JP2000315310A

JP2000315310A - 情報記録媒体及び情報記録再生用スライダ

Info

Publication number: JP2000315310A
Application number: JP26564099A
Authority: JP
Inventors: Koji Matsumoto; 幸治松本
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1999-03-01
Filing date: 1999-09-20
Publication date: 2000-11-14

Abstract

(57)【要約】【課題】微小な記録マークを安定に存在させ、情報の
記録及び再生を従来の記録再生装置でも可能な情報記録
媒体を提供することを課題とする。【解決手段】基体上に、記録された情報を磁気的に再
生しうる希土類遷移金属のアモルファス合金を主成分と
する情報記録膜を備え、Ｒａが０．１〜１．５ｎｍ又は
周期が１０〜４０ｎｍの凹凸を有するか、情報記録膜が
交換結合多層膜であり、該膜が、室温から６５℃付近ま
での温度領域において保磁力が実質的に変化せず、５５
Gaussμｍ以上の残留磁束密度×膜厚積を有し、遷移金
属リッチの希土類遷移金属アモルファス合金層と希土類
リッチの希土類遷移金属アモルファス合金層とを少なく
とも含むことにより上記課題を解決する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報記録媒体及び
情報記録再生用スライダに関する。更に詳しくは、本発
明は、情報を磁気的に記録及び再生するに際して、記録
／再生特性を向上させた情報記録媒体及びその媒体への
情報の記録及び再生に適した情報記録再生用スライダに
関する。

【０００２】

【従来の技術】情報記録媒体として、ＤＶＤのような光
記録媒体や、ＨＤＤのような磁気記録媒体が知られ、一
般に普及している。更に、情報の記録密度を高めること
が望まれている観点から、光記録媒体及び磁気記録媒体
の利点を組み合わせた光磁気記録（ＭＯ）媒体も研究さ
れている。

【０００３】上記記録媒体の内、磁気記録媒体及び光磁
気記録媒体の磁性体に記録された情報を磁気的に検出す
る情報再生方式によれば、研究が進んだ結果、超高密度
に記録することが可能となり、現在では、１０Ｇビット
／（インチ）²を超える高密度記録の可能性が示される
ようになった。ところで、上記磁性体としては、通常、
磁化容易軸を面内方向に有する例えばＣｏ₇₇Ｃｒ₁₅Ｐｔ
₆Ｔａ₂のような多結晶の磁性体が使用されている

【０００４】更に、磁気記録媒体の磁性体として、希土
類遷移金属アモルファス合金からなる垂直磁化膜を使用
した例が、特開昭５８−１６５３０６号公報に記載され
ている。また、この希土類遷移金属アモルファス合金
は、光磁気記録媒体の磁性体としても利用されており、
近年、磁気特性を異ならせた希土類遷移金属アモルファ
ス合金膜の積層体を有する光磁気記録媒体が、特開平５
−２１７２２６号公報、特開平５−３２５２８３号公
報、特開昭６３−３０２４４８号公報等に記載されてい
る。

【０００５】この内、特に特開昭６３−３０２４４８号
公報では、希土類金属磁気モーメントが遷移金属磁気モ
ーメントより大きくなる、いわゆる希土類金属（ＲＥ）
リッチ膜と、遷移金属磁気モーメントが希土類金属モー
メントより大きくなる、いわゆる遷移金属（ＴＭ）リッ
チ膜とを交換結合させた積層体を有する光磁気記録媒体
が記載されている。

【０００６】より具体的には、ＴＭリッチ膜にカー回転
力が大きなＴｂＦｅＣｏ膜を使用し、ＲＥリッチ膜に大
きなシグナルレベル（√Ｒ・θ：Ｒは反射率、θはカー
回転角）を得ることができるＴｂＦｅＣｏ膜を使用し、
両膜を交換結合させた光磁気記録媒体が記載されてい
る。この媒体では、ノズルレベルの上昇が抑制されるた
め大きなＳＮＲが得られること、書き込みエネルギーを
小さくできること等がその効果として記載されている。
つまり、この公報記載の媒体は、ＭＯのような媒体とし
て使用した場合、大きな磁気光学効果を得ながら、記録
ノイズを低減することができると考えられる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】記録密度をさらに向上
させるためには、情報記録媒体に生じるノイズをさらに
低減することが必要となる。そのためには、磁性粒（結
晶粒）の粒径を１０ｎｍ程度にしなければならない。と
ころが、上記多結晶の磁性体は、結晶粒の粒径を１０ｎ
ｍ程度にした場合、生じる磁区（記録ビット）が、特に
結晶粒の界面で、熱的に不安定となる。このことは、逆
に情報記録媒体にノイズを発生させたり、記録された情
報が消える等の問題を生じる。特に、このような磁性粒
の微細化は温度上昇（通常、使用時のドライブ内の温度
は６５℃程度になる）に伴って、保磁力が低下するとい
う問題を生じる。

【０００８】また、上記特開昭６３−３０２４４８号公
報に記載された媒体は、磁束を再生する方式に適当であ
るとはいえなかった。例えば、上記公報の実施例１に
は、Ｈｃ＝２ｋＯｅ（膜厚＝２０ｎｍ）の磁性膜とＨｃ
＝１０ｋＯｅ（膜厚＝６０ｎｍ）の磁性膜との積層体か
らなる媒体が記載されているが、この媒体の保磁力は通
常の磁気ヘッドで記録することができる保磁力より非常
に大きいため、記録することが困難であるという問題が
ある。更に、一般に媒体の磁化は磁気ヘッドで検出しう
る程度に大きい必要がある。上記公報の媒体の場合、Ｈ
ｃ＝２ｋＯｅの磁性膜は比較的磁化が大きく、Ｈｃ＝１
０ｋＯｅの磁性膜は比較的磁化が小さいと推測される。
全磁化は媒体を構成する磁性膜の磁化の足し合わせにな
るが、上記公報の媒体は、磁化の大きい膜が薄いため全
磁化は非常に小さくなり磁束を外部に出さないので、磁
気ヘッドでの検出が困難であるという問題もある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、Ｒａが０．１〜１．５ｎｍ又は周期が１０〜４０ｎ
ｍの凹凸を有する基体上に、記録された情報を磁気的に
再生しうる希土類遷移金属のアモルファス合金を主成分
とする情報記録膜を備えてなる第１の情報記録媒体が提
供される。

【００１０】また、本発明によれば、記録された情報を
磁気的に再生しうる交換結合多層膜からなる情報記録膜
を備え、交換結合多層膜が、室温から６５℃付近までの
温度領域において保磁力が実質的に変化せず、５５Gaus
sμｍ以上の残留磁束密度×膜厚積（ｔＢｒ）を有し、
遷移金属リッチの希土類遷移金属アモルファス合金層と
希土類リッチの希土類遷移金属アモルファス合金層とを
少なくとも含む第２の情報記録媒体が提供される。

【００１１】更に、本発明によれば、上記情報記録媒体
に情報を記録及び再生する際に使用される情報記録再生
用スライダであって、スライダが一体化された光照射手
段、記録ヘッド及び磁気再生ヘッドを備え、光照射手段
が、情報の記録及び再生方向に対して、記録ヘッド及び
磁気再生ヘッドより前に光照射手段が位置することを特
徴とする情報記録再生用スライダが提供される。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の情報記録媒
体を説明する。本発明の発明者は、磁気的記録再生方法
が可能な方式で超高密度記録を実現するために、磁気異
方性が大きく、結晶粒を持たない希土類遷移金属のアモ
ルファス合金を情報記録媒膜に使用することについて検
討した。このアモルファス合金は、膜内部における交換
結合力が強いことが知られている。そのため、現在の記
録再生装置に使用されている薄膜コイルを用いた記録ヘ
ッドでは、ヘッド寸法が大きく、十分な磁界を発生する
ことが困難なため、微小記録マークを形成することが難
しいと考えられてきた。また、交換結合力を小さくする
と保磁力も小さくなるという性質を有するため、記録マ
ークの安定性が悪くなると考えられてきた。そのため情
報記録媒体に、アモルファス合金を使用することは一般
的ではなかった。

【００１３】しかしながら、発明者は、希土類遷移金属
のアモルファス合金を情報記録膜として用いた情報記録
媒体の記録特性と、情報記録膜の構造等を詳細に調べた
ところ、情報記録膜下の基体に適当な凹凸を形成すれ
ば、図１に示すように、磁性膜内部に適当なコラム構造
が形成されることを意外にも見い出した。図１中、１は
基板、２は下地層、３は情報記録膜をそれぞれ示す。更
に、このコラム構造を有する情報記録膜は、従来の磁気
ヘッドでも微小記録マークを形成でき、また大きな再生
信号を得られることも見い出し本発明に至った。

【００１４】まず、本発明の情報記録媒体は、少なくと
も基体と、その上に位置する情報記録膜とからなる。基
体は、所定のＲａ又は周期の凹凸が形成されていさえす
れば、当該分野で公知の基体をいずれも使用することが
できる。具体的には、基体としては、ガラス、セラミッ
クス、チタン、シリコン、カーボン等の基板に凹凸を形
成したもの、基板上に凹凸を有する下地層が形成された
基体等が挙げられる。なお、下地層を形成する場合は、
基板にポリカーボネートのような樹脂基板を使用するこ
とができる。

【００１５】基板への凹凸の形成方法としては、塩酸の
ような酸中に基板を浸漬し、所定の粒径の研磨剤（例え
ば、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＣ、ＳｉＯ）を用いて研磨する、い
わゆるメカノケミカルポリッシング法が挙げられる。下
地層の凹凸は、下地層の形成と同時に形成しても、下地
層を形成した後、別工程で形成してもよい。下地層の形
成と同時に凹凸を形成する場合、例えばスパッタ法によ
り、積層するにつれて層の表面の凹凸が自己的に所定形
状になるような材料を選択する必要がある。そのような
材料として、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＭｏ等の合金、Ｃ
ｒ、Ｔｉ等の金属が挙げられる。凹凸を下地層の形成と
別工程で行う場合、下地層の材料は特に限定されない。
また、下地層に凹凸を形成する方法としては、例えばメ
カノケミカルポリッシング法が挙げられる。この内、製
造工程を短縮するために、凹凸を下地層と同時に形成す
ることが好ましい。なお、スパッタ法で形成されたＮｉ
Ｐ膜は、その粒径が小さいという特長がある。

【００１６】下地層にＮｉＰを使用する場合、その組成
は特に限定されない。例えば、代表的な組成として、Ｎ
ｉ：Ｐ＝４：１、３：１、２：１や５：４のものが存在
する。ただし、過剰にＮｉがリッチな膜にすると、Ｎｉ
が析出して、下地層が強磁性体となるという問題があ
る。強磁性体となった場合、情報記録膜と静電気的な相
互作用が起こり、記録/再生磁界に影響を与えるという
問題が生じる恐れがある。そのためＮｉＰの組成は、Ｎ
ｉ：Ｐ＝４〜２：１が好ましい。また、ＣｒＭｏは通
常、Ｃｒ：Ｍｏ＝９０：１０程度のものが使用される。
凹凸の具体的な形状は、Ｒａが０．１〜１．５ｎｍ又は
周期が１０〜４０ｎｍである。

【００１７】ここで、Ｒａが０．１ｎｍより小さい場
合、情報記録膜内にコラム構造が形成されにくいので好
ましくない。Ｒａが１．５ｎｍより大きい場合、１つの
コラムのサイズが大きくなりノイズを生じやすくなるの
で好ましくない。より好ましいＲａは、０．２〜１．２
ｎｍである。Ｒａは下地層の厚さを厚くすれば大きく、
薄くすれば小さくすることができる。なお、本明細書に
おいて、ＲａはＪＩＳ表面粗さ（Ｂ０６０１）に準拠し
て求めた値である。具体的には、粗さ曲線からその中心
線の方向に測定長さＬの部分を抜き取り、この抜き取り
部分の中心線をＸ軸、縦倍率の方向をＹ軸、粗さ曲線を
ｙ＝ｆ（ｘ）で表したとき、以下の式によって求められ
る値をｎｍで表したものを意味する。

【００１８】

【数１】

【００１９】また、周期が１０ｎｍより小さい場合、コ
ラム構造が形成されにくいので好ましくない。周期が４
０ｎｍより大きい場合、コラム構造が大きくなるので好
ましくない。より好ましい周期は、１５〜２５ｎｍであ
る。周期は、スパッタ法で下地層を形成する場合、投入
電力を調整することにより制御することができ、投入電
力を上げれば周期が大きくなり、下げれば小さくなる。
なお、下地層の厚さは、７〜７５ｎｍであることが好ま
しい。厚さが７ｎｍより小さい場合、コラム構造が形成
されにくいので好ましくない。厚さが７５ｎｍより大き
い場合、コラムのグレインサイズが大きすぎるので好ま
しくない。

【００２０】上記の凹凸を有する基体上に、記録された
情報を磁気的に再生しうる希土類遷移金属のアモルファ
ス合金を主成分とする情報記録膜が形成される。ここ
で、本発明に使用することができる希土類遷移金属のア
モルファス合金としては、例えば、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅ
Ｃｒ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＣｏ、ＧｄＦ
ｅ、ＴｂＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏ等が挙げられる。これら合金の組成は、所
望する保磁力及び飽和磁化になるように適宜設定され
る。これら合金の内、ＴｂＣｏ、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣ
ｒ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏが好ましい。

【００２１】情報記録膜の厚さは、２０〜５０ｎｍであ
ることが好ましい。更に、本発明の情報記録膜は、相互
間の磁気の交換結合を利用した２層以上の複数層からな
っていてもよい。例えば、２層からなる場合、上記希土
類遷移金属のアモルファス合金からなる情報記録膜下に
磁化反転補助層を設けてもよい。磁化反転補助層を設け
ることで、記録マークを安定化することができる。更
に、情報の記録と再生を分離して記録層と再生層を有し
ていてもよい。このように分離することにより、記録と
再生に適した保磁力と飽和磁化になるようにそれぞれの
膜の組成を設定することができる。

【００２２】磁化反転補助層は、垂直磁化膜でも面内磁
化膜でもよい。垂直磁化膜としては、上記アモルファス
合金以外にも、ＣｏＣｒＴａのような結晶系の合金も使
用することができる。面内磁化膜としては、ＧｄＦｅＣ
ｏ、ＧｄＦｅ等が挙げられる。磁化反転補助層の厚さ
は、２〜１０ｎｍであることが好ましい。記録層と再生
層は、上記アモルファス合金を使用することができる。
具体的な組み合わせとしては、ＴｂＦｅ／ＴｂＦｅＣ
ｏ、ＴｂＦｅ／ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ／ＴｂＦｅＣｏ
等が挙げられる。記録層と再生層の厚さは、それぞれ２
０〜４０ｎｍ及び５〜２０ｎｍであることが好ましい。
情報記録膜の形成方法は、特に限定されず、公知の方法
をいずれも使用することができる。公知の方法の内、ス
パッタ法を使用して形成することが好ましい。

【００２３】本発明の情報記録媒体は、更に基板保護層
（例えばＳｉＮ、ＳｉＯ）、表面保護層（例えばＳｉ
Ｎ、ＳｉＯ）、スライダの滑り性を向上させるためのカ
ーボン層等の通常情報記録媒体を構成する層を有してい
てもよい。なお、基板保護層は基板と情報記録膜との間
（下地層がある場合は、下地層と情報記録膜との間）、
表面保護層は情報記録膜の上、カーボン層は磁気記録媒
体の最上層に、それぞれ一般的に位置する。

【００２４】本発明の情報記録媒体によれば、基体上に
凹凸を形成しない場合より、ＳＮＲを１００％以上向上
させることができ、オーバーライト特性を４００％以上
向上することができる。これは、基体の凹凸に由来する
情報記録膜内部のコラム構造により、微小記録マークを
安定に形成できるためであると考えられる。また、本発
明の情報記録媒体は、磁気記録媒体として使用でき、更
に光磁気記録媒体としても使用することができる。

【００２５】本発明の情報記録媒体を光磁気記録媒体に
使用すれば、例えば０．１〜２．５μｍのトラック幅及
び０．１〜２μｍの磁化反転部の幅のような微細記録マ
ークで情報を記録することができ、この情報を公知の磁
気再生ヘッドでも再生することができる。

【００２６】以下、本発明の第２の情報記録媒体を説明
する。一般的に情報記録媒体に使用されているＣｏＣｒ
ＴａＰｔからなる面内磁化膜の保磁力は、室温で３ｋＯ
ｅであるが、６５℃程度になると２．４ｋＯｅ程度まで
低下する。また、ＣｏＣｒＰｔからなる垂直磁化膜の保
磁力は、室温で３ｋＯｅであるが、６５℃程度になると
２．４ｋＯｅ程度まで低下する。そのため、これら磁化
膜は、室温から６５℃程度で安定に使用することが困難
であった。

【００２７】そこで、本発明の発明者は、希土類遷移金
属アモルファス合金膜を用いて、温度に対して保磁力が
変化しない情報記録媒体を得ることができるかどうか検
討した。希土類遷移金属アモルファス合金膜のうち、希
土類元素がＴｂやＤｙの場合には、特に大きな垂直磁気
異方性を有することが知られている。

【００２８】具体的には合金膜がＴｂＦｅの場合、図７
に示すようにＴｂの組成が約２３％付近において、飽和
磁化の値がゼロとなるいわゆる補償組成が存在する。本
明細書では、この補償組成よりＴｂが多い領域（すなわ
ち、遷移金属が少ない領域）を希土類（ＲＥ）リッチ、
この補償組成よりＴｂが少ない領域（すなわち、遷移金
属が多い領域）を遷移金属（ＴＭ）リッチと称する。図
７中、ａは垂直磁気異方性の範囲、ｂは面内磁気異方性
の範囲を示している。

【００２９】この図７では、飽和磁化の値しか示してい
ないが、飽和磁化の値が最小になる組成において、保磁
力は無限大を示し、そこからずれると保磁力は小さくな
る。この現象は、組成を温度に置き換えても同様であ
る。つまり、本発明の発明者は、遷移金属リッチの希土
類遷移金属アモルファス合金層が、温度上昇に伴って、
保磁力が低下するが、飽和磁化の値は若干増加するこ
と、一方、希土類リッチの希土類遷移金属アモルファス
合金層が、温度上昇に伴って、保磁力は増大するが、飽
和磁化の値は減少するという知見から、両者を交換結合
させ、飽和磁化を所定の値に設定した交換結合多層膜に
より、室温から６５℃付近までの温度領域おいて、保磁
力と飽和磁化の値をほぼ一定に保つことができ、その結
果安定した情報の記録再生を行いうる第２の情報記録媒
体を見いだした。

【００３０】まず、希土類遷移金属アモルファス合金層
としては、例えば、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、ＴｂＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等
が挙げられる。この内、合金層は少なくともＴｂ又はＤ
ｙを含むことが好ましい。特に、これら合金の内、Ｔｂ
Ｃｏ、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦ
ｅＣｏが好ましい。

【００３１】遷移金属リッチの希土類遷移金属アモルフ
ァス合金層と希土類リッチの希土類遷移金属アモルファ
ス合金層は、記録された情報を磁気的に再生することが
でき、室温から６５℃付近までの温度領域において保磁
力が実質的に変化せず、５５Gaussμｍ以上のｔＢｒを
有するように組成及び材質が適宜選択される。具体的
な、遷移金属リッチの希土類遷移金属アモルファス合金
層と希土類リッチの希土類遷移金属アモルファス合金層
の組み合わせとしては、例えば、Ｔｂ_xＣｏ_1-xの場合、１４≦ｘ≦２２と２５≦ｘ≦３５の組み合わせ（数値は
モル％、以下同じ）Ｔｂ_xＦｅ_1-xの場合、１４≦ｘ≦２３と２５≦ｘ≦３４の組み合わせＴｂ_x（ＦｅＣｒ）_1-xの場合、１５≦ｘ≦２４と２６≦ｘ≦３６の組み合わせＴｂ_x（ＦｅＣｏ）_1-xの場合、１４≦ｘ≦２３と２５≦ｘ≦３４の組み合わせＤｙ_x（ＦｅＣｏ）_1-xの場合１６≦ｘ≦２２と２４≦ｘ≦３３の組み合わせが挙げられる。

【００３２】遷移金属リッチの希土類遷移金属アモルフ
ァス合金層と希土類リッチの希土類遷移金属アモルファ
ス合金層の厚さは、使用する合金層の種類により相違す
るが、５〜４５ｎｍ及び５〜４５ｎｍの範囲であること
が好ましい。また、合金層の形成方法は、特に限定され
ず、公知の方法をいずれも使用することができる。公知
の方法の内、スパッタ法を使用して形成することが好ま
しい。なお、ｔＢｒが５０Gaussμｍより小さい場合、
ＳＮＲが低下し情報の記録及び再生が困難となる。より
好ましいｔＢｒは、５７〜１３５Gaussμｍの範囲であ
る。

【００３３】上記２層の合金層は、通常基体上に形成さ
れる。ここで、遷移金属リッチの希土類遷移金属アモル
ファス合金層と希土類リッチの希土類遷移金属アモルフ
ァス合金層とは、どちら側が基体に面していてもよい。
基体には、上記第１の情報記録媒体のように、所定のＲ
ａ又は周期の凹凸が形成されていることが好ましい。具
体的に使用できる基体、基体上への凹凸の形成方法は上
記第１の情報記録媒体と同様である。

【００３４】また、上記第１の情報記録媒体のように、
磁化反転補助層を基板と合金層の間に、基板保護層を基
板と合金層の間（磁化反転補助層が形成されている場合
は外装と基板と間）に、表面保護層を最上層に設けても
よい。また、本発明の第２の情報記録媒体は、第１の情
報記録媒体と同様、磁気記録媒体として使用でき、更に
光磁気記録媒体としても使用することができる。

【００３５】本発明の第１及び第２の情報記録媒体を磁
気記録媒体として使用する場合、この媒体に情報を記録
及び再生する記録再生装置としては、特に限定されず、
公知の装置をいずれも使用することができる。例えば、
情報再生装置は、少なくとも磁気ヘッドを備えたスライ
ダを有している。磁気ヘッドは情報記録媒体へ情報を記
録及び／又は再生するものである。ここで、磁気ヘッド
は、記録ヘッドと磁気再生ヘッドのように記録と再生の
ヘッドを別々に備えていてもよい。なお、記録ヘッドに
高速転送磁界反転が可能な、磁気ディスク用薄膜コイル
を用いることで、転送レートを劣化させることなく、高
密度記録が可能となる。

【００３６】また、本発明の第１及び第２の情報記録媒
体を光磁気記録媒体として使用する場合、この媒体に情
報を記録及び再生する記録再生装置は、例えば磁気ヘッ
ドを備えたスライダ、光照射手段を有している。ここ
で、光照射手段は、情報記録媒体に光を照射することに
より、照射部の温度を上昇させ、それにより情報の記録
及び再生を容易にすると共に、記録マークを更に微小に
する役割を果たす。照射される光は、例えば、レーザか
ら生じる光を使用することが好ましい。

【００３７】上記光照射手段を有する記録再生装置の構
成の一例を図２に示す。なお、以下では、光照射手段を
レーザー光照射手段として説明するが、本発明では、レ
ーザー光に限定されず、種々の光を使用することができ
る。図中、Ａは情報記録媒体、４はレーザー光照射手
段、６はスライダを含む磁気ヘッド部である。

【００３８】レーザー光照射手段４は、光がレーザー光
の場合、レーザー光を出射するレーザ４１、レーザー光
を平行光にするコリメータレンズ４２、レーザー光を透
過又は反射するスプリッタ４３、対物レンズ４４が情報
記録媒体Ａに向かって順に配置されている。更に、スプ
リッタ４３の反射側には、レーザー光の偏向面を回転さ
せる１／２波長板４５、レーザー光を水平成分と垂直成
分に分離する偏光ビームスプリッタ４６がこの順に配置
されている。スプリッタ４３の出力側には、水平成分と
垂直成分の出力光をそれぞれ集光する集光レンズ４７と
４９が配置され、それらの出力側には光検出器４８と５
０がそれぞれ配置されている。光検出器４８と５０に
は、これらから得られる検出信号の差を求めてこれを増
幅する増幅器５１が接続されており、増幅器５１からの
信号はスイッチ部の切換え端子６５に出力されるように
なっている。

【００３９】磁気ヘッド部６は、磁気ヘッドを備えたス
ライダ６１で検出された、磁化方向に対応する電気信号
が入力され、増幅される増幅回路６２、増幅された信号
が入力され波形整形するための積分回路６３を備えてい
る。積分回路６３からの信号は切換え端子６６へ出力さ
れる。切換え端子６５と６６に出力された信号のいずれ
かは、スイッチ部の共通端子６７の切換えにより復調回
路６４へ入力され、復調されて信号として出力される。

【００４０】図２の記録再生装置によれば、レーザー光
照射手段４から情報記録媒体Ａにレーザー光を照射する
ことにより照射部の温度を昇温して情報を記録及び／又
は再生しやすい状態にし、昇温した領域に磁気ヘッドで
情報を記録及び／又は再生することができる。この情報
の記録及び／又は再生の概念図を図３に示す。図３中、
１１は昇温領域、１２は磁気ヘッド、１３はトラックピ
ッチを意味する。具体的には、記録時にレーザー光を照
射することによって情報記録膜の保磁力が小さくなり、
記録用電流を小さくすることができる。更には、室温で
保磁力の大きな媒体に記録することが可能となる。一
方、再生時にレーザー光を照射することによって情報記
録膜の磁化の値が大きくなり、再生信号を大きくするこ
とができる。

【００４１】更に、本発明では、光磁気記録媒体に情報
を記録及び／又は再生するために使用される情報記録再
生用スライダであって、スライダが一体化されたレーザ
ー光照射手段、記録ヘッド及び磁気再生ヘッドを備え、
レーザー光照射手段が、情報の記録及び再生方向に対し
て、記録ヘッド及び磁気再生ヘッドより前にレーザー光
照射手段が位置する情報記録再生用スライダも提供され
る。

【００４２】上記スライダは、例えば図４に示すような
構成を有している。図４中、２１はスライダ、２２はス
ライダ支持手段（例えば、バネ）、２３はレーザー光照
射手段（例えば、光ファイバー）である。更に、スライ
ダの要部断面図を図５及び６に示す。図５及び６中、３
１は記録ヘッド、３２は磁気再生ヘッド、３３はレーザ
ー光照射手段である。図５と６は、レーザー光照射手
段、記録ヘッド及び磁気再生ヘッドが一体化されてお
り、情報の記録及び再生方向（図の矢印方向）に対し
て、記録ヘッド及び磁気再生ヘッドより前にレーザー光
照射手段が位置している。これは、昇温された温度分布
は後ろに流れるため、記録ヘッド及び磁気再生ヘッドを
レーザー光照射手段より後側に配置することにより効率
よく情報の記録及び／又は再生を行うことができるから
である。また、一体化されているため、レーザー光照射
手段が分離されている従来の装置と比べて、高速シーク
が可能である。図５と６は、記録ヘッドと磁気再生ヘッ
ドの配置が異なっている。また、レーザー光による昇温
から記録ヘッドと磁気再生ヘッドの劣下を防ぐために、
放熱層をスライダの下面（媒体側）に設けてもよい。放
熱層はアルミニウムや銅等の熱伝導がよいものを使用す
ることが好ましい。

【００４３】なお、上記記録再生装置は、レーザー光照
射手段として、例えばＡｌＴｉＣ基板上にＬｉＮｂＯ₃
をコアとし、ＳｉＯ₂系ガラスをクラッドとする光導波
路を形成し、その上に公知の手段で記録ヘッド及び磁気
再生ヘッドを形成することにより作製することができ
る。

【００４４】

【実施例】次に本発明の具体的形態を実施例により説明
するが、これらの実施例により本発明は何ら制限を受け
るものでない。（実施例１）Ｒａ＜０．０５ｎｍのガラス基板（以下、
スーパーフラット基板と称する）上に、膜厚を０〜１．
５ｎｍの間で変動させたＮｉ₃Ｐからなる下地層、２ｎ
ｍのＳｉＮｘからなる基板保護層、５０ｎｍのアモルフ
ァス合金のＴｂ₁₅Ｆｅ₈₅からなる情報記録膜（磁性
膜）、３ｎｍのＳｉＮｘからなる表面保護層及び記録・
再生ヘッドの滑り性を向上させるための３ｎｍのＣ（カ
ーボン）層をこの順でスパッタ法により積層して情報記
録媒体を形成した。具体的には、以下の如き条件で各層
を形成した。

【００４５】磁性膜−スパッタガス：Ａｒスパッタガス圧：０．５Ｐａ投入電力：１ＫＷ下地層−スパッタガス：Ａｒスパッタガス圧：２Ｐａ投入電力：１ＫＷ基板保護層及び表面保護層−スパッタガス：Ａｒ及びＮ₂ （ガス混合比Ａｒ／Ｎ₂＝７／３）スパッタガス圧：０．３Ｐａ投入電力：０．８ＫＷ C層−スパッタガス：Ａｒスパッタガス圧：０．５Ｐａ投入電力：０．９ＫＷ得られた情報記録媒体の磁性膜は垂直磁化を示し、保磁
力は約1kOeであった。

【００４６】この情報記録媒体を、回転数：４５００ｒｐｍ磁気ヘッド：ライト幅−２．０μｍ、再生幅−１．５μ
m、再生−MRヘッド浮上量−３０ｎｍの条件で、２００ｋｆｃｉ（マーク長：０．１２７μm
に相当）を記録した時のＳＮＲと、７０ｋｆｃｉ（マー
ク長：０．３６μmに相当）を記録した後、４００ｋｆ
ｃｉ（０．０６４μmに相当）でオーバーライトした際
の７０ｋｆｃｉに相当する周波数の消し残り成分の特性
（O/W特性）を測定した。また、下地層上のＲａも測定
した。結果を以下に記載する。

【００４７】下地層の膜厚(nm) 0, 8 , 10, 20, 30, 40, 50, 60, 75, 80 Ra(nm) 0.05,0.10,0.15,0.23,0.55,0.73,0.90,1.20,1.50,1.70 SNR(dB) 11.5,14.2,15.8,18.9,21.2,22.0,22.2,18.9,16.2,12.8 O/W(dB) -10, -26, -38, -42, -42, -43, -43, -42, -35, -12

【００４８】まず、下地層を形成しない場合、磁気ヘッ
ドに６０ｍＡの電流を流して約３ＫＯｅの磁界を印加し
たが、磁性膜に正確な1μmのマークを記録することはで
きなかった。これは、磁性体内部での交換結合力が大き
いため、磁化が一方向に向きやすいためと思われる。従
って、Ｒａが小さい場合、磁性膜に磁気ヘッドで正確に
マークを形成することは難しいことが分かった。これに
対して、下地層のＲａを大きくするとＳＮＲ及びＯ／Ｗ
特性を向上させることが可能であった。特に、Ｒａが
０．１〜１．５ｎｍの範囲でＳＮＲ及びＯ／Ｗ特性の向
上が顕著であった。

【００４９】ＳＮＲ及びＯ／Ｗ特性が向上する理由は、
希土類遷移金属アモルファス層からなる磁性膜に記録さ
れた情報を磁気的に再生する方式において、磁性膜を形
成する下地に適度の凹凸を形成すれば、磁性体内の交換
結合力が、情報を正確に記録／再生しうる程度に低下す
るためであると考えられる。

【００５０】（実施例２）実施例１では、下地層のＲａ
に対するＳＮＲ及びＯ／Ｗ特性について調べたが、ここ
では、ガラス基板へ直接凹凸を形成し、ＳＮＲ及びＯ／
Ｗ特性を調べた。実施例１で用いたスーパーフラット基
板を塩酸に浸したのち、メカノケミカルポリッシングを
施すことによって、基板上に種々のＲａを形成すること
以外は、実施例１と同様にして情報記録媒体を形成し
た。実施例１と同様にして、Ｒａに対するＳＮＲ及びＯ
／Ｗ特性を測定した。結果を以下に記載する。 Ra(nm) 0.05,0.15,0.23,0.55,0.73,0.90 SNR(dB) 11.5,15.4,17.9,21.7,22.5,22.1 O/W(dB) -10, -23, -39, -41, -43, -42 上記結果から、基板に凹凸を形成することで、実施例１
と同様の結果を得ることができた。

【００５１】（実施例３）現在、磁気記録媒体には、磁
性膜としてＣｏＣｒＰｔＴａ系（例えば、Ｃｏ₇₇Ｃｒ₁₅
Ｐｔ₆Ｔａ₂）の結晶性の磁性体が多用されている。この
内、Ｃｒは磁性粒子を孤立化（磁性結晶粒を物理的に引
き離す）を促進するために用いられている。希土類遷移
金属アモルファス合金においても、磁性膜の化学的な安
定性を向上させるためにＣｒを添加することが試みられ
たことがある。この場合、Ｃｒは磁性体に均一に分散さ
れること、さらには膜構造がアモルファスであることか
ら結晶性の磁気記録媒体におけるＣｒのような働きは一
般にはしないと考えられてきた。そこで、実施例３では
下地層に適当な凹凸がついた下地に対してＴｂＦｅにＣ
ｒを添加した場合の記録再生特性を調べた。

【００５２】具体的には、磁性膜に（Ｔｂ₁₅Ｆｅ₈₅）
_100-xＣｒ_xを使用し、下地層に３０ｎｍのＮｉＰ（Ｒａ
０．５５）を使用すること以外は、実施例１と同様にし
て情報記録媒体を形成し、ｘに対するＳＮＲの変化を測
定した。ＳＮＲは実施例１と同様にして測定した。結果
を以下に記載する。 Cr量(atom%) 0, 3, 7, 9, 12 SNR 21.2,22.0,22.5, 23.1,23.2 上記結果から、アモルファス合金にＣｒのような非磁性
元素を添加するとＳＮＲを更に向上させることができる
ことが分かった。

【００５３】（実施例４）上記実施例では、ＴｂＦｅを
主成分とする希土類遷移金属のアモルファス合金につい
て検討を行ったが、実施例４では、異なる合金について
検討を行った。具体的には、磁性膜にＴｂ₁₅Ｆｅ_85-xＣ
ｏ_xを使用すること以外は、実施例３と同様にして情報
記録媒体を形成し、ｘに対するＳＮＲの変化を測定し
た。ＳＮＲは実施例１と同様にして測定した。結果を以
下に記載する。 Co量(atom%) 0, 10, 20, 30, 35 SNR 21.2,22.0,23.0,24.2,24.5 上記結果から、アモルファス合金にＣｏを添加するとＳ
ＮＲを更に向上させることができることが分かった。こ
れは磁性膜の飽和磁化の値が大きくなることで、再生信
号が増大するためであると考えられる。

【００５４】（実施例５）更に異なる合金膜であるＲＥ
リッチのＤｙＦｅＣｏについて検討行った。なお、Ｄｙ
ＦｅＣｏはＴｂＦｅより垂直磁気異方性は小さいが、飽
和磁化の値が大きいことからより大きな信号を得られる
可能性がある。さらに、ＲＥリッチにすることによっ
て、環境温度が上昇した場合でも保磁力が増大するの
で、対温度対策には優れていると考えられる。

【００５５】具体的には、磁性膜にＲＥリッチのＤｙ₂₅
Ｆｅ₄₅Ｃｏ₃₀を使用すること以外は、実施例３と同様に
して情報記録媒体を形成した。この磁性膜の保磁力は約
２ＫＯｅであり、保磁力が無限大になる補償温度は約１
３０℃である。また、２００ＫｆｃｉにおけるＳＮＲは
２４．５ｄＢであった。この結果は、実施例４のＴｂ ₁₅
Ｆｅ₅₅Ｃｏ₃₀と同程度であった。

【００５６】次に、Ｄｙ₂₅Ｆｅ₄₅Ｃｏ₃₀とＴｂ₁₅Ｆｅ₅₅
Ｃｏ₃₀の温度上昇に対するＳＮＲの変化を測定した。具
体的には、実施例１と同様にして情報を記録し、所定温
度に情報記録媒体を加熱し、室温に戻した時のＳＮＲを
測定した。結果を以下に記載する。加熱温度(℃) 20, 40, 50, 60, 70, 80 Ｔｂ₁₅Ｆｅ₅₅Ｃｏ₃₀ 24.2, 24.2, 24.0, 23.5, 23.2, 22.9 Ｄｙ₂₅Ｆｅ₄₅Ｃｏ₃₀ 24.5, 24.5, 24.4, 24.4, 24.4, 24.4 以上の結果より、ＲＥリッチな磁化膜は温度上昇に対し
て非常に有効であることが分かった。

【００５７】（実施例６）実施例６では、磁気特性の異
なる磁性膜を交換結合させた場合の記録再生特性を調べ
た。具体的には、下地層側から１５ｎｍのＴｂＦｅと３
５ｎｍのＴｂＦｅＣｏの積層体からなる磁性膜を使用す
ること以外は、実施例３と同様にして情報記録媒体を形
成した。なお、ＴｂＦｅはほぼ補償組成を有し、磁化は
小さいが保磁力が大きいＴｂ₂₂Ｆｅ₇₈とし、ＴｂＦｅＣ
ｏは保磁力は小さいが飽和磁化の値が大きくなるよう
に、Ｔｂ₁₂Ｆｅ₅₀Ｃｏ₃₈とした（前者は記録層とし
て、後者は再生層としての役割を主に果たす）。

【００５８】得られた情報記録媒体のＳＮＲを実施例１
と同様にして測定したところ、２４．６であり、実施例
４のＴｂＦｅＣｏ単層膜に比べて良好であった。更に、
下地層側からＴｂ₂₄Ｆｅ₇₆とＤｙ₂₂Ｆｅ₄₅Ｃｏ₃₃の積層
体を交換結合させること以外は、上記と同様にして形成
した情報記録媒体のＳＮＲは２５．１ｄＢであり、上記
ＴｂＦｅとＴｂＦｅＣｏの積層体の場合と同じく、実施
例５のＤｙ₂₅Ｆｅ₄₅Ｃｏ₃₀単相膜に比べて良好であっ
た。以上から、磁気記録媒体でも希土類遷移金属アモル
ファス合金を交換結合させることによって、単層膜では
得られないＳＮＲ特性が得られることが分かった。

【００５９】（実施例７）実施例７では、垂直磁化膜と
面内磁化膜を交換結合させた場合の記録再生特性を調べ
た。具体的には、下地層側から１５ｎｍのＧｄＦｅＣｏ
（面内磁化膜）と３５ｎｍのＤｙＦｅＣｏ（垂直磁化
膜）の積層体を交換結合させること以外は、実施例３と
同様にして情報記録媒体を形成した。なお、ＧｄＦｅＣ
ｏには、ＲＥリッチで、膜面に対して垂直方向に磁界を
印加した場合、約３ｋＯｅで磁化が飽和し、保磁力がほ
とんどないＧｄ₃₅Ｆｅ₅₀Ｃｏ₁₅を用いた。また、ＤｙＦ
ｅＣｏには、Ｄｙ₂₅Ｆｅ₄₅Ｃｏ₃₀を使用した。得られた
情報記録媒体に２００Ｋｆｃｉの情報を、３０ｍＡの記
録電流で記録した場合、２５．５ｄＢの十分高いＳＮＲ
を得ることができた。

【００６０】一方、面内磁化膜を形成しないこと（即
ち、磁性膜がＤｙＦｅＣｏのみかなること）以外は、上
記と同様にして形成した情報記録媒体は、２００Ｋｆｃ
ｉの情報を記録する際に、２５ｄＢ程度のＳＮＲを得る
のに必要な記録電流は５０ｍＡであった。上記から、面
内磁化膜を磁化反転補助層として付加することによって
磁化反転が助けられ、記録磁界感度が改善されることが
分かった。

【００６１】（実施例８）実施例６と７の構成を組み合
わせた情報記録媒体、即ち、保磁力が大きく飽和磁化の
小さい層と、保磁力が小さいが飽和磁化が大きい層と、
磁化反転補助層（再生層／記録層／磁化反転補助層）か
らなる磁性膜を作成した。具体的には、下地層側から１
０ｎｍのＧｄ₃₅Ｆｅ₅₀Ｃｏ₁₅、１０ｎｍのＴｂ₂₄Ｆｅ₇₆
及び３５ｎｍのＤｙ₂₂Ｆｅ₄₅Ｃｏ₃₃の積層体を磁性膜と
して使用すること以外は、実施例３と同様にして情報記
録媒体を形成した。この情報記録媒体は、３０ｍＡの電
流で、２００Ｋｆｃｉの信号に対して、２５．７ｄＢの
ＳＮＲを得ることができた。この結果により、再生層／
記録層／磁化反転補助層という構成は、ＳＮＲを更に向
上させることが分かった。

【００６２】（実施例９）これまでは、同一条件で磁性
膜を形成してきたが、磁性膜のスパッタ条件によって、
下地層の凹凸の大きさ（つまりＲａ）が若干変わること
がある。実施例９では、磁性膜形成の条件の内、スパッ
タガス圧を変更して情報記録媒体を形成した。具体的に
は、スパッタガス圧を１．０Ｐａにすること以外は実施
例１と同様にして、情報記録媒体を作成した。得られた
情報記録媒体のＳＮＲを実施例１と同様にして測定し
た。結果を実施例１の結果と合わせて以下に示す。下地層の膜厚(nm) 0, 10, 20, 30, 40, 50 SNR(dB) 11.5, 15.8, 18.9, 21.2, 22.0, 22.2（0.5Paの場合） SNR(dB) 11.5, 17.5, 19.2, 22.2, 23.0, 23.2（1.0Paの場合）つまり、記録特性は、磁性膜の下地のＲａに対して一意
的にきまるものではないが、ＳＮＲを改善する上では、
下地層の凹凸が誘発する磁性膜の内部の膜構造が非常に
重要であることが分かった。

【００６３】（実施例１０）実施例１０では、下地層の
凹凸周期に対するＳＮＲを調べた。具体的には、下地層
（ＮｉＰ層）の形成時の投入電力を変えることによって
凹凸のＲａをほぼ一定にして、凹凸の周期を変更するこ
と以外は、実施例１と同様にして情報記録媒体を形成し
た。得られた情報記録媒体のＳＮＲを実施例１と同様に
して測定した。結果を以下に示す。投入電力（ＫＷ）：0.4, 0.7, 1, 1.4, 2.1,2.9 凹凸周期（ｎｍ）：6, 10, 20, 30, 40, 50 SNR（ｄＢ）：12.0,16.3,18.9,19.2,17.5,12.4 以上のことから、下地層上の凹凸の周期を増減させるこ
とにより、その上に形成される磁性膜のコラム構造の周
期も増減するが、情報の記録には１０〜４０ｎｍの周期
が適することが分かった。

【００６４】（実施例１１）実施例１〜１０では、室温
で再生したが、昇温することによって磁化膜の磁化を大
きくすることが可能な場合がある。特に、希土類遷移金
属アモルファス合金の場合、温度に対する磁気特性を巧
妙に変化させることが可能である。そこで、実施例１１
では、実施例７で用いた交換結合したＴｂ₂₄Ｆｅ₇₆／Ｄ
ｙ ₂₂Ｆｅ₄₅Ｃｏ₃₃からなる磁性膜に、温度変化を外部か
ら与えることによって、Ｔｂ₂₄Ｆｅ₇₆の磁化を大きくし
て、結果的に大きな再生信号をえる再生を行った。

【００６５】この実施例では図２に示す記録再生装置を
使用した。図２では、再生時の温度上昇の手段として、
ほとんど絞ることのない照射直径約１５μｍのレーザー
光を用い、レーザー光が照射された領域では温度が全体
として上昇する。レーザー光のパワーを変化させたとこ
ろ、パワー変化に対して次のようなＳＮＲの変化が認め
られた。これは、２００Ｋｆｃｉの情報を記録した場合
の値である。照射パワー（ｍＷ） 0, 5, 10, 15, 20 SNR（ｄＢ） 25.1,25.5, 26.1, 26.6, 25.5 以上から、磁性膜を加熱することによりＳＮＲを更に向
上させることができた。なお、２０ｍＷでＳＮＲが低下
しているのは、記録された信号が消え始めたからであ
る。

【００６６】（実施例１２）実施例１１では記録ヘッド
及び再生ヘッドと、レーザー光照射手段が別の構成から
なる記録再生装置を使用したが、実施例１２では、記録
ヘッド、再生ヘッド及びレーザー光照射手段を一体で備
えた記録再生装置を使用した。より具体的には、レーザ
ー光照射手段は、レーザー光発生装置と光導波路からな
り、記録及び再生方向に対して、記録ヘッド及び再生ヘ
ッドより前に位置している。このような記録再生装置
は、レーザー光出射位置、記録ヘッド及び再生ヘッドの
位置が相対的に変化しない。

【００６７】上記記録再生装置と実施例１１の情報記録
媒体を用いて、情報の再生を行った。照射パワー（ｍＷ） 0, 2, 4, 7, 10 SNR（ｄＢ） 25.1,25.5,26.1,26.6,25.5 実施例１１とほぼ同様なSNRが得られているが、この実
施例ではレーザー光が絞り込まれているため照射パワー
を相対的に低くすることができた。なお、レーザー光の
照射直径は０．５μｍとした。

【００６８】（実施例１３）まず、基板上に、厚さ２０
ｎｍのＳｉＮ膜、Ｔｂ₁₆Ｆｅ₈₄からなる磁性膜（ＴＭリ
ッチ）又はＴｂ₂₈Ｆｅ₇₂からなる磁性膜（ＲＥリッ
チ）、厚さ２０ｎｍのＳｉＮ膜を順に作製することによ
り２種類の情報記録媒体を得、それぞれの磁気特性を調
べた。なお、磁性膜は、公知のマグネトロンスパッタ装
置を用いて、各組成を有するターゲットをスパッタガス
（Ａｒ）圧：０．５Ｐａ、スパッタレート３０ｎｍ／ｍ
という条件で作製した。磁性膜がＴｂ₁₆Ｆｅ₈₄からなる
場合、室温での保磁力は３ｋＯｅであり、６５℃での保
磁力は２ｋＯｅであり、飽和磁化は２００ｅｍｕ／ｃｃ
であった。磁性膜がＴｂ₂₈Ｆｅ₇₂からなる場合、室温で
の保磁力は３ｋＯｅであり、６５℃での保磁力は４ｋＯ
ｅであり、飽和磁化は１５０ｅｍｕ／ｃｃであった。

【００６９】次に、図８に示すように、上記２種の磁性
膜を連続して積層した。具体的には、基板１上に、２０
ｎｍのＳｉＮ膜、１０ｎｍのＮｉＰ膜、２ｎｍのＣ膜か
らなる下地層２をこの順で形成した。更に、Ｃ膜上に、
１２ｎｍのＴｂ₂₈Ｆｅ₇₂からなる磁性膜７、３２ｎｍの
Ｔｂ₁₆Ｆｅ₈₄からなる磁性膜８を連続して形成した。こ
の後、７ｎｍのＳｉＮからなる保護層９、３ｎｍのＣか
らなる固体潤滑層（図示せず）をこの順で形成すること
により、両磁性膜が交換結合した情報記録媒体を得た得られた情報記録媒体の室温での保磁力は約２．７ｋＯ
ｅであり、ｔＢｒは５８Ｇａｕｓｓμｍであり、６５℃
での保磁力は４ｋＯｅであり、ｔＢｒは６０Ｇａｕｓｓ
μｍであった。

【００７０】上記情報記録媒体を実際の磁気ディスクド
ライブで以下のように記録再生することにより評価し
た。約２５℃に保った恒温恒湿槽に磁気ディスクドライ
ブを設置して、マージ型ＧＭＲで記録再生したところ、
記録電流Ｉｗを約１５ｍＡにすることで信号振幅は飽和
し、Ｏ／Ｗ（２０Ｋｆｃｉの上に２４０Ｋｆｃｉを記
録）特性も−４０ｄＢという良好な値を示した。また、
２４０ＫｆｃｉにおけるＳＮＲも２１ｄＢという値を示
した。

【００７１】恒温恒湿槽を６５℃に保った場合も同一の
マージ型ＧＭＲで記録再生したところ、Ｉｗを約１７ｍ
Ａにすることで信号振幅は飽和し、Ｏ／Ｗ特性も−３８
ｄＢという良好な値を示した。また、２４０Ｋｆｃｉに
おけるＳＮＲも２１．３ｄＢという値を示した。更に、
室温及び６５℃で記録した信号は２時間後も何ら変化す
ることなく、記録直後のＳＮＲを保つことが可能であっ
た。

【００７２】（実施例１４）ＴＭリッチ膜としてＴｂＦ
ｅＣｏ膜を用いて、ＲＥリッチ膜としてＤｙＦｅＣｏ膜
を用いた。具体的には、Ｔｂ₁₅Ｆｅ₇₅Ｃｏ₁₀膜（Ｈｃ＝
２．７ｋＯｅ、Ｍｓ＝２００ｅｍｕ／ｃｃ、膜厚４０ｎ
ｍ）とＤｙ₂₉Ｆｅ₆₁Ｃｏ₁₀膜（Ｈｃ＝２．５ｋＯｅ、Ｍ
ｓ＝１３０ｅｍｕ／ｃｃ、膜厚１０ｎｍ）を用いること
以外は、実施例１３と同様にして情報記録媒体を得た。
この情報記録媒体の室温での保磁力は約３．１ｋＯｅで
あり、ｔＢｒは８４Ｇａｕｓｓμｍであった。また、４
０℃での保磁力は３．２ｋＯｅであり、６５℃での保磁
力は４ｋＯｅであった。

【００７３】従って、この媒体に磁気記録するために
は、室温でも６５℃でも３．４ｋＯｅ程度の磁界があれ
ば十分であり、記録された情報も消滅することはなかっ
た。更に、実施例１３と同様の磁気ディスクドライブで
記録特性とデータの安定性を調べたところ、Ｏ／Ｗは−
３８ｄＢで良好であり、２４０Ｋｆｃｉで２２ｄＢのＳ
ＮＲが得られた。更には、記録後から２時間経過した時
のＳＮＲは２２ｄＢであり、信号は劣化しなかった。

【００７４】（実施例１５）ＴＭリッチ膜としてＤｙ₂₀
Ｆｅ₅₀Ｃｏ₃₀膜（膜厚２０ｎｍ）を用いて、ＲＥリッチ
膜としてＴｂ₂₈Ｆｅ₆₀Ｃｏ₁₂膜（膜厚４０ｎｍ）とを用
いること以外は、実施例１３と同様にして情報記録媒体
を得た。この情報記録媒体の室温での保磁力は約２．７
ｋＯｅであり、ｔＢｒは７２Ｇａｕｓｓμｍであった。
また、４０℃での保磁力は２．９ｋＯｅであり、６５℃
での保磁力は３．１ｋＯｅであった。更には、記録後か
ら２時間経過した時のＳＮＲは２０．８ｄＢであり、信
号はわずかしか劣化しなかった。

【００７５】（実施例１６）下地層としてのＮｉＰ膜の
凹凸の周期を以下のように変えること以外は実施例１３
と同様にして情報記録媒体を得た。凹凸の周期は、スパ
ッタ投入電力を変えることにより調整した。また、磁性
膜のｔＢｒは実施例１３と同じ５８Ｇａｕｓｓμｍとし
た。得られた情報記録媒体の２４０ＫｆｃｉにおけるＳ
ＮＲを測定した。結果を以下に示す。投入電力(kW)： 0.4, 0.7, 1.0, 1.4, 2.1, 2.9 凹凸周期(nm)： 6, 10, 20, 30, 40, 50 SNR(dB) ：15.0, 19.4, 21.0, 21.3, 21.2, 15.4 凹凸の周期が１０〜４０ｎｍ程度の場合、更に好ましい
ＳＮＲが得られることがわかった。

【００７６】（実施例１７）下地層としてのＮｉＰ膜の
凹凸のＲａを以下のように変えること以外は実施例１３
と同様にして情報記録媒体を得た。凹凸のＲａは、Ｎｉ
Ｐの膜厚を変えることにより調整した。また、磁性膜の
ｔＢｒは実施例１３と同じ５８Ｇａｕｓｓμｍとした。
得られた情報記録媒体の２４０ＫｆｃｉにおけるＳＮＲ
及びＯ／Ｗを測定した。結果を以下に示す。 NiPの膜厚(nm)： 0, 8, 10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80 Ra(nm) ：0.05,0.10,0.15,0.23,0.55,0.73,0.90,1.20,1.50,1.70 SNR(dB) ：14.5,19.2,21.0,21.3,21.2,22.0,21.5,19.0,18.3,12.8 O/W(dB) :-10, -32, -40, -41 -41, -40, -43, -42, -35, -12 Ｒａが０．１〜１．５ｎｍ程度の場合、更に好ましいＳ
ＮＲが得られることがわかった。

【００７７】（実施例１８）ＴｂＦｅＣｏ膜とＤｙＦｅ
Ｃｏ膜の膜厚を以下のように変化させること以外は実施
例１４と同様にして情報記録媒体を得た。得られた情報
記録媒体のＳＮＲ及びｔＢｒを測定した。結果を以下に
示す。 TbFeCo(nm) : 90, 80, 60, 50, 40, 30, 29, 27, 25, 20, 20, 20 DyFeCo(nm) : 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 10, 25, 27 tBr(Gaussμm):210,184,134,109, 59, 57, 56, 52, 46, 33, 27, 6 SNR(dB) : 19, 21, 22, 23, 22, 22, 21, 16, 14, 10, 5, 1 ｔＢｒが５５Ｇａｕｓｓμｍ以上の場合、好ましいＳＮ
Ｒが得られることがわかった。更に、５７〜１３４Ｇａ
ｕｓｓμｍの範囲がより好ましいことがわかった。

【００７８】

【発明の効果】本発明の情報記録媒体は、微小記録マー
クを安定して超高密度で記録することができ、記録され
た情報を既存の磁気再生ヘッドを使用して再生すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の情報記録媒体の概略断面図である。

【図２】記録再生装置の概略構成図である。

【図３】情報の記録及び／又は再生の概念を示す平面図
である。

【図４】本発明の情報記録再生用スライダの概略構成図
である。

【図５】本発明のスライダの要部を拡大した概略断面図
である。

【図６】本発明のスライダの要部を拡大した概略断面図
である。

【図７】ＴｂＦｅのＴｂ量に対する磁化の変化を示すグ
ラフである。

【図８】本発明の実施例１３の情報記録媒体の概略断面
図である。

【符号の説明】

１基板２下地層３情報記録膜４、２３、３３レーザー光照射手段６磁気ヘッド部７、８磁性膜９保護層１１昇温領域１２磁気ヘッド１３トラックピッチ２１、６１スライダ２２スライダ支持手段３１記録ヘッド３２磁気再生ヘッド４１レーザ４２コリメータレンズ４３スプリッタ４４対物レンズ４５１／２波長板４５４６偏向ビームスプリッタ４７、４９集光レンズ４８、５０光検出器５１増幅器６２増幅回路６３積分回路６４復調回路６５、６６切換え端子６７共通端子Ａ情報記録媒体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｒａが０．１〜１．５ｎｍの凹凸を有す
る基体上に、記録された情報を磁気的に再生しうる希土
類遷移金属のアモルファス合金を主成分とする情報記録
膜を備えてなる情報記録媒体。
【請求項２】周期が１０〜４０ｎｍの凹凸を有する基
体上に、記録された情報を磁気的に再生しうる希土類遷
移金属のアモルファス合金を主成分とする情報記録膜を
備えてなる情報記録媒体。
【請求項３】記録された情報を磁気的に再生しうる交
換結合多層膜からなる情報記録膜を備え、交換結合多層
膜が、室温から６５℃付近までの温度領域において保磁
力が実質的に変化せず、５５Gaussμｍ以上の残留磁束
密度×膜厚積を有し、遷移金属リッチの希土類遷移金属
アモルファス合金層と希土類リッチの希土類遷移金属ア
モルファス合金層とを少なくとも含む情報記録媒体。
【請求項４】交換結合多層膜が、Ｒａが０．１〜１．
５ｎｍの凹凸、周期が１０〜４０ｎｍの凹凸又は前記２
つの条件を満たす凹凸を有する基体上に形成されている
請求項３に記載の情報記録媒体。
【請求項５】遷移金属リッチの希土類遷移金属アモル
ファス合金層と希土類リッチの希土類遷移金属アモルフ
ァス合金層が、少なくともＴｂ又はＤｙを含む請求項３
又は４に記載の情報記録媒体。
【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の情報記
録媒体に情報の記録及び再生する際に使用される情報記
録再生用スライダであって、スライダが一体化された光
照射手段、記録ヘッド及び磁気再生ヘッドを備え、光照
射手段が、情報の記録及び再生方向に対して、記録ヘッ
ド及び磁気再生ヘッドより前に光照射手段が位置するこ
とを特徴とする情報記録再生用スライダ。