JP2000355769A - クリーニングガスの除害方法および除害装置 - Google Patents
クリーニングガスの除害方法および除害装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜形成装置などをクリーニングする際、除害
処理を必要とするガスが排出されるのを防止する。 【解決手段】 膜形成室を浄化するためのクリーニング
ガスを導入してプラズマを発生させクリーニングガスを
分解して膜形成室の浄化を行う本工程に先立って、排出
上除害の必要がなくクリーニングガスとは異なる所定の
ガスを導入して、クリーニングガスの導入に先立って予
めプラズマを発生させておく。又は、本工程に続いて、
排出上除害の必要がなくクリーニングガスとは異なる所
定のガスを導入して、本工程に引き続いてプラズマを発
生させる。
処理を必要とするガスが排出されるのを防止する。 【解決手段】 膜形成室を浄化するためのクリーニング
ガスを導入してプラズマを発生させクリーニングガスを
分解して膜形成室の浄化を行う本工程に先立って、排出
上除害の必要がなくクリーニングガスとは異なる所定の
ガスを導入して、クリーニングガスの導入に先立って予
めプラズマを発生させておく。又は、本工程に続いて、
排出上除害の必要がなくクリーニングガスとは異なる所
定のガスを導入して、本工程に引き続いてプラズマを発
生させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電子回路装置形
成用の膜を生成させる膜形成室をクリーニングするため
のクリーニングガスの除害方法に関するものである。さ
らに詳しくは、半導体素子、液晶表示素子などに代表さ
れる機能部品を形成するのに用いられる薄膜形成工程に
おける薄膜形成クリーニングガスの除害方法に関するも
のである。
成用の膜を生成させる膜形成室をクリーニングするため
のクリーニングガスの除害方法に関するものである。さ
らに詳しくは、半導体素子、液晶表示素子などに代表さ
れる機能部品を形成するのに用いられる薄膜形成工程に
おける薄膜形成クリーニングガスの除害方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子、液晶素子などの電子装置の
製造工程において、化学気相成長（ＣVD；Chemical Vap
or Deposition）法で、シリコン酸化（SiO）膜、シリコ
ン窒化（SiN）膜、シリコン（Si）膜、タングステン
（Ｗ）膜、タングステンシリサイド（WSi）膜等の薄膜
を、薄膜形成室において形成することは必須の工程にな
っている。薄膜形成室において、製造工程途上の素子に
薄膜を形成するとき、薄膜形成室内に膜が徐々に蓄積し
て堆積し、これらが剥がれて発塵源となって素子形成の
ための膜の欠陥が増加するおそれがある。これを防止す
るためには、薄膜形成室の内部を定期的にクリーニング
する必要がある。このクリーニングガスは最終的には大
気中に排気されるが、例えば三フッ化窒素（ＮＦ3）の
場合、最終排気段階ではppmオーダーの許容濃度にする
必要がある。
製造工程において、化学気相成長（ＣVD；Chemical Vap
or Deposition）法で、シリコン酸化（SiO）膜、シリコ
ン窒化（SiN）膜、シリコン（Si）膜、タングステン
（Ｗ）膜、タングステンシリサイド（WSi）膜等の薄膜
を、薄膜形成室において形成することは必須の工程にな
っている。薄膜形成室において、製造工程途上の素子に
薄膜を形成するとき、薄膜形成室内に膜が徐々に蓄積し
て堆積し、これらが剥がれて発塵源となって素子形成の
ための膜の欠陥が増加するおそれがある。これを防止す
るためには、薄膜形成室の内部を定期的にクリーニング
する必要がある。このクリーニングガスは最終的には大
気中に排気されるが、例えば三フッ化窒素（ＮＦ3）の
場合、最終排気段階ではppmオーダーの許容濃度にする
必要がある。
【０００３】図８は、従来の工場全体のガス排出設備の
概念を説明するための図である。図８において、１０は
タングステン膜形成用熱ＣＶＤ装置、２１はポンプ、２
２はＮＦ3除害装置、２３は工場除害装置、２４及び２
５は他の薄膜形成装置を示す。図８に示すように、実際
の工場では、薄膜形成装置１０，２４，２５などが多数
あり、これらそれぞれの薄膜形成装置等からガスが排出
される。これらの排気は、工場除害装置２３に接続され
て集められ、除害処理が施されて安全なレベルに管理さ
れてから大気に放出される。
概念を説明するための図である。図８において、１０は
タングステン膜形成用熱ＣＶＤ装置、２１はポンプ、２
２はＮＦ3除害装置、２３は工場除害装置、２４及び２
５は他の薄膜形成装置を示す。図８に示すように、実際
の工場では、薄膜形成装置１０，２４，２５などが多数
あり、これらそれぞれの薄膜形成装置等からガスが排出
される。これらの排気は、工場除害装置２３に接続され
て集められ、除害処理が施されて安全なレベルに管理さ
れてから大気に放出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この場合、例えば、タ
ングステン（Ｗ）膜形成用熱ＣＶＤ装置１０の排気は、
工場除害装置２３との間に、単独で専用の除害装置２２
を保有し、他のガスとの混合に対して安全な濃度にして
から、工場除害装置２３に排気している。また、タング
ステン（Ｗ）膜形成用熱ＣＶＤ装置１０でプラズマが発
生していない場合、膜形成室クリーニングガスはほとん
ど分解されておらず、これを分解するために専用除害装
置２２を設置する必要があった。
ングステン（Ｗ）膜形成用熱ＣＶＤ装置１０の排気は、
工場除害装置２３との間に、単独で専用の除害装置２２
を保有し、他のガスとの混合に対して安全な濃度にして
から、工場除害装置２３に排気している。また、タング
ステン（Ｗ）膜形成用熱ＣＶＤ装置１０でプラズマが発
生していない場合、膜形成室クリーニングガスはほとん
ど分解されておらず、これを分解するために専用除害装
置２２を設置する必要があった。
【０００５】従って、例えば、タングステン（Ｗ）膜形
成用熱ＣＶＤ装置のような薄膜形成装置の場合、薄膜形
成装置の購入時点において、合わせてそれ専用の単独除
害装置を購入し、かつその運転コストを負担することが
必要であった。
成用熱ＣＶＤ装置のような薄膜形成装置の場合、薄膜形
成装置の購入時点において、合わせてそれ専用の単独除
害装置を購入し、かつその運転コストを負担することが
必要であった。
【０００６】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、膜形成装置など処理装置のクリー
ニングに際し、除害処理を必要とするガスが排出される
のを防止し、工場排気の安全レベルを高め、かつ、専用
の除害装置の設置の必要性を低めるようにした処理方法
を得ることを目的とする。
めになされたもので、膜形成装置など処理装置のクリー
ニングに際し、除害処理を必要とするガスが排出される
のを防止し、工場排気の安全レベルを高め、かつ、専用
の除害装置の設置の必要性を低めるようにした処理方法
を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１によ
るクリーニングガスの除害方法は、電子回路装置形成用
の膜を生成させる膜形成室に、この膜形成室を浄化する
ためのクリーニングガスを導入してプラズマを発生させ
前記クリーニングガスを分解して前記膜形成室の浄化を
行う本工程と、この本工程に先立って、排出上除害の必
要がなく前記クリーニングガスとは異なる所定のガスを
導入して、前記クリーニングガスの導入に先立って予め
プラズマを発生させておく前工程とを備え、前記クリー
ニングガスをすべて分解して排出するようにしたもので
ある。
るクリーニングガスの除害方法は、電子回路装置形成用
の膜を生成させる膜形成室に、この膜形成室を浄化する
ためのクリーニングガスを導入してプラズマを発生させ
前記クリーニングガスを分解して前記膜形成室の浄化を
行う本工程と、この本工程に先立って、排出上除害の必
要がなく前記クリーニングガスとは異なる所定のガスを
導入して、前記クリーニングガスの導入に先立って予め
プラズマを発生させておく前工程とを備え、前記クリー
ニングガスをすべて分解して排出するようにしたもので
ある。
【０００８】この発明の請求項２によるクリーニングガ
スの除害方法は、電子回路装置形成用の膜を生成させる
膜形成室に、この膜形成室を浄化するためのクリーニン
グガスを導入してプラズマを発生させ前記クリーニング
ガスを分解して前記膜形成室の浄化を行う本工程と、こ
の本工程に続いて、排出上除害の必要がなく前記クリー
ニングガスとは異なる所定のガスを導入して、前記本工
程に引き続いてプラズマを発生させておく後工程とを備
え、前記クリーニングガスをすべて分解して排出するよ
うにしたものである。
スの除害方法は、電子回路装置形成用の膜を生成させる
膜形成室に、この膜形成室を浄化するためのクリーニン
グガスを導入してプラズマを発生させ前記クリーニング
ガスを分解して前記膜形成室の浄化を行う本工程と、こ
の本工程に続いて、排出上除害の必要がなく前記クリー
ニングガスとは異なる所定のガスを導入して、前記本工
程に引き続いてプラズマを発生させておく後工程とを備
え、前記クリーニングガスをすべて分解して排出するよ
うにしたものである。
【０００９】この発明の請求項３によるクリーニングガ
スの除害方法は、電子回路装置形成用の膜を生成させる
膜形成室に、この膜形成室を浄化するためのクリーニン
グガスを導入してプラズマを発生させ前記クリーニング
ガスを分解して前記膜形成室の浄化を行う本工程と、こ
の本工程に先立って、排出上除害の必要がなく前記クリ
ーニングガスとは異なる所定のガスを導入して、前記ク
リーニングガスの導入に先立って予めプラズマを発生さ
せておく前工程と、前記本工程に続いて、排出上除害の
必要がなく前記クリーニングガスとは異なる所定のガス
を導入して、前記本工程に引き続いてプラズマを発生さ
せておく後工程とを備え、前記クリーニングガスをすべ
て分解して排出するようにしたものである。
スの除害方法は、電子回路装置形成用の膜を生成させる
膜形成室に、この膜形成室を浄化するためのクリーニン
グガスを導入してプラズマを発生させ前記クリーニング
ガスを分解して前記膜形成室の浄化を行う本工程と、こ
の本工程に先立って、排出上除害の必要がなく前記クリ
ーニングガスとは異なる所定のガスを導入して、前記ク
リーニングガスの導入に先立って予めプラズマを発生さ
せておく前工程と、前記本工程に続いて、排出上除害の
必要がなく前記クリーニングガスとは異なる所定のガス
を導入して、前記本工程に引き続いてプラズマを発生さ
せておく後工程とを備え、前記クリーニングガスをすべ
て分解して排出するようにしたものである。
【００１０】この発明の請求項４によるクリーニングガ
スの除害方法は、請求項１〜３のいずれかに記載のクリ
ーニングガスの除害方法において、前記クリーニングガ
スとしてＮＦ3ガスを用い、前記膜形成室の残留タング
ステン膜を浄化するものである。
スの除害方法は、請求項１〜３のいずれかに記載のクリ
ーニングガスの除害方法において、前記クリーニングガ
スとしてＮＦ3ガスを用い、前記膜形成室の残留タング
ステン膜を浄化するものである。
【００１１】この発明の請求項５によるクリーニングガ
スの除害方法は、請求項１〜４のいずれかに記載のクリ
ーニングガスの除害方法において、前記クリーニングガ
スとは異なる所定のガスとして、Ｈ2ガスを用いるもの
である。
スの除害方法は、請求項１〜４のいずれかに記載のクリ
ーニングガスの除害方法において、前記クリーニングガ
スとは異なる所定のガスとして、Ｈ2ガスを用いるもの
である。
【００１２】この発明の請求項６によるクリーニングガ
スの除害装置は、電子回路装置形成用の膜を生成させる
膜形成室に、排出上除害の必要がない所定のガスを導入
して前記膜形成室にプラズマを発生させる手段と、前記
プラズマの発生後に、前記ガスに代えて、前記膜形成室
を浄化するためのクリーニングガスを導入して引き続き
プラズマを発生させ前記クリーニングガスを分解して前
記膜形成室の浄化を行う手段と、前記クリーニングガス
を所定時間導入した後に、前記クリーニングガスに代え
て、排出上除害の必要がない所定のガスを導入し引き続
きプラズマを発生させる手段と、を備え、前記クリーニ
ングガスを実質的にすべて分解して排出するものであ
る。
スの除害装置は、電子回路装置形成用の膜を生成させる
膜形成室に、排出上除害の必要がない所定のガスを導入
して前記膜形成室にプラズマを発生させる手段と、前記
プラズマの発生後に、前記ガスに代えて、前記膜形成室
を浄化するためのクリーニングガスを導入して引き続き
プラズマを発生させ前記クリーニングガスを分解して前
記膜形成室の浄化を行う手段と、前記クリーニングガス
を所定時間導入した後に、前記クリーニングガスに代え
て、排出上除害の必要がない所定のガスを導入し引き続
きプラズマを発生させる手段と、を備え、前記クリーニ
ングガスを実質的にすべて分解して排出するものであ
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。各図において、同一ま
たは相当する部分には同一の符号を付して重複説明を省
略する場合がある。 実施の形態1．タングステン（Ｗ）膜形成用熱ＣＶＤ装
置への適用を例として、本実施の形態１を従来例と比較
しながら説明する。図1は、比較のために従来の方法を
説明するための図である。処理ステップは、（ａ）図か
ら（ｂ）図、（ｃ）図へと進む。（ｄ）図は各処理ステ
ップにおけるプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの流入状
況を比較して示す図である。
て図面を参照しながら説明する。各図において、同一ま
たは相当する部分には同一の符号を付して重複説明を省
略する場合がある。 実施の形態1．タングステン（Ｗ）膜形成用熱ＣＶＤ装
置への適用を例として、本実施の形態１を従来例と比較
しながら説明する。図1は、比較のために従来の方法を
説明するための図である。処理ステップは、（ａ）図か
ら（ｂ）図、（ｃ）図へと進む。（ｄ）図は各処理ステ
ップにおけるプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの流入状
況を比較して示す図である。
【００１４】従来のクリーニング方法について説明する
と、まずクリーニングに先立つ工程で、ＣＶＤ装置１０
内でウェーハ上にＷ成膜を行った後、Ｗ膜付きのウェー
ハを取り出す。次に、タングステン（Ｗ）膜形成用熱Ｃ
ＶＤ装置１０をクリーニングする場合、まず図１（ａ）
に示すステップ１で、ＮＦ3ガスを膜形成室１１に導入
する。このステップ１では、ＮＦ3は分解されずそのま
ま排気口１５から排出されていた。なお、１２はウェー
ハを加熱するヒータ、１３はこのヒータ１２上に成膜さ
れたＷ膜、１４はクリーニングガス（この例では、ＮＦ
3ガス）を導入するガスヘッドを示す。
と、まずクリーニングに先立つ工程で、ＣＶＤ装置１０
内でウェーハ上にＷ成膜を行った後、Ｗ膜付きのウェー
ハを取り出す。次に、タングステン（Ｗ）膜形成用熱Ｃ
ＶＤ装置１０をクリーニングする場合、まず図１（ａ）
に示すステップ１で、ＮＦ3ガスを膜形成室１１に導入
する。このステップ１では、ＮＦ3は分解されずそのま
ま排気口１５から排出されていた。なお、１２はウェー
ハを加熱するヒータ、１３はこのヒータ１２上に成膜さ
れたＷ膜、１４はクリーニングガス（この例では、ＮＦ
3ガス）を導入するガスヘッドを示す。
【００１５】次に、図１（ｂ）に示すステップ２で、Ｎ
Ｆ3ガスにプラズマ１６を発生させることにより、Ｎ2，
Ｆ2などに分解し、またタングステンと反応してＷＦ6な
どを生成させ、ヒータ１２上のＷ膜１３を分解・除去
し、クリーニングを実施していた。その後、図１（ｃ）
に示すステップ３で、プラズマを停止し、その後ＮＦ3
ガスを停止していた。
Ｆ3ガスにプラズマ１６を発生させることにより、Ｎ2，
Ｆ2などに分解し、またタングステンと反応してＷＦ6な
どを生成させ、ヒータ１２上のＷ膜１３を分解・除去
し、クリーニングを実施していた。その後、図１（ｃ）
に示すステップ３で、プラズマを停止し、その後ＮＦ3
ガスを停止していた。
【００１６】図１（ｄ）は、３つの処理ステップにおけ
るプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの導入状況を示す図
である。図１（ｄ）に示されるように、この従来の方法
では、処理ステップ１と３で、つまりプラズマが発生し
ていない状態でＮＦ3ガスを流す場合があり、膜形成室
１１では分解されないまま、排気口１５から排出されて
いた。このため、図８に示したように、排気をポンプ２
１で吸引したあと、その後段に専用のＮＦ3除害装置２
２が必要となっていた。
るプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの導入状況を示す図
である。図１（ｄ）に示されるように、この従来の方法
では、処理ステップ１と３で、つまりプラズマが発生し
ていない状態でＮＦ3ガスを流す場合があり、膜形成室
１１では分解されないまま、排気口１５から排出されて
いた。このため、図８に示したように、排気をポンプ２
１で吸引したあと、その後段に専用のＮＦ3除害装置２
２が必要となっていた。
【００１７】そこで、これを解決するため、本実施の形
態では、ＮＦ3ガスなどのクリーニングガスが未分解の
ままでは排気されないようにする。図２は、本発明の実
施の形態１によるクリーニングガス除害方法を説明する
ための図である。本実施の形態において、クリーニング
に先立つ工程で、ＣＶＤ装置１０内でウェーハ上にＷ成
膜を行った後、Ｗ膜付きのウェーハを取り出す。
態では、ＮＦ3ガスなどのクリーニングガスが未分解の
ままでは排気されないようにする。図２は、本発明の実
施の形態１によるクリーニングガス除害方法を説明する
ための図である。本実施の形態において、クリーニング
に先立つ工程で、ＣＶＤ装置１０内でウェーハ上にＷ成
膜を行った後、Ｗ膜付きのウェーハを取り出す。
【００１８】次に、クリーニング工程において、タング
ステン（Ｗ）膜形成用熱ＣＶＤ装置１０をクリーニング
する場合、まず図２（ａ）に示すステップ１（前工程）
で、クリーニングガス以外の、例えば、膜形成室１１内
にプラズマによるダメージを与えにくいＨ2ガスをまず
導入し、それとほぼ同時にプラズマを発生させる。１２
はウェーハを加熱するヒータ、１３はこのヒータ１２上
に成膜されたＷ膜、１４はクリーニングガス又は他のガ
ス（この例では、Ｈ2ガス）を導入するガスヘッド、１
５は排気口を示す。導入されたＨ2ガスは、プラズマに
より分解されてＨ+イオンとなり、排気口１５より排出
される。
ステン（Ｗ）膜形成用熱ＣＶＤ装置１０をクリーニング
する場合、まず図２（ａ）に示すステップ１（前工程）
で、クリーニングガス以外の、例えば、膜形成室１１内
にプラズマによるダメージを与えにくいＨ2ガスをまず
導入し、それとほぼ同時にプラズマを発生させる。１２
はウェーハを加熱するヒータ、１３はこのヒータ１２上
に成膜されたＷ膜、１４はクリーニングガス又は他のガ
ス（この例では、Ｈ2ガス）を導入するガスヘッド、１
５は排気口を示す。導入されたＨ2ガスは、プラズマに
より分解されてＨ+イオンとなり、排気口１５より排出
される。
【００１９】次に、図２（ｂ）に示すステップ２（本工
程）で、Ｈ2ガスに代えてＮＦ3ガスを導入する。そし
て、ＮＦ3ガスにプラズマ１６を発生させることによ
り、Ｎ2，Ｆ2などに分解し、またタングステンと反応し
てＷＦ6などを生成させ、ヒータ１２上のＷ膜１３を分
解・除去し、クリーニングを実施する。その後、クリー
ニング停止時においては、図２（ｃ）に示すステップ３
（後工程）で、まずＮＦ3ガスを停止し、これに代えて
Ｈ2ガスを導入する。導入したＨ 2ガスは、プラズマによ
りＨ+イオンに分解され排出される。その後に、膜形成
室１１内に残留ＮＦ3ガスがなくなった時点以後にプラ
ズマを停止する。ステップ１〜３の間、プラズマは継続
して発生させておく。
程）で、Ｈ2ガスに代えてＮＦ3ガスを導入する。そし
て、ＮＦ3ガスにプラズマ１６を発生させることによ
り、Ｎ2，Ｆ2などに分解し、またタングステンと反応し
てＷＦ6などを生成させ、ヒータ１２上のＷ膜１３を分
解・除去し、クリーニングを実施する。その後、クリー
ニング停止時においては、図２（ｃ）に示すステップ３
（後工程）で、まずＮＦ3ガスを停止し、これに代えて
Ｈ2ガスを導入する。導入したＨ 2ガスは、プラズマによ
りＨ+イオンに分解され排出される。その後に、膜形成
室１１内に残留ＮＦ3ガスがなくなった時点以後にプラ
ズマを停止する。ステップ１〜３の間、プラズマは継続
して発生させておく。
【００２０】図２（ｄ）は、３つの処理ステップにおけ
るプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの導入状況を示す図
である。図２（ｄ）に示されるように、この実施の形態
では、ＮＦ3ガスが導入される前から導入を停止した後
まで、プラズマか継続しているので、ＮＦ3ガスは完全
に処理される。
るプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの導入状況を示す図
である。図２（ｄ）に示されるように、この実施の形態
では、ＮＦ3ガスが導入される前から導入を停止した後
まで、プラズマか継続しているので、ＮＦ3ガスは完全
に処理される。
【００２１】以上のように、この実施の形態によれば、
膜形成室を利用してクリーニングガスを除害することが
できる。その除害の方法として、プラズマ放電が発生し
ている状態でのみ膜形成室クリーニングガスを導入する
ようにしたものである。
膜形成室を利用してクリーニングガスを除害することが
できる。その除害の方法として、プラズマ放電が発生し
ている状態でのみ膜形成室クリーニングガスを導入する
ようにしたものである。
【００２２】この実施の形態では、ＮＦ3ガスがそのま
ま未分解のまま排気されないようにするために、クリー
ニングガス以外の、例えば、膜形成室内にプラズマによ
るダメージを与えにくいガス、例えばＨ2ガスをまず導
入し、それとほぼ同時プラズマを発生させる。ＮＦ3ガ
スが導入されている間は、必ずプラズマが発生している
ようにし、未分解のＮＦ3ガスが排出されることがない
ようにする。したがって、工場の除害設備において、こ
のような膜形成ＣＶＤ装置１０の後段には、専用のＮＦ
3除害装置が必要でなくなる。
ま未分解のまま排気されないようにするために、クリー
ニングガス以外の、例えば、膜形成室内にプラズマによ
るダメージを与えにくいガス、例えばＨ2ガスをまず導
入し、それとほぼ同時プラズマを発生させる。ＮＦ3ガ
スが導入されている間は、必ずプラズマが発生している
ようにし、未分解のＮＦ3ガスが排出されることがない
ようにする。したがって、工場の除害設備において、こ
のような膜形成ＣＶＤ装置１０の後段には、専用のＮＦ
3除害装置が必要でなくなる。
【００２３】図７は、この実施の形態を利用した工場除
害設備の概略構成を示す概念図である。図７に示すよう
に、膜形成ＣＶＤ装置１０からの排気はポンプ２１で吸
引し、そのまま工場除害装置２３に送ることができる。
なお、２４及び２５は工場除害装置２３に共通に接続さ
れた他の薄膜形成装置であって、もともと専用除害装置
を必要としないものである。
害設備の概略構成を示す概念図である。図７に示すよう
に、膜形成ＣＶＤ装置１０からの排気はポンプ２１で吸
引し、そのまま工場除害装置２３に送ることができる。
なお、２４及び２５は工場除害装置２３に共通に接続さ
れた他の薄膜形成装置であって、もともと専用除害装置
を必要としないものである。
【００２４】従って、この実施の形態によれば、膜形成
用熱ＣＶＤ装置のクリーニングにおいて、除害の必要の
あるクリーニングガスがそのまま排出されることはな
く、排出ガスの安全性を高めることができる。また、膜
形成用熱ＣＶＤ装置の後段に、クリーニングガスに応じ
た専用の除害装置を設ける必要がなくなる。また、工場
の除害設備では、専用の除害装置を設置する必要がない
ので、設備全体のコスト低減に寄与する。
用熱ＣＶＤ装置のクリーニングにおいて、除害の必要の
あるクリーニングガスがそのまま排出されることはな
く、排出ガスの安全性を高めることができる。また、膜
形成用熱ＣＶＤ装置の後段に、クリーニングガスに応じ
た専用の除害装置を設ける必要がなくなる。また、工場
の除害設備では、専用の除害装置を設置する必要がない
ので、設備全体のコスト低減に寄与する。
【００２５】実施の形態２．タングステン（Ｗ）膜形成
用熱ＣＶＤ装置への適用を例として、本実施の形態２を
従来例と比較しながら説明する。図３は、比較のために
従来の方法を説明するための図である。処理ステップ
は、（ａ）図から（ｂ）図へと進む。（ｃ）図は各処理
ステップにおけるプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの流
入状況を比較して示す図である。
用熱ＣＶＤ装置への適用を例として、本実施の形態２を
従来例と比較しながら説明する。図３は、比較のために
従来の方法を説明するための図である。処理ステップ
は、（ａ）図から（ｂ）図へと進む。（ｃ）図は各処理
ステップにおけるプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの流
入状況を比較して示す図である。
【００２６】従来方法では、ＣＶＤ装置１０内でウェー
ハ上にＷ成膜を行った後、Ｗ膜付きのウェーハを取り出
す。次に、タングステン（Ｗ）膜形成用熱ＣＶＤ装置１
０をクリーニングする場合、まず図３（ａ）に示すステ
ップ１で、ＮＦ3ガスを膜形成室１１に導入する。この
ステップ１では、ＮＦ3は分解されずそのまま排気口１
５から排出されていた。
ハ上にＷ成膜を行った後、Ｗ膜付きのウェーハを取り出
す。次に、タングステン（Ｗ）膜形成用熱ＣＶＤ装置１
０をクリーニングする場合、まず図３（ａ）に示すステ
ップ１で、ＮＦ3ガスを膜形成室１１に導入する。この
ステップ１では、ＮＦ3は分解されずそのまま排気口１
５から排出されていた。
【００２７】次に、図３（ｂ）に示すステップ２で、Ｎ
Ｆ3ガスにプラズマ１６を発生させることにより、Ｎ2，
Ｆ2などに分解し、またタングステンと反応してＷＦ6な
どを生成させ、ヒータ１２上のＷ膜１３を分解・除去
し、クリーニングを実施していた。その後、プラズマを
停止するとともに、ＮＦ3ガスを停止していた。
Ｆ3ガスにプラズマ１６を発生させることにより、Ｎ2，
Ｆ2などに分解し、またタングステンと反応してＷＦ6な
どを生成させ、ヒータ１２上のＷ膜１３を分解・除去
し、クリーニングを実施していた。その後、プラズマを
停止するとともに、ＮＦ3ガスを停止していた。
【００２８】図３（ｃ）は、２つの処理ステップにおけ
るプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの導入状況を示す図
である。図３（ｃ）に示されるように、この従来の方法
では、処理ステップ１で、つまりプラズマが発生してい
ない状態でＮＦ3ガスを流す場合があり、膜形成室１１
では分解されないまま、排気口１５から排出されてい
た。このため、図８に示したように、排気をポンプ２１
で吸引したあと、その後段に専用のＮＦ3除害装置２２
が必要となっていた。
るプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの導入状況を示す図
である。図３（ｃ）に示されるように、この従来の方法
では、処理ステップ１で、つまりプラズマが発生してい
ない状態でＮＦ3ガスを流す場合があり、膜形成室１１
では分解されないまま、排気口１５から排出されてい
た。このため、図８に示したように、排気をポンプ２１
で吸引したあと、その後段に専用のＮＦ3除害装置２２
が必要となっていた。
【００２９】そこで、これを解決するため、本実施の形
態では、ＮＦ3ガスなどのクリーニングガスが未分解の
ままでは排気されないようにする。図４は、本発明の実
施の形態によるクリーニングガス除害方法を説明するた
めの図である。本実施の形態において、クリーニングに
先立つ工程で、ＣＶＤ装置１０内でウェーハ上にＷ成膜
を行った後、Ｗ膜付きのウェーハを取り出す。
態では、ＮＦ3ガスなどのクリーニングガスが未分解の
ままでは排気されないようにする。図４は、本発明の実
施の形態によるクリーニングガス除害方法を説明するた
めの図である。本実施の形態において、クリーニングに
先立つ工程で、ＣＶＤ装置１０内でウェーハ上にＷ成膜
を行った後、Ｗ膜付きのウェーハを取り出す。
【００３０】次に、タングステン（Ｗ）膜形成用熱ＣＶ
Ｄ装置１０をクリーニングする場合、まず図４（ａ）に
示すステップ１（前工程）で、クリーニングガス以外
の、例えば、膜形成室１１内にプラズマによるダメージ
を与えにくいＨ2ガスをまず導入し、それとほぼ同時に
プラズマを発生させる。導入されたＨ2ガスは、プラズ
マにより分解されてＨ+イオンとなり、排気口１５より
排出される。
Ｄ装置１０をクリーニングする場合、まず図４（ａ）に
示すステップ１（前工程）で、クリーニングガス以外
の、例えば、膜形成室１１内にプラズマによるダメージ
を与えにくいＨ2ガスをまず導入し、それとほぼ同時に
プラズマを発生させる。導入されたＨ2ガスは、プラズ
マにより分解されてＨ+イオンとなり、排気口１５より
排出される。
【００３１】次に、図４（ｂ）に示すステップ２（本工
程）で、Ｈ2ガスに代えてＮＦ3ガスを導入する。そし
て、ＮＦ3ガスにプラズマ１６を発生させることによ
り、Ｎ2，Ｆ2などに分解して、またタングステンと反応
してＷＦ6などを生成させ、ヒータ１２上のＷ膜１３を
分解・除去し、クリーニングを実施する。その後、クリ
ーニング停止時においては、まずＮＦ3ガスを停止し、
未反応のＮＦ3ガスが残らないようになったとき、プラ
ズマを停止する。
程）で、Ｈ2ガスに代えてＮＦ3ガスを導入する。そし
て、ＮＦ3ガスにプラズマ１６を発生させることによ
り、Ｎ2，Ｆ2などに分解して、またタングステンと反応
してＷＦ6などを生成させ、ヒータ１２上のＷ膜１３を
分解・除去し、クリーニングを実施する。その後、クリ
ーニング停止時においては、まずＮＦ3ガスを停止し、
未反応のＮＦ3ガスが残らないようになったとき、プラ
ズマを停止する。
【００３２】図４（ｃ）は、２つの処理ステップにおけ
るプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの導入状況を示す図
である。図４（ｃ）に示されるように、この実施の形態
では、ＮＦ3ガスが導入される前からプラズマを発生さ
せ、ＮＦ3ガスの導入を停止して暫時の後、プラズマを
停止する。
るプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの導入状況を示す図
である。図４（ｃ）に示されるように、この実施の形態
では、ＮＦ3ガスが導入される前からプラズマを発生さ
せ、ＮＦ3ガスの導入を停止して暫時の後、プラズマを
停止する。
【００３３】以上のように、この実施の形態では、ＮＦ
3ガスがそのまま未分解のまま排気されないようにする
ために、クリーニングガス以外の、例えば、膜形成室内
にプラズマによるダメージを与えにくいＨ2ガスをまず
導入し、それとほぼ同時プラズマを発生させる。ＮＦ3
ガスが導入されている間は、必ずプラズマが発生してい
るようにし、未分解のＮＦ3ガスが排出されることがな
いようにする。したがって、工場の除害設備において、
このような膜形成ＣＶＤ装置１０の後段には、専用のＮ
Ｆ3除害装置が必要でなくなる。
3ガスがそのまま未分解のまま排気されないようにする
ために、クリーニングガス以外の、例えば、膜形成室内
にプラズマによるダメージを与えにくいＨ2ガスをまず
導入し、それとほぼ同時プラズマを発生させる。ＮＦ3
ガスが導入されている間は、必ずプラズマが発生してい
るようにし、未分解のＮＦ3ガスが排出されることがな
いようにする。したがって、工場の除害設備において、
このような膜形成ＣＶＤ装置１０の後段には、専用のＮ
Ｆ3除害装置が必要でなくなる。
【００３４】図７は、この実施の形態を利用した工場除
害設備の概略構成を示す概念図である。図７に示すよう
に、膜形成ＣＶＤ装置１０からの排気はポンプ２１で吸
引し、そのまま工場除害装置２３に送ることができる。
害設備の概略構成を示す概念図である。図７に示すよう
に、膜形成ＣＶＤ装置１０からの排気はポンプ２１で吸
引し、そのまま工場除害装置２３に送ることができる。
【００３５】従って、この実施の形態によれば、膜形成
用熱ＣＶＤ装置のクリーニングにおいて、除害の必要の
あるクリーニングガスがそのまま排出されることはな
く、排出ガスの安全性を高めることができる。また、膜
形成用熱ＣＶＤ装置の後段に、クリーニングガスに応じ
た専用の除害装置を設ける必要がなくなる。また、工場
の除害設備では、専用の除害装置を設置する必要がない
ので、設備全体のコスト低減に寄与する。
用熱ＣＶＤ装置のクリーニングにおいて、除害の必要の
あるクリーニングガスがそのまま排出されることはな
く、排出ガスの安全性を高めることができる。また、膜
形成用熱ＣＶＤ装置の後段に、クリーニングガスに応じ
た専用の除害装置を設ける必要がなくなる。また、工場
の除害設備では、専用の除害装置を設置する必要がない
ので、設備全体のコスト低減に寄与する。
【００３６】実施の形態３．タングステン（Ｗ）膜形成
用熱ＣＶＤ装置への適用を例として、本実施の形態３を
従来例と比較しながら説明する。図５は、比較のために
従来の方法を説明するための図である。処理ステップ
は、（ａ）図から（ｂ）図へと進む。（ｃ）図は各処理
ステップにおけるプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの流
入状況を比較して示す図である。
用熱ＣＶＤ装置への適用を例として、本実施の形態３を
従来例と比較しながら説明する。図５は、比較のために
従来の方法を説明するための図である。処理ステップ
は、（ａ）図から（ｂ）図へと進む。（ｃ）図は各処理
ステップにおけるプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの流
入状況を比較して示す図である。
【００３７】従来方法では、先立つ工程で、ＣＶＤ装置
１０内でウェーハ上にＷ成膜を行った後、Ｗ膜付きのウ
ェーハを取り出す。次に、タングステン（Ｗ）膜形成用
熱ＣＶＤ装置１０をクリーニングする場合、まず図５
（ａ）に示すステップ１で、プラズマ１６を発生させる
と同時にＮＦ 3ガスを導入する。そして、ＮＦ3ガスにプ
ラズマ１６を発生させることにより、Ｎ2，Ｆ2などに分
解し、またタングステンと反応してＷＦ6などを生成さ
せ、ヒータ１２上のＷ膜１３を分解・除去し、クリーニ
ングを実施していた。その後、図５（ｂ）に示すステッ
プ３で、プラズマを停止し、その後ＮＦ3ガスを停止し
ていた。
１０内でウェーハ上にＷ成膜を行った後、Ｗ膜付きのウ
ェーハを取り出す。次に、タングステン（Ｗ）膜形成用
熱ＣＶＤ装置１０をクリーニングする場合、まず図５
（ａ）に示すステップ１で、プラズマ１６を発生させる
と同時にＮＦ 3ガスを導入する。そして、ＮＦ3ガスにプ
ラズマ１６を発生させることにより、Ｎ2，Ｆ2などに分
解し、またタングステンと反応してＷＦ6などを生成さ
せ、ヒータ１２上のＷ膜１３を分解・除去し、クリーニ
ングを実施していた。その後、図５（ｂ）に示すステッ
プ３で、プラズマを停止し、その後ＮＦ3ガスを停止し
ていた。
【００３８】図５（ｃ）は、２つの処理ステップにおけ
るプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの導入状況を示す図
である。図５（ｃ）に示されるように、この従来の方法
では、処理ステップ２で、つまりプラズマが発生してい
ない状態でＮＦ3ガスを流す場合があり、膜形成室１１
では分解されないまま、排気口１５から排出されてい
た。このため、図８に示したように、排気をポンプ２１
で吸引したあと、その後段に専用のＮＦ3除害装置２２
が必要となっていた。
るプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの導入状況を示す図
である。図５（ｃ）に示されるように、この従来の方法
では、処理ステップ２で、つまりプラズマが発生してい
ない状態でＮＦ3ガスを流す場合があり、膜形成室１１
では分解されないまま、排気口１５から排出されてい
た。このため、図８に示したように、排気をポンプ２１
で吸引したあと、その後段に専用のＮＦ3除害装置２２
が必要となっていた。
【００３９】そこで、これを解決するため、本実施の形
態では、ＮＦ3ガスなどのクリーニングガスが未分解の
ままでは排気されないようにする。図６は、本発明の実
施の形態３によるクリーニングガス除害方法を説明する
ための図である。本実施の形態において、まずクリーニ
ングに先立つ工程で、ＣＶＤ装置１０内でウェーハ上に
Ｗ成膜を行った後、Ｗ膜付きのウェーハを取り出す。
態では、ＮＦ3ガスなどのクリーニングガスが未分解の
ままでは排気されないようにする。図６は、本発明の実
施の形態３によるクリーニングガス除害方法を説明する
ための図である。本実施の形態において、まずクリーニ
ングに先立つ工程で、ＣＶＤ装置１０内でウェーハ上に
Ｗ成膜を行った後、Ｗ膜付きのウェーハを取り出す。
【００４０】次に、タングステン（Ｗ）膜形成用熱ＣＶ
Ｄ装置１０をクリーニングする場合、まず、図６（ａ）
に示すステップ１（本工程）で、プラズマ１６を発生さ
せると同時に、あるいは、プラズマ１６を発生させてす
ぐ後、ＮＦ3ガスを導入する。そして、ＮＦ3ガスにプラ
ズマ１６を発生させることにより、Ｎ2，Ｆ2などに分解
し、またタングステンと反応してＷＦ6などを生成さ
せ、ヒータ１２上のＷ膜１３を分解・除去し、クリーニ
ングを実施する。
Ｄ装置１０をクリーニングする場合、まず、図６（ａ）
に示すステップ１（本工程）で、プラズマ１６を発生さ
せると同時に、あるいは、プラズマ１６を発生させてす
ぐ後、ＮＦ3ガスを導入する。そして、ＮＦ3ガスにプラ
ズマ１６を発生させることにより、Ｎ2，Ｆ2などに分解
し、またタングステンと反応してＷＦ6などを生成さ
せ、ヒータ１２上のＷ膜１３を分解・除去し、クリーニ
ングを実施する。
【００４１】その後、クリーニング停止時においては、
図６（ｂ）に示すステップ２（後工程）で、まずＮＦ3
ガスを停止し、これに代えてＨ2ガスを導入する。導入
したＨ 2ガスは、プラズマによりＨ+イオンに分解され排
出される。その後に、膜形成室１１内に残留ＮＦ3ガス
がなくなった時点以後にプラズマを停止する。
図６（ｂ）に示すステップ２（後工程）で、まずＮＦ3
ガスを停止し、これに代えてＨ2ガスを導入する。導入
したＨ 2ガスは、プラズマによりＨ+イオンに分解され排
出される。その後に、膜形成室１１内に残留ＮＦ3ガス
がなくなった時点以後にプラズマを停止する。
【００４２】図６（ｃ）は、２つの処理ステップにおけ
るプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの導入状況を示す図
である。図６（ｃ）に示すように、この実施の形態で
は、ＮＦ3ガスの導入を停止した後まで、プラズマが継
続しているので、ＮＦ3ガスは完全に処理される。
るプラズマの発生状況とＮＦ3ガスの導入状況を示す図
である。図６（ｃ）に示すように、この実施の形態で
は、ＮＦ3ガスの導入を停止した後まで、プラズマが継
続しているので、ＮＦ3ガスは完全に処理される。
【００４３】以上のように、この実施の形態では、ＮＦ
3ガスがそのまま未分解のまま排気されないようにする
ために、プラズマ発生とほぼ同時にＮＦ3ガスを導入す
るとともに、クリーニングを終了してＮＦ3ガスを停止
した後は、クリーニングガス以外の、例えば、膜形成室
内にプラズマによるダメージを与えにくいＨ2ガスを導
入する。ＮＦ3ガスが導入されている間は、必ずプラズ
マが発生しているようにし、未分解のＮＦ3ガスが排出
されることがないようにする。
3ガスがそのまま未分解のまま排気されないようにする
ために、プラズマ発生とほぼ同時にＮＦ3ガスを導入す
るとともに、クリーニングを終了してＮＦ3ガスを停止
した後は、クリーニングガス以外の、例えば、膜形成室
内にプラズマによるダメージを与えにくいＨ2ガスを導
入する。ＮＦ3ガスが導入されている間は、必ずプラズ
マが発生しているようにし、未分解のＮＦ3ガスが排出
されることがないようにする。
【００４４】したがって、工場の除害設備において、こ
のような膜形成ＣＶＤ装置１０の後段には、専用のＮＦ
3除害装置が必要でなくなる。図７は、この実施の形態
を利用した工場除害設備の概略構成を示す概念図であ
る。図７に示すように、膜形成ＣＶＤ装置１０からの排
気はポンプ２１で吸引し、そのまま工場除害装置２３に
送ることができる。
のような膜形成ＣＶＤ装置１０の後段には、専用のＮＦ
3除害装置が必要でなくなる。図７は、この実施の形態
を利用した工場除害設備の概略構成を示す概念図であ
る。図７に示すように、膜形成ＣＶＤ装置１０からの排
気はポンプ２１で吸引し、そのまま工場除害装置２３に
送ることができる。
【００４５】従って、この実施の形態によれば、膜形成
用熱ＣＶＤ装置のクリーニングにおいて、除害の必要の
あるクリーニングガスがそのまま排出されることはな
く、排出ガスの安全性を高めることができる。また、膜
形成用熱ＣＶＤ装置の後段に、クリーニングガスに応じ
た専用の除害装置を設ける必要がなくなる。また、工場
の除害設備では、専用の除害装置を設置する必要がない
ので、設備全体のコスト低減に寄与する。
用熱ＣＶＤ装置のクリーニングにおいて、除害の必要の
あるクリーニングガスがそのまま排出されることはな
く、排出ガスの安全性を高めることができる。また、膜
形成用熱ＣＶＤ装置の後段に、クリーニングガスに応じ
た専用の除害装置を設ける必要がなくなる。また、工場
の除害設備では、専用の除害装置を設置する必要がない
ので、設備全体のコスト低減に寄与する。
【００４６】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されているの
で、次のような効果を奏する。本発明によれば、膜形成
装置のクリーニングにおいて、除害の必要のあるクリー
ニングガスがそのまま排出されることはなく、排出ガス
の安全性を高めることができる。また、膜形成装置の後
段に、クリーニングガスに応じた専用の除害装置を設け
る必要がなくなる。また、工場の除害設備では、専用の
除害装置を設置する必要がないので、設備全体のコスト
低減に寄与する。
で、次のような効果を奏する。本発明によれば、膜形成
装置のクリーニングにおいて、除害の必要のあるクリー
ニングガスがそのまま排出されることはなく、排出ガス
の安全性を高めることができる。また、膜形成装置の後
段に、クリーニングガスに応じた専用の除害装置を設け
る必要がなくなる。また、工場の除害設備では、専用の
除害装置を設置する必要がないので、設備全体のコスト
低減に寄与する。
【図１】 この発明の実施の形態１において、比較のた
めに示す、従来の薄膜形成形成装置の膜形成室クリーニ
ング方法の一例を示す図である。
めに示す、従来の薄膜形成形成装置の膜形成室クリーニ
ング方法の一例を示す図である。
【図２】 この発明の実施の形態１による薄膜形成装置
の膜形成室クリーニング方法を示す図である。
の膜形成室クリーニング方法を示す図である。
【図３】 この発明の実施の形態２において、比較のた
めに示す、従来の薄膜形成装置の膜形成室クリーニング
方法の他の一例を示す図である。
めに示す、従来の薄膜形成装置の膜形成室クリーニング
方法の他の一例を示す図である。
【図４】 この発明の実施の形態２による薄膜形成装置
の膜形成室クリーニング方法を示す図である。
の膜形成室クリーニング方法を示す図である。
【図５】 この発明の実施の形態３において、比較のた
めに示す、従来の薄膜形成装置の膜形成室クリーニング
方法の他の一例を示す図である。
めに示す、従来の薄膜形成装置の膜形成室クリーニング
方法の他の一例を示す図である。
【図６】 この発明の実施の形態３による薄膜形成装置
の膜形成室クリーニング方法を示す図である。
の膜形成室クリーニング方法を示す図である。
【図７】 この発明の実施の形態を利用した工場除害設
備の概略を示す図である。
備の概略を示す図である。
【図８】 従来の工場除害設備の概略を示す図である。
１０ 膜形成用熱ＣＶＤ装置、 １１ 膜形成室、 １
２ ヒータ、 １３ヒータ１２上に成膜されたＷ膜、
１４ ガスヘッド、 １５ 排気口、 １６プラズマ、
２１ ポンプ、 ２２ 専用除害装置、 ２３ 工場
除害装置、２４，２５ 他の薄膜形成装置。
２ ヒータ、 １３ヒータ１２上に成膜されたＷ膜、
１４ ガスヘッド、 １５ 排気口、 １６プラズマ、
２１ ポンプ、 ２２ 専用除害装置、 ２３ 工場
除害装置、２４，２５ 他の薄膜形成装置。
Claims (6)
- 【請求項１】 電子回路装置形成用の膜を生成させる膜
形成室に、この膜形成室を浄化するためのクリーニング
ガスを導入してプラズマを発生させ前記クリーニングガ
スを分解して前記膜形成室の浄化を行う本工程と、 この本工程に先立って、排出上除害の必要がなく前記ク
リーニングガスとは異なる所定のガスを導入して、前記
クリーニングガスの導入に先立って予めプラズマを発生
させておく前工程とを備え、前記クリーニングガスを実
質的にすべて分解して排出するようにしたことを特徴と
するクリーニングガスの除害方法。 - 【請求項２】 電子回路装置形成用の膜を生成させる膜
形成室に、この膜形成室を浄化するためのクリーニング
ガスを導入してプラズマを発生させ前記クリーニングガ
スを分解して前記膜形成室の浄化を行う本工程と、 この本工程に続いて、排出上除害の必要がなく前記クリ
ーニングガスとは異なる所定のガスを導入して、前記本
工程に引き続いてプラズマを発生させておく後工程とを
備え、前記クリーニングガスを実質的にすべて分解して
排出するようにしたことを特徴とするクリーニングガス
の除害方法。 - 【請求項３】 電子回路装置形成用の膜を生成させる膜
形成室に、この膜形成室を浄化するためのクリーニング
ガスを導入してプラズマを発生させ前記クリーニングガ
スを分解して前記膜形成室の浄化を行う本工程と、 この本工程に先立って、排出上除害の必要がなく前記ク
リーニングガスとは異なる所定のガスを導入して、前記
クリーニングガスの導入に先立って予めプラズマを発生
させておく前工程と、 前記本工程に続いて、排出上除害の必要がなく前記クリ
ーニングガスとは異なる所定のガスを導入して、前記本
工程に引き続いてプラズマを発生させておく後工程とを
備え、 前記クリーニングガスを実質的にすべて分解して排出す
るようにしたことを特徴とするクリーニングガスの除害
方法。 - 【請求項４】 前記クリーニングガスとしてＮＦ3ガス
を用い、前記膜形成室の残留タングステン膜を浄化する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のクリ
ーニングガスの除害方法。 - 【請求項５】 前記クリーニングガスとは異なる所定の
ガスとして、Ｈ2ガスを用いることを特徴とする請求項
１〜４のいずれかに記載のクリーニングガスの除害方
法。 - 【請求項６】 電子回路装置形成用の膜を生成させる膜
形成室に、排出上除害の必要がない所定のガスを導入し
て前記膜形成室にプラズマを発生させる手段と、 前記プラズマの発生後に、前記ガスに代えて、前記膜形
成室を浄化するためのクリーニングガスを導入して引き
続きプラズマを発生させ前記クリーニングガスを分解し
て前記膜形成室の浄化を行う手段と、 前記クリーニングガスを所定時間導入した後に、前記ク
リーニングガスに代えて、排出上除害の必要がない所定
のガスを導入し引き続きプラズマを発生させる手段と、 を備え、前記クリーニングガスを実質的にすべて分解し
て排出することを特徴とするクリーニングガスの除害装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11167343A JP2000355769A (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | クリーニングガスの除害方法および除害装置 |
| US09/505,141 US6544488B1 (en) | 1999-06-14 | 2000-02-15 | Method for decomposing a cleaning gas for cleaning a film deposition chamber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11167343A JP2000355769A (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | クリーニングガスの除害方法および除害装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000355769A true JP2000355769A (ja) | 2000-12-26 |
Family
ID=15847981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11167343A Withdrawn JP2000355769A (ja) | 1999-06-14 | 1999-06-14 | クリーニングガスの除害方法および除害装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6544488B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000355769A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG149680A1 (en) * | 2001-12-12 | 2009-02-27 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and film formation method and cleaning method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1723741B (zh) * | 2002-12-12 | 2012-09-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置、制造装置、成膜方法及清洁方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5326723A (en) * | 1992-09-09 | 1994-07-05 | Intel Corporation | Method for improving stability of tungsten chemical vapor deposition |
-
1999
- 1999-06-14 JP JP11167343A patent/JP2000355769A/ja not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-02-15 US US09/505,141 patent/US6544488B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG149680A1 (en) * | 2001-12-12 | 2009-02-27 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and film formation method and cleaning method |
| US7763320B2 (en) | 2001-12-12 | 2010-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus and film formation method and cleaning method |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6544488B1 (en) | 2003-04-08 |
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