域の少なくとも一方と電気的接触を行う導 電性ポリマーとを備える構造。 ４６．基板と、アノード構造と、エレクトロルミネッセント領域と、カソード構 造と、前記アノード領域と前記カソード領域の少なくとも一方に電気的に結合さ れ、摩耗および引掻きに強い保護層で覆われたパターン付き導電性ポリマーとを 備える有機発光ダイオード構造。 ４７．前記エレクトロルミネッセント領域が、有機材料と無機材料からなる群か ら選択された材料で形成される、請求項３５、４５、または４６のいずれか１つ に記載の構造。 ４８．前記導電性材料が、１種または複数の置換および非置換ポリパラフェニレ ンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリアジン 、ポリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリ−ｐ−フェニレンスルフ ィド、ポリアセチレン、それらの組合せ、それらと他のポリマーの混合物、およ びそれらのモノマーのコポリマーからなる群から選択される、請求項１ないし４ ７のいずれか１つに記載の構造。 ４９．請求項３５に記載の構造の有機発光ダイオードを複数個含むアレイ。 ５０．導電性ポリマーの層を有する基板を準備すること、 前記導電性ポリマー層上にエネルギー感受性材料の層を配設すること、 前記エネルギー感受性材料をエネルギーのパターンに露出させて、前記エネル ギー感受性材料層中にパターンを形成すること、 前記パターンを現像して前記エネルギー感受性材料層中にパターンを形成し、 前記導電性ポリマーの露出領域と非露出領域を得ること、 前記露出領域の前記導電性ポリマーを除去すること、および 前記エネルギー感受性材料を除去して、前記基板上に前記導電性ポリマーのパ ターンを残すことを含む方法。 ５１．導電性ポリマーの層を有する基板を準備すること、 金属マスクを介して金属層のパターンを付着して前記導電性ポリマー層上にパ ターン付き金属層を形成し、前記導電性ポリマーの、前記金属パターンで覆われ た領域と露出した領域を形成すること、 前記露出した領域の前記導電性ポリマーを除去すること、および 前記金属層を除去することを含む方法。 ５２．導電性ポリマーの層を有する基板を準備すること、 前記導電性ポリマー層上に金属層を配設すること、 前記金属層上にエネルギー感受性材料を配設すること、 前記エネルギー感受性材料をエネルギーのパターンで露光すること、 前記パターンを現像して前記エネルギー感受性材料中にパターンを形成し、前 記金属層の露出領域および非露出領域を得ること、 前記露出領域の前記金属層を除去して、前記導電性ポリマーの露出領域と非露 出領域を得ること、 前記エネルギー感受性材料を除去すること、および 前記金属層の残りの部分を除去することを含む方法。 ５３．前記金属層を除去することが、酸エッチングによる、請求項５１または５ ２に記載の方法。 ５４．エネルギー感受性剤を有する導電性ポリマー材料の層を有する基板を準備 すること、 前記導電性ポリマーをエネルギーのパターンに露出させて、前記導電性ポリマ ーの露出領域および非露出領域を得ること、および 前記露出領域および非露出領域のどちらか一方の前記導電性ポリマーを除去し て、前記基板上に前記導電性ポリマーのパターンを形成することを含む方法。 ５５．前記導電性ポリマーの除去が化学的洗浄によって行われる、請求項５４に 記載の方法。 ５６．前記エネルギー感受性剤が前記導電性ポリマーの構成成分である、請求項 ５４に記載の方法。 ５７．前記エネルギー感受性剤が導電性ポリマーへの添加剤である、請求項５４ に記載の方法。 ５８．前記導電性ポリマーの除去が反応性イオン・エッチングによって行われる 、請求項５０、５１、５２、または５４のいずれか１つに記載の方法。 ５９．前記エネルギーが、電磁放射線、熱線、および粒子ビームからなる群から 選択される、請求項５０、５２、または５４のいずれか１つに記載の方法。 ６０．前記導電性ポリマーが、１種または複数の置換および非置換ポリパラフェ ニレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチ オフェン、ポリアジン、ポリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリ− ｐ−フェニレンスルフィド、ポリアセチレン、それらの組合せ、それらと他のポ リマーの混合物、およびそれらのモノマーのコポリマーからなる群から選択され る、請求項５０ないし５９のいずれか１つに記載の方法。 ６１．導電性ポリマーと半導体の間にオーム接点を備える構造。 ６２．非ポリマー電気導体と導電性ポリマーの間に低接触抵抗の電気接合を備え る構造。 ６３．ソース領域、ドレイン領域、およびゲート領域を有する電界効果トランジ スタを準備すること、および ソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極を形成することを含み、 前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記ゲート電極の少なくとも１つ が、導電性ポリマーをパターン化することによって形成される方法。 ６４．ソース領域、ドレイン領域、およびゲート領域を有する電界効果トランジ スタと、 ソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極を備え、 前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記ゲート電極の少なくとも１つ がパターン付き導電性ポリマーである構造。 ６５．エミッタ領域、ベース領域、およびコレクタ領域を有するバイポーラ・ト ランジスタを準備すること、および エミッタ電極、ベース電極、およびコレクタ電極を形成することを含み、 前記エミッタ電極、前記ベース電極、および前記コレクタ電極の少なくとも１ つが、導電性ポリマーをパターン化することによって形成され る方法。 ６６．エミッタ領域、ベース領域、およびコレクタ領域を有するバイポーラ・ト ランジスタと、 エミッタ電極、ベース電極、およびコレクタ電極とを備え、 前記エミッタ電極、前記ベース電極、および前記コレクタ電極の少なくとも１ つがパターン付き導電性ポリマーである構造。 ６７．エレクトロルミネッセント領域、アノード領域、およびカソード領域を有 する発光ダイオードを準備すること、および アノード電極とカソード電極を形成することを含み、 前記アノード電極と前記カソード電極の少なくとも一方が、導電性ポリマー層 をパターン化することによって形成される方法。 ６８．エレクトロルミネッセント領域、アノード領域およびカソード領域を有す る発光ダイオードを準備すること、および アノード電極とカソード電極を形成することを含み、 前記アノード領域と前記カソード領域の少なくとも一方が、導電性ポリマーか ら形成される方法。 ６９．前記アノード領域と前記カソード領域の少なくとも一方が、前記導電性ポ リマーをパターン化することによって形成される、請求項６８に記載の方法。 ７０．パターン付き導電性ポリマーを備える、発光ダイオード構造。 ７１．電気的アクティブ領域を有する電子デバイスを準備すること、および 導電性ポリマーをパターン化することによって前記電気的アクティブ領域への 電気接点を形成することを含む方法。 ７２．非誘電材料の表面と、 前記非誘電材料の表面上に配設された第１の表面と、第２の表面とを 有し、緑部を有する誘電材料の層と、 前記第２の表面上に、前記緑部を覆って前記非誘電材料の表面上まで配設され た導電性ポリマーの層とを備える構造。 ７３．第１面と第２面を有する半導体層と、 前記第１面上の誘電層と、 前記誘電層上の第１のパターン付き導電層と、 前記第２面上の第２のパターン付き導電層とを備え、 前記第１および前記第２のパターン付き導電層の少なくとも１つが導電性ポリ マーである構造。 ７４．第１面と第２面を有する絶縁層と、 前記絶縁層の前記第１面上に配設されたゲートと、 前記第２面上に配設されたパターン付きソース電極およびパターン付きドレイ ン電極と、 前記第２面上に前記パターン付きソース電極および前記パターン付きドレイン 電極を覆って配設された半導体層とを備え、 前記パターン付きゲート、前記パターン付きソース電極、および前記パターン 付きドレイン電極の少なくとも１つが導電性ポリマーである構造。 ７５．有機半導体と無機半導体からなる群から選択された半導体層と、 前記半導体層上に配設されたパターン付き導電性ポリマー層とを備える構造。 ７６．半導体層と、 前記半導体層上に配設された誘電層と、 第１の領域で前記半導体層を露出させる、前記誘電層中の第１の開口と、 第２の領域で前記半導体層を露出させる、前記誘電層中の第２の開口 と、 前記第１領域と電気的に接触して配設された電気導体の第１のパターンと、 前記第２領域と電気的に接触して配設された電気導体の第２のパターンと、 前記第１と第２のパターンの間の前記導電層上に配設された電気導体の第３の パターンとを備え、 電気導体の前記第１、前記第２、および前記第３のパターンの少なくとも１つ がパターン付き導電性ポリマーである構造。 ７７．エレクトロルミネッセント領域と、 正孔注入領域と、 電子注入領域と、 アノード接点と、 カソード接点とを備え、 前記正孔注入領域と前記電子注入領域の少なくとも一方が導電性ポリマーであ る構造。[Procedure amendment] [Submission date] May 10, 1999 (1999.10.10) [Correction contents]                         The scope of the claims 1. An electronic device having an electronically active portion having a surface,   The surface has a dielectric layer having an opening therein exposing the electronically active portion; ,   The opening has a perimeter,   Further comprising a layer of a conductive polymer disposed on the dielectric layer,   A layer of the conductive polymer is disposed on the dielectric layer and, via the opening, A structure overlapping the periphery and contacting the electronically active portion. 2. The structure of claim 1, wherein the conductive polymer layer is patterned. 3. The electronic device is a liquid crystal device, a transistor device, a light emitting device. The structure of claim 1, wherein the structure is selected from the group consisting of 4. Surface and   A layer of a conductive polymer disposed as a pattern on the surface,   At least a portion of the conductive polymer layer is in electrical contact with the surface;   A structure in which another portion of the conductive polymer layer does not make electrical contact with the surface. 5. Further comprising a dielectric material disposed between said other portion and said surface. 4. The structure according to 4. 6. The surface is selected from the group consisting of electrical conductors and semiconductors. 4. The structure according to 4. 7. A conductive surface having a periphery,   A layer of a conductive polymer having a peripheral portion,   The green portion of the conductive surface is aligned with the green portion of the conductive polymer layer. Structure with no areas. 8. A first substrate;   A second substrate;   A liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate;   A conductive substrate on which at least one of the first substrate and the second substrate is disposed A liquid crystal display having a conductive polymer and providing a means for applying a potential across the liquid crystal layer. Indicating device structure. 9. The first substrate having a first conductive polymer layer disposed thereon; 9. The method of claim 8, wherein the second substrate has a second conductive polymer layer disposed thereon. The described structure. 10. The first conductive polymer layer is a continuous coating, and the second conductive polymer is 10. The structure of claim 9, wherein the layer is patterned. 11. 9. The structure of claim 8, wherein said conductive polymer layer is a continuous coating. 12. 9. The structure of claim 8, wherein said conductive polymer is patterned. 13. The conductive polymer having one of the first and second substrates disposed thereon; , And the other of the first and second substrates has an ITO layer thereon. A structure according to claim 8. 14． 9. The structure of claim 8, wherein said structure is a light transmissive structure. 15. 9. The structure of claim 8, wherein said structure is a light reflective structure. 16. One of the substrates transmits electromagnetic radiation and the other of the substrates transmits electromagnetic radiation. 9. The structure according to claim 8, wherein the structure reflects rays. 17． Wherein the substrate reflecting electromagnetic radiation further comprises a circuit pattern thereon. The structure according to claim 16. 18. 18. The method of claim 17, wherein the circuit pattern comprises a patterned conductive polymer. The described structure. 19. At least one polarizing layer and at least one liquid crystal in contact with the liquid crystal layer 9. The structure of claim 8, further comprising a matching layer. 20. Whether the first substrate and the second substrate are glass, semiconductor, ceramic 9. The structure of claim 8, wherein the structure is formed of a material selected from the group consisting of: 21. The first substrate is glass, and the second substrate is a semiconductor. 8. The structure according to 8. 22. 9. The structure of claim 8, wherein said conductive polymer is transparent. 23. A liquid crystal display device structure comprising a patterned conductive polymer. 24. A first conductive layer on the first surface having opposing first and second surfaces; A first substrate provided,   A first matching layer disposed on the first conductive layer;   It has opposing first and second surfaces, and a second conductive layer is disposed on the first surface. A second substrate provided;   A second matching layer disposed on the second conductive layer;   A first polarizer layer disposed on the second surface of the first substrate;   A second polarizer layer disposed on the second surface of the second substrate,   The first substrate is arranged such that the first matching layer faces the second matching layer. Disposed adjacent to the second substrate,   Further, between the first and second substrates, a seal spacer and the first A cavity forming a cavity between the substrate and the second substrate and the seal spacer. Tool and spacer,   The cavity is filled with a liquid crystal material,   A structure in which at least one of the first and second conductive layers is a conductive polymer layer. 25. A semiconductor substrate having a first surface and a second surface;   A reflective layer on at least a portion of the first surface;   A transparent substrate disposed at an interval with respect to the semiconductor substrate,   A liquid crystal material disposed between the semiconductor and the transparent substrate;   A conductive polymer disposed on at least one of the transparent substrate and the semiconductor substrate; And a liquid crystal display device structure. 26. Board and   A patterned gate formed from a patterned conductive material disposed on the substrate; And   An insulating layer disposed on the patterned gate;   A patterned source electrode disposed on the insulating layer,   Comprising a patterned drain electrode disposed on the insulating layer,   The patterned source electrode, the patterned drain electrode, and the pattern At least one of the attached gates is formed from a conductive polymer;   Further between and before the patterned source and the patterned drain. A structure comprising a semiconductor material disposed on the green layer. 27. A conductive substrate that is a gate electrode;   An insulating layer disposed on the substrate,   A patterned source electrode disposed on the insulating layer,   Comprising a patterned drain electrode disposed on the insulating layer,   At least one of the source electrode and the drain electrode is a conductive polymer. Formed from   Further, between the patterned source and the patterned drain, and A structure comprising a semiconductor material disposed on the gate. 28. The substrate is selected from the group consisting of silicon, germanium, and gallium arsenide 28. The structure of claim 27, wherein the structure is formed of a fabricated material. 29. Board and   A patterned gate of a conductive material disposed on the substrate,   An insulating layer disposed on the patterned gate;   A semiconductor layer disposed on the insulating layer;   A patterned source disposed on the semiconductor layer,   And a patterned drain disposed on the semiconductor layer,   The patterned gate, the patterned source, and the patterned A structure in which at least one of the drains is a conductive polymer. 30. The semiconductor layer is made of Si, Ge, Ga, As and a combination thereof. 30. The structure of claim 29, wherein the structure is selected from a group. 31. A conductive substrate that is a gate electrode;   An insulating layer disposed on the gate,   A semiconductor layer disposed on the insulating layer;   A patterned source disposed on the semiconductor layer,   And a patterned drain disposed on the semiconductor layer,   The gate, the patterned source, and the patterned drain; A structure in which at least one is a conductive polymer. 32. An insulating layer having a first surface and a second surface;   A gate disposed on the first surface of the insulating layer;   A semiconductor layer disposed on the second surface;   A patterned source electrode disposed in electrical contact with the semiconductor layer When,   Comprising a patterned drain electrode disposed in contact with the semiconductor layer,   The patterned gate, the patterned source, and the patterned A structure in which at least one of the drains is a conductive polymer. 33. Wherein the semiconductor material is selected from the group consisting of organic and inorganic materials. The structure according to any one of items 26, 27, 29, 31, or 32. 34. A semiconductor layer selected from the group consisting of organic and inorganic semiconductors,   Comprising a patterned conductive polymer layer disposed on the semiconductor layer,   The patterned conductive polymer layer forms an ohmic contact to the semiconductor layer Structure. 35. An electroluminescent region,   An anode,   With a cathode,   A structure in which at least one of the anode and the cathode is a conductive polymer. 36. The conductive polymer is selected from the group consisting of a hole injection material and an electron injection material. 36. The structure of claim 35, wherein: 37. 36. The structure of claim 35, wherein said conductive polymer is patterned. 38. 36. The structure of claim 35, wherein said anode is a transparent conductor. 39. 39. The structure of claim 38, wherein said conductor is indium tin oxide. 40. The electroluminescent region is a single organic electroluminescent element; 36. The structure of claim 35, comprising a layer. 41. The electroluminescent region comprises at least one electroluminescent region. It consists of a stack of organic layers, including the nesting region and the electron transfer layer, with a thin metal layer 36. The structure of claim 35, wherein the structure is in direct contact with the child transfer layer. 42. The structure of claim 35, further comprising a transparent substrate. 43. The material of the substrate comprises glass, plastic, and silicon 43. The structure of claim 42, wherein the structure is selected from a group. 44. 43. The structure of claim 42, wherein said substrate is flexible. 45. An electroluminescent region,   A hole injection region,   An electron injection region;   A conductor for making electrical contact with at least one of the hole injection region and the electron injection region. A structure comprising an electrically conductive polymer. 46. A substrate, an anode structure, an electroluminescent region, and a cathode structure. And electrically coupled to at least one of the anode region and the cathode region. With a patterned conductive polymer covered with a protective layer that is resistant to abrasion and scratching. Organic light emitting diode structure provided. 47. Whether the electroluminescent region is a group consisting of an organic material and an inorganic material 47. Any one of claims 35, 45, or 46 formed of a material selected from Structure described in. 48. The conductive material comprises one or more substituted and unsubstituted polyparaphenylenes; Nvinylene, polyparaphenylene, polyaniline, polythiophene, polyazine , Polyfuran, polypyrrole, polyselenophene, poly-p-phenylenesulf And polyacetylenes, combinations thereof, mixtures of them with other polymers, and And a copolymer of their monomers. 7. The structure according to any one of the above items 7. 49. An array comprising a plurality of organic light emitting diodes having the structure of claim 35. 50. Providing a substrate having a layer of a conductive polymer;   Disposing a layer of energy sensitive material on the conductive polymer layer;   Exposing the energy sensitive material to a pattern of energy Forming a pattern in the energy sensitive material layer;   Developing the pattern to form a pattern in the energy sensitive material layer; Obtaining exposed and unexposed areas of the conductive polymer,   Removing the conductive polymer in the exposed areas; and   The energy sensitive material is removed and the conductive polymer pattern is deposited on the substrate. A method that involves leaving a turn. 51. Providing a substrate having a layer of a conductive polymer;   A pattern of a metal layer is attached via a metal mask, and the pattern is formed on the conductive polymer layer. Forming a metal layer with a turn, covered with the metal pattern of the conductive polymer; Forming exposed and exposed areas,   Removing the conductive polymer in the exposed areas; and   A method comprising removing the metal layer. 52. Providing a substrate having a layer of a conductive polymer;   Disposing a metal layer on the conductive polymer layer,   Disposing an energy sensitive material on the metal layer;   Exposing the energy sensitive material in a pattern of energy;   Developing the pattern to form a pattern in the energy sensitive material; Obtaining exposed and unexposed areas of the metal layer;   The exposed area of the conductive polymer is removed by removing the metal layer in the exposed area. Getting out area,   Removing the energy sensitive material; and   A method comprising removing a remaining portion of said metal layer. 53. The removal of the metal layer is by acid etching. 3. The method according to 2. 54. Providing a substrate having a layer of a conductive polymer material having an energy sensitive agent To do,   Exposing the conductive polymer to a pattern of energy to form the conductive polymer; Obtaining exposed and unexposed areas of the   Removing the conductive polymer in one of the exposed region and the non-exposed region And forming a pattern of the conductive polymer on the substrate. 55. 55. The method according to claim 54, wherein the removal of the conductive polymer is performed by chemical cleaning. The described method. 56. The energy sensitive agent is a component of the conductive polymer. 54. The method according to 54. 57. 55. The energy sensitive agent is an additive to a conductive polymer. The method described in. 58. Removal of the conductive polymer is performed by reactive ion etching A method according to any one of claims 50, 51, 52, or 54. 59. Said energy is from the group consisting of electromagnetic radiation, heat rays, and particle beams 55. The method according to any one of claims 50, 52, or 54, which is selected. 60. The conductive polymer comprises one or more substituted and unsubstituted polyparaffins. Nylene vinylene, polyparaphenylene, polyaniline, polythiene Ofen, polyazine, polyfuran, polypyrrole, polyselenophene, poly- p-phenylene sulfide, polyacetylene, combinations thereof, Selected from the group consisting of mixtures of limers, and copolymers of their monomers 60. The method according to any one of claims 50 to 59, wherein 61. A structure with an ohmic contact between a conductive polymer and a semiconductor. 62. Provides low contact resistance electrical bonding between non-polymer electrical conductor and conductive polymer Structure. 63. Field effect transistor having source, drain and gate regions Preparing the star, and   Including forming a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode,   At least one of the source electrode, the drain electrode, and the gate electrode Is formed by patterning a conductive polymer. 64. Field effect transistor having source, drain and gate regions And   Including a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode,   At least one of the source electrode, the drain electrode, and the gate electrode Is a patterned conductive polymer. 65. Bipolar transistor with emitter, base and collector regions Preparing the transistor, and   Including forming an emitter electrode, a base electrode, and a collector electrode,   At least one of the emitter electrode, the base electrode, and the collector electrode One is formed by patterning the conductive polymer Way. 66. Bipolar transistor with emitter, base and collector regions With a transistor,   Comprising an emitter electrode, a base electrode, and a collector electrode,   At least one of the emitter electrode, the base electrode, and the collector electrode One is a patterned conductive polymer. 67. It has an electroluminescent region, an anode region, and a cathode region. Preparing a light emitting diode to perform; and   Including forming an anode electrode and a cathode electrode,   At least one of the anode electrode and the cathode electrode is a conductive polymer layer Formed by patterning. 68. Has an electroluminescent region, an anode region and a cathode region Providing a light emitting diode, and   Including forming an anode electrode and a cathode electrode,   At least one of the anode region and the cathode region is a conductive polymer Method formed from. 69. At least one of the anode region and the cathode region is the conductive region. 70. The method of claim 68, formed by patterning the rimer. 70. A light emitting diode structure comprising a patterned conductive polymer. 71. Providing an electronic device having an electrically active area; and   Patterning the conductive polymer to the electrically active area A method comprising forming an electrical contact. 72. A surface of non-dielectric material;   A first surface disposed on a surface of the non-dielectric material and a second surface; A layer of a dielectric material having a green portion;   On the second surface, the green portion is disposed to extend over the surface of the non-dielectric material. A conductive polymer layer. 73. A semiconductor layer having a first surface and a second surface;   A dielectric layer on the first surface;   A first patterned conductive layer on the dielectric layer;   A second patterned conductive layer on the second surface,   At least one of the first and second patterned conductive layers is made of conductive poly. A structure that is a mer. 74. An insulating layer having a first surface and a second surface;   A gate disposed on the first surface of the insulating layer;   A patterned source electrode and a patterned drain disposed on the second surface Electrodes and   The patterned source electrode and the patterned drain on the second surface A semiconductor layer disposed over the electrode,   The patterned gate, the patterned source electrode, and the pattern A structure in which at least one of the drain electrodes is a conductive polymer. 75. A semiconductor layer selected from the group consisting of organic semiconductors and inorganic semiconductors,   A patterned conductive polymer layer disposed on the semiconductor layer. 76. A semiconductor layer;   A dielectric layer disposed on the semiconductor layer;   A first opening in the dielectric layer exposing the semiconductor layer in a first region;   A second opening in the dielectric layer exposing the semiconductor layer in a second region When,   A first pattern of an electrical conductor disposed in electrical contact with the first region;   A second pattern of electrical conductors disposed in electrical contact with the second region;   A third of an electrical conductor disposed on the conductive layer between the first and second patterns; With a pattern,   At least one of the first, second and third patterns of electrical conductors Is a patterned conductive polymer. 77. An electroluminescent region,   A hole injection region,   An electron injection region;   An anode contact;   With a cathode contact,   At least one of the hole injection region and the electron injection region is a conductive polymer. Structure.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/10 Ｈ０５Ｂ 33/26 Ａ 33/00 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１６Ｖ Ｈ０５Ｂ 33/14 ６１７Ｍ 33/26 31/10 Ｈ // Ｈ０１Ｌ 51/00 27/14 Ｂ 29/28 (31)優先権主張番号 ６０／０４０，１３０ (32)優先日 平成９年３月７日(1997．3．7) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号 ６０／０４０，１３１ (32)優先日 平成９年３月７日(1997．3．7) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号 ６０／０４０，１３２ (32)優先日 平成９年３月７日(1997．3．7) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号 ６０／０４０，１５９ (32)優先日 平成９年３月７日(1997．3．7) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号 ６０／０４０，３３５ (32)優先日 平成９年３月７日(1997．3．7) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (31)優先権主張番号 ６０／０４０，６２８ (32)優先日 平成９年３月７日(1997．3．7) (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，Ｌ Ｕ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＣＮ，ＪＰ，ＫＲ，Ｓ Ｇ，ＵＳ (72)発明者 ファーマン、ブルース、ケニス アメリカ合衆国ニューヨーク州ビーコン、 グリーンウッド・ドライブ 66 (72)発明者 グラハム、テレシタ、オルドネース アメリカ合衆国ニューヨーク州アーヴィン トン、センター・ストリート ４ (72)発明者 リン、シュイ チイ、アラン アメリカ合衆国ニューヨーク州ブライアー クリフ・マナー、ピー・ポンド・レーン 19──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 31/10 H05B 33/26 A 33/00 H01L 29/78 616V H05B 33/14 617M 33/26 31 / 10 H // H01L 51/00 27/14 B 29/28 (31) Priority claim number 60 / 040,130 (32) Priority date March 7, 1997 (1997.3.7) (33) Priority Claiming country United States (US) (31) Priority claim number 60 / 040,131 (32) Priority date March 7, 1997 (1997.3.7) (33) Priority claiming country United States (US) ( 31) Priority claim number 60/040, 132 (32) Priority date March 7, 1997 (1997.3.7) (33) Priority claim country United States (US) (31) Priority claim number 60 / 040, 159 (32) Priority date March 7, 1997 (1997.3.7) (33) Priority date Claiming country United States (US) (31) Priority claim number 60 / 040,335 (32) Priority date March 7, 1997 (1997.3.7) (33) Priority claiming country United States (US) (31) ) Priority claim number 60 / 040,628 (32) Priority date March 7, 1997 (1997.3.7) (33) Priority claim country United States (US) (81) Designated country EP (AT, BE) , CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE), CN, JP, KR, SG, US (72) Inventor Furman, Bruce, Kennis Beacon, New York, USA Greenwood Drive 66 (72) Inventor Graham, Teresita, Ordonnaise Center Street, Irvineton, New York, United States 4 (72) Inventor Lin, Shuy Chi, Alan Briar Cliff, New York, United States Ma Gnar, Pea Pond Lane 19

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １．表面を有する電子的能動部分を有する電子デバイスを備え、 前記表面が前記電子的能動部分を露出する開口をその中に有する誘電層を有し 、 前記開口が周囲を有し、 さらに、前記誘電層上に配設された導電性ポリマーの層を備え、 前記導電性ポリマーの層が前記誘電層上に配設されて、前記開口を介して、前 記周囲と重なり合って、前記電子的能動部分と接触する構造。 ２．前記電子デバイスが、前記誘電層中に複数の電子的アクティブ領域を露出す る複数の開口を有し、前記導電性ポリマーが前記複数の電子的アクティブ領域と 電気的に接触し、前記導電性ポリマーが前記接点を前記露出された複数の電子的 アクティブ領域に接合する部分を有する、請求項１に記載の構造。 ３．前記導電性ポリマーの層がパターン化されている、請求項１に記載の構造。 ４．前記導電性材料が、１種または複数の置換および非置換ポリパラフェニレン ビニレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリアジン、 ポリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリ−ｐ−フェニレンスルフィ ド、ポリアセチレン、それらの組合せ、それらと他のポリマーの混合物、および それらのモノマーのコポリマーからなる群から選択される、請求項１に記載の構 造。 ５．表面と、 前記表面上にパターンとして配設された導電性ポリマーの層とを備え、 前記導電性ポリマー層の少なくとも一部分が前記表面と電気的に接触し、 前記導電性ポリマー層の他の部分が前記表面と電気的に接触しない構造。 ６．前記他の部分と前記゛表面との間に配設された誘電材料をさらに含む、請求 項５に記載の構造。 ７．前記表面が、電気導体と半導体からなる群から選択される、請求項５に記載 の構造。 ８．前記半導体が、有機材料と無機材料からなる群から選択された材料で形成さ れる、請求項７に記載の構造。 ９．前記電気導体が、金属とポリマーからなる群から選択された材料で形成され る、請求項７に記載の構造。 １０．前記電子デバイスが、液晶デバイス、トランジスタ・デバイス、発光デバ イスおよび吸光デバイスからなる群から選択される、請求項１に記載の構造。 １１．前記トランジスタが、バイポーラ・トランジスタと電界効果トランジスタ からなる群から選択される、請求項１０に記載の構造。 １２．前記発光デバイスが発光ダイオードである、請求項１０に記載の構造。 １３．前記吸光デバイスが電荷結合デバイスである、請求項１０に記載の構造。 １４．周縁部を有する導電性表面と、 周縁部を有する導電性ポリマーの層とを備え、 前記導電性表面の前記周縁部が、前記導電性ポリマー層の前記周縁部と整列し ない領域を有する、構造。 １５．第１の基板と、 ２の基板と、 前記第１の基板と前記第２の基板の間に配設された液晶層とを備え、 前記第１の基板と前記第２の基板の少なくとも一方がその上に配設された導電 性ポリマーを有し、前記液晶層を横切る電位を印加する手段を提供する、液晶表 示装置構造。 １６．前記導電性材料が、１種または複数の置換および非置換のポリパラフェニ レンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリアジ ン、ポリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリ−ｐ−フェニレンスル フィド、ポリアセチレン、それらの組合せ、それらと他のポリマーの混合物、お よびそれらのモノマーのコポリマーからなる群から選択される、請求項１５に記 載の構造。 １７．前記第１の基板がその上に配設された第１の導電性ポリマー層を有し、前 記第２の基板がその上に配設された第２ の導電性ポリマー層を有する、請求項１５に記載の構造。 １８．前記導電性ポリマー層が連続被膜である、請求項１５に記載の構造。 １９．前記導電性ポリマーがパターン付きである、請求項１５に記載の構造。 ２０．前記第１の導電性ポリマー層が連続被覆であり、前記第２の導電性ポリマ ー層がパターン付きである、請求項１７に記載の構造。 ２１．前記第１と第２の基板の一方がその上に配設された前記導電性ポリマーを 有し、前記第１と第２の基板の他方がその上にＩＴＯ層を有する、請求項１５に 記載の構造。 ２２．前記導電性ポリマーがドーパントを含む、請求項１５に記載の構造。 ２３．前記構造が透過性構造である、請求項１５に記載の構造。 ２４．前記構造が反射性構造である、請求項１５に記載の構造。 ２５．少なくとも１つの偏光層と、前記液晶層と接触する少なくとも１つの液晶 整合層とをさらに含む、請求項１５に記載の構造。 ２６．前記第１の基板と前記第２の基板が共に電磁放射線を透過する、請求項２ ３に記載の構造。 ２７．前記基板の一方が電磁放射線を透過し、前記基板の他方が電磁放射線を反 射する、請求項１５に記載の構造。 ２８．前記第１の基板および前記第２の基板が、ガラス、半導体、ヤラミックか らなる群から選択された材料で形成される、請求項１５に記載の構造。 ２９．前記第１の基板がガラスであり、前記第２の基板が半導体である、請求項 １５に記載の構造。 ３０．前記導電性ポリマーが透明である、請求項１５に記載の構造。 ３１．前記反射性基板がさらにその上に回路パターンを含む、請求項２７に記載 の構造。 ３２．前記回路パターンが、パターン付き導電性ポリマーを含む、請求項３１に 記載の構造。 ３３．パターン付き導電性ポリマーを備える液晶表示装置デバイス。 ３４．対向する第１と第２の表面を有し、その前記第１表面上に第１の導電層が 配設された第１の基板と、 前記第１の導電層上に配設された第１の整合層と、 対向する第１と第２の表面を有し、その前記第１表面上に第２の導電性層が配 設された第２の基板と、 前記第２の導電層上に配設された第２の整合層と、 前記第１の基板の前記第２表面上に配設された第１の偏光子層と、 前記第２の基板の前記第２表面上に配設された第２の偏光子層とを備え、 前記第１の基板が、前記第１整合層が前記第２整合層と対 面するように前記第２の基板に隣接して配設され、 さらに、前記第１と第２の基板の間にあって、シール・スペーサと前記第１の 基板との間および前記第２の基板とシール・スペーサとの間に空洞を形成するシ ール・スペーサを備え、 前記空洞が液晶材料で充填され、 前記第１と第２の導電層の少なくとも一方が導電性ボリマー層である構造。 ３５．導電性材料が、１種または複数の置換および非置換のポリパラフェニレン ビニレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリアジン、 ボリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリ−ｐ−フェニレンスルフィ ド、ポリアセチレン、それらの組合せ、それらと他のポリマーの混合物、および それらのモノマーのコポリマーからなる群から選択される、請求項１２に記載の 液晶表示装置構造。 ３６．第１の表面と第２の表面を有する半導体基板と、 前記第１表面の少なくとも一部分上の反射層と、 前記半導体基板に対して間隔を置いて配設された透明な基板と、 前記半導体と前記透明基板の間に配設された液晶材料と、 前記透明基板と前記半導体基板の少なくとも一方上に配設された導電性ポリマ ー層とを備える、液晶表示装置構造。 ３７．前記導電材料が、１種または複数の置換および非置換のポリパラフェニレ ンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリ アニリン、ポリチオフェン、ポリアジン、ポリフラン、ポリピロール、ポリセレ ノフェン、ポリ−ｐ−フェニレンスルフィド、ポリアセチレン、それらの組合せ 、それらと他のポリマーの混合物、およびそれらのモノマーのコポリマーからな る群から選択される、請求項３６に記載の構造。 ３８．基板と、 前記基板上に配設されたパターン付き導電材料から形成されたパターン付きゲ ートと、 前記パターン付きゲート上に配設された絶縁層と、 前記絶縁層上に配設されたパターン付きソース電極と、 前記絶縁層上に配設されたパターン付きドレイン電極とを備え、 前記パターン付きソース電極と前記パターン付きドレイン電極と前記パターン 付きゲートの少なくとも１つが導電性ポリマーから形成され、 さらに前記パターン付きソースと前記パターン付きドレインとの間、および前 記絶縁層上に配設された半導体材料を備える構造。 ３９．前記導電性ポリマーが、１種または複数の置換および非置換ポリパラフェ ニレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリア ジン、ポリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリ−ｐ−フェニレンス ルフィド、ポリアセチレン、それらの組合せ、それらと他のポリマーの混合物、 およびそれらのモノマーのコポリマーか らなる群から選択される、請求項３８に記載の構造。 ４０．前記半導体材料が、有機材料と無機材料からなる群から選択される、請求 項３８に記載の構造。 ４１．ゲート電極である導電性基板と、 前記基板上に配設された絶縁層と、 前記絶縁層上に配設されたパターン付きソース電極と、 前記絶縁層上に配設されたパターン付きドレイン電極とを備え、 前記ソース電極と前記ドレイン電極の少なくとも一方が導電性ポリマーから形 成され、 さらに、前記パターン付きソースと前記パターン付きドレインとの間、および 前記ゲート上に配設された半導体材料を備える構造。 ４２．前記導電性ポリマーが、１種または複数の置換および非置換ポリパラフェ ニレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリア ジン、ポリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリ−ｐ−フェニレンス ルフィド、ポリアヤチレン、それらの組合せ、それらと他のポリマーの混合物、 およびそれらのモノマーのコポリマーから選択される、請求項４１に記載の構造 。 ４３．前記半導体材料が、有機材料と無機材料からなる群から選択される、請求 項４１に記載の構造。 ４４．前記基板が、シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素からなる群から選択 された材料で形成される、請求項４１に 記載の構造。 ４５．基板と、 前記基板上に配設された導電性材料のパターン付きゲートと、 前記パターン付きゲート上に配設された絶縁層と、 前記絶縁層上に配設された半導体層と、 前記半導体層上に配設されたパターン付きソースと、 前記半導体層上に配設されたパターン付きドレインとを備え、 前記パターン付きゲート、前記パターン付きソース、および前記パターン付き ドレインの少なくとも１つが導電性ポリマーである構造。 ４６．前記導電性ポリマーが、１種または複数の置換および非置換のポリパラフ ェニレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリ アジン、ポリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリ−ｐ−フェニレン スルフィド、ポリアセチレン、それらの組合せ、それらと他のポリマーの混合物 、およびそれらのモノマーのコポリマーからなる群から選択される、請求項４５ に記載の構造。 ４７．前記半導体材料が、有機材料と無機材料からなる群から選択される、請求 項４５に記載の構造。 ４８．前記半導体層が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ａｓおよびそれらの組合せからなる 群から選択される、請求項４７に記載の構造。 ４９．ゲート電極である導電性基板と、 前記ゲート上に配設された絶縁層と、 前記絶縁層上に配設された半導体層と、 前記半導体層上に配設されたパターン付きソースと、 前記半導体層上に配設されたパターン付きドレインとを備え、 前記ゲート、前記パターン付きソース、および前記パターン付きドレインの少 なくとも１つが導電性ポリマーである構造。 ５０．前記導電性ポリマーが、１種または複数の置換および非置換ポリパラフェ ニレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリア ジン、ポリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリ−ｐ−フェニレンス ルフィド、ポリアセチレン、それらの組合せ、それらと他のポリマーの混合物、 およびそれらのモノマーのコポリマーからなる群から選択される、請求項４９に 記載の構造。 ５１．前記半導体材料が、有機材料と無機材料からなる群から選択される、請求 項４９に記載の構造。 ５２．第１の面と第２の面を有する絶縁層と、 前記絶縁層の前記第１面に配設されたゲートと、 前記第２面に配設された半導体層と、 前記半導体層と電気的に接触して配設されたパターン付きソース電極と、 前記半導体層と接触して配設されたパターン付きドレイン 電極とを備え、 前記パターン付きゲート、前記パターン付きソース、および前記パターン付き ドレインの少なくとも１つが導電性ポリマーである構造。 ５３．前記導電性ポリマーが、１種または複数の置換および非置換のポリパラフ ェニレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリ アジン、ポリフラン、ポリピロール、ボリセレノフェン、ポリ−ｐ−フェニレン スルフィド、ポリアセチレン、それらの組合せ、それらと他のポリマーの混合物 、およびそれらのモノマーのコポリマーからなる群から選択される、請求項５２ に記載の構造。 ５４．前記半導体材料が、有機材料と無機材料からなる群から選択される、請求 項５３に記載の構造。 ５５．有機および無機の半導体からなる群から選択された半導体層と、 前記半導体層上に配設されたパターン付き導電性ポリマー層とを備え、 前記パターン付き導電層が、前記半導体層へのオーム接点を形成する構造。 ５６．導電性ポリマーが、１種または複数の置換および非置換のポリパラフェニ レンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリアジ ン、ポリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリ−ｐ−フェニレンスル フィド、ポリアセチレン、それらの組合せ、それらと他のポ リマーの混合物、およびそれらのモノマーのコポリマーからなる群から選択され る、請求項５５に記載の構造。 ５７．エレクトロルミネッセント領域と、 アノードと、 カソードとを備え、 前記アノードと前記カソードの少なくとも一方が導電性ポリマーである構造。 ５８．前記導電性ポリマーが、正孔注入材料と電子注入材料からなる群から選択 される、請求項５７に記載の構造。 ５９．前記導電性ポリマーがパターン付きである、請求項５８に記載の構造。 ６０．エレクトロルミネッセント領域と、 正孔注入領域と、 電子注入領域と、 前記正孔注入領域と前記電子注入領域の少なくとも一方と電気的接触を行う導 電性ポリマーとを備える構造。 ６１．基板と、アノード構造と、エレクトロルミネッセント領域と、カソード構 造と、前記アノード領域と前記カソード領域の少なくとも一方に電気的に結合さ れ、摩耗および引掻きに強い導電性ポリマーの保護層で覆われたパターン付き導 電性ポリマーとを備える有機発光ダイオード。 ６２．前記エレクトロルミネッセント領域が、有機材料と無機材料からなる群か ら選択された材料で形成される請求項５７に記載の構造。 ６３．導電性ポリマーが、１種または複数の置換および非置換のポリパラフェニ レンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリアジ ン、ポリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリ−ｐ−フェニレンスル フィド、ポリアヤチレン、それらの組合せ、それらと他のポリマーの混合物、お よびそれらのモノマーのコポリマーからなる群から選択される、請求項５７に記 載のダイオード。 ６４．前記エレクトロルミネッセント領域が、有機材料と無機材料からなる群か ら選択された材料で形成される、請求項６０に記載のダイオード。 ６５．前記エレクトロルミネッセント領域が、有機材料と無機材料からなる群か ら選択された材料で形成される、請求項６１に記載のダイオード。 ６６．パターン付き導電性ポリマーを備える、発光ダイオード。 ６７．酸化インジウムスズをさらに含む、請求項５７に記載のダイオード。 ６８．前記アノードが透明導体である、請求項５７に記載のダイオード。 ６９．前記導体が酸化インジウムスズである、請求項５７に記載のダイオード。 ７０．前記エレクトロルミネッセント領域が単一の有機エレクトロルミネッセン ト層を含む、請求項５７に記載のダイオード。 ７１．前記エレクトロルミネッセント領域が、少なくとも１つのエレクトロルミ ネッセント領域と電子移動層を含む有機層のスタックからなり、薄い金属層が電 子移動層と直接接触する、請求項５７に記載のダイオード。 ７２．透明基板をさらに含む、請求項５７に記載のダイオード。 ７３．前記基板が半透明である、請求項７２に記載のダイオード。 ７４．前記基板が不透明である、請求項７２に記載のダイオード。 ７５．前記基板の前記材料が、ガラス、プラスチック、およびシリコンからなる 群から選択される、請求項７４に記載のダイオード。 ７６．前記基板が可撓性である、請求項７２に記載の構造。 ７７．請求項５７に記載の有機発光ダイオードを複数個含むアレイ。 ７８．電子回路を備えた単結晶基板をさらに含む、請求項７７に記載のアレイ。 ７９．前記回路が前記アレイから放出される光を制御する、請求項７８に記載の アレイ。 ８０．導電性ポリマー材料の層を有する基板を準備すること、 前記導電性ポリマー材料層上にエネルギー感受性材料の層を配設すること、 前記エネルギー感受性材料をエネルギー・パターンに露出 させて、前記エネルギー感受性材料層中にパターンを形成すること、 前記パターンを現像して前記エネルギー感受性材料層中にパターンを形成し、 前記導電性ポリマーの露出領域と非露出領域を得ること、 前記露出領域の前記導電性ポリマーを除去すること、および 前記レジストを除去して、前記基板上に前記導電性ポリマーのパターンを残す ことを含む方法。 ８１．前記導電性ポリマーが、１種または複数の置換および非置換ポリパラフェ ニレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリア ジン、ポリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリ−ｐ−フェニレンス ルフィド、ポリアセチレン、それらの組合せ、それらと他のポリマーの混合物、 およびそれらのモノマーのコポリマーからなる群から選択される、請求項８０に 記載の方法。 ８２．前記エネルギーが、電磁放射線、熱線および粒子ビームからなる群から選 択される、請求項８０に記載の方法。 ８３．前記現像が、前記レジストの前記エネルギーに露出された領域を除去する ことによって行われる、請求項８０に記載の方法。 ８４．前記現像が、前記レジストの前記エネルギーに露出されなかった領域を除 去することによって行われる、請求項８０に記載の方法。 ８５．前記除去が、化学的洗浄によって行われる、請求項８３に記載の方法。 ８６．前記除去が、化学的洗浄によって行われる、請求項８４に記載の方法。 ８７．前記除去が反応性イオン・エッチングによって行われる、請求項８０に記 載の方法。 ８８．導電性ポリマー材料の層を有する基板を準備すること、 金属マスクを介して金属層のパターンを付着して前記導電性ポリマー層上にパ ターン付き金属層を形成し、前記導電性ポリマーの、前記金属パターンで覆われ た領域と露出した領域を形成すること、 前記露出領域をエッチングして、前記露出領域を除去すること、および 前記金属を除去することを含む方法。 ８９．前記導電性ポリマーが、１種または複数の置換および非置換ポリパラフェ ニレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリア ジン、ポリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリ−ｐ−フェニレンス ルフィド、ポリアセチレン、それらの組合せ、それらと他のポリマーの混合物、 およびそれらのモノマーのコポリマーからなる群から選択される、請求項８８に 記載の方法。 ９０．前記マスクがモリブデン・マスクであり、前記金属が白金である、請求項 ８９に記載の方法。 ９１．前記エッチングが反応性イオン・エッチングである、 請求項８９に記載の方法。 ９２．前記露出領域を酸で除去する、請求項８９に記載の方法。 ９３．導電性ポリマーの層を有する基板を準備すること、 前記導電性ポリマー層上に金属層を配設すること、 前記金属層上にエネルギー感受性材料を配設すること、 前記エネルギー感受性材料を放射線のパターンで露光すること、 前記パターンを現像して前記エネルギー感受性材料中にパターンを形成し、前 記金属層の露出領域および非露出領域を得ること、 前記露出領域の前記金属層を除去して、前記導電性ポリマーの露出領域と非露 出領域を得ること、 前記導電性ポリマーの前記露出領域を除去すること、 前記エネルギー感受性材料を除去すること、および 前記金属層の残りの部分を除去することを含む方法。 ９４．前記導電性ポリマーが、１種または複数の置換および非置換ポリパラフェ ニレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリア ジン、ポリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリ−ｐ−フェニレンス ルフィド、ポリアセチレン、それらの組合せ、それらと他のポリマーの混合物、 およびそれらのモノマーのコポリマーからなる群から選択される、請求項９３に 記載の方法。 ９５．前記金属層がＡｌからなる群から選択される、請求項 ９３に記載の方法。 ９６．前記放射線が電波放射線である、請求項９３に記載の方法。 ９７．前記露出領域に前記金属層を除去することが、酸エッチングによる、請求 項９３に記載の方法。 ９８．前記露出領域の前記導電性ポリマーを前記除去することが、反応性イオン ・エッチングによる、請求項９３に記載の方法。 ９９．前記金属層の残りの部分を除去することが、酸エッチャントによる、請求 項９３に記載の方法。 １００．エネルギー感受性剤を有する導電性ポリマー材料の層を有する基板を準 備すること、 前記導電性ポリマーをエネルギーのパターンに露出させて、非露出領域のパタ ーンを形成すること、および 前記露出領域および非露出領域のどちらか一方の前記導電性ポリマーを除去し て、前記基板上に前記導電性ポリマーのパターンを形成することを含む方法。 １０１．前記導電性ポリマーが、１種または複数の置換および非置換ポリパラフ ェニレンビニレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリ アジン、ポリフラン、ポリピロール、ポリセレノフェン、ポリ−ｐ−フェニレン スルフィド、ポリアセチレン、それらの組合せ、それらと他のポリマーの混合物 、およびそれらのモノマーのコポリマーからなる群から選択される、請求項１０ ０に記載の方法。 １０２．前記エネルギーが、電磁放射線、熱線、および粒子ビームからなる群か ら選択される、請求項１００に記載の方法。 １０３．前記現像が、前記以外の前記エネルギーに露出された領域を除去するこ とによって行われる、請求項１００に記載の方法。 １０４．前記現像が、前記レジストの前記エネルギーに露出されなかった領域を 除去することによって行われる、請求項１００に記載の方法。 １０５．前記除去が化学的洗浄によって行われる、請求項１０３に記載の方法。 １０６．前記除去が化学的洗浄によって行われる、請求項１０４に記載の方法。 １０７．前記除去が反応性イオン・エッチングによって行われる、請求項１００ に記載の方法。 １０８．前記エネルギー感受性剤が前記導電性ポリマーの構成成分である、請求 項１００に記載の方法。 １０９．前記エネルギー感受性剤が導電性ポリマーへの添加剤である、請求項１ ００に記載の方法。 １１０．前記導電性ポリマーが、導電性ポリマーの前駆体とドーパントを含む、 請求項１０８に記載の方法。 １１１．前記成分が前記前駆体上にある、請求項１１０に記載の方法。 １１２．前記成分が前記ドーパント上にある、請求項１１０ に記載の方法。 １１３．導電性ポリマーと半導体の間にオーム接点を備える構造。 １１４．前記半導体が、有機半導体と電気半導体からなる群から選択される、請 求項１１３に記載の構造。 １１５．非ポリマー電気導体と導電性ポリマーの間に低接触抵抗の電気接合を備 える構造。 １１６．ソース領域、ドレイン領域、およびゲート領域を有する電界効果トラン ジスタを準備すること、および ソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極を形成することを含み、 前記ソース電極、前記ドレイン電極、および前記ゲート電極の少なくとも１つ が、導電性ポリマーをパターン化することによって形成される方法。 １１７．エミッタ領域、ベース領域、およびコレクタ領域を有するバイポーラ・ トランジスタを準備すること、および エミッタ電極、ベース電極、およびコレクタ電極を形成することを含み、 前記エミッタ電極、前記ベース電極、および前記コレクタ電極の少なくとも１ つが、導電性ポリマーをパターン化することによって形成される方法。 １１８．エミッタ領域、ベース領域、およびコレクタ領域を有するバイポーラ・ トランジスタと、 エミッタ電極、ベース電極、およびコレクタ電極とを備え、 前記エミッタ電極、前記ベース電極、および前記コレクタ電極の少なくとも１ つがパターン付き導電性ポリマーである構造。 １１９．エレクトロルミネッセント領域、アノード領域、およびカソード領域を 有する発光ダイオードを準備すること、および アノード電極とカソード電極を形成することを含み、 前記アノード電極と前記カソード電極の少なくとも一方が、導電性ポリマー層 をパターン化することによって形成される方法。 １２０．エレクトロルミネッセント領域、アノード領域およびカソード領域を有 する発光ダイオードを準備すること、および アノード電極とカソード電極を形成することを含み、 前記アノード領域と前記カソード領域の少なくとも一方が、導電性ポリマーか ら形成される方法。 １２１．前記アノード領域と前記カソード領域の前記少なくとも一方が、前記導 電性ポリマーをパターン化することによって形成される、請求項１２０に記載の 方法。 １２２．電気的アクティブ領域を有する電子デバイスを準備すること、および 導電性ポリマーをパターン化することによって前記電気的アクティブ領域への 電気接点を形成することを含む方法。 １２３．非誘電材料の表面と、 前記非誘電材料の表面上に配設された第１の表面と、第２の表面を有し、縁部 を有する誘電材料の層と、 前記第２表面上に、前記縁部を覆って前記非誘電材料の表面上まで配設された 導電性ポリマーの層とを備える構造。 １２４．第１面と第２面を有する半導体層と、 前記第１面上の誘電層と、 前記誘電層上の第１のパターン付き導電層と、 前記第２面上の第２のパターン付き導電層とを備え、 前記第１および前記第２のパターン付き導電層の少なくとも１つが導電性ポリ マーである構造。 １２５．ソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極を備え、少なくともその １つがパターン付き導電性ポリマーである、電界効果トランジスタ。 １２６．第１面と第２面を有する絶縁層と、 前記絶縁層の前記第１面上に配設されたゲートと、 前記第２面上に配設されたパターン付きソース電極およびパターン付きドレイ ン電極と、 前記第２面上に前記パターン付きソース電極および前記パターン付きドレイン 電極を覆って配設された半導体層とを備え、 前記パターン付きゲート、前記パターン付きソース、および前記パターン付き ドレインの少なくとも１つが導電性ポリマーである構造。 １２７．有機半導体と無機半導体からなる群から選択された 半導体層と、 前記半導体層上に配設されたパターン付き導電性ポリマー層とを備える構造。 １２８．半導体層と、 第１の領域で前記半導体層を露出させる、前記誘電層中の第１の開口と、 第２の領域で前記半導体層を露出させる、前記誘電層中の第２の開口と、 前記第１領域と電気的に接触して配設された電気導体の第１のパターンと、 前記第２領域と電気的に接触して配設された電気導体の第２のパターンと、 前記第１と第２のパターンの間の前記導電層上に配設された電気導体の第３の パターンとを備え、 電気導体の前記第１、前記第２、および前記第３のパターンの少なくとも１つ がパターン付き導電性ポリマーである構造。 １２９．エレクトロルミネッセント領域と、 正孔注入領域と、 電子注入領域と、 アノード接点と、 カソード接点とを備え、 前記正孔注入領域と前記電子注入領域の少なくとも一方が導電性ポリマーであ る構造。 １３０．ソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極を備え、少なくともその １つがパターン付き導電性ポリマーである、電界効果トランジスタ。 １３１．エミッタ電極、ベース電極、およびコレクタ電極を有し、少なくともそ の１つがパターン付き導電性ポリマーである、バイポーラ・トランジスタ。[Claims] 1. An electronic device having an electronically active portion having a surface,   The surface has a dielectric layer having an opening therein exposing the electronically active portion; ,   The opening has a perimeter,   Further comprising a layer of a conductive polymer disposed on the dielectric layer,   A layer of the conductive polymer is disposed on the dielectric layer and, via the opening, A structure overlapping the periphery and contacting the electronically active portion. 2. The electronic device exposes a plurality of electronically active areas in the dielectric layer A plurality of openings, wherein the conductive polymer has a plurality of electronically active regions. Electrically contacting the conductive polymer with the exposed plurality of electronic The structure of claim 1 having a portion that joins the active area. 3. The structure of claim 1, wherein the conductive polymer layer is patterned. 4. The conductive material comprises one or more substituted and unsubstituted polyparaphenylenes; Vinylene, polyparaphenylene, polyaniline, polythiophene, polyazine, Polyfuran, polypyrrole, polyselenophene, poly-p-phenylene sulfite , Polyacetylenes, combinations thereof, mixtures of them with other polymers, and The structure of claim 1, wherein the structure is selected from the group consisting of copolymers of those monomers. Build. 5. Surface and   A layer of a conductive polymer disposed as a pattern on the surface,   At least a portion of the conductive polymer layer is in electrical contact with the surface;   A structure in which another portion of the conductive polymer layer does not make electrical contact with the surface. 6. Further comprising a dielectric material disposed between said other portion and said ゛ surface. Item 6. The structure according to Item 5. 7. 6. The surface of claim 5, wherein the surface is selected from the group consisting of an electrical conductor and a semiconductor. Structure. 8. The semiconductor is formed of a material selected from the group consisting of an organic material and an inorganic material. The structure of claim 7, wherein 9. The electrical conductor is formed of a material selected from the group consisting of a metal and a polymer. The structure of claim 7, wherein: 10. The electronic device is a liquid crystal device, a transistor device, a light emitting device. The structure of claim 1, wherein the structure is selected from the group consisting of a chair and a light absorbing device. 11. The transistor is a bipolar transistor and a field effect transistor The structure of claim 10, wherein the structure is selected from the group consisting of: 12. The structure according to claim 10, wherein the light emitting device is a light emitting diode. 13. The structure of claim 10, wherein the light absorbing device is a charge coupled device. 14． A conductive surface having a periphery,   A layer of a conductive polymer having a peripheral portion,   The perimeter of the conductive surface is aligned with the perimeter of the conductive polymer layer Structure with no areas. 15. A first substrate;   Two substrates,   A liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate;   A conductive substrate on which at least one of the first substrate and the second substrate is disposed A liquid crystal display having a conductive polymer and providing a means for applying a potential across the liquid crystal layer. Indicating device structure. 16. The conductive material comprises one or more substituted and unsubstituted polyparaphenylenes; Lenvinylene, polyparaphenylene, polyaniline, polythiophene, polyazi , Polyfuran, polypyrrole, polyselenophene, poly-p-phenylenesul Sulfides, polyacetylenes, combinations thereof, mixtures of them with other polymers, 16. The method of claim 15, wherein the compound is selected from the group consisting of: On-board structure. 17． The first substrate having a first conductive polymer layer disposed thereon; The second substrate has a second substrate disposed thereon. The structure according to claim 15, comprising a conductive polymer layer. 18. 16. The structure of claim 15, wherein said conductive polymer layer is a continuous coating. 19. 16. The structure of claim 15, wherein said conductive polymer is patterned. 20. The first conductive polymer layer is a continuous coating, and the second conductive polymer is 18. The structure of claim 17, wherein the layer is patterned. 21. One of the first and second substrates has the conductive polymer disposed thereon. 16. The method of claim 15, wherein the other of the first and second substrates has an ITO layer thereon. The described structure. 22. 16. The structure of claim 15, wherein said conductive polymer comprises a dopant. 23. The structure according to claim 15, wherein the structure is a permeable structure. 24. The structure according to claim 15, wherein the structure is a reflective structure. 25. At least one polarizing layer and at least one liquid crystal in contact with the liquid crystal layer 16. The structure of claim 15, further comprising a matching layer. 26. 3. The apparatus of claim 2, wherein the first substrate and the second substrate are both transparent to electromagnetic radiation. 3. The structure according to 3. 27. One of the substrates transmits electromagnetic radiation and the other of the substrates reflects electromagnetic radiation. 16. The structure of claim 15, wherein the structure emits light. 28. Whether the first substrate and the second substrate are glass, semiconductor, jaramic The structure of claim 15, wherein the structure is formed of a material selected from the group consisting of: 29. The first substrate is glass, and the second substrate is a semiconductor. 15. The structure according to 15. 30. The structure of claim 15, wherein the conductive polymer is transparent. 31. 28. The reflective substrate of claim 27, wherein the reflective substrate further includes a circuit pattern thereon. Structure. 32. 32. The circuit pattern of claim 31, wherein the circuit pattern comprises a patterned conductive polymer. The described structure. 33. A liquid crystal display device comprising a patterned conductive polymer. 34. A first conductive layer on the first surface having opposing first and second surfaces; A first substrate provided,   A first matching layer disposed on the first conductive layer;   It has opposing first and second surfaces, and a second conductive layer is disposed on the first surface. A second substrate provided;   A second matching layer disposed on the second conductive layer;   A first polarizer layer disposed on the second surface of the first substrate;   A second polarizer layer disposed on the second surface of the second substrate,   The first substrate is configured such that the first matching layer is paired with the second matching layer. Disposed adjacent to said second substrate so as to face;   Further, between the first and second substrates, a seal spacer and the first A cavity forming a cavity between the substrate and the second substrate and the seal spacer. Tool and spacer,   The cavity is filled with a liquid crystal material,   A structure in which at least one of the first and second conductive layers is a conductive polymer layer. 35. The conductive material is one or more substituted and unsubstituted polyparaphenylene Vinylene, polyparaphenylene, polyaniline, polythiophene, polyazine, Bolifuran, polypyrrole, polyselenophene, poly-p-phenylene sulfite , Polyacetylenes, combinations thereof, mixtures of them with other polymers, and 13. The method of claim 12, wherein the compound is selected from the group consisting of copolymers of those monomers. Liquid crystal display device structure. 36. A semiconductor substrate having a first surface and a second surface;   A reflective layer on at least a portion of the first surface;   A transparent substrate disposed at an interval with respect to the semiconductor substrate,   A liquid crystal material disposed between the semiconductor and the transparent substrate;   A conductive polymer disposed on at least one of the transparent substrate and the semiconductor substrate; And a liquid crystal display device structure. 37. The conductive material comprises one or more substituted and unsubstituted polyparaphenylenes; Nvinylene, polyparaphenylene, poly Aniline, polythiophene, polyazine, polyfuran, polypyrrole, polysele Nophen, poly-p-phenylene sulfide, polyacetylene, combinations thereof , Mixtures of them with other polymers, and copolymers of those monomers. 37. The structure of claim 36, wherein the structure is selected from the group consisting of: 38. Board and   A patterned gate formed from a patterned conductive material disposed on the substrate; And   An insulating layer disposed on the patterned gate;   A patterned source electrode disposed on the insulating layer,   Comprising a patterned drain electrode disposed on the insulating layer,   The patterned source electrode, the patterned drain electrode, and the pattern At least one of the attached gates is formed from a conductive polymer;   Further between and before the patterned source and the patterned drain. A structure comprising a semiconductor material disposed on the insulating layer. 39. The conductive polymer comprises one or more substituted and unsubstituted polyparaffins. Nylene vinylene, polyparaphenylene, polyaniline, polythiophene, polya Gin, polyfuran, polypyrrole, polyselenophene, poly-p-phenylene Sulfides, polyacetylenes, combinations thereof, mixtures of them with other polymers, And copolymers of those monomers? 39. The structure of claim 38, wherein the structure is selected from the group consisting of: 40. Wherein the semiconductor material is selected from the group consisting of organic and inorganic materials. Item 39. The structure according to Item 38. 41. A conductive substrate that is a gate electrode;   An insulating layer disposed on the substrate,   A patterned source electrode disposed on the insulating layer,   Comprising a patterned drain electrode disposed on the insulating layer,   At least one of the source electrode and the drain electrode is formed of a conductive polymer. Is formed,   Further, between the patterned source and the patterned drain, and A structure comprising a semiconductor material disposed on the gate. 42. The conductive polymer comprises one or more substituted and unsubstituted polyparaffins. Nylene vinylene, polyparaphenylene, polyaniline, polythiophene, polya Gin, polyfuran, polypyrrole, polyselenophene, poly-p-phenylene Sulfides, polyayathylenes, combinations thereof, mixtures of them with other polymers, 42. The structure of claim 41, wherein the structure is selected from: and copolymers of those monomers. . 43. Wherein the semiconductor material is selected from the group consisting of organic and inorganic materials. Item 41. The structure according to Item 41. 44. The substrate is selected from the group consisting of silicon, germanium, and gallium arsenide 42. The material of claim 41, wherein The described structure. 45. Board and   A patterned gate of a conductive material disposed on the substrate,   An insulating layer disposed on the patterned gate;   A semiconductor layer disposed on the insulating layer;   A patterned source disposed on the semiconductor layer,   And a patterned drain disposed on the semiconductor layer,   The patterned gate, the patterned source, and the patterned A structure in which at least one of the drains is a conductive polymer. 46. The conductive polymer comprises one or more substituted and unsubstituted polyparaffins. Phenylenevinylene, polyparaphenylene, polyaniline, polythiophene, poly Azine, polyfuran, polypyrrole, polyselenophene, poly-p-phenylene Sulfides, polyacetylenes, combinations thereof, mixtures of them with other polymers 46. and a copolymer of their monomers. Structure described in. 47. Wherein the semiconductor material is selected from the group consisting of organic and inorganic materials. Item 46. The structure according to Item 45. 48. The semiconductor layer is made of Si, Ge, Ga, As and a combination thereof. 48. The structure of claim 47, wherein the structure is selected from a group. 49. A conductive substrate that is a gate electrode;   An insulating layer disposed on the gate,   A semiconductor layer disposed on the insulating layer;   A patterned source disposed on the semiconductor layer,   And a patterned drain disposed on the semiconductor layer,   The gate, the patterned source, and the patterned drain; A structure in which at least one is a conductive polymer. 50. The conductive polymer comprises one or more substituted and unsubstituted polyparaffins. Nylene vinylene, polyparaphenylene, polyaniline, polythiophene, polya Gin, polyfuran, polypyrrole, polyselenophene, poly-p-phenylene Sulfides, polyacetylenes, combinations thereof, mixtures of them with other polymers, 50. selected from the group consisting of and copolymers of these monomers. The described structure. 51. Wherein the semiconductor material is selected from the group consisting of organic and inorganic materials. 50. The structure according to item 49. 52. An insulating layer having a first surface and a second surface;   A gate disposed on the first surface of the insulating layer;   A semiconductor layer disposed on the second surface;   A patterned source electrode disposed in electrical contact with the semiconductor layer,   A patterned drain disposed in contact with the semiconductor layer And an electrode,   The patterned gate, the patterned source, and the patterned A structure in which at least one of the drains is a conductive polymer. 53. The conductive polymer comprises one or more substituted and unsubstituted polyparaffins. Phenylenevinylene, polyparaphenylene, polyaniline, polythiophene, poly Azine, polyfuran, polypyrrole, boroselenophene, poly-p-phenylene Sulfides, polyacetylenes, combinations thereof, mixtures of them with other polymers 53. and a copolymer of their monomers. Structure described in. 54. Wherein the semiconductor material is selected from the group consisting of organic and inorganic materials. Item 54. The structure according to Item 53. 55. A semiconductor layer selected from the group consisting of organic and inorganic semiconductors,   Comprising a patterned conductive polymer layer disposed on the semiconductor layer,   The structure in which the patterned conductive layer forms an ohmic contact to the semiconductor layer. 56. The conductive polymer comprises one or more substituted and unsubstituted polyparaphenylenes. Lenvinylene, polyparaphenylene, polyaniline, polythiophene, polyazi , Polyfuran, polypyrrole, polyselenophene, poly-p-phenylenesul And polyacetylene, their combinations, and other Selected from the group consisting of mixtures of limers, and copolymers of their monomers 56. The structure of claim 55, wherein: 57. An electroluminescent region,   An anode,   With a cathode,   A structure in which at least one of the anode and the cathode is a conductive polymer. 58. The conductive polymer is selected from the group consisting of a hole injection material and an electron injection material. 58. The structure of claim 57, wherein 59. 59. The structure of claim 58, wherein said conductive polymer is patterned. 60. An electroluminescent region,   A hole injection region,   An electron injection region;   A conductor for making electrical contact with at least one of the hole injection region and the electron injection region. A structure comprising an electrically conductive polymer. 61. A substrate, an anode structure, an electroluminescent region, and a cathode structure. And electrically coupled to at least one of the anode region and the cathode region. Patterned conductors covered with a protective layer of conductive polymer that is resistant to abrasion and scratching An organic light emitting diode comprising: an electrically conductive polymer. 62. Whether the electroluminescent region is a group consisting of an organic material and an inorganic material 58. The structure of claim 57 formed of a material selected from the group consisting of: 63. The conductive polymer comprises one or more substituted and unsubstituted polyparaphenylenes. Lenvinylene, polyparaphenylene, polyaniline, polythiophene, polyazi , Polyfuran, polypyrrole, polyselenophene, poly-p-phenylenesul Fids, polyayalenes, combinations thereof, mixtures of them with other polymers, 58. The method of claim 57, wherein the compound is selected from the group consisting of: On the diode. 64. Whether the electroluminescent region is a group consisting of an organic material and an inorganic material 61. The diode of claim 60, formed from a material selected from the group consisting of: 65. Whether the electroluminescent region is a group consisting of an organic material and an inorganic material 62. The diode of claim 61, formed from a material selected from the group consisting of: 66. A light emitting diode comprising a patterned conductive polymer. 67. 58. The diode of claim 57, further comprising indium tin oxide. 68. 58. The diode of claim 57, wherein said anode is a transparent conductor. 69. 58. The diode of claim 57, wherein said conductor is indium tin oxide. 70. The electroluminescent region is a single organic electroluminescent element; 58. The diode of claim 57, comprising a diode layer. 71. The electroluminescent region comprises at least one electroluminescent region. It consists of a stack of organic layers, including the nesting region and the electron transfer layer, with a thin metal layer 58. The diode of claim 57, wherein the diode is in direct contact with the child transfer layer. 72. 58. The diode of claim 57, further comprising a transparent substrate. 73. 73. The diode of claim 72, wherein said substrate is translucent. 74. 73. The diode of claim 72, wherein said substrate is opaque. 75. The material of the substrate comprises glass, plastic, and silicon 75. The diode of claim 74, wherein the diode is selected from a group. 76. 73. The structure of claim 72, wherein said substrate is flexible. 77. An array comprising a plurality of the organic light emitting diodes of claim 57. 78. 78. The array of claim 77, further comprising a single crystal substrate with electronic circuitry. 79. 79. The circuit of claim 78, wherein the circuit controls light emitted from the array. array. 80. Providing a substrate having a layer of conductive polymer material;   Disposing a layer of energy sensitive material on said conductive polymer material layer;   Exposing the energy sensitive material to an energy pattern Forming a pattern in the energy-sensitive material layer,   Developing the pattern to form a pattern in the energy sensitive material layer; Obtaining exposed and unexposed areas of the conductive polymer,   Removing the conductive polymer in the exposed areas; and   Removing the resist, leaving a pattern of the conductive polymer on the substrate A method that includes: 81. The conductive polymer comprises one or more substituted and unsubstituted polyparaffins. Nylene vinylene, polyparaphenylene, polyaniline, polythiophene, polya Gin, polyfuran, polypyrrole, polyselenophene, poly-p-phenylene Sulfides, polyacetylenes, combinations thereof, mixtures of them with other polymers, 80. selected from the group consisting of and copolymers of these monomers. The described method. 82. The energy is selected from the group consisting of electromagnetic radiation, heat rays, and particle beams. 81. The method of claim 80, wherein said method is selected. 83. The developing removes the energy exposed areas of the resist 81. The method of claim 80, wherein the method is performed. 84. The developing removes areas of the resist that were not exposed to the energy. 81. The method of claim 80, wherein said method is performed by removing. 85. 84. The method of claim 83, wherein said removing is performed by chemical cleaning. 86. 85. The method of claim 84, wherein said removing is performed by chemical cleaning. 87. 81. The method of claim 80, wherein said removing is performed by reactive ion etching. The method described. 88. Providing a substrate having a layer of conductive polymer material;   A pattern of a metal layer is attached via a metal mask, and the pattern is formed on the conductive polymer layer. Forming a metal layer with a turn, covered with the metal pattern of the conductive polymer; Forming exposed and exposed areas,   Etching the exposed area to remove the exposed area; and   A method comprising removing the metal. 89. The conductive polymer comprises one or more substituted and unsubstituted polyparaffins. Nylene vinylene, polyparaphenylene, polyaniline, polythiophene, polya Gin, polyfuran, polypyrrole, polyselenophene, poly-p-phenylene Sulfides, polyacetylenes, combinations thereof, mixtures of them with other polymers, And a copolymer of their monomers. The described method. 90. The mask is a molybdenum mask and the metal is platinum. 89. The method according to 89. 91. The etching is reactive ion etching; 90. The method of claim 89. 92. 90. The method of claim 89, wherein the exposed areas are removed with an acid. 93. Providing a substrate having a layer of a conductive polymer;   Disposing a metal layer on the conductive polymer layer,   Disposing an energy sensitive material on the metal layer;   Exposing the energy sensitive material in a pattern of radiation;   Developing the pattern to form a pattern in the energy sensitive material; Obtaining exposed and unexposed areas of the metal layer;   The exposed area of the conductive polymer is removed by removing the metal layer in the exposed area. Getting out area,   Removing the exposed area of the conductive polymer;   Removing the energy sensitive material; and   A method comprising removing a remaining portion of said metal layer. 94. The conductive polymer comprises one or more substituted and unsubstituted polyparaffins. Nylene vinylene, polyparaphenylene, polyaniline, polythiophene, polya Gin, polyfuran, polypyrrole, polyselenophene, poly-p-phenylene Sulfides, polyacetylenes, combinations thereof, mixtures of them with other polymers, Claim 93. selected from the group consisting of and copolymers of these monomers. The described method. 95. The metal layer is selected from the group consisting of Al. 93. The method according to 93. 96. 94. The method of claim 93, wherein said radiation is radio wave radiation. 97. Removing the metal layer in the exposed region by acid etching. Item 90. The method according to Item 93. 98. The removing of the conductive polymer in the exposed area comprises a reactive ion 100. The method of claim 93, by etching. 99. Removing the remaining portion of the metal layer by an acid etchant. Item 90. The method according to Item 93. 100. Substrate with layer of conductive polymer material with energy sensitive agent Be prepared,   By exposing the conductive polymer to an energy pattern, the pattern of the unexposed area is Forming a circle, and   Removing the conductive polymer in one of the exposed region and the non-exposed region And forming a pattern of the conductive polymer on the substrate. 101. The conductive polymer comprises one or more substituted and unsubstituted polyparaffins. Phenylenevinylene, polyparaphenylene, polyaniline, polythiophene, poly Azine, polyfuran, polypyrrole, polyselenophene, poly-p-phenylene Sulfides, polyacetylenes, combinations thereof, mixtures of them with other polymers And a copolymer of their monomers. The method according to 0. 102. The energy is a group consisting of electromagnetic radiation, heat rays, and a particle beam; The method of claim 100, wherein the method is selected from: 103. The development removes areas other than the above that are exposed to the energy. The method of claim 100, wherein the method is performed by: 104. The development removes areas of the resist that were not exposed to the energy. 110. The method of claim 100, performed by removing. 105. 114. The method of claim 103, wherein said removing is performed by chemical cleaning. 106. 105. The method of claim 104, wherein said removing is performed by chemical cleaning. 107. 100. The method of claim 100, wherein said removing is performed by reactive ion etching. The method described in. 108. Wherein the energy sensitive agent is a component of the conductive polymer. Item 100. The method according to Item 100. 109. The energy sensitive agent is an additive to a conductive polymer. 00. The method of claim 00. 110. The conductive polymer includes a conductive polymer precursor and a dopant, 109. The method according to claim 108. 111. 1 12. The method of claim 1 10, wherein the component is on the precursor. 112. 111. The component, wherein the component is on the dopant. The method described in. 113. A structure with an ohmic contact between a conductive polymer and a semiconductor. 114. Wherein the semiconductor is selected from the group consisting of organic semiconductors and electrical semiconductors. The structure of claim 113. 115. Provides low contact resistance electrical joints between non-polymer electrical conductors and conductive polymer Structure. 116. A field effect transistor having a source region, a drain region, and a gate region. Preparing the Vista, and   Including forming a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode,   At least one of the source electrode, the drain electrode, and the gate electrode Is formed by patterning a conductive polymer. 117. Bipolar having an emitter region, a base region, and a collector region Preparing the transistor; and   Including forming an emitter electrode, a base electrode, and a collector electrode,   At least one of the emitter electrode, the base electrode, and the collector electrode One is formed by patterning a conductive polymer. 118. Bipolar having an emitter region, a base region, and a collector region Transistors and   Comprising an emitter electrode, a base electrode, and a collector electrode,   At least one of the emitter electrode, the base electrode, and the collector electrode One is a patterned conductive polymer. 119. Electroluminescent, anode, and cathode regions Providing a light emitting diode having; and   Including forming an anode electrode and a cathode electrode,   At least one of the anode electrode and the cathode electrode is a conductive polymer layer Formed by patterning. 120. It has an electroluminescent region, an anode region and a cathode region. Preparing a light emitting diode to perform; and   Including forming an anode electrode and a cathode electrode,   At least one of the anode region and the cathode region is a conductive polymer Method formed from. 121. The at least one of the anode region and the cathode region is 124. The method of claim 120, wherein the conductive polymer is formed by patterning the conductive polymer. Method. 122. Providing an electronic device having an electrically active area; and   Patterning the conductive polymer to the electrically active area A method comprising forming an electrical contact. 123. A surface of non-dielectric material;   An edge having a first surface and a second surface disposed on a surface of the non-dielectric material; A layer of a dielectric material having:   On the second surface, over the edge and over the surface of the non-dielectric material A layer of a conductive polymer. 124. A semiconductor layer having a first surface and a second surface;   A dielectric layer on the first surface;   A first patterned conductive layer on the dielectric layer;   A second patterned conductive layer on the second surface,   At least one of the first and second patterned conductive layers is made of conductive poly. A structure that is a mer. 125. A source electrode, a drain electrode, and a gate electrode, at least A field effect transistor, one of which is a patterned conductive polymer. 126. An insulating layer having a first surface and a second surface;   A gate disposed on the first surface of the insulating layer;   A patterned source electrode and a patterned drain disposed on the second surface Electrodes and   The patterned source electrode and the patterned drain on the second surface A semiconductor layer disposed over the electrode,   The patterned gate, the patterned source, and the patterned A structure in which at least one of the drains is a conductive polymer. 127. Selected from the group consisting of organic semiconductors and inorganic semiconductors A semiconductor layer;   A patterned conductive polymer layer disposed on the semiconductor layer. 128. A semiconductor layer;   A first opening in the dielectric layer exposing the semiconductor layer in a first region;   A second opening in the dielectric layer exposing the semiconductor layer in a second region;   A first pattern of an electrical conductor disposed in electrical contact with the first region;   A second pattern of electrical conductors disposed in electrical contact with the second region;   A third of an electrical conductor disposed on the conductive layer between the first and second patterns; With a pattern,   At least one of the first, second and third patterns of electrical conductors Is a patterned conductive polymer. 129. An electroluminescent region,   A hole injection region,   An electron injection region;   An anode contact;   With a cathode contact,   At least one of the hole injection region and the electron injection region is a conductive polymer. Structure. 130. A source electrode, a drain electrode, and a gate electrode, at least A field effect transistor, one of which is a patterned conductive polymer. 131. It has an emitter electrode, a base electrode, and a collector electrode. A bipolar transistor, one of which is a patterned conductive polymer.
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