JP2000301648A - 透明導電性積層体および透明タブレット - Google Patents
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Landscapes
- Position Input By Displaying (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
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- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面の反射率が低く、かつ透過光の着色が少
ない、タブレットに有用な透明導電性積層体を提供す
る。 【解決手段】 有機高分子からなる特定の基板の少なく
とも一方の面に、単層または複数層の光学干渉層及び透
明導電層が積層されてなる透明導電性積層体であり、透
明導電層の積層面の波長４５０〜６５０ｎｍにおける平
均反射率が５．５％以下であって、かつ該積層体の透過
光の日本工業規格Ｚ８７２９号に定めるＬ*ａ*ｂ*表色
系のクロマティクネス指数ｂ*値がおよそ０〜２の範囲
にあることを特徴とする透明導電性積層体。
ない、タブレットに有用な透明導電性積層体を提供す
る。 【解決手段】 有機高分子からなる特定の基板の少なく
とも一方の面に、単層または複数層の光学干渉層及び透
明導電層が積層されてなる透明導電性積層体であり、透
明導電層の積層面の波長４５０〜６５０ｎｍにおける平
均反射率が５．５％以下であって、かつ該積層体の透過
光の日本工業規格Ｚ８７２９号に定めるＬ*ａ*ｂ*表色
系のクロマティクネス指数ｂ*値がおよそ０〜２の範囲
にあることを特徴とする透明導電性積層体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機高分子からな
る基板の少なくとも一方の面上に、基板側から光学干渉
性を有する層と透明導電層がこの順に積層されてなる光
の透過率の極めて高い透明導電性積層体に関するもので
あり、更にはこの透明導電性積層体を少なくとも一方の
透明電極基板として用いた透明タブレットに関するもの
である。
る基板の少なくとも一方の面上に、基板側から光学干渉
性を有する層と透明導電層がこの順に積層されてなる光
の透過率の極めて高い透明導電性積層体に関するもので
あり、更にはこの透明導電性積層体を少なくとも一方の
透明電極基板として用いた透明タブレットに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報表示用の液晶ディスプレーと
情報入力用の透明タブレット（タッチスイッチ、タッチ
パネル、フラットスイッチとも称される）を搭載した携
帯型の情報機器が広く使用され始めている。透明タブレ
ットとして多く用いられている抵抗膜方式の透明タブレ
ットは、透明導電層が形成された二枚の透明電極基板が
およそ１０μｍ前後の間隔で相対させて構成されてお
り、外力を加えた部分のみで両電極が接触してスイッチ
として動作するものであり、例えばディスプレー画面上
のメニューの選択あるいは図形や手書き文書の入力等を
行なうことができる。
情報入力用の透明タブレット（タッチスイッチ、タッチ
パネル、フラットスイッチとも称される）を搭載した携
帯型の情報機器が広く使用され始めている。透明タブレ
ットとして多く用いられている抵抗膜方式の透明タブレ
ットは、透明導電層が形成された二枚の透明電極基板が
およそ１０μｍ前後の間隔で相対させて構成されてお
り、外力を加えた部分のみで両電極が接触してスイッチ
として動作するものであり、例えばディスプレー画面上
のメニューの選択あるいは図形や手書き文書の入力等を
行なうことができる。
【０００３】このような透明電極基板としては、ガラス
や各種の熱可塑性高分子フィルム等の基板上に、例えば
酸化錫を含有するインジウム酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜
鉛等の金属酸化物による透明導電層を積層したものが広
く用いられている。
や各種の熱可塑性高分子フィルム等の基板上に、例えば
酸化錫を含有するインジウム酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜
鉛等の金属酸化物による透明導電層を積層したものが広
く用いられている。
【０００４】さて、ここで透明タブレットは液晶表示装
置、ＣＲＴ等の各種のディスプレー上に配置される場合
が多いが、透明タブレットを光が通過する際の光の反射
率や吸収率が大きいとディスプレー表示画面のコントラ
ストや輝度の低下をもたらすので好ましくない。
置、ＣＲＴ等の各種のディスプレー上に配置される場合
が多いが、透明タブレットを光が通過する際の光の反射
率や吸収率が大きいとディスプレー表示画面のコントラ
ストや輝度の低下をもたらすので好ましくない。
【０００５】また前記の基板上に透明導電層のみを一層
積層した場合、基板と透明導電層間および透明導電層と
空気間との二つの界面での反射光の光干渉や、透明導電
層自体の光吸収等に起因して、透明電極基板を透過する
光に着色が観られる場合が多い。例えば、現在透明タブ
レットの用途では透明導電層の膜厚がおよそ２０〜３０
ｎｍ程度のものが広く用いられており、透過光には若干
茶色がかった着色が観られる場合が多いが、こうした着
色の程度が著しい場合にはディスプレー表示画面の色相
の変化をもたらすので好ましくない。
積層した場合、基板と透明導電層間および透明導電層と
空気間との二つの界面での反射光の光干渉や、透明導電
層自体の光吸収等に起因して、透明電極基板を透過する
光に着色が観られる場合が多い。例えば、現在透明タブ
レットの用途では透明導電層の膜厚がおよそ２０〜３０
ｎｍ程度のものが広く用いられており、透過光には若干
茶色がかった着色が観られる場合が多いが、こうした着
色の程度が著しい場合にはディスプレー表示画面の色相
の変化をもたらすので好ましくない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前者の透明電極表面の
反射率を低減する方法として透明導電層の下地に適当な
光学干渉性を有する層（以下光学干渉層と記す）を積層
する方法の提案が本出願人のいくつかの出願特許、例え
ば、特許第１８１５７５０号公報、特開平８−２１６３
２７号公報、特開平１０−２４５１６号公報等において
為されているが、後者の透明導電基板の透過光の着色現
象については、必ずしも十分に抑制できているとは言え
なかった。
反射率を低減する方法として透明導電層の下地に適当な
光学干渉性を有する層（以下光学干渉層と記す）を積層
する方法の提案が本出願人のいくつかの出願特許、例え
ば、特許第１８１５７５０号公報、特開平８−２１６３
２７号公報、特開平１０−２４５１６号公報等において
為されているが、後者の透明導電基板の透過光の着色現
象については、必ずしも十分に抑制できているとは言え
なかった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、光学干渉
層と透明導電層とが特定の関係を満足することにより、
上記問題点を解決できることを見出した。
層と透明導電層とが特定の関係を満足することにより、
上記問題点を解決できることを見出した。
【０００８】すなわち本発明は、第一に、有機高分子か
らなる基板の少なくとも一方の面の最表面に透明導電層
が積層されてなる透明導電性積層体において、基板側か
ら順に、（Ａ１）屈折率が１．７から透明導電層の屈折
率＋０．３の範囲にあり膜厚が２０〜９０ｎｍの範囲に
ある層（Ｈ1層）、（Ｂ１）屈折率が１．３５〜１．５
の範囲にあり膜厚が３０〜１１０ｎｍの範囲にある層
（Ｌ1層）、（Ｃ）膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にある
透明導電層、が積層されており、（Ｄ）該３層の光学膜
厚の和がおよそ１８０〜２３０ｎｍの範囲であり、
（Ｆ）該透明導電層の積層面の波長４５０〜６５０ｎｍ
における平均反射率が５．５％以下であって、かつ
（Ｇ）該積層体の透過光の日本工業規格Ｚ８７２９号に
定めるＬ*ａ*ｂ*表色系のクロマティクネス指数ｂ*値が
およそ０〜２の範囲にあることを特徴とする透明導電性
積層体によって達成される。
らなる基板の少なくとも一方の面の最表面に透明導電層
が積層されてなる透明導電性積層体において、基板側か
ら順に、（Ａ１）屈折率が１．７から透明導電層の屈折
率＋０．３の範囲にあり膜厚が２０〜９０ｎｍの範囲に
ある層（Ｈ1層）、（Ｂ１）屈折率が１．３５〜１．５
の範囲にあり膜厚が３０〜１１０ｎｍの範囲にある層
（Ｌ1層）、（Ｃ）膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にある
透明導電層、が積層されており、（Ｄ）該３層の光学膜
厚の和がおよそ１８０〜２３０ｎｍの範囲であり、
（Ｆ）該透明導電層の積層面の波長４５０〜６５０ｎｍ
における平均反射率が５．５％以下であって、かつ
（Ｇ）該積層体の透過光の日本工業規格Ｚ８７２９号に
定めるＬ*ａ*ｂ*表色系のクロマティクネス指数ｂ*値が
およそ０〜２の範囲にあることを特徴とする透明導電性
積層体によって達成される。
【０００９】また本発明は、第二に、有機高分子からな
る基板の少なくとも一方の面の最表面に透明導電層が積
層されてなる透明導電性積層体において、基板側から順
に、（Ａ２）屈折率が１．７から透明導電層の屈折率＋
０．３の範囲にある層（Ｈ2層）、（Ｂ２）屈折率が
１．３５〜１．５の範囲にある層（Ｌ2層）、（Ｃ）膜
厚が１２〜３０ｎｍの範囲にある透明導電層、が積層さ
れており、（Ｅ）該Ｌ2層表面の反射率は波長２６０〜
３９０ｎｍの範囲内に極小点を有し、（Ｆ）該透明導電
層の積層面の波長４５０〜６５０ｎｍの平均反射率が
５．５％以下であって、かつ（Ｇ）該積層体の透過光の
日本工業規格Ｚ８７２９号に定めるＬ*ａ*ｂ*表色系の
クロマティクネス指数ｂ*値がおよそ０〜２の範囲にあ
ることを特徴とする透明導電性積層体によって達成され
る。
る基板の少なくとも一方の面の最表面に透明導電層が積
層されてなる透明導電性積層体において、基板側から順
に、（Ａ２）屈折率が１．７から透明導電層の屈折率＋
０．３の範囲にある層（Ｈ2層）、（Ｂ２）屈折率が
１．３５〜１．５の範囲にある層（Ｌ2層）、（Ｃ）膜
厚が１２〜３０ｎｍの範囲にある透明導電層、が積層さ
れており、（Ｅ）該Ｌ2層表面の反射率は波長２６０〜
３９０ｎｍの範囲内に極小点を有し、（Ｆ）該透明導電
層の積層面の波長４５０〜６５０ｎｍの平均反射率が
５．５％以下であって、かつ（Ｇ）該積層体の透過光の
日本工業規格Ｚ８７２９号に定めるＬ*ａ*ｂ*表色系の
クロマティクネス指数ｂ*値がおよそ０〜２の範囲にあ
ることを特徴とする透明導電性積層体によって達成され
る。
【００１０】さらに本発明は、第三に、有機高分子から
なる基板の少なくとも一方の面の最表面に透明導電層が
積層されてなる透明導電性積層体において、基板の屈折
率が１．７以上であって、少なくとも該基板側から順
に、（Ａ３）屈折率が１．３５〜１．５の範囲にあり膜
厚が１０〜３０ｎｍの範囲にある層（Ｌ3層）と、（Ｃ
３）膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にある透明導電層とが
積層されており、（Ｆ）該透明導電層の積層面の波長４
５０〜６５０ｎｍの平均反射率が５．５％以下であっ
て、かつ（Ｇ）該積層体の透過光の日本工業規格Ｚ８７
２９号に定めるＬ*ａ*ｂ*表色系のクロマティクネス指
数ｂ*値がおよそ０〜２の範囲にあることを特徴とする
透明導電性積層体によって達成される。
なる基板の少なくとも一方の面の最表面に透明導電層が
積層されてなる透明導電性積層体において、基板の屈折
率が１．７以上であって、少なくとも該基板側から順
に、（Ａ３）屈折率が１．３５〜１．５の範囲にあり膜
厚が１０〜３０ｎｍの範囲にある層（Ｌ3層）と、（Ｃ
３）膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にある透明導電層とが
積層されており、（Ｆ）該透明導電層の積層面の波長４
５０〜６５０ｎｍの平均反射率が５．５％以下であっ
て、かつ（Ｇ）該積層体の透過光の日本工業規格Ｚ８７
２９号に定めるＬ*ａ*ｂ*表色系のクロマティクネス指
数ｂ*値がおよそ０〜２の範囲にあることを特徴とする
透明導電性積層体によって達成される。
【００１１】
【発明の実施の形態】すなわち前述のように透明タブレ
ット内部の反射率を低減し、無彩色もしくはそれに近い
透過光の色彩を得る目的においては、透明導電性積層体
の透明導電層が積層された表面の波長４５０〜６５０ｎ
ｍの平均反射率が５．５％以下であり、かつ透明導電性
積層体の透過光の、日本工業規格（ＪＩＳ規格）のＺ８
７２９に定める所のＬ*ａ*ｂ*表色系のクロマティクネ
ス指数ｂ*値がおよそ０〜２の範囲、好ましくは０〜
１．５の範囲にあることが重要である。透明導電性積層
体の透過光のｂ*値が２．０を超えると透過光に黄色味
を帯びた着色が著しくなって外観が悪化する傾向にあ
り、また０未満の負の値となる場合には積層体の全光線
透過率が著しく低下する傾向にあるからである。
ット内部の反射率を低減し、無彩色もしくはそれに近い
透過光の色彩を得る目的においては、透明導電性積層体
の透明導電層が積層された表面の波長４５０〜６５０ｎ
ｍの平均反射率が５．５％以下であり、かつ透明導電性
積層体の透過光の、日本工業規格（ＪＩＳ規格）のＺ８
７２９に定める所のＬ*ａ*ｂ*表色系のクロマティクネ
ス指数ｂ*値がおよそ０〜２の範囲、好ましくは０〜
１．５の範囲にあることが重要である。透明導電性積層
体の透過光のｂ*値が２．０を超えると透過光に黄色味
を帯びた着色が著しくなって外観が悪化する傾向にあ
り、また０未満の負の値となる場合には積層体の全光線
透過率が著しく低下する傾向にあるからである。
【００１２】本発明においては、この透過光の色彩測定
に用いる光の種類としては日本工業規格のＺ８７２０に
定める標準の光Ｄ65を用いるものとし、平均反射率に関
しては視感度補正を施さない単純な平均値を用いるもの
とする。
に用いる光の種類としては日本工業規格のＺ８７２０に
定める標準の光Ｄ65を用いるものとし、平均反射率に関
しては視感度補正を施さない単純な平均値を用いるもの
とする。
【００１３】これら色彩や透明導電層表面の反射率等
は、積層体の透明性が高い場合すなわち積層体の光吸収
が少ない場合において、透明導電層と光学干渉層の各層
界面で発生する反射光の相互干渉の条件、すなわち各層
の膜厚と屈折率および各層の積層順序等により様々に変
化する。
は、積層体の透明性が高い場合すなわち積層体の光吸収
が少ない場合において、透明導電層と光学干渉層の各層
界面で発生する反射光の相互干渉の条件、すなわち各層
の膜厚と屈折率および各層の積層順序等により様々に変
化する。
【００１４】具体的に前記の好ましい色彩を実現するに
は、透明導電性積層体の透過光の可視域の透過率がおよ
そ波長４５０〜５３０ｎｍの範囲内に極大点を有してい
る事が好ましく、同時に高い透過率を得る観点から、波
長４７０〜５３０ｎｍの範囲内に極大点を有している事
がより好ましい。
は、透明導電性積層体の透過光の可視域の透過率がおよ
そ波長４５０〜５３０ｎｍの範囲内に極大点を有してい
る事が好ましく、同時に高い透過率を得る観点から、波
長４７０〜５３０ｎｍの範囲内に極大点を有している事
がより好ましい。
【００１５】そして、このような透過光のスペクトルを
得るためは、透明導電層の表面の反射率が波長４３０〜
５１０ｎｍであることが好ましく、４５０〜５１０ｎｍ
の領域内に極小点を有する事がより好ましい。第一の発
明において、本発明の透明導電性積層体は、有機高分子
からなる基板上に、光学干渉層があり、さらにその上に
透明導電層が形成されてなる。すなわち、少なくとも基
板側から、（Ａ１）Ｈ1層： 屈折率が、１．７以上で透
明導電層の屈折率よりおよそ０．３大きい屈折率以下の
範囲にあり、かつ膜厚が、２０〜９０ｎｍの範囲にあ
る、（Ｂ１） Ｌ1層：屈折率が１．３５〜１．５の範囲
にあり、かつ膜厚が３０〜１１０ｎｍの範囲にある、
（Ｃ）透明導電層：膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にあ
る、とがこの順に積層されている。Ｈ1層およびＬ1層の
屈折率が前記範囲を外れた場合には、Ｌ1層上に積層さ
れている透明導電層の表面の反射率を減じる効果が低下
してしまうので好ましくない。
得るためは、透明導電層の表面の反射率が波長４３０〜
５１０ｎｍであることが好ましく、４５０〜５１０ｎｍ
の領域内に極小点を有する事がより好ましい。第一の発
明において、本発明の透明導電性積層体は、有機高分子
からなる基板上に、光学干渉層があり、さらにその上に
透明導電層が形成されてなる。すなわち、少なくとも基
板側から、（Ａ１）Ｈ1層： 屈折率が、１．７以上で透
明導電層の屈折率よりおよそ０．３大きい屈折率以下の
範囲にあり、かつ膜厚が、２０〜９０ｎｍの範囲にあ
る、（Ｂ１） Ｌ1層：屈折率が１．３５〜１．５の範囲
にあり、かつ膜厚が３０〜１１０ｎｍの範囲にある、
（Ｃ）透明導電層：膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にあ
る、とがこの順に積層されている。Ｈ1層およびＬ1層の
屈折率が前記範囲を外れた場合には、Ｌ1層上に積層さ
れている透明導電層の表面の反射率を減じる効果が低下
してしまうので好ましくない。
【００１６】そして上記透明導電性積層体は、（Ｄ）該
３層の光学膜厚の和がおよそ１８０〜２３０ｎｍであ
る。ここで、光学膜厚とは、層の屈折率と膜厚を乗じた
値であり、Ｈ1層とＬ1層と透明導電層との光学膜厚の和
がおよそ１８０〜２３０ｎｍになるような組み合わせで
三つの層を積層することにより、色彩が良好で反射率の
低い透明導電性積層体を得ることができる。
３層の光学膜厚の和がおよそ１８０〜２３０ｎｍであ
る。ここで、光学膜厚とは、層の屈折率と膜厚を乗じた
値であり、Ｈ1層とＬ1層と透明導電層との光学膜厚の和
がおよそ１８０〜２３０ｎｍになるような組み合わせで
三つの層を積層することにより、色彩が良好で反射率の
低い透明導電性積層体を得ることができる。
【００１７】またＬ1層表面の反射率は波長２６０〜３
９０ｎｍの領域内に極小点を有することが好ましい。
９０ｎｍの領域内に極小点を有することが好ましい。
【００１８】本発明の透明導電性積層体における透明導
電層としては、主として金属酸化物からなる層が好まし
く用いられ、タブレットの消費電力の低減と回路処理上
の必要等から、前記の膜厚１２〜３０ｎｍにおいて表面
抵抗値が１００〜２０００Ω／□、より好ましくは１５
０〜２０００Ω／□の範囲を示す透明導電層を用いるこ
とが好ましい。尚、透明導電層の膜厚が１２ｎｍ未満で
は抵抗値の経時安定性に劣る傾向があり、また３０ｎｍ
を超えると光学干渉層を積層した場合でも透明導電層の
反射率が著しく大きくなるので好ましくない。
電層としては、主として金属酸化物からなる層が好まし
く用いられ、タブレットの消費電力の低減と回路処理上
の必要等から、前記の膜厚１２〜３０ｎｍにおいて表面
抵抗値が１００〜２０００Ω／□、より好ましくは１５
０〜２０００Ω／□の範囲を示す透明導電層を用いるこ
とが好ましい。尚、透明導電層の膜厚が１２ｎｍ未満で
は抵抗値の経時安定性に劣る傾向があり、また３０ｎｍ
を超えると光学干渉層を積層した場合でも透明導電層の
反射率が著しく大きくなるので好ましくない。
【００１９】具体的には例えば、錫酸化物やインジウム
酸化物、酸化亜鉛、酸化ガリウム等による層およびそれ
らを適当な割合で混合した材料による層が好ましく用い
られ、これらの層に更に酸化珪素、酸化チタン、酸化ア
ルミニウム、酸化ジルコニウム等の１種または２種以上
を数重量％程度の割合で添加した材料による層が好まし
く用いられる。
酸化物、酸化亜鉛、酸化ガリウム等による層およびそれ
らを適当な割合で混合した材料による層が好ましく用い
られ、これらの層に更に酸化珪素、酸化チタン、酸化ア
ルミニウム、酸化ジルコニウム等の１種または２種以上
を数重量％程度の割合で添加した材料による層が好まし
く用いられる。
【００２０】これら透明導電層は、スパッタリング法、
イオンプレーティング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の公
知の真空製膜プロセスを用いて積層することができる。
中でも幅方向、長さ方向での膜厚均一性、組成均一性の
面からはスパッタリング法が好ましい。
イオンプレーティング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の公
知の真空製膜プロセスを用いて積層することができる。
中でも幅方向、長さ方向での膜厚均一性、組成均一性の
面からはスパッタリング法が好ましい。
【００２１】上記透明導電性積層体における光学干渉層
は、前記Ｈ1層とＬ1層とからなり、基板上に、前記のＨ
1層とＬ1層とを順に積層してなる。 Ｈ1層は、（Ａ）屈
折率が１．７から透明導電層の屈折率よりおよそ０．３
大きい屈折率の範囲にあり膜厚が２０〜９０ｎｍであ
り、Ｌ1層は、（Ｂ）屈折率が１．３５〜１．５の範囲
にあり膜厚が３０〜１１０ｎｍの範囲にある。かかるＨ
1層とＬ1層を積層してなるものの他にも、例えばＨ1層
とＬ1層の積層に加えてＨ1層に接して基板側に、屈折率
が約１．５以下で膜厚が３０〜１００ｎｍの層（Ｌ’
層）や、Ｈ1層と基板（光学干渉層の下地となる層）と
の中間の屈折率を有し、膜厚がおよそ３０〜１００ｎｍ
の層（Ｍ層）等の光学干渉層を設け３層構成としてもよ
い。
は、前記Ｈ1層とＬ1層とからなり、基板上に、前記のＨ
1層とＬ1層とを順に積層してなる。 Ｈ1層は、（Ａ）屈
折率が１．７から透明導電層の屈折率よりおよそ０．３
大きい屈折率の範囲にあり膜厚が２０〜９０ｎｍであ
り、Ｌ1層は、（Ｂ）屈折率が１．３５〜１．５の範囲
にあり膜厚が３０〜１１０ｎｍの範囲にある。かかるＨ
1層とＬ1層を積層してなるものの他にも、例えばＨ1層
とＬ1層の積層に加えてＨ1層に接して基板側に、屈折率
が約１．５以下で膜厚が３０〜１００ｎｍの層（Ｌ’
層）や、Ｈ1層と基板（光学干渉層の下地となる層）と
の中間の屈折率を有し、膜厚がおよそ３０〜１００ｎｍ
の層（Ｍ層）等の光学干渉層を設け３層構成としてもよ
い。
【００２２】上記光学干渉層の下地となる有機高分子か
らなる基板や後述の保護層等と、光学干渉層のうちで下
地に接して用いられる層とは、それらの界面の屈折率差
が好ましくは０．１以上、より好ましくは０．１５以上
あることが光学干渉層の高い光学干渉効果発現および透
明導電層表面の低反射化のために好ましい。
らなる基板や後述の保護層等と、光学干渉層のうちで下
地に接して用いられる層とは、それらの界面の屈折率差
が好ましくは０．１以上、より好ましくは０．１５以上
あることが光学干渉層の高い光学干渉効果発現および透
明導電層表面の低反射化のために好ましい。
【００２３】これらの光学干渉層は、スパッタリング
法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の各
種の真空製膜プロセスや、マイクログラビヤコート法、
マイヤーバーコート法、ダイレクトクラビヤコート法等
に代表される各種ロールコーティング法やナイフコート
法、カーテンコート法、スピンコート法、スプレーコー
ト法等の湿式コーティング法、およびそれらの併用によ
り作成が可能である。
法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の各
種の真空製膜プロセスや、マイクログラビヤコート法、
マイヤーバーコート法、ダイレクトクラビヤコート法等
に代表される各種ロールコーティング法やナイフコート
法、カーテンコート法、スピンコート法、スプレーコー
ト法等の湿式コーティング法、およびそれらの併用によ
り作成が可能である。
【００２４】より具体的には、真空製膜プロセスを用い
て作成された各種無機誘電体層、例えばＭｇＦ2、Ｓｉ
Ｏ2、ＣａＦ2、ＮａＦ、Ｎａ3ＡｌＦ6、ＬｉＦ、Ａｌ2
Ｏ3、ＣｅＦ4、ＬａＦ3、ＮｄＦ3、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、
ＰｂＦ3、ＴｈＯ2、ＺｒＯ2、ＺｎＳ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2
Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ２、Ｎｄ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3等およ
びそれらの混合物からなる層や、湿式コーティング法を
用いて作成された樹脂架橋層、例えば、ケイ素、チタニ
ウム、ジルコニウム、錫、タンタル、インジウム等の金
属アルコキシドの単体あるいはそれらの混合物を、加水
分解ならびに脱水縮合してなる樹脂架橋層や、数十ｎｍ
以下の粒径の各種金属酸化物の微粒子が分散された樹脂
架橋層等を例示することができる。
て作成された各種無機誘電体層、例えばＭｇＦ2、Ｓｉ
Ｏ2、ＣａＦ2、ＮａＦ、Ｎａ3ＡｌＦ6、ＬｉＦ、Ａｌ2
Ｏ3、ＣｅＦ4、ＬａＦ3、ＮｄＦ3、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、
ＰｂＦ3、ＴｈＯ2、ＺｒＯ2、ＺｎＳ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2
Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＣｅＯ２、Ｎｄ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3等およ
びそれらの混合物からなる層や、湿式コーティング法を
用いて作成された樹脂架橋層、例えば、ケイ素、チタニ
ウム、ジルコニウム、錫、タンタル、インジウム等の金
属アルコキシドの単体あるいはそれらの混合物を、加水
分解ならびに脱水縮合してなる樹脂架橋層や、数十ｎｍ
以下の粒径の各種金属酸化物の微粒子が分散された樹脂
架橋層等を例示することができる。
【００２５】これら例示した各種の光学干渉層に関し、
その内でも高い生産性を得る観点からは、前記の湿式コ
ーティング法による樹脂架橋層による光学干渉層を用い
ることが特に好ましく、さらに、湿式コーティングによ
る樹脂架橋層の中でも、層の機械的強度や安定性、透明
導電層や基板等との密着性等に優れているといった観点
から、金属アルコキシド、特にチタニウム、ジルコニウ
ムあるいはケイ素のアルコキシドからなる架橋層を用い
ることが最も好ましい。ここで、チタニウムとジルコニ
ウムのアルコキシドの架橋層は、光学干渉層において屈
折率が約１．６以上、場合によっては約１．７以上とな
る高屈折率層として機能するものであり、ケイ素アルコ
キシドの架橋層は、光学干渉層において屈折率が約１．
５以下の低屈折率層として機能するものである。
その内でも高い生産性を得る観点からは、前記の湿式コ
ーティング法による樹脂架橋層による光学干渉層を用い
ることが特に好ましく、さらに、湿式コーティングによ
る樹脂架橋層の中でも、層の機械的強度や安定性、透明
導電層や基板等との密着性等に優れているといった観点
から、金属アルコキシド、特にチタニウム、ジルコニウ
ムあるいはケイ素のアルコキシドからなる架橋層を用い
ることが最も好ましい。ここで、チタニウムとジルコニ
ウムのアルコキシドの架橋層は、光学干渉層において屈
折率が約１．６以上、場合によっては約１．７以上とな
る高屈折率層として機能するものであり、ケイ素アルコ
キシドの架橋層は、光学干渉層において屈折率が約１．
５以下の低屈折率層として機能するものである。
【００２６】チタニウムアルコキシドとしては、例えば
チタニウムテトライソプロポキシド、テトラーｎープロ
ピルオルトチタネート、チタニウムテトラーｎーブトキ
シド、テトラキス（２ーエチルヘキシルオキシ）チタネ
ート等が例示され、また、ジルコニウムアルコキシドと
しては、例えばジルコニウムテトライソプロポキシド、
ジルコニウムテトラーｎーブトキシド等が例示される。
チタニウムテトライソプロポキシド、テトラーｎープロ
ピルオルトチタネート、チタニウムテトラーｎーブトキ
シド、テトラキス（２ーエチルヘキシルオキシ）チタネ
ート等が例示され、また、ジルコニウムアルコキシドと
しては、例えばジルコニウムテトライソプロポキシド、
ジルコニウムテトラーｎーブトキシド等が例示される。
【００２７】ケイ素アルコキシドとしては、例えば、テ
トラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルト
リメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチ
ルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン、β−（３、４エポキシシクロヘキシル）
エチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
エトキシシラン等が例示される。
トラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルト
リメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチ
ルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン、β−（３、４エポキシシクロヘキシル）
エチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
エトキシシラン等が例示される。
【００２８】これらのケイ素アルコキシドは必要に応じ
て、層の機械的強度や密着性および耐溶剤性等の観点か
ら二種類以上を混合して用いることが好ましい場合が多
く、特にケイ素アルコキシドの全組成中に重量比率０．
５〜６０％の範囲で、分子内にアミノ基を有するケイ素
アルコキシドが含有されていることが好ましい。
て、層の機械的強度や密着性および耐溶剤性等の観点か
ら二種類以上を混合して用いることが好ましい場合が多
く、特にケイ素アルコキシドの全組成中に重量比率０．
５〜６０％の範囲で、分子内にアミノ基を有するケイ素
アルコキシドが含有されていることが好ましい。
【００２９】これらの金属アルコキシドは、モノマーで
用いても、あらかじめ加水分解と脱水縮合を行なって適
度にオリゴマー化して用いても良いが、通常、適当な有
機溶媒に溶解、希釈した塗液を基板上に塗工する。基板
上に形成された塗膜は、空気中の水分等により加水分解
が進行し、続いて脱水縮合により架橋が進行する。
用いても、あらかじめ加水分解と脱水縮合を行なって適
度にオリゴマー化して用いても良いが、通常、適当な有
機溶媒に溶解、希釈した塗液を基板上に塗工する。基板
上に形成された塗膜は、空気中の水分等により加水分解
が進行し、続いて脱水縮合により架橋が進行する。
【００３０】一般に、架橋の促進には適当な加熱処理が
必要であり、湿式コーティングのプロセスにおいて１０
０℃以上の温度で数分以上の熱処理を施すことが好まし
い。また、場合によっては、前記の熱処理と並行して、
紫外線等の活性光線を塗膜に照射する事により、架橋性
をより高めることができる。
必要であり、湿式コーティングのプロセスにおいて１０
０℃以上の温度で数分以上の熱処理を施すことが好まし
い。また、場合によっては、前記の熱処理と並行して、
紫外線等の活性光線を塗膜に照射する事により、架橋性
をより高めることができる。
【００３１】希釈溶剤としては、アルコール系、炭化水
素系の溶剤、例えば、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、ブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、
ヘキサン、シクロヘキサン、リグロイン等が好適である
が、この他にも、キシレン、トルエン、シクロヘキサノ
ン、メチルイソブチルケトン、酢酸イソブチル等の極性
溶媒も使用可能である。これらのものは単独あるいは二
種以上の混合溶剤として用いることができる。
素系の溶剤、例えば、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、ブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、
ヘキサン、シクロヘキサン、リグロイン等が好適である
が、この他にも、キシレン、トルエン、シクロヘキサノ
ン、メチルイソブチルケトン、酢酸イソブチル等の極性
溶媒も使用可能である。これらのものは単独あるいは二
種以上の混合溶剤として用いることができる。
【００３２】さて本発明の透明導電積層体を構成する有
機高分子からなる基板については特に限定されるもので
はないが、該基板の透明性は高い事が好ましく、具体的
に波長４５０〜６５０ｎｍの領域の透過率の平均値が少
なくとも８０％以上、より好ましくは８５％以上あるこ
とが好ましい。
機高分子からなる基板については特に限定されるもので
はないが、該基板の透明性は高い事が好ましく、具体的
に波長４５０〜６５０ｎｍの領域の透過率の平均値が少
なくとも８０％以上、より好ましくは８５％以上あるこ
とが好ましい。
【００３３】本発明の透明導電性積層体を透明タブレッ
トを構成する一対の透明電極基板のうちの入力側の透明
電極基板（可動電極基板）に用いる場合、ペン等の外部
入力に対して適度に変形するようにある程度の可撓性が
ある基板を与える有機高分子が好ましい。この為、かか
る基板としては、熱可塑性高分子からなるフィルム状の
成形基板が好適に用いられる。具体的には、例えばポリ
エチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、
ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスル
フォン、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロー
ス、各種のポリオレフィン、およびこれらの変性物ある
いはこれらと別種材料との共重合物等が好ましく例示さ
れる。これらフィルム状の成形基板は一般的な溶融押し
出し法もしくは溶液流延法等により好適に成形される
が、必要に応じて成形したフィルム状の基板に一軸延伸
もしくは二軸延伸を施して機械的強度を高めたり、光学
的機能を高めたりする事も好ましく行われる。
トを構成する一対の透明電極基板のうちの入力側の透明
電極基板（可動電極基板）に用いる場合、ペン等の外部
入力に対して適度に変形するようにある程度の可撓性が
ある基板を与える有機高分子が好ましい。この為、かか
る基板としては、熱可塑性高分子からなるフィルム状の
成形基板が好適に用いられる。具体的には、例えばポリ
エチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、
ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスル
フォン、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロー
ス、各種のポリオレフィン、およびこれらの変性物ある
いはこれらと別種材料との共重合物等が好ましく例示さ
れる。これらフィルム状の成形基板は一般的な溶融押し
出し法もしくは溶液流延法等により好適に成形される
が、必要に応じて成形したフィルム状の基板に一軸延伸
もしくは二軸延伸を施して機械的強度を高めたり、光学
的機能を高めたりする事も好ましく行われる。
【００３４】このようにして得られ、可動電極基板とし
て好適な該基板の厚みは、およそ１０〜４００μｍ、よ
り好ましくは２０〜２００μｍの範囲にある事がタブレ
ットの動作特性、軽薄性、軽量性の観点等から好まし
い。
て好適な該基板の厚みは、およそ１０〜４００μｍ、よ
り好ましくは２０〜２００μｍの範囲にある事がタブレ
ットの動作特性、軽薄性、軽量性の観点等から好まし
い。
【００３５】また本発明の透明導電性積層体を前記可動
電極基板と相対して用いられる透明電極基板（固定電極
基板）に用いる場合には、必ずしも可撓性が高い必要は
なく、タブレットの使用形態によってはむしろ外力に対
する変形の少ない特性（剛直性の高さ）が必要となる場
合もある事から、前記の熱可塑性高分子からなるフィル
ム状の成形基板の他に、同様の熱可塑性高分子もしくは
エポキシ系、アクリル系等の各種材料の熱硬化物および
または紫外線硬化物等によるシート状の成形基板も好適
に用いる事ができる。尚、こうしたシート状の成形基板
の成形方法としては、溶融押し出し法、溶液流延法、射
出成形法、注型重合成形法等が挙げられる。
電極基板と相対して用いられる透明電極基板（固定電極
基板）に用いる場合には、必ずしも可撓性が高い必要は
なく、タブレットの使用形態によってはむしろ外力に対
する変形の少ない特性（剛直性の高さ）が必要となる場
合もある事から、前記の熱可塑性高分子からなるフィル
ム状の成形基板の他に、同様の熱可塑性高分子もしくは
エポキシ系、アクリル系等の各種材料の熱硬化物および
または紫外線硬化物等によるシート状の成形基板も好適
に用いる事ができる。尚、こうしたシート状の成形基板
の成形方法としては、溶融押し出し法、溶液流延法、射
出成形法、注型重合成形法等が挙げられる。
【００３６】また場合によっては前記フィルム状の成形
基板の透明電極面と反対側の面に、該基板と別種の、透
明電極が形成されていないフィルム状もしくはシート状
の成形基板を貼り付けて裏打ちした構成の電極基板等も
好ましく用いられる。
基板の透明電極面と反対側の面に、該基板と別種の、透
明電極が形成されていないフィルム状もしくはシート状
の成形基板を貼り付けて裏打ちした構成の電極基板等も
好ましく用いられる。
【００３７】このようにして得られ、固定電極基板とし
て好適な該電極基板の厚みはおよそ１０〜２０００μ
ｍ、より好ましくは５０〜１０００μｍ、最も好ましく
は７０〜７００μｍの範囲にある事が好ましい。
て好適な該電極基板の厚みはおよそ１０〜２０００μ
ｍ、より好ましくは５０〜１０００μｍ、最も好ましく
は７０〜７００μｍの範囲にある事が好ましい。
【００３８】最近ではタブレットの入力側（使用者側）
の面に偏光板を積層する構成の新しいタイプの透明タブ
レットが開発されてきている。この構成の利点は主とし
て前記偏光板の光学作用によって、タブレット内部にお
ける外来光の反射率を半分以下に低減できる事にある。
の面に偏光板を積層する構成の新しいタイプの透明タブ
レットが開発されてきている。この構成の利点は主とし
て前記偏光板の光学作用によって、タブレット内部にお
ける外来光の反射率を半分以下に低減できる事にある。
【００３９】上記基板を、このようなタイプのタブレッ
トに用いる場合には透明電極基板を偏光が通過する事か
ら、基板としてより光学等方性に優れた特性を有するも
のを用いることが好ましく、具体的に基板の遅相軸方向
の屈折率をｎｘ、進相軸方向の屈折率をｎｙ、基板の厚
みをｄ（ｎｍ）とした場合にＲｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ
（ｎｍ）で表される面内リタデーションＲｅが少なくと
も３０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下であるこ
とがさらに好ましい。尚、ここで基板の面内リタデーシ
ョンの値は日本分光株式会社製の多波長複屈折率測定装
置（商品名「Ｍ−１５０」）を用いた波長５９０ｎｍで
の測定値に代表させている。
トに用いる場合には透明電極基板を偏光が通過する事か
ら、基板としてより光学等方性に優れた特性を有するも
のを用いることが好ましく、具体的に基板の遅相軸方向
の屈折率をｎｘ、進相軸方向の屈折率をｎｙ、基板の厚
みをｄ（ｎｍ）とした場合にＲｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ
（ｎｍ）で表される面内リタデーションＲｅが少なくと
も３０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下であるこ
とがさらに好ましい。尚、ここで基板の面内リタデーシ
ョンの値は日本分光株式会社製の多波長複屈折率測定装
置（商品名「Ｍ−１５０」）を用いた波長５９０ｎｍで
の測定値に代表させている。
【００４０】これら光学等方性に優れた特性を示す有機
高分子としては、例えば、ポリカーボネートや非晶性ポ
リアリレート、ポリエーテルスルフォン、トリアセチル
セルロース、ジアセチルセルロース、非晶性ポリオレフ
ィンおよびこれらの変性物もしくは別種材料との共重合
物等、エポキシ系、アクリル系等の有機材料の熱硬化成
形物や紫外線硬化成形物等が好ましいが、成形性や製造
コスト、熱的安定性等の観点から、ポリカーボネート、
非晶性ポリアリレート、非晶性ポリオレフィンおよびこ
れらの変性物もしくは別種材料との共重合物等が最も好
ましく挙げられる。
高分子としては、例えば、ポリカーボネートや非晶性ポ
リアリレート、ポリエーテルスルフォン、トリアセチル
セルロース、ジアセチルセルロース、非晶性ポリオレフ
ィンおよびこれらの変性物もしくは別種材料との共重合
物等、エポキシ系、アクリル系等の有機材料の熱硬化成
形物や紫外線硬化成形物等が好ましいが、成形性や製造
コスト、熱的安定性等の観点から、ポリカーボネート、
非晶性ポリアリレート、非晶性ポリオレフィンおよびこ
れらの変性物もしくは別種材料との共重合物等が最も好
ましく挙げられる。
【００４１】より具体的には、ポリカーボネートとして
は例えば、ビスフェノールＡ、３，３，５−１，１−ジ
（４−フェノール）シクロヘキシリデンおよびまたは
３，３，５−トリメチル−１，１−ジ（４−フェノー
ル）シクロヘキシリデン、フルオレン−９，９−ジ（４
−フェノール）、フルオレン−９，９−ジ（３−メチル
−４−フェノール）等のビスフェノール成分の単独もし
くは共重合からなる平均分子量がおよそ３００００〜１
０００００の範囲のポリカーボネート（商品としては帝
人化成製「パンライト」やバイエル製「Ａｐｅｃ Ｈ
Ｔ」等が例示される）が好ましく例示される。
は例えば、ビスフェノールＡ、３，３，５−１，１−ジ
（４−フェノール）シクロヘキシリデンおよびまたは
３，３，５−トリメチル−１，１−ジ（４−フェノー
ル）シクロヘキシリデン、フルオレン−９，９−ジ（４
−フェノール）、フルオレン−９，９−ジ（３−メチル
−４−フェノール）等のビスフェノール成分の単独もし
くは共重合からなる平均分子量がおよそ３００００〜１
０００００の範囲のポリカーボネート（商品としては帝
人化成製「パンライト」やバイエル製「Ａｐｅｃ Ｈ
Ｔ」等が例示される）が好ましく例示される。
【００４２】また非晶性ポリアリレートとしては、商品
として鐘淵化学製「エルメック」、ユニチカ製「Ｕポリ
マー」、イソノバ製「イサリル」等が例示される。
として鐘淵化学製「エルメック」、ユニチカ製「Ｕポリ
マー」、イソノバ製「イサリル」等が例示される。
【００４３】また非晶性ポリオレフィンとしては、商品
として日本ゼオン製「ゼオネックス」や日本合成ゴム製
「アートン」等が例示される。
として日本ゼオン製「ゼオネックス」や日本合成ゴム製
「アートン」等が例示される。
【００４４】またこれらの有機高分子材料からなる基板
の成形方法としては、溶融押し出し法や溶液流延法、射
出成型法等の方法が例示されるが、優れた光学等方性を
得る観点からは、特に溶液流延法を用いて成形を行なう
ことが好ましい。
の成形方法としては、溶融押し出し法や溶液流延法、射
出成型法等の方法が例示されるが、優れた光学等方性を
得る観点からは、特に溶液流延法を用いて成形を行なう
ことが好ましい。
【００４５】偏光が通過するタイプのタブレットの用途
においては、上記基板の面内リタデーションの値が非常
に重要であるが、これに加えて上記基板の三次元屈折率
特性、すなわち基板の膜厚方向の屈折率をｎｚとした時
にＫ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄで表されるＫ
値が少なくとも−２５０〜＋１５０ｎｍ、より好ましく
は−２００〜＋１００ｎｍの範囲にある事がタブレット
の視認性の高い視野角特性を得る上で好ましい。
においては、上記基板の面内リタデーションの値が非常
に重要であるが、これに加えて上記基板の三次元屈折率
特性、すなわち基板の膜厚方向の屈折率をｎｚとした時
にＫ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ｝×ｄで表されるＫ
値が少なくとも−２５０〜＋１５０ｎｍ、より好ましく
は−２００〜＋１００ｎｍの範囲にある事がタブレット
の視認性の高い視野角特性を得る上で好ましい。
【００４６】ところで上記有機高分子からなる基板の耐
溶剤性およびまたはハードコート性が使用用途で要求さ
れる性能に対して不十分である場合には、基板の片面も
しくは両面に前記特性を向上させる機能を有するような
保護層を積層する事が好ましい。ここで保護層上に光学
干渉層と透明導電層が積層される場合には、前述のよう
に保護層の屈折率は光学干渉層の接する界面の屈折率差
が少なくとも０．１以上ある事が低反射性を得る観点か
ら好ましい。
溶剤性およびまたはハードコート性が使用用途で要求さ
れる性能に対して不十分である場合には、基板の片面も
しくは両面に前記特性を向上させる機能を有するような
保護層を積層する事が好ましい。ここで保護層上に光学
干渉層と透明導電層が積層される場合には、前述のよう
に保護層の屈折率は光学干渉層の接する界面の屈折率差
が少なくとも０．１以上ある事が低反射性を得る観点か
ら好ましい。
【００４７】ここで耐溶剤性については主にタブレット
の作成工程において必要である事から、その作成の方法
によって必要となる特性の基準も若干異なるが、おおよ
そ以下のような耐溶剤性が必要になる。すなわち前述の
ように基板上に保護層を積層する場合には基板上でこの
ような耐溶剤性を発現する保護層を積層する事が好まし
い。
の作成工程において必要である事から、その作成の方法
によって必要となる特性の基準も若干異なるが、おおよ
そ以下のような耐溶剤性が必要になる。すなわち前述の
ように基板上に保護層を積層する場合には基板上でこの
ような耐溶剤性を発現する保護層を積層する事が好まし
い。
【００４８】耐有機溶剤性：タブレット作成時に透明導
電層上に印刷が行われる銀ペーストの溶剤として代表さ
れるトルエン（和光純薬工業社製、特級）をサンプル面
に数滴滴下し、２５℃で３分間放置後の表面の白濁、膨
潤、溶解等の外観変化を目視にて観察し、変化が確認さ
れない場合に耐有機溶剤性を有すると判定する。
電層上に印刷が行われる銀ペーストの溶剤として代表さ
れるトルエン（和光純薬工業社製、特級）をサンプル面
に数滴滴下し、２５℃で３分間放置後の表面の白濁、膨
潤、溶解等の外観変化を目視にて観察し、変化が確認さ
れない場合に耐有機溶剤性を有すると判定する。
【００４９】耐アルカリ性水溶液性：透明導電層のパタ
ーニング時のレジスト溶解に用いる３．５ｗｔ％の水酸
化ナトリウム水溶液をサンプル面に数滴滴下し、２５℃
で３分間放置後の表面の白濁、膨潤、溶解等の外観変化
を目視にて観察し、変化が確認されない場合に耐アルカ
リ性水溶液性を有すると判定する。
ーニング時のレジスト溶解に用いる３．５ｗｔ％の水酸
化ナトリウム水溶液をサンプル面に数滴滴下し、２５℃
で３分間放置後の表面の白濁、膨潤、溶解等の外観変化
を目視にて観察し、変化が確認されない場合に耐アルカ
リ性水溶液性を有すると判定する。
【００５０】耐酸性水溶液性：透明導電層のパターニン
グに用いるエッチング液（３５ｗｔ％塩化第２鉄水溶
液、３５ｗｔ％塩酸、水を１：１：１０の割合で混合し
たもの）をサンプル面に数滴滴下し、２５℃で３分間放
置後の表面の白濁、膨潤、溶解等の外観変化を目視にて
観察し、変化が確認されない場合に耐酸性水溶液性を有
すると判定する。
グに用いるエッチング液（３５ｗｔ％塩化第２鉄水溶
液、３５ｗｔ％塩酸、水を１：１：１０の割合で混合し
たもの）をサンプル面に数滴滴下し、２５℃で３分間放
置後の表面の白濁、膨潤、溶解等の外観変化を目視にて
観察し、変化が確認されない場合に耐酸性水溶液性を有
すると判定する。
【００５１】尚、透明タブレットの用途においてはハー
ドコート性は必須の特性項目ではないが、タブレットへ
の繰り返し入力に対する耐久性を高める目的、特に透明
導電層の抵抗値やリニアリティの変化、タブレットの安
定入力荷重値（ＯＮ荷重値）の増加、およびペン等によ
るタブレットへの入力に対する基板表面の傷付き、変形
等を抑制する目的において、ハードコート性が高い事が
好ましい場合が多い。
ドコート性は必須の特性項目ではないが、タブレットへ
の繰り返し入力に対する耐久性を高める目的、特に透明
導電層の抵抗値やリニアリティの変化、タブレットの安
定入力荷重値（ＯＮ荷重値）の増加、およびペン等によ
るタブレットへの入力に対する基板表面の傷付き、変形
等を抑制する目的において、ハードコート性が高い事が
好ましい場合が多い。
【００５２】これら耐久性を高める観点からハードコー
ト性としては、日本工業規格Ｋ５４００に定める所の鉛
筆硬度が少なくとも２Ｂ以上、より好ましくはＦ以上、
最も好ましくは２Ｈ以上である事が好ましい。すなわち
前述のように基板上に保護層を積層する場合には基板上
でこのようなハードコート性を発現する保護層を積層す
る事が好ましい。
ト性としては、日本工業規格Ｋ５４００に定める所の鉛
筆硬度が少なくとも２Ｂ以上、より好ましくはＦ以上、
最も好ましくは２Ｈ以上である事が好ましい。すなわち
前述のように基板上に保護層を積層する場合には基板上
でこのようなハードコート性を発現する保護層を積層す
る事が好ましい。
【００５３】このような特性を有する保護層としては樹
脂架橋層、例えば、アクリル系樹脂の放射線架橋層やフ
ェノキシ系樹脂の熱架橋層、エポキシ系樹脂の熱架橋層
およびケイ素アルコキシドの熱架橋層等の各種樹脂架橋
層が挙げられる。これらの中でも、アクリル系樹脂の放
射線架橋層は、放射線の照射により比較的短時間に架橋
度の高い層が得られる事から、製造プロセスへの負荷が
少ない特徴があり、最も好ましく用いられる。
脂架橋層、例えば、アクリル系樹脂の放射線架橋層やフ
ェノキシ系樹脂の熱架橋層、エポキシ系樹脂の熱架橋層
およびケイ素アルコキシドの熱架橋層等の各種樹脂架橋
層が挙げられる。これらの中でも、アクリル系樹脂の放
射線架橋層は、放射線の照射により比較的短時間に架橋
度の高い層が得られる事から、製造プロセスへの負荷が
少ない特徴があり、最も好ましく用いられる。
【００５４】放射線架橋型樹脂は、紫外線や電子線等の
放射線を照射する事によって架橋が進行する樹脂を指
し、単位構造内に２個以上のアクリロイル基を有する多
官能アクリレート成分を樹脂組成中に含有するアクリル
系樹脂が挙げられる。例えばトリメチロールプロパント
リアクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキ
サイド変性トリアクリレート、トリメチロールプロパン
プロピレンオキサイド変性トリアクリレート、イソシア
ヌル酸エチレンオキサイド変性トリアクリレート、ペン
タエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリス
リトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ
アクリレート等の各種アクリレートモノマーや、ポリエ
ステル変性もしくはウレタン変性、エポキシ変性の多官
能アクリレートオリゴマー等が本用途に好ましく用いら
れる。これらの樹脂は単独の組成で用いても、数種の混
合組成で用いても良く、また場合によっては、各種ケイ
素アルコキシドの加水分解物を組成中に適量添加するこ
とも好ましく行われる。
放射線を照射する事によって架橋が進行する樹脂を指
し、単位構造内に２個以上のアクリロイル基を有する多
官能アクリレート成分を樹脂組成中に含有するアクリル
系樹脂が挙げられる。例えばトリメチロールプロパント
リアクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキ
サイド変性トリアクリレート、トリメチロールプロパン
プロピレンオキサイド変性トリアクリレート、イソシア
ヌル酸エチレンオキサイド変性トリアクリレート、ペン
タエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリス
リトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ
アクリレート等の各種アクリレートモノマーや、ポリエ
ステル変性もしくはウレタン変性、エポキシ変性の多官
能アクリレートオリゴマー等が本用途に好ましく用いら
れる。これらの樹脂は単独の組成で用いても、数種の混
合組成で用いても良く、また場合によっては、各種ケイ
素アルコキシドの加水分解物を組成中に適量添加するこ
とも好ましく行われる。
【００５５】なお、紫外線照射によって樹脂層の架橋を
行う場合には公知の光反応開始剤が適量添加される。光
反応開始剤としては、例えばジエトキシアセトフェノ
ン、２−メチル−１−｛４−（メチルチオ）フェニル｝
−２−モルフォリノプロパン、２−ヒドロキシ−２−メ
チル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−ヒドロキ
シシクロヘキシルフェニルケトン等のアセトフェノン系
化合物；ベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベ
ンゾイン系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香
酸等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２、
４−ジクロロチオキサンソン等のチオキサンソン系化合
物等が挙げられる。
行う場合には公知の光反応開始剤が適量添加される。光
反応開始剤としては、例えばジエトキシアセトフェノ
ン、２−メチル−１−｛４−（メチルチオ）フェニル｝
−２−モルフォリノプロパン、２−ヒドロキシ−２−メ
チル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−ヒドロキ
シシクロヘキシルフェニルケトン等のアセトフェノン系
化合物；ベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベ
ンゾイン系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香
酸等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２、
４−ジクロロチオキサンソン等のチオキサンソン系化合
物等が挙げられる。
【００５６】また、フェノキシ系樹脂の熱架橋層として
は、下記式（１）で示されるフェノキシ樹脂、フェノキ
シエーテル樹脂、フェノキシエステル樹脂を多官能イソ
シアネート化合物で熱的に架橋させた層が挙げられる。
は、下記式（１）で示されるフェノキシ樹脂、フェノキ
シエーテル樹脂、フェノキシエステル樹脂を多官能イソ
シアネート化合物で熱的に架橋させた層が挙げられる。
【００５７】
【化１】
【００５８】ここでＲ1〜Ｒ6は、同一または異なる水素
または炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ7は炭素数２〜５
のアルキレン基、Ｘはエーテル基、エステル基、ｍは０
〜３の整数、ｎは２０〜３００の整数をそれぞれ意味す
る。そうした中でも特にＲ1、Ｒ2はメチル基、Ｒ3〜Ｒ6
は水素、Ｒ7はペンチレン基のものが、合成が容易で生
産性の面から好ましい。
または炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ7は炭素数２〜５
のアルキレン基、Ｘはエーテル基、エステル基、ｍは０
〜３の整数、ｎは２０〜３００の整数をそれぞれ意味す
る。そうした中でも特にＲ1、Ｒ2はメチル基、Ｒ3〜Ｒ6
は水素、Ｒ7はペンチレン基のものが、合成が容易で生
産性の面から好ましい。
【００５９】また、多官能イソシアネート化合物として
は、一分子中にイソシアネート基を二つ以上含有する化
合物であれば良く、以下のものが例示される。２，６−
トリレンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシ
アネート、トリレンジイソシアネート−トリメチロール
プロパンアダクト体、ｔ−シクロヘキサン−１，４−ジ
イソシアネート、ｍ−フェニレンジイソシアネート、ｐ
−フェニレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソ
シアネート、１，３，６−ヘキサメチレントリイソシア
ネート、イソホロンジイソシアネート、１，５−ナフタ
レンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、キ
シリレンジイソシアネート、水添キシリレンジイソシア
ネート、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネ−
ト、水添ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネー
ト、リジンジイソシアネート、リジンエステルトリイソ
シアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、
トリス（イソシアネートフェニル）チオホスフェート、
ｍ−テトラメチルキシリレンジイソシアネート、ｐ−テ
トラメチルキシリレンジイソシアネート、１，６，１１
−ウンデカントリイソシアネート、１，８−ジイソシア
ネート−４−イソシアネートメチルオクタン、ビシクロ
ヘプタントリイソシアネート、２，２，４−トリメチル
ヘキサメチレンジイソシアネート、２，４，４−トリメ
チルヘキサメチレンジイソシアネート等のポリイソシア
ネートおよびそれらの混合物あるいは多価アルコール付
加体等。この中でも特に汎用性、反応性の観点から２，
６−トリレンジイソシアネート、２，４−トリレンジイ
ソシアネート、トリレンジイソシアネート−トリメチロ
ールプロパンアダクト体、ヘキサメチレンジイソシアネ
ートが好ましい。
は、一分子中にイソシアネート基を二つ以上含有する化
合物であれば良く、以下のものが例示される。２，６−
トリレンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシ
アネート、トリレンジイソシアネート−トリメチロール
プロパンアダクト体、ｔ−シクロヘキサン−１，４−ジ
イソシアネート、ｍ−フェニレンジイソシアネート、ｐ
−フェニレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソ
シアネート、１，３，６−ヘキサメチレントリイソシア
ネート、イソホロンジイソシアネート、１，５−ナフタ
レンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、キ
シリレンジイソシアネート、水添キシリレンジイソシア
ネート、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネ−
ト、水添ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアネー
ト、リジンジイソシアネート、リジンエステルトリイソ
シアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、
トリス（イソシアネートフェニル）チオホスフェート、
ｍ−テトラメチルキシリレンジイソシアネート、ｐ−テ
トラメチルキシリレンジイソシアネート、１，６，１１
−ウンデカントリイソシアネート、１，８−ジイソシア
ネート−４−イソシアネートメチルオクタン、ビシクロ
ヘプタントリイソシアネート、２，２，４−トリメチル
ヘキサメチレンジイソシアネート、２，４，４−トリメ
チルヘキサメチレンジイソシアネート等のポリイソシア
ネートおよびそれらの混合物あるいは多価アルコール付
加体等。この中でも特に汎用性、反応性の観点から２，
６−トリレンジイソシアネート、２，４−トリレンジイ
ソシアネート、トリレンジイソシアネート−トリメチロ
ールプロパンアダクト体、ヘキサメチレンジイソシアネ
ートが好ましい。
【００６０】この他、反応促進剤として、公知のトリエ
チレンジアミン等の第三アミン、ジブチル錫ジラウレー
ト等の有機錫化合物を適量添加する事で架橋速度を向上
することが可能である。
チレンジアミン等の第三アミン、ジブチル錫ジラウレー
ト等の有機錫化合物を適量添加する事で架橋速度を向上
することが可能である。
【００６１】また、エポキシ系樹脂の熱架橋層として
は、各種のものが使用できるが、その中でも、下記式
（２）で示されるノボラック型のエポキシ樹脂を熱的に
架橋させた層が好ましい。
は、各種のものが使用できるが、その中でも、下記式
（２）で示されるノボラック型のエポキシ樹脂を熱的に
架橋させた層が好ましい。
【００６２】
【化２】
【００６３】ここで、Ｒ8は水素またはメチル基、Ｒ9は
水素またはグリシジルフェニルエーテル基を示す。ま
た、ｑは１〜５０までの整数を示すが、実際の所、ｑの
値は一般的に分布を持っていて特定しにくいが、平均の
数として大きい方が好ましく、３以上さらには５以上が
好ましい。
水素またはグリシジルフェニルエーテル基を示す。ま
た、ｑは１〜５０までの整数を示すが、実際の所、ｑの
値は一般的に分布を持っていて特定しにくいが、平均の
数として大きい方が好ましく、３以上さらには５以上が
好ましい。
【００６４】このようなエポキシ樹脂を架橋させる硬化
剤としては、公知のものが適用される。例えば、アミン
系ポリアミノアミド系、酸および酸無水物、イミダゾー
ル、メルカプタン、フェノール樹脂等の硬化剤が用いら
れる。これらの中でも、酸無水物および脂環族アミン類
が好ましく用いられ、さらに好ましくは酸無水物であ
る。酸無水物としては、メチルヘキサヒドロ無水フタル
酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸などの脂環族酸無
水物、無水フタル酸等の芳香族酸無水物、ドデセニル無
水フタル酸等の脂肪族酸無水物が挙げられるが、特にメ
チルヘキサヒドロ無水フタル酸が好ましい。尚、脂環族
アミンとしては、ビス（４−アミノ−３−メチルジシク
ロヘキシル）メタン、ジアミノシクロヘキシルメタン、
イソホロンジアミン等が挙げられ、特にビス（４−アミ
ノ−３−メチルジシクロヘキシル）メタンが好ましい。
剤としては、公知のものが適用される。例えば、アミン
系ポリアミノアミド系、酸および酸無水物、イミダゾー
ル、メルカプタン、フェノール樹脂等の硬化剤が用いら
れる。これらの中でも、酸無水物および脂環族アミン類
が好ましく用いられ、さらに好ましくは酸無水物であ
る。酸無水物としては、メチルヘキサヒドロ無水フタル
酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸などの脂環族酸無
水物、無水フタル酸等の芳香族酸無水物、ドデセニル無
水フタル酸等の脂肪族酸無水物が挙げられるが、特にメ
チルヘキサヒドロ無水フタル酸が好ましい。尚、脂環族
アミンとしては、ビス（４−アミノ−３−メチルジシク
ロヘキシル）メタン、ジアミノシクロヘキシルメタン、
イソホロンジアミン等が挙げられ、特にビス（４−アミ
ノ−３−メチルジシクロヘキシル）メタンが好ましい。
【００６５】ここで、硬化剤として酸無水物を用いた場
合、エポキシと酸無水物との硬化反応を促進する反応促
進剤を添加しても良い。反応促進剤としては、ベンジメ
チルアミン、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチ
ル）フェノール、ピリジン、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−１等の公知の第二、第三ア
ミン類やイミダゾール類等の硬化触媒が挙げられる。
合、エポキシと酸無水物との硬化反応を促進する反応促
進剤を添加しても良い。反応促進剤としては、ベンジメ
チルアミン、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチ
ル）フェノール、ピリジン、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−１等の公知の第二、第三ア
ミン類やイミダゾール類等の硬化触媒が挙げられる。
【００６６】また、ケイ素アルコキシドの熱架橋層とし
ては、２〜４官能性、さらに好ましくは３〜４官能性の
のケイ素アルコキシドを二種以上混合して用いることが
好ましく、これらをあらかじめ溶液中で適度に加水分解
ならびに脱水縮合を行なって適度にオリゴマー化させた
ものも好ましく用いられる。
ては、２〜４官能性、さらに好ましくは３〜４官能性の
のケイ素アルコキシドを二種以上混合して用いることが
好ましく、これらをあらかじめ溶液中で適度に加水分解
ならびに脱水縮合を行なって適度にオリゴマー化させた
ものも好ましく用いられる。
【００６７】使用可能なケイ素アルコキシドの例として
は、例えばテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラ
ン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシ
ラン、ジメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン、β−（３、４エポキシシク
ロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、ビニルトリメ
トキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−
アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン等が例示される。
は、例えばテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラ
ン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシ
ラン、ジメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン、β−（３、４エポキシシク
ロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、ビニルトリメ
トキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−
アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン等が例示される。
【００６８】これらのケイ素アルコキシドによる層は、
熱的に架橋が進行するが、必要に応じて紫外線等の活性
光線を塗膜に照射する事によって、架橋度をより高める
ことができる。
熱的に架橋が進行するが、必要に応じて紫外線等の活性
光線を塗膜に照射する事によって、架橋度をより高める
ことができる。
【００６９】尚、これらの保護層は有機高分子からなる
基板上に直接、もしくは適当な中間層を介して積層が為
される。こうした中間層としては例えば、保護層と基板
との密着性を向上させる機能を有する層や、後述するＫ
値が負の三次元屈折率特性を有する層等の各種の位相補
償層、基板に加わる応力（垂直応力、水平応力）を緩和
する粘弾性特性を有する層、例えば室温付近での貯蔵弾
性率がおよそ１ｋｇ／ｍｍ2以下であるような層や、水
分や空気の透過を防止する機能もしくは水分や空気を吸
収する機能を有する層、紫外線や赤外線を吸収する機能
を有する層、基板の帯電性を低下させる機能を有する層
等が好ましく挙げられる。
基板上に直接、もしくは適当な中間層を介して積層が為
される。こうした中間層としては例えば、保護層と基板
との密着性を向上させる機能を有する層や、後述するＫ
値が負の三次元屈折率特性を有する層等の各種の位相補
償層、基板に加わる応力（垂直応力、水平応力）を緩和
する粘弾性特性を有する層、例えば室温付近での貯蔵弾
性率がおよそ１ｋｇ／ｍｍ2以下であるような層や、水
分や空気の透過を防止する機能もしくは水分や空気を吸
収する機能を有する層、紫外線や赤外線を吸収する機能
を有する層、基板の帯電性を低下させる機能を有する層
等が好ましく挙げられる。
【００７０】これら保護層の基板への実際のコーティン
グ方法としては、前記の樹脂架橋物の前駆体組成物なら
びにフィラー等を各種有機溶剤に溶解して、濃度や粘度
を調節した塗液を用いて、被体上に塗工後、放射線の照
射や加熱処理等により層を架橋させる。塗工方式として
は例えば、マイクログラビヤコート法、マイヤーバーコ
ート法、ダイレクトグラビヤコート法、リバースロール
コート法、カーテンコート法、スプレーコート法、コン
マコート法、ダイコート法、ナイフコート法、スピンコ
ート法等の各種塗工方法が用いられる。
グ方法としては、前記の樹脂架橋物の前駆体組成物なら
びにフィラー等を各種有機溶剤に溶解して、濃度や粘度
を調節した塗液を用いて、被体上に塗工後、放射線の照
射や加熱処理等により層を架橋させる。塗工方式として
は例えば、マイクログラビヤコート法、マイヤーバーコ
ート法、ダイレクトグラビヤコート法、リバースロール
コート法、カーテンコート法、スプレーコート法、コン
マコート法、ダイコート法、ナイフコート法、スピンコ
ート法等の各種塗工方法が用いられる。
【００７１】さて本発明においては必要に応じて、有機
高分子からなる基板の表面もしくは基板上にコーティン
グされる各種のコーティング層の表面が適度に凹凸化さ
せる事も好ましく行われる。
高分子からなる基板の表面もしくは基板上にコーティン
グされる各種のコーティング層の表面が適度に凹凸化さ
せる事も好ましく行われる。
【００７２】この一つの目的として、基板もしくは前記
各種のコーティング層および透明導電層が積層された積
層基板の滑り性を向上させ、基板面と基板面もしくは平
板等に密着して動かなくなる現象、いわゆるブロッキン
グ現象を防止する事が挙げられ、電極の焼き付き現象の
防止、ロールｔｏロールのプロセスにおける基板の巻き
出し性、巻き取り性の向上、もしくは枚葉プロセスにお
ける加工台（平板）上の取り扱い性等を高める事ができ
る。
各種のコーティング層および透明導電層が積層された積
層基板の滑り性を向上させ、基板面と基板面もしくは平
板等に密着して動かなくなる現象、いわゆるブロッキン
グ現象を防止する事が挙げられ、電極の焼き付き現象の
防止、ロールｔｏロールのプロセスにおける基板の巻き
出し性、巻き取り性の向上、もしくは枚葉プロセスにお
ける加工台（平板）上の取り扱い性等を高める事ができ
る。
【００７３】又、もう一つの目的として、透明導電層の
表面で反射する光を適度に散乱させる事が挙げられる。
すなわち透明導電層の表面の平坦性が高い場合には、透
明タブレットとして相対配置される一対の透明電極基板
の透明導電層表面の反射光が相互干渉することに起因す
る光干渉縞（ニュートンリング）が肉眼で観察され、タ
ブレットの視認性が低下してしまう場合があるが、透明
導電層の表面が適度に凹凸を有している場合には光干渉
縞が不明瞭となり、視認性の低下が抑制できる。
表面で反射する光を適度に散乱させる事が挙げられる。
すなわち透明導電層の表面の平坦性が高い場合には、透
明タブレットとして相対配置される一対の透明電極基板
の透明導電層表面の反射光が相互干渉することに起因す
る光干渉縞（ニュートンリング）が肉眼で観察され、タ
ブレットの視認性が低下してしまう場合があるが、透明
導電層の表面が適度に凹凸を有している場合には光干渉
縞が不明瞭となり、視認性の低下が抑制できる。
【００７４】尚、本発明のように光学干渉層が積層され
る事によって透明導電層表面の反射率の低下が為された
場合には、比較的弱い凹凸の程度であっても光干渉縞が
効果的に抑制される特長がある。
る事によって透明導電層表面の反射率の低下が為された
場合には、比較的弱い凹凸の程度であっても光干渉縞が
効果的に抑制される特長がある。
【００７５】ここで本発明の透明導電性積層体の場合に
おいては、前記要件に好適な透明導電層表面の表面粗さ
は、中心線表面粗さＳＲａ値でおよそ０．０２〜０．０
５μｍの範囲が好適である。ＳＲａ値が０．０２μｍに
満たない場合には、前記の光干渉縞を不明瞭化する効果
が不十分になりやすく、逆に０．０５μｍを超える場合
には、透明導電層表面での光散乱性が著しく増加し、表
示画像のぼやけや積層体透過率の低下等の不利を生じ易
い。
おいては、前記要件に好適な透明導電層表面の表面粗さ
は、中心線表面粗さＳＲａ値でおよそ０．０２〜０．０
５μｍの範囲が好適である。ＳＲａ値が０．０２μｍに
満たない場合には、前記の光干渉縞を不明瞭化する効果
が不十分になりやすく、逆に０．０５μｍを超える場合
には、透明導電層表面での光散乱性が著しく増加し、表
示画像のぼやけや積層体透過率の低下等の不利を生じ易
い。
【００７６】更にもう一つの目的として、ペン等による
入力が行われる側の基板表面で反射する外来光（太陽
光、室内照明光など）を適度に散乱させる事により防眩
性を付与する事が挙げられる。すなわちこの入力が為さ
れる側の基板表面が平坦である高い場合には、該表面で
外来光が正反射するのでいわゆる映り込み現象が発生し
やすく、タブレットの視認性が低下してしまう場合が多
い。これに対し、該表面が適度に凹凸を有している場合
には外来光が該表面で適度に散乱反射され、前記映り込
み現象の抑制すなわち防眩性の発現が為される。
入力が行われる側の基板表面で反射する外来光（太陽
光、室内照明光など）を適度に散乱させる事により防眩
性を付与する事が挙げられる。すなわちこの入力が為さ
れる側の基板表面が平坦である高い場合には、該表面で
外来光が正反射するのでいわゆる映り込み現象が発生し
やすく、タブレットの視認性が低下してしまう場合が多
い。これに対し、該表面が適度に凹凸を有している場合
には外来光が該表面で適度に散乱反射され、前記映り込
み現象の抑制すなわち防眩性の発現が為される。
【００７７】尚、この入力が為される側の基板表面に、
主に波長４５０〜６５０ｎｍの領域の反射率を減じる機
能を有する光学干渉層を積層する事によっても前記の映
り込み現象の低減が実現できるので、場合によってはこ
うした光学干渉層を該表面に積層することも好ましく行
われる。この場合には該表面がある程度平坦であっても
構わないが、より好ましくは該表面が比較的弱い凹凸を
有している事が好ましい。こうした光学干渉層を形成す
る材料、形成法としては、前述の透明導電層の下地とし
て積層する光学干渉層と同様の材料、形成法が好ましく
用いられる。
主に波長４５０〜６５０ｎｍの領域の反射率を減じる機
能を有する光学干渉層を積層する事によっても前記の映
り込み現象の低減が実現できるので、場合によってはこ
うした光学干渉層を該表面に積層することも好ましく行
われる。この場合には該表面がある程度平坦であっても
構わないが、より好ましくは該表面が比較的弱い凹凸を
有している事が好ましい。こうした光学干渉層を形成す
る材料、形成法としては、前述の透明導電層の下地とし
て積層する光学干渉層と同様の材料、形成法が好ましく
用いられる。
【００７８】このように有機高分子からなる基板の表面
もしくは基板上にコーティングする保護層や光学干渉層
の表面が適度に凹凸化する方法としては各種のものがあ
るが、例えば凹凸が刻まれた鋳型を用いて前記基板や各
種コーティング層を成形および賦形する方法や、エンボ
ス加工やサンドブラスト加工等の機械的加工を加える方
法、前記基板や各種コーティング層内に適量の微粒子
（フィラー）を分散状態で混合させる方法等が挙げられ
る。
もしくは基板上にコーティングする保護層や光学干渉層
の表面が適度に凹凸化する方法としては各種のものがあ
るが、例えば凹凸が刻まれた鋳型を用いて前記基板や各
種コーティング層を成形および賦形する方法や、エンボ
ス加工やサンドブラスト加工等の機械的加工を加える方
法、前記基板や各種コーティング層内に適量の微粒子
（フィラー）を分散状態で混合させる方法等が挙げられ
る。
【００７９】特に基板上にコーティングされる保護層も
しくは光学干渉層内に適量の微粒子を分散状態で混合さ
せる方法が、工程の簡便性、安定性等の観点から最も好
適である。
しくは光学干渉層内に適量の微粒子を分散状態で混合さ
せる方法が、工程の簡便性、安定性等の観点から最も好
適である。
【００８０】この場合、微粒子の分散による塗膜強度の
低下や光散乱性の上昇、塗膜外観の悪化等を最小限に抑
える必要があるが、この目的において、微粒子の平均粒
径が塗膜の膜厚の約１．０〜２．０倍、より好ましくは
約１．０〜１．５倍、最も好ましくは１．１〜１．３倍
の範囲にある微粒子を用いる方法や、微粒子として平均
粒径が０．３μｍ以下のものを用い、塗膜内で微粒子が
およそ５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下の凝集径
で凝集するような樹脂成分と微粒子の組み合わせを用い
る方法等が挙げられる。
低下や光散乱性の上昇、塗膜外観の悪化等を最小限に抑
える必要があるが、この目的において、微粒子の平均粒
径が塗膜の膜厚の約１．０〜２．０倍、より好ましくは
約１．０〜１．５倍、最も好ましくは１．１〜１．３倍
の範囲にある微粒子を用いる方法や、微粒子として平均
粒径が０．３μｍ以下のものを用い、塗膜内で微粒子が
およそ５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下の凝集径
で凝集するような樹脂成分と微粒子の組み合わせを用い
る方法等が挙げられる。
【００８１】微粒子の混合量については、前者の方法で
は重量比率でおよそ０．０５〜５．０％、より好ましく
は０．１〜３．０％の範囲にあることが好ましい。混合
量が０．０５％に満たない場合には充分な滑り性が得ら
れない場合が多く、５．０％を越えると光散乱性が著し
く増加して、タブレットの視認性を低下させる場合が多
いので好ましくない。
は重量比率でおよそ０．０５〜５．０％、より好ましく
は０．１〜３．０％の範囲にあることが好ましい。混合
量が０．０５％に満たない場合には充分な滑り性が得ら
れない場合が多く、５．０％を越えると光散乱性が著し
く増加して、タブレットの視認性を低下させる場合が多
いので好ましくない。
【００８２】また後者の方法では微粒子の混合割合は重
量比率でおよそ０．５〜３０％、より好ましくは０．５
〜２０％の範囲にある事が好ましい。混合量が０．５％
に満たない場合には十分な滑り性で得られない場合が多
く、３０％を超えると光散乱性が著しく増加する場合が
多く、塗膜のクラック等を生じる場合があるので好まし
くない。
量比率でおよそ０．５〜３０％、より好ましくは０．５
〜２０％の範囲にある事が好ましい。混合量が０．５％
に満たない場合には十分な滑り性で得られない場合が多
く、３０％を超えると光散乱性が著しく増加する場合が
多く、塗膜のクラック等を生じる場合があるので好まし
くない。
【００８３】微粒子の種類としては、塗工液中で微粒子
の沈降が起こりにくいものを用いることが好ましく、具
体的には市販の有機シリコン微粒子や架橋アクリル微粒
子、架橋ポリスチレン微粒子等が好ましく用いられる。
の沈降が起こりにくいものを用いることが好ましく、具
体的には市販の有機シリコン微粒子や架橋アクリル微粒
子、架橋ポリスチレン微粒子等が好ましく用いられる。
【００８４】本発明によれば、上記透明導電性積層体を
少なくとも一方の電極基板として用いることにより、反
射及び着色が少なく、透明性が良好なタブレットを提供
するものである。ここで本発明の透明導電性積層体をタ
ブレットの一対の電極基板すなわち可動電極基板と固定
電極基板の両方に用いた場合に本発明の意図する効果が
特に著しくなるので最も好ましいが、可動電極基板と固
定電極基板の一方のみに用いても効果を得ることができ
る。例えば可動電極基板に本発明の透明導電性積層体を
用い、固定電極基板に従来の硝子板に透明電極を形成し
た硝子電極基板を用いたタブレットの構成等においても
良好な視認性を得ることができる。
少なくとも一方の電極基板として用いることにより、反
射及び着色が少なく、透明性が良好なタブレットを提供
するものである。ここで本発明の透明導電性積層体をタ
ブレットの一対の電極基板すなわち可動電極基板と固定
電極基板の両方に用いた場合に本発明の意図する効果が
特に著しくなるので最も好ましいが、可動電極基板と固
定電極基板の一方のみに用いても効果を得ることができ
る。例えば可動電極基板に本発明の透明導電性積層体を
用い、固定電極基板に従来の硝子板に透明電極を形成し
た硝子電極基板を用いたタブレットの構成等においても
良好な視認性を得ることができる。
【００８５】本発明によれば、本発明の上記透明導電性
積層体と同様の性能を示すものとして、特定の光学干渉
層を用いることにより、上記の問題点が解決されること
が明らかとなった。
積層体と同様の性能を示すものとして、特定の光学干渉
層を用いることにより、上記の問題点が解決されること
が明らかとなった。
【００８６】すなわち、第二に、有機高分子からなる基
板の少なくとも一方の面の最表面に透明導電層が積層さ
れてなる透明導電性積層体において、基板側から順に、
（Ａ２）屈折率が１．７から透明導電層の屈折率＋０．
３の範囲にある層（Ｈ2層）、（Ｂ２）屈折率が１．３
５〜１．５の範囲にある層（Ｌ2層）、（Ｃ）膜厚が１
２〜３０ｎｍの範囲にある透明導電層、が積層されてお
り、（Ｅ）該Ｌ2層表面の反射率は波長２６０〜３９０
ｎｍの範囲内に極小点を有し、（Ｆ）該透明導電層の積
層面の波長４５０〜６５０ｎｍの平均反射率が５．５％
以下であって、かつ（Ｇ）該積層体の透過光の日本工業
規格Ｚ８７２９号に定めるＬ*ａ*ｂ*表色系のクロマテ
ィクネス指数ｂ*値がおよそ０〜２の範囲にあることを
特徴とする透明導電性積層体によって達成される。
板の少なくとも一方の面の最表面に透明導電層が積層さ
れてなる透明導電性積層体において、基板側から順に、
（Ａ２）屈折率が１．７から透明導電層の屈折率＋０．
３の範囲にある層（Ｈ2層）、（Ｂ２）屈折率が１．３
５〜１．５の範囲にある層（Ｌ2層）、（Ｃ）膜厚が１
２〜３０ｎｍの範囲にある透明導電層、が積層されてお
り、（Ｅ）該Ｌ2層表面の反射率は波長２６０〜３９０
ｎｍの範囲内に極小点を有し、（Ｆ）該透明導電層の積
層面の波長４５０〜６５０ｎｍの平均反射率が５．５％
以下であって、かつ（Ｇ）該積層体の透過光の日本工業
規格Ｚ８７２９号に定めるＬ*ａ*ｂ*表色系のクロマテ
ィクネス指数ｂ*値がおよそ０〜２の範囲にあることを
特徴とする透明導電性積層体によって達成される。
【００８７】上記透明導電性積層体は、有機高分子から
なる基板上に、特定の光学干渉層があり、さらにその上
に透明導電層が形成されてなる。すなわち、少なくとも
基板側から、（Ａ２） Ｈ2層：屈折率が、１．７以上透
明導電層の屈折率よりおよそ０．３大きい屈折率の範囲
にある、（Ｂ２） Ｌ2層：屈折率が１．３５〜１．５の
範囲にある、（Ｃ）透明導電層：膜厚が１２〜３０ｎｍ
の範囲にある、とがこの順に積層されている。Ｈ2層お
よびＬ2層の屈折率が前記範囲を外れた場合には、Ｌ2層
上に積層されている透明導電層の表面の反射率を減じる
効果が低下してしまうので好ましくない。
なる基板上に、特定の光学干渉層があり、さらにその上
に透明導電層が形成されてなる。すなわち、少なくとも
基板側から、（Ａ２） Ｈ2層：屈折率が、１．７以上透
明導電層の屈折率よりおよそ０．３大きい屈折率の範囲
にある、（Ｂ２） Ｌ2層：屈折率が１．３５〜１．５の
範囲にある、（Ｃ）透明導電層：膜厚が１２〜３０ｎｍ
の範囲にある、とがこの順に積層されている。Ｈ2層お
よびＬ2層の屈折率が前記範囲を外れた場合には、Ｌ2層
上に積層されている透明導電層の表面の反射率を減じる
効果が低下してしまうので好ましくない。
【００８８】そして上記透明導電性積層体において、
（Ｅ）上記Ｌ2層は表面の反射率が波長２６０〜３９０
ｎｍの領域内に極小点を有することにより、色彩が良好
で反射率の低い透明導電性積層体を得ることができる。
（Ｅ）上記Ｌ2層は表面の反射率が波長２６０〜３９０
ｎｍの領域内に極小点を有することにより、色彩が良好
で反射率の低い透明導電性積層体を得ることができる。
【００８９】さらに、上記透明導電性積層体は、（Ｄ）
該３層の光学膜厚の和がおよそ１８０〜２３０ｎｍであ
るのが望ましい。ここで、光学膜厚とは、前記したよう
に層の屈折率と膜厚を乗じた値であり、Ｈ2層とＬ2層と
透明導電層との光学膜厚の和がおよそ１８０〜２３０ｎ
ｍになるような組み合わせで三つの層を積層することに
より、色彩が良好で反射率の低い透明導電性積層体を得
ることができる。
該３層の光学膜厚の和がおよそ１８０〜２３０ｎｍであ
るのが望ましい。ここで、光学膜厚とは、前記したよう
に層の屈折率と膜厚を乗じた値であり、Ｈ2層とＬ2層と
透明導電層との光学膜厚の和がおよそ１８０〜２３０ｎ
ｍになるような組み合わせで三つの層を積層することに
より、色彩が良好で反射率の低い透明導電性積層体を得
ることができる。
【００９０】Ｈ2層は、膜厚が２０〜９０ｎｍの範囲が
好適である。Ｌ2層は、膜厚が３０〜１１０ｎｍの範囲
が好適である。
好適である。Ｌ2層は、膜厚が３０〜１１０ｎｍの範囲
が好適である。
【００９１】上記透明導電性積層体を構成する透明導電
層、有機高分子からなる基板、保護層としては前記と同
じものが使用される。
層、有機高分子からなる基板、保護層としては前記と同
じものが使用される。
【００９２】さらに、本発明によれば、本発明の上記透
明導電性積層体と同様の性能を示すものとして、特定の
光学干渉層の単層を用いることにより、上記の問題点が
解決されることが明らかとなった。
明導電性積層体と同様の性能を示すものとして、特定の
光学干渉層の単層を用いることにより、上記の問題点が
解決されることが明らかとなった。
【００９３】すなわち本発明は、第三に、有機高分子か
らなる基板の少なくとも一方の面の最表面に透明導電層
が積層されてなる透明導電性積層体において、基板の屈
折率が１．７以上であって、少なくとも該基板側から順
に、（Ａ３）屈折率が１．３５〜１．５の範囲にあり膜
厚が１０〜３０ｎｍの範囲にある層（Ｌ3層）と、（Ｃ
３）膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にある透明導電層とが
積層されており、（Ｆ）該透明導電層の積層面の波長４
５０〜６５０ｎｍの平均反射率が５．５％以下であっ
て、かつ（Ｇ）該積層体の透過光の日本工業規格Ｚ８７
２９号に定めるＬ*ａ*ｂ*表色系のクロマティクネス指
数ｂ*値がおよそ０〜２の範囲にあることを特徴とする
透明導電性積層体によって達成される。
らなる基板の少なくとも一方の面の最表面に透明導電層
が積層されてなる透明導電性積層体において、基板の屈
折率が１．７以上であって、少なくとも該基板側から順
に、（Ａ３）屈折率が１．３５〜１．５の範囲にあり膜
厚が１０〜３０ｎｍの範囲にある層（Ｌ3層）と、（Ｃ
３）膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にある透明導電層とが
積層されており、（Ｆ）該透明導電層の積層面の波長４
５０〜６５０ｎｍの平均反射率が５．５％以下であっ
て、かつ（Ｇ）該積層体の透過光の日本工業規格Ｚ８７
２９号に定めるＬ*ａ*ｂ*表色系のクロマティクネス指
数ｂ*値がおよそ０〜２の範囲にあることを特徴とする
透明導電性積層体によって達成される。
【００９４】上記透明導電性積層体は、有機高分子から
なる基板上に、単層の特定の光学干渉層があり、さらに
その上に透明導電層が形成されてなる。すなわち、少な
くとも基板側から、（Ａ３）屈折率が１．３５〜１．５
の範囲にあり膜厚が１０〜３０ｎｍの範囲にある層（Ｌ
3層）と、（Ｃ３）膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にある
透明導電層とがこの順に積層されている。Ｌ3層の屈折
率が前記範囲を外れた場合には、Ｌ3層上に積層されて
いる透明導電層の表面の反射率を減じる効果が低下して
しまうので好ましくない。
なる基板上に、単層の特定の光学干渉層があり、さらに
その上に透明導電層が形成されてなる。すなわち、少な
くとも基板側から、（Ａ３）屈折率が１．３５〜１．５
の範囲にあり膜厚が１０〜３０ｎｍの範囲にある層（Ｌ
3層）と、（Ｃ３）膜厚が１２〜３０ｎｍの範囲にある
透明導電層とがこの順に積層されている。Ｌ3層の屈折
率が前記範囲を外れた場合には、Ｌ3層上に積層されて
いる透明導電層の表面の反射率を減じる効果が低下して
しまうので好ましくない。
【００９５】そして上記透明導電性積層体においては、
基板（光学干渉層の下地となる層）の屈折率が１．７以
上である場合、例えば二軸延伸ポリエチレンナフタレー
トフィルム（面内屈折率約１．７６）等の基板である場
合には、光学干渉層は、屈折率が１．３５〜１．５で膜
厚がおよそ１０〜３０ｎｍの範囲である単層構成とする
ことにより、透過率が高く色相が良好である。ここで基
板の屈折率が１．７未満である場合には、前記単層構成
の光学干渉層を積層した場合に積層体の透過光のｂ*値
を０〜２の範囲に収めることが困難になるが、基板の屈
折率が１．７以上である場合に限ってはｂ*値を０〜２
の範囲に収め、かつ透明導電層表面の反射率を５．５％
以下にすることが可能となる場合もある。
基板（光学干渉層の下地となる層）の屈折率が１．７以
上である場合、例えば二軸延伸ポリエチレンナフタレー
トフィルム（面内屈折率約１．７６）等の基板である場
合には、光学干渉層は、屈折率が１．３５〜１．５で膜
厚がおよそ１０〜３０ｎｍの範囲である単層構成とする
ことにより、透過率が高く色相が良好である。ここで基
板の屈折率が１．７未満である場合には、前記単層構成
の光学干渉層を積層した場合に積層体の透過光のｂ*値
を０〜２の範囲に収めることが困難になるが、基板の屈
折率が１．７以上である場合に限ってはｂ*値を０〜２
の範囲に収め、かつ透明導電層表面の反射率を５．５％
以下にすることが可能となる場合もある。
【００９６】そして上記透明導電性積層体において、上
記Ｌ3層は好ましくは表面の反射率が波長２６０〜３９
０ｎｍの領域内に極小点を有することにより、色彩が良
好で反射率の低い透明導電性積層体を得ることができ
る。
記Ｌ3層は好ましくは表面の反射率が波長２６０〜３９
０ｎｍの領域内に極小点を有することにより、色彩が良
好で反射率の低い透明導電性積層体を得ることができ
る。
【００９７】上記透明導電性積層体を構成する透明導電
層、有機高分子からなる基板、保護層としては前記と同
じものが使用される。
層、有機高分子からなる基板、保護層としては前記と同
じものが使用される。
【００９８】以下、本発明の実施例を示す。尚、以下の
実施例と比較例における各種特性の評価は次の要領にて
行った。
実施例と比較例における各種特性の評価は次の要領にて
行った。
【００９９】全光線透過率およびヘイズ値：日本電色工
業社製の測定器（商品名「ＣＯＨ−３００Ａ」）を用い
て測定を行った。
業社製の測定器（商品名「ＣＯＨ−３００Ａ」）を用い
て測定を行った。
【０１００】透過スペクトル、反射スペクトル、反射率
の測定、ならびに色彩（ｂ*値）の計算：日立製分光光
度計Ｕ３５００の積分球測定モードおよび計算プログラ
ムを用いて各スペクトルの測定ならびに色彩の計算を行
った。尚、測定光のサンプルへの入射角度は透過モード
では０度、反射モードでは１０度とし、反射モードでの
測定においてはサンプルの裏面側を市販の黒色スプレー
を用いて遮光層を形成し、サンプルの裏面反射や裏面側
からの光の入射がほとんどない状態で測定を行った。ま
た反射色彩の計算においては光源として日本工業規格Ｚ
８７２０に規定される標準の光Ｄ65を採用し、２度視野
の条件で測定を行った。
の測定、ならびに色彩（ｂ*値）の計算：日立製分光光
度計Ｕ３５００の積分球測定モードおよび計算プログラ
ムを用いて各スペクトルの測定ならびに色彩の計算を行
った。尚、測定光のサンプルへの入射角度は透過モード
では０度、反射モードでは１０度とし、反射モードでの
測定においてはサンプルの裏面側を市販の黒色スプレー
を用いて遮光層を形成し、サンプルの裏面反射や裏面側
からの光の入射がほとんどない状態で測定を行った。ま
た反射色彩の計算においては光源として日本工業規格Ｚ
８７２０に規定される標準の光Ｄ65を採用し、２度視野
の条件で測定を行った。
【０１０１】耐溶剤性の評価：明細書内の前記記載の方
法にて行った。
法にて行った。
【０１０２】ハードコート性の評価：日本工業規格Ｋ５
４００に準拠し、１ｋｇの荷重にて鉛筆硬度を測定し
た。
４００に準拠し、１ｋｇの荷重にて鉛筆硬度を測定し
た。
【０１０３】各層の屈折率と膜厚：光学干渉層および透
明導電層については、これらの層と屈折率が相違する適
当な熱可塑性フィルム基板上に同様のコーティング条件
で単層で積層し、該積層面の光反射スペクトル上に光干
渉効果に基づいて発現する反射率の極大ピークもしくは
極小ピークの波長とそのピーク反射率の値を用いて、光
学シミュレーションにより算出した。また保護層の屈折
率はアッベ屈折率計を用いて測定し、保護層の厚みは前
記の光学干渉層と同様の光干渉法を用いた計算により求
めた。
明導電層については、これらの層と屈折率が相違する適
当な熱可塑性フィルム基板上に同様のコーティング条件
で単層で積層し、該積層面の光反射スペクトル上に光干
渉効果に基づいて発現する反射率の極大ピークもしくは
極小ピークの波長とそのピーク反射率の値を用いて、光
学シミュレーションにより算出した。また保護層の屈折
率はアッベ屈折率計を用いて測定し、保護層の厚みは前
記の光学干渉層と同様の光干渉法を用いた計算により求
めた。
【０１０４】［実施例１］厚みが約７５μｍの二軸延伸
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（帝人
製ＨＳＬ−７５、面内屈折率約１．６４、鉛筆硬度Ｆ）
の片面に二層からなる光学干渉層を積層した。
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（帝人
製ＨＳＬ−７５、面内屈折率約１．６４、鉛筆硬度Ｆ）
の片面に二層からなる光学干渉層を積層した。
【０１０５】すなわちまずテトラブトキシチタネート
（日本曹達社製の商品名「Ｂ−４」）をリグロイン（和
光純薬工業社製の等級が一級品）とブタノール（和光純
薬工業社製の等級が特級品）の混合溶媒で希釈した塗液
を用いてロールコーティングし、１３０℃で２分間熱処
理して、膜厚約４１ｎｍ、屈折率約１．８２の層を形成
した。
（日本曹達社製の商品名「Ｂ−４」）をリグロイン（和
光純薬工業社製の等級が一級品）とブタノール（和光純
薬工業社製の等級が特級品）の混合溶媒で希釈した塗液
を用いてロールコーティングし、１３０℃で２分間熱処
理して、膜厚約４１ｎｍ、屈折率約１．８２の層を形成
した。
【０１０６】次に該層上に下記組成からなる塗液を用い
てロールコーティングし、１３０℃で５分間熱処理し
て、膜厚約５１ｎｍ、屈折率約１．４７の層を形成し
た。すなわち水７２０重量部と２−プロパノール１０８
０重量部と酢酸４６重量部を混合した後に、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製の商
品名「ＫＢＭ４０３」）４８０重量部とメチルトリメト
キシシラン（信越化学社製の商品名「ＫＢＭ１３」）２
４０重量部とＮ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン（信越化学社製の商品名「ＫＢＭ
６０３」）１２０重量部を順次混合し、３時間攪拌して
前記アルコキシシラン混合液の加水分解、部分縮合を行
い、さらにイソプロピルアルコールと１メトキシ２プロ
パノールの重量比率１：１の混合溶媒で希釈して該層形
成用の塗液とした。尚、この光学干渉層が積層されたフ
ィルムの表面の耐溶剤性は良好であった。
てロールコーティングし、１３０℃で５分間熱処理し
て、膜厚約５１ｎｍ、屈折率約１．４７の層を形成し
た。すなわち水７２０重量部と２−プロパノール１０８
０重量部と酢酸４６重量部を混合した後に、γ−グリシ
ドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製の商
品名「ＫＢＭ４０３」）４８０重量部とメチルトリメト
キシシラン（信越化学社製の商品名「ＫＢＭ１３」）２
４０重量部とＮ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピ
ルトリメトキシシラン（信越化学社製の商品名「ＫＢＭ
６０３」）１２０重量部を順次混合し、３時間攪拌して
前記アルコキシシラン混合液の加水分解、部分縮合を行
い、さらにイソプロピルアルコールと１メトキシ２プロ
パノールの重量比率１：１の混合溶媒で希釈して該層形
成用の塗液とした。尚、この光学干渉層が積層されたフ
ィルムの表面の耐溶剤性は良好であった。
【０１０７】次に、前記光学干渉層が積層されたフィル
ム表面に透明導電層を積層して透明導電性フィルムを作
製した。透明導電層としてはインジウム−錫の酸化物
（ＩＴＯ）を用い、ＤＣマグネトロンスパッタリング法
により膜厚が約２２ｎｍとなるように層を形成した。す
なわちターゲットとして酸化インジウムと酸化錫が重量
比９５：５の組成で充填密度が９８％のＩＴＯターゲッ
トを用い、スパッタ装置内に前記フィルムをセットした
後、１．３ｍＰａの圧力まで排気を行い、ついでＡｒと
Ｏ2の体積比９８．５：１．５の混合ガスを導入し、雰
囲気圧力を０．２７Ｐａにした。そしてフィルム温度を
５０℃、投入電力密度が１Ｗ／ｃｍ2の条件でスパッタ
リングを行い、前記光学干渉層上にＩＴＯによる透明導
電層を積層した。この透明導電層の表面抵抗は約２３０
Ω／□であり、屈折率はおよそ２．０であった。表１に
この透明導電性フィルムの光学特性について記す。
ム表面に透明導電層を積層して透明導電性フィルムを作
製した。透明導電層としてはインジウム−錫の酸化物
（ＩＴＯ）を用い、ＤＣマグネトロンスパッタリング法
により膜厚が約２２ｎｍとなるように層を形成した。す
なわちターゲットとして酸化インジウムと酸化錫が重量
比９５：５の組成で充填密度が９８％のＩＴＯターゲッ
トを用い、スパッタ装置内に前記フィルムをセットした
後、１．３ｍＰａの圧力まで排気を行い、ついでＡｒと
Ｏ2の体積比９８．５：１．５の混合ガスを導入し、雰
囲気圧力を０．２７Ｐａにした。そしてフィルム温度を
５０℃、投入電力密度が１Ｗ／ｃｍ2の条件でスパッタ
リングを行い、前記光学干渉層上にＩＴＯによる透明導
電層を積層した。この透明導電層の表面抵抗は約２３０
Ω／□であり、屈折率はおよそ２．０であった。表１に
この透明導電性フィルムの光学特性について記す。
【０１０８】［実施例２］厚みが約１８８μｍの二軸延
伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人製ＯＦＷ
−１８８、面内屈折率１．６５前後、鉛筆硬度Ｆ）の両
面に以下のように保護層を積層した以外は全く実施例１
と同様にして透明導電性フィルムを作成した。
伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人製ＯＦＷ
−１８８、面内屈折率１．６５前後、鉛筆硬度Ｆ）の両
面に以下のように保護層を積層した以外は全く実施例１
と同様にして透明導電性フィルムを作成した。
【０１０９】すなわち光学干渉層および透明導電層を積
層する側のフィルム面には、ポリエステルアクリレート
（東亜合成化学製Ｍ８５６０）５０重量部、ジペンタエ
リスリトールヘキサアクリレート（日本化薬製ＤＰＨ
Ａ）５０重量部、光開始剤（チバガイギー製イルガキュ
ア１８４）７重量部、レベリング剤としてシリコンオイ
ル（東レ・ダウケミカル製ＳＨ２８ＰＡ）０．０３重量
部、希釈溶剤として１メトキシ２プロパノール２００重
量部からなる塗液を用いてロールコーティングを行い、
６０℃で１分間溶剤を乾燥させた後にランプ強度が１６
０Ｗ／ｃｍの高圧水銀灯を用いて積算光量約６００ｍＪ
／ｃｍ2の条件で紫外線の照射を行ってコーティング層
を硬化させ、膜厚が約４．３μｍの表面が平滑な保護層
を積層した。
層する側のフィルム面には、ポリエステルアクリレート
（東亜合成化学製Ｍ８５６０）５０重量部、ジペンタエ
リスリトールヘキサアクリレート（日本化薬製ＤＰＨ
Ａ）５０重量部、光開始剤（チバガイギー製イルガキュ
ア１８４）７重量部、レベリング剤としてシリコンオイ
ル（東レ・ダウケミカル製ＳＨ２８ＰＡ）０．０３重量
部、希釈溶剤として１メトキシ２プロパノール２００重
量部からなる塗液を用いてロールコーティングを行い、
６０℃で１分間溶剤を乾燥させた後にランプ強度が１６
０Ｗ／ｃｍの高圧水銀灯を用いて積算光量約６００ｍＪ
／ｃｍ2の条件で紫外線の照射を行ってコーティング層
を硬化させ、膜厚が約４．３μｍの表面が平滑な保護層
を積層した。
【０１１０】また前記と反対側のフィルム面には、前記
塗液組成に更にフィラーとして平均粒径が約４．５μｍ
のシリコーン架橋微粒子（東芝シリコーン製トスパール
１４５）を２．０重量部添加してなる塗液を用いて、前
記と同様にコーティングを行い、膜厚が約４．１μｍで
表面に一様に微細な凹凸が形成された保護層を積層し
た。
塗液組成に更にフィラーとして平均粒径が約４．５μｍ
のシリコーン架橋微粒子（東芝シリコーン製トスパール
１４５）を２．０重量部添加してなる塗液を用いて、前
記と同様にコーティングを行い、膜厚が約４．１μｍで
表面に一様に微細な凹凸が形成された保護層を積層し
た。
【０１１１】これらの保護層の屈折率はアッベ屈折率計
によればおよそ１．５３前後であり、フィルム上での鉛
筆硬度はともに２Ｈで、耐溶剤性も良好であった。また
前記微細な凹凸が形成された保護層の表面は良好な防眩
性を有していた。
によればおよそ１．５３前後であり、フィルム上での鉛
筆硬度はともに２Ｈで、耐溶剤性も良好であった。また
前記微細な凹凸が形成された保護層の表面は良好な防眩
性を有していた。
【０１１２】更に前記の表面平滑な保護層上に実施例１
と全く同様に光学干渉層および透明導電層を積層して透
明導電性フィルムを作成した。表１に本フィルムの光学
特性について記す。
と全く同様に光学干渉層および透明導電層を積層して透
明導電性フィルムを作成した。表１に本フィルムの光学
特性について記す。
【０１１３】［実施例３］厚みが約７５μｍの二軸延伸
ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人製ＯＦＷ−
７５、屈折率１．６４、鉛筆硬度Ｆ）の両面に以下のよ
うに保護層を積層した以外は全く実施例１と同様にして
透明導電性フィルムを作成した。
ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人製ＯＦＷ−
７５、屈折率１．６４、鉛筆硬度Ｆ）の両面に以下のよ
うに保護層を積層した以外は全く実施例１と同様にして
透明導電性フィルムを作成した。
【０１１４】すなわち光学干渉層および透明導電層を積
層する側のフィルム面には、ポリエステルアクリレート
（東亜合成化学製Ｍ８５６０）５０重量部、ジペンタエ
リスリトールヘキサアクリレート（日本化薬製ＤＰＨ
Ａ）５０重量部、フィラーとして平均粒径が約３．０μ
ｍのシリコーン架橋微粒子（東芝シリコーン製トスパー
ル１３０）を１．０重量部、光開始剤（チバガイギー製
イルガキュア１８４）７重量部、レベリング剤としてシ
リコンオイル（東レ・ダウケミカル製ＳＨ２８ＰＡ）
０．０３重量部、希釈溶剤として１メトキシ２プロパノ
ール２００重量部からなる塗液を用いてロールコーティ
ングを行い、６０℃で１分間溶剤を乾燥させた後にラン
プ強度が１６０Ｗ／ｃｍの高圧水銀灯を用いて積算光量
約６００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線の照射を行ってコ
ーティング層を硬化させ、膜厚が約２．７μｍで表面に
一様に微細な凹凸が形成された保護層を積層した。
層する側のフィルム面には、ポリエステルアクリレート
（東亜合成化学製Ｍ８５６０）５０重量部、ジペンタエ
リスリトールヘキサアクリレート（日本化薬製ＤＰＨ
Ａ）５０重量部、フィラーとして平均粒径が約３．０μ
ｍのシリコーン架橋微粒子（東芝シリコーン製トスパー
ル１３０）を１．０重量部、光開始剤（チバガイギー製
イルガキュア１８４）７重量部、レベリング剤としてシ
リコンオイル（東レ・ダウケミカル製ＳＨ２８ＰＡ）
０．０３重量部、希釈溶剤として１メトキシ２プロパノ
ール２００重量部からなる塗液を用いてロールコーティ
ングを行い、６０℃で１分間溶剤を乾燥させた後にラン
プ強度が１６０Ｗ／ｃｍの高圧水銀灯を用いて積算光量
約６００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線の照射を行ってコ
ーティング層を硬化させ、膜厚が約２．７μｍで表面に
一様に微細な凹凸が形成された保護層を積層した。
【０１１５】また前記と反対側のフィルム面には、前記
塗液組成のシリコーン架橋微粒子を混合していない組成
の塗液を用いて、前記と同様にコーティングを行い、膜
厚が約２．７μｍの表面の平滑な保護層を積層した。
塗液組成のシリコーン架橋微粒子を混合していない組成
の塗液を用いて、前記と同様にコーティングを行い、膜
厚が約２．７μｍの表面の平滑な保護層を積層した。
【０１１６】これらの保護層のフィルム上での鉛筆硬度
はともにＨないしは２Ｈであり、耐溶剤性も良好であっ
た。
はともにＨないしは２Ｈであり、耐溶剤性も良好であっ
た。
【０１１７】更に、前記の表面に一様に凹凸が形成され
た保護層上に実施例１と全く同様に光学干渉層および透
明導電層を積層して透明導電性フィルムを作成した。本
フィルムの光学特性を表１に記す。
た保護層上に実施例１と全く同様に光学干渉層および透
明導電層を積層して透明導電性フィルムを作成した。本
フィルムの光学特性を表１に記す。
【０１１８】この透明導電性フィルムを可動電極基板と
して用い、固定電極基板として厚みが１．１ｍｍで片面
にＩＴＯによる透明導電層が積層された硝子板を用い
て、公知の方法で作成した透明タブレットを市販の三波
長蛍光ランプ下で観察したところ、光干渉縞（ニュート
ンリング）の発生は観られず、非常に視認性に優れてい
た。
して用い、固定電極基板として厚みが１．１ｍｍで片面
にＩＴＯによる透明導電層が積層された硝子板を用い
て、公知の方法で作成した透明タブレットを市販の三波
長蛍光ランプ下で観察したところ、光干渉縞（ニュート
ンリング）の発生は観られず、非常に視認性に優れてい
た。
【０１１９】［実施例４］実施例３において積層したチ
タンアルコキシドの硬化層の膜厚を４７ｎｍとし、珪素
アルコキシドの硬化層の膜厚を５７ｎｍとした以外は全
く実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作成し
た。本フィルムの光学特性を表１に記す。
タンアルコキシドの硬化層の膜厚を４７ｎｍとし、珪素
アルコキシドの硬化層の膜厚を５７ｎｍとした以外は全
く実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作成し
た。本フィルムの光学特性を表１に記す。
【０１２０】［実施例５］実施例３において積層したチ
タンアルコキシドの硬化層の膜厚を７４ｎｍとし、珪素
アルコキシドの硬化層の膜厚を３０ｎｍとした以外は全
く実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作成し
た。本フィルムの光学特性を表１に記す。
タンアルコキシドの硬化層の膜厚を７４ｎｍとし、珪素
アルコキシドの硬化層の膜厚を３０ｎｍとした以外は全
く実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作成し
た。本フィルムの光学特性を表１に記す。
【０１２１】［実施例６］実施例３において積層したチ
タンアルコキシドの硬化層の膜厚を３８ｎｍとし、珪素
アルコキシドの硬化層の膜厚を４７ｎｍとした以外は全
く実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作成し
た。本フィルムの光学特性を表１に記す。
タンアルコキシドの硬化層の膜厚を３８ｎｍとし、珪素
アルコキシドの硬化層の膜厚を４７ｎｍとした以外は全
く実施例１と同様にして透明導電性フィルムを作成し
た。本フィルムの光学特性を表１に記す。
【０１２２】［実施例７］実施例３において積層したチ
タンアルコキシドの硬化層の膜厚を５３ｎｍとし、珪素
アルコキシドの硬化層の膜厚を６５ｎｍとし、透明導電
層の膜厚を１５ｎｍとした以外は全く実施例１と同様に
して透明導電性フィルムを作成した。本フィルムの光学
特性を表１に記す。
タンアルコキシドの硬化層の膜厚を５３ｎｍとし、珪素
アルコキシドの硬化層の膜厚を６５ｎｍとし、透明導電
層の膜厚を１５ｎｍとした以外は全く実施例１と同様に
して透明導電性フィルムを作成した。本フィルムの光学
特性を表１に記す。
【０１２３】［実施例８］実施例３において表面に一様
に凹凸が形成された保護層上に、ＲＦマグネトロンスパ
ッタリング法により膜厚が約３４ｎｍ、屈折率が約２．
２の酸化ジルコニウム層を形成した。すなわちターゲッ
トとして充填密度９０％の酸化チタンのターゲットを用
い、スパッタ装置内に前記フィルムをセットした後、１
ｍＰａの圧力まで排気を行い、ついでＡｒとＯ2の体積
比９８：２の混合ガスを導入し、雰囲気圧力を０．２７
Ｐａにした。そしてフィルム温度を５０℃、投入電力密
度が１Ｗ／ｃｍ2の条件でスパッタリングを行い、酸化
ジルコニウム層を積層した。
に凹凸が形成された保護層上に、ＲＦマグネトロンスパ
ッタリング法により膜厚が約３４ｎｍ、屈折率が約２．
２の酸化ジルコニウム層を形成した。すなわちターゲッ
トとして充填密度９０％の酸化チタンのターゲットを用
い、スパッタ装置内に前記フィルムをセットした後、１
ｍＰａの圧力まで排気を行い、ついでＡｒとＯ2の体積
比９８：２の混合ガスを導入し、雰囲気圧力を０．２７
Ｐａにした。そしてフィルム温度を５０℃、投入電力密
度が１Ｗ／ｃｍ2の条件でスパッタリングを行い、酸化
ジルコニウム層を積層した。
【０１２４】次にＤＣマグネトロンスパッタリング法に
より膜厚が５１ｎｍ、屈折率が約１．４６の酸化珪素層
を形成した。すなわちターゲットとして珪素のターゲッ
トを用い、スパッタ装置内に前記フィルムをセットした
後、１ｍＰａの圧力まで排気を行い、ついでＡｒとＯ2
の体積比７０：３０の混合ガスを導入し、雰囲気圧力を
０．２７Ｐａにした。そしてフィルム温度を５０℃、投
入電力密度が１Ｗ／ｃｍ2の条件でスパッタリングを行
い、酸化珪素層を積層した。
より膜厚が５１ｎｍ、屈折率が約１．４６の酸化珪素層
を形成した。すなわちターゲットとして珪素のターゲッ
トを用い、スパッタ装置内に前記フィルムをセットした
後、１ｍＰａの圧力まで排気を行い、ついでＡｒとＯ2
の体積比７０：３０の混合ガスを導入し、雰囲気圧力を
０．２７Ｐａにした。そしてフィルム温度を５０℃、投
入電力密度が１Ｗ／ｃｍ2の条件でスパッタリングを行
い、酸化珪素層を積層した。
【０１２５】その後実施例１と全く同様に酸化インジウ
ムによる膜厚２２ｎｍ、屈折率２．０の透明導電層を積
層して透明導電性フィルムを作成した。本フィルムの光
学特性を表１に記す。
ムによる膜厚２２ｎｍ、屈折率２．０の透明導電層を積
層して透明導電性フィルムを作成した。本フィルムの光
学特性を表１に記す。
【０１２６】［実施例９］基板として厚みが約１００μ
ｍのポリカーボネートフィルム（帝人製ピュアエース、
屈折率１．５８６、鉛筆硬度６Ｂ以下、面内リタデーシ
ョン１０ｎｍ以下）の両面に実施例３と全く同様に保護
層を積層し、更に実施例３と全く同様に片面の保護層上
に光学干渉層と透明導電層を積層して透明導電性フィル
ムを作成した。これらの保護層のフィルム上での鉛筆硬
度はともにＢであり、耐溶剤性も良好であった。本フィ
ルムの光学特性を表１に記す。
ｍのポリカーボネートフィルム（帝人製ピュアエース、
屈折率１．５８６、鉛筆硬度６Ｂ以下、面内リタデーシ
ョン１０ｎｍ以下）の両面に実施例３と全く同様に保護
層を積層し、更に実施例３と全く同様に片面の保護層上
に光学干渉層と透明導電層を積層して透明導電性フィル
ムを作成した。これらの保護層のフィルム上での鉛筆硬
度はともにＢであり、耐溶剤性も良好であった。本フィ
ルムの光学特性を表１に記す。
【０１２７】［比較例１］実施例３においてチタンアル
コキシドの硬化層および珪素アルコキシドの硬化層を積
層せず、ＰＥＴフィルム上に直接透明導電層を積層した
以外は全く実施例３と同様にして透明導電性フィルムを
作成した。本フィルムの光学特性を表１に記す。
コキシドの硬化層および珪素アルコキシドの硬化層を積
層せず、ＰＥＴフィルム上に直接透明導電層を積層した
以外は全く実施例３と同様にして透明導電性フィルムを
作成した。本フィルムの光学特性を表１に記す。
【０１２８】［比較例２］実施例３において積層したチ
タンアルコキシドの硬化層の膜厚を５５ｎｍとし、珪素
アルコキシドの硬化層の膜厚を６６ｎｍとした以外は全
く実施例３と同様にして透明導電性フィルムを作成し
た。本フィルムの光学特性を表１に記す。
タンアルコキシドの硬化層の膜厚を５５ｎｍとし、珪素
アルコキシドの硬化層の膜厚を６６ｎｍとした以外は全
く実施例３と同様にして透明導電性フィルムを作成し
た。本フィルムの光学特性を表１に記す。
【０１２９】［比較例３］実施例３において積層したチ
タンアルコキシドの硬化層の膜厚を３４ｎｍとし、珪素
アルコキシドの硬化層の膜厚を４２ｎｍとした以外は全
く実施例３と同様にして透明導電性フィルムを作成し
た。本フィルムの光学特性を表１に記す。
タンアルコキシドの硬化層の膜厚を３４ｎｍとし、珪素
アルコキシドの硬化層の膜厚を４２ｎｍとした以外は全
く実施例３と同様にして透明導電性フィルムを作成し
た。本フィルムの光学特性を表１に記す。
【０１３０】［比較例４］比較例１と同様に、チタンア
ルコキシドの硬化層および珪素アルコキシドの硬化層を
積層せず、ＰＥＴフィルム上に直接透明導電層を積層
し、透明導電層の膜厚を１５ｎｍにした以外は全く比較
例１と同様にして透明導電性フィルムを作成した。本フ
ィルムの光学特性を表１に記す。
ルコキシドの硬化層および珪素アルコキシドの硬化層を
積層せず、ＰＥＴフィルム上に直接透明導電層を積層
し、透明導電層の膜厚を１５ｎｍにした以外は全く比較
例１と同様にして透明導電性フィルムを作成した。本フ
ィルムの光学特性を表１に記す。
【０１３１】［実施例１０］厚みが約１００μｍの二軸
延伸ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム（面
内屈折率約１．７６、鉛筆硬度Ｆ）の片面に単層からな
る光学干渉層を積層した。すなわち実施例１で用いたの
と同様の珪素アルコキシドによる塗液を用いてロールコ
ーティングし、１３０℃で５分間熱処理して、膜厚約２
５ｎｍ、屈折率約１．４７の層を形成した。
延伸ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム（面
内屈折率約１．７６、鉛筆硬度Ｆ）の片面に単層からな
る光学干渉層を積層した。すなわち実施例１で用いたの
と同様の珪素アルコキシドによる塗液を用いてロールコ
ーティングし、１３０℃で５分間熱処理して、膜厚約２
５ｎｍ、屈折率約１．４７の層を形成した。
【０１３２】次に実施例７と同様に膜厚が約１５ｎｍの
ＩＴＯからなる透明導電層を積層して透明導電性フィル
ムを作製した。本フィルムの光学特性を表１に示す。
ＩＴＯからなる透明導電層を積層して透明導電性フィル
ムを作製した。本フィルムの光学特性を表１に示す。
【０１３３】
【表１】
【０１３４】注）反射率の測定値は迷光やサンプルの裏
面反射等の影響により、実際の値より若干大きい値を示
す傾向にある。（測定誤差はおよそ０．３％以内）
面反射等の影響により、実際の値より若干大きい値を示
す傾向にある。（測定誤差はおよそ０．３％以内）
【０１３５】
【発明の効果】本発明の透明導電性積層体は、透明導電
層表面の反射率が低く、かつ積層体の透過光の着色が少
ないという特長を有し、この透明導電性積層体を用いて
作成した透明タブレットでは非常に優れた視認性を得る
ことができる。
層表面の反射率が低く、かつ積層体の透過光の着色が少
ないという特長を有し、この透明導電性積層体を用いて
作成した透明タブレットでは非常に優れた視認性を得る
ことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｂ 5/14 Ｈ０１Ｂ 5/14 Ａ Ｆターム(参考） 2H092 GA62 HA03 NA25 NA28 PA01 PA10 4F100 AA20B AA20C AA21B AA21C AK01A AK42A AR00B AR00C AR00D BA04 BA07 BA25 EJ38A GB41 JG01B JG01C JG01D JN01B JN01C JN01D JN06B JN06C JN06D JN18C JN30B JN30C JN30D YY00B YY00C YY00D 4K029 AA11 AA24 BA50 BB02 BC09 EA01 GA03 5B068 AA22 AA32 BC08 BC13 5G307 FA02 FB01 FC08 FC09
Claims (12)
- 【請求項１】 有機高分子からなる基板の少なくとも一
方の面の最表面に透明導電層が積層されてなる透明導電
性積層体において、基板側から順に、（Ａ１）屈折率が
１．７から透明導電層の屈折率＋０．３の範囲にあり膜
厚が２０〜９０ｎｍの範囲にある層（Ｈ1層）、（Ｂ
１）屈折率が１．３５〜１．５の範囲にあり膜厚が３０
〜１１０ｎｍの範囲にある層（Ｌ1層）、（Ｃ）膜厚が
１２〜３０ｎｍの範囲にある透明導電層、が積層されて
おり、（Ｄ）該３層の光学膜厚の和がおよそ１８０〜２
３０ｎｍの範囲であり、（Ｆ）該透明導電層の積層面の
波長４５０〜６５０ｎｍにおける平均反射率が５．５％
以下であって、かつ（Ｇ）該積層体の透過光の日本工業
規格Ｚ８７２９号に定めるＬ*ａ*ｂ*表色系のクロマテ
ィクネス指数ｂ*値がおよそ０〜２の範囲にあることを
特徴とする透明導電性積層体。 - 【請求項２】 Ｈ1層および／またはＬ1層が、主として
金属アルコキシドを加水分解および縮合してなる層であ
ることを特徴とする請求項１記載の透明導電性積層体。 - 【請求項３】 Ｌ1層が主としてケイ素アルコキシドを
加水分解ならびに縮合してなる層であり、Ｈ1層が主と
してチタニウムアルコキシドおよび／またはジルコニウ
ムアルコキシドを加水分解ならびに縮合してなる層であ
ることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載
の透明導電性積層体。 - 【請求項４】 （Ｅ）該Ｌ1層表面の反射率は波長２６
０〜３９０ｎｍの範囲内に極小点を有する請求項１〜３
のいずれかに記載の透明導電性積層体。 - 【請求項５】 有機高分子からなる基板の少なくとも一
方の面の最表面に透明導電層が積層されてなる透明導電
性積層体において、基板側から順に、（Ａ２）屈折率が
１．７から透明導電層の屈折率＋０．３の範囲にある層
（Ｈ2層）、（Ｂ２）屈折率が１．３５〜１．５の範囲
にある層（Ｌ2層）、（Ｃ）膜厚が１２〜３０ｎｍの範
囲にある透明導電層、が積層されており、（Ｅ）該Ｌ2
層表面の反射率は波長２６０〜３９０ｎｍの範囲内に極
小点を有し、（Ｆ）該透明導電層の積層面の波長４５０
〜６５０ｎｍの平均反射率が５．５％以下であって、か
つ（Ｇ）該積層体の透過光の日本工業規格Ｚ８７２９号
に定めるＬ*ａ*ｂ*表色系のクロマティクネス指数ｂ*値
がおよそ０〜２の範囲にあることを特徴とする透明導電
性積層体。 - 【請求項６】 Ｈ2層および／またはＬ2層が、主として
金属アルコキシドを加水分解および縮合してなる層であ
ることを特徴とする請求項５記載の透明導電性積層体。 - 【請求項７】 Ｌ2層が主としてケイ素アルコキシドを
加水分解ならびに縮合してなる層であり、Ｈ2層が主と
してチタニウムアルコキシドおよび／またはジルコニウ
ムアルコキシドを加水分解ならびに縮合してなる層であ
ることを特徴とする請求項５または６記載の透明導電性
積層体。 - 【請求項８】 （Ｄ）該３層の光学膜厚の和がおよそ１
８０〜２３０ｎｍの範囲である請求項５〜７のいずれか
に記載の透明導電性積層体。 - 【請求項９】 有機高分子からなる基板の片面もしくは
両面に樹脂架橋層からなる保護層が積層されていること
を特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の透明導電
性積層体。 - 【請求項１０】 有機高分子からなる基板の少なくとも
一方の面の最表面に透明導電層が積層されてなる透明導
電性積層体において、基板の屈折率が１．７以上であっ
て、少なくとも該基板側から順に、（Ａ３）屈折率が
１．３５〜１．５の範囲にあり膜厚が１０〜３０ｎｍの
範囲にある層（Ｌ3層）と、（Ｃ３）膜厚が１２〜３０
ｎｍの範囲にある透明導電層とが積層されており、
（Ｆ）該透明導電層の積層面の波長４５０〜６５０ｎｍ
の平均反射率が５．５％以下であって、かつ（Ｇ）該積
層体の透過光の日本工業規格Ｚ８７２９号に定めるＬ*
ａ*ｂ*表色系のクロマティクネス指数ｂ*値がおよそ０
〜２の範囲にあることを特徴とする透明導電性積層体。 - 【請求項１１】 Ｌ3層が主としてケイ素アルコキシド
を加水分解ならびに縮合してなる層であることを特徴と
する請求項１０記載の透明導電性積層体。 - 【請求項１２】 二枚の透明電極基板が電極面を相対し
て配置される透明タブレットにおいて、少なくとも一方
の透明電極基板として請求項１〜１１のに記載の透明導
電性積層体を用いたことを特徴とする透明タブレット。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP11095199A JP3626624B2 (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 透明導電性積層体および透明タブレット |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11095199A JP3626624B2 (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 透明導電性積層体および透明タブレット |
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|---|---|
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ID=14548686
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| JP11095199A Expired - Fee Related JP3626624B2 (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 透明導電性積層体および透明タブレット |
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-
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