[go: up one dir, main page]

JP2000353949A - Logic circuit - Google Patents

Logic circuit

Info

Publication number
JP2000353949A
JP2000353949A JP11164525A JP16452599A JP2000353949A JP 2000353949 A JP2000353949 A JP 2000353949A JP 11164525 A JP11164525 A JP 11164525A JP 16452599 A JP16452599 A JP 16452599A JP 2000353949 A JP2000353949 A JP 2000353949A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
potential
output
logic
logic circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11164525A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3799873B2 (en
Inventor
Shoichiro Kashiwakura
正一郎 柏倉
Hideyuki Sakamaki
秀行 酒巻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP16452599A priority Critical patent/JP3799873B2/en
Publication of JP2000353949A publication Critical patent/JP2000353949A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3799873B2 publication Critical patent/JP3799873B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high speed operation by intervening a source follower type logic circuit between an input logic circuit which outputs a logical signal with an upper limit value as a potential higher than a power source potential and a lower limit value as a potential higher than a ground potential and an output driver which outputs a logical signal with an upper limit value as the power source potential and a lower limit value as the ground potential. SOLUTION: Since a source follower type logic circuit 18 is intervened between a pseudo-nMOS circuit 11 and a CMOS inverter 22, it is possible to shift a center potential of an output logical signal of the pseudo-nMOS circuit 11 in a ground potential direction even if a lower limit value of the output signal of the pseudo-nMOS circuit 11 is raised and an amplitude of the output logical signal of the pseudo-nMOS circuit 11 is made smaller. Therefore, even if a circuit threshold of a CMOS inverter 22 is lower than the central potential of the output logical signal of the pseudo-nMOS circuit 11, it is possible to have the CMOS inverter 22 operate so that a rising time and a lowering time becomes equal to each other.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、MPU等のように
高速動作を必要とする半導体集積回路に搭載される論理
回路に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a logic circuit mounted on a semiconductor integrated circuit requiring high-speed operation such as an MPU.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の論理回路として、たとえ
ば、図7に示すような4入力OR回路が提案されてい
る。図7中、A、B、C、Dは入力論理信号であり、L
レベルを接地電位VSS、Hレベルを電源電位VDDと
するものである。
2. Description of the Related Art Conventionally, as this kind of logic circuit, for example, a four-input OR circuit as shown in FIG. 7 has been proposed. In FIG. 7, A, B, C, and D are input logic signals,
The level is the ground potential VSS, and the H level is the power supply potential VDD.

【0003】また、1は入力論理回路をなす疑似nMO
S回路であり、2、3、4、5はそれぞれ入力論理信号
A、B、C、Dによりオン、オフが制御されるnMOS
トランジスタ、6はゲートを接地され、動作時に常時オ
ンとされるプルアップ用のpMOSトランジスタ、7は
疑似nMOS回路1の出力端である。
Further, 1 is a pseudo nMO which forms an input logic circuit.
S circuits, and 2, 3, 4, and 5 are nMOSs whose on and off are controlled by input logic signals A, B, C, and D, respectively.
A transistor 6 has a gate grounded, and is a pull-up pMOS transistor which is always turned on during operation. A transistor 7 is an output terminal of the pseudo nMOS circuit 1.

【0004】また、8は出力ドライバをなすCMOSイ
ンバータであり、9はプルアップ用のpMOSトランジ
スタ、10はプルダウン用のnMOSトランジスタ、X
は入力論理信号A、B、C、DをOR処理してなる出力
論理信号である。
Reference numeral 8 denotes a CMOS inverter serving as an output driver; 9, a pMOS transistor for pull-up; 10, an nMOS transistor for pull-down;
Is an output logic signal obtained by ORing the input logic signals A, B, C and D.

【0005】図8は疑似nMOS回路1の動作を説明す
るための波形図であり、入力論理信号A〜Dの電位と疑
似nMOS回路1の出力端7の電位との関係を示してい
る。ここに、入力論理信号A〜Dが全て接地電位VSS
の場合には、nMOSトランジスタ2〜5は全てオフと
なり、疑似nMOS回路1の出力端7は、pMOSトラ
ンジスタ6によってチャージされ、電源電位VDDとな
る。
FIG. 8 is a waveform diagram for explaining the operation of the pseudo nMOS circuit 1, and shows the relationship between the potentials of the input logic signals A to D and the potential of the output terminal 7 of the pseudo nMOS circuit 1. Here, input logic signals A to D are all at ground potential VSS.
In this case, the nMOS transistors 2 to 5 are all turned off, and the output terminal 7 of the pseudo nMOS circuit 1 is charged by the pMOS transistor 6 to become the power supply potential VDD.

【0006】この状態から、たとえば、入力論理信号A
が電源電位VDDに変化すると、nMOSトランジスタ
2はオンとなり、nMOSトランジスタ2にドレイン電
流が流れるので、疑似nMOS回路1の出力端7の電位
は低下する。
From this state, for example, the input logic signal A
Changes to the power supply potential VDD, the nMOS transistor 2 is turned on, and a drain current flows through the nMOS transistor 2, so that the potential of the output terminal 7 of the pseudo nMOS circuit 1 decreases.

【0007】しかし、pMOSトランジスタ6は、動作
時には常時オンとなるようにされているので、疑似nM
OS回路1の出力端7の電位は、接地電位VSSまでは
低下せず、nMOSトランジスタ2とpMOSトランジ
スタ6との電流駆動能力比、いわゆるβレシオで決まる
電位VAに落ちつくことになる。
However, since the pMOS transistor 6 is always turned on during operation, the pseudo nM
The potential of the output terminal 7 of the OS circuit 1 does not decrease to the ground potential VSS, but settles to a potential VA determined by a current driving capability ratio between the nMOS transistor 2 and the pMOS transistor 6, that is, a so-called β ratio.

【0008】ここに、nMOSトランジスタ2とpMO
Sトランジスタ6とのβレシオは、nMOSトランジス
タ2の電流駆動能力をβ2、pMOSトランジスタ6の
電流駆動能力をβ6とすると、 β2/β6 となる。
Here, the nMOS transistor 2 and the pMO
The β ratio with the S transistor 6 is β2 / β6, where β2 is the current driving capability of the nMOS transistor 2 and β6 is the current driving capability of the pMOS transistor 6.

【0009】但し、電流駆動能力βは、 β=(με/tox)(W/L) で定義され、μは電子又はホールの易動度、εはゲート
酸化膜の比誘電率、toxはゲート酸化膜の膜厚、Wはゲ
ート幅、Lはゲート長である。
Here, the current driving capability β is defined as β = (με / tox) (W / L), μ is the mobility of electrons or holes, ε is the relative dielectric constant of the gate oxide film, and tox is the gate. The thickness of the oxide film, W is the gate width, and L is the gate length.

【0010】このように、疑似nMOS回路1の出力論
理信号の振幅値は(VDD−VA)となるが、通常のC
MOS回路の出力論理信号の振幅値はVDDであること
から、疑似nMOS回路1は通常のCMOS回路よりも
出力論理信号の振幅がVAだけ小さな小振幅回路といえ
る。そして、一般に、小振幅回路は、回路の遅延時間が
短く高速であるという特徴を持っている。
As described above, the amplitude value of the output logic signal of the pseudo nMOS circuit 1 is (VDD-VA),
Since the amplitude value of the output logic signal of the MOS circuit is VDD, it can be said that the pseudo nMOS circuit 1 is a small-amplitude circuit in which the amplitude of the output logic signal is smaller by VA than a normal CMOS circuit. In general, a small-amplitude circuit has a feature that the delay time of the circuit is short and high-speed.

【0011】図9は疑似nMOS回路1が通常のCMO
S回路よりも回路の遅延時間が短く高速であることを説
明するための波形図であり、たとえば、疑似nMOS回
路1の出力論理信号の振幅がCMOS回路の出力論理信
号の1/2である場合を示している。
FIG. 9 shows that the pseudo nMOS circuit 1 has a normal CMO.
FIG. 7 is a waveform diagram for explaining that the delay time of the circuit is shorter and faster than that of the S circuit. For example, when the amplitude of the output logic signal of the pseudo nMOS circuit 1 is の of the output logic signal of the CMOS circuit. Is shown.

【0012】ここに、疑似nMOS回路1の出力論理信
号の電位及び通常のCMOS回路の出力論理信号の電位
がHレベルからLレベルに向けて同時に低下する場合に
は、疑似nMOS回路1の出力論理信号の電位及び通常
のCMOS回路の出力論理信号の電位は、ほぼ同じ割合
で低下していくが、疑似nMOS回路1の出力論理信号
は、振幅が小さい分だけ先に最終電位VDD/2に到達
し、通常のCMOS回路の出力論理信号は、疑似nMO
S回路1の出力論理信号が最終電位VDD/2に到達し
た後に接地電位VSSに到達することになる。
Here, when the potential of the output logic signal of the pseudo nMOS circuit 1 and the potential of the output logic signal of the ordinary CMOS circuit simultaneously decrease from the H level to the L level, the output logic of the pseudo nMOS circuit 1 Although the potential of the signal and the potential of the output logic signal of the normal CMOS circuit decrease at almost the same rate, the output logic signal of the pseudo nMOS circuit 1 reaches the final potential VDD / 2 earlier by the small amplitude. The output logic signal of a normal CMOS circuit is a pseudo nMO
The output logic signal of the S circuit 1 reaches the ground potential VSS after reaching the final potential VDD / 2.

【0013】そこで、出力論理信号の振幅が50%のと
ころでの時刻で遅延時間を比較すると、通常のCMOS
回路の出力論理信号に比べて、疑似nMOS回路1の出
力論理信号はΔTだけ遅延時間が短く、通常のCMOS
回路の出力論理信号は、疑似nMOS回路1の出力論理
信号が最終電位VDD/2に到達した時刻から2ΔTだ
け遅れて接地電位に到達することになる。
Therefore, comparing the delay time at the time when the amplitude of the output logic signal is 50%, it is found that the ordinary CMOS
As compared with the output logic signal of the circuit, the output logic signal of the pseudo nMOS circuit 1 has a delay time shorter by ΔT, and the normal CMOS
The output logic signal of the circuit reaches the ground potential with a delay of 2ΔT from the time when the output logic signal of the pseudo nMOS circuit 1 reaches the final potential VDD / 2.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】ところで、疑似nMO
S回路1の出力論理信号のLレベル値VAを更に高くし
て、疑似nMOS回路1の出力論理信号の振幅値(VD
D−VA)を更に小さくする場合には、疑似nMOS回
路1の更なる高速化を図ることができるが、このように
する場合には、CMOSインバータ8の立ち上がり時間
と立ち下がり時間とが等しくなるように、CMOSイン
バータ8の回路閾値が疑似nMOS回路1の出力論理信
号の中心電位である[VA+(VDD−VA)/2]と
なるように、CMOSインバータ8のβレシオを調整す
る必要がある。
By the way, pseudo nMO
The L level value VA of the output logic signal of the S circuit 1 is further increased, and the amplitude value (VD
When D-VA) is further reduced, the speed of the pseudo nMOS circuit 1 can be further increased, but in this case, the rise time and the fall time of the CMOS inverter 8 become equal. As described above, it is necessary to adjust the β ratio of the CMOS inverter 8 so that the circuit threshold value of the CMOS inverter 8 becomes [VA + (VDD−VA) / 2] which is the center potential of the output logic signal of the pseudo nMOS circuit 1. .

【0015】CMOSインバータ8のβレシオは、pM
OSトランジスタ9の電流駆動能力をβ9、nMOSト
ランジスタ10の電流駆動能力をβ10とすると、 β10/β9 となり、βは、前述のように、 β=(με/tox)(W/L) で定義されるが、一般に、設計者が容易に制御できる物
理定数はゲート幅W及びゲート長Lであることから、設
計者は、ゲート幅W及びゲート長Lを決定して、βレシ
オの調整を行うことになる。
The β ratio of the CMOS inverter 8 is pM
Assuming that the current driving capability of the OS transistor 9 is β9 and the current driving capability of the nMOS transistor 10 is β10, β10 / β9, where β is defined by β = (με / tox) (W / L) as described above. However, since the physical constants that can be easily controlled by the designer are generally the gate width W and the gate length L, the designer must determine the gate width W and the gate length L and adjust the β ratio. become.

【0016】ここに、図10はCMOSインバータ8に
おける1/βレシオと回路閾値との関係を示す図であ
り、図10から明らかなように、1/βレシオが大きく
なると、CMOSインバータ8の回路閾値は大きくなっ
ていくが、1/βレシオが大きくなるにつれて、CMO
Sインバータ8の回路閾値は、一定値VTに飽和してい
くことになる。
FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the 1 / β ratio and the circuit threshold in the CMOS inverter 8. As is apparent from FIG. 10, when the 1 / β ratio increases, the circuit The threshold value increases, but as the 1 / β ratio increases, the CMO
The circuit threshold of the S inverter 8 will saturate to a constant value VT.

【0017】すなわち、疑似nMOS回路1の出力論理
信号のLレベル値VAを更に高くして疑似nMOS回路
1の出力論理信号の振幅(VDD−VA)を小さくして
も、CMOSインバータ8の回路閾値を一定値VT以上
にすることはできないので、このままでは、疑似nMO
S回路1の出力論理信号の振幅は、ある程度以上には小
さくできず、更なる高速化を図ることができないという
問題点があった。
That is, even if the L level value VA of the output logic signal of the pseudo nMOS circuit 1 is further increased to reduce the amplitude (VDD-VA) of the output logic signal of the pseudo nMOS circuit 1, the circuit threshold value of the CMOS inverter 8 is Cannot be set to a fixed value VT or more.
There is a problem that the amplitude of the output logic signal of the S circuit 1 cannot be reduced to a certain degree or more, and further higher speed cannot be achieved.

【0018】本発明は、かかる点に鑑み、上限値を電源
電位、下限値を接地電位より高い電位とする論理信号を
出力する入力論理回路と、上限値を電源電位、下限値を
接地電位とする論理信号を出力する出力ドライバとを有
する論理回路であって、入力論理回路の出力論理信号の
下限値を高くして入力論理回路の出力論理信号を小振幅
とすることによる高速化を図ることができるようにした
論理回路を提供することを第1の目的とする。
In view of the foregoing, the present invention provides an input logic circuit that outputs a logic signal whose upper limit is set to a power supply potential and whose lower limit is set to a potential higher than the ground potential, an upper limit is set to a power supply potential, and the lower limit is set to a ground potential. A logic circuit having an output driver that outputs a logic signal to be output, wherein the lower limit value of the output logic signal of the input logic circuit is increased to increase the speed of the output logic signal of the input logic circuit by reducing the amplitude. It is a first object of the present invention to provide a logic circuit capable of performing the following.

【0019】また、本発明は、クロック信号に同期して
動作し、クロック信号が一方の論理値のときに、出力が
確定し、上限値を電源電位、下限値を接地電位とする論
理信号を出力する入力論理回路と、上限値を電源電位、
下限値を接地電位とする論理信号を出力する出力ドライ
バとを有する論理回路であって、高速化を図ることがで
きるようにした論理回路を提供することを第2の目的と
する。
Further, the present invention operates in synchronization with a clock signal. When the clock signal has one logical value, the output is determined, and a logical signal having an upper limit value as a power supply potential and a lower limit value as a ground potential is provided. Input logic circuit to output, upper limit to power supply potential,
It is a second object of the present invention to provide a logic circuit having an output driver for outputting a logic signal whose lower limit is set to the ground potential, which can achieve high speed.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】本発明中、第1の発明の
論理回路は、上限値を電源電位、下限値を接地電位より
高い電位とする論理信号を出力する入力論理回路と、こ
の入力論理回路の出力論理信号を入力論理信号とするソ
ースフォロワ型論理回路と、このソースフォロワ型論理
回路の出力論理信号を入力論理信号とし、上限値を電源
電位、下限値を接地電位とする論理信号を出力する出力
ドライバを有しているというものである。
According to the present invention, a logic circuit according to a first aspect of the present invention includes an input logic circuit for outputting a logic signal whose upper limit is set to a power supply potential and whose lower limit is set to a potential higher than the ground potential, A source-follower type logic circuit having an output logic signal of a logic circuit as an input logic signal, and a logic signal having an output logic signal of the source follower-type logic circuit as an input logic signal, an upper limit value being a power supply potential and a lower limit value being a ground potential. Is provided.

【0021】本発明中、第1の発明によれば、入力論理
回路の出力論理信号の下限値を高くして入力論理回路の
出力論理信号の振幅を小さくしても、ソースフォロワ型
論理回路により、入力論理回路の出力論理信号の電位を
接地電位方向にシフトすることができる。
According to the first aspect of the present invention, even if the lower limit value of the output logic signal of the input logic circuit is increased and the amplitude of the output logic signal of the input logic circuit is reduced, the source follower type logic circuit can be used. The potential of the output logic signal of the input logic circuit can be shifted in the direction of the ground potential.

【0022】したがって、出力ドライバの回路閾値を入
力論理回路の出力論理信号の中心電位に合わせるように
出力ドライバのβレシオを調整しなくとも、すなわち、
出力ドライバの回路閾値が入力論理回路の出力論理信号
の中心電位よりも低い場合であっても、立ち上がり時間
と立ち下がり時間が等しくなるように出力ドライバを動
作させることができる。
Therefore, without adjusting the β ratio of the output driver so that the circuit threshold value of the output driver matches the center potential of the output logic signal of the input logic circuit,
Even when the circuit threshold value of the output driver is lower than the center potential of the output logic signal of the input logic circuit, the output driver can be operated so that the rise time and the fall time are equal.

【0023】本発明中、第2の発明の論理回路は、クロ
ック信号に同期して動作し、クロック信号が一方の論理
値のときに出力が確定し、上限値を電源電位、下限値を
接地電位とする論理信号を出力する入力論理回路と、こ
の入力論理回路の出力論理信号を入力論理信号とするソ
ースフォロワ型論理回路と、このソースフォロワ型論理
回路の出力論理信号を入力論理信号とし、上限値を電源
電位、下限値を接地電位とする論理信号を出力する出力
ドライバを有しているというものである。
In the logic circuit according to the second aspect of the present invention, the logic circuit operates in synchronization with the clock signal, the output is determined when the clock signal has one logic value, the upper limit is set to the power supply potential, and the lower limit is set to the ground. An input logic circuit that outputs a logic signal having a potential, a source follower logic circuit that has an output logic signal of the input logic circuit as an input logic signal, and an output logic signal of the source follower logic circuit has an input logic signal; It has an output driver that outputs a logic signal with the upper limit being the power supply potential and the lower limit being the ground potential.

【0024】本発明中、第2の発明によれば、ソースフ
ォロワ型論理回路の出力論理信号の上限値は、入力論理
回路の出力論理信号の上限値よりも低くなり、ソースフ
ォロワ型論理回路の出力論理信号の振幅は、入力論理回
路の出力論理信号の振幅よりも小さくなる。
According to the second aspect of the present invention, the upper limit value of the output logic signal of the source follower type logic circuit is lower than the upper limit value of the output logic signal of the input follower type logic circuit. The amplitude of the output logic signal is smaller than the amplitude of the output logic signal of the input logic circuit.

【0025】したがって、出力ドライバの回路閾値をソ
ースフォロワ型論理回路の出力論理信号の中心電位程度
となるように選択することにより、動作速度を改善し、
高速化を図ることができる。
Therefore, by selecting the circuit threshold value of the output driver so as to be about the center potential of the output logic signal of the source follower type logic circuit, the operation speed can be improved,
Higher speed can be achieved.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】以下、図1〜図6を参照して、本
発明の第1実施形態〜第3実施形態について、本発明を
入力論理回路として疑似nMOS回路を備える4入力O
R回路に適用した場合を例にして説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, referring to FIGS. 1 to 6, a first embodiment to a third embodiment of the present invention will be described.
An example in which the invention is applied to an R circuit will be described.

【0027】第1実施形態・・図1、図2 図1は本発明の第1実施形態を示す回路図である。図1
中、11は入力論理信号をなす疑似nMOS回路であ
り、12、13、14、15はそれぞれ入力論理信号
A、B、C、Dによりオン、オフが制御されるnMOS
トランジスタ、16は動作時に常時オンとされるプルア
ップ用のpMOSトランジスタ、17は疑似nMOS回
路11の出力端である。
First Embodiment FIG. 1, FIG. 2 FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention. FIG.
Reference numeral 11 denotes a pseudo nMOS circuit that forms an input logic signal, and 12, 13, 14, and 15 denote nMOSs whose on and off are controlled by input logic signals A, B, C, and D, respectively.
A transistor 16 is a pull-up pMOS transistor which is always turned on during operation, and 17 is an output terminal of the pseudo nMOS circuit 11.

【0028】ここに、nMOSトランジスタ12、1
3、14、15は、ドレインを疑似nMOS回路11の
出力端17に接続され、ソースを接地され、ゲートにそ
れぞれ入力論理信号A、B、C、Dが印加されるように
構成されており、pMOSトランジスタ16は、ソース
を電源に接続され、ドレインを疑似nMOS回路11の
出力端17に接続され、ゲートを接地されている。
Here, the nMOS transistors 12, 1
3, 14, and 15, the drains are connected to the output terminal 17 of the pseudo nMOS circuit 11, the sources are grounded, and the input logic signals A, B, C, and D are applied to the gates, respectively. The pMOS transistor 16 has a source connected to the power supply, a drain connected to the output terminal 17 of the pseudo nMOS circuit 11, and a gate grounded.

【0029】また、18はソースフォロワ型論理回路で
あり、19は入力トランジスタをなすnMOSトランジ
スタ、20は負荷素子をなすnMOSトランジスタ、2
1はソースフォロワ型論理回路18の出力端である。
Reference numeral 18 denotes a source follower type logic circuit; 19, an nMOS transistor as an input transistor; 20, an nMOS transistor as a load element;
1 is an output terminal of the source follower type logic circuit 18.

【0030】ここに、nMOSトランジスタ19は、ド
レインを電源に接続され、ゲートを疑似nMOS回路1
1の出力端17に接続され、ソースをソースフォロワ型
論理回路18の出力端21に接続されており、nMOS
トランジスタ20は、ドレインをnMOSトランジスタ
19のソースに接続され、ソースを接地され、ゲートを
電源に接続されている。
Here, the nMOS transistor 19 has a drain connected to a power supply and a gate connected to the pseudo nMOS circuit 1.
1, the source is connected to the output terminal 21 of the source follower type logic circuit 18, and the nMOS
The transistor 20 has a drain connected to the source of the nMOS transistor 19, a source grounded, and a gate connected to a power supply.

【0031】また、22は出力ドライバをなすCMOS
インバータであり、23はプルアップ用のpMOSトラ
ンジスタ、24はプルダウン用のnMOSトランジスタ
である。
Reference numeral 22 denotes a CMOS as an output driver
An inverter 23 is a pull-up pMOS transistor and 24 is a pull-down nMOS transistor.

【0032】ここに、pMOSトランジスタ23及びn
MOSトランジスタ24は、ゲート同士を接続され、そ
の接続点をソースフォロワ型論理回路18の出力端21
に接続され、pMOSトランジスタ23は、ソースを電
源に接続され、nMOSトランジスタ24は、ドレイン
をpMOSトランジスタ23のドレインに接続され、ソ
ースを接地されている。
Here, the pMOS transistors 23 and n
The MOS transistor 24 has its gates connected to each other, and the connection point is connected to the output terminal 21 of the source follower type logic circuit 18.
, The source of the pMOS transistor 23 is connected to the power supply, the drain of the nMOS transistor 24 is connected to the drain of the pMOS transistor 23, and the source is grounded.

【0033】図2は本発明の第1実施形態の動作を説明
するための波形図であり、入力論理信号A〜Dの電位
と、疑似nMOS回路11の出力端17の電位と、ソー
スフォロワ型論理回路18の出力端21の電位を示して
いる。
FIG. 2 is a waveform diagram for explaining the operation of the first embodiment of the present invention, in which the potentials of the input logic signals A to D, the potential of the output terminal 17 of the pseudo nMOS circuit 11, the source follower type The potential of the output terminal 21 of the logic circuit 18 is shown.

【0034】ここに、入力論理信号A〜Dが全て接地電
位VSSの場合には、nMOSトランジスタ12〜15
は全てオフとなり、疑似nMOS回路11の出力端17
はpMOSトランジスタ16によってチャージされるの
で、疑似nMOS回路11の出力端17の電位は電源電
位VDDとなる。
If the input logic signals A to D are all at the ground potential VSS, the nMOS transistors 12 to 15
Are all turned off, and the output terminal 17 of the pseudo nMOS circuit 11 is turned off.
Is charged by the pMOS transistor 16, the potential of the output terminal 17 of the pseudo nMOS circuit 11 becomes the power supply potential VDD.

【0035】また、このとき、nMOSトランジスタ1
9、20は共にオンであり、ソースフォロワ型論理回路
18の出力端21は、nMOSトランジスタ19、20
のβレシオ[=β20(nMOSトランジスタ20の電
流駆動能力)/β19(nMOSトランジスタ19の電
流駆動能力)]によって決まる電位VH(<VDD)と
なる。
At this time, the nMOS transistor 1
9 and 20 are both on, and the output terminal 21 of the source follower type logic circuit 18 is connected to the nMOS transistors 19 and 20.
[= Β20 (current driving capability of nMOS transistor 20) / β19 (current driving capability of nMOS transistor 19)].

【0036】この状態から、たとえば、入力論理信号A
が電源電位VDDに変化すると、nMOSトランジスタ
12はオンとなり、nMOSトランジスタ12にドレイ
ン電流が流れるので、疑似nMOS回路11の出力端1
7の電位は低下する。
From this state, for example, the input logic signal A
Changes to the power supply potential VDD, the nMOS transistor 12 is turned on, and a drain current flows through the nMOS transistor 12, so that the output terminal 1 of the pseudo nMOS circuit 11
The potential of 7 decreases.

【0037】しかし、pMOSトランジスタ16は、動
作時には常時オンとなるように構成されているので、疑
似nMOS回路11の出力端17の電位は、接地電位ま
では低下せず、nMOSトランジスタ12とpMOSト
ランジスタ16とのβレシオ[=β12(nMOSトラ
ンジスタ12の電流駆動能力)/β16(nMOSトラ
ンジスタ16の電流駆動能力)]で決まる電位VAに落
ちつくことになる。
However, since the pMOS transistor 16 is configured to be always turned on during operation, the potential of the output terminal 17 of the pseudo nMOS circuit 11 does not drop to the ground potential, and the nMOS transistor 12 and the pMOS transistor The potential VA is settled to the potential VA determined by the β ratio [= β12 (current driving capability of the nMOS transistor 12) / β16 (current driving capability of the nMOS transistor 16)] with the ratio 16.

【0038】また、この場合、ソースフォロワ型論理回
路18では、nMOSトランジスタ19のゲート電位が
低下し、この結果、nMOSトランジスタ19のドレイ
ン電流が低下し、nMOSトランジスタ20のドレイン
電流と等しくなったところで安定することになる。この
とき、ソースフォロワ型論理回路18の出力端21の電
位はVL(<VH)となる。
In this case, in the source follower type logic circuit 18, the gate potential of the nMOS transistor 19 decreases, and as a result, the drain current of the nMOS transistor 19 decreases and becomes equal to the drain current of the nMOS transistor 20. It will be stable. At this time, the potential of the output terminal 21 of the source follower type logic circuit 18 becomes VL (<VH).

【0039】このように、疑似nMOS回路11の出力
端17の電位は、上限値をVDD、下限値をVAとする
電位となるが、ソースフォロワ型論理回路18の出力端
21の電位は、疑似nMOS回路11の出力端17の電
位を接地電位方向にシフトした上限値をVH、下限値を
VLとする電位となる。
As described above, the potential of the output terminal 17 of the pseudo nMOS circuit 11 is a potential whose upper limit is VDD and its lower limit is VA, but the potential of the output terminal 21 of the source follower type logic circuit 18 is a pseudo potential. The upper limit value obtained by shifting the potential of the output terminal 17 of the nMOS circuit 11 in the direction of the ground potential is VH, and the lower limit value is VL.

【0040】ちなわち、疑似nMOS回路11の出力論
理信号は、上限値をVDD、下限値をVAとする論理信
号となるが、ソースフォロワ型論理回路18の出力論理
信号は、疑似nMOS回路11の出力論理信号を接地電
位方向にシフトした上限値をVH、下限値をVLとする
論理信号となる。
That is, the output logic signal of the pseudo nMOS circuit 11 is a logic signal having an upper limit value of VDD and a lower limit value of VA, and the output logic signal of the source follower type logic circuit 18 is Are shifted to the ground potential direction, the upper limit value is VH, and the lower limit value is VL.

【0041】この結果、CMOSインバータ22の回路
閾値は、疑似nMOS回路11の出力論理信号の中心電
位[VA+(VDD−VA)/2]である必要はなく、
ソースフォロワ型論理回路18の出力論理信号の中心電
位[VL+(VH−VL)/2]であれば足りる。
As a result, the circuit threshold of the CMOS inverter 22 does not need to be the center potential [VA + (VDD−VA) / 2] of the output logic signal of the pseudo nMOS circuit 11,
It is sufficient if the center potential of the output logic signal of the source follower type logic circuit 18 is [VL + (VH-VL) / 2].

【0042】このように、本発明の第1実施形態によれ
ば、疑似nMOS回路11とCMOSインバータ22と
の間に、ソースフォロワ型論理回路18を介在させてい
るので、疑似nMOS回路11の出力論理信号の下限値
を高くして疑似nMOS回路11の出力論理信号の振幅
を小さくしても、疑似nMOS回路11の出力論理信号
の中心電位を接地電位方向にシフトすることができる。
As described above, according to the first embodiment of the present invention, since the source follower type logic circuit 18 is interposed between the pseudo nMOS circuit 11 and the CMOS inverter 22, the output of the pseudo nMOS circuit 11 Even if the lower limit of the logic signal is increased and the amplitude of the output logic signal of the pseudo nMOS circuit 11 is reduced, the center potential of the output logic signal of the pseudo nMOS circuit 11 can be shifted toward the ground potential.

【0043】したがって、CMOSインバータ22の回
路閾値を疑似nMOS回路11の出力論理信号の中心電
位に合わせるようにCMOSインバータ22のβレシオ
を調整しなくとも、すなわち、CMOSインバータ22
の回路閾値が疑似nMOS回路11の出力論理信号の中
心電位よりも低い場合であっても、立ち上がり時間と立
ち下がり時間が等しくなるようにCMOSインバータ2
2を動作させることができるので、疑似nMOS回路1
1の出力論理信号の下限値を高くして疑似nMOS回路
11の出力論理信号を小振幅とすることによる高速化を
図ることができる。
Therefore, it is not necessary to adjust the β ratio of the CMOS inverter 22 so that the circuit threshold value of the CMOS inverter 22 matches the center potential of the output logic signal of the pseudo nMOS circuit 11, that is, the CMOS inverter 22
Is lower than the center potential of the output logic signal of the pseudo nMOS circuit 11, the CMOS inverter 2 is set so that the rise time and the fall time are equal.
2 can be operated, so that the pseudo nMOS circuit 1
By increasing the lower limit of the output logic signal of No. 1 and making the output logic signal of the pseudo nMOS circuit 11 have a small amplitude, it is possible to increase the speed.

【0044】第2実施形態・・図3 図3は本発明の第2実施形態を示す回路図であり、本発
明の第2実施形態は、図1に示す本発明の第1実施形態
が備えるソースフォロワ型論理回路18と回路構成の異
なるソースフォロワ型論理回路25を設け、その他につ
いては、図1に示す本発明の第1実施形態と同様に構成
したものである。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention. The second embodiment of the present invention is provided in the first embodiment of the present invention shown in FIG. A source follower type logic circuit 25 having a circuit configuration different from that of the source follower type logic circuit 18 is provided, and the other components are configured in the same manner as the first embodiment of the present invention shown in FIG.

【0045】ソースフォロワ型論理回路25は、図1に
示すソースフォロワ型論理回路18が備えるnMOSト
ランジスタ20の代わりに、抵抗26を設けるように
し、その他については、図1に示すソースホロア型論理
回路18と同様に構成したものである。
The source follower type logic circuit 25 is provided with a resistor 26 in place of the nMOS transistor 20 included in the source follower type logic circuit 18 shown in FIG. 1, and the others are provided with the source follower type logic circuit 18 shown in FIG. It is configured similarly to.

【0046】このように、本発明の第2実施形態によれ
ば、疑似nMOS回路11とCMOSインバータ22と
の間にソースフォロワ型論理回路25を介在させている
ので、図1に示す本発明の第1実施形態と同様の作用効
果を得ることができる。
As described above, according to the second embodiment of the present invention, the source follower type logic circuit 25 is interposed between the pseudo nMOS circuit 11 and the CMOS inverter 22, so that the present invention shown in FIG. The same operation and effect as in the first embodiment can be obtained.

【0047】第3実施形態・・図4〜図6 図4は本発明の第3実施形態を示す回路図であり、本発
明の第3実施形態は、図1に示す疑似nMOS回路11
の代わりに、ダイナミック型論理回路27を備えるよう
にし、その他については、図1に示す本発明の第1実施
形態と同様に構成したものである。
Third Embodiment FIG. 4 to FIG. 6 FIG. 4 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention. In the third embodiment of the present invention, the pseudo nMOS circuit 11 shown in FIG.
Instead, a dynamic logic circuit 27 is provided, and the other configuration is the same as that of the first embodiment of the present invention shown in FIG.

【0048】ダイナミック型論理回路27は、pMOS
トランジスタ16のゲートを接地しないで、pMOSト
ランジスタ16のゲートにクロック信号CLKを印加す
るように構成すると共に、nMOSトランジスタ12〜
15のソースを直接接地しないで、これらnMOSトラ
ンジスタ12〜15のソースを、ゲートにクロックCL
Kが印加されるnMOSトランジスタ28を介して接地
するように構成し、その他については、図1に示す疑似
nMOS回路11と同様に構成したものである。
The dynamic logic circuit 27 is a pMOS
The gate of the transistor 16 is not grounded, and the clock signal CLK is applied to the gate of the pMOS transistor 16.
15 are not directly grounded, the sources of these nMOS transistors 12-15 are connected to the gates of the clock CL
It is configured to be grounded via an nMOS transistor 28 to which K is applied, and the other configuration is the same as the pseudo nMOS circuit 11 shown in FIG.

【0049】図5はダイナミック型論理回路27の動作
を説明するための波形図であり、ダイナミック型論理回
路27には、2つの動作期間、すなわち、プリチャージ
期間と評価期間(入力論理信号A〜DのOR処理期間)
とが存在する。
FIG. 5 is a waveform diagram for explaining the operation of the dynamic logic circuit 27. The dynamic logic circuit 27 has two operation periods, namely, a precharge period and an evaluation period (input logic signals A to A). D OR processing period)
And exists.

【0050】ここに、クロック信号CLK=接地電位V
SSになると、プリチャージ期間となり、pMOSトラ
ンジスタ16=オン、nMOSトランジスタ28=オフ
となり、入力論理信号A〜Dの論理値が如何なる値であ
っても、出力端17の電位は電源電位VDDにプリチャ
ージされる。
Here, clock signal CLK = ground potential V
At SS, the precharge period starts, the pMOS transistor 16 is turned on, the nMOS transistor 28 is turned off, and the potential of the output terminal 17 is precharged to the power supply potential VDD regardless of the logic values of the input logic signals A to D. Charged.

【0051】これに対して、クロック信号CLK=電源
電位VDDになると、評価期間となり、pMOSトラン
ジスタ16=オフ、nMOSトランジスタ28=オンと
なり、入力論理信号A〜DについてOR処理が可能とな
る。
On the other hand, when the clock signal CLK becomes equal to the power supply potential VDD, the evaluation period starts, the pMOS transistor 16 is turned off, and the nMOS transistor 28 is turned on, so that the input logic signals A to D can be ORed.

【0052】このとき、たとえば、入力論理信号A=H
レベル、入力論理信号B〜D=接地電位VSSである
と、nMOSトランジスタ12=オンとなり、出力端1
7の電位はnMOSトランジスタ12を介して低下して
接地電位VSSに至る。
At this time, for example, the input logic signal A = H
When the level and the input logic signal BD are equal to the ground potential VSS, the nMOS transistor 12 is turned on and the output terminal 1
The potential of 7 drops through the nMOS transistor 12 to reach the ground potential VSS.

【0053】これに対して、入力論理信号A〜D=接地
電位VSSであると、nMOSトランジスタ12〜15
=オフとなり、出力端17から接地に至る線路が存在し
ないため、出力端17はフローティングノード(ダイナ
ミックノード)となり、出力端17の電位は電源電位V
DDに保たれる。
On the other hand, when the input logic signals A to D = ground potential VSS, the nMOS transistors 12 to 15
= Off, and there is no line from the output terminal 17 to the ground. Therefore, the output terminal 17 becomes a floating node (dynamic node), and the potential of the output terminal 17 becomes the power supply potential V.
DD is maintained.

【0054】このように、ダイナミック型論理回路27
は、クロック信号CLKに同期して動作し、クロック信
号CLKが電源電位VDDとなる評価期間において有効
な論理が出力されることになる。
As described above, the dynamic logic circuit 27
Operates in synchronization with the clock signal CLK, and valid logic is output during the evaluation period when the clock signal CLK becomes the power supply potential VDD.

【0055】図6は本発明の第3実施形態の動作を説明
するための波形図であり、入力論理信号A=電源電位V
DD、入力論理信号B〜D=接地電位VSSである場合
において、クロック信号CLKが接地電位VSSから電
源電位VDDに変化した場合のダイナミック型論理回路
27の出力端17の電位変化及びソースフォロワ型論理
回路18の出力端21の電位変化を示している。
FIG. 6 is a waveform diagram for explaining the operation of the third embodiment of the present invention, where the input logic signal A = power supply potential V
DD, when the input logic signals BD are equal to the ground potential VSS and the clock signal CLK changes from the ground potential VSS to the power supply potential VDD, the potential change of the output terminal 17 of the dynamic logic circuit 27 and the source follower logic 3 shows a potential change at an output terminal 21 of the circuit 18.

【0056】すなわち、本発明の第3実施形態において
は、入力論理信号A=電源電位VDD、入力論理信号B
〜D=接地電位VSSである場合において、クロック信
号CLKが接地電位VSSにある場合には、pMOSト
ランジスタ16=オン、nMOSトランジスタ28=オ
フとなるので、ダイナミック型論理回路27の出力端1
7の電位は電源電位VDDとなり、ソースフォロワ型論
理回路18の出力端21の電位は、nMOSトランジス
タ19の効果により、電源電位VDDよりも低い電位V
Hとなっている。
That is, in the third embodiment of the present invention, input logic signal A = power supply potential VDD, input logic signal B
When D is the ground potential VSS and the clock signal CLK is at the ground potential VSS, the pMOS transistor 16 is turned on and the nMOS transistor 28 is turned off.
7 becomes the power supply potential VDD, and the potential of the output terminal 21 of the source follower type logic circuit 18 becomes lower than the power supply potential VDD by the effect of the nMOS transistor 19.
H.

【0057】この状態から、入力論理信号A〜Dがその
論理値を維持されたまま、クロック信号CLKが電源電
位VDDに変化すると、pMOSトランジスタ16=オ
フ、nMOSトランジスタ28=オンとなるので、ダイ
ナミック型論理回路27の出力端17の電位は、クロッ
ク信号CLKの立ち上がりと共に電源電位VDDから接
地電位VSSに低下すると共に、ソースフォロワ型論理
回路18の出力端21の電位は、電位VHから接地電位
VSSまで低下することになる。
From this state, if the clock signal CLK changes to the power supply potential VDD while the input logic signals A to D maintain their logical values, the pMOS transistor 16 is turned off and the nMOS transistor 28 is turned on. The potential of the output terminal 17 of the logic circuit 27 decreases from the power supply potential VDD to the ground potential VSS with the rise of the clock signal CLK, and the potential of the output terminal 21 of the source follower logic circuit 18 changes from the potential VH to the ground potential VSS. Will be reduced to

【0058】このように、本発明の第3実施形態によれ
ば、ソースフォロワ型論理回路18から出力される出力
論理信号の上限値は、ダイナミック型論理回路27の出
力論理信号の上限値よりも低くなり、ソースフォロワ型
論理回路18の出力論理信号の振幅は、ダイナミック型
論理回路27の出力論理信号の振幅よりも小さくなるの
で、CMOSインバータ22の回路閾値をソースフォロ
ワ型論理回路18の出力論理信号の中心電位であるVH
/2程度となるように選択することにより、動作速度を
改善し、高速化を図ることができる。
As described above, according to the third embodiment of the present invention, the upper limit value of the output logic signal output from the source follower type logic circuit 18 is larger than the upper limit value of the output logic signal of the dynamic type logic circuit 27. Therefore, the amplitude of the output logic signal of the source follower logic circuit 18 becomes smaller than the amplitude of the output logic signal of the dynamic logic circuit 27. Therefore, the circuit threshold value of the CMOS inverter 22 is set to the output logic of the source follower logic circuit 18. VH which is the central potential of the signal
By selecting so as to be about / 2, the operation speed can be improved and the speed can be increased.

【0059】なお、本発明の第3実施形態においては、
ソースフォロワ型論理回路18は、負荷素子としてnM
OSトランジスタ20を設けているが、この代わりに、
抵抗を設けるようにしても良い。
In the third embodiment of the present invention,
The source follower type logic circuit 18 has nM
Although the OS transistor 20 is provided, instead of this,
A resistor may be provided.

【0060】[0060]

【発明の効果】以上のように、本発明中、第1の発明に
よれば、入力論理回路の出力論理信号の下限値を高くし
て入力論理回路の出力論理信号の振幅を小さくしても、
ソースフォロワ型論理回路により、入力論理回路の出力
論理信号の電位を接地電位方向にシフトすることができ
るようにしたことにより、出力ドライバの回路閾値を入
力論理回路の出力論理信号の中心電位に合わせるように
出力ドライバのβレシオを調整しなくとも、すなわち、
出力ドライバの回路閾値が入力論理回路の出力論理信号
の中心電位よりも低い場合であっても、立ち上がり時間
と立ち下がり時間が等しくなるように出力ドライバを動
作させることができるので、入力論理回路の出力論理信
号の下限値を高くして入力論理回路の出力論理信号を小
振幅とすることによる高速化を図ることができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, even if the lower limit value of the output logic signal of the input logic circuit is increased and the amplitude of the output logic signal of the input logic circuit is reduced, ,
The source follower-type logic circuit can shift the potential of the output logic signal of the input logic circuit toward the ground potential, so that the circuit threshold of the output driver is adjusted to the central potential of the output logic signal of the input logic circuit. Without adjusting the β ratio of the output driver,
Even when the circuit threshold of the output driver is lower than the central potential of the output logic signal of the input logic circuit, the output driver can be operated so that the rise time and the fall time are equal, By increasing the lower limit value of the output logic signal and making the output logic signal of the input logic circuit a small amplitude, it is possible to increase the speed.

【0061】また、第2の発明によれば、ソースフォロ
ワ型論理回路の出力論理信号の上限値は、入力論理回路
の出力論理信号の上限値よりも低くなり、ソースフォロ
ワ型論理回路の出力論理信号の振幅は、入力論理回路の
出力論理信号の振幅よりも小さくなるので、出力ドライ
バの回路閾値をソースフォロワ型論理回路の出力論理信
号の中心電位程度となるように選択することにより、動
作速度を改善し、高速化を図ることができる。
According to the second aspect, the upper limit value of the output logic signal of the source follower type logic circuit becomes lower than the upper limit value of the output logic signal of the input follower type logic circuit. Since the amplitude of the signal is smaller than the amplitude of the output logic signal of the input logic circuit, the operation speed is selected by selecting the circuit threshold of the output driver so as to be about the center potential of the output logic signal of the source follower type logic circuit. And speeding up can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1実施形態の動作を説明するための
波形図である。
FIG. 2 is a waveform chart for explaining the operation of the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2実施形態を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3実施形態を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3実施形態が備えるダイナミック型
論理回路の動作を説明するための波形図である。
FIG. 5 is a waveform chart for explaining an operation of a dynamic logic circuit provided in a third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第3実施形態の動作を説明するための
波形図である。
FIG. 6 is a waveform chart for explaining the operation of the third embodiment of the present invention.

【図7】従来の論理回路の一例を示す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram illustrating an example of a conventional logic circuit.

【図8】図7に示す従来の論理回路が備える疑似nMO
S回路の動作を説明するための波形図である。
8 shows a pseudo nMO included in the conventional logic circuit shown in FIG.
FIG. 4 is a waveform chart for explaining the operation of the S circuit.

【図9】疑似nMOS回路が通常のCMOS回路よりも
回路の遅延時間が短く高速であることを説明するための
波形図である。
FIG. 9 is a waveform diagram for explaining that a pseudo nMOS circuit has a shorter circuit delay time and a higher speed than a normal CMOS circuit.

【図10】CMOSインバータにおける1/βレシオと
回路閾値との関係を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a relationship between a 1 / β ratio and a circuit threshold in a CMOS inverter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

A、B、C、D 入力論理信号 X 出力論理信号 A, B, C, D Input logic signal X Output logic signal

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】上限値を電源電位、下限値を接地電位より
高い電位とする論理信号を出力する入力論理回路と、 前記入力論理回路の出力論理信号を入力論理信号とする
ソースフォロワ型論理回路と、 前記ソースフォロワ型論理回路の出力論理信号を入力論
理信号とし、上限値を前記電源電位、下限値を前記接地
電位とする論理信号を出力する出力ドライバを有してい
ることを特徴とする論理回路。
1. An input logic circuit for outputting a logic signal having an upper limit value equal to a power supply potential and a lower limit value higher than a ground potential, and a source follower type logic circuit using an output logic signal of the input logic circuit as an input logic signal. And an output driver that outputs a logic signal having an output logic signal of the source follower type logic circuit as an input logic signal, an upper limit value being the power supply potential, and a lower limit value being the ground potential. Logic circuit.
【請求項2】クロック信号に同期して動作し、クロック
信号が一方の論理値のときに出力が確定し、上限値を電
源電位、下限値を接地電位とする論理信号を出力する入
力論理回路と、 前記入力論理回路の出力論理信号を入力論理信号とする
ソースフォロワ型論理回路と、 前記ソースフォロワ型論理回路の出力論理信号を入力論
理信号とし、上限値を前記電源電位、下限値を前記接地
電位とする論理信号を出力する出力ドライバを有してい
ることを特徴とする論理回路。
2. An input logic circuit which operates in synchronization with a clock signal, outputs when the clock signal has one logic value, and outputs a logic signal having an upper limit value as a power supply potential and a lower limit value as a ground potential. A source follower-type logic circuit having an output logic signal of the input logic circuit as an input logic signal; an output logic signal of the source follower-type logic circuit being an input logic signal; an upper limit value being the power supply potential; and a lower limit value being the lower limit value. A logic circuit, comprising: an output driver that outputs a logic signal having a ground potential.
JP16452599A 1999-06-11 1999-06-11 Logic circuit Expired - Fee Related JP3799873B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16452599A JP3799873B2 (en) 1999-06-11 1999-06-11 Logic circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16452599A JP3799873B2 (en) 1999-06-11 1999-06-11 Logic circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000353949A true JP2000353949A (en) 2000-12-19
JP3799873B2 JP3799873B2 (en) 2006-07-19

Family

ID=15794834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16452599A Expired - Fee Related JP3799873B2 (en) 1999-06-11 1999-06-11 Logic circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3799873B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109219926A (en) * 2016-05-23 2019-01-15 高通股份有限公司 Low power receiver with wide input voltage range

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109219926A (en) * 2016-05-23 2019-01-15 高通股份有限公司 Low power receiver with wide input voltage range
CN109219926B (en) * 2016-05-23 2022-04-12 高通股份有限公司 Low power receiver with wide input voltage range

Also Published As

Publication number Publication date
JP3799873B2 (en) 2006-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6144227A (en) MOS logic circuit and semiconductor apparatus including the same
US5017807A (en) Output buffer having capacitive drive shunt for reduced noise
US6891398B2 (en) Skewed falling logic device for rapidly propagating a falling edge of an output signal
JPH11355123A (en) Buffer using dynamic threshold MOS transistor
US6759876B2 (en) Semiconductor integrated circuit
US5134316A (en) Precharged buffer with reduced output voltage swing
JP3072254B2 (en) Level shift circuit
JPH0945086A (en) Input buffer circuit of semiconductor memory
JP2000353949A (en) Logic circuit
JPH05199101A (en) Level shift circuit
JP2002300025A (en) Level shift circuit
US20060214717A1 (en) Low amplitude differential output circuit and serial transmission interface using the same
US6429687B1 (en) Semiconductor integrated circuit device
US7282961B1 (en) Apparatus for hysteresis based process compensation for CMOS receiver circuits
JP2647587B2 (en) Semiconductor circuit
JPH05327465A (en) Semiconductor integrated circuit
JP2947042B2 (en) Low phase difference differential buffer
US6472917B2 (en) Semiconductor integrated circuit device having compensation for wiring distance delays
JPH0690159A (en) Output buffer circuit
JPH11214981A (en) Level shift circuit
JPH06132808A (en) Output buffer circuit
JP2002319853A (en) I / O circuit
JPH02171023A (en) Level conversion circuit
JPS6333331B2 (en)
JPH08195086A (en) Semiconductor integrated circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040805

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060404

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060417

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090512

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100512

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100512

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110512

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees