JP2000332006A - 酸化処理装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ランプハウスから熱排気系に排気されるオゾ
ンを低減する。 【解決手段】 被処理体ｗを収容する処理容器１と、該
処理容器１内にオゾンを含む処理ガスを供給する処理ガ
ス供給手段６と、前記処理容器１に紫外線透過窓１０を
介して設けられ紫外線ランプ２１を収容したランプハウ
ス２０とを備え、前記処理容器１内のオゾンに前記紫外
線ランプ２１から紫外線を照射することによりオゾンを
分解して被処理体ｗを酸化処理する酸化処理装置におい
て、前記ランプハウス２０に冷却用の空気を流通させる
給気口２２および排気口２３を設けると共に、排気口２
３に接続した熱排気系５０にオゾンを分解するオゾン分
解手段５１を設けた。
ンを低減する。 【解決手段】 被処理体ｗを収容する処理容器１と、該
処理容器１内にオゾンを含む処理ガスを供給する処理ガ
ス供給手段６と、前記処理容器１に紫外線透過窓１０を
介して設けられ紫外線ランプ２１を収容したランプハウ
ス２０とを備え、前記処理容器１内のオゾンに前記紫外
線ランプ２１から紫外線を照射することによりオゾンを
分解して被処理体ｗを酸化処理する酸化処理装置におい
て、前記ランプハウス２０に冷却用の空気を流通させる
給気口２２および排気口２３を設けると共に、排気口２
３に接続した熱排気系５０にオゾンを分解するオゾン分
解手段５１を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化処理装置に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】被処理体例えば半導体ウエハを酸化処理
する酸化処理装置としては、半導体ウエハを収容する処
理容器（プロセスチャンバ）と、該処理容器内にオゾン
（Ｏ3）を含む処理ガスを供給する処理ガス供給手段
と、前記処理容器に紫外線透過窓を介して設けられ紫外
線ランプを収容したランプハウスとを備え、前記処理容
器内のオゾンに前記紫外線ランプから紫外線を照射する
ことによりオゾンを分解して半導体ウエハに酸化処理を
施すようにした枚葉式酸化処理装置が知られている（例
えば、特開平１０−７９３７７号公報等参照）。
する酸化処理装置としては、半導体ウエハを収容する処
理容器（プロセスチャンバ）と、該処理容器内にオゾン
（Ｏ3）を含む処理ガスを供給する処理ガス供給手段
と、前記処理容器に紫外線透過窓を介して設けられ紫外
線ランプを収容したランプハウスとを備え、前記処理容
器内のオゾンに前記紫外線ランプから紫外線を照射する
ことによりオゾンを分解して半導体ウエハに酸化処理を
施すようにした枚葉式酸化処理装置が知られている（例
えば、特開平１０−７９３７７号公報等参照）。
【０００３】このような酸化処理装置においては、紫外
線の発生率を上げるために、ランプハウス内における紫
外線ランプの表面を所定の温度域（２４０〜２７０℃）
に保つことが好ましい。そこで、前記ランプハウスに冷
却用の空気を流通させる吸気口および排気口を設けると
共に、その排気口に熱排気系を接続し、空気量を調整し
て紫外線ランプの表面温度を所定の温度域に入るように
することが検討されている。
線の発生率を上げるために、ランプハウス内における紫
外線ランプの表面を所定の温度域（２４０〜２７０℃）
に保つことが好ましい。そこで、前記ランプハウスに冷
却用の空気を流通させる吸気口および排気口を設けると
共に、その排気口に熱排気系を接続し、空気量を調整し
て紫外線ランプの表面温度を所定の温度域に入るように
することが検討されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記酸
化処理装置においては、ランプハウス内に空気を流通さ
せると、紫外線ランプから発する紫外線のうちの特定波
長の光によって、流通空気中の酸素がオゾン化される場
合があり、その場合、オゾンが熱排気系に排気されてし
まうことが予想される。
化処理装置においては、ランプハウス内に空気を流通さ
せると、紫外線ランプから発する紫外線のうちの特定波
長の光によって、流通空気中の酸素がオゾン化される場
合があり、その場合、オゾンが熱排気系に排気されてし
まうことが予想される。
【０００５】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、ランプハウスから熱排気系に排気されるオゾンを
低減することができる酸化処理装置を提供することを目
的とする。また、本発明の目的は、ランプハウス内での
オゾンの発生を防止することができる酸化処理装置を提
供することにある。
ので、ランプハウスから熱排気系に排気されるオゾンを
低減することができる酸化処理装置を提供することを目
的とする。また、本発明の目的は、ランプハウス内での
オゾンの発生を防止することができる酸化処理装置を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
に係る発明は、被処理体を収容する処理容器と、該処理
容器内にオゾンを含む処理ガスを供給する処理ガス供給
手段と、前記処理容器に紫外線透過窓を介して設けられ
紫外線ランプを収容したランプハウスとを備え、前記処
理容器内のオゾンに前記紫外線ランプから紫外線を照射
することによりオゾンを分解して被処理体を酸化処理す
る酸化処理装置において、前記ランプハウスに冷却用の
空気を流通させる給気口および排気口を設けると共に、
該排気口に接続した熱排気系にオゾンを分解するオゾン
分解手段を設けたことを特徴とする。
に係る発明は、被処理体を収容する処理容器と、該処理
容器内にオゾンを含む処理ガスを供給する処理ガス供給
手段と、前記処理容器に紫外線透過窓を介して設けられ
紫外線ランプを収容したランプハウスとを備え、前記処
理容器内のオゾンに前記紫外線ランプから紫外線を照射
することによりオゾンを分解して被処理体を酸化処理す
る酸化処理装置において、前記ランプハウスに冷却用の
空気を流通させる給気口および排気口を設けると共に、
該排気口に接続した熱排気系にオゾンを分解するオゾン
分解手段を設けたことを特徴とする。
【０００７】請求項２に係る発明は、請求項１におい
て、前記オゾン分解手段が二酸化マンガンを主とする触
媒を収容した触媒ユニットであることを特徴とする。
て、前記オゾン分解手段が二酸化マンガンを主とする触
媒を収容した触媒ユニットであることを特徴とする。
【０００８】請求項３に係る発明は、被処理体を収容す
る処理容器と、該処理容器内にオゾンを含む処理ガスを
供給する処理ガス供給手段と、前記処理容器に紫外線透
過窓を介して設けられ紫外線ランプを収容したランプハ
ウスとを備え、前記処理容器内のオゾンに前記紫外線ラ
ンプから紫外線を照射することによりオゾンを分解して
被処理体を酸化処理する酸化処理装置において、前記ラ
ンプハウス内に冷却用の不活性ガスを流通させる不活性
ガス流通手段を設けたことを特徴とする。
る処理容器と、該処理容器内にオゾンを含む処理ガスを
供給する処理ガス供給手段と、前記処理容器に紫外線透
過窓を介して設けられ紫外線ランプを収容したランプハ
ウスとを備え、前記処理容器内のオゾンに前記紫外線ラ
ンプから紫外線を照射することによりオゾンを分解して
被処理体を酸化処理する酸化処理装置において、前記ラ
ンプハウス内に冷却用の不活性ガスを流通させる不活性
ガス流通手段を設けたことを特徴とする。
【０００９】請求項４に係る発明は、請求項３におい
て、前記不活性ガス流通手段として、ランプハウスに対
して不活性ガスを循環流通させる循環流通系を設け、該
循環流通系に循環する不活性ガスの熱を外部に放出する
放熱手段を設けたことを特徴とする。
て、前記不活性ガス流通手段として、ランプハウスに対
して不活性ガスを循環流通させる循環流通系を設け、該
循環流通系に循環する不活性ガスの熱を外部に放出する
放熱手段を設けたことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基づいて詳述する。図１は本発明を枚葉式酸化
処理装置に適用した実施の形態におけるランプハウスの
空冷系を示す構成図、図２は同空冷系における触媒ユニ
ットの詳細を示す断面図、図３は枚葉式酸化処理装置の
要部構成図である。
付図面に基づいて詳述する。図１は本発明を枚葉式酸化
処理装置に適用した実施の形態におけるランプハウスの
空冷系を示す構成図、図２は同空冷系における触媒ユニ
ットの詳細を示す断面図、図３は枚葉式酸化処理装置の
要部構成図である。
【００１１】まず、図３を参照して枚葉式酸化処理装置
の要部構成について説明する。この枚葉式酸化処理装置
は、耐熱性および耐食性を有する材料例えばアルミニウ
ム製の処理容器（プロセスチャンバ、処理室ともいう）
１を有し、この処理容器１の底部には排気口２が設けら
れている。この排気口２には、処理容器１内を所定の圧
力に減圧排気するために、真空ポンプおよび圧力制御機
構を備えた排気系（処理ガス排気系）１５が接続されて
いる。この処理ガス排気系１５は、除害装置を備えた工
場のプロセス熱排気系に接続されている。
の要部構成について説明する。この枚葉式酸化処理装置
は、耐熱性および耐食性を有する材料例えばアルミニウ
ム製の処理容器（プロセスチャンバ、処理室ともいう）
１を有し、この処理容器１の底部には排気口２が設けら
れている。この排気口２には、処理容器１内を所定の圧
力に減圧排気するために、真空ポンプおよび圧力制御機
構を備えた排気系（処理ガス排気系）１５が接続されて
いる。この処理ガス排気系１５は、除害装置を備えた工
場のプロセス熱排気系に接続されている。
【００１２】前記処理容器１内には、被処理体例えば半
導体ウエハｗを保持するための載置台（サセプタ、被処
理体保持体ともいう）３が回転可能に設けられ、この載
置台３には、半導体ウエハを吸着保持する静電チャック
が設けられていることが好ましい。載置台３には、半導
体ウエハｗを所望の温度に面内均一に加熱するための図
示しない抵抗発熱体からなるヒータ（加熱手段）が設け
られている（図示省略）。
導体ウエハｗを保持するための載置台（サセプタ、被処
理体保持体ともいう）３が回転可能に設けられ、この載
置台３には、半導体ウエハを吸着保持する静電チャック
が設けられていることが好ましい。載置台３には、半導
体ウエハｗを所望の温度に面内均一に加熱するための図
示しない抵抗発熱体からなるヒータ（加熱手段）が設け
られている（図示省略）。
【００１３】処理容器１の側壁の一方には、ゲートバル
ブ８を装備したウエハ搬入出口７が設けられ、処理容器
１の側壁の他方には、処理容器１内の点検等に使用され
た蓋１２付の開口部１１が設けられている。前記処理容
器１は、図示しない搬送アームを備えた搬送室１３にゲ
ートバルブ８を介して連結されており、その搬送アーム
によって半導体ウエハｗの搬入搬出が行なわれるように
なっている。
ブ８を装備したウエハ搬入出口７が設けられ、処理容器
１の側壁の他方には、処理容器１内の点検等に使用され
た蓋１２付の開口部１１が設けられている。前記処理容
器１は、図示しない搬送アームを備えた搬送室１３にゲ
ートバルブ８を介して連結されており、その搬送アーム
によって半導体ウエハｗの搬入搬出が行なわれるように
なっている。
【００１４】前記処理容器１内の天井部には、半導体ウ
エハｗの被処理面（上面）にオゾンを含む処理ガスを供
給するシャワーヘッド５が設けられている。このシャワ
ーヘッド５には、該シャワーヘッド５内に導入された処
理ガスを、処理空間Ｓ内における載置台３上の半導体ウ
エハｗに向けて放出する多数の噴射孔（図示省略）が設
けられている。シャワーヘッド５は、後述する紫外線透
過窓１０の下に設けられているため、紫外線を透過する
材料、例えば石英により形成されていることが好まし
い。
エハｗの被処理面（上面）にオゾンを含む処理ガスを供
給するシャワーヘッド５が設けられている。このシャワ
ーヘッド５には、該シャワーヘッド５内に導入された処
理ガスを、処理空間Ｓ内における載置台３上の半導体ウ
エハｗに向けて放出する多数の噴射孔（図示省略）が設
けられている。シャワーヘッド５は、後述する紫外線透
過窓１０の下に設けられているため、紫外線を透過する
材料、例えば石英により形成されていることが好まし
い。
【００１５】シャワーヘッド５には、処理ガス供給手段
であるガス供給管６が接続され、このガス導入管６には
マスフローコントローラ（図示省略）を介して公知のオ
ゾン発生器（図示省略）が接続されている。オゾン発生
器には、オゾン発生の原料となる酸素ガスが供給される
と共に、オゾンの発生効率を向上させるための微量の添
加ガス、例えば窒素ガス（Ｎ2）が供給されるようにな
っている。
であるガス供給管６が接続され、このガス導入管６には
マスフローコントローラ（図示省略）を介して公知のオ
ゾン発生器（図示省略）が接続されている。オゾン発生
器には、オゾン発生の原料となる酸素ガスが供給される
と共に、オゾンの発生効率を向上させるための微量の添
加ガス、例えば窒素ガス（Ｎ2）が供給されるようにな
っている。
【００１６】また、処理容器１の天井部には、半導体ウ
エハｗの径よりも大きな円形の開口が形成されており、
この開口には、紫外線を透過する材料、例えば石英によ
り形成された紫外線透過窓１０が気密に取り付けられて
いる。前記処理容器１の上部には、紫外線透過窓１０を
介して紫外線ランプ２１を収容した箱形のランプハウス
２０が設けられている。
エハｗの径よりも大きな円形の開口が形成されており、
この開口には、紫外線を透過する材料、例えば石英によ
り形成された紫外線透過窓１０が気密に取り付けられて
いる。前記処理容器１の上部には、紫外線透過窓１０を
介して紫外線ランプ２１を収容した箱形のランプハウス
２０が設けられている。
【００１７】このランプハウス２０の内部には、紫外線
透過窓１０を通して処理容器１内に紫外線を照射する紫
外線ランプ２１が複数配設されている。そして、紫外線
ランプ２１より紫外線が処理容器１内の雰囲気中に照射
されることにより、該雰囲気中のオゾン（Ｏ3）が酸素
（Ｏ2）と活性酸素（Ｏ+）に分解され、その活性酸素に
より半導体ウエハｗが酸化処理されるようになってい
る。
透過窓１０を通して処理容器１内に紫外線を照射する紫
外線ランプ２１が複数配設されている。そして、紫外線
ランプ２１より紫外線が処理容器１内の雰囲気中に照射
されることにより、該雰囲気中のオゾン（Ｏ3）が酸素
（Ｏ2）と活性酸素（Ｏ+）に分解され、その活性酸素に
より半導体ウエハｗが酸化処理されるようになってい
る。
【００１８】紫外線ランプ２１は、ランプ表面の温度が
所定の温度域（２４０〜２７０℃）にあるときに効率よ
く紫外線を照射する。そこで、ランプハウス２０には、
紫外線ランプ２１の表面温度を所定の温度域に保つため
の冷却手段例えば空冷系として、給気口２２および排気
口２３と、強制排気のためのブロワ２４とが設けられて
いる。前記排気口２３には熱排気系５０が接続され、こ
の熱排気系５０にはランプハウス２０内で冷却用の空気
が紫外線ランプ２１から発する紫外線の特定波長（１８
５ｎｍ）の光によってオゾン化された場合、そのオゾン
を分解するオゾン分解手段としての触媒ユニット５１が
設けられている。
所定の温度域（２４０〜２７０℃）にあるときに効率よ
く紫外線を照射する。そこで、ランプハウス２０には、
紫外線ランプ２１の表面温度を所定の温度域に保つため
の冷却手段例えば空冷系として、給気口２２および排気
口２３と、強制排気のためのブロワ２４とが設けられて
いる。前記排気口２３には熱排気系５０が接続され、こ
の熱排気系５０にはランプハウス２０内で冷却用の空気
が紫外線ランプ２１から発する紫外線の特定波長（１８
５ｎｍ）の光によってオゾン化された場合、そのオゾン
を分解するオゾン分解手段としての触媒ユニット５１が
設けられている。
【００１９】図１はランプハウスの空冷系の構成を示し
ている。各処理容器のランプハウス２０には、冷却用の
空気をランプハウス２０内に導入するの給気口２２と、
ランプハウス２０内の空気を排気する排気口２３とが設
けられており、ランプハウス２０内には空気を排気口２
３から熱排気系５０に強制的に排気するためのブロワ２
４が設けられている。
ている。各処理容器のランプハウス２０には、冷却用の
空気をランプハウス２０内に導入するの給気口２２と、
ランプハウス２０内の空気を排気する排気口２３とが設
けられており、ランプハウス２０内には空気を排気口２
３から熱排気系５０に強制的に排気するためのブロワ２
４が設けられている。
【００２０】前記熱排気系５０は、図示しない工場の熱
排気系に接続されたメイン排気管５０ａと、このメイン
排気管５０ａから分岐されて各ランプハウス２０の排気
口２３に接続されたサブ排気管５０ｂとから構成されて
いる。各サブ排気管５０ｂには前記触媒ユニット５１が
設けられ、触媒ユニット５１の下流側にはオゾンを検知
するオゾンセンサ５２が設けられている。
排気系に接続されたメイン排気管５０ａと、このメイン
排気管５０ａから分岐されて各ランプハウス２０の排気
口２３に接続されたサブ排気管５０ｂとから構成されて
いる。各サブ排気管５０ｂには前記触媒ユニット５１が
設けられ、触媒ユニット５１の下流側にはオゾンを検知
するオゾンセンサ５２が設けられている。
【００２１】各サブ排気管５０ｂがメイン排気管５０ａ
に合流する部分５０ｙには、逆流防止のためのダンパ
（図示省略）が設けられている。また、メイン排気管５
０ａには、ブロワ５３が設けられている。このブロワ５
３は、各ランプハウス２０の排気量、触媒ユニット５１
の排気抵抗、配管の排気抵抗を考慮して容量が設定され
ている。
に合流する部分５０ｙには、逆流防止のためのダンパ
（図示省略）が設けられている。また、メイン排気管５
０ａには、ブロワ５３が設けられている。このブロワ５
３は、各ランプハウス２０の排気量、触媒ユニット５１
の排気抵抗、配管の排気抵抗を考慮して容量が設定され
ている。
【００２２】前記触媒ユニット５１は、図２に示すよう
に、フランジ６１ａ、６２ａ付の接続管部６１ｂ、６２
ｂを中心部に突設した一対の椀形のケーシング６１、６
２を、合わせてフランジ６１ｃ、６２ｃでボルト結合
し、その中に２枚のメッシュ６３、６４で挟んだ状態で
触媒６５を収容したものである。この構造では、触媒６
５のガス流通面積が広く確保されている。触媒６５とし
ては、活性炭等も使用可能であるが、耐熱性ないし発火
防止を考慮して二酸化マンガンが使用されていることが
好ましい。
に、フランジ６１ａ、６２ａ付の接続管部６１ｂ、６２
ｂを中心部に突設した一対の椀形のケーシング６１、６
２を、合わせてフランジ６１ｃ、６２ｃでボルト結合
し、その中に２枚のメッシュ６３、６４で挟んだ状態で
触媒６５を収容したものである。この構造では、触媒６
５のガス流通面積が広く確保されている。触媒６５とし
ては、活性炭等も使用可能であるが、耐熱性ないし発火
防止を考慮して二酸化マンガンが使用されていることが
好ましい。
【００２３】次に上記の酸化処理装置の作用を説明す
る。この酸化処理装置で半導体ウエハｗを処理する場合
には、まず、搬送室１３内の図示しない搬送アームによ
り半導体ウエハｗを、ゲートバルブ８を介して処理容器
１内に搬入し、これを載置台３上に載置して静電チャッ
クで吸着保持する。そして、載置台３のヒータで半導体
ウエハｗを所定のプロセス温度に加熱すると共に、処理
容器１内を真空引きして所定のプロセス圧力に維持しつ
つ、処理ガスとしてオゾンを供給して処理を開始する。
オゾン発生器で生成されるオゾン（Ｏ3）は、ガス導入
管６を介してシャワーヘッド５内に導入され、多数の噴
射孔より処理空間Ｓ内の載置台３上の半導体ウエハｗに
向けて噴出供給される。
る。この酸化処理装置で半導体ウエハｗを処理する場合
には、まず、搬送室１３内の図示しない搬送アームによ
り半導体ウエハｗを、ゲートバルブ８を介して処理容器
１内に搬入し、これを載置台３上に載置して静電チャッ
クで吸着保持する。そして、載置台３のヒータで半導体
ウエハｗを所定のプロセス温度に加熱すると共に、処理
容器１内を真空引きして所定のプロセス圧力に維持しつ
つ、処理ガスとしてオゾンを供給して処理を開始する。
オゾン発生器で生成されるオゾン（Ｏ3）は、ガス導入
管６を介してシャワーヘッド５内に導入され、多数の噴
射孔より処理空間Ｓ内の載置台３上の半導体ウエハｗに
向けて噴出供給される。
【００２４】一方、これと同時に、ランプハウス２０内
の紫外線ランプ２１を点灯して紫外線を照射させる。こ
の紫外線は、石英製の紫外線透過窓１０を透過して、所
定の真空圧に維持された処理容器１内に入り、さらに、
石英製のシャワーヘッド５を透過して、処理空間Ｓにお
けるオゾンを主体成分とする処理ガス雰囲気中に注がれ
る。ここで、オゾンは紫外線の照射により酸素と活性酸
素に分解され、その活性酸素により載置台３上の半導体
ウエハｗが酸化処理される。
の紫外線ランプ２１を点灯して紫外線を照射させる。こ
の紫外線は、石英製の紫外線透過窓１０を透過して、所
定の真空圧に維持された処理容器１内に入り、さらに、
石英製のシャワーヘッド５を透過して、処理空間Ｓにお
けるオゾンを主体成分とする処理ガス雰囲気中に注がれ
る。ここで、オゾンは紫外線の照射により酸素と活性酸
素に分解され、その活性酸素により載置台３上の半導体
ウエハｗが酸化処理される。
【００２５】このような処理中に、紫外線ランプ２１の
表面温度を一定範囲に維持するために、ランプハウス２
０内に、給気口２２および排気口２３と、ブロワ２４と
により空気を流通させて冷却する。この場合、紫外線ラ
ンプ２１から発する紫外線の特定波長の光によって流通
空気中の酸素がオゾン化される場合がある。この場合、
そのオゾンは排気と一緒に排気口２３から熱排気系５０
に排気されることになるが、排気口２３に連なるサブ排
気管５０ｂには、オゾンを分解する触媒ユニット５１が
設けられているため、排気中のオゾンは触媒ユニット５
１内の触媒６５によって分解され、許容値（０．１ｐｐ
ｍ）以下に低減することができる。
表面温度を一定範囲に維持するために、ランプハウス２
０内に、給気口２２および排気口２３と、ブロワ２４と
により空気を流通させて冷却する。この場合、紫外線ラ
ンプ２１から発する紫外線の特定波長の光によって流通
空気中の酸素がオゾン化される場合がある。この場合、
そのオゾンは排気と一緒に排気口２３から熱排気系５０
に排気されることになるが、排気口２３に連なるサブ排
気管５０ｂには、オゾンを分解する触媒ユニット５１が
設けられているため、排気中のオゾンは触媒ユニット５
１内の触媒６５によって分解され、許容値（０．１ｐｐ
ｍ）以下に低減することができる。
【００２６】なお、触媒ユニット５１内の触媒６５の能
力が低下し、オゾンが触媒ユニット５１の下流側に流出
した場合には、オゾンセンサ５２がそれを検知するの
で、インターロックをかけて安全モードに切り替えるこ
とにより、オゾンの流出を防止することができる。安全
モードの例としては、紫外線ランプ２１をＯＦＦにす
る。あるいは、微量のオゾンが検出された段階で事前に
警告ランプ等で触媒の交換を促すようにする。
力が低下し、オゾンが触媒ユニット５１の下流側に流出
した場合には、オゾンセンサ５２がそれを検知するの
で、インターロックをかけて安全モードに切り替えるこ
とにより、オゾンの流出を防止することができる。安全
モードの例としては、紫外線ランプ２１をＯＦＦにす
る。あるいは、微量のオゾンが検出された段階で事前に
警告ランプ等で触媒の交換を促すようにする。
【００２７】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、ランプハウスの熱排
気系に設けられるオゾン分解手段としては、触媒ユニッ
ト以外に、例えばオゾンを熱分解するヒータを備えた熱
分解ユニットであっても良い。また、前記実施の形態で
は、ランプハウス内に冷却手段として空気を流通させる
ようにしたが、空気以外に例えば不活性ガスを流通させ
るようにしても良い。
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、ランプハウスの熱排
気系に設けられるオゾン分解手段としては、触媒ユニッ
ト以外に、例えばオゾンを熱分解するヒータを備えた熱
分解ユニットであっても良い。また、前記実施の形態で
は、ランプハウス内に冷却手段として空気を流通させる
ようにしたが、空気以外に例えば不活性ガスを流通させ
るようにしても良い。
【００２８】図４は、ランプハウスの他の冷却系を概略
的に示す図であり、ランプハウス２０には該ランプハウ
ス２０内に冷却用の不活性ガスを流通させる不活性ガス
流通手段７０が設けられている。不活性ガス流通手段７
０として、ランプハウス２０に対して不活性ガス例えば
窒素ガス（Ｎ2）を循環流通させる循環流通系７１が設
けられ、この循環流通系７１には循環する不活性ガスの
熱を外部に放出する放熱手段（放熱器）７２が設けられ
ていることが好ましい。
的に示す図であり、ランプハウス２０には該ランプハウ
ス２０内に冷却用の不活性ガスを流通させる不活性ガス
流通手段７０が設けられている。不活性ガス流通手段７
０として、ランプハウス２０に対して不活性ガス例えば
窒素ガス（Ｎ2）を循環流通させる循環流通系７１が設
けられ、この循環流通系７１には循環する不活性ガスの
熱を外部に放出する放熱手段（放熱器）７２が設けられ
ていることが好ましい。
【００２９】これによれば、紫外線ランプ２１の冷却手
段として空気の代わりに、不活性ガス例えば窒素ガス
（Ｎ2）をランプハウス２０内に流通させるため、オゾ
ン化の問題を解消することができ、オゾン分解手段（触
媒ユニット等）を不要にすることができる。また、不活
性ガスをそのまま熱排気系に排気したのではコストがか
かるため、ランプハウス２０に対して不活性ガスを循環
流通させるようにし、その循環流通系７１に循環ガスの
熱を外部に放出する放熱手段７２を設けたので、不活性
ガスの使用量を少なくしてコストの低減が図れる。
段として空気の代わりに、不活性ガス例えば窒素ガス
（Ｎ2）をランプハウス２０内に流通させるため、オゾ
ン化の問題を解消することができ、オゾン分解手段（触
媒ユニット等）を不要にすることができる。また、不活
性ガスをそのまま熱排気系に排気したのではコストがか
かるため、ランプハウス２０に対して不活性ガスを循環
流通させるようにし、その循環流通系７１に循環ガスの
熱を外部に放出する放熱手段７２を設けたので、不活性
ガスの使用量を少なくしてコストの低減が図れる。
【００３０】前記実施の形態ではコールドウォール型の
酸化処理装置が示されているが、本発明はホットウォー
ル型の酸化処理装置にも適用可能である。また、前記実
施の形態では枚葉式の酸化処理装置が示されているが、
本発明はバッチ式の酸化処理装置にも適用可能である。
また、被処理体（被処理基板）としては、半導体ウエハ
以外に、例えばガラス基板やＬＣＤ基板等が適用可能で
ある。
酸化処理装置が示されているが、本発明はホットウォー
ル型の酸化処理装置にも適用可能である。また、前記実
施の形態では枚葉式の酸化処理装置が示されているが、
本発明はバッチ式の酸化処理装置にも適用可能である。
また、被処理体（被処理基板）としては、半導体ウエハ
以外に、例えばガラス基板やＬＣＤ基板等が適用可能で
ある。
【００３１】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。
な効果を奏することができる。
【００３２】（１）請求項１に係る発明によれば、ラン
プハウスに冷却用の空気を流通させる給気口および排気
口を設けると共に、この排気口に接続した熱排気系にオ
ゾンを分解するオゾン分解手段を設けたので、ランプハ
ウス内でオゾンが発生しても、そのオゾンを熱排気系に
排気する段階で低減することができる。
プハウスに冷却用の空気を流通させる給気口および排気
口を設けると共に、この排気口に接続した熱排気系にオ
ゾンを分解するオゾン分解手段を設けたので、ランプハ
ウス内でオゾンが発生しても、そのオゾンを熱排気系に
排気する段階で低減することができる。
【００３３】（２）請求項２に係る発明によれば、前記
オゾン分解手段が二酸化マンガンを主とする触媒を収容
した触媒ユニットであるため、簡単な構成でオゾンを容
易に分解することができる。
オゾン分解手段が二酸化マンガンを主とする触媒を収容
した触媒ユニットであるため、簡単な構成でオゾンを容
易に分解することができる。
【００３４】（３）請求項３に係る発明によれば、ラン
プハウス内に冷却用の不活性ガスを流通させる不活性ガ
ス流通手段を設けたので、ランプハウス内におけるオゾ
ンの発生を防止することができる。
プハウス内に冷却用の不活性ガスを流通させる不活性ガ
ス流通手段を設けたので、ランプハウス内におけるオゾ
ンの発生を防止することができる。
【００３５】（４）請求項４に係る発明によれば、前記
不活性ガス流通手段として、ランプハウスに対して不活
性ガスを循環流通させる循環流通系を設け、該循環流通
系に循環する不活性ガスの熱を外部に放出する放熱手段
を設けたので、不活性ガスの使用量を少なくしてコスト
の低減が図れる。
不活性ガス流通手段として、ランプハウスに対して不活
性ガスを循環流通させる循環流通系を設け、該循環流通
系に循環する不活性ガスの熱を外部に放出する放熱手段
を設けたので、不活性ガスの使用量を少なくしてコスト
の低減が図れる。
【図１】本発明を枚葉式酸化処理装置に適用した実施の
形態におけるランプハウスの空冷系を示す系統図であ
る。
形態におけるランプハウスの空冷系を示す系統図であ
る。
【図２】図１の空冷系における触媒ユニットの詳細を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】枚葉式酸化処理装置の要部構成図である。
【図４】ランプハウスの他の冷却系を概略的に示す図で
ある。
ある。
【符号の説明】 ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 処理容器 ６ ガス供給管（処理ガス供給手段） １０ 紫外線透過窓 ２０ ランプハウス ２１ 紫外線ランプ ２２ 給気口 ２３ 排気口 ２４ ブロワ ５０ 熱排気系 ５１ 触媒ユニット（オゾン分解手段） ６５ 触媒 ７０ 不活性ガス流通手段 ７１ 循環流通系 ７２ 放熱手段
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F045 AA11 AB32 AF02 AF07 DP03 EC03 EJ10 EK12 EK19 5F058 BC02 BF05
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理体を収容する処理容器と、該処理
容器内にオゾンを含む処理ガスを供給する処理ガス供給
手段と、前記処理容器に紫外線透過窓を介して設けられ
紫外線ランプを収容したランプハウスとを備え、前記処
理容器内のオゾンに前記紫外線ランプから紫外線を照射
することによりオゾンを分解して被処理体を酸化処理す
る酸化処理装置において、前記ランプハウスに冷却用の
空気を流通させる吸気口および排気口を設けると共に、
該排気口に接続した熱排気系にオゾンを分解するための
オゾン分解手段を設けたことを特徴とする酸化処理装
置。 - 【請求項２】 前記オゾン分解手段が二酸化マンガンを
主とする触媒を収容した触媒ユニットであることを特徴
とする請求項１記載の酸化処理装置。 - 【請求項３】 被処理体を収容する処理容器と、該処理
容器内にオゾンを含む処理ガスを供給する処理ガス供給
手段と、前記処理容器に紫外線透過窓を介して設けられ
紫外線ランプを収容したランプハウスとを備え、前記処
理容器内のオゾンに前記紫外線ランプから紫外線を照射
することによりオゾンを分解して被処理体を酸化処理す
る酸化処理装置において、前記ランプハウス内に冷却用
の不活性ガスを流通させる不活性ガス流通手段を設けた
ことを特徴とする酸化処理装置。 - 【請求項４】 前記不活性ガス流通手段として、ランプ
ハウスに対して不活性ガスを循環流通させる循環流通系
を設け、該循環流通系に循環する不活性ガスの熱を外部
に放出する放熱手段を設けたことを特徴とする請求項３
記載の酸化処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11142561A JP2000332006A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 酸化処理装置 |
| TW089109931A TW473776B (en) | 1999-05-24 | 2000-05-23 | Oxidation processing unit |
| KR1020000027737A KR20010020883A (ko) | 1999-05-24 | 2000-05-23 | 산화처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11142561A JP2000332006A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 酸化処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000332006A true JP2000332006A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15318207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11142561A Pending JP2000332006A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 酸化処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000332006A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043240A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Japan Storage Battery Co Ltd | 紫外線処理装置 |
| US9452379B2 (en) | 2014-01-14 | 2016-09-27 | International Business Machines Corporation | Ozone abatement system for semiconductor manufacturing system |
| CN110875177A (zh) * | 2018-08-29 | 2020-03-10 | 细美事有限公司 | 基板处理装置和方法 |
| JP2020150238A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1999
- 1999-05-24 JP JP11142561A patent/JP2000332006A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043240A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Japan Storage Battery Co Ltd | 紫外線処理装置 |
| US9452379B2 (en) | 2014-01-14 | 2016-09-27 | International Business Machines Corporation | Ozone abatement system for semiconductor manufacturing system |
| US10369510B2 (en) | 2014-01-14 | 2019-08-06 | International Business Machines Corporation | Ozone abatement system for semiconductor manufacturing system |
| US10434455B2 (en) | 2014-01-14 | 2019-10-08 | International Business Machines Corporation | Ozone abatement system for semiconductor manufacturing system |
| US10894229B2 (en) | 2014-01-14 | 2021-01-19 | International Business Machines Corporation | Ozone abatement method for semiconductor manufacturing system |
| CN110875177A (zh) * | 2018-08-29 | 2020-03-10 | 细美事有限公司 | 基板处理装置和方法 |
| CN110875177B (zh) * | 2018-08-29 | 2023-08-15 | 细美事有限公司 | 基板处理装置和方法 |
| JP2020150238A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP7186114B2 (ja) | 2019-03-15 | 2022-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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