JP2000352712A - Liquid crystal display device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本願の発明は、夫々がスイッ
チング素子を有している複数の画素がマトリックス状に
配列されているアクティブマトリックス型の液晶表示装
置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device in which a plurality of pixels each having a switching element are arranged in a matrix.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５、６は、アクティブマトリックス型
の液晶表示装置の一従来例を示している。この従来例で
は、画素（液晶セル）を構成する透明な画素電極１１と
画素を駆動するためのスイッチング素子である薄膜トラ
ンジスタ１２とがマトリックス状に配列されている。2. Description of the Related Art FIGS. 5 and 6 show a conventional example of an active matrix type liquid crystal display device. In this conventional example, a transparent pixel electrode 11 constituting a pixel (liquid crystal cell) and a thin film transistor 12 as a switching element for driving the pixel are arranged in a matrix.
【０００３】各画素電極１１の行間には、各画素の行を
選択する選択信号を供給するためのゲートライン１３が
配置されている。薄膜トランジスタ１２の活性層１４上
のゲート絶縁膜１５上をゲートライン１３の分枝部が延
在しており、この分枝部が薄膜トランジスタ１２のゲー
ト電極１６になっている。また、各画素電極１１の列間
には、画像信号を供給するための信号ライン１７が配置
されている。A gate line 13 for supplying a selection signal for selecting a row of each pixel is arranged between rows of each pixel electrode 11. A branch of the gate line 13 extends on the gate insulating film 15 on the active layer 14 of the thin film transistor 12, and this branch serves as the gate electrode 16 of the thin film transistor 12. A signal line 17 for supplying an image signal is arranged between the columns of the pixel electrodes 11.
【０００４】画素電極１１は、コンタクト孔２１を介し
て薄膜トランジスタ１２の一方のソース／ドレイン２２
ａにコンタクトしている。この一方のソース／ドレイン
２２ａの延長部上をゲートライン１３と略平行に蓄積容
量ライン２３が延在しており、この蓄積容量ライン２３
とソース／ドレイン２２ａとがゲート絶縁膜１５を介し
て蓄積容量を形成している。信号ライン１７は、コンタ
クト孔２４を介して薄膜トランジスタ１２の他方のソー
ス／ドレイン２２ｂにコンタクトしている。The pixel electrode 11 is connected to one source / drain 22 of the thin film transistor 12 through a contact hole 21.
a. A storage capacitor line 23 extends substantially in parallel with the gate line 13 on the extension of the one source / drain 22a.
And the source / drain 22a form a storage capacitor via the gate insulating film 15. The signal line 17 is in contact with the other source / drain 22b of the thin film transistor 12 via the contact hole 24.
【０００５】コンタクト孔２１近傍及び画素部以外の部
分を、全面一体の遮光層２５が覆っている。遮光層２５
は、遮光性の高い金属層から成っており、画素間の空き
スペース、薄膜トランジスタ１２、ゲートライン１３、
信号ライン１７及び蓄積容量ライン２３等の画素部以外
の部分に入射する光を遮光し、画素部に入射する光のみ
を透過させて、表示のコントラストを高めるためのもの
である。A portion near the contact hole 21 and a portion other than the pixel portion is covered with a light-shielding layer 25 integrated over the entire surface. Light shielding layer 25
Is made of a metal layer having a high light-shielding property, and a space between pixels, a thin film transistor 12, a gate line 13,
This is to improve the display contrast by blocking light incident on portions other than the pixel portion such as the signal line 17 and the storage capacitor line 23 and transmitting only light incident on the pixel portion.
【０００６】薄膜トランジスタ１２や画素電極１１等
は、絶縁基板２６上に形成されている。絶縁基板２６に
絶縁基板２７が対向しており、この絶縁基板２７の絶縁
基板２６側には、対向電極３１が全面に形成されてい
る。そして、ツイストネマチック液晶層等である液晶層
３２が、絶縁基板２６、２７の間に保持されている。The thin film transistor 12, the pixel electrode 11, and the like are formed on an insulating substrate 26. An insulating substrate 27 faces the insulating substrate 26, and a counter electrode 31 is formed on the entire surface of the insulating substrate 27 on the insulating substrate 26 side. A liquid crystal layer 32 such as a twisted nematic liquid crystal layer is held between the insulating substrates 26 and 27.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、金属層から
成る導電性の遮光層２５が全面一体であるので、この遮
光層２５と画素電極１１等との間で絶縁性を確保する必
要がある。もし、これらの間でリークが発生すれば、遮
光層２５を介したショートが多発したり、大きな負荷容
量が追加されたりするからである。一方、画素電極１１
は、遮光層２５よりも上層にあり、この遮光層２５との
絶縁性を確保しつつ、遮光層２５よりも下層にある薄膜
トランジスタ１２のソース／ドレイン２２ａとコンタク
ト孔２１を介してコンタクトする必要がある。Since the conductive light-shielding layer 25 made of a metal layer is integral with the entire surface, it is necessary to ensure insulation between the light-shielding layer 25 and the pixel electrodes 11 and the like. If a leak occurs between them, a short circuit via the light shielding layer 25 frequently occurs, or a large load capacity is added. On the other hand, the pixel electrode 11
Needs to be in contact with the source / drain 22 a of the thin film transistor 12 below the light-shielding layer 25 via the contact hole 21 while ensuring insulation with the light-shielding layer 25. is there.
【０００８】もし、遮光層２５がコンタクト孔２１から
十分に離間していれば、画素電極１１と遮光層２５との
間のリークの危険性は低い。しかし、遮光層２５がコン
タクト孔２１から離間し過ぎていると、このコンタクト
孔２１近傍での漏光が多くなり、表示のコントラストが
低下する。しかも、画素がより微細化されると、遮光層
２５をコンタクト孔２１へより近接させる必要があるの
で、画素電極１１と遮光層２５との間のリークの危険性
が高くなる。If the light shielding layer 25 is sufficiently separated from the contact hole 21, the risk of leakage between the pixel electrode 11 and the light shielding layer 25 is low. However, if the light-shielding layer 25 is too far from the contact hole 21, light leakage near the contact hole 21 will increase, and the display contrast will be reduced. In addition, when the pixels are further miniaturized, the light-shielding layer 25 needs to be closer to the contact hole 21, so that the risk of leakage between the pixel electrode 11 and the light-shielding layer 25 increases.
【０００９】また、コンタクト孔２１が大きければ、画
素電極１１とソース／ドレイン２２ａとを確実にコンタ
クトさせることができる。しかし、画素がより微細化さ
れると、コンタクト孔２１も小さくする必要があるの
で、画素電極１１とソース／ドレイン２２ａとを確実に
コンタクトさせることが難しい。この結果、画素電極１
１に電圧を印加することができなかったり、印加電圧が
不足したりする。If the contact hole 21 is large, the pixel electrode 11 and the source / drain 22a can be reliably contacted. However, when the pixel is further miniaturized, the contact hole 21 also needs to be reduced, so that it is difficult to make the pixel electrode 11 and the source / drain 22a surely contact each other. As a result, the pixel electrode 1
1 cannot be applied with a voltage, or the applied voltage is insufficient.
【００１０】従って、従来の液晶表示装置では、遮光層
２５による十分な遮光を確保すると共に画素電極１１と
遮光層２５との絶縁性を確保しつつ画素電極１１とソー
ス／ドレイン２２ａとを確実に接続することが難しく、
画素の点欠陥、線欠陥や表示のコントラスト低下等を生
じて、歩留りが低かった。Therefore, in the conventional liquid crystal display device, the pixel electrode 11 and the source / drain 22a are reliably connected while securing sufficient light shielding by the light shielding layer 25 and ensuring insulation between the pixel electrode 11 and the light shielding layer 25. Difficult to connect,
The yield was low due to point defects and line defects of pixels, reduction in display contrast, and the like.
【００１１】なお、遮光層２５を最下層に配置すると、
この遮光層２５と画素電極１１との間の絶縁性を考慮す
る必要がなくなるが、今度は遮光層２５と薄膜トランジ
スタ１２等との間の絶縁性が問題になる。また、液晶層
３２を駆動するために最上層が画素電極１１である必要
があるので、遮光層２５を画素電極１１よりも上層に配
置することもできない。When the light-shielding layer 25 is disposed at the lowermost layer,
It is not necessary to consider the insulation between the light-shielding layer 25 and the pixel electrode 11, but this time, the insulation between the light-shielding layer 25 and the thin film transistor 12 becomes a problem. Further, since the uppermost layer needs to be the pixel electrode 11 in order to drive the liquid crystal layer 32, the light-shielding layer 25 cannot be disposed above the pixel electrode 11.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】請求項１の液晶表示装置
では、導電性遮光層が薄膜トランジスタの一方のソース
／ドレインのコンタクト層を兼ねており、画素電極は導
電性遮光層とコンタクトしていればよい。このため、画
素が微細化されても、画素電極が薄膜トランジスタの一
方のソース／ドレインに直接にコンタクトしている場合
に比べて、画素電極のためのコンタクト孔を大きく且つ
浅くすることができる。In the liquid crystal display device according to the present invention, the conductive light shielding layer also serves as one of the source / drain contact layers of the thin film transistor, and the pixel electrode is in contact with the conductive light shielding layer. I just need. For this reason, even if the pixel is miniaturized, the contact hole for the pixel electrode can be made larger and shallower than when the pixel electrode is in direct contact with one of the source / drain of the thin film transistor.
【００１３】また、導電性遮光層がコンタクト層を兼ね
ているので、画素電極のためのコンタクト孔から導電性
遮光層を離間させる必要がなく、導電性遮光層でコンタ
クト孔の底面を完全に閉塞することができる。このた
め、コンタクト孔近傍での漏光がない。更に、画素電極
は導電性遮光層とコンタクトしていればよいので、導電
性遮光層のパターンが画素電極のパターンから制約を受
けにくい。Further, since the conductive light-shielding layer also serves as the contact layer, there is no need to separate the conductive light-shielding layer from the contact hole for the pixel electrode, and the bottom surface of the contact hole is completely closed by the conductive light-shielding layer. can do. Therefore, there is no light leakage near the contact hole. Further, since the pixel electrode only needs to be in contact with the conductive light-shielding layer, the pattern of the conductive light-shielding layer is less likely to be restricted by the pattern of the pixel electrode.
【００１４】従って、導電性遮光層を用いても、画素電
極と導電性遮光層との絶縁性を考慮する必要がないばか
りでなく、画素電極と薄膜トランジスタの一方のソース
／ドレインとを確実に接続することができ、しかも導電
性遮光層で確実に遮光することができるので、画素の点
欠陥、線欠陥やカラー表示のコントラスト低下等を生じ
ることがなく、更に導電性遮光層のパターン上の制約が
少ない。Therefore, even if the conductive light-shielding layer is used, it is not necessary to consider the insulating property between the pixel electrode and the conductive light-shielding layer, and the pixel electrode is securely connected to one of the source / drain of the thin film transistor. In addition, since light can be reliably shielded by the conductive light-shielding layer, pixel defects such as point defects and line defects and a decrease in contrast of color display do not occur. Less is.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、薄膜トランジスタがスイッ
チング素子になっているアクティブマトリックス型の液
晶表示装置に適用した本願の発明の第１及び第２参考例
並びに一実施形態を、図１〜４を参照しながら説明す
る。なお、図５、６に示した一従来例と対応する構成部
分には、同一の符号を付してある。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, first and second embodiments and an embodiment of the present invention applied to an active matrix type liquid crystal display device in which a thin film transistor is a switching element will be described with reference to FIGS. I will explain while. Components corresponding to those of the conventional example shown in FIGS. 5 and 6 are denoted by the same reference numerals.
【００１６】図１、２が、本願の発明の第１参考例を示
している。この第１参考例では、絶縁基板２６がガラス
または石英ガラスから成っており、この絶縁基板２６上
に減圧ＣＶＤ法で５００Å程度の膜厚に堆積されパター
ニングされた多結晶Ｓｉ膜が薄膜トランジスタ１２の活
性層１４になっている。そして、ＳｉＯ2 膜から成るゲ
ート絶縁膜１５が活性層１４上でパターニングされてい
る。活性層１４の材料としては、多結晶Ｓｉの他に、非
晶質Ｓｉ等を用いてもよい。また、ゲート絶縁膜１５の
材料としては、ＳｉＯ2 の他に、ＳｉＮや酸化タンタル
等を用いてもよい。FIGS. 1 and 2 show a first reference example of the present invention. In the first reference example, the insulating substrate 26 is made of glass or quartz glass, and a polycrystalline Si film deposited on the insulating substrate 26 to a thickness of about 500 ° by a low pressure CVD method and patterned is used to activate the thin film transistor 12. It is a layer 14. Then, a gate insulating film 15 made of a SiO 2 film is patterned on the active layer 14. As the material of the active layer 14, amorphous Si or the like may be used in addition to polycrystalline Si. Further, as a material of the gate insulating film 15, SiN, tantalum oxide, or the like may be used in addition to SiO 2 .
【００１７】絶縁基板２６上のゲートライン１３並びに
ゲート絶縁膜１５上のゲート電極１６及び蓄積容量ライ
ン２３は、減圧ＣＶＤ法で３５００Å程度の膜厚に堆積
され不純物をドープされた多結晶Ｓｉ膜がパターニング
されて形成されている。これらのゲートライン１３、ゲ
ート電極１６及び蓄積容量ライン２３の材料としては、
多結晶Ｓｉの他に、シリサイド、ポリサイドやＴａ、Ａ
ｌ、Ｃｒ等の金属を用いてもよい。The gate line 13 on the insulating substrate 26 and the gate electrode 16 and the storage capacitor line 23 on the gate insulating film 15 are made of a polycrystalline Si film deposited to a thickness of about 3500 ° by a low pressure CVD method and doped with impurities. It is formed by patterning. Materials for the gate line 13, the gate electrode 16, and the storage capacitor line 23 include:
In addition to polycrystalline Si, silicide, polycide, Ta, A
Metals such as l and Cr may be used.
【００１８】活性層１４、ゲート絶縁膜１５及びゲート
電極１６から成る薄膜トランジスタ１２は、図１から明
らかな様にこの第１参考例ではプレーナ型であるが、正
スタガ型や逆スタガ型であってもよい。The thin film transistor 12 comprising the active layer 14, the gate insulating film 15 and the gate electrode 16 is of a planar type in this first embodiment as is apparent from FIG. Is also good.
【００１９】ゲートライン１３等は、常圧ＣＶＤ法で６
０００Å程度の膜厚に堆積されたＰＳＧ膜から成る層間
絶縁膜３３に覆われており、この層間絶縁膜３３には、
薄膜トランジスタ１２のソース／ドレイン２２ａ、２２
ｂに達するコンタクト孔２１、２４が開孔されている。The gate line 13 and the like are 6
It is covered with an interlayer insulating film 33 made of a PSG film deposited to a thickness of about 2,000 mm.
Source / drain 22a, 22 of thin film transistor 12
Contact holes 21 and 24 reaching b are opened.
【００２０】層間絶縁膜３３上には、スパッタリング法
で６０００Å程度の膜厚に堆積されパターニングされた
Ａｌ膜によって、導電膜３４と信号ライン１７とが形成
されており、これらの導電膜３４と信号ライン１７とが
コンタクト孔２１、２４を介してソース／ドレイン２２
ａ、２２ｂにコンタクトしている。信号ライン１７及び
導電膜３４の材料としては、Ａｌの他に、Ｔａ、Ｃｒ、
ＭｏやＮｉ等を用いてもよい。A conductive film 34 and a signal line 17 are formed on the interlayer insulating film 33 by an Al film deposited and patterned to a thickness of about 6000 ° by a sputtering method. The line 17 is connected to the source / drain 22 through the contact holes 21 and 24.
a, 22b. As a material of the signal line 17 and the conductive film 34, Ta, Cr,
Mo or Ni may be used.
【００２１】導電膜３４及び信号ライン１７は、常圧Ｃ
ＶＤ法で４０００Å程度の膜厚に堆積されたＰＳＧ膜か
ら成る層間絶縁膜３５に覆われており、この層間絶縁膜
３５には、導電膜３４に達するコンタクト孔３６が開孔
されている。層間絶縁膜３５上には、スパッタリング法
で２０００Å程度の膜厚に堆積されパターニングされた
Ｔｉ膜によって遮光層２５が形成されており、この遮光
層２５は、コンタクト孔３６を介して導電膜３４にコン
タクトしている。The conductive film 34 and the signal line 17 are
It is covered with an interlayer insulating film 35 made of a PSG film deposited to a thickness of about 4000 ° by the VD method, and a contact hole 36 reaching the conductive film 34 is formed in the interlayer insulating film 35. A light-shielding layer 25 is formed on the interlayer insulating film 35 by a Ti film deposited to a thickness of about 2000 ° by sputtering and patterned, and the light-shielding layer 25 is formed on the conductive film 34 through a contact hole 36. I'm in contact.
【００２２】遮光層２５は、各画素毎に分離されて互い
に絶縁されているが、画素部と信号ライン１７とを除
く、薄膜トランジスタ１２、ゲートライン１３及び蓄積
容量ライン２３の殆ど全部の領域を覆っている。このた
め、各画素の互いに対向する一対の辺は信号ライン１７
によって規定されており、他の一対の辺は遮光層２５に
よって規定されている。The light-shielding layer 25 is separated for each pixel and insulated from each other. However, the light-shielding layer 25 covers almost all regions of the thin film transistor 12, the gate line 13, and the storage capacitor line 23 except for the pixel portion and the signal line 17. ing. Therefore, a pair of opposing sides of each pixel is connected to the signal line 17.
The other pair of sides is defined by the light shielding layer 25.
【００２３】遮光層２５としては、十分な遮光性とコン
タクト性とが得られる段差被覆性の良好な膜であればよ
い。遮光性は、４００〜７００ｎｍの可視光領域で透過
率１％以下、好ましくは０．１％以下であればよい。遮
光層２５の材料としては、Ｔｉの他に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属、及び
これらの合金やシリサイド等を用いてもよい。遮光層２
５の膜厚は、各々の材料によって上述の遮光性を満足す
る厚さであればよく、一般に、５００Å以上あればよ
い。The light-shielding layer 25 may be a film having good step coverage and sufficient light-shielding properties and contact properties. The light-shielding property may be a transmittance of 1% or less, preferably 0.1% or less in a visible light region of 400 to 700 nm. As a material of the light shielding layer 25, in addition to Ti, Cr, Ni, T
Metals such as a, W, Al, Cu, Mo, Pt, and Pd, and alloys and silicides thereof may be used. Light shielding layer 2
The film thickness of 5 may be a thickness that satisfies the above-described light-shielding properties depending on each material, and is generally 500 ° or more.
【００２４】遮光層２５は、常圧ＣＶＤ法で４０００Å
程度の膜厚に堆積されたＰＳＧ膜から成る層間絶縁膜３
７に覆われており、この層間絶縁膜３７には、遮光層２
５に達するコンタクト孔４１が開孔されている。層間絶
縁膜３３、３５、３７の材料としては、透明性がよい絶
縁性のものであればよく、ＰＳＧの他に、ＳｉＯ2 、Ｂ
ＳＧ、ＢＰＳＧ、ＳｉＮ、プラズマＳｉＮ等や、ポリイ
ミドの様な有機物を用いてもよい。The light-shielding layer 25 is formed by a normal pressure CVD method at 4000.degree.
Interlayer insulating film 3 made of a PSG film deposited to a thickness of about
7, the interlayer insulating film 37 has a light shielding layer 2
A contact hole 41 reaching 5 is opened. As the material of the interlayer insulating film 33, 35 and 37, as long as the transparency is good insulation properties, in addition to the PSG, SiO 2, B
SG, BPSG, SiN, plasma SiN, or an organic material such as polyimide may be used.
【００２５】層間絶縁膜３７上には、スパッタリング法
で１５００Å程度の膜厚に堆積されパターニングされた
透明導電膜であるＩＴＯ膜によって、画素電極１１が形
成されている。画素電極１１上で且つ信号ライン１７と
遮光層２５との何れにも覆われていない部分には、有機
物から成る絶縁性の遮光層４２が設けられている。The pixel electrode 11 is formed on the interlayer insulating film 37 by an ITO film which is a transparent conductive film deposited and patterned to a thickness of about 1500 ° by a sputtering method. An insulating light-shielding layer 42 made of an organic material is provided on a portion of the pixel electrode 11 that is not covered by any of the signal line 17 and the light-shielding layer 25.
【００２６】遮光層４２は、顔料及びカーボンブラック
が分散されたアクリル系ポリマを光重合させることによ
って、フォトリソグラフィで形成したものである。遮光
層４２の材料としては、上述のポリマの他に、ＰＶＡや
ポリイミド等を用いてもよく、ゼラチン、カゼイン、Ｐ
ＶＡ、アクリル等を染色したものを用いてもよい。The light-shielding layer 42 is formed by photolithography by photopolymerizing an acrylic polymer in which a pigment and carbon black are dispersed. As a material of the light-shielding layer 42, PVA, polyimide, or the like may be used in addition to the above-mentioned polymer, and gelatin, casein, P
What dyed VA, acrylic, etc. may be used.
【００２７】ガラス等から成り対向電極３１が全面に形
成されている絶縁基板２７が絶縁基板２６に対向してお
り、ツイストネマチック液晶層等である液晶層３２が絶
縁基板２６、２７の間に保持されている。An insulating substrate 27 made of glass or the like and having an opposing electrode 31 formed on the entire surface is opposed to the insulating substrate 26, and a liquid crystal layer 32 such as a twisted nematic liquid crystal layer is held between the insulating substrates 26 and 27. Have been.
【００２８】以上の様な第１参考例では、画素電極１１
が遮光層２５と導電膜３４とを介してソース／ドレイン
２２ａに接続しており、遮光層２５及び導電膜３４がソ
ース／ドレイン２２ａのコンタクト層を兼ねている。こ
のため、図１からも明らかな様に、画素電極１１のため
のコンタクト孔４１が大きく且つ浅い。なお、導電膜３
４は必ずしも必要ではなく、遮光層２５がソース／ドレ
イン２２ａに直接にコンタクトしていてもよい。In the first reference example described above, the pixel electrode 11
Are connected to the source / drain 22a via the light-shielding layer 25 and the conductive film 34, and the light-shielding layer 25 and the conductive film 34 also serve as a contact layer for the source / drain 22a. Therefore, as is clear from FIG. 1, the contact hole 41 for the pixel electrode 11 is large and shallow. The conductive film 3
4 is not always necessary, and the light shielding layer 25 may directly contact the source / drain 22a.
【００２９】また、この第１参考例では、信号ライン１
７と遮光層２５との間のリークの危険を回避するため
に、図１、２から明らかな様に、これらを互いに重畳さ
せず、逆にこれらを離間させている。しかし、この離間
部も遮光層４２に覆われているので、表示のコントラス
トが高い。なお、信号ライン１７と遮光層２５とが平面
的に見て完全に離間していれば、層間絶縁膜３５は必ず
しも必要ではない。In the first reference example, the signal line 1
In order to avoid the risk of leakage between the light-shielding layer 7 and the light-shielding layer 25, they are not overlapped with each other but are separated from each other, as is apparent from FIGS. However, since this separated portion is also covered with the light shielding layer 42, the display contrast is high. If the signal line 17 and the light shielding layer 25 are completely separated from each other in plan view, the interlayer insulating film 35 is not necessarily required.
【００３０】図３は、第２参考例を示している。この第
２参考例では、信号ライン１７及び遮光層２５のみで遮
光をするためにこれらが端部同士で重畳しており、遮光
層４２は設けられていない。なお、この様に信号ライン
１７と遮光層２５とが重畳しているので、これらの間の
層間絶縁が第１参考例等に比べて更に完全に行われてい
る。FIG. 3 shows a second reference example. In the second reference example, since the light is shielded only by the signal line 17 and the light shielding layer 25, they are overlapped at their ends, and the light shielding layer 42 is not provided. Since the signal line 17 and the light-shielding layer 25 overlap in this manner, interlayer insulation between them is more completely performed than in the first reference example and the like.
【００３１】図４は、本願の発明の一実施形態を示して
いる。この実施形態は、層間絶縁膜３７と画素電極１１
との間にカラーフィルタ４３が設けられていることを除
いて、図１、２に示した第１参考例と実質的に同様の構
成を有している。この場合、カラーフィルタ４３が層間
絶縁膜３７の代わりになるので、この層間絶縁膜３７は
必ずしも必要ではない。FIG. 4 shows an embodiment of the present invention. In this embodiment, the interlayer insulating film 37 and the pixel electrode 11
The configuration is substantially the same as that of the first embodiment shown in FIGS. In this case, since the color filter 43 replaces the interlayer insulating film 37, the interlayer insulating film 37 is not always necessary.
【００３２】なお、以上の第１及び第２参考例並びに一
実施形態では薄膜トランジスタ１２がスイッチング素子
になっているが、薄膜トランジスタ等の３端子素子以外
に、ダイオード、バリスタ及び金属−絶縁物−金属（Ｍ
ＩＭ）素子等の２端子素子をスイッチング素子として用
いることもできる。２端子素子を用いる場合は、マトリ
ックス状の複数の画素電極及び２端子素子と第１の電極
群とを一方の絶縁基板上に設け、第１の電極群と交差す
る第２の電極群を他方の絶縁基板上に設ける。In the first and second reference examples and the embodiment described above, the thin film transistor 12 is a switching element. However, in addition to a three-terminal element such as a thin film transistor, a diode, a varistor, and a metal-insulator-metal ( M
A two-terminal element such as an IM) element can be used as the switching element. When a two-terminal element is used, a plurality of pixel electrodes in a matrix and the two-terminal element and the first electrode group are provided on one insulating substrate, and the second electrode group that intersects the first electrode group is connected to the other. Provided on an insulating substrate.
【００３３】[0033]
【発明の効果】請求項１の液晶表示装置では、導電性遮
光層を用いても、画素電極と導電性遮光層との絶縁性を
考慮する必要がないばかりでなく、画素電極と薄膜トラ
ンジスタの一方のソース／ドレインとを確実に接続する
ことができ、しかも導電性遮光層で確実に遮光すること
ができるので、画素の点欠陥、線欠陥やカラー表示のコ
ントラスト低下等を生じることがなく、更に導電性遮光
層のパターン上の制約が少なくて、歩留りが高い。According to the liquid crystal display device of the first aspect, even if the conductive light-shielding layer is used, it is not necessary to consider the insulating property between the pixel electrode and the conductive light-shielding layer, and it is also necessary to consider one of the pixel electrode and the thin film transistor. And the source / drain can be reliably connected, and the light can be reliably shielded by the conductive light-shielding layer, so that pixel point defects, line defects, color display contrast reduction, etc. do not occur. There are few restrictions on the pattern of the conductive light-shielding layer, and the yield is high.
【図１】本願の発明の第１参考例を示しており、図２の
Ｉ−Ｉ線に沿う側断面図である。FIG. 1 shows a first reference example of the present invention, and is a side sectional view taken along line II of FIG.
【図２】第１参考例の平面図である。FIG. 2 is a plan view of the first reference example.
【図３】第２参考例の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a second reference example.
【図４】本願の発明の一実施形態の側断面図である。FIG. 4 is a side sectional view of one embodiment of the present invention.
【図５】本願の発明の一従来例を示しており、図６のＶ
−Ｖ線に沿う側断面図である。FIG. 5 shows a conventional example of the invention of the present application, and FIG.
It is a sectional side view which follows the -V line.
【図６】一従来例の平面図である。FIG. 6 is a plan view of one conventional example.
１１…画素電極、１２…薄膜トランジスタ、１７…信号
ライン、２２ａ…ソース／ドレイン、２５、４２…遮光
層、４３…カラーフィルタ11 pixel electrode, 12 thin film transistor, 17 signal line, 22a source / drain, 25, 42 light shielding layer, 43 color filter
Claims (1)
り、前記基板には信号ラインとゲートラインとが互いに
マトリックス状に配列されており、これら信号ライン及
びゲートラインの各交点には薄膜トランジスタと液晶駆
動用の画素電極とが配されている液晶表示装置におい
て、前記薄膜トランジスタ上の第１の絶縁膜に設けられ
ている第１のコンタクト孔を介して前記薄膜トランジス
タの一方のソース／ドレインと導電性遮光層とが接続さ
れており、この導電性遮光層上の第２の絶縁膜に設けら
れている第２のコンタクト孔を介して前記導電性遮光層
と前記画素電極とが接続されており、前記導電性遮光層
が画素毎に分割されており、前記画素電極下にカラーフ
ィルタが設けられていることを特徴とする液晶表示装
置。1. A liquid crystal layer is held between a pair of substrates. Signal lines and gate lines are arranged in a matrix on the substrates, and a thin film transistor is provided at each intersection of the signal lines and the gate lines. And a pixel electrode for driving a liquid crystal, wherein one of the source / drain of the thin film transistor is electrically connected to the other via a first contact hole provided in a first insulating film on the thin film transistor. A conductive light-blocking layer, and the conductive light-blocking layer is connected to the pixel electrode through a second contact hole provided in a second insulating film on the conductive light-blocking layer. A liquid crystal display device, wherein the conductive light shielding layer is divided for each pixel, and a color filter is provided below the pixel electrode.
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