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JP2000329934A - 透明導電性フィルム - Google Patents

透明導電性フィルム

Info

Publication number
JP2000329934A
JP2000329934A JP11136606A JP13660699A JP2000329934A JP 2000329934 A JP2000329934 A JP 2000329934A JP 11136606 A JP11136606 A JP 11136606A JP 13660699 A JP13660699 A JP 13660699A JP 2000329934 A JP2000329934 A JP 2000329934A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
film layer
transparent conductive
silver
transparent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11136606A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Kikkai
正彰 吉開
Masato Koyama
正人 小山
Akira Suzuki
彰 鈴木
Akiyoshi Nakajima
明美 中島
Yukinori Asakawa
浅川  幸紀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Chemicals Inc filed Critical Mitsui Chemicals Inc
Priority to JP11136606A priority Critical patent/JP2000329934A/ja
Publication of JP2000329934A publication Critical patent/JP2000329934A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 優れた耐久性及び電磁波遮蔽性を有する透明
導電性フィルムを提供する 【解決手段】 透明基体(A)の一方の主面上に、高屈
折率透明薄膜層(B)、及び少なくとも銀を含む金属薄
膜層(C)からなる透明導電性薄膜層が(B)/(C)
を繰り返し単位として3〜5回繰り返し積層され、さらに
その最上層に高屈折率透明薄膜層(B)が形成されてな
る透明導電性フィルムであって、少なくとも基体に最も
近い金属薄膜層(C1)が99重量%以上の銀を含む金
属薄膜であり、且つ、少なくとも基体から最も遠い金属
薄膜層(C2)が60〜95重量%の銀を含む銀合金薄
膜層であることを特徴とする透明導電性フィルム。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電性フィル
ムに関する。詳しくは、プラズマディスプレイ(PD
P)、ブラウン管(CRT)、液晶表示装置(LCD)
等のディスプレイから発生する電磁波を効率よく低減さ
せ得る、電磁波フィルターとして有用な透明導電性フィ
ルムに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、社会が高度に情報化されるように
なってきている。それに従って、情報関連機器・関連部
品に対する技術が著しく進歩・普及するようになった。
その中で、ディスプレイ装置は、テレビジョン用、パー
ソナルコンピュータ用、駅や空港などの案内表示用、そ
の他各種の情報提供用に用いられている。その様々な用
途に用いるためにディスプレイ装置には様々な特性が要
求されるようになってきており、特に大型で、且つ、薄
型であることが要求されるようになってきた。それらの
要求の中で、大型で且つ薄型のディスプレイとしてプラ
ズマディスプレイが注目されている。しかしながら、プ
ラズマディスプレイには、その原理上の問題から強度の
漏洩電磁界を発生するという問題点を有している。漏洩
電磁界の影響に関しては、近年特に関心が持たれるよう
になってきており、特に人体や他の電子機器に対する影
響を防ぐ必要がある。また、更にプラズマディスプレイ
装置からは、そのプラズマ中の励起原子から発生する近
赤外線光がコードレスフォン、リモコン等の電子機器に
作用して誤動作を引き起こすという問題も起こす可能性
がある。
【0003】そのため、ディスプレイ装置、特にPDP
には、漏洩電磁界および近赤外光を遮蔽するためのフィ
ルター(電磁波フィルター)が用いられている。一般的
に、電磁波フィルターの構成としては、支持板の片面
に、電磁波遮蔽層を形成し、更に、支持板の他の片面、
及び電磁波遮蔽層が形成されたプラスチックフィルムの
表面に反射防止層が形成されたものが挙げられる。これ
らの部材を貼り合わせ、塗布等の手法で組み合わせてP
DP光学フィルターとして用いている。
【0004】電磁波フィルターの近赤外線および電磁界
の遮蔽材料としては、現在のところ大きく分けて、ア
ースした金属メッシュ、または合成樹脂または金属繊維
のメッシュに金属を被覆したものと、近赤外線を吸収す
る色素とを組み合わせたもの、酸化インジウム−錫
(ITO)に代表される透明導電性薄膜と(場合によっ
ては)近赤外線を吸収する色素とを組み合わせたものが
ある。
【0005】の例としては、例えば、特開平9−33
0667号公報には、透明樹脂板上に導電性ペーストを
メッシュ状に塗布、乾燥させて作成した電磁波シールド
板が開示されている。また、の例としては、特開平1
0−73719号公報等に記載された、透明高分子フィ
ルムの一方の主面上に、高屈折率透明薄膜層(D)、金
属薄膜層(E)が順次、(D)/(E)を繰り返し単位
として4回以上繰り返し積層され、さらにその上に高屈
折率透明薄膜層(D)、透明樹脂層が形成された調光フ
ィルムが貼り合わされたディスプレイ用光学フィルター
が挙げられる。これらの電磁波シールド層を用いると効
率よく匡体から発生する電磁波、及び近赤外線を遮蔽す
ることが可能となる。特に、後者の例では、電磁波シー
ルド層として透明導電性の薄膜を使用しており、前者と
比較してメッシュによる遮光部分の発生やモワレの発生
がなく、特に好ましい。これらの電磁波シールド層自体
は、機械的強度が充分ではないためにガラス板やプラス
チック板などの支持板と共に用いられている。
【0006】また、この中で、ITO等の金属酸化物に
代表される高屈折率薄膜層、及び銀を主成分とする金属
薄膜層とを積層したものは、透明性が高く、表面抵抗率
が低く、良好な電磁波遮蔽機能を有するために好ましく
用いることが出来る。しかしながら、この高屈折率薄膜
層と金属薄膜層とを積層した基体の場合、主に銀層の
劣化による反射性欠陥の発生、及び、表面抵抗値が金
属メッシュと比較して一桁以上高いため、電磁波遮蔽能
が充分でないなどの問題が発生していた。
【0007】この問題を解決するためさまざまな検討が
為されてきたが、充分な効果が得られなかった。前者
の問題を解決するため、例えば、特公昭59−4499
3号公報に示されるように、銀薄膜層を銀−金薄膜層と
することで銀層の劣化を改善することが出来た。しか
し、この場合、銀−金合金の抵抗率が銀よりも高いため
に表面抵抗率が高くなり、電磁波遮蔽能が低下するとい
う問題が新たに発生していた。
【0008】一方、後者の問題を解決するため、本発
明者らは、特開平10−73718号に係わる特許出願
において、高屈折率透明薄膜層と金属薄膜層の積層体か
らなる透明導電層において、各金属薄膜層を薄くし、積
層の繰り返し回数を増やすことにより透明性を維持した
まま、さらに表面抵抗率を低下せせることが出来ること
を提案した。しかし、この場合においても銀層の劣化の
問題は完全には解決できていないままであった。また、
同発明において、透明導電層の周端部を保護することに
より銀層の劣化を防止できることを提案していたが、周
端部を保護することにより銀層の劣化の大部分を押さえ
ることは出来たものの必ずしも充分とはいえず、周端部
以外から発生する劣化の問題が有った。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、優れ
た耐久性及び電磁波遮蔽性を有し、電磁波シールド用フ
ィルターとして用い得る透明導電性フィルムを提供する
ことに有る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明者等は鋭意検討を重ねた結果、光学フィルタ
ーにおける透明導電性フィルムの銀層の劣化はラミネー
ト・塗布時透明導電性薄膜層が剥き出しになり、外気と
接触した際に大気中に浮遊している微少で、塩素分に代
表される劣化を引き起こす物質を含む埃が透明導電層に
付着し、微少な埃を基点として劣化が進行すること、及
び劣化の発生・進行を防ぐためには大気に最も近い金属
薄膜層の耐久性を向上させることにより解決できること
を見出した。また、その他の金属薄膜層、特に最も透明
基体に近い金属薄膜層を銀薄膜層とすることにより良好
な電磁波遮蔽能につながる低抵抗性も達成することが出
来ることを見出したことにより本発明を完成した。
【0011】すなわち、本発明は、透明基体(A)の一
方の主面上に、高屈折率透明薄膜層(B)、及び少なく
とも銀を含む金属薄膜層(C)からなる透明導電性薄膜
層が(B)/(C)を繰り返し単位として3〜5回繰り返
し積層され、さらにその最上層に高屈折率透明薄膜層
(B)が形成されてなる透明導電性フィルムであって、
少なくとも基体に最も近い金属薄膜層(C1)が99重
量%以上の銀を含む金属薄膜であり、且つ、少なくとも
基体から最も遠い金属薄膜層(C2)が60〜95重量
%の銀を含む銀合金薄膜層であることを特徴とする透明
導電性フィルムである。
【0012】本発明に係わる透明導電性フィルムの好ま
しい態様として、透明基体(A)が、厚みが25〜25
0μm、全光線透過率が少なくとも70%の透明プラス
チックフィルムであること、高屈折率透明薄膜層(B)
が、金属酸化物または金属硫化物で形成された薄膜層で
あること、各高屈折率透明薄膜層(B)の厚みが5〜2
00nmであること、金属薄膜層(C2)が、5〜40
重量%の金、白金、パラジウム及び銅から選ばれた少な
くとも一種の金属を含む前記銀合金薄膜層であること、
各金属薄膜層(C)の厚みが4〜30nmであること、
透明導電性薄膜層の表面抵抗率が0.5〜8Ω/□、全
光線透過率が少なくとも50%であること、等が挙げら
れる。また、本発明に係わる透明導電性フィルムは、厚
みが25〜250μm、表面抵抗率が0.5〜8Ω/□
であることが好ましい。
【0013】本発明に係わる透明導電性フィルムは、電
磁波遮蔽能が高く、しかも耐環境性に優れる。そのた
め、プラズマディスプレイ(PDP)、ブラウン管(C
RT)、液晶表示装置(LCD)等のディスプレイの電
磁波シールド用フィルターとして好適に使用することが
できる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の透明導電性フィルムは、透明基体(A)
の一方の主面上に、高屈折率透明薄膜層(B)、及び少
なくとも銀を含む金属薄膜層(C)からなる透明導電性
薄膜層を(B)/(C)を繰り返し単位として3〜5回繰
り返し積層し、更に、その最上層に高屈折率透明薄膜層
(B)を積層することにより製造される。
【0015】本発明に使用する透明基体(A)として
は、ガラス板、透明プラスチックフィルム等が挙げられ
る。本発明では透明プラスチックフィルムが好ましく用
いられる。透明プラスチックフィルムとしては、透明で
あれば特に限定されない。例えば、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリエーテルサルフォン、ポリアリレート、
ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルエ
ーテルケトン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリプロ
ピレン、ポリアミド、ポリイミド等のホモポリマー、お
よびこれらの樹脂のモノマーと共重合可能なモノマーと
のコポリマーからなる高分子フィルムが挙げられる。
【0016】透明プラスチックフィルムの形成法として
は、溶融押し出し法、キャスト法、カレンダー法等の公
知のプラスチックフィルムの製造法を用いる事が可能で
ある。また、一般的に透明導電性薄膜層は透過色、反射
色ともに着色しており、好ましくない色である場合があ
る。その際の色の補正を目的として、透明プラスチック
フィルムを着色することも可能である。着色の方法とし
ては、前記プラスチックフィルムを形成する際に色素と
前もって混合してからフィルム化する方法、樹脂中に色
素を分散させインキ化し、塗布乾燥させる方法、着色し
たプラスチックフィルムを貼り合わせる方法等が挙げら
れる。
【0017】透明プラスチックフィルムの全光線透過率
は70%以上であることが好ましい。75%以上である
事が更に好ましく、80%以上である事が最も好まし
い。また、透明プラスチックフィルムの厚みには特に規
定を設けないが、ハンドリング性を考慮すると25〜2
50μmであることが好ましい。電磁波シールド層との
密着性を向上させる事を目的として、電磁波シールド層
としての透明導電性薄膜層を形成する面に、例えば、水
性ポリウレタン系、シリコン系コート剤等の密着性を向
上させるための下地層を形成する事も可能である。
【0018】本発明では、電磁波シールド層としての透
明導電性薄膜を用いる事が好ましい。透明導電性薄膜
は、金属メッシュの場合と異なり、電磁波シールド面全
体を覆っており、ディスプレイの表示分解能を落とすこ
とがない。また、近赤外線の反射能も兼ね備えており、
さらにロール状での加工が可能であるなど多くの優れた
特徴を有しており、本発明の目的に良く合致した電磁波
シールド層となり得る。
【0019】通常、電磁波シールド層としては、このほ
かに金属のメッシュや金属を樹脂中に分散させた導電性
ペーストをメッシュ状に塗布・乾燥させたものがある。
しかし、金属メッシュ自体は、光を透過しないために光
を透過しない部分が現れたり、モワレの発生、メッシュ
を形成する際に断線部分が生じ、歩留りが悪くなるなど
の問題が有り、好ましくない。
【0020】電磁波シールド層としての透明導電性薄膜
の形成は、透明プラスチックフィルムの片面上に形成す
る事が好ましい。両面上に形成すると電磁波シールド層
の接地が困難となり好ましくない。本発明に用いる透明
導電性薄膜としては、高屈折率薄膜層(B)と金属薄膜
層(C)とからなる事が好ましい。一般的に透明導電性
薄膜として知られている酸化インジウム−錫(ITO)
や酸化亜鉛(ZnO)などの金属酸化物系透明導電性薄
膜層単独の場合、表面抵抗値を下げるためには薄膜層を
厚くする必要が有り、その場合、全光線透過率が大幅に
低下し好ましくない。また、高屈折率透明薄膜層(B)
と金属薄膜層(C)とは繰り返し積層する事が好まし
い。この場合、最表面層(透明基体から最も遠い層)
は、高屈折率透明薄膜層(B)である事が好ましい。最
表面層が金属薄膜層(C)である場合、空気層もしくは
樹脂層と金属層との間に直接反射する界面が出来るた
め、光の反射が大きくなり、光線透過率が大幅に低下す
るために好ましくない。また、金属層が直接外気にさら
され金属層の劣化が進行し、この観点からも好ましくな
い。
【0021】透明プラスチックフィルムの一方の主面上
に、先ず高屈折率透明薄膜層(B)を形成し、次いで、
高屈折率透明薄膜層(B)の表面に金属薄膜層(C)を
形成する。(B)/(C)を繰り返し単位として順次形
成する。繰り返しの回数は、3〜5回であることが好ま
しい。繰り返し回数が上記の範囲よりも多い場合には、
各層の膜厚の誤差が全体の光学特性の精度に大きく影響
を及ぼすようになり、しかも生産性が悪くなるために好
ましくない。また、繰り返しの回数が上記の範囲より少
ないと、有効に電磁波を遮蔽するためには各金属薄膜層
の厚みを厚くしなくてはならない。その場合、反射強度
が大きくなるため、全光線透過率が著しく低下し、要求
される光学特性を達成する事が困難となり好ましくな
い。
【0022】本発明で用いる透明導電性薄膜層の表面抵
抗率は0.5〜8Ω/□であることが好ましい。0.7
〜4Ω/□であることが更に好ましい。表面抵抗率が上
記の範囲内である場合、良好なシールド特性と光学特性
とを両立する事が可能となる。表面抵抗率が上記の範囲
よりも低い場合、電磁波シールド特性自身は良好である
ものの、光線透過率が著しく低下するために好ましくな
い。また、表面抵抗率が上記の範囲よりも高い場合は、
光学特性は良好になるものの、電磁波シールド特性が悪
くなるために好ましくない。
【0023】また、上記透明導電性薄膜層の全光線透過
率は50%以上であることが好ましい。60%以上であ
る事が更に好ましく、65%以上である事が最も好まし
い。全光線透過率が上記の値よりも低い透明導電性薄膜
層を用いた電磁波フィルターをディスプレイに組み付け
ると画面が暗くなるために好ましくない。
【0024】上述したように本発明では、透明導電性薄
膜層として一部に金属薄膜層(C)を用いる。そのた
め、金属薄膜層(C)と高屈折率透明薄膜層(B)との
厚みを光学的に最適化しても金属薄膜層(C)による金
属の光の吸収・反射を避ける事は出来ない。従って、本
発明で用いる透明導電性薄膜層の全光線透過率は80%
を超える事は一般的にはない。
【0025】本発明で用いる高屈折率透明薄膜層(B)
としては、特に材質が限定されるものではないが、好ま
しくは屈折率が1.6以上、より好ましくは1.8以上
の材料が好ましい。このような高屈折率透明薄膜層
(B)を形成し得る具体的な材料としては、インジウ
ム、チタン、ジルコニウム、ビスマス、錫、亜鉛、アン
チモン、タンタル、セリウム、ネオジウム、ランタン、
トリウム、マグネシウム、ガリウム等の酸化物、これら
の酸化物の混合物、複合酸化物や硫化亜鉛等が挙げられ
る。これら酸化物あるいは硫化物は、金属と酸素、硫黄
との間の化学量論的な組成にずれがあっても、光学特性
を大きく変えない範囲にあれば差し支えない。これらの
材料の中で酸化インジウム、酸化インジウム−錫(IT
O)、酸化錫は透明性が高く、屈折率が高い事に加え
て、製膜速度が速く、金属薄膜層との密着性が良好であ
る事から好ましく用いる事が出来る。
【0026】高屈折率透明薄膜層(B)の厚みとしては
要求する光学特性から求まるものであり、特に制限され
るものではないが、各層の厚みは5〜200nmが好ま
しい。10〜100nmが更に好ましい。また、先にも
述べたように高屈折率透明薄膜層(B)は、金属薄膜層
(C)と繰り返し積層して用いるが、各高屈折率透明薄
膜層(B)は同じ材料である必要はなく、また、同じ厚
みである必要もない。高屈折率透明薄膜層(B)の形成
方法としては、スパッタリング法、イオンプレーティン
グ法、イオンビームアシスト法、真空蒸着法、湿式塗工
法など公知の手法を用いる事が出来る。これらの内、ス
パッタリング法が好ましい。
【0027】また、金属薄膜層(C)の材料としては、
銀金属単体、もしくは、少なくとも銀を含む金属層であ
る事が好ましい。銀はその表面抵抗率の低さ、赤外反射
特性が良好な事、高屈折率透明薄膜層(B)と積層した
場合の可視光線透過特性が優れるために好ましく用いる
事が出来る。しかしながら、銀は化学的・物理的安定性
に乏しいため、環境中の汚染物質・水分・熱・光線によ
って劣化し易い。また、本発明において用いるように銀
薄膜層を繰り返し積層して使用する場合、基体から最も
遠い金属層は、銀合金により形成することが好ましい。
少なくとも基体から最も遠い金属薄膜層(C2)を銀合
金層とする事により、先に延べた銀層の劣化を抑える事
が出来る。基体から最も遠い金属薄膜層(C2)の劣化
を抑えると、(C2)より基体に近い側の金属薄膜層
(C)の劣化も進行しないため、透明導電性薄膜全体と
しても劣化が生じなくなる。
【0028】銀合金としては、銀と、金、白金、パラジ
ウム、銅等の環境に安定な金属一種以上との合金である
事が好ましい。銀合金の組成は、金属薄膜層(C2)の
表面抵抗率、耐環境性等に影響を及ぼす。即ち、銀の割
合が低過ぎる場合には表面抵抗率が高くなる。また、銀
の割合が高過ぎる場合には耐環境性が低下する。かかる
点を考慮すると、本発明では、銀の割合が60〜95重
量%である銀合金が好ましい。この場合、銀合金の他の
成分は、金、白金、パラジウム、銅等、またはこれらの
混合金属が好ましい。そして、それらの組成割合は5〜
40重量%であることが好ましい。
【0029】一方、少なくとも基体に最も近い金属薄膜
層(C1)は、銀金属単体である事が好ましい。銀単体
とは、銀を99重量%以上含む場合を言う。一般的に公
知の通り銀の含有率を100重量%に精製する事は不可
能であり、銀の割合は99.9999重量%を超える事
はない。銀薄膜は、先にも延べたように表面抵抗率が低
いため、本発明における透明導電性薄膜層として用いて
も良好な電磁波遮蔽能力につながる表面抵抗率の低さを
達成する事が可能となる。基体に最も近い金属薄膜層
(C1)を銀単体で形成することにより耐久性に関して
は問題なく使用する事が出来る。
【0030】全ての金属薄膜層(C)を(C2)層と同
じように銀合金とすると、表面抵抗率が上がり過ぎるの
で、所望の表面抵抗率の透明導電性薄膜を得るには各金
属薄膜層の厚みを厚くするか、繰り返しの積層回数を増
やさなくてはならない。各金属薄膜層の厚みを厚くする
と透明性が悪くなり、また、繰り返しの回数を増やすと
前述の理由により好ましくない。(C1)層及び(C
2)層以外の、他の金属薄膜層(CX)は、銀単体、ま
たは、少なくとも銀を含む合金のいずれであっても好ま
しく用いる事が出来る。
【0031】また、各金属薄膜層(C)の厚みは、島状
構造でない事が好ましいため4nm以上が好ましい。透
明性の観点から30nm以下が好ましい。ただし、この
範囲よりも厚くなってもフィルターにした場合の全光線
透過率が40%以上である場合には問題なく使用する事
が可能である。高屈折率透明薄膜層(B)の場合と同じ
ように、各金属薄膜層(C)の厚みは同じである必要は
なく、また、前述の基体から最も近い層および基体から
最も遠い層以外の金属薄膜層(CX)は同じ材質である
必要もない。
【0032】金属薄膜層(C)の形成方法としては、上
述した高屈折率透明薄膜層(B)の形成方法をそのまま
用いる事が出来る。また、透明導電性薄膜層、特に金属
薄膜層の劣化防止を目的として透明導電性薄膜層の周端
部を封止する事も可能である。例えば、トリアジンアミ
ン系化合物、チオジプロピオン酸エステル系化合物、ベ
ンゾイミダゾール系化合物単独もしくはこれらの化合物
を含む透明樹脂を前記の目的のために使用する事が可能
である。
【0033】上記の如くして製造される、本発明に係わ
る透明導電性フィルムは、全光線透過率が40%以上で
あることが好ましい。50%以上であることが更に好ま
しく、60%以上が最も好ましい。全光線透過率が上記
の値よりも低い場合、これを電磁波シールド用フィルタ
ーとして用いたときに、ディスプレイの画面が暗くなり
好ましくない。また、本発明において用いる透明導電性
薄膜には金属薄膜層が用いられているので全光線透過率
が78%を超えることは一般的にはない。また、全体の
厚みは25〜250μm程度、表面抵抗率は0.5〜8
Ω/□程度である。
【0034】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。な
お、評価項目、評価方法に関しては以下のようにして行
なった。
【0035】(1)全光線透過率(%) 分光光度計[(株)日立製、製品名:U−3500型]を用
いて、得られた各試料の任意の5点を測定し、その平均
値を用いた。
【0036】(2)表面抵抗率(%) 4探針式表面抵抗率測定装置[三菱化学(株)製、製品
名:ロレスタSP]を用いて、得られた各試料の任意の
10点を測定し、その平均値を用いた。
【0037】(3)耐環境性(hr) 塩水中において反射性の欠陥が発生するまでの時間を測
定した。塩水は、塩化ナトリウム(和光純薬製)1.8
gを純水1000mlに溶解させた溶液を用いた。得ら
れた各試料を100mm×100mmに切り出し、23
℃の前記の塩水中に保管し、直径0.1mm以上の欠陥
が発生するまでの時間を測定した。
【0038】実施例1 厚み75μmのポリエチレンテレフタレート(PET)
フィルム(東洋紡績株式会社製、製品名:A−410
0)の一方の主面上にPETフィルム側から酸化インジ
ウム薄膜/銀薄膜/酸化インジウム薄膜/銀薄膜/酸化
インジウム薄膜/銀−金合金薄膜/酸化インジウム薄膜
の積層構造からなり、それぞれの厚みが40/10/8
0/10/80/10/40nmである透明導電性薄膜
層を積層し、透明導電性フィルムを得た。得られた透明
導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗率、耐環境性
を上記方法により測定し、結果を〔表1〕にまとめた。
なお、酸化インジウム薄膜の形成は、ターゲットに金属
インジウムを用い、圧力が0.01Paとなるように排
気した後、全圧が0.18Paになるまでアルゴンガス
を導入し、さらに全圧が0.26Paとなるように酸素
ガスを導入した。この状態でマグネトロンDCスパッタ
リング法により行った。また、銀薄膜の形成は、ターゲ
ットに銀単体(銀含有率99.99重量%)を用い、圧
力が0.01Paとなるように排気した後、全圧が0.
18Paになるまでアルゴンガスを導入した。この状態
でマグネトロンDCスパッタリング法により行った。さ
らに、銀−金合金薄膜は、銀含有率が90重量%、金含
有率が10重量%である合金ターゲットを用いた以外は
銀薄膜の場合と同様にして行った。
【0039】実施例2 透明導電層をPETフィルム側から酸化インジウム薄膜
/銀薄膜/酸化インジウム薄膜/銀−金合金薄膜/酸化
インジウム薄膜/銀−金合金薄膜/酸化インジウム薄膜
の積層構造からなり、それぞれの厚みが40/10/8
0/10/80/10/40nmとした以外は、実施例
1と同様にして透明導電性フィルムを得た。用いた銀−
金合金薄膜の銀および金の含有割合は、実施例1と同様
である。得られた透明導電性フィルムの全光線透過率、
表面抵抗率。耐環境性を実施例1と同様にして測定し
た。結果を〔表1〕にあわせて示す。
【0040】実施例3 透明導電層をPETフィルム側から酸化インジウム薄膜
/銀薄膜/酸化インジウム薄膜/銀薄膜/酸化インジウ
ム薄膜/銀−パラジウム薄膜/酸化インジウム薄膜の積
層構造からなり、それぞれの厚みが40/10/80/
10/80/10/40nmとした以外は、実施例1と
同様にして透明導電性フィルムを得た。得られた透明導
電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗率、耐環境性を
実施例1と同様にして測定した。結果を〔表1〕にあわ
せて示す。なお、銀−パラジウム薄膜の形成は、ターゲ
ットに銀の含有量が75重量%、パラジウムの含有量が
25重量%である合金ターゲットを用いた以外は、銀薄
膜の形成と同様にして行った。
【0041】比較例1 透明導電層をPETフィルム側から酸化インジウム薄膜
/銀薄膜/酸化インジウム薄膜/銀薄膜/酸化インジウ
ム薄膜/銀薄膜/酸化インジウム薄膜の積層構造からな
り、それぞれの厚みが40/10/80/10/80/
10/40nmとした以外は、実施例1と同様にして透
明導電性フィルムを得た。得られた透明導電性フィルム
の全光線透過率、表面抵抗率、耐環境性を実施例1と同
様にして測定した。結果を〔表1〕にあわせて示す。
【0042】比較例2 透明導電層をPETフィルム側から酸化インジウム薄膜
/銀−金合金薄膜/酸化インジウム薄膜/銀−金合金薄
膜/酸化インジウム薄膜/銀−合金金薄膜/酸化インジ
ウム薄膜の積層構造からなり、それぞれの厚みが40/
10/80/10/80/10/40nmとした以外
は、実施例1と同様にして透明導電性フィルムを得た。
銀−金合金薄膜の銀および金の含有割合は、実施例1と
同様である。得られた透明導電性フィルムの全光線透過
率、表面抵抗率、耐環境性を実施例1と同様にして測定
した。結果を〔表1〕にあわせて示す。
【0043】比較例3 銀−金合金薄膜層を作成する際に用いたターゲットを銀
含有率を97重量%、金含有率を3重量%とした以外
は、実施例1と同様にして透明導電性フィルムを得た。
得られた透明導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗
率、耐環境性を実施例1と同様にして測定した。結果を
〔表1〕にあわせて示す。
【0044】比較例4 銀−金合金薄膜層を作成する際に用いたターゲットを銀
含有率を50重量%、金含有率を50重量%とした以外
は、実施例1と同様にして透明導電性フィルムを得た。
得られた透明導電性フィルムの全光線透過率、表面抵抗
率、耐環境性を実施例1と同様にして測定した。結果を
〔表1〕にあわせて示す。
【0045】
【表1】
【0046】
【発明の効果】本発明に係わる透明導電性フィルムは、
電磁波遮蔽能が高く、しかも耐環境性に優れる。従っ
て、プラズマディスプレイ(PDP)、ブラウン管(C
RT)、液晶表示装置(LCD)等のディスプレイの電
磁波シールド用フィルターとして有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 彰 愛知県名古屋市南区丹後通2丁目1番地 三井化学株式会社内 (72)発明者 中島 明美 愛知県名古屋市南区丹後通2丁目1番地 三井化学株式会社内 (72)発明者 浅川 幸紀 愛知県名古屋市南区丹後通2丁目1番地 三井化学株式会社内 Fターム(参考) 2H048 GA07 GA09 GA19 GA33 GA60 GA61 5E321 AA04 BB23 BB25 BB44 GG05 GH01 5G435 AA13 AA16 BB02 BB06 BB12 GG33 HH02 HH12 KK07

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透明基体(A)の一方の主面上に、高屈
    折率透明薄膜層(B)、及び少なくとも銀を含む金属薄
    膜層(C)からなる透明導電性薄膜層が(B)/(C)
    を繰り返し単位として3〜5回繰り返し積層され、さらに
    その最上層に高屈折率透明薄膜層(B)が形成されてな
    る透明導電性フィルムであって、少なくとも基体に最も
    近い金属薄膜層(C1)が99重量%以上の銀を含む金
    属薄膜であり、且つ、少なくとも基体から最も遠い金属
    薄膜層(C2)が60〜95重量%の銀を含む銀合金薄
    膜層であることを特徴とする透明導電性フィルム。
  2. 【請求項2】 透明基体(A)が、厚みが25〜250
    μm、全光線透過率が少なくとも70%の透明プラスチ
    ックフィルムであることを特徴とする請求項1記載の透
    明導電性フィルム。
  3. 【請求項3】 高屈折率透明薄膜層(B)が、金属酸化
    物または金属硫化物で形成された薄膜層であることを特
    徴とする請求項1記載の透明導電性フィルム。
  4. 【請求項4】 金属酸化物が、酸化インジウム−錫、酸
    化インジウム、及び酸化錫の中から選ばれた少なくとも
    一種の金属酸化物であることを特徴とする請求項3記載
    の透明導電性フィルム。
  5. 【請求項5】 各高屈折率透明薄膜層(B)の厚みが5
    〜200nmであることを特徴とする請求項1記載の透
    明導電性フィルム。
  6. 【請求項6】 金属薄膜層(C2)が、5〜40重量%
    の金、白金、パラジウム及び銅から選ばれた少なくとも
    一種の金属を含む銀合金薄膜層であることを特徴とする
    請求項1記載の透明導電性フィルム。
  7. 【請求項7】 各金属薄膜層(C)の厚みが4〜30n
    mであることを特徴とする請求項1記載の透明導電性フ
    ィルム。
  8. 【請求項8】 透明導電性薄膜層の表面抵抗率が0.5
    〜8Ω/□、全光線透過率が少なくとも50%であるこ
    とを特徴とする請求項1記載の透明導電性フィルム。
  9. 【請求項9】 透明導電性フィルムの厚みが25〜25
    0μm、表面抵抗率が0.5〜8Ω/□であることを特
    徴とする請求項1記載の透明導電性フィルム。
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