JP2000339748A

JP2000339748A - 光記録媒体

Info

Publication number: JP2000339748A
Application number: JP2000086413A
Authority: JP
Inventors: Toshinaka Nonaka; 敏央野中; Kunihisa Nagino; 邦久薙野; Hideo Nakakuki; 英夫中久喜
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1999-03-25
Filing date: 2000-03-27
Publication date: 2000-12-08

Abstract

(57)【要約】【課題】高い透過率を有する多層記録に適したランド
・グルーブ記録用書換可能相変化光記録媒体を提供する
こと。【解決手段】記録層に光を照射することによって、情
報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消
去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われ、基板
上に少なくとも無機保護層１、少なくともＳｂおよびＴ
ｅを含む記録層、無機物保護層２の順で有し、前記無機
保護層１、２の記録再生波長における屈折率ｎ１、ｎ２
と前記無機保護層の厚さｄ１、ｄ２、記録層の厚さｄｒ
が下記の式を満たし、かつ記録層の透過率が３５％以上
であることを特徴とするランド・グルーブ記録用多層記
録光記録媒体。０．３８≧ｎ１×ｄ１／λ≧０．２４０．３８ ≧ｎ２×ｄ２／λ≧０．２７９ｎｍ≧ｄｒ≧５ｎｍｎ１≧１．７ｎ２≧１．７（上記式中、λは記録再生に用いる光の波長を示す。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。特に、本発明は、記録情報の消去、
書換機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可
能な光ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相
変化型光記録媒体あり、情報記録層を多層化し、本発明
の記録層を透過した光でさらに別の層の情報の再生や記
録、消去を行うことを目的とするものに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。これらの光記録媒体
は、テルルなどを主成分とする記録層を有し、記録時
は、結晶状態の記録層に集束したレーザー光パルスを短
時間照射し、記録層を部分的に溶融する。溶融した部分
は熱拡散により急冷され、固化し、アモルファス状態の
記録マークが形成される。この記録マークの光線反射率
は、結晶状態より低く、光学的に記録信号として再生可
能である。また、消去時には、記録マーク部分にレーザ
ー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の温
度に加熱することによって、アモルファス状態の記録マ
ークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。

【０００３】これらの書換可能相変化型光記録媒体の記
録層の材料としては、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅などの合金（N.Y
amada et al.Proc.Int.Symp.on Optical Memory 1987 p
61-66）が知られている。これらＴｅ合金を記録層とし
た光記録媒体では、結晶化速度が速く、照射パワーを変
調するだけで、円形の１ビームによる高速のオーバーラ
イトが可能である。これらの記録層を使用した光記録媒
体では、通常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する
誘電体層をそれぞれ１層ずつ設け、記録時に記録層に変
形、開口が発生することを防いでいる。さらに、光ビー
ム入射方向と反対側の誘電体層に、光反射性のＡｌなど
の金属反射層を積層して設け、光学的な干渉効果により
再生時の信号コントラストを改善する技術が知られてい
る。

【０００４】前述の従来の書換可能相変化型光記録媒体
における課題は、以下のようなものである。すなわち、
金属反射層を設けた場合、光の透過率が低くなるため、
透過光量が少なく、本発明のように光記録媒体を透過し
た光でさらにその奥の層の情報の再生や記録消去を行お
うとすると、非常に強い光を用いなければならず、ハイ
パワーレーザーの使用などが必要となりコスト高とな
る。

【０００５】光記録媒体を透過した光でさらにその他の
層の情報や再生の記録消去を行う光記録媒体として、例
えば特開平９−９１７００号公報等があるが、これらは
光の透過率が十分ではなく，Ｃ／Ｎ、ジッタ等の記録特
性においてもまだ改善の余地があった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、低パ
ワーのレーザー光を用いた場合でも透過率を高くしたた
めに、透過光でさらに奥の記録層の情報の再生や記録消
去が容易に行うことができる、かつ記録再生特性に優れ
ていることを特徴とするランド・グルーブ記録用多層記
録書換可能相変化型光記録媒体を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、記録層に光を
照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能
であり、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の
相変化により行われ、基板上に少なくとも無機保護層
１、少なくともＳｂおよびＴｅを含む記録層、無機保護
層２の順で有し、無機保護層１、２の記録再生波長にお
ける屈折率ｎ１、ｎ２と無機保護層１、２の厚さｄ１、
ｄ２、記録層の厚さｄｒが下記の式を満たし、かつ記録
層の透過率が３５％以上であることを特徴とするランド
・グルーブ記録用多層記録光記録媒体である。０．３８≧ｎ１×ｄ１／λ≧０．２４０．３８≧ｎ２×ｄ２／λ≧０．２７９ｎｍ≧ｄｒ≧５ｎｍｎ１≧１．７ｎ２≧１．７（上記式中、λは記録再生に用いる光の波長を示す。）

【０００８】

【発明の実施の形態】高密度記録の有効な手段の一つと
して、記録層を多層化する方法がある。相変化の原理
は、記録層に吸収された光が熱に換わることで記録層の
溶融、結晶化を行うことで記録消去を行うというもので
あるため、記録層を多層化すると、記録層を通過する度
に光量が減るため、記録再生光の入射側からみて奥側に
行けば行くほど、そこに到達する光量は小さくなり、さ
らにそこで反射して検出器に到達する光は、再びそこま
でに通過してきた層を通過しなければならないため、さ
らに減衰する。したがって、記録層を多層化する場合
は、各記録層の記録再生消去を満足する範囲でなるべく
高い透過率となるように設定することが望ましい。透過
率が低くなると、奥の層の記録再生消去に要する入射光
のパワーを非常に大きくしなければならなくなり、かつ
手前の層とのバランスが大きくずれる。このため、記録
層の透過率を３５％以上とすることが必要であり、同様
の観点から４０％以上とすることが好ましい。

【０００９】ランド・グルーブ記録方式は、ランド部、
グルーブの両方に記録を行うものであるため、いずれか
一方のみに記録を行う方式に比べ、記録面積を有効に利
用できるため、高密度記録に適した方法である。

【００１０】記録層の結晶部と非晶部の光学定数が異な
ることとから、それぞれの場所からの反射光には位相差
が発生する。検出ビームスポット径は記録マークの大き
さより大きく、また、ランド幅やグルーブ幅よりも大き
い。このため検出反射光は検出トラックおよび隣接トラ
ック内の結晶部や非晶部から干渉光となる。このため結
晶部と非晶部の位相差とランドとグルーブの幅の比率、
グルーブ深さ、ランドおよびグルーブの形状によって、
ランド部、およびグルーブ部のそれぞれの記録マークの
検出信号振幅が大きく影響を受ける。一方、ランド・グ
ルーブ記録では隣接トラックのクロストークを小さく抑
えるために記録再生光波長の６分の１、もしくはそれに
近い深さを用いることが必要である。

【００１１】本発明者らは、以上のような背景、条件を
もとに、鋭意研究を行った結果、無機保護層１および無
機保護層２の屈折率と層厚さの積である光学厚さと記録
層の厚さを特定のものとすることにより、ランド・グル
ーブ記録用多層記録に適した光記録媒体を見いだした。

【００１２】λを記録再生に用いる光の波長としたと
き、無機保護層１のλにおける屈折率ｎ１、層の厚さｄ
１が、式：０．３８≧ｎ１×ｄ１／λ≧０．２４を満た
すことが必要である。ｎ１×ｄ１／λが０．３８より大
きくなると反射率が高くなり過ぎ、４割以上の透過率を
確保することが困難になり、０．２４未満になると、ラ
ンド部のＣ／Ｎが小さくなりすぎる。より高い透過率と
ランド部のより高いＣ／Ｎを得るために、０．３２≧ｎ
１×ｄ１／λ≧０．２５とすることが好ましい。また、
ｎ１≧１．７であることが必要である。ｎ１が１．７未
満となると光学干渉効果による信号振幅の増大をはかる
などの光学設計が困難になる。

【００１３】無機保護層２のλにおける屈折率ｎ２、層
の厚さｄ２が、式：０．３８≧ｎ１×ｄ１／λ≧０．２
７を満たすことが必要である。ｎ２×ｄ２／λが０．３
８以上になると、グルーブ部のＣ／Ｎが小さくなりす
ぎ、０．２７未満になると、ランド部のＣ／Ｎが小さく
なりすぎる。より高い透過率とランド部のより高いＣ／
Ｎを得るために、０．３４≧ｎ２×ｄ２／λ≧０．２８
とすることが好ましい。また、ｎ２≧１．７であること
が必要である。ｎ２が１．７未満となると光学干渉効果
による信号振幅の増大をはかるなどの光学設計が困難に
なる。

【００１４】無機保護層１および２の材質としては、記
録光波長においてその屈折率が、基板の屈折率より大き
く、記録層の屈折率より小さいものが好ましい。具体的
にはＺｎＳの膜、炭素の膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｙ、Ｃｒ、Ｗ、Ｃｅ、Ｚｎ、
Ｉｎ、Ｓｎなどの金属と酸素および／もしくは窒素およ
び／もしくは炭素と化合した物質からなる膜、およびこ
れらの混合物の膜が耐熱性が高いことから好ましい。金
属と酸素および／もしくは窒素との組成比は化学量論比
であっても非化学量論比であってもよいが、非化学量論
比の場合に記録層との接着力が強固になる場合がある。
特に、ＺｎＳとＳｉＯ₂の混合物からなる膜は、繰り返
しオーバーライトによる劣化が起きにくいことから好ま
しい。特に、ＺｎＳとＳｉＯ₂と炭素の混合物は、膜の
残留応力が小さいこと、記録、消去の繰り返しによって
も、記録感度、キャリア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、消去率
などの劣化が起きにくいことからも好ましい。

【００１５】ＺｎＳを主成分とする物質からなる層を無
機保護層１および／もしくは無機保護層２として用いた
場合、記録層に接する層として、（ｂ１）炭素からなる
膜、（ｂ２）炭素と窒素および／もしくは酸素が化合し
た物質からなる膜、（ｂ３）硼素と窒素および／もしく
は酸素が化合した物質からなる膜、（ｂ４）Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｙ、Ｃｒ、
Ｗ、Ｃｅ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎから選ばれる金属と酸素お
よび／もしくは窒素および／もしくは炭素と化合した物
質からなる膜、およびこれらの混合物からなる層を用い
ると５ｍ／ｓ以上の高線速化での消去特性やオーバーラ
イト特性、繰り返し耐久性、さらには、長期保存後のオ
ーバーライト特性を向上させることができる。特にＺｎ
ＳをＳｉＯ ₂と組み合わせて使用した場合には、上記の
記録層に接する層を併せて有する記録媒体が記録特性の
点から好ましい。

【００１６】本発明の記録層としては、少なくともＳｂ
およびＴｅを含むことが重要であり、具体例としては、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ合金、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｖ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金な
どがある。多数回の記録の書換が可能であることから、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ合金、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が好ましい。
特に、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金は、消去時間が短く、かつ多数
回の記録に優れることから好ましい。さらには、その組
成は次式で表される範囲にあることが熱安定性と繰り返
し安定性に優れている点からより好ましい。

【００１７】記録に用いるレーザー光の波長が４５０ｎ
ｍ以下の場合、記録層材料としては、光検出器の感度が
低下することから、結晶と非晶の光学定数変化が大きい
ものが好ましく、かつ波長／レンズ開口数で決まるビー
ムスポット径が小さくなるため記録消去過程での加熱時
間が短くなり、結晶化速度の速い材料が好ましい。この
ような条件を満たす記録層材料として、下記式（Ｉ）を
満たすものが好ましい。｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_x（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_1-x｝_1-y-zＳｂ_yＡ_z （Ｉ）（ここで、Ａは、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除く元素周期律表
における第２周期から第６周期の３Ａ族から６Ｂ族に属
する元素を示し、ｘ、ｙ、ｚは数を示し、かつ次の関係
式を満たす。０．５≦ｘ≦０．９、０．０１≦ｙ≦０．０８、ｚ＝０もしくは、０．５≦ｘ≦０．９、０≦ｙ≦０．０８、０
＜ｚ≦０．２）本発明の記録層の厚さとしては、５ｎｍ以上、９ｎｍ以
下であることが必要である。記録層の厚さが９ｎｍを越
えると透過率を３５％以上とすることが困難になる。５
ｎｍ未満になると、繰返しオーバーライトによる記録特
性の劣化が著しかったり、再生信号振幅を大きくするこ
とが困難であったり、再生信号ノイズ比を大きくするこ
とが困難である。さらには、大きな再生信号振幅を得る
ことと、透過率３５％以上を両立させた上で、記録感度
の調整マージンを広く確保できることから、８ｎｍ以
下、６ｎｍ以上とすることが好ましい。

【００１８】本発明の基板の材料としては、透明な各種
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基
板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、集
束した光ビームで基板側から記録を行うことが好まし
く、このような透明基板材料としては、ガラス、ポリカ
ーボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフ
ィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげら
れる。特に、光学的複屈折率が小さく、吸湿性が小さ
く、成形が容易であることからポリカーボネート樹脂、
アモルファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。

【００１９】基板の厚さとしては、特に限定されるもの
ではないが、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。
０．０１ｍｍ未満では、基板側から集束した光ビームで
記録する場合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ
をこえる場合は、対物レンズの開口数を大きくすること
が困難な傾向になり、照射光ビームスポットサイズが大
きくなるため、記録密度を上げることが困難な傾向にな
る。

【００２０】基板はフレキシブルなものであってもよい
し、リジットなものであっても良い。フレキシブルな基
板は、テープ状、シート状、カード状で使用する。リジ
ットな基板は、カード状、あるいはディスク状で使用す
る。また、これらの基板は、記録層などを形成した後、
２枚の基板を用いて、エアーサンドイッチ構造、エアー
インシデント構造、密着張合わせ構造としてもよい。

【００２１】本発明の光記録媒体の記録に用いる光源と
しては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源
があげられ、特に半導体レーザー光は、光源が小型化で
きること、消費電力が小さいこと、変調が容易であるこ
とから好ましい。

【００２２】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。あるいは、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の
記録マークを形成しても良い。消去はレーザー光照射に
よって、アモルファスの記録マークを結晶化するか、も
しくは、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行
うことができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の
変形が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記
録マークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好まし
い。また、記録マーク形成時は光強度を高く、消去時は
やや弱くし、１回の光ビームの照射により書換を行う１
ビーム・オーバーライトは、書換の所用時間が短くなる
ことから好ましい。

【００２３】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。無機保護層１、記録層、無機保護層２など
を基板上に形成する方法としては、真空中での薄膜形成
法、例えば真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパ
ッタリング法などがあげられる。特に組成、膜厚のコン
トロールが容易であることから、スパッタリング法が好
ましい。スパッタリング法の一種であり、ターゲットと
真空槽内に導入したガスとを反応させる反応性スパッタ
リングなども用いることができる。形成する各層の厚さ
の制御は、水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタ
リングすることで、容易に行える。

【００２４】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、真空中での薄膜形成後、傷、変形の防止な
どのため、紫外線硬化樹脂などの保護層などを必要に応
じて設けてもよい。

【００２５】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。（分析，測定方法）記録層の組成は、ＩＣＰ発光分析
（セイコー電子工業（株）製、ＳＰＳ４０００）により
確認した。無機保護層１、無機保護層２の屈折率（ｎ
１、ｎ２）は同様の条件で作成したそれぞれの単層膜を
分光エリプソメトリー（ニコン製ＮＰＤＭ−１０００で
測定した。透過率測定は、ディスク作製時に、ディスク
基板と同様の膜をポリカーボネート板上に堆積させたも
のと、それをさらに大気中で１４０℃、３０分の熱処理
を加えたものを、それぞれ記録層がアモルファスの試
料、結晶のの試料とし、分光光度計を用いて行った。無
機保護層１、記録層、無機保護層２の形成中の膜厚は、
水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の厚さ
は、透過型電子顕微鏡で断面を観察することにより測定
した。

【００２６】スパッタリングにより成膜した光記録媒体
は、記録を行う前にあらかじめ波長８３０ｎｍの半導体
レーザのビームでディスク全面の記録層を結晶化し初期
化した。

【００２７】記録特性の評価は、以下に示す方法ｉとii
を用いて行った。（方法ｉ）記録トラックに線速度９ｍ／秒の条件で、対
物レンズの開口数０．６、半導体レーザの波長６６０ｎ
ｍ（λ＝６６０）の光学ヘッドを有する光ディスク評価
装置を使用して、８／１６変調のマーク長記録を行っ
た。ジッタ測定は、ランダムパターンを１０回オーバー
ライトした後のランダムパターンに対して行い、Ｃ／Ｎ
測定は３Ｔ信号の単一パターンを１０回記録した後の３
Ｔ信号に対して行った。この時、記録レーザー波形は、
マルチパルスを用いた。また、この時のウィンドウ幅
は、１７．１ｎｓとした。記録パワー、バイアスパワー
は各ディスクで最適なパワーにした。ジッタはタイムイ
ンターバルアナライザを用いて測定した。（方法ii）記録トラックに線速度６ｍ／秒の条件で、対
物レンズの開口数０．６５、半導体レーザの波長４０５
ｎｍ（λ＝４０５）の光学ヘッドを有する光ディスク評
価装置を使用して、Ｃ／Ｎの測定を行った。この測定は
スペクトラムアナライザーを用いて３Ｔ信号の単一パタ
ーンを１０回記録した後の３Ｔ信号に対して行った。こ
の時、記録レーザー波形は、マルチパルスを用いた。ま
た、この時のウィンドウ幅は、１４．２ｎｓとした。記
録パワー、バイアスパワーはディスクで最適なパワーに
した（実施例１）毎分３０回転で回転させている、厚さ０．
６ｍｍ、直径１２ｃｍ、１．２４μｍピッチの案内溝付
きのポリカーボネート製基板（ランド幅０．６２μｍ、
グルーブ幅０．６２μｍ、グルーブ深さ７０ｎｍ）上
に、以下のスパッタリング成膜を行った。まず、真空容
器内を１×１０^-3Ｐａまで排気した後、２×１０^-1Ｐａ
のＡｒガス零囲気中でＳｉＯ₂ を２０ｍｏｌ％添加した
ＺｎＳをスパッタし、基板上に膜厚９０ｎｍ（ｄ１＝９
０）の無機保護層１を形成した。続いて、無機保護層１
と同様の条件で、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲ
ットをスパッタして、厚さ７ｎｍ（ｄｒ＝７）の組成Ｇ
ｅ18.6Ｓｂ25.2Ｔｅ56.2の記録層を得た。さらに無機保
護層２として無機保護層１と同じＺｎＳとＳｉＯ₂の混
合膜を１００ｎｍ（ｄ２＝１００）形成した後、同様の
基板であるが何も蒸着していないものと紫外線硬化樹脂
で貼り合わせ、本発明の光記録媒体を得た。

【００２８】無機保護層１、２の屈折率はともに２．１
５（ｎ１＝２．１５、ｎ２＝２．１５）であった。した
がって、ｎ１×ｄ１／λ＝０．２９、ｎ２×ｄ２／λ＝
０．３３である。６６０ｎｍでの透過率は、アモルファ
スが６０％、結晶が４４％であった。

【００２９】記録特性は方法ｉにより測定した。グルー
ブ部のＣ／Ｎは５１ｄＢ、ジッターはウインドウ幅の１
２％、ランド部のＣ／Ｎは５１ｄＢ、ジッターはウイン
ドウ幅１２％と良好な記録特性であった。

【００３０】（実施例２）実施例１で用いたものと同様
の基板を用いて、以下のスパッタリング成膜を行った。
真空容器内を１×１０^-3Ｐａまで排気した後、毎分３０
回転で回転させた基板上に、２×１０^-1ＰａのＡｒガス
零囲気中でＡｌ_97.5Ｃｒ_2.5の厚さ１６ｎｍの層、Ｓｉ
Ｏ₂ を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳの厚さ３５ｎｍの
層、実施例１と同様の組成の厚さ１１ｎｍの記録層、Ｓ
ｉＯ₂ を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳの厚さ１００ｎｍ
の層、Ａｕの厚さ１２ｎｍの層を順に積層した。これを
奥側の記録層とし、実施例１の何も蒸着していない基板
の代わりに用い、実施例１と同様にしてスパッタリング
成膜した層を手前側の層（ｄ１＝９０、ｄ２＝１００、
ｎ１＝２．１５、ｎ２＝２．１５、ｎ１×ｄ１／λ＝
０．２９、ｎ２×ｄ２／λ＝０．３３、６６０ｎｍでの
透過率はアモルファスが６０％、結晶が４４％）とし
て、実施例１と同様の方法で両基板の蒸着面が接着面と
なるように貼り合わせを行い、本発明の２層記録媒体を
得た。

【００３１】手前側の層の半径４０ｍｍから４２ｍｍの
範囲に該当するの全てのランド部とグルーブ部にランダ
ム信号を記録した後、奥側の層の半径位置４１ｍｍのグ
ルーブ部とランド部に記録を行い、奥側の層の記録特性
評価を行った。

【００３２】記録特性は方法ｉにより測定した。グルー
ブ部のＣ／Ｎは５２ｄＢ、ジッターはウインドウ幅の１
３％、ランド部のＣ／Ｎは５２ｄＢ、ジッターはウイン
ドウ幅１３％と良好な記録特性であった。

【００３３】次に奥側の層の半径４０から４２ｍｍの範
囲に該当するの全てのランド部とグルーブ部にランダム
信号を記録した後、手前側の層の半径位置４１ｍｍのと
ころでの記録特性の評価を行った。

【００３４】記録特性は方法ｉにより測定した。グルー
ブ部のＣ／Ｎは５１ｄＢ、ジッターはウインドウ幅の１
２％、ランド部のＣ／Ｎは５１ｄＢ、ジッターはウイン
ドウ幅１２％と良好な記録特性であった。

【００３５】（比較例１）無機保護層１の厚さを７０ｎ
ｍ（ｄ１＝７０、ｎ１×ｄ１／λ＝０．２３）とした他
は実施例１と同様にして、光記録媒体を作製し、記録特
性を方法ｉにより測定したところ、ランド部のＣ／Ｎが
４９ｄＢと低く、ジッタは測定不能であった。

【００３６】（比較例２）無機保護層１の厚さを１２０
ｎｍ（ｄ１＝１２０、ｎ１×ｄ１／λ＝０．３９）とし
た他は実施例１と同様にして、光記録媒体を作製したと
ころ、結晶部の透過率が３３％と低くなった。

【００３７】（比較例３）無機保護層２の厚さを１２０
ｎｍ（ｄ２＝１２０、ｎ２×ｄ２／λ＝０．３９）とし
た他は実施例１と同様にして、光記録媒体を作製し、記
録特性を方法ｉにより測定したところ、グルーブ部のＣ
／Ｎが４８ｄＢと低く、ジッタは測定不能であった。

【００３８】（比較例４）無機保護層２の厚さを８０ｎ
ｍ（ｄ２＝８０、ｎ２×ｄ２／λ＝０．２６）とした他
は実施例１と同様にして、光記録媒体を作製し、記録特
性を方法ｉにより測定したところ、ランド部のＣ／Ｎが
４５ｄＢと低く、ジッタは測定不能であった。

【００３９】（比較例５）記録層の厚さを１０ｎｍ（ｄ
ｒ＝１０）とした他は実施例１と同様にして、光記録媒
体を作製したところ、結晶部の透過率が、３１％と低く
なった。

【００４０】（比較例６）記録層の厚さを４ｎｍ（ｄｒ
＝４）ととした他は実施例１と同様にして、光記録媒体
を作製し、記録特性を方法ｉにより測定したところ、ラ
ンド部、グルーブ部ともにＣ／Ｎが４７ｄＢ未満であ
り、ジッタは測定不能であった。

【００４１】（比較例７）無機保護層１および無機保護
層２に、屈折率が１．４５である酸化珪素膜をもちいた
ところ、それぞれの膜厚によらず、透過率が３０％以下
と低かった。

【００４２】（実施例３）実施例１の無機保護層１と記
録層の間に厚さ２ｎｍの炭素層を挿入した（ｄ１＝９
２、ｎ１×ｄ１／λ＝０．２９）以外は実施例１と同様
にしてディスクを作製した。アモルファス部の透過率が
５９％結晶部の透過率が４３％であった。

【００４３】記録特性を方法ｉにより測定したところ、
グルーブ部のＣ／Ｎは５１ｄＢ、ジッターはウインドウ
幅の１２％、ランド部のＣ／Ｎは５１ｄＢ、ジッターは
ウインドウ幅１２％と良好な記録特性であった。

【００４４】（実施例４）実施例１の無機保護層１と記
録層の間、および記録層と無機保護層２の間に厚さ２ｎ
ｍの炭素層を挿入した（ｄ１＝９２、ｄ２＝１０２、ｎ
１×ｄ１／λ＝０．３０、ｎ２×ｄ２／λ＝０．３３）
以外は実施例１と同様にしてディスクを作製した。アモ
ルファス部の透過率が５８％結晶部の透過率が４２％で
あった。

【００４５】記録特性を方法ｉにより測定したところ、
グルーブ部のＣ／Ｎは５１ｄＢ、ジッターはウインドウ
幅の１２％、ランド部のＣ／Ｎは５１ｄＢ、ジッターは
ウインドウ幅１２％と良好な記録特性であった。１００
０回繰り返し記録後も、振幅低下が認められなかった。

【００４６】（実施例５）実施例１の無機保護層１の厚
さを８０ｎｍとし、記録層の間に厚さ１０ｎｍのゲルマ
ニウムと窒素が化合した物質からなる層を挿入した（ｄ
１＝９０、ｎ１×ｄ１／λ＝０．２９）以外は実施例１
と同様にしてディスクを作製した。ゲルマニウムと窒素
が化合した物質からなる層はゲルマニウムターゲットを
アルゴンと窒素の混合ガスでスパッタリングすることで
作製した。アモルファス部の透過率が５９％結晶部の透
過率が４３％であった。

【００４７】記録特性を方法ｉにより測定したところ、
グルーブ部のＣ／Ｎは５１ｄＢ、ジッターはウインドウ
幅の１２％、ランド部のＣ／Ｎは５１ｄＢ、ジッターは
ウインドウ幅１２％と良好な記録特性であった。１００
０回繰り返し記録後も、振幅低下が認められなかった。

【００４８】（実施例６）実施例１の無機保護層１の厚
さを８０ｎｍとし、記録層の間に厚さ１０ｎｍのゲルマ
ニウムと窒素が化合した物質からなる層を挿入し（ｄ１
＝９０、ｎ１×ｄ１／λ＝０．２９）、さらに記録層と
無機保護層２の間に厚さ８ｎｍのゲルマニウムと窒素が
化合した物質からなる層を挿入した（ｄ２＝１０８、ｎ
２×ｄ２／λ＝０．３５）以外は実施例１と同様にして
ディスクを作製した。ゲルマニウムと窒素が化合した物
質からなる層はゲルマニウムターゲットをアルゴンと窒
素の混合ガスでスパッタリングすることで作製した。ア
モルファス部の透過率が５８％結晶部の透過率が４２％
であった。

【００４９】記録特性を方法ｉにより測定したところ、
グルーブ部のＣ／Ｎは５１ｄＢ、ジッターはウインドウ
幅の１２％、ランド部のＣ／Ｎは５１ｄＢ、ジッターは
ウインドウ幅１２％と良好な記録特性であった。１００
０回繰り返し記録後も、振幅低下が認められなかった。

【００５０】（実施例７）実施例１の無機保護層１の厚
さを８０ｎｍとし、記録層の間に厚さ２ｎｍのジルコニ
ウムと窒素が化合した物質からなる層を挿入した（ｄ１
＝８２、ｎ１×ｄ１／λ＝０．２７）以外は実施例１と
同様にしてディスクを作製した。ジルコニウムと窒素が
化合した物質からなる層はジルコニウムターゲットをア
ルゴンと窒素の混合ガスでスパッタリングすることで作
製した。アモルファス部の透過率が５９％結晶部の透過
率が４３％であった。

【００５１】記録特性を方法ｉにより測定したところ、
グルーブ部のＣ／Ｎは５１ｄＢ、ジッターはウインドウ
幅の１２％、ランド部のＣ／Ｎは５１ｄＢ、ジッターは
ウインドウ幅１２％と良好な記録特性であった。１００
０回繰り返し記録後も、振幅低下が認められなかった。

【００５２】（実施例８）実施例１の無機保護層１の厚
さを８０ｎｍとし、記録層の間に厚さ２ｎｍのジルコニ
ウムと窒素が化合した物質からなる層を挿入（ｄ１＝８
２、ｎ１×ｄ１／λ＝０．２７）し、さらに記録層と無
機保護層２の間に厚さ２ｎｍのジルコニウムと窒素が化
合した物質からなる層を挿入した（ｄ２＝１０２、ｎ２
×ｄ２／λ＝０．３３）以外は実施例１と同様にしてデ
ィスクを作製した。ジルコニウムと窒素が化合した物質
からなる層はジルコニウムターゲットをアルゴンと窒素
の混合ガスでスパッタリングすることで作製した。アモ
ルファス部の透過率が５８％結晶部の透過率が４２％で
あった。

【００５３】記録特性を方法ｉにより測定したところ、
グルーブ部のＣ／Ｎは５１ｄＢ、ジッターはウインドウ
幅の１２％、ランド部のＣ／Ｎは５１ｄＢ、ジッターは
ウインドウ幅１２％と良好な記録特性であった。１００
０回繰り返し記録後も、ほとんど振幅低下が認められな
かった。

【００５４】（実施例９）毎分３０回転で回転させてい
る、厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃｍ、０．７６μｍピッ
チの案内溝付きのポリカーボネート製基板（ランド幅
０．３８μｍ、グルーブ幅０．３８μｍ、グルーブ深さ
４１ｎｍ）上に、以下のスパッタリング成膜を行った。
まず、真空容器内を１×１０^-3Ｐａまで排気した後、２
×１０^-1ＰａのＡｒガス零囲気中でＳｉＯ₂ を２０ｍｏ
ｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板上に膜厚５０ｎ
ｍ（ｄ１＝５０）の無機保護層１を形成した。続いて、
無機保護層１と同様の条件で、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからな
る合金ターゲットをスパッタして、厚さ７ｎｍ（ｄｒ＝
７）の組成Ｇｅ_28.9Ｓｂ_17.7Ｔｅ_53.4の記録層を得た。
さらに無機保護層２として無機保護層１と同じＺｎＳと
ＳｉＯ₂の混合膜を５３ｎｍ（ｄ２＝５３）形成した
後、同様の基板であるが何も蒸着していないものと紫外
線硬化樹脂で貼り合わせ、本発明の光記録媒体を得た。

【００５５】無機保護層１、２の屈折率はともに２．３
（ｎ１＝２．３、ｎ２＝２．３）であった。したがっ
て、ｎ１×ｄ１／λ＝０．２８、ｎ２×ｄ２／λ＝０．
３０である。４０５ｎｍでの透過率は、アモルファスが
４８％、結晶が４９％であった。

【００５６】記録特性は方法iiにより測定した。グルー
ブ部のＣ／Ｎは５０ｄＢ、ランド部のＣ／Ｎは５０ｄＢ
と良好な記録特性であった。（実施例１０）実施例９で用いたものと同様の基板を用
いて、以下のスパッタリング成膜を行った。真空容器内
を１×１０^-3Ｐａまで排気した後、毎分３０回転で回転
させた基板上に、２×１０^-1ＰａのＡｒガス零囲気中で
Ａｌ_97.5Ｃｒ_2.5の厚さ８０ｎｍの層、ＳｉＯ₂ を２０
ｍｏｌ％添加したＺｎＳの厚さ５０ｎｍの層、実施例１
と同様の組成の厚さ１０ｎｍの記録層、ＳｉＯ₂ を２０
ｍｏｌ％添加したＺｎＳの厚さ３０ｎｍの層を順に積層
した。これを奥側の記録層とし、実施例９の何も蒸着し
ていない基板の代わりに用い、実施例９と同様にしてス
パッタリング成膜した層を手前側の層（ｄ１＝５０、ｄ
２＝５８、ｎ１＝２．３、ｎ２＝２．３、ｎ１×ｄ１／
λ＝０．２８、ｎ２×ｄ２／λ＝０．３０、４０５ｎｍ
での透過率はアモルファスが４８％、結晶が４９％）と
して、実施例９と同様の方法で両基板の蒸着面が接着面
となるように貼り合わせを行い、本発明の２層記録媒体
を得た。

【００５７】手前側の層の半径４０ｍｍから４２ｍｍの
範囲に該当するの全てのランド部とグルーブ部にランダ
ム信号を記録した後、奥側の層の半径位置４１ｍｍのグ
ルーブ部とランド部に記録を行い、奥側の層の記録特性
評価を行った。

【００５８】記録特性は方法iiにより測定した。グルー
ブ部のＣ／Ｎは５１ｄＢ、ランド部のＣ／Ｎは５２ｄＢ
であった。

【００５９】次に奥側の層の半径４０から４２ｍｍの範
囲に該当するの全てのランド部とグルーブ部にランダム
信号を記録した後、手前側の層の半径位置４１ｍｍのと
ころでの記録特性の評価を行った。

【００６０】記録特性は方法iiにより測定した。グルー
ブ部のＣ／Ｎは５０ｄＢ、ランド部のＣ／Ｎは５０ｄＢ
であった。

【００６１】

【発明の効果】本発明によればＣ／Ｎ、ジッタ等の記録
再生特性に優れかつ光線透過率の高いランド・グルーブ
記録用多層記録書換可能相変化型光記録媒体が得られ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5D029 HA04 JA01 JB18 JC04 LA11 LB01 LB02 LB07 LB13 LC06 NA07 NA09 NA23 NA24

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録層に光を照射することによって、情
報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消
去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われ、基板
上に少なくとも無機保護層１、少なくともＳｂおよびＴ
ｅを含む記録層、無機保護層２の順で有し、前記無機保
護層１、２の記録再生波長における屈折率ｎ１、ｎ２と
前記無機保護層１、２の厚さｄ１、ｄ２、前記記録層の
厚さｄｒが下記の式を満たし、かつ記録層の透過率が３
５％以上であることを特徴とするランド・グルーブ記録
用多層記録光記録媒体。０．３８≧ｎ１×ｄ１／λ≧０．２４０．３８≧ｎ２×ｄ２／λ≧０．２７９ｎｍ≧ｄｒ≧５ｎｍｎ１≧１．７ｎ２≧１．７（上記式中、λは記録再生に用いる光の波長を示す。）
【請求項２】無機保護層１がＺｎＳとＳｉＯ₂の混合
物からなることを特徴とする請求項１記載の光記録媒
体。
【請求項３】無機保護層１が（Ａ）ＺｎＳとＳｉＯ₂
の混合物からなる膜と、（Ｂ）（ｂ１）炭素からなる
膜、（ｂ２）炭素と窒素および／もしくは酸素が化合し
た物質からなる膜、（ｂ３）硼素と窒素および／もしく
は酸素が化合した物質からなる膜、（ｂ４）Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｙ、Ｃｒ、
Ｗ、Ｃｅ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎから選ばれる金属と酸素お
よび／もしくは窒素および／もしくは炭素と化合した物
質からなる膜、およびこれらの混合物の膜との積層構造
を有していることを特徴とする請求項１記載の光記録媒
体。