JP2000331918A - レジスト膜除去装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レジスト剥離液を用いずに半導体ウエハに塗
布されたレジスト膜を除去できるレジスト膜除去装置を
提供する。 【解決手段】 処理チャンバー１にウエハ６を搬入し、
ランプハウス７のエキシマランプからの紫外光を照射
し、水流噴射装置４から純水を噴射することにより、ウ
エハ６に塗布されたレジスト膜を除去することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、エキシマランプ
より照射される紫外光によってウエハに付着したレジス
ト膜を除去するレジスト膜除去装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】パターン形成のため、半導体基板上に塗
布されるレジスト膜を除去する方法としては従来、硫酸
を主とするレジスト剥離液の入った槽に、対象となる半
導体ウエハを浸し、純水によってレジスト剥離液を洗浄
すると共にレジスト膜を除去する方法が用いられてき
た。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法で
は、大量のレジスト剥離液の取り扱い及びレジスト剥離
液の廃液処理が必要となり、レジスト膜の剥離工程の簡
素化の障害となっている。一方、近年では環境汚染問題
が重要視される傾向にあり、環境に悪影響を与えない廃
液処理方法の検討が求められている。

【０００４】この発明は、上述のような課題を解決する
ためになされたもので、レジスト剥離液を用いずに半導
体ウエハに塗布されたレジスト膜を除去できるレジスト
膜除去装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明に係るレジスト
膜除去装置は、対象となるウエハを内部に挿入する処理
チャンバーと、紫外光を前記処理チャンバーの内部に照
射することのできるエキシマランプと、を有し、前記処
理チャンバーに挿入されたウエハに純水を圧力をかけて
噴射する水流噴射装置を設けたことを特徴とするもので
ある。

【０００６】

【発明の実施の形態】半導体ウエハに付着した汚染有機
物を洗浄する方法として、近年エキシマランプによるド
ライ洗浄が用いられている。キセノン等の希ガスを励起
状態にすると、励起状態の希ガス原子又は希ガス分子
は、基底状態の希ガス原子又は希ガス分子と結合し、エ
キシマと呼ばれる２量体となる。このエキシマは、基底
状態に戻る際に紫外光を発生する性質を有する。エキシ
マランプはこの性質を利用したランプであり、電極間に
高電圧をかけ放電プラズマを発生させることによって、
封入した希ガスを励起させて紫外光を照射する。この紫
外光は、有機物の分子結合を分解する作用を有し、ウエ
ハに照射することにより、ウエハに付着した汚染有機物
を分解する。キセノンガスを用いたエキシマランプより
照射される紫外光は、従来の水銀ランプによる紫外光よ
りも光子エネルギーが強く、有機物の分解能力が高い。

【０００７】一方、エキシマランプより紫外光を対象物
に照射すると、対象物の表面の親水性が高まる効果も確
認されている。ウエハにエキシマランプの紫外光を照射
することにより、ウエハ表面の親水性が高まり、水によ
る汚染有機物の洗浄を効率的に行うことができる。レジ
スト膜の原料は有機物であるため、レジスト膜の除去に
も同様の効果を得ることができる。

【０００８】図１は、本発明の実施の形態に係るレジス
ト膜除去装置の処理チャンバーの構成図の一例である。
処理チャンバー１は、レジスト膜除去の対象となるウエ
ハを内部に搬入するためのウエハ搬入口２と、ウエハに
純水を圧力をかけて吹きかける水流噴射装置４及び水流
噴射により処理チャンバー１に溜まった水を排出するた
めの排水用配管５を有する。また、処理チャンバー１の
内部には、ウエハ６を乗せるステージ３が設けられてい
る。処理チャンバー１の上にはランプハウス７が設置さ
れており、ランプハウス７には複数のエキシマランプが
含まれている。エキシマランプから発せられる紫外光
は、石英ガラス８を透過して、処理チャンバー１の内部
にあるウエハ６に照射される。

【０００９】ここでランプハウス７は、エキシマランプ
からの紫外光を全て処理チャンバー１内に照射できるよ
うな構造にすることが望ましい。

【００１０】図２は、実施の形態のレジスト膜除去装置
におけるレジスト膜除去のフローチャートである。以
下、図２を用いて、このレジスト膜除去装置の動作につ
いて説明する。

【００１１】ステップＳ１においてレジスト膜除去を開
始すると、レジスト膜除去装置はステップＳ２におい
て、レジスト膜が塗布されたウエハ６を１枚、ウエハ搬
入口２より処理チャンバー内に搬入し、ステージ３上に
乗せる。

【００１２】ステップＳ３において、レジスト膜除去装
置は、ランプハウス７のエキシマランプより紫外光をウ
エハ６に一定時間照射する。紫外光を照射することによ
りウエハ６に塗布されたレジスト膜は分解され、レジス
ト膜の表面には多数のクラックが発生する。ここでレジ
スト膜除去装置は、紫外光の照射時間を調整できるよう
にしてもよい。

【００１３】ステップＳ４において、レジスト膜除去装
置は、紫外光の照射後、水流噴射装置４より純水をウエ
ハ６に圧力をかけて噴射する。レジスト膜にはクラック
が発生しており剥離しやすい状態であり、ウエハ６の表
面は親水性が高まっていることから、純水を圧力をかけ
て噴射することにより、ウエハ６の表面からレジスト膜
を剥離することができる。水流噴射装置４は、ウエハ６
に対して適度な水圧にて純水を噴射できるよう、噴射時
の水圧又は噴射口の角度を調整できるようにすることが
好適である。また純水の噴射によりウエハ６が移動しな
いよう、ステージ３はウエハ６を固定できるようにする
ことが好適である。ここでレジスト膜除去装置は、噴射
する純水の量又は噴射時間を調整できるようにしてもよ
い。

【００１４】ステップＳ５において、レジスト膜除去装
置は、ステップＳ４において噴射され、処理チャンバー
１の内部に溜まった水を、排水用配管５より処理チャン
バー１から排水する。

【００１５】ステップＳ６において、レジスト膜除去装
置は、水が排水されたことを確認し、ウエハ搬入口２よ
りウエハ６を処理チャンバー１から搬出する。以上でウ
エハ１枚に対するレジスト膜除去が終了する。

【００１６】ステップＳ７において、レジスト膜除去装
置は、別にレジスト膜の除去を行うウエハが存在するか
否かを確認する。存在すれば、ステップ２に戻り新たな
ウエハのレジスト膜除去を開始し、なければステップＳ
８に移り、レジスト膜除去を終了する。以上がレジスト
膜除去装置の動作である。

【００１７】この実施の形態において、レジスト膜が塗
布されたウエハ６に対して、エキシマランプより紫外光
を照射することにより、レジスト膜を分解し、ウエハ６
の表面の親水性を高める効果があるので、純水を圧力を
かけて吹き付けるレジスト膜除去を効率的に行うことが
できる。

【００１８】また処理チャンバー１の内部には、ウエハ
６を乾燥させる乾燥装置を設け、ステップＳ６のウエハ
６の搬出前に稼動させてもよい。

【００１９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
内部にレジスト膜が塗布されたウエハを挿入した処理チ
ャンバーにエキシマランプの紫外光を照射し、純水を圧
力をかけてウエハに噴射することにより、レジスト膜を
効率的に除去することができる。このレジスト膜除去装
置では、レジスト剥離液を用いないため、レジスト剥離
の工程を簡素化できる。また、レジスト剥離液の廃液処
理の必要がなくなるため、環境汚染対策にも非常に有効
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態に係るレジスト膜除去装
置の処理チャンバー及びランプハウスの構成図である。

【図２】 本発明の実施の形態に係るレジスト膜除去装
置のフローチャートである。

【符号の説明】

１ 処理チャンバー、２ ウエハ搬入口、３ ステー
ジ、４ 水流噴射装置、５ 排水用配管、６ ウエハ、
７ ランプハウス、８ 石英ガラス。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 BA09 EA05 GA60 LA02 LA03 5F043 AA40 BB30 DD08 5F046 MA04 MA13

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 対象となるウエハを内部に挿入する処理
   チャンバーと、 紫外光を前記処理チャンバーの内部に照射することので
   きるエキシマランプと、 を有し、 前記処理チャンバーに挿入されたウエハに純水を圧力を
   かけて噴射する水流噴射装置を設けたことを特徴とする
   レジスト膜除去装置。