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JP2000338684A - 基板表面処理装置 - Google Patents

基板表面処理装置

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Publication number
JP2000338684A
JP2000338684A JP11146210A JP14621099A JP2000338684A JP 2000338684 A JP2000338684 A JP 2000338684A JP 11146210 A JP11146210 A JP 11146210A JP 14621099 A JP14621099 A JP 14621099A JP 2000338684 A JP2000338684 A JP 2000338684A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
processing
waste liquid
substrate
substrate surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11146210A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideo Nagase
英男 長瀬
Osamu Ogawa
修 小川
Kiyoshi Kamibayashi
清 上林
Makoto Kikukawa
誠 菊川
Takahiro Takarayama
隆博 宝山
Toshimoto Nakagawa
俊元 中川
Ritsuo Matsumiya
律夫 松宮
Hiroyuki Saito
博之 齋藤
Kazuyuki Takatsudo
一之 高津戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
M Setek Co Ltd
Nagase and Co Ltd
Hirama Rika Kenkyusho Ltd
Original Assignee
M Setek Co Ltd
Nagase and Co Ltd
Hirama Rika Kenkyusho Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by M Setek Co Ltd, Nagase and Co Ltd, Hirama Rika Kenkyusho Ltd filed Critical M Setek Co Ltd
Priority to JP11146210A priority Critical patent/JP2000338684A/ja
Priority to US09/577,045 priority patent/US6302600B1/en
Publication of JP2000338684A publication Critical patent/JP2000338684A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03D—APPARATUS FOR PROCESSING EXPOSED PHOTOGRAPHIC MATERIALS; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03D5/00—Liquid processing apparatus in which no immersion is effected; Washing apparatus in which no immersion is effected
    • G03D5/04—Liquid processing apparatus in which no immersion is effected; Washing apparatus in which no immersion is effected using liquid sprays
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3092—Recovery of material; Waste processing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液の循環使用が可能であり、かつ、循環
を繰り返しても処理液自体の性能を保持し続け得る基板
表面処理装置を提供する。 【解決手段】 処理台上に配置された基板に処理液とリ
ンス液とを順次付与して基板表面を処理する処理手段；
処理廃液をリンス廃液とは別に回収する液回収手段；該
処理廃液を貯留し、処理廃液中の少なくとも１つの成分
の濃度を導電率計３０及び／又は吸光光度計３２により
検出し、検出値により処理調整液を補給して、処理液を
調整する廃液貯留・濃度検出・液補給手段；並びに調整
された処理液を前記処理手段に供給する処理液供給手
段；を備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板の表面を処理す
るための装置に関し、より詳細には、基板表面を処理し
た後の処理廃液とリンス廃液とを完全に分離し、かつ、
回収した処理廃液を処理液にまで再調整して処理液の循
環使用を可能にする、基板表面の処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子、液晶表示素子などの種々の
電子素子の製造においては、まず、基板の表面に絶縁体
層、半導体層、導電体層などの薄膜が形成される。次い
で、形成された薄膜上にレジスト層を塗布した後、フォ
トマスクによる露光処理が施され、現像液及びエッチン
グ液によりパターニングされる。さらに、レジスト剥離
液を塗布することにより、基板表面に残存するレジスト
が除去される。また、さらに、基板表面にはリンス液
（例えば、イソプロピルアルコール等のアルコール類、
純水など）が付与され、表面に未だ残存する微細なレジ
スト粒子、処理液等が取り除かれる。このように電子素
子の製造においては、複数の処理液及びリンス液を使用
したウェット処理が行なわれる。上記ウェット処理にお
いて、ウェハなどの基板は、（１）処理液を含有する処
理槽内とリンス液を含有するリンス槽内に直接浸漬され
る手法で処理されるか、（２）回転自在なウェハチャッ
クに固定され、基板表面に処理液とリンス液とをスプレ
ーノズル又はストレートノズルで順次付与し、ウェハチ
ャックの回転を利用して基板全体を処理するスピンナを
用いた手法、（３）ローラーコンベア上に基板を配置
し、基板の処理方向に処理液とリンス液とを順次塗布す
る手法、または、（４）カセットに多数の基板を配置
し、基板表面に処理液とリンス液とをスプレーノズルで
順次付与する手法が用いられる。
【０００３】しかし、上記の浸漬を利用した手法では、
多数のウェハを処理するにつれて処理液中の成分濃度が
変化し、安定した表面処理を行なうことができないとい
う問題があった。他方、スピンナ又はローラーコンベア
を使用する場合は、処理液の廃液（処理廃液）とリンス
液の廃液（リンス廃液）とが混合した膨大な廃液を生じ
るという問題があった。このような基板処理により発生
する廃液を処理廃液とリンス廃液とに分離するために種
々のスピンナが提案されている。例えば、特開平５−１
９０４４２号公報には、ウェハチャックの周囲に、外側
カップと内側カップとの二重構造のカップを設けたスピ
ンナが開示されている。このスピンナは、内側カップが
昇降自在であり、内側カップの上下動により複数の処理
液を分離回収することができる。分離回収された処理廃
液はより容易に廃液処理されるか、または再利用され
る。
【０００４】特開平８−８８１６８号公報には、ウェハ
チャックの周囲に昇降自在なインナーリングを設け、イ
ンナーリングが上部に位置する場合はその下端が仕切り
壁の内側になり、インナーリングが下部に位置する場合
はその下端が仕切り壁の外側になるようにした構成のス
ピンナが開示されている。他方、特開平５−２８３３９
５号公報には、回転自在な支持器上に固定された基板
に、ストック容器を通じて処理液を付与し、その処理廃
液を回収してストック容器に送り返す薄材の清浄化装置
が開示されている。この清浄化装置は処理液を循環使用
させることができる。
【０００５】また、特許第２６０２１７９号公報には、
処理液にアルカノールアミンと有機溶媒とを用い、処理
廃液（レジスト剥離廃液）内のアルカノールアミン濃度
を吸光光度計で検出し、かつ、不足する成分を補給して
処理液を再生するレジスト剥離液管理装置が開示されて
いる。さらに、特開平１０−２２２６１号公報には、処
理液にアルカノールアミンと有機溶媒と純水とを用い、
処理廃液（レジスト剥離廃液）内の純水濃度を吸光光度
計で検出し、かつ、不足する成分を補給して処理液を再
生するレジスト剥離液管理装置が開示されている。これ
らの管理装置は、処理液内の特定成分を検出し、補給す
るので、処理液を劣化させることなく、絶えず一定の処
理性能を有する処理液を調整することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した特開平５−１
９０４４２号公報に記載のスピンナは、処理廃液を分離
回収するのみであり、処理液又は処理廃液の循環を繰り
返すうちに処理液中の成分濃度が変化し、基板に対する
処理能力が低下するという問題がある。また、特開平５
−２８３３９５号公報に記載の装置は、単に処理廃液を
ストック容器に送り返すために、処理液又は処理廃液の
循環を繰り返すうちに処理液中の成分濃度が変化し、基
板に対する処理能力が低下するという問題がある。同様
に、特開平８−８８１６８号公報に記載のスピンナは、
処理廃液を分離回収するのみであり、処理液又は処理廃
液の循環を繰り返すうちに処理液中の成分濃度が変化
し、基板に対する処理能力が低下するという問題があ
る。
【０００７】また、上述した特許第２６０２１７９号公
報及び特開平１０−２２２６１号公報に記載の管理装置
は、スピンナを利用した基板表面処理装置に適用する場
合、リンス液は処理液と同等もしくはそれ以上の量にて
使用される場合が多く、処理廃液が分離回収できないた
めに、希釈により有効成分の濃度が大幅に低下して再生
効率上の観点より無駄が多くなるという問題がある。半
導体や液晶基板のレジスト剥離工程においては、酸素プ
ラズマによるドライアッシング工程とレジスト剥離液に
よる湿式剥離工程の併用が実施されている。酸素プラズ
マによるドライアッシング工程を経た基板には、強固な
レジスト変質物やシリコン酸化物などの金属酸化物が残
存しているため、その後の湿式レジスト剥離工程では、
これらを完全に剥離して除去することが困難となってい
る。このため、処理液の温度を上げる、処理時間を長く
するという工夫もされているが、安全上の問題があり、
また、生産効率の観点からも問題となっている。また、
物理的な処理能力を上げるために、スピンナを利用し、
その表面上に０．５〜５Kg／cm2G程度の圧力をかけて処
理液の塗布を行うことが考案されているが、それは、回
転自在なスピンナと圧力塗布の相乗効果により、処理能
力が向上すると考えられるからである。
【０００８】また、複数台のスピンナを利用することに
より、処理液とリンス液とを各々のスピンナで別に処理
する工夫もされているが、基板表面処理装置の寸法が大
きくなるという問題があり現実的でない。一方、処理液
とリンス液とを同一のスピンナで処理した場合、上述の
ように管理装置が使用できなくなる恐れがあり、実際問
題として製品が生産できないという事態となっている。
これらのことから、基板表面処理装置や管理装置はでき
るだけ小さくしたい、処理液はふんだんに利用したい、
かつ、その処理液は有効に再利用したい、リンス液は処
理液による処理後すぐに塗布したい、処理廃液は少なく
したい、という要求が強まっている。
【０００９】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、基板表面
を処理した後の処理廃液をリンス廃液とは完全に分離し
て回収し、回収した処理廃液に液中の成分濃度の変化に
応じた処理調整液を補給して処理液を再調整することに
より、処理液の循環使用が可能であり、かつ、循環を繰
り返しても処理液自体の性能を保持し続けられる基板表
面処理装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の基板表面処理装置は、処理台上に配置さ
れた基板に処理液とリンス液とを順次付与（供給）して
基板表面を処理する処理手段；処理廃液をリンス廃液と
は別に回収する液回収手段；該処理廃液を貯留する廃液
貯留手段；該処理廃液中の少なくとも１つの成分の濃度
を導電率計及び／又は吸光光度計により検出し、検出値
により処理調整液を補給して、処理液を調整する濃度検
出・液補給手段；並びに調整された処理液を前記処理手
段に供給する処理液供給手段；を備えるように構成され
ている。また、本発明の基板表面処理装置は、処理台上
に配置された基板に処理液とリンス液とを順次付与（供
給）して基板表面を処理する処理手段；処理廃液をリン
ス廃液とは別に回収する液回収手段；該処理廃液を貯留
し、処理廃液中の少なくとも１つの成分の濃度を導電率
計及び／又は吸光光度計により検出し、検出値により処
理調整液を補給して、処理液を調整する廃液貯留・濃度
検出・液補給手段；並びに調整された処理液を前記処理
手段に供給する処理液供給手段；を備えたことを特徴と
している（図１〜図５参照）。
【００１１】上記の本発明の装置において、１つの実施
態様では、廃液貯留手段は、処理廃液を撹拌し、かつ濾
過する撹拌・濾過部を備える。上記の本発明の装置にお
いて、１つの実施態様では、廃液貯留・濃度検出・液補
給手段は、調整された処理液を撹拌し、かつ濾過する撹
拌・濾過部を備える。上記の本発明の装置において、１
つの実施態様では、さらに、前記リンス廃液を回収し、
該リンス廃液の回収開始からの時間経過に応じて、回収
開始直後の異物含有リンス廃液と回収開始から一定時間
経過後の（異物を含有しない）第２リンス廃液とに分離
するリンス廃液分離手段が液回収手段に接続される（図
３、図４、図５参照）。
【００１２】上記の本発明の装置において、１つの実施
態様では、上記基板は、プリント基板、液晶基板、半導
体基板又はプラズマディスプレイ基板である。上記の本
発明の装置において、さらなる実施態様では、上記処理
台は、回転自在なウェハチャック（図３、図４参照）、
ローラーコンベア（図１、図２参照）及びカセット（図
５参照）のいずれかである。
【００１３】さらなる実施態様では、上記処理台はウェ
ハチャックであり、そして上記液回収手段は、外壁と内
壁とを備える昇降可能なカップと、該カップを包囲する
ハウジングとを有する。すなわち、これらの本発明の装
置において、上記処理台は、基板を載置して回転自在な
ウェハチャックであり、上記液回収手段は、基板の周囲
を遮弊する位置と基板の周囲を露出させる位置とで昇降
可能な内壁と、該内壁の外周に一体に連設されて昇降可
能なカップを形成する外壁と、内壁と外壁とで形成され
る昇降可能な該カップを包囲するハウジングとを有する
構成である（図３参照）。
【００１４】さらなる実施態様では、上記処理台はウェ
ハチャックであり、そして上記液回収手段は、該ウェハ
チャックの周囲に固定された仕切り壁と、内スカート部
及び外スカート部を備えるインナーカップと、該仕切り
壁及び該インナーカップを包囲するハウジングとを有
し、該インナーカップが、該ウェハチャックよりも上側
に位置する場合、該内スカート部は該仕切り壁の内側に
配置され、そして該ウェハチャックよりも下側に位置す
る場合、該外スカート部は該仕切り壁の外側に配置され
る。すなわち、これらの本発明の装置において、上記処
理台は、基板を載置して回転自在なウェハチャックであ
り、上記液回収手段は、基板を周回状に包囲するように
設けられた内スカート部及び外スカート部を備える昇降
可能なインナーカップと、該インナーカップを包囲する
ハウジングと、該ハウジングの底面に固定された内スカ
ート部の下方と外スカート部の下方との間に位置する仕
切り壁とを有し、該インナーカップが基板の上側に位置
する場合に基板からの廃液が内スカート部により該仕切
り壁の内側に導かれ、該インナーカップが基板の下側に
位置する場合に基板からの廃液が外スカート部により該
仕切り壁の外側に導かれる構成である（図４参照）。
【００１５】上記の本発明の装置において、１つの実施
態様では、上記処理液は現像液である。上記の本発明の
装置において、さらなる実施態様では、上記現像液は、
アルカリ性物質と、該アルカリ性物質１００重量部に対
して、０．０４重量部〜２５重量部の純水とを含有する
液である。この場合、導電率計及び／又は吸光光度計で
検出される成分は、現像液中のアルカリ性物質及び溶解
レジストの少なくとも一つである。また、現像液に含ま
れるアルカリ性物質としては、水酸化カリウム、水酸化
ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、リ
ン酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、テトラメチルアン
モニウムヒドロオキシド及びトリメチルモノエタノール
アンモニウムヒドロオキシドからなる群より選択される
少なくとも１種が挙げられる。
【００１６】上記の本発明の装置において、１つの実施
態様では、上記処理液は透明導電膜用エッチング液であ
る。上記の本発明の装置において、さらなる実施態様で
は、上記エッチング液は、塩酸と硝酸との混合水溶液、
塩酸と塩化第二鉄との混合水溶液、臭化水素酸水溶液、
臭化水素酸と塩化第二鉄との混合水溶液、ヨウ化水素酸
と塩化第二鉄との混合水溶液及びしゅう酸水溶液の少な
くとも一種である。この場合、導電率計及び／又は吸光
光度計で検出される成分は、透明導電膜用エッチング液
中の酸及び溶解インジウムの少なくとも一つである。
【００１７】上記の本発明の装置において、１つの実施
態様では、上記処理液はレジスト剥離液である。上記の
本発明の装置において、さらなる実施態様では、上記レ
ジスト剥離液は、アルカノールアミンと、該アルカノー
ルアミン１００重量部に対して２０重量部〜８００重量
部の有機溶媒とを含有する液である。この場合、導電率
計及び／又は吸光光度計で検出される成分は、レジスト
剥離液中の溶解レジスト及びアルカノールアミンの少な
くとも一つである。また、上記の本発明の装置におい
て、さらなる実施態様では、上記レジスト剥離液は、ア
ルカノールアミンと、該アルカノールアミン１００重量
部に対して２０重量部〜８００重量部の有機溶媒と、５
重量部〜９００重量部の純水を含有する液である。この
場合、導電率計及び／又は吸光光度計で検出される成分
は、レジスト剥離液中の溶解レジスト、アルカノールア
ミン及び純水の少なくとも一つである。
【００１８】また、上記の本発明の装置において、さら
なる実施態様では、上記レジスト剥離液は、アルカノー
ルアミンと、該アルカノールアミン１００重量部に対し
て２０重量部〜８００重量部の有機溶媒と、５重量部〜
９００重量部の純水と、１重量部〜３００重量部のヒド
ロキシルアミンとを含有する液である。この場合、導電
率計及び／又は吸光光度計で検出される成分は、レジス
ト剥離液中の溶解レジスト、アルカノールアミン、純水
及びヒドロキシルアミンの少なくとも一つである。レジ
スト剥離液に含まれるアルカノールアミンとしては、モ
ノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノ
ールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，
Ｎ−ジエチルエタノールアミン、アミノエチルエタノー
ルアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、
Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノ
ールアミン及び３−アミノ−１−プロパノールからなる
群より選択される少なくとも１種のアミンが挙げられ
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明するが、本発明は下記の実施の形態に何ら
限定されるものではなく、適宜変更して実施することが
できるものである。図１は、本発明の実施の第１形態に
よる基板表面処理装置を示している。本実施の形態は、
ローラーコンベア上に基板を配置し、基板の処理方向に
処理液とリンス液とを順次付与（供給）していくもので
ある。図１に示すように、ローラーコンベア１０上に配
置された基板１２は、図中の矢印の方向に移動して、ま
ず処理液供給装置１４に導入される。処理液供給装置１
４のハウジング１６内に導入された基板１２には、スプ
レーノズル１８から処理液が供給される。処理液により
表面処理された基板１２は、続いてリンス液供給装置２
０に導入される。リンス液供給装置２０のハウジング２
２内に導入された基板１２には、スプレーノズル２４か
らリンス液が供給される。リンス液としては、アルコー
ル類（例えば、イソプロピルアルコール）や純水などが
使用される。なお、スプレーノズル１８、２４の代わり
にストレートノズルやその他のノズル等を使用してもよ
い。さらに、基板１２が処理液供給装置１４からリンス
液供給装置２０に導入される前に、基板１２の表面及び
裏面は、送風機（図示せず）等によりエアーナイフ又は
窒素ナイフから空気又は窒素ガスが吹き付けられ、基板
に付着している処理液を取り除かれることが好ましい。
これにより、基板により持ち出される処理液及び処理液
供給装置１４から生じる処理液のミストがリンス液供給
装置２０内に進入することを防止できる。本実施形態で
は、処理液供給装置１４及びリンス液供給装置２０が処
理手段になる。
【００２０】処理液供給装置１４において、基板表面に
付与された後の処理液（処理廃液）は、廃液溜り部２６
の底部から排出されて廃液回収・液補給装置２８に送ら
れる。廃液回収・液補給装置２８に貯留された処理廃液
は、導電率計３０及び／又は吸光光度計３２により導電
率及び／又は吸光度が測定され、その測定値が制御器６
２に入力されて、処理廃液中の１つ又はそれ以上の成分
の濃度が検出される。その検出濃度に応じて制御器６２
からの信号により制御弁６４及び／又は制御弁６５が開
度調節され、処理廃液に処理調整液タンク３４及び／又
は処理調整液タンク３５から調整必要な成分を含有する
所定量の処理調整液が補給されて処理液が調整される。
３６は温度調節用のヒーターであり処理液の温度を一定
に保持するために設けられている。３８は液面センサー
であり、処理液の液面レベルを制御するために設けられ
ている。
【００２１】調整された処理液は、ポンプ４０によりろ
過フィルタ４２に送られ、ろ過フィルタ４２によりろ過
された後、スプレーノズル１８に供給されて処理液供給
装置１４での基板表面への付与に循環使用される。この
場合、図１に示すように、ろ過フィルタ４２でろ過され
た処理液の一部を廃液回収・液補給装置２８に戻すこと
が望ましく、処理液調整時の撹拌効果を高めるために、
例えば、スプレーノズル４４を用いて廃液回収・液補給
装置２８に戻す構成とすることができる。なお、補給さ
れた処理調整液の量に対応して、処理廃液の一部は処理
廃液タンク４６に排出される。４８、５０は圧力計であ
る。本実施形態において、処理廃液を貯留する廃液貯留
槽を廃液溜り部２６と廃液回収・液補給装置２８との間
に設ける場合もある。一方、リンス液供給装置２０にお
いて、リンス液の廃液（リンス廃液）は、廃液溜り部５
２の底部から排出され、処理廃液とは別に回収される
か、又は廃棄される（図示せず）。５４はポンプ、５６
はリンス液をろ過するためのろ過フィルタ、５８、６０
は圧力計である。
【００２２】つぎに、図２に基づいて廃液回収・液補給
装置２８における濃度検出・液補給の具体例について説
明する。廃液回収・液補給装置２８に貯留された処理廃
液は、導電率計３０及び／又は吸光光度計３２により導
電率及び／又は吸光度が測定され、その測定値が制御器
６２に入力されて、処理廃液中の１つ又はそれ以上の成
分の濃度が検出される。その検出濃度に応じて制御器６
２からの信号により制御弁６４及び／又は制御弁６５が
開度調節され、処理廃液に処理調整液タンク３４及び／
又は処理調整液タンク３５から調整必要な成分を含有す
る所定量の処理調整液が補給されて処理液が調整され
る。この場合、処理調整液タンク３４からの処理調整液
は、例えば、窒素ガスタンク６６からの加圧窒素ガスに
より圧送されて処理廃液に補給される。６８は制御弁で
ある。なお、処理調整液タンク３５についても、詳細な
図示を省略しているが、処理調整液タンク３４の場合と
同様である。
【００２３】ここで、処理廃液中の成分濃度の検出方法
及び調整方法について、具体例を述べる。アルカリ系現
像液においては、アルカリ濃度と導電率の関係を実験に
より検討し、導電率に対してアルカリ濃度が支配的で高
度な直線相関をもって測定できることを確認したので、
アルカリ濃度が減少したことを導電率計により検出し
て、処理液よりもアルカリ濃度が大きいアルカリ系現像
原液が補給されて調整される。また、レジスト濃度と吸
光度の関係を実験により検討し、可視部の波長（例え
ば、４８０nm）の吸光度に対してレジスト濃度が支配的
で直線相関をもって測定できることを確認したので、レ
ジスト濃度が増大したことを吸光光度計により検出し
て、レジストが含まれていないアルカリ系現像新液が補
給されて調整される。
【００２４】透明導電膜用エッチング液においては、臭
化水素酸濃度と導電率の関係を実験により検討し、導電
率に対して臭化水素酸濃度が支配的で直線相関をもって
測定できることを確認したので、臭化水素酸濃度が減少
したことを導電率計により検出して、処理液よりも臭化
水素酸濃度が大きいエッチング原液が補給されて調整さ
れる。また、溶解インジウム濃度と吸光度の関係を実験
により検討し、紫外部又は可視部の波長（例えば、３４
２nm）の吸光度に対して溶解インジウム濃度が支配的で
直線関係をもって測定できることを確認したので、溶解
インジウム濃度が増大したことを吸光光度計により検出
して、インジウムが含まれていないエッチング新液が補
給されて調整される。
【００２５】アルカノールアミンと有機溶媒とを含有す
るレジスト剥離液においては、モノエタノールアミン濃
度と吸光度の関係を実験により検討し、近赤外部の波長
（例えば、１０４８nm）の吸光度に対してモノエタノー
ルアミン濃度が支配的で高度な直線関係をもって測定で
きることを確認したので、モノエタノールアミン濃度が
減少したことを吸光光度計により検出して、処理液より
もモノエタノールアミン濃度が大きいレジスト剥離原液
が補給されて調整される。また、レジスト濃度と吸光度
の関係を実験により検討し、可視部の波長（例えば、５
５０nm）の吸光度に対してレジスト濃度が支配的で直線
関係をもって測定できることを確認したので、レジスト
濃度が増大したことを吸光光度計により検出して、レジ
ストが含まれていないレジスト剥離新液が補給されて調
整される。
【００２６】アルカノールアミンと有機溶媒と純水とを
含有するレジスト剥離液においては、水分濃度と吸光度
の関係を実験により検討し、近赤外部の波長（例えば、
９７６nm）の吸光度に対して水分濃度が支配的で高度な
直線関係をもって測定できることを確認したので、水分
濃度が減少したことを吸光光度計により検出して、純水
が補給されて調整される。また、レジスト濃度と吸光度
の関係を実験により検討し、可視部の波長（例えば、５
５０nm）の吸光度に対してレジスト濃度が支配的で直線
関係をもって測定できることを確認したので、レジスト
濃度が増大したことを吸光光度計により検出して、レジ
ストが含まれていないレジスト剥離新液が補給されて調
整される。
【００２７】アルカノールアミンと有機溶媒と純水とヒ
ドロキシルアミンとを含有するレジスト剥離液において
は、水分濃度と吸光度の関係を実験により検討し、近赤
外部の波長（例えば、９７６nm）の吸光度に対して水分
濃度が支配的で高度な直線関係をもって測定できること
を確認したので、水分濃度が減少したことを吸光光度計
により検出して、純水が補給されて調整される。また、
ヒドロキシルアミン濃度と吸光度の関係を実験により検
討し、近赤外部の波長（例えば、１０７４nm）の吸光度
に対してヒドロキシルアミン濃度が支配的で高度な直線
関係をもって測定できることを確認したので、ヒドロキ
シルアミン濃度が減少したことを吸光光度計により検出
して、ヒドロキシルアミン溶液が補給されて調整され
る。さらに、レジスト濃度と吸光度の関係を実験により
検討し、可視部の波長（例えば、５５０nm）の吸光度に
対してレジスト濃度が支配的で直線関係をもって測定で
きることを確認したので、レジスト濃度が増大したこと
を吸光光度計により検出して、レジストが含まれていな
いレジスト剥離新液が補給されて調整される。なお、処
理廃液中の主成分の濃度と溶解レジスト濃度（又は溶解
インジウム濃度）が一定となるように同時に精度よく制
御することは、処理液が一定の処理性能を維持するため
に極めて重要である。
【００２８】図３は、本発明の実施の第２形態による基
板表面処理装置を示している。本実施の形態は、基板を
回転自在なウェハチャックに固定し、基板表面に処理液
とリンス液とを順次付与するものであり、外壁と内壁と
を備えた昇降可能なカップにより、処理廃液をリンス廃
液とは別に回収するものである。図３に示すように、処
理装置（スピンナ）７０において、駆動モータ７２によ
り回転自在なウェハチャック７４上に基板１２が、例え
ば、公知の静電的手段又は吸引的手段により固定（載
置）され、基板１２が回転している状態で、スプレーノ
ズル７６から処理液が供給されて基板表面に処理液が付
与され、ついで、スプレーノズル７８からリンス液が基
板表面に付与される。８０はリンス液タンクである。な
お、スプレーノズル７６、７８の代わりにストレートノ
ズルやその他のノズル等を使用してもよい。本実施形態
では、処理装置（スピンナ）７０が処理手段になる。
【００２９】ウェハチャック７４の周囲には、固定（載
置）された基板１２を周回するようなシュート型のカッ
プ（トラフ）８２が設けられており、このカップ（トラ
フ）８２は昇降装置（図示せず）によりハウジング８８
の底部に対して鉛直方向に昇降可能に構成されている。
具体的には、カップ８２の内壁８４が、基板１２の周囲
を遮弊する位置と基板１２の周囲を露出させる位置との
間で上下移動し、カップ８２の外壁８６が、内壁８４よ
り高い位置で下降時でも基板１２の高さより低くならな
いように設けられている。すなわち、カップ８２の外壁
８６の上部は、カップ（トラフ）８２が最も下降した場
合でも、常に基板１２の処理表面よりも上方に位置する
ように設けられている。８８は、カップ（トラフ）８２
を包囲するハウジングである。
【００３０】図３において、スプレーノズル７６から処
理液が供給される際、カップ（トラフ）８２はハウジン
グ８８内において最も下降した状態に位置する。供給さ
れた処理液は、ウェハチャック７４と共に回転する基板
１２の表面に付与される。表面に付与した処理液は、基
板１２の回転（遠心力）により、外周に向かって均一に
広がる。そして、基板１２から振り切られた処理廃液
は、内壁８４と外壁８６との間、すなわち、カップ（ト
ラフ）８２の中に排出される。一方、スプレーノズル７
８からリンス液が供給される際、カップ（トラフ）８２
はハウジング８８内において最も上昇した状態に位置す
る。供給されたリンス液は、ウェハチャック７４と共に
回転する基板１２の表面に付与される。表面に付与した
リンス液は、基板１２の回転（遠心力）により、外周に
向かって均一に広がる。そして、基板１２から振り切ら
れたリンス廃液は、内壁８４の内側、すなわち、ハウジ
ング８８内に排出される。
【００３１】カップ（トラフ）８２内の処理廃液は、廃
液回収・液補給装置２８に送られる。廃液回収・液補給
装置２８に貯留された処理廃液は、導電率計３０及び／
又は吸光光度計３２により導電率及び／又は吸光度が測
定され、その測定値が制御器６２に入力されて、処理廃
液中の１つ又はそれ以上の成分の濃度が検出される。そ
の検出濃度に応じて制御器６２からの信号により制御弁
６４及び／又は制御弁６５が開度調節され、処理廃液に
処理調整液タンク３４及び／又は処理調整液タンク３５
から調整必要な成分を含有する所定量の処理調整液が補
給されて処理液が調整される。図中の一点鎖線で囲まれ
た導電率計３０及び／又は吸光光度計３２を含む構成が
濃度検出部である。調整された処理液は、ポンプ４０に
よりろ過フィルタ４２に送られ、ろ過フィルタ４２によ
りろ過された後、スプレーノズル７６に供給されて処理
装置（スピンナ）７０での基板表面への付与のために循
環使用される。この場合、図３に示すように、ろ過フィ
ルタ４２でろ過された処理液の一部を処理液戻し管４３
を介して廃液回収・液補給装置２８に戻すことが望まし
く、処理液調整時の撹拌効果を高めるために、例えば、
スプレーノズル４４を用いて廃液回収・液補給装置２８
に戻す構成とすることができる。図中の一点鎖線で囲ま
れたポンプ４０、ろ過フィルタ４２及び処理液戻し管４
３を含む構成が撹拌・濾過部である。
【００３２】一方、ハウジング８８内のリンス廃液は、
ハウジング８８の底部から抜き出され、処理廃液とは別
に回収される。この場合、リンス廃液の回収開始からあ
まり時間が経過していないとき（例えば、最初の１５秒
間程度）は、リンス廃液に処理廃液やその他の異物が混
入していることがあるので、制御弁９０を開いて制御弁
９２を閉じ、異物含有リンス廃液を回収するための第一
リンス廃液タンク９４にリンス廃液を排出する。また、
リンス廃液の回収開始から一定時間が経過した後（例え
ば、約１５秒間経過後）は、リンス廃液に処理廃液やそ
の他の異物が混入していないか、または混入していると
してもそれらが極めて微量であるので、逆に制御弁９２
を開いて制御弁９０を閉じ、第二リンス廃液タンク９６
にリンス廃液を排出する。第二リンス廃液タンク９６で
回収されたリンス廃液は別途再調整されることなく再利
用することができる。なお、本実施形態においては、処
理廃液をハウジング８８の底部で回収し、リンス廃液を
カップ８２で回収してもよい。このとき、廃液回収・液
補給装置２８は、ハウジング８８の底部と接続される。
他の構成及び作用は、実施の第１形態の場合と同様であ
る。
【００３３】図４は、本発明の実施の第３形態による基
板表面処理装置を示している。本実施の形態は、基板を
回転自在なウェハチャックに固定し、基板表面に処理液
とリンス液とを順次付与するものであり、内スカート部
及び外スカート部を備えた昇降可能なインナーカップと
ハウジング底部に設置された仕切り壁とにより、処理廃
液をリンス廃液とは別に回収するものである。図４に示
すように、処理装置（スピンナ）７０ａにおいて、駆動
モータ７２により回転自在なウェハチャック７４上に基
板１２が、例えば、公知の静電的手段又は吸引的手段に
より固定（載置）され、基板１２が回転している状態
で、スプレーノズル７６から処理液が供給されて基板表
面に処理液が付与され、ついで、スプレーノズル７８か
らリンス液が基板表面に付与される。本実施形態の処理
装置７０ａにおいても、スプレーノズル７６、７８の代
わりに、ストレートノズル、その他のノズル等が使用さ
れてもよい。
【００３４】ウェハチャック７４の周囲には、載置され
た基板１２を周回するようなスカート形状のインナーカ
ップ（ガイド部）９８が設けられており、このインナー
カップ（ガイド部）９８は昇降装置（図示せず）により
ハウジング８８の底部に対して鉛直方向に昇降可能に構
成されている。そして、このインナーカップ（ガイド
部）９８は内スカート部１００と外スカート部１０２と
から構成されており、ハウジング８８の底部に設けられ
た仕切り壁１０４が内スカート部１００の下方と外スカ
ート部１０２の下方との間に位置するように周回状に設
置されている。具体的には、インナーカップ（ガイド
部）９８が基板１２の上側に位置する場合（図中の二点
鎖線）に、内スカート部１００が基板１２からの廃液
（リンス廃液）を仕切り壁１０４の内側に導くようにな
っており、インナーカップ（ガイド部）９８が基板１２
の下側に位置する場合（図中の実線）に、外スカート部
１０２が基板１２からの廃液（処理廃液）を仕切り壁１
０４の外側に導くようになっている。
【００３５】図４において、スプレーノズル７６から処
理液が供給される際、インナーカップ（ガイド部）９８
はハウジング８８内において最も下降した状態に位置す
る。供給された処理液は、ウェハチャック７４と共に回
転する基板１２の表面に付与される。表面に付与した処
理液は、基板１２の回転（遠心力）により、外周に向か
って均一に広がる。そして、基板１２から振り切られた
処理廃液は、外スカート部１０２の上面（外面）により
仕切り壁１０４の外側に排出される。一方、スプレーノ
ズル７８からリンス液が供給される際、インナーカップ
（ガイド部）９８はハウジング８８内において最も上昇
した状態に位置する。供給されたリンス液は、ウェハチ
ャック７４と共に回転する基板１２の表面に付与され
る。表面に付与したリンス液は、基板１２の回転（遠心
力）により、外周に向かって均一に広がる。そして、基
板１２から振り切られたリンス廃液は、内スカート部１
００の下面（内面）により仕切り壁１０４の内側に排出
される。
【００３６】仕切り壁１０４外側の処理廃液は、ハウジ
ング８８の底部から抜き出され、廃液回収・液補給装置
２８に送られる。廃液回収・液補給装置２８に貯留され
た処理廃液は、導電率計３０及び／又は吸光光度計３２
により導電率及び／又は吸光度が測定され、その測定値
が制御器６２に入力されて、処理廃液中の１つ又はそれ
以上の成分の濃度が検出される。その検出濃度に応じて
制御器６２からの信号により制御弁６４及び／又は制御
弁６５が開度調節され、処理廃液に処理調整液タンク３
４及び／又は処理調整液タンク３５から調整必要な成分
を含有する所定量の処理調整液が補給されて処理液が調
整される。図中の一点鎖線で囲まれた導電率計３０及び
／又は吸光光度計３２を含む構成が濃度検出部である。
調整された処理液は、ポンプ４０によりろ過フィルタ４
２に送られ、ろ過フィルタ４２によりろ過された後、ス
プレーノズル７６に供給されて処理装置（スピンナ）７
０ａでの基板表面への付与のために循環使用される。こ
の場合、図４に示すように、フィルタ４２でろ過された
処理液の一部を処理液戻し管４３を介して廃液回収・液
補給装置２８に戻すことが望ましく、処理液調整時の撹
拌効果を高めるために、例えば、スプレーノズル４４を
用いて廃液回収・液補給装置２８に戻す構成とすること
ができる。図中の一点鎖線で囲まれたポンプ４０、フィ
ルタ４２及び処理液戻し管４３を含む構成が撹拌・濾過
部である。
【００３７】一方、仕切り壁１０４内側のリンス廃液
は、ハウジング８８の底部から抜き出され、処理廃液と
は別に回収される。この場合、リンス廃液の回収開始か
らあまり時間が経過していないとき（例えば、最初の１
５秒間程度）は、リンス廃液に処理廃液やその他の異物
が混入していることがあるので、制御弁９０を開いて制
御弁９２を閉じ、異物含有リンス廃液を回収するための
第一リンス廃液タンク９４にリンス廃液を排出する。ま
た、リンス廃液の回収開始から一定時間が経過した後
（例えば、約１５秒間経過後）は、リンス廃液に処理廃
液やその他の異物が混入していないか、または混入して
いるとしてもそれらが極めて微量であるので、逆に制御
弁９２を開いて制御弁９０を閉じ、第二リンス廃液タン
ク９６にリンス廃液を排出する。第二リンス廃液タンク
９６で回収されたリンス廃液は別途再調整されることな
く再利用することができる。なお、本実施形態において
は、処理廃液をハウジング８８底部における仕切り壁１
０４の内側で回収し、リンス廃液をハウジング８８底部
における仕切り壁１０４の外側で回収で回収してもよ
い。このとき、廃液回収・液補給装置２８は、仕切り壁
１０４の内側のハウジング８８底部と接続される。他の
構成及び作用は、実施の第１形態の場合と同様である。
【００３８】図５は、本発明の実施の第４形態による基
板表面処理装置を示している。本実施の形態は、カセッ
ト処理方式であり、ローダーによるカセット１０６の搬
入・搬出を行い、カセット１０６には基板１２（例え
ば、半導体製造用のシリコンウェハーが２０枚）が配列
されている。図５に示すように、ハウジング８８内に搬
入された基板１２に、スプレーノズル７６から処理液が
供給されて基板表面に処理液が付与され、ついで、スプ
レーノズル７８からリンス液が付与される。処理廃液
は、ハウジング８８の底部から抜き出され、制御弁８９
を開いて制御弁９０、９２を閉じ、廃液回収・液補給装
置２８に送られる。廃液回収・液補給装置２８に貯留さ
れた処理廃液は、導電率計３０及び／又は吸光光度計３
２により導電率及び／又は吸光度が測定され、その測定
値が制御器６２に入力されて、処理廃液中の１つ又はそ
れ以上の成分の濃度が検出される。その検出濃度に応じ
て制御器６２からの信号により制御弁６４及び／又は制
御弁６５が開度調節され、処理廃液に処理調整液タンク
３４及び／又は処理調整液タンク３５から調整必要な成
分を含有する所定量の処理調整液が補給されて処理液が
調整される。図中の一点鎖線で囲まれた導電率計３０及
び／又は吸光光度計３２を含む構成が濃度検出部であ
る。調整された処理液は、ポンプ４０によりろ過フィル
タ４２に送られ、ろ過フィルタ４２によりろ過された
後、スプレーノズル７６に供給されて処理装置（スピン
ナ）７０ａでの基板表面への付与のために循環使用され
る。この場合、図５に示すように、フィルタ４２でろ過
された処理液の一部を処理液戻し管４３を介して廃液回
収・液補給装置２８に戻すことが望ましく、処理液調整
時の撹拌効果を高めるために、例えば、スプレーノズル
４４を用いて廃液回収・液補給装置２８に戻す構成とす
ることができる。図中の一点鎖線で囲まれたポンプ４
０、フィルタ４２及び処理液戻し管４３を含む構成が撹
拌・濾過部である。
【００３９】一方、仕切り壁１０４内側のリンス廃液
は、ハウジング８８の底部から抜き出され、制御弁８９
を閉じて処理廃液とは別に回収される。この場合、リン
ス廃液の回収開始からあまり時間が経過していないとき
（例えば、最初の１５秒間程度）は、リンス廃液に処理
廃液やその他の異物が混入していることがあるので、制
御弁９０を開いて制御弁９２を閉じ、異物含有リンス廃
液を回収するための第一リンス廃液タンク９４にリンス
廃液を排出する。また、リンス廃液の回収開始から一定
時間が経過した後（例えば、約１５秒間経過後）は、リ
ンス廃液に処理廃液やその他の異物が混入していない
か、または混入しているとしてもそれらが極めて微量で
あるので、逆に制御弁９２を開いて制御弁９０を閉じ、
第二リンス廃液タンク９６にリンス廃液を排出する。第
二リンス廃液タンク９６で回収されたリンス廃液は別途
再調整されることなく再利用することができる。他の構
成及び作用は、実施の第１形態の場合と同様である。
【００４０】
【発明の効果】本発明は、上記のように構成されている
ので、つぎのような効果を奏する。 （１） 処理液の循環使用が効率良く可能となり、か
つ、循環を繰り返しても処理液自体の性能を保持し続け
得る基板表面処理装置を提供することができる。 （２） 処理液の廃液（処理廃液）をリンス液の廃液
（リンス廃液）とは別に回収することができると同時
に、回収した処理廃液に処理調整液を補給して処理液の
処理性能を維持することができるので、基板表面処理の
一連の工程において必要とされる処理液の量を低減さ
せ、かつ、その処理液を有効に再利用するという目的が
達成される。また、廃棄する処理廃液の量が少なくな
る。 （３） 処理液とリンス液とで別々にスピンナを設ける
必要がないので、基板表面処理装置の小型化ができる。
また、リンス液を処理液による処理後すぐに塗布するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の第１形態による基板表面処理装
置を示す系統的概略構成図である。
【図２】図１に示す基板表面処理装置における濃度検出
・液補給の詳細を示す系統的説明図である。
【図３】本発明の実施の第２形態による基板表面処理装
置を示す系統的概略構成図である。
【図４】本発明の実施の第３形態による基板表面処理装
置を示す系統的概略構成図である。
【図５】本発明の実施の第４形態による基板表面処理装
置を示す系統的概略構成図である。
【符号の説明】
１０ ローラーコンベア １２ 基板 １４ 処理液供給装置 １６、２２、８８ ハウジング １８、２４、４４、７６、７８ スプレーノズル ２０ リンス液供給装置 ２６、５２ 廃液溜り部 ２８ 廃液回収・液補給装置 ３０ 導電率計 ３２ 吸光光度計 ３４、３５ 処理調整液タンク ３６ ヒーター ３８ 液面センサー ４０、５４ ポンプ ４２、５６ ろ過フィルタ ４３ 処理液戻し管 ４６ 処理廃液タンク ４８、５０、５８、６０ 圧力計 ６２ 制御器 ６４、６５、６８、８９、９０、９２ 制御弁 ６６ 窒素ガスタンク ７０、７０ａ 処理装置（スピンナ） ７２ 駆動モータ ７４ ウェハチャック ８０ リンス液タンク ８２ カップ（トラフ） ８４ 内壁 ８６ 外壁 ９４ 第一リンス廃液タンク ９６ 第二リンス廃液タンク ９８ インナーカップ（ガイド部） １００ 内スカート部 １０２ 外スカート部 １０４ 仕切り壁 １０６ カセット
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１１月４日（１９９９．１１．
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明するが、本発明は下記の実施の形態に何ら
限定されるものではなく、適宜変更して実施することが
できるものである。図１は、本発明の実施の第１形態に
よる基板表面処理装置を示している。本実施の形態は、
ローラーコンベア上に基板を配置し、基板の処理方向に
処理液とリンス液とを順次付与（供給）していくもので
ある。図１に示すように、ローラーコンベア１０上に配
置された基板１２は、図中の矢印の方向に移動して、ま
ず処理液供給装置１４に導入される。処理液供給装置１
４のハウジング１６内に導入された基板１２には、スプ
レーノズル１８から処理液が供給される。処理液により
表面処理された基板１２は、続いてリンス液供給装置２
０に導入される。リンス液供給装置２０のハウジング２
２内に導入された基板１２には、スプレーノズル２４か
らリンス液が供給される。リンス液としては、アルコー
ル類（例えば、イソプロピルアルコール）や純水などが
使用される。なお、スプレーノズル１８、２４の代わり
にストレートノズルやその他のノズル等を使用してもよ
い。さらに、基板１２が処理液供給装置１４からリンス
液供給装置２０に導入される前に、基板１２の表面及び
裏面には、送風機（図示せず）等によりエアーナイフ又
は窒素ナイフから空気又は窒素ガスが吹き付けられ、基
板に付着している処理液が取り除かれることが好まし
い。これにより、基板により持ち出される処理液及び処
理液供給装置１４から生じる処理液のミストがリンス液
供給装置２０内に進入することを防止できる。本実施形
態では、処理液供給装置１４及びリンス液供給装置２０
が処理手段になる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３８】図５は、本発明の実施の第４形態による基
板表面処理装置を示している。本実施の形態は、カセッ
ト処理方式であり、ローダーによるカセット１０６の搬
入・搬出を行い、カセット１０６には基板１２（例え
ば、半導体製造用のシリコンウェハーが２０枚）が配列
されている。図５に示すように、ハウジング８８内に搬
入された基板１２に、スプレーノズル７６から処理液が
供給されて基板表面に処理液が付与され、ついで、スプ
レーノズル７８からリンス液が付与される。処理廃液
は、ハウジング８８の底部から抜き出され、制御弁８９
を開いて制御弁９０、９２を閉じ、廃液回収・液補給装
置２８に送られる。廃液回収・液補給装置２８に貯留さ
れた処理廃液は、導電率計３０及び／又は吸光光度計３
２により導電率及び／又は吸光度が測定され、その測定
値が制御器６２に入力されて、処理廃液中の１つ又はそ
れ以上の成分の濃度が検出される。その検出濃度に応じ
て制御器６２からの信号により制御弁６４及び／又は制
御弁６５が開度調節され、処理廃液に処理調整液タンク
３４及び／又は処理調整液タンク３５から調整必要な成
分を含有する所定量の処理調整液が補給されて処理液が
調整される。図中の一点鎖線で囲まれた導電率計３０及
び／又は吸光光度計３２を含む構成が濃度検出部であ
る。調整された処理液は、ポンプ４０によりろ過フィル
タ４２に送られ、ろ過フィルタ４２によりろ過された
後、スプレーノズル７６に供給されてハウジング８８内
での基板表面への付与のために循環使用される。この場
合、図５に示すように、ろ過フィルタ４２でろ過された
処理液の一部を処理液戻し管４３を介して廃液回収・液
補給装置２８に戻すことが望ましく、処理液調整時の撹
拌効果を高めるために、例えば、スプレーノズル４４を
用いて廃液回収・液補給装置２８に戻す構成とすること
ができる。図中の一点鎖線で囲まれたポンプ４０、ろ過
フィルタ４２及び処理液戻し管４３を含む構成が撹拌・
濾過部である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】一方、リンス廃液は、ハウジング８８の底
部から抜き出され、制御弁８９を閉じて処理廃液とは別
に回収される。この場合、リンス廃液の回収開始からあ
まり時間が経過していないとき（例えば、最初の１５秒
間程度）は、リンス廃液に処理廃液やその他の異物が混
入していることがあるので、制御弁９０を開いて制御弁
９２を閉じ、異物含有リンス廃液を回収するための第一
リンス廃液タンク９４にリンス廃液を排出する。また、
リンス廃液の回収開始から一定時間が経過した後（例え
ば、約１５秒間経過後）は、リンス廃液に処理廃液やそ
の他の異物が混入していないか、または混入していると
してもそれらが極めて微量であるので、逆に制御弁９２
を開いて制御弁９０を閉じ、第二リンス廃液タンク９６
にリンス廃液を排出する。第二リンス廃液タンク９６で
回収されたリンス廃液は別途再調整されることなく再利
用することができる。他の構成及び作用は、実施の第１
形態の場合と同様である。
フロントページの続き (72)発明者 長瀬 英男 東京都中央区日本橋小舟町５番１号 長瀬 産業株式会社内 (72)発明者 小川 修 東京都中央区日本橋小舟町５番１号 長瀬 産業株式会社内 (72)発明者 上林 清 東京都中央区日本橋小舟町５番１号 長瀬 産業株式会社内 (72)発明者 菊川 誠 横浜市都筑区折本町338 ナガセ電子機器 サービス株式会社内 (72)発明者 宝山 隆博 兵庫県龍野市龍野町中井236 ナガセ電子 化学株式会社兵庫工場内 (72)発明者 中川 俊元 神奈川県川崎市中原区田尻町31番地 株式 会社平間理化研究所内 (72)発明者 松宮 律夫 東京都台東区谷中３丁目６番16号 エム・ セテック株式会社内 (72)発明者 齋藤 博之 東京都台東区谷中３丁目６番16号 エム・ セテック株式会社内 (72)発明者 高津戸 一之 東京都台東区谷中３丁目６番16号 エム・ セテック株式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA26 AA27 GA08 GA17 GA21 HA18 LA03 LA25

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理台上に配置された基板に処理液とリ
    ンス液とを順次付与して基板表面を処理する処理手段；
    処理廃液をリンス廃液とは別に回収する液回収手段；該
    処理廃液を貯留する廃液貯留手段；該処理廃液中の少な
    くとも１つの成分の濃度を導電率計及び／又は吸光光度
    計により検出し、検出値により処理調整液を補給して、
    処理液を調整する濃度検出・液補給手段；並びに調整さ
    れた処理液を前記処理手段に供給する処理液供給手段；
    を備えたことを特徴とする基板表面処理装置。
  2. 【請求項２】 処理台上に配置された基板に処理液とリ
    ンス液とを順次付与して基板表面を処理する処理手段；
    処理廃液をリンス廃液とは別に回収する液回収手段；該
    処理廃液を貯留し、処理廃液中の少なくとも１つの成分
    の濃度を導電率計及び／又は吸光光度計により検出し、
    検出値により処理調整液を補給して、処理液を調整する
    廃液貯留・濃度検出・液補給手段；並びに調整された処
    理液を前記処理手段に供給する処理液供給手段；を備え
    たことを特徴とする基板表面処理装置。
  3. 【請求項３】 廃液貯留手段が、処理廃液を撹拌し、か
    つ濾過する撹拌・濾過部を備えた構成である請求項１記
    載の基板表面処理装置。
  4. 【請求項４】 廃液貯留・濃度検出・液補給手段が、調
    整された処理液を撹拌し、かつ濾過する撹拌・濾過部を
    備えた構成である請求項２記載の基板表面処理装置。
  5. 【請求項５】 リンス廃液を回収し、該リンス廃液の回
    収開始からの時間経過に応じて、回収開始直後の異物含
    有リンス廃液と回収開始から一定時間経過後の第２リン
    ス廃液とに分離するリンス廃液分離手段が液回収手段に
    接続された構成である請求項１〜４のいずれかに記載の
    基板表面処理装置。
  6. 【請求項６】 処理手段で処理される基板が、プリント
    基板、液晶基板、半導体基板及びプラズマディスプレイ
    基板のいずれかである請求項１〜５のいずれかに記載の
    基板表面処理装置。
  7. 【請求項７】 処理手段における処理台が、回転自在な
    ウェハチャック、ローラーコンベア及びカセットのいず
    れかである請求項１〜６のいずれかに記載の基板表面処
    理装置。
  8. 【請求項８】 処理手段における処理台が、基板を載置
    して回転自在なウェハチャックであり、液回収手段が、
    基板の周囲を遮弊する位置と基板の周囲を露出させる位
    置とで昇降可能な内壁と、該内壁の外周に一体に連設さ
    れて昇降可能なカップを形成する外壁と、内壁と外壁と
    で形成される昇降可能な該カップを包囲するハウジング
    とを有する構成である請求項７記載の基板表面処理装
    置。
  9. 【請求項９】 処理手段における処理台が、基板を載置
    して回転自在なウェハチャックであり、液回収手段が、
    基板を周回状に包囲するように設けられた内スカート部
    及び外スカート部を備える昇降可能なインナーカップ
    と、該インナーカップを包囲するハウジングと、該ハウ
    ジングの底面に固定された内スカート部の下方と外スカ
    ート部の下方との間に位置する仕切り壁とを有し、該イ
    ンナーカップが基板の上側に位置する場合に基板からの
    廃液が内スカート部により該仕切り壁の内側に導かれ、
    該インナーカップが基板の下側に位置する場合に基板か
    らの廃液が外スカート部により該仕切り壁の外側に導か
    れる構成である請求項７記載の基板表面処理装置。
  10. 【請求項１０】 処理手段で付与される処理液が現像液
    である請求項１〜５のいずれかに記載の基板表面処理装
    置。
  11. 【請求項１１】 処理手段で付与される現像液が、アル
    カリ性物質と、該アルカリ性物質１００重量部に対し
    て、０．０４重量部〜２５重量部の純水とを含有する液
    である請求項１０記載の基板表面処理装置。
  12. 【請求項１２】 導電率計及び／又は吸光光度計で検出
    される成分が、現像液中のアルカリ性物質及び溶解レジ
    ストの少なくとも一つである請求項１０又は１１記載の
    基板表面処理装置。
  13. 【請求項１３】 現像液に含まれるアルカリ性物質が、
    水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、
    炭酸水素ナトリウム、リン酸ナトリウム、ケイ酸ナトリ
    ウム、テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド及びト
    リメチルモノエタノールアンモニウムヒドロオキシドか
    らなる群より選択される少なくとも１種である請求項１
    ０、１１又は１２記載の基板表面処理装置。
  14. 【請求項１４】 処理手段で付与される処理液が透明導
    電膜用エッチング液である請求項１〜５のいずれかに記
    載の基板表面処理装置。
  15. 【請求項１５】 処理手段で付与される透明導電膜用エ
    ッチング液が、塩酸と硝酸との混合水溶液、塩酸と塩化
    第二鉄との混合水溶液、臭化水素酸水溶液、臭化水素酸
    と塩化第二鉄との混合水溶液、ヨウ化水素酸と塩化第二
    鉄との混合水溶液及びしゅう酸水溶液の少なくとも一種
    である請求項１４記載の基板表面処理装置。
  16. 【請求項１６】 導電率計及び／又は吸光光度計で検出
    される成分が、透明導電膜用エッチング液中の酸及び溶
    解インジウムの少なくとも一つである請求項１４又は１
    ５記載の基板表面処理装置。
  17. 【請求項１７】 処理手段で付与される処理液がレジス
    ト剥離液である請求項１〜５のいずれかに記載の基板表
    面処理装置。
  18. 【請求項１８】 処理手段で付与されるレジスト剥離液
    が、アルカノールアミンと、該アルカノールアミン１０
    ０重量部に対して２０重量部〜８００重量部の有機溶媒
    とを含有する液である請求項１７記載の基板表面処理装
    置。
  19. 【請求項１９】 導電率計及び／又は吸光光度計で検出
    される成分が、レジスト剥離液中の溶解レジスト及びア
    ルカノールアミンの少なくとも一つである請求項１７又
    は１８記載の基板表面処理装置。
  20. 【請求項２０】 処理手段で付与されるレジスト剥離液
    が、アルカノールアミンと、該アルカノールアミン１０
    ０重量部に対して２０重量部〜８００重量部の有機溶媒
    と、５重量部〜９００重量部の純水を含有する液である
    請求項１７記載の基板表面処理装置。
  21. 【請求項２１】 導電率計及び／又は吸光光度計で検出
    される成分が、レジスト剥離液中の溶解レジスト、アル
    カノールアミン及び純水の少なくとも一つである請求項
    １７又は２０記載の基板表面処理装置。
  22. 【請求項２２】 処理手段で付与されるレジスト剥離液
    が、アルカノールアミンと、該アルカノールアミン１０
    ０重量部に対して２０重量部〜８００重量部の有機溶媒
    と、５重量部〜９００重量部の純水と、１重量部〜３０
    ０重量部のヒドロキシルアミンとを含有する液である請
    求項１７記載の基板表面処理装置。
  23. 【請求項２３】 導電率計及び／又は吸光光度計で検出
    される成分が、レジスト剥離液中の溶解レジスト、アル
    カノールアミン、純水及びヒドロキシルアミンの少なく
    とも一つである請求項１７又は２２記載の基板表面処理
    装置。
  24. 【請求項２４】 レジスト剥離液に含まれるアルカノー
    ルアミンが、モノエタノールアミン、ジエタノールアミ
    ン、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノー
    ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、アミノ
    エチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタ
    ノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ
    −メチルエタノールアミン及び３−アミノ−１−プロパ
    ノールからなる群より選択される少なくとも１種のアミ
    ンである請求項１７〜２３のいずれかに記載の基板表面
    処理装置。
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