JP2000322740A - 光記録媒体及びその記録方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高記録線速度で高密度記録が行なえる光記録
媒体のその記録方法を提供する。 【解決手段】 ＳｂＴｅにＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、
Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、
Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂのうちの１種以上を
添加した相変化型記録を有する光記録媒体を用い、これ
に記録マークを形成する際、レーザー光の発光波形を複
数のオンパルスとこれに続くオフパルスからなる記録パ
ルス列とし、内周から外周あるいは外周から内周へ記録
半径位置に対応して連続的に記録周波数ν（ν＝１／Ｔ
ｗ；Ｔｗはウインドウ幅）を変化させて記録するように
した光記録媒体の記録方法。
媒体のその記録方法を提供する。 【解決手段】 ＳｂＴｅにＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、
Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、
Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂのうちの１種以上を
添加した相変化型記録を有する光記録媒体を用い、これ
に記録マークを形成する際、レーザー光の発光波形を複
数のオンパルスとこれに続くオフパルスからなる記録パ
ルス列とし、内周から外周あるいは外周から内周へ記録
半径位置に対応して連続的に記録周波数ν（ν＝１／Ｔ
ｗ；Ｔｗはウインドウ幅）を変化させて記録するように
した光記録媒体の記録方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ビームを照射す
ることにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情
報の記録・再生を行ない、かつ書換えが可能な光記録媒
体、特に高記録線速度で高密度記録可能な相変化型光記
録媒体に関し、更にこの光記録媒体にＣＡＶ方式あるい
は記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ方式
により記録する方法及び装置に関する。
ることにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情
報の記録・再生を行ない、かつ書換えが可能な光記録媒
体、特に高記録線速度で高密度記録可能な相変化型光記
録媒体に関し、更にこの光記録媒体にＣＡＶ方式あるい
は記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ方式
により記録する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光線を利用して光ディスクに高
密度な情報の再生あるいは記録を行う技術として、一つ
の記録マークを複数の短パルス列の照射によって形成す
るオーバーライト方法が知られている（特開平３−１８
５６２８号公報）。しかし、この方法は光ディスクを一
定回転数とした場合の内周と外周のようにレーザースポ
ットの相対速度が異なる場合には、特に相対速度が速い
領域においてレーザーパワー不足になったり、あるいは
回路設計が困難になったりするという新たな課題が発生
する場合がある。
密度な情報の再生あるいは記録を行う技術として、一つ
の記録マークを複数の短パルス列の照射によって形成す
るオーバーライト方法が知られている（特開平３−１８
５６２８号公報）。しかし、この方法は光ディスクを一
定回転数とした場合の内周と外周のようにレーザースポ
ットの相対速度が異なる場合には、特に相対速度が速い
領域においてレーザーパワー不足になったり、あるいは
回路設計が困難になったりするという新たな課題が発生
する場合がある。
【０００３】このような欠点を改良するため、ある波形
の入力信号（ＥＦＭ信号を想定）において、線速度があ
らかじめ設定された値Ｌ０より遅い場合にはレーザーの
変調波形は短パルス列化し、Ｌ０より速い場合にはレー
ザーの変調波形入力パルス幅を少し短くしたパルスに変
換して光ディスク上に照射することが提案されている
（特開平６−１２６７４号公報）。
の入力信号（ＥＦＭ信号を想定）において、線速度があ
らかじめ設定された値Ｌ０より遅い場合にはレーザーの
変調波形は短パルス列化し、Ｌ０より速い場合にはレー
ザーの変調波形入力パルス幅を少し短くしたパルスに変
換して光ディスク上に照射することが提案されている
（特開平６−１２６７４号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで近年は、ＤＶ
Ｄ−ＲＯＭと同容量以上の高密度記録が可能で、さらに
この２倍速以上（約７ｍ／ｓ以上）までの高記録線速度
で記録可能な相変化型光記録媒体、およびそうした光記
録媒体への記録方法の開発が期待されている。そのよう
な光記録媒体にＣＡＶ記録あるいは光記録媒体の記録半
径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合、入力パル
ス幅を少し短くした記録方法では、良好な記録特性（ジ
ッタ特性）は得られず、従来例の低線速側に用いられる
ようなレーザーの変調波形（短パルス列化したもの）の
方が良好な結果を与える。特開平６−１２６７４号公報
では、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5の化合物に近い組成を用いてい
るがために、このような記録方法が採られるものと考え
られる。
Ｄ−ＲＯＭと同容量以上の高密度記録が可能で、さらに
この２倍速以上（約７ｍ／ｓ以上）までの高記録線速度
で記録可能な相変化型光記録媒体、およびそうした光記
録媒体への記録方法の開発が期待されている。そのよう
な光記録媒体にＣＡＶ記録あるいは光記録媒体の記録半
径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合、入力パル
ス幅を少し短くした記録方法では、良好な記録特性（ジ
ッタ特性）は得られず、従来例の低線速側に用いられる
ようなレーザーの変調波形（短パルス列化したもの）の
方が良好な結果を与える。特開平６−１２６７４号公報
では、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5の化合物に近い組成を用いてい
るがために、このような記録方法が採られるものと考え
られる。
【０００５】しかしその反面、高線速側でレーザーの変
調波形が崩れないように調整した波形のパルス幅を固定
して記録を行う場合には、低線速（内周）側においてパ
ルス幅が小さくなりすぎ、記録パワーが不足することに
よってジッタ特性が悪化する傾向がある。このような現
象は、記録層の組成による影響も考えられる。
調波形が崩れないように調整した波形のパルス幅を固定
して記録を行う場合には、低線速（内周）側においてパ
ルス幅が小さくなりすぎ、記録パワーが不足することに
よってジッタ特性が悪化する傾向がある。このような現
象は、記録層の組成による影響も考えられる。
【０００６】従って、本発明の課題は上記のような不都
合を生じさせることなく、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量以上
の高密度記録が可能で、更に３．０〜２０ｍ／ｓの範囲
の高記録線速度で記録可能な相変化型光記録媒体、この
光記録媒体への記録方法並びに記録装置を提供するもの
である。
合を生じさせることなく、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量以上
の高密度記録が可能で、更に３．０〜２０ｍ／ｓの範囲
の高記録線速度で記録可能な相変化型光記録媒体、この
光記録媒体への記録方法並びに記録装置を提供するもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第一
に、ＳｂＴｅを必須元素としこれにＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、
Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂのうちから
少なくとも１種類以上の元素を添加してなる相変化型記
録層を有し、該記録層がレーザー光の照射により結晶相
からアモルファス相へ変化することにより情報の記録を
行うことを特徴とする光記録媒体が提供される。
に、ＳｂＴｅを必須元素としこれにＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、
Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂのうちから
少なくとも１種類以上の元素を添加してなる相変化型記
録層を有し、該記録層がレーザー光の照射により結晶相
からアモルファス相へ変化することにより情報の記録を
行うことを特徴とする光記録媒体が提供される。
【０００８】第二に、記録線速が３ｍ／ｓ以上２０ｍ／
ｓ以下の範囲でレーザー光の照射により形成されるアモ
ルファス相と結晶相の反射率差が３０％以上であること
特徴とする上記第一の光記録媒体が提供される。
ｓ以下の範囲でレーザー光の照射により形成されるアモ
ルファス相と結晶相の反射率差が３０％以上であること
特徴とする上記第一の光記録媒体が提供される。
【０００９】第三に、上記第一又は第二の光記録媒体を
用い、これに記録マークを形成する際、レーザー光の発
光波形を複数のオンパルスとこれに続くオフパルスから
なる記録パルス列とし、内周から外周あるいは外周から
内周へ記録半径位置に対応して連続的に記録周波数ν
（ν＝１／Ｔｗ；Ｔｗはウインドウ幅）を変化させて記
録することを特徴とする光記録媒体の記録方法が提供さ
れる。
用い、これに記録マークを形成する際、レーザー光の発
光波形を複数のオンパルスとこれに続くオフパルスから
なる記録パルス列とし、内周から外周あるいは外周から
内周へ記録半径位置に対応して連続的に記録周波数ν
（ν＝１／Ｔｗ；Ｔｗはウインドウ幅）を変化させて記
録することを特徴とする光記録媒体の記録方法が提供さ
れる。
【００１０】第四に、複数のオンパルスの幅はすべて同
じ時定数で固定する部分とウィンドウ幅Ｔｗに定数を乗
算する部分とを連続に組み合わせてなることを特徴とす
る上記第三の光記録媒体の記録方法が提供される。
じ時定数で固定する部分とウィンドウ幅Ｔｗに定数を乗
算する部分とを連続に組み合わせてなることを特徴とす
る上記第三の光記録媒体の記録方法が提供される。
【００１１】第五に、複数のオンパルスを時定数Ｔで固
定する部分の時定数は、用いる最大記録周波数における
Ｔｗに対して０．８以下、最小記録周波数におけるＴｗ
に対して０．２以上となることを特徴とする上記第四の
光記録媒体の記録方法が提供される。
定する部分の時定数は、用いる最大記録周波数における
Ｔｗに対して０．８以下、最小記録周波数におけるＴｗ
に対して０．２以上となることを特徴とする上記第四の
光記録媒体の記録方法が提供される。
【００１２】第六に、ウィンドウ幅Ｔｗに対して定数を
乗算する部分の定数は該ウィンドウ幅Ｔｗに対し０．５
以下であることを特徴とする上記第四の光記録媒体の記
録方法が提供される。
乗算する部分の定数は該ウィンドウ幅Ｔｗに対し０．５
以下であることを特徴とする上記第四の光記録媒体の記
録方法が提供される。
【００１３】第七に、複数のオンパルスの幅をすべて同
じ時定数で固定する部分とウィンドウ幅Ｔｗに対して定
数を乗算する部分とを連続に組み合わせてなる光記録媒
体の記録方法と、複数のオンパルスの幅をウィンドウ幅
Ｔｗに対してデューティが一定となるように調整してな
る光記録媒体の記録方法とを、最大周波数と最小周波数
の中間の周波数において切り替えて用いることを特徴と
する上記第三の光記録媒体の記録方法が提供される。
じ時定数で固定する部分とウィンドウ幅Ｔｗに対して定
数を乗算する部分とを連続に組み合わせてなる光記録媒
体の記録方法と、複数のオンパルスの幅をウィンドウ幅
Ｔｗに対してデューティが一定となるように調整してな
る光記録媒体の記録方法とを、最大周波数と最小周波数
の中間の周波数において切り替えて用いることを特徴と
する上記第三の光記録媒体の記録方法が提供される。
【００１４】第八に、複数のオンパルスの幅をすべて同
じ時定数で固定する部分とウィンドウ幅Ｔｗに対して定
数を乗算する部分とを連続に組み合わせてなる光記録媒
体の記録方法において、複数のオンパルスの幅をウィン
ドウ幅Ｔｗに対してデューティが一定となるように調整
してなる光記録媒体の記録方法に対し最小周波数側に配
置することを特徴とする上記第六の光記録媒体の記録方
法が提供される。
じ時定数で固定する部分とウィンドウ幅Ｔｗに対して定
数を乗算する部分とを連続に組み合わせてなる光記録媒
体の記録方法において、複数のオンパルスの幅をウィン
ドウ幅Ｔｗに対してデューティが一定となるように調整
してなる光記録媒体の記録方法に対し最小周波数側に配
置することを特徴とする上記第六の光記録媒体の記録方
法が提供される。
【００１５】第九に、ウィンドウ幅Ｔｗに対してデュー
ティが一定となるように調整してなる光記録媒体の記録
方法の部分のデューティは、常に０．８以下であること
を特徴とする上記第六の光記録媒体の記録方法が提供さ
れる。
ティが一定となるように調整してなる光記録媒体の記録
方法の部分のデューティは、常に０．８以下であること
を特徴とする上記第六の光記録媒体の記録方法が提供さ
れる。
【００１６】第十に、上記第三〜六のいずれかに記載の
光記録媒体の記録方法を実現するためのレーザー光駆動
回路を有し、これに前記の時定数に対応した信号を発生
する手段と、この信号を駆動回路に伝送する手段とを有
することを特徴とする光記録媒体の記録装置が提供され
る。
光記録媒体の記録方法を実現するためのレーザー光駆動
回路を有し、これに前記の時定数に対応した信号を発生
する手段と、この信号を駆動回路に伝送する手段とを有
することを特徴とする光記録媒体の記録装置が提供され
る。
【００１７】第十一に、上記第七〜九のいずれかに記載
の光記録媒体の記録方法を実現するためのレーザー光駆
動回路を有し、これに前記の時定数に対応した信号を発
生する手段と、この信号を駆動回路に伝送する手段とを
有することを特徴とする光記録媒体の記録装置が提供さ
れる。
の光記録媒体の記録方法を実現するためのレーザー光駆
動回路を有し、これに前記の時定数に対応した信号を発
生する手段と、この信号を駆動回路に伝送する手段とを
有することを特徴とする光記録媒体の記録装置が提供さ
れる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。本発明の光記録媒体は従来例のＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5
の化合物に近い組成に対し、ＳｂＴｅを主成分とする記
録層を用いることを特徴としている。図１は本発明の光
記録媒体の一例の層構成の概念図を示す。図１の光記録
媒体は、図示されない案内溝を有する基板１上に、第１
の誘電体層（下部保護層）２、この第１誘電体層上に記
録層３、この記録層上に第２の誘電体層（上部保護層）
４、この第２の誘電体層上に金属反射層（反射放熱層）
５を製膜し、好ましくはこの金属反射層上にＵＶ硬化樹
脂からなる環境保護層６が積層された構成からなる。
する。本発明の光記録媒体は従来例のＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5
の化合物に近い組成に対し、ＳｂＴｅを主成分とする記
録層を用いることを特徴としている。図１は本発明の光
記録媒体の一例の層構成の概念図を示す。図１の光記録
媒体は、図示されない案内溝を有する基板１上に、第１
の誘電体層（下部保護層）２、この第１誘電体層上に記
録層３、この記録層上に第２の誘電体層（上部保護層）
４、この第２の誘電体層上に金属反射層（反射放熱層）
５を製膜し、好ましくはこの金属反射層上にＵＶ硬化樹
脂からなる環境保護層６が積層された構成からなる。
【００１９】ここで、記録層は上記のとおりであるが、
特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅの組成であるのが望ましい。誘
電体層はＺｎＳ−ＳｉＯ2からなるのが望ましく、ま
た、金属反射層はＡｌ−Ｔｉからなるのが望ましい。
特に、ＡｇＩｎＳｂＴｅの組成であるのが望ましい。誘
電体層はＺｎＳ−ＳｉＯ2からなるのが望ましく、ま
た、金属反射層はＡｌ−Ｔｉからなるのが望ましい。
【００２０】基板１の材料は通常、ガラス、セラミック
ス、あるいは樹脂が用いられ、樹脂基板が成形性の点で
好ましい。代表例としてはポリカーボネート樹脂、アク
リル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ
素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、
加工性、光学特性などの点からポリカーボネート樹脂が
好ましい。また、基板の形状はディスク状、カード状あ
るいはシート状であってもよい。
ス、あるいは樹脂が用いられ、樹脂基板が成形性の点で
好ましい。代表例としてはポリカーボネート樹脂、アク
リル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチ
レン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ
素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、
加工性、光学特性などの点からポリカーボネート樹脂が
好ましい。また、基板の形状はディスク状、カード状あ
るいはシート状であってもよい。
【００２１】各層の製膜条件は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜：
投入電力３ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０
-3Ｔｏｒｒ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ膜：投入電力１ｋＷ、Ａ
ｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒ，ＺｎＳ
−ＳｉＯ2膜：投入電力３ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室
気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒ、Ａｌ膜：投入電力９ｋＷ，
Ａｒガス圧力（製膜室気圧）３ｍｍＴｏｒｒが適当であ
る。
投入電力３ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０
-3Ｔｏｒｒ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ膜：投入電力１ｋＷ、Ａ
ｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒ，ＺｎＳ
−ＳｉＯ2膜：投入電力３ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室
気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒ、Ａｌ膜：投入電力９ｋＷ，
Ａｒガス圧力（製膜室気圧）３ｍｍＴｏｒｒが適当であ
る。
【００２２】ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層において、Ａｇの
存在は、記録特性および保存安定性の向上に効果があ
る。ただし、Ａｇが多くなると結晶転移速度が遅くなる
ため、高線速に対応できない。また、記録線速の上昇は
Ｓｂ含有量を増加するかＩｎ量を増加することによって
達成できるが、Ｓｂ量の増加によって記録線速を上昇し
ようとした場合には、オーバーライト特性や高温高湿環
境下での保存信頼性が急激に悪化する傾向がある。Ｉｎ
量を増加した場合には、Ｉｎ組成比は０．１以下の原子
比が好ましい。
存在は、記録特性および保存安定性の向上に効果があ
る。ただし、Ａｇが多くなると結晶転移速度が遅くなる
ため、高線速に対応できない。また、記録線速の上昇は
Ｓｂ含有量を増加するかＩｎ量を増加することによって
達成できるが、Ｓｂ量の増加によって記録線速を上昇し
ようとした場合には、オーバーライト特性や高温高湿環
境下での保存信頼性が急激に悪化する傾向がある。Ｉｎ
量を増加した場合には、Ｉｎ組成比は０．１以下の原子
比が好ましい。
【００２３】第１の誘電体層（下部保護層）および第２
の誘電体層（上部保護層）は各種気相成長法、例えば真
空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法等によ
り形成できる。また、その膜厚はその機能、即ち、耐熱
層、多重干渉層としての機能によっても異なるが、第１
の誘電体層は５０ｎｍから１１０ｎｍあるいは１７０ｎ
ｍから２１５ｎｍがよい。５０ｎｍ以下では記録層を基
板の影響から保護する機能の乏しく、２１５ｎｍ以上で
は界面剥離を生じ易くなる。また、第２の誘電体層は１
０〜３０ｎｍとするのがよい。１０ｎｍ以下では記録感
度が悪くなり、３０ｎｍ以上では熱がこもりすぎてしま
う。
の誘電体層（上部保護層）は各種気相成長法、例えば真
空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法等によ
り形成できる。また、その膜厚はその機能、即ち、耐熱
層、多重干渉層としての機能によっても異なるが、第１
の誘電体層は５０ｎｍから１１０ｎｍあるいは１７０ｎ
ｍから２１５ｎｍがよい。５０ｎｍ以下では記録層を基
板の影響から保護する機能の乏しく、２１５ｎｍ以上で
は界面剥離を生じ易くなる。また、第２の誘電体層は１
０〜３０ｎｍとするのがよい。１０ｎｍ以下では記録感
度が悪くなり、３０ｎｍ以上では熱がこもりすぎてしま
う。
【００２４】従来例の記録材料はオーバーライト時に、
消去を確実に行うために、記録層を消去レベル以上のパ
ワーで照射して常に予熱した状態にしておく必要があ
る。これに対し、本発明の記録層は消去特性に優れるた
め、記録マークの記録時にレーザー光照射後急冷するこ
とを考慮すればいい。したがってＣＡＶあるいは記録媒
体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合
にも、安定した記録マークが形成できる。
消去を確実に行うために、記録層を消去レベル以上のパ
ワーで照射して常に予熱した状態にしておく必要があ
る。これに対し、本発明の記録層は消去特性に優れるた
め、記録マークの記録時にレーザー光照射後急冷するこ
とを考慮すればいい。したがってＣＡＶあるいは記録媒
体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合
にも、安定した記録マークが形成できる。
【００２５】図２は、本発明の第１の主要な記録方法す
なわち本発明の第三及び第四の記録方法を説明する図で
ある。このような構成にすることによって各線速におけ
るパルス幅は図３中、１に示す幅になる。図３中、２は
比較として図２のＴｍｐのみ（ｄＴｍｐ部を取り除いた
従来タイプの例）の場合のパルス幅を示す。このため、
前述したような低線速（内周）側においてパルス幅が小
さくなりすぎ、記録パワーが不足することによってジッ
タ特性が悪化する場合の例に比較して、内周側でのパル
ス幅を大きくできる効果があるために、ＣＡＶあるいは
記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録す
る場合にも、安定した記録マークが形成できる。
なわち本発明の第三及び第四の記録方法を説明する図で
ある。このような構成にすることによって各線速におけ
るパルス幅は図３中、１に示す幅になる。図３中、２は
比較として図２のＴｍｐのみ（ｄＴｍｐ部を取り除いた
従来タイプの例）の場合のパルス幅を示す。このため、
前述したような低線速（内周）側においてパルス幅が小
さくなりすぎ、記録パワーが不足することによってジッ
タ特性が悪化する場合の例に比較して、内周側でのパル
ス幅を大きくできる効果があるために、ＣＡＶあるいは
記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録す
る場合にも、安定した記録マークが形成できる。
【００２６】また、ウィンドウ幅Ｔｗに対して定数を乗
算する部分の定数がＴｗに対し０．５以上の場合には、
高線速側つまりウィンドウ幅が小さくなるに従い、オフ
パルス部分が短くなりすぎるため、ＬＤの立ち下がり時
定数が確保できなくなり、パルス光を安定して照射でき
なくなる。実験においては、０．５以下の場合良好な結
果が得られた。
算する部分の定数がＴｗに対し０．５以上の場合には、
高線速側つまりウィンドウ幅が小さくなるに従い、オフ
パルス部分が短くなりすぎるため、ＬＤの立ち下がり時
定数が確保できなくなり、パルス光を安定して照射でき
なくなる。実験においては、０．５以下の場合良好な結
果が得られた。
【００２７】また、オンパルスを時定数Ｔで固定する部
分は上記と同様な現象が現われ、低線速側でパルス幅が
小さくなりすぎて記録パワーが不足してしまうことによ
るジッタ特性の悪化は、しきい値として最大記録周波数
におけるＴｗに対して０．８以下、最小記録周波数にお
けるＴｗに対して０．２以上であることも実験により確
認された。図３中、１の場合にはどちらもこの範囲内で
あるため記録は可能であるが、１の本発明の第１の記録
方法の例の方が低線速側でデューティー比は大きくなる
ので、良好なジッタ特性となった。ここではわかりやす
さのために、パルス幅で記載した。
分は上記と同様な現象が現われ、低線速側でパルス幅が
小さくなりすぎて記録パワーが不足してしまうことによ
るジッタ特性の悪化は、しきい値として最大記録周波数
におけるＴｗに対して０．８以下、最小記録周波数にお
けるＴｗに対して０．２以上であることも実験により確
認された。図３中、１の場合にはどちらもこの範囲内で
あるため記録は可能であるが、１の本発明の第１の記録
方法の例の方が低線速側でデューティー比は大きくなる
ので、良好なジッタ特性となった。ここではわかりやす
さのために、パルス幅で記載した。
【００２８】さらに、本発明の第２の主要な記録方法
は、上記複数のオンパルスの幅をすべて同じ時定数で固
定する部分とＴｗに対して定数を乗算する部分とを連続
に組み合わせてなる光記録媒体の記録方法と複数のオン
パルスの幅をＴｗに対してデューティが一定となるよう
に調整してなる光記録媒体の記録方法を最大周波数と最
小周波数の中間の周波数において切り替えて用いること
を特徴とする光記録媒体の記録方法である。
は、上記複数のオンパルスの幅をすべて同じ時定数で固
定する部分とＴｗに対して定数を乗算する部分とを連続
に組み合わせてなる光記録媒体の記録方法と複数のオン
パルスの幅をＴｗに対してデューティが一定となるよう
に調整してなる光記録媒体の記録方法を最大周波数と最
小周波数の中間の周波数において切り替えて用いること
を特徴とする光記録媒体の記録方法である。
【００２９】この方法においては各線速におけるパルス
幅のＴｗに対するデューティー比は図４中、１に示すも
のとなる。この場合も図４中、２の本発明を用いない例
から分かるように、高線速側つまりウィンドウ幅が小さ
くなるに従いオフパルス部分が短くなりすぎるため、Ｌ
Ｄの立ち下がり時定数が確保できなくなり、パルス光を
安定して照射できなくなることや、低線速側でパルス幅
が小さくなりすぎて記録パワーが不足してしまうことに
よるジッタ特性の悪化を防ぐ効果があることが分かる。
幅のＴｗに対するデューティー比は図４中、１に示すも
のとなる。この場合も図４中、２の本発明を用いない例
から分かるように、高線速側つまりウィンドウ幅が小さ
くなるに従いオフパルス部分が短くなりすぎるため、Ｌ
Ｄの立ち下がり時定数が確保できなくなり、パルス光を
安定して照射できなくなることや、低線速側でパルス幅
が小さくなりすぎて記録パワーが不足してしまうことに
よるジッタ特性の悪化を防ぐ効果があることが分かる。
【００３０】図６中、１は、上記の記録方法においては
逆に上記複数のオンパルスの幅をすべて同じ時定数で固
定する部分とＴｗに対して定数を乗算する部分とを連続
に組み合わせてなる光記録媒体の記録方法が、複数のオ
ンパルスの幅をＴｗに対してデューティが一定となるよ
うに調整してなる光記録媒体の記録方法に対し、最小周
波数側に配置されることを特徴とする上記第六の光記録
媒体の記録方法を用いる場合の代表例である。これによ
っても低線速側でパルス幅が小さくなりすぎて記録パワ
ーが不足してしまうことによるジッタ特性の悪化を防ぐ
効果を持たせることが可能である。図６中、２は本発明
を用いない場合の例である。
逆に上記複数のオンパルスの幅をすべて同じ時定数で固
定する部分とＴｗに対して定数を乗算する部分とを連続
に組み合わせてなる光記録媒体の記録方法が、複数のオ
ンパルスの幅をＴｗに対してデューティが一定となるよ
うに調整してなる光記録媒体の記録方法に対し、最小周
波数側に配置されることを特徴とする上記第六の光記録
媒体の記録方法を用いる場合の代表例である。これによ
っても低線速側でパルス幅が小さくなりすぎて記録パワ
ーが不足してしまうことによるジッタ特性の悪化を防ぐ
効果を持たせることが可能である。図６中、２は本発明
を用いない場合の例である。
【００３１】また、高線速側つまりウィンドウ幅が小さ
くなるに従い、オフパルス部分が短くなりすぎるため、
ＬＤの立ち下がり時定数が確保できなくなり、パルス光
を安定して照射できなくなることや、低線速側でパルス
幅が小さくなりすぎて記録パワーが不足してしまうこと
によるジッタ特性の悪化を防ぐためには、Ｔｗに対して
デューティが一定となるように調整してなる光記録媒体
の記録方法の部分のデューティは常に０．７５以下でな
ければパルス光を安定して照射できなくなる。
くなるに従い、オフパルス部分が短くなりすぎるため、
ＬＤの立ち下がり時定数が確保できなくなり、パルス光
を安定して照射できなくなることや、低線速側でパルス
幅が小さくなりすぎて記録パワーが不足してしまうこと
によるジッタ特性の悪化を防ぐためには、Ｔｗに対して
デューティが一定となるように調整してなる光記録媒体
の記録方法の部分のデューティは常に０．７５以下でな
ければパルス光を安定して照射できなくなる。
【００３２】上記第三から第六および上記第八から十の
光記録媒体の記録方法を実現するためのレーザー光駆動
回路を有し、これに上記の時定数に対応した信号を発生
する手段とこの信号を駆動回路に伝送する手段を有する
ことによって、従来例の光記録媒体の記録装置に比べ、
パルス光の照射時定数が滑らかに移行する照射方法が実
現できるため、ＣＡＶ記録に特に適した記録方法が実現
される。
光記録媒体の記録方法を実現するためのレーザー光駆動
回路を有し、これに上記の時定数に対応した信号を発生
する手段とこの信号を駆動回路に伝送する手段を有する
ことによって、従来例の光記録媒体の記録装置に比べ、
パルス光の照射時定数が滑らかに移行する照射方法が実
現できるため、ＣＡＶ記録に特に適した記録方法が実現
される。
【００３３】
【実施例】次に実施例をあげて本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００３４】実施例１ ポリカーボネイト基板１上に、スパッタリング法により
ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる下部保護層、この下部保護層
上にＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層、この記録層上のＺｎＳ−
ＳｉＯ2から成る上部保護層４、この上部保護層上のＡ
ｌ−Ｔｉ反射放熱層５を製膜し、この反射放熱層上にス
ピンコートにより塗布されたＵＶ硬化樹脂からなる環境
保護層６を積層して、光記録媒体を作成した。
ＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる下部保護層、この下部保護層
上にＡｇＩｎＳｂＴｅ記録層、この記録層上のＺｎＳ−
ＳｉＯ2から成る上部保護層４、この上部保護層上のＡ
ｌ−Ｔｉ反射放熱層５を製膜し、この反射放熱層上にス
ピンコートにより塗布されたＵＶ硬化樹脂からなる環境
保護層６を積層して、光記録媒体を作成した。
【００３５】各層の製膜条件は、ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜：
投入電力３ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０
-3Ｔｏｒｒ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ膜：投入電力１ｋＷ，Ａ
ｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒ、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2膜：投入電力３ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室
気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒ、Ａｌ−Ｔｉ膜：投入電力９
ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２ｍＴｏｒｒとし
た。
投入電力３ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０
-3Ｔｏｒｒ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ膜：投入電力１ｋＷ，Ａ
ｒガス圧力（製膜室気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒ、ＺｎＳ
−ＳｉＯ2膜：投入電力３ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室
気圧）２×１０-3Ｔｏｒｒ、Ａｌ−Ｔｉ膜：投入電力９
ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２ｍＴｏｒｒとし
た。
【００３６】この光記録媒体に対し、内周３．４９ｍ／
ｓｅｃ、外周８．５ｍ／ｓｅｃの記録線速のＣＡＶ記録
をおこなった。オンパルスの幅をすべて同じ時定数で固
定する部分の時定数を８ｎｓｅｃ．。ウィンドウ幅Ｔｗ
に定数を乗算する部分の定数を１／６とし、図２に示す
ように連続に組み合わせる方法を用いた。ここで、図中
のｄＴｅｒａ部分は、Ｔｗに対し１／６の定数を乗算す
るような設定にしてある。この場合は正側の定数を乗算
したが、負側例えば−１／６Ｔｗでも可能であった。ま
た、定数に関しては、Ｔｗに対してここでは分母に６を
用いたが、ｎ／整数の設定が回路上都合が良い。
ｓｅｃ、外周８．５ｍ／ｓｅｃの記録線速のＣＡＶ記録
をおこなった。オンパルスの幅をすべて同じ時定数で固
定する部分の時定数を８ｎｓｅｃ．。ウィンドウ幅Ｔｗ
に定数を乗算する部分の定数を１／６とし、図２に示す
ように連続に組み合わせる方法を用いた。ここで、図中
のｄＴｅｒａ部分は、Ｔｗに対し１／６の定数を乗算す
るような設定にしてある。この場合は正側の定数を乗算
したが、負側例えば−１／６Ｔｗでも可能であった。ま
た、定数に関しては、Ｔｗに対してここでは分母に６を
用いたが、ｎ／整数の設定が回路上都合が良い。
【００３７】この結果は、実施例２の結果と合わせて図
５に示す。図５から分かるように単に時定数を固定して
記録を行う際には、低線速側でのジッタ上昇また全体的
なジッタ上昇が見られるのに対しジッタが低く押さえら
れ、安定した記録が行われることが分かった。
５に示す。図５から分かるように単に時定数を固定して
記録を行う際には、低線速側でのジッタ上昇また全体的
なジッタ上昇が見られるのに対しジッタが低く押さえら
れ、安定した記録が行われることが分かった。
【００３８】実施例２ 実施例１と同じ光記録媒体に対し、オンパルスの幅をす
べて同じ時定数で固定する部分とＴｗに対して定数を乗
算する部分とを連続に組み合わせ部分についてはオンパ
ルスの幅を固定する部分の時定数を１１．５ｎｓｅ
ｃ．、ウィンドウ幅Ｔｗに定数を乗算する部分の定数を
１／６とした記録方法を最内周のＴｗに対し１／１．７
倍に相当する半径位置（約半分の位置）の部分まで適用
した。この部分での記録線速は約６ｍ／ｓｅｃである。
さらにこの半径位置から外周側では複数のオンパルスの
幅をＴｗに対してデューティが０．６となるように調整
して記録をおこなった。この場合の各線速におけるデュ
ーティー比は図４中、１に示す通りである図４に示す２
は仮にオンパルスの幅を固定する部分の時定数を１１．
５ｎｓｅｃ．、ウィンドウ幅Ｔｗに定数を乗算する部分
の定数を１／６とした記録方法を最外周まで適用した場
合であるが、この場合には最内周のＴｗに対し１／２．
２倍に相当する半径位置においてデューティー比が０．
８を超えるためこれ以上の外周側では記録が不可能であ
った。
べて同じ時定数で固定する部分とＴｗに対して定数を乗
算する部分とを連続に組み合わせ部分についてはオンパ
ルスの幅を固定する部分の時定数を１１．５ｎｓｅ
ｃ．、ウィンドウ幅Ｔｗに定数を乗算する部分の定数を
１／６とした記録方法を最内周のＴｗに対し１／１．７
倍に相当する半径位置（約半分の位置）の部分まで適用
した。この部分での記録線速は約６ｍ／ｓｅｃである。
さらにこの半径位置から外周側では複数のオンパルスの
幅をＴｗに対してデューティが０．６となるように調整
して記録をおこなった。この場合の各線速におけるデュ
ーティー比は図４中、１に示す通りである図４に示す２
は仮にオンパルスの幅を固定する部分の時定数を１１．
５ｎｓｅｃ．、ウィンドウ幅Ｔｗに定数を乗算する部分
の定数を１／６とした記録方法を最外周まで適用した場
合であるが、この場合には最内周のＴｗに対し１／２．
２倍に相当する半径位置においてデューティー比が０．
８を超えるためこれ以上の外周側では記録が不可能であ
った。
【００３９】実施例３ 実施例１と同じ光記録媒体に対し、複数のオンパルスの
幅をＴｗに対してデューティが０．５となるように調整
し、最内周のＴｗに対し１／１．７倍に相当する半径位
置（約半分の位置）の部分まで適用した。この部分での
記録線速は約６ｍ／ｓｅｃである。さらに、この半径位
置から外周側ではオンパルスの幅をすべて同じ時定数で
固定する部分とＴｗに対して定数を乗算する部分とを連
続に組み合わせ部分についてはオンパルスの幅を固定す
る部分の時定数を８ｎｓｅｃ．、ウィンドウ幅Ｔｗに定
数を乗算する部分の定数を１／６とした記録方法を用い
て記録をおこなった。その結果、ジッタ特性は実施例２
とほぼ同じであった。
幅をＴｗに対してデューティが０．５となるように調整
し、最内周のＴｗに対し１／１．７倍に相当する半径位
置（約半分の位置）の部分まで適用した。この部分での
記録線速は約６ｍ／ｓｅｃである。さらに、この半径位
置から外周側ではオンパルスの幅をすべて同じ時定数で
固定する部分とＴｗに対して定数を乗算する部分とを連
続に組み合わせ部分についてはオンパルスの幅を固定す
る部分の時定数を８ｎｓｅｃ．、ウィンドウ幅Ｔｗに定
数を乗算する部分の定数を１／６とした記録方法を用い
て記録をおこなった。その結果、ジッタ特性は実施例２
とほぼ同じであった。
【００４０】
【発明の効果】（１）請求項１、２に対応する作用効果 ＳｂＴｅを主成分とする記録層を用いることを特徴とし
ているために、本発明の記録層は消去特性に優れるた
め、記録マークの記録時にレーザー光照射後急冷するこ
とを考慮すればいい。したがってＣＡＶあるいは記録媒
体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合
にも、安定した記録マークが形成できる。
ているために、本発明の記録層は消去特性に優れるた
め、記録マークの記録時にレーザー光照射後急冷するこ
とを考慮すればいい。したがってＣＡＶあるいは記録媒
体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合
にも、安定した記録マークが形成できる。
【００４１】（２）請求項３、４に対応する作用効果 このような構成にすることによって各線速におけるパル
ス幅は図３中、１に示す幅になるため、低線速（内周）
側においてパルス幅が小さくなりすぎ、記録パワーが不
足することによってジッタ特性が悪化する場合の例に比
較して、内周側でのパルス幅を大きくできる効果がある
ために、ＣＡＶあるいは記録媒体の記録半径位置を複数
に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マー
クが形成できる。
ス幅は図３中、１に示す幅になるため、低線速（内周）
側においてパルス幅が小さくなりすぎ、記録パワーが不
足することによってジッタ特性が悪化する場合の例に比
較して、内周側でのパルス幅を大きくできる効果がある
ために、ＣＡＶあるいは記録媒体の記録半径位置を複数
に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マー
クが形成できる。
【００４２】（３）請求項５、６に対応する作用効果 このような構成にすることによってオンパルス幅やオフ
パルス部が小さくなりすぎ、記録パワーが不足すること
や、照射光が不安定になること無しに、ＣＡＶあるいは
記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録す
る場合にも、安定した記録マークが形成できる。
パルス部が小さくなりすぎ、記録パワーが不足すること
や、照射光が不安定になること無しに、ＣＡＶあるいは
記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録す
る場合にも、安定した記録マークが形成できる。
【００４３】（４）請求項７に対応する作用効果 このような構成にすることによって各線速におけるパル
ス幅は図４中、１に示す幅になるため、低線速（内周）
側においてパルス幅が小さくなりすぎ、記録パワーが不
足することによってジッタ特性が悪化する場合の例に比
較して、内周側でのパルス幅を大きくできる効果がある
ために、ＣＡＶあるいは記録媒体の記録半径位置を複数
に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マー
クが形成できる。
ス幅は図４中、１に示す幅になるため、低線速（内周）
側においてパルス幅が小さくなりすぎ、記録パワーが不
足することによってジッタ特性が悪化する場合の例に比
較して、内周側でのパルス幅を大きくできる効果がある
ために、ＣＡＶあるいは記録媒体の記録半径位置を複数
に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マー
クが形成できる。
【００４４】（５）請求項８、９に対応する作用効果 このような構成にすることによって各線速におけるパル
ス幅は図６中、１に示す幅になるため、高線速（外周）
側においてオフパルス幅が小さくなりすぎ、照射光が不
安定になること無しに、ＣＡＶあるいは記録媒体の記録
半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安
定した記録マークが形成できる。
ス幅は図６中、１に示す幅になるため、高線速（外周）
側においてオフパルス幅が小さくなりすぎ、照射光が不
安定になること無しに、ＣＡＶあるいは記録媒体の記録
半径位置を複数に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安
定した記録マークが形成できる。
【００４５】（６）請求項１０に対応する作用効果 上記の記録が可能となる装置が提供されるため、ＣＡＶ
あるいは記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬ
Ｖ記録する場合にも、安定した記録マークが形成でき
る。
あるいは記録媒体の記録半径位置を複数に区切ってＣＬ
Ｖ記録する場合にも、安定した記録マークが形成でき
る。
【００４６】（７）請求項１１に対応する作用効果 上記請求項８−１０の記録が可能となる装置が提供され
るため、ＣＡＶあるいは記録媒体の記録半径位置を複数
に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マー
クが形成できる。
るため、ＣＡＶあるいは記録媒体の記録半径位置を複数
に区切ってＣＬＶ記録する場合にも、安定した記録マー
クが形成できる。
【図１】本発明の光記録媒体の一例の図。
【図２】本発明の記録方法の説明図。
【図３】記録線速とオンパルス幅との関係を表わした
図。
図。
【図４】実施例２のパルスデューティー比を表わした
図。
図。
【図５】実施例１及び２のジッタ特性を表わした図。
【図６】実施例３のパルスデューティー比を表わした
図。
図。
１ 基板 ２ 第１の誘導体層（下部保護層） ３ 記録層 ４ 第２の誘電体層（上部保護層） ５ 金属反射層（反射放熱層） ６ 環境保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 針谷 眞人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 芝口 孝 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 鈴木 栄子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小名木 伸晃 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA04 EA12 EA23 EA32 EA33 EA47 EA48 FA01 FB03 FB04 FB05 FB06 FB07 FB09 FB10 FB12 FB17 FB19 FB20 FB21 FB24 5D029 JA01 JC02 WA12 5D090 BB05 CC14 DD01 EE02 FF04 FF14 HH01 KK06
Claims (11)
- 【請求項１】 ＳｂＴｅを必須元素としこれにＡｇ、Ａ
ｕ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎ、Ｐ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｇｄ、Ｔｂの
うちから少なくとも１種類以上の元素を添加してなる相
変化型記録層を有し、該記録層がレーザー光の照射によ
り結晶相からアモルファス相へ変化することにより情報
の記録を行うことを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 記録線速が３ｍ／ｓ以上２０ｍ／ｓ以下
の範囲でレーザー光の照射により形成されるアモルファ
ス相と結晶相の反射率差が３０％以上であること特徴と
する請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の光記録媒体を用
い、これに記録マークを形成する際、レーザー光の発光
波形を複数のオンパルスとこれに続くオフパルスからな
る記録パルス列とし、内周から外周あるいは外周から内
周へ記録半径位置に対応して連続的に記録周波数ν（ν
＝１／Ｔｗ；Ｔｗはウインドウ幅）を変化させて記録す
ることを特徴とする光記録媒体の記録方法。 - 【請求項４】 複数のオンパルスの幅はすべて同じ時定
数で固定する部分とウィンドウ幅Ｔｗに定数を乗算する
部分とを連続に組み合わせてなることを特徴とする請求
項３記載の光記録媒体の記録方法。 - 【請求項５】 複数のオンパルスを時定数Ｔで固定する
部分の時定数は、用いる最大記録周波数におけるＴｗに
対して０．８以下、最小記録周波数におけるＴｗに対し
て０．２以上となることを特徴とする請求項４記載の光
記録媒体の記録方法。 - 【請求項６】 ウィンドウ幅Ｔｗに対して定数を乗算す
る部分の定数は該ウィンドウ幅Ｔｗに対し０．５以下で
あることを特徴とする請求項４記載の光記録媒体の記録
方法。 - 【請求項７】 複数のオンパルスの幅をすべて同じ時定
数で固定する部分とウィンドウ幅Ｔｗに対して定数を乗
算する部分とを連続に組み合わせてなる光記録媒体の記
録方法と、複数のオンパルスの幅をウィンドウ幅Ｔｗに
対してデューティが一定となるように調整してなる光記
録媒体の記録方法とを、最大周波数と最小周波数の中間
の周波数において切り替えて用いることを特徴とする請
求項３記載の光記録媒体の記録方法。 - 【請求項８】 複数のオンパルスの幅をすべて同じ時定
数で固定する部分とウィンドウ幅Ｔｗに対して定数を乗
算する部分とを連続に組み合わせてなる光記録媒体の記
録方法において、複数のオンパルスの幅をウィンドウ幅
Ｔｗに対してデューティが一定となるように調整してな
る光記録媒体の記録方法に対し最小周波数側に配置する
ことを特徴とする請求項６記載の光記録媒体の記録方
法。 - 【請求項９】 ウィンドウ幅Ｔｗに対してデューティが
一定となるように調整してなる光記録媒体の記録方法の
部分のデューティは、常に０．８以下であることを特徴
とする請求項６記載の光記録媒体の記録方法。 - 【請求項１０】 請求項３〜６のいずれかに記載の光記
録媒体の記録方法を実現するためのレーザー光駆動回路
を有し、これに前記の時定数に対応した信号を発生する
手段と、この信号を駆動回路に伝送する手段とを有する
ことを特徴とする光記録媒体の記録装置。 - 【請求項１１】 請求項７〜９のいずれかに記載の光記
録媒体の記録方法を実現するためのレーザー光駆動回路
を有し、これに前記の時定数に対応した信号を発生する
手段と、この信号を駆動回路に伝送する手段とを有する
ことを特徴とする光記録媒体の記録装置。
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