JP2000312016A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極の半田濡れ性が悪く、モジュール工程に
おいて太陽電池セル同士を配線するための銅箔等からな
る配線材を半田付けする際の歩留りが低下するという問
題があった。 【解決手段】 一導電型を呈する半導体基板の一主面
側に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、この半
導体基板の一主面側と他の主面側に電極材料を焼き付け
た後、一主面側に反射防止膜を成膜する太陽電池の製造
方法において、前記電極材料を焼き付けて反射防止膜を
成膜した後、前記電極材料上の前記反射防止膜を除去す
る。
おいて太陽電池セル同士を配線するための銅箔等からな
る配線材を半田付けする際の歩留りが低下するという問
題があった。 【解決手段】 一導電型を呈する半導体基板の一主面
側に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、この半
導体基板の一主面側と他の主面側に電極材料を焼き付け
た後、一主面側に反射防止膜を成膜する太陽電池の製造
方法において、前記電極材料を焼き付けて反射防止膜を
成膜した後、前記電極材料上の前記反射防止膜を除去す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池の製造方法
に関し、特に太陽電池の電極の半田濡れ性を向上させた
太陽電池の製造方法に関する。
に関し、特に太陽電池の電極の半田濡れ性を向上させた
太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン基板を用いた太陽電池を作製す
る場合、太陽電池の表面には、発生した電荷を集めるフ
ィンガー電極（枝電極）とバスバー電極（集電極）を形
成する。このバスバー電極には、モジュール工程におい
て太陽電池セル同士を配線するための銅箔等からなる配
線材を半田付けする必要がある。
る場合、太陽電池の表面には、発生した電荷を集めるフ
ィンガー電極（枝電極）とバスバー電極（集電極）を形
成する。このバスバー電極には、モジュール工程におい
て太陽電池セル同士を配線するための銅箔等からなる配
線材を半田付けする必要がある。
【０００３】太陽電池を製造するためのプロセスとして
は、例えば図２に示すように、反射防止膜２を成膜した
後、反射防止膜２の電極３を形成する部分を耐酸レジス
トなどでパターン形成してエッチング除去し、その部分
のシリコン面を露出させて電極３を形成する。電極３を
形成した後、半田ディッピング法などで電極３の全面に
半田５をコーティングする。
は、例えば図２に示すように、反射防止膜２を成膜した
後、反射防止膜２の電極３を形成する部分を耐酸レジス
トなどでパターン形成してエッチング除去し、その部分
のシリコン面を露出させて電極３を形成する。電極３を
形成した後、半田ディッピング法などで電極３の全面に
半田５をコーティングする。
【０００４】また、例えば図３に示すように、反射防止
膜２を成膜する前に電極３を形成して、半田５をコート
した後に半田５が溶融しない温度以下で反射防止膜２を
成膜する。
膜２を成膜する前に電極３を形成して、半田５をコート
した後に半田５が溶融しない温度以下で反射防止膜２を
成膜する。
【０００５】また、例えば図４に示すように、反射防止
膜２を成膜した後に、反射防止膜２上に電極３を直接印
刷して焼成し、反射防止膜２を貫通させるいわゆるファ
イヤースルー電極３を形成した後、半田５をコートする
方法などがある。
膜２を成膜した後に、反射防止膜２上に電極３を直接印
刷して焼成し、反射防止膜２を貫通させるいわゆるファ
イヤースルー電極３を形成した後、半田５をコートする
方法などがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図２の方法
では、工程が多いために作業が煩雑となり、例えば反射
防止膜２のパターン抜き部分に銀ペーストをプリントす
る際には、位置合わせが必要となり、この位置ずれなど
は歩留りを低下させる要因になる。また、パターン抜き
工程でも、プリンターや処理ラインなどの高価な設備を
必要とする。反射防止膜２のパターニングの工程が余計
にかかるため、太陽電池のコストが上昇するという問題
があった。
では、工程が多いために作業が煩雑となり、例えば反射
防止膜２のパターン抜き部分に銀ペーストをプリントす
る際には、位置合わせが必要となり、この位置ずれなど
は歩留りを低下させる要因になる。また、パターン抜き
工程でも、プリンターや処理ラインなどの高価な設備を
必要とする。反射防止膜２のパターニングの工程が余計
にかかるため、太陽電池のコストが上昇するという問題
があった。
【０００７】また、図３の方法では、反射防止膜２の成
膜を２００℃以下の温度で行う必要があるため、反射防
止膜２の信頼性に問題がある。また、反射防止膜２を低
温で形成する場合、シリコン基板１の欠陥をプラズマＣ
ＶＤ法によるパッシベーションする効果が特に小さく、
セル特性が低いという問題があった。
膜を２００℃以下の温度で行う必要があるため、反射防
止膜２の信頼性に問題がある。また、反射防止膜２を低
温で形成する場合、シリコン基板１の欠陥をプラズマＣ
ＶＤ法によるパッシベーションする効果が特に小さく、
セル特性が低いという問題があった。
【０００８】また、図４の方法では、電極３の密着強度
が弱く、太陽電池の信頼性が劣り、またシリコン基板１
とのオーミック接触が困難であるという問題があった。
が弱く、太陽電池の信頼性が劣り、またシリコン基板１
とのオーミック接触が困難であるという問題があった。
【０００９】上記方法のうち、低コストな太陽電池を製
造する場合、電極３の密着強度および良好なオーミック
接触を得るために、電極３を形成した後に、反射防止膜
２を成膜する図３の方法が一般に行われていた。
造する場合、電極３の密着強度および良好なオーミック
接触を得るために、電極３を形成した後に、反射防止膜
２を成膜する図３の方法が一般に行われていた。
【００１０】ところが、この方法では、電極３の密着強
度および良好なオーミック接触は得られるものの、電極
３の面にも反射防止膜２が成膜されるため、電極３の半
田濡れ性が悪く、モジュール工程において太陽電池セル
同士を配線するための銅箔等からなる配線材を半田付け
する際の歩留りが極端に低下するという問題があった。
度および良好なオーミック接触は得られるものの、電極
３の面にも反射防止膜２が成膜されるため、電極３の半
田濡れ性が悪く、モジュール工程において太陽電池セル
同士を配線するための銅箔等からなる配線材を半田付け
する際の歩留りが極端に低下するという問題があった。
【００１１】
【発明の目的】本発明はこのような従来の問題点に鑑み
てなされたものであり、電極の半田濡れ性が悪く、モジ
ュール工程において太陽電池セル同士を配線するための
銅箔等からなる配線材を半田付けする際の歩留りが低下
するという従来の問題を解消した太陽電池の製造方法を
提供することを目的とする。
てなされたものであり、電極の半田濡れ性が悪く、モジ
ュール工程において太陽電池セル同士を配線するための
銅箔等からなる配線材を半田付けする際の歩留りが低下
するという従来の問題を解消した太陽電池の製造方法を
提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る太陽電池素子の製造方法によれば、一
導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈
する領域を形成すると共に、この半導体基板の一主面側
と他の主面側に電極材料を焼き付けた後、一主面側に反
射防止膜を成膜する太陽電池の製造方法において、前記
電極材料を焼き付けて反射防止膜を成膜した後、前記電
極材料上の前記反射防止膜を除去することを特徴とする
上記太陽電池の製造方法では、前記電極のうちの集電極
上のみの反射防止膜を除去することが望ましい。
に、本発明に係る太陽電池素子の製造方法によれば、一
導電型を呈する半導体基板の一主面側に他の導電型を呈
する領域を形成すると共に、この半導体基板の一主面側
と他の主面側に電極材料を焼き付けた後、一主面側に反
射防止膜を成膜する太陽電池の製造方法において、前記
電極材料を焼き付けて反射防止膜を成膜した後、前記電
極材料上の前記反射防止膜を除去することを特徴とする
上記太陽電池の製造方法では、前記電極のうちの集電極
上のみの反射防止膜を除去することが望ましい。
【００１３】また、上記太陽電池の製造方法では、前記
反射防止膜にエネルギービームを照射して除去すること
が望ましい。
反射防止膜にエネルギービームを照射して除去すること
が望ましい。
【００１４】さらに、上記太陽電池の製造方法では、前
記反射防止膜を機械研削して除去することが望ましい。
記反射防止膜を機械研削して除去することが望ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は本発明の太陽電池素子の製造方
法を示す断面図である。まず、半導体基板１を用意する
（図１（ａ）参照）。この半導体基板１は、単結晶又は
多結晶シリコンなどから成る。このシリコン基板１は、
ボロン（Ｂ）などの一導電型半導体不純物を１×１０16
〜１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有し、比抵抗１．５
Ωｃｍ程度の基板である。単結晶シリコンの場合は引き
上げ法などによって形成され、多結晶シリコンの場合は
鋳造法などによって形成される。多結晶シリコンは、大
量生産が可能で製造コスト面で単結晶シリコンよりも有
利である。引き上げ法や鋳造法によって形成されたイン
ゴットを３００〜５００μｍ程度の厚みにスライスし
て、１０ｃｍ×１０ｃｍもしくは１５ｃｍ×１５ｃｍ程
度の大きさに切断してシリコン基板とする。
詳細に説明する。図１は本発明の太陽電池素子の製造方
法を示す断面図である。まず、半導体基板１を用意する
（図１（ａ）参照）。この半導体基板１は、単結晶又は
多結晶シリコンなどから成る。このシリコン基板１は、
ボロン（Ｂ）などの一導電型半導体不純物を１×１０16
〜１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有し、比抵抗１．５
Ωｃｍ程度の基板である。単結晶シリコンの場合は引き
上げ法などによって形成され、多結晶シリコンの場合は
鋳造法などによって形成される。多結晶シリコンは、大
量生産が可能で製造コスト面で単結晶シリコンよりも有
利である。引き上げ法や鋳造法によって形成されたイン
ゴットを３００〜５００μｍ程度の厚みにスライスし
て、１０ｃｍ×１０ｃｍもしくは１５ｃｍ×１５ｃｍ程
度の大きさに切断してシリコン基板とする。
【００１６】次に、シリコン基板１を拡散炉中に配置し
て、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3 ）などの中で加熱する
ことによって、ウェハー１の表面部分にリン原子を拡散
させて他の導電型を呈する領域１ａを形成し、半導体接
合を形成する（図１（ｂ））。この他の導電型を呈する
領域１ａは、０．３〜０．５μｍ程度の深さに形成さ
れ、シート抵抗が３０Ω／□以上になるように形成され
る。この熱拡散により、シリコン基板１の外表面全体に
他の導電型を呈する領域とリン原子を含むリンガラス層
（不図示）が形成されるが、シリコン基板１の一主面側
の他の導電型を呈する領域のみを残して他の部分は、弗
酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3 ）を主成分とするエッチン
グ液に浸漬して除去した後、純水で洗浄する。
て、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3 ）などの中で加熱する
ことによって、ウェハー１の表面部分にリン原子を拡散
させて他の導電型を呈する領域１ａを形成し、半導体接
合を形成する（図１（ｂ））。この他の導電型を呈する
領域１ａは、０．３〜０．５μｍ程度の深さに形成さ
れ、シート抵抗が３０Ω／□以上になるように形成され
る。この熱拡散により、シリコン基板１の外表面全体に
他の導電型を呈する領域とリン原子を含むリンガラス層
（不図示）が形成されるが、シリコン基板１の一主面側
の他の導電型を呈する領域のみを残して他の部分は、弗
酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3 ）を主成分とするエッチン
グ液に浸漬して除去した後、純水で洗浄する。
【００１７】次に、裏面電極材料４を塗布して乾燥した
後、表面電極材料３を塗布して乾燥する（図１
（ｃ））。この電極材料３、４は、銀粉末と有機ビヒク
ルにガラスフリットを銀１００重量部に対して０．１〜
５重量部添加してぺースト状にしたものをスクリーン印
刷法で印刷して、６００〜８００℃で１〜３０分程度焼
成することにより焼き付けられる。表電極３は、図５に
示すように、集電極８と枝電極７がある。枝電極７は基
板１の半導体接合部で発生した電子を取り出すために、
基板１のほぼ全面に均等に細幅に形成されており、集電
極８は枝電極７に取り出した電子を外部に取り出すため
に、基板１の略中央部に太幅に形成されている。この集
電極８には、太陽電池セル同士を配線（不図示）で接続
するための銅箔等からなる配線材（不図示）を半田付け
する次に、シリコン基板１の一主面側に反射防止膜２を
形成する（図１（ｄ））。この反射防止膜２は例えば窒
化シリコン膜などから成り、シランとアンモニアとの混
合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法などで形成される。こ
の反射防止膜２は、シリコン基板１の表面で光が反射す
るのを防止して、シリコン基板１内に光を有効に取り込
むために設ける。また、シリコン基板の表面部の界面準
位を低下させると共に、シリコン基板１の内部の結晶欠
陥を緩和するために設ける。この反射防止膜２は、シリ
コン基板１との屈折率差などを考慮して、屈折率が１．
８〜２．３程度になるように形成され、厚み８００Å程
度に形成される。
後、表面電極材料３を塗布して乾燥する（図１
（ｃ））。この電極材料３、４は、銀粉末と有機ビヒク
ルにガラスフリットを銀１００重量部に対して０．１〜
５重量部添加してぺースト状にしたものをスクリーン印
刷法で印刷して、６００〜８００℃で１〜３０分程度焼
成することにより焼き付けられる。表電極３は、図５に
示すように、集電極８と枝電極７がある。枝電極７は基
板１の半導体接合部で発生した電子を取り出すために、
基板１のほぼ全面に均等に細幅に形成されており、集電
極８は枝電極７に取り出した電子を外部に取り出すため
に、基板１の略中央部に太幅に形成されている。この集
電極８には、太陽電池セル同士を配線（不図示）で接続
するための銅箔等からなる配線材（不図示）を半田付け
する次に、シリコン基板１の一主面側に反射防止膜２を
形成する（図１（ｄ））。この反射防止膜２は例えば窒
化シリコン膜などから成り、シランとアンモニアとの混
合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法などで形成される。こ
の反射防止膜２は、シリコン基板１の表面で光が反射す
るのを防止して、シリコン基板１内に光を有効に取り込
むために設ける。また、シリコン基板の表面部の界面準
位を低下させると共に、シリコン基板１の内部の結晶欠
陥を緩和するために設ける。この反射防止膜２は、シリ
コン基板１との屈折率差などを考慮して、屈折率が１．
８〜２．３程度になるように形成され、厚み８００Å程
度に形成される。
【００１８】次に、表面電極３上に成膜された反射防止
膜２にレーザービーム、イオンビーム、あるいは電子ビ
ーム等のエネルギービームを照射して蒸発飛散させるこ
とにより、電極３の金属面を露出させる（図１
（ｅ））。例えば、発振素子にＮｄ-3＋ＹＡＧロッドを
用い、励起用ランプにＸｅフラッシュランプを用いた、
パルス波形制御ＹＡＧレーザー加工機により、パルスエ
ネルギー３〜１０Ｊ、繰り返し数２０〜５０ｐｐｓ、パ
ルス幅０．１〜１ｍｓｅｃでレーザービームを照射す
る。また、Ｑスイッチ付のＹＡＧレーザー加工機を用い
てもよい。さらに、レーザーガスとして、ＸｅＣｌ、Ｋ
ｒＦ、ＡｒＦを用いたエキシマレーザー装置を用いても
よい。エキシマレーザー装置の場合、最大パルスエネル
ギー１５０〜４００ｍＪでレーザー照射を行うとよい。
いずれの場合でも、レーザービームをバスバー電極上に
走査しで照射してもよいし、レーザービームを固定して
太陽電池セルをＸ−Ｙテーブルによって移動させて、バ
スバー電極にレーザービームが照射されるようにしても
よい。このときの加工速度は、５〜２０ｍｍ／ｓｅｃで
行う。
膜２にレーザービーム、イオンビーム、あるいは電子ビ
ーム等のエネルギービームを照射して蒸発飛散させるこ
とにより、電極３の金属面を露出させる（図１
（ｅ））。例えば、発振素子にＮｄ-3＋ＹＡＧロッドを
用い、励起用ランプにＸｅフラッシュランプを用いた、
パルス波形制御ＹＡＧレーザー加工機により、パルスエ
ネルギー３〜１０Ｊ、繰り返し数２０〜５０ｐｐｓ、パ
ルス幅０．１〜１ｍｓｅｃでレーザービームを照射す
る。また、Ｑスイッチ付のＹＡＧレーザー加工機を用い
てもよい。さらに、レーザーガスとして、ＸｅＣｌ、Ｋ
ｒＦ、ＡｒＦを用いたエキシマレーザー装置を用いても
よい。エキシマレーザー装置の場合、最大パルスエネル
ギー１５０〜４００ｍＪでレーザー照射を行うとよい。
いずれの場合でも、レーザービームをバスバー電極上に
走査しで照射してもよいし、レーザービームを固定して
太陽電池セルをＸ−Ｙテーブルによって移動させて、バ
スバー電極にレーザービームが照射されるようにしても
よい。このときの加工速度は、５〜２０ｍｍ／ｓｅｃで
行う。
【００１９】エネルギービームの照射の代わりに機械的
に研削を行ってもよい。例えば、サンドブラスト装置を
用いる。粒度＃６００のサンドをφ０．６ｍｍのノズル
から吹き付ける。ノズルをバスバー電極上に走査して吹
き付ける。このときの加工速度は、５−１０ｍｍ／ｓｅ
ｃがよい。または、サンドブラストの代わりに、グライ
ンダーによる加工でもよい。
に研削を行ってもよい。例えば、サンドブラスト装置を
用いる。粒度＃６００のサンドをφ０．６ｍｍのノズル
から吹き付ける。ノズルをバスバー電極上に走査して吹
き付ける。このときの加工速度は、５−１０ｍｍ／ｓｅ
ｃがよい。または、サンドブラストの代わりに、グライ
ンダーによる加工でもよい。
【００２０】次に、半田ディップ等の方法により電極３
の面に半田５をコーティングする（図１（ｆ））。反射
防止膜２が蒸発飛散もしくは機械的に削り取られた電極
３部分は金属面が露出しているため、半田濡れ性が向上
し、容易に半田のコーティング層が形成される。
の面に半田５をコーティングする（図１（ｆ））。反射
防止膜２が蒸発飛散もしくは機械的に削り取られた電極
３部分は金属面が露出しているため、半田濡れ性が向上
し、容易に半田のコーティング層が形成される。
【００２１】次に、太陽電池セル同士を配線するための
銅箔等からなる配線材を半田付けする。
銅箔等からなる配線材を半田付けする。
【００２２】
【実施例】比抵抗が１．５Ωｃｍのシリコン基板内の一
主面側に、リン（Ｐ）を１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3
拡散させ、銀１００重量部に対してガラスフリットを３
重量部含有した銀粉末と有機ビヒクルから成る銀ペース
トを印刷して乾燥した後、７５０℃×１５分で焼き付け
た。その後、厚み８５０Åの窒化シリコン膜を形成した
後、ＹＡＧレーザーを集電極部に照射して集電極上に成
膜された窒化シリコン膜を蒸発飛散させ、半田をディッ
プ法によりコーティングし、半田濡れ性を評価した。
主面側に、リン（Ｐ）を１×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3
拡散させ、銀１００重量部に対してガラスフリットを３
重量部含有した銀粉末と有機ビヒクルから成る銀ペース
トを印刷して乾燥した後、７５０℃×１５分で焼き付け
た。その後、厚み８５０Åの窒化シリコン膜を形成した
後、ＹＡＧレーザーを集電極部に照射して集電極上に成
膜された窒化シリコン膜を蒸発飛散させ、半田をディッ
プ法によりコーティングし、半田濡れ性を評価した。
【００２３】その結果、レーザービームを照射しなかっ
たものは、半田濡れ性（半田被覆率）が全面積の２５％
であったのに対し、レーザービームを照射したものは、
半田濡れ性（半田被覆率）が１００％であった。
たものは、半田濡れ性（半田被覆率）が全面積の２５％
であったのに対し、レーザービームを照射したものは、
半田濡れ性（半田被覆率）が１００％であった。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る太陽電池の
製造方法によれば、電極材料を焼き付けて反射防止膜を
成膜した後、この電極材料上の反射防止膜を除去するこ
とから、電極材料を焼き付けた後に反射防止膜を形成す
る太陽電池においても、電極の半田濡れ性が著しく改善
され、太陽電池セル同士を配線するための銅箔等からな
る配線材を半田付けする工程の歩留りが向上する。ま
た、電極上の反射防止膜をレーザービームなどのエネル
ギービームを照射して蒸発飛散させたり、機械的に研削
して除去することから、電極上の反射防止膜を容易に除
去することができる。
製造方法によれば、電極材料を焼き付けて反射防止膜を
成膜した後、この電極材料上の反射防止膜を除去するこ
とから、電極材料を焼き付けた後に反射防止膜を形成す
る太陽電池においても、電極の半田濡れ性が著しく改善
され、太陽電池セル同士を配線するための銅箔等からな
る配線材を半田付けする工程の歩留りが向上する。ま
た、電極上の反射防止膜をレーザービームなどのエネル
ギービームを照射して蒸発飛散させたり、機械的に研削
して除去することから、電極上の反射防止膜を容易に除
去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る太陽電池の製造方法を示す図であ
る。
る。
【図２】従来の太陽電池の製造方法を示す図である。
【図３】従来の他の太陽電池の製造方法を示す図であ
る。
る。
【図４】従来のその他の太陽電池の製造方法を示す図で
ある。
ある。
【図５】太陽電池を示す平面図である。
１‥‥‥一導電型の半導体基板、１ａ‥‥‥他の導電型
を呈する領域、２‥‥‥反射防止膜、３‥‥‥表面電
極、４‥‥‥裏面電極、５‥‥‥表面電極半田、６‥‥
‥裏面電極半田、７‥‥‥枝電極、８‥‥‥集電極
を呈する領域、２‥‥‥反射防止膜、３‥‥‥表面電
極、４‥‥‥裏面電極、５‥‥‥表面電極半田、６‥‥
‥裏面電極半田、７‥‥‥枝電極、８‥‥‥集電極
Claims (4)
- 【請求項１】 一導電型を呈する半導体基板の一主面側
に他の導電型を呈する領域を形成すると共に、この半導
体基板の一主面側と他の主面側に電極材料を焼き付けた
後、一主面側に反射防止膜を成膜する太陽電池の製造方
法において、前記電極材料を焼き付けて反射防止膜を成
膜した後、前記電極材料上の前記反射防止膜を除去する
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】 前記電極のうちの集電極上のみの反射防
止膜を除去することを特徴とする請求項１に記載の太陽
電池の製造方法。 - 【請求項３】 前記反射防止膜にエネルギービームを照
射して除去することを特徴とする請求項１または２に記
載の太陽電池の製造方法。 - 【請求項４】 前記反射防止膜を機械研削して除去する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11120379A JP2000312016A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11120379A JP2000312016A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000312016A true JP2000312016A (ja) | 2000-11-07 |
Family
ID=14784758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11120379A Pending JP2000312016A (ja) | 1999-04-27 | 1999-04-27 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000312016A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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